WO2010146730A1 - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Classifications
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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Definitions
- the present invention relates to an organic EL display device including an organic EL panel having an organic electroluminescence element (organic electroluminescence element: hereinafter referred to as “organic EL element”), and a manufacturing method thereof.
- organic electroluminescence element organic electroluminescence element: hereinafter referred to as “organic EL element”
- liquid crystal display devices are actively used as flat panel displays in a wide variety of fields.
- the power consumption is low because the contrast and color change greatly depending on the viewing angle and a light source such as a backlight is required. It is still a big problem that it is not easy to make it easy and that there is a limit to thinning and weight reduction.
- the liquid crystal display device still has a big problem regarding flexibility.
- organic EL organic electroluminescence
- an organic molecule constituting the organic EL layer emits light by passing a current through an organic EL layer sandwiched between an anode and a cathode.
- the organic EL display device using this organic EL element is a self-luminous type, it is excellent in terms of thinning, lightening, and low power consumption, and also has a wide viewing angle. Has attracted a great deal of attention as a candidate for flat panel display. Furthermore, there is a possibility that it is superior to the liquid crystal display device in terms of flexibility. Actually, practical use as a main display of portable music devices and mobile phones is spreading by taking advantage of the thinness and wide viewing angle.
- the organic EL display device includes a plurality of organic EL elements arranged in a predetermined arrangement, and each of the plurality of organic EL elements includes a first electrode formed on an insulating substrate and a first electrode.
- An organic EL layer having a formed light emitting layer and a second electrode formed on the organic EL layer are provided.
- the organic EL element has an edge cover formed in a region other than the light emitting region in order to prevent a short circuit between the first electrode and the second electrode.
- a TFT thin film transistor
- a planarization film is provided to planarize and insulate the surface of the TFT.
- planarization film is an organic resin such as an acrylic resin in view of easy dielectric constant, film thickness, planarization, and easy control of pattern formation and the taper angle of the formed pattern end. Consists of materials.
- organic resin materials such as acrylic resins tend to accumulate moisture inside compared to materials made of inorganic compounds.
- the acrylic resin has a heat-resistant temperature of about 250 ° C., moisture is sufficiently removed from the planarized film made of the acrylic resin even when baked at a temperature of 250 ° C. or lower during the manufacturing process. It is difficult. For this reason, when the planarizing film is made of an organic resin material, moisture leaks from the planarizing film to reach the organic EL layer constituting the electrode or the organic EL element, and the periphery of the electrode or the organic EL layer is damaged. As a result, there is a problem in that the luminance at the deteriorated portion is lowered and uneven light emission occurs.
- an organic EL display device for preventing such damage due to moisture. More specifically, for example, the organic resin film is disposed between the first electrode and the organic EL layer and has a low hygroscopic property, and the organic resin film is disposed at the boundary between the first electrode and has a relatively low hygroscopic property.
- an organic EL display device including an organic resin film having a high hygroscopic property is disclosed.
- moisture from the planarization film to the organic EL layer can be blocked, so that the deterioration of the organic EL element can be suppressed and an organic EL display device with little deterioration can be realized.
- Patent Document 1 for example, refer to Patent Document 1.
- the first inorganic insulating film is formed in the lower layer of the planarizing film
- the second inorganic insulating film is formed in the upper layer side of the planarizing film
- the first inorganic insulating film, the second inorganic insulating film Discloses an organic EL display device covering the lower surface, the upper surface, and the side surface of the planarizing film.
- the planarization film formed of the organic resin material is covered with the first and second inorganic insulating films formed of the inorganic material.
- the adhesion between the film and the first and second inorganic insulating films becomes poor. Therefore, moisture absorption of the planarization film cannot be completely prevented, and moisture leaked from the planarization film enters between the planarization film and the first and second inorganic insulating films, and the first and second As a result, there was a problem that moisture leaked from the planarization film could not be reliably blocked by the first and second inorganic insulating films.
- the present invention has been made in view of the above-described problems, and an organic EL display device capable of blocking moisture from the planarizing film to prevent a decrease in luminance and light emission unevenness in the organic EL layer, and It aims at providing the manufacturing method.
- an organic EL display device of the present invention is formed on an insulating substrate, a first planarizing film made of resin, and formed on the insulating substrate, and the first planarizing film.
- the first electrode is formed between the first electrode, the organic EL layer formed on the first electrode, the second electrode formed on the organic EL layer, and the first electrode and the first planarization film.
- the second planarization film is formed so as to cover the first planarization film formed of a highly hygroscopic resin, the moisture is accumulated in the first planarization film. Even in such a case, it becomes possible to confine moisture contained in the first planarization film by shielding it with the second planarization film. Therefore, the leakage of moisture from the first flat film to the first electrode can be reliably prevented, so that the moisture can be prevented from reaching the first electrode and the organic EL layer, and the first electrode caused by the moisture can be prevented. And damage to the periphery of the organic EL layer can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent the luminance of the organic EL layer from decreasing and light emission unevenness.
- a second planarization film is formed between the first electrode and the first planarization film, and the first planarization film formed of resin is covered with the second planarization film formed of resin. Therefore, the adhesion between the first planarization film and the second planarization film is improved. Therefore, it is possible to prevent moisture from accumulating at the interface between the first planarizing film and the second planarizing film and generating a gap. As a result, the leakage of moisture from the first planarization film to the first electrode can be reliably prevented, so that moisture leaks from the first planarization film, and the moisture flows between the first planarization film and the first electrode. It is possible to prevent film peeling and cracks from occurring in the first planarization film and the first electrode.
- the second planarizing film may be formed of one selected from the group consisting of polyimide resin, novolac resin, and phenol resin.
- a second planarizing film made of a resin having a lower hygroscopic property than a resin (for example, an acrylic resin) that forms the first planarizing film using a versatile resin material.
- the thickness of the second planarization film may be 0.3 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
- the transparency of the second planarization film can be ensured, and the moisture contained in the first planarization film is shielded by the second planarization film without causing the disadvantage of cost increase. It becomes possible to confine.
- a switching element substrate including an insulating substrate and a switching element formed on the insulating substrate and electrically connected to the first electrode may be provided.
- the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention includes a step of forming a first planarizing film made of a resin on an insulating substrate, and a resin that forms the first planarizing film on the first planarizing film.
- the second planarization film is formed so as to cover the first planarization film formed of a highly hygroscopic resin, moisture is accumulated in the first planarization film.
- the moisture contained in the first planarization film can be shielded and confined by the second planarization film. Therefore, the leakage of moisture from the first flat film to the first electrode can be reliably prevented, so that the moisture can be prevented from reaching the first electrode and the organic EL layer, and the first electrode caused by the moisture can be prevented. And damage to the periphery of the organic EL layer can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent the luminance of the organic EL layer from decreasing and light emission unevenness.
- a second planarization film is formed between the first electrode and the first planarization film, and the first planarization film formed of the resin is covered with the second planarization film formed of the resin. Therefore, the adhesion between the first planarization film and the second planarization film is improved. Therefore, it is possible to prevent moisture from accumulating at the interface between the first planarizing film and the second planarizing film and generating a gap. As a result, the leakage of moisture from the first planarization film to the first electrode can be reliably prevented, so that moisture leaks from the first planarization film, and the moisture flows between the first planarization film and the first electrode. It is possible to prevent film peeling and cracks from occurring in the first planarization film and the first electrode.
- the second planarizing film is selected from the group consisting of polyimide resin, novolac resin, and phenol resin. You may form by.
- a second planarizing film made of a resin having a lower hygroscopic property than a resin (for example, an acrylic resin) that forms the first planarizing film using a versatile resin material.
- the second planarization film may be formed so that the thickness of the second planarization film is 0.3 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less in the step of forming the second planarization film. good.
- the transparency of the second planarization film can be ensured, and moisture contained in the first planarization film is shielded by the second planarization film without causing the disadvantage of an increase in cost. And can be confined.
- the present invention it is possible to reliably block moisture from the planarizing film, and to prevent a decrease in luminance and light emission unevenness of the organic EL layer.
- FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 1 and shows an organic EL element formed on a thin film transistor (TFT) that is a switching element.
- TFT thin film transistor
- It is sectional drawing for demonstrating the organic EL layer which comprises the organic EL element with which the organic EL display apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided.
- It is a top view of the pixel pattern divided by the source wiring and gate wiring of an organic electroluminescence display.
- FIG. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4. It is sectional drawing in order to demonstrate the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention.
- FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention
- FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1, and is formed on a thin film transistor (TFT) as a switching element.
- TFT thin film transistor
- FIG. 1 peripheral circuit portions such as gate drivers and conductive film extraction terminal portions are omitted.
- FIG. 3 is sectional drawing for demonstrating the organic EL layer which comprises the organic EL element with which the organic EL display apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided.
- a plurality of pixel regions 15 defined by the first electrode 13 and the second electrode 14 of the organic EL element 12 are arranged in a matrix.
- a pixel region 15R that emits red light, a pixel region 15G that emits green light, and a pixel region 15B that emits blue light are arranged according to a predetermined pattern.
- the organic EL display device 10 includes an organic EL element 12 and a TFT substrate 16 (switching element substrate).
- the organic EL element 12 includes a plurality of first electrodes 13 (anodes) arranged in a predetermined arrangement (for example, in a matrix) on the TFT substrate 16 and a plurality of first electrodes 13.
- the organic EL layer 17 formed on each of the above and the second electrode 14 formed on the organic EL layer 17 are provided.
