WO2010134677A1 - 변형 경사 입사각 증착 장치 및 이를 이용한 무반사 광학 박막의 제조 방법, 그리고 무반사 광학 박막 - Google Patents

변형 경사 입사각 증착 장치 및 이를 이용한 무반사 광학 박막의 제조 방법, 그리고 무반사 광학 박막 Download PDF

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WO2010134677A1
WO2010134677A1 PCT/KR2009/007276 KR2009007276W WO2010134677A1 WO 2010134677 A1 WO2010134677 A1 WO 2010134677A1 KR 2009007276 W KR2009007276 W KR 2009007276W WO 2010134677 A1 WO2010134677 A1 WO 2010134677A1
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refractive index
glass substrate
index layer
thin film
deposition
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황보창권
박용준
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인하대학교 산학협력단
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    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Definitions

  • the present invention relates to an oblique incidence angle deposition apparatus, a method of manufacturing an antireflective optical thin film using the same, and an antireflective optical thin film.
  • An optical thin film such as an antireflective thin film is employed as an optical element constituting an optical system such as a lens, a prism, and a reflector.
  • the antireflective thin film is for preventing the light incident toward the substrate from being reflected at the interface of the substrate, and serves to transmit the light incident on the surface of the substrate and incident on the substrate without loss.
  • the antireflective thin film described above may be formed through a process of depositing a predetermined deposition material on a substrate.
  • the deposition process may include physical vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition (CVD), and the like.
  • the optical thin film is required to have a low reflectance in a wide incidence angle range.
  • a method of depositing a plurality of refractive index layers having different refractive indices on a substrate may be used.
  • a method of alternately depositing a plurality of refractive index layers using a material having a large refractive index difference and increasing the number of alternating refractive index layers may be used.
  • the optical element employing the optical thin film is gradually miniaturized, there is a limit to improving the antireflection function by increasing the number of alternation of the refractive index layer.
  • the refractive index layer is increased by using a material having a different refractive index, there is a problem that the contamination in the deposition chamber becomes serious.
  • the optical thin film deposited by the conventional physical vapor deposition method has a problem in that it is difficult to apply to a technology requiring low reflectance in a wide wavelength band because there is a limit to lower the refractive index.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to alternately stack two first and second refractive index layers having different refractive indices on a substrate by using the same material.
  • An object of the present invention is to provide an anti-reflective optical thin film and an anti-reflective optical thin film which can realize a high anti-reflective function using only layers.
  • another object of the present invention is to provide a modified oblique incident angle deposition apparatus capable of reducing the refractive index of the deposition material by having a porosity increasing filter for increasing the porosity of the deposition material deposited on the substrate in the production of the antireflection optical thin film It is to provide.
  • a method of manufacturing an anti-reflective optical thin film including: a first step of mounting a glass substrate on a support plate connected to a support in a chamber; A second step of vertically moving the support to be parallel, a third step of depositing a first refractive index layer using a deposition material on the glass substrate, and a glass substrate on which the first refractive index layer is deposited to have a predetermined inclination angle
  • a refractive index smaller than the first refractive index layer is formed on the glass substrate by using a porosity increasing filter positioned in the lower region of the glass substrate and increasing the porosity of the deposition material toward the glass substrate.
  • a fifth step of depositing a second refractive index layer having the porosity increasing filter on the lower region of the glass substrate And a sixth step of vertically moving the support so that the glass substrates on which the first and second refractive index layers are deposited are parallel to the ground, and a seventh step of repeating the third to fifth steps once,
  • the first and second refractive index layers may be deposited with the same deposition material.
  • first and second refractive index layers may be deposited with any one of SiO 2 , MgF 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, ZrO 2 , Ta 2 O 5, and CeO 2 .
  • the inclination angle of the glass substrate may be 75 ° to 89 °.
  • the first refractive index layer may have a porosity including a vertical nano pillar pattern
  • the second refractive index layer may include a nano pillar pattern having an inclined shape and may have a higher porosity than the first refractive index layer.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus is capable of angle adjustment by moving the support in the chamber (chamber), the support plate including a substrate mounting region, on a glass substrate mounted to the substrate mounting region Located between the support plate and the container containing a deposition material for depositing at least one antireflective thin film layer, by modifying the angle of incidence to the particles when the particles of the deposition material evaporated from the container proceeds to the glass substrate And a porous deposition filter that increases the porosity of the deposition material.
  • the porosity increasing filter is fixed to a rotating shaft connected to the ceiling of the chamber, and may move in a horizontal direction according to the rotation of the rotating shaft.
  • a first refractive index layer and a second refractive index layer having a lower refractive index than the first refractive index layer are alternately stacked on the glass substrate at least twice, and the first refractive index
  • the layer has a porous structure including a nanopillar pattern in a vertical shape
  • the second refractive index layer includes a nanopillar pattern inclined by being deposited at a predetermined oblique incidence angle and has a higher porous structure than the first refractive index layer.
  • the first and second refractive index layers may be made of the same deposition material.
  • the first and second refractive index layers may be formed of any one of SiO 2 , MgF 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, ZrO 2 , Ta 2 O 5, and CeO 2 .
  • the refractive index of the deposition material can be controlled by providing a porous increasing filter in the existing general oblique incidence angle deposition apparatus. Accordingly, even when the same material is used, an antireflection thin film having different refractive indices can be manufactured.
  • the optical thin film can be miniaturized, and contamination in the chamber can be prevented by using the same material.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a modified oblique incidence angle deposition apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 and 3 are schematic views showing an operation form of the modified oblique incidence angle deposition apparatus shown in FIG. 1;
  • 4 to 7 are views for explaining an optical thin film manufacturing method using the modified oblique incidence angle deposition apparatus shown in FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of a part of the optical thin film shown in FIG. 7;
  • FIG. 11 is a graph showing the transmittance-wavelength relationship of the optical thin film according to the present invention.
  • deformed oblique incidence angle deposition apparatus 110 support
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 includes a chamber 101, a support 110, a support plate 120, a rotation shaft 130, a porosity increasing filter 140, and a container 150.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 shown in FIG. 1 is an apparatus for depositing arbitrary materials on the substrate 200.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 uses a physical vapor deposition (Vapor Deposition), in particular, a physical vapor deposition (PVD: Physical Vapor Depostion).
  • PVD Physical Vapor Depostion
  • physical vapor deposition includes sputtering, E-beam Evaporation, Thermal Evaporation, Laser Molecular Beam Epitaxy (L-MBE) and Pulsed Laser Deposition (PLD: Pulsed). Laser Deposition) and the like, and the optical thin film can be manufactured by depositing an antireflective thin film layer on the substrate 200 by using any one of the methods.
  • the support 110 is positioned on the ceiling of the chamber 101 and is connected to the support plate 120 that provides a substrate mounting area. Accordingly, by moving the support 110 at a predetermined angle, the support plate 120 can have an inclination angle. In addition, as the support plate 120 has an inclination angle, the substrate 200 mounted on the support plate 120 may also have the same inclination angle as the support plate 120.
  • the thin film layer may have different characteristics (eg, deposition structure and refractive index) according to the deposition method and the deposition angle.
  • the container 150 is an area containing the deposition material.
  • the deposition material contained in the container 150 is dissolved, and the dissolved deposition material is evaporated and incident on the substrate 200.
  • the rotation shaft 130 is connected to the ceiling of the chamber 101.
  • the porosity increasing filter 140 may be fixed to one region of the rotation shaft 130.
