WO2011062320A1 - 배면 전극을 갖는 oled 장치 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an OLED device having a back electrode, and more particularly, to an OLED device having a back electrode in which an electrode is formed on a protective film of the OLED device.
- organic light emitting diodes are configured through an organic thin film layer, which is an organic electroluminescent layer, between an anode layer and a cathode layer on a wafer, and have a very thin matrix form. To achieve.
- Such an organic light emitting diode can be driven at a low voltage and has advantages such as thinness.
- the organic light emitting diode used for lighting has to emit the same in a large area, it does not form a pixel and makes a light emitting device having a large area, and has one or several light emitting regions.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of a portion of an OLED device according to the prior art.
- an anode layer 20, an organic layer 30, and a cathode layer 40 are sequentially coated on a substrate 10, and between an anode layer 20 and a cathode layer 40.
- Appropriate energy difference is applied to the organic layer 30 by applying a voltage is a principle that emits light by itself. That is, the excitation energy left by recombination of the injected electrons and holes is generated as light.
- an encapsulation layer 50 is formed at the top to increase the life time of the device.
- the anode wiring 21 and the cathode wiring 41 are formed to be drawn out to the side of the OLED device rather than to the rear side, so that a plurality of OLED devices can be connected and used for lighting, the side of the OLED device and the lighting device. Since there is a separate wiring for connecting the drive system there was a problem that increases the manufacturing cost accordingly.
- An object of the present invention for solving the above problems is to form an electrode on the protective film of the OLED device to be attached to the drive system, so that no additional wiring is required, thereby reducing the manufacturing cost and providing a back contact with the drive system. As a result, the wiring is eliminated, thereby providing an OLED device having an aesthetic and detachable back electrode.
- the OLED device having the back electrode of the present invention for achieving the above object is a transparent material, a substrate having a light emitting region is separated, laminated on the substrate and an anode layer is formed on one side outside the light emitting region, laminated on the light emitting region of the anode layer
- a protective layer for sealing the light emitting region so that the negative electrode layer, the positive electrode layer, the organic layer and the negative electrode layer is stacked on one side of the organic material layer, the organic material layer and the cathode terminal is formed outside one side of the light emitting region, one side is connected to the anode terminal, the other side is a protective film
- the positive electrode is formed on the upper surface of the negative electrode layer provided and one side is connected to the negative electrode terminal, the other side includes a negative electrode back electrode formed of the upper surface of the negative electrode layer provided with a protective film.
- the positive electrode terminal is formed of two terminals, the negative electrode terminal is formed to correspond to the space between the positive electrode terminal, the negative electrode terminal outer peripheral surface and the positive electrode terminal can be spaced apart.
- the material for forming the anode layer may be indium tin oxide or indium zinc oxide.
- the material for forming the negative electrode layer may be any one metal or two or more alloys selected from aluminum, copper, silver or lithium fluoride.
- the protective film can be encapsulated with glass or metal or passivated with a film.
- the anode layer may have an anode terminal formed at one side outside the light emitting region, and the cathode layer may have a cathode terminal formed at the other side outside the light emitting region.
- the electrode is formed on the protective layer of the OLED device to be attached to the driving system so that no additional wiring is required, thereby reducing the manufacturing cost, and the wiring is eliminated due to the back contact with the driving system.
- An OLED device having this convenient back electrode can be provided.
- FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conventional OLED device
- FIG. 2 is a perspective view showing an OLED device according to an embodiment of the present invention.
- 3 to 7 is a view showing a manufacturing process of the OLED device according to an embodiment of the present invention.
- FIGS. 10 and 11 are views illustrating an OLED device according to another embodiment of the present invention.
- substrate 310 anode layer
- anode terminal 410 organic material layer
- protective film 910 back electrode for the positive electrode
- cathode electrode L light emitting area
- FIG. 2 is a cross-sectional view showing an OLED device according to an embodiment of the present invention
- Figures 3 to 7 is a view showing a manufacturing process of the OLED device according to an embodiment of the present invention.
