WO2012139953A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterkörpers - Google Patents

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WO2012139953A1
WO2012139953A1 PCT/EP2012/056183 EP2012056183W WO2012139953A1 WO 2012139953 A1 WO2012139953 A1 WO 2012139953A1 EP 2012056183 W EP2012056183 W EP 2012056183W WO 2012139953 A1 WO2012139953 A1 WO 2012139953A1
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transmitting layer
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transmitting
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Korbinian Perzlmaier
Heribert Zull
Franz Eberhard
Thomas Veit
Mathias KÄMPF
Jens Dennemarck
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth

Definitions

  • a method for producing a semiconductor body is specified.
  • An object of the invention is to provide a method for
  • To provide a semiconductor body specify, in which the semiconductor bodies to be produced are exposed to only a small risk of damage during Einzezeins.
  • a method for producing a semiconductor body comprises in particular the following steps:
  • the separation region has a transmissive layer which is permeable to electromagnetic radiation
  • This method offers the advantage that damage to the outermost transmitting layer of the layer sequence during laser cutting can at least be reduced. If the separation region has a transmissive layer as the outermost layer, then the electromagnetic radiation of the laser only becomes slightly within the transmissive layer
  • the material lying under the transmissive layer generally absorbs the radiation of the laser much more strongly, so that it vaporizes and locally breaks off the transmitting layer, at least in the separation region. In this way, there may be cracks in the transmitting layer. Furthermore, slag, which arises during the separation process, on the chip areas
  • the semiconductor body to be produced may be any semiconductor body.
  • the separation area can be, for example, a sawtooth.
  • the layer sequence of the optoelectronic semiconductor body is within a
  • Chip area an active zone, which in the operation of the Semiconductor body generates electromagnetic radiation.
  • the separation region in this case particularly preferably completely penetrates the active zone.
  • the active zone includes, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well, or a multiple quantum well structure (MQW) for
  • quantum well structure does not contain any information about the dimensionality of the quantization. It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • optoelectronic semiconductor bodies have, for example, to protect the active zone
  • the passivation layer is, for example, comparatively inert to chemical reactions, for example with the surrounding medium, such as air. Furthermore, the passivation layer can also be designed to be electrically insulating.
  • the transmissive layer particularly preferably has a transmission coefficient greater than or equal to 0.9 at least for radiation of the active zone and / or that of the
  • optoelectronic semiconductor body emitted light, usually visible light, on.
  • the transmissive layer may, for example, contain one of the following materials or be formed from one of the following materials: oxides, nitrides.
  • the thickness of the transmitting layer is preferably between 3 nm and 500 nm inclusive.
  • the transmissive layer covers the side surfaces of the chip regions at least in the region of the active zone. Particularly preferably, the transmissive layer completely covers the side surfaces of the chip regions. As a result, advantageously, the active zone can be protected.
  • An electrically insulating transmissive layer usually also protects the active zone against short circuits.
  • the etching process can be, for example, dry-chemical or wet-chemical etching.
  • Chip area is preferred for electrical
  • Separation range can advantageously be increased, the absorption of laser light within the separation area in the rule. Furthermore, in this way with advantage an additional photolithographic step in the
  • the metallic layer can be made of different materials
  • Single layer comprises a metal or consists of a metal. Particularly preferably, all individual layers comprise a metal or consist of a metal.
  • the monolayers may be one of the following
  • Materials or have any of the following materials titanium, platinum, gold.
  • the metallic layer preferably has a thickness of between 3 nm and 5 ⁇ inclusive.
  • an absorbing layer is arranged on the transmitting layer, it preferably has one of the following materials or consists of one of the following materials
  • Tungsten carbides, tungsten carbide, titanium carbide, silicon carbide, silicon, nitrides, titanium nitride, tantalum nitride.
  • the absorbent layer preferably has a thickness of between 3 nm and 5 ⁇ inclusive.
  • the absorbent layer has a melting and / or boiling temperature which is higher than the melting and / or boiling temperature of the transmitting
  • the transmitting layer underlying the absorbing layer can be at least partly melted with it.
