WO2012014495A1 - 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク - Google Patents

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mask blank
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雅広 橋本
一法 小野
健太 塚越
亨 福井
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Hoya Corp
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask blank, a manufacturing method thereof, and a reflective mask.
  • a fine pattern is formed using a photolithography method.
  • the transfer mask is generally a light-transmitting glass substrate provided with a fine pattern made of a metal thin film or the like, and an electron beam drawing apparatus is used in the manufacture of the transfer mask.
  • a type of transfer mask a halftone phase shift mask is known in addition to a binary mask having a light-shielding film pattern made of a chromium-based material or the like on a conventional translucent substrate.
  • PEC Proximity Effect Correction
  • a high contrast chemically amplified resist film having a large ⁇ value has been used.
  • the resist is obtained by performing electron beam exposure using a high contrast chemically amplified resist having a large ⁇ value on the Cr-based light-shielding film on the phase shift film in the halftone phase shift mask blank.
  • a resist pattern with high contrast and sharpness (the pattern edge is vertical) is obtained.
  • the CD linearity of a resist pattern having a 1: 1 line and space pattern design dimension in the range of 500 nm to 70 nm. Is also good.
  • Eth represents the minimum exposure amount at which resist resolution starts.
  • EUV lithography which is an exposure technique using extreme ultraviolet (Extreme Ultra Violet: hereinafter referred to as EUV) light having a shorter wavelength
  • EUV light refers to light in the wavelength band of the soft X-ray region or the vacuum ultraviolet region, and specifically refers to light having a wavelength of about 0.2 to 100 nm.
  • an exposure reflective mask described in Patent Document 1 below has been proposed.
  • a multilayer reflective film that reflects exposure light is formed on a substrate, a buffer film is formed on the multilayer reflective film, and an absorber film that absorbs exposure light is formed thereon in a pattern.
  • the buffer film is provided between the multilayer reflective film and the absorber film for the purpose of protecting the multilayer reflective film in the pattern forming process and the correcting process of the absorber film.
  • Light incident on a reflective mask mounted on an exposure machine (pattern transfer device) is absorbed in a part where the absorber film is present, and a light image reflected by the multilayer reflective film is reflected in a part where there is no absorber film. And transferred onto the semiconductor substrate.
  • the present inventors provide a halftone phase shift mask. Compared to the case where a resist pattern is formed by electron beam exposure using a high-contrast chemically amplified resist with a large ⁇ value on a Cr-based light-shielding film in a blank or binary mask blank, backscattering occurs more. It has been found that the energy stored in the film decreases, and the contrast of the stored energy at the edge of the pattern deteriorates (the cross section of the pattern becomes blurred and trapezoidal, and the inclination of the edge increases). (See figure below 1).
  • the present inventors are one of the main causes that the thickness of the multilayer reflective film on the lower layer side of the resist film is large, and the influence of being backscattered by this multilayer reflective film and entering the resist film again is large. It was also found that one of the causes is that the absorber film under the resist film is tantalum (Ta) having a large atomic weight.
  • Ta tantalum
  • the electron beam is drawn on a high contrast chemically amplified resist film having a large ⁇ value on the absorber film in the reflective mask blank due to the backscattering described above, the accumulated energy in the resist film depends on the difference in pattern size. And the minimum exposure amount Eth differs depending on the pattern size (see the lower diagram in FIG. 1).
  • CD linearity decreases when patterning is performed using a high-contrast resist (the size of the second hole from the left in the lower diagram in FIG. 1 is the second from the left in the upper diagram in FIG. 1). (See that it is smaller than the size of the hall).
  • a high contrast chemically amplified resist pattern having a large ⁇ value is formed on the Cr-based light shielding film in the halftone phase shift mask blank shown in the upper side of FIG. (Line width) decreases (see that the third to fifth holes from the left in the lower diagram of FIG. 1 are not resolved).
  • the present invention has been made under the above-described background.
  • the object of the present invention is to store energy by backscattering when a high-contrast resist that is generally used in the production of a reflective mask is used. Is to provide a reflective mask blank, a method of manufacturing the same, and a reflective mask that can solve the problem of lowering CD linearity.
  • the present invention has the following configuration.
  • (Configuration 1) Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film Mold mask blank, An electron beam drawing resist film is provided on the absorber film, A reflective mask blank, wherein the electron beam drawing resist film has a contrast value ⁇ of 30 or less.
  • (Configuration 2) Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film Mold mask blank, An electron beam drawing resist film is provided on the absorber film, A reflective mask blank, wherein an exposure tolerance of the electron beam drawing resist film is 0.7 nm /% Dose or less.
  • (Configuration 3) The reflective mask blank according to Configuration 1 or 2, wherein the resist film has a contrast value ⁇ of 25 or less.
  • (Configuration 4) 4 The reflective mask blank according to any one of configurations 1 to 3, wherein the reflective mask blank is a reflective mask blank used in EUV lithography using EUV light as exposure light. (Configuration 5) 5.
  • Configuration 6 The reflective mask blank according to any one of configurations 1 to 5, wherein the number of layers of the multilayer reflective film is 10 cycles or more.
  • Configuration 7) The reflective mask blank according to any one of Structures 1 to 6, wherein the resist film is made of a chemically amplified resist.
  • the reflective mask when a high-contrast resist that is generally used is used when manufacturing a reflective mask, the reflective mask can solve the problem that the accumulated energy decreases due to backscattering and the CD linearity decreases.
  • a blank, a manufacturing method thereof, and a reflective mask can be provided.
  • the reflective mask blank of the present invention is Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film Mold mask blank, An electron beam drawing resist film is provided on the absorber film,
  • the electron beam drawing resist film has a contrast value ⁇ of 30 or less (Configuration 1).
  • the sensitivity curve is created from the relationship between the irradiation energy amount E and the film thickness. Thickness was displayed in residual film ratio d / d 0 normalized film thickness d after development in the coating film thickness d 0, E is displayed in energy E per normal unit area. The horizontal axis is log 10 E. In the case of a positive resist, the sensitivity curve is graphed as a normalized film thickness with the film thickness after development of the unexposed area as 100%. As for the sensitivity curve, in the case of a negative resist, the film thickness of a portion exposed with an exposure amount sufficiently larger than the optimum exposure amount for pattern formation is 100%. The ⁇ value can be calculated from the slope of the sensitivity curve.
  • the ⁇ value has a slope with a normalized film thickness between 0 (D 0 ) and 80% (D 80 ).
  • ⁇ 0.8 / log 10 (D 0 / D 80 ).
  • the ⁇ value is preferably 10 or more.
  • ⁇ 0.2 / log 10 (D 70 / D 50 ). Note that the ⁇ value does not affect the sensitivity.
  • the CD linearity of the resist pattern in which the design dimension of the 1: 1 line and space pattern is in the range of 500 nm to 100 nm is the DRAM hp (half pitch) 32 nm generation in the design rule.
  • the resist is characterized in that a resist having a ⁇ value of 30 or less that can achieve 4.8 nm or less required in the above is intentionally designed, manufactured, and used.
  • the CD linearity of the resist pattern in which the design dimension of the 1: 1 line and space pattern is in the range of 500 nm to 70 nm can achieve the 3.4 nm or less required by the DRAM hp23 nm generation in the design rule, and the ⁇ value is 25 or less.
  • a resist is more preferable (Configuration 3). More preferably, the ⁇ value is 20 or less.
  • the resist film blank is subjected to electron beam exposure using a high contrast chemically amplified resist having a large ⁇ value, which is generally used for the purpose of high contrast and high resolution, on the absorber film in the reflective mask blank.
  • a high contrast chemically amplified resist having a large ⁇ value, which is generally used for the purpose of high contrast and high resolution, on the absorber film in the reflective mask blank.
  • backscattering occurs more than in the case of a resist film on a Cr-based light shielding film in a halftone phase shift mask blank or a binary mask blank, energy accumulated in the resist film is reduced.
  • the contrast of the stored energy at the pattern edge portion deteriorates, and based on this, the CD linearity of the resist pattern decreases.
