WO2011039799A1 - センサアレイ - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a sensor array in which sensor elements having a membrane structure sensitive to temperature change, pressure change, vibration, and the like are connected in a planar shape.
  • thermosensor element having a membrane structure
  • This thermal sensor includes a square membrane composed of a thermal sensitivity element and upper and lower electrodes, and a pair of support arms that support the membrane so as to release the membrane on the substrate.
  • the support arm is a wiring connected to the electrodes. It is formed with a heat insulating material.
  • the thermosensitive element absorbs infrared rays, converts the temperature change into an electric signal, and enables detection.
  • a large number of thermal sensors are formed in a matrix on the substrate, so that a sensor array incorporated in an infrared image sensor, a night vision device or the like is configured.
  • thermosensitive element of the membrane is composed of a ferroelectric material, there is a problem that microphonic noise is generated due to vibration and detection sensitivity is lowered. Further, in the sensor array using the thermal sensor as the sensor element, there is a problem that the area ratio of the membrane (sensitive portion) to the whole is low, the size is large, and the detection sensitivity is inferior.
  • a plurality of sensor elements each including a polygonal frame-like frame portion formed by connecting a plurality of frame pieces and a membrane having sensor sensitivity installed in the frame portion are adjacent to each other.
  • the sensor elements are arranged in a planar shape while sharing the frame pieces in the sensor element.
  • the membrane can be integrated with the frame portion, the strength of the membrane can be increased, and the rigidity (strength) of the entire sensor array can be increased. For this reason, each membrane can be formed thin while increasing the yield. Further, by integrating the membrane and the frame portion, the resonance frequency of the membrane can be extremely increased, so that destruction and breakage due to vibration can be prevented, and generation of microphonic noise can be prevented. Furthermore, since the frame pieces are shared by adjacent sensor elements, the ratio of the total area of the membrane to the total area of the frame part can be increased while increasing the rigidity (strength) of the entire sensor array, and the detection sensitivity can be increased. Can be improved.
  • sharing (combining) frame pieces is a positional relationship in which, for example, adjacent sensor elements are connected (joined) to one frame piece from opposite directions in the plane.
  • the frame piece has a structure in which membranes are arranged on both sides thereof, so that the strength can be increased by integrating the frame piece and the membrane.
  • the width in the in-plane direction of the frame part is configured to be sufficiently smaller than the length of each sensor element, the frame part can be made into a thin frame part. Can be increased.
  • each membrane has at least a peripheral portion joined to the inner peripheral surface of the frame portion in an uneven shape.
  • the strength and integrity of the membrane and the frame portion are achieved, the stress concentration at the joint portion is alleviated, and the strength of the membrane itself can be increased. For this reason, the membrane can be formed thin while increasing the yield.
  • the shape of the concavo-convex shape is different between two adjacent sensor elements.
  • two adjacent sensor elements can be set to different resonance frequencies, and the resonance frequency can be kept low for the entire sensor array. Therefore, destruction / breakage due to vibration can be prevented, and a sensor array suitable for in-vehicle use can be configured.
  • each concavo-convex shape extends in at least two directions, and that the concave portions and the convex portions are distributed in a mesh shape in the entire in-plane area of each membrane.
  • the strength of the membrane itself can be further increased, and the membrane can be formed thin accordingly. Further, the strength of the entire sensor array can be increased.
  • the polygon is any one of a triangle, a square, and a hexagon.
  • Each membrane is preferably formed by laminating a front electrode layer, a dielectric layer, and a back electrode layer.
  • a sensor element having a high yield and high detection sensitivity can be configured.
  • the ratio of the total area of the membrane to the total area of the frame portion is increased while increasing the rigidity (strength) of the entire sensor array.
  • the detection sensitivity can be improved. That is, it can be formed compactly, and the yield and detection sensitivity can be improved.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 and a cross-sectional view taken along line BB (b).
  • FIG. 2 is a fragmentary perspective view of the infrared sensor which concerns on 1st Embodiment.
  • It is a fragmentary perspective view of the infrared sensor explaining the modification (a) around a frame part, and another modification (b).
  • It is sectional drawing of the infrared sensor explaining the modification (a) around a membrane, and another modification (b). It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the infrared sensor which concerns on 1st Embodiment.
  • an infrared sensor which is a MEMS sensor according to an embodiment of the present invention and a sensor array using the same will be described with reference to the accompanying drawings.
  • This infrared sensor is manufactured by microfabrication technology using silicon (wafer) or the like as a material, and is constituted by a so-called pyroelectric infrared (far infrared) sensor. Further, this infrared sensor constitutes a pixel (element) of a sensor array (infrared detector) that is commercialized in an array format.