  • the porosity increasing filter 140 is located between the substrate 200 and the container 150, and increases the porosity of the deposition material by changing the incident angle of the deposition material particles from the container 150 toward the substrate 200. Play a role.
  • the porosity increasing filter 140 has a structure in which a fine mesh is installed in the central region of the flat. In this case, the deposition material particles change the incident angle while passing through the space between the fine meshes. Accordingly, the deposition material may be deposited on the substrate 200 in an increased porosity.
  • the porosity increasing filter 140 is connected to the rotating shaft 130 so that the rotating shaft 130 can move in the horizontal direction by rotating. Accordingly, when the porosity increasing filter 140 is required during the deposition process, the rotating shaft 130 is rotated to position the porosity increasing filter 140 in the region where the substrate 200 is located.
  • the modified oblique incident angle deposition apparatus 100 may further include an input key for setting a user and a display screen displaying the input contents.
  • the deformed oblique incidence angle deposition apparatus 100 may control the moving angle of the support 110, the rotation of the rotation axis, and the deposition rate according to a user setting value related to the deposition operation.
  • the porosity increasing filter 140 may be fixed and the porosity increasing filter 140 may be rotatable.
  • FIG. 2 and 3 are schematic diagrams showing an operation form of the modified oblique incidence angle deposition apparatus shown in FIG. 1. Specifically, FIG. 2 illustrates an operation mode in which the deposition material is deposited by adjusting the incident angle of the deposition material particles in a state where the substrate 200 has an inclination angle.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 moves the support 110 to about 85 ° and increases the porosity by rotating the rotation shaft 130.
  • the filter 140 is included in the region where the substrate 200 is located.
  • the deposition material contained in the container 150 is heated to evaporate in the direction of the substrate 200.
  • the deposition material particles p 1 pass through the porous increasing filter 140 located between the substrate 200 and the container 150.
  • the deposition material particles p 1 may change the incident angle while passing through the porous increasing filter 140. That is, even though it spreads widely to the R 1 region when evaporated from the container 150, and proceeds with a predetermined angle of incidence, the deposited material particles p 1 have an angle of incidence close to 0 ° while passing through the porous increasing filter 140. can be changed. That is, the substrate 200 proceeds toward the substrate 200 at an angle perpendicular to the ground.
  • the deposited thin film layer may have a porous structure having nano pillar patterns having an inclined shape.
  • the porosity of the thin film layer is increased by increasing the spacing of the nano pillar patterns by the porosity increasing filter 140. Accordingly, the refractive index of the thin film layer may be reduced, and anisotropy of the thin film layer may be increased.
  • FIG 3 illustrates an operation mode in which the deposition material is deposited without adjusting the angle of incidence of the deposition material particles while the substrate 200 is in parallel.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 adjusts the support plate 120 to be parallel to the ground, and rotates the rotating shaft 130 to form the substrate 200.
  • the porosity increasing filter 140 is excluded on the lower region where () is located. That is, the porosity increasing filter 140 is moved to an area where the substrate 200 is not located.
  • the deposition material contained in the container 150 is heated to evaporate in the direction of the substrate 200.
  • the vaporized deposition material particles p 2 and p 3 proceed to the substrate 200 at a predetermined angle of incidence.
  • the deposited thin film layer has a porous structure including a nano pillar pattern.
  • the nano pillar pattern constituting the thin film layer has a form perpendicular to the deposition surface of the substrate 200.
  • the porosity increasing filter 140 is not used, the interval between the nano pillar patterns is small, and the refractive index is high because the porosity is lower than that of the thin film layer manufactured by FIG. 2.
  • the refractive index of the thin film layer may be adjusted by adjusting the inclination angle of the substrate 200 and the incident angle of the deposition material particles during deposition. That is, even when the thin film layer is manufactured using the same material, the refractive index can be reduced when the method shown in FIG. 2 is used.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 includes a chamber 101, a support 110, a support plate 120, a rotation shaft 130, a porosity increasing filter 140, and a container 150.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 shown in FIG. 1 is an apparatus for depositing arbitrary materials on the substrate 200.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 uses a physical vapor deposition (Vapor Deposition), in particular, a physical vapor deposition (PVD: Physical Vapor Depostion).
  • PVD Physical Vapor Depostion
  • physical vapor deposition includes sputtering, E-beam Evaporation, Thermal Evaporation, Laser Molecular Beam Epitaxy (L-MBE) and Pulsed Laser Deposition (PLD: Pulsed). Laser Deposition) and the like, and the optical thin film can be manufactured by depositing an antireflective thin film layer on the substrate 200 by using any one of the methods.
  • the support 110 is positioned on the ceiling of the chamber 101 and is connected to the support plate 120 that provides a substrate mounting area. Accordingly, by moving the support 110 at a predetermined angle, the support plate 120 can have an inclination angle. In addition, as the support plate 120 has an inclination angle, the substrate 200 mounted on the support plate 120 may also have the same inclination angle as the support plate 120.
  • the thin film layer may have different characteristics (eg, deposition structure and refractive index) according to the deposition method and the deposition angle.
  • the container 150 is an area containing the deposition material.
  • the deposition material contained in the container 150 is dissolved, and the dissolved deposition material is evaporated and incident on the substrate 200.
  • the rotation shaft 130 is connected to the ceiling of the chamber 101.
  • the porosity increasing filter 140 may be fixed to one region of the rotation shaft 130.
  • the porosity increasing filter 140 is located between the substrate 200 and the container 150, and increases the porosity of the deposition material by changing the incident angle of the deposition material particles from the container 150 toward the substrate 200. Play a role.
  • the porosity increasing filter 140 has a structure in which a fine mesh is installed in the central region of the flat. In this case, the deposition material particles change the incident angle while passing through the space between the fine meshes. Accordingly, the deposition material may be deposited on the substrate 200 in an increased porosity.
  • the porosity increasing filter 140 is connected to the rotating shaft 130 so that the rotating shaft 130 can move in the horizontal direction by rotating. Accordingly, when the porosity increasing filter 140 is required during the deposition process, the rotating shaft 130 is rotated to position the porosity increasing filter 140 in the region where the substrate 200 is located.
  • the modified oblique incident angle deposition apparatus 100 may further include an input key for setting a user and a display screen displaying the input contents.
  • the deformed oblique incidence angle deposition apparatus 100 may control the moving angle of the support 110, the rotation of the rotation axis, and the deposition rate according to a user setting value related to the deposition operation.
  • the porosity increasing filter 140 may be fixed and the porosity increasing filter 140 may be rotatable.
  • FIG. 2 and 3 are schematic diagrams showing an operation form of the modified oblique incidence angle deposition apparatus shown in FIG. 1. Specifically, FIG. 2 illustrates an operation mode in which the deposition material is deposited by adjusting the incident angle of the deposition material particles in a state where the substrate 200 has an inclination angle.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 moves the support 110 to about 85 ° and increases the porosity by rotating the rotation shaft 130.
  • the filter 140 is included in the region where the substrate 200 is located.
  • the deposition material contained in the container 150 is heated to evaporate in the direction of the substrate 200.
  • the deposition material particles p 1 pass through the porous increasing filter 140 located between the substrate 200 and the container 150.
  • the deposition material particles p 1 may change the incident angle while passing through the porous increasing filter 140. That is, even though it spreads widely to the R 1 region when evaporated from the container 150, and proceeds with a predetermined angle of incidence, the deposited material particles p 1 have an angle of incidence close to 0 ° while passing through the porous increasing filter 140. can be changed. That is, the substrate 200 proceeds toward the substrate 200 at an angle perpendicular to the ground.
