RU2038297C1 - Способ получения трихлорсилана - Google Patents

Способ получения трихлорсилана

Info

Publication number
RU2038297C1
RU2038297C1 RU93019572A RU93019572A RU2038297C1 RU 2038297 C1 RU2038297 C1 RU 2038297C1 RU 93019572 A RU93019572 A RU 93019572A RU 93019572 A RU93019572 A RU 93019572A RU 2038297 C1 RU2038297 C1 RU 2038297C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
trichlorosilane
mixture
separation
silicon
chlorosilanes
Prior art date
Application number
RU93019572A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93019572A (ru
Inventor
Г.Г. Девятых
А.М. Прохоров
Г.Я. Зуева
В.М. Воротынцев
Original Assignee
Институт химии высокочистых веществ РАН
Институт общей физики РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт химии высокочистых веществ РАН, Институт общей физики РАН filed Critical Институт химии высокочистых веществ РАН
Priority to RU93019572A priority Critical patent/RU2038297C1/ru
Publication of RU93019572A publication Critical patent/RU93019572A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2038297C1 publication Critical patent/RU2038297C1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники. Сущность изобретения: трихлорсилан получают взаимодействием тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380 - 450°С и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах. Получают трихлорсилан с содержанием SiCl46·10-2 об.% и примесей металлов менее 1·10-6 мас.%.

Description

Предлагаемое изобретение относится к получению кремнийсодержащих материалов и может быть использовано в производстве хлорсиланов, применяемых в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники.
Известны способы получения трихлорсилана по реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с техническим кремнием и водородом в присутствии хлористого водорода при ≈ 300оС и катализаторов меди и/или ее соединений или расплавов галогенидов (например, AlCl3 и NaCl или KCl), катионного материала на основе гетерополикислот и др. с последующим разделением смеси хлорсиланов дистилляцией и/или ректификацией и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния.
Недостатком этих способов является использование водорода, что усложняет проведение процесса с точки зрения его безопасности, и катализаторов, загрязняющих трихлорсилан примесями за счет хлорирования материала катализатора. Кроме того, под действием трихлорсилана катализаторы разрушаются.
Наиболее близким по совокупности признаков к предлагаемому изобретению является способ получения трихлорсилана по реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с техническим кремнием и водородом в присутствии хлористого водорода при 1100-1300оС с последующим разделением смеси хлорсиланов ректификацией и дистилляцией и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния.
Недостатком этого способа является также использование водорода и высокая температура проведения реакции, в связи с чем материал аппаратуры подвергается коррозии, происходит загрязнение получаемого трихлорсилана примесями из материала аппаратуры и технического кремния, а также значительные энергозатраты. Проведена оценка скорости поступления примесей в трихлорсилан из материала аппаратуры в зависимости от температуры его получения. Например, для стали Х20Н6ЗМ16Б, содержание железа в поверхностном слое которой составляет 6 .10-2 мас. скорость поступления примесей при 400 и 1200оС может отличаться в 16 раз.
Из-за близости значений температуры кипения тетрахлорида кремния и трихлорсилана их трудно разделить методами дистилляции или ректификации (коэффициент разделения α 2,5 для смеси трихлорсилана и тетрахлорида кремния).
Для упрощения процесса с точки зрения его безопасности, увеличения срока службы аппаратуры, предотвращения загрязнения трихлорсилана материалом аппаратуры и снижения энергозатрат в предлагаемом способе трихлорсилан получают по реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380-450оС и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах.
В соответствии с предлагаемым способом получают трихлорсилан с суммарным содержанием SiCl4 6.10-2 об. и примесей металлов менее 1.10-6мас.
Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с известным показывает, что предлагаемый способ отличается от известного отсутствием водорода в реакционной смеси, температурой проведения реакции, которая значительно ниже и составляет 380-450оС, а также способом разделения смеси хлорсилана, в частности с помощью диффузионных мембран; при этом одновременно происходит глубокая очистка трихлорсилана.
Температура 380-450оС, при которой идет реакция образования смеси хлорсиланов, была подобрана экспериментальным путем и, как показали опыты, является оптимальной с точки зрения выхода трихлорсилана 30-40% При температуре менее 380оС реакция не идет с заметным выходом, а при температуре выше 450оС выход трихлорсилана снижается. Кроме того, при температуре выше 450оС сказывается загрязняющее действие материала аппаратуры, например при температуре 500оС скорость поступления примесей в трихлорсилан увеличивается ≈ на 40% по сравнению со скоростью поступления примесей в трихлорсилан при температуре 450оС. Поэтому температура, выбранная в интервале 380-450оС, является оптимальной еще и с точки зрения поступления примесей в получаемый трихлорсилан, т.е. при возможно максимальном выходе трихлорсилана 30-40% происходит минимальное загрязнение продукта материалом аппаратуры. Метод разделения смеси хлорсиланов с помощью диффузионных мембран был подобран эксперименталным путем (определены коэффициенты разделения α например, для смеси трихлорсилана и тетрахлорида кремния, для трихлорсилана и силана, для смеси трихлорсилана и примесей металлов Fe. Mg, Mn, Cr и др.) и, как показали опыты, является оптимальным с точки зрения получения высокочистого трихлорсилана, т. е. эффективным методом разделения трихлорсилана от тетрахлорида кремния и других хлорсиланов и одновременно его глубокой очистки от молекулярных примесей и примесей металлов. Расчетами и теоретическими предпосылками нельзя было предсказать, что разделение с помощью диффузионных мембран будет наиболее эффективным для получения высокочистого трихлорсилана.
Таким образом, подобранная экспериментально температура 380-450оС, при которой идет реакция образования смеси хлорсилана (на этой стадии до минимума снижено загрязняющее действие материала аппаратуры) и метод разделения смеси с помощью диффузионных мембран с одновременной глубокой очисткой выделенного трихлорсилана от молекулярных примесей и примесей в виде взвешенных частиц, очень существенны, так как они обуславливают получение высокочистого трихлорсилана.
Ниже приводятся примеры, иллюстрирующие предлагаемый способ.
П р и м е р 1. В кварцевый реактор загружают 4 г технического кремния и нагревают до 380оС. Затем готовят парогазовую смесь, состоящую из 27 г тетрахлорида кремния с хлористым водородом, которую пропускают через реактор. Через 2 ч получают 27 г продукта, который анализируют на содержание трихлорсилана. По данным газохроматографического анализа содержание трихлорсилана в смеси составляет 30% Затем полученную смесь разделяют на диффузионных мембранах при комнатной температуре. Непрореагировавший тетрахлорид кремния возвращают в реактор. По данным газохроматографического анализа содержание SiCl4 составляет 6.10-2 об. по данным химико-спектрального анализа содержание металла составляет, мас. Mn < 1˙10-7, Cu < 1˙10-7; Fe < 4˙10-7; Ni < 2˙10-6, Cr < 3˙10-7.
П р и м е р 2. Условия опыта аналогичны условиям примера 1, только реактор с кремнием нагревают до 450оС. По данным газохроматографического анализа содержание трихлорсилана в смеси составляет 40% Содержание SiCl4 и металлов в полученном трихлорсилане, как в примере 1.
П р и м е р 3. Условия опыта аналогичны условиям примера 1, только в реактор с техническим кремнием нагревают до 420оС. По данным газохроматографического анализа содержание трихлорсилана в смеси составляет 37% Содержание SiCl4 и металлов в полученном трихлорсилане, как в примере 1.
В сравнении с известными предлагаемый способ позволяет
значительно упростить процесс получения трихлорсилана с точки зрения безопасности благодаря отсутствию водорода в реакционной смеси;
снизить загрязняющее действие материала аппаратуры в 16 раз за счет проведения процесса при температуре 380-450оС вместо 1100-1300о;
увеличить срок службы, уменьшить энергозатраты.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИХЛОРСИЛАНА, включающий взаимодействие тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом с последующим разделением смеси хлорсиланов и рециркуляцией непрореагировавшего тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что взаимодействие проводят при 380 450oС и разделение смеси хлорсиланов проводят на диффузионных мембранах.
RU93019572A 1993-04-16 1993-04-16 Способ получения трихлорсилана RU2038297C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93019572A RU2038297C1 (ru) 1993-04-16 1993-04-16 Способ получения трихлорсилана

