WO2012161175A1 - 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 - Google Patents

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2012161175A1
WO2012161175A1 PCT/JP2012/063002 JP2012063002W WO2012161175A1 WO 2012161175 A1 WO2012161175 A1 WO 2012161175A1 JP 2012063002 W JP2012063002 W JP 2012063002W WO 2012161175 A1 WO2012161175 A1 WO 2012161175A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
film transistor
insulating layer
organic thin
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/063002
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
公 矢作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to US14/118,275 priority Critical patent/US9035292B2/en
Priority to KR1020137033781A priority patent/KR101888718B1/ko
Publication of WO2012161175A1 publication Critical patent/WO2012161175A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22—Oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
    • C08F12/22—Oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
    • C08F12/26—Nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
    • C08F12/30—Sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/26—Nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/30—Sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D125/18—Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2800/00—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed
    • C08F2800/10—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed as molar percentages

Definitions

  • the present invention relates to a material suitable for forming an insulating layer of an organic thin film transistor.
  • Organic thin-film transistors can be manufactured at a lower temperature than inorganic semiconductors, so plastic substrates and films can be used as their substrates, and by using such substrates, elements that are more flexible, lighter and less fragile than transistors made of inorganic semiconductors. Can be obtained.
  • an element can be manufactured by application of a solution containing an organic material or film formation using a printing method, and a large number of elements can be manufactured on a large-area substrate at low cost.
  • An organic semiconductor compound used for manufacturing a field effect organic thin film transistor which is one embodiment of an organic thin film transistor is easily affected by an environment such as humidity and oxygen, and the transistor characteristics are likely to deteriorate over time due to humidity, oxygen and the like. .
  • an overcoat insulating layer covering the entire element is formed to remove the organic semiconductor compound from contact with the outside air. It is essential to protect.
  • the organic semiconductor compound is coated and protected by a gate insulating layer.
  • an insulating layer material is used to form an overcoat insulating layer, a gate insulating layer, and the like that cover the organic semiconductor layer in the organic thin film transistor.
  • an insulating layer or an insulating film of an organic thin film transistor such as the overcoat insulating layer and the gate insulating layer is referred to as an organic thin film transistor insulating layer.
  • a material used for forming the organic thin film transistor insulating layer is referred to as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • the organic thin film transistor insulating layer material is required to have excellent insulating properties and excellent dielectric breakdown strength when formed into a thin film.
  • an organic semiconductor layer is formed so as to overlap with a gate insulating layer. Therefore, the organic thin film transistor gate insulating layer material has an affinity with an organic semiconductor compound for forming an interface in close contact with the organic semiconductor layer, and the surface of the film formed from the organic thin film transistor gate insulating layer material on the organic semiconductor layer side. It is required to be flat.
  • Patent Document 1 describes that an epoxy resin and a silane coupling agent are used in combination as an organic thin film transistor gate insulating layer material.
  • a hydroxyl group produced during the curing reaction of an epoxy resin is reacted with a silane coupling agent. This is because the hydroxyl group enhances the hygroscopicity of the gate insulating layer material and impairs the stability of the transistor performance.
  • Non-Patent Document 1 describes that a resin obtained by thermally cross-linking polyvinylphenol and a melamine compound is used for the gate insulating layer.
  • a resin obtained by thermally cross-linking polyvinylphenol and a melamine compound is used for the gate insulating layer.
  • the hydroxyl group contained in polyvinylphenol is removed by crosslinking with a melamine compound, and at the same time the film strength is increased.
  • the pentacene TFT having this gate insulating layer has a small hysteresis and exhibits durability against gate bias stress.
  • Non-Patent Document 2 describes that polyvinyl gate and a copolymer obtained by copolymerizing vinyl phenol and methyl methacrylate are used for the gate insulating layer.
  • the hydroxyl group of vinylphenol interacts with the carbonyl group of methyl methacrylate to reduce the polarity of the entire film.
  • the pentacene TFT having this gate insulating layer has a small hysteresis and exhibits stable electrical characteristics.
  • the organic thin film transistor having the gate insulating layer has a threshold voltage (Vth). ) Absolute value and hysteresis are large.
  • An object of the present invention is to provide an organic thin film transistor insulating layer material capable of producing an organic thin film transistor having a small absolute value of threshold voltage and small hysteresis.
  • the absolute value of the threshold voltage (Vth) of an organic thin film transistor can be obtained by forming a gate insulating layer using an organic thin film transistor insulating layer material having a specific structure capable of forming a crosslinked structure.
  • the inventors have found that the value and hysteresis can be reduced, and have reached the present invention.
  • the present invention relates to a repeating unit having a cyclic ether structure and a formula (1)
  • R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R bb represents a connecting part that connects the main chain and the side chain of the polymer compound and may have a fluorine atom.
  • R represents an organic group that can be removed by an acid.
  • R ′ represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. The hydrogen atom in the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a fluorine atom.
  • b represents an integer of 0 or 1
  • n represents an integer of 1 to 5. When there are a plurality of R, they may be the same or different. When there are a plurality of R ′, they may be the same or different.
  • the organic thin-film transistor insulating-layer material containing the high molecular compound (A) containing the repeating unit represented by these is provided.
  • the repeating unit having a cyclic ether structure has the formula (2)
  • R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 to R 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R aa represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound and may have a fluorine atom.
  • a represents an integer of 0 or 1.
  • R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 13 to R 17 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R dd represents a connecting part that connects the main chain and the side chain of the polymer compound and may have a fluorine atom.
  • d represents an integer of 0 or 1.
  • the said high molecular compound (A) is further the repeating unit containing a 1st functional group, Comprising: This 1st functional group is the 2nd functional group which can react with an active hydrogen. Is a repeating unit that is a functional group that can be generated by the action of electromagnetic waves or heat.
  • the first functional group is at least one group selected from the group consisting of an isocyanato group blocked with a blocking agent and an isothiocyanato group blocked with a blocking agent.
  • the isocyanato group blocked with the blocking agent and the isothiocyanato group blocked with the blocking agent are represented by the formula (5):
  • Xa represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. ] It is group represented by these.
  • the isocyanato group blocked with the blocking agent and the isothiocyanato group blocked with the blocking agent are represented by the formula (6):
  • Xb represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • R 9 to R 11 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. ] It is group represented by these.
  • the said high molecular compound (A) is further Formula (4).
  • R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom.
  • R cc represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound and may have a fluorine atom.
  • c represents an integer of 0 or 1
  • m represents an integer of 1 to 5.
  • at least one Rf is a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom.
  • the repeating unit represented by these is contained.
  • the said high molecular compound (A) is further Formula (8).
  • R 18 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R ee represents a linking moiety that links the main chain and the side chain of the polymer compound and may have a fluorine atom.
  • R 19 , R 20 and R ′′ each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. The hydrogen atom in the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a fluorine atom.
  • e represents an integer of 0 or 1
  • p represents an integer of 1 to 5.
  • the present invention also includes a step of applying a liquid containing the organic thin film transistor insulating layer material to a substrate to form a coating layer on the substrate; and a step of irradiating the coating layer with an electromagnetic wave or an electron beam; And a method for forming an organic thin film transistor insulating layer including the same.
  • the present invention also includes a step of applying a liquid containing the organic thin film transistor insulating layer material to a base material to form a coating layer on the base material; Irradiating the coating layer with electromagnetic waves or electron beams; and applying heat to the coating layer; And a method for forming an organic thin film transistor insulating layer including the same.
  • the electromagnetic wave is ultraviolet light.
  • the present invention also provides an organic thin film transistor having an organic thin film transistor insulating layer formed using the organic thin film transistor insulating layer material.
  • the organic thin film transistor insulating layer is a gate insulating layer.
  • the present invention also provides a display member comprising the organic thin film transistor.
  • the present invention also provides a display including the display member.
  • An organic thin film transistor having an insulating layer formed using the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention has a low absolute value of threshold voltage and low hysteresis.
  • polymer compound refers to a compound having a structure in which a plurality of the same structural units are repeated in the molecule, and includes a so-called dimer.
  • dimer the “low molecular compound” means a compound that does not have the same structural unit repeatedly in the molecule.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention contains a polymer compound (A), and the polymer compound (A) is represented by the formula (1) having a repeating unit having a cyclic ether structure and an organic group that can be eliminated by an acid. Containing repeating units.
  • the cyclic ether structure is cationically polymerized in an environment where acid is present. Therefore, the polymer compound (A) can form a crosslinked structure.
  • the cationic ether having a cyclic ether structure is excellent in photosensitivity.
  • the crosslinking density of the organic thin film transistor insulating layer is particularly high.
  • the movement of the molecular structure is suppressed and the polarization of the insulating layer is suppressed.
  • the polarization of the insulating layer is suppressed, for example, when used as a gate insulating layer, the hysteresis of the organic thin film transistor is lowered and the operation accuracy is improved.
  • R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group. In some one aspect, R 5 is a methyl group.
  • R bb represents a linking moiety that links the main chain and the side chain and may have a fluorine atom.
  • the connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under environmental conditions for crosslinking the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • Specific examples of the linking moiety include a bond composed of a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, an ether bond (—O—), a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, —OCO—). Amide bond (—NHCO—, —CONH—), urethane bond (—NHCOO—, —OCONH—), and a combination of these bonds.
  • a hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • b represents an integer of 0 or 1. In one certain form, b is 0.
  • the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R bb may be linear, branched or cyclic, and may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. Also good.
  • Examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a group, a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and an alkyl group.
  • a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, and a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like is preferable.
  • divalent linear aliphatic hydrocarbon group divalent branched aliphatic hydrocarbon group, and divalent cyclic hydrocarbon group
  • divalent linear aliphatic hydrocarbon group divalent linear aliphatic hydrocarbon group
  • divalent branched aliphatic hydrocarbon group divalent cyclic hydrocarbon group
  • divalent cyclic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a pentylene group.
  • divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include phenylene group, naphthylene group, anthrylene group, dimethylphenylene group, trimethylphenylene group, ethylenephenylene group, diethylenephenylene group, triethylenephenylene group, Examples include propylenephenylene group, butylenephenylene group, methylnaphthylene group, dimethylnaphthylene group, trimethylnaphthylene group, vinylnaphthylene group, ethenylnaphthylene group, methylanthrylene group, and ethylanthrylene group.
  • R ′ represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • the hydrogen atom in the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a fluorine atom.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R ′ include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a carbon number of 3
  • a cyclic hydrocarbon group having 20 to 20 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably a straight chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and a branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms.
  • a cyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a carbon number of 3
  • a cyclic hydrocarbon group having 20 to 20 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably a straight chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and a branched hydrocarbon group
  • the hydrogen atom contained in the linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, the branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and the cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms may be substituted with a fluorine atom. Good.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, cyclopropyl group, Cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopentynyl group, cyclohexynyl group, trifluoromethyl group, trifluoroethyl group, phenyl group, naphthyl group, anthryl group, tolyl group, xylyl group, dimethylphenyl group, trimethylphenyl group , Ethylphenyl group, diethylphenyl group, triethylphenyl group, propylphenyl group, butylphenyl group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group,
  • an alkyl group is preferable.
  • R represents an organic group that can be eliminated by an acid.
  • the organic group that can be eliminated by an acid is preferably an organic group that can be eliminated by the action of an acid to produce a phenolic hydroxyl group.
  • the phenolic hydroxyl group can react with the cyclic ether structure to form a crosslinked structure.
  • the phenolic hydroxyl group may stop cationic polymerization or reduce the rate of cationic polymerization by chain transfer, and suppress excessive progression of cationic polymerization of a cyclic ether structure in the presence of an acid. Can do.
  • Examples of the organic group that can be eliminated by an acid include a group having a cyclic hydrocarbon structure having 3 to 20 carbon atoms such as an optionally substituted alkoxyalkyl group having 2 to 20 carbon atoms and an adamantyl group, and a tertiary alkyl group. , Tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, and 4-methoxytetrahydropyranyl group.
  • alkoxyalkyl group having 2 to 20 carbon atoms may have include an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. And halogen atoms.
  • the optionally substituted alkoxyalkyl group having 2 to 20 carbon atoms include a methoxymethyl group, a methoxyethoxymethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 2-ethoxyethyl group, and a bis (2-chloroethoxy) methyl group. 1-methyl-1-methoxyethyl group, and 1-isopropoxyethyl group.
  • tertiary alkyl group examples include a tertiary butyl group.
  • Examples of the group having a cyclic hydrocarbon structure having 3 to 20 carbon atoms include a cyclopropylmethyl group, a cyclohexyl group, and a 1-hydroxyadamantyl group.
  • n represents an integer of 1 to 5. In one certain form, n is 1.
  • the repeating unit having a cyclic ether structure is at least one repeating unit selected from the group consisting of the repeating unit represented by the formula (2) and the repeating unit represented by the formula (3). preferable.
  • the polymer compound (A) contains both the repeating unit represented by the formula (2) and the repeating unit represented by the formula (3). This is because the initiation and progress of the polymerization of the cyclic ether are promoted.
  • R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. In some one aspect, R 1 is methyl group.
  • R 2 to R 4 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms.
  • Group, aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms
  • the hydrogen atoms contained in these groups are substituted with fluorine atoms. May be.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 2 to R 4 are the same as the specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R ′ described above. Groups.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 2 to R 4 is preferably an alkyl group.
  • R aa represents a linking moiety that links the main chain and the side chain and may have a fluorine atom.
  • the connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under environmental conditions for crosslinking the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • Specific examples of the linking moiety include a bond composed of a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, an ether bond (—O—), a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, —OCO—). Amide bond (—NHCO—, —CONH—), urethane bond (—NHCOO—, —OCONH—), and a combination of these bonds.
  • A represents an integer of 0 or 1. In one certain form, a is 1.
