WO2012176626A1

WO2012176626A1 - めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

Info

Publication number: WO2012176626A1
Application number: PCT/JP2012/064706
Authority: WO
Inventors: 裕一郎稲富; 崇田中; 黒田　修; 岩下　光秋; 祐介齋藤
Original assignee: 東京エレクトロン株式会社
Priority date: 2011-06-24
Filing date: 2012-06-07
Publication date: 2012-12-27
Also published as: KR20140033135A; TW201305394A; KR101765572B1; US20140120264A1; JP2013007099A; JP5714428B2; TWI560324B

Abstract

［課題］めっき液中のアンモニア成分の濃度を一定に維持してめっき液を循環して使用することができるめっき処理装置を提供する。［解決手段］めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、アンモニアガス貯留部１７０が接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保つ。

Description

めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

　本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うためのめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。

　近年、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するために配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになっている。しかし、銅はアルミニウムと比較して酸化されやすいので、銅配線表面の酸化を防止するために、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する金属によってめっき処理することが望まれる。

　ところで、銅配線表面にめっきされる金属の金属イオンを含むめっき液は、一般にめっきされる金属の金属イオン、および金属イオンを錯体化させるアンモニア成分を含んでいる。まためっき液はコスト低減のため、ある程度回収して再利用される。

　しかしながら、めっき液の性質は非常に不安定であり、回収し再利用するために装置内を循環するだけでも性質が変化し、劣化してしまう。特許文献１では、めっき液貯槽内に不活性ガスを導入して槽内を置換することで、大気中の二酸化炭素がめっき液に溶け込むことによるめっき液の劣化を防止している。

特開２００７－５１３４６号公報

　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、めっき液中のアンモニア成分の濃度を維持することにより、めっき液を再利用することができるめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。

　本発明は、基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板を収容する基板収容部と、前記基板収容部に収容された前記基板にめっき液を供給するめっき液供給機構であって、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出ノズルへ供給するめっき液供給管とを有するめっき液供給機構と、前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部から排出して前記めっき液供給機構の前記供給タンクへ送るめっき液排出機構と、アンモニアガスが充填されるとともに密閉されたアンモニアガス貯留部と、前記アンモニアガス貯留部からアンモニアガスを前記供給タンクへ供給するアンモニアガス管とを備えたことを特徴とするめっき処理装置である。

　本発明は、基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、前記基板を基板収容部に配置する基板載置工程と、前記基板に吐出ノズルを介して供給タンク内のめっき液を供給する供給工程と、前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部からめっき液排出機構を介して回収する回収工程と、回収されためっき液をアンモニアガスに曝して、めっき液の成分を調整する成分調整工程と、めっき液の成分が調整されためっき液を、前記吐出ノズルに供給する再利用工程とを含むことを特徴とするめっき処理方法である。

　本発明は、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記めっき処理方法は、基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法であって、前記基板を基板収容部に配置する基板載置工程と、前記基板に吐出ノズルを介して供給タンク内のめっき液を供給する供給工程と、前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部からめっき液排出機構を介して回収する回収工程と、回収されためっき液をアンモニアガスに曝して、めっき液の成分を調整する成分調整工程と、めっき液の成分が調整されためっき液を、前記吐出ノズルに供給する再利用工程とを含むことを特徴とする記憶媒体である。

　本発明によれば、供給タンクにアンモニアガス貯留部が接続されているので、供給タンクに貯留されためっき液中のアンモニア成分が外方に揮発することを抑制できる。さらに、アンモニア成分を溶け込ませることができる。このため、めっき液中のアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度範囲に維持することができ、めっき液の劣化を防止することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理システムの概略構成を示す平面図。図２は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理装置を示す側面図。図３は、図２に示すめっき処理装置の平面図。図４は、本発明の第１の実施の形態における液供給機構を示す図。図５は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理装置を示す概略図。図６は、本発明の第１の実施の形態における液供給機構を示す図。図７は、本発明の第１の実施の形態における第1加熱機構を示す図。図８は、本発明の第１の実施の形態における第２加熱機構を示す図。図９は、めっき処理方法を示すフローチャート。図１０は、本発明の第２の実施の形態におけるめっき液回収機構を示す図。図１１は、本発明の第２の実施の形態における工程を詳細に示すフローチャート。

　第１の実施の形態
　以下、図１乃至図８を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム１全体について説明する。

　めっき処理システム
　図１に示すように、めっき処理システム１は、基板２（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア３を載置し、基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室５と、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室６と、を含んでいる。基板搬入出室５と基板処理室６とは、隣接して設けられている。

　（基板搬入出室）
　基板搬入出室５は、キャリア載置部４、搬送装置８を収容した搬送室９、基板受渡台１０を収容した基板受渡室１１を有している。基板搬入出室５においては、搬送室９と基板受渡室１１とが受渡口１２を介して連通連結されている。キャリア載置部４は、複数の基板２を水平状態で収容するキャリア３を複数個載置する。搬送室９では、基板２の搬送が行われ、基板受渡室１１では、基板処理室６との間で基板２の受け渡しが行われる。

　このような基板搬入出室５においては、キャリア載置部４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台１０との間で、搬送装置８により基板２が所定枚数ずつ搬送される。

　（基板処理室）
　また基板処理室６は、中央部において前後に伸延する基板搬送ユニット１３と、基板搬送ユニット１３の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板２にめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。

　このうち基板搬送ユニット１３は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置１４を含んでいる。また基板搬送ユニット１３は、基板受渡室１１の基板受渡台１０に基板搬入出口１５を介して連通している。

　このような基板処理室６においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４により、基板２が、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板２が、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理される。