- the organic EL element 12 is provided between the edge cover 18 provided so as to cover the peripheral portion of the first electrode 13 and the region where the first electrode 13 is not provided, and the pixel regions 15R, 15G, 15B. And ribs 19 functioning as partition walls for partitioning the pixel regions 15R, 15G, and 15B.
- a configuration may be employed in which a sealing film (not shown) is formed so as to cover the second electrode 14, and a conductive film (not shown) is formed on the sealing film. Also good.
- the TFT substrate 16 is formed on the insulating substrate 20, the TFT 11 electrically connected to each of the plurality of first electrodes 13 arranged in a predetermined arrangement, and the insulating substrate 20. And a first planarizing film (first interlayer film) 21 covering the TFT 11.
- the first electrode 13 has a function of injecting holes into the organic EL layer 17.
- the first electrode 13 is more preferably formed of a material having a large work function. This is because the hole injection efficiency into the organic EL layer 17 can be improved by forming the first electrode 13 with a material having a large work function. As shown in FIG. 2, the first electrode 13 is formed on the first planarization film 21.
- the constituent material of the first electrode 13 silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Lithium fluoride (LiF) ) And the like.
- An alloy such as (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) may be used.
- tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), or conductive oxides such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) may be used.
- the first electrode 13 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
- Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
- the bottom emission method it is preferably formed of a light transmissive material such as indium tin oxide (ITO). According to this configuration, the absorption rate of the light from the organic EL layer 17 by the first electrode 13 can be lowered, and high luminance can be realized.
- the first electrode 13 is preferably formed of a light reflective material such as aluminum (Al). According to this configuration, the light emitted from the organic EL layer 17 toward the first electrode 13 is reflected by the first electrode 13 toward the second electrode 14 (cathode) having translucency with high reflectance. The Therefore, the light emission rate of light from the organic EL layer 17 can be increased, and high luminance can be realized.
- the first planarization film 21 is formed on the insulating substrate 20 and has a function of flattening the formation film surface of the TFT 11.
- the first planarization film 21 can flatly form the first electrode 13, the organic EL layer 17, and the like formed on the first planarization film 21. That is, it is intended to suppress unevenness of the light emission by the organic EL layer 17 due to the lower step or unevenness of the organic EL display device 10 affecting the surface shape of the first electrode 13.
- the first planarizing film 21 is made of an organic resin material such as an acrylic resin that is highly transparent and inexpensive.
- the thickness of the first planarization film 21 is preferably 0.3 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less from the viewpoint of ensuring flatness and electrical insulation of the first electrode 13 and the organic EL layer 17 and the like.
- the first electrode 13 is electrically connected to the TFT 11 through a contact hole 23 formed in a second planarization film (second interlayer film) 22 described later.
- the organic EL layer 17 is formed on the surface of each first electrode 13 partitioned in a matrix. As shown in FIG. 3, the organic EL layer 17 is formed on the surface of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41 formed on the surface of the hole injection layer 40, and the hole transport layer 41. A light emitting layer 42 that emits one of red light, green light, and blue light, an electron transport layer 43 formed on the surface of the light emitting layer 42, and an electron injection formed on the surface of the electron transport layer 43 Layer 44.
- the organic EL layer 17 is configured by sequentially stacking the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44.
- the organic EL layer 17 may be formed with an area smaller than the lower first electrode 13 or may be formed so as to cover the first electrode 13 with a larger area.
- the hole injection layer 40 is also called an anode buffer layer, in order to bring the energy levels of the first electrode 13 and the organic EL layer 17 close to each other and improve the hole injection efficiency from the first electrode 13 to the organic EL layer 17. Used.
- Materials for forming the hole injection layer 40 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives. Etc. can be used.
- the hole transport layer 41 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 13 to the organic EL layer 17.
- Examples of the material for forming the hole transport layer 41 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, Polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, hydrogenated amorphous silicon carbide Zinc sulfide, zinc selenide or the like can be used.
- the light-emitting layer 42 is a region where holes and electrons are injected from each of both electrodes and a hole and an electron are recombined when a voltage is applied by the first electrode 13 and the second electrode 14.
- the light emitting layer 42 is formed of a material having high luminous efficiency.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivative, anthracene derivative, diphenylethylene derivative, vinylacetone derivative, triphenylamine derivative, butadiene derivative , Coumarin derivatives, benzoxazole derivatives, oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, benzimidazole derivatives, thiadiazole derivatives, benzthiazole derivatives, styryl derivatives, styrylamine derivatives, bisstyrylbenzene derivatives, tristyrylbenzene derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, Aminopyrene derivatives, pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-fe Vinylene, or it can be used polysilane.
- the electron transport layer 43 has a role of efficiently moving electrons to the light emitting layer.
- Examples of the material for forming the electron transport layer 43 include oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, silole derivatives, as organic compounds. Metal oxinoid compounds and the like can be used.
- the electron injection layer 44 is used to bring the energy levels of the second electrode 14 and the organic EL layer 17 close to each other and improve the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 14 to the organic EL layer 17.
- the drive voltage of the element 12 can be lowered.
- the electron injection layer is also called a cathode buffer layer.
- Examples of the material for forming the electron injection layer 44 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), and the like.
- Inorganic alkali compounds such as Al 2 O 3 and SrO can be used.
- the second electrode 14 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 17. More preferably, the second electrode 14 is made of a material having a small work function. This is because the efficiency of electron injection into the organic EL layer 17 can be improved by forming the second electrode 14 with a material having a small work function. As shown in FIG. 2, the second electrode 14 is formed on the organic EL layer 17.
- silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Lithium fluoride (LiF) ) Etc. can be used.
- the second electrode 14 includes magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ), It is formed of an alloy such as lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). Also good. Furthermore, the second electrode 14 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), or indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The second electrode 14 can also be formed by laminating a plurality of layers made of these materials.
- Materials having a low work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / Examples include potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). It is done.
- the second electrode 14 is formed of a light transmissive material such as indium tin oxide (ITO). Preferably it is. According to this configuration, the absorption rate of the light from the light emitting layer by the second electrode 14 can be lowered, and high luminance can be realized.
- the organic EL element 12 is a bottom emission method in which light from the light emitting layer is extracted from the substrate side
- the second electrode 14 is preferably formed of a light reflective material such as aluminum (Al).
- the light emitted from the light emitting layer toward the second electrode 14 is reflected by the second electrode 14 toward the first electrode 13 with a high reflectance. Therefore, the light emission rate of light from the light emitting layer can be increased, and high luminance can be realized.
- the edge cover 18 has a function of preventing the first electrode 13 and the second electrode 14 from being short-circuited. Therefore, it is preferable that the edge cover 18 is provided so as to surround the entire periphery of the first electrode 13.
- Examples of the material constituting the edge cover 18 include silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) such as silicon oxide (SiO 2 ) and trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ), silicon oxynitride (SiNO), and the like. Can be mentioned.
- silicon nitride SiNx (x is a positive number)
- SiO 2 silicon oxide
- Si 3 N 4 trisilicon tetranitride
- SiNO silicon oxynitride
- Examples of the material for forming the rib 19 include insulating resin materials such as photosensitive polyimide resin, acrylic resin, methallyl resin, or novolac resin.
- the insulating substrate 20 has a function of ensuring the mechanical durability of the organic EL element 12 and a function of suppressing moisture and oxygen from entering the organic EL layer 17 from the outside.
- the substrate material inorganic materials such as glass and quartz, plastics such as polyethylene terephthalate, ceramics such as alumina, and the like can be used.
- the insulating substrate 20 is an anode on the surface of a metal substrate such as aluminum or iron coated with an insulating material such as SiO 2 (silica gel) or an organic insulating material, or on the surface of a metal substrate such as aluminum or iron.
- a substrate or the like that has been subjected to insulation treatment by a method such as oxidation may also be used.
- the organic EL element 12 is a bottom emission type in which light emission from the organic EL element 12 is extracted from the insulating substrate 20 side, that is, the surface opposite to the element forming surface
- the insulating substrate 20 is made of glass, plastic, or the like. It is preferable to use a material having a high light transmittance.
- FIG. 4 is a plan view of a pixel pattern defined by the source wiring 30 (data line) and the gate wiring 31 (scanning line) of the organic EL display device 10, and
- FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. is there.
- each of the plurality of source wirings 30 formed in a stripe shape is electrically connected to the TFT 11 through the upper and lower pattern connection regions 33, and a data signal is input to the TFT 11.
- the plurality of gate wirings 31 extend in parallel to each other in a direction intersecting with the direction in which the source wiring 30 extends.
- Each of the plurality of gate wirings 31 is a gate of the TFT 11, and a scanning signal is input to each of the TFTs 11.
- the drain of the TFT 11 is connected to the gate wiring 32.
- the gate wiring 32 is the gate of the TFT 11. A portion where the source line 30 and the gate line 32 overlap forms a storage capacitor Cs.
- the source wiring 30 is connected to the source of the TFT 11.
- the drain of the TFT 11 is electrically connected to the first electrode 13.
- the TFT 11 supplies charges to the storage capacitor Cs based on signals input from the source wiring 30 and the gate wiring 31 to operate the TFT 11, and supplies current to the first electrode 13 based on the input signal.
- the source wiring 30 and the gate wiring 31 are each formed of a conductive material such as titanium (Ti), aluminum (Al), tantalum (Ta), or tungsten (W).