  • the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R aa may be linear, branched or cyclic, and may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. Also good.
  • Examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a group, a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, an alkyl group or the like.
  • a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, and a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like is preferable.
  • divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R aa include the same groups as the specific examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R bb described above. It is done.
  • R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group. In some one aspect, R 12 is a methyl group.
  • R 13 to R 17 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms.
  • Group, aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms
  • the hydrogen atoms contained in these groups are substituted with fluorine atoms. May be.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 13 to R 17 are the same as the specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R ′ described above. Groups.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 13 to R 17 is preferably an alkyl group.
  • R dd represents a connecting part that connects the main chain and the side chain and may have a fluorine atom.
  • the connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under environmental conditions for crosslinking the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • Specific examples of the linking moiety include a bond composed of a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, an ether bond (—O—), a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, —OCO—). Amide bond (—NHCO—, —CONH—), urethane bond (—NHCOO—, —OCONH—), and a combination of these bonds.
  • d represents an integer of 0 or 1. In one certain form, d is 1.
  • the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R dd may be linear, branched or cyclic, and may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. Also good.
  • Examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a group, a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, an alkyl group or the like.
  • a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, and a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like is preferable.
  • divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R aa include the same groups as the specific examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R bb described above. It is done.
  • One embodiment of the polymer compound (A) of the present invention is added to the repeating unit represented by the formula (1) and the repeating unit represented by the formula (2) or the repeating unit represented by the formula (3). Further, a repeating unit containing a group containing a fluorine atom, a repeating unit containing a first functional group, wherein the first functional group is capable of reacting an electromagnetic wave or a second functional group capable of reacting with active hydrogen.
  • active hydrogen means a hydrogen atom bonded to an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom.
  • the first functional group does not react with active hydrogen. However, when the first functional group is irradiated with electromagnetic waves or heat is applied, a second functional group is generated, and the second functional group reacts with active hydrogen. That is, the first functional group can be deprotected by the action of electromagnetic waves or heat to generate a second functional group that reacts with active hydrogen.
  • the second functional group reacts with the active hydrogen-containing group contained in the organic thin film transistor insulating layer material to bond with the active hydrogen-containing group, thereby forming a crosslinked structure inside the insulating layer.
  • the active hydrogen-containing group reacts with the second functional group, the amount of active hydrogen contained in the insulating layer is reduced and polarization of the insulating layer is suppressed.
  • a hydroxyl group generated when a cyclic ether structure is polymerized in the presence of an acid, and a repeating unit represented by the formula (1) can be formed by the action of an acid. Examples thereof include a hydroxyl group formed by elimination of a group.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention further includes an active hydrogen compound which is a low molecular compound containing two or more active hydrogens and an active hydrogen compound which is a polymer compound containing two or more active hydrogens. You may contain the at least 1 sort (s) of active hydrogen compound chosen.
  • the “active hydrogen compound” means a compound having one or more active hydrogens.
  • Stabilized radicals can form carbon-carbon bonds by radical coupling. Therefore, when the polymer compound (A) contains a repeating unit containing a group that generates a stabilizing radical, a crosslinked structure can be formed inside the insulating layer.
  • the stabilized radical can initiate radical polymerization of a compound having a double bond. Therefore, when the organic thin film transistor insulating layer material contains a compound having a double bond, a crosslinked structure can be formed inside the insulating layer. At that time, the radical reaction proceeds in parallel with the polymerization reaction of the cyclic ether, and the crosslinking density of the organic thin film transistor insulating layer is effectively increased.
  • active hydrogen refers to a hydrogen atom bonded to an atom other than a carbon atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom.
  • the repeating unit containing a group containing a fluorine atom is preferably a repeating unit represented by the formula (4).
  • R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group. In some one aspect, R 6 is a methyl group.
  • R cc represents a connecting part that connects the main chain and the side chain and may have a fluorine atom.
  • the connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under environmental conditions for crosslinking the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • Specific examples of the linking moiety include a bond composed of a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, an ether bond (—O—), a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, —OCO—). Amide bond (—NHCO—, —CONH—), urethane bond (—NHCOO—, —OCONH—), and a combination of these bonds.
  • divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R cc include the same groups as the specific examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R bb described above. It is done.
  • C represents an integer of 0 or 1. In one certain form, c is 0.
  • Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom. In one certain form, Rf is a fluorine atom.
  • the formed insulating layer has a low polarity as a whole, and the components that are easily polarized even when a voltage is applied are reduced, and the polarization of the insulating layer is suppressed.
  • the fluorine atom does not replace the hydrogen atom of the main chain of the polymer compound, but replaces the hydrogen atom of the side chain or side group (pendant group).
  • the fluorine atom is substituted with a side chain or a side group, the affinity for other organic materials such as an organic semiconductor is not lowered, and in the formation of a layer containing the organic material, the organic material is exposed to the exposed surface of the insulating layer. It becomes easy to form a layer in contact.
  • the characteristics of the organic thin film transistor may be adversely affected or the improvement of the characteristics may not be obtained. This is because the characteristics of the organic thin film transistor change depending on the types and characteristics of the constituent members other than the organic thin film transistor insulating layer such as the semiconductor layer. If the characteristics of the organic thin film transistor are not improved even if fluorine is introduced into the organic thin film transistor insulating layer material, it is not necessary to introduce fluorine into the organic thin film transistor insulating layer material. In addition, when fluorine is introduced into the organic thin film transistor insulating layer material, it is preferable not to introduce fluorine into the organic thin film transistor insulating layer material when the characteristics of the organic thin film transistor are deteriorated.
  • M represents an integer from 1 to 5. In one certain form, m is 5.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by Rf may have a fluorine atom and may be linear, branched or cyclic, saturated or unsaturated. There may be.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms.
  • Group, aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • Rf is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having no fluorine atom
  • specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having no fluorine atom include a methyl group, ethyl Group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopentynyl group, cyclohexynyl group, phenyl group, Naphtyl group, anthryl group, tolyl group, xylyl group, dimethylphenyl group, trimethylphenyl group, ethylphenyl group, diethylphenyl group, triethylphenyl group, propylphenyl group, butylphenyl group,
  • an alkyl group is preferable.
  • Rf is an organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom
  • examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom include a trifluoromethyl group, 2,2,2-trimethyl, and the like. Examples thereof include a fluoroethyl group, a 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, a 2- (perfluorobutyl) ethyl group, a pentafluorophenyl group, and a trifluoromethylphenyl group.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a fluorine atom represented by Rf is preferably an alkyl group substituted with a fluorine atom.
  • At least one Rf is a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom.
  • b is 5, and five Rf are a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom.
  • the second functional group is protected (blocked) until an electromagnetic wave or heat is applied, and is present in the organic thin film transistor insulating layer material in the form of the first functional group. .
  • the storage stability of the organic thin film transistor insulating layer material is improved.
  • Preferred examples of the first functional group include an isocyanato group blocked with a blocking agent and an isothiocyanato group blocked with a blocking agent.
  • the isocyanato group blocked with the blocking agent or the isothiocyanato group blocked with the blocking agent is an isocyanate group or an isocyanate group having only one active hydrogen capable of reacting with an isocyanato group or an isothiocyanato group, or It can be produced by reacting with an isothiocyanato group.
  • the blocking agent preferably dissociates at a temperature of 170 ° C. or lower after reacting with an isocyanato group or an isothiocyanato group.
  • the blocking agent include alcohol compounds, phenol compounds, active methylene compounds, mercaptan compounds, acid amide compounds, acid imide compounds, imidazole compounds, urea compounds, and oxime compounds. , Amine compounds, imine compounds, bisulfites, pyridine compounds and pyrazole compounds.
  • a blocking agent may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
  • Preferable blocking agents include oxime compounds and pyrazole compounds.
  • Examples of the alcohol compounds include methanol, ethanol, propanol, butanol, 2-ethylhexanol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, benzyl alcohol, and cyclohexanol.
  • examples of phenolic compounds include phenol, cresol, ethylphenol, butylphenol, nonylphenol, dinonylphenol, styrenated phenol, and hydroxybenzoic acid ester.
  • Examples of the active methylene compound include dimethyl malonate, diethyl malonate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, and acetylacetone.
  • Examples of mercaptan compounds include butyl mercaptan and dodecyl mercaptan.
  • Examples of the acid amide compound include acetanilide, acetic acid amide, ⁇ -caprolactam, ⁇ -valerolactam, and ⁇ -butyrolactam.
  • Examples of the acid imide compound include succinimide and maleic imide.
  • Examples of the imidazole compound include imidazole and 2-methylimidazole.
  • Examples of urea compounds include urea, thiourea, and ethylene urea.
  • Examples of oxime compounds include formaldehyde oxime, acetaldoxime, acetoxime, methyl ethyl ketoxime, and cyclohexanone oxime.
  • Examples of the amine compound include diphenylamine, aniline, and carbazole.
  • Examples of the imine compound include ethyleneimine and polyethyleneimine.
  • Examples of the bisulfite include sodium bisulfite.
  • Examples of the pyridine compound include 2-hydroxypyridine and 2-hydroxyquinoline.
  • Examples of the pyrazole compound include 3,5-dimethylpyrazole and 3,5-diethylpyrazole.
  • the isocyanato group or isothiocyanato group blocked with a blocking agent that may be used in the present invention is preferably a group represented by the above formula (5) or a group represented by the above formula (6).
  • Xa represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • Xb represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • R 7 to R 11 each independently represent a hydrogen atom or a carbon number of 1 Represents a monovalent organic group of ⁇ 20.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 7 to R 11 may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms.
  • Group, aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms preferably linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or 3 to 6 carbon atoms.
  • a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms
  • the hydrogen atoms contained in these groups are substituted with fluorine atoms. May be.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 7 to R 11 include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, Tertiary butyl, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclopentynyl, cyclohexynyl, trifluoromethyl, trifluoroethyl, phenyl, naphthyl, anthryl, tolyl, xylyl Group, dimethylphenyl group, trimethylphenyl group, ethylphenyl group, diethylphenyl group, triethylphenyl group, propylphenyl group, butylphenyl group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group, trimethylnaphth
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 7 to R 11 is preferably an alkyl group.
  • R 7 to R 11 are hydrogen atoms.
  • Examples of the isocyanato group blocked with a blocking agent include O- (methylideneamino) carboxyamino group, O- (1-ethylideneamino) carboxyamino group, O- (1-methylethylideneamino) carboxyamino group, O— [1-methylpropylideneamino] carboxyamino group, (N-3,5-dimethylpyrazolylcarbonyl) amino group, (N-3-ethyl-5-methylpyrazolylcarbonyl) amino group, (N-3,5-diethyl) And pyrazolylcarbonyl) amino group, (N-3-propyl-5-methylpyrazolylcarbonyl) amino group, and (N-3-ethyl-5-propylpyrazolylcarbonyl) amino group.
  • Examples of the isothiocyanato group blocked with a blocking agent include an O- (methylideneamino) thiocarboxyamino group, an O- (1-ethylideneamino) thiocarboxyamino group, and an O- (1-methylethylideneamino) thiocarboxyamino group.
  • O- [1-methylpropylideneamino] thiocarboxyamino group (N-3,5-dimethylpyrazolylthiocarbonyl) amino group, (N-3-ethyl-5-methylpyrazolylthiocarbonyl) amino group, (N -3,5-diethylpyrazolylthiocarbonyl) amino group, (N-3-propyl-5-methylpyrazolylthiocarbonyl) amino group, and (N-3-ethyl-5-propylpyrazolylthiocarbonyl) amino group It is done.
  • an isocyanato group blocked with a blocking agent is preferable.
  • Examples of the stabilized radical include a benzyl radical (Ph—CH 2. ).
  • Examples of the functional group that absorbs energy and generates a benzyl radical include benzyldiethyldithiocarbamate (Ph—CH 2 —SCSNEt 2 ) and benzyl chloride (Ph—CH 2 —Cl).
  • the repeating unit having a group that generates a stabilizing radical by the action of electromagnetic waves or heat is preferably a repeating unit represented by the formula (8).
  • R 18 represents a hydrogen atom or a methyl group. In some one aspect, R 18 is hydrogen atom.
  • R 19 , R 20 and R ′′ represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • the hydrogen atom in the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a fluorine atom.
  • R 19 , R 20 and R ′′ include those of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R ′ described above. The same group as a specific example is mentioned.
  • R ee represents a connecting part that connects the main chain and the side chain and may have a fluorine atom.
  • the connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under environmental conditions for crosslinking the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • Specific examples of the linking moiety include a bond composed of a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, an ether bond (—O—), a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, —OCO—). Amide bond (—NHCO—, —CONH—), urethane bond (—NHCOO—, —OCONH—), and a combination of these bonds.
  • Specific examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R ee include the same groups as the specific examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R bb described above. It is done.
  • E represents an integer of 0 or 1. In one form, e is 0.
  • p represents an integer of 1 to 5. In one certain form, p is 1.
  • the polymer compound (A) includes, for example, a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1) and a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2)
  • a mixture of a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (8) can be produced by a method of copolymerizing using a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator. .
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1) include 4- (methoxymethoxy) styrene, 4- (methoxyethoxymethoxy) styrene, 4- (1-ethoxyethoxy) styrene, Examples include 4- (tetrahydropyranyloxy) styrene, 4- (cyclopropylmethyloxy) styrene, and 4- (cyclohexyloxy) styrene.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2) include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-glycidyl ethyl acrylate, and 2-glycidyl ethyl methacrylate.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (3) include 3-acryloyloxymethyl-3-ethyloxetane and 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (4) include 2-trifluoromethylstyrene, 3-trifluoromethylstyrene, 4-trifluoromethylstyrene, 2,3,4, Examples include 5,6-pentafluorostyrene and 4-fluorostyrene.
