WO2012041589A1 - Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter justagemöglichkeit - Google Patents

Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter justagemöglichkeit Download PDF

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WO2012041589A1
WO2012041589A1 PCT/EP2011/063875 EP2011063875W WO2012041589A1 WO 2012041589 A1 WO2012041589 A1 WO 2012041589A1 EP 2011063875 W EP2011063875 W EP 2011063875W WO 2012041589 A1 WO2012041589 A1 WO 2012041589A1
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heat
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optical
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Boris Bittner
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Definitions

  • the invention relates to a method for operating a projection exposure apparatus for microlithography.
  • the invention relates to a projection exposure apparatus for microlithography.
  • Microlithography projection exposure equipment typically consists of a light source, one that processes the light rays emitted by the light source
  • Lighting system An object to be projected, generally Retikei or mask called a projection lens, hereinafter referred to as a lens, which images an object field on an image field, and another object, which is projected in the
  • the reticle or at least a portion of the reticle, is located in the object field and the wafer or at least a portion of the wafer is located in the image field.
  • the objective generally defines an optical axis with respect to which the optical elements which belong to the objective are arranged. As a rule, these optical elements are rotationally symmetric with respect to this optical axis and the optical axis is a normal to the object field and the field of view.
  • the reticle is located almost completely in the region of the object field, and the wafer is exposed without a relative movement of the wafer and the image field, the
  • Projection exposure apparatus generally referred to as a wafer stepper. If only part of the reticle is in the area of the object field, and the wafer is exposed during a relative movement of the wafer and the image field, the projection exposure apparatus is generally referred to as a wafer scanner.
  • the projection exposure apparatus with a
  • predetermined aperture and set by the lighting system setting for example, a fully coherent, partially coherent, especially dipole or Quadrupoisetting operated.
  • the aperture is given by the illumination system and / where k] is always at least 0.25.
  • the working wavelength is usually 365 nrn. 248 nm, 1 3 nrn or 13 nm. In the case of 13 nm, the objectives are purely catoptric lenses, that is, they consist only of mirror lenses. These are operated in vacuum with geometric - and corresponding numerical - apertures of 0.2 to 0.25 or 0.25 to 0.3 or 0.3 to 0.4 or 0.4 to 0.45 or above.
  • lenses for microlithography are dloptrisehe, so only lenses consisting of lenses as well as catadioptric, ie consisting of lenses and mirrors lenses.
  • Manipulators which rotate one or more optical elements associated with the objective, such as lenses, mirrors or diffractive optical elements,
  • Manipulators be provided optical elements of a lens. These are preferably some of the first and last optical elements of the objective viewed in the light propagation direction, or some of the optical elements located in the vicinity of an intermediate image of the objective, or some of the optical elements located in the vicinity of a pupil plane of the objective.
  • the concept of proximity is defined here by means of the so-called subaperture ratio. See, for example, WO2008034636A2, which is hereby incorporated in full in this application. In particular. » W ""
  • WO2O08037496A2 an objective for microlithography is shown, which contains an optical element which is acted upon by a manipulator with a multiplicity of forces and / or moments, so that it has a high local variability. reached its shape.
  • WO2O08 ⁇ 34636A2 shows a plane plate in a lens for microlithography.
  • In or on this plane plate are tracks that can be energized.
  • the refractive index of the plane plate can be locally influenced, so that the plane plate has a high local variability with respect to its refractive index.
  • WO2009026970A1 in WO2009026970A1 provides the plane plate from WO2008034636A2 with a thermal sink, which enables a temporal constancy of the spatially averaged temperature of the plate.
  • EP8513 ⁇ 5B1 shows a pair of plane plates, so-called Alvarez plates, in a microlithography objective.
  • This pair of Alvarez plates each have an aspheric on the facing surfaces of the plates, which compensate each other in a relative zero position of the plates in their optical effect. If one or both of the plates are deflected perpendicular to the optical axis of the objective, the effect of these Alvarez plates is established.
  • EP 1670041 A1 shows a device which serves to compensate for image aberrations which are introduced into the objective for microlithography by the absorption of dipole illumination.
  • the thermal manipulator from WO2009026970A1 has compared to the thermal
  • the optical effect of a manipulator for a given deflection of the manipulator, the difference of the aberrations of the lens between deflected and undeflected manipulator to understand. If a relatively small sliding deflection is predetermined in comparison with the maximum possible deflection range of the manipulator, then this optical effect is also referred to as the sensitivity of this manipulator.
  • the deflection of the manipulator is understood to mean a vector whose dimension corresponds to the number of degrees of freedom of the manipulator and whose entries describe the strength of the deflections in the individual dimensions.
  • thermo manipulator from WO2009026970A1 compared with the thermal manipulators from WO2008034636A2, EP1670041 A1, and DE1 827602A1 is its freedom from hysteresis or, in other words, its property of "forgetting.”
  • the thermal manipulator from WO2009026970A1 provides for a deflection to be carried out an optical effect, which is independent of its current deflection state, since to achieve this deflection state introduced by the manipulator in the plane plate total heat has already drained back over the thermal sink. Only relevant for the current optical effect, spatial relative temperature distribution in the plane plate, which delivers the
  • the optical effect of this new heat input is not on the one hand linearly on the strength of Deflection dependent, on the other hand, in mirrors as well as in other optical elements such as lenses, the optical effect of this also depends on the output temperature distribution in the optical element, and thus in particular on the history of the manipulator,
  • the object of the invention is to provide a method for the operation of a
  • Theorem 1 Procedure for the operation of a project! microlithography, the projection exposure system comprising an optical element, a non-linear one
  • Manipulator or a forgiving manipulator which acts on the optical element, characterized in that the history of the effects of the manipulator is logged in a log.
  • the history of the effects of the manipulator is logged in a log.
  • these effects may be on the one hand the temperature distributions induced by the manipulator in the optical element on which the manipulator acts, on the other hand, under the effects, also the optical effects which are caused by the respective deflections of the manipulator.
  • looking back at the history one can infer the current deflection state of the manipulator so that the effect of a renewed deflection of the manipulator becomes predictable.
  • the projection exposure apparatus includes an optical element, a manipulator that can be applied to the optical element by tempering ? Change of the optical element acts and whose deflection causes a heat flow into the optical element, characterized in that the history of the effects, in particular those introduced into the optical element
  • Temperatures, or caused by these optical effects of the manipulator is logged in a log.
  • a method according to sentence 2 represents the method of sentence 1 using the example of a manipulator which applies heat to an optical element. If the optical element is a refractive optical element, such as a lens, the optical element is a refractive optical element, such as a lens, the optical element is a refractive optical element, such as a lens, the optical element is a refractive optical element, such as a lens, the optical element is a refractive optical element, such as a lens
  • Heat is applied by changing the refractive index of the material of the refractive element and by changing its shape. If the optical element is a mirror, then the application of heat essentially induces a change in the shape.
  • Infrared light or heat due to a Peltier eggement, or heat due to a fluid flow, in particular by a gas flow, based.
  • the above sentence 3 discusses the possible ways to apply heat to an optical element of a microlithography projection exposure apparatus.
  • Applying to ohmic heat can be done by heating wires, as in WO2008034636 A2.
  • the optical element is a
  • Plane plate or a lens is, here in an advantageous manner, the temperature and thus the refractive index of the substrate of the plane plate or the lens can be changed locally.