  • the present invention is a chemical that has been intentionally designed and manufactured to have a low ⁇ value and low contrast on the absorber film in the reflective mask blank so that such a problem can be solved.
  • a resist pattern is formed by electron beam exposure using an amplification resist.
  • the chemically amplified resist is characterized by high contrast with a large ⁇ value (sensitivity curve is almost vertical and exposure sensitivity is very small).
  • the ⁇ value is small and low contrast (sensitivity curve).
  • the reflective mask blank of the present invention is Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film Mold mask blank, An electron beam drawing resist film is provided on the absorber film,
  • the electron beam drawing resist film has an exposure tolerance of 0.7 nm /% Dose or less (Configuration 2).
  • the exposure latitude EL Exposure Latitude
  • the exposure tolerance EL is represented by the slope of this curve.
  • the exposure tolerance EL is preferably 0.7 nm /% Dose or less. Further, the exposure tolerance EL is preferably 0.5 nm /% Dose or more for proximity effect correction. As will be described later, the exposure tolerance EL tends to decrease as the contrast value ⁇ of the electron beam drawing resist decreases.
  • the electron beam drawing resist includes a case where the contrast value ⁇ is 30 or less and the exposure tolerance is 0.7 nm /% Dose or less.
  • the exposure tolerance EL does not affect the sensitivity.
  • the reflective mask blank includes a reflective mask blank used in EUV lithography using EUV light as exposure light (Configuration 4).
  • a reflective mask blank used in EUV lithography using EUV light As described above, in the reflective mask blank used in EUV lithography, the influence of the light that is back-scattered by the multilayer reflective film and incident on the resist film again is large, so the subject of the present application is particularly problematic.
  • the reflective mask manufactured using the reflective mask blank of the present invention is particularly suitable for EUV lithography using EUV light (wavelength of about 0.2 to 100 nm) as exposure light. It can be used appropriately for exposure light.
  • the absorber film includes a case made of a material containing tantalum (Configuration 5).
  • the absorber film under the resist film is tantalum (Ta) having an atomic weight larger than that of Cr or Mo, so that it is backscattered and incident on the resist film again.
  • the influence of the light to be considered is considered to be one of the causes, and the subject of this application becomes a problem.
  • the material of the absorber film will be described later.
  • the number of layers of the multilayer reflective film includes a case of 10 cycles or more (Configuration 6).
  • the number of layers of the multilayer reflective film is 10 cycles (10 pairs) or more, the subject of the present application is particularly problematic.
  • the number of layers of the multilayer reflective film is preferably 40 to 60 periods (pairs) from the viewpoint of reflectance.
  • the film thickness of the multilayer reflective film is more preferably 280 to 420 nm, for example. The material of the multilayer reflective film will be described later.
  • the present invention includes a case where the electron beam drawing resist film is made of a chemically amplified resist (Configuration 7).
  • a high-contrast chemically amplified resist film for electron beam drawing having a large ⁇ value is used.
  • the thickness of the resist film is preferably 50 to 200 nm, and more preferably 100 to 150 nm.
  • a non-chemically amplified resist can be exposed (drawn with an appropriate dose) at 50 keV or more, and a high-contrast resist is difficult to obtain. This is because it is difficult to obtain high contrast unless it is a chemically amplified resist. In the photoresist, the problem of electron beam backscattering does not occur.
  • the manufacturing method of the reflective mask blank of the present invention Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film A step of preparing a mold mask blank; Providing an electron beam drawing resist film having a contrast value ⁇ of 30 or less on the absorber film; Forming a resist pattern by electron beam drawing; (Configuration 8). According to such a configuration, the same effect as described above can be obtained.
  • the manufacturing method of the reflective mask blank of the present invention Reflection for producing a reflective mask having a substrate, a multilayer reflective film that reflects exposure light formed on the substrate, and an absorber film that absorbs exposure light formed on the multilayer reflective film A step of preparing a mold mask blank; Providing an electron beam drawing resist film having an exposure tolerance of 0.7 nm /% Dose or less on the absorber film; Forming a resist pattern by electron beam drawing; (Structure 9). According to such a configuration, the same effect as described above can be obtained.
  • the case where the contrast value ⁇ of the resist film is 25 or less is included (Configuration 10).
  • the electron beam drawing includes a case where exposure is performed with an acceleration voltage of the electron beam of 50 keV or more (Configuration 11). As the acceleration voltage increases, the backscattering increases. When the acceleration voltage of the electron beam is 50 keV or more, the subject of the present application is particularly problematic.
  • the reflective mask of the present invention is The mask blank according to any one of the above configurations 1 to 7 is used to pattern the absorber film, which is manufactured (configuration 12).
  • Examples of the reflective mask of the present invention include the following modes. (1) A reflective mask in which a buffer film is formed on a multilayer reflective film formed on a substrate and an absorber film pattern having a predetermined transfer pattern is formed on the buffer film (the buffer film is not patterned) Type reflective mask). (2) A reflective mask in which a buffer film having a predetermined transfer pattern and an absorber film pattern are formed on a multilayer reflective film formed on a substrate (a reflective mask of a type in which the buffer film is patterned) . (3) A reflective mask in which an absorber film pattern having a predetermined transfer pattern is formed on a multilayer reflective film formed on a substrate (a reflective mask having no buffer film).
  • the multilayer reflective film is a multilayer film in which elements having different refractive indexes are periodically laminated.
  • a thin film of a heavy element or a compound thereof and a thin film of a light element or a compound thereof are alternately arranged.
  • a multi-layer film laminated for about 40 to 60 periods is used.
  • a Mo / Si periodic laminated film in which Mo films and Si films are alternately laminated for about 40 cycles is preferably used as a multilayer reflective film for EUV light having a wavelength of 13 to 14 nm.
  • Ru / Si periodic multilayer film As a multilayer reflective film used in the EUV light region, Ru / Si periodic multilayer film, Mo / Be periodic multilayer film, Mo compound / Si compound periodic multilayer film, Si / Nb periodic multilayer film, Si / Mo / Examples include Ru periodic multilayer films, Si / Mo / Ru / Mo periodic multilayer films, and Si / Ru / Mo / Ru periodic multilayer films.
  • the material may be appropriately selected depending on the exposure wavelength.
  • the multilayer reflective film can be formed by depositing each layer by DC magnetron sputtering or ion beam sputtering.
  • a Si film having a thickness of about several nm is first formed using a Si target, and then a Mo film having a thickness of about several nm is formed using the Mo target. A film is formed, and this is set as one period. After 40 to 60 periods are laminated, a Si film is finally formed.
  • ruthenium (Ru) or a compound thereof is provided between the multilayer reflective film and the buffer film, or between the multilayer reflective film and the absorber film (when the buffer film is not provided).
  • a protective film made of a material may be provided. By having this protective film, damage to the multilayer reflective film due to etching at the time of pattern formation of the buffer film or absorber film is prevented, and a decrease in exposure light reflectance can be prevented.
  • the ruthenium compound include RuNb and RuZr.
  • a buffer film having etching characteristics different from those of the absorber film may be formed between the multilayer reflective film and the absorber film.
  • a buffer film made of a chromium-based material containing chromium has high smoothness, the surface of the absorber film formed thereon can also have high smoothness, and pattern blur can be reduced.
  • the material of the chromium buffer film is preferably a material containing chromium (Cr) nitride.
  • the film density of the buffer film is preferably 5.0 to 9.0 g / cm 3 .
  • the absorption effect of the buffer film on EUV light can be enhanced, and the absorber film can be made thinner.
  • the effect of reducing the width of the pattern line width when transferred to the transfer object due to the shadowing effect is achieved.
  • the buffer film can be formed on the multilayer reflective film by a sputtering method such as ion beam sputtering other than DC sputtering and RF sputtering.
  • the thickness of the buffer film is preferably about 20 to 60 nm when the absorber film pattern is corrected using, for example, a focused ion beam (FIB), but when the FIB is not used, It can be about 5 to 15 nm.
  • FIB focused ion beam
  • the absorber film only needs to have a function of absorbing exposure light such as EUV light.
  • the absorber film includes a case made of a material containing tantalum.
  • a simple substance of Ta or a material mainly containing Ta can be preferably used.
