WO2011132452A1 - 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

　各絵素電極（７）は、各トランジスタ素子（１８）のドレイン電極（１８Ｄ）に電気的に接続され、絵素電極（７）の形成層およびデータ信号線（ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・）の形成層は、走査信号線（ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・）の形成層より上層に形成され、絵素電極（７）と走査信号線（ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・）とは、平面視において重なるように形成され、絵素電極（７）と走査信号線（ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・）とが重なっている部分において、絵素電極（７）に切り欠き部７ａ・７ｂが形成され、シールド電極（４ａ・４ｂ）は、データ信号線（ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・）の形成層で形成され、かつ、切り欠き部（７ａ・７ｂ）の走査信号線（ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・）の一部とは、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられている。したがって、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現できる。

Description

液晶表示パネルおよび液晶表示装置

　本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関し、特には、１絵素を複数のドメインに分割させ、液晶分子を多方向に配向できる液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。

　近年、ブラウン管（ＣＲＴ）に代わり急速に普及している液晶表示装置は、省エネ型、薄型、軽量型等の特徴を活かしテレビ、モニター、携帯電話等に幅広く利用されている。

　特に、最近においては、駆動電源として限られた容量を有するバッテリーと、表示手段として液晶表示装置とを備えた、いわゆるモバイル機器が増加している。

　これらのモバイル機器においては、限られた容量を有するバッテリーが駆動電源として用いられているため、モバイル機器の連続駆動時間をより長くするためには、液晶表示装置の消費電力の低減が、より一層重要視されるようになっている。

　そこで、液晶表示装置に備えられた液晶表示パネルの開口率および透過率を上げ、その分、バックライトの光量を削減し、結果として液晶表示装置の低消費電力化を実現する技術が注目されている。

　液晶表示装置において、従来から最も一般的に使用されて来たのが、正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード方式である。しかしながら、このＴＮモード方式の液晶表示装置のコントラストや色調などの画質は、上記液晶表示装置を正面方向から見た場合に比べて、上下左右の斜め方向から見た場合に、著しく劣るという問題がある。

　すなわち、上記ＴＮモード方式の液晶表示装置は、画質の視野角依存性が大きいため、正面方向以外からの観賞が想定される用途には不向きである。

　このような画質の視野角依存性を改善した液晶表示装置としては、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置などが知られている。

　例えば、上記ＭＶＡモードの液晶表示装置においては、液晶層を挟持する一対の基板の少なくとも一方における上記液晶層と接する面には、配向分割手段として突起物や切り欠き部を有する透明電極の何れか、または、これらの組み合わせが設けられており、これにより、各絵素内において、液晶分子が配向される方向がそれぞれ異なる領域を形成し、広視野角特性を実現している。

　図１１は、複数のサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃと切り抜き領域Ｒ１とを有する絵素電極１６０を備えたアクティブマトリクス基板と、リブ（リベット）または、切り欠き部を備えた対向基板とを備えた従来の液晶表示装置１１０の概略構成を示す。

　図示されているように、横長の絵素１１４は、その長辺方向において、ほぼ均等に３個のサブピクセル１１５ａ・１１５ｂ・１１５ｃに分けられており、絵素電極１６０も、上記サブピクセル１１５ａ・１１５ｂ・１１５ｃに対応して、ほぼ均等な大きさの３個のサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃに分割されている。

　また、サブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃは、ほぼ正方形に形成されており、サブピクセル電極１６３ａとサブピクセル電極１６３ｂとの間、および、サブピクセル電極１６３ｂとサブピクセル電極１６３ｃとの間には、絵素電極１６０が切り抜かれた領域である、切り抜き領域Ｒ１が形成されている。

　そして、ゲート電極１５２、ソース電極１５４およびドレイン電極１５６を備えたＴＦＴ１５０は、各絵素１１４毎に設けられており、サブピクセル電極１６３ａは、コンタクトホール１６８を介してＴＦＴ１５０のドレイン電極１５６と電気的に接続されている。

　さらに、上記切り抜き領域Ｒ１により分け隔てられたサブピクセル電極１６３ａとサブピクセル電極１６３ｂとは、サブピクセル電極接続部１６５によって電気的に接続されており、同様に、上記切り抜き領域Ｒ１により分け隔てられたサブピクセル電極１６３ｂとサブピクセル電極１６３ｃとも、サブピクセル電極接続部１６５によって電気的に接続されている。

　したがって、図示されているように、３個のサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃは、何れもコンタクトホール１６８を介してＴＦＴ１５０のドレイン電極１５６と電気的に接続されている構成となっている。

　なお、横長の絵素１１４の下部領域には、図中のＸ方向（横方向）にゲート電極１５２と電気的に接続された走査信号線１３２が形成されており、絵素１１４のほぼ中央領域には、上記走査信号線１３２と平行な方向に、ゲート電極１５２と同一層によって形成された蓄積容量線１３６が形成されており、絵素１１４の左端領域には、図中のＹ方向（縦方向）にソース電極１５４と電気的に接続されたデータ信号線１３５が形成されている。さらに、上記蓄積容量線１３６と平面視において、重なるように、絶縁層を介してドレイン電極１５６と電気的に接続された蓄積容量対向電極１４０が形成されている。

　一方、対向基板側には、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板とを組み合わせた時に、サブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃの略中央に位置するようにリブ１００ａ（リベット）または、切り欠き部が備えられている。

　上記構成によれば、上記アクティブマトリクス基板および上記対向基板に配向分割手段が備えられている構成であるため、広視野角特性を有する液晶表示装置を実現することができる。

　しかしながら、図１１に図示されているように、走査信号線１３２は、隣接する絵素電極１６０の間に設けられており、横長の絵素１１４を有する液晶表示装置１１０においては、上記走査信号線１３２と上記絵素電極１６０とが近接する距離が長くなっている。したがって、液晶表示装置１１０においては、上記走査信号線１３２と上記絵素電極１６０とが互いに面する領域Ｒ４０で斜め電界が生じ、この領域においては、液晶分子の配向乱れが生じるため、光漏れが発生し、これに起因して、ざらつきや表示ムラなどが発生しやすくなるという問題がある。

　したがって、特許文献１には、図１２に図示されているように、液晶分子の配向乱れを引き起こす走査信号線１３２の電界をシールドできるように、絵素１１４のほぼ中央領域に、走査信号線１３２を配置し、絶縁層を介して形成したサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃとサブピクセル電極接続部１６５とで上記走査信号線１３２を覆うことにより、上記走査信号線１３２の電界をシールドできる構成について開示されている。

　上記構成によれば、液晶分子の配向乱れを抑制でき、広視野角特性を有するとともに、表示品位の向上された液晶表示装置を実現することができると記載されている。

国際公開特許公報「ＷＯ２００９/１３０８１９号公報（２００９年１０月２９日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００７－１２８０９４号公報（２００７年５月２４日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００６－５８７３７号公報（２００６年３月２日公開）」

　しかしながら、上記特許文献１に記載されている構成においては、走査信号線１３２の電界をシールドするため、サブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃと、上記サブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃと同一層によって形成された電極接続部１６５とが用いられているため、上記電極接続部１６５を設ける位置は、走査信号線１３２上に限定される。

　また、上記構成によれば、図１２に図示されているように、液晶表示装置１１０ａの透過率を考慮し、走査信号線１３２と上記対向基板側に設けられたサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃの配向分割手段であるリブ１００ａ（リベット）または、切り欠き部とは、平面視において重なるように配置されている。

　したがって、サブピクセル電極１６３ａとサブピクセル電極１６３ｂとを電気的に接続する電極接続部１６５と、サブピクセル電極１６３ｂとサブピクセル電極１６３ｃとを電気的に接続する電極接続部１６５とは、上記対向基板側に設けられたサブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃの配向分割手段であるリブ１００ａ（リベット）または、切り欠き部を繋ぐ仮想直線上に形成されることとなる。

