WO2012124443A1 - 反射防止テープ及びウェハレベルレンズ並びに撮像装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an antireflection tape for preventing reflection of stray light, a wafer level lens to which the antireflection tape is attached, and an imaging apparatus including the wafer level lens.
- This imaging device includes a solid-state imaging element chip and a lens provided on the solid-state imaging element chip (see Patent Document 1).
- At least one or more wafer level lens arrays having a plurality of lens portions positioned immediately above each imaging imaging element are stacked on an imaging element substrate on which a plurality of imaging elements are two-dimensionally arranged.
- the resulting laminate is cut into individual pieces by dicing that is cut and divided.
- an individual wafer level lens array is referred to as a wafer level lens.
- the solid-state image sensor chip is obtained by dividing an image sensor substrate into individual pieces.
- stray light ghost or the like a ghost or flare (hereinafter simply referred to as stray light ghost or the like) May occur).
- imaging devices mounted on portable electronic devices are also required to have higher pixels and higher image quality of captured images, so it is necessary to suppress the occurrence of stray light ghosts and the like.
- the region other than the lens surface of the wafer level lens is covered with a black resist layer, thereby suppressing the occurrence of stray light ghosts and the like due to light reflection at the cut surface.
- production of a stray light ghost etc. is suppressed by coating light shielding ink in areas other than the lens surface of a lens, and forming a light shielding mask.
- the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an antireflection tape, a wafer level lens, and an imaging apparatus that can suppress generation of stray light ghosts and the like at low cost.
- the antireflection tape of the present invention is attached to a region other than the lens surface of the lens, has a refractive index comparable to that of the lens, and supports an adhesive layer containing black particles and an adhesive layer. And a supporting body.
- the lens surface refers to a surface of a part having optical characteristics for condensing or diverging light incident on the lens in a desired direction, and a curvature and a surface shape are designed in consideration of the optical characteristics. Shall.
- the absolute value of the difference between the refractive index of the lens and the refractive index of the adhesive layer is preferably 0.2 or less.
- the black particles preferably include at least one of carbon black, titanium black, or polystyrene beads containing at least one of carbon black and titanium black.
- a support body has light-shielding property.
- the present invention is a wafer level lens obtained by cutting a wafer level lens array having a plurality of lenses arranged two-dimensionally and dividing each lens, and an antireflection tape is provided in an area other than the lens surface. It is characterized by being pasted.
- the area other than the lens surface includes the cut surface of the wafer level lens. Further, the area other than the lens surface includes a peripheral area of the lens surface, and it is preferable that the antireflection tape attached to the peripheral area functions as a front diaphragm.
- the “front aperture” herein refers to an aperture disposed in front of the lens system (subject side with respect to the lens system).
- the imaging apparatus of the present invention includes the above wafer level lens, And an imaging device for imaging subject light that has passed through the wafer level lens.
- the imaging apparatus of the present invention includes a first wafer level lens that is a wafer level lens, a second wafer level lens that is a wafer level lens provided on the first wafer level lens, a second wafer level lens, and a second wafer level lens. And an imaging device for imaging subject light that has passed through one wafer level lens.
- the adhesive layer of the antireflection tape attached to a region other than the lens surface of the lens has the same refractive index as that of the lens and contains black particles, this region is a light reflecting surface.
- the light incident on the adhesive layer can be absorbed and diffused by the black particles.
- production of a stray light can be suppressed, without performing the black resist layer formation process, mask process, etc. which become high cost compared with an antireflection tape.
- generation of stray light ghosts and flares can be suppressed at low cost.
- FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining stacking of first to second WLL arrays. It is explanatory drawing for demonstrating the dicing of a laminated body. It is explanatory drawing for demonstrating sticking of an antireflection tape. It is sectional drawing of the imaging device of other embodiment.
- the imaging device 10 is manufactured at a wafer level, and is mounted on various electronic devices (not shown) such as a mobile phone.
- the imaging apparatus 10 includes a solid-state imaging element chip 11, a first wafer level lens (hereinafter simply referred to as WLL) 12, a second WLL 13, and an aluminum case 14 having a rectangular cross section for housing them. .