  • the infrared sensor 1 includes a frame portion 2 formed in a rectangular frame shape, and a membrane 3 that is installed in the frame portion 2 and formed in an uneven shape as a whole. ing.
  • the membrane 3 is a so-called infrared detection unit having sensor sensitivity, and is formed as thin as possible.
  • the frame portion 2 is a portion that supports the thinly formed membrane 3 over four circumferences, and although not shown in the drawing, a connection wiring to the membrane 3 is patterned on the surface thereof.
  • the frame part 2 is formed in a square frame shape by deep reactive etching (Deep RIE) from both sides of the silicon substrate. Further, the four frame pieces 2a constituting each side of the frame portion 2 have the same thickness.
  • the frame part 2 of the embodiment is formed with a size of about 50 ⁇ m on one side, for example.
  • the frame portion 2 is preferably formed in a polygonal shape in consideration of strength, such as a rectangle, a triangle, and a hexagon, in addition to a square.
  • the frame portion 2 in FIG. 4 (a) has each corner portion formed in a small round shape (large curvature radius), and the frame portion 2 in FIG. 4 (b) has a large round shape (curvature) in each corner portion. (Small radius).
  • the rigidity of the frame portion 2 can be increased in the planar direction, and as a result, the strength of the entire infrared sensor 1 can be increased.
  • the membrane 3 is configured by laminating an upper electrode layer 11, a pyroelectric layer (dielectric layer) 12, and a lower electrode layer 13 in this order.
  • the pyroelectric layer 12 is made of, for example, PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ), SBT (SrBi 2 Ta 2 O 9 ), BIT (Bi 4 Ti 3 O 12 ), LT (LiTaO 3 ), LN (LiNbO 3 ). ), BTO (BaTiO 3 ), BST (BaSrTiO 3 ) and the like.
  • the pyroelectric layer 12 is preferably made of a material having a high dielectric constant in consideration of detection sensitivity (for example, BST (BaSrTiO 3 ) or LT (LiTaO 3 )).
  • the pyroelectric layer 12 of the embodiment is formed to a thickness of about 0.2 ⁇ m.
  • the lower electrode layer 13 is made of, for example, Au, SRO, Nb-STO, LNO (LaNiO 3 ), or the like.
  • the lower electrode layer 13 is preferably made of the same material as that of the pyroelectric layer 12.
  • the lower electrode layer 13 may be made of general Pt, Ir, Ti or the like.
  • the upper electrode layer 11 is made of, for example, Au-Black or the like so as to increase the infrared absorption rate.
  • the upper electrode layer 11 and the lower electrode layer 13 of the embodiment are each formed to a thickness of about 0.1 ⁇ m.
  • the membrane 3 having such a laminated structure is formed in a concavo-convex shape in a plane, in other words, in a two-dimensional concavo-convex shape.
  • the concave-convex shape extends in two directions orthogonal to each other, and the concave portions 3a and the convex portions 3b having a square shape in plan view are distributed in a mesh shape (matrix shape) in the entire in-plane region of the membrane 3. Yes. That is, four convex portions 3b are adjacent to any one concave portion 3a, and four concave portions 3a are adjacent to any one convex portion 3b. For this reason, as shown in FIG. 2A, FIG. 2B, and FIG.
  • the joining portion with respect to each frame piece 2a is also uneven in a plan view.
  • the planar shapes of the recesses 3a and the projections 3b are preferably rectangles, triangles, etc., or polygons such as rectangles, triangles, etc. with rounded corners. And convex parts may be mixed.
  • the adjacent concave portion 3a and convex portion 3b also serve as a peripheral wall 3c, and this peripheral wall 3c constitutes a part of the infrared detector and functions as a reinforcing rib.
  • the height of the peripheral wall 3c functioning as a reinforcing rib is formed larger than the thickness dimension of the membrane 3.
  • the separation dimension in the front and back direction is formed to be about 2.5 ⁇ m.
  • the reinforcing rib of the embodiment is formed at right angles to the in-plane direction of the membrane 3, it may be inclined. That is, as shown in FIG. 5A, the uneven shape of the membrane 3 is a cross-sectional shape in which inverted trapezoidal concave portions 3a and trapezoidal convex portions 3b are alternately connected. At that time, as shown in FIG. 5 (b), it is more preferable to round the corners and corners of the recess 3a and the protrusion 3b (to form a round shape). Further, the same roundness is applied to the embodiment of FIG. Thereby, the rigidity of the membrane 3 can be increased in the front and back directions, and the strength of the entire infrared sensor 1 can be increased together with the frame portion 2.
  • the infrared sensor 1 of the embodiment uses a silicon substrate (wafer) W and is manufactured by a semiconductor microfabrication technique.