  • the deposited thin film layer may have a porous structure having nano pillar patterns having an inclined shape.
  • the porosity of the thin film layer is increased by increasing the spacing of the nano pillar patterns by the porosity increasing filter 140. Accordingly, the refractive index of the thin film layer may be reduced, and anisotropy of the thin film layer may be increased.
  • FIG 3 illustrates an operation mode in which the deposition material is deposited without adjusting the angle of incidence of the deposition material particles while the substrate 200 is in parallel.
  • the modified oblique incidence angle deposition apparatus 100 adjusts the support plate 120 to be parallel to the ground, and rotates the rotating shaft 130 to form the substrate 200.
  • the porosity increasing filter 140 is excluded on the lower region where () is located. That is, the porosity increasing filter 140 is moved to an area where the substrate 200 is not located.
  • the deposition material contained in the container 150 is heated to evaporate in the direction of the substrate 200.
  • the vaporized deposition material particles p 2 and p 3 proceed to the substrate 200 at a predetermined angle of incidence.
  • the deposited thin film layer has a porous structure including a nano pillar pattern.
  • the nano pillar pattern constituting the thin film layer has a form perpendicular to the deposition surface of the substrate 200.
  • the porosity increasing filter 140 is not used, the interval between the nano pillar patterns is small, and the refractive index is high because the porosity is lower than that of the thin film layer manufactured by FIG. 2.
  • the refractive index of the thin film layer may be adjusted by adjusting the inclination angle of the substrate 200 and the incident angle of the deposition material particles during deposition. That is, even when the thin film layer is manufactured using the same material, the refractive index can be reduced when the method shown in FIG. 2 is used.
  • the first refractive index layer 321 is formed on the transparent glass substrate 300.
  • the first refractive index layer 321 may be formed by the method illustrated in FIG. 3. That is, the substrate 300 is adjusted to be parallel to the ground, and the SiO 2 material is deposited so that the porous increasing filter 140 is not positioned between the substrate 300 and the container 150.
  • the first refractive index layer 321 is deposited on the substrate 300 in a porous structure having a nano pillar pattern, and has a refractive index of about 1.4.
  • the nano pillar pattern has a vertical shape.
  • a second refractive index layer 322 is formed on the first refractive index layer 321.
  • the second refractive index layer 322 may be formed by the method illustrated in FIG. 2. That is, the substrate 300 on which the first refractive index layer 321 is deposited is inclined to have an inclination angle of 75 ° to 89 °, and the porosity increasing filter 140 is positioned between the substrate 300 and the container 150. SiO 2 material is deposited.
  • the second refractive index layer 322 is deposited on the substrate 300 in a porous structure having a nano pillar pattern, and has a refractive index of about 1.08.
  • the nano-pillar pattern has an inclined spiral structure.
  • the interval between the nano pillar patterns is formed wider than the first refractive index layer 321 to increase the porosity of the second refractive index layer 322. Can be.
  • the first refractive index layer 321 and the second refractive index layer 322 are formed of the same SiO 2 material, but have different refractive indices according to the deposition methods illustrated in FIGS. 2 and 3.
  • the first refractive index layer 323 and the second refractive index layer 324 are repeatedly formed on the second refractive index layer 322 once on the substrate 300.
  • the first refractive index layers 321 and 323 and the second refractive index layers 322 and 324 are alternately stacked two times.
  • the first refractive index layer 323 that is repeatedly formed once may be formed using the method illustrated in FIG. 3, and the second refractive index layer 324 may be formed using the method illustrated in FIG. 2.
  • the first and second refractive index layers 321 and 323 and the second and second refractive index layers 322 and 324 having different refractive indices on the substrate 300 are divided into two. It is possible to produce an optical thin film laminated alternately.
  • the first refractive index layer 321 is made of SiO 2 material and has a porous structure including a vertical nano pillar pattern.
  • the first refractive index layer 321 is deposited by depositing the deposition material particles directly into the substrate from the container without using a porosity increasing filter in the thin film manufacturing process.
  • the second refractive index layer 322 is made of SiO 2 material, and has a porous structure including an inclined nano pillar pattern.
  • the second index of refraction layer 322 passes through the porosity increasing filter in the process of manufacturing the thin film, and thus the gap between the nano pillar patterns is widened to have a high porosity structure.
  • the antireflection thin film layer 320 may be formed by alternately stacking the first refractive index layer and the second refractive index layer on the substrate 300.
  • first and second refractive index layers 321 and 322 are deposited as SiO 2 materials in FIGS. 4 to 7 as an example, the first and second refractive index layers 321 and 322 may include MgF in addition to SiO 2. It may be deposited with any one of 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, ZrO 2 , Ta 2 O 5 and CeO 2 .
  • FIG. 8 is an enlarged view of a portion A including the second refractive index layer 322 in the optical thin film shown in FIG. 7, wherein the second refractive index layer 322 formed on the substrate 300 includes nano pillar patterns. 322a.
  • the second refractive index layer 322 is formed on the substrate 300 having an inclination angle, and the nano pillar patterns 322a have an inclined shape.
  • the incident angle of the deposition material particles is changed to close to 0 ° by the porous increasing filter 140, so that the nano pillar patterns 322a are spaced apart by a predetermined distance d.
  • the second refractive index layer 322 made of SiO 2 material may have a lower refractive index than the first refractive index layer 321.
  • FIG. 9 is a graph showing the refractive index-wavelength relationship of the optical thin film.
  • a SiO 2 thin film having a refractive index of 1.47 is produced at a wavelength of 600 nm.
  • the conventional oblique incidence deposition method (2) it can be produced a thin film having a refractive index of 1.3 at the same wavelength.
  • the modified oblique incidence deposition method (3) of the present invention it is possible to produce a thin film having a very low refractive index of 1.08. It is manufactured almost close to the refractive index of air, making it a material that can be directly applied to antireflection deposition.
  • FIG. 10 is a graph showing the reflectance according to the reflectance-wavelength relationship and the incident angle of the optical thin film according to the present invention.
  • a thin film having an average reflectance of 0.04% in a 400 to 800 nm region may be manufactured.
  • the reflectance of glass is 8%, it can be said that an antireflection thin film was deposited which considerably reduces the reflectance.
  • FIG. 11 is a graph showing the transmittance-wavelength relationship of the optical thin film according to the present invention.
  • the transmittance of the glass having no antireflection deposition is 92%
  • an optical thin film having an average transmittance of 99.5% may be manufactured, and the both sides of the glass substrate may be deposited by using a deformed gradient incident deposition method. Can be.
  • the refractive indices of the first refractive index layer and the second refractive index layer can be adjusted differently, and only by alternately stacking the first refractive index layer and the second refractive index layer twice. High reflectance can be realized.
  • the anti-reflective thin film having different refractive indices can be manufactured even by using the same material by adjusting the refractive index of the deposition material by providing a porous increasing filter in the modified oblique incidence angle deposition apparatus. Can be effectively used.

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Abstract

무반사 광학 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 무반사 광학 박막의 제조 방법은, 챔버(chamber) 내의 지지대와 연결된 지지판 상에 유리 기판을 장착하는 제1 단계, 유리 기판이 지면에 평행하도록 상기 지지대를 수직하게 이동시키는 제2 단계, 유리 기판 상에 증착 물질을 이용하여 제1 굴절률층을 증착시키는 제3 단계, 제1 굴절률층이 증착된 유리 기판이 소정의 경사각을 갖도록 지지대를 이동시키는 제4 단계, 유리 기판의 하부 영역에 위치하며 유리 기판으로 향하는 증착 물질의 다공성을 증가시키는 다공성 증가 필터를 이용하여 유리 기판 상에 상기 제1 굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 제2 굴절률층을 증착시키는 제5 단계, 유리 기판의 하부 영역 상에서 다공성 증가 필터를 제외시키고, 제1 및 제2 굴절률층이 증착된 유리 기판이 지면에 평행하도록 지지대를 수직하게 이동시키는 제6 단계 및, 상기 제3 내지 제5 단계를 1회 반복하는 제7 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2 굴절률층은 동일한 증착 물질로 증착될 수 있다.