  • the absorbent layer has a melting temperature of at least 1800 ° C and / or a
  • Boiling temperature of at least 1800 ° C.
  • the absorbent layer is applied locally only within the separation area while the chip areas remain free of the absorbent layer.
  • the transmissive layer within the separation region may be achieved by one of the following methods: introducing scattering centers into the transmissive layer; implanting dopants into the transmissive layer
  • the transmitting layer itself is preferably performed only locally within the separation area, while the transmitting layer is within the chip area
  • each chip area has at least one
  • Thin-film semiconductor body or is formed from a thin-film semiconductor body.
  • Semiconductor layer sequence comprising the suitable for generating radiation or radiation detection active zone, wherein a growth substrate of the epitaxial
  • the carrier usually has a material that is different from the growth substrate of the semiconductor layer sequence.
  • the carrier may be one of the following, for example
  • Materials consist of: germanium, silicon.
  • a reflective layer is particularly preferably arranged which, during operation of the semiconductor body, generates or detects at least that in its active zone
  • reflective layer may be, for example, a Bragg reflector.
  • the carrier can, for example, with a solder layer or an adhesive layer cohesively with the epitaxial Semiconductor layer sequence be connected. Particularly preferred is the solder layer or the adhesive layer in this case
  • a suitable solder preferably contains one of the following materials or is made of one of the materials
  • a barrier layer is arranged between the solder layer and the carrier, which serves to at least reduce diffusion of the underlying materials into the active zone.
  • the barrier layer may be constructed, for example, of individual layers.
  • the individual layers may for example comprise one of the following materials or consist of one of the following materials: platinum, gold-tin,
  • Titanium tungsten nitride a metallization is applied on the back of the semiconductor body, which serves to electrically contact the semiconductor body.
  • the metallization can be composed of individual layers.
  • the individual layers of the metallization comprise, for example, one of the following materials or consist of one of the following materials: platinum, gold, titanium.
  • Figure 1 shows a schematic plan view of a
  • FIGS. 2A to 2C show schematic sectional views of a semiconductor wafer during various conditions
  • Figure 3 shows a schematic sectional view of a
  • Figure 4 shows a schematic sectional view of a
  • the semiconductor wafer according to the embodiment of Figure 1 has a plurality of chip areas 1, between which line-shaped separation areas 2 in the form of a grid are arranged.
  • the separating regions 2 may be, for example, sawing trenches.
  • Each chip region 1 comprises a semiconductor body 3, for example a light-emitting diode semiconductor body in FIG.
  • the chip areas 1 are intended to be singulated along the separation areas 2 into separate semiconductor bodies 3, for example by means of a
  • the semiconductor wafer according to the exemplary embodiment of FIG. 2A has a plurality of chip regions 1. For reasons of clarity, only two adjacent chip areas 1 are shown in FIG. 2A, between which a separation area 2 is arranged. Each chip region 1 has a thin-film semiconductor body 3, which is used for radiation generation
  • Each thin-film semiconductor body 3 has an epitaxial semiconductor layer sequence 4, which comprises an active zone 5 for generating radiation.
  • a reflective layer 7 is arranged, which is intended to be in the operation of the
  • Semiconductor body 3 in the active zone 5 generated radiation to the radiation passage surface 6 to reflect.
  • a transmitting layer 8 is applied on the radiation passage area 6 of the semiconductor body 3.
  • Transmitting layer 8 is presently arranged continuously on the entire surface of the semiconductor wafer.
  • the transmissive layer 8 may be, for example, a passivation layer comprising, for example, an oxide or a nitride or formed from an oxide or nitride.
  • the transmissive layer 8 is intended, in particular, to protect the active zone 5 from external chemical influences and to avoid short circuits of the active zone 5.
  • a carrier 10 is arranged, which is intended to, the
  • the carrier 10 may be formed, for example, germanium.
  • solder layer 11 is arranged in the present case, which materially connects the carrier 10 to the semiconductor layer sequence 4.
