WO2012036472A3 - Procédé de fabrication d'une diode électroluminescente verticale en utilisant une barre cristalline - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente verticale. Une pluralité de barres cristallines alignées verticalement est formée sur une surface supérieure d'un substrat. Les barres cristallines présentent un réseau régulier et leurs surfaces supérieures forment un plan (0001). Une structure électroluminescente est formée sur la surface supérieure des barres cristallines ayant un réseau parfaitement accordé. Les barres cristallines possèdent une composition chimique et des matières premières qui sont différentes de la composition chimique et des matières premières de la structure électroluminescente. Par conséquent, les barres cristallines peuvent être retirées de manière sélective par un procédé chimique. De plus, le substrat peut être retiré en utilisant un laser existant et le substrat peut être retiré en utilisant les propriétés mécaniques des barres cristallines.
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KR20080023821A (ko) * | 2006-09-12 | 2008-03-17 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
US20090079035A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Wang Nang Wang | Non-polar iii-v nitride material and production method |
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