WO2010130370A1 - Fotolithographisch strukturierter dickschichtsensor - Google Patents
Fotolithographisch strukturierter dickschichtsensor Download PDFInfo
- Publication number
- WO2010130370A1 WO2010130370A1 PCT/EP2010/002791 EP2010002791W WO2010130370A1 WO 2010130370 A1 WO2010130370 A1 WO 2010130370A1 EP 2010002791 W EP2010002791 W EP 2010002791W WO 2010130370 A1 WO2010130370 A1 WO 2010130370A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electrodes
- layer
- sensor
- microns
- layer pattern
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021124 PdAg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910019017 PtRh Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/0656—Investigating concentration of particle suspensions using electric, e.g. electrostatic methods or magnetic methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Definitions
- the present invention relates to sensors whose electrodes of composite oxide and platinum resist an aggressive medium.
- Impedance sensors in particular based on an electrode comb structure, contain at least two non-contacting platinum electrodes on ceramic substrates, for example on Al 2 O 3 substrates. In contrast to heating resistors or measuring resistors, such. As temperature sensors, the two electrodes are each connected only to a potential of an electrical voltage source, so that between the electrodes, a voltage can be applied. A change in the dielectric between the electrodes is measured. The electrodes are brought into contact with the medium to be measured and are therefore arranged on an outer side of a chip. When the electrodes are exposed to an aggressive medium, such as soot sensors, only electrodes made in thick film technology are suitable. However, such electrodes are inaccurate compared to the less resistant, manufacturable in thin-film technology or resin technology sensors.
- the web width is between 5 and 70 microns. In particular, it is at least 20 microns or at most 60 microns.
- the distance between the webs is also between 5 and 70 microns and is preferably at least 15 and at most 60 microns.
- the edge area around the strip conductor edge varies less than 10 ⁇ m, in particular 2 to 5 ⁇ m. According to the invention, a precision of measurement is achieved with these fine and accurate structures, as previously achievable only with thin-film technology. The effort for this is reduced compared to thin-film technology.
- the externally arranged electrode layer structure is formed as a composite of metal, in particular based on the platinum group metals Pt, Ir or Pd and inorganic oxide, in particular on glass and possibly ceramic base with a layer thickness of 0.5 to 20 .mu.m, in particular 1 to 4 microns.
- the resistance of the electrodes to aggressive media corresponds to the thick-film technique.
- the metal in particular precious metal, causes the electrical conductivity of the composite and must be resistant to aggressive media. It contains more than 50% by weight of platinum group metal and optionally less than 50% by weight of further noble metal Au or Ag, for example as PtRh, IrPt or PdAg alloy. Of the preferred platinum group metals, Os is excluded because of the formation of the volatile and toxic tetroxide.
- the total of less than 50 wt .-% applicable metals Ag and Au are preferably less than 30 wt .-%.
- the inorganic oxide of the composite causes the substrate adhesion and a particularly high resistance to abrasive and aggressive media.
- the outer layer structure consists of two electrically isolated from each other electrodes. These are for this purpose mounted on an electrically insulating substrate, in particular an electrically insulating substrate.
- the two electrodes are insulated by an electrically insulating layer, in particular an Al 2 O 3 thin film.
- an electrode structure composed of an electrode is covered with an electrically insulating thin film, and a single external electrode is formed on the electrically insulating thin film.
- the covered electrode may alternatively be produced using thin-film technology.
- the senor has a heating resistor. This allows self-cleaning by burning the sensor.
- pastes of metal and inorganic oxide are first applied to electrically insulating oxidic substrates, in particular ceramic substrates, to form paste layers with a thickness of 0.5 to 20 ⁇ m. Only after the full-surface printing of the paste are webs structured from the printed layers. In this way, their widths and distances between 5 and 70 microns can be adjusted, and the fluctuating around the conductor edge edge area be kept below 10 microns.
- the paste layer is fired on the substrate.
- the organic portions of the paste are removed.
- the glass component of the paste binds the inorganic components of the paste to the substrate.
- the paste additionally contains ceramic material in order to increase its resistance to abrasive substances and aggressive chemicals.