- the OLED device has a substrate 110 in which the light emitting regions L are divided, a grid 210 formed on the substrate 110, and a grid 210. ), The anode layer 310 formed in the light emitting region L on the anode layer, the organic layer 410 formed in the light emitting region L on the anode layer 310, and the cathode layer formed in the light emitting region L on the organic layer 410. 510, and includes a protective layer 610 to seal the light emitting region L to include the anode layer 310, the organic layer 410, and the cathode layer 510 therein.
- the grid 210 is formed on the substrate 110 where the light emitting regions L are divided.
- the substrate 110 may be formed of glass, and the grid 210 may be in contact with the anode layer 310 to be described later, and the anode layer 310 may be connected to a wiring unit (not shown) of the lighting driving device. When connecting, it serves to lower the electrical resistance value of the anode layer 310.
- the grid 210 is a metal having a smaller resistance value than the anode layer 310, and is made of chromium (Cr), copper (Cu), molybdenum (Mo), nickel (Ni), aluminum (Al), silver (Ag), or gold. (Au) can be. Therefore, light may be emitted at a constant illuminance in all areas of the light emitting area L.
- the grid 210 is formed by the following process. First, a low resistance metal is deposited on the substrate 110 and then photoresist coated.
- the photoresist is photosensitive and may be polyimide (PI) or polymer resin.
- a photoresist is developed after exposure to ultraviolet rays using a line mask (not shown) for a predetermined time, and then a line formed through the line mask is etched to remove the photoresist.
- the anode layer 310 is deposited on the grid 210 by sputtering.
- the anode layer 310 uses the first mask 700 to be deposited only in the light emitting region L, so that the anode layer 310 is deposited only in the light emitting region L.
- the anode layer 310 is an anode electrode corresponding to an anode of an OLED device.
- the anode layer 310 is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which has a low surface resistance and good permeability. Of transparent conductive materials may be used.
- the resistance of the anode layer 310 is lowered, and thereafter, the power consumption and the driving voltage are low when the OLED device is connected to an external driving circuit (not shown).
- the electrical characteristics of the device can be improved.
- the organic layer 410 is deposited in the light emitting region L on the anode layer 310 using the first mask 700.
- the organic layer 410 is formed on the anode layer 310 and is a part in which light emission occurs in the OLED device.
- a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), An emission material layer (EML), an electron transfer layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like are sequentially deposited.
- Organic materials used as the organic material layer 410 are Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA and the like.
- the cathode layer 510 is deposited on the emission region L on the organic layer 410 using the first mask 700.
- the material for forming the cathode layer 510 may be formed of any one metal selected from aluminum, copper, silver, or lithium fluoride (LiF), or two or more alloys.
- the anode layer 310 is deposited in the form as shown in FIG. 5A using a separate anode layer mask (not shown), and the cathode layer 510 is shown in FIG. 5B using a separate cathode layer mask (not shown). It is deposited in the form of.
- an anode terminal 311 and a cathode terminal 515 are formed in the anode layer 310 and the cathode layer 510 at one side outside the light emitting region L, respectively, and the anode terminal 311 has two anode layers.
- the recess 315 is interposed therebetween, and the cathode terminal 515 is formed to extend from the cathode layer 510 to correspond to the recess 315, which is a space between the anode terminals 311. do.
- a spaced portion 950 is formed between the outer circumferential surface of the cathode terminal 515 and the anode terminal 311, so that the anode terminal 311 and The negative electrode terminal 511 is spaced apart. Therefore, the positive electrode terminal 311 and the negative electrode terminal 515 may be electrically insulated from each other.
- a protective film 610 is formed to seal the light emitting region L such that the anode layer 310, the organic material layer 410, and the cathode layer 510 are included therein.
- the passivation layer 610 is for encapsulation to protect the organic layer 410 from moisture or oxygen.
- the passivation layer 610 may be passivated with a thin film.
- the negative electrode terminal 515 is drawn out of the protective layer 610.
- the anode rear electrode 910 and the cathode rear electrode 930 are formed on the upper surface of the passivation layer 610 using the second mask 800 in a sputtering manner.
- one side of the positive electrode back electrode 910 is connected to the positive electrode terminal 311, the other side is formed of the upper surface of the protective film 610, one side of the negative electrode back electrode 930 is connected to the negative electrode terminal 515 The other side is formed as an upper surface of the passivation layer 610.