  • vorieilhaft ensure the diameters of the wires are kept low enough to induce no more intolerable scattered light in the lens of the projection exposure system.
  • the energy transfer necessary for heating the optical element is advantageously accomplished without any problems.
  • Such a manipulator may have a plurality of degrees of freedom for the deflection of the optical element.
  • EP 1670041 A1 shows a manipulator which uses eight light guides to apply infrared light to a lens.
  • the application of heat to an optical element by means of the voltage regulation of thermally connected Peltier elements allows a finely controllable control of the heat input into the optical element.
  • the deflection of the manipulator can be particularly finely dosed.
  • the impingement of the optical element by a fluid flow advantageously leads, in addition to the application of heat to the optical element, to a purging of the air spaces of the objective of the projection exposure apparatus for microlithography. This will remove contaminants from the lens.
  • Sentence 5 Method according to clause 4, characterized in that the raster is a Cartesian, a polar, or a raster generated by a finite element method.
  • a raster adapted to the shape of the optical element can be adapted to the shape as well as the location of the optical element.
  • a Cartesian grid is suitable for a plane plate or a folding mirror.
  • a polar grid is suitable for a lens which is arranged close to the pupil in the objective. A through a finite
  • Element method generated grid is suitable for optical elements which either have a strongly irregular shape, or in which strong spatial gradients of
  • Temperaturverteiiung be expected during operation of the projection exposure system.
  • the grid produced by the finite element method it is possible to take into account the grid of changing requirements with regard to the control of the thermal manipulator, in which the grid is spatially locally changed, so that a more accurate
  • Non-linearity is the optical effect that occurs at a given time due to these accumulated heat inputs, as the cumulative effect of the single-vault entries.
  • a weighted sum is applied according to sentence 10.
  • the parameters IX. Are we doing this from an analytical or numerical calculation, such as the Fmite element method, and a solution of the W ? Conduction for the optical element determined.
  • Theorem 15 A method of operating a projection exposure system for the
  • Microlithography characterized in that the method includes a logging according to any one of the above sentences 13 to 14, a first aberration of an objective of
  • Ptojetechnischehtungsaniage measured or simulated, or is determined by a lookup-table, and the manipulator enters heat into the optical element when (a) the optical effect of such a Wänneeintrags reduces the image error, or (b) the optical effect of such a Wänneentrtrags Changes image error to a second image error qualitatively different from the first image defect,
  • an image defect is calculated according to one of the sentences 13 or 14. If a determined first image defect of the objective of the projection exposure apparatus of micro-hthography can be reduced by this image defect, or can be changed to a second image defect qualitatively different from that image defect Thus, this image error can either be reduced directly or reduced by further manipulators, which can reduce the second image error.
  • Sentence 16 The method according to any one of the above claims, characterized in that the calculated according to the protocol heat input X f at a time t. is calibrated into the optical element by measuring the real heat distribution of the optical element at this time.
  • One prevents the real and the calculated heat distribution from drifting too far apart, so that a calculation of the optical effect of the manipulator is no longer possible, or that this has no relation to the real-setting optical effect.
  • Such calibration can be made at regular or irregular intervals.
  • the calibration includes t at the given time. replacing the entries of the temperatures of the cells by the measured temperatures instead of the temperatures determined according to sentence 6.
  • the manipulator is preferably not deflected during the calibration.
  • the lens can be provided before its operation with a Grundkalibrierang which ensures that the transition matrices from sentence 6, the parameters a from sentence 10, or the parameter ß from sentence 1 1 are adapted to the lens.
  • This basic calibration can be done by two or more temperature measurements. Such a grand calibration can be due to combinations of different
  • the calibration is made taking into account a lens-Hearing model, such as i presented US2 ⁇ 08 ⁇ 002167A1 which ensures that the temperature inputs caused by the manipulator can be separated from those caused by illumination.
  • Projection exposure apparatus for microlithography characterized in that the projection exposure apparatus includes a Speieher, in which the history of the
  • Projection exposure system is suitable for microlithography.
  • Figure 1 shows a projection system, which zw implementation of the
  • FIG. 2 shows a projection exposure apparatus which is used to carry out the
  • FIG. 3 shows the flowchart of a logging according to the invention of the effects of the non-linear or non-forgetting manipulator
  • Figure 4 shows the Ablairfplan a calibration of the logging according to the invention.
  • FIG. 1 shows an embodiment of a projection apparatus 100 for microlithography for imaging an object field 101 onto an image field 102.
  • the projection apparatus 100 contains a projection objective 1 10, referred to below as an objective. Exemplarily, two are in the
  • Object field located field points 103 and 104 shown, which are imaged by the lens in the image plane 102.
  • the lens contains optical elements such as lenses I I I, 113, mirrors. 112 and, not shown here, plane plates.
  • a manipulator 121 acts, which can move or bend the lens. Such a manipulator can be part of his
  • a second manipulator 122 acts on the mirror 112 in the same manner.
  • a third manipulator 122 acts on the mirror 112 in the same manner.
  • Manipulator 23 acts on a second lens 1 13 with heat, this may be due to ohmsehe Wänne, or infrared light, or Wänne caused by a Peltier element, or heat
  • a wafer front sensor and / or further sensors and / or a prediction model forms a determination unit 150, which supplies information about aberrations or wavefronts after their passage through the objective.
  • These other sensors are for example air pressure sensors, sensors for measuring the temperature in the lens or sensors which measure the temperature on lenses or on the back of mirror.
  • the temperature of the lens 113 is measured by a sensor 151.
  • the manipulators 121, 122, 123 are controlled by a control unit 130, which receives data from both the front edge sensor 150 and the temperature sensor 151.
  • the control unit 130 includes a memory 140 in which the control unit 130 logs the history of the effects of the manipulator 123 on the lens 1 13. In the present case this is observed from the discretized temperature distributions X. ----- x ⁇ ' j at times t. , starting from a start distribution X. At a time t, which can be specified. For example, this ten peraturver republic x t can be obtained from a lens heating model.
  • FIG. 2 shows a microlithography projectile exposure apparatus 201 having a projection system 100 according to the invention.
  • the projection exposure system consists of a light source, which is generally a laser operating at a working wavelength of 193 nm or 248 nm.
  • light sources such as gas discharge lamps, which naturally provide less narrow bandwidths of working wavelengths but have distinct peaks at wavelengths of 365nm, 405n, and 435nm (i, g, and h lines) also find use.
  • the wavelength of 13.5 nm is found with an X-ray source, such as a plasma source
  • Lighting system 203 is generated, which illuminates the reticle 101 under a predetermined, exit-lying aperture of the illumination system 203.
  • Lighting system 203 is also the Beleuehtungssetting set. Used are dipole. Quadrupole or annulare settings and Freiformsettings, which can be adjusted for example by means of a Multimirrorarrays.
  • the illumination light After passing through the mask, which is generally designed as a binary chromium or as a phase-shifting mask, the illumination light reaches the projection system 100 according to the invention and there the objective 1 10. This is operated under a diaphragm position, which one for finding the picture of the straight use Reticle's optimal sigma setting.
  • the sigma setting is defined as the quotient of the output-side aperture of the illumination system and the input-side aperture of the objective,
  • the aberrations of the objective are measured by the wavefront sensor 150, and if one of these aberrations of a given specification is no longer sufficient, this aberration is Regulation or control of the manipulators 121, 122 and 123 brought back into specification.
  • FIG. 3 shows the timing diagram of a logging according to the invention of the effects of the heat-applying manipulator 123 and the control of the manipulator 123.