- the layer thickness of the printed layer is reduced, for example by sputter etching.
- sputter etching When structuring by means of etching, it has proven useful to carry out the reduction of the layer thickness before structuring, since the structuring becomes less accurate as the layer thickness increases.
- laser structuring it has proven useful to reduce the layer thickness only after structuring. In doing so, burrs formed during the laser structuring are smoothed out again.
- sputter etching the layer is used as a target.
- a conductive paste over 7 microns thick and according to the invention to less than 5 microns, in particular to reduce under 4 micron layer thickness.
- a multiplicity of electrode structures are produced on a substrate, for example over 100 on a 2 ⁇ 2 inch substrate or over 1,000 on a 4 ⁇ 4 inch substrate.
- a heating resistor is integrated in the chip.
- Screen resistors can be printed on the back of the substrate.
- heating resistors are printed on a separate substrate and attached to these heating resistors, the substrate of the electrodes.
- the heating resistors are arranged next to the electrodes in a layer by, for example, in addition to the full-surface paste application for the electrodes operable as a heating conductor track is arranged, or the conductor for the heating resistor simultaneously with the structuring of the electrodes from the full-surface paste printing.
- a paste of flux, glass ceramic and one of the metals Pt or PtRhIO or Ir or PdAg is screen-printed all over on a 2 x 2 or 4 x 4 inch substrate of 96% Al 2 O 3 thinly and fired to a 8 micron thick layer.
- the 3 ⁇ m thick layer is patterned photolithographically at 2 ⁇ 2 inches to 300 or at 4 ⁇ 4 inches to 1200 electrode comb pairs with a web width of 50 ⁇ m web width and 30 ⁇ m distance between the webs.
- the chips are connected to suitable measuring devices for soot measurement in exhaust systems of diesel engines.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Bei einem Sensor, insbesondere Impedanzsensor, z. B. Rußsensor, der zwei voneinander elektrisch isolierte Elektroden aufweist, wobei wenigstens eine äußere Elektrode aus einem Verbund aus Metall und anorganischem Oxid als Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 μm ausgebildet ist, beträgt erfindungsgemäß die Bahnbreite des Schichtmusters und der Abstand zwischen den Bahnen 5 bis 70 μm und der Randbereich schwankt um die Leiterbahnkante weniger als 10 μm. Beide Elektroden können in einer Ebene als Schichtmuster nebeneinander angeordnet werden. Der Sensor weist vorzugsweise einen Heizer auf. Zur Massenproduktion werden Elektroden auf elektrisch isolierenden oxidischen Untergründen zu einem Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 μm erzeugt und die Elektroden nach vollflächigem Aufdrucken einer Metallpulver und Oxid aufweisenden Paste aus der gedruckten Schicht zu Bahnen besonders genau strukturiert. Insbesondere wird die Schichtdicke der gedruckten Schicht reduziert.
Description
Fotolithographisch strukturierter Dickschichtsensor
Die vorliegende Erfindung betrifft Sensoren, deren Elektroden aus einem Verbundmaterial aus Oxid und Platin einem aggressiven Medium standhalten.
Mit Pastenauftrag in Siebdrucktechnik werden 100 μm breite Leiterbahnen mit einer Dicke von 10 bis 100 μm erzeugt. Mit dieser Dickschichttechnik sind auch noch 8 μm dicke und 80 μm breite Leiterbahnen erhältlich. Allerdings fransen beim Siebdruck die Leiterbahnen unter 20 μm Schichtdicke umso mehr an ihren Rändern aus, je dünner der Auftrag ist. Bei 8 μm Schichtdicke beträgt der ausgefranste Randbereich ungefähr 30 μm der Breite. Die feineren Strukturen der aufwändigeren Dünnschicht- oder Resinattechnik sind gegenüber aggressiven Medien nicht beständig.