  • a first etching deep reactive etching: anisotropic etching
  • a resist is applied by photolithography, so that the convex portion 3b. Is formed (actually, the portion corresponding to the back surface of the lower electrode layer 13 in the convex portion 3b) (FIG. 6B).
  • the second etching deep reactive etching: anisotropic etching
  • the second etching is performed from the upper side (front side) to form a plurality of concave portions 3a (actually concave portions on the back surface of the lower electrode layer 13). Part) is formed (FIG. 6C).
  • a thermal oxidation process is performed to form oxide films (SiO 2 ) Wa on the front and back surfaces of the silicon substrate W (FIG. 6D).
  • the lower electrode layer 13, the pyroelectric layer 12, and the upper electrode layer 11 are formed in this order, for example, by epitaxial growth (CVD), which later becomes the membrane 3 Is deposited (FIG. 6E).
  • CVD epitaxial growth
  • the buffer layer for example YSZ, CeO 2, Al 2 O 3, STO is preferred.
  • third etching (for example, isotropic etching by wet etching) is performed from the front side from the back side or the silicon substrate W is turned upside down, and the substrate portion under the membrane 3 is removed.
  • the lower electrode layer 13 of the membrane 3 is caused to function as an etching stop layer, while the frame portion 2 is left by managing the etching time.
  • the substrate portion on the lower side of the membrane 3 may be formed as a sacrificial layer such as phosphate glass, and the sacrificial layer may be removed from the front side. Further, the oxide film Wa may not be completely removed.
  • the infrared sensor 1 according to the modification of FIG. 7 includes a frame portion 2 formed in a quadrangular frame shape, and a membrane 3 that is installed in the frame portion 2 and formed in an uneven shape. It is equipped with.
  • the membrane 3 of the first modified example extends so that the concavo-convex shape obliquely intersects, and the concave portions 3a and the convex portions 3b having a triangular shape in plan view are distributed in a mesh shape throughout the entire surface of the membrane. ing.
  • the peripheral wall 3c serving as a reinforcing rib extends in three directions, the strength of the membrane 3 can be further increased.
  • a sensor array (infrared detector) 20 having the infrared sensor 1 of the first embodiment as a sensor element will be described with reference to FIGS.
  • the sensor array 20 shown in FIG. 8 has a concave portion 3a and a convex portion 3b formed in a rectangular shape in plan view in each infrared sensor 1, and a plurality of infrared sensors (sensor elements) 1 are arranged in a plane without gaps. ,It is configured.
  • the plurality of infrared sensors 1 are arranged in a state in which the mutual frame portions 2 are shared, that is, in any two adjacent infrared sensors 1 in a state in which the mutual frame pieces 2a are shared. .
  • any two adjacent infrared sensors 1 the shape of the uneven shape of the membrane 3 is different. That is, in one membrane 3, rectangular concave portions 3a and convex portions 3b are arranged in a so-called lateral direction, and in the other membrane 3, rectangular concave portions 3a and convex portions 3b are arranged in a so-called vertical direction.
  • the frame pieces 2 a in the adjacent infrared sensors 1 are shared (in other words, shared), so that the rigidity (strength) of the sensor array 20 as a whole is increased and the total area of the frame portion 2 is increased.
  • the ratio of the total area of the membrane 3 can be increased, and the yield and detection sensitivity can be improved.
  • the adjacent infrared sensors 1 can be set to different resonance frequencies, and the resonance frequency of the entire sensor array 20 can be suppressed low. Therefore, destruction / breakage due to vibration of the sensor array 20 can be prevented, and the sensor array 20 suitable for in-vehicle use can be configured.
  • the sensor array 20 shown in FIG. 9 has a concave portion 3a and a convex portion 3b formed in a square in plan view in each infrared sensor 1, and in this case as well, the plurality of infrared sensors 1 share the frame portion 2 with each other. In this state, they are arranged in a plane. Further, in any two adjacent infrared sensors 1, in one membrane 3, the recesses 3a and the projections 3b form a matrix in the X-axis direction and the Y-axis direction, but in the other membrane 3, the recesses 3a and The convex portion 3b is a matrix inclined by 45 ° from the X-axis direction and the Y-axis direction. Also in this case, it is possible to improve the yield and the detection sensitivity, and to prevent destruction / breakage due to vibration.
  • the present invention is applied to a pressure sensor 31.
  • the pressure sensor 31 includes a frame portion 32 formed in a rectangular frame shape, and a frame portion 31. And a membrane 33 partially formed in a concavo-convex shape.
  • the membrane 33 in this case is configured by a capacitance detection type in which an upper electrode layer 41, a diaphragm 42, and a lower electrode layer 43 are sequentially laminated.
