WO2012033434A1 - Способ получения высокочистого трихлорсилана - Google Patents

Способ получения высокочистого трихлорсилана Download PDF

Info

Publication number
WO2012033434A1
WO2012033434A1 PCT/RU2011/000664 RU2011000664W WO2012033434A1 WO 2012033434 A1 WO2012033434 A1 WO 2012033434A1 RU 2011000664 W RU2011000664 W RU 2011000664W WO 2012033434 A1 WO2012033434 A1 WO 2012033434A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon
trichlorosilane
purity
hydrogen chloride
dichloride
Prior art date
Application number
PCT/RU2011/000664
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Георгий Николаевич ПЕТРОВ
Александр Кириллович ПРОХОРОВ
Петр Равильевич МИРОЕВСКИЙ
Константин Владимирович МАКСИМОВ
Original Assignee
Глобал Силикон С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Глобал Силикон С.А. filed Critical Глобал Силикон С.А.
Publication of WO2012033434A1 publication Critical patent/WO2012033434A1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10715—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material
    • C01B33/10731—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10736—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes

Definitions

  • the invention relates to a technology for producing high-purity trichlorosilane used as a silicon source in microelectronics and nanoelectronics technologies.
  • the process is carried out in a fluidized bed reactor in the presence of a copper catalyst (up to 5% by weight of silicon at a temperature of 500 ° C and a pressure of 34-35 kg / cm2).
  • a copper catalyst up to 5% by weight of silicon at a temperature of 500 ° C and a pressure of 34-35 kg / cm2.
  • the yield of TCS was 38%.
  • the disadvantages of these methods are the relatively high temperature, high pressure, the presence and need for regeneration of the catalyst, a significant amount of dichlorosilane.
  • TCS trichlorosilane
  • the disadvantage of this method is the low specific productivity of about 1 g / cm 3 hours.
  • the technical results achieved by using the claimed invention are to simplify the process from the point of view of its safety, increase the service life of the equipment, prevent contamination of trichlorosilane with the material of the equipment and reduce energy consumption.
  • a method of obtaining high purity trichlorosilane is as follows.
  • the feedstock - technical silicon - is subjected to a continuous grinding process to a particle size of 1000 nm - 50 nm in the reactor core of the first stage of the process. Grinding is carried out without shock loads with the creation in technical silicon of the maximum level of stress-strain state and high activity, due to the creation of its particles, which are predominantly close to the spherical shape and “hedge-like” surface.
  • a comparative analysis of the invention with the known one shows that the proposed method differs from the known one: high productivity, the ability to finely control work processes, thereby affecting the quantity and quality of the resulting product, low energy costs of work processes, environmental cleanliness of work processes, and low metal consumption of technological equipment implements a new technological process, providing a given purity of the resulting trichlorosilane.
  • the obtained method allows to reach a qualitatively higher level of production of high-purity trichlorosilane.
  • Silicon (Si) is supplied to the installation for producing highly homogeneous materials, the size of the supplied silicon particles was 5-10 mm. On the calibrator of the working zone of the installation, the maximum minimum p'-particle size of 1000 nM was set. That is, in the resulting highly homogeneous mixture, the particle size of silicon will not exceed the specified 1000 nM.
  • the temperature in the working zone was set and maintained in the range 293.15–303.15 K. Active grinding (or grinding with activation) of Si was carried out in a medium of silicon tetrachloride, which was fed into the working zone of the installation together with silicon.