  • the solder layer 11 may, for example, contain or be formed from one of these materials or an alloy of these materials: gold, tin.
  • barrier layer 12 is further arranged, which is composed of individual layers.
  • the individual layers may, for example, comprise one of the following materials or be formed from one of the following materials: platinum, gold-zinc,
  • Titanium, titanium tungsten nitride On the side facing away from the semiconductor layer sequence 4
  • Main side of the carrier 10 is further applied a metallization 13, which is intended to electrically contact the semiconductor body 3 at the rear.
  • the metallization 13 may also be constructed of single layers comprising one of the following materials or formed of one of the following materials: platinum, gold, titanium.
  • Chip region 1 generates an opening 14 in the transmitting layer 8 ( Figure 2B). At the same time an opening 14 in the transmitting is also in the separation area 2
  • Transmittive layer 8 in the present case in each case completely.
  • a photostructuring of the surface is carried out, for example, before the removal of the transmitting layer 8.
  • Embodiment it is advantageously possible to produce the openings 14 within the transmitting layer 8 with only a single photo-structuring.
  • Apertures 14 a metallic layer 15 deposited.
  • the metallic layer 15 is presently made of three
  • the individual layers here comprise, for example, one of the following materials or consist of one of the following materials: titanium, platinum, gold.
  • the metallic layer 15 within the openings 14 in the chip areas 1 is provided for subsequent electrical contacting of the semiconductor body 3. Within the openings 14 of the separation region 2, the metallic layer 15 is provided to the laser radiation at a later
  • the absorbing layer 16 applied locally within the separation area 2.
  • the absorbing layer 16 is preferably arranged only within the separation region 2, while the chip regions 1 remain free of the
  • the absorbent layer 16 is presently in direct contact with the transmitting layer 8 and preferably comprises one of the following materials: platinum, ruthenium, rhodium, osmium, iridium, zirconium, vanadium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten,
  • Silicon, nitrides, titanium nitride, tantalum nitride Silicon, nitrides, titanium nitride, tantalum nitride.
  • Absorption coefficient is increased locally within the separation area 2.
  • Such a modification can, for example, by introducing scattering centers, implantation of

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben .
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur
Herstellung eines Halbleiterkörpers anzugeben, bei dem die zu erzeugenden Halbleiterkörper während des Vereinzeins nur einer geringen Gefahr der Schädigungen ausgesetzt sind.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Aus führungs formen und Weiterbildungen des Verfahrens sind in den abhängigen
Ansprüchen angegeben.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers umfasst insbesondere die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen und mindestens einem Trennbereich, der zwischen den Chipbereichen angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht
zumindest innerhalb des Trennbereiches eine transmittierende Schicht aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist,
- Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen:
Entfernen der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs ,
Aufbringen einer absorbierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs , Erhöhen des Absorptionskoeffizients der
transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und
- Trennen der Chipbereiche entlang der Trennbereiche mittels eines Lasers.
Dieses Verfahren bietet den Vorteil, dass Schädigungen der äußersten transmittierenden Schicht der Schichtenfolge beim Lasertrennen zumindest vermindert werden können. Weist der Trennbereich als äußerste Schicht eine transmittierende Schicht auf, so wird die elektromagnetische Strahlung des Lasers nur geringfügig innerhalb der transmittierenden
Schicht absorbiert, so dass die transmittierende Schicht selber nur eine geringfügige Trennwirkung durch den Laser erfährt. Das unter der transmittierenden Schicht liegende Material absorbiert hingegen die Strahlung des Lasers in der Regel deutlich stärker, so dass dieses verdampft und die transmittierende Schicht zumindest im Trennbereich lokal absprengt. Auf diese Art und Weise kann es zu Rissen in der transmittierenden Schicht kommen. Weiterhin kann Schlacke, die beim Trennprozess entsteht, auf die Chipbereiche
gelangen, wo sie nur schwer zu entfernen ist.
Bei dem zu erzeugenden Halbleiterkörper kann es sich
beispielsweise um einen optoelektronischen Halbleiterkörper handeln .