- the solid-state image pickup device chip 11 has an image pickup device 11a such as a CCD device or a CMOS device, and electrodes or logic circuits (not shown).
- the image sensor 11a converts subject light incident from the first and second WLLs 12 and 13 into an electrical image signal. This imaging signal is converted into digital photographed image data by performing signal processing in various signal processing circuits (not shown) provided in the small electronic device.
- a spacer 16 is provided on the solid-state image sensor chip 11.
- the spacer 16 has a substantially frame shape so as to surround the imaging element 11a.
- the first to second WLLs 12 and 13 are generated by dicing a wafer level lens array (see FIG. 4), and have an optical axis passing through the center of the light receiving surface of the image sensor 11a.
- the first to second WLLs 12 and 13 form an image of the subject light on the light receiving surface of the image sensor 11a.
- the first WLL 12 is provided on the solid-state imaging device chip 11 via the spacer 16.
- the first WLL 12 has a substantially concave lens surface 12a.
- the second WLL 13 is provided on the first WLL 12.
- the second WLL 13 has a substantially convex lens surface 13a.
- the lens surfaces 12a and 13a have optical characteristics for condensing or diverging light incident on the lens in a desired direction, and the curvature and the surface shape are designed in consideration of the optical characteristics. This means
- the antireflection tape 18 is affixed to the cut surfaces 12b and 13b serving as the outer peripheral surfaces of the first to second WLLs 12 and 13 by dicing, and the outer peripheral surfaces of the spacer 16 and the solid-state imaging device chip 11.
- the antireflection tape 18 includes an adhesive layer 19 that is attached to the outer peripheral surfaces of the cut surfaces 12 b and 13 b and the solid-state imaging device chip 11, and a light shielding layer (support) that supports the adhesive layer 19. 20
- the ratios of the thicknesses and widths are ignored and some of them are exaggerated.
- the adhesive layer 19 is formed of a material having a refractive index comparable to that of the transparent resin material forming the first to second WLLs 12 and 13.
- the same refractive index means that the difference (absolute value) in refractive index between the adhesive layer 19 and the first and second WLLs 12 and 13 is 0.2 or less.
- the adhesive layer 19 includes black particles 21 containing at least one of carbon black or titanium black, or polystyrene beads containing at least one of carbon black and titanium black.
- the light shielding layer 20 is formed of a known material having a light shielding property.
- a substantially lattice-like spacer 24 having a through hole 24a facing each image sensor 11a is laminated on an image sensor substrate 23 on which a plurality of image sensors 11a are two-dimensionally arranged.
- a first wafer level lens array hereinafter simply referred to as a WLL array
- the second WLL array 26 having the lens surface 13a at a position immediately above each imaging element 11a is laminated.
- the image sensor substrate 23, the spacer 24, and The stacked body of the first to second WLL arrays 25 and 26 is diced.
- the solid-state imaging device chip 11 obtained by dividing the imaging device substrate 23 into pieces, the spacer 16 obtained by dividing the spacer 24 into pieces, and the first to second WLLs 12 and 13 obtained by dividing the first to second WLL arrays 25 and 26 into pieces.
- An imaging module 28 (see FIG. 5) is generated.
- the antireflection tape is applied to the cut surfaces 12b and 13b of the first to second WLLs 12 and 13 and the outer peripheral surface of the solid-state imaging device chip 11 (hereinafter simply referred to as the outer peripheral surface of the imaging module 28).
- 18 is pasted.
- a single antireflection tape 18 having the same width as the length in the optical axis direction of the imaging module 28 is attached so as to be wound around the outer peripheral surface of the imaging module 28, or the outer periphery of the imaging module 28 It is affixed by various methods such as affixing a plurality of strip-shaped antireflection tapes 18 along the circumferential direction of the surface.
- the adhesive layer 19 of the antireflection tape 18 has the same degree of refraction as the first to second WLLs 12 and 13, light directed from the first to second WLLs 12 and 13 toward the cut surfaces 12b and 13b is cut. , 13b is incident on the adhesive layer 19 without being reflected. Furthermore, since the adhesive layer 19 includes black particles 21, the light incident on the adhesive layer 19 is absorbed and diffused by the black particles 21.