- the anode back electrode 910 and the cathode back electrode 930 correspond to a wiring pattern for connecting to a separate lighting driving circuit (not shown), and thus, only enough electrodes may be formed to be connected to the driving circuit.
- the other side of the anode back electrode 910 and the cathode back electrode 930 may be formed on a portion of the top surface of the passivation layer 610 or may be formed on the top surface of the passivation layer 610 in the form of a band.
- the organic material layer 410 emits light by supplying power between the anode back electrode 910 and the cathode back electrode 930, and the emitted light is externally provided through the substrate 110. It is irradiated with and used for lighting.
- FIGS. 8 and 9 are views illustrating an OLED device according to another embodiment of the present invention
- FIGS. 10 and 11 are views illustrating an OLED device according to another embodiment of the present invention.
- one anode terminal is formed outside the light emitting region in the anode layer 310, and one cathode terminal is outside the light emitting region in the cathode layer 510 as shown in FIG. 8B.
- one anode terminal is formed outside the light emitting region in the anode layer 310, and one cathode terminal is outside the light emitting region in the cathode layer 510 as shown in FIG. 8B.
- one anode back electrode and one cathode back electrode are formed.
- one anode terminal is formed from one side of the anode layer 310 to the outside of the light emitting region, and the other side of the cathode layer 510 is outside the light emitting region as shown in FIG. 10B.
- a negative terminal is formed from one side of the anode layer 310 to the outside of the light emitting region, and the other side of the cathode layer 510 is outside the light emitting region as shown in FIG. 10B.
- the anode back electrode and the cathode back electrode are formed at opposite positions.
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Abstract
본 발명은 OLED 장치의 보호막 상에 전극을 형성시킨 배면 전극을 갖는 OLED 장치에 관한 것으로, 투명한 재질이며 발광영역이 구분되어 있는 기판, 기판에 적층 되고 발광영역 외부 일측으로 양극단자가 형성되는 양극층, 양극 층의 발광영역에 적층 되는 유기물층, 유기물층에 적층 되며 발광영역 외부 일측으로 음극단자가 형성되는 음극층, 양극층, 유기물층 및 음극층이 내부에 포함되도록 발광영역을 밀봉하는 보호막, 일측은 양극단자에 연결되고, 타측은 보호막이 구비된 음극층 상면으로 형성되는 양극용 배면 전극 및 일측은 음극단자에 연결되고, 타측은 보호막이 구비된 음극층 상면으로 형성되는 음극용 배면 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, OLED 장치의 보호막 상에 배면으로 메탈전극을 형성하여 구동시스템과 연결함으로써 별도의 배선이 필요치 않아 제조비용이 절감되고, 구동시스템과의 배면 접촉으로 인해 심미적이고 탈부착이 편리한 배면 전극을 갖는 OLED 장치를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 배면 전극을 갖는 OLED 장치에 관한 것으로, 상세하게는 OLED 장치의 보호막 상에 전극을 형성시킨 배면 전극을 갖는 OLED 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes; OLED)는 웨이퍼 상의 양전극층(anode layer)과 음전극층(cathode layer) 사이에 유기전계 발광층인 유기 박막층을 개재하여 구성하며, 매우 얇은 두께의 매트릭스 형태를 이룬다.
이러한 유기발광다이오드는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점이 있다. 또한, 좁은 광시야각, 느린 응답 속도 등 종래에 LCD에서 문제로 지적되어 온 결점을 해결할 수 있으며, 다른 형태의 디스플레이와 비교하여, 특히, 중형 이하에서 다른 디스플레이, 예컨대 'TFT LCD'와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 제조 공정이 단순하다는 점에서 차세대 평판디스플레이로 주목받고 있다.
그러나, 조명용으로 사용되는 유기발광다이오드는 넓은 면적에서 동일하게 발광해야 하므로 픽셀을 형성하지 않고, 넓은 대면적의 발광 소자를 만들게 되며, 하나 또는 수개 정도의 발광 영역을 갖게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 OLED 장치의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 OLED 장치는 기판(10) 위에 양극층(20), 유기층(30) 및 음극층(40)을 순서대로 입히고, 양극층(20)과 음극층(40) 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기층(30)에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생하는 것이다.
