WO2012060056A1 - サンプリング装置 - Google Patents

サンプリング装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012060056A1
WO2012060056A1 PCT/JP2011/005751 JP2011005751W WO2012060056A1 WO 2012060056 A1 WO2012060056 A1 WO 2012060056A1 JP 2011005751 W JP2011005751 W JP 2011005751W WO 2012060056 A1 WO2012060056 A1 WO 2012060056A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
probe
sampling
sample
sampling apparatus
minute object
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/005751
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
直俊 赤松
賢 岩並
堀越　和彦
Original Assignee
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Publication of WO2012060056A1 publication Critical patent/WO2012060056A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G01N1/04—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting
    • G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/2813—Producing thin layers of samples on a substrate, e.g. smearing, spinning-on
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated

Definitions

  • the present invention relates to a sampling device for sampling a minute object. More particularly, the present invention relates to an analysis pretreatment apparatus for collecting and analyzing a minute object of about 1 ⁇ m.
  • Identifying the chemical species of minute objects is important not only industrially but also from the viewpoint of identifying viruses and bacteria.
  • it is effective to sample only the object from a substrate or other material in the vicinity of the minute object and analyze it with a highly sensitive chemical analyzer.
  • extremely sensitive analysis means such as mass spectrometry or an atom probe. It is essential that these high-sensitivity analysis means be sampled and only the analysis object be subjected to analysis.
  • a micromanipulator system that is usually marketed is used for sampling a minute object.
  • an optical microscope is used. For example, if sampling of a size of 10 ⁇ m or less is performed, the focal depth of the lens is shallow, and the sampling tool is out of the observation range due to defocusing. Therefore, the operation becomes very difficult.
  • an object of the present invention is to provide means for reliably sampling a minute object in a sampling apparatus having an observation system using charged particles typified by an electron microscope.
  • the present invention provides a sampling apparatus comprising a substrate on which a minute object sample is placed, a probe for moving the minute object sample, and an electron beam irradiation means for charging the minute object sample.
  • the feature of the sampling apparatus in this embodiment is that an insulating layer is provided on the surface of the sampling probe, the insulating layer is appropriately charged, and a repulsive force is applied to a minute object charged to the same sign, By moving a minute object on the sampling tool and getting on it, it is transferred to the sampling tool and the minute object is sampled.
  • FIG. 2 is a diagram showing a sampling apparatus in the present embodiment.
  • 1 is a substrate on which a minute object sample 2 is placed
  • 2 is a minute object sample
  • 3 is a metal probe whose surface is coated with an insulating film
  • 4 is a blade tool made of diamond
  • 5 is a minute object sample 2
  • 6 is an electron gun as electron beam irradiation means
  • 7 is a manipulator for operating the probe 3 and the blade tool 4
  • 8 is a secondary electron for detecting secondary electrons generated from the sample.
  • a detector, 9 is a backscattered electron detector that detects electrons reflected from the sample surface
  • 10 is an EDX detector that detects X-rays generated by electron beam irradiation
  • 11 is an electron source that generates electrons
  • 12 is an electron beam.
  • An electrode 13 for scanning is a sample stage on which the substrate 1 is placed.
  • the probe 3 and the blade tool 4 are connected to the tip of a manipulator 7 that can be operated from the outside.
  • the probe 3 may be made of, for example, tungsten whose tip is easy to sharpen.
  • a monitor that projects the detected secondary electrons as an image is provided.
  • components that are not directly involved in the description of the present embodiment, such as an exhaust system, are omitted.
  • FIG. 3 shows an enlarged view of the probe 3 in this embodiment.
  • 21 is an insulator.
  • tungsten is used as the material of the probe 3.
  • the insulator 21 was formed by heating tungsten in an oxygen atmosphere and growing a tungsten oxide layer of about 10 nm.
  • a process for sampling the micro insulator sample 2 in the present embodiment will be described with reference to the conceptual diagram of FIG. 1 and the flowchart of FIG. (1)
  • the substrate 1 to which the minute object sample 2 is attached is placed on the sample stage 13, and the sample chamber 5 is evacuated to a predetermined degree of vacuum.
  • electrons are emitted from an electron gun 6 as an electron beam irradiation means, and an electron beam focused by a lens system is irradiated onto the surface of the substrate 1.
  • the acceleration voltage of the electron beam is preferably 500 V to 2 kV that can obtain a good image resolution while reducing damage to the minute object sample 2.
  • the electron beam is deflected, and the electron beam is scanned on the surface of the insulating substrate 1.
  • secondary electrons generated from the surface of the substrate 1 are measured by the secondary electron detector 8 as a detecting means, and a secondary electron image of the sample surface is obtained.
  • the obtained secondary electron image is displayed on a monitor.
  • the position to be sampled is determined by adjusting the position of the sample stage 13 with the secondary electron image.
  • the scanning speed is preferably 0.5 to 2 frames / second so that the sample can be observed while maintaining a good S / N ratio.
  • the magnification at this time is about several tens of times at a low magnification.
  • the distance (working distance) between the front end of the electron gun 6 and the sample is preferably 15 to 30 mm so that a space for introducing the probe 3 and the diamond blade 4 can be secured and observation is possible.
  • FIG. 1 shows a state in which a repulsive force works due to charging. With this repulsive force, the minute object 2 can be moved to a desired location with high accuracy.
  • the micro object 2 is driven into the blade 4 by moving the probe 3.
  • the probe 3 is installed in the manipulator 7.
  • the stroke of the manipulator 7 is 5 mm or more and the movement accuracy is 0.5 nm.
  • the micro object 2 is mounted on the blade 4 and transferred to complete the sampling.
  • the blade 4 is not necessarily essential, but it is desirable to mount the blade 4 on the manipulator 7 like the probe 3.
  • a tungsten probe is used as the probe 3, but other materials are also possible.
  • a metal as the probe 3 and provide a layer of the insulator 21 having a thickness of about 2 nm to 20 nm on the surface thereof.
  • the layer of the insulator 21 is 2 nm or less, the charging is insufficient and the repulsive force does not work, and when it exceeds 20 nm, the charge amount is too large and minute foreign matters are scattered. In either case, the sampling success rate is significantly reduced.
  • the blade 4 Since the repulsive force does not work between the minute object 2 and the diamond blade 4 (because it works, it is sufficiently smaller than the repulsive force between the probe 3 and the minute object 2), the fine object 2 is sampled on the blade 4. can do.
  • a diamond tool that is hard and has a sharp tip is optimal, but sapphire, zirconia, or the like may be used.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