Description

변형 경사 입사각 증착 장치 및 이를 이용한 무반사 광학 박막의 제조 방법, 그리고 무반사 광학 박막
본 발명은 경사 입사각 증착 장치 및 이를 이용한 무반사 광학 박막의 제조 방법, 그리고 무반사 광학 박막에 관한 것이다.
렌즈, 프리즘, 반사경 등의 광학계를 구성하는 광학 소자에는 무반사 박막과 같은 광학 박막이 채용된다. 무반사 박막이란, 기판을 향해 입사하는 광이 기판의 계면에서 반사되는 것을 방지하기 위한 것으로, 기판의 일 면에 형성되어 기판에 입사되는 광을 손실 없이 투과시키는 기능을 한다.
상술한 무반사 박막은 기판 상에 소정의 증착 물질을 증착시키는 공정을 통해 형성할 수 있다. 이 경우, 증착 공정으로는 물리증착, 스퍼터링, CVD(Chemical Vapor Deposition) 등이 있을 수 있다.
한편, 광학 박막은 넓은 입사각 범위에서 낮은 반사율을 갖는 것이 요구된다. 이 같은 조건을 만족시키기 위하여 기판 상에 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 굴절률층을 증착시키는 방법을 이용할 수 있다. 이 경우, 광학 박막이 무반사 기능을 보다 효율적으로 구현하기 위해서는, 기판 상에 굴절률 차이가 큰 물질을 이용하여 복수의 굴절률층을 교대로 증착하고, 굴절률층의 교대 횟수를 증가시키는 방법을 이용할 수 있다.
하지만, 광학 박막을 채용하는 광학 소자가 점점 소형화되는 추세이므로, 굴절률층의 교대 횟수를 증가하는 것을 통해 무반사 기능을 향상시키는 것은 한계가 있다. 또한, 굴절률이 상이한 물질을 이용하여 굴절률층을 증가시키는 경우, 증착 챔버 내의 오염이 심각해진다는 문제점이 있었다. 뿐만 아니라, 종래의 일반적인 물리증기 증착법으로 증착된 광학 박막은 굴절률을 낮추는데 한계가 있어 넓은 파장대역에서 낮은 반사율을 요하는 기술에 적용하는 것이 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 기판 상에 동일한 물질을 이용하여 서로 상이한 굴절률을 갖는 제1 굴절률층과 제2 굴절률층을 2회 교대로 적층함으로써, 4개의 층만으로 높은 무반사 기능을 구현할 수 있는 무반사 광학 박막의 제조 방법 및 무반사 광학 박막을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 무반사 광학 박막 제조시, 기판 상에 증착되는 증착 물질의 다공성을 증가시키기 위한 다공성 증가 필터를 구비함으로써, 증착 물질의 굴절률을 감소시킬 수 있는 변형 경사 입사각 증착 장치를 제공하기 위한 것이다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 무반사 광학 박막의 제조 방법은, 챔버(chamber) 내의 지지대와 연결된 지지판 상에 유리 기판을 장착하는 제1 단계, 상기 유리 기판이 지면에 평행하도록 상기 지지대를 수직하게 이동시키는 제2 단계, 상기 유리 기판 상에 증착 물질을 이용하여 제1 굴절률층을 증착시키는 제3 단계, 상기 제1 굴절률층이 증착된 유리 기판이 소정의 경사각을 갖도록 상기 지지대를 이동시키는 제4 단계, 상기 유리 기판의 하부 영역에 위치하며 상기 유리 기판으로 향하는 증착 물질의 다공성을 증가시키는 다공성 증가 필터를 이용하여 상기 유리 기판 상에 상기 제1 굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 제2 굴절률층을 증착시키는 제5 단계, 상기 유리 기판의 하부 영역 상에서 상기 다공성 증가 필터를 제외시키고, 상기 제1 및 제2 굴절률층이 증착된 유리 기판이 지면에 평행하도록 상기 지지대를 수직하게 이동시키는 제6 단계 및 상기 제3 내지 제5 단계를 1회 반복하는 제7 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2 굴절률층은 동일한 증착 물질로 증착될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 굴절률층은 SiO2, MgF2, TiO2, ITO, ZnO, ZrO2, Ta2O5 및 CeO2 중 어느 하나의 증착 물질로 증착될 수 있다.
또한, 상기 제4 단계에서 상기 유리 기판의 경사각은 75° 내지 89°일 수 있다.
또한, 상기 제1 굴절률층은 수직한 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성을 가지며, 상기 제2 굴절률층은 경사진 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하며 상기 제1 굴절률층보다 높은 다공성을 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 변형 경사 입사각 증착 장치는 챔버(chamber) 내의 지지대 이동에 의해 각도 조절이 가능하며, 기판 장착 영역을 포함하는 지지판, 상기 기판 장착 영역에 장착된 유리 기판 상에 적어도 하나 이상의 무반사 박막층을 증착시키기 위한 증착 물질을 담는 용기 및 상기 지지판과 용기 사이에 위치하며, 상기 용기로부터 증발되는 상기 증착 물질의 입자가 상기 유리 기판으로 진행될 때 상기 입자에 대한 입사 각도를 변형시켜 상기 증착 물질의 다공성을 증가시키는 다공성 증착 필터를 포함한다.
이 경우, 상기 다공성 증가 필터는 상기 챔버의 천장에 연결된 회전축에 고정되어, 상기 회전축의 회전에 따라 수평 방향으로 이동할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 박막은 유리 기판 상에 제1 굴절률층과, 상기 제1 굴절률층보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 굴절률층이 적어도 2회 교대로 적층되며, 상기 제1 굴절률층은 수직한 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 가지며, 상기 제2 굴절률층은 소정의 경사 입사각으로 증착되어 경사진 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하며 상기 제1 굴절률층보다 높은 다공성 구조를 가지되, 상기 제1 및 제2 굴절률층은 동일한 증착 물질로 이루어질 수 있다.
이 경우, 상기 제1 및 제2 굴절률층은 SiO2, MgF2, TiO2, ITO, ZnO, ZrO2, Ta2O5 및 CeO2 중 어느 하나의 증착 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 기존의 일반적인 경사 입사각 증착 장치에 다공성 증가 필터를 구비함으로써 증착 물질의 굴절률을 조절할 수 있게 된다. 이에 따라, 동일한 물질을 이용하는 경우에도 서로 다른 굴절률을 갖는 무반사 박막을 제조할 수 있게 된다.