그리고, 유기층(30)은 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지층(50)이 최상부에 형성된다.
그러나, 종래의 OLED 장치는 양극배선(21)과 음극배선(41)이 OLED 장치에서 배면이 아닌 측면으로 인출되게 형성되어 있어서, 다수의 OLED 장치를 연결하여 조명용으로 사용하려면 OLED 장치의 측면과 조명용 구동시스템을 연결하기 위한 별도의 배선을 해야하므로 이에 따른 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, OLED 장치의 보호막 상에 배면으로 전극을 형성하여 구동시스템에 부착되도록 함으로써 별도의 배선이 필요치 않아 제조비용이 절감되고, 구동시스템과의 배면 접촉으로 인해 배선들이 없어지므로 심미적이고 탈부착이 편리한 배면 전극을 갖는 OLED 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 배면 전극을 갖는 OLED 장치는 투명한 재질이며 발광영역이 구분되어 있는 기판, 기판에 적층 되고 발광영역 외부 일측으로 양극단자가 형성되는 양극층, 양극 층의 발광영역에 적층 되는 유기물층, 유기물층에 적층 되며 발광영역 외부 일측으로 음극단자가 형성되는 음극층, 양극층, 유기물층 및 음극층이 내부에 포함되도록 발광영역을 밀봉하는 보호막, 일측은 양극단자에 연결되고, 타측은 보호막이 구비된 음극층 상면으로 형성되는 양극용 배면 전극 및 일측은 음극단자에 연결되고, 타측은 보호막이 구비된 음극층 상면으로 형성되는 음극용 배면 전극을 포함한다.
양극단자는 두 개의 단자로 형성되고, 음극단자는 양극단자 사이의 공간에 대응되도록 형성되며, 음극단자 외주면과 양극단자 사이는 이격될 수 있다.
양극층 형성용 물질은 산화인듐주석 또는 산화인듐아연일 수 있다.
음극층 형성용 물질은 알루미늄, 구리, 은 또는 불소화리듐에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금일 수 있다.
보호막은 유리 또는 금속으로 캡슐화하거나 필름으로 패시베이션할 수 있다.
양극층은 발광영역 외부 일측으로 양극단자가 형성되고, 음극층은 발광영역 외부 타측으로 음극단자가 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, OLED 장치의 보호막 상에 배면으로 전극을 형성하여 구동시스템에 부착되도록 함으로써 별도의 배선이 필요치 않아 제조비용이 절감되고, 구동시스템과의 배면 접촉으로 인해 배선들이 없어지므로 심미적이고 탈부착이 편리한 배면 전극을 갖는 OLED 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 OLED 장치를 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 사시도,
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치의 제조과정을 나타낸 도면,
도 8과 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 도면,
도 10과 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 310: 양극층
311: 양극단자 410: 유기물층
510: 음극층 515: 음극단자
610: 보호막 910: 양극용 배면 전극
930: 음극용 배면 전극 L: 발광영역
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 단면도, 도 3 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치의 제조과정을 나타낸 도면이다.
본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치는 도 2에 나타낸 바와 같이, 발광영역(L)이 구분되어 있는 기판(110), 기판(110) 상에 형성되는 그리드(grid; 210), 그리드(210) 상의 발광영역(L)에 형성되는 양극층(310), 양극층(310) 상의 발광영역(L)에 형성되는 유기물층(410), 유기물층(410) 상의 발광영역(L)에 형성되는 음극층(510)으로 이루어지며, 양극층(310), 유기물층(410) 및 음극층(510)이 내부에 포함되도록 발광영역(L)을 밀봉하는 보호막(610)이 포함되어 이루어진다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 장치의 제조과정을 설명하기로 한다.
먼저, 도 3에 나타낸 바와 같이 발광영역(L)이 구분되어 있는 기판(110) 상에 그리드(210)를 형성한다.