Impedanzsensoren, insbesondere auf Basis einer Elektrodenkammstruktur, enthalten wenigstens zwei sich nicht berührende Platinelektroden auf keramischen Substraten, beispielsweise auf AI2O3-Substraten. Im Unterschied zu Heizwiderständen oder Messwiderständen, wie z. B. Temperatursensoren, sind die beiden Elektroden jeweils nur an ein Potenzial einer elektrischen Spannungsquelle anzuschließen, so dass zwischen den Elektroden eine Spannung angelegt werden kann. Gemessen wird eine Veränderung des Dielektrikums zwischen den Elektroden. Die Elektroden werden in Kontakt mit dem zu messenden Medium gebracht und sind deshalb auf einer Außenseite eines Chips angeordnet. Wenn die Elektroden einem aggressiven Medium ausgesetzt werden, wie z.B. Rußsensoren, eignen sich nur in Dickschichttechnik hergestellte Elektroden. Derartige Elektroden sind aber ungenau gegenüber den wenig resistenten, in Dünnschichttechnik oder Resinattechnik herstellbaren Sensoren.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, gedruckte, hoch sensitive Sensoren in Massenproduktion bereitzustellen.
Zur Lösung der Aufgabe werden feinere Elektrodenstrukturen mit geringer ausgefranstem Randbereich erzeugt.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit den unabhängigen Ansprüchen. In den abhängigen Ansprüchen sind bevorzugte Ausführungen beschrieben.
Erfindungsgemäß liegt die Bahnbreite zwischen 5 und 70 μm. Insbesondere beträgt sie mindestens 20 μm oder höchstens 60 μm. Der Abstand zwischen den Bahnen liegt ebenfalls zwischen 5 und 70 μm und beträgt vorzugsweise mindestens 15 und höchstens 60 μm.
Der Randbereich um die Leiterbahnkante schwankt weniger als 10 μm, insbesondere 2 bis 5 μm. Erfindungsgemäß wird mit diesen feinen und genauen Strukturen eine Messgenauigkeit erzielt, wie sie bisher nur mit Dünnschichttechnik erreichbar war. Der Aufwand hierfür ist gegenüber der Dünnschichttechnik reduziert.
Die außen angeordnete Elektrodenschichtstruktur ist als Verbund aus Metall insbesondere auf Basis der Platingruppenmetalle Pt, Ir oder Pd und anorganischem Oxid, insbesondere auf Glas- und ggf. Keramikbasis mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 μm, insbesondere 1 bis 4 μm ausgebildet. Erfindungsgemäß entspricht die Resistenz der Elektroden gegenüber aggressiven Medien der Dickschichttechnik.
Das Metall, insbesondere Edelmetall, bewirkt die elektrische Leitfähigkeit des Verbunds und muss gegenüber aggressiven Medien resistent sein. Es enthält über 50 Gew.-% Platingruppenmetall und ggf. unter 50 Gew.-% weiteres Edelmetall Au oder Ag, beispielsweise als PtRh-, IrPt- oder PdAg-Legierung. Von den bevorzugten Platingruppenmetallen ist Os wegen der Bildung des flüchtigen und giftigen Tetroxids ausgenommen. Die insgesamt unter 50 Gew.-% anwendbaren Metalle Ag und Au betragen vorzugsweise weniger als 30 Gew.-%.
Das anorganische Oxid des Verbunds bewirkt die Substrathaftung und eine besonders hohe Resistenz gegenüber abrasiven und aggressiven Medien. Bewährt haben sich Mischungen aus Glas, insbesondere auf SiO2-Basis und keramischem Material, beispielsweise AI2O3 oder MgO.
Vorzugsweise besteht die äußere Schichtstruktur aus zwei elektrisch voneinander isolierten Elektroden. Diese sind hierfür auf einem elektrisch isolierenden Untergrund, insbesondere einem elektrisch isolierenden Substrat befestigt.
Alternativ sind die zwei Elektroden durch eine elektrisch isolierende Schicht, insbesondere eine AI2O3-Dünnschicht isoliert. Beispielsweise wird eine aus einer Elektrode bestehende Elektrodenstruktur mit einer elektrisch isolierenden Dünnschicht abgedeckt und auf der elektrisch isolierenden Dünnschicht eine einzelne äußere Elektrode erzeugt. Die abgedeckte Elektrode kann alternativ in Dünnschichttechnik erzeugt werden.