　上記構成によれば、上記電極接続部１６５を設ける位置は、走査信号線１３２上に限定されるため、サブピクセル電極１６３ａ・１６３ｂ・１６３ｃと上記電極接続部１６５とからなる上記絵素電極１６０の形状は限定され、切り抜き領域Ｒ１の形状も限定される。したがって、液晶分子の配向分割において、最適化された形状の上記絵素電極１６０の切り抜き領域Ｒ１を形成できないという問題がある。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルと液晶表示装置とを提供することを目的とする。

　本発明の液晶表示パネルは、上記の課題を解決するために、複数の走査信号線と、上記走査信号線と交差する複数のデータ信号線と、上記走査信号線および上記データ信号線に電気的に接続された複数のトランジスタ素子とを備えた第１の絶縁基板と、上記第１の絶縁基板に対向するように形成された第２の絶縁基板と、上記第１の絶縁基板と上記第２の絶縁基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記トランジスタ素子が、上記第１の絶縁基板上にマトリクス状に配された複数の各絵素毎に備えられた液晶表示パネルであって、上記各絵素に対応して設けられた各絵素電極は、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、上記絵素電極の形成層および上記データ信号線の形成層は、上記走査信号線の形成層より上層に形成され、上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、上記絵素電極と上記走査信号線とは、平面視において重なるように形成され、上記絵素電極と上記走査信号線とが重なっている部分において、上記絵素電極に切り欠き部が形成されており、シールド電極は、上記データ信号線の形成層で形成されており、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部とは、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられていることを特徴としている。

　上記構成によれば、上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、上記絵素電極と上記走査信号線とは、平面視において重なるように形成されている。すなわち、上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、上記走査信号線は、上記走査信号線より上層である上記絵素電極によって覆われているため、上記走査信号線の走査信号による電界の影響による液晶分子の配向の乱れを抑制できる構成となっている。

　また、上記各絵素における液晶分子の配向分割手段である上記絵素電極の切り欠き部において、上記絵素電極によって覆われてない上記走査信号線の一部と、上記走査信号線より上層である上記データ信号線の形成層で形成されている上記シールド電極とは、平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている構成である。

　したがって、上記構成によれば、上記絵素電極とは異なる信号が供給される上記走査信号線の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを、上記絵素電極および上記データ信号線の形成層で形成されている上記シールド電極によって、抑制する構成となっている。

　また、上記構成によれば、上記切り欠き部において上記シールド電極が形成されている領域においては、上記走査信号線による配向乱れ領域を遮光できるため、コントラスト向上、残像の低減等、表示品位が向上する。

　また、上記データ信号線の形成層で形成されている上記シールド電極を用いているため、上記絵素電極を液晶分子の配向分割において、最適化された形状に形成することができる。

　よって、上記構成によれば、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、上記液晶表示パネルを備えていることを特徴としている。

　上記構成によれば、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示装置を実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルは、以上のように、上記各絵素に対応して設けられた各絵素電極は、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、上記絵素電極の形成層および上記データ信号線の形成層は、上記走査信号線の形成層より上層に形成され、上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、上記絵素電極と上記走査信号線とは、平面視において重なるように形成され、上記絵素電極と上記走査信号線とが重なっている部分において、上記絵素電極に切り欠き部が形成されており、シールド電極は、上記データ信号線の形成層で形成されており、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部とは、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられている構成である。

　また、本発明の液晶表示装置は、以上のように、上記液晶表示パネルを備えている構成である。

　それゆえ、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルと液晶表示装置とを実現することができる。

本発明の一実施の形態の液晶表示パネルにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ線の断面図である。 図１に示す液晶表示パネルにおいて、シールド電極が設けられてない場合の平面図である。 本発明の他の一実施の形態の液晶表示パネルにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。 図４に示す液晶表示パネルのデータ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、シールド電極を用いて修復する場合を説明するための図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の液晶表示パネルにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。 図６に示す液晶表示パネルのデータ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、シールド電極を用いて修復する場合を説明するための図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の液晶表示パネルにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。 図８に示す液晶表示パネルのデータ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、最隣接絵素間の境界に設けた電極と対向電極とを用いて修復する場合を説明するための図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の液晶表示パネルにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。 従来の液晶表示装置の概略構成を示す図である。 従来の液晶表示装置の概略構成を示す図である。 修復用の予備配線を表示領域外に設けた従来の液晶表示装置の概略構成を示す図である。

　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

　〔実施の形態１〕
　以下、図１～図３に基づいて、本発明の第１の実施形態について説明する。

　本実施の形態においては、絵素電極構造がＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）構造を有するＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示パネルを例に挙げて説明するが、これに限定されることなく、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式のスリットを有する絵素電極、ＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）およびＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｂｅｎｄ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の櫛歯状絵素電極、フィッシュボーン形状の絵素電極など、絵素形成領域において、絵素電極（または、サブ絵素電極）によって走査信号線が覆いきれず、各絵素において、絵素電極（または、サブ絵素電極）によって、覆われてない走査信号線が存在すれば、本発明を適用することができる。

　なお、上記ＣＰＡ構造とは、各絵素中心に配向規制物が位置するように、例えば、対向基板に備えられた共通電極に突起物や切り欠き部を設け、上記対向基板と対向するように配置されるアクティブマトリクス基板に備えられた絵素電極も上記配向規制物に沿った形状に形成した構成であり、これにより、液晶を上記配向規制物間で、全方位に連続的に配向させる構造をいう。

　また、上記ＴＢＡ方式とは、水平電界で液晶分子を垂直配向させるモードをいう。すなわち、上記ＩＰＳ方式と同様にアクティブマトリクス基板側に櫛歯状の絵素電極と対向電極とが設けられ、水平電界で液晶分子の制御を行うが、上記ＩＰＳ方式のように液晶分子は水平方向に制御されるのではなく、ＶＡ方式のように、垂直方向に制御される方式をいう。

　図２は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１の概略構成を示す図である。

　図示されているように、液晶表示パネル１は、第１の基板（第１の絶縁基板）としてのアレイ基板９と、第２の基板（第２の絶縁基板）としての対向基板１６との間に、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層１７を挟持した構成となっている。

　アレイ基板９には、絶縁性基板としてのガラス基板２と、ガラス基板２上に形成された図示してないＴＦＴ素子（トランジスタ素子）と、上記ＴＦＴ素子のゲート電極に電気的に接続された走査信号線ＧＬｎ＋１と、走査信号線ＧＬｎ＋１と同一層によって形成された補助容量配線ＣＳｎと、走査信号線ＧＬｎ＋１および補助容量配線ＣＳｎ上に形成されたゲート絶縁膜３（第１の絶縁層）と、ゲート絶縁膜３上には、補助容量配線ＣＳｎと平面視において重なるように補助容量対向配線４が、図示されてないデータ信号線と同一層で形成されている。なお、補助容量対向配線４は、図示してないＴＦＴ素子のドレイン電極と電気的に接続されている。

　そして、補助容量対向配線４上に形成された層間絶縁膜５（第２の絶縁層）には、コンタクトホール６が形成されており、層間絶縁膜５上には絵素電極７が形成されており、絵素電極７はコンタクトホール６を介して、補助容量対向配線４と電気的に接続されている。それから、絵素電極７上には、垂直配向膜が形成されている。

　一方、対向基板１６には、絶縁性基板としてのガラス基板１０と、ガラス基板１０上には、ブラックマトリクス１１とカラーフィルター層１２Ｒ・１２Ｇ・１２Ｂとが形成されており、カラーフィルター層１２Ｒ・１２Ｇ・１２Ｂの全面を覆うように共通電極１３が設けられている。