　各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の点は略同一の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。

　めっき処理装置
　以下、図２および図３を参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２は、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３は、めっき処理装置２０を示す平面図である。

　めっき処理装置２０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を回転保持するための基板回転保持機構（基板収容部）１１０と、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａと、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを受けるカップ１０５と、カップ１０５で受けためっき液や洗浄液を排出する排出口１２４，１２９，１３４と、排出口に集められた液を排出する液排出機構１２０，１２５，１３０と、基板回転保持機構１１０、液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａ、カップ１０５、および液排出機構１２０，１２５，１３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。

　（基板回転保持機構）
　このうち基板回転保持機構１１０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸１１１と、回転軸１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転機構１６２によって回転軸１１１が回転駆動され、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。

　（液供給機構）
　次に、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａについて、図２乃至図６を参照して説明する。液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａは、基板２の表面に対してめっき処理を施すめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板２の表面に後洗浄用の洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給機構９０と、基板２の表面に対して前処理めっきを施すめっき液を供給する前処理めっき液供給機構３０Ａと、基板２の表面に前洗浄用の洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給機構９０Ａと、を含んでいる。

　このうち、めっき液供給機構３０からはＮｉの金属イオンおよび金属イオンを錯体化させるアンモニア成分を含むめっき液、あるいはＣｏの金属イオンおよび金属イオンを錯体化させるアンモニア成分を含むめっき液が供給される。また前処理めっき液供給機構３０Ａからは、Ｐｄの金属イオンを含むめっき液が供給される。

　〔めっき液供給機構３０〕
　次に図４および図５により、めっき液供給機構３０について説明する。ここで図５は、めっき液供給機構３０のみを抽出して示す概略図であり、図５において前処理めっき液供給機構３０Ａ、洗浄処理液供給機構９０，９０Ａは便宜上除かれている。

　図４および図５に示すように、めっき液供給機構３０は、所定温度で基板２に供給されるめっき液３５を貯留する密閉された供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に対して吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３とを有している。また図４に示すように、めっき液供給管３３には、開閉自在なバルブ３７ｂが介挿されている。

　なお本実施の形態において、基板２に供給されるめっき液３５の「所定温度」は、めっき液３５内での自己反応が進行するめっき温度に等しい温度、または前記めっき温度よりも高温の温度となっている。めっき温度については後述する。

　供給タンク３１には、Ｎｉなどのめっき液３５の各種の成分が貯蔵されている複数の供給源から補充手段３１ａを介して各種液体が供給されている。例えば、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤、添加剤、アンモニア水および純水などの液体が供給されている。
　図４および図５では、アンモニア水を供給タンク３１に補充するアンモニア水供給部１７４Ａと、純水を供給タンク３１に補充する純水供給部１７４Ｂのみを図示している。

　また、供給タンク３１にはめっき液３５の特性をモニタするモニタ手段５７が設けられている。このモニタ手段５７は、めっき液３５のアンモニア濃度を計測するアンモニア濃度計、ｐＨ計、および温度計の機能を有する。この際、供給タンク３１内に貯留されためっき液３５の成分が適切に調整されるよう、モニタ手段５７からの信号に基づいて制御機構１６０により、供給タンク３１に供給される各種液体の流量が調整されている。例えば、モニタ手段５７からの信号に基づいて制御機構１６０により、アンモニア水供給部１７４Ａからアンモニア水が供給タンク３１に補充され、あるいは純水供給部１７４Ｂから純水が供給タンク３１に補充されて、供給タンク３１内に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分およびｐＨを調整している。

　図４および図５に示すように、めっき液供給機構３０の供給タンク３１は密閉タイプとなっており、この供給タンク３１には連結配管１７６によってアンモニアガス貯留部１７０が接続されている。アンモニアガス貯留部１７０は、アンモニア水が貯留されるとともに密閉されて体積を変化させることが可能な構造となっており、アンモニアガスが充填されている。アンモニアガス貯留部１７０は、供給タンク３１内におけるめっき液３５の液面上の空間にアンモニアガスを供給している。アンモニアガス貯留部１７０は、体積を変化させることが可能な構造となっているので、めっき液３５の液面上の空間の圧力と平衡な状態を維持することができる。供給タンク３１内のめっき液の貯留量が変化して、めっき液３５の液面上の空間の体積が変化しても、その変化に追従して適量のアンモニアガスを供給することができる。

　これにより、供給タンク３１に貯留されためっき液３５を常にアンモニアガスに曝すことができ、めっき液におけるアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度範囲に維持することができ、めっき液の劣化を防止することができる。このため、基板収容部１１０から後述する液排出機構１２０を介してめっき液供給機構３０の供給タンク３１へ回収されためっき液３５を、再び吐出ノズル３２から基板２に対して供給し、このようにして複数回に渡ってめっき液３５を再利用することができる。

　吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。またノズルヘッド１０４は、アーム１０３の先端部に取り付けられており、このアーム１０３は、上下方向に延伸可能となっており、かつ、回転機構１６５により回転駆動される支持軸１０２に固定されている。めっき液供給機構３０のめっき液供給管３３はアーム１０３の内側に配置されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。

　さらに図４に示すように、めっき液供給機構３０の供給タンク３１またはめっき液供給管３３の少なくともいずれか一方に、めっき液３５を第１温度に加熱する第1加熱機構５０が取り付けられている。また第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側において、めっき液供給管３３に、めっき液３５を第１温度よりも高温の第２温度に加熱する第２加熱機構６０が取り付けられている。第１加熱機構５０および第２加熱機構６０については、後に詳細に説明する。