- a gate insulating film 34 is formed on the insulating substrate 20 of the TFT substrate 16.
- the material constituting the gate insulating film 34 is not particularly limited.
- silicon oxide (SiO 2 ) a material having a lower dielectric constant than silicon oxide such as SiOF or SiOC, trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ), or the like.
- Examples thereof include materials having a dielectric constant higher than that of silicon oxide such as tantalum oxide, hafnium dioxide (HfO 2 ), and zirconium dioxide (ZrO 2 ).
- first and second interlayer insulating films 35 and 36 are formed on the gate insulating film 34.
- the material constituting the first and second interlayer insulating films 35 and 36 is not particularly limited, and examples thereof include silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiNx (x is a positive number)).
- the semiconductor layer 37 of the TFT 11 can be formed of polysilicon (Si) or the like, and the source electrode and drain electrode of the TFT 11 are formed of aluminum or the like.
- the TFT 11 is used as the switching element, but an MIM (Metal-Insulator-Metal) diode or the like may be used instead of the TFT 11.
- MIM Metal-Insulator-Metal
- the top gate structure TFT substrate 16 is shown, but a bottom gate structure may be used.
- the semiconductor formation region of the TFT 11 may include an oxide semiconductor such as amorphous silicon, microcrystalline silicon, polysilicon, or zinc oxide.
- the TFT 11 of each pixel is operated based on a signal from the data line driving circuit or the scanning line driving circuit, whereby the TFT 11 of each pixel is driven, and a current flows through the organic EL element 12.
- the organic EL element 12 emits light and an image is displayed.
- a second planarization film 22 that covers the first planarization film 21 is formed between the first electrode 13 and the first planarization film 21. There is a feature in that.
- the second planarization film 22 is formed of a resin having a lower hygroscopic property than the resin (that is, acrylic resin) that forms the first planarization film 21.
- hygroscopicity as used herein generally refers to the water absorption measured in accordance with JIS K7209, and “low hygroscopicity” means that the value of the water absorption is small.
- the volume of the resin is very small and the amount of water absorbed is very small. The accuracy may not be sufficient for measurement.
- each material of acrylic resin and polyimide resin was applied to a 10 cm square glass substrate with a film thickness of 2 ⁇ m, and baked at 200 ° C. and 250 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. Next, after standing in the air for 24 hours, baking was performed at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere to remove moisture adhering to the resin surface. Thereafter, while the temperature raised to 10 -2 Pa 300 ° C. from 25 ° C. at a 10 ° C. / min rate in vacuum of were measured amount of water released at the mass analyzer.
- the water absorption rate of each resin although it is difficult to obtain an absolute water absorption value, it is possible to relatively compare the water absorption rate of each resin. At this time, if the amount of water detected is large, the water absorption rate is high. Moreover, when the water absorption rate of the acrylic resin was 1, the water absorption rate of the polyimide resin was 0.53. From the above, it can be said that the water absorption rate of the polyimide resin is significantly lower than that of the acrylic resin, and the polyimide resin is a resin having lower hygroscopicity than the acrylic resin.
- the second planarization film 22 is formed so as to cover the first planarization film 21 formed of an acrylic resin having a high hygroscopic property, moisture is accumulated in the first planarization film 21. Even in such a case, the moisture contained in the first planarization film 21 can be shielded and confined by the second planarization film 22.
- a second planarization film 22 is formed between the first electrode 13 and the first planarization film 21, and the first planarization film 21 formed of resin is second planarization formed of resin. Since the structure is covered with the film 22, the adhesion between the first planarizing film 21 and the second planarizing film 22 is improved. Therefore, it is possible to prevent moisture from accumulating at the interface between the first planarizing film 21 and the second planarizing film 22 and generating a gap. As a result, the leakage of moisture from the first planarization film 21 to the first electrode 13 can be reliably prevented, so that moisture leaks from the first planarization film 21 and the moisture is removed from the first planarization film 21. Between the first electrode 13 and the first electrode 13, it is possible to prevent the first planarization film 21 and the first electrode 13 from being peeled or cracked.
- the contact hole 23 formed in the second planarization film 22 is also configured to cover the first planarization film 21 with the second planarization film 22. It is possible to prevent the first planarization film 21 and the first electrode 13 from contacting each other. Therefore, leakage of moisture from the first flat film 21 to the first electrode 13 can be reliably prevented through the contact hole 23.
- the resin material for forming the second planarizing film 22 is not particularly limited as long as it has lower hygroscopicity than the resin for forming the first planarizing film 21 (that is, acrylic resin).
- a polyimide resin is used.
- Novolac resins, phenol resins, and the like can be suitably used.
- polyimide resin has strong heat resistance, excellent electrical insulation, and excellent adhesion to metal wiring and silicon film.
- membrane 22 is as above-mentioned, and the water absorption rate of a polyimide resin is significantly larger than an acrylic resin. It can be said that polyimide resin is low in hygroscopicity compared with acrylic resin.
- the thickness of the second planarizing film 22 is preferably 0.3 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less. This is because when the thickness of the second planarizing film 22 is less than 0.3 ⁇ m, it is difficult to sufficiently shield and contain the moisture contained in the first planarizing film 21 by the second planarizing film 22. This is because inconvenience may occur.
- the thickness is larger than 1.0 ⁇ m, for example, when the second planarizing film 22 is formed of a polyimide resin, the polyimide resin is colored. Therefore, when the bottom emission method is used, the transparency of the second planarizing film is used. This is because inconvenience that it cannot be ensured may occur.
- the second planarizing film 22 is formed of a polyimide resin, the polyimide resin is expensive, which may cause a disadvantage that the cost increases.
- the organic EL display device 10 is formed when the first planarizing film 21 having a larger thickness than the second planarizing film 22 is formed of polyimide resin or the like. There is a disadvantage in terms of color change and cost of emitted light.
- 6 to 9 are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
- TFTs 11 for driving the organic EL elements 12 are disposed at predetermined intervals on an insulating substrate 20 such as a glass substrate having a substrate size of 320 ⁇ 400 mm and a thickness of 0.7 mm. A plurality are formed.
- a photosensitive acrylic resin is applied on the insulating substrate 20 on which the TFT 11 is formed by a spin coating method, and a predetermined exposure amount is used using an exposure mask having a predetermined exposure pattern.
- the first planarizing film 21 having a thickness of, for example, 2 ⁇ m is formed by performing exposure with (for example, 360 mJ / cm 2 ) and developing with an alkali developer. After development, baking is performed as a post-bake under predetermined conditions (for example, at a temperature of 220 ° C. for 60 minutes).
- a photosensitive polyimide resin is applied to the first planarization film 21 formed on the insulating substrate 20 by a spin coat method, and an exposure mask having a predetermined exposure pattern is used.
- a predetermined exposure amount for example, 60 mJ / cm 2
- an alkaline developer for example, the second planarization film 22 having a thickness of 0.3 ⁇ m is changed to the first planarization film 21. It is formed so as to cover.
- baking is performed as a post-bake under predetermined conditions (for example, at a temperature of 220 ° C. for 120 minutes).
- a contact hole 23 for example, a diameter of 5 ⁇ m for electrically connecting the first electrode 13 and the TFT 11 is formed in the second planarization film 22.
- an ITO film is formed by a sputtering method, exposed and developed by photolithography, and patterned by using an etching method, whereby a plurality of films are formed on the second planarizing film 22.
- the first electrode 13 is formed.
- the film thickness of the first electrode 13 is, for example, about 100 nm.
- baking is performed as a post-bake under predetermined conditions (for example, at a temperature of 220 ° C. for 120 minutes).
- the first electrode 13 is electrically connected to the TFT 11 through a contact hole 23 formed in the second planarizing film 22. At this time, by forming the first electrode 13 on the second planarizing film 22, the second planarizing film 22 is disposed between the first electrode 13 and the first planarizing film 21.
- a silicon oxide film is formed on the peripheral portion of the first electrode 13 by sputtering, exposed and developed by photolithography, and patterned by using an etching method.
- An edge cover 18 is formed so as to surround the entire periphery of one electrode 13. At this time, the edge cover 18 is formed to have a thickness of about 150 nm, for example.
- a photosensitive polyimide resin is patterned to form ribs 19 on the edge cover 18.
- the rib 19 is formed to have a thickness of about 1.7 ⁇ m, for example.
- the organic EL layer 17 including the light emitting layer 42 is formed on the first electrode 13, and then the second electrode 14 is formed on the organic EL layer 17.
- the organic EL layer 17 and the second electrode 14 are formed by a vapor deposition method using a metal mask.
- the element substrate 45 provided with the first electrode 13 shown in FIG. 8 is placed in the chamber of the vapor deposition apparatus. Note that the inside of the chamber of the vapor deposition apparatus is maintained at a vacuum degree of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 (Pa) by a vacuum pump.
- the element substrate 45 including the first electrode 13 is installed in a state where two sides are fixed by a pair of substrate receivers attached in the chamber.
- the vapor deposition materials of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44 are sequentially evaporated from the deposition source, so that the hole injection layer 40, the hole By laminating the transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44, the organic EL layer 17 is formed in the pixel region as shown in FIG.
- the first electrode 13, the organic EL layer 17, and the second electrode 14 are provided on the element substrate 45 by forming the second electrode 14 on the organic EL layer 17.
- the organic EL element 12 is formed.
- a crucible charged with each evaporation material can be used as the evaporation source.