Bei dem Trennbereich kann es sich beispielsweise um einen Sägegraben handeln.
Gemäß einer Aus führungs form weist die Schichtenfolge des optoelektronischen Halbleiterkörpers innerhalb eines
Chipbereichs eine aktive Zone auf, die im Betrieb des Halbleiterkörpers elektromagnetische Strahlung erzeugt. Der Trennbereich durchdringt die aktive Zone hierbei besonders bevorzugt vollständig.
Die aktive Zone umfasst beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) zur
Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur beinhaltet hierbei keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen .
Insbesondere optoelektronische Halbleiterkörper weisen, beispielsweise zum Schutz der aktiven Zone, eine
Passivierungsschicht als äußerste Schicht ihrer
Schichtenfolge auf, die als transmittierende Schicht
ausgebildet ist. Die Passivierungsschicht ist beispielsweise vergleichsweise träge gegenüber chemischen Reaktionen etwa mit dem umgebenden Medium, wie Luft. Weiterhin kann die Passivierungsschicht auch elektrisch isolierend ausgebildet sein .
Die transmittierende Schicht weist besonders bevorzugt einen Transmissionskoeffizienten größer oder gleich 0,9 zumindest für Strahlung der aktiven Zone und/oder dem von dem
optoelektronischen Halbleiterkörper ausgesandten Licht, in der Regel sichtbares Licht, auf.
Die transmittierende Schicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien enthalten oder aus einem der folgenden Materialien gebildet sein: Oxide, Nitride. Die Dicke der transmittierenden Schicht liegt bevorzugt zwischen einschließlich 3 nm und einschließlich 500 nm.
Gemäß einer Aus führungs form des Verfahrens bedeckt die transmittierende Schicht die Seitenflächen der Chipbereiche zumindest im Bereich der aktiven Zone. Besonders bevorzugt bedeckt die transmittierende Schicht die Seitenflächen der Chipbereiche vollständig. Hierdurch kann vorteilhafterweise die aktive Zone geschützt werden. Eine elektrisch isolierende transmittierende Schicht schützt die aktive Zone in der Regel auch gegen Kurzschlüsse.
Gemäß einer Aus führungs form des Verfahrens wird die
transmittierende Schicht innerhalb des Trennbereichs mit einem Ätzprozess entfernt. Bei dem Ätzprozess kann es sich beispielsweise um trockenchemisches oder nasschemisches Ätzen handeln .
Gemäß einer Aus führungs form des Verfahrens wird die
transmittierende Schicht in dem Trennbereich und in den
Chipbereichen lokal entfernt, so dass jeweils zumindest eine Öffnung in der transmittierenden Schicht innerhalb des
Trennbereichs und innerhalb der Chipbereiche entsteht. Gemäß einer Aus führungs form des Verfahrens wird genau eine Öffnung in der transmittierenden Schicht innerhalb jedes Chipbereichs und genau eine Öffnung in der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs erzeugt. Weiterhin wird vor dem Trennen der Chipbereiche eine metallische Schicht in den Öffnungen der transmittierenden Schicht angeordnet.
Die metallische Schicht innerhalb der Öffnung auf dem
Chipbereich ist hierbei bevorzugt zur elektrischen
Kontaktierung des jeweiligen Halbleiterkörpers und - falls vorhanden - der aktiven Zone vorgesehen. Durch Aufbringung der metallischen Schicht innerhalb der Öffnungen des
Trennbereiches kann vorteilhafterweise die Absorption von Laserlicht innerhalb des Trennbereiches in der Regel erhöht werden. Weiterhin wird auf diese Art und Weise mit Vorteil ein zusätzlicher photolithographischer Schritt bei der
Herstellung des Halbleiterkörpers in der Regel vermieden.
Die metallische Schicht kann aus verschiedenen
Einzelschichten aufgebaut sein, wobei zumindest eine
Einzelschicht ein Metall aufweist oder aus einem Metall besteht. Besonders bevorzugt weisen alle Einzelschichten ein Metall auf oder bestehen aus einem Metall. Beispielsweise können die Einzelschichten aus einem der folgenden
Materialien bestehen oder eines der folgenden Materialien aufweisen: Titan, Platin, Gold.
