WO2010092297A1 - Procede de traitement par un faisceau d'ions d'une couche metallique deposee sur un substrat - Google Patents

Procede de traitement par un faisceau d'ions d'une couche metallique deposee sur un substrat Download PDF

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Definitions

  • the subject of the invention is a method for treating an ion beam with a metal layer deposited on a substrate and is intended to make it possible to produce metal nanoparticles from the metal layer deposited on the substrate.
  • nanoparticle means an assembly of a few tens to a few thousand atoms, leading to an object of which at least one of the dimensions is of nanometric size, that is to say between 1 nm and 100 nm. From a dimensional point of view, nanoparticles lie between the so-called macroscopic material and the atomic or molecular scale. It is usually found that the physicochemical properties of such objects differ substantially from those prevailing on a larger scale. Such objects can lead to very advantageous applications, for example in the fields of biology and pharmacy, materials and chemical synthesis, microelectronics especially in the perspective of quantum computers.
  • the result is a need for a method for producing nanoparticles, preferably according to easily industrializable methods, so as to be able to offer such nanoparticles in a significant amount and at reasonable costs.
  • the invention aims to provide a low cost nanoparticle production method and to obtain quantities of nanopowders meeting the needs of many applications.
  • the invention thus proposes a method of treatment with an ion beam of a metal layer deposited on a substrate which comprises a step (a) of fragmentation of said metal layer where:
  • the metal layer has a thickness, e fra g, of between 0.2 nm and 20 nm (nanometer);
  • the ions of the ion beam are selected from the ions of the elements of the list consisting of helium (He), boron (B), carbon (C), nitrogen (N), oxygen (0), neon (Ne), argon (Ar), krypton (Kr), xenon (Xe);
  • the ion acceleration voltage is greater than or equal to 10 kV and less than or equal to 1000 kV;
  • the temperature of the metal layer is less than or equal to T f / 3, where T f is the melting temperature of the metal of said metal layer; the dose of ions per unit area is selected in a range of between 10 12 ions / cm 2 and 10 18 ions / cm 2 so as to fragment the metal layer to produce metal clusters in the form of nanoparticles on the surface of the substrate, whose maximum thickness is between 0.2 nm and 20 nm and the maximum width is between 0.2 nm and 100 nm.
  • the maximum width is less than or equal to 20 nm.
  • the maximum thickness and width are less than or equal to 10 nm, or even less than or equal to 5 nm.
  • fragmentation is understood to mean a process for dividing a layer of a material so as to produce clusters of said material of the layer, isolated from each other.
  • the clusters resulting from the layer thus fragmented are not in continuity of matter with each other.
  • these clusters are present on the surface of the substrate and are separated by zones where said substrate is devoid of the material of the layer, that is to say is stripped.
  • the ratio of the area covered by the post-fragmentation layer material to the surface of the substrate is termed "coverage ratio".
  • the coverage ratio is less than or equal to 90%, for example less than or equal to 50%. According to one embodiment, the coverage ratio is between 30% and 10%.
  • the surface of the substrate present between the metal clusters may be identical to the initial surface of the substrate; it may also have been partially abraded by the ions, and / or be the subject of a chemical rearrangement, such as, for example, linked to implantation of ions of the ion beam and / or to surface oxidation.
  • the metal layer may be a continuous layer or a discontinuous layer.
  • discontinuous layer means a layer in which the zones of the substrate, covered by the metal of said layer, have a surface dimension of at least several square nanometers, preferably at least several thousand square nanometers, or even greater than equal to the square micrometer.
  • thickness of a cluster or layer a dimension in a direction perpendicular to the surface of the substrate.
  • width of a cluster means a dimension in a plane parallel to or tangential to the substrate.
  • the metal layer to be treated according to step (a) may be obtained by depositing a metal on a substrate to the desired thickness, e frag , or be obtained after thinning a metal layer of thickness greater than 1 thickness and frag deposited on the substrate.
  • thinning techniques mention may be made of mechanical and / or chemical polishing techniques and material jet abrasion techniques.
  • the substrate may be dense or porous.
  • the metal layer deposited on the substrate can be obtained for example by physical deposition (for example PVD for "physical vapor deposition", physical vapor deposition), gaseous chemical deposition (for example by CVD for "chemical vapor deposition", chemical deposition in the vapor phase), chemical deposition in a liquid medium (for example by electrolysis).
  • the metal layer may be deposited by impregnation with a liquid containing the metal to be deposited; for example, one can use hydrogeno-hexachloroplatinate (IV) to impregnate a porous substrate, then treat the impregnated substrate at 500 0 C for several hours in a stream of air to obtain a platinum layer .
  • the inventors have found that the ranges chosen according to the invention of acceleration voltage and ion dose per unit area allow to select experimental conditions where the production of nanoparticles from a metal layer deposited on a substrate is possible through ion bombardment.
  • T f / 3 during the implementation of the process. It can thus advantageously avoid that the formed nanoparticles have a tendency to coalesce and form clusters whose size would be difficult to control.
  • the choice of the ion dose per unit area in the dose range according to the invention may result from a preliminary calibration step where it is bombarded with one of the ions among He, B, C, N, O, Ne , Ar, Kr, Xe, a sample comprising the metal layer to be treated deposited on a substrate.
  • the bombardment of this metal layer can be carried out in different zones of the layer with a plurality of doses of ions, in the range according to the invention, and the treated zones are observed so as to choose a suitable dose as a function of the desired size of the nanoparticles to produce.
  • the observation of the treated zones can be carried out by nanoscopic observation techniques, such as tunneling microscopy, atomic force microscopy. It is also possible to use surface chemical analysis techniques or physico-chemical techniques to characterize the treated zones, such as, for example, adsorption or gas conversion techniques.
  • the bombardment of the ions under the conditions according to the invention has the effect of a "chopper" at the nanoscale by means of which the atomic rearrangements allow the genesis of metal clusters whose maximum thickness is between 0.2 nm and 20 nm and the maximum width is between 0.2 nm and 100 nm.
  • Cluster dimensions can be "tuned” to achieve desired characteristics by varying ion beam parameters. According to different embodiments that can be combined with one another:
  • the ion dose per unit area is between 10 14 ions / cm 2 and 10 17 ions / cm 2 ; the thickness of the metal layer, e frag , is between 1 nm and 10 nm;
  • the ion acceleration voltage is between 20 kV and 200 kV;
  • the ions are produced by an electron cyclotron resonance (ECR) source which has the advantage of being compact and energy efficient.
  • ECR electron cyclotron resonance
  • the method according to the invention further comprises a step (aa) of spraying a metal layer, prior to the step (a) of fragmentation of the metal layer, consisting in reducing the initial thickness, e pu i v + e frag , a metal layer deposited on the substrate by ion bombardment until said layer reaches the thickness e fra g.
  • This step (aa) advantageously makes it possible to reduce the thickness of an initial metal layer, which is greater than ef rag , with the same device as that used for the step (a) of fragmentation of the metal layer. thick and fragile . To this end, the capacity of ion bombardment to atomize atoms is used.
  • acceleration voltages are chosen such that only the mechanism for atomic atomization of the surface atoms of the metal layer is implemented. In particular, it is sought to prevent the bombarded ions from being foothold.
  • the ion acceleration voltage of the metal layer sputtering step (aa) is between 5 kV and 20 kV.
  • the step (aa) of spraying the metal layer is carried out with heavy ions chosen from the ions of the elements in the list consisting of argon (Ar), krypton (Kr), Xenon (Xe). The choice of heavy ions can allow an advantageous spraying rate.