  • the diaphragm 42 constituting the pressure receiving portion is thinly formed by etching a silicon substrate (single crystal) from both the front and back sides.
  • an electrical resistance type pieoresistance
  • the electrical wiring is a pn junction
  • the membrane (diaphragm 42) 33 includes a central flat portion 33a that serves as a main body of the pressure receiving portion, and an uneven peripheral portion 33b that connects the central flat portion 33a and the frame portion 2. Also in this case, the peripheral edge portion 33b is formed in a two-dimensional uneven shape in the plane, and the concave portions 3a and the convex portions 3b are alternately distributed. The thickness of the membrane 3 is determined by the pressure level to be detected.

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Abstract

　コンパクトであって、歩留りの向上と検出感度の向上を図ることができるセンサアレイを提供することである。　複数のフレーム片２ａを連設して成る四角形の枠状のフレーム部２と、フレーム部２内に架設したメンブレン３と、から成るセンサエレメント１の複数個を、隣接するセンサエレメント１におけるフレーム片２ａを共有した状態で、面状に配置して成るものである。また、メンブレン３は、方形の凹部３ａと凸部３ｂとが網目状に分布した凹凸形状を有している。

Description

センサアレイ
　本願発明は、温度変化、圧力変化、振動等に感応するメンブレン構造のセンサエレメントを面状に連ねて成るセンサアレイに関するものである。
　従来、この種のセンサエレメントとして、メンブレン構造の熱センサが知られている（特許文献１）。この熱センサは、熱感度素子および上下の電極から成る方形のメンブレンと、基板上にメンブレンをリリースするようにして支持する一対の支持アームと、を備え、支持アームは、電極に接続された配線を兼ねると共に断熱材で形成されている。熱感度素子は、赤外線を吸収し、その温度変化を電気信号に変換し、検出可能とする。
　そして、この熱センサを基板上にマトリクス状に多数形成することにより、赤外線イメージセンサやナイトビジョン装置等に組み込まれるセンサアレイが構成される。
米国特許第６０８７６６１号
　このような従来の熱センサでは、メンブレンを薄く形成し熱容量を小さくすることで検出感度を向上させることが可能となるが、薄く形成すると、製造過程におけるストレス（熱応力等）により反りや割れが生じ、歩留りが極端に悪化する問題がある。また、メンブレンを薄く形成すると共振周波数が低下し、車載用のセンサ等では、共振によりメンブレンが破壊したり、支持アームとメンブレンの接続部分が破損する等の問題がある。さらに、メンブレンの熱感度素子を強誘電体で構成した場合、振動によりマイクロフォニックノイズが発生し、検出感度が低下する問題があった。
　また、熱センサをセンサエレメントとするセンサアレイでは、全体に対するメンブレン（感応部）の面積比率が低く、大型で且つ検出感度の劣るものとなる問題があった。
　本発明は、コンパクトであって、歩留りの向上と検出感度の向上を図ることができるセンサアレイを提供することを課題としている。
　本発明のセンサアレイは、複数のフレーム片を連設して成る多角形の枠状のフレーム部と、フレーム部内に架設したセンサ感度を有するメンブレンと、から成るセンサエレメントの複数個を、隣接するセンサエレメントにおけるフレーム片を共有した状態で、面状に配置して成ることを特徴とする。
　この構成によれば、メンブレンをフレーム部と一体化することができるため、メンブレンの強度をアップさせることができ、センサアレイ全体としても剛性（強度）を高めることができる。このため、歩留りを高めつつ各メンブレンを薄く形成することができる。また、メンブレンとフレーム部との一体化により、メンブレンの共振周波数を極端に高くすることができ、振動による破壊・破損を防止することができると共に、マイクロフォニックノイズの発生を防止することができる。さらに、隣接するセンサエレメントにおけるフレーム片を共有した構造であるため、センサアレイ全体として剛性（強度）を高めつつ、フレーム部の総面積に対するメンブレンの総面積の比率を高めることができ、検出感度を向上させることができる。