또한, 기판 상에 동일한 물질을 이용하여 서로 상이한 굴절률을 갖는 제1 굴절률층과 제2 굴절률층을 2회 교대로 적층함으로써, 4개의 층만으로 무반사 기능을 구현할 수 있게 된다. 이에 따라, 광학 박막을 소형화시킬 수 있게 되며, 동일한 물질을 이용하는 것에 의해 챔버 내의 오염을 방지할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 변형 경사 입사각 증착 장치를 나타내는 개략도,
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치의 작동 형태를 나타내는 개략도,
도 4 내지 도 7은 도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치를 이용한 광학 박막 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 8은 도 7에 도시된 광학 박막의 일부를 확대한 도면,
도 9는 광학 박막의 굴절률-파장 관계를 나타내는 그래프,
도 10은 본 발명에 따른 광학 박막의 반사율-파장 관계 및 입사각에 따른 반사율을 나타내는 그래프, 그리고
도 11은 본 발명에 따른 광학 박막의 투과율-파장 관계를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
1 : 일반적인 증착 방법
2 : 기존의 경사 입사 증착방법
3 : 변형 경사 입사 증착방법
100 : 변형 경사 입사각 증착 장치 110 : 지지대
120 : 지지판 130 : 회전축
140 : 다공성 증가 필터 150 : 용기
200, 300 : 기판 320 : 무반사 박막층
321, 323 : 제1 굴절률층 322, 324 : 제2 굴절률층
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 변형 경사 입사각 증착 장치의 구조를 설명하기 위한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 챔버(101), 지지대(110), 지지판(120), 회전축(130), 다공성 증가 필터(140) 및 용기(150)를 포함한다.
도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 임의의 물질을 기판(200)에 증착시키기 위한 장치이다.
변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 물리 증착법(Vapor Deposition)을 이용하며, 특히, 물리 증기 증착법(PVD: Physical Vapor Depostion)을 이용한다. 이 경우, 물리 증기 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam Evaporation), 열 증착법 (Thermal Evaporation), 레이저 분자빔 증착법 (L-MBE: Laser Molecular Beam Epitaxy) 및 펄스레이저 증착법 (PLD: Pulsed Laser Deposition) 등이 있으며, 이 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판(200) 상에 무반사 박막층을 증착시킴으로써 광학 박막을 제조할 수 있다.
지지대(110)는 챔버(chamber;101)의 천장에 위치하며, 기판 장착 영역을 제공하는 지지판(120)과 연결된다. 따라서, 지지대(110)를 일정 각도로 이동시키는 것에 의해 지지판(120)이 경사각을 가질 수 있게 된다. 또한, 지지판(120)이 경사각을 갖게 됨에 따라, 지지판(120)에 장착되는 기판(200) 역시 지지판(120)과 동일한 경사각을 가질 수 있게 된다.
기판(200)이 경사각을 갖는 상태에서 용기(150)에 담긴 증착 물질이 기판(200)에 입사하게 되면, 기판(200) 상에는 그 증착 물질로 이루어진 박막층이 형성된다. 이 경우, 박막층은 증착 방법 및 증착 각도에 따라 그 특성(예를 들어, 증착 구조 및 굴절률)이 상이해질 수 있다.
용기(150)는 증착 물질이 담기는 영역이다. 변형 경사 입사각 증착 장치(100)가 구동되는 경우, 용기(150)에 담긴 증착 물질이 용해되고, 용해된 증착 물질이 증발되어 기판(200) 상에 입사된다.
한편, 회전축(130)은 챔버(101)의 천장에 연결된다. 이 경우, 회전축(130)의 일 영역에는 다공성 증가 필터(140)가 고정되어 있을 수 있다. 이 다공성 증가 필터(140)는 기판(200)과 용기(150) 사이에 위치하는 것으로, 용기(150)에서 기판(200)을 향하는 증착 물질 입자의 입사 각도를 변경시켜 증착 물질의 다공성을 증가시키는 역할을 한다. 구체적으로, 다공성 증가 필터(140)는 플랫의 중심부 영역에 미세 그물망이 설치된 구조를 갖는다. 이 경우, 증착 물질 입자는 미세 그물망 사이의 공간을 통과하면서 입사 각도가 변경된다. 이에 따라, 증착 물질은 기판(200) 상에 다공성이 증가된 형태로 증착될 수 있게 된다.
도 1에 도시된 것과 같이, 다공성 증가 필터(140)는 회전축(130)에 연결되어, 회전축(130)이 회전하는 것에 의해 수평 방향으로 이동할 수 있게 된다. 이에 따라, 증착 공정 진행시, 다공성 증가 필터(140)가 필요한 경우에는 회전축(130)을 회전시켜 기판(200)이 위치한 영역에 다공성 증가 필터(140)를 위치시킨다.
또한, 증착 공정 진행시, 다공성 증가 필터(140)가 불필요한 경우에는 회전축(130)을 반대로 회전시켜 기판(200)이 위치하지 않은 영역에 다공성 증가 필터(140)를 위치시킨다. 이 경우, 다공성 증가 필터(140)의 필요와 불필요는 사용자 설정에 따라 결정될 수 있다. 따라서, 도면에는 도시하지 않았지만, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 사용자 설정을 위한 입력키와, 입력 내용을 표시하는 디스플레이 화면을 더 포함할 수 있다. 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 증착 동작과 관련된 사용자 설정값에 따라, 지지대(110)의 이동 각도, 회전축의 회전 그리고 증착률 등을 제어할 수 있다.
한편, 도 1에서는 회전축(130)의 일 영역에 다공성 증가 필터(140)가 고정된 것으로 도시 및 설명하였으나, 회전축(130)을 고정시키고 다공성 증가 필터(140)가 회전 가능하게 설계할 수도 있다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치의 작동 형태를 나타내는 개략도이다. 구체적으로, 도 2는 기판(200)이 경사각을 갖는 상태에서 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하여 증착 물질을 증착시키는 작동 형태를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 지지판(120) 상에 기판(200)이 장착되면, 지지대(110)를 약 85°정도로 이동시키고, 회전축(130)을 회전시켜 다공성 증가 필터(140)가 기판(200)이 위치하는 영역에 포함되도록 한다.
그리고, 용기(150)에 담겨진 증착 물질을 가열하여 기판(200) 방향으로 증발되도록 한다. 이 경우, 증착 물질 입자(p1)는 기판(200)과 용기(150) 사이에 위치한 다공성 증가 필터(140)를 통과하게 된다.
이 과정에 의해 증착 물질 입자(p1)는 다공성 증가 필터(140)를 통과하면서 입사 각도가 변경될 수 있다. 즉, 용기(150)에서 증발될 때 R1 영역으로 넓게 퍼져 소정의 입사 각도를 가지고 진행하더라도, 다공성 증가 필터(140)를 통과하면서 증착 물질 입자(p1)는 0°에 가까운 입사 각도를 갖도록 변경될 수 있다. 즉, 지면에 수직한 각도를 가지고 기판(200) 방향으로 진행하게 된다.
도 2에 도시된 방법으로 기판(200) 상에 증착 물질을 증착하게 되면, 증착된 박막층은 경사진 형태의 나노 기둥 패턴들을 갖는 다공성 구조를 갖게 된다. 특히, 다공성 증가 필터(140)에 의해 나노 기둥 패턴들의 간격이 커짐으로써 박막층의 다공성이 증가된다. 이에 따라 박막층의 굴절률이 감소될 수 있으며, 박막층의 비등방성이 증가될 수 있다.
도 3은 기판(200)이 평행한 상태에서, 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하지 않고 증착 물질을 증착시키는 작동 형태를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 지지판(120)에 기판(200)이 장착되면, 지지판(120)을 지면에 평행하도록 조정하고, 회전축(130)을 회전시켜 기판(200)이 위치한 하부 영역 상에서 다공성 증가 필터(140)가 제외되도록 한다. 즉, 다공성 증가 필터(140)를 기판(200)이 위치하지 않는 영역으로 이동시킨다.