　さらにまた、供給タンク３１には、補充タンク１７２が接続されている。この補充タンク１７２には、未使用のめっき液３５が貯留されており、供給タンク３１内にこの未使用のめっき液３５を供給して、めっき処理により消費されためっき液を補充する。アンモニアガス貯留部１７０は、この補充タンク１７２にも接続され、補充タンク１７２内に貯留されためっき液３５も常にアンモニアガスに曝されている。これにより、補充タンク１７２内に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保っている。

　〔前処理めっき液供給機構３０Ａ〕
　図６に示すように、前処理めっき液供給機構３０Ａは基板２に対して前処理めっきを施すめっき液を供給するものである。このような前処理めっき液供給機構３０Ａにおいて、吐出ノズル３２にめっき液を供給するための構成要素は、用いられるめっき液３５Ａが異なるのみであり、他の構成要素はめっき液供給機構３０における各構成要素と略同一になっている。図２に示すように、Ｐｄを含むめっき液を基板２の表面に吐出する吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０９に取り付けられている。またノズルヘッド１０９は、アーム１０８の先端部に取り付けられており、このアーム１０８は、上下方向に延伸可能であり、かつ回転機構１６３により回転駆動される支持軸１０７に固定されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。

　図６に示す前処理めっき液供給機構３０Ａにおいて、めっき液供給機構３０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　〔洗浄処理液供給機構９０〕
　洗浄処理液供給機構９０は、後述するように基板２の後洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０４に取り付けられたノズル９２を含んでいる。また図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０は、基板２に供給される洗浄処理液９３を貯留するタンク９１と、タンク９１の洗浄処理液９３をノズル９２へ供給する供給管９４と、供給管９４に介挿されたポンプ９６およびバルブ９７ａと、をさらに有している。なお図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０において、基板２の表面に純水などのリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構９５との間で、供給管９４およびノズル９２が共用されていてもよい。この場合、バルブ９７ａ，９７ｂの開閉を適切に制御することにより、ノズル９２から、洗浄処理液９３またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板２の表面に吐出される。

　〔洗浄処理液供給機構９０Ａ〕
　洗浄処理液供給機構９０Ａは、後述するように基板２の前洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０９に取り付けられたノズル９２を含んでいる。洗浄処理液供給機構９０Ａの構成要素は、図６に示すように、用いられる洗浄処理液９３Ａが異なるのみであり、他の構成要素は洗浄処理液供給機構９０における各構成要素と略同一になっている。図６に示す洗浄処理液供給機構９０Ａにおいて、洗浄処理液供給機構９０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　（液排出機構）
　次に、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０について、図２を参照して説明する。図２に示すように、ケーシング１０１内には、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５が配置されている。液排出機構１２０，１２５，１３０は、それぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集められる液を排出するものとなっている。

　基板２に供給した処理液は、種類ごとに排出口１２４，１２９，１３４を介して液排出機構１２０，１２５，１３０により排出することが可能となっている。例えば、液排出機構１２０は、めっき液３５を排出するめっき液排出機構１２０となっており、液排出機構１２５は、めっき液３５Ａを排出するめっき液排出機構１２５となっており、液排出機構１３０は、洗浄処理液９３，９３Ａおよびリンス処理液を排出する処理液排出機構１３０となっている。

　図２に示すように、めっき液排出機構１２０，１２５は、流路切換器１２１，１２６により切り替えられる回収流路１２２，１２７および廃棄流路１２３，１２８をそれぞれ有している。このうち回収流路１２２，１２７は、めっき液を回収して再利用するための流路であり、一方、廃棄流路１２３，１２８は、めっき液を廃棄するための流路である。なお図２に示すように、処理液排出機構１３０には廃棄流路１３３のみが設けられている。

　また図２および図５に示すように、基板収容部１１０の出口側には、めっき液３５を排出するめっき液排出機構１２０の回収流路１２２が接続され、この回収流路１２２のうち基板収容部１１０の出口側近傍に、めっき液３５を冷却する冷却バッファ１２０Ａが設けられている。そして冷却バッファ１２０Ａにより冷却されためっき液３５は、回収流路１２２を通って供給タンク３１へ戻される。

　次に、めっき液供給機構３０および前処理めっき液供給機構３０Ａに設けられている第１加熱機構５０および第２加熱機構６０について説明する。

　（第１加熱機構）
　次に第１加熱機構５０について説明する。図７において、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用循環加熱手段５１を有する第１加熱機構５０が示されている。なお第１温度は、めっき液３５内での自己反応による金属イオンの析出が進行する温度（めっき温度）よりも低く、かつ常温よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は約６０度となっており、この場合、第１温度が４０～６０度の範囲内に設定される。

　供給タンク用循環加熱手段５１は、図７に示すように、供給タンク３１の近傍でめっき液３５を循環させる供給タンク用循環管５２と、供給タンク用循環管５２に取り付けられ、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用ヒータ５３と、を有している。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２には、めっき液３５を循環させるためのポンプ５６と、フィルター５５とが介挿されている。このような供給タンク用循環加熱手段５１を設けることにより、供給タンク３１内のめっき液３５を供給タンク３１近傍で循環させながら第１温度まで加熱することができる。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２にはめっき液供給管３３が接続されている。この場合、図７に示すバルブ３７ａが開放され、バルブ３７ｂが閉鎖されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５が供給タンク３１に戻される。一方、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５がめっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０に到達する。

　なお供給タンク３１にモニタ手段５７を設置する代わりに、図７において一点鎖線で示されているように、供給タンク用循環管５２に、めっき液３５の特性をモニタするモニタ手段５７が設けられていてもよい。