  • Examples of the polymerizable monomer containing the first functional group include an isocyanato group blocked with a blocking agent or a monomer having an isothiocyanate group blocked with a blocking agent and an unsaturated bond.
  • a monomer having an isocyanato group blocked with the blocking agent or an isothiocyanate group blocked with a blocking agent and an unsaturated bond includes an isocyanate group or a compound having an isothiocyanato group and an unsaturated bond, and a blocking agent. It can be produced by reacting. As the unsaturated bond, a double bond is preferable.
  • Examples of the compound having a double bond and an isocyanato group include 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and 2- (2'-methacryloyloxyethyl) oxyethyl isocyanate.
  • Examples of the compound having a double bond and an isothiocyanato group include 2-acryloyloxyethyl isothiocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isothiocyanate, and 2- (2′-methacryloyloxyethyl) oxyethyl isothiocyanate. .
  • the blocking agent can be preferably used for the production of the polymerizable monomer containing the first functional group.
  • a compound having an isocyanato group or an isothiocyanato group and an unsaturated bond is reacted with a blocking agent to have an isocyanato group blocked with a blocking agent or an isothiocyanato group blocked with a blocking agent and an unsaturated bond.
  • an organic solvent, a catalyst and the like can be added as necessary.
  • Examples of the monomer having an isocyanate group blocked with a blocking agent and a double bond in the molecule include 2- [O- [1′-methylpropylideneamino] carboxyamino] ethyl-methacrylate, and 2 -[N- [1 ', 3'-dimethylpyrazolyl] carbonylamino] ethyl-methacrylate.
  • Examples of the monomer having an isothiocyanate group blocked with the blocking agent and a double bond include 2- [O- [1′-methylpropylideneamino] thiocarboxyamino] ethyl-methacrylate and 2- [ N- [1 ′, 3′-dimethylpyrazolyl] thiocarbonylamino] ethyl-methacrylate.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material for the repeating unit represented by the formula (8) include 3- (N, N-diethyldithiocarbamylmethyl) styrene and 4- (N, N-diethyldithiocarbamate). (Milmethyl) styrene.
  • photopolymerization initiator examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 4-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-hydroxy- 2-methylpropiophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, benzophenone, methyl (o-benzoyl) benzoate, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime, -Phenyl-1,2-propanedione-2- (o-benzoyl) oxime, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin octyl ether, benzyl, benzyl dimethyl
  • carbonyl compounds such as luketal, benzyl diethy
  • the wavelength of light irradiated to the polymerizable monomer is 360 nm or more, preferably 360 to 450 nm.
  • the thermal polymerization initiator may be any compound that serves as a radical polymerization initiator.
  • polymer compound (A) is represented by the formula (9)
  • the monomer mixture may be copolymerized in the same manner as described above except that a polymerizable monomer having a structure represented by the following formula is used, and then reacted with a metal salt of N, N-dialkylthiocarbamic acid. Good.
  • Examples of the polymerizable monomer having active hydrogen include: 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxyphenyl acrylate, Acrylic acid-2-hydroxyphenylethyl 2-aminoethyl methacrylate, methacrylic acid-2-hydroxyethyl, methacrylic acid-2-hydroxypropyl, methacrylic acid-3-hydroxypropyl, methacrylic acid-2-hydroxybutyl 4-hydroxyphenyl methacrylate, 2-hydroxyphenyl ethyl methacrylate, 4-aminostyrene, 4-allylaniline, 4-aminophenyl vinyl ether, 4- (N-phenylamino) phenyl allyl ether, 4- (N Methylamino) phenyl allyl ether, 4-aminophenyl allyl ether, allylamine, 2-aminoethyl acrylate, 4-hydroxy
  • the polymer compound (A) includes a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1), a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2), and the formula (3). ), A polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (4), a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (4), a polymerizable monomer containing the first functional group, the formula (8) Other polymerizable monomers other than the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by (2) may be added to the polymerizable monomer mixture for production.
  • Examples of the other polymerizable monomers include acrylic acid esters and derivatives thereof, methacrylic acid esters and derivatives thereof, styrene and derivatives thereof, vinyl acetate and derivatives thereof, methacrylonitrile and derivatives thereof, acrylonitrile and derivatives thereof, organic Vinyl esters of carboxylic acids and derivatives thereof, allyl esters of organic carboxylic acids and derivatives thereof, dialkyl esters of fumaric acid and derivatives thereof, dialkyl esters of maleic acid and derivatives thereof, dialkyl esters of itaconic acid and derivatives thereof, organic carboxylic acids Examples thereof include organic germanium derivatives containing unsaturated hydrocarbon groups such as N-vinylamide derivatives, terminal unsaturated hydrocarbons and derivatives thereof.
  • the kind of the other polymerizable monomer is appropriately selected according to the characteristics required for the insulating layer. From the viewpoint of excellent durability against solvents and reducing the hysteresis of organic thin film transistors, monomers that have high molecular density and form a hard film are selected in films containing these compounds, such as styrene and styrene derivatives. . In addition, from the viewpoint of adhesion to the adjacent surface of the insulating layer such as the gate electrode or the surface of the substrate, the polymer compound (A) is made plastic such as methacrylic acid esters and derivatives thereof, acrylic acid esters and derivatives thereof. The monomer to be imparted is selected.
  • the acrylic ester and its derivatives may be monofunctional acrylates or polyfunctional acrylates, although the amount of use is limited.
  • acrylic esters and derivatives thereof include methyl acrylate, ethyl acrylate, acrylic acid-n-propyl, isopropyl acrylate, acrylic acid-n-butyl, acrylic acid isobutyl, acrylic acid-sec-butyl, and acrylic acid.
  • the methacrylic acid ester and derivatives thereof may be monofunctional methacrylates, and may be polyfunctional methacrylates although the amount of use is limited.
  • Examples of methacrylic acid esters and derivatives thereof include, for example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, methacrylic acid-n-propyl, isopropyl methacrylate, methacrylic acid-n-butyl, isobutyl methacrylate, methacrylic acid.
  • styrene and its derivatives examples include styrene, 2,4-dimethyl- ⁇ -methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, and 2,5-dimethylstyrene.
  • vinyl esters of organic carboxylic acids and derivatives thereof include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl benzoate, and divinyl adipate.
  • allyl esters of organic carboxylic acids and derivatives thereof include allyl acetate, allyl benzoate, diallyl adipate, diallyl terephthalate, diallyl isophthalate, and diallyl phthalate.
  • dialkyl ester of fumaric acid and its derivatives examples include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, diisopropyl fumarate, di-sec-butyl fumarate, diisobutyl fumarate, di-n-butyl fumarate, di-2 fumarate. -Ethylhexyl and dibenzyl fumarate.
  • dialkyl ester of maleic acid and its derivatives examples include dimethyl maleate, diethyl maleate, diisopropyl maleate, di-sec-butyl maleate, diisobutyl maleate, di-n-butyl maleate, di-2 maleate -Ethylhexyl and dibenzyl maleate.
  • Dialkyl esters of itaconic acid and derivatives thereof include, for example, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, diisopropyl itaconate, di-sec-butyl itaconate, diisobutyl itaconate, di-n-butyl itaconate, di-2 itaconate -Ethylhexyl and dibenzyl itaconate.
  • N-vinylamide derivatives of organic carboxylic acids examples include N-methyl-N-vinylacetamide.
  • terminal unsaturated hydrocarbons and derivatives thereof examples include 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, vinylcyclohexane, vinyl chloride and allyl alcohol.
  • Examples of the organic germanium derivative containing an unsaturated hydrocarbon group include allyltrimethylgermanium, allyltriethylgermanium, allyltributylgermanium, trimethylvinylgermanium, and triethylvinylgermanium.
  • acrylic acid alkyl ester methacrylic acid alkyl ester, styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile, and allyltrimethylgermanium are preferable.
  • acrylic acid alkyl ester, methacrylic acid alkyl ester, styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile, and allyltrimethylgermanium are preferable.
  • the characteristic of the organic thin-film transistor insulating layer obtained improves.
  • nitriles are used as the other polymerizable monomer
  • a cyano group is introduced into the organic thin film transistor insulating layer, and the solvent resistance and toughness of the insulating layer are improved.
  • the dielectric constant of the insulating layer is also improved.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer which is a raw material of the repeating unit having a cyclic ether structure is preferably 5 mol% or more and 50 mol in all the polymerizable monomers involved in the polymerization. % Or less, more preferably 20 mol% or more and 40 mol% or less.
  • the charged molar amount of the monomer is less than 5 mol%, there is a possibility that a crosslinked structure is not sufficiently formed inside the insulating layer.
  • the charged molar amount of the monomer exceeds 50 mol%, the electrical characteristics of the insulating layer may be deteriorated.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer serving as the raw material of the repeating unit represented by the formula (1) is preferably 5 mol% in all the polymerizable monomers involved in the polymerization. It is 70 mol% or less, and more preferably 10 mol% or more and 60 mol% or less.
  • the charged molar amount of the monomer is less than 5 mol%, there is a possibility that a crosslinked structure is not sufficiently formed inside the insulating layer. If the charged molar amount of the monomer exceeds 70 mol%, the transistor characteristics may be adversely affected.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (4) is all involved in the polymerization.
  • the polymerizable monomer it is preferably at most 50 mol%, more preferably at most 40 mol%.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer serving as the raw material of the repeating unit represented by the formula (4) exceeds 50 mol%, a crosslinked structure may not be sufficiently formed.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer containing the first functional group is the amount of all polymerizable monomers involved in the polymerization, Preferably it is 50 mol% or less, More preferably, it is 3 mol% or more and 30 mol% or less.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer containing the first functional group exceeds 50 mol%, the transistor characteristics may be adversely affected.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (8) is all involved in the polymerization.
  • the polymerizable monomer it is preferably 30 mol% or less, more preferably 1 to 10 mol%. If the charged molar amount of the polymerizable monomer serving as the raw material of the repeating unit represented by the formula (8) exceeds 30 mol%, the transistor characteristics may be adversely affected.
  • the polymer compound (A) has a polystyrene equivalent weight average molecular weight of preferably 3,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 500,000.
  • the polymer compound (A) may be linear, branched, or cyclic.
  • polymer compound (A) examples include poly (4- (1-ethoxyethoxy) styrene-co-glycidyl methacrylate) and poly (4- (1-ethoxyethoxy) styrene-co-3-methacryloyloxymethyl-3.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention contains a solvent for mixing and viscosity adjustment, a crosslinking agent used for crosslinking the polymer compound (A), an additive used in combination with the crosslinking agent, and the like. May be.
  • the solvent include ether solvents such as tetrahydrofuran and diethyl ether, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, alicyclic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, unsaturated hydrocarbon solvents such as pentene, and aromatic hydrocarbon solvents such as xylene.
  • Ketone solvents such as acetone, acetate solvents such as butyl acetate, alcohol solvents such as isopropyl alcohol, halogen solvents such as chloroform, and mixed solvents of these solvents.
  • the catalyst for promoting a crosslinking reaction, a sensitizer, a leveling agent, a viscosity modifier, etc. can be used.
  • Examples of the catalyst for promoting the crosslinking reaction include a photoacid generator and a photocationic polymerization initiator.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention preferably contains a photocationic polymerization initiator.
  • the photocationic polymerization initiator include iodonium salts and sulfonium salts.
  • iodonium salt examples include diphenyl iodonium hexafluorophosphate, diphenyl iodonium hexafluoroantimonate, and tolylcumyl iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate.
  • sulfonium salt examples include triphenylsulfonium phosphate, p- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, p- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4,4′- Bis [di ( ⁇ -hydroxyethoxy) phenylsulfonio] phenyl sulfide-bis-hexafluoroantimonate and 4- [4- (4-tert-butylbenzoyl) phenylthio] phenyl-di (4-methylphenyl) sulfonium Hexafluorophosphate is mentioned.
  • photocationic polymerization initiator examples include trade name Rhodosil 2074 (manufactured by Rhodia Japan Co., Ltd.), trade name ADEKA OPTOMA-SP-150 (manufactured by ADEKA), trade name ADEKA OPTOMA-SP-152 (ADEKA Corporation).
  • compounds described in JP-A-9-118663 and compounds described in JP-A-2007-262401 can also be used.
  • crosslinking agent examples include a low molecular compound having two or more cyclic ether structures, a low molecular compound having two or more double bonds, and a polymer compound having two or more double bonds.
  • Examples of the low molecular weight compound having two or more cyclic ether structures include ethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, xylene bisoxetane, and 3-ethyl-3 ⁇ [( 3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] methyl ⁇ oxetane.
  • Examples of the low molecular compound having two or more double bonds include trimethylolpropane trimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, and divinylbenzene.
  • the polymer compound having two or more double bonds is produced, for example, by reacting a polymer compound having two or more active hydrogens with a compound having a functional group capable of reacting with double bonds and active hydrogens. I can do it. It can also be produced by reacting a polymer compound having two or more haloaryl groups with a boric acid compound having a double bond.
  • polymer compound having two or more active hydrogens examples include polyaminostyrene copolymers and polyhydroxystyrene copolymers.
  • Examples of the compound having a functional group capable of reacting with the double bond and active hydrogen include acryloyl chloride, methacryloyl chloride, methacrylic anhydride, vinyl phenyl isocyanate, 2-isocyanatoethyl acrylate, and 2-isocyanatoethyl methacrylate. Is mentioned.
  • Examples of the polymer compound having two or more haloaryl groups include a poly (4-bromostyrene) copolymer.
  • boric acid compound having a double bond examples include 4-vinylphenylboronic acid.