- the cut surfaces 12b and 13b are prevented from becoming light reflecting surfaces, and the light incident on the adhesive layer 19 is absorbed and diffused, thereby suppressing the generation of stray light.
- the application of the antireflection tape 18 can be carried out at a lower cost than the formation of the black resist layer and the mask processing described in Patent Documents 2 and 3. As a result, the manufacturing cost of the imaging device 10 can be reduced. Thereby, generation
- the imaging module 28 is accommodated in the aluminum case 14, and the manufacturing process of the imaging device 10 is completed.
- the antireflection tape 18 is attached to the outer peripheral surface of the imaging module 28.
- the peripheral region 13c of the lens surface 13a of the second WLL 13 is also provided.
- An antireflection tape 30 having the same configuration as that of the antireflection tape 18 may be attached.
- an opening 30a that exposes the lens surface 13a is formed. Since the antireflection tape 30 has a light shielding property, the region other than the lens surface 13a on the front surface of the second WLL 13 is shielded from light. Accordingly, the antireflection tape 30 functions as a front diaphragm of the imaging device 10. Since the antireflection tape 30 can be attached at a low cost, the manufacturing cost of the imaging device 10 can be reduced as compared with the case where a front aperture is separately provided.
- the two layers of the first to second WLLs 12 and 13 are stacked on the solid-state imaging device chip 11, but one layer or three or more layers of WLLs may be stacked. Further, the shape of the lens surfaces 12a and 13a of the first to second WLLs 12 and 13 is not particularly limited.
- the antireflection tapes 18 and 30 are attached to the outer peripheral surface of the imaging module 28 and the peripheral region 13c of the lens surface 13a, but the regions other than the lens surfaces 12a and 13a are the first to the first regions.
- the antireflection tapes 18 and 30 may be attached to areas that do not hinder the image formation of subject light by the 2WLLs 12 and 13.
- the light shielding layer 20 is described as an example of the support that supports the adhesive layer 19.
- the support is light transmissive.
- the type of the support is not particularly limited.
- the image pickup apparatus manufactured at the wafer level has been described as an example.