Bevorzugt weist die metallische Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 3 nm und einschließlich 5 μπι auf.
Wird eine absorbierende Schicht auf der transmittierenden Schicht angeordnet, so weist diese bevorzugt eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem der
folgenden Materialien: Platin, Ruthenium, Rhodium, Osmium, Iridium, Zirkonium, Vanadium, Tantal, Chrom, Molybdän,
Wolfram, Carbide, Wolframcarbid, Titancarbid, Siliziumcarbid, Silizium, Nitride, Titannitrid, Tantalnitrid.
Bevorzugt weist die absorbierende Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 3 nm und einschließlich 5 μπι auf.
Besonders bevorzugt wird die absorbierende Schicht in
direktem Kontakt mit der transmittierenden Schicht angeordnet, so dass die transmittierende Schicht und die absorbierende Schicht eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen.
Besonders bevorzugt weist die absorbierende Schicht eine Schmelz- und/oder Siedetemperatur auf, die höher ist als die Schmelz- und/oder Siedetemperatur der transmittierenden
Schicht. Auf diese Art und Weise kann bevorzugt während des Lasertrennprozesses die unter der absorbierenden Schicht liegende transmittierende Schicht zumindest teilweise mit aufgeschmolzen werden.
Besonders bevorzugt weist die absorbierende Schicht eine Schmelztemperatur von mindestens 1800 °C und/oder eine
Siedetemperatur von mindestens 1800 °C auf.
Bevorzugt wird die absorbierende Schicht lediglich innerhalb des Trennbereichs lokal aufgebracht, während die Chipbereiche frei von der absorbierenden Schicht bleiben. Eine lokale Erhöhung des Absorptionskoeffizienten der
transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs kann beispielsweise mittels einer der folgenden Verfahren erzielt werden: Einbringen von Streuzentren in die transmittierende Schicht, Implantieren von Dotierstoffen in die
transmittierende Schicht, nasschemische Modifikation. Auch eine lokale Erhöhung des Absorptionskoeffizienten der
transmittierenden Schicht selber wird bevorzugt lediglich lokal innerhalb des Trennbereichs durchgeführt, während die transmittierende Schicht innerhalb des Chipbereichs
unverändert bleibt.
Mit dem Verfahren kann beispielsweise ein optoelektronischer Dünnfilm-Halbleiterkörper, etwa ein Leuchtdiodenhalbleiterkörper in Dünnfilmbauweise, hergestellt werden. Hierbei weist jeder Chipbereich zumindest einen
Dünnfilm-Halbleiterkörper auf oder wird aus einem Dünnfilm- Halbleiterkörper gebildet.
Ein optoelektronischer Dünnfilm-Halbleiterkörper zeichnet sich insbesondere durch eine epitaktische gewachsene
Halbleiterschichtenfolge aus, die die zur Strahlungserzeugung oder Strahlungsdetektion geeignete aktive Zone umfasst, wobei ein Aufwachssubstrat der epitaktischen
Halbleiterschichtenfolge entfernt oder derart gedünnt wurde, dass es die epitaktische Halbleiterschichtenfolge alleine nicht ausreichend mechanisch stabilisiert. Zur mechanischen Stabilisierung wird auf der dem
Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Hauptfläche der
epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ein Träger angeordnet. Der Träger weist in der Regel ein Material auf, das von dem Wachstumssubstrat der Halbleiterschichtenfolge verschieden ist. Der Träger kann beispielsweise eines der folgenden
Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden
Materialien bestehen: Germanium, Silizium.
Zwischen der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge und dem Träger ist besonders bevorzugt eine reflektierende Schicht angeordnet, die im Betrieb des Halbleiterkörpers, zumindest die in seiner aktiven Zone erzeugte oder detektierte
elektromagnetische Strahlung reflektiert. Bei der
reflektierenden Schicht kann es sich beispielsweise um einen Bragg-Reflektor handeln.