　すなわち、フレーム片を共有（兼用）することは、例えば隣接するセンサエレメントが１つのフレーム片に対して、その面内の対向する方向からそれぞれ接続（接合）されるような位置関係であり、このような構成では、フレーム片がその両側にメンブレンを配置した構造となるので、フレーム片とメンブレンを一体としてその強度を高めることができる。また、フレーム部の面内方向における幅を各センサエレメントの長さよりも十分に小さくするように構成して、細いフレーム部とすることができるので、フレーム部の総面積に対するメンブレンの総面積の比率を高めることができる。
　この場合、各メンブレンは、少なくともフレーム部の内周面に接合する周縁部が凹凸形状に形成されていることが好ましい。
　この構成によれば、メンブレンとフレーム部との強度的な一体性が図られ、接合部分の応力集中が緩和されると共にメンブレン自体の強度もアップさせることができる。このため、歩留りを高めつつメンブレンを薄く形成することができる。
　また、隣接する２つのセンサエレメントにおいて、凹凸形状の形態が相互に異なることが好ましい。
　この構成によれば、隣接する２つのセンサエレメントを、異なる共振周波数とすることができ、センサアレイ全体としても共振周波数を低く抑えることができる。したがって、振動による破壊・破損を防止することができ、車載用に好適なセンサアレイを構成することができる。
　さらに、各凹凸形状は、少なくとも２方向に延在し、各メンブレンの面内全域において、凹部と凸部とが網目状に分布していることが好ましい。
　この構成によれば、メンブレン自体の強度をより一層、高めることができ、その分、メンブレンを薄手に形成することができる。また、センサアレイ全体としても強度を高めることができる。
　一方、多角形が、三角形、四角形および六角形のいずれかであることが好ましい。
　この構成によれば、メンブレン（感応部）の面積比率の高く、且つ高剛性のセンサアレイを形成することができる。
　また、各メンブレンは、表側電極層と誘電体層と裏側電極層とを積層して成ることが好ましい。
　この構成によれば、歩留りが高く且つ高検出感度のセンサエレメント（センサアレイ）を構成することができる。
　以上のように本発明によれば、隣接するセンサエレメントにおけるフレーム片を共有した構造であるため、センサアレイ全体として剛性（強度）を高めつつ、フレーム部の総面積に対するメンブレンの総面積の比率を高めることができ、検出感度を向上させることができる。すなわち、コンパクトに形成できると共に、歩留りの向上と検出感度の向上を図ることができる。
本発明の第１実施形態に係る赤外線センサの平面図である。 図１のＡ－Ａ線断面図（ａ）、およびＢ－Ｂ線断面図（ｂ）である。 第１実施形態に係る赤外線センサの部分斜視図である。 フレーム部周りの変形例（ａ）および他の変形例（ｂ）を説明する赤外線センサの部分斜視図である。 メンブレン周りの変形例（ａ）および他の変形例（ｂ）を説明する赤外線センサの断面図である。 第１実施形態に係る赤外線センサの製造方法を示す説明図である。 第１実施形態の変形例に係る赤外線センサの部分斜視図である。 第１実施形態の赤外線センサを適用したセンサアレイ（赤外線検出装置）の部分平面図である。 変形例に係るセンサアレイの部分平面図である。 本発明の第２実施形態に係る赤外線センサの平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
　以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳセンサである赤外線センサおよびこれを用いたセンサアレイについて説明する。この赤外線センサは、シリコン（ウェーハ）等を材料として微細加工技術により製造されるものであり、いわゆる焦電型の赤外線（遠赤外線）センサで構成されている。また、この赤外線センサは、アレイ形式で製品化されるセンサアレイ（赤外線検出装置）のピクセル（エレメント）を構成するものである。
　図１ないし図３に示すように、赤外線センサ１は、四角形の枠状に形成されたフレーム部２と、フレーム部２内に架設され、全体として凹凸形状に形成されたメンブレン３と、を備えている。メンブレン３は、センサ感度を有するいわゆる赤外線検出部であり、可能な限り薄手に形成されている。フレーム部２は、薄手に形成されたメンブレン３を四周に亘って支持する部分であり、また図示では省略したが、その表面にはメンブレン３への接続配線がパターニングされている。
　フレーム部２は、シリコン基板を表裏（上下）両面から深堀反応性エッチング（Ｄｅｅｐ　ＲＩＥ）して、正方形の枠状に形成されている。また、フレーム部２の各辺を構成する４つのフレーム片２ａは、同一の厚さを有している。実施形態のフレーム部２は、例えば一辺が５０μｍ程度の大きさに形成されている。なお、フレーム部２は、正方形の他、長方形、三角形、六角形等、強度を考慮し多角形に形成することが好ましい。
　また、図４に示すように、フレーム部２の各隅部に丸みを持たせた構造としてもよい。図４（ａ）のフレーム部２は、各隅部を小さくアール形状（曲率半径大）に形成したものであり、図４（ｂ）のフレーム部２は、各隅部を大きくアール形状（曲率半径小）に形成したものである。このような構成では、平面方向においてフレーム部２の剛性を高めることができ、ひいては赤外線センサ１全体の強度アップを図ることができる。