기판(110)은 일반적으로 유리(glass)를 사용하는 것이 바람직하고, 그리드(210)는 후술하는 양극층(310)에 접면되어 양극층(310)을 조명용 구동장치의 배선부(미도시)에 연결할 때 양극층(310)의 전기적 저항값을 낮추는 역할을 한다. 그리드(210)는 양극층(310)보다 작은 저항값을 가진 금속으로써, 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 금(Au)이 될 수 있다. 따라서, 발광영역(L)의 전 영역에서 일정한 조도로 광이 방출될 수 있다.
그리드(210)는 다음과 같은 과정으로 형성되는데, 먼저, 상술한 저항이 낮은 금속을 기판(110) 상에 증착(deposition)한 후 포토레지스터 코팅(photo resist coating)을 한다. 여기서, 포토 레지스터는 감광성이며 폴리이미드(PI) 또는 고분자 레진(resin)이 될 수 있다.
이어서, 라인 마스크(미도시)를 사용하여 일정시간 자외선에 노출한 후 포토레지스터 현상(photo resist develop)을 하고, 이어서 라인 마스크를 통하여 형성된 라인을 에칭하여 포토레지스터를 떼냄으로써 형성된다.
이어서, 그리드(210) 상에 스퍼터(sputter) 방식으로 양극층(310)을 증착한다. 양극층(310)은 발광영역(L)에만 증착이 되도록 제1마스크(700)를 사용하여, 발광영역(L)에만 양극층(310)이 증착되도록 한다.
양극층(310)은 OLED 장치의 양극에 해당하는 애노드(Anode) 전극으로써 소재는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 산화인듐아연 (Indium zinc oxide; IZO) 등의 투명 전도성 물질을 사용할 수 있다.
이와 같이, 그리드(210) 상에 양극층(310)을 형성함으로써 양극층(310)의 저항이 낮아지면서 이후 외부 구동회로(미도시)와 연결하여 OLED 장치를 구동시 소비전력 및 구동전압이 낮아지게 되어 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제1마스크(700)를 사용하여 양극층(310) 상의 발광영역(L)에 유기물층(410)을 증착한다.
유기물층(410)은 양극층(310)의 상부에 형성되며 OLED 장치에서 발광이 일어나는 부분으로서 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)), 발광층(Emitting Material Layer; EML), 전자 수송층(Electron Transfer Layer; ETL) 및 전자 공급층(Electron Injection Layer; EIL) 등을 차례로 증착하여 형성한다.
유기물층(410)으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA,TCTA 등이다.
이어서, 제1마스크(700)를 사용하여 유기물층(410) 상의 발광영역(L)에 음극층(510)을 증착한다.
음극층(510) 형성용 물질은 알루미늄, 구리, 은 또는 불소화리듐(LiF)에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금으로 이루어질 수 있다.
여기서, 양극층(310)은 별도의 양극층용 마스크(미도시)를 사용하여 도 5a와 같은 형태로 증착이 되고, 음극층(510)은 별도의 음극층용 마스크(미도시)를 사용하여 도 5b와 같은 형태로 증착이 된다.
아울러, 양극층(310) 및 음극층(510)에는 발광영역(L) 외부 일측으로 양극단자(311) 및 음극단자(515)가 각각 형성되는데, 양극단자(311)는 두 개의 단자로 양극층(310)에서 오목부(315)를 사이에 두고 연장되어 형성되고, 음극단자(515)는 양극단자(311) 사이의 공간인 오목부(315)에 대응되도록 음극층(510)에서 연장되어 형성된다.
그래서, 도 5c에 나타낸 바와 같이 양극층(310)과 음극층(510)이 포개어지면 음극단자(515) 외주면과 양극단자(311) 사이는 이격부(950)가 형성되어 양극단자(311)와 음극단자(511)는 이격이 된다. 따라서, 양극단자(311)와 음극단자(515) 서로 전기적으로 절연이 될 수 있다.
이어서, 도 6에 나타낸 바와 같이 양극층(310), 유기물층(410), 음극층(510)이 내부에 포함되도록 발광영역(L)을 밀봉하는 보호막(610)을 형성한다.
보호막(610)은 유기물층(410)을 수분이나 산소로부터 보호하는 캡슐화(Encapsulation)를 위한 것으로 유리 또는 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 얇은 필름(thin film)으로 패시베이션(passivation) 할 수도 있다.