Der Träger kann beispielsweise mit einer Lotschicht oder einer KlebstoffSchicht stoffschlüssig mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge verbunden sein. Besonders bevorzugt ist die Lotschicht oder die KlebstoffSchicht hierbei
elektrisch leitend ausgebildet, so dass der Dünnfilm- Halbleiterkörper später über seine Rückseite elektrisch leitend kontaktiert werden kann. Die Rückseite des
Halbleiterkörpers liegt hierbei seiner
Strahlungsdurchtrittsflache gegenüber .
Ein geeignetes Lot enthält bevorzugt eines der folgenden Materialien oder ist aus einem der Materialien
beziehungsweise einer Legierung dieser Materialien gebildet: Titan, Platin, Gold, Zinn.
Gemäß einer Aus führungs form ist zwischen der Lotschicht und dem Träger eine Barriereschicht angeordnet, die dazu dient, eine Diffusion der darunterliegenden Materialien in die aktive Zone zumindest zu verringern.
Die Barriereschicht kann beispielsweise aus Einzelschichten aufgebaut sein. Die Einzelschichten können beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Platin, Gold-Zinn,
Titanwolframnitrid . Gemäß einer weiteren Aus führungs form ist auf der Rückseite des Halbleiterkörpers eine Metallisierung aufgebracht, die dazu dient, den Halbleiterkörper elektrisch zu kontaktieren. Die Metallisierung kann aus Einzelschichten aufgebaut sein. Die Einzelschichten der Metallisierung weisen beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder bestehen aus einem der folgenden Materialien: Platin, Gold, Titan. Weitere vorteilhafte Aus führungs formen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen
Halbleiterwafer gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel .
Figuren 2A bis 2C zeigen schematische Schnittdarstellungen eines Halbleiterwafers während verschiedener
Verfahrensstadien gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel .
Figur 3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines
Halbleiterwafers während einem Verfahrensstadium gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Figur 4 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines
Halbleiterwafers während einem Verfahrensstadium gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Der Halbleiterwafer gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 weist eine Vielzahl an Chipbereichen 1 auf, zwischen denen linienförmige Trennbereiche 2 in Form eines Rasters angeordnet sind. Bei den Trennbereichen 2 kann es sich beispielsweise um Sägegräben handeln.
Jeder Chipbereich 1 umfasst einen Halbleiterkörper 3, beispielsweise eine Leuchtdioden-Halbleiterkörper in
Dünnfilmbauweise. Die Chipbereiche 1 sind dazu vorgesehen, entlang der Trennbereiche 2 in separate Halbleiterkörper 3 vereinzelt zu werden, beispielsweise mittels eines
Lasertrennprozesses .
Der Halbleiterwafer gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2A weist mehrere Chipbereiche 1 auf. In Figur 2A sind aus Gründen der Übersichtlichkeit lediglich zwei benachbarte Chipbereiche 1 dargestellt, zwischen denen ein Trennbereich 2 angeordnet ist. Jeder Chipbereich 1 weist einen Dünnfilm- Halbleiterkörper 3 auf, der zur Strahlungserzeugung
vorgesehen ist.
Jeder Dünnfilm-Halbleiterkörper 3 weist eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 4 auf, die eine aktive Zone 5 zur Strahlungserzeugung umfasst. Auf der von der
Strahlungsdurchtrittsfläche 6 abgewandten Seite der
Halbleiterschichtenfolge 4 ist eine reflektierende Schicht 7 angeordnet, die dazu vorgesehen ist, die im Betrieb des
Halbleiterkörpers 3 in der aktiven Zone 5 erzeugte Strahlung zur Strahlungsdurchtrittsfläche 6 hin zu reflektieren.
Auf die Strahlungsdurchtrittsfläche 6 des Halbleiterkörpers 3 ist eine transmittierende Schicht 8 aufgebracht. Die
transmittierende Schicht 8 ist vorliegend durchgehend auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterwafers angeordnet.