이 상태에서, 용기(150)에 담겨진 증착 물질을 가열하여 기판(200) 방향으로 증발되도록 한다. 이 경우, 증발된 증착 물질 입자(p2, p3)들은 소정의 입사 각도를 가지고 기판(200)으로 진행하게 된다. 이에 따라, 증착된 박막층은 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 갖는다. 이 경우, 도 3에 도시된 방법으로 제조된 박막층은, 도 2에서와 같이 기판(200)이 경사각을 갖지 않으므로, 박막층을 구성하는 나노 기둥 패턴은 기판(200)의 증착면에 수직한 형태를 갖는다.
또한, 다공성 증가 필터(140)를 이용하지 않았으므로, 나노 기둥 패턴들의 간격이 작으며, 도 2에 의해 제조된 박막층에 비해 다공성이 낮아 굴절률이 높게 나타난다.
도 2 및 도 3에서 설명한 바와 같이, 증착시 기판(200)의 경사각과 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하는 것에 의해 박막층의 굴절률을 조절할 수 있다. 즉, 동일한 물질을 이용하여 박막층을 제조하더라도, 도 2에 도시된 방법을 이용하는 경우에는 굴절률을 감소시킬 수 있게 된다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 변형 경사 입사각 증착 장치의 구조를 설명하기 위한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 챔버(101), 지지대(110), 지지판(120), 회전축(130), 다공성 증가 필터(140) 및 용기(150)를 포함한다.
도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 임의의 물질을 기판(200)에 증착시키기 위한 장치이다.
변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 물리 증착법(Vapor Deposition)을 이용하며, 특히, 물리 증기 증착법(PVD: Physical Vapor Depostion)을 이용한다. 이 경우, 물리 증기 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam Evaporation), 열 증착법 (Thermal Evaporation), 레이저 분자빔 증착법 (L-MBE: Laser Molecular Beam Epitaxy) 및 펄스레이저 증착법 (PLD: Pulsed Laser Deposition) 등이 있으며, 이 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판(200) 상에 무반사 박막층을 증착시킴으로써 광학 박막을 제조할 수 있다.
지지대(110)는 챔버(chamber;101)의 천장에 위치하며, 기판 장착 영역을 제공하는 지지판(120)과 연결된다. 따라서, 지지대(110)를 일정 각도로 이동시키는 것에 의해 지지판(120)이 경사각을 가질 수 있게 된다. 또한, 지지판(120)이 경사각을 갖게 됨에 따라, 지지판(120)에 장착되는 기판(200) 역시 지지판(120)과 동일한 경사각을 가질 수 있게 된다.
기판(200)이 경사각을 갖는 상태에서 용기(150)에 담긴 증착 물질이 기판(200)에 입사하게 되면, 기판(200) 상에는 그 증착 물질로 이루어진 박막층이 형성된다. 이 경우, 박막층은 증착 방법 및 증착 각도에 따라 그 특성(예를 들어, 증착 구조 및 굴절률)이 상이해질 수 있다.
용기(150)는 증착 물질이 담기는 영역이다. 변형 경사 입사각 증착 장치(100)가 구동되는 경우, 용기(150)에 담긴 증착 물질이 용해되고, 용해된 증착 물질이 증발되어 기판(200) 상에 입사된다.
한편, 회전축(130)은 챔버(101)의 천장에 연결된다. 이 경우, 회전축(130)의 일 영역에는 다공성 증가 필터(140)가 고정되어 있을 수 있다. 이 다공성 증가 필터(140)는 기판(200)과 용기(150) 사이에 위치하는 것으로, 용기(150)에서 기판(200)을 향하는 증착 물질 입자의 입사 각도를 변경시켜 증착 물질의 다공성을 증가시키는 역할을 한다. 구체적으로, 다공성 증가 필터(140)는 플랫의 중심부 영역에 미세 그물망이 설치된 구조를 갖는다. 이 경우, 증착 물질 입자는 미세 그물망 사이의 공간을 통과하면서 입사 각도가 변경된다. 이에 따라, 증착 물질은 기판(200) 상에 다공성이 증가된 형태로 증착될 수 있게 된다.
도 1에 도시된 것과 같이, 다공성 증가 필터(140)는 회전축(130)에 연결되어, 회전축(130)이 회전하는 것에 의해 수평 방향으로 이동할 수 있게 된다. 이에 따라, 증착 공정 진행시, 다공성 증가 필터(140)가 필요한 경우에는 회전축(130)을 회전시켜 기판(200)이 위치한 영역에 다공성 증가 필터(140)를 위치시킨다.
또한, 증착 공정 진행시, 다공성 증가 필터(140)가 불필요한 경우에는 회전축(130)을 반대로 회전시켜 기판(200)이 위치하지 않은 영역에 다공성 증가 필터(140)를 위치시킨다. 이 경우, 다공성 증가 필터(140)의 필요와 불필요는 사용자 설정에 따라 결정될 수 있다. 따라서, 도면에는 도시하지 않았지만, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 사용자 설정을 위한 입력키와, 입력 내용을 표시하는 디스플레이 화면을 더 포함할 수 있다. 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 증착 동작과 관련된 사용자 설정값에 따라, 지지대(110)의 이동 각도, 회전축의 회전 그리고 증착률 등을 제어할 수 있다.
한편, 도 1에서는 회전축(130)의 일 영역에 다공성 증가 필터(140)가 고정된 것으로 도시 및 설명하였으나, 회전축(130)을 고정시키고 다공성 증가 필터(140)가 회전 가능하게 설계할 수도 있다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치의 작동 형태를 나타내는 개략도이다. 구체적으로, 도 2는 기판(200)이 경사각을 갖는 상태에서 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하여 증착 물질을 증착시키는 작동 형태를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 지지판(120) 상에 기판(200)이 장착되면, 지지대(110)를 약 85°정도로 이동시키고, 회전축(130)을 회전시켜 다공성 증가 필터(140)가 기판(200)이 위치하는 영역에 포함되도록 한다.
그리고, 용기(150)에 담겨진 증착 물질을 가열하여 기판(200) 방향으로 증발되도록 한다. 이 경우, 증착 물질 입자(p1)는 기판(200)과 용기(150) 사이에 위치한 다공성 증가 필터(140)를 통과하게 된다.
이 과정에 의해 증착 물질 입자(p1)는 다공성 증가 필터(140)를 통과하면서 입사 각도가 변경될 수 있다. 즉, 용기(150)에서 증발될 때 R1 영역으로 넓게 퍼져 소정의 입사 각도를 가지고 진행하더라도, 다공성 증가 필터(140)를 통과하면서 증착 물질 입자(p1)는 0°에 가까운 입사 각도를 갖도록 변경될 수 있다. 즉, 지면에 수직한 각도를 가지고 기판(200) 방향으로 진행하게 된다.
도 2에 도시된 방법으로 기판(200) 상에 증착 물질을 증착하게 되면, 증착된 박막층은 경사진 형태의 나노 기둥 패턴들을 갖는 다공성 구조를 갖게 된다. 특히, 다공성 증가 필터(140)에 의해 나노 기둥 패턴들의 간격이 커짐으로써 박막층의 다공성이 증가된다. 이에 따라 박막층의 굴절률이 감소될 수 있으며, 박막층의 비등방성이 증가될 수 있다.
도 3은 기판(200)이 평행한 상태에서, 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하지 않고 증착 물질을 증착시키는 작동 형태를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 변형 경사 입사각 증착 장치(100)는 지지판(120)에 기판(200)이 장착되면, 지지판(120)을 지면에 평행하도록 조정하고, 회전축(130)을 회전시켜 기판(200)이 위치한 하부 영역 상에서 다공성 증가 필터(140)가 제외되도록 한다. 즉, 다공성 증가 필터(140)를 기판(200)이 위치하지 않는 영역으로 이동시킨다.