  • the material mainly composed of Ta is an alloy of Ta, for example.
  • Such an absorber film preferably has an amorphous or microcrystalline structure in terms of smoothness and flatness.
  • the material mainly composed of Ta for example, a material containing Ta and B, a material containing Ta and N, a material containing Ta and B, and further containing at least one of O and N are preferably used. it can.
  • B an amorphous material can be easily obtained and the smoothness can be improved.
  • N or O is added to Ta, the resistance to oxidation is improved, so that the effect of improving the stability over time can be obtained.
  • the film thickness of the absorber film is not particularly limited as long as it is sufficient to provide a light shielding property against EUV light as exposure light, but is usually about 30 to 100 nm.
  • the absorber film has a laminated structure including an uppermost layer and other lower layers, and the uppermost layer is made of tantalum (Ta).
  • Ta tantalum
  • a reflective mask blank having a film density of 11.0 to 16.0 g / cm 3 .
  • the absorber film has a laminated structure including an uppermost layer and other lower layers, and the uppermost layer is any one of oxide, nitride, oxynitride, or carbide of tantalum (Ta).
  • the uppermost layer is any one of oxide, nitride, oxynitride, or carbide of tantalum (Ta).
  • the uppermost layer of the absorber film in the present invention is formed of a material containing any of tantalum (Ta) oxide, nitride, oxynitride, or carbide, and has a film density of 6.0 to 11.0 g / cm 3 . Particularly preferably, the film density is in the range of 7.0 to 9.0 g / cm 3 .
  • the film density is less than 6.0 g / cm 3 , there are problems that reflection at the interface with the lower layer becomes strong and that EUV light can hardly be absorbed, so that contrast cannot be obtained.
  • the film density is higher than 11.0 g / cm 3 , the transmittance of EUV exposure light is lowered, and there is a problem that the effect of suppressing surface reflection with respect to the exposure light in the uppermost layer is reduced.
  • Typical examples of Ta oxides, nitrides, oxynitrides, or carbides include TaO, TaON, TaN, TaCN, TaC, and the like.
  • the material forming the uppermost layer of the absorber film may further contain boron (B). By containing B, the amorphousness and surface smoothness of the film can be further improved. Examples of typical compounds include TaBO, TaBON, TaBC, TaBCN, and the like.
  • the above-described single-layer absorber film and the uppermost layer and the lower layer of the above-described multilayered absorber film do not necessarily have a uniform composition as a whole.
  • the composition differs in the film thickness direction.
  • the composition may be inclined.
  • the composition of the contained elements may be continuously different, or the composition may be changed stepwise.
  • the substrate is preferably in the range of 0 ⁇ 1.0 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., more preferably 0 ⁇ 0.3 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., in order to prevent distortion of the pattern due to heat during exposure.
  • Those having a low thermal expansion coefficient within the range of are preferred.
  • any of amorphous glass, ceramic, and metal can be used.
  • amorphous glass SiO 2 —TiO 2 glass, quartz glass, and crystallized glass
  • crystallized glass in which ⁇ -quartz solid solution is precipitated can be used.
  • metal substrates include Invar alloys (Fe—Ni alloys).
  • a single crystal silicon substrate can also be used.
  • the substrate is preferably a substrate having high smoothness and flatness in order to obtain high reflectivity and high transfer accuracy.
  • the substrate preferably has high rigidity in order to prevent deformation due to film stress of the film formed thereon.
  • those having a high Young's modulus of 65 GPa or more are preferable.
  • unit Rms which shows smoothness is a root mean square roughness, and can be measured with an atomic force microscope.
  • the flatness is a value representing a warp (deformation amount) of the surface indicated by TIR (Total Indicated Reading), and a plane determined by the least square method with the substrate surface as a reference is a focal plane and is above the focal plane. This is the absolute value of the height difference between the highest position on the substrate surface and the lowest position on the substrate surface below the focal plane.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a reflective mask blank of the present invention and a process of manufacturing a reflective mask using this mask blank.
  • a multilayer reflective film 2 is formed on a substrate 1, and a buffer film 3, a lower layer 4a and an uppermost layer are formed thereon. It has a structure in which each layer of the absorber film 4 having a laminated structure of 4b is formed. Further, a resist film 5 is provided on the upper surface of the absorber film 4.
  • the reflective mask blank 10 is configured as described above and has a buffer film. However, depending on the pattern forming method on the absorber film 4 and the correction method of the formed pattern. The buffer film may not be provided.
  • a manufacturing process of the reflective mask using the reflective mask blank 10 will be described.
  • the material and forming method of each layer of the reflective mask blank 10 are as described above.
  • a predetermined transfer pattern is formed on the absorber film 4 of the reflective mask blank 10.
  • a predetermined pattern is drawn on the resist film 5 on the absorber film 4 by using an electron beam drawing machine, and this is developed to form a predetermined resist pattern 51 (see FIG. 5B). ).
  • the uppermost layer 4b and the lower layer 4a of the absorber film 4 are dry-etched to form an absorber film pattern having a predetermined transfer pattern (laminated pattern of the uppermost layer pattern 41b and the lower layer pattern 41a). (See FIG. 2C).
  • a predetermined transfer pattern laminated pattern of the uppermost layer pattern 41b and the lower layer pattern 41a.
  • both the uppermost layer 4b and the lower layer 4a of the absorber film 4 are made of a material mainly composed of Ta, dry etching using chlorine gas or fluorine-based gas can be used.
  • the resist pattern 51 remaining on the uppermost layer pattern 41b is removed using oxygen plasma ashing, ozone water, or the like.
  • the absorber film pattern (laminated pattern of the lower layer pattern 41a and the uppermost layer pattern 41b) is formed as designed. Inspection light used for pattern inspection is incident on the mask on which the absorber film pattern is formed, and is reflected by the inspection light reflected on the uppermost layer pattern 41b and the buffer film 3 exposed by removing the absorber film 4. Inspection is performed by detecting the inspection light and observing the contrast.
  • the absorber film 4 there are pinhole defects (white defects) from which the absorber film 4 that should not be removed, and insufficient etching defects (black defects) that remain without being partially removed due to insufficient etching. If detected, correct it.
  • To correct the pinhole defect for example, there is a method of depositing a carbon film or the like on the pinhole by the FIB assist deposition method.
  • the buffer film 3 serves as a protective film that protects the multilayer reflective film 2 against FIB irradiation.
  • the exposed buffer film 3 is removed in accordance with the absorber film pattern, and a pattern 31 is formed on the buffer film to produce the reflective mask 20 (see FIG. 4D).
  • a pattern 31 is formed on the buffer film to produce the reflective mask 20 (see FIG. 4D).
  • dry etching using a mixed gas containing chlorine and oxygen can be used.
  • the multilayer reflective film 2 that is a reflection region of the exposure light is exposed.
  • the buffer film can be left on the multilayer reflective film without being processed into the same pattern as the absorber film. . Finally, an inspection for final confirmation as to whether or not the absorber film pattern is formed with a dimensional accuracy according to the specification is performed.
  • the substrate to be used is a SiO 2 —TiO 2 glass substrate (6 inch square, thickness 6.3 mm).
  • This substrate has a thermal expansion coefficient of 0.2 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. and a Young's modulus of 67 GPa.
  • This glass substrate was formed by mechanical polishing to have a smooth surface of 0.2 nmRms or less and a flatness of 100 nm or less.
  • a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film was employed in order to obtain a multilayer reflective film suitable for an exposure light wavelength band of 13 to 14 nm.
  • the multilayer reflective film was formed by alternately stacking on the substrate by ion beam sputtering using a Mo target and a Si target.
  • the Si film is 4.2 nm
  • the Mo film is 2.8 nm, and this is one period.
  • the Si film is formed to 4.2 nm
  • the Ru film is further formed as a protective film to 2.5 nm.
  • a film was formed.
  • a substrate with a multilayer reflective film was thus obtained.
  • the reflectivity of this multilayer reflective film was measured with 13.5 nm EUV light at an incident angle of 6.0 degrees, the reflectivity was 63%.