  • Silicon gaseous dichloride obtained as a result of the interaction of the starting ingredients in the working zone of the installation is fed to the second stage of synthesis, where gaseous silicon dichloride interacts with crystalline hydrogen chloride, followed by separation of the chlorosilane mixture and recycling of unreacted silicon tetrachloride.
  • the separation of the resulting mixture took place on diffusion membranes at a temperature of 293.15 K. According to gas chromatographic analysis, the trichlorosilane content in the resulting mass was 78%.
  • Silicon (Si) is supplied to the installation for producing highly homogeneous materials, the size of the supplied silicon particles was 5-10 mm.
  • the maximum minimum particle size of 500 nM was set on the calibrator of the working zone of the installation. That is, in the obtained highly homogeneous mixture, the particle size of silicon will not exceed the specified 500 nM.
  • the temperature in the working zone was set and maintained in the range 293.15 - 303.15 K. Active grinding (or grinding with activation) of Si was carried out in a medium of silicon tetrachloride, which was fed into the working zone of the installation together with silicon.
  • the gaseous silicon dichloride obtained as a result of the interaction of the starting ingredients in the working zone of the installation is fed to the second stage of synthesis, where gaseous silicon dichloride interacts with crystalline hydrogen chloride, followed by separation of the chlorosilane mixture and recycling of unreacted silicon tetrachloride. Unreacted mixture was returned to the installation. The separation of the resulting mixture took place on diffusion membranes at a temperature of 293.15 K. According to gas chromatographic analysis, the content of trichlorosilane in the resulting mass was 86%.
  • Silicon (Si) is supplied to the installation for producing highly homogeneous materials, the size of the supplied silicon particles was 5-10 mm. The maximum minimum particle size of 100 nM was set on the calibrator of the working zone of the installation. That is, in the obtained highly homogeneous mixture, the particle size of silicon will not exceed the specified 100 nM.
  • the temperature in the working area was set and maintained in the range 293.15-303.15 K. Active grinding of Si was carried out in a medium of silicon tetrachloride, which was fed into the working zone of the installation together with silicon.
  • the resulting gaseous silicon dichloride resulting from the interaction of the starting ingredients is fed to the second stage of synthesis, where the gaseous silicon dichloride interacts with hydrogen chloride, followed by separation of the chlorosilane mixture and recirculation of unreacted silicon tetrachloride.
  • the separation of the resulting mixture took place on diffusion membranes at a temperature of 293.15 K. According to gas chromatographic analysis, the content of trichlorosilane in the resulting mass was 98%.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники и наноэлектроники. Техническими результатами, достигаемыми при использовании заявленного изобретения, являются упрощение процесса с точки зрения его безопасности, увеличение срока службы аппаратуры, предотвращение загрязнения трихлорсилана материалом аппаратуры и снижение энергозатрат. Указанные технические результаты достигаются за счет того, что в способе получения высокочистого трихлорсилана, включающем взаимодействие тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния, процесс синтеза трихлорсилана ведут в две стадии: на первой стадии в закрытом реакторе технический кремний подвергают высокогомогенному активному наноизмельчению до размера частиц от 1000 до 50 нм в среде высокочистого тетрахлорида кремния при температуре от 260 К до 300 К до образования газообразного дихлорида кремния, в реакторе второй стадии осуществляют взаимодействие дихлорида кремния с хлористым водородом при температуре от 160 К до 300 К с образованием высокочистого трихлорсилана.