　電子顕微鏡に代表される荷電粒子を利用する観察系を有するサンプリング装置において、微小物体を確実にサンプリングする手段を提供することを目的とする。　前記目的を達成するために本発明は、微小物体試料を載せる基板と、前記微小物体試料を移動させるプローブと、前記微小物体試料を帯電させる電子線照射手段とを備えるサンプリング装置を提供する。

Description

サンプリング装置
　本発明は微小物体をサンプリングするためのサンプリング装置に関する。更に詳しくは、１μ ｍ 程度の微小物体を採取し、分析するための分析前処理装置に関する。
　微小物体の化学種を同定することは、工業的のみならず、ウイルスや細菌を同定する観点から、医学的にも重要である。微小物体の化学種同定のためには、微小物体を近傍にある基板又は他の材料から物体のみをサンプリングし、高感度な化学分析装置で分析することが有効である。サンプリングし、単離することにより、例えば、質量分析やアトムプローブ等の極めて高感度な分析手段を使うことが可能となる。これらの高感度な分析手段はサンプリングし、分析対象物のみ、分析にかけることが必須である。
　微小物体のサンプリングには、通常市販されているマイクロマニピュレータシステムが用いられている。
　光学顕微鏡を用いた従来のマイクロサンプリングシステムでは、光学顕微鏡を用いているので例えば１０μｍ以下のサイズのサンプリングを行うとすればレンズの焦点深度が浅く、焦点ずれのためにサンプリング工具が観察範囲外へとずれるので、操作が非常に困難となる。
　上記の問題を解決するために、例えば、特許文献1、２，３のように光学顕微鏡よりも焦点深度の大きい走査電子顕微鏡を用いた観察、加工が行われている。
特開平１１-２７１０３６ 特開２００１-１９８８９６ 特開２００１-８８１００
　しかしながら、特許文献１、２、３のように走査電子顕微鏡を用いた観察では荷電粒子を用いるため、絶縁物試料の観察、サンプリングでは、絶縁物試料が電子線照射によって帯電することで、サンプリングが困難となる場合が多い。
　従って本発明の目的は、電子顕微鏡に代表される荷電粒子を利用する観察系を有するサンプリング装置において、微小物体を確実にサンプリングする手段を提供することにある。
　前記目的を達成するために本発明は、微小物体試料を載せる基板と、前記微小物体試料を移動させるプローブと、前記微小物体試料を帯電させる電子線照射手段とを備えるサンプリング装置を提供する。
　本発明によれば、電子顕微鏡に代表される荷電粒子を利用する観察系を有するサンプリング装置において、微小物体を確実にサンプリングする手段を提供することができる。
本発明の実施例におけるサンプリング装置の基本原理を説明した図 本発明の実施例におけるサンプリング装置を示した図 本発明の実施例におけるプローブの拡大図 本発明の実施例におけるサンプリングフロー図
　特許文献１、２、３のように走査電子顕微鏡を用いた観察において、絶縁物試料が電子線照射によって帯電することで、サンプリングが困難となる問題は絶縁物試料の抵抗率が高いほど顕著となる。絶縁物試料に照射される荷電粒子の電荷、あるいは絶縁物試料から発生した二次電子が放出されることにより生成する逆符号の電荷がその場に留まりやすいことが原因である。
　通常の光学顕微鏡下でのサンプリングの場合、微小物体と微小物体をサンプリングする先端が鋭利な工具（以後、プローブと呼ぶ）の間にはファンデルワールス力による引力が働き、プローブを微小物体に近づけることで、微小物体のサンプリングが可能である。
　一方、走査型電子顕微鏡下でのサンプリングにおいては、微小物体が帯電するため、前記ファンデルワールス力に加え、クーロン相互作用が発生する。そのため、走査型電子顕微鏡で観察中あるいは観察後では、微小物体とそれをサンプリングするプローブの間で複雑な相互作用が働き、単にプローブを微小物体に近づけただけでは、サンプリングに成功する確率は著しく低くなる。
　以下、上記問題に鑑みてなされた本発明の実施例について説明する。
　本実施例におけるサンプリング装置の特徴は、サンプリング用プローブの表面に絶縁物の層を設け、絶縁物層を適度に帯電し、同符号に帯電した微小物体との間に斥力を働かせ、もう一方のサンプリング工具上に、微小物体を追い込み、乗り上げさせることにより、サンプリング工具に移載し、微小物体をサンプリングすることである。