Insbesondere weist der Sensor einen Heizwiderstand auf. Dies ermöglicht eine Selbstreinigung durch Freibrennen des Sensors.
Zur Herstellung der Sensoren werden zuerst Pasten aus Metall und anorganischem Oxid auf elektrisch isolierenden oxidischen Untergründen, insbesondere Keramiksubstraten, vollflächig zu Pastenschichten mit einer Dicke von 0,5 bis 20 μm aufgetragen. Erst nach dem vollflächigen Aufdrucken der Paste werden aus den gedruckten Schichten Bahnen strukturiert. Auf diese Weise können deren Breiten und Abstände zwischen 5 und 70 μm eingestellt werden, und der um die Leiterbahnkante schwankende Randbereich unter 10 μm gehalten werden.
Die Pastenschicht wird auf das Substrat gebrannt. Dabei werden die organischen Anteile der Paste entfernt. Die Glaskomponente der Paste bindet dabei die anorganischen Komponenten der Paste an das Substrat. Vorzugsweise enthält die Paste neben den anorganischen Komponenten Glas und Metall zusätzlich keramisches Material, um die Widerstandsfähigkeit gegen abrasive Stoffe und aggressive Chemikalien zu erhöhen.
Vorzugsweise wird die Schichtdicke der gedruckten Schicht reduziert, beispielsweise durch Sputterätzen. Bei Strukturierung mittels Ätzen hat es sich bewährt, die Reduzierung der Schichtdicke vor der Strukturierung durchzuführen, da die Strukturierung bei zunehmender Schichtdicke ungenauer wird. Bei einer Laser-Strukturierung hat es sich bewährt, die Schichtdicke erst nach der Strukturierung zu reduzieren. Dabei werden bei der Laserstrukturierung gebildete Grate wieder etwas geglättet. Beim Sputterätzen wird die Schicht als Target eingesetzt.
Hierzu hat es sich bewährt, eine Leitpaste über 7 μm dick aufzutragen und erfindungsgemäß auf unter 5 μm, insbesondere unter 4μm Schichtdicke zu reduzieren.
Zur Massenproduktion wird auf einem Substrat eine Vielzahl an Elektrodenstrukturen erzeugt, beispielsweise über 100 auf einem 2 x 2 Zoll Substrat oder über 1.000 auf einem 4 x 4 Zoll Substrat.
Auf diese Weise wird gleichzeitig eine Vielzahl von Sensoren hergestellt, die nach ihrer gemeinsamen Herstellung vereinzelt werden.
Vorzugsweise wird ein Heizwiderstand im Chip integriert. Per Siebdruck hergestellte Heizwiderstände können auf der Rückseite des Substrats aufgedruckt werden. Alternativ werden Heizwiderstände auf ein separates Substrat gedruckt und auf diesen Heizwiderständen das Substrat der Elektroden befestigt. Als weitere Alternative werden die Heizwiderstände neben den Elektroden in einer Schicht angeordnet, indem beispielsweise neben dem vollflächigen Pastenauftrag für die Elektroden eine als Heizwiderstand betreibbare Leiterbahn angeordnet wird, oder die Leiterbahn für den Heizwiderstand gleichzeitig mit der Strukturierung der Elektroden aus dem vollflächigen Pastendruck erfolgt.
Beispiel Massenproduktion
Eine Paste aus Flußmittel, Glaskeramik und einem der Metalle Pt oder PtRhIO oder Ir oder PdAg wird per Siebdruck vollflächig auf einem 2 x 2 oder 4 x 4 Zoll Substrat aus 96 % AI2O3 dünn aufgetragen und zu einer 8 μm dicken Schicht gebrannt.
Hierauf wird ganzflächig auf 3 μm Schichtdicke mittels Sputterätzverfahren geätzt, indem die gebrannte Schicht als Target gepolt wird (trocken ätzen).
Die 3μm dicke Schicht wird photolithographisch bei 2 x 2 Zoll zu 300 oder bei 4 x 4 Zoll zu 1.200 Elektrodenkammpaaren mit einer Bahnbreite von 50 μm Bahnbreite und 30 μm Abstand zwischen den Bahnen strukturiert.