Description

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО ТРИХЛОРСИЛАНА
Область техники
Изобретение относится к технологии получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники и наноэлектроники.
Предшествующий уровень техники
Известны способы получения трихлорсилана гидрохлорированием в реакторе кипящего слоя измельченного технического кремния с использованием хлористого водорода, например, способ, раскрытый в патенте ЕА 011971, опубликованном 30.10.2008, в котором гидрохлорирование проводят при давлении 3-20 ата (абсолютное давление) и процесс ведут при использовании кремния крупностью 70-1200 мкм при линейной скорости образованной парогазовой смеси в средней части реакционной зоны реактора 0,05-0,50 м/с и высоте кипящего слоя 3,5-13,5 м.
Известен так же способ получения трихлорсилана, разработанный американской фирмой "Union Carbide" и раскрытый в патентах US 3,968,199, опубликованном 06.07.1976, и US 4,113,845, опубликованном. 12.09.1978, который основан на взаимодействии технического кремния с размером частиц 300 мкм с водородом и тетрахлоридом кремния по реакциям:
Si+SiCl4 + 2Н2 -» 4SiHCl3; (1)
Si+SiCL, +2Н2 - 2SiH2Cl2 (2)
Процесс ведут в реакторе кипящего слоя в присутствии медного катализатора (до 5% от массы кремния при температуре 500оС и давлении 34-35 кг/см2). Выход ТХС составлял 38%. Недостатками этих способов являются сравнительно высокая температура, повышенное давление, наличие и необходимость регенерации катализатора, значительное количество дихлорсилана.
Наиболее близким по совокупности признаков к предлагаемому изобретению является способ получения трихлорсилана по реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом, описанный в патенте RU 2038297, опубликованном 27.06.1995, и основанный на реакции:
Si+SiCl4 + 2НС1 2SiHCl3. (3) Сущность данного способа состоит в том, что трихлорсилан (ТХС) получают взаимодействием тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380-450°С и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах. ТХС содержит не более 6x10" об.% тетрахлорида кремния и примесей других материалов менее 1x10"6 мае. %. По реакции (3) в указанном интервале температур выход трихлорсилана составляет %: 30 - 40. Способ не требует повышенных давлений и катализаторов.
Недостатком этого способа является низкая удельная производительность, составляющая порядка 1 г/см3 час.
Раскрытие изобретения
Техническими результатами, достигаемыми при использовании заявленного изобретения, являются упрощение процесса с точки зрения его безопасности, увеличение срока службы аппаратуры, предотвращение загрязнения трихлорсилана материалом аппаратуры и снижение энергозатрат.
Указанные технические результаты достигаются за счет того, что в способе получения высокочистого трихлорсилана, включающем взаимодействие тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния, процесс синтеза трихлорсилана ведут в две стадии: на первой стадии в закрытом реакторе технический кремний подвергают высокогомогенному активному наноизмельчению до размера частиц от 1000 до 50 нм в среде высокочистого тетрахлорида кремния при температуре от 260 К до 300 К до образования газообразного дихлорида кремния, в реакторе второй стадии осуществляют взаимодействие дихлорида кремния с хлористым водородом при температуре от 160 К до 300 К с образованием высокочистого трихлорсилана.
Варианты осуществления изобретения
Способ получения высокочистого трихлорсилана осуществляется следующим образом.
На первой стадии процесса исходное сырьё - технический кремний - подвергают непрерывному процессу измельчения до размера частиц 1000 нм - 50 нм в активной зоне реактора первой стадии процесса. Измельчение проводят без ударных нагрузок с созданием в техническом кремнии максимального уровня напряженно- деформированного состояния и высокой активности, за счет создания преимущественно близкой к шарообразной форме и «ёжикоподобной» поверхностью его частиц.
Одновременно с техническим кремнием в активную зону реактора первой стадии подают высокочистый тетрахлорид кремния с температурой от 260 К до 300 К. В результате образуется высокогомогенная активная смесь. Взаимодействие ингредиентов в активной смеси активной зоны реактора первой стадии приводит к образованию по реакции 4 газообразного дихлорида кремния, который подаётся на вторую стадию синтеза. В реакторе второй стадии происходит взаимодействие газообразного дихлорида кремния с хлористым водородом при температуре от 160 К до 300 К с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния.
SiCL, + Si 2SiCl2 (4)
Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с известным показывает, что предлагаемый способ отличается от известного: высокой производительностью, способностью тонко регулировать рабочие процессы, тем самым влиять на количество и качество получаемого продукта, низкими энергетическими затратами рабочих процессов, экологической чистотой рабочих процессов, и низкой металлоёмкостью технологического оборудования, реализующего новый технологический процесс, обеспечивая заданную чистоту получаемого трихлорсилана.