　そして、共通電極１３上には、配向分割手段として突起状構造物である突起部１４を形成しているが、これに限定されることはなく、共通電極１３を切開した切開部（切り欠き部）を配向分割手段として用いることもできる。また、突起部１４の断面形状は、図２に示す形状に限定されず、その断面形状は、例えば、三角形状または、台形状などであってもよい。

　また、本実施の形態においては、対向基板１６に上記配向分割手段を設ける位置を液晶表示パネルの開口率を考慮し、補助容量配線ＣＳｎと補助容量対向配線４とが平面視において重なる部分と少なくとも一部が平面視において重なるように上記配向分割手段を設けているが、これに限定されることはない。

　また、本実施の形態においては、突起部１４は、可視光領域の透過率が高い感光性レジストを用いて所定形状に形成しているが、これに限定されることはない。

　また、本実施の形態においては、アレイ基板９の各絵素毎に設けられた絵素電極７に対して、例えば、赤色・緑色・青色のカラーフィルター層１２Ｒ・１２Ｇ・１２Ｂをガラス基板１０と共通電極１３との間に設けているが、これに限定されることはなく、上記カラーフィルター層１２Ｒ・１２Ｇ・１２Ｂをアレイ基板９側に設けたＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｏｎ　Ａｒｒａｙ）構造としてもよい。

　そして、共通電極１３および突起部１４の液晶層１７と接する側の面には、垂直配向膜１５が形成されている。

　また、図示してないが、アレイ基板９において、液晶層１７と接する側の反対側の面と対向基板１６において、液晶層１７と接する側の反対側の面とには、偏光板がそれぞれ備えられている。

　そして、例えば、透過型の液晶表示装置の場合、以上のような液晶表示パネル１と、液晶表示パネル１に面一状な均一な光を照射するバックライトと、液晶表示パネル１を駆動するための駆動回路や電源回路を備えた構成となっている。

　以下、図１に基づいて、液晶表示パネル１の構成についてさらに詳しく説明する。

　図１は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１における絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　一方、図３は、シールド電極４ａ・４ｂが備えられてない液晶表示パネル１ａにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　なお、図１および図３において、各形成層の上下関係は、絵素電極７を除いた場合の上下関係を図示している。

　図示されているように、液晶表示パネル１には、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・がマトリクス状に配されており、上記各絵素毎に、ＴＦＴ素子１８（ゲート電極１８Ｇ、ソース電極１８Ｓ、ドレイン電極１８Ｄ）が備えられている。

　すなわち、液晶表示パネル１には、図示されているように、複数のデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・と複数の走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・とが設けられており、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・と走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・との各交差部には、ＴＦＴ素子１８が設けられている。

　図示されてないデータ信号線駆動回路から入力された画像信号は、図示されてない走査信号線駆動回路から各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・にハイレベルの走査信号が順次供給され、各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に接続されているＴＦＴ素子１８がＯＮとなった時に、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・に接続されたＴＦＴ素子１８のソース電極１８Ｓを介して、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄに接続された絵素電極７に供給されるようになっている。

　なお、本実施の形態においては、図示されているように、補助容量対向配線４が形成されているため、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄは、補助容量対向配線４と電気的に接続されており、補助容量対向配線４と絵素電極７とが各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・の略中央部分に設けられたコンタクトホール６を介して電気的に接続されている構成となっている。

　なお、本実施の形態においては、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・と平行に形成された複数の補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・と、ゲート絶縁膜３と、補助容量対向配線４とで形成される補助容量を各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・毎に備えた構成としているが、これに限定されることはなく、上記補助容量は、必要に応じて設ければよく、適宜省略することもできる。

　また、本実施の形態においては、図示されているように、絵素電極７の走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・と平行な方向の長さが、絵素電極７のデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・と平行な方向の長さより長く形成されている、いわゆる、横長形状の絵素電極７となっている。

　図示されているように、絵素電極７には、２つの切り欠き部７ａ・７ｂが備えられており、２つの切り欠き部７ａ・７ｂの内の一方７ａは、図中の上方向から切欠かれており、２つの切り欠き部７ａ・７ｂの内の他方７ｂは、図中の下方向から切欠かれている。そして、２つの切り欠き部７ａ・７ｂは何れも絵素電極７が完全に分離されないように、絵素電極７の一部が残るように絵素電極７をパターニングしている。

　そして、図１および図３において、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・に着目してみると、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・が、絵素電極７の２つの切り欠き部７ａ・７ｂにおいて、絵素電極７で覆われてない。

　このように、絵素電極７とは異なる信号が供給される走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の一部が、絵素電極７によって覆われてない構成においては、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の電界の影響による液晶分子の配向の乱れが生じ、液晶表示パネルの表示品位の低下を招いてしまう。

　本実施の形態においては、絵素電極７の２つの切り欠き部７ａ・７ｂにおいて、絵素電極７で覆われてない走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを抑制するため、絵素電極７の２つの切り欠き部７ａ・７ｂにおいて、補助容量対向配線４を絵素電極７で覆われてない走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の箇所まで延設し、補助容量対向配線４と同一層で形成されるシールド電極４ａ・４ｂを設けた構成となっている。

　上記構成によれば、絵素電極７とは異なる信号が供給される走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを、絵素電極７およびデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・（補助容量対向配線４）の形成層で形成されているシールド電極４ａ・４ｂによって、抑制する構成となっている。

　また、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・（補助容量対向配線４）の形成層で形成されているシールド電極４ａ・４ｂを用いているため、絵素電極７を液晶分子の配向分割において、最適化された形状に形成することができる。

　よって、上記構成によれば、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネル１を実現することができる。

　なお、上記構成においては、シールド電極４ａ・４ｂは、絵素電極７が電気的に接続されているＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続されているため、絵素電極７に供給する信号をシールド電極４ａ・４ｂにも供給できるため、より高品位な表示ができる液晶表示パネル１を実現することができる。

　なお、本実施の形態においては、補助容量を設けるため、補助容量対向配線４を形成している構成であるので、シールド電極４ａ・４ｂを補助容量対向配線４を延設して設けているが、上記補助容量を設ける必要がなく、補助容量対向配線４が設けられてない場合などには、絵素電極７の２つの切り欠き部７ａ・７ｂにおいて、絵素電極７によって覆われてない走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の箇所に、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄと同一層で形成され、ドレイン電極１８Ｄと電気的に接続されたシールド電極を設けることもできる。さらには、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄと同一層で形成され、ドレイン電極１８Ｄと電気的に接続されてないシールド電極を設けてもよい。

　また、本実施の形態においては、絵素電極７の２つの切り欠き部７ａ・７ｂの少なくとも一つ、図１および図３に示す切り欠き部７ｂにおいては、切り欠き部７ｂの走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の一部が、絵素電極７と平面視において重なるように、絵素電極７が切り欠かれている。

　上記構成によれば、切り欠き部７ｂの走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の一部は、絵素電極７と平面視において重なるように形成されているので、この分、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・（補助容量対向配線４）の形成層で形成されているシールド電極４ｂの形成面積をシールド電極４ａの形成面積より小さくすることができる。

　したがって、上記構成によれば、シールド電極４ｂと走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・とによって形成される寄生容量を低減できる。

　また、本実施の形態においては、図１および図２に図示されているように、補助容量対向配線４は、少なくとも絵素電極７の切り欠き部７ａ・７ｂにおいては、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・と平面視において重なるように、ゲート絶縁層３を介して、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の形成層と同一層で形成されている。

　上記構成によれば、絵素電極７の切り欠き部７ａ・７ｂ、すなわち、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・における非開口部で、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・とゲート絶縁層３と補助容量対向配線４とで構成される補助容量を確保できる分、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・における絵素電極７の形成領域（各絵素における開口部）においての補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・および補助容量対向配線４の形成面積を小さくすることができる。