　図２は本実施例におけるサンプリング装置を示す図である。図２中、１は微小物体試料２を載せる基板、２は微小物体試料、３は表面が絶縁膜でコーティングされた金属製のプローブ、４はダイヤモンド製のブレード工具、５は微小物体試料２を観察する空間である試料室、６は電子線照射手段としての電子銃、７はプローブ３及びブレード工具４の操作を行うためのマニピュレータ、８は試料から生成する二次電子を検出する二次電子検出器、９は試料表面で反射する電子を検出する反射電子検出器、１０は電子線照射により発生するX線を検出するEDX検出器、１１は電子を発生させる電子源、１２は電子線を走査するための電極、１３は基板１を載せる試料台である。プローブ３及びブレード工具４は外部からの操作が可能なマニピュレータ７の先端に接続されている。プローブ３は、例えば先端の先鋭化が容易なタングステンで製作すると良い。また、検出した二次電子を像として映し出すモニタを備える。なお図２において本実施例の説明に直接関与しない構成要素例えば排気システム等は省略した。
　本実施例におけるプローブ３の拡大図を図３に示す。２１は絶縁物である。本実施例ではプローブ３の材料としてタングステンを用いた。絶縁物２１の形成は、タングステンを酸素雰囲気で加熱し、10nm程度、タングテンの酸化層を成長させることにより形成した。
　本実施例における微小絶縁物試料２をサンプリングするプロセスについて、図１の概念図および図４のフローチャートを用いて説明する。（１）微小物体試料２が付着した基板１を試料台１３に設置して、試料室５を所定の真空度に排気する。（２）次いで電子線照射手段としての電子銃６から電子を放出させ、レンズ系で絞った電子線を基板１の表面上に照射する。電子線の加速電圧は、微小物体試料２への損傷を少なくしつつ良好な像分解能を得ることが可能な５００Ｖから２ｋＶが好ましい。そして電子線を偏向させ、絶縁基板１表面で電子線を走査する。このとき、基板１表面から発生する二次電子を検出手段としての二次電子検出器８で測定し、試料表面の二次電子像を得る。得られた二次電子像はモニタに表示される。二次電子像で試料台１３の位置を調整してサンプリングするべき部位を決定する。走査速度は、良好なＳ／Ｎ比を保ちつつ試料観察が行うことが可能な、０．５から２フレーム/秒が好ましい。このときの倍率は低倍率で数１０倍ほどとなる。さらに電子銃６の鏡筒先端と試料との距離（ワーキングディスタンス）は、プローブ３およびダイヤモンドブレード４を導入するための空間を確保でき、観察が可能である１５から３０ｍｍが好ましい。
　この状態で、（３）プローブ３を微小物体２に接近させると、プローブ３、微小物体２がともに同じ極性（プラス）に帯電することにより、斥力がはたらき、ちょうど1μｍ程度、プローブから離れるように動く。帯電し、斥力が働く様子を図１に示す。この斥力により、微小物体２を所望の場所に精度良く移動させることが可能である。
　次に（４）プローブ３を移動させることにより、微小物体２をブレード４へ追い込む。プローブ３を精度良く移動させるために、マニピュレータ７にプローブ３を設置する。良好な操作性を確保するために、マニピュレータ７のストロークは５ｍｍ以上で移動精度は０．５ｎｍとする。
　最終的に、（４）微小物体２をブレード４に乗り上げ、移載することにより、サンプリングを完了する。ブレード４は必ずしも必須ではないが、プローブ３と同様、マニピュレータ７に搭載することが望ましい。
　本実施例では、プローブ３としてタングステンプローブを使っているが、他の材質でも可能である。実験によれば、プローブ３としては金属を用い、その表面上に２nm-２０nm程度の絶縁物２１の層を設けることが望ましい。絶縁物２１の層が２nm以下の場合、帯電が不十分で斥力は働かず、また２０nmを超えると、帯電量が多すぎて、微小異物が飛散してしまうことが起こる。いずれの場合もサンプリング成功率が著しく低下する。
　また、ブレード４としてはダイヤモンドを用いた。微小物体２とダイヤモンド製のブレード４との間に斥力は働かないため（働いたとしてもプローブ３と微小物体２との間の斥力に比べて十分小さいため）、ブレード４に微小物体２をサンプリングすることができる。ブレード４としては硬く先端が鋭利なダイヤモンド工具が最適であるが、サファイヤ、ジルコニア等でも良い。
　以上のような機構により、電子顕微鏡に代表される荷電粒子を利用する観察系内においても1μｍ以下の微小物体を高い成功率でサンプリングすることが可能となる。
　これまで説明してきた実施例は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されない。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
1　基板
2　微小物体試料
3　プローブ
4　ブレード
5　試料室
6　電子銃
7　マニピュレータ
8　二次電子検出器
9　反射電子検出器
10　EDX検出器
11　電子源
12　電極
13　試料台
21　絶縁体層