Таким образом, полученный способ позволяет выйти на качественно более высокий уровень получения высокочистого трихлорсилана.
Ниже приводятся примеры, иллюстрирующие предлагаемый способ.
Пример JS»1.
В установку для получения высокогомогенных материалов подают кремний (Si), размер подаваемых частиц кремния составлял 5-10 мм. На калибраторе рабочей зоны установки задавался максимально-минимальный р'азмер частиц 1000 нМ. Т.е в получаемой высокогомогенной смеси размер частиц кремния не будет превышать заданных 1000 нМ. Температура в рабочей зоне задавалась и поддерживалась в интервале 293.15 -303.15 К. Активное измельчение (или измельчение с активацией) Si производилось в среде тетрахлорида кремния, который подавался в рабочую зону установки совместно с кремнием. Получаемый в результате взаимодействия исходных ингредиентов в рабочей зоне установки газообразный дихлорид кремния подаётся на вторую стадию синтеза, где происходит взаимодействие газообразного дихлорида кремния с кристаллическим хлористым водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией не прореагировавшего тетрахлорида кремния. Разделение полученной смеси происходило на диффузионных мембранах при температуре 293.15 К. По данным газохроматогафического анализа содержание трихлорсилана в полученной массе составила 78%.
Пример JY.2.
В установку для получения высокогомогенных материалов подают кремний (Si), размер подаваемых частиц кремния составлял 5-10 мм. На калибраторе рабочей зоны установки задавался максимально-минимальный размер частиц 500 нМ. Т.е в получаемой высокогомогенной смеси размер частиц кремния не будет превышать заданных 500 нМ. Температура в рабочей зоне задавалась и поддерживалась в интервале 293.15 - 303.15 К. Активное измельчение (или измельчение с активацией) Si производилось в среде тетрахлорида кремния, который подавался в рабочую зону установки совместно с кремнием.
Получаемый в результате взаимодействия исходных ингредиентов в рабочей зоне установки газообразный дихлорид кремния подаётся на вторую стадию синтеза, где происходит взаимодействие газообразного дихлорида кремния с кристаллическим хлористьм водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией не прореагировавшего тетрахлорида кремния. Непрореагировавшую смесь возвращали в установку. Разделение полученной смеси происходило на диффузионных мембранах при температуре 293.15 К. По данным газохроматогафического анализа содержание трихлорсилана в полученной массе составила 86%.
Пример JV»3.
В установку для получения высокогомогенных материалов подают кремний (Si), размер подаваемых частиц кремния составлял 5-10 мм. На калибраторе рабочей зоны установки задавался максимально-минимальный размер частиц 100 нМ. Т.е в получаемой высокогомогенной смеси размер частиц кремния не будет превышать заданных 100 нМ. Температура в рабочей зоне задавалась и поддерживалась в интервале 293.15 -303.15 К. Активное измельчение Si производилось в среде тетрахлорида кремния, который подавался в рабочую зону установки совместно с кремнием.
Получаемый в результате взаимодействия исходных ингредиентов газообразный дихлорид кремния подаётся на вторую стадию синтеза, где происходит взаимодействие газообразного дихлорида кремния с хлористым водородом, с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией не прореагировавшего тетрахлорида кремния. Разделение полученной смеси происходило на диффузионных мембранах при температуре 293.15 К. По данным газохроматогафического анализа содержание трихлорсилана в полученной массе составила 98%.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ получения высокочистого трихлорсилана, включающий взаимодействие тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что процесс синтеза трихлорсилана ведут в две стадии: на первой стадии в закрытом реакторе технический кремний подвергают высокогомогенному активному наноизмельчению до размера частиц от 1000 до 50 нм в среде высокочистого тетрахлорида кремния при температуре от 260 К до 300 К до образования газообразного дихлорида кремния, в реакторе второй стадии осуществляют взаимодействие дихлорида кремния с хлористым водородом при температуре от 160 К до 300 К с образованием высокочистого трихлорсилана.
PCT/RU2011/000664 2010-09-09 2011-08-31 Способ получения высокочистого трихлорсилана WO2012033434A1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010137399/05A RU2440293C1 (ru) 2010-09-09 2010-09-09 Способ получения высокочистого трихлорсилана
RU2010137399 2010-09-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012033434A1 true WO2012033434A1 (ru) 2012-03-15