  • the step (a) of fragmentation of the metal layer is carried out with light ions, chosen from the ions of the elements of the list consisting of helium (He) , boron (B), carbon (C), nitrogen (N), oxygen (O), neon (Ne).
  • light ions chosen from the ions of the elements of the list consisting of helium (He) , boron (B), carbon (C), nitrogen (N), oxygen (O), neon (Ne).
  • the choice of light ions may allow an advantageous fragmentation mechanism.
  • the step of choosing the ion dose per unit area so as to fragment the metal layer to produce metal clusters is performed using previously established data to represent the evolution of the rate of coverage of a metal layer depending on the ion dose per unit area.
  • data can for example be based on experimental measurements of the coverage rate of a metal layer obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • the substrate and the metal layer are movable relative to the ion beam at a speed, V D , between
  • the scrolling speed V D can be constant or variable.
  • the substrate and the metal layer move and the ion beam is fixed.
  • the ion beam sweeps the metal layer to be treated. It is also possible that the substrate and the metal layer move when the ion beam is mobile.
  • a same zone of the metal layer is moved under the ion beam in a plurality, N, of passages at the speed V D.
  • the fragmentation step (a) can be static and result from one or more "flash" of ions;
  • the metal layer consists of a metal or an alloy of this metal, where the metal is chosen from the list consisting of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu ), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), silver (Ag), cerium (Ce), osmium (0s), iridium (Ir), platinum (Pt), gold (Au);
  • the substrate consists of a material chosen from the list consisting of ceramics, glasses, semiconductors, metals, polymers.
  • ceramics that can be used as a substrate, mention may be made, in a nonlimiting manner, of the oxides of aluminum (Al 2 O 3), hafnium (H 2 O 2), zirconium (ZrO 2), silicon (SiO 2); the substrate may also be graphite (C) or silicon (Si);
  • the substrate is metallic, it is preferably made of a metal of a different nature from that of the metal layer to be treated; for example, the substrate is metallic and made of stainless steel, for example example in the form of plate or strip; according to one embodiment, the substrate is a polymer, for example in the form of a plate or film, and ion bombardment is used to post-crosslink said polymer and in particular harden it;
  • the substrate consists of a material in the form of powders and the treatment with an ion beam is carried out with a rolled primary vacuum; it is thus possible to treat powders coated with a metal layer, obtained for example by impregnation; as examples, the substrate powders are alumina powders or zeolites.
  • laminated primary vacuum means a primary vacuum obtained by greatly reducing the vacuum descent compared with a conventional vacuum descent, so as to avoid any turbulence inside the enclosure which could cause the suction of the powders. . For this purpose, one proceeds in conditions where the conductance between the enclosure and the pump is reduced by putting for example series of blades in front of the primary pump.
  • the invention also relates to a substrate coated with metal clusters in the form of nanoparticles on the surface of the substrate whose maximum thickness is between 0.2 nm and 20 nm and the maximum width is between 0.2 nm and 100 nm. , obtained according to one of the embodiments of the method of the present invention, wherein said metal clusters occupy between 1% and 90% of the surface of the substrate and wherein the substrate is stripped on 99% to 10% of its surface, respectively.
  • the amount of metal clusters may depend, for example, on the desired use. It is possible to design substrates coated with very few (of the order of a few percent of their surface) of metal clusters, where these metal clusters are very reactive with respect to the intended application.
  • the coverage ratio for applications in catalysis is from 10% to 30%; according to another embodiment, the coverage ratio for applications in catalysis is from 30% to 60%.
  • the invention also relates to a heterogeneous catalysis device comprising a gas or liquid transformation zone comprising at least one substrate covered with metal clusters according to the present invention.
  • the heterogeneous catalyst device is a catalytic converter, aimed at limiting the harmfulness of the exhaust gases of motor vehicles. Oxidation catalysts with improved reactivity at low temperature are thus obtained.
  • FIGS. 1a to 1c illustrate various steps of an example of a method according to the invention
  • FIGS. 2a to 2c illustrate the surface of samples, in particular processed according to the invention
  • FIG. 3 illustrates the variation of the Pt / Si ratio as a function of the dose received by a sample
  • FIGS. 4, 5a and 5b illustrate surface XPS spectra of samples, in particular processed according to the invention.
  • FIGS. 6 to 9 show examples of changes in the coverage ratio, S, in the ordinate, as a function of ion doses per unit area for metal layers and given ions.
  • FIGS. 1a-1c illustrate various steps of an exemplary implementation of the method according to the invention.
  • a metal layer, for example platinum 10, 20 is deposited on a substrate 30, for example silicon, as shown in FIG.
  • the metal layer is continuous and its initial thickness e is able to v i + e fra g, for example of the order of several tens of nanometers or of the order of micrometer.
  • An ion beam 100 sweeps the surface of the metal layer, for example first in the direction of the arrow 150, then in the direction of the opposite arrow, so that the same area of the surface of the metal layer tracks several passes of the ion beam.
  • aa the beam ions
  • the ions of the beam 100 may be identical to those used for the previous step, or heavy ions can be chosen for the previous step (aa) and light ions for the present step (a) of spraying.
  • Their acceleration voltage and the ion dose per unit area are chosen to fragment the metal layer 10 to produce metal clusters 40 whose maximum thickness is between 0.2 nm and 20 nm and the maximum width included. between 0.2 nm and 100 nm, as shown in Figure
  • samples in which 10 nm platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), iron (Fe) metal layers deposited on a silicon substrate have been used.
  • the ion beam comprises N + ions whose intensity is substantially 20 ⁇ A and N 2+ whose intensity is substantially 20 ⁇ A; the extraction and acceleration voltage is 45 kV; the energy of N + is 45 keV and that of N 2+ is 90 keV.
  • the beam has substantially a square shape of 2 mm side; the sample to be treated moves at 40 mm / s with a lateral advancement step at each return of 1 mm.
  • Tables 1 to 3 report the results with a Pt layer (Table 1), a Cu layer or a Ni layer (Table 2), a Fe layer (Table 3).
  • results with a platinum layer result from tests and observations.
  • the texturing of the metal layer is determined after the tests.
  • platinum nanocrystals can be generated for doses of the order of 2 to 3 ⁇ 10 16 ions / cm 2 , copper or nickel for doses of 3 to 4.10 16 ions / cm 2 , for iron from 4 to 6.10 16 ions / cm 2 .
  • some of the atoms of the metal layer are pulverized during the fragmentation treatment.
  • FIGS. 2a, 2b, 2c show the observation by AFM of an area of the platinum layer on the silicon substrate after 0 passes (before treatment), 50 passes (a dose of the order of 2.5 ⁇ 10 16 ions / cm 2 ), 100 passes (ie a dose of the order of 5.10 16 ions / cm 2 ).
  • the zone shown corresponds to a square zone of 500 nm on one side. The maximum difference in height between peaks and valleys and of the order of 20 nm in FIG. 2a, of the order of 2 nm in FIGS. 2b and 2c. It can be seen that the platinum layer is continuous in FIG.
  • FIG. 3 represents the variation of the atomic concentration ratio Pt / Si (ordinate) measured by XPS as a function of the number of passes, N, under the beam, that is to say the dose.
  • Table 4 summarizes these results and also shows the ratio Pt / (Pt + Si), as well as the atomic percentage of oxygen measured.
  • FIG. 4 shows XPS measurement results in the binding energy range between 0 and 15 eV (abscissa), where the measured number of counts per second is measured (ordinate) for a sample with 0 passage (curve 41) and after 50 passes (curve 42). There is a shift in energy peaks which sign a modification of the texturing of the platinum layer under the effect of ion bombardment.
  • FIGS. 5a and 5b illustrate XPS spectra on the binding energy domain between 0 and 1200 eV (on the abscissa) where the number of strokes (in thousands of strokes per second, on the ordinate) is plotted for a sample with
  • Figure 6 shows coverage rate measurements made on a platinum layer of initial 10 nm thickness deposited on a silicon substrate.
  • the ions used are nitrogen ions, with two charge states, N + and N + , produced by an ECR source.
  • the acceleration voltage of these ions is 40 kV. We thus obtain ions of 40 keV and 80 keV and it can be estimated that the average energy of these ions is 60 keV.
  • the diamonds shown in FIG. 6 correspond to the experimental points and curve 60 corresponds to an interpolation curve.
  • the coverage ratio of the Pt layer is initially of the order of 90% (starting sample, before ion bombardment), that the coverage ratio is approximately 50% for approximately 3.10 15 / cm 2 , about 10% for about 6.10 15 ion / cm 2 .
  • the experimental points are exploited by assuming that the shape of the curve 60 representing the coverage rate as a function of the dose responds to a statistical curve of Fermi-Dirac type.
  • Curve 60 represents the reference curve obtained from the experimental data of FIG. 6, for a 10 nm Pt layer bombarded with 60 keV average energy nitrogen ions.
  • d 50 es / V, where: e is the initial thickness of the metallic layer; s is the surface of the impact;
  • the new parameters s and V can then be estimated for any type of ion, corresponding energy and for different metals of the target.
  • the volume of the impact V is proportional to the spray rate p and the impact surface is proportional to p 2/3 . Knowing the impact volume and the impact surface extracted from the reference curve 60 as well as the sputtering rates relative to the conditions of the curve 60 and those envisaged for a new type of ion, a new energy, in a new target metal, we can proportionally deduce the new impact volume and the new impact surface. On this basis, for example, the evolution of the coverage rate for a platinum layer of the type studied in FIG.
  • FIG. 7 shows the coverage rates thus determined for nitrogen ions of average energy of 20 keV (curve 71), nitrogen ions of average energy of 60 keV (curve 72, identical to the curve of reference 60), nitrogen ions of average energy of 100 keV (curve 73).
  • 10% and 30%, represented by the range ⁇ S in FIG. can thus estimate the dose of ion to be used to obtain such a result: for N at 20 keV, the corresponding dose range, d 7 i, is between about 3 and 5.10 15 ion / cm 2 ; for N to 60 keV, the corresponding dose range, d 72, is between about 4 and 6.10 15 ion / cm 2; for N to 100 keV, dose corresponding to the beach, d 73, is between about 5 and 8.10 15 ion / cm 2.
  • FIG. 9 shows the coverage rates, determined using the data in Table 6, for gold metal layers in curve 91 and platinum or iron in curve 92 (identical to curves 60, 71, 82).

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Abstract

Procédé de traitement par un faisceau d'ions (100) d'une couche métallique (10) déposée sur un substrat (30) qui comprend une étape où : la couche métallique (10) a une épaisseur, efrag, comprise entre 0,2 nm à 20 nm; la tension d'accélération des ions est comprise entre 10 kV et 1000 kV; la température de la couche métallique (10) est inférieure ou égale à Tr/3; on choisit la dose d'ions par unité de surface dans une plage comprise entre 1012 ions/cm2 et 1018 ions/cm2 de manière à fragmenter la couche métallique (10) pour produire des amas métalliques (40) sous forme de nanoparticules sur la surface du substrat dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm.

Description

PROCEDE DE TRAITEMENT PAR UN FAISCEAU D'IONS D'UNE COUCHE METALLIQUE DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT
L'invention a pour objet un procédé de traitement par un faisceau d'ions d'une couche métallique déposée sur un substrat et vise à permettre de produire des nanoparticules métalliques à partir de la couche métallique déposée sur le substrat .
On entend par « nanoparticule » un assemblage de quelques dizaines à quelques milliers d'atomes, conduisant à un objet dont au moins l'une des dimensions est de taille nanométrique, c'est-à-dire comprise entre 1 nm et 100 nm. Du point de vue dimensionnel, les nanoparticules se situent entre la matière dite macroscopique et l'échelle atomique ou moléculaire. On constate usuellement que les propriétés physico-chimiques de tels objets diffèrent sensiblement de celles qui prévalent à une plus grande échelle. De tels objets peuvent conduire à des applications très avantageuses, par exemple dans les domaines de la biologie et de la pharmacie, des matériaux et de la synthèse chimique, de la microélectronique notamment dans la perspective d'ordinateurs quantiques. II en résulte un besoin de méthode de production de nanoparticules, de préférence selon des méthodes facilement industrialisables, de manière à pouvoir offrir de telles nanoparticules en quantité significative et à des coûts raisonnables . L'invention a pour but d'offrir une méthode de production de nanoparticules peu onéreuse et permettant d'obtenir des quantités de nanopoudres répondant aux besoins de nombreuses applications.
L'invention propose ainsi un procédé de traitement par un faisceau d'ions d'une couche métallique déposée sur un substrat qui comprend une étape (a) de fragmentation de ladite couche métallique où :
- la couche métallique a une épaisseur, efrag, comprise entre 0,2 nm à 20 nm (nanomètre) ; - les ions du faisceau d'ions sont sélectionnés parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'hélium (He), du bore (B), du carbone (C), de l'azote (N), de l'oxygène (0), du néon (Ne), de l'argon (Ar), du krypton (Kr) , du xénon (Xe) ; - la tension d'accélération des ions est supérieure ou égale à 10 kV et inférieure ou égale à 1000 kV ;
- la température de la couche métallique est inférieure ou égale à Tf/3, où Tf est la température de fusion du métal de ladite couche métallique ; - on choisit la dose d'ions par unité de surface dans une plage comprise entre 1012 ions/cm2 et 1018 ions/cm2 de manière à fragmenter la couche métallique pour produire des amas métalliques sous forme de nanoparticules sur la surface du substrat, dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm.
Selon un mode de réalisation, la largeur maximale est inférieure ou égale à 20 nm.
Selon un mode de réalisation, l'épaisseur et la largeur maximales sont inférieures ou égales à 10 nm, voire inférieures ou égales à 5 nm.
Dans le cadre de la présente invention, on entend par « fragmentation » un procédé permettant de diviser une couche d'un matériau de manière à produire des amas dudit matériau de la couche, isolés les uns des autres. Les amas résultant de la couche ainsi fragmentés ne sont pas en continuité de matière les uns avec les autres. En conséquence ces amas sont présents sur la surface du substrat et sont séparés par des zones où ledit substrat est dépourvu de la matière de la couche, c'est-à-dire est dénudé . On nomme « taux de couverture » le rapport entre la surface couverte par la matière de la couche après fragmentation rapportée à la surface du substrat.
Il résulte donc du procédé selon l'invention un substrat recouvert d'amas discontinus dont les dimensions correspondent à celles d'objets qualifiés usuellement de nanoparticules .
Selon un mode de réalisation, le taux de couverture est inférieur ou égal à 90% par exemple inférieur ou égal à 50%. Selon un mode de réalisation, le taux de couverture est compris entre 30% et 10%.
La surface du substrat présente entre les amas métalliques peut être identique à la surface initiale du substrat ; elle peut également avoir été partiellement abrasée par les ions, et/ou faire l'objet d'un réarrangement chimique, tel que par exemple lié à une implantation des ions du faisceau d'ions et/ou à une oxydation superficielle.
La couche métallique, d'épaisseur comprise entre 0,2 nm et 20 nm, peut être une couche continue ou une couche discontinue. On entend par « couche discontinue » une couche où les zones du substrat, recouvertes par le métal de ladite couche, ont une dimension surfacique d'au moins plusieurs nanomètres carré, de préférence d'au moins plusieurs milliers de nanomètres carré, voire supérieure ou égale au micromètre carré. Dans le cadre de la présente invention, on entend par épaisseur d'un amas ou d'une couche, une dimension dans une direction perpendiculaire à la surface du substrat. Dans le cadre de la présente invention, on entend par largeur d'un amas, une dimension dans un plan parallèle ou tangent au substrat.
La couche métallique à traiter selon l'étape (a) peut être obtenue par dépôt d'un métal sur un substrat à l'épaisseur désirée, efrag, ou être obtenue après amincissement d'une couche de métal d'épaisseur supérieure à l'épaisseur efrag déposée sur le substrat. Parmi les techniques d'amincissement, on peut citer des techniques de polissage mécanique et/ou chimique, des techniques d'abrasion par jet de matière.
Le substrat peut être dense ou poreux.
La couche métallique déposée sur le substrat peut être obtenue par exemple par dépôt physique (par exemple PVD pour « physical vapor déposition », dépôt physique en phase vapeur), dépôt chimique gazeux (par exemple par CVD pour « chemical vapor déposition », dépôt chimique en phase vapeur), dépôt chimique en milieu liquide (par exemple par électrolyse) . Dans le cas de substrat poreux, la couche métallique peut être déposée par imprégnation par un liquide contenant le métal à déposer ; à titre d'exemple, on peut utiliser de 1 'hydrogeno-hexachloroplatinate (IV) pour imprégner un substrat poreux, puis traiter le substrat imprégné à 5000C pendant plusieurs heures dans un flux d'air afin d'obtenir une couche de platine.
Le choix des ions et des conditions de bombardement de ces ions selon l'invention permet d'obtenir avantageusement des nanoparticules à la surface du substrat.
Les inventeurs ont pu constater que les plages choisies selon l'invention de tension d'accélération et de dose d'ions par unité de surface permettent de sélectionner des conditions expérimentales où la production de nanoparticules à partir d'une couche métallique déposée sur un substrat est possible grâce à un bombardement ionique.
En outre, ils ont pu constater que le procédé selon l'invention peut être mis en œuvre « à froid », notamment à température ambiante et qu'il convient que la température de la couche métallique demeure inférieure ou égale à la valeur
Tf/3 durant la mise en œuvre du procédé. On peut ainsi éviter avantageusement que les nanoparticules formées n'aient tendance à coalescer et à former des amas dont la taille serait difficilement contrôlable.
Le choix de la dose d'ions par unité de surface dans la plage de dose selon l'invention peut résulter d'une étape préalable d'étalonnage où on bombarde avec un des ions parmi He, B, C, N, 0, Ne, Ar, Kr, Xe, un échantillon comprenant la couche de métal à traiter déposée sur un substrat. Le bombardement de cette couche de métal peut s'effectuer dans différentes zones de la couche avec une pluralité de doses d'ions, dans la plage selon l'invention, et on observe les zones traitées de manière à choisir une dose adéquate en fonction de la taille désirée des nanoparticules à produire.
L'observation des zones traitées ainsi peut s'effectuer par des techniques d'observation nanoscopiques, telles que microscopie à effet tunnel, microscopie à force atomique. Il est également possible d'utiliser des techniques d'analyse chimique de surface ou des techniques de physico-chimie pour caractériser les zones traitées, telles que par exemple des techniques d'adsorption ou de conversion de gaz.
Sans vouloir être lié par une quelconque théorie scientifique, on peut penser que le bombardement des ions dans les conditions selon l'invention fait l'effet d'un « hachoir » à l'échelle nanométrique grâce auquel les réarrangements atomiques permettent la genèse d'amas métalliques dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm. On peut « régler » les dimensions des amas pour obtenir des caractéristiques souhaitées en faisant varier les paramètres du faisceau d'ions. Selon différents modes de réalisation qui peuvent être combinés entre eux :
- la dose d'ions par unité de surface est comprise entre 1014 ions/cm2 et 1017 ions/cm2 ; l'épaisseur de la couche métallique, efrag, est comprise entre 1 nm et 10 nm ;
- la tension d'accélération des ions est comprise entre 20 kV et 200 kV ;
- les ions sont produits par une source à résonance cyclotronique électronique (RCE) qui a l'avantage d'être compacte et économe en énergie.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l'invention comprend en outre une étape (aa) de pulvérisation de couche métallique, préalable à l'étape (a) de fragmentation de couche métallique, consistant à réduire l'épaisseur initiale, epuiv + efrag, d'une couche métallique déposée sur le substrat par bombardement ionique jusqu'à ce que ladite couche atteigne l'épaisseur efrag. Cette étape (aa) permet avantageusement de diminuer l'épaisseur d'une couche métallique initiale, qui est supérieure à efrag, avec le même dispositif que celui qui est mis en œuvre pour l'étape (a) de fragmentation de la couche métallique d'épaisseur efrag. On met pour cela à profit la capacité du bombardement ionique à pulvériser des atomes. De préférence on choisit des tensions d'accélération telles que seul le mécanisme de pulvérisation des atomes de surface de la couche métallique par les ions est mis en œuvre. On cherche notamment à éviter que les ions bombardés puissent s'implanter. Selon un mode de réalisation la tension d'accélération des ions de l'étape (aa) de pulvérisation de couche métallique est comprise entre 5 kV et 20 kV. Selon un mode de réalisation, l'étape (aa) de pulvérisation de la couche métallique est mise en œuvre avec des ions lourds choisis parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'argon (Ar) , du krypton (Kr) , du xénon (Xe) . Le choix d'ions lourds peut permettre une vitesse de pulvérisation avantageuse . Selon un mode de réalisation du procédé selon l'invention, l'étape (a) de fragmentation de la couche métallique est mise en œuvre avec des ions légers, choisis parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'hélium (He), du bore (B), du carbone (C), de l'azote (N), de l'oxygène (0), du néon (Ne) . Le choix d'ions légers peut permettre un mécanisme de fragmentation avantageux.
Selon un mode de réalisation, l'étape du choix de la dose d'ions par unité de surface de manière à fragmenter la couche métallique pour produire des amas métalliques est effectuée en utilisant des données préalablement établies permettant de représenter l'évolution du taux de couverture d'une couche métallique en fonction de la dose d'ions par unité de surface. Ces données peuvent par exemple être basées sur des mesures expérimentales du taux de couverture d'une couche métallique obtenues par spectroscopie de photo électrons X (XPS) .
Selon différents modes de réalisation du procédé selon la présente invention, qui peuvent être combinés entre eux :
- le substrat et la couche métallique sont mobiles par rapport au faisceau d'ions à une vitesse, VD, comprise entre
0,1 mm/s et 1000 mm/s. Il est ainsi possible de déplacer l'échantillon pour traiter des zones dont la dimension est supérieure à celle du faisceau. La vitesse de défilement VD, peut être constante ou variable. Selon un mode de réalisation, le substrat et la couche métallique se déplacent et le faisceau d'ions est fixe. Selon un autre mode de réalisation, le faisceau d'ions balaie la couche métallique à traiter. Il est également possible que le substrat et la couche métallique se déplacent quand le faisceau d'ions est mobile. Selon un mode de réalisation, une même zone de la couche métallique est déplacée sous le faisceau d'ions selon une pluralité, N, de passages à la vitesse VD. Il est ainsi possible de traiter une même zone de la couche métallique avec une dose d'ions correspondant à la somme des doses d'ions reçues par cette zone à l'issue des N passages. On note également que si la taille de la couche métallique à traiter le permet, l'étape de fragmentation (a) peut être statique et résulter d'un ou plusieurs « flash » d'ions ;
- la couche métallique est constituée d'un métal ou d'un alliage de ce métal, où le métal est choisi parmi la liste constituée du fer (Fe) , du cobalt (Co) , du nickel (Ni), du cuivre (Cu), du ruthénium (Ru), du rhodium (Rh), du palladium (Pd), de l'argent (Ag), du cérium (Ce), de l'osmium (0s), de l'iridium (Ir), du platine (Pt), de l'or (Au) ;
- le substrat est constitué d'un matériau choisi parmi la liste constituée des céramiques, des verres, des semiconducteurs, des métaux, des polymères. Parmi les céramiques susceptibles d'être utilisées comme substrat, on peut citer, de manière non limitative, les oxydes d'aluminium (AI2O3) , d'hafnium (HfÛ2) , de zirconium (ZrÛ2), de silicium (Siθ2) ; le substrat peut également être en graphite (C) ou en silicium (Si) ; si le substrat est métallique, celui-ci est constitué de préférence d'un métal de nature différente de celui de la couche métallique à traiter ; à titre d'exemple, le substrat est métallique et en acier inoxydable, par exemple sous la forme de plaque ou de feuillard ; selon un mode de réalisation, le substrat est un polymère, par exemple sous forme de plaque ou de film, et on utilise le bombardement ionique pour post-réticuler ledit polymère et notamment le durcir ;
- le substrat est constitué d'un matériau sous forme de poudres et le traitement par un faisceau d'ions est mis en œuvre avec un vide primaire laminé ; il est ainsi possible de traiter des poudres recouvertes d'une couche métallique, obtenue par exemple par imprégnation ; à titre d'exemples, les poudres formant substrat sont des poudres d'alumine ou des zéolithes. On entend par « vide primaire laminé » un vide primaire obtenu en réduisant fortement la descente en vide par rapport à une descente en vide conventionnelle, de manière à éviter toute turbulence à l'intérieur de l'enceinte qui pourrait provoquer l'aspiration des poudres. A cette fin, on procède dans des conditions où la conductance entre l'enceinte et la pompe est réduite en mettant par exemple des séries de lames devant la pompe primaire.
L'invention vise également un substrat recouvert d'amas métalliques sous forme de nanoparticules sur la surface du substrat dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm, obtenu selon un des modes de réalisation du procédé de la présente invention, où lesdits amas métalliques occupent entre 1% et 90% de la surface du substrat et où le substrat est dénudé sur respectivement 99% à 10% de sa surface . La quantité d'amas métalliques peut dépendre par exemple de l'utilisation souhaitée. On peut en effet concevoir des substrats recouverts de très peu (de l'ordre de quelques pourcents de leur surface) d'amas métalliques, où ces amas métalliques sont très réactifs par rapport à l'application visée. Pour d'autres applications, on peut souhaiter obtenir un recouvrement très important du substrat, par exemple de plus de 70% de sa surface, c'est-à- dire avec un taux de couverture de plus de 70% pour multiplier les sites réactifs. On constate que pour de nombreuses applications, comme par exemple des applications en catalyse, un recouvrement correspondant à un taux de couverture de 10% à 60% de la surface du substrat par des amas métalliques permet d'obtenir des résultats satisfaisants. Selon un mode de réalisation, le taux de couverture pour des applications en catalyse est de 10% à 30% ; selon un autre mode de réalisation, le taux de couverture pour des applications en catalyse est de 30% à 60%. L'invention porte également sur un dispositif de catalyse hétérogène comprenant une zone de transformation d'un gaz ou d'un liquide comprenant au moins un substrat recouvert d'amas métalliques selon la présente invention.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de catalyseur hétérogène est un pot catalytique, visant à limiter la nocivité des gaz d'échappement de véhicules motorisés. On obtient ainsi des catalyseurs d'oxydation à réactivité améliorée à basse température.
Les substrats recouverts d'amas métalliques selon l'invention peuvent être utilisés dans de nombreux autres domaines techniques, tels que par exemple ceux relatifs aux piles à combustible, au traitement du pétrole ou des produits pétroliers, tels que par exemple raffinage, désulfurâtion . D'autres particularités et avantages de la présente invention ressortiront dans la description ci-après d'exemples de réalisation non limitatifs, notamment en référence aux dessins annexés dans lesquels : - les figures la à Ic illustrent différentes étapes d'un exemple d'un procédé selon l'invention ; les figures 2a à 2c illustrent la surface d'échantillons, notamment traités selon l'invention ; - la figure 3 illustre la variation du rapport Pt/Si en fonction de la dose reçue par un échantillon ;
- les figures 4, 5a et 5b illustrent des spectres XPS de surface d'échantillons, notamment traités selon 1 ' invention . - les figures 6 à 9 représentent des exemples d'évolution du taux de couverture, S, en ordonnée, en fonction de doses d'ions par unité de surface pour des couches métalliques et des ions donnés.
Pour des raisons de clarté, les dimensions des différents éléments représentés sur ces figures ne sont pas nécessairement en proportion avec leurs dimensions réelles.
Les mêmes références numériques sur les différentes figures correspondent aux mêmes parties.
Les figures la à Ic illustrent différentes étapes d'un exemple de mise en œuvre du procédé selon l'invention.
Une couche métallique, par exemple de platine 10, 20 est déposée sur un substrat 30, par exemple en silicium, tel qu'illustré en figure la.
La couche métallique est continue et son épaisseur initiale vaut epuiv + efrag, par exemple de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres, voire de l'ordre de micromètre. Un faisceau d'ions 100 balaie la surface de la couche métallique, par exemple d'abord dans le sens de la flèche 150, puis dans le sens de la flèche opposée, de manière à ce qu'une même zone de la surface de la couche métallique voie plusieurs passages du faisceau d'ions. Pendant une première étape (aa) , les ions du faisceau
100 sont choisis et leur tension d'accélération est réglée de manière à pulvériser une partie 20 de la surface métallique afin de réduire cette dernière à une épaisseur efrag, comprise entre 0,2nm et 20 nm.
Après réduction de la couche métallique initiale à l'épaisseur efrag désirée, on procède à une étape de fragmentation illustrée en figure Ib.
Les ions du faisceau 100 peuvent être identiques à ceux utilisés pour l'étape précédente, ou on peut choisir des ions lourds pour l'étape précédente (aa) et des ions légers pour la présente étape (a) de pulvérisation. Leur tension d'accélération et la dose d'ions par unité de surface sont choisis pour fragmenter la couche métallique 10 afin de produire des amas métalliques 40 dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale comprise entre 0,2 nm et 100 nm, tel qu'illustré en figure
Ic.
Selon des exemples de mise en œuvre de la présente invention des échantillons où des couches métalliques de platine (Pt), cuivre (Cu), nickel (Ni), fer (Fe) de 10 nm déposées sur un substrat en silicium ont fait l'objet d'études pour un traitement avec des ions d'azote émis par une source RCE. Le faisceau d'ions comprend des ions N+ dont l'intensité est sensiblement 20 μA et N2+ dont l'intensité est sensiblement 20 μA ; la tension d'extraction et d'accélération est de 45 kV ; l'énergie de N+ est de 45 keV et celle de N2+ de 90 keV. Le faisceau a sensiblement une forme carrée de 2 mm de côté ; l'échantillon à traiter se déplace à 40 mm/s avec un pas d'avancement latéral à chaque retour de 1 mm. Les tableaux 1 à 3 reportent les résultats avec une couche de Pt (tableau 1), une couche de Cu ou une couche de Ni (tableau 2), une couche de Fe (tableau 3) .
Les résultats avec une couche de platine résultent d'essais et d'observations. On détermine la texturation de la couche métallique après les essais.
Les résultats avec une couche de Cu, ou de Ni, ou de Fe résultent d'essais préliminaires et d'extrapolations.
Figure imgf000015_0001
Tableau 1
Figure imgf000016_0001
Tableau 2
Figure imgf000016_0002
Tableau 3 On constate que dans les conditions de faisceau et d'épaisseur initiale de la couche métallique mentionnées, on peut générer des nanocristaux de platine pour des doses de l'ordre de 2 à 3.1016 ions / cm2, de cuivre ou de nickel pour des doses de 3 à 4.1016 ions/cm2, pour le fer de 4 à 6.1016 ions/cm2. Comme mentionné sur les différents tableaux, une partie des atomes de la couche métallique sont pulvérisés au cours du traitement de fragmentation.
Des observations de la surface d'échantillons de couches de platine déposée sur un substrat de silicium et traitées dans les conditions ci-dessus ont été effectuées par microscopie par force atomique (AFM pour « atomic force microscopy ») et par spectroscopie de photoélectrons X (XPS pour « X-ray photo électron spectroscopy » également nommé ESCA pour « électron spectroscopy for chemical analysis ») .
Les figures 2a, 2b, 2c représentent l'observation par AFM d'une zone de la couche de platine sur le substrat de silicium après respectivement 0 passe (avant traitement), 50 passes (soit une dose de l'ordre de 2.5.1016 ions/cm2), 100 passes (soit une dose de l'ordre de 5.1016 ions/cm2) . La zone représentée correspond à une zone carrée de 500 nm de côté. La différence maximale de hauteur entre pics et vallées et de l'ordre de 20 nm en figure 2a, de l'ordre de 2nm en figures 2b et 2c. On constate que la couche de platine est continue en figure 2a ; la couche de platine a été fragmentée et apparaît en figure 2b sous la forme d'amas dont l'épaisseur est de l'ordre de 2 nm et la largeur est de l'ordre de 20 à 50 nm ; ces amas sont séparés par des zones où le substrat de silicium a été découvert ; la couche de platine a disparu après 100 passes et on observe en figure 2c le substrat de silicium. La figure 3 représente la variation du rapport de concentration atomique Pt/Si (en ordonnée) mesuré par XPS en fonction du nombre de passage, N, sous le faisceau, c'est-à- dire de la dose.
Le tableau 4 synthétise ces résultats et présente également le rapport Pt/ (Pt + Si), ainsi que le pourcentage atomique d'oxygène mesuré.
Figure imgf000018_0001
Tableau 4
On constate qu'un peu de Si est détecté à 0 passage, correspondant probablement soit à quelques zones du substrat non recouvertes de platine, soit à l'émission du Si du substrat sous la couche de platine.
La quantité de platine a diminué de manière très significative après 40 passages et on peut estimer qu'environ 40 à 50 % de la surface du substrat reste recouverte par du platine et que le silicium et mis à nu sur le reste de la surface. Cette observation est étayée par le fait qu'on observe simultanément à la diminution de la quantité de platine une augmentation du taux d'oxygène. On attribue cette augmentation à une oxydation du silicium du substrat après qu'il ait été mis à nu, confirmant ainsi que les amas de platine sont entourés de zones de substrat dépourvues de platine. La figure 4 reporte des résultats de mesure d'XPS dans le domaine d'énergie de liaison compris entre 0 et 15 eV (en abscisse) où l'on porte le nombre de coups par seconde mesurés (en ordonnée) pour un échantillon avec 0 passage (courbe 41) et après 50 passages (courbe 42) . On constate un décalage des pics en énergie qui signe une modification de la texturation de la couche de platine sous l'effet du bombardement ionique.
Les figures 5a et 5b illustrent des spectres XPS sur le domaine d'énergie de liaison compris entre 0 et 1200 eV (en abscisse) où l'on porte le nombre de coups (en milliers de coups par seconde, en ordonnée) pour un échantillon avec
0 passage (figure 5a) et après 70 passages (figure 5b) . Les pics dont on suit particulièrement l'évolution sont les pics correspondant à Ois (51, 501), Sn2p3 (52), NIs (53), CIs
(54, 504), Si2s (55, 505), Pt4f (56, 506) . On confirme ainsi la forte augmentation de Si2s signant la mise à nu du substrat après 70 passages.
Des échantillons obtenus à partir d'une couche de platine sur un substrat de silicium et traités selon l'invention ont fait l'objet d'essais de catalyse. Un gaz contenant du CO a été envoyé entre 200 et 25O0C sur un substrat recouvert de platine, après bombardement ionique et l'oxydation du CO a été constatée démontrant l'activité catalytique des échantillons. Cette activité disparaît après
100 passages dans les conditions ci-dessus.
Par ailleurs des échantillons comprenant des amas de platine (de 1 à 10 nm3) , finement dispersés et déposés sur un élément de monolithe en alumine poreuse ont également été traités selon l'invention. On a constaté que la fragmentation des amas de platine initiaux pour former des amas de plus petite taille et plus nombreux, peut être obtenue pour des doses comprises entre 1013 et 1014 ion/cm2 d'azote à une énergie moyenne de 60 keV. Des essais d'oxydation du méthane CH4 ont été effectués. On détermine expérimentalement la température T50%, à laquelle on obtient 50% de conversion du CH4 en présence de différents catalyseurs, les autres conditions de mesure étant identiques. On constate que cette température baisse de 2O0C environ pour un catalyseur constitué par les amas de platine fragmentés selon l'invention (T50% environ 580°c), en comparaison à un catalyseur constitué des amas initiaux de 1 à 10 nm3 (T50% environ 6000C) .
Les figures 6 à 9 représentent des exemples d'évolution du taux de couverture, S, exprimé en % en fonction de doses d'ions exprimés en 1015 ion/ cm2.
Ces figures et les enseignements qui en sont tirés permettent d'illustrer un mode de réalisation de l'étape du choix de la dose d'ions par unité de surface de manière à fragmenter une couche métallique pour produire des amas métalliques selon l'invention.
Selon ce mode de réalisation, on détermine expérimentalement l'évolution du taux de couverture d'une couche métallique donnée (métal donné, épaisseur donnée) en fonction de la dose d'ions d'un type donné d'ion pour une énergie donnée et on établit des relations permettant de transcrire l'enseignement obtenu de cette étude expérimentale pour déterminer le taux de couverture qui serait obtenu avec d'autres couches métalliques et/ou d'autres ions et/ou d'autres énergies des ions.
La figure 6 représente des mesures de taux de couverture effectuées sur une couche de platine d'épaisseur initiale de 10 nm déposée sur un substrat de silicium. Les ions utilisés sont des ions d'azote, à deux états de charge, N+ et N +, produits par une source RCE. La tension d'accélération de ces ions est de 40 kV. On obtient donc des ions de 40 keV et 80 keV et on peut estimer que l'énergie moyenne de ces ions est de 60 keV.
La mesure du taux de couverture est effectuée par métrologie de spectroscopie de photo électrons X (XPS) sur une pluralité d'échantillons de la couche de Pt mentionnée après bombardement par différentes doses des ions mentionnés .
Les losanges portés sur la figure 6 correspondent aux points expérimentaux et la courbe 60 correspond à une courbe d'interpolation. Dans cet exemple on constate que le taux de couverture de la couche de Pt est initialement de l'ordre de 90% (échantillon de départ, avant bombardement ionique) , que le taux de couverture est d'environ 50% pour environ 3.1015 ion/cm2, d'environ 10% pour environ 6.1015 ion/cm2. Les points expérimentaux sont exploités en faisant l'hypothèse que la forme de la courbe 60 représentant le taux de couverture en fonction de la dose répond à une courbe statistique de type Fermi-Dirac. Les inventeurs ont développé un modèle d'extrapolation permettant de déduire d'une telle courbe des paramètres utiles pour effectuer des prédictions de courbes représentant le taux de couverture en fonction de la dose pour des conditions différentes de celles dans lesquelles une courbe de référence a été obtenue . La courbe 60 représente la courbe de référence obtenue à partir des données expérimentales de la figure 6, pour une couche de Pt de 10 nm bombardée avec des ions d'azote d'énergie moyenne de 60 keV.
Grâce au modèle développé par les inventeurs, on peut extraire de cette courbe de référence 60 plusieurs données prédictives . Selon l'hypothèse retenue, la variation du taux de couverture S en fonction de la dose d répond à l'équation suivante :
S(d) = 1/ [1 + exp(4.a (d-d5 50 , où : d est la dose d'ions ; d50 est la dose correspondant à un taux de couverture de 50% ; a est la pente de la courbe 60 au point correspondant à un taux de couverture à 50%.
On établit que d50 = e.s/V, où : e est l'épaisseur initiale de la couche métallique ; s est la surface de l'impact ;
V est le volume de l'impact ;
(e, s, V étant exprimés dans la même unité dimensionnelle, par exemple en nm) .
On établit également que s = 2. a et V = e.lO14/d5o, où :
V est exprimé en nm , e en nm ; d5o en 1015 ion /cm2.
De l'exemple représenté en figure 6 on déduit que pour une couche de 10 nm de Pt bombardée par des ions de 60 keV d'énergie moyenne on a :
V = 0.33 nm3 et s = 0,35 nm2.
On constate des équations ci-dessus, qu'il est simple de prévoir la variation du taux de couverture en fonction de l'épaisseur initiale, e, une couche métallique d'un type donné dans des conditions de bombardement ionique où les paramètres s et V ont été déterminés.
En considérant que ces paramètres ont été déterminés pour une épaisseur ei, on a pour une couche métallique du même type d'épaisseur e2 :
S (d, pour e2) = 1/ [1 + exp (2. s (d-e2. s/V) ) ]
A partir des données ci-dessus, les inventeurs ont montré qu'il est possible de prédire l'évolution du taux de couverture en fonction de la dose d'ions dans des conditions différentes de celles correspondant aux conditions expérimentales de la figure 6 en mettant en œuvre une méthode de calcul fondée sur des estimations de taux de pulvérisation pour un métal donné, un ion incident donné, d'énergie donnée. On définit le « taux de pulvérisation » , p, comme le nombre d'atome extrait pour un ion incident.
Le calcul fondé sur des estimations de taux de pulvérisation pour un métal donné, un ion incident donné, d'énergie donnée se fonde sur les principes de la physique des interactions des particules avec la matière. Des méthodes et données permettant de faire ces calculs sont notamment divulguées dans les publications « The Stopping and Range of Ions in Matter » by J. F. Ziegler, volumes 2-6, Pergamon Press, 1977-1985, « The Stopping and Range of Ions in Solids » by J. F. Ziegler, J. P. Biersack and U. Littmark, Pergamon Press, New York, 1985 (new édition in 2009) et J. P. Biersack and L. Haggmark, Nucl . Instr. and Meth., vol. 174, 257, 1980.
En outre, des logiciels ont été développés et commercialisés afin de faciliter ou d'effectuer de tels calculs, comme par exemple les logiciels commercialisés sous les noms « SRIM » (« The Stopping and Range of Ions in Matter ») et « TRIM » (« The Transport of Ions in Matter ») , développés notamment par James F. Ziegler. Les estimations ainsi obtenues de taux de pulvérisation, p, du platine par un ion incident donné (He,
N, Ar) à différentes énergies moyennes (20, 60 et 100 keV) sont reportées ci-dessous dans le tableau 5.
Figure imgf000024_0001
Tableau 5
II est également possible d'obtenir des estimations de taux de pulvérisation, p, de différents métaux pour un même type d'ion incident. Les résultats pour Au, Pt, Fe pour des ions d'azote de différentes énergies moyennes sont reportées ci-dessous dans le tableau 6.
P P P métal Pour 20 keV Pour 60 keV Pour 100 keV
Au 2 ,60 1 ,20 1, 10
Pt 0 ,94 0 ,69 0,53
Fe 1 ,62 0 ,70 0,51
Tableau 6
On peut ensuite estimer les nouveaux paramètres s et V pour tout type d'ion, d'énergie correspondante et pour différents métaux de le cible. Pour cela on considère que le volume de l'impact V est proportionnel au taux de pulvérisation p et que la surface de l'impact est proportionnelle à p2/3. Connaissant le volume de l'impact et la surface de l'impact extraits de la courbe de référence 60 ainsi que les taux de pulvérisation relatifs aux conditions de la courbe 60 et celles envisagées pour un nouveau type d'ion, une nouvelle énergie, dans un nouveau métal cible, on peut proportionnellement déduire le nouveau volume d'impact et la nouvelle surface d'impact. Sur cette base on peut par exemple estimer l'évolution du taux de couverture pour une couche de platine du type étudié en figure 6 (10 nm d'épaisseur) en fonction de l'énergie moyenne des ions d'azote utilisés pour le bombardement. On porte en figure 7 les taux de couverture ainsi déterminés pour des ions d'azote d'énergie moyenne de 20 keV (courbe 71), des ions d'azote d'énergie moyenne de 60 keV (courbe 72, identique à la courbe de référence 60), des ions d'azote d'énergie moyenne de 100 keV (courbe 73) .
Les calculs ont permis de déterminer les paramètres suivants, reportés dans le tableau 7.
Figure imgf000025_0001
Tableau 7
En faisant l'hypothèse qu'un domaine de fragmentation désiré s'obtient pour un taux de couverture compris entre
10% et 30%, représenté par la plage ΔS sur la figure 7, on peut estimer ainsi la dose d'ion à utiliser pour obtenir un tel résultat : pour N à 20 keV, la plage de dose correspondante, d7i, se situe entre environ 3 et 5.1015 ion/cm2 ; pour N à 60 keV, la plage de dose correspondante, d72, se situe entre environ 4 et 6.1015 ion/cm2 ; pour N à 100 keV, la plage de dose correspondante, d73, se situe entre environ 5 et 8.1015 ion/cm2.
On constate que plus l'énergie des ions d'azote incident augmente, plus il convient d'augmenter la dose d'ions pour obtenir la fragmentation souhaitée.