Claims (10)

  1. 　微小物体試料を載せる基板と、
    　前記微小物体試料を移動させるプローブと、
    　前記微小物体試料を帯電させる電子線照射手段とを備えるサンプリング装置。
  2. 　前記電子線照射手段により前記微小物体試料と前記プローブとの間に斥力を発生させることを特徴とする請求項１に記載のサンプリング装置。
  3. 　前記微小物体試料をサンプリングするブレードを備えることを特徴とする請求項１に記載のサンプリング装置。
  4. 　請求項１に記載のサンプリング装置において、前記プローブ表面に絶縁体の層が形成されていることを特徴とするサンプリング装置。
  5. 　絶縁体の層が望ましくは2nm-20nmであることを特徴とする請求項４に記載のサンプリング装置。
  6. 　前記プローブが金属であり、絶縁体の層がその酸化物であることを特徴とする請求項４に記載のサンプリング装置。
  7. 　前記プローブの材料がタングステンであることを特徴とする請求項４に記載のサンプリング装置。
  8. 　絶縁物をスッパタプロセス、CVDプロセスで成膜して形成することを特徴とする請求項４に記載のサンプリング装置。
  9. 　前記ブレードとしてダイヤモンドを使うことを特徴とする請求項３に記載のサンプリング装置。
  10. 　前記電子線照射手段により照射した電子線を二次電子として検出する検出手段と、前記検出した二次電子を像として写すモニターとを備える請求項１に記載のサンプリング装置。
PCT/JP2011/005751 2010-11-05 2011-10-14 サンプリング装置 WO2012060056A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010248046A JP2012098229A (ja) 2010-11-05 2010-11-05 サンプリング装置
JP2010-248046 2010-11-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012060056A1 true WO2012060056A1 (ja) 2012-05-10