  • polymer compound having two or more double bonds examples include poly ⁇ 4- (4′-vinylphenyl) aminocarbonylaminostyrene ⁇ , poly ⁇ 4-acryloyloxyaminostyrene ⁇ , poly ⁇ 4- (4 '-Vinylphenyl) aminocarbonylaminostyrene-co-styrene ⁇ , poly ⁇ 4-acryloyloxyaminostyrene-co-styrene ⁇ , poly ⁇ 4- (4'-vinylphenyl) aminocarbonylaminostyrene-co-styrene-co -4- (1-ethoxyethoxy) styrene ⁇ and poly ⁇ 4-acryloyloxyaminostyrene-co-styrene-co-styrene-co-4- (1-ethoxyethoxy) styrene ⁇ .
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention is a composition used for forming an insulating layer contained in an organic thin film transistor. Among the insulating layers of organic thin film transistors, it is preferably used for forming an overcoat layer or a gate insulating layer.
  • the organic thin film transistor insulating layer material is preferably an organic thin film transistor overcoat layer composition or an organic thin film transistor gate insulating layer composition, and more preferably an organic thin film transistor gate insulating layer material.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a bottom gate top contact organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention.
  • the organic thin film transistor includes a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating layer 3 formed on the gate electrode 2, an organic semiconductor layer 4 formed on the gate insulating layer 3, A source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the organic semiconductor layer 4 with a channel portion interposed therebetween, and an overcoat 7 covering the entire element are provided.
  • a bottom gate top contact type organic thin film transistor includes, for example, a gate electrode formed on a substrate, a gate insulating layer formed on the gate electrode, an organic semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and a source electrode formed on the organic semiconductor layer. It can be manufactured by forming a drain electrode and forming an overcoat.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention is suitably used for forming a gate insulating layer as an organic thin film transistor gate insulating layer material. Moreover, it can also be used for forming an overcoat layer as an organic thin film transistor overcoat layer material.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a bottom gate bottom contact type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention.
  • a substrate 1 a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating layer 3 formed on the gate electrode 2, and a channel portion on the gate insulating layer 3 are formed.
  • a bottom gate bottom contact type organic thin film transistor includes, for example, a gate electrode formed on a substrate, a gate insulating layer formed on the gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode. It can be manufactured by forming an organic semiconductor layer thereon and forming an overcoat.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention is suitably used for forming a gate insulating layer as an organic thin film transistor gate insulating layer material. Moreover, it can also be used for forming an overcoat layer as an organic thin film transistor overcoat layer material.
  • the “base material” refers to a constituent member of the organic thin film transistor on which the organic thin film transistor insulating layer is disposed.
  • the organic solvent used in the insulating layer coating solution is not particularly limited as long as it dissolves the organic thin film transistor insulating layer material, but is preferably an organic solvent having a boiling point of 100 ° C. to 200 ° C. at normal pressure. .
  • organic solvent examples include 2-heptanone (boiling point 151 ° C.) and propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146 ° C.).
  • a leveling agent, a surfactant, a curing catalyst, and the like can be added to the insulating layer coating solution as necessary.
  • the insulating layer coating solution can be applied onto the organic semiconductor compound or the gate electrode by a known method such as spin coating, die coating, screen printing, or inkjet.
  • the formed coating layer is dried as necessary. Drying here means removing the solvent contained in the applied resin composition.
  • the dried coating layer is then cured.
  • Curing means that the organic thin film transistor insulating layer material is crosslinked.
  • Crosslinking of the transistor insulating layer material is performed, for example, by irradiating the coating layer with electromagnetic waves or electron beams.
  • the organic thin film transistor insulating layer material contains a catalyst that promotes crosslinking such as a cationic photopolymerization initiator, the catalyst that promotes crosslinking decomposes upon irradiation with electromagnetic waves or electron beams to generate an acid, and the polymer compound (A)
  • the cyclic ether in the ring opens to polymerize the polymer compound (A).
  • the acid removes a group that can be eliminated by the acid in the repeating unit represented by the formula (1) to form a phenolic hydroxyl group, and the phenolic hydroxyl group and the cyclic ether are ring-opened.
  • the growth terminal of the polymer obtained by polymerizing the molecular compound (A) reacts.
  • One embodiment of the method for forming an organic thin film transistor insulating layer of the present invention includes a step of applying a liquid containing an organic thin film transistor insulating layer material to a base material to form a coating layer on the base material; Irradiating with a line.
  • the polymer compound (A) has a first functional group, and the first functional group is a functional group capable of generating a second functional group capable of reacting with active hydrogen upon irradiation with electromagnetic waves, It is preferable to form an organic thin film transistor insulating layer by the forming method.
  • Another aspect of the method for forming an organic thin film transistor insulating layer of the present invention includes a step of applying a liquid containing an organic thin film transistor insulating layer material to a base material to form a coating layer on the base material; Irradiating with an electron beam.
  • the organic thin film transistor insulating layer is formed by the forming method, and the organic thin film transistor insulating layer is formed by applying a liquid containing an organic thin film transistor insulating layer material to a base material to form a coating layer on the base material; More preferably, the layer is formed by a forming method including a step of irradiating the layer with electromagnetic waves or an electron beam; and a step of applying heat to the coating layer.
  • the coating layer When heat is applied to the coating layer, the coating layer is heated to a temperature of about 80 to 250 ° C., preferably about 100 to 230 ° C., and maintained for about 5 to 120 minutes, preferably about 10 to 60 minutes. If the heating temperature is too low or the heating time is too short, the insulating layer is not sufficiently crosslinked, and if the heating temperature is too high or the heating time is too long, the insulating layer may be damaged.
  • the irradiation conditions are adjusted in consideration of the degree of crosslinking and damage of the insulating layer.
  • the application condition is adjusted in consideration of the cross-linking of the insulating layer and the degree of damage.
  • the wavelength of the electromagnetic wave to be irradiated is preferably 450 nm or less, more preferably 150 to 410 nm.
  • the organic thin film transistor insulating layer material may be insufficiently crosslinked.
  • electromagnetic waves ultraviolet rays are preferable.
  • Irradiation with ultraviolet rays can be performed using, for example, an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor or a UV lamp used for curing a UV curable resin.
  • the electron beam irradiation can be performed using, for example, a micro electron beam irradiation tube. Heating can be performed using a heater, an oven, or the like.
  • a self-assembled monolayer may be formed on the gate insulating layer.
  • the self-assembled monolayer can be formed, for example, by treating the gate insulating layer with a solution obtained by dissolving 1 to 10% by weight of an alkylchlorosilane compound or an alkylalkoxysilane compound in an organic solvent.
  • alkylchlorosilane compound examples include methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, butyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, and octadecyltrichlorosilane.
  • alkylalkoxysilane compound examples include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, butyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, and octadecyltrimethoxysilane.
  • the substrate 1, gate electrode 2, source electrode 5, drain electrode 6 and organic semiconductor layer 4 may be composed of commonly used materials and methods. Resin or plastic plates, films, glass plates, silicon plates, etc. are used as the material of the substrate. As the electrode material, chromium, gold, silver, aluminum, molybdenum, or the like is used, and the electrode is formed by a known method such as a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, or an ink jet method.
  • a ⁇ -conjugated polymer is used as the organic semiconductor compound for forming the organic semiconductor layer 4.
  • polypyrroles, polythiophenes, polyanilines, polyallylamines, fluorenes, polycarbazoles, polyindoles, poly (P -Phenylene vinylene) and the like can be used.
  • low-molecular substances having solubility in organic solvents for example, polycyclic aromatic derivatives such as pentacene, phthalocyanine derivatives, perylene derivatives, tetrathiafulvalene derivatives, tetracyanoquinodimethane derivatives, fullerenes, carbon nanotubes Etc. can be used.
  • the organic semiconductor layer can be formed, for example, by adding a solvent or the like if necessary for the organic semiconductor compound, preparing an organic semiconductor coating solution, applying the organic semiconductor coating solution on the gate insulating layer, and applying the organic semiconductor coating solution to the organic semiconductor coating solution. This is done by drying.
  • the resin constituting the gate insulating layer has a benzene ring and has an affinity for an organic semiconductor compound. Therefore, a uniform and flat interface is formed between the organic semiconductor layer and the gate insulating layer by the coating and drying method.
  • the solvent used in the organic semiconductor coating solution is not particularly limited as long as it dissolves or disperses the organic semiconductor, but is preferably a solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. at normal pressure.
  • the solvent include chloroform, toluene, anisole, 2-heptanone, and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • the organic semiconductor coating liquid can be applied onto the gate insulating layer by a known method such as spin coating, die coating, screen printing, and ink jet, in the same manner as the insulating layer coating liquid.
  • the organic thin film transistor of the present invention may be coated with an overcoat material for the purpose of protecting the organic thin film transistor and improving the smoothness of the surface.
  • the insulating layer manufactured using the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention can be laminated with a flat film or the like, and a laminated structure can be easily formed. Moreover, an organic electroluminescent element can be suitably mounted on the insulating layer.
  • a display member having an organic thin film transistor can be suitably produced using the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • a display provided with a display member can be manufactured using the display member having the organic thin film transistor.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention can also be used for forming a layer included in a transistor other than an insulating layer and a layer included in an organic electroluminescence element.
  • Synthesis example 1 (Synthesis of polymer compound 1) In a 50 ml pressure vessel (Ace), 5.63 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (Tosoh Organic Chemical), 2.50 g of glycidyl methacrylate (Wako Pure Chemical Industries), 2- (O- [1 ′ -Methylpropylideneamino] carboxyamino) ethyl methacrylate (made by Showa Denko, trade name “Karenz MOI-BM”) 2.81 g, 0.05 g of 2,2′-azobis (2-methylpropionitrile), 16.49 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • the high molecular compound 1 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis example 2 (Synthesis of Compound 2-A) A 300 ml three-necked flask equipped with a three-way cock and septum was charged with 33.29 g of 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane (manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name: OXT-101) and 48 of triethylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries). .31 g, 200 ml of dehydrated tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and a stir bar were added, and the air inside the flask was replaced with nitrogen.
  • the flask was immersed in an ice bath, and 25.00 g of methacryloyl chloride was slowly added dropwise using a gas tight syringe while stirring the reaction mixture by stirring the stirring bar with a magnetic stirrer. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred for 2 hours in an ice bath, and then stirred overnight at room temperature for reaction. After completion of the reaction, the produced triethylamine hydrochloride was filtered off, the filtrate was transferred to a 500 ml separatory funnel, 200 ml of diethyl ether was added to the filtrate, the organic layer was washed with 100 ml of ion-exchanged water, and the organic layer was separated. Liquid.
  • Synthesis example 3 (Synthesis of polymer compound 2) In a 50 ml pressure vessel (manufactured by ACE), 3.00 g of compound 2-A, 4.80 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Organic Chemical), 2- (O- [1′-methylpropylidene) Amino] carboxyamino) ethyl methacrylate (made by Showa Denko, trade name “Karenz MOI-BM”) 2.40 g, 2,2′-azobis (2-methylpropionitrile) 0.05 g, 2-heptanone ( 15.38 g (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • the high molecular compound 2 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis example 4 (Synthesis of polymer compound 3) In a 50 ml pressure vessel (Ace), 3.38 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (Tosoh Organic Chemical), 2.50 g of glycidyl methacrylate (Wako Pure Chemical), and acrylonitrile (Wako Pure Chemical) 0.62 g, 2- (O- [1′-methylpropylideneamino] carboxyamino) ethyl-methacrylate (manufactured by Showa Denko, trade name “Karenz MOI-BM”) 2.81 g, 2,2′-azobis ( 0.05 g of 2-methylpropionitrile) and 14.04 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • the high molecular compound 3 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis example 5 (Synthesis of polymer compound 4) 1.88 g of 2,1,3-benzothiadiazole-4,7-di (ethylene boronate) and 2,6-dibromo- (4,4-bis-hexadecanyl-4H-cyclopenta [2,1-b; 0.75 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, methyltrioctylammonium chloride (made by Aldrich, trade name) in 80 mL of toluene 80 containing 3.81 g of 3,4-b ′]-dithiophene) under nitrogen atmosphere 1.0 g of “Aliquat 336” (registered trademark)) and 24 mL of 2M aqueous sodium carbonate solution were added.
  • the resulting mixture was stirred vigorously and heated to reflux for 24 hours.
  • the viscous reaction mixture was poured into 500 mL of acetone to precipitate a fibrous yellow polymer.
  • the polymer was collected by filtration, washed with acetone, and dried in a vacuum oven at 60 ° C. overnight.
  • the resulting polymer is referred to as polymer compound 4.
  • the high molecular compound 4 has the following repeating unit. n indicates the number of repeating units.
  • Synthesis Example 6 (Synthesis of polymer compound 5) In a 50 ml pressure vessel (manufactured by Ace), 1.92 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Organic Chemical), 4.00 g of compound 2-A, 0.71 g of acrylonitrile (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 1.60 g of 2- (O- [1′-methylpropylideneamino] carboxyamino) ethyl methacrylate (made by Showa Denko, trade name “Karenz MOI-BM”) and 1.74 g of styrene (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Then, 0.05 g of 2,2′-azobis (2-methylpropionitrile) and 23.36 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • the high molecular compound 5 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis example 7 (Synthesis of polymer compound 6) 1. 50 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Organic Chemical), 3.00 g of compound 2-A, and 0.46 g of glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) in a 50 ml pressure vessel (made by Ace) , 4.19 g of 4-vinylanisole (Aldrich), 0.69 g of acrylonitrile (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 2- (O- [1′-methylpropylideneamino] carboxyamino) ethyl-methacrylate (manufactured by Showa Denko) , 0.78 g of trade name “Karenz MOI-BM”), 0.33 g of methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 0.04 g of 2,2′-azobis (2-methylpropionitrile
  • the high molecular compound 5 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis Example 8 (Synthesis of polymer compound 7) 1. 50 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Organic Chemical), 3.00 g of compound 2-A, and 0.46 g of glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) in a 50 ml pressure vessel (made by Ace) , 2.19 g of 4-vinylanisole (Aldrich), 0.69 g of acrylonitrile (Wako Pure Chemical), 0.65 g of methyl methacrylate (Wako Pure Chemical), 2,2′-azobis (2-methylpro 0.04 g of (pionitrile) and 20.79 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • Polymerization was carried out in an oil bath at 80 ° C. for 8 hours to obtain a viscous 2-heptanone solution in which the polymer compound 7 was dissolved.