　したがって、上記構成によれば、開口率の高い液晶表示パネル１を実現することができる。

　さらに、本実施の形態においては、図示されているように、ＴＦＴ素子１８のゲート電極１８Ｇに対して、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄが平面視において右側にはみ出して重なるようになっている。また、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・の一部に対して、補助容量対向配線４の一部も平面視において右側にはみ出して重なるようになっている。すなわち、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・の一部に対して、補助容量対向配線４がはみ出す方向は、ＴＦＴ素子１８のゲート電極１８Ｇに対する、ドレイン電極１８Ｄのはみ出し方向と同じになるようにすればよい。

　液晶表示パネル１においては、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄ（およびこれに電気的に接続された絵素電極７）と走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・との間の寄生容量Ｃｇｄと、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄ（およびこれに電気的に接続された絵素電極７）とＴＦＴ素子１８のソース電極１８Ｓ（およびこれに電気的に接続されたデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・）との間の寄生容量Ｃｓｄとに起因して、ＴＦＴ素子１８がＯＦＦ（走査信号が非アクティブ化）したときに、絵素電極７の電位が低下する現象が知られている。

　この電位低下量（絶対値）を引き込み電圧（ΔＶ）といい、絵素電極７に供給する信号電位をＳとすると、Ｓ－ΔＶが絵素にかかる実効電位となる。なお、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に供給される走査信号のアクティブ電位をＶＨ、非アクティブ電位をＶＬ、液晶容量をＣｌｃ、補助容量をＣｃｓ、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・とＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄ（およびこれに電気的に接続された絵素電極７）との間の寄生容量をＣｓｄとすれば、引き込み電圧ΔＶ＝Ｃｇｄ×（ＶＨ－ＶＬ）／（Ｃｃｓ＋Ｃｓｄ＋Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ）となる。

　上記構成によれば、配線パターンが設計値からずれて形成された場合に、上記寄生容量Ｃｇｄの変動により生じる引き込み電圧（ΔＶ）を、補助容量Ｃｃｓの変動によって緩和する構成となっている。

　したがって、ゲート電極１８Ｇに対して、ドレイン電極１８Ｄが、右方向にずれて形成された場合、ゲート電極１８Ｇとドレイン電極１８Ｄとの平面視における重なり面積が減少するので、寄生容量Ｃｇｄは小さくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶも小さくなるが、ゲート電極１８Ｇと同一層で形成された補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・の一部と、ドレイン電極１８Ｄと同一層によって形成された上記補助容量対向配線４の一部との平面視における重なり面積も減少するので、補助容量Ｃｃｓは小さくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶは大きくなるので、結果として、引き込み電圧ΔＶの変化を抑制することができるようになっている。

　一方で、ゲート電極１８Ｇに対して、ドレイン電極１８Ｄが、左方向にずれて形成された場合、ゲート電極１８Ｇとドレイン電極１８Ｄとの平面視における重なり面積が増加するので、寄生容量Ｃｇｄは大きくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶも大きくなるが、ゲート電極１８Ｇと同一層で形成された補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・の一部と、ドレイン電極１８Ｄと同一層によって形成された補助容量対向配線４の一部との平面視における重なり面積も増加するので、補助容量Ｃｃｓは大きくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶは小さくなるので、結果として、引き込み電圧ΔＶの変化を抑制することができるようになっている。

　なお、図１は、配線パターンが設計値通り形成された場合を示す。

　また、図１に図示されているように、本実施の形態においては、シールド電極４ａ・４ｂは、ＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続されている補助容量対向配線４から延設され、形成されているため、絵素電極７に供給する信号をシールド電極４ａ・４ｂにも供給できる構成であるので、より高品位な表示ができる液晶表示パネル１を実現することができる。

　さらには、シールド電極４ａ・４ｂは、絵素電極７の切り欠き部７ａ・７ｂにおいて、補助容量対向配線４から延設され、形成されているので、開口率の高い液晶表示パネル１を実現することができる。

　なお、本実施の形態においては、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・における絵素電極７には、切り欠き部７ａ・７ｂを２つ設けた構成としているが、切り欠き部の数や位置や形状などはこれに限定されることなく、適宜変えることができる。

　また、図１における絵素Ｐ（ｎ、ｎ）・・・に着目してみると、走査信号線ＧＬｎ＋１が、走査信号線ＧＬｎと電気的に接続されたＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続されている絵素電極７と平面視において重なる構成となっているが、これに限定されることはなく、例えば、走査信号線ＧＬｎが、走査信号線ＧＬｎと電気的に接続されたＴＦＴ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続されている絵素電極７と平面視において重なる構成としてもよい。

　また、絵素電極７によって覆われてない領域を有するシールド電極４ａ・４ｂを、アレイ基板９のデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の形成層とは、異なる層で形成し、アライメント測定を行う際のアライメントパターンとして用いることもできる。

　なお、本実施の形態においては、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・、補助容量対向配線４は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄなどから選ばれた元素、あるいは前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いて形成することができるが、これらに限定されることはない。

　また、絵素電極７は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）などの導電性材料で形成することができるがこれに限定されることはない。

　なお、本実施の形態においては、ゲート絶縁膜３としては、無機系絶縁膜を用いており、層間絶縁膜５としては、感光性有機絶縁膜を用いているが、これに限定されることはない。

　また、層間絶縁膜５の膜厚は厚く、誘電率は低いことが望ましく、具体的には、層間絶縁膜５の膜厚は例えば、１～３μｍ、誘電率は２～５であることが好ましいがこれに限定されることはない。

　液晶表示パネル１においては、以上のように、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の形成層上には、層間絶縁膜５を介して絵素電極７が形成されているので、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを抑制できるシールド層として、さらに層間絶縁膜５が備えられていることとなるので、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネル１を実現することができる。

　〔実施の形態２〕
　次に、図４、図５および図１３に基づいて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施の形態は、シールド電極４ｃが、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方の補助容量対向配線４から延設され、形成されている点において、実施の形態１とは異なっており、その他の構成については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図４は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１ｂにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　なお、図４においても、各形成層の上下関係は、絵素電極７を除いた場合の上下関係を図示している。

　図示されているように、液晶表示パネル１ｂに備えられたシールド電極４ｃは、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向（図中の上下方向）における最隣接絵素の何れか一方であるＰ（ｎ、ｎ＋１）（図４は、最隣接絵素を上側の絵素とした場合を示す）の補助容量対向配線４から延設され、形成されている構成である。

　すなわち、図４に図示されているように、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）に設けられたシールド電極４ｃは、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方である絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）に設けられた補助容量対向配線４から延設され、形成されている構成である。

　上記構成によれば、各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に対して、同じ走査信号を供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられている液晶表示パネルにおいては、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、最隣接絵素の何れか一方である絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）に設けられた補助容量対向配線４から延設され、形成されたシールド電極４ｃを、上記破線部を有するデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の一部の代わりとして用いることができる構成となっている。

　図５は、液晶表示パネル１ｂのデータ信号線ＳＬｎ＋１の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、シールド電極４ｃを用いて修復する場合を説明するための図である。

　図５において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｘ箇所は、適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。

　図示されているように、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）に備えられたシールド電極４ｃと、走査信号線ＧＬｎ＋１と、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１と、データ信号線ＳＬｎ＋１と、補助容量対向配線４とを用いて、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を修復することができる。

　図５における点線は、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を避けてデータ信号が伝達される経路を示しており、データ信号は、補助容量配線ＣＳｎと、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）における補助容量対向配線４と、走査信号線ＧＬｎ＋１と、シールド電極４ｃと、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）における補助容量対向配線４と、補助容量配線ＣＳｎ＋１とを、介して伝達されるようになっている。

　上記構成によれば、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・内において、シールド電極４ｃおよび各配線を用いて、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の破線部の修復を行うことができるので、図１３に示すような、修復用の予備配線２０１を複数の絵素からなる表示領域２０２外に設けた従来の構成に比較して、信号遅延の影響を低く抑えることができる。