  • a buffer film was formed on the protective film of the multilayer reflective film-coated substrate obtained as described above.
  • a chromium nitride film was formed to a thickness of 20 nm.
  • a film was formed by a DC magnetron sputtering method using a mixed gas of argon (Ar) and nitrogen (N 2 ) as a sputtering gas.
  • the film density of the formed CrNx film was 7.0 g / cm 3 . The film density was measured by low-angle EUV reflected light intensity measurement.
  • a material containing Ta, B, and N was formed to a thickness of 50 nm on the buffer film as a lower layer of the absorber film. That is, using a target containing Ta and B, 10% nitrogen (N 2 ) was added to argon (Ar), and a film was formed by DC magnetron sputtering. The composition ratio of the formed TaBN film was Ta at 59 at%, B at 21 at%, and N at 20 at%. Subsequently, a material containing Ta, B, and O was formed to a thickness of 20 nm as the uppermost layer of the absorber film.
  • the composition ratio of the formed TaBO film was 43 at% for Ta, 8 at% for B, and 49 at% for O.
  • the film density of the formed TaBN film (lower layer) was 13.5 g / cm 3
  • the film density of the formed TaBO film (uppermost layer) was 9.2 g / cm 3 .
  • the film density was measured by the above method. Further, the transmittance of the above-mentioned uppermost TaBO film was measured with 13.5 nm EUV light at an incident angle of 6.0 degrees and found to be 0.8%.
  • a plurality of reflective mask blanks were produced as described above.
  • the film thickness of the resist films A to E was 100 nm.
  • a predetermined pattern was drawn on the thus obtained reflective mask blank with a resist film using an electron beam drawing machine, and after drawing, a resist pattern was formed by development.
  • the acceleration voltage of the electron beam was 50 keV.
  • FIG. 3 shows the CD linearity of the line and space (L & S) resist pattern.
  • the left bar for each resist is a comparison with a large pattern (L & S pattern in the range of 500 nm to 100 nm) that is not easily affected by marginal resolution.
  • L & S pattern in the range of 500 nm to 100 nm
  • resists C, D, and E having a contrast value ⁇ of 30 or less satisfy the CD linearity of 4.8 nm or less required for the design rule of DRAM hp32 nm.
  • the bar on the right side for each resist represents a case where comparison is made using an L & S pattern in the range of 500 nm to 70 nm.
  • the resists D and E having a contrast value ⁇ of 25 or less sufficiently satisfy the CD linearity of 3.4 nm or less required by the DRAM hp23 nm.
  • FIG. 4 shows the relationship between the pattern size (nm) of the L & S pattern in the range of 500 nm to 70 nm and the CD linearity (nm) for the chemically amplified resists A, B, C, D, and E.
  • FIG. 4 shows the relationship between the pattern size (nm) of the L & S pattern in the range of 500 nm to 70 nm and the CD linearity (nm) for the chemically amplified resists A, B, C, D, and E.
  • FIG. 5 shows the relationship between the chemically amplified resists A, B, C, D, and E and the exposure tolerance EL (nm /% Dose).
  • the exposure tolerance EL satisfies 0.7 nm /% Dose or less in the resists C, D, and E.
  • the chemically amplified resist A resolves a 500 nm hole pattern and cannot resolve a 300 nm hole pattern.
  • the chemically amplified resist A resolves a 70 nm line and space (L & S) pattern and cannot resolve a 60 nm L & S pattern.
  • the chemically amplified resist A has an L & S pattern in the range of 500 to 100 nm, the CD linearity of the resist pattern is 10.5 nm, and the L & S pattern in the range of 500 to 70 nm, the CD linearity of the resist pattern is 17.7 nm. .
  • the chemically amplified resist B resolves a 125 nm hole pattern and cannot resolve a 100 nm hole pattern.
  • the chemically amplified resist B resolves the 60 nm L & S pattern and cannot resolve the 50 nm L & S pattern.
  • the chemically amplified resist B relates to an L & S pattern in the range of 500 to 100 nm.
  • the CD linearity of the resist pattern is 5.0 nm, and the CD linearity of the resist pattern in the range of 500 nm to 70 nm is 7.7 nm.
  • the chemically amplified resist C resolves a 100 nm hole pattern and cannot resolve an 80 nm hole pattern.
  • the chemically amplified resist C resolves the 60 nm L & S pattern and cannot resolve the 50 nm L & S pattern.
  • the chemically amplified resist C relates to the L & S pattern in the range of 500 to 100 nm, the CD linearity of the resist pattern is 3.9 nm, and the CD linearity of the resist pattern in the range of 500 nm to 70 nm is 6.6 nm.
  • the chemically amplified resist D resolves a 60 nm hole pattern and cannot resolve a 50 nm hole pattern.
  • the chemically amplified resist D resolves the 50 nm L & S pattern and cannot resolve the 45 nm L & S pattern.
  • the chemically amplified resist D relates to an L & S pattern in the range of 500 to 100 nm.
  • the CD linearity of the resist pattern is 1.1 nm, and the CD linearity of the resist pattern in the range of 500 nm to 70 nm is 1.5 nm.
  • the chemically amplified resist E resolves a hole pattern of 80 nm and cannot resolve a hole pattern of 70 nm.
  • the chemically amplified resist E resolves a 45 nm L & S pattern and cannot resolve a 40 nm L & S pattern.
  • the chemically amplified resist E relates to an L & S pattern in the range of 500 to 100 nm, the CD linearity of the resist pattern is 0.7 nm, and the CD linearity of the resist pattern in the range of 500 nm to 70 nm is 0.7 nm.
  • the resolution performance minimum resolution dimension
  • the CD linearity is improved by reducing the contrast value ⁇ .
  • the electron beam drawing resist films A to E shown above are respectively formed on the plurality of reflective mask blanks obtained above, and a predetermined pattern is drawn using an electron beam drawing machine. A resist pattern was formed in the same manner as described above.
  • the uppermost layer and the lower layer of the absorber film were dry-etched using chlorine gas to form a transfer pattern composed of a laminated pattern of the lower layer and the uppermost layer on the absorber film. Furthermore, using a mixed gas of chlorine and oxygen, the buffer film remaining on the reflective area (the part without the absorber film pattern) is removed by dry etching according to the absorber film pattern, and the surface is protected by Ru. The multilayer reflective film provided with the film was exposed to obtain a reflective mask.
  • FIG. 6 shows the relationship between the pattern size (nm) of the L & S pattern in the range of 500 nm to 70 nm and the CD linearity (nm) for the chemically amplified resists A, B, and E. In any resist, the CD linearity (nm) is good in the range of 500 nm to 70 nm.
  • the CD linearity (nm) is good in the range of 500 nm to 70 nm.
  • the bar on the right side for each resist (the bar with the diagonal line rising to the right) relates to the result of FIG. 6, that is, the resist pattern formed on the halftone phase shift mask or binary mask blank.
  • the range of CD linearity (nm) in the range of 500 nm to 70 nm is shown.
  • the CD linearities of the resists A, B, and E are good at 2.8 nm, 3.6 nm, and 1.8 nm, respectively.
  • the left bar for each resist indicates the CD linearity (nm) range of 500 nm to 70 nm for the right bar in FIG. 3, ie, the resist pattern formed on the reflective mask blank. . From FIG.
  • the chemically amplified resists A, B, and E can obtain good CD linearity. Is shown.
  • the decrease in CD linearity is a phenomenon peculiar to a reflective mask blank.