  • the protocol is initialized with values X t at a time t Q. Inductive becomes of one
  • Protocol X at a time t. outgoing, and by means of the transition matrix A from sentence
  • aberrations are determined by the wavefront sensor 150 which require manipulation of the objective by means of the manipulator 123.
  • a provisional protocol X can be determined with an assumed deflection of the manipulator 123.
  • the optical effects of the temperature distribution corresponding to the protocol of X x t are determined, reflecting the optical effects of the assumed. Deflection of the
  • Manipulator 123 starting at time t n , calculated at time t, corresponds to
  • the manipulator 123 is deflected according to the assumed deflection and the provisional protocol X knowgeWORKS. If the optical effect of the given optical effect, however, is not, then an alternative, here too Not shown deflection of the manipulator 123 assumed and an alternative, not shown here, preliminary protocol X determined. This procedure is carried out iteratively until the desired optical effect is determined, or until a decay criterion, not shown here, is reached.
  • FIG. 4 shows the flowchart of a calibration according to sentence 16 of the invention
  • Protocol X a on a relative temperature measurement of the lens 113 through the
  • Temperature sensor 151 replaced certain protocol.

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Abstract

Verfahren zur Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, die Projektionsbelichtungsanlage beinhaltend ein optisches Element, einen Manipulator, der auf das optische Element durch Temperaturveränderung des optischen Elementes wirkt, und dessen Auslenkung einen durch den Manipulator bedingten Wärmefluss in das optische Element bewirkt. Die Historie der Wirkungen, insbesondere die in das optische Element eingebrachten Temperaturen oder die durch diese verursachten optischen Wirkungen, des Manipulators werden in einem Protokoll protokolliert.

Description

Beschreibung:
Projektionsbelicht?ingssBlage mit optimierter Justageraögliefakeit
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie .
Weiterhin betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie bestehen in der Regel aus einer Lichtquelle, einem, die von der Lichtquelle emittierten Lichtstrahlen verarbeitendem
Beleuchtungssystem., einem zu projizierenden Objekt, im Allgemeinen Retikei oder Maske genannt einem Projektionsobjektiv, im Weiteren kurz Objektiv genannt, welches ein Objektfeld auf ein Bildfeld abbildet, und einem weiteren Objekt, auf welches projiziert wird, im
Allgemeinen Wafer genannt. Das Retikei oder zumindest ein Teil des Retikels befindet sich in dem Objektfeld und der Wafer oder zumindest ein Teil des Wafers befindet sieh in dem Bildfeld. Das Objektiv definiert im Allgemeinen eine optische Achse bzgl. derer die optischen Elemente, welche dem Objektiv angehören, angeordnet sind. In der Regel sind diese optischen Elemente rotationssymmetriseh bzgl. dieser optischen Achse und die optische Achse ist eine Normale zu Objektfeld und Bildfeld. Man nennt in diesem Fall das Design des Objektivs
rotationssymmetriseh.
Befindet sich das Retikei annähernd vollständig in dem Bereich des Objektfeldes, und der Wafer wird ohne eine Relativbewegung von Wafer und Bildfeld belichtet, so wird die
Projektionsbelichtungsanlage im Allgemeinen als Wafer- Stepper bezeichnet. Befindet sich nur ein Teil des Retikels im Bereich des Objektfeldes, und der Wafer wird während einer relativen Bewegung von Wafer und Bildfeld belichtet, so wird die Projektionsbelichtungsanlage im Allgemeinen als Wafer-Scanner bezeichnet.
Während der Belichtung des Wafers wird die Projektionsbelichtungsanlage mit einer
vorgegebenen Apertur und einem durch das Beleuchtungssysiem vorgegebenen Setting, beispielsweise einem vollständig kohärentem, teilweise kohärentem, speziell Dipol- oder Quadrupoisetting, betrieben. Die Apertur wird durch das Beleuchtungssysiem vorgegeben und /
Figure imgf000004_0001
wobei k] stets mindestens 0.25 beträgt. Die Arbeitswellenlänge beträgt in der Regel 365 nrn. 248 nm, 1 3 nrn oder 13 nm. im Falle von 13 nm handelt es sieh bei den Objektiven um rein katoptrische, also nur aus Spiegein bestehende Objektive. Diese werden im Vakuum mit geometrischen - und entsprechend numerischen - Aperturen von 0,2 bis 0,25 oder 0.25 bis 0.3 oder 0.3 bis 0.4 oder 0.4 bis 0.45 oder darüber betrieben.
Weitere Typen von Objektiven für die Mikrolithographie sind dloptrisehe, also nur aus Linsen bestehende Objektive sowie katadioptrische, also aus Linsen und Spiegeln bestehende Objektive.
Beim Betrieb der Projektionsbelichtungsani age mit Licht der Arbeitswellenlänge ergeben sich Veränderungen in den zu dem Objektiv der Projekt! onsbeliehtungsanlage gehörenden optischen Elementen, die zu, teilweise nicht reversiblen, Änderungen, der optischen Eigenschaften des Objektivs führen. Hier seien exemplarisch compaction, rarefaction und chemisch bedingte Veränderungen etwaiger Besebichtungen der optischen Elemente aufgeführt. Weitere, nicht reversible Veränderungen werden durch sich mit zunehmender Zeit einstellende Drifts von optischen Elementen in deren Fassungen erzeugt. Andere Veräiiderangen sind reversibler Natur wie z.B. Linsenerwärmungen mit der dadurch implizierten Formveränderung und der
Veränderung der Verteilung des Brechungsindex der Linse. Diese führen zu zeit- und
ortsabhängigen Veränderungen der optischen Eigenschaften des Objektivs.
Daher sind Objektive für die Mikrolithographie im Laufe ihrer Entwicklung mit einer zunehmenden Anzahl von Manipuiationsm glichkeiten ergänzt worden. Mit denen kann den Änderungen der optischen Eigenschaften des Objektivs entgegengesteuert werden. Es werden Manipulatoren eingesetzt, welche eines oder mehrere, dem Objektiv zugehörende optische Elemente, wie Linsen, Spiegel oder diffraktive optische Elemente verlagern, drehen,
austauschen, verformen, heizen oder kühlen. Als Austauschelemenie sind insbesondere asphärisierte Planplatten im Objektiv vorgesehen. Austauschelemente können auch mit
Manipulatoren versehene optische Elemente eines Objektivs sein. Diese sind vorzugsweise einige der in Lichtausbreitungsrichtung gesehen ersten und letzten optischen Elemente des Objektivs, oder einige, der sich in der Nähe eines Zwischenhildes des Objektivs befindenden optischen Elemente, oder einige der in der Nähe einer Pupillenebene des Objektivs sich befindenden optischen Elemente. Der Begriff der Nähe wird hier mit Hilfe des sogenannten Subaperturverhältnisses definiert. Man vergleiche hierzu beispielsweise WO2008034636A2, welche hiermit vollumfanglich in diese Anmeldung inkorporiert wird. Insbesondere .» w„„
Seiten 41 und 42 seien vollumfanglich in diese Anmeldung inkorporiert.
So wird beispielsweise in der WO2Ö08037496A2 ein Objektiv für die Mikrolithographie gezeigt, welches ein optisches Element enthält, welches durch einen Manipulator mit einer Vielzahl von Kräften und / oder Momenten beaufschlagt wird, so dass dieses eine hohe lokale Variabilität hzgi. seiner Form erreicht.