　（第２加熱機構）
　次に、図８を参照して、第２加熱機構６０について説明する。第２加熱機構６０は、第１加熱機構５０によって第１温度まで加熱されためっき液３５を、さらに第２温度まで加熱するためのものである。なお第２温度とは、上述のめっき温度に等しいか、若しくはめっき温度よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は上述のように約６０度となっており、この場合、第２温度が６０～９０度の範囲内に設定される。

　図８に示すように、第２加熱機構６０は、所定の伝熱媒体を第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱する第２温度媒体供給手段６１と、第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側においてめっき液供給管３３に取り付けられ、第２温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体の熱をめっき液供給管３３内のめっき液３５に伝導させる温度調節器６２と、を有している。また図８に示すように、アーム１０３に設けられ、アーム１０３内に位置するめっき液供給管３３を通るめっき液３５を第２温度で保持するための温度保持器６５がさらに設けられていてもよい。なお図８において、めっき液供給管３３のうち、温度調節器６２内に位置するめっき液供給管が符号３３ａで表され、温度保持器６５内（アーム１０３内）に位置するめっき液供給管が符号３３ｂで表されている。

　〔温度調節器６２〕
　温度調節器６２は、第２温度媒体供給手段６１から供給される温度調節用の伝熱媒体（たとえば温水）を導入する供給口６２ａと、伝熱媒体を排出する排出口６２ｂと、を有している。供給口６２ａから供給された伝熱媒体は、温度調節器６２の内部の空間６２ｃを流れる間にめっき液供給管３３ａと接触する。これによって、めっき液供給管３３ａを流れるめっき液３５が第２温度まで加熱される。めっき液３５の加熱に用いられた後の伝熱媒体は、排出口６２ｂから排出される。

　〔温度保持器６５〕
　温度調節器６２と吐出ノズル３２との間に配設される温度保持器６５は、めっき液３５が吐出ノズル３２から吐出されるまでの間、温度調節器６２により第２温度に加熱されためっき液３５の温度を保持するためのものである。この温度保持器６５は、図８に示すように、温度保持器６５内でめっき液供給管３３ｂに接触するよう延びる保温パイプ６５ｃと、第２温度媒体供給手段６１から供給される伝熱媒体を保温パイプ６５ｃに導入する供給口６５ａと、伝熱媒体を排出する排出口６５ｂと、を有している。保温パイプ６５ｃは、めっき液供給管３３ｂに沿って吐出ノズル３２の直近まで延びており、これによって、吐出ノズル３２から吐出される直前のめっき液３５の温度を第２温度に保持することができる。

　保温パイプ６５ｃは、図８に示すように、吐出ノズル３２を収納するノズルヘッド１０４の内部で開放され、温度保持器６５内の空間６５ｄと通じていてもよい。この場合、温度保持器６５は、その断面中心に位置するめっき液供給管３３ｂ、めっき液供給管３３ｂの外周に熱的に接触させて配設された保温パイプ６５ｃ、および、保温パイプ６５ｃの外周に位置する空間６５ｄからなる三重構造（三重配管の構造）を有している。供給口６５ａから供給された伝熱媒体は、ノズルヘッド１０４に至るまで保温パイプ６５ｃを通ってめっき液３５を保温し、その後、温度保持器６５内の空間６５ｄを通って排出口６５ｂから排出される。

　（その他の構成要素）
　図２に示すように、めっき処理装置２０は、基板２の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構１４５と、基板２の裏面に気体を供給する裏面ガス供給機構１５０と、をさらに有していてもよい。

　以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム１は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０で駆動制御され、これによって基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。

　本実施の形態において、めっき処理システム１およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板２にめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、めっき処理用のめっき液３５としてＮｉイオンを含むめっき液を用い、前処理めっき用のめっき液３５ＡとしてＰｄイオンを含むめっき液を用いる場合について説明する。

　はじめに、化学還元めっきで使用されるＮｉめっき液の温調方法について説明する。次に、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施した後にＮｉめっきを化学還元めっきにより施し、その後、その他のめっき処理装置２０で基板２に金めっきを置換めっきにより施す方法について説明する。

　化学還元めっき液の温調方法
　〔第１温度調整工程〕
　基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を調整する工程について説明する。はじめに、図７を参照して、基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度よりも低温の第１温度まで加熱する第１温度調整工程について説明する。まず、第１加熱機構５０の供給タンク用ヒータ５３の温度を第１温度または第１温度よりも高い温度まで上昇させる。次に、ポンプ５６を用いることにより、めっき液３５を供給タンク用循環管５２内で循環させながら第１温度まで加熱する。この際、バルブ３７ａは開放され、バルブ３７ｂは閉鎖されている。これによって、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の温度が第１温度に制御される。

　〔第２温度調整工程〕
　次に、めっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度に等しい、または所定温度よりも高い第２温度まで加熱する第２温度調整工程について、図７および８を参照して説明する。まず、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放される。これによって、第１温度に制御されているめっき液３５が、めっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０の温度調節器６２に送られる。温度調節器６２には、第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間に第２温度まで加熱される。

　その後、第２温度に加熱されためっき液３５は、図８に示すようにアーム１０３を介して吐出ノズル３２に送られる。このとき、アーム１０３には温度保持器６５が設けられており、この温度保持器６５には、第２温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度保持器６５の内部のめっき液供給管３３ｂを通って吐出ノズル３２に到達するまで第２温度に保持される。

　めっき処理方法
　次に、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施した（前処理めっきを施す）後、上述のようにして準備されたＮｉめっき液を使用してＮｉめっきを化学還元めっきにより施す（めっき処理を施す）方法について、図９を参照して説明する。