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Abstract

［課題］反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決する。 ［解決手段］基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、　前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。

Description

反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク
　本発明は、反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクに関する。
　一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。この微細パターンの形成には通常何枚もの転写用マスクと呼ばれている基板が使用される。転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においては電子線描画装置が用いられている。転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料などからなる遮光膜パターンを有するバイナリマスクのほかに、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。
　電子線描画装置を用いて高精度の露光を行う場合、レジスト膜に入射した電子線の一部がレジスト膜を構成する原子と衝突して前方散乱されると共に、レジスト膜を透過した電子線の一部が基板を構成する原子と衝突して後方散乱されて再びレジスト膜に入射する。さらに、後方散乱された電子はレジストを突き抜け、装置内部で反射し、再びレジストへ入射する。この前方散乱と後方散乱などによる影響で、パターンの開口率による線幅変動が生じ、これを近接効果現象と呼ぶ。この問題を解決する方法として、パターンレイアウト（露光パターン密度、配置）に応じて、近接効果補正（以下、ＰＥＣ：Proximity Effect Correction）を行うことが知られている。
　また、近年、微細パターンを形成するために、γ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジスト膜が用いられている。例えば、図１の上側に示すように、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜上のＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、高コントラストでシャープ（パターンエッジが垂直）なレジストパターンが得られ、例えば、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティも良好である。図１においてＥｔｈはレジストの解像が始まる最低露光量を表す。
　近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、フォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このため、より波長の短い極端紫外（Extreme Ultra Violet：以下、EUVと呼称する）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。なお、ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、たとえば下記特許文献１に記載された露光用反射型マスクが提案されている。
　このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にバッファ膜、さらにその上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。バッファ膜は、吸収体膜のパターン形成工程及び修正工程における多層反射膜の保護を目的として多層反射膜と吸収体膜との間に設けられている。露光機（パターン転写装置）に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
特開平８－２１３３０３号公報
　本発明者らは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合と比較して、後方散乱が多く生じるため、レジスト膜中に蓄積するエネルギーが減少してしまい、特にパターンエッジ部分での蓄積エネルギーのコントラストが悪化する（パターンの断面がぼやけて台形になり、エッジ部分の傾きが大きくなる）ことを突き止めた（図１の下側の図参照）。本発明者らは、レジスト膜の下層側にある多層反射膜の膜厚が厚く、この多層反射膜によって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する影響が大きいことが主原因の一つであり、また、レジスト膜下層の吸収体膜が原子量の大きいタンタル（Ｔａ）であることも原因の一つであることを突き止めた。
　上記の後方散乱により、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上のγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジスト膜に対して電子線描画する際、パターンサイズの違いによって、レジスト膜中への蓄積エネルギーが大きく異なり、パターンサイズによって最低露光量Ｅｔｈが異なることとなる（図１の下側の図参照）。したがって、高コントラストのレジストを用いてパターニングすると、ＣＤリニアリティが低下してしまう（図１の下側の図の左から２番目のホールのサイズが、図１の上側の図の左から２番目のホールのサイズに比べ小さくなっていること参照）。また、図１の上側に示す、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上にγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストのパターンを形成する場合に比べ、解像性能（最小解像線幅）が低下する（図１の下側の図の左から３～５番目のホールが解像していないこと参照）。
　本発明は、上述した背景の下なされたものであり、その目的とするところは、反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクを提供することである。
　本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
　前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成２）
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
　前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
（構成３）
　前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする構成１又は２記載の反射型マスクブランク。
（構成４）
前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであることを特徴とする構成１～３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成５）
　前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなることを特徴とする構成１～４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成６）
　前記多層反射膜の層数は、１０周期以上であることを特徴とする構成１～５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成７）
　前記レジスト膜が化学増幅型レジストからなることを特徴とする構成１～６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
（構成８）
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
　前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成９）
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
　前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成１０）
　前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする構成８又は９に記載の反射型マスクの製造方法。
（構成１１）
　前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光することを特徴とする構成８～１０のいずれかに８記載の反射型マスクの製造方法。
（構成１２）
　構成１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする反射型マスク。
　本発明によれば、反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決できる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクを提供できる。
相対的に高コントラストの化学増幅型レジストを用い、バイナリマスクブランク及び反射型マスクブランク上にサイズの異なるレジストパターンを形成した様子を示す模式的断面図である。 低コントラストに設計された化学増幅型レジストを用い、バイナリマスクブランク及び反射型マスクブランク上にサイズの異なるレジストパターンを形成した様子を示す模式的断面図である。 反射型マスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥのＣＤリニアリティを示す図である。 反射型マスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティを示す図である。 各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの露光許容度ＥＬを示す図である。 バイナリマスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅの５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティを示す図である。 反射型マスクブランク上及びバイナリマスクブランク上における各化学増幅型レジストＡ、Ｂ、ＥのＣＤリニアリティを示す図である。 反射型マスクブランクから反射型マスクを作製する工程を示す模式的断面図である。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　本発明の反射型マスクブランクは、
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
　前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする（構成１）。
　このように、一般的なハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクに用いられる電子線描画用レジストよりも低コントラストの電子線描画用レジストを採用すると、露光感度に幅を持たせることできるため、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下しても、ＣＤリニアリティを良好にすることが可能となる。
　詳しくは、図１の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合に比べ、本願発明の如く、図２の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、意図的にγ値が小さく低コントラストとなるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合は、ＣＤリニアリティが良好となる（図１の下側の図の左から２番目のホールのサイズが、図１の上側の図の左から２番目のホールのサイズに比べ小さくなっているのに対し、図２の下側の図の左から２～４番目のホールのサイズが、図２の上側の図の左から２～４番目のホールのサイズ（設計寸法にほぼ対応する）に等しく、ＣＤリニアリティが良好となること参照）。
　また、図１の下側に示す図の場合、即ち反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合に比べ、本願発明では、解像性能（最小解像線幅）が向上する（図２の下側の図の左から３～４番目のホールが解像していること参照）。
　一般に、感度曲線は、照射エネルギー量Ｅと膜厚との関係から作成される。膜厚は現像後の膜厚ｄを塗布膜厚ｄ０で規格化し残膜率ｄ／ｄ０で表示し、Ｅは通常単位面積当たりのエネルギー量Ｅで表示する。横軸にはｌｏｇ１０Ｅを取る。
　感度曲線は、ポジ型レジストの場合、未露光部の現像後の膜厚を１００％とした規格化膜厚としてグラフにしたものである。感度曲線は、ネガ型レジストの場合、パターン形成に最適な露光量よりも十分に大きい露光量で露光した部分の膜厚を１００％とする。
　感度曲線の傾きからγ値を算出できる。
　ポジ型レジストの場合、γ値は、規格化膜厚が０（Ｄ０）から８０％（Ｄ８０）の間の傾きとする。