이 상태에서, 용기(150)에 담겨진 증착 물질을 가열하여 기판(200) 방향으로 증발되도록 한다. 이 경우, 증발된 증착 물질 입자(p2, p3)들은 소정의 입사 각도를 가지고 기판(200)으로 진행하게 된다. 이에 따라, 증착된 박막층은 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 갖는다. 이 경우, 도 3에 도시된 방법으로 제조된 박막층은, 도 2에서와 같이 기판(200)이 경사각을 갖지 않으므로, 박막층을 구성하는 나노 기둥 패턴은 기판(200)의 증착면에 수직한 형태를 갖는다.
또한, 다공성 증가 필터(140)를 이용하지 않았으므로, 나노 기둥 패턴들의 간격이 작으며, 도 2에 의해 제조된 박막층에 비해 다공성이 낮아 굴절률이 높게 나타난다.
도 2 및 도 3에서 설명한 바와 같이, 증착시 기판(200)의 경사각과 증착 물질 입자의 입사 각도를 조정하는 것에 의해 박막층의 굴절률을 조절할 수 있다. 즉, 동일한 물질을 이용하여 박막층을 제조하더라도, 도 2에 도시된 방법을 이용하는 경우에는 굴절률을 감소시킬 수 있게 된다.
도 4 내지 도 7은 도 1에 도시된 변형 경사 입사각 증착 장치를 이용한 광학 박막 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 투명한 유리 기판(300) 상에 제1 굴절률층(321)을 형성한다. 이 경우, 제1 굴절률층(321)은 도 3에 도시된 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 기판(300)을 지면에 평행하도록 조정하고, 기판(300)과 용기(150) 사이에 다공성 증가 필터(140)가 위치하지 않도록 하여 SiO2 물질을 증착시킨다.
증착 결과, 제1 굴절률층(321)은 기판(300) 상에서 나노 기둥 패턴을 갖는 다공성 구조로 증착되며, 약 1.4 정도의 굴절률을 갖는다. 이 경우, 제1 굴절률층(321)은 기판(300)이 지면에 평행한 상태에서 형성되므로, 나노 기둥 패턴이 수직한 형태를 갖는다.
이 후, 도 5에 도시된 것과 같이 제1 굴절률층(321) 상에 제2 굴절률층(322)을 형성한다. 이 경우, 제2 굴절률층(322)은 도 2에 도시된 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 굴절률층(321)이 증착된 기판(300)을 75°내지 89°의 경사각을 갖도록 기울이고, 기판(300)과 용기(150) 사이에 다공성 증가 필터(140)를 위치시킨 상태에서 SiO2 물질을 증착시킨다.
증착 결과, 제2 굴절률층(322)은 기판(300) 상에서 나노 기둥 패턴을 갖는 다공성 구조로 증착되며, 약 1.08 정도의 굴절률을 갖는다. 또한, 기판(300)이 경사진 상태에서 증착 과정을 거치므로 나노 기둥 패턴은 경사진 나선형 구조를 갖게 된다. 또한, 다공성 증가 필터(140)를 통해 증착 물질 입자의 입사 각도를 변경시킨 것으로, 나노 기둥 패턴들의 간격이 제1 굴절률층(321)보다 넓게 형성되어 제2 굴절률층(322)의 다공성이 증가될 수 있다.
즉, 제1 굴절률층(321)과 제2 굴절률층(322)은 동일한 SiO2 물질로 형성되나, 도 2와 도 3에 도시된 증착 방법에 따라서 상이한 굴절률을 갖는다.
한편, 도 6 및 도 7에 도시된 것과 같이, 제2 굴절률층(322) 상에 제1 굴절률층(323)과 제2 굴절률층(324)을 1회 반복 형성하여, 기판(300) 상에 제1 굴절률층(321, 323)과 제2 굴절률층(322, 324)이 2회 교대로 적층된 구조를 갖도록 한다. 이 경우, 1회 반복 형성되는 제1 굴절률층(323)은 도 3에 도시된 방법을 이용하여 형성하고, 제2 굴절률층(324)은 도 2에 도시된 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
위와 같이, 도 3 및 도 2에 도시된 방법을 교대로 이용함으로써, 기판(300) 상에 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 굴절률층(321, 323), 제2 굴절률층(322, 324)이 2회 교대로 적층된 광학 박막을 제조할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 도 7에 도시된 광학 박막에서 제1 굴절률층(321)은 SiO2 물질로 이루어져 있으며, 수직한 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 갖는다. 이 경우, 제1 굴절률층(321)은 박막 제조 과정에서 다공성 증가 필터를 이용하지 않고, 증착 물질 입자가 용기에서 바로 기판으로 입사하여 증착된 것이다.
또한, 도 7에 도시된 광학 박막에서 제2 굴절률층(322)은 SiO2 물질로 이루어져 있으며, 경사진 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 갖는다. 이 경우, 제2 굴절률층(322)은 박막 제조 과정에서 다공성 증가 필터를 통과한 것으로 나노 기둥 패턴들의 간격이 넓어져 높은 다공성 구조를 갖게 된다.
이와 같이, 기판(300) 상에 제1 굴절률층과 제2 굴절률층을 2회 교대로 적층하여 무반사 박막층(320)을 형성할 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 7에서 제1 및 제2 굴절률층(321, 322)이 SiO2 물질로 증착되는 것을 일 예로 설명하였으나, 제1 및 제2 굴절률층(321, 322)은 SiO2 외에 MgF2, TiO2, ITO, ZnO, ZrO2, Ta2O5 및 CeO2 중 어느 하나의 물질로 증착될 수도 있다.
도 8은 도 7에 도시된 광학 박막에서 제2 굴절률층(322)을 포함하는 일부 영역(A)을 확대한 것으로, 기판(300) 상에 형성된 제2 굴절률층(322)은 나노 기둥 패턴들(322a)로 구성되어 있다.
제2 굴절률층(322)은 경사각을 갖는 기판(300) 상에 형성된 것으로, 나노 기둥 패턴들(322a)은 경사진 형태를 갖는다. 또한, 다공성 증가 필터(140)에 의해 증착 물질 입자의 입사 각도가 0°에 가깝게 변경됨으로써, 나노 기둥 패턴들(322a)은 소정의 거리(d)만큼 이격되어 있다. 이 같은 구조에 의해 SiO2 물질로 이루어진 제2 굴절률층(322)은 제1 굴절률층(321)에 비해 낮은 굴절률을 가질 수 있게 된다.
도 9는 광학 박막의 굴절률-파장 관계를 나타내는 그래프이다. 경사입사 증착방법을 사용하지 않고 일반적인 증착방법(1)을 이용하여 증착하였을 경우 600nm 파장에서 1.47의 굴절률을 갖는 SiO2 박막이 만들어진다. 또한 기존의 경사입사 증착방법(2)을 이용하여 증착하였을 경우 같은 파장에서 1.3의 굴절률을 갖는 박막을 제작할 수 있다. 하지만, 본 발명의 변형 경사 입사 증착방법(3)을 이용할 경우 1.08의 아주 낮은 굴절률을 갖는 박막을 제작할 수 있다. 이는 거의 공기의 굴절률에 가깝게 제작이 되어 무반사 증착에 바로 그 응용이 가능한 물질이 된다.