　図２に示すように、メンブレン３は、上側電極層１１、焦電体層（誘電体層）１２および下側電極層１３を、この順に積層して構成されている。焦電体層１２は、例えばＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）、ＢＩＴ（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、ＢＴＯ（ＢａＴｉＯ３）、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３）等で構成されている。この場合、焦電体層１２は、検出感度を考慮し誘電率の高い材質のもの（例えば、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３）やＬＴ（ＬｉＴａＯ３））を用いることが好ましい。そして、実施形態の焦電体層１２は、０．２μｍ程度の厚みに形成されている。
　下側電極層１３は、例えばＡｕ、ＳＲＯ、Ｎｂ－ＳＴＯ、ＬＮＯ（ＬａＮｉＯ３）等で構成されている。この場合、下側電極層１３上への焦電体層１２の成膜を考慮し、下側電極層１３は結晶構造が焦電体層１２と同一の材料とすることが好ましい。また、下側電極層１３は、一般的なＰｔ、Ｉｒ、Ｔｉ等で構成してもよい。一方、上側電極層１１は、赤外線の吸収率を高め得るように、例えばＡｕ－Ｂｌａｃｋ等で構成されている。そして、実施形態の上側電極層１１および下側電極層１３は、それぞれ０．１μｍ程度の厚みに形成されている。
　このような積層構造を有するメンブレン３は、平面内において凹凸形状に、言い換えれば２次元的に凹凸形状に形成されている。具体的には、凹凸形状が直交する２方向に延在し、メンブレン３の面内全域において、平面視方形の凹部３ａと凸部３ｂとが網目状（マトリクス状）に分布した形態となっている。すなわち、任意の１の凹部３ａに対し４つの凸部３ｂが隣接し、任意の１の凸部３ｂに対し４つの凹部３ａが隣接している。このため、図２（ａ）、図２（ｂ）および図３に示すように、各フレーム片２ａに対する接合部分も、平面的に凹凸形状となっている。なお、凹部３ａおよび凸部３ｂの平面形状は、長方形や三角形等、或いは隅部をアール形状とした長方形や三角形等の多角形であることが好ましく、また１のメンブレン３において、形状の異なる凹部および凸部が混在していてもよい。
　また、隣接する凹部３ａと凸部３ｂとは相互の周壁３ｃを兼用しており、この周壁３ｃが、赤外線検出部の一部を構成すると共に補強リブとして機能している。補強リブとして機能する周壁３ｃの高さ、すなわち凹部３ａと凸部３ｂとの表裏方向の離間寸法は、メンブレン３の厚さ寸法より大きく形成されている。例えば、実施形態のものでは、この表裏方向の離間寸法が２．５μｍ程度に形成されている。
　なお、実施形態の補強リブは、メンブレン３の面内方向に対し直角に形成されているが、傾斜したものであってもよい。すなわち、図５（ａ）に示すように、メンブレン３の凹凸形状を、逆台形の凹部３ａと台形の凸部３ｂとを交互に連ねた断面形状とする。その際、図５（ｂ）に示すように、凹部３ａおよび凸部３ｂの隅部および角部に丸みを持たせる（アール形状に形成する）こと、がより好ましい。また、この丸みを持たせることは、図２の実施形態においても同様である。これにより、表裏方向においてメンブレン３の剛性を高めることができ、フレーム部２と併せて赤外線センサ１全体の強度アップを図ることができる。
　次に、図６を参照して、赤外線センサ１の製造方法について説明する。実施形態の赤外線センサ１は、シリコン基板（ウェーハ）Ｗを用い、半導体の微細加工技術により製造される。先ず、フォトリソグラフィーによりレジストを塗布されたシリコン基板Ｗ（図６（ａ））に、上側（表側）から第１のエッチング（深掘反応性エッチング：異方性エッチング）を行って、凸部３ｂの上端面となる部分（実際には、凸部３ｂにおける下側電極層１３の裏面に相当する部分）を形成する（図６（ｂ））。同様に、上側（表側）から第２のエッチング（深掘反応性エッチング：異方性エッチング）を行って、複数の凹部３ａとなる部分（実際には、下側電極層１３の裏面において凹となる部分）を形成する（図６（ｃ））。次に、熱酸化処理を行いシリコン基板Ｗの表裏両面に酸化膜（ＳｉＯ２）Ｗａを形成する（図６（ｄ））。
　次に、シリコン基板Ｗの表面、すなわち酸化膜Ｗａの上に、下側電極層１３、焦電体層１２および上側電極層１１の順で、例えばエピタキシャル成長（ＣＶＤ）により、後にメンブレン３となる部分を成膜する（図６（ｅ））。このエピタキシャル成長では、高品質の成膜を行うべく、特に酸化膜Ｗａと下側電極層１３との間には、それぞれバッファ層（図示省略）を設けることが好ましい。バッファ層は、例えばＹＳＺ、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳＴＯが好ましい。
　そして、最後に、裏面側から、或いはシリコン基板Ｗを表裏反転して表側から第３のエッチング（例えば、ウェットエッチングによる等方性エッチング）を行い、メンブレン３の下側となる基板部分を除去する（図６（ｆ））。この場合、メンブレン３の下側電極層１３を、エッチングストップ層として機能させる一方、エッチングの時間管理により、フレーム部２を残す。なお、この第３のエッチングに代えて、メンブレン３の下側となる基板部分を燐酸ガラス等の犠牲層として形成しておき、表側からこの犠牲層を除去するようにしてもよい。また、酸化膜Ｗａは、最終的に除去しきれなくてもよい。
　このような構成では、メンブレン３が凹凸形状に形成されているため、フレーム部２との強度的な一体性が図られ、且つメンブレン３自体の強度アップを図ることができる。このため、製造過程における破損を有効に防止することができ、歩留りを高めつつメンブレン３を薄く形成することができる。また、この凹凸形状により、メンブレン３の共振周波数を極端に高くすることができ、振動による破壊・破損を防止することができると共に、マイクロフォニックノイズの発生をも防止することができる。したがって、歩留りの向上と検出感度の向上とを同時に達成することができる。