Manipulatoren, welche ein optisches Element verformen, zeichnen sich durch ihr besonders schnelles Ansprechverhalten aus. In R, K. Tyson: Principles of Adaptive Optics, Academic Press, Ine, ISBN 0.12.705900-8 wird eine allgemeine Einfuhrung zu schnell ansprechenden Manipulatoren aus dem Bereich der Teleskopie gegeben.
So wird beispielsweise in der WO2Ö08Ö34636A2 eine Planplatte in einem Objektiv für die Mikrolithographie gezeigt. In oder auf dieser Planplatte befinden sich Leiterbahnen, die mit Strom beaufschlagt werden können. Bei der dadurch hervorgerufenen Temperaturänderung kann der Brechungsindex der Planplatte lokal beeinflusst werden, so dass die Planplatte eine hohe lokale Variabilität bezüglich ihres Brechungsindex aufweist.
So wird beispielsweise in der WO2009026970A1 die Planplatte aus der WO2008034636A2 mit einer thermischen Senke versehen, welche eine zeitliche Konstanz der räumlich gemittelten Temperatur der Platte ermöglicht.
So wird beispielsweise in der EP8513Ö5B1 ein Paar von Planplatten, sogenannte Alvarez- Platten, in einem Objektiv für die Mikrolithographie gezeigt. Dieses Paar von Alvarez-Platten hat auf den sich zugewandten Oberflächen der Platten jeweils eine Asphäre, welche sich in einer relativen Nullstellung der Platten zueinander in ihrer optischen Wirkung kompensieren. Wird eine oder werden beide, der Platten senkrecht zur optischen Achse des Objektivs ausgelenkt, so stellt sich die Wirkung dieser Alvarez-Platten ein.
So wird beispielsweise in der EP 1670041 AI eine Vorrichtung gezeigt, die zur Kompensation von Bildfehlern dient, welche spezieil durch die Absorption von Dipolbeleuchtung in das Objektiv für die Mikrolithographie eingebracht werden. Ein optisches Element, welches sich in
Okon
Figure imgf000007_0001
Erwärm engen ergebende Wärmeverteilung in dem opt schen Element, und damit die
Manipulatorwirkung, von der zeitlichen Reihenfolge ab, in der diese beiden Stellen erwärmt werden.
Diese beiden Effekte sind nicht auf transmittierende optische Elemente, wie beispielsweise Linsen, beschränkt. Auch bei Spiegeln, welche insbesondere bei EUV-Objektiven Verwendung finden, und einen Grundköper aus Zerodur oder ULB besitzen, kann Nichtlinearität und
Hysterese beobachtet werden, Nichtlinearität und Hysterese kommen im Fall von diesen Spiegeln dadurch zustande, dass die Größe der durch die Erwärmung bedingten
Oberflächenverformung einerseits von der Erwärmung direkt abhängt, andererseits aber auch den Gradienten dieser beeinflusst. da der Wärmeausdehnungskoeffizient eines Spiegelmaterials wie Zerodur oder ULE selbst wieder temperaturabhängig ist.
Diesen beiden Problemen, Niehtmearität und Hysterese, kann folgendermassen begegnet werden:
Der thermische Manipulator aus WO2009026970A1 hat gegenüber den thermischen
Manipulatoren aus WO2008034636A2, EP1670041 AI, und DE19827602A1 den Vorteil einer, durch seine thermische Senke bedingten, zeitlich ausgeglichenen Wärmebilanz. Dies hat zur Konsequenz, dass der thermische Manipulator aus WO2009Ö26970A1 für kleine Auslenkungen um seine zeitlich und räumlich gemittelte Temperatur als linear in seinen optischen Wirkungen angenommen werden kann, da diese sich immer in einem vorgegebenen Temperaturintervall bewegen, welches sich während des Historie des Manipulators nicht verändert,
Hierbei ist unter der optischen Wirkung eines Manipulators, bei einer vorgegebenen Auslenkung des Manipulators, die Differenz der Bildfehler des Objektivs zwischen ausgelenktem und nicht ausgelenktem Manipulator zu verstehen. Ist eine im Vergleich zu dem maximal möglichen Auslenkungsbereich des Manipulators relativ kleine S andardauslenkimg vorgegeben, so wird diese optische Wirkung auch als Sensitivität dieses Manipulators bezeichnet.
Hierbei wird unter der Auslenkung des Manipulators ein Vektor verstanden, dessen Dimension der Anzahl der Freiheitsgrade des Manipulators entspricht, und dessen Einträge die Stärke der Auslenkungen in den einzelnen Dimensionen beschreibt.
Ökon Beispielsweise werden in der EP] 670041 AI 8 Infrarotwärmequellen auf eine Linse gerichtet. Die Auslenkung kann daher als ein 8-dimensionaler Vektor mit Einträgen von einzustellenden Wärmeströmen in Joule/Sekunde, multipliziert mit der Dauer der Wärrneströrne der jeweiligen Quellen in Sekunden, beschrieben werden. Die sich durch diese Wärmeeinträge ergebenden Bildfehler können gemessen oder simuliert werden und in Relation zu einem nicht mit Wärme beaufschlagtem Objektiv gesetzt werden. Hieraus ergibt sich die optische Wirkung des
Manipulators.
Ein weiterer Vorteil des thennischen Manipulators aus WO2009026970A1 gegenüber den thermischen Manipulatoren aus WO2008034636A2, EP 1670041 AI , und DE1 827602A1 ist dessen Hysteresefreiheit, oder, anders formuliert, dessen Eigenschaft,„zu vergessen". Hierunter soll Folgendes verstanden werden: der thermische Manipulator aus WO2009026970A1 liefert bei einer vorzunehmenden Auslenkung eine optische Wirkung, welche unabhängig von seinem gegenwärtigen Auslenkungszustand ist, da zum Erreichen dieses Auslenkungszustandes die durch den Manipulator in die Planplatte eingebrachte Gesamtwärme bereits wieder über die thermische Senke abgeflossen ist. Lediglich die für die gegenwärtige optische Wirkung relevante, räumliche relative Temperatur Verteilung in der Planplatte, liefert die
Ausgangs iemperaturverteilung für eine erneute Auslenkung des Manipulators und die damit verbundene, erneute Umverteilung der Temperaturen in der Planplatte.
Bei den thermischen Manipulatoren aus WO2008034636A2, EP 1670041 AI , und
DE 19827602 AI muss man hingegen von nichtlinearen und nichtv ergessenden Manipulatoren sprechen. Das durch den Manipulator zu einem ersten Zeitpunkt mit Wärme beaufschlagte optische Element gibt Undefiniert Wärme an seine Umgebung ab. Dies hat zur Folge, dass zu einem zweiten Zeitpunkt einer nachfolgenden Wärmebeaufschlagung unklar ist, weiche Temperaturverteilung im optischen Element gegenwärtig vorliegt. Aufgrund der Niehtlinearität der Änderung der Oberfläche des optischen Elements, wie beispielsweise eines Spiegels bei EUV, mit einer Verwendung von Zerodur oder LJLE als Spiegelmaterial, in Abhängigkeit von der Temperatur ist damit einerseits die optische Wirkung dieses neuen Wärmeeintrags nicht mein- linear von der Stärke der Auslenkung abhängig, andererseits wird, in Spiegeln wie auch in anderen optischen Elementen wie beispielsweise Linsen, die optische Wirkung hierdurch auch von der Ausgangstemperaturverteilung im optischen Element, und damit insbesondere von der Historie des Manipulators, abhängig,
Okon Es sei festgehalten, dass die oben aufgeführten, nicht-thermischen Manipulatoren eb<
Historie vergessen.