　したがって、液晶表示パネル１ｂにおいては、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１であっても、修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・と同等の充電率を確保できるので、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１に電気的に接続されている絵素と修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・に電気的に接続されている絵素との間においては、輝度差が視認されず、高品位な表示ができる液晶表示パネル１ｂを実現することができる。

　なお、液晶表示パネル１ｂにおいては、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・をレーザーを用いて電気的に接続および切断して修復を行うため、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の切断が生じるため、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の両端には、各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に対して、同じ走査信号を各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の両端から順次供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられている必要がある。

　本実施の形態においては、２つの走査信号線駆動回路をゲートドライバモノリシック（ＧＤＭ）技術を利用し、液晶表示パネル１ｂにモノリシックに形成したが、これに限定されることはなく、上記走査信号線駆動回路は、外付けで液晶表示パネル１ｂに設けられてもよい。

　従来においては、大型液晶表示パネルや高精細な液晶表示パネルまたは、トリプルスキャン構造（横長の絵素をデータ信号線が延設されている方向に並べて一画素を形成する構造）の液晶表示パネルなどにおいては、各絵素への充電時間が短く、また、パネルの負荷（抵抗、容量）が大きい為、修復用の予備配線を表示領域外に設けた場合、信号遅延などにより、修復が不可能な場合が生じ、歩留まりの低下を招いていた。

　一方、上記構成によれば、信号遅延の問題が生じずに、また、パネルの負荷（抵抗、容量）の影響を受けることなく、データ信号線の修復が可能になるため、データ信号線をさらに細く形成することができ、液晶表示パネルの透過率を向上させることができる。また、従来のように、修復用の予備配線を表示領域外に設ける必要がないので、液晶表示パネルの狭額縁化を実現できる。

　〔実施の形態３〕
　次に、図６および図７に基づいて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施の形態は、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・が、絵素電極７の切り欠き部７ａ・７ｂの少なくとも一つにおいては、切り欠き部７ａ・７ｂとは平面視において重ならないように曲げて形成されており、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向の最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界に形成された走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の一部と、上記一方の最隣接絵素の補助容量対向配線４から延設され、形成されたシールド電極４ｄとは、平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている点において、実施の形態１および２とは異なっており、その他の構成については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１および２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図６は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１ｃにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　なお、図６においても、各形成層の上下関係は、絵素電極７を除いた場合の上下関係を図示している。

　図示されているように、液晶表示パネル１ｃにおいて、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・は、絵素電極７の切り欠き部７ａにおいて、切り欠き部７ａとは平面視において重ならないように曲げて形成されており、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向（図中の上下方向）の最隣接絵素の何れか一方であるＰ（ｎ、ｎ＋１）と該絵素Ｐ（ｎ、ｎ）との境界に形成された走査信号線ＧＬｎ＋１の一部と、上記一方の最隣接絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）の補助容量対向配線４から延設され、形成されたシールド電極４ｄとは、平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている。

　上記構成によれば、シールド電極４ｄと絵素電極７との平面視における重なり面積を小さくすることができ、例えば、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）の絵素電極７に最隣接絵素の一つである絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）の補助容量対向配線４から延設されているシールド電極４ｄの電位が与える影響を抑制することができる。すなわち、一定の電位に保持されている絵素Ｐ（ｎ、ｎ）の絵素電極７にシールド電極４ｄを介して与える影響を抑制することができる。

　したがって、より高品位な表示ができる液晶表示パネル１ｃを実現することができる。

　図７は、液晶表示パネル１ｃのデータ信号線ＳＬｎ＋１の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、シールド電極４ｄを用いて修復する場合を説明するための図である。

　図７において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｘ箇所は、適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。

　図示されているように、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）と絵素Ｐ（ｎ、ｎ）との境界に備えられたシールド電極４ｄと、切り欠き部７ａとは平面視において重ならないように曲げて形成されている走査信号線ＧＬｎ＋１と、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１と、データ信号線ＳＬｎ＋１と、補助容量対向配線４とを用いて、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を修復することができる。

　図７における点線は、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を避けてデータ信号が伝達される経路を示しており、データ信号は、補助容量配線ＣＳｎと、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）における補助容量対向配線４と、シールド電極４ｂと、走査信号線ＧＬｎ＋１と、シールド電極４ｄと、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）における補助容量対向配線４と、補助容量配線ＣＳｎ＋１とを、介して伝達されるようになっている。

　上記構成によれば、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・内において、シールド電極４ｄおよび各配線を用いて、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の破線部の修復を行うことができるので、図１３に示すような、修復用の予備配線２０１を複数の絵素からなる表示領域２０２外に設けた従来の構成に比較して、信号遅延の影響を低く抑えることができる。

　したがって、液晶表示パネル１ｃにおいては、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１であっても、修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・と同等の充電率を確保できるので、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１に電気的に接続されている絵素と修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・に電気的に接続されている絵素との間においては、輝度差が視認されず、高品位な表示ができる液晶表示パネル１ｃを実現することができる。

　なお、液晶表示パネル１ｃにおいても、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・をレーザーを用いて電気的に接続および切断して修復を行うため、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の切断が生じるため、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の両端には、各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に対して、同じ走査信号を各走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の両端から順次供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられている必要がある。

　〔実施の形態４〕
　次に、図８および図９に基づいて、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施の形態は、シールド電極４ａを含む配線がデータ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方との境界まで延設され電極４ｅを形成しており、電極４ｅと上記一方の最隣接絵素の補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１・・・から延設され、形成された電極４ｅの対向電極１９とは、平面視において少なくとも一部重なるように形成されている点において、実施の形態１～３とは異なっており、その他の構成については実施の形態１～３において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１～３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図８は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１ｄにおける絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　なお、図８においても、各形成層の上下関係は、絵素電極７を除いた場合の上下関係を図示している。

　図示されているように、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・および補助容量対向配線４と同一層で形成されシールド電極４ａを含む配線が、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向（図中の上下方向）の最隣接絵素間Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）の境界まで延設され電極４ｅを形成しており、電極４ｅと、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・と同一層で形成された絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）の補助容量配線ＣＳｎ＋１から延設され、形成された電極４ｅの対向電極１９とは、平面視において少なくとも一部重なるように形成されている。

　図９は、液晶表示パネル１ｄのデータ信号線ＳＬｎ＋１の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、最隣接絵素間Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）の境界に設けた電極４ｅと対向電極１９とを用いて修復する場合を説明するための図である。

　図９において○箇所は、レーザーを用いて電気的に接続する箇所を示し、Ｘ箇所は、適宜レーザーを用いて電気的に切断する箇所を示す。

　図示されているように、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）と絵素Ｐ（ｎ、ｎ）との境界に備えられた電極４ｅと、電極４ｅの対向電極１９と、補助容量配線ＣＳｎ・ＣＳｎ＋１と、データ信号線ＳＬｎ＋１と、補助容量対向配線４とを用いて、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を修復することができる。

　図９における点線は、データ信号線ＳＬｎ＋１の一部に生じた破線部（欠陥部）を避けてデータ信号が伝達される経路を示しており、データ信号は、補助容量配線ＣＳｎと、絵素Ｐ（ｎ、ｎ）における補助容量対向配線４と、シールド電極４ｅと、対向電極１９と、補助容量配線ＣＳｎ＋１とを、介して伝達されるようになっている。

　上記構成によれば、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・内において、電極４ｅ、電極４ｅの対向電極１９および走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・を除く各配線を用いて、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の破線部の修復を行うことができるので、図１３に示すような、修復用の予備配線２０１を複数の絵素からなる表示領域２０２外に設けた従来の構成に比較して、信号遅延の影響を低く抑えることができる。

　したがって、液晶表示パネル１ｄにおいては、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１であっても、修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・と同等の充電率を確保できるので、修復されたデータ信号線ＳＬｎ＋１に電気的に接続されている絵素と修復を行ってない通常のデータ信号線ＳＬｎ・・・に電気的に接続されている絵素との間においては、輝度差が視認されず、高品位な表示ができる液晶表示パネル１ｄを実現することができる。