　（基板搬入工程および基板受取工程）
　はじめに、基板搬入工程および基板受入工程が実行される。まず、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、１枚の基板２を基板受渡室１１から一のめっき処理装置２０に搬入する。めっき処理装置２０においては、はじめに、カップ１０５が所定位置まで降下され、次に、搬入された基板２がウエハチャック１１３により支持され、その後、排出口１３４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。

　（前洗浄工程）
　次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理からなる前洗浄工程が実行される（Ｓ３０２）。はじめに、リンス処理液供給機構９５Ａのバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。次に、前洗浄処理が実行される。リンス処理液供給機構９５Ａのバルブ９７ｂが閉じられるとともに、洗浄処理液供給機構９０Ａのバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３Ａが基板２の表面にノズル９２を介して供給される。その後、上述の場合と同様にしてリンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給され、リンス処理が行われる。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３Ａは、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の前洗浄工程が終了すると、バルブ９７ｂが閉じられる。

　（Ｐｄめっき工程）
　次に、Ｐｄめっき工程が実行される（前処理めっき工程の実行）（Ｓ３０３）。このＰｄめっき工程は、前洗浄工程後の基板２が乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。

　Ｐｄめっき工程においては、はじめに、排出口１２９と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により下降させる。次に、めっき液供給機構３０Ａのバルブ３７ｂが開かれ、これによって、供給タンク３１に貯留されているＰｄを含むめっき液３５Ａが、基板２の表面に吐出ノズル３２を介して所望の流量で吐出される。このことにより、基板２の表面に、置換めっきによってＰｄめっきが施される。処理後のめっき液３５Ａは、カップ１０５の排出口１２９から排出される。その後、処理後のめっき液３５Ａは、回収流路１２７を介して供給タンク３１に回収されるか、若しくは廃棄流路１２８を介して廃棄される。基板２の表面のＰｄめっき処理が終了すると、バルブ３７ｂが閉じられる。

　（リンス処理工程）
　次に、リンス処理工程が実行される（Ｓ３０４）。このリンス処理工程（Ｓ３０４）は、上述の前洗浄工程（Ｓ３０２）におけるリンス処理と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

　（Ｎｉめっき工程）
　その後、上述の工程Ｓ３０２～３０４が実行されたのと同一のめっき処理装置２０において、Ｎｉめっき工程が実行される（めっき処理工程の実行）（Ｓ３０５）。このＮｉめっき工程は、化学還元めっき処理工程として実行される。

　Ｎｉめっき工程（Ｓ３０５）においては、はじめに、排出口１２４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により下降させる。次に、第１加熱機構５０によって第１温度に加熱され、かつ第２加熱機構６０によって第２温度に加熱されためっき液３５が吐出ノズル３２から所望の流量で吐出される。このことにより、基板２の表面に、化学還元めっきによってＮｉめっきが施される。処理後のめっき液３５は、カップ１０５の排出口１２４から排出される。排出された処理後のめっき液３５は、回収流路１２２を介して供給タンク３１に回収されるか、若しくは廃棄流路１２３を介して廃棄される。

　Ｎｉめっき工程を行うことにより、排出口１２４から排出される処理後のめっき液３５は、吐出される流量よりも減少している。また、第２温度に加熱されたことにより、めっき液３５からアンモニア成分が揮発しやすくなっており、めっき処理装置２０内で多くのアンモニア成分がめっき液３５から失われる。

　（後洗浄工程）
　次に、リンス処理、後洗浄処理およびその後のリンス処理からなる後洗浄工程が実行される（Ｓ３０６）。

　まず、排出口１３４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。そして、Ｎｉめっき処理が施された基板２の表面に対してリンス処理が実行される。この場合、リンス処理液供給機構９５のバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。

　次に、後洗浄処理が実行される。リンス処理液供給機構９５のバルブ９７ｂが閉じられるとともに、洗浄処理液供給機構９０のバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。その後、上述の場合と同様にしてリンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給され、リンス処理が行われる。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の後洗浄工程が終了すると、バルブ９７ｂが閉じられる。

　（乾燥工程）
　その後、基板２を乾燥させる乾燥工程が実行される（Ｓ３０７）。例えば、ターンテーブル１１２を回転させることにより、基板２に付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板２が乾燥される。すなわち、ターンテーブル１１２が、基板２の表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。

　このようにして、一のめっき処理装置２０において、基板２の表面に対して、はじめにＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される。

　その後、Ａｕめっき処理用の他のめっき処理装置２０に搬送される。そして、他のめっき処理装置２０において、置換めっきにより基板２の表面にＡｕめっき処理が施される。Ａｕめっき処理の方法は、めっき液および洗浄液が異なる点以外は、Ｐｄめっき処理のための上述の方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

　めっき液回収・再生方法
　次に、前述のＮｉめっき工程で使用されためっき液を回収して再利用する方法を説明する。

　（冷却工程）
　まず、カップ１０５の排出口１２４から排出された処理後のめっき液が、回収流路１２２に流れるように、流路切換器１２１が切り換えられる。回収流路１２２に流れためっき液は、めっき処理が行われる際の第２温度に近い比較的高い温度を維持した状態で、冷却バッファ１２０Ａに流入する。ここで、冷却バッファ１２０Ａに設けられた冷却機構により、めっき液はめっき温度よりも低い温度に冷却される。これにより、めっき液内での自己反応による金属イオンの析出が抑制され、めっき液の劣化を防止することができる。また、アンモニア成分の揮発を抑制することができるので、冷却バッファ１２０Ａより下流においてアンモニア成分がめっき液３５から失われるのを防止することができる。