한편, 보호막(610)은 발광영역(L)만을 밀봉하였기 때문에, 양극단자(311)와
음극단자(515)는 보호막(610) 외부로 인출된 형태이다.
이어서, 도 7에 나타낸 바와 같이 제2마스크(800)를 사용하여 보호막(610) 상면으로 스퍼터 방식으로 양극용 배면전극(910)과 음극용 배면 전극(930)을 형성한다.
따라서, 양극용 배면전극(910)의 일측은 양극단자(311)에 연결되고, 타측은 보호막(610) 상면으로 형성되고, 음극용 배면전극(930)의 일측은 음극단자(515)에 연결되고, 타측은 보호막(610) 상면으로 형성된다.
여기서, 양극용 배면전극(910)과 음극용 배면전극(930)은 별도의 조명용 구동회로(미도시)에 연결하기 위한 배선패턴에 해당 되며, 구동회로에 연결될 수만 있을 정도의 전극이 형성되면 되므로, 양극용 배면전극(910) 및 음극용 배면전극(930)의 타측은 보호막(610) 상면의 일부에 형성되거나 또는 띠 형태로 보호막(610) 상면에 형성될 수 있다.
이렇게 이루어진 OLED 장치를 구동회로에 연결 후 양극용 배면전극(910)과 음극용 배면전극(930) 사이에 전원을 공급함으로써 유기물층(410)이 발광하며, 발광 된 광은 기판(110)을 통해 외부로 조사되어 조명용으로 사용된다.
도 8과 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 도면, 도 10과 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 OLED 장치를 나타낸 도면이다.
본 발명의 다른 실시예는 도 8a에 나타낸 바와 같이 양극층(310)에서 발광영역 외부로 하나의 양극단자를 형성하고, 도 8b에 나타낸 바와 같이 음극층(510)에서 발광영역 외부로 하나의 음극단자를 형성하는 것이다.
따라서, 도 9에 나타낸 바와 같이, 하나의 양극용 배면전극과 하나의 음극용 배면전극이 형성된다.
그리고, 본 발명의 또 다른 실시예는 도 10a와 같이 양극층(310)의 일측에서 발광영역 외부로 하나의 양극단자를 형성하고, 도 10b와 같이 음극층(510)의 타측에서 발광영역 외부로 하나의 음극단자를 형성하는 것이다.
그래서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 양극용 배면전극과 음극용 배면전극이 서로 반대 위치로 형성된다.
이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 제시하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
Claims (5)
- 투명한 재질이며 발광영역이 구분되어 있는 기판;기판의 발광영역에 적층 되되 발광영역 외부 일측으로 양극단자가 형성되는 양극층;양극 층의 발광영역에 적층 되는 유기물층;유기물층에 적층 되며 발광영역 외부 일측으로 음극단자가 형성되는 음극층;양극층, 유기물층 및 음극층을 밀봉하는 보호막;일측은 양극단자에 연결되고, 타측은 보호막 상부에 형성되는 양극용 배면 전극 및일측은 음극단자에 연결되고, 타측은 보호막 상부에 형성되는 음극용 배면 전극을 포함하는 배면 전극을 갖는 OLED 장치.
- 제1항에 있어서,양극단자는 두 개의 단자로 형성되고, 음극단자는 양극단자 사이의 공간에 대응되도록 형성되며, 음극단자와 양극단자 사이는 이격된 것을 특징으로 하는 배면 전극을 갖는 OLED 장치.
- 제1항에 있어서,양극층 형성 물질은 산화인듐주석 또는 산화인듐아연인 것을 특징으로 하는 배면 전극을 갖는 OLED 장치.
- 제1항에 있어서,음극층 형성 물질은 알루미늄, 구리, 은 또는 불소화리듐에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 배면 전극을 갖는 OLED 장치.
- 제1항에 있어서, 보호막은,유리 또는 금속인 것을 특징으로 하는 배면 전극을 갖는 OLED 장치.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007005257A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
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---|---|---|---|---|
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JP2007066709A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2008186618A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
JP2008269893A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
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