IN2014DN03101A - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
IN2014DN03101A
IN2014DN03101A IN3101DEN2014A IN2014DN03101A IN 2014DN03101 A IN2014DN03101 A IN 2014DN03101A IN 3101DEN2014 A IN3101DEN2014 A IN 3101DEN2014A IN 2014DN03101 A IN2014DN03101 A IN 2014DN03101A
Authority
IN
India
Prior art keywords
piece
sacrificial substrate
wafers
mpa
cutting
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Meyer Christy De
Jürg ZANETTI
Original Assignee
Meyer Burger Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meyer Burger Ag filed Critical Meyer Burger Ag
Publication of IN2014DN03101A publication Critical patent/IN2014DN03101A/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
IN3101DEN2014 2011-09-23 2012-09-19 IN2014DN03101A (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11182589 2011-09-23
EP11190570A EP2572850A1 (fr) 2011-09-23 2011-11-24 Substrat sacrificielle à utiliser dans un découpage de tranche
PCT/IB2012/054972 WO2013042055A1 (fr) 2011-09-23 2012-09-19 Substrat sacrificiel de coupe de tranches destiné à être utilisé dans la coupe des tranches

Publications (1)

Publication Number Publication Date
IN2014DN03101A true IN2014DN03101A (fr) 2015-05-15

Family

ID=45421834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IN3101DEN2014 IN2014DN03101A (fr) 2011-09-23 2012-09-19

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP2572850A1 (fr)
CN (1) CN103958140B (fr)
IN (1) IN2014DN03101A (fr)
WO (1) WO2013042055A1 (fr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103522428A (zh) * 2013-10-16 2014-01-22 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种太阳能硅片加工方法及装置
CN208374353U (zh) * 2016-10-26 2019-01-15 梅耶博格(瑞士)公司 线锯
CN108927908B (zh) * 2018-07-12 2021-01-05 阜宁协鑫光伏科技有限公司 线切割机用的切割方法
CN109808271A (zh) * 2018-12-30 2019-05-28 苏州润德新材料有限公司 一种硅片切割用塑料支撑板及其制备方法
CN110076919A (zh) * 2019-05-31 2019-08-02 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石晶棒浸没式多线切割装置及方法
CN114932636B (zh) * 2022-04-28 2023-10-24 广东先导微电子科技有限公司 一种自动取片机

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2044482C3 (de) * 1970-09-08 1979-04-12 Cremer, Gottfried, Dr., 5000 Koeln Verfahren zum Schneiden von keramischen Platten, insbesondere solchen großen Formats
JPH1052816A (ja) * 1996-08-13 1998-02-24 M Ii M C Kk ワイヤ式切断方法
DE102007045455A1 (de) * 2007-09-24 2009-04-09 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Wafern aus Ingots
CN101970193A (zh) * 2008-02-11 2011-02-09 Memc电子材料有限公司 用于将锭线锯切片成晶片中的碳纳米管加强线锯梁
DE602008005407D1 (de) 2008-04-23 2011-04-21 Applied Materials Switzerland Sa Montierscheibe für eine Drahtsägevorrichtung, Drahtsägevorrichtung damit, und Drahtsägeverfahren, das mit der Vorrichtung durchgeführt wird
US20120048255A1 (en) 2009-05-04 2012-03-01 Daniel Fricker Wire saw
MY155758A (en) * 2010-01-06 2015-11-30 Shinetsu Chemical Co Rare earth magnet holding jig and cutting machine

Also Published As

Publication number Publication date
EP2572850A1 (fr) 2013-03-27
CN103958140A (zh) 2014-07-30
CN103958140B (zh) 2020-06-09
WO2013042055A1 (fr) 2013-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IN2014DN03101A (fr)
GB2490606A (en) Spalling for a semiconductor substrate
TW201129659A (en) Composition and method for polishing bulk silicon
MY166803A (en) Methods for reducing the metal content in the device layer of soi structures and soi structures produced by such methods
EP2319963A4 (fr) Méthode de fabrication de monocristaux de carbure de silicium
EP2394787A4 (fr) Substrat de monocristaux de carbure de silicium et son procédé de fabrication
EP2642001A4 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de carbure de silicium épitaxial
EP2557205A4 (fr) Procédé pour la production d'un substrat en carbure de silicium monocristallin épitaxial et substrat en carbure de silicium monocristallin épitaxial obtenu par le procédé
WO2012121940A3 (fr) Procédés de formation d'éléments polycristallins et structures formées grâce à de tels procédés
EP2752508A4 (fr) Tranche de monocristal en carbure de silicium et son procédé de fabrication
EP2555227A4 (fr) Tranche épitaxiale de silicium et procédé pour produire celle-ci, ainsi qu'une tranche soi fixée et procédé pour produire celles-ci
EP2570522A4 (fr) Substrat monocristallin à base de carbure de silicium épitaxial et son procédé de production
GB2507188A (en) Method for forming bonded structures and bonded structures formed thereby
PL394857A1 (pl) Sposób amonotermalnego wytwarzania kryształów ciągnionych azotku galu na dużą skalę
WO2012061037A3 (fr) Procédé de préparation de ssz-32 à petits cristaux
WO2012121547A3 (fr) Composition adhésive pour un film de traitement de tranche
EP2248932A4 (fr) Procédé de croissance de monocristaux de silicium
EP2605289A4 (fr) Composition d'agent de gravure-texturation destinée à une plaquette de silicium cristallin et procédé de gravure-texturation (1)
EP2532773A4 (fr) Procédé de production de substrat en carbure de silicium
SG11201401557UA (en) Crucible and method for the production of a (near) monocrystalline semiconductor ingot
EP2604724A4 (fr) Composition d'agent de gravure pour texturation destinée à une plaquette de silicium cristallin et procédé de gravure pour texturation (2)
MY162994A (en) Composition and method for polishing bulk silicon
EP2400527A4 (fr) Substrat de carbure de silicium et son procédé de production
MX2014004083A (es) Metodo para aislar ingenol.
EP2612958A4 (fr) Procédé de production de monocristal de carbure de silicium, monocristal de carbure de silicium et substrat monocristallin de carbure de silicium