Insbesondere sind die Seitenflächen 9 der Chipbereiche 1 vollständig mit der transmittierenden Schicht 8 bedeckt. Bei der transmittierenden Schicht 8 kann es sich beispielsweise um eine Passivierungsschicht handeln, die etwa ein Oxid oder ein Nitrid aufweist oder aus einem Oxid oder Nitrid gebildet ist. Die transmittierende Schicht 8 ist insbesondere dazu vorgesehen, die aktive Zone 5 vor äußeren chemischen Einflüssen zu schützen und Kurzschlüsse der aktiven Zone 5 zu vermeiden.
Auf die der Strahlungsdurchtrittsfläche 6 gegenüberliegende Seite der Halbleiterschichtenfolge 4 ist ein Träger 10 angeordnet, der dazu vorgesehen ist, die
Halbleiterschichtenfolge 4 mechanisch zu stabilisieren. Der Träger 10 kann beispielsweise aus Germanium gebildet sein.
Zwischen der Halbleiterschichtenfolge 4 und dem Träger 10 ist vorliegend eine Lotschicht 11 angeordnet, die den Träger 10 mit der Halbleiterschichtenfolge 4 stoffschlüssig verbindet. Die Lotschicht 11 kann beispielsweise eines der folgenden Materialien enthalten oder aus einem dieser Materialien oder einer Legierung dieser Materialien gebildet sein: Gold, Zinn.
Zwischen der Lotschicht 11 und dem Träger 10 ist weiterhin eine Barriereschicht 12 angeordnet, die aus Einzelschichten aufgebaut ist. Die Einzelschichten können beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien gebildet sein: Platin, Gold-Zink,
Titan, Titanwolframnitrid. Auf der von der Halbleiterschichtenfolge 4 abgewandten
Hauptseite des Trägers 10 ist weiterhin eine Metallisierung 13 aufgebracht, die dazu vorgesehen ist, den Halbleiterkörper 3 rückseitig elektrisch zu kontaktieren. Die Metallisierung 13 kann ebenfalls aus Einzelschichten aufgebaut sein, die eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien gebildet sind: Platin, Gold, Titan. In einem nächsten Schritt wird jeweils innerhalb eines
Chipbereiches 1 eine Öffnung 14 in der transmittierenden Schicht 8 erzeugt (Figur 2B) . Gleichzeitig wird auch in dem Trennbereich 2 eine Öffnung 14 in der transmittierenden
Schicht 8 erzeugt. Die Öffnungen 14 durchdringen die
transmittierende Schicht 8 vorliegend jeweils vollständig. Zur lokalen Erzeugung der Öffnungen 14 innerhalb der dafür vorgesehenen Bereiche wird beispielsweise vor dem Entfernen der transmittierenden Schicht 8 eine Fotostrukturierung der Oberfläche vorgenommen. Bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist es vorteilhafterweise möglich, die Öffnungen 14 innerhalb der transmittierenden Schicht 8 mit lediglich einer einzigen Fotostrukturierung zu erzeugen.
In einem nächsten Schritt (Figur 2C) wird innerhalb der
Öffnungen 14 eine metallische Schicht 15 abgeschieden. Die metallische Schicht 15 ist vorliegend aus drei
Einzelschichten aufgebaut. Die Einzelschichten weisen hierbei beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder bestehen aus einem der folgenden Materialien: Titan, Platin, Gold.