Family

ID=45048179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2011/000664 WO2012033434A1 (ru) 2010-09-09 2011-08-31 Способ получения высокочистого трихлорсилана

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2440293C1 (ru)
WO (1) WO2012033434A1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968199A (en) 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
US4113845A (en) 1971-06-14 1978-09-12 Union Carbide Corporation Disproportionation of chlorosilane
RU2038297C1 (ru) 1993-04-16 1995-06-27 Институт химии высокочистых веществ РАН Способ получения трихлорсилана
EA011971B1 (ru) 2008-04-18 2009-06-30 Открытое Акционерное Общество «Государственный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности "Гиредмет"» Способ получения поликристаллического кремния
EP2179965A1 (en) * 2007-08-08 2010-04-28 Xuzhou Southeast Polysilicon R&D LTD Improved methods and apparatus for producing trichloro-hydrosilicon and polysilicon

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4113845A (en) 1971-06-14 1978-09-12 Union Carbide Corporation Disproportionation of chlorosilane
US4113845B1 (ru) 1971-06-14 1984-01-24
US3968199A (en) 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
RU2038297C1 (ru) 1993-04-16 1995-06-27 Институт химии высокочистых веществ РАН Способ получения трихлорсилана
EP2179965A1 (en) * 2007-08-08 2010-04-28 Xuzhou Southeast Polysilicon R&D LTD Improved methods and apparatus for producing trichloro-hydrosilicon and polysilicon
EA011971B1 (ru) 2008-04-18 2009-06-30 Открытое Акционерное Общество «Государственный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности "Гиредмет"» Способ получения поликристаллического кремния

Also Published As

Publication number Publication date
RU2440293C1 (ru) 2012-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7754175B2 (en) Silicon and catalyst material preparation in a process for producing trichlorosilane
US7033561B2 (en) Process for preparation of polycrystalline silicon
JP5374091B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
EP1720800B1 (en) Process for producing silicon
CA2719858C (en) Method and system for the production of pure silicon
KR20120093374A (ko) 트리클로로실란 제조 방법
US20040047797A1 (en) Method for production of high purity silicon
TW200505788A (en) Improved catalyst and process to produce nanocarbon materials in high yield and at high selectivity at reduced reaction temperatures
WO2007035108A1 (en) Method for production of trichlorosilane and silicon for use in the production of trichlorosilane
US7691357B2 (en) Method for producing polycrystalline silicon
US7056484B2 (en) Method for producing trichlorosilane
KR101309600B1 (ko) 트리클로로실란 제조방법
US20040022713A1 (en) Method for producing trichlorosilane
US20040047793A1 (en) Method for producing trichlorosilane
KR101392944B1 (ko) 사염화실란으로부터 삼염화실란을 제조하는 방법 및 이에 사용되는 트리클 베드 반응기
KR20130128397A (ko) 초미세 초순수 규소로부터의 클로로실란의 제조
US20020044904A1 (en) Process for preparing trichlorosilane
WO2012033434A1 (ru) Способ получения высокочистого трихлорсилана
US11198613B2 (en) Process for producing chlorosilanes using a catalyst selected from the group of Co, Mo, W
KR101754457B1 (ko) 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법
KR20160102807A (ko) 금속 실리콘 입자 분산액 및 이를 이용한 클로로실란의 제조방법
US11845667B2 (en) Method for producing chlorosilanes
KR20110051624A (ko) 염소가스 혹은 염화수소를 이용하여 다결정실리콘 제조원료인 고순도의 삼염화실란을 제조하는 방법
KR20170001411A (ko) 트리클로로실란 제조방법 및 제조장치
US20090304568A1 (en) Process for Producing Silane

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11788613

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11788613

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1