도 10은 본 발명에 따른 광학 박막의 반사율-파장 관계 및 입사각에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 400~800 nm 영역에 평균 반사율이 0.04 % 인 박막을 제작할 수 있다. 이는 일반적으로 유리의 반사율이 8 % 인 점을 감안한다면 그 반사율을 상당히 줄여주는 무반사 박막을 증착하였다고 할 수 있다. 뿐만 아니라 입사각의 증가에 비해 박막의 반사율의 변화가 매우 적은 입사각에 덜 민감한 박막을 증착할 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 광학 박막의 투과율-파장 관계를 나타내는 그래프이다. 일반적으로 무반사 증착을 하지 않은 유리의 투과율이 92 % 라고 할 때, 본 발명에 따르면 평균 투과율이 99.5 % 인 광학 박막을 제작할 수 있고, 변형 경사 입사 증착방법을 이용하여 유리 기판의 양면을 증착하여 제작할 수 있다.
상술한 바와 같이, 동일한 물질을 증착 방법을 달리하여 적층함으로써 제1 굴절률층과 제2 굴절률층의 굴절률을 상이하게 조절할 수 있으며, 제1 굴절률층과 제2 굴절률층을 2회 교대 적층하는 것만으로 높은 반사율을 구현할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
본 발명에 따르면, 변형 경사 입사각 증착 장치에 다공성 증가 필터를 구비함으로써 증착 물질의 굴절률을 조절하여 동일한 물질을 이용하는 경우에도 서로 다른 굴절률을 갖는 무반사 박막을 제조할 수 있게 되므로, 박막 제조 관련 분야에 보다 효과적으로 이용될 수 있다.

Claims (8)

  1. 챔버(chamber) 내의 지지대와 연결된 지지판 상에 유리 기판을 장착하는 제1 단계;
    상기 유리 기판이 지면에 평행하도록 상기 지지대를 수직하게 이동시키는 제2 단계;
    상기 유리 기판 상에 증착 물질을 이용하여 제1 굴절률층을 증착시키는 제3 단계;
    상기 제1 굴절률층이 증착된 유리 기판이 소정의 경사각을 갖도록 상기 지지대를 이동시키는 제4 단계;
    상기 유리 기판의 하부 영역에 위치하며 상기 유리 기판으로 향하는 증착 물질의 다공성을 증가시키는 다공성 증가 필터를 이용하여 상기 유리 기판 상에 상기 제1 굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 제2 굴절률층을 증착시키는 제5 단계;
    상기 유리 기판의 하부 영역 상에서 상기 다공성 증가 필터를 제외시키고, 상기 제1 및 제2 굴절률층이 증착된 유리 기판이 지면에 평행하도록 상기 지지대를 수직하게 이동시키는 제6 단계; 및
    상기 제3 내지 제5 단계를 1회 반복하는 제7 단계;를 포함하되,
    상기 제1 및 제2 굴절률층은 동일한 증착 물질로 증착되는 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 굴절률층은, SiO2, MgF2, TiO2, ITO, ZnO, ZrO2, Ta2O5 및 CeO2 중 어느 하나의 증착 물질로 증착되는 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제4 단계에서,
    상기 유리 기판의 경사각은 75° 내지 89°인 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 굴절률층은 수직한 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성을 가지며, 상기 제2 굴절률층은 경사진 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하며 상기 제1 굴절률층보다 높은 다공성을 갖는 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막의 제조 방법.
  5. 챔버(chamber) 내의 지지대 이동에 의해 각도 조절이 가능하며, 기판 장착 영역을 포함하는 지지판;
    상기 기판 장착 영역에 장착된 유리 기판 상에 적어도 하나 이상의 무반사 박막층을 증착시키기 위한 증착 물질을 담는 용기; 및
    상기 지지판과 용기 사이에 위치하며, 상기 용기로부터 증발되는 상기 증착 물질의 입자가 상기 유리 기판으로 진행될 때 상기 입자에 대한 입사 각도를 변형시켜 상기 증착 물질의 다공성을 증가시키는 다공성 증착 필터를 포함하는 변형 경사 입사각 증착 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 다공성 증가 필터는,
    상기 챔버의 천장에 연결된 회전축에 고정되어, 상기 회전축의 회전에 따라 수평 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 변형 경사 입사각 증착 장치.
  7. 유리 기판 상에 제1 굴절률층과, 상기 제1 굴절률층보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 굴절률층이 적어도 2회 교대로 적층된 광학 박막에 있어서,
    상기 제1 굴절률층은 수직한 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하는 다공성 구조를 가지며,
    상기 제2 굴절률층은 소정의 경사 입사각으로 증착되어 경사진 형태의 나노 기둥 패턴을 포함하며 상기 제1 굴절률층보다 높은 다공성 구조를 가지되,
    상기 제1 및 제2 굴절률층은 동일한 증착 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 굴절률층은 SiO2, MgF2, TiO2, ITO, ZnO, ZrO2, Ta2O5 및 CeO2 중 어느 하나의 증착 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 무반사 광학 박막.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103789743A (zh) * 2014-01-14 2014-05-14 南京工业大学 一种斜角入射微纳米薄膜沉积系统

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101353453B1 (ko) 2011-12-28 2014-01-21 재단법인 포항산업과학연구원 경질 코팅층과 그 형성방법
CN104633972A (zh) * 2013-12-09 2015-05-20 康雪慧 一种采用渐变减反射层的选择性涂层及其制备方法
CN106435508A (zh) * 2016-08-30 2017-02-22 厦门乾照光电股份有限公司 一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法
CN106772710B (zh) * 2016-12-16 2019-09-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种减反射膜的制备方法及大角度入射减反射膜
CN106733548A (zh) * 2017-01-09 2017-05-31 清华大学 一种表面改性的同质双层氧化硅自清洁减反膜的制备方法
KR101961688B1 (ko) * 2017-03-03 2019-03-25 광주과학기술원 발색 구조체 및 발색 구조체의 제조 방법
CN108878674A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110218980B (zh) * 2019-06-27 2021-01-26 艾普偏光科技(厦门)有限公司 负折射率防晕眩太阳镜片及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070016570A (ko) * 2005-08-04 2007-02-08 인하대학교 산학협력단 저굴절률 박막 제조방법 및 이를 이용한 무반사 코팅 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062403A (ja) * 2000-08-17 2002-02-28 Sony Corp 光吸収性反射防止体
JP2004157497A (ja) * 2002-09-09 2004-06-03 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光学用反射防止膜及びその成膜方法
JP5060091B2 (ja) 2006-09-21 2012-10-31 三菱電線工業株式会社 多孔性薄膜の製造方法、及び多孔性薄膜を備えた光学部材の製造方法
CN100565248C (zh) * 2007-03-29 2009-12-02 郭爱军 新型抗反射导电膜

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070016570A (ko) * 2005-08-04 2007-02-08 인하대학교 산학협력단 저굴절률 박막 제조방법 및 이를 이용한 무반사 코팅 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DAVID J. POXSON ET AL.: "Broadband omnidirectional antireflection coatings optimized by genetic algorithm", OPTICS LETTERS, vol. 34, no. 6, 15 March 2009 (2009-03-15), pages 728 - 730, XP001522393, DOI: doi:10.1364/OL.34.000728 *
SCOTT R. KENNEDY ET AL.: "Porous broadband antireflection coating by glancing angle deposition", APPLIED OPTICS, vol. 42, no. 22, 1 August 2003 (2003-08-01), pages 4573 - 4579, XP002616697, DOI: doi:10.1364/AO.42.004573 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103789743A (zh) * 2014-01-14 2014-05-14 南京工业大学 一种斜角入射微纳米薄膜沉积系统

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