- the present invention is also applied to an image pickup apparatus manufactured by another manufacturing method to suppress generation of stray light ghosts and the like. Can do.
- the adhesive layer 19 and the first The imaging apparatus 10 has an absolute value of a difference in refractive index between the first and second WLLs 12 and 13 (hereinafter simply referred to as a refractive index difference) to be “0.0”, “0.1”, and “0.2”, respectively.
- a refractive index difference a difference in refractive index between the first and second WLLs 12 and 13
- Comparative Examples 1 to 3 an imaging apparatus having the same configuration as that of the imaging apparatus 10 is manufactured except that the refractive index differences are “0.3”, “0.4”, and “0.5”, respectively. It was.
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Abstract
低コストに迷光ゴースト等の発生を抑える。撮像装置10を、固体撮像素子チップ11と第1WLL12と第2WLL13とから構成する。少なくとも第1~第2WLL12,13の切断面12b,13bに反射防止テープ18を貼り付ける。反射防止テープ18の粘着層19を、第1~第2WLL12,13と同程度の屈折率を有する材料で形成する。粘着層19に黒色粒子21を混合する。これにより、切断面12b,13bが光の反射面になることが防止され、さらに粘着層19に入射した光が黒色粒子21により吸収、拡散されるので、迷光の発生が抑えられる。迷光ゴースト等の発生が抑えられる。
Description
本発明は、迷光の反射を防止する反射防止テープ、及びこの反射防止テープが貼り付けられたウェハレベルレンズ、並びにこのウェハレベルレンズを備える撮像装置に関するものである。
携帯電話機などの携帯電子機器には、小型かつ薄型の撮像装置が搭載されているものが多い。この撮像装置は、固体撮像素子チップと、この固体撮像素子チップ上に設けられたレンズとからなる(特許文献1参照)。
このような撮像装置は、複数の撮像素子が2次元配列された撮像素子基板上に、各撮像撮像素子の直上に位置する複数のレンズ部を有するウェハレベルレンズアレイを少なくとも1層以上積層してなる積層体を、切断して分割するダイシングにより個片化することにより生成される。以下、ウェハレベルレンズアレイを個片化したものをウェハレベルレンズと呼ぶ。なお、固体撮像素子チップは、撮像素子基板を個片化したものである。
ところで、ウェハレベルレンズの切断面が未処理の状態であると、この切断面で反射された光が迷光となって撮像素子に入射して、撮影画像にゴーストやフレア(以下、単に迷光ゴースト等という)が生じるおそれがある。近年、携帯電子機器に搭載される撮像装置についても、高画素化及び撮影画像の高画質化が要求されているので、迷光ゴースト等の発生は抑制する必要がある。
特許文献2の撮像装置では、ウェハレベルレンズのレンズ面以外の領域を黒色レジスト層で覆うことにより、切断面での光反射に伴う迷光ゴースト等の発生を抑えている。また、特許文献3の撮像装置では、レンズのレンズ面以外の領域に遮光インキを塗装して遮光マスクを形成することにより迷光ゴースト等の発生を抑えている。
特許文献2に記載の黒色レジスト層の形成や、特許文献3に記載のマスク処理によって、迷光ゴースト等の発生を抑えることができるものの高コストであるので、撮像装置の製造コストが増加するという問題がある。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、低コストに迷光ゴースト等の発生を抑えることができる反射防止テープ及びウェハレベルレンズ並びに撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の反射防止テープは、レンズのレンズ面以外の領域に貼り付けられ、レンズと同程度の屈折率を有するとともに、黒色粒子を含む粘着層と、粘着層を支持する支持体と、を有することを特徴とする。なお、レンズ面は、レンズに入射した光を所望の方向に集光又は発散させる光学的特性を有し、この光学的特性を考慮して曲率や表面形状が設計されている部位の面をいうものとする。
レンズの屈折率と、粘着層の屈折率との差の絶対値が0.2以下であることが好ましい。また、黒色粒子は、カーボンブラック又はチタンブラック、或いは、カーボンブラックとチタンブラックの少なくとも一方を含むポリスチレンビーズのうちの少なくとも一種を含むことが好ましい。また、支持体は遮光性を有することが好ましい。
また、本発明は、2次元配列された複数のレンズを有するウェハレベルレンズアレイを切断して、レンズごとに分割してなるウェハレベルレンズであって、そのレンズ面以外の領域に反射防止テープが貼り付けられていることを特徴とする。
レンズ面以外の領域には、ウェハレベルレンズの切断面が含まれることが好ましい。また、レンズ面以外の領域にはレンズ面の周辺領域が含まれており、周辺領域に貼り付けられた反射防止テープが前絞りとして機能することが好ましい。なお、ここでいう「前絞り」とは、レンズ系の前方(レンズ系に対し被写体側)に配された絞りのことをいうものである。
本発明の撮像装置は、上記のウェハレベルレンズと、
ウェハレベルレンズを透過した被写体光を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする。
ウェハレベルレンズを透過した被写体光を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、ウェハレベルレンズである第1ウェハレベルレンズと、第1ウェハレベルレンズ上に設けられたウェハレベルレンズである第2ウェハレベルレンズと、第2ウェハレベルレンズ及び第1ウェハレベルレンズを透過した被写体光を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする。
本発明は、レンズのレンズ面以外の領域に貼り付けられる反射防止テープの粘着層が、レンズと同程度の屈折率を有しかつ黒色粒子を含むようにしたので、この領域が光の反射面となることが防止され、さらに粘着層内に入射した光を黒色粒子により吸収、拡散することができる。これにより、反射防止テープと比較してコストが高くなる黒色レジスト層形成処理やマスク処理などを行うことなく、迷光の発生を抑制することができる。その結果、低コストに迷光ゴーストやフレアの発生を抑えることができる。
図1に示すように、撮像装置10は、ウェハレベルで製造されたものであり、携帯電話機などの各種電子機器(図示せず)に搭載される。この撮像装置10は、固体撮像素子チップ11と、第1ウェハレベルレンズ(以下、単にWLLと略す)12と、第2WLL13と、これらを収納する断面矩形状のアルミケース14とで構成されている。
固体撮像素子チップ11は、CCD素子やCMOS素子などの撮像素子11a、及び図示しない電極や論理回路などを有している。撮像素子11aは、第1~第2WLL12,13から入射する被写体光を電気的な撮像信号に変換する。この撮像信号は、小型電子機器に設けられた各種信号処理回路(図示せず)にて信号処理が施されることによりデジタルな撮影画像データに変換される。
固体撮像素子チップ11上には、スペーサ16が設けられている。スペーサ16は、撮像素子11aを囲むように略枠形状を有している。
第1~第2WLL12,13は、ウェハレベルレンズアレイ(図4参照)をダイシングして生成したものであり、撮像素子11aの受光面の中心を通る光軸を有している。第1~第2WLL12,13は、被写体光を撮像素子11aの受光面上に結像させる。
第1WLL12は、スペーサ16を介して固体撮像素子チップ11上に設けられている。第1WLL12は、略凹状のレンズ面12aを有している。第2WLL13は、第1WLL12上に設けられている。第2WLL13は、略凸状のレンズ面13aを有している。ここで、レンズ面12a,13aは、レンズに入射した光を所望の方向に集光又は発散させる光学的特性を有し、この光学的特性を考慮して曲率や表面形状が設計されている部位の面をいうものとする。
ダイシングにより第1~第2WLL12,13の外周面となる切断面12b,13b、及びスペーサ16と固体撮像素子チップ11の外周面には、反射防止テープ18が貼り付けられている。
図2に示すように、反射防止テープ18は、切断面12b,13b及び固体撮像素子チップ11等の外周面に貼り付けられる粘着層19と、この粘着層19を支持する遮光層(支持体)20とからなる。なお、図1~図6では、撮像装置10の各部を明確にするため、相互の厚みや幅の比率は無視して一部誇張して表示している。
粘着層19は、第1~第2WLL12,13を形成する透明樹脂材料と同程度の屈折率を有する材料で形成されている。ここで、同程度の屈折率とは、粘着層19と第1~第2WLL12,13の屈折率の差(絶対値)が0.2以下になることである。また、粘着層19には、カーボンブラック又はチタンブラック、或いは、カーボンブラックとチタンブラックの少なくとも一方を含むポリスチレンビーズのうちの少なくとも一種を含む黒色粒子21が含まれている。遮光層20は、遮光性を有する公知の材料で形成されている。
次に、上記構成の撮像装置10の製造工程について説明を行う。最初に図3に示すように、複数の撮像素子11aが2次元配列された撮像素子基板23上に、各撮像素子11aにそれぞれ対向する貫通穴24aを有する略格子状のスペーサ24を積層する。次いで、スペーサ24上に、各撮像素子11aのそれぞれ直上位置にレンズ面12aを有する第1ウェハレベルレンズアレイ(以下、単にWLLアレイという)25を積層する。そして、第1WLLアレイ25上に、各撮像素子11aのそれぞれ直上位置にレンズ面13aを有する第2WLLアレイ26を積層する。
図4に示すように、第2WLLアレイ26の積層後、スペーサ24の中心(撮像素子11aの間)に設定したダイシングライン(一点鎖線で表示)に沿って、撮像素子基板23、スペーサ24、及び第1~第2WLLアレイ25,26の積層体をダイシングする。これにより、撮像素子基板23を個片化した固体撮像素子チップ11、スペーサ24を個片化したスペーサ16、及び第1~第2WLLアレイ25,26を個片化した第1~第2WLL12,13からなる撮像モジュール28(図5参照)が生成される。
次いで、図5に示すように、第1~第2WLL12,13の切断面12b,13b、及び固体撮像素子チップ11等の外周面(以下、単に撮像モジュール28の外周面という)に、反射防止テープ18が貼り付けられる。具体的には、撮像モジュール28の光軸方向長さと同じ大きさの幅を有する1枚の反射防止テープ18を撮像モジュール28の外周面に巻きつけるようにして貼り付ける、あるいは撮像モジュール28の外周面の周方向に沿って短冊状の反射防止テープ18を複数貼り付けるなどの各種方法で貼り付けられる。
反射防止テープ18の粘着層19は、第1~第2WLL12,13と同程度の屈折を有しているので、第1~第2WLL12,13内から切断面12b,13bに向かう光が切断面12b,13bで反射されずに粘着層19に入射する。さらに、粘着層19には黒色粒子21が含まれているので、粘着層19に入射した光は黒色粒子21によって吸収、拡散される。
このように、切断面12b,13bが光の反射面になることが防止され、さらに粘着層19に入射した光が吸収、拡散されることによって、迷光の発生が抑えられる。また、反射防止テープ18の貼り付けは、上記特許文献2,3に記載の黒色レジスト層の形成やマスク処理と比較して低コストに実施することができる。その結果、撮像装置10の製造コストを下げることができる。これにより、従来よりも低コストで撮像画像における迷光ゴースト等の発生を抑えることができる。
反射防止テープ18の貼付後、撮像モジュール28がアルミケース14内に収納されて、撮像装置10の製造工程が完了する。
上記実施形態では、撮像モジュール28の外周面に反射防止テープ18を貼り付けているが、例えば図6(A),(B)に示すように、第2WLL13のレンズ面13aの周辺領域13cにも反射防止テープ18と同じ構成の反射防止テープ30を貼り付けてもよい。反射防止テープ30の中心には、レンズ面13aを露呈させる開口30aが形成される。反射防止テープ30は遮光性を有しているので、第2WLL13の前面のレンズ面13a以外の領域は遮光される。従って、反射防止テープ30は、撮像装置10の前絞りとして機能する。反射防止テープ30の貼り付けも低コストに実施することができるので、前絞りを別途設ける場合よりも撮像装置10の製造コストを下げることができる。
上記実施形態では、固体撮像素子チップ11上に2層の第1~第2WLL12,13が積層されているが、1層または3層以上のWLLが積層されていてもよい。また、第1~第2WLL12,13のレンズ面12a,13aの形状も特に限定はされない。
上記各実施形態では、撮像モジュール28の外周面やレンズ面13aの周辺領域13cに反射防止テープ18,30を貼り付けているが、レンズ面12a,13a以外の領域であって、第1~第2WLL12,13による被写体光の結像を妨げない領域に反射防止テープ18,30を貼り付けてもよい。
上記実施形態では、粘着層19を支持する支持体として遮光層20を例に挙げて説明を行ったが、例えば粘着層19に含まれる黒色粒子の濃度が高い場合には支持体が光透過性を有していてもよく、支持体の種類は特に限定はされない。
上記実施形態では、ウェハレベルで製造された撮像装置を例に挙げて説明を行ったが、他の製造法で製造された撮像装置についても本発明を適用して迷光ゴースト等の発生を抑えることができる。
以下、本発明の効果を実証するための実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例及び比較例に限定されるものではない。
反射防止テープの粘着層及び第1~第2WLLの屈折率差と、迷光ゴースト等の発生の有無との関係をまとめた表1に示すように、実施例1~3では、粘着層19と第1~第2WLL12,13との屈折率の差の絶対値(以下、単に屈折率差という)がそれぞれ「0.0」、「0.1」、「0.2」になるように撮像装置10の製造を行った。また、比較例1~3では、屈折率差がそれぞれ「0.3」、「0.4」、「0.5」になる点を除けば撮像装置10と同じ構成の撮像装置の製造を行った。
以上のような実施例1~3及び比較例1~3の撮像装置で得られた撮影画像に迷光ゴーストやフレアが発生しているか否かを目視で確認した。そして、迷光ゴースト等が発生してない場合には「A」と判定し、迷光ゴースト等が発生している場合には「B」と判定した。
表1に示すように、実施例1~3と比較例1~3とを比較した結果、屈折率差を0.2以下にすることで、迷光ゴースト等の発生が抑えられることが確認された。
10 撮像装置
11 固体撮像素子チップ
12 第1WLL
12a レンズ面
13 第2WLL
13a レンズ面
18,30 反射防止テープ
19 粘着層
20 遮光層
21 黒色粒子
25 第1WLLアレイ
26 第2WLLアレイ
11 固体撮像素子チップ
12 第1WLL
12a レンズ面
13 第2WLL
13a レンズ面
18,30 反射防止テープ
19 粘着層
20 遮光層
21 黒色粒子
25 第1WLLアレイ
26 第2WLLアレイ
Claims (9)
- レンズのレンズ面以外の領域に貼り付けられ、前記レンズと同程度の屈折率を有するとともに、黒色粒子を含む粘着層と、
前記粘着層を支持する支持体と、
を有することを特徴とする反射防止テープ。 - 前記レンズの屈折率と、前記粘着層の屈折率との差の絶対値が0.2以下である請求項1記載の反射防止テープ。
- 前記黒色粒子は、カーボンブラック又はチタンブラック、或いは、カーボンブラックとチタンブラックの少なくとも一方を含むポリスチレンビーズのうちの少なくとも一種を含む請求項1または2記載の反射防止テープ。
- 前記支持体は遮光性を有する請求項1ないし3いずれか1項記載の反射防止テープ。
- 2次元配列された複数のレンズを有するウェハレベルレンズアレイを切断して、レンズごとに分割してなるウェハレベルレンズであって、そのレンズ面以外の領域に請求項1ないし4いずれか1項記載の反射防止テープが貼り付けられていることを特徴とするウェハレベルレンズ。
- 前記領域には、ウェハレベルレンズの切断面が含まれる請求項5記載のウェハレベルレンズ。
- 前記領域には前記レンズ面の周辺領域が含まれており、前記周辺領域に貼り付けられた前記反射防止テープが前絞りとして機能する請求項5または6記載のウェハレベルレンズ。
- 請求項5ないし7いずれか1項記載のウェハレベルレンズと、