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93019572A RU2038297C1 (ru) 1993-04-16 1993-04-16 Способ получения трихлорсилана

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93019572A RU93019572A (ru) 1995-04-30
RU2038297C1 true RU2038297C1 (ru) 1995-06-27

Family

ID=20140376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93019572A RU2038297C1 (ru) 1993-04-16 1993-04-16 Способ получения трихлорсилана

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2038297C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033434A1 (ru) 2010-09-09 2012-03-15 Глобал Силикон С.А. Способ получения высокочистого трихлорсилана

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Заявка Японии N 2 -172811, C 01B 33/107, 1990. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033434A1 (ru) 2010-09-09 2012-03-15 Глобал Силикон С.А. Способ получения высокочистого трихлорсилана

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7033561B2 (en) Process for preparation of polycrystalline silicon
JP5374091B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
EP2634142B1 (en) Method for purifying chlorosilanes
CN1193932C (zh) 生产六氯乙硅烷的方法
JP4714198B2 (ja) クロロシラン類の精製方法
RU2368568C2 (ru) Способ получения кремния
US7790132B2 (en) Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon
JP2012158515A (ja) クロロシランの蒸留による精製方法
US10207932B2 (en) Trichlorosilane purification system and method for producing polycrystalline silicon
JPH07315829A (ja) ベントガス流中の塩化物の回収法
RU2038297C1 (ru) Способ получения трихлорсилана
EP0283905B1 (en) Process for preparing chloropolysilanes
JP2710382B2 (ja) 高純度ジクロロシランの製造方法
JP3990029B2 (ja) ジクロロシラン含量の減少したトリクロロシランの製造方法
US4695441A (en) Manufacture of silane
US12060376B2 (en) Process for reducing the content of boron compounds in halosilane-containing compositions
JPH01234316A (ja) ジシランの製造方法
JPS62230752A (ja) 高純度ペンタクロロニトロベンゼンの取得方法
JP2000178018A (ja) 多結晶シリコンの製造方法および高純度シリカの製造方法
JPS5913618A (ja) 四塩化けい素の精製方法