Family

ID=46024184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/005751 WO2012060056A1 (ja) 2010-11-05 2011-10-14 サンプリング装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2012098229A (ja)
WO (1) WO2012060056A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022178903A1 (zh) * 2021-02-28 2022-09-01 浙江大学 一种制造微装置的方法和装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9735066B2 (en) * 2014-01-30 2017-08-15 Fei Company Surface delayering with a programmed manipulator

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001088100A (ja) * 1999-09-24 2001-04-03 Japan Science & Technology Corp マイクロマニピュレーション方法
JP2003242921A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Jeol Ltd 微小物体移動方法及びそれを用いた観察方法並びに観察装置
JP2004220904A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Jeol Ltd マニピュレーション方法及びマニピュレーション装置
JP2005059104A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Jeol Ltd マニピュレーション装置及びマニピュレーション方法
JP2005302391A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電子顕微鏡用試料のサンプリング装置
JP2007326158A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Fujifilm Corp マイクロマニピュレータ
JP2008216069A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Toyota Motor Corp 試料作製装置および試料作製方法
JP2010133710A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Hitachi High-Technologies Corp 微小試料採取装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001088100A (ja) * 1999-09-24 2001-04-03 Japan Science & Technology Corp マイクロマニピュレーション方法
JP2003242921A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Jeol Ltd 微小物体移動方法及びそれを用いた観察方法並びに観察装置
JP2004220904A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Jeol Ltd マニピュレーション方法及びマニピュレーション装置
JP2005059104A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Jeol Ltd マニピュレーション装置及びマニピュレーション方法
JP2005302391A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電子顕微鏡用試料のサンプリング装置
JP2007326158A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Fujifilm Corp マイクロマニピュレータ
JP2008216069A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Toyota Motor Corp 試料作製装置および試料作製方法
JP2010133710A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Hitachi High-Technologies Corp 微小試料採取装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022178903A1 (zh) * 2021-02-28 2022-09-01 浙江大学 一种制造微装置的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012098229A (ja) 2012-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10663414B2 (en) Method of performing electron diffraction pattern analysis upon a sample
US6777674B2 (en) Method for manipulating microscopic particles and analyzing
US8487270B2 (en) Particle beam device and method for use in a particle beam device
JP5850984B2 (ja) 荷電粒子装置内の試料を撮像する方法
JP3897271B2 (ja) 加工観察装置及び試料加工方法
US10629409B2 (en) Specimen preparation and inspection in a dual-beam charged particle microscope
EP2477206B1 (en) Method for processing and/or analyzing a sample with a particle beam device
US20150214004A1 (en) Method for preparing and analyzing an object as well as particle beam device for performing the method
JP6010707B2 (ja) 低速電子線回折検出モジュール及び走査型電子顕微鏡
JP2015204296A (ja) 大容量ｔｅｍグリッド
JP2016045206A (ja) Ｅｂｓｐパターンの取得方法
US9478389B2 (en) Scanning electron microscope
US10475620B2 (en) Charged particle instruments
EP1754049A2 (en) Method for manipulating microscopic particles and analyzing the composition thereof
WO2012060056A1 (ja) サンプリング装置
US10319561B2 (en) Object preparation device and particle beam device with an object preparation device and method for operating the particle beam device
JP6433515B2 (ja) ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法
CN106373848B (zh) 采用等离子体中和的电子显微镜装置
CN108666192B (zh) 带电粒子束装置
WO2017186198A1 (en) Method for characterization of a sample surface by using scanning electron microscope and scanning probe microscope
JP2004295146A (ja) マニピュレータおよびそれを用いたプローブ装置、試料作製装置
US7855362B1 (en) Contamination pinning for auger analysis
JP2009037910A (ja) 複合荷電粒子ビーム装置及び加工観察方法
JPH03245447A (ja) セシウム集束イオンビーム形成方法
US20110180707A1 (en) Microsampling apparatus and sampling method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11837710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11837710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1