Die Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zum Betrieh einer
ProjektionsbeJichtungsanlage für die Mikrolithographie, welche den oben genannten
Beobachtungen der Nichtlinearität und des Niehtvergessens thermischer Manipulatoren, wie solcher aus WO2008034636A2, EP1670041 AI, oder DE19827602A1, Rechnung trägt.
Der Übersichtlichkeit halber sind im Folgenden die einzelnen Ausführungsformen der Erfindung in Sätze untergliedert.
Satz 1. Verfahren zum Betrieb einer Projekt! onsbeüchtungsanlage für die Mikrolithographie, die Projekiionsbelichtungsaniage beinhaltend ein optisches Element, einen nichtlinearen
Manipulator oder einen mchtvergessenden Manipulator, weicher auf das optische Element wirkt, dadurch gekennzeichnet, dass die Historie der Wirkungen des Manipulators in einem Protokoll protokolliert wird.
Durch das Verfahren nach Satz 1 wird die Historie der Wirkungen des Manipulators in einem Protokoll protokolliert. Hierbei können diese Wirkungen einerseits die von dem Manipulator induzierten Temperaturverteilungen in dem optischen Element sein, auf welches der Manipulator wirkt, andererseits können unter den Wirkungen, auch die optischen Wirkungen verstanden werden, welche durch die jeweiligen Auslenkungen des Manipulators bewirkt werden. Durch Ruckschau der Historie kann auf den gegenwärtigen Auslenkungszustand des Manipulators geschlossen werden, so dass die Wirkung einer erneuten Auslenkung des Manipulators vorhersehbar wird,
Satz 2. Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbeltchtungsanlage für die Mikrolithographie. die Projektionsbelichtungsanlage beinhaltend ein optisches Element, einen Manipulator, der auf das optische Element durch Temperatun?eränderung des optischen Elementes wirkt und dessen Auslenkung einen Wärmefluss in das optische Element bewirkt, dadurch gekennzeichnet, dass die Historie der Wirkungen, insbesondere die in das optische Element eingebrachten
Temperaturen, oder die durch diese verursachten optischen Wirkungen des Manipulators in einem Protokoll protokolliert wird.
Okon Ein Verfahren nach Satz 2 stellt das Verfahren von Satz 1 am Beispiel eines Manipulators dar, welcher ein optisches Element mit Wärme beaufschlagt. Falls es sich bei dem optischen Element um ein refraktives optisches Element, wie beispielsweise eine Linse, handelt, wirkt die
Beaufschlagung mit Wärme durch die Änderung des Brechungsindex des Materials des refraktiven Elements und durch seine Formveränderung. Handelt es sieh bei dem optischen Element um einen Spiegel, so induziert die Beaufschlagung mit Wärme im Wesentlichen eine Fonnveränderung.
Satz 3. Verfahren nach Satz 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wirkungsweise des
Manipulators auf Beaufschlagung des optischen Elements mit ohmscher Wärme, oder
Infrarotlicht, oder Wärme bedingt durch ein Peltier-Eiement, oder Wärme bedingt durch einen Fluidstrom, insbesondere durch einen Gasstrom, beruht.
Der obige Satz 3 diskutiert die möglichen Vorgehensweisen, ein optisches Elementes einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit Wärme zu beaufschlagen. Die
Beaufschlagung mit ohmscher Wärme kann durch Heizdrähte, wie in der WO2008034636 A2 vorgenommen werden. In dem Fall, in dem es sich bei dem optischen Element um eine
Planplatte oder eine Linse handelt, kann hier in vorteilhafterweise die Temperatur und damit der Brechungsindex des Substrates der Planplatte beziehungsweise der Linse lokal verändert werden. Hierbei werden vorieilhafterweise die Durchmesser der Drähte gering genug gehalten, um kein nicht mehr tolerierbares Streulicht im Objektiv der Projektionsbelichtungsanlage zu induzieren. Durch eine Beaufschlagung des optischen Elementes mit infrarotlieht wird vorteilhafterweise die zur Erwärmung des optischen Elementes notwendige Energieübertragung berOhrungslos bewerkstelligt. Ein derartiger Manipulator kann über eine Vielzahl von Freiheitsgraden für die Auslenkung des optischen Elementes verfügen. So wird Beispielsweise in der EP 1670041 AI ein Manipulator gezeigt, welcher acht Lichtleiter verwendet, um eine Linse mit Infrarotlicht zu beaufschlagen. Hingegen lässt die Beaufschlagung eines optischen Elementes mit Wärme durch die Spannungsregelung von thermisch angebundenen Peltier-Elementen eine fein dosierbare Steuerung der Wärmezufuhr in das optische Element zu. Hierdurch kann die Auslenkung des Manipulators besonders fein dosiert werden. Die Beaufschlagung des optischen Elementes durch einen Fluidstrom führt vorteilhafterweise neben der Beaufschlagung des optischen Elementes mit Wärme zu einer Spülung der Lufträume des Objektives der Projektionsbelichtungsanlage för die Mikrolithografie. Hierdurch werden Kontaminanten aus dem Objektiv entfernt.
Okon Satz 4, Verfahren nach einem der obigen Sätze 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, das?.
optische Element durch ein Raster in einzelne Zellen X* diskretisiert wird, welches in Form eines Vektors X = [xk j beschrieben wird, und die Temperatur zum Zeitpunkt t. dieser Zellen
** Besser, des Protokoll, in F«m des Vektors = (** ) mi, Zollen t, *
Durch das Verfahren nach Satz 4 wird eine diskretisierte Temperaturverteilung des optischen
Elementes Bestandteil des Protokolls nach Satz 2 oder Satz 3. In den einzelnen Zeilen xk' dieses Rasters wird die Temperatur als räumlich konstant, angenommen, Hiermit wird zu einem
Zeitpunkt t. die räumliche Temperaturverteilung des optischen Elementes durch den Vektor X protokolliert. Modislo der Wahl der Diskretisierung liegen dadurch alle notwendigen Daten vor, um die optische Wirkung des Manipulators zu ermitteln. Unter dem Protokoll ist hierbei sowohl, als eine erste Variante, die Auflistung sämtlicher Temperaturverteiiung zu bereits vergangenen
Zeitpunkten t < i als auch, als eine zweite Variante, eine aufgenommene Protokollierung des
Zustandes lediglich zu einem variablen Zeitpunkt t. gemeint. Die i sind dabei eine endliche Folge von monoton steigenden Zeitpunkten.
Satz 5 Verfahren nach Satz 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Raster ein kartesisches, ein polares, oder ein durch eine finite Elemente Methode erzeugtes Raster ist.