　次に、図７を参照して、上記の第１実施形態の変形例について説明する。なお、以降の変形例では、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。
　図７の変形例に係る赤外線センサ１は、第１実施形態と同様に、四角形の枠状に形成されたフレーム部２と、フレーム部２内に架設され、凹凸形状に形成されたメンブレン３と、を備えている。この第１変形例のメンブレン３は、凹凸形状が斜めに交差するように延在し、メンブレンの面内全域において、平面視三角形の凹部３ａと凸部３ｂとが網目状に分布した形態となっている。この場合、補強リブとなる周壁３ｃが３方向に延在するため、より一層、メンブレン３の強度アップを図ることができる。
　ここで、図８および図９を参照して、第１実施形態の赤外線センサ１をセンサエレメントとするセンサアレイ（赤外線検出装置）２０について説明する。
　図８のセンサアレイ２０は、各赤外線センサ１において、その凹部３ａおよび凸部３ｂを平面視長方形に形成したものであり、複数の赤外線センサ（センサエレメント）１を隙間なく面状に配置して、構成されている。具体的には、複数の赤外線センサ１は、相互のフレーム部２を共有した状態で、すなわち、隣接する任意の２つの赤外線センサ１において、相互のフレーム片２ａを共有した状態で配置されている。また、隣接する任意の２つの赤外線センサ１において、メンブレン３の凹凸形状の形態が異なっている。すなわち、一方のメンブレン３では、長方形の凹部３ａおよび凸部３ｂがいわゆる横向きに配置され、他方のメンブレンで３は、長方形の凹部３ａおよび凸部３ｂがいわゆる縦向きに配置されている。
　このようなセンサアレイ２０では、隣接する赤外線センサ１におけるフレーム片２ａを共有（言い換えれば、兼用）しているため、センサアレイ２０全体として剛性（強度）を高めつつ、フレーム部２の総面積に対するメンブレン３の総面積の比率を高めることができ、歩留りの向上と検出感度の向上とを図ることができる。また、隣接する赤外線センサ１を、異なる共振周波数とすることができ、センサアレイ２０全体としても共振周波数を低く抑えることができる。したがって、センサアレイ２０の振動による破壊・破損を防止することができ、車載用に好適なセンサアレイ２０を構成することができる。
　図９のセンサアレイ２０は、各赤外線センサ１において、その凹部３ａおよび凸部３ｂを平面視正方形に形成したものであり、この場合も、複数の赤外線センサ１は、相互のフレーム部２を共有した状態で平面状に配置されている。また、隣接する任意の２つの赤外線センサ１において、一方のメンブレン３では、凹部３ａおよび凸部３ｂがＸ軸方向およびＹ軸方向のマトリクスとなっているが、他方のメンブレン３では、凹部３ａおよび凸部３ｂがＸ軸方向およびＹ軸方向から４５°傾いたマトリクスとなっている。この場合も、歩留りの向上と検出感度の向上とを図ることができと共に、振動による破壊・破損を防止することができる。
　次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態は、本発明を圧力センサ３１に適用したものであり、圧力センサ３１は、第１実施形態と同様に、四角形の枠状に形成されたフレーム部３２と、フレーム部３１内に架設され、一部が凹凸形状に形成されたメンブレン３３と、を備えている。この場合のメンブレン３３は、上側電極層４１、ダイヤフラム４２および下側電極層４３を順に積層した、容量検出型のもので構成されている。受圧部を構成するダイヤフラム４２は、シリコン基板（単結晶）を表裏両側からエッチングして薄手に形成されている。なお、容量検出型に代えて、電気配線をｐ－ｎ接合とした電気抵抗型（ピエゾ抵抗）としてもよい。
　そして、メンブレン（ダイヤフラム４２）３３は、受圧部の主体を為す中央平坦部３３ａと、中央平坦部３３ａとフレーム部２とを結ぶ凹凸形状の周縁部３３ｂと、で構成されている。この場合も、周縁部３３ｂは、平面内において２次元的に凹凸形状に形成されており、凹部３ａと凸部３ｂとが交互に分布した形態となっている。なお、メンブレン３の厚みは、検出対象となる圧力の高低により決定される。
　このような圧力センサ３１では、第１実施形態と同様に、メンブレン３３の周縁部３３ａが凹凸形状に形成されているため、フレーム部２との強度的な一体性が図られ、且つメンブレン３３の強度アップを図ることができる。このため、歩留りを高めつつメンブレン３３を薄く形成することができる。また、この凹凸形状により、メンブレン３３の共振周波数を極端に高くすることができ、振動による破壊・破損を防止することができる。
　　１　赤外線センサ　　　　　　　　　　　　　２　フレーム部
　２ａ　フレーム片　　　　　　　　　　　　　　３　メンブレン
　３ａ　凹部　　　　　　　　　　　　　　　　３ｂ　凸部
　１１　上側電極層　　　　　　　　　　　　　１２　焦電体層
　１３　下側電極層　　　　　　　　　　　　　２０　センサアレイ
　３１　圧力センサ　　　　　　　　　　　　　３２　フレーム部
　３３　メンブレン　　　　　　　　　　　　３３ｂ　周縁部
　４１　上側電極層　　　　　　　　　　　　　４２　ダイヤフラム
　４３　下側電極層　　　　　　　　　　　　　　Ｗ　シリコン基板