　ポジ型レジストの場合、γ＝０．８／ｌｏｇ１０（Ｄ０／Ｄ８０）で表される。
　γ値が大きいほど感度曲線の傾きが垂直に近づき、コントラストが高い。
　γ値が低すぎると、レジストパターンのエッジのラフネスやＣＤ分布に悪影響を与える。これを回避する観点から、γ値は１０以上であることが好ましい。
　ネガ型レジストの場合、γ＝０．２／ｌｏｇ１０（Ｄ７０／Ｄ5０）で表される。
　なお、γ値は感度に影響しない。
　本発明においては、反射型マスクを作製する際に、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ～１００ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティが、デザインルールにおいてＤＲＡＭ　ｈｐ（ハーフピッチ）３２ｎｍ世代で要求される４．８ｎｍ以下を達成できるようなγ値が３０以下のレジストを意図的に設計し作製して使用することを特徴とする。さらに、１：１のラインアンドスペースパターンの設計寸法が５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティが、デザインルールにおいてＤＲＡＭ　ｈｐ２３ｎｍ世代で要求される３．４ｎｍ以下を達成できるγ値が２５以下のレジストがより好ましい（構成３）。γ値が２０以下であるとさらに望ましい。
　詳しくは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、高コントラスト及び高解像性を意図して一般的に用いられるγ値が大きい高コントラストの化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成する場合においては、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクやバイナリマスクブランクにおけるＣｒ系遮光膜上のレジスト膜に対する場合と比較して、後方散乱が多く生じるため、レジスト膜中に蓄積するエネルギーが減少してしまい、特にパターンエッジ部分での蓄積エネルギーのコントラストが悪化し、これに基づきレジストパターンのＣＤリニアリティが低下してしまう。このような課題に対し、本願発明は、反射型マスクブランクにおける吸収体膜上に、このような課題を解決できるように、意図的にγ値が小さく低コントラストとなるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成することを特徴とする。
　化学増幅型レジストは、γ値が大きい高コントラスト（感度曲線が垂直に近く、露光感度の幅が非常に小さい）ことが特徴であるが、本発明では、あえてγ値が小さく低コントラスト（感度曲線の傾きをゆるくし、露光感度に幅を持たせる）となるように設計し作製した化学増幅型レジストを用い電子線露光を行ってレジストパターンを形成することによって、上記課題を解決することを特徴とする。
　本発明の反射型マスクブランクは、
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
　前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする（構成２）。
　ここで、露光許容度ＥＬ（Exposure Latitude）は、正規の設計ＣＤが得られるドーズ量に対して、そのドーズ量を１％変動させたときに何ｎｍＣＤが変化するかで表す。横軸にドーズ量をとり、縦軸にＣＤをとったドーズ量－ＣＤのグラフにおいて、ポジ型レジストにホールパターンを形成する場合では、ドーズ量を高くするとＣＤが大きくなり、ドーズ量を小さくするとＣＤが小さくなる、右肩上がりの曲線が得られる。露光許容度ＥＬは、この曲線の傾きで表わされる。
　露光許容度ＥＬは、０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることが好ましい。また、露光許容度ＥＬは、近接効果補正のため、０．５ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以上であることが好ましい。
　後述するように、電子線描画用レジストのコントラスト値γが小さくなるに従い、露光許容度ＥＬの値も小さくなる傾向がみられる。したがって、露光許容度ＥＬが上記範囲であると、構成１と同様に、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下しても、ＣＤリニアリティを良好にすることが可能となる。
　本発明では、電子線描画用レジストは、コントラスト値γが３０以下であり、かつ、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である場合が含まれる。
　なお、露光許容度ＥＬは感度に影響しない。
　本発明において、前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクである場合が含まれる（構成４）。
　上述したように、ＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクにおいては、多層反射膜によって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する光の影響が大きいため、本願課題が特に問題となる。
　なお、本発明の反射型マスクブランクを用いて製造される反射型マスクは、ＥＵＶ光（波長０．２～１００ｎｍ程度）を露光光として用いるＥＵＶリソグラフィに特に好適であるが、他の短波長の露光光に対しても適宜用いることは可能である。
　本発明において、前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなる場合が含まれる（構成５）。
　上述したように、ＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクにおいては、レジスト膜下層の吸収体膜がＣｒやＭｏよりも原子量の大きいタンタル（Ｔａ）であることによって後方散乱されて再びレジスト膜に入射する光の影響も原因の一つであると考えられ、本願課題が問題となる。
　吸収体膜の材料等に関しては後述する。
　本発明において、前記多層反射膜の層数は、１０周期以上である場合が含まれる（構成６）。
　前記多層反射膜の層数が１０周期（１０ペア）以上であると、本願課題が特に問題となる。
　前記多層反射膜の層数は、反射率の観点から、４０～６０周期（ペア）であることが好ましい。前記多層反射膜の膜厚は、例えば、２８０～４２０nmであることがより好ましい。
　多層反射膜の材料等に関しては後述する。
　本発明において、前記電子線描画用レジスト膜が化学増幅型レジストからなる場合が含まれる（構成７）。
　上述したように、微細パターンを形成するために、γ値が大きい高コントラストの電子線描画用の化学増幅型レジスト膜が用いられている。また、この場合に本願課題が特に問題となる。
　前記レジスト膜の膜厚は、５０～２００nmであることが好ましく、１００～１５０nmであることがより好ましい。
　なお、非化学増幅型レジストでは、５０ｋｅＶ以上で露光（適正なドーズ量で描画）でき、高コントラストなレジストは得られ難い。これは、化学増幅型レジストでないと、高コントラストは得られ難いからである。なお、フォトレジストでは、電子線の後方散乱の課題が生じない。
　本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
　前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする（構成８）。
　このような構成によると、上記と同様の効果が得られる。
　本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、
　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
　前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする（構成９）。
　このような構成によると、上記と同様の効果が得られる。
　本発明において、前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下である場合が含まれる（構成１０）。
　レジスト膜をより低コントラストにすることによって、ＣＤリニアリティをさらに良好にすることが可能となる。
　本発明において、前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光する場合が含まれる（構成１１）。
　加速電圧が大きいほど後方散乱が大きくなる。電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上であると、本願課題が特に問題となる。
　本発明の反射型マスクは、
　上記構成１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする（構成１２）。
　本発明の反射型マスクとしては、以下のような態様が挙げられる。
（１）基板上に形成された多層反射膜上にバッファ膜が形成され、このバッファ膜上に所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がパターニングされていないタイプの反射型マスク）。
（２）基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有するバッファ膜と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がパターニングされているタイプの反射型マスク）。
（３）基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク（バッファ膜がないタイプの反射型マスク）。
　本発明において、多層反射膜は、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０～６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
　例えば、波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
　本発明において、多層反射膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＳｉ膜を成膜し、その後Ｍｏターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜し、これを一周期として、４０～６０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜する。
　なお、本発明では、多層反射膜とバッファ膜との間、あるいは、多層反射膜と吸収体膜との間（バッファ膜を有していない場合）に、例えばルテニウム（Ｒｕ）又はその化合物等の材料からなる保護膜を設けてもよい。この保護膜を有することにより、バッファ膜や吸収体膜のパターン形成時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止され、露光光反射率の低下を防止できる。なお、上記ルテニウム化合物としては、例えば、RuNb、RuZr等が挙げられる。
　本発明においては、上記多層反射膜と吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファ膜を形成してもよい。かかるバッファ膜を形成することにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止される。とりわけ、クロムを含有するクロム系材料からなるバッファ膜は高い平滑性が得られるため、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られ、パターンぼけを減少できる。
　本発明においては、クロム系バッファ膜の材料としては、特にクロム（Ｃｒ）の窒化物を含む材料が好ましく挙げられる。また、バッファ膜の膜密度が５．０～９．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。クロムの窒化物を含むバッファ膜の膜密度が５．０～９．０ｇ／ｃｍ３であることにより、バッファ膜のＥＵＶ光に対する吸収効果を高められ、吸収体膜の薄膜化を図ることができ、Shadowing効果による転写対象物に転写したときのパターン線幅の太りを低減できるという効果を奏する。
　本発明において、バッファ膜は、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ法以外に、イオンビームスパッタ等のスパッタ法で上記多層反射膜上に形成することができる。
　なお、バッファ膜の膜厚は、たとえば集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、２０～６０ｎｍ程度とするのが好ましいが、ＦＩＢを用いない場合には、５～１５ｎｍ程度とすることができる。
　本発明において、吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するものであれば良い。
　上述したように、本発明において、前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなる場合が含まれる。
　タンタルを含む材料としては、特にＴａの単体またはＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。Ｔａを主成分とする材料は、たとえばＴａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