　なお、液晶表示パネル１ｄにおいては、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・を用いずに、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の破線部（欠陥部）の修復が可能であるため、ある一つの走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・に対して、同じ走査信号を両端から供給できるように、２つの走査信号線駆動回路を設ける必要がない構成となっている。

　したがって、額縁領域の狭小化を実現できるとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネル１ｄを実現することができる。

　さらには、走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・を用いずに、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の破線部（欠陥部）の修復を行うので、修復時間の短縮および作業ミスの低減を実現できる。

　〔実施の形態５〕
　次に、図１０に基づいて、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施の形態は、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・に切り欠き部２０ｄによって電気的に分離された複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃが備えられており、サブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃは、絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・に設けられたトランジスタ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続されている点において、実施の形態１～４とは異なっており、その他の構成については実施の形態１～４において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１～４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０は、本発明の一実施の形態の液晶表示パネル１ｅにおいてサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃを備えた絵素部の概略的な形状を示す平面図である。

　なお、図１０においても、各形成層の上下関係は、サブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃを除いた場合の上下関係を図示している。

　図示されているように、液晶表示パネル１ｅの各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・における絵素電極は、切り欠き部２０ｄによって電気的に分離された複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃで形成されている。

　上記構成によれば、複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃは何れも、層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール６を介してトランジスタ素子１８のドレイン電極１８Ｄに電気的に接続された補助容量対向配線４と電気的に接続されているため、複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ間には、上記の実施の形態１～４のように、別途の接続部を設ける必要はない。

　上記接続部は、液晶表示パネルにおいて、残像や応答速度という面で悪影響を及ぼすことが知られており、上記構成によれば、複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃ間に別途に接続部を設けなくてもよい構成となっているため、残像や応答速度が改善された液晶表示パネル１ｅを実現することができる。

　また、図示されているように、切り欠き部２０ｄには、接続部が設けられてないため、複数のサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃによって覆われてない走査信号線ＧＬｎ・ＧＬｎ＋１・・・の一部は、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・（補助容量対向配線４）の形成層で形成されているシールド電極４ａによって覆われる構成となっている。

　なお、本実施の形態においては、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・において、電気的に分離された３つのサブ絵素電極２０ａ・２０ｂ・２０ｃを形成しているが、これに限定されることはなく、例えば、サブ絵素電極２０ａとサブ絵素電極２０ｂとの間にのみ、接続部を設け、サブ絵素電極２０ａとサブ絵素電極２０ｂとは、電気的に接続させ、サブ絵素電極２０ｃのみが、サブ絵素電極２０ａおよびサブ絵素電極２０ｂと電気的に分離された構成とすることもできる。

　このような場合は、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・において、必要とされるコンタクトホール６の数を２つにすることができ、透過率の高い液晶表示パネルを実現することができる。

　一方、図１０に示す構成においては、各絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ）・・・において、必要とされるコンタクトホール６の数は、３つであり、コンタクトホール６の数が増える分、透過率が低くなるが、応答速度、残像の品位は向上された液晶表示パネル１ｅを実現することができる。

　また、本実施の形態においては、図示されているように、シールド電極４ａを該絵素Ｐ（ｎ、ｎ）の補助容量対向配線４から延設し、形成しているが、シールド電極４ａは、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・が延設されている方向（図中の上下方向）において、該絵素Ｐ（ｎ、ｎ）の最隣接絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ－１）である何れか一方の補助容量対向配線４から延設し、形成することもできる。

　なお、このように、シールド電極４ａを、上記最隣接絵素Ｐ（ｎ、ｎ＋１）・Ｐ（ｎ、ｎ－１）である何れか一方の補助容量対向配線４から延設し、形成した場合には、上述したように、データ信号線ＳＬｎ・ＳＬｎ＋１・・・の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、シールド電極４ａを用いて、上記破線部を修復することもできる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記各絵素電極は、上記切り欠き部によって電気的に分離された複数のサブ絵素電極であり、上記複数のサブ絵素電極は何れも、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記各絵素電極は、上記切り欠き部によって電気的に分離された複数のサブ絵素電極で形成されている。

　上記複数のサブ絵素電極は何れも、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されているため、上記複数のサブ絵素電極間に別途の接続部を設ける必要はない。

　上記複数のサブ絵素電極間に別途に設けられる接続部は、上記液晶表示パネルにおいて、残像や応答速度という面で悪影響を及ぼすことが知られており、上記構成によれば、上記複数のサブ絵素電極間に別途に接続部を設けなくてもよい構成となっているため、残像や応答速度が改善された液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記シールド電極は、上記トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記シールド電極は、上記絵素電極または、上記複数のサブ絵素電極が電気的に接続されている上記トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されているため、上記絵素電極または、上記複数のサブ絵素電極に供給する信号を上記シールド電極にも供給できる構成であるため、より高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記各絵素電極の上記走査信号線と平行な方向の長さは、上記絵素電極の上記データ信号線と平行な方向の長さより長く形成されていることが好ましい。

　上記構成のように、横長の絵素を有する液晶表示パネルにおいては、各絵素において上記走査信号線が占める割合が大きくなるため、上記走査信号線の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを、上記絵素電極および上記データ信号線の形成層で形成されている上記シールド電極によって、抑制する構成はより有効的である。

　また、例えば、上記横長の絵素を上記データ信号線が延設されている方向に並べて一画素を形成する場合は、縦長の絵素を上記走査信号線が延設されている方向に並べて一画素を形成する場合と比較して、上記データ信号線の数を減らすことができる。一般的に、データ信号線駆動回路は走査信号線駆動回路より、消費電力が大きく、製造コストも高いため、上記データ信号線の数を減らすことにより、データ信号線駆動回路の消費電力および製造コストを削減できる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記絵素電極の切り欠き部の少なくとも一つは、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部が、上記絵素電極と平面視において重なるように、上記絵素電極が切り欠かれていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記絵素電極の切り欠き部は、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部が、上記絵素電極と平面視において重なるように、切り欠かれている構成である。

　したがって、上記絵素電極の切り欠き部において、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部は、上記絵素電極と平面視において重なるように形成されているので、この分、上記データ信号線の形成層で形成されている上記シールド電極の形成面積を小さくすることができる。

　よって、上記構成によれば、上記シールド電極と上記走査信号線とによって形成される寄生容量を低減できる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、補助容量配線および補助容量対向配線は、上記絵素電極と、平面視において重なるように形成されており、上記補助容量配線は、上記走査信号線の形成層と同一層で、上記走査信号線と平行に形成され、上記補助容量対向配線は、少なくとも上記絵素電極の切り欠き部においては、上記補助容量配線と平面視において重なるように、第１の絶縁層を介して、上記データ信号線の形成層と同一層で形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、少なくとも上記絵素電極の切り欠き部において上記走査信号線の形成層と同一層で形成された補助容量配線は、第１の絶縁層を介して、上記データ信号線の形成層と同一層で形成された補助容量対向配線と、平面視において重なるように形成されている。

　上記絵素電極の切り欠き部、すなわち、上記絵素における非開口部で、補助容量配線と第１の絶縁層と補助容量対向配線とで構成される補助容量を確保できる分、上記絵素における上記絵素電極の形成領域（上記絵素における開口部）においての上記補助容量配線および上記補助容量対向配線の形成面積を小さくすることができる。

　したがって、上記構成によれば、開口率の高い液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいては、ゲート電極を含む上記走査信号線に対して、上記ドレイン電極が、設計値からずれて形成された場合、上記走査信号線と上記ドレイン電極との平面視における重なり面積の増減に応じて、上記補助容量配線と上記補助容量対向配線との平面視における重なり面積も同様に増減するように、上記設計値は、上記走査信号線に対して、上記ドレイン電極が、平面視においてある一定方向にずれて重なるようになっており、上記補助容量配線の一部に対して、上記補助容量対向配線の一部も平面視において上記ある一定方向にずれて重なるようになっていることが好ましい。