  • the polymer compound 7 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis Example 9 (Synthesis of Compound 8-A) In a 500 ml three-necked flask equipped with a Dimroth, 10.00 g of vinylbenzyl chloride (manufactured by Aldrich), 17.69 g of N, N-diethyldithiocarbamate trihydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), acetone (Japanese 200 ml of Koyo Pure Chemical Co., Ltd.) and a stirrer were placed, the flask was immersed in an oil bath, and the mixture was allowed to react for 20 hours while stirring the stirrer with a magnetic stirrer under reflux.
  • Synthesis Example 10 (Synthesis of polymer compound 8) In a 50 ml pressure vessel (Ace), 1.88 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (Tosoh Organic Chemical), 3.00 g of Compound 2-A, 0.69 g of acrylonitrile (Wako Pure Chemical Industries), 0.86 g of compound 8-A, 0.33 g of methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 0.46 g of glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 2.19 g of 4-vinylanisole (manufactured by Aldrich), 0.05 g of 2′-azobis (2-methylpropionitrile) and 22.05 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were added, and after argon gas was bubbled, it was sealed.
  • Polymerization was performed in an oil bath at 80 ° C. for 8 hours to obtain a viscous 2-heptanone solution in which the polymer compound 8 was dissolved.
  • the polymer compound 8 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Synthesis Example 11 (Synthesis of polymer compound 9) In a 50 ml pressure vessel (Ace), 1.73 g of 4- (1-ethoxyethoxy) styrene (Tosoh Organic Chemical), 3.00 g of Compound 2-A, 0.43 g of glycidyl methacrylate (Wako Pure Chemical) , 2.01 g of 4-vinylanisole (manufactured by Aldrich), 0.64 g of acrylonitrile (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 2- (O- [1′-methylpropylideneamino] carboxyamino) ethyl-methacrylate (manufactured by Showa Denko) , 1.44 g of trade name “Karenz MOI-BM”), 0.05 g of 2,2′-azobis (2-methylpropionitrile), 21.68 g of 2-heptanone (manufactured by Tokyo Chemical Industry), and argon gas was bubbled and sealed.
  • the high molecular compound 9 has the following repeating unit.
  • the numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • Example 1 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • 2-heptanone solution of polymer compound 1 obtained in Synthesis Example 1 and 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), a photocationic polymerization initiator, are added.
  • photoinitiator PI-2074 manufactured by Rhodia
  • PI-2074 photoinitiator
  • 2-heptanone a photocationic polymerization initiator
  • the obtained coating solution 1 was filtered using a membrane filter having a pore diameter of 0.2 ⁇ m, spin-coated on a glass substrate with a chromium electrode, and then dried on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute. Thereafter, UV light (wavelength 365 nm) of 600 mJ / cm 2 was irradiated using an aligner (manufactured by Canon; PLA-521), and then fired in nitrogen on a hot plate at 220 ° C. for 30 minutes to obtain a gate insulating layer. It was.
  • the polymer compound 4 was dissolved in xylene as a solvent to prepare a solution (organic semiconductor composition) having a concentration of 0.5% by weight, and the solution was filtered through a membrane filter to prepare a coating solution. .
  • the obtained coating solution is applied on the gate insulating layer by a spin coating method to form an active layer having a thickness of about 30 nm, and then, on the active layer by a vacuum deposition method using a metal mask,
  • a field effect organic thin film transistor was manufactured by forming a source electrode and a drain electrode having a channel length of 20 ⁇ m and a channel width of 2 mm.
  • the source electrode and the drain electrode have a structure in which molybdenum oxide and gold are stacked from the active layer side.
  • the field effect organic thin film transistor thus fabricated has the transistor characteristics of a vacuum probe (BCT22MDC-5-5) under the condition that the gate voltage Vg is changed to 20 to -40V and the source-drain voltage Vsd is changed to 0 to -40V.
  • HT-SCU manufactured by Nagase Electronic Equipments Service Co., LTD. The results are shown in Table 1.
  • the hysteresis of the field effect organic thin film transistor is that the source-drain voltage Vsd is ⁇ 40 V, and the threshold voltage Vth1 and the gate voltage Vg are changed from ⁇ 40 V to 20 V when the gate voltage Vg is changed from 20 V to ⁇ 40 V. It was expressed as a voltage difference from the threshold voltage Vth2.
  • Example 2 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle 1.00 g of the 2-heptanone solution of the polymer compound 2 obtained in Synthesis Example 3, 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), and 0.004 g of DBA (manufactured by Kawasaki Kasei).
  • 0008 g and 2.00 g of 2-heptanone were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 2 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 2 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • 2-heptanone solution of polymer compound 3 obtained in Synthesis Example 4 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), and 0.004 g of DBA (manufactured by Kawasaki Kasei).
  • PI-2074 photoinitiator
  • DBA manufactured by Kawasaki Kasei
  • 0008 g and 2.00 g of 2-heptanone were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 3 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 3 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle 1.00 g of the 2-heptanone solution of the polymer compound 5 obtained in Synthesis Example 6, 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), and 0.004 g of DBA (manufactured by Kawasaki Kasei).
  • 0008 g and 2.00 g of 2-heptanone were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 4 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 4 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 5 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle 1.00 g of the 2-heptanone solution of the polymer compound 6 obtained in Synthesis Example 7, 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), and 0.004 g of DBA (manufactured by Kawasaki Kasei).
  • 0008 g and 2.00 g of 2-heptanone were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 5 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 5 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 6 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle 1.00 g of the 2-heptanone solution of the polymer compound 7 obtained in Synthesis Example 8, 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), and 0.004 g of DBA (manufactured by Kawasaki Kasei).
  • 0008 g and 2.00 g of 2-heptanone were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 6 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 6 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 7 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 2-heptanone solution of polymer compound 8 obtained in Synthesis Example 10 0.015 g of divinylbenzene, 0.004 g of photoinitiator PI-2074 (manufactured by Rhodia), DBA ( Kawasaki Chemical Co., Ltd.) (0.0008 g) and 2-heptanone (1.00 g) were added and dissolved while stirring to prepare a uniform coating solution 7 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 7 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 8 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle 1.00 g of the 2-heptanone solution of polymer compound 2 obtained in Synthesis Example 3, 0.008 g of photoacid generator LW-S1 (manufactured by San Apro), and 1.00 g of 2-heptanone are placed. Then, the mixture was dissolved with stirring to prepare a uniform coating solution 8 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 8 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 9 (Production of organic thin film transistor insulating layer material and field effect organic thin film transistor)
  • a 10 ml sample bottle add 1.50 g of the 2-heptanone solution of the polymer compound 9 obtained in Synthesis Example 11, 0.009 g of the photoacid generator LW-S1 (manufactured by San Apro), and 1.00 g of 2-heptanone.
  • the mixture was dissolved with stirring to prepare a uniform coating solution 9 as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 9 was used instead of the coating solution 1, and the transistor characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 Manufacture of field-effect organic thin-film transistors
  • a field effect organic thin film transistor was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating solution 8 was used in place of the coating solution 1 and UV irradiation was not performed when forming the gate insulating layer. When the transistor characteristics were measured and evaluated, it did not operate as a transistor in the region where the gate voltage Vg was 20V to -40V.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明は、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供するものである。本発明は、環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。

Description

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
　本発明は、有機薄膜トランジスタが有する絶縁層を形成するのに適した材料に関する。
　有機薄膜トランジスタは、無機半導体より低温で製造できるため、その基板としてプラスチック基板やフィルムを用いることができ、このような基板を用いることにより、無機半導体からなるトランジスタよりフレキシブルであり、軽量で壊れにくい素子を得ることができる。また、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により素子作製が可能な場合があり、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造することが可能な場合がある。
　さらに、トランジスタの検討に用いることができる材料の種類が豊富であるため、分子構造の異なる材料を検討に用いれば、幅広い範囲の特性のバリエーションを有する素子を製造することができる。
　有機薄膜トランジスタの一態様である電界効果型有機薄膜トランジスタの製造に用いられる有機半導体化合物は、湿度、酸素等の環境の影響を受けやすく、トランジスタ特性が、湿度、酸素等に起因する経時劣化を起こしやすい。
　そのため、有機半導体化合物が剥き出しになる電界効果型有機薄膜トランジスタの１種であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの素子構造では、素子全体を覆うオーバーコート絶縁層を形成して有機半導体化合物を外気との接触から保護することが必須となっている。一方、トップゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、有機半導体化合物はゲート絶縁層によりコートされて保護されている。
　このように、有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層を覆うオーバーコート絶縁層及びゲート絶縁層等を形成するために、絶縁層材料が用いられる。本願明細書では、前記オーバーコート絶縁層及びゲート絶縁層のような有機薄膜トランジスタの絶縁層又は絶縁膜を有機薄膜トランジスタ絶縁層という。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成するのに用いる材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層材料という。
　有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、絶縁性及び薄膜にしたときの絶縁破壊強度に優れた特性が要求される。また、特にボトムゲート型の電界効果型有機薄膜トランジスタでは有機半導体層がゲート絶縁層に重ねて形成される。そのため、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料には、有機半導体層と密着した界面を形成するための有機半導体化合物との親和性、該有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料から形成した膜の有機半導体層側の表面が平坦になることが要求される。
　このような要求に応える技術として、特許文献１には、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料としてエポキシ樹脂とシランカップリング剤とを組み合わせて用いることが記載されている。この技術においては、エポキシ樹脂の硬化反応の際に生成する水酸基とシランカップリング剤を反応させる。これは、前記水酸基はゲート絶縁層材料の吸湿性を高め、トランジスタ性能の安定性が損なわれるからである。
　非特許文献１には、ポリビニルフェノールとメラミン化合物とを熱架橋させた樹脂をゲート絶縁層に用いることが記載されている。この技術では、メラミン化合物で架橋することによってポリビニルフェノールに含まれる水酸基を除去し、同時に膜強度を高める。このゲート絶縁層を有するペンタセンＴＦＴはヒステリシスが小さく、ゲートバイアス応力に対して耐久性を示す。
　非特許文献２には、ポリビニルフェノール及びビニルフェノールとメチルメタクリレートとを共重合させたコポリマーをゲート絶縁層に用いることが記載されている。この技術では、ビニルフェノールの水酸基をメチルメタクリレートのカルボニル基と相互作用させて膜全体の極性を低下させる。このゲート絶縁層を有するペンタセンＴＦＴはヒステリシスが小さく、安定した電気特性を示す。
特開２００７－３０５９５０号公報
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９，０９３５０７（２００６） Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９２，１８３３０６（２００８）
　しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）のような発光素子の実用化を考慮すると、有機薄膜トランジスタの動作精度をより向上する必要があり、前記のゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値及びヒステリシスが大きい。
　本発明の目的は、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することである。
　以上の事に鑑み、種々検討を行った結果、架橋構造を形成しうる特定の構造を有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いてゲート絶縁層を形成することにより有機薄膜トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値及びヒステリシスを小さくできることを見出し、本発明に至った。
　即ち、本発明は、環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、式（１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　　（１）
［式中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１～５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供する。
　ある一形態においては、前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式（２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 　　　（２）
［式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ａは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、及び、式（３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　　　（３）
［式中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１３～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ｄは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である。
　ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、第１の官能基を含有する繰り返し単位であって、該第１の官能基が、活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位、を含有する。
　ある一形態においては、前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。
　ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式（５）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 　　　（５）
［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。
　ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式（６）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 　　　（６）
［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ９～Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。
　ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式（４）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 　　　（４）
［式中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１～５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基である。］
で表される繰り返し単位を含有する。
　ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式（８）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 　　　（８）
［式中、Ｒ１８は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒeeは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ’’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｅは、０又は１の整数を表し、ｐは、１～５の整数を表す。］
で表される繰り返し単位を含有する。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
　該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；
　該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び
　該塗布層に熱を印加する工程；
を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。
　ある一形態においては、前記電磁波が紫外線である。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
　ある一形態においては、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。
　また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが低い。
本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。 本発明の他の実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。
　本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる２量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は高分子化合物（Ａ）を含み、該高分子化合物（Ａ）は、環状エーテル構造を有する繰り返し単位と酸により脱離しうる有機基を有する式（１）で表される繰り返し単位とを含有する。
　環状エーテル構造は酸が存在する環境下においてカチオン重合する。そのため、高分子化合物（Ａ）は架橋構造を形成することができる。しかも、例えば、光酸発生剤及び光カチオン重合開始剤等を用いる場合、環状エーテル構造のカチオン重合は感光性に優れたものになる。結果として、光酸発生剤及び光カチオン重合開始剤等の重合開始剤を用いた場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層の架橋密度が特に高くなる。
　絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子構造の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えばゲート絶縁層として用いた場合に有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。
　式（１）中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ５はメチル基である。
　式（１）中、Ｒｂｂは、主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（－Ｏ－）、ケトン結合（－ＣＯ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｂは０である。
　Ｒｂｂで表される炭素数１～２０の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数１～２０の二価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１～６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
　二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、二価の分岐状脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。
　炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基及びエチルアンスリレン基が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
　Ｒ’で表される炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基及び炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基及び炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
　炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基及び炭素数３～２０の環状炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
　式（１）中、Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。酸により脱離しうる有機基は、好ましくは、酸の作用により脱離してフェノール性水酸基を生成する有機基である。フェノール性水酸基は環状エーテル構造と反応して架橋構造を形成することができる。また、フェノール性水酸基は、連鎖移動により、カチオン重合を停止させたり、カチオン重合の速度を低下させる場合があり、酸の存在下における環状エーテル構造のカチオン重合が過度に進行するのを抑制することができる。