　Ｔａを主成分とする材料としては、例えばＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、等を好適に用いることができる。Ｔａに例えばＢを加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
　上記吸収体膜の膜厚については、露光光であるＥＵＶ光に対する遮光性が十分に得られる厚みであればよいが、通常３０～１００ｎｍ程度である。
　また、本発明の反射型マスクブランクのより好ましい実施の形態は、前記吸収体膜が、最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造となっており、前記最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０～１１．０ｇ／ｃｍ３であり、前記下層は、タンタル（Ｔａ）を含む材料で形成され、膜密度が１１．０～１６．０ｇ／ｃｍ３である反射型マスクブランクである。
　このような本発明のより好ましい実施の形態に係る反射型マスクブランクによれば、以下の効果を有する反射型マスクブランクおよびそれを用いて製造される反射型マスクが得られる。
（１）すなわち、吸収体膜は、最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造とし、前記最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度の低い、ＥＵＶ露光光が透過しやすい材料を選定し、前記下層は、タンタル（Ｔａ）を含む材料で形成され、特に膜密度の高い材料を選定したことにより、主として下層でＥＵＶ露光光に対する充分な遮光性能を確保しつつ、最上層ではＥＵＶ露光光に対する表面反射を抑制することができ、ＥＵＶ露光光に対するマスクコントラストを向上させた反射型マスクを得ることができる。
　つまり、最上層におけるマスク使用時の露光光透過率を高めて表面反射を抑制するとともに、露光光であるＥＵＶ光に対するマスクコントラストを向上させることができ、微細パターンを高精度でパターン転写を行える。
（２）最上層の膜密度を下層の膜密度より低くし、最上層でのＥＵＶ露光光の透過率を高めることにより、最上層を通過し、下層で反射された露光光と、多層反射膜で反射された露光光との間で干渉効果を高めることができ、吸収体膜のパターンエッジ部分での位相シフト効果を生じさせて、パターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させることができる。その結果、高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクを得ることができる。
　本発明における上記吸収体膜の最上層は、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０～１１．０ｇ／ｃｍ３である。特に好ましくは、膜密度が７．０～９．０ｇ／ｃｍ３の範囲である。なお、膜密度が６．０ｇ／ｃｍ３未満であると、下層との界面の反射が強くなることと、ＥＵＶ光の吸収が殆ど出来なくなるためコントラストが稼げなくなるという問題を生じる。一方、膜密度が１１．０ｇ／ｃｍ３より高いと、ＥＵＶ露光光の透過率が低くなり、最上層での露光光に対する表面反射を抑制する効果が低減するという問題を生じる。
　Ｔａの酸化物、窒化物、酸窒化物、または炭化物の代表的な化合物例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＮ、ＴａＣＮ、ＴａＣ等が挙げられる。また、上記吸収体膜の最上層を形成する材料は、さらにホウ素（Ｂ）を含有していてもよい。Ｂを含有することにより、膜のアモルファス性、表面平滑性をより向上することができる。代表的な化合物例としては、例えば、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣ、ＴａＢＣＮ等が挙げられる。
　なお、前述の単層の吸収体膜、上述の積層構造の吸収体膜の最上層、下層はいずれも、必ずしも全体が均一な組成でなくてもよく、例えば膜厚方向で組成が異なるように組成傾斜させてもよい。組成傾斜させる場合、含有する元素の組成が連続的に異なるようにしてもよいし、或いは組成が段階的に異なるようにしてもよい。
　本発明において、基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０－７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、アモルファスガラス、セラミック、金属の何れでも使用できる。例えばアモルファスガラスであれば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、石英ガラス、結晶化ガラスであれば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等を用いることが出来る。金属基板の例としては、インバー合金（Ｆｅ－Ｎｉ系合金）などが挙げられる。また、単結晶シリコン基板を使用することもできる。
　本発明において、基板は、高反射率及び高転写精度を得るために、高い平滑性と平坦度を備えた基板が好ましい。特に、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面（１０μｍ角エリアでの平滑性）と、１００ｎｍ以下の平坦度（１４２ｍｍ角エリアでの平坦度）を有することが好ましい。また、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
　なお、平滑性を示す単位Ｒｍｓは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。また平坦度は、ＴＩＲ（Total Indicated Reading）で示される表面の反り（変形量）を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
　次に、実施の形態について説明する。
　図８は本発明の反射型マスクブランクの一実施の形態及びこのマスクブランクを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。
　本発明の反射型マスクブランクの一実施の形態としては、図８（ａ）に示すように、基板１上に多層反射膜２が形成され、その上にバッファ膜３及び、下層４ａと最上層４ｂの積層構造からなる吸収体膜４の各層が形成された構造をしている。また、吸収体膜４の上面にレジスト膜５を有している。
　なお、図８に示す実施の形態では、反射型マスクブランク１０は以上の如く構成され、バッファ膜を有しているが、吸収体膜４へのパターン形成の方法や形成したパターンの修正方法によっては、このバッファ膜を設けない構成としてもよい。
　次に、この反射型マスクブランク１０を用いた反射型マスクの製造工程を説明する。　反射型マスクブランク１０（図８（ａ）参照）の各層の材料及び形成方法については上述した通りである。
　そして、この反射型マスクブランク１０の吸収体膜４に所定の転写パターンを形成する。まず、吸収体膜４上のレジスト膜５に対して、電子線描画機を用いて所定のパターン描画を行い、これを現像して、所定のレジストパターン５１を形成する（同図（ｂ）参照）。
　形成されたレジストパターン５１をマスクとして、吸収体膜４の最上層４ｂ及び下層４ａをドライエッチングして、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターン（最上層パターン４１ｂと下層パターン４１ａの積層パターン）を形成する（同図（ｃ）参照）。吸収体膜４の最上層４ｂ及び下層４ａはいずれもＴａを主成分とする材料からなる場合、塩素ガスまたはフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
　なお、最上層パターン４１ｂ上に残ったレジストパターン５１は酸素プラズマアッシングやオゾン水等を用いて除去する。
　通常はここで、吸収体膜パターン（下層パターン４１ａと最上層パターン４１ｂの積層パターン）が設計通りに形成されているかどうかの検査を行う。パターン検査に用いる検査光が吸収体膜パターンが形成されたマスク上に入射され、最上層パターン４１ｂ上で反射される検査光と、吸収体膜４が除去されて露出したバッファ膜３で反射される検査光とを検出し、そのコントラストを観察することによって、検査を行う。
　このようにして、例えば、除去されるべきでない吸収体膜４が除去されたピンホール欠陥（白欠陥）や、エッチング不足により一部が除去されずに残っているエッチング不足欠陥（黒欠陥）が検出された場合には、これを修正する。
　ピンホール欠陥の修正には、例えば、ＦＩＢアシストデポジション法により炭素膜等をピンホールに堆積させるなどの方法がある。また、エッチング不足による欠陥の修正には、ＦＩＢ照射による不要部分の除去を行うなどの方法がある。このとき、バッファ膜３は、ＦＩＢ照射に対して、多層反射膜２を保護する保護膜となる。
　こうして、パターン検査及び修正が終えた後、露出したバッファ膜３を吸収体膜パターンに従って除去し、バッファ膜にパターン３１を形成して、反射型マスク２０を作製する（同図（ｄ）参照）。ここで、例えばＣｒ系材料からなるバッファ膜の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることができる。バッファ膜を除去した部分では、露光光の反射領域である多層反射膜２が露出する。
　なお、上述のバッファ膜を除去しなくても必要な反射率が得られる場合には、バッファ膜を吸収体膜と同様のパターン状に加工せず、多層反射膜上に残すことも可能である。
　最後に、仕様通りの寸法精度で吸収体膜パターンが形成されているかどうかの最終的な確認の検査を行う。
　以下、実施例に基づき、本発明をさらに具体的に説明する。
（反射型マスクブランクの作製）
　使用する基板は、SiO2-TiO2系のガラス基板（６インチ角、厚さが６．３ｍｍ）である。この基板の熱膨張係数は０．２×１０－７／℃、ヤング率は６７ＧＰａである。そして、このガラス基板は機械研磨により、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
　基板上に形成される多層反射膜は、１３～１４ｎｍの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜周期多層反射膜を採用した。即ち、多層反射膜は、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。Ｓｉ膜を４．２ｎｍ、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ、これを一周期として、４０周期積層した後、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その上にさらに保護膜としてＲｕ膜を２．５ｎｍに成膜した。
　このようにして多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で反射率を測定したところ、反射率は６３％であった。
　次に、上述のように得られた多層反射膜付き基板の保護膜上に、バッファ膜を形成した。バッファ膜は、窒化クロム膜を２０ｎｍの厚さに形成した。Ｃｒターゲットを用いて、スパッタガスとしてアルゴン（Ar）と窒素（N2）の混合ガスを用いてDCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。成膜されたCrNx膜において、窒素（N）は10at%（ｘ＝０．１）とした。なお、成膜されたCrNx膜の膜密度は、７．０ｇ／ｃｍ３であった。膜密度の測定は、低角ＥＵＶ反射光強度測定によって行った。
　次に、このバッファ膜上に、吸収体膜の下層として、TaとBとNを含む材料を５０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に窒素（N2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。なお、成膜したTaBN膜の組成比は、Taが５９at%、Bが２１at%、Nが２０at%であった。
　続いて、吸収体膜の最上層として、TaとBとOを含む材料を２０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に酸素（O2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。なお、成膜したTaBO膜の組成比は、Taが４３at%、Bが８at%、Oが４９at%であった。
　なお、成膜したTaBN膜（下層）の膜密度は、１３．５ｇ／ｃｍ３であり、成膜したTaBO膜（最上層）の膜密度は、９．２ｇ／ｃｍ３であった。膜密度の測定は、上記の方法によって行った。
　また、上記最上層のTaBO膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で透過率を測定したところ、０．８％であった。
　以上のようにして反射型マスクブランクを複数作製した。
　次に、上記で得られた反射型マスクブランク上に、下記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ～Ｅを各々形成した。レジスト膜Ａ～Ｅの膜厚は、１００ｎｍとした。このようにして得られたレジスト膜付きの反射型マスクブランクに対して、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
化学増幅型レジストＡ：コントラスト値γ＝８０
化学増幅型レジストＢ：コントラスト値γ＝３３
化学増幅型レジストＣ：コントラスト値γ＝２７
化学増幅型レジストＤ：コントラスト値γ＝１２
化学増幅型レジストＥ：コントラスト値γ＝１１
（評価）
　ラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）のレジストパターンのＣＤリニアリティを図３に示す。
　図３において、各レジストに関し左側の棒線（左肩上がりの斜線を施した棒線）は、限界解像の影響を受けにくい大きなパターン（５００ｎｍ～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターン）で比較した場合であり、この条件によると、反射型マスクブランク上では、コントラスト値γが小さくなることにより、ＣＤリニアリティが良くなる傾向があることがわかる。コントラスト値γが３０以下であるレジストＣ，Ｄ，Ｅでは、デザインルールがＤＲＡＭ　ｈｐ３２ｎｍで要求される４．８ｎｍ以下のＣＤリニアリティを満たすことがわかる。
　図３において、各レジストに関し右側の棒線は、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンで比較した場合である。この条件によると、反射型マスクブランク上では、コントラスト値γが２５以下であるレジストＤ、Ｅでは、デザインルールがＤＲＡＭ　ｈｐ２３ｎｍで要求される３．４ｎｍ以下のＣＤリニアリティを十分に満たすことがわかる。
　化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅに関し、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンのパターンサイズ（ｎｍ）と、ＣＤリニアリティ（ｎｍ）との関係を、図４に示す。
　図５に、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅと、露光許容度ＥＬ（ｎｍ／％Ｄｏｓｅ）との関係を示す。このとき５００ｎｍの設計パターンで比較した。
　図５に示すように、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅのコントラスト値γが小さくなるに従い、露光許容度ＥＬの値も小さくなる傾向がみられる。これによると、レジストＣ，Ｄ，Ｅでは、露光許容度ＥＬが０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下を満たしていることがわかる。
　化学増幅型レジストＡは、５００ｎｍのホールパターンを解像し、３００ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＡは、７０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）パターンを解像し、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＡは、５００～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１０．５ｎｍであり、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１７．７ｎｍである。
　化学増幅型レジストＢは、１２５ｎｍのホールパターンを解像し、１００ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＢは、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＢは、５００～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは５．０ｎｍであり、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは７．７ｎｍである。
　化学増幅型レジストＣは、１００ｎｍのホールパターンを解像し、８０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＣは、６０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＣは、５００～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは３．９ｎｍであり、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは６．６ｎｍである。
　化学増幅型レジストＤは、６０ｎｍのホールパターンを解像し、５０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＤは、５０ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、４５ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＤは、５００～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは１．１ｎｍであり、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは１．５ｎｍである。
　化学増幅型レジストＥは、８０ｎｍのホールパターンを解像し、７０ｎｍのホールパターンは解像できない。化学増幅型レジストＥは、４５ｎｍのＬ＆Ｓパターンを解像し、４０ｎｍのＬ＆Ｓパターンは解像できない。化学増幅型レジストＥは、５００～１００ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンに関し、レジストパターンのＣＤリニアリティは０．７ｎｍであり、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のレジストパターンのＣＤリニアリティは０．７ｎｍである。
　上記のように、コントラスト値γが小さくなることにより、解像性能（最小解像寸法）が向上し、ＣＤリニアリティが向上することがわかる。
（反射型マスクの作製）
　上記で得られた複数の反射型マスクブランク上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ～Ｅを各々形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを、上記と同様にして形成した。
　次に、このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いて吸収体膜の最上層及び下層をドライエッチングし、吸収体膜に下層と最上層の積層パターンからなる転写パターンを形成した。
　さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上（吸収体膜のパターンのない部分）に残存しているバッファ膜を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、表面にRu保護膜を備えた多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。
　得られた反射型マスクの最終確認検査を行ったところ、化学増幅型レジストＤ、Ｅを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ　ｈｐ２３ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できていることが確認できた。化学増幅型レジストＣを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ　ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できていることが確認できた。化学増幅型レジストＡ、Ｂを用いた場合では、デザインルールがＤＲＡＭ　ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できなかった。
（参考例）
　膜厚が６９ｎｍのＭｏＳｉ系位相シフト膜上に膜厚が４８ｎｍのＣｒ系遮光膜を有する複数のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記Ｃｒ系遮光膜上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ａ、Ｂを各々形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
　膜厚が６０ｎｍのＭｏＳｉ系遮光膜を有するバイナリマスクブランクの前記ＭｏＳｉ系遮光膜上に、上記に示す電子線描画用レジスト膜Ｅを形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。電子線の加速電圧は５０ｋｅＶとした。
　化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅに関し、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＬ＆Ｓパターンのパターンサイズ（ｎｍ）と、ＣＤリニアリティ（ｎｍ）との関係を、図６に示す。いずれのレジストにおいても、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲でＣＤリニアリティ（ｎｍ）は良好である。
　図７において、各レジストに関し右側の棒線（右肩上がりの斜線を施した棒線）は、図６の結果、即ちハーフトーン型位相シフトマスク又はバイナリマスクブランク上に形成されたレジストパターンに関し、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティ（ｎｍ）の範囲を示す。レジストＡ、Ｂ、ＥのＣＤリニアリティは、各々２．８ｎｍ、３．６ｎｍ、１．８ｎｍで良好である。
　図７において、各レジストに関し左側の棒線は、図３の右側の棒線、即ち反射型マスクブランク上に形成されたレジストパターンに関し、５００ｎｍ～７０ｎｍの範囲のＣＤリニアリティ（ｎｍ）の範囲を示す。
　図７から、ハーフトーン型位相シフトマスク又はバイナリマスクブランク上であれば、言い換えると反射型マスクブランク上でなければ、化学増幅型レジストＡ、Ｂ、Ｅはいずれも良好なＣＤリニアリティが得られることを示している。ＣＤリニアリティの低下は反射型マスクブランク上に特有な現象である。
１　基板
２　多層反射膜
３　バッファ膜
４　吸収体膜
４ａ　下層
４ｂ　最上層
５　レジスト膜
１０　反射型マスクブランク
２０　反射型マスク

Claims (12)

  1. 　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
    　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
    　前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
  2. 　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
    　前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
    　前記電子線描画用レジスト膜の露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
  3. 　前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の反射型マスクブランク。
  4. 　前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
  5. 　前記吸収体膜は、タンタルを含む材料からなることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
  6. 　前記多層反射膜の層数は、１０周期以上であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
  7. 　前記レジスト膜が化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
  8. 　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
    　前記吸収体膜上に、コントラスト値γが３０以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
    　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
    を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
  9. 　基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクを準備する工程と、
    　前記吸収体膜上に、露光許容度が０．７ｎｍ／％Ｄｏｓｅ以下である電子線描画用レジスト膜を設ける工程と、
    　電子線描画によってレジストパターンを形成する工程と、
    を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
  10. 　前記レジスト膜のコントラスト値γが２５以下であることを特徴とする請求項８又は９に記載の反射型マスクの製造方法。
  11. 　前記電子線描画において、電子線の加速電圧が５０ｋｅＶ以上で露光することを特徴とする請求項８～１０のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
  12. 　請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記吸収体膜をパターニングして製造されたことを特徴とする反射型マスク。
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