　液晶表示パネルにおいては、上記トランジスタ素子のドレイン電極（およびこれに電気的に接続された上記絵素電極）と上記走査信号線との間の寄生容量Ｃｇｄに起因して、上記トランジスタ素子がＯＦＦ（走査信号が非アクティブ化）したときに、絵素（絵素電極）の電位が低下する現象が知られている。この電位低下量（絶対値）を引き込み電圧（ΔＶ）といい、絵素に供給する信号電位をＳとすると、Ｓ－ΔＶが絵素にかかる実効電位となる。なお、上記走査信号線に供給される走査信号のアクティブ電位をＶＨ、非アクティブ電位をＶＬ、液晶容量をＣｌｃ、補助容量をＣｃｓ、上記データ信号線と上記トランジスタ素子のドレイン電極（およびこれに電気的に接続された上記絵素電極）との間の寄生容量をＣｓｄとすれば、引き込み電圧ΔＶ＝Ｃｇｄ×（ＶＨ－ＶＬ）／（Ｃｃｓ＋Ｃｓｄ＋Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ）となる。

　上記構成によれば、配線パターンが設計値からずれて形成された場合に、上記寄生容量Ｃｇｄの変動により生じる引き込み電圧を、補助容量Ｃｃｓの変動によって緩和する構成となっている。

　例を挙げて具体的に説明すると、配線パターンの設計値が、上記ゲート電極に対して、上記ドレイン電極が、平面視において例えば、右方向にはみ出して重なるようになっており、上記補助容量配線の一部に対しては、上記補助容量対向配線の一部も平面視において右方向にはみ出して重なるようになっているとすると、上記設計値からゲート電極の形成層に対して、ドレイン電極の形成層がずれて配線パターンが形成される場合は以下のようになる。

　上記ゲート電極に対して、上記ドレイン電極が、右方向にずれて形成された場合、上記ゲート電極と上記ドレイン電極との平面視における重なり面積が減少するので、寄生容量Ｃｇｄは小さくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶも小さくなるが、上記ゲート電極と同一層で形成された上記補助容量配線の一部と、上記ドレイン電極と同一層によって形成された上記補助容量対向配線の一部との平面視における重なり面積も減少するので、補助容量Ｃｃｓは小さくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶは大きくなるので、結果として、引き込み電圧ΔＶの変化を抑制することができるようになっている。

　一方で、上記ゲート電極に対して、上記ドレイン電極が、左方向にずれて形成された場合、上記ゲート電極と上記ドレイン電極との平面視における重なり面積が増加するので、寄生容量Ｃｇｄは大きくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶも大きくなるが、上記ゲート電極と同一層で形成された上記補助容量配線の一部と、上記ドレイン電極と同一層によって形成された上記補助容量対向配線の一部との平面視における重なり面積も増加するので、補助容量Ｃｃｓは大きくなり、上述した式から引き込み電圧ΔＶは小さくなるので、結果として、引き込み電圧ΔＶの変化を抑制することができるようになっている。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記シールド電極は、上記絵素電極の切り欠き部において、上記補助容量対向配線から延設され、形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記シールド電極は、上記トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されている上記補助容量対向配線から延設され、形成されているため、上記絵素電極に供給する信号を上記シールド電極にも供給できる構成であるので、より高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　さらには、上記シールド電極は、上記絵素電極の切り欠き部において、上記補助容量対向配線から延設され、形成されているので、開口率の高い液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記シールド電極は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方の上記補助容量対向配線から延設され、形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記シールド電極は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方の上記補助容量対向配線から延設され、形成されているので、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　さらには、ある一つの上記走査信号線に対して、同じ走査信号を供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられている液晶表示パネルにおいては、上記データ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、上記シールド電極を、上記破線部を有する上記データ信号線の一部の代わりとして用いることができる構成となっている。

　上記構成によれば、絵素内において、上記シールド電極を用いて、上記データ信号線の破線部の修復を行うことができるので、修復用の予備配線を表示領域外に設けた従来の構成に比較して、信号遅延の影響を低く抑えることができる。したがって、修復されたデータ信号線であっても、修復を行ってない通常のデータ信号線と同等の充電率を確保できるので、修復されたデータ信号線に電気的に接続されている絵素と修復を行ってない通常のデータ信号線に電気的に接続されている絵素との間においては、輝度差が視認されず、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記走査信号線は、上記絵素電極の切り欠き部の少なくとも一つにおいては、上記切り欠き部とは平面視において重ならないように曲げて形成されており、上記データ信号線が延設されている方向の最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界に形成された上記走査信号線の一部と、上記最隣接絵素の上記補助容量対向配線から延設され、形成されたシールド電極とは、平面視において少なくとも一部が重なるように形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記走査信号線を、上記絵素電極の切り欠き部の少なくとも一つにおいて、上記切り欠き部とは平面視において重ならないように曲げて形成しており、上記データ信号線が延設されている方向の最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界に形成された上記走査信号線の一部は、上記一方の最隣接絵素の上記補助容量対向配線から延設され、形成されたシールド電極と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている構成である。

　上記構成によれば、上記シールド電極と上記絵素電極との平面視における重なり面積を小さくすることができ、上記絵素電極に上記一方の最隣接絵素の上記補助容量対向配線から延設されている上記シールド電極の電位が与える影響を抑制することができる。すなわち、一定の電位に保持されている絵素電極に上記シールド電極を介して与える影響を抑制することができる。

　したがって、より高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　さらには、ある一つの上記走査信号線に対して、同じ走査信号を供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられている液晶表示パネルにおいては、上記データ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、上記シールド電極を、上記破線部を有する上記データ信号線の一部の代わりとして用いることができる構成となっている。

　上記構成によれば、絵素内において、上記シールド電極を用いて、上記データ信号線の破線部の修復を行うことができるので、修復用の予備配線を表示領域外に設けた従来の構成に比較して、信号遅延の影響を低く抑えることができる。したがって、修復されたデータ信号線であっても、修復を行ってない通常のデータ信号線と同等の充電率を確保できるので、修復されたデータ信号線に電気的に接続されている絵素と修復を行ってない通常のデータ信号線に電気的に接続されている絵素との間においては、輝度差が視認されず、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、延設された複数の上記走査信号線の両端には、各走査信号線に対して、同じ走査信号を上記各走査信号線の両端から順次供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられていることが好ましい。

　上記構成によれば、ある一つの上記走査信号線に対して、同じ走査信号を両端から供給できるように、２つの走査信号線駆動回路がモノリシックにまたは、外付けで形成されているので、上記データ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、上記シールド電極を、上記破線部を有する上記データ信号線の一部の代わりとして用いることができる構成となっている。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記シールド電極は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界まで延設されており、上記一方の最隣接絵素と該絵素との境界においては、上記シールド電極と上記一方の最隣接絵素の補助容量配線から延設され、形成された上記シールド電極の対向電極とは、平面視において少なくとも一部重なるように形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記走査信号線と平面視において重ならない領域、すなわち、上記一方の最隣接絵素と該絵素との境界において、上記シールド電極と上記一方の最隣接絵素の補助容量配線から延設され、形成された上記シールド電極の対向電極とが、平面視において少なくとも一部重なるように形成されている。

　したがって、上記データ信号線の一部に破線部（欠陥部）が生じた場合、上記走査信号線を用いずに、上記シールド電極と上記シールド電極の対向電極とを上記破線部を有する上記データ信号線の一部の代わりとして用いることができる構成となっている。