　酸により脱離しうる有機基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数２～２０のアルコキシアルキル基、アダマンチル基などの炭素数３～２０の環状炭化水素構造を有する基、三級アルキル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、及び、４－メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルコキシアルキル基が有していてもよい置換基としては、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基及びハロゲン原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素数２～２０のアルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、１－エトキシエチル基、２－エトキシエチル基、ビス（２－クロロエトキシ）メチル基、１－メチル－１－メトキシエチル基、及び、１－イソプロポキシエチル基が挙げられる。
　三級アルキル基としては、例えば、ターシャリーブチル基が挙げられる。
　炭素数３～２０の環状炭化水素構造を有する基としては、例えば、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、１－ヒドロキシアダマンチル基が挙げられる。
　式（１）中、ｎは、1～５の整数を表す。ある一形態では、ｎは１である。
　該環状エーテル構造を有する繰り返し単位としては、式（２）で表される繰り返し単位、及び、式（３）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位であることが好ましい。
　好ましい一形態では、高分子化合物（Ａ）は、式（２）で表される繰り返し単位、及び、式（３）で表される繰り返し単位を両方含有する。環状エーテルの重合の開始及び進行が促進されるからである。
　式（２）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ１はメチル基である。
　式（２）中、Ｒ２～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
　炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　Ｒ２～Ｒ４で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、前述のＲ’で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　Ｒ２～Ｒ４で表される炭素数１～２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
　式（２）中、Ｒａａは、主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（－Ｏ－）、ケトン結合（－ＣＯ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。
　ａは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ａは１である。
　Ｒａａで表される炭素数１～２０の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数１～２０の二価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１～６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
　Ｒａａで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例としては、前述のＲｂｂで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　式（３）中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ１２はメチル基である。
　式（３）中、Ｒ１３～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
　炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　Ｒ１３～Ｒ１７で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、前述のＲ’で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　Ｒ１３～Ｒ１７で表される炭素数１～２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
　式（３）中、Ｒｄｄは、主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（－Ｏ－）、ケトン結合（－ＣＯ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。ｄは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｄは１である。
　Ｒｄｄで表される炭素数１～２０の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数１～２０の二価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１～６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
　Ｒａａで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例としては、前述のＲｂｂで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　本発明の高分子化合物（Ａ）の一態様は、式（１）で表される繰り返し単位、及び、式（２）で表される繰り返し単位又は式（３）で表される繰り返し単位に加え、更に、フッ素原子を含む基を含有する繰り返し単位、第１の官能基を含有する繰り返し単位であって、該第１の官能基が、活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位、及び、電磁波もしくは熱の作用により安定化ラジカルを発生する基を含有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含有する高分子化合物である。本明細書において「活性水素」とは、酸素原子、硫黄原子または窒素原子に結合している水素原子を意味する。
　前記第１の官能基は活性水素と反応しない。しかし、該第１の官能基に電磁波を照射するか又は熱を作用させると第２の官能基が生成し、該第２の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第１の官能基は電磁波又は熱の作用により脱保護されて、活性水素と反応する第２の官能基を生成しうる。第２の官能基は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が含有する活性水素含有基と反応して活性水素含有基と結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、上記活性水素含有基が第２の官能基と反応することにより、絶縁層に含まれる活性水素の量が低減して絶縁層の分極が抑制される。
　有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が含有する活性水素含有基としては、酸の存在下で環状エーテル構造が重合する際に生成する水酸基、及び式（１）で表される繰り返し単位から、酸の作用により有機基が脱離して生成する水酸基等が挙げられる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、更に、活性水素を２個以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び活性水素を２個以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の活性水素化合物を含有させてもよい。本明細書において「活性水素化合物」とは、活性水素を１個以上有する化合物を意味する。
　安定化されたラジカルはラジカルカップリングにより炭素炭素結合を形成することができる。それゆえ、安定化ラジカルを発生する基を含有する繰り返し単位が高分子化合物（Ａ）に含まれる場合は、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、安定化されたラジカルは二重結合を有する化合物のラジカル重合を開始することができる。それゆえ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が二重結合を有する化合物を含む場合は、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。その際、ラジカル反応は、環状エーテルの重合反応と平行して進行し、有機薄膜トランジスタ絶縁層の架橋密度が効果的に高められる。
　ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。
　フッ素原子を含む基を含有する繰り返し単位は、好ましくは、式（４）で表される繰り返し単位である。式（４）中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ６はメチル基である。
　式（４）中、Ｒｃｃは、主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（－Ｏ－）、ケトン結合（－ＣＯ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。
　Ｒｃｃで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例としては、前述のＲｂｂで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　ｃは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｃは０である。
　式（４）中、Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１～２０の一価の有機基を表す。ある一形態では、Ｒｆはフッ素原子である。
　有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素が導入された場合、形成される絶縁層は全体として極性が低く、電圧が印加されても分極し易い成分が少なくなり、絶縁層の分極が抑制される。
　フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基（ペンダント基）の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が低下せず、該有機材料を含む層の形成において、有機材料が絶縁層の露出面に接し、層を形成し易くなる。
　但し、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素を導入した場合に、有機薄膜トランジスタの特性が悪影響を受ける場合、又は特性の向上が得られない場合がある。有機薄膜トランジスタの特性は、半導体層等の有機薄膜トランジスタ絶縁層以外の構成部材の種類及び特性にも依存して変化するからである。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素を導入しても有機薄膜トランジスタの特性が向上しない場合は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素を導入する必要はない。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素を導入した場合に、有機薄膜トランジスタの特性が低下する場合は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素を導入しないことが好ましい。
　ｍは、１～５の整数を表す。ある一形態では、ｍは５である。
　Ｒｆで表される炭素数１～２０の一価の有機基は、フッ素原子を有していてもよく、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　Ｒｆがフッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基である場合、フッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
　これらの基の中でも、アルキル基が好ましい。
　Ｒｆがフッ素原子を有する炭素数１～２０の有機基である場合、フッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、トリフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、２－（パーフルオロブチル）エチル基、ペンタフルオロフェニル基及びトリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。
　Ｒｆで表されるフッ素原子を有していてもよい炭素数１～２０の一価の有機基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
　式（４）中、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基である。好ましくは、ｂが５であり、５個のＲｆがフッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基である。
　有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成工程において、前記第２の官能基は、電磁波又は熱が加えられるまで保護（ブロック）されており、前記第１の官能基の形態で有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に存在する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。
　前記第１の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。
　前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又は前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基又はイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。
　前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後に、１７０℃以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ－ル系化合物、フェノ－ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。ブロック化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。
　以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ－ル系化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２－エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、アセトアニリド、酢酸アミド、ε－カプロラクタム、δ－バレロラクタム、γ－ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、コハク酸イミド、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、イミダゾール、２－メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、尿素、チオ尿素、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、エチレンイミン、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、２－ヒドロキシピリジン、２－ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、３，５－ジメチルピラゾール、３，５－ジエチルピラゾールが挙げられる。
　本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はイソチアシアナト基としては、前記式（５）で表される基又は前記式（６）で表される基が好ましい。
　式（５）及び式（６）中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７～Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。
　Ｒ７～Ｒ１１で表される炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
　炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　Ｒ７～Ｒ１１で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
　Ｒ７～Ｒ１１で表される炭素数１～２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
　ある一形態では、Ｒ７～Ｒ１１は水素原子である。
　ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、Ｏ－（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ－（１－エチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ－（１－メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ－[１－メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ基、（Ｎ－３，５－ジメチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３－エチル－５－メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３，５－ジエチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３－プロピル－５－メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ－３－エチル－５－プロピルピラゾリルカルボニル）アミノ基が挙げられる。
　ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、Ｏ－（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ－（１－エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ－（１－メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ－[１－メチルプロピリデンアミノ] チオカルボキシアミノ基、（Ｎ－３，５－ジメチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３－エチル－５－メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３，５－ジエチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ－３－プロピル－５－メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ－３－エチル－５－プロピルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基が挙げられる。
　第１の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。
　安定化されたラジカルとしては、例えば、ベンジルラジカル（Ph-CH2・）等がある。エネルギーを吸収してベンジルラジカルを発生する官能基としては、例えば、ベンジルジエチルジチオカルバメート（Ph-CH2-SCSNEt2）及び塩化ベンジル（Ph-CH2-Cl）等がある。
　中でも、ベンジルジエチルジチオカルバメートは、紫外線を照射しても、熱を印加してもベンジルラジカルを生成することができ、好ましい。よって、電磁波もしくは熱の作用により安定化ラジカルを発生する基を有する繰り返し単位は、好ましくは、式（８）で表される繰り返し単位である。
　式（８）中、Ｒ１８は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ１８は水素原子である。
　式（８）中、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ’’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
　Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ’’で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、前述のＲ’で表される炭素数１～２０の一価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　式（８）中、Ｒeeは、主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（－Ｏ－）、ケトン結合（－ＣＯ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。
　Ｒeeで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例としては、前述のＲｂｂで表される炭素数１～２０の二価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。
　ｅは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｅは０である。
　式（８）中、ｐは、1～５の整数を表す。ある一形態では、ｐは１である。
　高分子化合物（Ａ）は、例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー又は前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第１の官能基を含有する重合性モノマーとを含む重合性モノマー又は前記式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの混合物を、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。
　前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、４－（メトキシメトキシ）スチレン、４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン、４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン、４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン、及び、４－（シクロヘキシルオキシ）スチレンが挙げられる。
　前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、２－グリシジルエチルアクリレート、及び、２－グリシジルエチルメタクリレートが挙げられる。
　前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、３－アクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン、及び、３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタンが挙げられる。
　前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、２－トリフルオロメチルスチレン、３－トリフルオロメチルスチレン、４－トリフルオロメチルスチレン、２，３，４，５，６－ペンタフルオロスチレン、及び、４－フルオロスチレンが挙げられる。
　前記第１の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを有するモノマーは、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、二重結合が好ましい。
　二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、２－（２’－メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソシアネートが挙げられる。二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２－アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、２－（２’－メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。
　前記第１の官能基を含有する重合性モノマーの製造には、前記のブロック化剤を好適に用いることが出来る。イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを有する化合物と、ブロック化剤とを反応させて、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを有するモノマーの製造において、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。
　前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２－〔Ｏ－[１’－メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート、及び、２－〔Ｎ－[１’，３’－ジメチルピラゾリル]カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレートが挙げられる。
　前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２－〔Ｏ－[１’－メチルプロピリデンアミノ]チオカルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート、及び、２－〔Ｎ－[１’，３’－ジメチルピラゾリル]チオカルボニルアミノ〕エチル－メタクリレートが挙げられる。
　前記式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン、及び、４－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレンが挙げられる。
　前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、４－イソプロピル－２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ－ベンゾイル）ベンゾエート、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
　共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、３６０ｎｍ以上、好ましくは３６０～４５０ｎｍである。
　前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビスイソバレロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、４，４’－アゾビス（４－シアノバレリックアシッド）、１、１’－アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロパン）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４－ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ－メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ－クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、２，４，４－トリメチルペンチル－２－ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、ｔｅｒｔ－ブチルクミルパーオキシド、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシド、トリス（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアゼレート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ－ｓｅｃ－ブチルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。
　また、高分子化合物（Ａ）は、前記式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの代わりに、式（９）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 　　　　（９）
［式中、Ｒ"、Ｒ１８、Ｒｅｅ、ｅ及びｐは前記と同意義であり、Ｘはハロゲン原子である。］
で表される構造の重合性モノマーを使用すること以外は前記と同様にしてモノマー混合物の共重合を行い、次いで、Ｎ，Ｎ－ジアルキルチオカルバミック酸金属塩と反応させる方法により製造してもよい。
　活性水素を有する重合性モノマーとしては、アクリル酸－２－ヒドロキシエチル、アクリル酸－２－ヒドロキシプロピル、アクリル酸－３－ヒドロキシプロピル、アクリル酸－２－ヒドロキシブチル、アクリル酸－４－ヒドロキシフェニル、アクリル酸－２－ヒドロキシフェニルエチル２－アミノエチルメタアクリレート、メタアクリル酸－２－ヒドロキシエチル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸－３－ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシブチル、メタアクリル酸－４－ヒドロキシフェニル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシフェニルエチル、４－アミノスチレン、４－アリルアニリン、４－アミノフェニルビニルエーテル、４－（Ｎ－フェニルアミノ）フェニルアリルエーテル、４－（Ｎ－メチルアミノ）フェニルアリルエーテル、４－アミノフェニルアリルエーテル、アリルアミン、２－アミノエチルアクリレート、４－ヒドロキシスチレン、及び、４－ヒドロキシアリルベンゼンが挙げられる。
　高分子化合物（Ａ）は、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第１の官能基を含有する重合性モノマー、前記式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー以外の他の重合しうるモノマーを重合性モノマー混合物に添加して製造してもよい。
　該他の重合しうるモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のＮ－ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体が挙げられる。
　該他の重合しうるモノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物（Ａ）に可塑性を付与するモノマーが選択される。
　アクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸－ｎ－プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸－ｎ－ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸－ｓｅｃ－ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸－２－エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸－２－ヒドロキシエチル、アクリル酸－２－ヒドロキシプロピル、アクリル酸－３－ヒドロキシプロピル、アクリル酸－２－ヒドロキシブチル、アクリル酸－２－ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、２，２，２－トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルアクリレート、２－（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロブチル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロオクチル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）エチルアクリレート、３－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、３－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）エチルアクリレート、３－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ－ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、及び、Ｎ－アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
　メタアクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸－ｎ－プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸－ｎ－ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸－ｓｅｃ－ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸－２－エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシエチル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸－３－ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシブチル、メタアクリル酸－２－ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、１，４－ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、２，２，２－トリフルオロエチルメタアクリレート、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロブチル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロブチル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロヘキシル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロオクチル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロオクチル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）エチルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）エチルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）エチルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ－ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルメタアクリルアミド、及び、Ｎ－アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
　スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、２，４－ジメチル－α－メチルスチレン、ｏ－メチルスチレン、ｍ－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、２，４－ジメチルスチレン、２，５－ジメチルスチレン、２，６－ジメチルスチレン、３，４－ジメチルスチレン、３，５－ジメチルスチレン、２，４，６－トリメチルスチレン、２，４，５－トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ－エチルスチレン、ｍ－エチルスチレン、ｐ－エチルスチレン、ｏ－クロロスチレン、ｍ－クロロスチレン、ｐ－クロロスチレン、ｏ－ブロモスチレン、ｍ－ブロモスチレン、ｐ－ブロモスチレン、ｏ－メトキシスチレン、ｍ－メトキシスチレン、ｐ－メトキシスチレン、ｏ－ヒドロキシスチレン、ｍ－ヒドロキシスチレン、ｐ－ヒドロキシスチレン、２－ビニルビフェニル、３－ビニルビフェニル、４－ビニルビフェニル、１－ビニルナフタレン、２－ビニルナフタレン、４－ビニル－ｐ－ターフェニル、１－ビニルアントラセン、α－メチルスチレン、ｏ－イソプロペニルトルエン、ｍ－イソプロペニルトルエン、ｐ－イソプロペニルトルエン、２，４－ジメチル－α－メチルスチレン、２，３－ジメチル－α－メチルスチレン、３，５－ジメチル－α－メチルスチレン、ｐ－イソプロピル－α－メチルスチレン、α－エチルスチレン、α－クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、及び、４－アミノスチレンが挙げられる。
　有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル及びアジピン酸ジビニルが挙げられる。
　有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル及びフタル酸ジアリルが挙げられる。
　フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ－ｓｅｃ－ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ－ｎ－ブチル、フマル酸ジ－２－エチルヘキシル及びフマル酸ジベンジルが挙げられる。
　マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ－ｓｅｃ－ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ－ｎ－ブチル、マレイン酸ジ－２－エチルヘキシル及びマレイン酸ジベンジルが挙げられる。
　イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ－ｓｅｃ－ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ－ｎ－ブチル、イタコン酸ジ－２－エチルヘキシル及びイタコン酸ジベンジルが挙げられる。
　有機カルボン酸のＮ－ビニルアミド誘導体としては、例えば、Ｎ－メチル－Ｎ－ビニルアセトアミドが挙げられる。
　末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル及びアリルアルコールが挙げられる。
　不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム及びトリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。
　これらのうちでは、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。これらを用いると、得られる有機薄膜トランジスタ絶縁層の特性が向上する。
　例えば、該他の重合しうるモノマーとしてニトリル類を用いると、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部にシアノ基が導入され、絶縁層の耐溶剤性及び強靭性等が向上する。また、この場合、絶縁層の誘電率も向上する。
　高分子化合物（Ａ）を合成する際、環状エーテル構造を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５モル％以上５０モル％以下であり、より好ましくは２０モル％以上４０モル％以下である。上記モノマーの仕込みモル量が５モル％未満であると絶縁層の内部に架橋構造が十分形成されない可能性が生じる。上記モノマーの仕込みモル量が５０モル％を越えると絶縁層の電気特性が低下することがある。
　高分子化合物（Ａ）を合成する際、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５モル％以上７０モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以上６０モル％以下である。上記モノマーの仕込みモル量が５モル％未満であると絶縁層の内部に架橋構造が十分形成されない可能性が生じる。上記モノマーの仕込みモル量が７０モル％を越えるとトランジスタ特性に悪影響が出ることがある。
　高分子化合物（Ａ）が式（４）で表される繰り返し単位を含有する場合、式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５０モル％以下であり、より好ましくは４０モル％以下である。式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が５０モル％を越えると架橋構造が十分形成されないことがある。
　高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を含有する繰り返し単位を含有する場合、第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５０モル％以下であり、より好ましくは３モル％以上３０モル％以下である。第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量が５０モル％を越えるとトランジスタ特性に悪影響が出ることがある。
　高分子化合物（Ａ）が式（８）で表される繰り返し単位を含有する場合、式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは３０モル％以下であり、より好ましくは１～１０モル％である。式（８）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が３０モル％を越えるとトランジスタ特性に悪影響が出ることがある。
　高分子化合物（Ａ）は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３０００～１００００００が好ましく、５０００～５０００００がより好ましい。高分子化合物（Ａ）は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよく、環状であってもよい。
　高分子化合物（Ａ）としては、例えば、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔１’－（３’，５’－ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル－メタクリレート]）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、及び、ポリ（４－（シクロヘキシルオキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－[２－〔Ｏ－（１’－メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル－メタクリレート]－コ－アクリロニトリル）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）、ポリ（４－（１－エトキシエトキシ)スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）、ポリ（４－（メトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）、ポリ（４－（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－グリシジルメタクリレート－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）、ポリ（４－
（メトキシエトキシメトキシ）スチレン－コ－３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン－コ－３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミルメチル）スチレン）が挙げられる。
＜有機薄膜トランジスタ絶縁層材料＞
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、混合や粘度調節のための溶媒や、高分子化合物（Ａ）を架橋させるために用いる架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤などを含有していてもよい。該溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、増感剤、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。
　該架橋反応を促進するための触媒としては、光酸発生剤及び光カチオン重合開始剤が挙げられる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、光カチオン重合開始剤を含むことが好ましい。該光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩が挙げられる。
　ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、及び、トリルキュミルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが挙げられる。
　スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムホスフェート、ｐ－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４’－ビス［ジ（β－ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニオ］フェニルスルフィド－ビス－ヘキサフルオロアンチモネート、及び、４－［４－（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニル－ジ（４－メチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェートが挙げられる。
　該光カチオン重合開始剤として、具体的には、商品名ロードシル２０７４（ローディアジャパン株式会社製）、商品名アデカオプトマ－ＳＰ－１５０（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ－ＳＰ－１５２（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ－ＳＰ－１７０（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、商品名アデカオプトマ－ＳＰ－１７２（株式会社ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。また、前記のもののほかに、特開平９－１１８６６３号公報記載の化合物、特開２００７－２６２４０１号公報記載の化合物も使用することができる。
　該架橋剤としては、例えば、環状エーテル構造を２個以上有する低分子化合物、二重結合を２個以上有する低分子化合物及び二重結合を２個以上有する高分子化合物が挙げられる。
　該環状エーテル構造を２個以上有する低分子化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、キシレンビスオキセタン、及び、３―エチル―３｛［（３―エチルオキセタン―３―イル）メトキシ］メチル｝オキセタンが挙げられる。
　該二重結合を２個以上有する低分子化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、及び、ジビニルベンゼンが挙げられる。
　該二重結合を２個以上有する高分子化合物は、例えば、２個以上の活性水素を有する高分子化合物と二重結合と活性水素と反応する官能基を有する化合物とを反応させることにより製造することが出来る。また、２個以上のハロアリール基を有する高分子化合物と二重結合を有するホウ酸化合物とを反応させることによっても製造することが出来る。
　該２個以上の活性水素を有する高分子化合物としては、例えば、ポリアミノスチレン共重合体及びポリヒドロキシスチレン共重合体が挙げられる。
　該二重結合と活性水素と反応する官能基を有する化合物としては、例えば、アクリロイルクロライド、メタクリロイルクロライド、メタクリル酸無水物、ビニルフェニルイソシアネート、２－イソシアナトエチルアクリレート、及び、２－イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。
　該２個以上のハロアリール基を有する高分子化合物としては、例えば、ポリ（４－ブロモスチレン）共重合体が挙げられる。
　該二重結合を有するホウ酸化合物としては、４－ビニルフェニルボロン酸が挙げられる。
　該二重結合を２個以上有する高分子化合物としては、例えば、ポリ｛４－（４’－ビニルフェニル）アミノカルボニルアミノスチレン｝、ポリ｛４－アクリロイルオキシアミノスチレン｝、ポリ｛４－（４’－ビニルフェニル）アミノカルボニルアミノスチレン－コ－スチレン｝、ポリ｛４－アクリロイルオキシアミノスチレン－コ－スチレン｝、ポリ｛４－（４’－ビニルフェニル）アミノカルボニルアミノスチレン－コ－スチレン－コ－４－（１－エトキシエトキシ）スチレン｝、及び、ポリ｛４－アクリロイルオキシアミノスチレン－コ－スチレン－コ－スチレン－コ－４－（１－エトキシエトキシ）スチレン｝が挙げられる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる組成物である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層組成物、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物であることが好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料であることがより好ましい。
＜有機薄膜トランジスタ＞
　図１は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。
　ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。
　図２は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６上に形成された有機半導体層４と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。
　ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。
　ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要すれば溶媒などを添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、基材に塗布し、乾燥し、硬化させることにより行う。ここで、「基材」とは、その上に有機薄膜トランジスタ絶縁層が配置されることになる有機薄膜トランジスタの構成部材をいう。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が１００℃～２００℃の有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、２－ヘプタノン（沸点１５１℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）が挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。
　該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法により有機半導体化合物又はゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。
　乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層材料の架橋は、例えば、塗布層に電磁波若しくは電子線の照射することにより行われる。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が光カチオン重合開始剤等の架橋を促進させる触媒を含む場合、電磁波若しくは電子線の照射により、架橋を促進させる触媒が分解して酸が生成し、高分子化合物（Ａ）中の環状エーテルが開環して高分子化合物（Ａ）が重合する。また、該酸により、式（１）で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる基が脱離してフェノール性水酸基が生成し、該フェノール性水酸基と、前記環状エーテルが開環して高分子化合物（Ａ）が重合して得られた重合体の成長末端とが反応する。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法の一態様は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；を包含する形成方法である。高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を有し、該第１の官能基が、電磁波の照射により、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる官能基である場合、該形成方法により有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが好ましい。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法の他の態様は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；を包含する形成方法である。高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を有し、該第１の官能基が、熱の作用により、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる官能基である場合、該形成方法により有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが好ましく、有機薄膜トランジスタ絶縁層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び該塗布層に熱を印加する工程；を包含する形成方法で形成することがより好ましい。
　塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を約８０～２５０℃、好ましくは約１００～２３０℃の温度に加熱して約５～１２０分、好ましくは約１０～６０分維持する。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。
　塗布層に電磁波を照射する場合、絶縁層の架橋及び損傷の度合いを考慮して、照射条件を調節する。マイクロ波を印加して加熱する場合は、絶縁層の架橋が及び損傷の度合いを考慮して印加条件を調節する。
　照射する電磁波の波長は４５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１５０～４１０ｎｍである。照射する電磁波の波長が４５０ｎｍを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。
　紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために使用されているＵＶランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。
　ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１～１０重量％溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。
　アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。
　アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。
　基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層４は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。
　有機半導体層４を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（Ｐ－フェニレンビニレン）類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、２，１，３－ベンゾチアジアゾール－４，７－ジ（エチレンボロネート）と、２，６－ジブロモ－（４，４－ビス－ヘキサデカニル－４H－シクロペンタ[２，１－ｂ；３，４－ｂ’]－ジチオフェンとの縮合物、９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン－２，７－ジ（エチレンボロネート）と、５，５’－ジブロモ－２，２’－バイチオフェンとの縮合物等があげられる。
　有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。
　有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が５０℃～２００℃の溶媒である。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２－ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコート、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。
　以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例に限定されるものではない。
　合成例１
（高分子化合物１の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を５．６３ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を２．５０ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を２．８１ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を１６．４９ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物１が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物１は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 　　　　　高分子化合物１
　得られた高分子化合物１の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、２５５０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例２
（化合物２－Ａの合成）
　三方コック及びセプタムを取り付けた３００ｍｌの三つ口フラスコに、3－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン（東亞合成製、商品名：ＯＸＴ－１０１）を３３．２９ｇ、トリエチルアミン（和光純薬製）を４８．３１ｇ、脱水テトラヒドロフラン（和光純薬製）を２００ｍｌ、攪拌子を入れ、フラスコ内部の空気を窒素で置換した。フラスコを氷浴中に浸け、マグネティックスターラーで攪拌子を攪拌させることにより反応混合物を攪拌させながら、ガスタイトシリンジを用いてメタクリロイルクロライド２５．００ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後、氷浴中で更に2時間攪拌を続け、その後、室温で一晩攪拌を続けて反応させた。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、濾液を５００ｍｌの分液ロートに移し、濾液にジエチルエーテル２００ｍｌを加えた後、１００ｍｌのイオン交換水で有機層を水洗し、有機層を分液した。有機層の水洗を３回繰り返した後、有機層を分液し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターを用いて濃縮し、化合物２－Ａを淡褐色液体として得た。化合物２－Ａの得量は２９．３ｇであり、収率は６１．３％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 　化合物２－Ａ
　合成例３
（高分子化合物２の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、化合物２－Ａを３．００ｇ、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を４．８０ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を２．４０ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を１５．３８ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物２が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物２は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 　　　　　　高分子化合物２
　得られた高分子化合物２の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１４６０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例４
（高分子化合物３の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を３．３８ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を２．５０ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６２ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を２．８１ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を１４．０４ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物３が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物３は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 　　　　　　　高分子化合物３
　得られた高分子化合物３の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、４０８０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例５
（高分子化合物４の合成）
　２，１，３－ベンゾチアジアゾール－４，７－ジ（エチレンボロネート）を１．８８ｇ、及び２，６－ジブロモ－（４，４－ビス－ヘキサデカニル－４H－シクロペンタ[２，１－ｂ；３，４－ｂ’]－ジチオフェン）を３．８１ｇ含む８０ｍＬのトルエン８０中に、窒素雰囲気下において、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを０．７５ｇ、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（Ａｌｄｒｉｃｈ製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ　３３６」（登録商標））を１．０ｇ、及び２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液を２４ｍＬ加えた。得られた混合物を激しく攪拌し、加熱して２４時間還流させた。粘稠な反応混合物をアセトン５００ｍＬに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過して集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて６０℃で一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物４とよぶ。高分子化合物４は、下記繰り返し単位を有している。ｎは繰り返し単位の数を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 　　　高分子化合物４
　高分子化合物４の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、３２０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例６
（高分子化合物５の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を１．９２ｇ、化合物２－Ａを４．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．７１ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を１．６０ｇ、スチレン（和光純薬製）を１．７４ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を２３．３６ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物５が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物５は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 　　　　　　　　高分子化合物５
　得られた高分子化合物５の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、６９０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例７
（高分子化合物６の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を１．８８ｇ、化合物２－Ａを３．００ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を０．４６ｇ、4－ビニルアニソール（アルドリッチ製）を２．１９ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６９ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を０．７８ｇ、メチルメタクリレート（和光純薬製）を０．３３ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０４ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を２１．８６ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。８０℃のオイルバス中で８時間重合させ、高分子化合物６が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物５は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 　　　　　　　　　　　高分子化合物６
　得られた高分子化合物６の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、９８０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例８