Die Verwendung eines auf die Form des optischen Elementes angepassten Rasters kann der Form als auch dem Ort des optischen Elements angepassi werden. Beispielsweise eignet sich ein kartesisches Raster für eine Planplatte oder einen Faltspiegel. Ein polares Raster eignet sich für eine Linse, welche in dem Objektiv pupillennah angeordnet ist. Ein durch eine Finite
Elementmethode erzeugtes Raster eignet sich für optische Elemente, welche entweder eine stark irreguläre Form aufweisen, oder bei denen starke räumliche Gradienten der
Temperaturverteiiung während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage zu erwarten sind. Insbesondere bei nach der Finiten Elementmethode erzeugten Raster bietet sich die Möglichkeit, das Raster sieh ändernden Bedürfhissen hinsichtlich der Regelung des thermischen Manipulators Rechnung zu tragen, in dem das Raster räumlich lokal verändert wird, so dass eine genauere
Ökon
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
Sind die Zeitpunkte , an denen Wanne durch den Manipulator eingetragen wird, äquiaisiarn, so kann die Berechnung aus (*) durch
z, = Α ί χ ) >! ' '"η; x, + B {X ) X
vereinfacht werden, da nur noch zu Zeiten des Wärmeeintrags durch den Manipulator das Protokoll neu berechnet werden muss.
Satz 10, Verfahren nach Satz 4 oder Satz 5. dadurch gekennzeichnet, dass zu den Zeitpunkten t. die Wärmeeinträge x durch den Manipulator in die Zellen protokolliert werden, die optischen Wirkungen Z dieser Wärmeeinträge £K. zu diesen Zeitpunkten i. berechnet werden, und
die gesamte optische Wirkung * dieser Wärmeeinträge x zu einem Zeitpunkten t durch
n
eine geachtete S- v. ta*«.
i.<i in dem Verfahren nach Satz 10 wird ein zu Satz 6, alternatives Verfahren der Protokollierung, der Wirkungen des Manipulators vorgestellt. Gemäß Satz 10 werden keine Übergangsmatrizen benötigt, weiche die allgemeine Temperaturentwicklung im optischen Element besehreiben. Es werden lediglich die Wärmeeinträge, welche durch den Manipulator bedingt sind, protokolliert und deren optische Wirkungen werden berechnet. Aufgrund der oben dargestellten
Nichtlinearität ist die optische Wirkung, die sich zu einem gegebenen Zeitpunkt aufgrund dieser gesammelten Wärmeeinträge einstellt, als kumulative Wirkung der Einzelwämieeinträge zu ermitteln. Hierzu wird gemäß Satz 10 eine gewichtete Summe angesetzt. Die Parameter IX . werden dabei aus einer analytischen oder numerischen Berechnung, wie beispielsweise die Fmite Elemente Methode, und einer dadurch gewonnenen Lösung der W?ärmeleitungsg!eiehung für das optische Element bestimmt.
Okon
Figure imgf000017_0001
Satz 14. Verfahren nach Satz 13 und einem der obigen Sätze 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Wirkung eines Wärmeeinirages zu einem Zeitpunkt t. durch den Manipulator für eine Zeitdauer t i, durch die optische Wirkung der Differenz der
Temperaturverteilungen x berechnet wird.
In dem Verfahren nach Satz 14 wird optische Wirkung der Differenz der
Temperaturverteilungen als Analogen der optischen Wirkung aus Satz 13 berechnet,
Satz 15. Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsaniage für die
Mikrolithographie, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren eine Proiokollierung nach einem der obigen Sätze 13 bis 14 beinhaltet, ein erster Bildfehler eines Objektivs der
Ptojektionsbeliehtungsaniage gemessen, oder simuliert, oder nach einer lookup-table ermittelt wird, und der Manipulator Wärme in das optische Element einträgt, wenn (a) die optische Wirkung eines solchen Wänneeintrags den Bildfehler reduziert, oder (b) die optische Wirkung eines solchen Wänneeintrags den Bildfehler in einen zweiten, von dem ersten Bildfehler qualitativ verschiedenen Bildfehler ändert,
In dem Verfaliren nach Satz 15 wird ein Bildfehler nach einem der Sätze 13 oder 14 berechnet, Falls ein ermittelter erster Bildfehler des Objektives der Projektionsbelichtungsaniage der MikroHthografie durch diesen Bildfehler reduziert werden kann, oder in einen von diesem Bildfehler qualitativ verschiedenen, zweiten Bildfehler geändert werden kann, so lässt sich dieser Bildfehler entweder direkt verringern oder durch weitere Manipulatoren verringern, welche den zweiten Bildfehler reduzieren können.
Satz. 16 Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der nach dem Protokoll berechnete Warmeeintrag Xf zu einem Zeitpunkt t. in das optische Element durch Messung der realen Wärraeverteilung des optischen Elementes zu diesem Zeitpunkt kalibriert wird.
Okon In dem Verfahren nach Satz. 16 findet eine Kalibrierimg des Protokolls der berechneten
Wärmeeinträge mittels einer Messimg der realen Wärmeverteilung des optischen Elements statt. Eine, solche verhindert, dass die reale und die berechnete Wärmeverteilung zu sehr auseinander driften, so dass eine Berechnung der optischen Wirkung des Manipulators nicht mehr möglich ist, beziehungsweise, dass diese keinen Bezug mehr zu der sich real einstellenden optischen Wirkung hat. Eine solche Kalibrierung kann zu regelmäßigen oder unregelmäßigen Abständen vorgenommen werden. Die Kalibrierung beinhaltet zu dem gegebenen Zeitpunkt t. ein Ersetzen der Einträge der Temperaturen der Zellen durch die gemessenen Temperaturen anstelle der nach Satz 6 ermittelten Temperaturen, Hierbei wird vorzugsweise der Manipulator während der Kalibrierung nicht ausgelenkt.
Hierbei kann das Objektiv vor seinem Betrieb mit einer Grundkalibrierang versehen werden, welche gewährleistet, dass die Übergangsmatrizen aus Satz 6, die Parameter a aus Satz 10, oder der Parameter ß aus Satz 1 1 an das Objektiv angepasst werden. Diese Grundkalibrierang kann anhand von zwei oder mehreren Temperarurmessungen vorgenommen werden. Eine solche Grandkalibrierung kann aufgrund von Kombinationen aus verschiedenen
Glaszusammensetzungen, verschiedenen Spiegelsubstraten, oder verschiedenen
Beschichtungsgüten verschiedener optischer Elemente verschiedener Objektive vorteilhaft sein,
Satz 17. Verfahren nach Satz 16 dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierung unter
Berücksichtigung eines Lens-Heating-Modelis für die Wärmeverteilung in dem optischen Element vorgenommen wird, welche die Einfiussnahme des Manipulators nicht berücksichtigt, in dem Verfahren nach Satz 17 wird die Kalibrierung unter Berücksichtigung eines Lens- Hearing Modells, wie beispielsweise i der US2Ö08Ö002167A1 vorgestellt, vorgenommen, welches gewährleistet, dass die Temperatureinträge, welche durch den Manipulator bedingt sind, von solchen, welche durch Beleuchtimgslieht bewirkt werden, getrennt werden können.
Hierdurch wird gewährleistet, dass das Protokoll nicht durch Lens-Heatrag Beiträge verfälscht wird.
Satz 1 . Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage einen Speieher beinhaltet, in welchem die Historie der
Wirkungen der Wärmeeinträge nach einem der obigen Ansprüche protokolliert wird.
Okon Eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie nach Satz 18 ist durch einen Speicher dafür ausgerüstet, die oben beschriebene Historie der Wirkung der ärmeeinträge des
Manipulators zu protokollieren und profitiert demgemäß von den oben beschriebenen Vorteilen, indem sie für eines der oben genannten Verfahren zum Betrieb einer
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie geeignet ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anband von Figuren illustriert.