　（成分調整工程）
　次に、冷却バッファ１２０Ａで冷却されためっき液は、供給タンク３１に戻される。供給タンク３１では、供給タンク３１に設置されたモニタ手段５７により、めっき液３５のアンモニア濃度、ｐＨ、温度が計測される。そして、モニタ手段５７からの信号が制御機構１６０へ送られ、アンモニア成分が不足している場合には、制御機構１６０によってアンモニア水供給部１７４Ａからアンモニア水が供給タンク３１に補充され、また純水が不足している場合には、純水供給部１７４Ｂから純水が供給タンク３１に補充される。また、めっき処理により減少した分を補充する場合や供給タンク３１内のめっき液３５が不足した場合には、補充タンク１７２から未使用のめっき液３５が供給タンク３１へ補充される。さらに、供給タンク３１にはアンモニアガス貯留部１７０が接続されているため、供給タンク３１内の空間には、アンモニアガス貯留部１７０から供給されたアンモニアガスが充填されている。このようにして、供給タンク３１内のめっき液３５を常にアンモニアガスに曝すことにより、めっき液３５からアンモニア成分が揮発することを抑制し、さらに、めっき液３５にアンモニア成分を溶けこませる。

　これにより、処理後のめっき液３５のアンモニア成分およびｐＨを適切に調整し、めっき液におけるアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度範囲に維持することができ、めっき液の劣化を防止することができる。そして、再び吐出ノズル３２から基板２に対して供給し、めっき液を複数回にわたり再利用することができる。

　本実施の形態の作用効果
　本実施の形態によれば、供給タンク３１にアンモニアガス貯留部１７０が接続されているため、供給タンク３１内に貯留されためっき液３５を常にアンモニアガスに曝し、めっき液からアンモニア成分が揮発することを抑制し、さらには、アンモニア成分を溶け込ませることができる。これにより、めっき液中のアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度範囲に維持することができ、めっき液の劣化を防止している。このため基板収容部１１０から供給タンク３１へ戻されためっき液を再び吐出ノズル３２から基板２に対して供給し、このようにしてめっき液を複数回にわたり再利用することができる。

　また供給タンク３１内のめっき液３５が不足した場合、補充タンク１７２から未使用のめっき液３５が供給タンク３１へ補充される。この場合、アンモニアガス貯留部１７０が補充タンク１７２にも接続されているので、補充タンク１７２内に貯留された未使用のめっき液３５についてもアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度に維持することができる。

　さらにこの間、供給タンク３１に設置されたモニタ手段５７によって、めっき液３５のアンモニア濃度、ｐＨ、温度が計測される。そしてモニタ手段５７からの信号が制御機構１６０へ送られ、制御機構１６０によってアンモニア水や純水が供給タンク３１に補充される。このようにして供給タンク３１内に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分およびｐＨを調整することができる。

　また本実施の形態によれば、上述のように、めっき液３５を第１温度に加熱する第１加熱機構５０と、めっき液３５を第２温度に加熱する第２加熱機構６０とが設けられている。すなわち、めっき液３５が二段階で第２温度まで加熱されている。このことにより、めっき液３５が第２温度で保持される時間を短くすることができ、めっき液３５の寿命を長くすることができる。また、めっき液の自己反応によるパーティクルの発生を抑制することができる。

　（その他の変形例）
　本実施の形態において、めっき処理装置２０により、Ｎｉを含むめっき液３５が化学還元めっきにより基板２の表面に施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき処理装置２０により、様々なめっき液を化学還元めっきにより基板２の表面に施すことができる。例えば、Ｃｏを含むめっき液（ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰなどのめっき液）が化学還元めっきにより基板２の表面に施され得る。これらのめっき液が用いられる場合においても、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０によるめっき液３５の二段階加熱が実施されてもよい。この場合、第１温度および第２温度の具体的な値は、めっき液のめっき温度に応じて適宜設定される。例えばめっき液３５としてＣｏＰのめっき液が用いられる場合、そのめっき温度は５０～７０度となっており、そして、第１温度が４０度～上記めっき温度の範囲内に設定され、第２温度が上記めっき温度～９０度の範囲内に設定される。

　また本実施の形態において、めっき液供給機構３０Ａにも、めっき液供給機構３０の場合と同様に第１加熱機構５０および第２加熱機構６０が設けられ、また、Ｐｄを含むめっき液３５Ａに対しても、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０による二段階加熱が実施されてもよい。さらにまた、めっき液３５Ａがアンモニア成分を含む場合、めっき液供給機構３０Ａの供給タンク３１に未使用のめっき液を貯留する補充タンク１７２を接続するとともに、供給タンク３１および補充タンク１７２にアンモニアガス貯留部１７０を接続してもよい。さらにまた、供給タンク３１Ａにアンモニア水供給部１７４Ａと純水供給部１７４Ｂを接続し、供給タンク３１Ａに設置したモニタ手段５７からの信号に基づいて、供給タンク３１にアンモニア水供給部１７４Ａからアンモニア水を供給するとともに純水供給部１７４Ｂから純水を供給してもよい。

　また本実施の形態において、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、基板２にＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される例を示した（図９のＳ３０２～Ｓ３０９参照）。しかしながら、これに限られることはなく、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、化学還元めっきのみが実施されてもよい。この場合、図９に示す各工程のうち、Ｓ３０３およびＳ３０４を除く工程が実施されることになる。この際、化学還元めっきのためのめっき液が特に限られることはなく、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰおよびＮｉＰなど、化学還元めっきのための様々なめっき液が用いられ得る。