（高分子化合物７の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を１．８８ｇ、化合物２－Ａを３．００ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を０．４６ｇ、４－ビニルアニソール（アルドリッチ製）を２．１９ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６９ｇ、メチルメタクリレート（和光純薬製）を０．６５ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０４ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を２０．７９ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。８０℃のオイルバス中で８時間重合させ、高分子化合物７が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物７は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 　　　　　　　　　　高分子化合物７
　得られた高分子化合物７の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１１８０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例９
（化合物８－Ａの合成）
　ジムロートを取り付けた５００ｍｌの三つ口フラスコに、ビニルベンジルクロライド（アルドリッチ製）を１０．００ｇ、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート・３水和物（和光純薬製）を１７．６９ｇ、アセトン（和光純薬製）を２００ｍｌ、及び、攪拌子を入れ、フラスコをオイルバスに漬け、還流下、マグネティックスターラーで攪拌子を攪拌させることにより反応混合物を攪拌させながら、２０時間反応させた。反応終了後、析出物を濾別し、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粘稠な液体をジエチルエーテル２００ｍｌに溶解させた後、１００ｍｌのイオン交換水で有機層を水洗し、有機層を分液した。有機層の水洗を３回繰り返した後、有機層を分液し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターを用いて濃縮し、化合物８－Ａを黄褐色液体として得た。化合物８－Ａの得量は１５ｇであり、収率は８６％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　化合物８－Ａ
　合成例１０
（高分子化合物８の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を１．８８ｇ、化合物２－Ａを３．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６９ｇ、化合物８－Ａを０．８６ｇ、メチルメタクリレート（和光純薬製）を０．３３ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を０．４６ｇ、4－ビニルアニソール（アルドリッチ製）を２．１９ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を２２．０５ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。８０℃のオイルバス中で８時間重合させ、高分子化合物８が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物８は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 　　　　　　　　　　　　　　高分子化合物８
　得られた高分子化合物８の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、７５０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　合成例１１
（高分子化合物９の合成）
　５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４－（１－エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を１．７３ｇ、化合物２－Ａを３．００ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を０．４３ｇ、4－ビニルアニソール（アルドリッチ製）を２．０１ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６４ｇ、２－（Ｏ－［１’－メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル－メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ－ＢＭ」）を１．４４ｇ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）を０．０５ｇ、２－ヘプタノン（東京化成製）を２１．６８ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。８０℃のオイルバス中で８時間重合させ、高分子化合物９が溶解している粘稠な２－ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物９は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　　　　　　　　　　高分子化合物９
　得られた高分子化合物９の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、９５０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）。
　実施例１
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例１で得た高分子化合物１の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、光カチオン重合開始剤であるフォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、光増感剤である９,１０－ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）（川崎化成製）を０．０００８ｇ、2－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液１を調製した。
　得られた塗布溶液１を孔径０．２μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で１００℃で１分間乾燥させた。その後、アライナー（Ｃａｎｏｎ製；ＰＬＡ－５２１）を用いて６００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光（波長３６５nm）を照射し後、窒素中、ホットプレート上で２２０℃で３０分間焼成してゲート絶縁層を得た。
　次に、高分子化合物４を溶媒であるキシレンに溶解させ、濃度が０．５重量％である溶液（有機半導体組成物）を作製し、該溶液をメンブランフィルターで濾過して塗布液を調製した。
　得られた塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約３０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ソース電極及びドレイン電極は、活性層側から、酸化モリブデンと金が積層した構造を有する。
　＜トランジスタ特性の評価＞
　こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Ｖｇを２０～－４０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０～－４０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ－バ（BCT２２MDC－５－HT－SCU；Nagase Electronic Equipments Service Co., LTD製）を用いて測定した。結果を表１に示す。
　電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Ｖsdが－４０Ｖで、ゲート電圧Ｖgを２０Ｖ→－４０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth1とゲート電圧Ｖgを－４０Ｖ→２０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth2との電圧差異で表した。
　実施例２
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例３で得た高分子化合物２の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、２－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液２を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液２を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例３
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例４で得た高分子化合物３の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、2－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液３を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液３を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例４
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例６で得た高分子化合物５の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、２－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液４を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液４を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例５
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例７で得た高分子化合物６の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、２－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液５を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液５を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例６
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例８で得た高分子化合物７の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、２－ヘプタノンを２．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液６を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液６を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例７
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例１０で得た高分子化合物８の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、ジビニルベンゼンを０．０１５ｇ、フォトイニシエーターＰＩ－２０７４（ローディア製）を０．００４ｇ、ＤＢＡ（川崎化成製）を０．０００８ｇ、２－ヘプタノンを１．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液７を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液７を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例８
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例３で得た高分子化合物２の２－ヘプタノン溶液を１．００ｇ、光酸発生剤ＬＷ-Ｓ１（サンアプロ製）を０．００８ｇ、２－ヘプタノンを１．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液８を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液８を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　実施例９
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例１１で得た高分子化合物９の２－ヘプタノン溶液を１．５０ｇ、光酸発生剤ＬＷ-Ｓ１（サンアプロ製）を０．００９ｇ、２－ヘプタノンを１．００ｇ入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液９を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液９を用いた以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を評価した。結果を表１に示す。
　比較例１
（電界効果型有機薄膜トランジスタの製造）
　１０ｍｌのサンプル瓶に、ポリビニルフェノール－コ－ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製、Ｍｎ＝６７００）を１．００ｇ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”－ヘキサメトキシメチルメラミン（住友化学製）を０．１６３ｇ、熱酸発生剤（みどり化学(株)製、商品名：TAZ-108）を０．１１３ｇ、２－ヘプタノンを７．００ｇ入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液８を調製した。
　塗布溶液１に代えて塗布溶液８を用い、ゲート絶縁層の形成時にＵＶ照射を行わない以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。トランジスタ特性を測定し、評価したところ、ゲート電圧Vgが２０V～―４０Vの領域ではトランジスタとして動作しなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
　１…基板、
　２…ゲート電極、
　３…ゲート絶縁層、
　４…有機半導体層、
　５…ソース電極、
　６…ドレイン電極、
　７…オーバーコート。

Claims (15)

  1. 　環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、式（１）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　　（１）
    ［式中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１～５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
    で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  2. 　前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式（２）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     　　　（２）
    ［式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ａは、０又は１の整数を表す。］
    で表される繰り返し単位、及び、式（３）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     　　　（３）
    ［式中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１３～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ｄは、０又は１の整数を表す。］
    で表される繰り返し単位とからなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  3. 　前記高分子化合物（Ａ）が、更に、第１の官能基を含有する繰り返し単位であって、該第１の官能基が、活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位、を含有する請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  4. 　前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  5. 　前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式（５）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     　　　（５）
    ［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。］
    で表される基である請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  6. 　ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式（６）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     　　　（６）
    ［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ９～Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。］
    で表される基である請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  7. 　前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式（４）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     　　　（４）
    ［式中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１～５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基である。］
    で表される繰り返し単位を含有する請求項１～６のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  8. 　前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式（８）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     　　　（８）
    ［式中、Ｒ１８は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒeeは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ’’は、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該炭素数１～２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｅは、０又は１の整数を表し、ｐは、１～５の整数を表す。］
    で表される繰り返し単位を含有する請求項１～７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
    　該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；
    を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
  10. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；
    　該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程；及び
    　該塗布層に熱を印加する工程；
    を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
  11. 　前記電磁波が紫外線である請求項９又は１０に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。
  12. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。
  13. 　前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタ。
  14. 　請求項１２又は１３に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。
  15. 　請求項１４に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。
PCT/JP2012/063002 2011-05-24 2012-05-22 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料 Ceased WO2012161175A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/118,275 US9035292B2 (en) 2011-05-24 2012-05-22 Organic thin-film transistor insulating layer material
KR1020137033781A KR101888718B1 (ko) 2011-05-24 2012-05-22 유기 박막 트랜지스터 절연층 재료

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-116113 2011-05-24
JP2011116113 2011-05-24
JP2011-190914 2011-09-01
JP2011190914 2011-09-01
JP2011-228763 2011-10-18
JP2011228763 2011-10-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012161175A1 true WO2012161175A1 (ja) 2012-11-29

Family

ID=47217251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/063002 Ceased WO2012161175A1 (ja) 2011-05-24 2012-05-22 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9035292B2 (ja)
JP (1) JP6034056B2 (ja)
KR (1) KR101888718B1 (ja)
TW (1) TWI547504B (ja)
WO (1) WO2012161175A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014110251A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び有機薄膜トランジスタ
JP2014116530A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 絶縁層材料及び該絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6025326B2 (ja) * 2011-12-21 2016-11-16 住友化学株式会社 電子デバイス絶縁層材料、及び電子デバイス
KR20140131940A (ko) * 2012-03-01 2014-11-14 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 전자 디바이스 절연층 및 전자 디바이스 절연층의 제조 방법
JP6118287B2 (ja) 2014-03-26 2017-04-19 富士フイルム株式会社 半導体素子及び半導体素子の絶縁層形成用組成物
JP6204580B2 (ja) 2014-05-08 2017-09-27 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及び絶縁層形成用組成物
CN106688050B (zh) * 2014-06-11 2018-09-18 伊斯曼柯达公司 具有带含硫代硫酸盐聚合物的电介质层的器件
WO2016194517A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体層形成用組成物
JP6632862B2 (ja) * 2015-10-22 2020-01-22 株式会社ブリヂストン 機能性発泡体
US10026911B2 (en) * 2016-01-15 2018-07-17 Corning Incorporated Structure for transistor switching speed improvement utilizing polar elastomers
WO2017141933A1 (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 住友化学株式会社 高分子化合物、組成物及び有機薄膜トランジスタ
CN108172628B (zh) * 2016-12-07 2020-11-06 清华大学 一种逻辑电路
CN114141708B (zh) * 2021-11-19 2026-03-13 惠州华星光电显示有限公司 晶体管及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008040187A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜用感光性樹脂組成物
JP2009049396A (ja) * 2007-07-24 2009-03-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機トランジスタ絶縁膜用組成物
JP2009102512A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Jsr Corp 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物
WO2010024238A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 住友化学株式会社 樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000264937A (ja) 1999-03-15 2000-09-26 Japan Chemical Innovation Institute ポリ塩化ビニル−ポリスチレンブロック共重合体、ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸ビニルブロック共重合体、およびこれらの製造方法
JP4807159B2 (ja) 2006-04-12 2011-11-02 凸版印刷株式会社 絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタ
JP2008040180A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物
KR100908694B1 (ko) * 2006-08-07 2009-07-22 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 층간절연막용 감광성 수지조성물 및 층간절연막의 형성방법
JP4802933B2 (ja) * 2006-08-17 2011-10-26 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電子装置及び電子機器
JP2010007030A (ja) 2008-06-30 2010-01-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 絶縁層用組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008040187A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜用感光性樹脂組成物
JP2009049396A (ja) * 2007-07-24 2009-03-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機トランジスタ絶縁膜用組成物
JP2009102512A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Jsr Corp 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物
WO2010024238A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 住友化学株式会社 樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014110251A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び有機薄膜トランジスタ
JP2014116530A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 絶縁層材料及び該絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013102116A (ja) 2013-05-23
KR101888718B1 (ko) 2018-08-14
KR20140033441A (ko) 2014-03-18
TWI547504B (zh) 2016-09-01
US20140070205A1 (en) 2014-03-13
JP6034056B2 (ja) 2016-11-30
TW201302811A (zh) 2013-01-16
US9035292B2 (en) 2015-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6034056B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP5479817B2 (ja) 有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ
JP5666251B2 (ja) 光及び熱エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
WO2012161106A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
WO2011125691A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物、オーバーコート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ
WO2013129406A1 (ja) 電子デバイス絶縁層及び電子デバイス絶縁層の製造方法
JP6025326B2 (ja) 電子デバイス絶縁層材料、及び電子デバイス
WO2011125690A1 (ja) フッ素系有機化合物溶媒を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物
WO2012029700A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び有機薄膜トランジスタ
US20120235148A1 (en) Photo-crosslinkable material for organic thin film transistor insulating layer
JP2012164806A (ja) 光及び熱エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP5980522B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
WO2012002436A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び有機薄膜トランジスタ
JP6056443B2 (ja) 絶縁層材料及び該絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ
JP2013149860A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
WO2012108326A1 (ja) 光及び熱エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP2013149861A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
WO2013031820A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP2013064095A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP2013258301A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12789863

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14118275

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137033781

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12789863

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1