Figur 1 zeigt eine Projektionsanlage, welche zw Durchführung des
erfind üngsgemaßen Verfahrens geeignet st,
Figur 2 zeigt eine Projektionsbelichtungsanlage, welche zur Durchführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet ist,
Figur 3 zeigt den Ablaufplan einer erfindungsgemäßen Protokollierung der Wirkungen des nicht-linearen oder nicht vergessenden Manipulators,
Figur 4 zeigt den Ablairfplan einer Kalibrierung der erfindungsgemäßen Protokollierung.
Figur 1 zeigt ein Äusfuhrungsheispiel einer Projektionsanlage 100 für die Mikrolithographie zur Abbildung eines Objektfeldes 101 auf ein Bildfeld 102. Die Projektionsanlage 100 enthält ein Projektionsobjektiv 1 10, im Weiteren Objektiv genannt. Exemplarisch sind zwei sich im
Objektfeld befindende Feldpunkte 103 und 104 dargestellt, welche von dem Objektiv in die Bildebene 102 abgebildet werden.
Das Objektiv enthält optische Elemente wie Linsen I I I, 113, Spiegel. 112 und, hier nicht dargestellt, Planplatten. Auf eine der Linsen wirkt ein Manipulator 121 ein, welcher die Linse verschieben oder verbiegen, kann. Ein solcher Manipulator kann im Rahmen seiner
vorgesehenen, maximalen Auslenkungen als linear und vergessend angesehen werden. Ein zweiter Manipulator 122 wirkt in der gleichen Art auf den Spiegel 112 ein. Ein dritter
Manipulator 23 beaufschlagt eine zweite Linse 1 13 mit Wärme, Dies kann durch ohmsehe Wänne, oder Infrarotlicht, oder Wänne bedingt durch ein Peltier-Element, oder Wärme bedingt
Okon durch einen Fluidstrom, insbesondere durch einen Gasstrom, geschehen. Hierdurch verändert sich lokal der Brechungsindex und die Form der Linse und damit lokal ihre optische Wirkung.
Von den zwei Feldpunkten 103 und 104 gehen bei einer vorgegebenen Apertur maximale, von der Apertur begrenzte Lichtbünde] aus. Deren äußerste Strahlen sind hier gestrichelt dargestellt. Diese äußersten Strahlen begrenzen die jeweils m den Feldpunkten 103 und 104 gehörenden Wellenfronten. Zum Zwecke der Darstellung der Erfindung sind diese Wellenfronten als sphärisch angenommen. Ein Welienfrontsensor und / oder weitere Sensoren und / oder ein Vorhersagemodell bildet eine Bestimmungseinheit 150, welche Informationen über Bildfehler oder Wellenfronten nach deren Durchtritt durch das Objektiv liefert. Diese weiteren Sensoren sind beispielsweise Luftdrucksensoren, Sensoren zur Messung der Temperatur im Objektiv oder Sensoren, welche die Temperatur auf Linsen oder auf der Rückseite von Spiegein messen.
Insbesondere die Temperatur der Linse 113 wird durch einen Sensor 151 gemessen.
Die Manipulatoren 121,122,123 werden durch eine Regelungseinheit 130 gesteuert, welche Daten sowohl von dem Welienfrontsensor 150 als auch von dem Temperatursensor 151 bekommt.
Die Regeiungseinlieit 130 enthält einen Speicher 140, in welchem die Regeiungseinlieit 130 die Historie der Wirkungen des Manipulators 123 auf die Linse 1 13 protokolliert. Dies besieht im vorliegenden Fall aus den diski'etisierten Temperaturverteilungen X. ----- x^' j zu den Zeiten t. , ausgehend von einer Startverteilung X. zu einem Zeitpunkt t , welche vorgegeben werden kann. Beispielsweise kann diese Ten peraturverteilung xt aus einem Lens-Heating-Modell gewonnen werden. in Figur 2 wird eine Projekliortsbelichtungsanlage 201 für die Mikrolithographie mit einer erfindungsgemäßen Projektionsanlage 100 gezeigt. Die Projektionsbeliehtungsaniage besteht aus einer Lichtquelle, welche im Allgemeinen ein Laser ist, der mit einer Arbeitswellenlänge von 193 nm oder 248 nra arbeitet. Es finden auch andere Lichtquellen wie Gasentladungslampen Verwendimg, die naturgemäß weniger enge Bandbreiten der Arbeits Wellenlängen liefern aber ausgeprägte Peaks bei Wellenlängen von 365nm, 405 n und 435 nm (i-, g- und h-Linie) haben. Ebenso findet die Wellenlänge von 13,5 nm mit einer Röntgenquelle, wie einer Plasmaquelle
Okon LPP oder DPP, oder einer Synchrotronquelle, Anwendung. Der Verlauf des Beieueh . a durch die Projekt! onsbelichiungsanlage wird durch Pfeile schematiseh dargestellt. Das Licht verlässt den Laser 202 ohne nennenswerten Lichtleitwert. Dieser wird durch das
Beleuchtungssystem 203 erzeugt, welches das Retikel 101 unter einer vorgegebenen, ausgangsseiügen Apertur des Beleuchtungssystems 203 beleuchtet. Mit dem
Beleuchtungssystem 203 wird auch das Beleuehtungssetting eingestellt. Verwendet werden Dipol-. Quadrupol- oder annulare Settings und Freiformsettings, die beispielsweise mittels eines Multimirrorarrays eingestellt werden können.
Nach dem Durchqueren der Maske, weiche im Allgemeinen als binäre Chrom- oder als phasenschiebende Maske ausgelegt ist, erreicht das Beleuchtungslicht die erfindungsgemäße Projektionsanlage 100 und dort das Objektiv 1 10. Dieses wird unter einer Blendenstellung betrieben, welche einem für die Abbildung des gerade Verwendung findenden Retikels optimalen Sigma-Setting entspricht. Das Sigma-Setting definiert sich als Quotient von ausgangsseitiger Apertur des Beleuebtungssystems und eingangsseitiger Apertur des Objektivs,
Während der Belichtung eines Die, bei einem Wechsel von Die zu Die. bei einem
Wechsel von Wafer zu Wafer, bei einem Wechsel von Retikel zu Retikel, oder bei einem Wechsel von Lot zu Lot werden die Bildfehler des Objektivs durch den Wellenfrontsensor 150 gemessen und, falls einer dieser Bildfehler einer vorgegebenen Spezifikation nicht mehr genügt, wird dieser Bildfehler durch eine Regelung beziehungsweise Steuerung der Manipulatoren 121, 122. und 123 wieder in Spezifikation gebracht.
Figur 3 zeigt den zeitlichen Abläufplan einer erfmdungsgeniaßen Protokollierung der Wirkungen des Wärme eintragenden Manipulators 123, und der Steuerung des Manipulators 123.