　第２の実施の形態
　次に図１０および図１１を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１０および図１１に示す第２の実施の形態は、めっき液供給機構が、めっき液排出機構から排出されためっき液の成分を調整し、成分が調整されためっき液を供給タンクに供給するめっき液回収機構をさらに有している点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図５に示す第１の実施の形態と略同一である。図１０および図１１に示す第２の実施の形態において、図１乃至図５に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　本実施の形態においては、めっき液排出機構１２０の回収流路１２２により回収されたＮｉを含む処理後のめっき液が再利用される。以下、図１０を参照して、処理後のめっき液を再利用するためのめっき液回収機構８０について説明する。

　めっき液回収機構
　図１０に示すように、めっき液回収機構８０は、めっき液排出機構１２０から排出された処理後のめっき液８５を貯留する回収タンク８８を有している。この回収タンク８８は、供給タンク３１同様に密閉タイプとなっており、この供給タンク３１および回収タンク８８には連結配管１７６によってアンモニアガス貯留部１７０が接続されている。アンモニアガス貯留部１７０は、回収タンク８８内におけるめっき液３５の液面上の空間にアンモニアガスを供給している。

　まためっき液回収機構８０は、回収タンク８８に貯留された処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する補充手段８８ａと、回収タンク８８に貯留されためっき液８５を撹拌する撹拌手段８１と、をさらに有していてもよい。このうち補充手段８８ａは、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤、添加剤、アンモニア水および純水などの液体を回収タンク８８内のめっき液８５に補充して、めっき液８５の成分を適切に調整するためのものである。例えば、回収タンク８８には、アンモニア水を回収タンク８８に補充するアンモニア水供給部１７４Ａと、純水を回収タンク８８に補充する純水供給部１７４Ｂとが接続されている。

　なお、このような成分調整をより正確に行うため、図１０において一点鎖線で示されているように、回収タンク８８に、めっき液８５の特性をモニタするモニタ手段８７が設けられていてもよい。モニタ手段８７は、めっき液８５に関し、アンモニア濃度計，ｐＨ計および温度計としての機能を有する。そしてモニタ手段８７からの信号に基づいて制御機構１６０により補充手段８８ａにより補充される各種の液体の流量が調整される。例えば、モニタ手段８７からの信号に基づいて制御機構１６０により、アンモニア水供給部１７４Ａからアンモニア水が回収タンク８８に補充され、あるいは純水供給部１７４Ｂから純水が回収タンク８８に補充されて、回収タンク８８内に貯留されためっき液８５のアンモニア成分およびｐＨを適切に調整する。

　撹拌手段８１は、例えば図１０に示すように、回収タンク８８近傍でめっき液８５を循環させることによりめっき液８５を撹拌するものとなっている。このような撹拌手段８１は、図１０に示すように、その一端８２ａおよび他端８２ｂが回収タンク８８に接続された回収タンク用循環管８２と、回収タンク用循環管８２に介挿されたポンプ８６およびフィルター８９と、を有している。このような撹拌手段８１を設けることにより、めっき液８５を撹拌しながら、めっき液内に含まれる様々な不純物を除去することができる。例えば、めっき液から金属イオンが析出する際の核となり得る不純物（パーティクル）を除去することができる。なお撹拌手段８１には、めっき液８５を供給タンク３１に供給するための接続管８３が取り付けられている。

　本発明によれば、供給タンク３１および回収タンク８８にアンモニアガス貯留部１７０を接続することにより、供給タンク３１および回収タンク８８に貯留されためっき液３５を常にアンモニアガスに曝すことができ、めっき液３５中のアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度に維持することができ、めっき液の劣化を防止することができる。
このため、基板収容部１１０から液排出機構１２０を介して回収タンク８８へ戻されためっき液３５を、再び供給タンク３１から吐出ノズル３２を介して基板２に対して供給し、複数回に渡ってめっき液３５を再利用することができる。

　さらにまた、供給タンク３１には、未使用のめっき液３５を貯留して供給タンク３１内にこの未使用のめっき液３５を補充する補充タンク１７２が接続されている。アンモニアガス貯留部１７０は、この補充タンク１７２にも接続され、補充タンク１７２内に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を予め定められた目的の濃度に保っている。

　次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。ここでは、処理後のＮｉめっき液を回収し、再生する方法について、図１１を参照して説明する。なお図１１のフローチャートに示される各工程において、図９に示す第１の実施の形態のフローチャートの各工程と同一工程には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　〔回収工程〕
　基板２に対するＮｉめっき処理を実施するために用いられた後の処理後のめっき液８５が、基板２から排出口１２４に流れていく。排出口１２４に流れた処理後のめっき液８５は、液排出機構１２０の回収流路１２２を介して回収タンク８８に送られる（Ｓ３２１）。

　〔成分調整工程〕
　次に、上述の補充手段を用いて、処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する（Ｓ３２２）。この際、追加された成分と処理後のめっき液８５とが十分に混合されるよう、撹拌手段８１を用いてめっき液８５を撹拌する。

　〔移送工程〕
　次に回収タンク８８で成分が適切に調整されためっき液８５は、図１０に示すように、接続管８３を介して供給タンク３１に送られる（Ｓ３２３）。

　回収し再生しためっき液を含むめっき液を使用して実施されるＮｉめっき処理方法は、第１の実施の形態におけるＮｉめっき処理方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

　本実施の形態の作用効果
　このように本実施の形態によれば、処理後のめっき液８５がめっき液回収機構８０により回収され再生される。このため、めっき液をより有効に活用することができ、この結果、めっき液に要するコストを低減することができる。

　また、めっき液回収機構８０が供給タンク３１とは別個に設けられているので、供給タンクには成分が適切に調整された後のめっき液を貯留することができ、めっき液をより安定して供給することができる。

　また本実施の形態によれば、めっき液３５の寿命を長くする効果が、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０を利用してめっき液３５を二段階で加熱することによってさらに促進され得る（図１０参照）。