Selon un autre exemple, on peut estimer l'évolution du taux de couverture en fonction du type d'ion, pour une même énergie moyenne et la couche de platine de 10 nm d'épaisseur précédemment étudiée.
On porte en figure 8 les taux de couverture ainsi déterminés pour des ions d'Argon (Ar) en courbe 81, pour des ions d'azote (N) en courbe 82 (courbe identique aux courbes
60 et 72), pour des ions d'Hélium (He) en courbe 83, dans le cas où ces ions ont une énergie moyenne de 60 keV.
Les calculs ont permis de déterminer les paramètres suivants, reportés dans le tableau 8.
Figure imgf000026_0001
Tableau En faisant la même hypothèse que précédemment pour déterminer la plage de dose d'ion à utiliser pour obtenir la fragmentation désirée, on obtient : pour Ar, la plage de dose correspondant, dsi, se situe entre environ 1 et 1.5.1015 ion/cm2 ; pour N, la plage de dose correspondant, d82, se situe entre environ 4 et 6.1015 ion/cm2 ; pour He, la plage de dose correspondant, d83, se situe entre environ 9 et 13.1015 ion/cm2. Selon un autre exemple encore, il est possible d'estimer l'évolution du taux de couverture pour des couches de différents métaux, de même épaisseur (10 nm) bombardés avec des ions d'azote de 60 keV.
On porte en figure 9 les taux de couverture, déterminés grâce aux données du tableau 6, pour des couches métalliques d'or en courbe 91 et de platine ou de fer en courbe 92 (identique aux courbes 60, 71, 82) .
En considérant les conditions établies précédemment, on détermine la plage de dose d'ion désirée pour l'or entre environ 3 et 4.1015 ion/cm2 et pour le platine ou le fer entre environ 4 et 6.1015 ion/cm2.
Il va de soi qu'il est possible de combiner les calculs et résultats exposés de manière à déterminer les doses désirées pour procéder à une fragmentation souhaitée pour les combinaisons possibles, notamment de type de métal de la couche, d'épaisseur de la couche, de type d'ion pour le traitement, de l'énergie de ces ions.
Il est ainsi possible de procéder au choix de la dose d'ions par unité de surface de manière à fragmenter la couche métallique de manière prédictive.
Il convient de noter que des observations expérimentales sur des échantillons ayant fait l'objet d'un traitement par un faisceau d'ion peuvent permettre de confirmer ou d'ajuster la plage de dose d'ions sélectionnée. De telles observations peuvent notamment être effectuées par XPS. L'invention n'est pas limitée aux types de réalisation exemplifiés et doit être interprétée de façon non limitative et englobe tout mode de réalisation équivalent. Il convient de noter que si des exemples de mise en œuvre avec des couches métalliques de Pt, Cu, Ni, Fe, ont été présentés, le procédé selon l'invention peut être mis en œuvre avec de très nombreux métaux en vue d'obtenir des amas métalliques de taille nanoscopique .

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de traitement par un faisceau d'ions (100) d'une couche métallique (10) déposée sur un substrat (30) caractérisé en ce qu'il comprend une étape (a) de fragmentation de ladite couche métallique où : la couche métallique (10) a une épaisseur, efrag, comprise entre 0,2 nm à 20 nm (nanomètre) ;
- les ions du faisceau d'ions sont sélectionnés parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'hélium
(He), du bore (B), du carbone (C), de l'azote (N), de l'oxygène (0), du néon (Ne), de l'argon (Ar), du krypton (Kr) , du xénon (Xe) ;
- la tension d'accélération des ions est supérieure ou égale à 10 kV et inférieure ou égale à 1000 kV ; la température de la couche métallique (10) est inférieure ou égale à Tf/3, où Tf est la température de fusion du métal de ladite couche métallique (10) ;
- on choisit la dose d'ions par unité de surface dans une plage comprise entre 1012 ions/cm2 et 1018 ions/cm2 de manière à fragmenter la couche métallique (10) pour produire des amas métalliques (40) sous forme de nanoparticules sur la surface du substrat, dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm.
2. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que la dose d'ions par unité de surface est comprise entre 1014 ions/cm2 et 1017 ions/cm2.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche métallique (10), efrag, est comprise entre 1 nm et 10 nm.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la tension d'accélération des ions est comprise entre 20 kV et 200 kV.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape (aa) de pulvérisation de couche métallique, préalable à l'étape (a) de fragmentation de couche métallique, consistant à réduire l'épaisseur initiale, epuiv + efrag, d'une couche métallique (20, 10) déposée sur le substrat (20) par bombardement ionique jusqu'à ce que ladite couche atteigne l'épaisseur efrag.
6. Procédé selon la revendication précédente en ce que la tension d'accélération des ions de l'étape (aa) de pulvérisation de couche métallique est comprise entre 5 kV et 20 kV.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6 caractérisé en ce que l'étape (aa) de pulvérisation de la couche métallique (20) est mise en œuvre avec des ions lourds choisis parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'argon (Ar), du krypton (Kr), du xénon (Xe) .
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape (a) de fragmentation de la couche métallique (10) est mise en œuvre avec des ions légers, choisis parmi les ions des éléments de la liste constituée de l'hélium (He), du bore (B), du carbone (C), de l'azote (N), de l'oxygène (O), du néon (Ne) .
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat (30) et la couche métallique (10, 20) sont mobiles par rapport au faisceau d'ions (100) à une vitesse, VD, comprise entre 0,1 mm/s et 1000 mm/s et où une même zone de la couche métallique (10, 20) peut être déplacée sous le faisceau d'ions (100) selon une pluralité, N, de passages à la vitesse VD.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape du choix de la dose d'ions par unité de surface de manière à fragmenter la couche métallique (10) pour produire des amas métalliques (40) est effectuée en utilisant des données préalablement établies permettant de représenter l'évolution du taux de couverture d'une couche métallique en fonction de la dose d'ions par unité de surface.
11. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que les données permettant de représenter l'évolution du taux de couverture sont basées sur des mesures expérimentales du taux de couverture d'une couche métallique obtenues par spectroscopie de photo électrons X (XPS) .
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche métallique (10, 20) est constituée d'un métal ou d'un alliage de ce métal, où le métal est choisi parmi la liste constituée du fer (Fe), du cobalt (Co), du nickel (Ni), du cuivre (Cu), du ruthénium (Ru) , du rhodium (Rh) , du palladium (Pd) , de l'argent (Ag), du cérium (Ce), de l'osmium (Os), de l'iridium (Ir), du platine (Pt), de l'or (Au) .
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat (30) est constitué d'un matériau sous forme de poudres et que le traitement par un faisceau d'ions (100) est mis en œuvre avec un vide primaire laminé.
14. Substrat (30) recouvert d'amas métalliques (40) sous forme de nano particules sur la surface du substrat dont l'épaisseur maximale est comprise entre 0,2 nm et 20 nm et la largeur maximale est comprise entre 0,2 nm et 100 nm, obtenu selon le procédé d'une quelconque des revendications précédentes, où lesdits amas métalliques occupent entre 1% et 90% de la surface du substrat et où le substrat est dénudé sur respectivement 99% à 10% de sa surface.
15. Dispositif de catalyse hétérogène comprenant une zone de transformation d'un gaz ou d'un liquide comprenant au moins un substrat (30) recouvert d'amas métalliques (40) selon la revendication précédente, notamment obtenus avec le procédé selon lune quelconque des revendications 1 à 13.
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