前記ウェハレベルレンズを透過した被写体光を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする撮像装置。 - 請求項5または6記載のウェハレベルレンズである第1ウェハレベルレンズと、
前記第1ウェハレベルレンズ上に設けられた請求項7記載のウェハレベルレンズである第2ウェハレベルレンズと、
前記第2ウェハレベルレンズ及び前記第1ウェハレベルレンズを透過した被写体光を撮像する撮像素子と、を備えることを特徴とする撮像装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014101310A1 (de) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Leica Camera Ag | Verfahren zur Unterdrückung von Falschlicht |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI741988B (zh) * | 2015-07-31 | 2021-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 堆疊式透鏡結構及其製造方法,以及電子裝置 |
DE102015013589B4 (de) * | 2015-10-21 | 2021-10-21 | Schölly Fiberoptic GmbH | Optische Anordnung und Endoskop |
CN112859279A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-28 | 杭州国翌科技有限公司 | 一种防眩光镜头和轨道监控系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05167778A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Canon Inc | イメージセンサ |
JP2006208611A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 透光性基板及び透過型光学部材 |
JP2008053887A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール |
JP2008543995A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | テーザ・アクチエンゲゼルシャフト | 液晶ディスプレイを製造および/または接着するための光吸収性を有する両面粘着テープ |
JP2009086092A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Aji Kk | 光学部品の製造方法及び撮影装置の製造方法 |
JP2010106268A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | 分散組成物、重合性組成物、遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、液晶表示装置、ウェハレベルレンズ、及び撮像ユニット |
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-
2012
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05167778A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Canon Inc | イメージセンサ |
JP2006208611A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 透光性基板及び透過型光学部材 |
JP2008543995A (ja) * | 2005-06-13 | 2008-12-04 | テーザ・アクチエンゲゼルシャフト | 液晶ディスプレイを製造および/または接着するための光吸収性を有する両面粘着テープ |
JP2008053887A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール |
JP2009086092A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Aji Kk | 光学部品の製造方法及び撮影装置の製造方法 |
JP2010106268A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | 分散組成物、重合性組成物、遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、液晶表示装置、ウェハレベルレンズ、及び撮像ユニット |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014101310A1 (de) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Leica Camera Ag | Verfahren zur Unterdrückung von Falschlicht |
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Publication number | Publication date |
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