Das Protokoll wird zu einem Zeitpunkt tQ mit Werten Xt initialisiert. Induktiv wird von einem
Protokoll X zu einem Zeitpunkt t. ausgegangen, und mittels der Übergangsmatrix A aus Satz
6 wird das Protokoll X zum Zeitpunkt t.+1 bestimmt. Zu einem nun als beliebig annehmbaren
Zeitpunkt t werden Bildfehler durch den Wellenfrontsensor 150 bestimmt, welche eine Manipulation des Objektivs mittels des Manipulators 123 erfordern. Mittels der
Okon Übergangsmatrizen A, und B nach Satz 6 kann bei einer angenommenen Auslenkung des Manipulators 123 ein vorläufiges Protokoll X bestimmt werden. Ansehließend werden die optische Wirkungen der Temperaturverteilung, welche dem Protokoll von X xt entsprechen, bestimmt, was den optischen Wirkungen der angenommenen. Auslenkung des
Manipulators 123, beginnend zum Zeitpunkt tn , berechnet zum Zeitpunkt t , entspricht,
Entspricht die optische Wirkung einer vorgegebenen, hier nicht dargestellten, gewünschten optischen Wirkung, so wird der Manipulator 123 entsprechend der angenommenen Auslenkung ausgelenkt und das vorläufige Protokoll X weiter geführ Entspricht die optische Wirkung der vorgegebenen optischen Wirkung hingegen nicht, so wird eine alternative, hier ebenfalls nicht dargestellte Auslenkung des Manipulators 123 angenommen und ein alternatives, hier nicht dargestelltes, vorläufiges Protokoll X bestimmt. Diese Vorgehensweise wird so lange iterativ durchlaufen, bis sich die gewünschte optische Wirkung bestimmen Sässt, oder bis ein, hier nicht dargestelltes, Abbruehkriterium erreicht wird.
Figur 4 zeigt den Ablaufplan einer Kalibrierung nach Satz 16 der erfind imgsgemäßen
Protokollierung nach Satz 6. Das Protokoll X eines beliebig wählbaren Zeitpunkt t. wird nicht durch das Protokoll X nach Satz 6 fortgesetzt, sondern zum Zeitpunkt t durch ein
Protokoll X einer auf einer relalen Temperaturmessung der Linse 113 durch den
Temperatursensor 151 bestimmten Protokolls ersetzt.
Okon

Claims

Patentansprüche:
Anspruch 1 Verfahren zum Betrieb einer Projek ionsbeliehtungsanlage für die
Mikrolithographie,
die Projektionsbeiiehtungsanlage beinhaltend
ein optisches Element,
- einen nichtlinearen Manipulator oder einen mchtvergessendeii Manipulator, welcher auf das optische Element wirkt,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Historie der Wirkungen des Manipulators in einem Protokoll protokolliert wird.
Ansprach 2 Verfahren zum Betrieb einer ProjektioBsbelichtungsaniage für die
Mikrolithographie,
die Proj ektionsbelichtungsanlage beinhaltend
- ein optisches Element,
einen Manipulator, der auf das optische Element durch
Temperaturveränderung des optischen Elementes wirkt und dessen
Auslenkung einen Wämiefluß in das optische Element bewirkt,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Historie der Wirkungen, insbesondere die in das optische Element eingebrachten Temperaturen, oder die durch diese verursachten optischen Wirkungen, des Manipulators in einem Protokoll protokolliert wird,
Anspruch 3 Verfahren nach Anspruch 29
dadurch gekennzeichnet, dass
die Wirkungsweise des Manipulators auf Beaufschlagung des optischen Elements mit
ohmscher Wärme, oder
Infrarotlicht, oder
Wärme bedingt durch ein Peltier-Eiement, oder
Wärme bedingt durch einen Fluidstrom, insbesondere durch
einen Gasstrom, beruht.
Okon Anspruch 4 Verfahren nach einem der obigen Ansprüche 2 oder 3,
dadurch gekennzeichne dass
das optische Element durch ein Rasier in einzelne Zellen xk diskretisiert wird, welches in Form eines Vektors X beschrieben wird, und die Temperatur zum Zeitpunkt t. dieser Zellen X Bestandteil des Protokolls in Form des Vektors £{ = xt j zum Zeitpunkt t. ist.
Anspruch 5 Verfahren nach Ansprach 4,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Raster ein kartesisches, ein polares, oder ein durch eine fmite
Elemente Methode erzeugtes Rasier ist,
Anspruch 6 V erfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, dass
von einem Startwert des Protokolls, beinhaltend Temperaturen der Zellen
X zu einer Startzeit iQ ausgegangen wird, und das Protokoll der Temperaturen der Zellen X. zum Zeitpunkt i. , . durch fa) das Produkt der Temperaturen der Zellen zum Zeitpunkt t, mit einer ersten Obergangsmatrix A , welche den Wärmefluss zwischen den Zellen vom Zeitpunkt i bis zum Zeitpunkt t beschreibt, und
(b) einer zusätzlichen Addition des Produktes der Temperaturen der Zellen X zum Zeitpunkt t. mit einer zweiten Übergangsmatrix
B , welche die durch den Manipulator bedingte
Teniperatiirveränderung in den Zellen vom Zeitpunkt t bis zum
Zeitpunkt t beschreibt,
Okon fortgesetzt
Anspruch 7 Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, dass
X = 0 gesetzt wird, felis
Xh < 6 max Xl mit 6 ~ 0.1 , oder 6 ~ 0.5, oder δ = 0.01.
Anspruch 8 Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Zeitpunkte t. äquidi staut mit tl = t — t sind und die Übergangsmatrizen aus Anspruch 6 zeitunabhängig sind.
Anspruch 9 Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Zeitpunkte i, , an denen Wärme durch den Manipulator eingeü-agen wird. äquidistant mit £2— t. — t. sind und das Protokoll nur zu Zeiten t. eines Wärmeeintrages durch den Manipulator verändert, wird.
Anspruch 10 Verfahren nach Anspruch 4 oder 5
dadurch gekennzeichnet, dass
zu den Zeitpunkten ί die Wänneeinträge durch den Manipulator in die Zellen protokolliert werden,
die einzelnen optischen Wirkungen Z, dieser Wirmeeinträge X, zu
s diesen Zeitpunkten t, bereelinet werden, die gesamte optische Wirkung Z dieser Wärmeeinträge X zu einem
Zeitpunkten t durch eine gewichtete Summe a z berechnet wird.
έ.·<ί
Okon
Figure imgf000027_0001
ein erster Bildfehler eines abbildenden Systems der
Projektionsbeiichtungsanlage gemessen, oder simuliert, oder nach einer Lookup-table ermittelt wird und
der Manipulator Wärme in das optische Element einträgt, wenn die optische Wirkung des Wärmeeintrags den Bildfehler reduziert oder in einen zweiten, von dem ersten Bildfehler qualitativ verschiedenen Bildfehler ändert.
Anspruch 16 Verfahren ach Anspruch 15
dadurch gekennzeichnet, dass
der Manipulator den Bildfehler in einen von dem ersten Bildfehler qualitativ verschiedenen Bildfehler ändert, welcher anschließend oder gleichzeitig während dieser Änderung durch lineare oder vergessende Manipulatoren reduziert wird,
Anspruch 17 Verfahren nach einem der obigen Ansprüche
dadurch gekennzeichnet, dass
der nach dem Protokoll berechnete Wärmeeintrag Xf zu einem Zeitpunkt t in das optische Element durch Messung der realen Wärmeverteilung des optischen
Elementes zu diesem Zeitpunkt kalibriert wird.
Anspruch 18 Verfahren nach Anspruch 17
dadurch gekennzeichnet, dass
die Kalibrierung unter Berücksichtigung eines Lens-Heating-Modells für die Wärmeverteilung in dem optischen Element vorgenommen wird, welche die Einfiussnahme des Manipulators nicht berücksichtigt.
Anspruch 19 Projektionsbeiichtungsanlage für die Mikrolithographie,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Projektionsbeiichtungsanlage einen Speicher beinhaltet, in welchem die Historie der Wirkungen der Wärmeeinträge nach einem der obigen Ansprüche protokolliert wird,
Okon
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