Dann erfolgt eine Vereinzelung zu 300 bzw. 1.200 Chips und Bestückung von Trägern mit jeweils einem Chip.
Die Chips werden zur Rußmessung in Abgasanlagen von Dieselmotoren an geeignete Messgeräte angeschlossen.
Claims
1. Sensor, insbesondere Impedanzsensor, der zwei voneinander elektrisch isolierte Elektroden aufweist, wobei wenigstens eine äußere Elektrode aus einem Verbund aus Metall und anorganischem Oxid als Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 μm ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Bahnbreite des Schichtmusters und der Abstand zwischen den Bahnen 5 bis 70 μm beträgt, wobei der Randbereich um die Leiterbahnkante weniger als 10 μm schwankt.
2. Sensor nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass beide Elektroden in einer Ebene als Schichtmuster nebeneinander angeordnet sind.
3. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor einen Heizwiderstand aufweist.
4. Verfahren zur Massenproduktion von Sensoren, bei dem Elektroden auf elektrisch isolierenden oxidischen Untergründen zu einem Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 μm erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden nach vollflächigem Aufdrucken einer Metallpulver und Oxid aufweisenden Paste aus den gedruckten Schichten zu Bahnen so genau strukturiert werden, dass deren Breiten und Abstände zwischen 5 und 70 μm eingestellt werden, und der Randbereich um die Leiterbahnkante weniger als 10 μm schwankt.
5. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der gedruckten Schicht reduziert wird.
6. Verwendung eines Sensors nach einem der Ansprüche 1 bis 3 als Rußsensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/319,767 US9068913B2 (en) | 2009-05-11 | 2010-05-06 | Photolithographic structured thick layer sensor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009020743A DE102009020743A1 (de) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | Fotolithographisch strukturierter Dickschichtsensor |
| DE102009020743.0 | 2009-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2010130370A1 true WO2010130370A1 (de) | 2010-11-18 |
Family
ID=42634882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2010/002791 WO2010130370A1 (de) | 2009-05-11 | 2010-05-06 | Fotolithographisch strukturierter dickschichtsensor |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9068913B2 (de) |
| DE (1) | DE102009020743A1 (de) |
| WO (1) | WO2010130370A1 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014222844B4 (de) * | 2014-11-10 | 2018-05-09 | Continental Automotive Gmbh | Rußsensor |
| EP3475690A4 (de) * | 2016-10-05 | 2019-05-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Isolierte sensoren |
| DE102016226275A1 (de) * | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur Erfassung von Partikeln eines Messgases in einem Messgasraum |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19845041A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung photostrukturierbarer Schichten mit Strukturgrößen im Mikrobereich |
| EP1167955A2 (de) * | 2000-06-30 | 2002-01-02 | DaimlerChrysler AG | Hochtemperaturstoffsensor |
| DE10041921A1 (de) * | 2000-08-25 | 2002-03-21 | Dornier Gmbh | Stoffsensor |
| DE10308799A1 (de) * | 2003-02-27 | 2004-09-09 | Daimlerchrysler Ag | Gassensor und Verfahren zur Detektion von Kohlenwasserstoffen, insbesondere im Abgas von Kraftfahrzeugen |
| WO2007085838A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Intellitect Water Limited | An interdigitated microelectrode and a process for producing the interdigitated microelectrode |
| WO2009021734A1 (de) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Russsensor mit glatter, reiner ai2o3-oberfläche |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437551B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-08-20 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated AC impedance sensor |
| KR20040052479A (ko) * | 2001-11-12 | 2004-06-23 | 닛폰 세이키 가부시키가이샤 | 액면검출장치 |
| US6504226B1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-01-07 | Stmicroelectronics, Inc. | Thin-film transistor used as heating element for microreaction chamber |
| US6734686B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-05-11 | Nanmat Technology Co. Ltd. | Method for detecting quantity variation of high purity liquid chemicals and devices to carry out the method |
| US20060177349A1 (en) * | 2003-03-18 | 2006-08-10 | Jacob Thaysen | Chemical sensor |