- the crucible is installed in the lower part of the chamber, and the crucible is equipped with a heater, and the crucible is heated by the heater.
- the various vapor deposition materials charged in the crucible become evaporated molecules and jump out upward in the chamber.
- m-MTDATA is common to all RGB pixels.
- a hole injection layer 40 made of (4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine) is formed with a film thickness of, for example, 25 nm through a mask.
- a hole transport layer 41 made of ⁇ -NPD (4,4-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl) is provided on the hole injection layer 40 in common to all the RGB pixels.
- the film is formed with a film thickness of 30 nm through the mask.
- red light emitting layer 42 As the red light emitting layer 42, 30 weight of 2,6-bis ((4′-methoxydiphenylamino) styryl) -1,5-dicyanonaphthalene (BSN) is added to di (2-naphthyl) anthracene (ADN). % Mixed material is formed with a film thickness of, for example, 30 nm on the hole transport layer 41 formed in the pixel region through a mask.
- BSN 2,6-bis ((4′-methoxydiphenylamino) styryl) -1,5-dicyanonaphthalene
- ADN di (2-naphthyl) anthracene
- a mixture of 5% by weight of coumarin 6 in ADN is formed on the hole transport layer 41 formed in the pixel region through a mask with a film thickness of, for example, 30 nm. .
- a blue light-emitting layer 42 2.5% by weight of AND mixed with 4,4′-bis (2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl) biphenyl (DPAVBi) is mixed with AND.
- DPAVBi 4,4′-bis (2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl) biphenyl
- a film with a thickness of 30 nm is formed on the hole transport layer 41 formed in the pixel region through a mask.
- 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3) is formed as an electron transport layer 43 with a thickness of, for example, 20 nm through a mask in common for all the RGB pixels.
- lithium fluoride (LiF) is formed as an electron injection layer 44 on the electron transport layer 43 with a film thickness of, for example, 0.3 nm through a mask.
- the second electrode 14 made of magnesium silver (MgAg) is formed with a film thickness of 10 nm, for example.
- the organic EL display device 10 shown in FIG. 2 is manufactured.
- the organic EL display device 10 may be sealed with a sealing film (not shown) after the second electrode 14 is formed.
- This sealing film includes, for example, any one of insulating films such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SixNy: X and Y are real numbers greater than 0), and silicon oxynitride (SiON). A single film or a laminated film including two or more of these materials can be used.
- a second planarizing film 22 that covers the first planarizing film 21 is formed between the first electrode 13 and the first planarizing film 21. Further, the second planarizing film 22 is formed of a resin having a lower hygroscopic property than a resin (that is, an acrylic resin) that forms the first planarizing film 21. Therefore, since the second planarization film 22 is formed so as to cover the first planarization film 21 formed of the acrylic resin having a high hygroscopic property, moisture is accumulated in the first planarization film 21. Even in such a case, the moisture contained in the first planarization film 21 can be shielded and confined by the second planarization film 22.
- a second planarizing film 22 is formed between the first electrode 13 and the first planarizing film 21, and the first planarizing film 21 formed of resin is formed of resin. Since the second flattening film 22 covers the surface, the adhesion between the first flattening film 21 and the second flattening film 22 is improved. Therefore, it is possible to prevent moisture from accumulating at the interface between the first planarizing film 21 and the second planarizing film 22 and generating a gap. As a result, the leakage of moisture from the first planarization film 21 to the first electrode 13 can be reliably prevented, so that moisture leaks from the first planarization film 21 and the moisture is removed from the first planarization film 21. Between the first electrode 13 and the first electrode 13 to prevent the first planarization film 21 and the first electrode 13 from peeling or cracking.
- the second planarizing film 22 is formed of one selected from the group consisting of polyimide resin, novolac resin, and phenol resin. Therefore, it is possible to form the second planarization film 22 made of a resin having a lower hygroscopicity than the resin (for example, acrylic resin) that forms the first planarization film 21 by using a general-purpose resin material.
- the thickness of the second planarizing film 22 is set to 0.3 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less. Therefore, the transparency of the second planarization film 22 can be ensured, and the moisture contained in the first planarization film 21 is shielded by the second planarization film 22 without causing the disadvantage of an increase in cost. It becomes possible to confine.
- the organic EL layer 17 has a five-layer stacked structure of the hole injection layer 40, the hole transport layer 41, the light emitting layer 42, the electron transport layer 43, and the electron injection layer 44.
- a three-layer structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be used.
- the laminated structure can be reversed so that the first electrode 13 is a cathode and the second electrode 14 is an anode.
- the laminated structure includes a first electrode 13 that is a cathode from below, an electron injection layer 44, an electron transport layer 43, a light emitting layer 42, a hole transport layer 41, a hole injection layer 40, and a second electrode that is an anode. It becomes the electrode 14.
- the materials used for the first electrode 13 and the second electrode 14 are also replaced.
- the organic EL display device 10 of the present invention has a bottom emission structure that emits light from the TFT substrate 16 side, and emits light from the side opposite to the TFT substrate 16 side (that is, the organic EL element 12 side). Either top emission structure can be adopted. However, in the case of the top emission structure, it is necessary to reflect light at the first electrode 13 and to extract light from the second electrode 14.
- the first electrode 13 is formed by laminating ITO on Al.
- the second electrode 14 may be a laminate of ITO on a translucent Ag of about 20 nm.
- Al of the first electrode 13 has a reflection function
- ITO has a function of injecting holes into the light emitting layer 42.
- Ag of the second electrode 14 has a function of injecting electrons into the light emitting layer 42
- ITO has a function of an auxiliary electrode that lowers the resistance of the second electrode 14.
- the present invention is suitable for an organic EL display device including an organic EL panel having an organic EL element and a manufacturing method thereof.
- Organic EL display device 11 TFT (switching element) 12 Organic EL device 13 First electrode 14 Second electrode 15 Pixel region 16 TFT substrate (switching device substrate) 17 Organic EL layer 18 Edge cover 19 Rib 20 Insulating substrate 21 First planarizing film 22 Second planarizing film 23 Contact hole 40 Hole injection layer 41 Hole transport layer 42 Light emitting layer 43 Electron transport layer 44 Electron injection layer
Landscapes
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Abstract
有機ＥＬ表示装置（１０）は、絶縁性基板（２０）と、絶縁性基板（２０）上に形成され、樹脂からなる第１平坦化膜（２１）と、第１平坦化膜（２１）上に形成された第１電極（１３）と、第１電極（１３）上に形成された有機ＥＬ層（１７）と、有機ＥＬ層（１７）上に形成された第２電極（１４）と、第１電極（１３）と第１平坦化膜（２１）との間に形成され、第１平坦化膜（２１）を覆う第２平坦化膜（２２）とを備えている。そして、第２平坦化膜（２２）は、第１平坦化膜（２１）を形成する樹脂より吸湿性の低い樹脂により形成されている。
Description
本発明は、有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：以下、「有機ＥＬ素子」と記載する）を有する有機ＥＬパネルなどを備えた有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。
近年、液晶表示装置は多種多様な分野でフラットパネルディスプレイとして盛んに用いられているが、視野角によりコントラストや色味が大きく変化したり、バックライトなどの光源を必要とするために低消費電力化が容易ではないこと、及び薄型化や軽量化に限界があること等が依然として大きな課題である。また、液晶表示装置はフレキシブル化に関しても依然として大きな課題がある。
そこで、近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が期待されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とに挟まれた有機ＥＬ層に電流を流すことで、有機ＥＬ層を構成する有機分子が発光するものである。そして、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、自発光型であることから薄型化や軽量化、低消費電力化の点で優れており、また広視野角であるため、次世代のフラットパネルディスプレイの候補として大きな注目を集めている。さらに、フレキシブル化に関しても液晶表示装置より優位である可能性をもっている。実際に、その薄型や広視野角を生かして、携帯型音楽機器や携帯電話のメインディスプレイとして実用化が広がりつつある。
この有機ＥＬ表示装置は、所定の配列で配列された複数の有機ＥＬ素子を有し、複数の有機ＥＬ素子の各々は、絶縁性基板上に形成された第１電極と、第１電極上に形成された発光層を有する有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成された第２電極とを備えている。また、有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との短絡を防止するために発光領域以外の領域にエッジカバーが形成されている。また、基板上にはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられ、その表面を平坦化し、かつ絶縁化するために平坦化膜（層間膜）が設けられている。
ここで、平坦化膜は、誘電率や膜厚、平坦化が容易であること、パターン形成や形成されたパターン端部のテーパ角の制御化しやすい点などを鑑みて、アクリル樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。
しかし、アクリル樹脂等の有機樹脂材料は、無機化合物からなる材料に比べて、内部に水分を蓄積しやすい。また、このアクリル樹脂は、耐熱温度が２５０℃程度であるため、製造工程中において、２５０℃以下の温度で焼成した場合であっても、アクリル樹脂からなる平坦化膜から十分に水分を除去することは困難である。そのため、有機樹脂材料で平坦化膜を構成した場合、平坦化膜から水分が漏出して電極や有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層に到達し、電極や有機ＥＬ層の周辺部が損傷を受けて、劣化した部分での輝度が低下し、発光ムラが生じる問題がある。
そこで、この様な水分による損傷を防止するための有機ＥＬ表示装置が提案されている。より具体的には、例えば、第１電極と有機ＥＬ層の間に配置され、吸湿性の低い有機樹脂膜と、第１電極の境界に配置され、吸湿性の低い有機樹脂膜に比し相対的に吸湿性の高い有機樹脂膜とを備える有機ＥＬ表示装置が開示されている。そして、このような構成により、平坦化膜から有機ＥＬ層への水分を遮断することができるため、有機ＥＬ素子の劣化を抑制し、劣化の少ない有機ＥＬ表示装置が実現できると記載されている（例えば、特許文献１参照）。
また、例えば、平坦化膜の下層に第１無機絶縁膜が形成されているとともに、平坦化膜の上層側に第２無機絶縁膜が形成され、第１無機絶縁膜と第２無機絶縁膜とにより、平坦化膜の下面、上面および側面を覆った有機ＥＬ表示装置が開示されている。そして、このような構成により、製造途中において平坦化膜が吸湿することを防止できるため、平坦化膜の吸湿に起因する不具合の発生を防止できると記載されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、上記特許文献１に記載の有機ＥＬ表示装置においては、吸湿性の高い有機樹脂膜が第１電極の境界に配置されているため、第１電極を介して平坦化膜から漏出してくる水分を確実に遮断することができないという問題があった。
また、上記特許文献２に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機樹脂材料により形成された平坦化膜を無機材料により形成された第１及び第２無機絶縁膜により覆う構成としているため、平坦化膜と第１及び第２無機絶縁膜との密着性が乏しくなる。従って、平坦化膜の吸湿を完全には防止することができず、平坦化膜から漏出した水分が、平坦化膜と第１及び第２無機絶縁膜との間に入り込んで、第１及び第２無機絶縁膜において膜剥がれやクラックが発生し、結果として、平坦化膜から漏出した水分を、第１及び第２無機絶縁膜により確実に遮断することができないという問題があった。
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、平坦化膜からの水分を遮断して、有機ＥＬ層における輝度の低下や発光ムラを防止することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成され、樹脂からなる第１平坦化膜と、第１平坦化膜上に形成された第１電極と、第１電極上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成された第２電極と、第１電極と第１平坦化膜との間に形成され、第１平坦化膜を覆う第２平坦化膜とを備え、第２平坦化膜は、第１平坦化膜を形成する樹脂より吸湿性の低い樹脂からなることを特徴とする。
同構成によれば、吸湿性の高い樹脂により形成された第１平坦化膜を覆うように第２平坦化膜が形成されているため、第１平坦化膜に水分が蓄積されている場合であっても、第１平坦化膜に含有された水分を第２平坦化膜により遮蔽して閉じこめることが可能になる。従って、第１平坦膜から第１電極への水分の漏出を確実に防止することができるため、水分が第１電極や有機ＥＬ層に到達することを防止して、水分に起因する第１電極や有機ＥＬ層の周辺部の損傷を防止することができる。その結果、有機ＥＬ層の輝度の低下や発光ムラの発生を確実に防止することができる。
また、第１電極と第１平坦化膜との間に第２平坦化膜が形成されており、樹脂により形成された第１平坦化膜を樹脂により形成された第２平坦化膜により覆う構成としているため、第１平坦化膜と第２平坦化膜との密着性が向上する。従って、第１平坦化膜と第２平坦化膜との界面に水分が蓄積したり、隙間が生じたりすることを防止できる。その結果、第１平坦化膜から第１電極への水分の漏出を確実に防止することができるため、第１平坦化膜から水分が漏出し、水分が第１平坦化膜と第１電極との間に入り込んで、第１平坦化膜や第１電極において膜剥がれやクラックが発生することを防止することができる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、第２平坦化膜は、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選ばれる１種により形成されていても良い。
同構成によれば、汎用性のある樹脂材料により、第１平坦化膜を形成する樹脂（例えば、アクリル樹脂）より吸湿性の低い樹脂からなる第２平坦化膜を形成することが可能になる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、第２平坦化膜の厚みが、０．３μｍ以上１．０μｍ以下であっても良い。
同構成によれば、第２平坦化膜の透明性を確保することができるとともに、コストアップという不都合を生じることなく、第１平坦化膜に含有された水分を第２平坦化膜により遮蔽して閉じこめることが可能になる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置においては、絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成され、第１電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを備えるスイッチング素子基板が設けられていても良い。
同構成によれば、液晶表示装置用に生産されているスイッチング素子基板を転用することが可能になるため、有機ＥＬ表示装置の量産時の製造コストを抑制することが可能になる。
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、絶縁性基板上に、樹脂からなる第１平坦化膜を形成する工程と、第１平坦化膜上に、第１平坦化膜を形成する樹脂より吸湿性の低い樹脂からなる第２平坦化膜を、第１平坦化膜を覆うように形成する工程と、第２平坦化膜上に、第１電極を形成して、第１電極と第１平坦化膜との間に第２平坦化膜を配置する工程と、第１電極上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程とを少なくとも備えることを特徴とする。
同構成によれば、吸湿性の高い樹脂により形成された第１平坦化膜を覆うように第２平坦化膜を形成するため、第１平坦化膜に水分が蓄積されている場合であっても、第１平坦化膜に含有された水分を第２平坦化膜により遮蔽して閉じこめることが可能になる。従って、第１平坦膜から第１電極への水分の漏出を確実に防止することができるため、水分が第１電極や有機ＥＬ層に到達することを防止して、水分に起因する第１電極や有機ＥＬ層の周辺部の損傷を防止することができる。その結果、有機ＥＬ層の輝度の低下や発光ムラの発生を確実に防止することができる。
また、第１電極と第１平坦化膜との間に第２平坦化膜を形成し、樹脂により形成された第１平坦化膜を樹脂により形成された第２平坦化膜により覆う構成としているため、第１平坦化膜と第２平坦化膜との密着性が向上する。従って、第１平坦化膜と第２平坦化膜との界面に水分が蓄積したり、隙間が生じたりすることを防止できる。その結果、第１平坦化膜から第１電極への水分の漏出を確実に防止することができるため、第１平坦化膜から水分が漏出し、水分が第１平坦化膜と第１電極との間に入り込んで、第１平坦化膜や第１電極において膜剥がれやクラックが発生することを防止することができる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、第２平坦化膜を形成する工程において、第２平坦化膜を、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選ばれる１種により形成しても良い。
同構成によれば、汎用性のある樹脂材料により、第１平坦化膜を形成する樹脂（例えば、アクリル樹脂）より吸湿性の低い樹脂からなる第２平坦化膜を形成することが可能になる。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、第２平坦化膜を形成する工程において、第２平坦化膜の厚みが０．３μｍ以上１．０μｍ以下となるように形成しても良い。
同構成によれば、、第２平坦化膜の透明性を確保することができるとともに、コストアップという不都合を生じることなく、第１平坦化膜に含有された水分を第２平坦化膜により遮蔽して閉じこめることが可能になる。
本発明によれば、平坦化膜からの水分を確実に遮断して、有機ＥＬ層の輝度の低下や発光ムラを防止することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図であり、図２は、図１におけるＡ－Ａ’線断面図であり、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上に形成された有機ＥＬ素子を示す図である。なお、図１において、ゲートドライバー等の周辺回路部、及び導電膜の取り出し端子部は省略している。また、図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層を説明するための断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０においては、有機ＥＬ素子１２の第１電極１３と第２電極１４とにより規定された画素領域１５がマトリクス状に複数配置されている。この画素領域１５は、赤色光を発する画素領域１５Ｒと、緑色光を発する画素領域１５Ｇと、青色光を発する画素領域１５Ｂが、所定のパターンに従って配列されている。
また、図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子１２と、ＴＦＴ基板１６（スイッチング素子基板）とを備えている。
この有機ＥＬ素子１２は、図２に示すように、ＴＦＴ基板１６上に所定配列で（例えば、マトリクス状に）配設された複数の第１電極１３（陽極）と、複数の第１電極１３の各々の上に形成された有機ＥＬ層１７と、有機ＥＬ層１７上に形成された第２電極１４とを備えている。
また、有機ＥＬ素子１２は、第１電極１３の周縁部や第１電極１３が設けられていない領域を覆うように設けられたエッジカバー１８と、各画素領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの間に設けられるとともに、各画素領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを区画するための隔壁として機能するリブ１９とを備えている。
なお、有機ＥＬ素子１２において、第２電極１４を覆うように封止膜（不図示）を形成する構成としても良く、また、この封止膜上に導電膜（不図示）を形成する構成としても良い。
ＴＦＴ基板１６は、図２に示すように、絶縁性基板２０と、所定配列で配設された複数の第１電極１３の各々に電気的に接続されたＴＦＴ１１と、絶縁性基板２０上に形成され、ＴＦＴ１１を覆う第１平坦化膜（第１層間膜）２１とを備えている。
第１電極１３は、有機ＥＬ層１７にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極１３は、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。仕事関数の大きな材料により第１電極１３を形成することにより、有機ＥＬ層１７への正孔注入効率を向上させることができるからである。また、図２に示すように、第１電極１３は、第１平坦化膜２１上に形成されている。
第１電極１３の構成材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物等であってもよい。
また、第１電極１３は、上記材料からなる層を複数積層して形成してもよい。仕事関数の大きな材料としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
また、ボトムエミッション方式である場合は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、有機ＥＬ層１７からの光の第１電極１３による吸収率を低くすることができ、高い輝度を実現することができる。一方、有機ＥＬ層１７からの発光を膜形成面側から取り出すトップエミッション方式である場合は、第１電極１３はアルミニウム（Ａｌ）等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、第１電極１３により、有機ＥＬ層１７から第１電極１３側に向けて出射された光が透光性を有する第２電極１４（陰極）側に高い反射率で反射される。そのため、有機ＥＬ層１７からの光の出射光率を高くすることができ、高い輝度を実現することができる。
第１平坦化膜２１は、絶縁性基板２０上に形成されており、ＴＦＴ１１の形成膜面を平坦にする機能を有する。そして、この第１平坦化膜２１によって、第１平坦化膜２１の上部に形成される第１電極１３や有機ＥＬ層１７等を平坦に形成することができる。即ち、有機ＥＬ表示装置１０の下層側段差や凹凸が第１電極１３の表面形状に影響して、有機ＥＬ層１７による発光が不均一になることを抑制するためのものである。この第１平坦化膜２１は、透明性が高く、安価であるアクリル樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。
なお、第１電極１３や有機ＥＬ層１７等の平坦性と電気的絶縁性を確保するとの観点から、第１平坦化膜２１の厚みは、０．３μｍ以上１．０μｍ以下が好ましい。また、図２に示すように、第１電極１３は、後述する第２平坦化膜（第２層間膜）２２に形成されたコンタクトホール２３を介して、ＴＦＴ１１に電気的に接続されている。
有機ＥＬ層１７は、マトリクス状に区画された各第１電極１３の表面上に形成されている。この有機ＥＬ層１７は、図３に示すように、正孔注入層４０と、正孔注入層４０の表面上に形成された正孔輸送層４１と、正孔輸送層４１の表面上に形成され、赤色光、緑色光、および青色光のいずれかを発する発光層４２と、発光層４２の表面上に形成された電子輸送層４３と、電子輸送層４３の表面上に形成された電子注入層４４とを備えている。そして、これらの正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４が順次積層されることにより、有機ＥＬ層１７が構成されている。なお、有機ＥＬ層１７は、下方の第１電極１３より小さい面積で形成されていてもよく、大きい面積で第１電極１３を覆うように形成されていてもよい。
正孔注入層４０は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１３と有機ＥＬ層１７とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１３から有機ＥＬ層１７への正孔注入効率を改善するために用いられる。
正孔注入層４０を形成する材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などを用いることができる。
正孔輸送層４１は、第１電極１３から有機ＥＬ層１７への正孔の輸送効率を向上させる機能を有する。正孔輸送層４１を形成する材料としては、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、又は、セレン化亜鉛等を用いることができる。
発光層４２は、第１電極１３、及び第２電極１４による電圧印加の際に、両電極の各々から正孔および電子が注入されるとともに、正孔と電子が再結合する領域である。この発光層４２は、発光効率が高い材料により形成され、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、又は、ポリシラン等を用いることができる。
電子輸送層４３は、電子を発光層まで効率良く移動させる役割をもつ。電子輸送層４３を形成する材料としては、例えば、有機化合物としてオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等を用いることができる。
電子注入層４４は、第２電極１４と有機ＥＬ層１７とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１４から有機ＥＬ層１７へ電子が注入される効率を向上させるために用いられ、これにより有機ＥＬ素子１２の駆動電圧を下げることが可能となる。なお、電子注入層は、陰極バッファ層とも呼ばれる。電子注入層４４を形成する材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）,フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）,フッ化バリウム（ＢａＦ２）等の無機アルカリ化合物、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＯを用いることができる。
第２電極１４は、有機ＥＬ層１７に電子を注入する機能を有する。第２電極１４は、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。仕事関数の小さな材料により第２電極１４を形成することにより、有機ＥＬ層１７への電子注入効率を向上させることができるからである。また、図２に示すように、第２電極１４は、有機ＥＬ層１７上に形成されている。
第２電極１４の構成材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等を用いることができる。また、第２電極１４は、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。さらに、第２電極１４は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。第２電極１４は、これらの材料からなる層を複数積層して形成することもできる。
仕事関数が小さい材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
また、有機ＥＬ素子１２が第２電極１４側から発光層の光を取り出すトップエミッション方式である場合は、第２電極１４がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層からの光の第２電極１４による吸収率を低くすることができ、高い輝度を実現することができる。一方、有機ＥＬ素子１２が基板側から発光層の光を取り出すボトムエミッション方式である場合は、第２電極１４がアルミニウム（Ａｌ）等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層から第２電極１４側に向けて出射された光が第２電極１４によって第１電極１３側に高い反射率で反射される。そのため、発光層からの光の出射光率を高くすることができ、高い輝度を実現することができる。
エッジカバー１８は、第１電極１３と第２電極１４とが短絡することを防止する機能を有する。そのため、エッジカバー１８は、第１電極１３の周縁部を全て囲うように設けられていることが好ましい。
エッジカバー１８を構成する材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等が挙げられる。
リブ１９を形成する材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、メタリル樹脂、またはノボラック樹脂等の絶縁性の樹脂材料が挙げられる。
絶縁性基板２０は、有機ＥＬ素子１２の機械的耐久性を担保する機能、及び外部から有機ＥＬ層１７に水分や酸素が進入することを抑制する機能を有している。基板材料としては、ガラスや石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック、及びアルミナ等のセラミックス等を用いることができる。
また、絶縁性基板２０は、アルミニウムや鉄等の金属基板の一方面をＳｉＯ２（シリカゲル）や有機絶縁性材料等の絶縁材料でコートした基板、またはアルミニウムや鉄等の金属基板の表面に陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等であっても構わない。
なお、有機ＥＬ素子１２が絶縁性基板２０側、つまり素子形成面とは逆側の面より、有機ＥＬ素子１２の発光を取り出すボトムエミッション方式である場合は、絶縁性基板２０はガラスやプラスティック等の光透過率の高い材料により構成することが好ましい。
次に、有機ＥＬ表示装置１０の、ソース配線及びゲート配線で区画された画素パターンの構成について詳細に説明する。図４は、有機ＥＬ表示装置１０のソース配線３０（データ線）及びゲート配線３１（走査線）で区画された画素パターンの平面図であり、図５は、図４のＢ－Ｂ断面図である。
図４、図５において、ストライプ状に形成された複数のソース配線３０の各々は、上下パターン接続領域３３でＴＦＴ１１に電気的に接続されており、ＴＦＴ１１にデータ信号を入力する。
複数のゲート配線３１は、ソース配線３０の延びる方向に交差する方向に相互に並行に延びている。複数のゲート配線３１のそれぞれは、ＴＦＴ１１のゲートとなっており、ＴＦＴ１１の各々に走査信号を入力する。
ＴＦＴ１１のドレインは、ゲート配線３２に接続されている。ゲート配線３２は、ＴＦＴ１１のゲートとなっている。また、ソース配線３０とゲート配線３２との重なる部分は、保持容量Ｃｓを形成している。
また、ソース配線３０は、ＴＦＴ１１のソースに接続されている。ＴＦＴ１１のドレインは、第１電極１３と電気的に接続されている。ＴＦＴ１１は、ソース配線３０及びゲート配線３１から入力された信号に基づいて、保持容量Ｃｓに電荷を与えてＴＦＴ１１を動作させて、入力信号に基づき第１電極１３に電流を供給する。ソース配線３０、及びゲート配線３１は、それぞれチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、又は、タングステン（Ｗ）等の導電性材料で形成されている。
図５において、ＴＦＴ基板１６の絶縁性基板２０上には、ゲート絶縁膜３４が形成されている。ゲート絶縁膜３４を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ等の酸化シリコンよりも誘電率が低い材料、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化二アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、五酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の酸化タンタル、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等の酸化シリコンよりも誘電率が高い材料が挙げられる。
また、ゲート絶縁膜３４上には、第１及び第２層間絶縁膜３５，３６が形成されている。第１及び第２層間絶縁膜３５，３６を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））等が挙げられる。
ＴＦＴ１１の半導体層３７は、ポリシリコン（Ｓｉ）等により形成することができ、ＴＦＴ１１のソース電極やドレイン電極はアルミニウム等により形成されている。
なお、本実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴ１１を用いているが、ＴＦＴ１１の代わりにＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）ダイオード等を用いても良い。
また、本実施形態では、トップゲート構造のＴＦＴ基板１６を示したが、ボトムゲート構造であってもよい。また、ＴＦＴ１１の半導体形成領域が、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコン、酸化亜鉛等の酸化物半導体を備えてもよい。
そして、有機ＥＬ表示装置１０は、データ線駆動回路や走査線駆動回路の信号に基づき、各画素のＴＦＴ１１が作動し、これにより各画素のＴＦＴ１１が駆動され、有機ＥＬ素子１２に電流が流れることで、有機ＥＬ素子１２が発光し、画像が表示される構成となっている。
ここで、本実施形態においては、図２に示すように、第１電極１３と第１平坦化膜２１との間に、第１平坦化膜２１を覆う第２平坦化膜２２が形成されている点に特徴がある。
そして、この第２平坦化膜２２は、第１平坦化膜２１を形成する樹脂（即ち、アクリル樹脂）より吸湿性の低い樹脂により形成されている。
なお、ここで言う「吸湿性」とは、一般に、JIS K7209に準拠して測定された吸水率のことを言い、『吸湿性が低い』とはその吸水率の値が小さいことを言う。但し、本実施形態のような膜厚が５μｍにも満たないような薄膜の場合、樹脂の体積が非常に小さく、吸水する水分も微量となるため、JIS K7209に準拠した方法では、吸水率を測定するには、精度が充分でない場合がある。
従って、吸水率の測定に当たっては、別途、下記の方法を用いた。即ち、アクリル樹脂とポリイミド樹脂の各々の材料を１０ｃｍ角のガラス基板に２μｍの膜厚で塗布し、各々２００℃および２５０℃で窒素雰囲気下にて１時間焼成を行った。次に、大気中で２４時間放置後、窒素雰囲気下にて２００℃で１０分間、焼成を行い、樹脂表面に付着した水分を除去した。その後、１０－２Ｐａの真空中にて１０℃／分の速度で２５℃から３００℃まで温度上昇をさせながら、放出される水分量を質量分析器にて測定した。
上記の方法によれば、絶対的な吸水率の値を得ることは困難ではあるが、各樹脂における吸水率の相対的な比較が可能である。この際、検出される水分量が多ければ吸水率は高いことになる。また、アクリル樹脂の吸水率を１とした場合、ポリイミド樹脂の吸水率は０．５３となった。以上より、ポリイミド樹脂の吸水率はアクリル樹脂よりも大幅に低く、ポリイミド樹脂はアクリル樹脂に比し吸湿性の低い樹脂であることが言える。
このような構成により、吸湿性の高いアクリル樹脂により形成された第１平坦化膜２１を覆うように第２平坦化膜２２が形成されているため、第１平坦化膜２１に水分が蓄積されている場合であっても、第１平坦化膜２１に含有された水分を第２平坦化膜２２により遮蔽して閉じこめることが可能になる。
従って、第１平坦膜２１から第１電極１３への水分の漏出を確実に防止することができるため、当該水分が第１電極１３や有機ＥＬ素子１２を構成する有機ＥＬ層１７に到達することを防止して、当該水分に起因する第１電極１３や有機ＥＬ層１７の周辺部の損傷を防止することができる。
また、第１電極１３と第１平坦化膜２１との間に第２平坦化膜２２が形成されており、樹脂により形成された第１平坦化膜２１を樹脂により形成された第２平坦化膜２２により覆う構成としているため、第１平坦化膜２１と第２平坦化膜２２との密着性が向上する。従って、第１平坦化膜２１と第２平坦化膜２２との界面に水分が蓄積したり、隙間が生じたりすることを防止できる。その結果、第１平坦化膜２１から第１電極１３への水分の漏出を確実に防止することができるため、第１平坦化膜２１から水分が漏出し、当該水分が第１平坦化膜２１と第１電極１３との間に入り込んで、第１平坦化膜２１や第１電極１３において膜剥がれやクラックが発生することを防止することができる。
また、図２に示すように、第２平坦化膜２２に形成されたコンタクトホール２３においても、第２平坦化膜２２により第１平坦化膜２１を覆う構成としているため、当該コンタクトホール２３において、第１平坦化膜２１と第１電極１３が接触することを防止できる。従って、コンタクトホール２３を介して、第１平坦膜２１から第１電極１３への水分の漏出を確実に防止することができる。
第２平坦化膜２２を形成する樹脂材料としては、第１平坦化膜２１を形成する樹脂（即ち、アクリル樹脂）よりも吸湿性が低いものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等が好適に使用できる。
また、これらの樹脂のうち、ポリイミド樹脂を使用することが特に好ましい。これは、ポリイミド樹脂は、強い耐熱性を有し、電気絶縁性も優れており、金属配線やシリコン膜との密着性に優れているという特徴があるからである。
なお、第１平坦化膜２１を形成するアクリル樹脂と、第２平坦化膜２２を形成するポリイミド樹脂の吸水率の比較は上述の通りであり、ポリイミド樹脂の吸水率はアクリル樹脂よりも大幅に低く、ポリイミド樹脂はアクリル樹脂に比し吸湿性の低い樹脂であると言える。
また、第２平坦化膜２２の厚みは、０．３μｍ以上１．０μｍ以下が好ましい。これは、第２平坦化膜２２の厚みが０．３μｍ未満の場合は、第１平坦化膜２１に含有された水分を第２平坦化膜２２により十分に遮蔽して閉じこめることが困難になるという不都合が生じる場合があるためである。また、１．０μｍより大きい場合は、例えば、第２平坦化膜２２をポリイミド樹脂により形成した場合、ポリイミド樹脂は有色であるため、ボトムエミッション方式である場合は、第２平坦化膜の透明性を確保できないという不都合が生じる場合があるためである。また、第２平坦化膜２２をポリイミド樹脂により形成した場合、ポリイミド樹脂は高価であるため、コストアップになるという不都合が生じる場合があるためである。
なお、第１平坦化膜２１を形成する樹脂として、第２平坦化膜２２を形成する上述のポリイミド樹脂等を使用することも考えられる。しかし、上述のごとく、ポリイミド樹脂は有色であり、かつ高価であるため、第２平坦化膜２２よりも大きな厚みを有する第１平坦化膜２１をポリイミド樹脂等により形成すると、有機ＥＬ表示装置１０より放出される光の色変化やコストの面から不利益が生じる。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について説明する。図６～図９は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するために断面図である。
まず、図６に示すように、基板サイズが３２０×４００ｍｍで、厚さが０．７ｍｍのガラス基板等の絶縁性基板２０上に、有機ＥＬ素子１２を駆動するためのＴＦＴ１１を所定の間隔で複数個形成する。
次いで、図７に示すように、感光性アクリル樹脂を、ＴＦＴ１１が形成された絶縁性基板２０上にスピンコート法により塗布し、所定の露光パターンを有する露光マスクを使用して、所定の露光量（例えば、３６０ｍＪ／ｃｍ２）により露光を行い、アルカリ現像液を用いて現像を行うことにより、例えば、厚みが２μｍの第１平坦化膜２１を形成する。なお、現像後、ポストベークとして、所定の条件下（例えば、２２０℃の温度で６０分間）において焼成を行う。
次いで、図７に示すように、感光性ポリイミド樹脂を、絶縁性基板２０上形成された第１平坦化膜２１にスピンコート法により塗布し、所定の露光パターンを有する露光マスクを使用して、所定の露光量（例えば、６０ｍＪ／ｃｍ２）により露光を行い、アルカリ現像液を用いて現像を行うことにより、例えば、厚みが０．３μｍの第２平坦化膜２２を第１平坦化膜２１を覆うように形成する。なお、現像後、ポストベークとして、所定の条件下（例えば、２２０℃の温度で１２０分間）において焼成を行う。また、この際、第２平坦化膜２２には、第１電極１３とＴＦＴ１１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２３（例えば、径が５μｍ）が形成される。
次いで、図８に示すように、スパッタ法によりＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィにより露光、現像を行い、エッチング法を使用してパターンニングを行うことにより、第２平坦化膜２２上に複数の第１電極１３を形成する。この際、第１電極１３の膜厚は、例えば、１００ｎｍ程度に形成する。なお、現像後、ポストベークとして、所定の条件下（例えば、２２０℃の温度で１２０分間）において焼成を行う。
また、第１電極１３は第２平坦化膜２２に形成されたコンタクトホール２３を介して、ＴＦＴ１１に電気的に接続される。また、この際、第２平坦化膜２２上に、第１電極１３を形成することにより、第１電極１３と第１平坦化膜２１との間に第２平坦化膜２２が配置される。
次いで、図８に示すように、第１電極１３の周縁部にスパッタ法により酸化シリコン膜を形成し、フォトリソグラフィにより露光、現像を行い、エッチング法を使用してパターンニングを行うことにより、第１電極１３の周縁部を全て囲うようにエッジカバー１８を形成する。この際、エッジカバー１８の厚みは、例えば、１５０ｎｍ程度に形成する。
次いで、図８に示すように、第１平坦化膜２１と同様にして、例えば、感光性ポリイミド樹脂をパターン形成して、エッジカバー１８上にリブ１９を形成する。この際、リブ１９の厚みは、例えば、１．７μｍ程度に形成する。
次に、第１電極１３上に、発光層４２を含む有機ＥＬ層１７を形成し、その後、有機ＥＬ層１７上に第２電極１４を形成する。これらの有機ＥＬ層１７、及び第２電極１４の形成は、金属製のマスクを使用して、蒸着法により行われる。
より具体的には、まず、図８に示す、第１電極１３を備えた素子基板４５を蒸着装置のチャンバー内に設置する。なお、蒸着装置のチャンバー内は、真空ポンプにより、１×１０－５～１×１０－４（Ｐａ）の真空度に保たれている。また、第１電極１３を備えた素子基板４５は、チャンバー内に取り付けられた１対の基板受けによって２辺を固定した状態で設置する。
そして、蒸着源から、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４の各蒸着材料を順次蒸発させて、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、および電子注入層４４を積層することにより、図９に示すように、画素領域に有機ＥＬ層１７を形成する。
そして、図９に示すように、有機ＥＬ層１７上に、第２電極１４を形成することにより、素子基板４５上に、第１電極１３、有機ＥＬ層１７、及び第２電極１４を備えた有機ＥＬ素子１２を形成する。
なお、蒸発源としては、例えば、各蒸発材料が仕込まれた坩堝を使用することができる。坩堝は、チャンバー内の下部に設置されるとともに、坩堝にはヒーターが備え付けられており、このヒーターにより、坩堝は加熱される。
そして、ヒーターによる加熱により、坩堝の内部温度が各種蒸着材料の蒸発温度に到達することで、坩堝内に仕込まれた各種蒸着材料が蒸発分子となってチャンバー内の上方向へ飛び出す。
また、有機ＥＬ層１７、及び第２電極１４の形成方法の具体例としては、まず、素子基板４５上にパターニングされた第１電極１３上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）からなる正孔注入層４０を、マスクを介して、例えば、２５ｎｍの膜厚で形成する。
続いて、正孔注入層４０上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、α－ＮＰＤ（4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl）からなる正孔輸送層４１を、マスクを介して、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
次に、赤色の発光層４２として、ジ(2-ナフチル)アントラセン（ＡＤＮ）に2,6-ビス（(4’-メトキシジフェニルアミノ)スチリル）-1,5-ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
次いで、緑色の発光層４２として、ＡＤＮにクマリン６を５重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
次に、青色の発光層４２として、ＡＮＤに4,4’-ビス（2-{4-(N,N-ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル）ビフェニル(ＤＰＡＶＢｉ)を２．５重量％混合したものを、マスクを介して、画素領域に形成された正孔輸送層４１上に、例えば、３０ｎｍの膜厚で形成する。