　よって、上記走査信号線を用いずに、上記データ信号線の破線部（欠陥部）の修復が可能であるため、ある一つの上記走査信号線に対して、同じ走査信号を両端から供給できるように、２つの走査信号線駆動回路を設ける必要がない構成となっている。

　したがって、額縁領域の狭小化を実現できるとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　さらには、上記走査信号線を用いずに、上記データ信号線の破線部（欠陥部）の修復を行うので、修復時間の短縮および作業ミスの低減を実現できる。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、該絵素に形成された絵素電極と平面視において重なるように形成された上記走査信号線は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方に形成された絵素電極と電気的に接続されている上記トランジスタ素子と電気的に接続されていることが好ましい。

　上記構成によれば、該絵素内に備えられた上記走査信号線は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方の絵素に設けられた絵素電極または、上記複数のサブ絵素電極と電気的に接続された上記トランジスタ素子と電気的に接続されている構成である。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記データ信号線の形成層上には、第２の絶縁層を介して上記絵素電極の形成層が形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、上記走査信号線の電界の影響による液晶分子の配向の乱れを抑制できるシールド層として、さらに第２の絶縁層が備えられているため、広視野角特性を有するとともに、高品位な表示ができる液晶表示パネルを実現することができる。

　上記第２の絶縁層の膜厚は厚く、誘電率は低いことが望ましく、具体的には、上記第２の絶縁層の膜厚は例えば、１～３μｍ、誘電率は２～５であることが好ましいがこれに限定されることはない。

　本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第２の絶縁基板における上記液晶層と接する側の面には、配向分割手段として突起および／または、切り欠き部を有する共通電極が形成されていることが好ましい。

　上記構成によれば、広視野角特性を有する液晶表示パネルを実現することができる。

　本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に適用することができる。

　１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ　液晶表示パネル
　３　　　　　　　　　　　　　　　　ゲート絶縁膜（第１の絶縁層）
　４　　　　　　　　　　　　　　　　補助容量対向配線
　４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ　　　　　　シールド電極
　５　　　　　　　　　　　　　　　　層間絶縁膜（第２の絶縁層）
　６　　　　　　　　　　　　　　　　コンタクトホール
　７　　　　　　　　　　　　　　　　絵素電極
　７ａ、７ｂ、２０ｄ　　　　　　　　切り欠き部
　９　　　　　　　　　　　　　　　　アレイ基板（第１の絶縁基板）
　１３　　　　　　　　　　　　　　　共通電極
　１４　　　　　　　　　　　　　　　突起部（配向分割手段）
　１６　　　　　　　　　　　　　　　対向基板（第２の絶縁基板）
　１７　　　　　　　　　　　　　　　液晶層
　１８　　　　　　　　　　　　　　　ＴＦＴ素子（トランジスタ素子）
　１８Ｇ　　　　　　　　　　　　　　ゲート電極
　１８Ｓ　　　　　　　　　　　　　　ソース電極
　１８Ｄ　　　　　　　　　　　　　　ドレイン電極
　２０ａ、２０ｂ、２０ｃ　　　　　　サブ絵素電極
　Ｐ　　　　　　　　　　　　　　　　絵素
　ＣＳ　　　　　　　　　　　　　　　補助容量配線
　ＧＬ　　　　　　　　　　　　　　　走査信号線
　ＳＬ　　　　　　　　　　　　　　　データ信号線

Claims (16)

1. 　複数の走査信号線と、上記走査信号線と交差する複数のデータ信号線と、上記走査信号線および上記データ信号線に電気的に接続された複数のトランジスタ素子とを備えた第１の絶縁基板と、
   　上記第１の絶縁基板に対向するように形成された第２の絶縁基板と、
   　上記第１の絶縁基板と上記第２の絶縁基板との間に挟持された液晶層とを備え、
   　上記トランジスタ素子が、上記第１の絶縁基板上にマトリクス状に配された複数の各絵素毎に備えられた液晶表示パネルであって、
   　上記各絵素に対応して設けられた各絵素電極は、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されており、
   　上記絵素電極の形成層および上記データ信号線の形成層は、上記走査信号線の形成層より上層に形成され、
   　上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、上記絵素電極と上記走査信号線とは、平面視において重なるように形成され、
   　上記絵素電極と上記走査信号線とが重なっている部分において、上記絵素電極に切り欠き部が形成されており、
   　シールド電極は、上記データ信号線の形成層で形成されており、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部とは、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
2. 　上記各絵素電極は、上記切り欠き部によって電気的に分離された複数のサブ絵素電極であり、
   　上記複数のサブ絵素電極は何れも、上記各絵素に設けられた該トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 　上記シールド電極は、上記トランジスタ素子のドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
4. 　上記各絵素電極の上記走査信号線と平行な方向の長さは、上記絵素電極の上記データ信号線と平行な方向の長さより長く形成されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
5. 　上記絵素電極の切り欠き部の少なくとも一つは、上記切り欠き部の上記走査信号線の一部が、上記絵素電極と平面視において重なるように、上記絵素電極が切り欠かれていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
6. 　上記各絵素における上記絵素電極の形成領域においては、補助容量配線および補助容量対向配線は、上記絵素電極と、平面視において重なるように形成されており、
   　上記補助容量配線は、上記走査信号線の形成層と同一層で、上記走査信号線と平行に形成され、
   　上記補助容量対向配線は、少なくとも上記絵素電極の切り欠き部においては、上記補助容量配線と平面視において重なるように、第１の絶縁層を介して、上記データ信号線の形成層と同一層で形成されていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
7. 　ゲート電極を含む上記走査信号線に対して、上記ドレイン電極が、設計値からずれて形成された場合、
   　上記走査信号線と上記ドレイン電極との平面視における重なり面積の増減に応じて、上記補助容量配線と上記補助容量対向配線との平面視における重なり面積も同様に増減するように、
   　上記設計値は、上記走査信号線に対して、上記ドレイン電極が、平面視においてある一定方向にずれて重なるようになっており、
   　上記補助容量配線の一部に対して、上記補助容量対向配線の一部も平面視において上記ある一定方向にずれて重なるようになっていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネル。
8. 　上記シールド電極は、上記絵素電極の切り欠き部において、上記補助容量対向配線から延設され、形成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の液晶表示パネル。
9. 　上記シールド電極は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方の上記補助容量対向配線から延設され、形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示パネル。
10. 　上記走査信号線は、上記絵素電極の切り欠き部の少なくとも一つにおいては、上記切り欠き部とは平面視において重ならないように曲げて形成されており、
    　上記データ信号線が延設されている方向の最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界に形成された上記走査信号線の一部と、上記最隣接絵素の上記補助容量対向配線から延設され、形成されたシールド電極とは、平面視において少なくとも一部が重なるように形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル。
11. 　延設された複数の上記走査信号線の両端には、各走査信号線に対して、同じ走査信号を上記各走査信号線の両端から順次供給できるように、２つの走査信号線駆動回路が備えられていることを特徴とする請求項９または１０に記載の液晶表示パネル。
12. 　上記シールド電極は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方と該絵素との境界まで延設されており、
    　上記一方の最隣接絵素と該絵素との境界においては、上記シールド電極と上記一方の最隣接絵素の補助容量配線から延設され、形成された上記シールド電極の対向電極とは、平面視において少なくとも一部重なるように形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示パネル。
13. 　該絵素に形成された絵素電極と平面視において重なるように形成された上記走査信号線は、上記データ信号線が延設されている方向における最隣接絵素の何れか一方に形成された絵素電極と電気的に接続されている上記トランジスタ素子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から１２の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
14. 　上記データ信号線の形成層上には、第２の絶縁層を介して上記絵素電極の形成層が形成されていることを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
15. 　上記第２の絶縁基板における上記液晶層と接する側の面には、配向分割手段として突起および／または、切り欠き部を有する共通電極が形成されていることを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
16. 　請求項１から１５に記載の液晶表示パネルを備えていることを特徴とする液晶表示装置。

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