　１　めっき処理システム
　２　基板
　２０　めっき処理装置
　３０　めっき液供給機構
　３１　供給タンク
　３２　吐出ノズル
　３３　めっき液供給管
　３５　めっき液
　５０　第１加熱機構
　５１　供給タンク用循環加熱手段
　５２　供給タンク用循環管
　５３　供給タンク用ヒータ
　５７　モニタ手段
　６０　第２加熱機構
　６１　第２温度媒体供給手段
　６２　温度調節器
　８０　めっき液回収機構
　８１　撹拌手段
　８２　回収タンク用循環管
　８５　処理後のめっき液
　８７　モニタ手段
　８８　回収タンク
　８８ａ　補充手段
　９０　洗浄処理液供給機構
　９５　リンス処理液供給機構
　１１０　基板回転保持機構
　１２０　めっき液排出機構
　１２０Ａ　冷却バッファ
　１２２　回収流路
　１６１　記憶媒体
　１７０　アンモニアガス貯留部
　１７２　補充タンク
　１７４Ａ　アンモニア水供給部
　１７４Ｂ　純水供給部

Claims

　基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
　前記基板を収容する基板収容部と、
　前記基板収容部に収容された前記基板にめっき液を供給するめっき液供給機構であって、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出ノズルへ供給するめっき液供給管とを有するめっき液供給機構と、
　前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部から排出して前記めっき液供給機構の前記供給タンクへ送るめっき液排出機構と、
　アンモニアガスが充填されるとともに密閉されたアンモニアガス貯留部と、
　前記アンモニアガス貯留部からアンモニアガスを前記供給タンクへ供給するアンモニアガス管とを備えたことを特徴とするめっき処理装置。
　前記めっき処理装置は、アンモニア水を供給するアンモニア水供給部と、純水を供給する純水供給部とをさらに有し、
　前記アンモニア水供給部と前記純水供給部は、それぞれ前記供給タンクに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
　前記めっき処理装置は、アンモニア濃度計とｐＨ計と、前記アンモニア水供給部および前記純水供給部を制御する制御機構とをさらに有し、
　前記制御機構は、前記アンモニア濃度計とｐＨ計からの信号に基づいて、前記アンモニア水供給部からアンモニア水を前記供給タンクに供給するとともに前記純水供給部から純水を前記供給タンクに供給することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
　前記めっき処理装置は、未使用のめっき液を貯留してこの未使用のめっき液を前記供給タンクに補充する補充タンクをさらに有し、
　前記補充タンクは、前記アンモニアガス貯留部と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき液処理装置。
　前記めっき処理装置は、前記めっき液排出機構と前記供給タンクとの間に、めっき液排出機構から送られるめっき液を回収して前記供給タンクに送る回収タンクをさらに有し、　前記アンモニアガス貯留部は前記回収タンクにも接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき処理装置。
　前記めっき処理装置は、前記基板収容部の出口側に、めっき液を冷却して前記供給タンク側へ送る冷却バッファをさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のめっき処理装置。
　前記めっき処理装置は、
　前記供給タンクまたは前記めっき液供給管の少なくともいずれか一方に取り付けられた、めっき液を第１温度に加熱する第１加熱機構と、
　前記第１加熱機構よりも前記吐出ノズル側において、前記めっき液供給管に取り付けられた、めっき液を前記第１温度よりも高温の第２温度に加熱する第２加熱機構とを、さらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき処理装置。
　基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
　前記基板を基板収容部に配置する基板載置工程と、
　前記基板に吐出ノズルを介して供給タンク内のめっき液を供給する供給工程と、
　前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部からめっき液排出機構を介して回収する回収工程と、
　回収されためっき液をアンモニアガスに曝して、めっき液の成分を調整する成分調整工程と、
　めっき液の成分が調整されためっき液を、前記吐出ノズルに供給する再利用工程とを含むことを特徴とするめっき処理方法。
　前記成分調整工程において、前記回収されためっき液のアンモニア濃度とｐＨ値に基づいて、アンモニア水を供給するとともに純水を供給することを特徴とする請求項８に記載のめっき処理方法。
　前記成分調整工程において、補充タンク内でアンモニアガスに曝された未使用のめっき液を前記回収されためっき液に補充することを特徴とする請求項８または９に記載のめっき処理方法。
　前記回収工程において、めっき液排出機構から排出されためっき液を回収タンクに回収することと、前記成分調整工程において、回収されためっき液の成分を前記回収タンク内で調整した後、成分が調整されためっき液を前記回収タンクから供給タンクに移送することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載のめっき処理方法。
　前記回収工程において、前記基板収容部から排出されためっき液を冷却することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載のめっき処理方法。
　前記供給工程において、めっき液は、はじめに、第１加熱機構によって前記第１温度に加熱され、次に、前記第１加熱機構よりも前記吐出ノズル側に配置された第２加熱機構によって前記第２温度に加熱され、その後、前記吐出ノズルを介して前記基板に供給されることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載のめっき処理方法。
　めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
　前記めっき処理方法は、基板に少なくともアンモニア成分を含むめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法であって、
　前記基板を基板収容部に配置する基板載置工程と、
　前記基板に吐出ノズルを介して供給タンク内のめっき液を供給する供給工程と、
　前記基板に供給した後のめっき液を前記基板収容部からめっき液排出機構を介して回収する回収工程と、
　回収されためっき液をアンモニアガスに曝して、めっき液の成分を調整する成分調整工程と、
　めっき液の成分が調整されためっき液を、前記吐出ノズルに供給する再利用工程とを含むことを特徴とする記憶媒体。