次いで、各発光層４２上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)を電子輸送層４３として、マスクを介して、例えば、２０ｎｍの膜厚で形成する。
次いで、電子輸送層４３上に、フッ化リチウム(ＬｉＦ)を電子注入層４４として、マスクを介して、例えば、０．３ｎｍの膜厚で形成する。
そして、第２電極１４として、マグネシウム銀(ＭｇＡｇ)からなる第２電極１４を、例えば、１０ｎｍの膜厚で形成する。
以上のようにして、図２に示す有機ＥＬ表示装置１０が製造されることになる。
なお、有機ＥＬ層１７を大気中の水分やガスから保護するとの観点から、第２電極１４を形成した後、有機ＥＬ表示装置１０を封止膜（不図示）により封止する構成としても良い。この封止膜は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ：Ｘ，Ｙは０より大きい実数）やシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）等の絶縁性膜のいずれか１つの材料を含む単膜、又は、これらの材料の２種類以上を含む積層膜により形成することができる。
以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態においては、第１電極１３と第１平坦化膜２１との間に、第１平坦化膜２１を覆う第２平坦化膜２２を形成する構成としている。また、第２平坦化膜２２を、第１平坦化膜２１を形成する樹脂（即ち、アクリル樹脂）より吸湿性の低い樹脂により形成する構成としている。従って、吸湿性の高いアクリル樹脂により形成された第１平坦化膜２１を覆うように第２平坦化膜２２が形成されているため、第１平坦化膜２１に水分が蓄積されている場合であっても、第１平坦化膜２１に含有された水分を第２平坦化膜２２により遮蔽して閉じこめることが可能になる。従って、第１平坦膜２１から第１電極１３への水分の漏出を確実に防止することができるため、当該水分が第１電極１３や有機ＥＬ素子１２を構成する有機ＥＬ層１７に到達することを防止して、当該水分に起因する第１電極１３や有機ＥＬ層１７の周辺部の損傷を防止することができる。その結果、有機Ｅｌ素子１２の輝度の低下や発光ムラの発生を確実に防止することができる。
（２）また、第１電極１３と第１平坦化膜２１との間に第２平坦化膜２２が形成されており、樹脂により形成された第１平坦化膜２１を樹脂により形成された第２平坦化膜２２により覆う構成としているため、第１平坦化膜２１と第２平坦化膜２２との密着性が向上する。従って、第１平坦化膜２１と第２平坦化膜２２との界面に水分が蓄積したり、隙間が生じたりすることを防止できる。その結果、第１平坦化膜２１から第１電極１３への水分の漏出を確実に防止することができるため、第１平坦化膜２１から水分が漏出し、当該水分が第１平坦化膜２１と第１電極１３との間に入り込んで、第１平坦化膜２１や第１電極１３において膜剥がれやクラックが発生することを防止することができる。
（３）本実施形態においては、第２平坦化膜２２をポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選ばれる１種により形成する構成としている。従って、汎用性のある樹脂材料により、第１平坦化膜２１を形成する樹脂（例えば、アクリル樹脂）より吸湿性の低い樹脂からなる第２平坦化膜２２を形成することが可能になる。
（４）本実施形態においては、第２平坦化膜２２の厚みを、０．３μｍ以上１．０μｍ以下に設定する構成としている。従って、第２平坦化膜２２の透明性を確保することができるとともに、コストアップという不都合を生じることなく、第１平坦化膜２１に含有された水分を第２平坦化膜２２により遮蔽して閉じこめることが可能になる。
なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
・上記実施形態においては、有機ＥＬ層１７を、正孔注入層４０、正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層４３、及び電子注入層４４の５層積層構造としたが、当該５層積層構造に限られず、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層構造であってもよい。
・また、積層構造を反転させ、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極とすることもできる。この場合、積層構造としては、下方より陰極である第１電極１３、電子注入層４４、電子輸送層４３、発光層４２、正孔輸送層４１、正孔注入層４０、及び陽極である第２電極１４となる。また、この場合、第１電極１３および第２電極１４に用いられる材料も入れ替わることになる。
・また、本発明の有機ＥＬ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１６側から光を外部放出するボトムエミッション構造、ＴＦＴ基板１６側とは反対側（即ち、有機ＥＬ素子１２側）から光を外部放出するトップエミッション構造のどちらかの構造を採用することができる。但し、トップエミッション構造の場合、第１電極１３において光を反射し、第２電極１４から光を取り出す必要があるため、例えば、第１電極１３として、Ａｌの上にＩＴＯを積層したものを用い、第２電極１４として２０ｎｍ程度の半透明のＡｇの上にＩＴＯを積層したものを用いてもよい。この際、第１電極１３のＡｌは反射機能を有すとともに、ＩＴＯは発光層４２への正孔注入機能を有することになる。また、第２電極１４のＡｇは発光層４２への電子注入機能を有するとともに、ＩＴＯは第２電極１４の抵抗を下げる補助電極としての機能を有する。
以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネルなどを備えた有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に適している。
１０ 有機ＥＬ表示装置
１１ ＴＦＴ（スイッチング素子）
１２ 有機ＥＬ素子
１３ 第１電極
１４ 第２電極
１５ 画素領域
１６ ＴＦＴ基板（スイッチング素子基板）
１７ 有機ＥＬ層
１８ エッジカバー
１９ リブ
２０ 絶縁性基板
２１ 第１平坦化膜
２２ 第２平坦化膜
２３ コンタクトホール
４０ 正孔注入層
４１ 正孔輸送層
４２ 発光層
４３ 電子輸送層
４４ 電子注入層
１１ ＴＦＴ（スイッチング素子）
１２ 有機ＥＬ素子
１３ 第１電極
１４ 第２電極
１５ 画素領域
１６ ＴＦＴ基板（スイッチング素子基板）
１７ 有機ＥＬ層
１８ エッジカバー
１９ リブ
２０ 絶縁性基板
２１ 第１平坦化膜
２２ 第２平坦化膜
２３ コンタクトホール
４０ 正孔注入層
４１ 正孔輸送層
４２ 発光層
４３ 電子輸送層
４４ 電子注入層
Claims (7)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成され、樹脂からなる第１平坦化膜と、
前記第１平坦化膜上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第１平坦化膜との間に形成され、前記第１平坦化膜を覆う第２平坦化膜と
を備え、
前記第２平坦化膜は、前記第１平坦化膜を形成する樹脂より吸湿性の低い樹脂からなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記第２平坦化膜は、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選ばれる１種により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記第２平坦化膜の厚みが、０．３μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成され、前記第１電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを備えるスイッチング素子基板が設けられていることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 絶縁性基板上に、樹脂からなる第１平坦化膜を形成する工程と、
前記第１平坦化膜上に、該第１平坦化膜を形成する樹脂より吸湿性の低い樹脂からなる第２平坦化膜を、前記第１平坦化膜を覆うように形成する工程と、
前記第２平坦化膜上に、第１電極を形成して、該第１電極と前記第１平坦化膜との間に前記第２平坦化膜を配置する工程と、
前記第１電極上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に、第２電極を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記第２平坦化膜を形成する工程において、前記第２平坦化膜を、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選ばれる１種により形成することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
- 前記第２平坦化膜を形成する工程において、前記第２平坦化膜の厚みが０．３μｍ以上１．０μｍ以下となるように形成することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220006051A1 (en) * | 2018-09-27 | 2022-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9444050B2 (en) | 2013-01-17 | 2016-09-13 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method |
| CN105051932B (zh) * | 2013-01-17 | 2019-03-05 | 科迪华公司 | 高分辨率有机发光二极管器件 |
| US9614191B2 (en) | 2013-01-17 | 2017-04-04 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods |
| KR102222680B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2021-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP6139196B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-05-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| KR102078558B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI549289B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光顯示面板及其製作方法 |
| CN104934437B (zh) | 2014-03-17 | 2019-12-13 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机el显示装置 |
| WO2018061056A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| CN108336111A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制造方法 |
| WO2019167270A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| CN111819614B (zh) * | 2018-03-09 | 2022-03-04 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| CN112670247B (zh) * | 2020-12-23 | 2024-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310431A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Canon Inc | 有機ｅｌアレイ |
| JP2006080023A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2007121537A (ja) | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 |
| JP2008166167A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子アレイ及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368730B1 (en) * | 1997-10-13 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescent device |
| KR100635066B1 (ko) | 2004-06-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2007123240A (ja) | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2007305318A (ja) | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子アレイ及び有機ｅｌ表示装置 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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