Claims (6)

  1. 　複数のフレーム片を連設して成る多角形の枠状のフレーム部と、前記フレーム部内に架設したセンサ感度を有するメンブレンと、から成るセンサエレメントの複数個を、
    　隣接する前記センサエレメントにおける前記フレーム片を共有した状態で、面状に配置して成ることを特徴とするセンサアレイ。
  2. 　前記各メンブレンは、少なくとも前記フレーム部の内周面に接合する周縁部が凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサアレイ。
  3. 　隣接する２つの前記センサエレメントにおいて、前記凹凸形状の形態が相互に異なることを特徴とする請求項１に記載のセンサアレイ。
  4. 　前記各凹凸形状は、少なくとも２方向に延在し、
    　前記各メンブレンの面内全域において、凹部と凸部とが網目状に分布していることを特徴とする請求項１に記載のセンサアレイ。
  5. 　前記多角形が、三角形、四角形および六角形のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のセンサアレイ。
  6. 　前記各メンブレンは、表側電極層と誘電体層と裏側電極層とを積層して成ることを特徴とする請求項１に記載のセンサアレイ。
     
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015141496A1 (ja) * 2014-03-19 2015-09-24 住友精密工業株式会社 赤外線センサ及びその製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2999805B1 (fr) * 2012-12-17 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif de detection infrarouge
JP7066557B2 (ja) * 2018-07-12 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 温度測定センサ、温度測定システム、および、温度測定方法
CN117990240B (zh) * 2024-04-07 2024-07-02 华景传感科技（无锡）有限公司 一种微机电系统压力传感器和微机电系统压力换能器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100426A (ja) * 1987-10-14 1989-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd アレイ伏焦電形赤外検出器
JPH07190854A (ja) * 1993-12-25 1995-07-28 Nippondenso Co Ltd 赤外線センサ
JP2001356046A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Denso Corp 赤外線検出装置
JP2005268660A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Horiba Ltd 赤外線アレイセンサ
JP2008288813A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Hitachi Ltd 半導体装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410917B1 (en) * 2000-01-18 2002-06-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Polarization-sensitive corrugated quantum well infrared photodetector array

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100426A (ja) * 1987-10-14 1989-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd アレイ伏焦電形赤外検出器
JPH07190854A (ja) * 1993-12-25 1995-07-28 Nippondenso Co Ltd 赤外線センサ
JP2001356046A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Denso Corp 赤外線検出装置
JP2005268660A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Horiba Ltd 赤外線アレイセンサ
JP2008288813A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015141496A1 (ja) * 2014-03-19 2015-09-24 住友精密工業株式会社 赤外線センサ及びその製造方法
JPWO2015141496A1 (ja) * 2014-03-19 2017-04-06 住友精密工業株式会社 赤外線センサ及びその製造方法

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