Die metallische Schicht 15 innerhalb der Öffnungen 14 in den Chipbereichen 1 ist zur späteren elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 3 vorgesehen. Innerhalb der Öffnungen 14 des Trennbereichs 2 ist die metallische Schicht 15 dazu vorgesehen, die Laserstrahlung bei einem späteren
Lasertrennprozess zu absorbieren, so dass eine bessere
Trennung erfolgt. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3 werden im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figuren 2A bis 2C keine Öffnungen 14 in der transmittierenden Schicht 8 erzeugt. Vielmehr wird ausgehend von einem Halbleiterwafer, wie er anhand Figur 2A bereits beschrieben ist, eine
absorbierende Schicht 16 lokal innerhalb des Trennbereiches 2 aufgebracht. Die absorbierende Schicht 16 wird hierbei bevorzugt nur innerhalb des Trennbereiches 2 angeordnet, während die Chipbereiche 1 frei bleiben von der
absorbierenden Schicht 16. Die absorbierende Schicht 16 ist vorliegend in direktem Kontakt mit der transmittierenden Schicht 8 angeordnet und weist bevorzugt eines der folgenden Materialien auf: Platin, Ruthenium, Rhodium, Osmium, Iridium, Zirkonium, Vanadium, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram,
Carbide, Wolframcarbid, Titancarbid, Siliziumcarbid,
Silizium, Nitride, Titannitrid, Tantalnitrid.
Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen der Figuren 2A bis 2C und 3 wird bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 4 ausgehend von einem Halbleiterwafer, wie er anhand von Figur 2A bereits beschrieben ist, die transmittierende
Schicht 8 selber innerhalb des Trennbereiches 2 modifiziert. Die Modifizierung findet hierbei derart statt, dass der
Absorptionskoeffizient lokal innerhalb des Trennbereiches 2 erhöht ist. Eine solche Modifizierung kann beispielsweise durch Einbringen von Streuzentren, Implantation von
Fremdstoffen beziehungsweise nasschemische Reaktionen
erfolgen .
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 10 2011 017 097.9, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für
elektromagnetische Strahlung durchlässig ist,
- Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen:
Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2),
Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs,
Erhöhen des Absorptionskoeffizients der
transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und
- Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem
- die Schichtenfolge innerhalb der Chipbereiche (1) eine aktive Zone (5) aufweist, die zur Erzeugung
elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, und
- der Trennbereich (2) die aktive Zone (5) vollständig durchdringt .
3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die transmittierende Schicht (8) eine
Passivierungsschicht ist.
4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die transmittierende Schicht (8) eines der folgenden Materialien aufweist: Oxide, Nitride.
5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die Dicke der transmittierenden Schicht (8) zwischen einschließlich 3 nm und einschließlich 500 nm liegt.
6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die transmittierende Schicht (8) die Seitenflächen (9) der Chipbereiche (1) vollständig bedeckt.
7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die transmittierende Schicht (8) innerhalb des
Trennbereichs (2) mit einem Ätzprozess entfernt wird.
8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem
- die transmittierende Schicht (8) in dem Trennbereich (2) und in den Chipbereichen (1) lokal entfernt wird, so dass jeweils zumindest eine Öffnung (14) in der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2) und innerhalb der Chipbereiche (1) entsteht und
- vor dem Trennen der Chipbereiche (1) eine metallische
Schicht (15) in den Öffnungen (14) der transmittierenden Schicht (8) angeordnet wird.
9. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem die metallische Schicht (15) in den Öffnungen (14) der Chipbereiche (1) als elektrischer Kontakt des jeweiligen Halbleiterkörpers (3) vorgesehen ist.
10. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die absorbierende Schicht (16) auf der
transmittierenden Schicht (8) eines der folgenden Materialien aufweist: Platin, Ruthenium, Rhodium, Osmium, Iridium,
Zirkonium, Vanadium, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram,
Carbide, Wolframcarbid, Titancarbid, Siliziumcarbid,
Silizium, Nitride, Titannitrid, Tantalnitrid.
11. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem die absorbierende Schicht (16) eine Schmelz- und/oder Siedetemperatur aufweist, die höher ist als die Schmelz- und/oder Siedetemperatur der transmittierenden Schicht (8) .
12. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem jeder Chipbereich (1) einen optoelektronischen
Dünnfilm-Halbleiterkörper (3) aufweist.
13. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem der Absorptionskoeffizient der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2) mittels einem der folgenden Methoden erhöht wird: Einbringen von Streuzentren in die transmittierende Schicht, Implantieren von
Dotierstoffen in die transmittierende Schicht, nasschemische Modifikation .
14. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche,
bei dem der Trennbereich (2) ein Sägegraben ist.
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