| KR20070036058A (ko) * | 2004-06-30 | 2007-04-02 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 도파로형 광제어 소자와 그 제조방법 |
| US7939873B2 (en) * | 2004-07-30 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor element and semiconductor device |
| DE102005029219A1 (de) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Rußsensor |
| US20090278556A1 (en) * | 2006-01-26 | 2009-11-12 | Nanoselect, Inc. | Carbon Nanostructure Electrode Based Sensors: Devices, Processes and Uses Thereof |
| DE102006043092A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
| DE102007021913A1 (de) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Sensor zur Detektion von Teilchen in einem Gasstrom sowie deren Verwendung |
| US7609068B2 (en) * | 2007-10-04 | 2009-10-27 | Delphi Technologies, Inc. | System and method for particulate sensor diagnostic |
-
2009
- 2009-05-11 DE DE102009020743A patent/DE102009020743A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-05-06 WO PCT/EP2010/002791 patent/WO2010130370A1/de active Application Filing
- 2010-05-06 US US13/319,767 patent/US9068913B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19845041A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung photostrukturierbarer Schichten mit Strukturgrößen im Mikrobereich |
| EP1167955A2 (de) * | 2000-06-30 | 2002-01-02 | DaimlerChrysler AG | Hochtemperaturstoffsensor |
| DE10041921A1 (de) * | 2000-08-25 | 2002-03-21 | Dornier Gmbh | Stoffsensor |
| DE10308799A1 (de) * | 2003-02-27 | 2004-09-09 | Daimlerchrysler Ag | Gassensor und Verfahren zur Detektion von Kohlenwasserstoffen, insbesondere im Abgas von Kraftfahrzeugen |
| WO2007085838A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Intellitect Water Limited | An interdigitated microelectrode and a process for producing the interdigitated microelectrode |
| WO2009021734A1 (de) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Russsensor mit glatter, reiner ai2o3-oberfläche |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102009020743A1 (de) | 2010-12-09 |
| US20120062254A1 (en) | 2012-03-15 |
| US9068913B2 (en) | 2015-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69822770T2 (de) | Dickschicht-Piezoresistive-Fühleranordnung | |
| EP2089696B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Sensors und nach diesem Verfahren hergestellter Sensor | |
| DE3720189C1 (de) | Taupunkt-Sensor | |
| EP1756537B1 (de) | Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung | |
| EP1144968B1 (de) | Platintemperatursensor und herstellungsverfahren für denselben | |
| WO2017076632A1 (de) | Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements | |
| EP0944816A1 (de) | Elektrischer widerstand mit wenigstens zwei anschlusskontaktfeldern auf einem keramik-substrat sowie verfahren zu dessen herstellung | |
| DE19753800A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes sowie eines mechanisch-elektrischen Wandlers | |
| DE3930623A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines monolitischen keramik-kondensators | |
| WO2010130370A1 (de) | Fotolithographisch strukturierter dickschichtsensor | |
| EP2327284B1 (de) | Sensorvorrichtung und verfahren zur herstellung | |
| AT405591B (de) | Heizelement und verfahren zu dessen herstellung | |
| EP3994710A1 (de) | Ntc-dünnschichtthermistor und verfahren zur herstellung eines ntc-dünnschichtthermistors | |
| EP0234487A2 (de) | Dünnschichtschaltung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE4300995C2 (de) | Kraftsensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| EP0016263B1 (de) | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2615473B2 (de) | Meßwiderstand für ein Widerstandsthermometer | |
| DE2553763B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung | |
| DE3246412C2 (de) | ||
| DE19859998C2 (de) | Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102022126523B3 (de) | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements | |
| DE4040333A1 (de) | Sensor zur messung der elektrolytischen leitfaehigkeit | |
| EP0964230A2 (de) | Elektrischer Widerstand mit wenigstens zwei Anschlusskontaktfeldern auf einem Keramik-Substrat sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE112020004741T5 (de) | Keramikstruktur mit eingebetteter Elektrode | |
| DE1915756C3 (de) | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10725010 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13319767 Country of ref document: US |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10725010 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |