WO2010074518A2 - 반도체용 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름 - Google Patents

반도체용 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름 Download PDF

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    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer structure adhesive film for a semiconductor and a die bonding film comprising the same. More specifically, the present invention maximizes the operational efficiency of the semiconductor device during or after the semiconductor process by introducing a transition metal capture functional group to the adhesive layer used in the multilayer structure adhesive film, the transition remaining as impurities on the surface of the semiconductor chip
  • the present invention relates to a multilayer structure adhesive film and a die bonding film including the same, which can solve a problem of lowering reliability of a semiconductor chip caused by transition metal ions penetrating into a metal or an adhesive interface.
  • silver paste has been mainly used for the bonding between the semiconductor element and the semiconductor element or the semiconductor element and the support member.
  • the support members used therein are also required to be miniaturized and refined. Therefore, the silver paste is not suitable to protrude from the fine semiconductor device or to cause the semiconductor device to be inclined, thereby making it difficult to control abnormality, bubble generation, and thickness during wire bonding. Therefore, in recent years, the adhesive film is mainly used instead of silver paste.
  • Adhesive films used in semiconductor assembly are mainly used with dicing films.
  • the dicing film refers to a film used to fix a semiconductor wafer in a dicing process.
  • the dicing process is a process of cutting into individual chips from a semiconductor wafer, and an expand process, a pick-up process and a mounting process are performed successively to the dicing process.
  • Such a dicing film is usually composed of coating a UV-curable or general curable pressure-sensitive adhesive on a vinyl chloride or polyolefin base film and adhering a cover film of PET material thereon.
  • the conventional method of using an adhesive film for semiconductors was to attach an adhesive film to a semiconductor wafer, apply a dicing film to it, and then slice it according to the dicing process. Dividing the PET cover film, the dicing film and the adhesive film is laminated with each other to form a single film, and then attached to the semiconductor wafer on the simplification according to the dicing process is a trend.
  • Compositions mainly composed of epoxy resins having excellent durability after curing with an adhesive film are mainly used.
  • ionic impurities are introduced into the semiconductor chip through a package process consisting of wafer backgrinding, sawing, and die bonding.
  • transition metal ions damage the electrical function of the semiconductor chip, It is known to cause abnormal operation. Therefore, it is necessary to take measures to remove transition metals or prevent harmful activities.
  • a biomaterial for removing the hazards of ionic impurities without compromising the inherent properties of the adhesive film has not yet been developed. to be.
  • One object of the present invention is to provide a multilayer structure adhesive film for a semiconductor that can solve the degradation of the reliability of the semiconductor chip caused by the transition metal remaining as impurities on the surface of the semiconductor chip or the transition metal ions penetrating the adhesive interface will be.
  • Another object of the present invention is to provide a multilayer structure adhesive film for a semiconductor that can ensure a transition metal reducing power and fluidity control function at the same time.
  • Still another object of the present invention is to provide a multilayer structure adhesive film for a semiconductor that can be formed firmly without satisfying the tensile strength characteristics of the film.
  • Another object of the present invention is to provide a multilayer structure adhesive film for a semiconductor that can maximize the operating efficiency of the semiconductor device during or after the semiconductor process.
  • Still another object of the present invention is to provide a die bonding film using the multilayer structure adhesive film for semiconductors.
  • the multilayer structure adhesive film includes a first adhesive layer adjacent to the base film and a second adhesive layer facing the first adhesive layer, wherein the first and second adhesive layers oxidize or reduce the transition metal or move the transition metal.
  • Each of the binders having monomers having a functional group for capturing a transition metal, wherein the monomers having the functional group for capturing a transition metal are about 20 to about 40 wt% based on the content of each binder, and the first The adhesive layer is about 2 to about 30% of the total adhesive layer thickness and the binder content of the first adhesive layer of the total binder content is larger than the second adhesive layer binder content.
  • the transition metal capture functional group may include at least one selected from -CN, -COOH, -NCO, -SH and NH 2 .
  • the binder content of the first adhesive layer is a multilayer structure adhesive film for a semiconductor, characterized in that about 30 to 75% by weight relative to the total weight of the first adhesive layer.
  • the first adhesive layer comprises about 30 to about 75 weight percent of a binder, about 15 to about 60 weight percent of an epoxy resin, about 1 to about 15 weight percent of a phenol curable resin, about 0.01 to about 2 weight percent of a curing catalyst, and about filler. 1 to about 20 weight percent.
  • the second adhesive layer may include about 10 wt% to about 30 wt% binder, about 20 wt% to about 50 wt% epoxy resin, about 10 wt% to about 40 wt% phenol curable resin, about 0.01 wt% to about 10 wt% curing catalyst, and about filler 25 to about 50 weight percent.
  • the at least one adhesive layer of the first adhesive layer and the second adhesive layer may further include an additive for capturing a transition metal.
  • the epoxy resin may have an epoxy equivalent of about 100 to about 1500 g / eq.
  • the epoxy resin may comprise about 50% by weight or more of a multifunctional epoxy.
  • the phenol curable resin may have a hydroxyl equivalent of about 100 to about 600 g / eq.
  • the phenol curable resin may include about 50% by weight or more of phenol novolac.
  • Another aspect of the invention relates to a dicing die-bonding film comprising the multilayer structure adhesive film.
  • the present invention maximizes the operational efficiency of the semiconductor device during or after the semiconductor process by introducing a transition metal capture functional group in the adhesive layer, and transition metal ions penetrating into the transition metal or adhesive interface remaining as impurities on the surface of the semiconductor chip It has the effect of the invention to provide a multilayer structure adhesive film and a die bonding film comprising the same that can solve the problem of lowering the reliability of the semiconductor chip caused by.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive film of a multilayer structure according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding film including an adhesive film having a multilayer structure according to the present invention.
  • FIG 3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device including an adhesive film having a multilayer structure according to the present invention.
  • (meth) acryl includes both methacryl and acryl.
  • all content mentioned below is a solid content basis unless there is particular notice.
  • the multilayer structure adhesive film for semiconductors of this invention is a cross-sectional view schematically showing a multilayer structure adhesive film according to the present invention.
  • the multilayer structure adhesive film for a semiconductor of the present invention includes a first adhesive layer 150 and a second adhesive layer 140 in contact with the first adhesive layer.
  • the first adhesive layer 150 is in contact with the base film.
  • the first adhesive layer includes a first adhesive layer containing about 20 to about 40 wt% of the monomer having a transition metal capture functional group based on the content of the binder. In embodiments, the first adhesive layer may include about 25 to about 35% by weight of the monomer having a transition metal capture functional group based on the content of the binder.
  • the first adhesive layer may include a binder part and a hardened part. In another embodiment, the first adhesive layer may include a binder part, a hardened part, and an organic solvent. In another embodiment, the first adhesive layer may further include additives such as a curing catalyst, a silane coupling agent, and a filler.
  • the second adhesive layer includes a first adhesive layer containing about 20 to about 40 wt% of the monomer having a transition metal capture functional group based on the content of the binder.
  • the second adhesive layer may include about 25 to about 35% by weight of the monomer having a transition metal capture functional group based on the content of the binder.
  • the second adhesive layer may include a binder part and a hardened part. In another embodiment, the second adhesive layer may include a binder part, a hardened part, and an organic solvent. In another embodiment, the second adhesive layer may further include additives such as a curing catalyst, a silane coupling agent, and a filler.
  • a (meth) acrylic polymer As the binder part, a (meth) acrylic polymer, an NCO group-containing polymer, an epoxy group-containing polymer, or the like may be used, but is not necessarily limited thereto.
  • a functional group capable of oxidizing or reducing the transition metal or inhibiting mobility in the binder portion by adding a functional group capable of oxidizing or reducing the transition metal or inhibiting mobility in the binder portion, a function of controlling the movement of the transition metal is provided while maintaining the overall adhesive film function.
  • (meth) acrylic polymer may be used as the binder part.
  • the hardening part may be an epoxy resin, urethane resin, silicone resin, polyester resin, wasteol-type curing resin, amine-based curing resin, melanin curing resin, urea curing resin, acid anhydride-based curing resin, etc. may be used. It is not. In an embodiment, an epoxy resin, a waste hardening curable resin, or a mixture thereof may be used as the curing unit.
  • the first or second adhesive layer of the present invention includes a functional group for transition metal capture (-CN, -COOH, -NCO, -SH and NH 2, etc.) in at least one component selected from the binder portion, the hardened portion and the organic solvent.
  • the mobility of the transition metal can be significantly reduced and fluidity can be secured.
  • a (meth) acrylic polymer may be used as the binder. It is a rubber component necessary for film formation and may contain a hydroxyl group, a carboxyl group or an epoxy group.
  • the binder of the present invention may further improve the reliability of the semiconductor device during the bonding process by including a transition metal capture function such as -CN, -COOH, -NCO, -SH or -NH that can control the transition metal.
  • a transition metal capture function such as -CN, -COOH, -NCO, -SH or -NH that can control the transition metal.
  • the (meth) acrylic polymer has advantages in that the glass transition temperature and molecular weight can be easily controlled by the monomer to be polymerized, and particularly, the functional group is easily introduced into the side chain.
  • a polymer resin obtained by copolymerizing a (meth) acrylic monomer and a comonomer may be used.
  • (meth) acrylic-type monomer butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, glycy Di (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, and the like, but are not necessarily limited thereto.
  • the comonomers include acrylonitrile, styrene monomers, and the like, but are not necessarily limited thereto.
  • the (meth) acrylic polymer preferably has an epoxy equivalent of about 10,000 g / eq or less.
  • the epoxy equivalent of about 10,000 or less SG-P3-based, SG-800H-based and the like can be used.
  • the first adhesive layer of the present invention comprises about 20 to about 40% by weight of the monomer having a functional group for trapping metal based on the content of the binder. If the functional group for the transition metal capture is less than 20% by weight, the reactivity with the transition metal is lowered. If it exceeds 40% by weight, the solubility in the organic solvent is lowered, so that the uniform coating property of the film is reduced or Tg (glass transition temperature) is increased. The increase in brittleness of the film at room temperature can be reduced, and the die adhesion can be lowered, resulting in poor reliability. Preferably about 25 to 35%.
  • the second adhesive layer of the present invention comprises about 20 to about 40% by weight of the monomer having a transition metal capture functional group based on the content of the binder. If the functional group for the transition metal capture is less than 20% by weight, the reactivity with the transition metal is lowered. If it exceeds 40% by weight, the solubility in the organic solvent is lowered, so that the uniform coating property of the film is reduced or Tg (glass transition temperature) is increased. The increase in brittleness of the film at room temperature can be reduced, and the die adhesion can be lowered, resulting in poor reliability. Preferably about 25 to 35%.
  • the (meth) acrylic polymer may have a glass transition temperature of about 0 ° C to about 30 ° C. In the above range, the film is prevented from brittleness at room temperature, and no burr or chipping phenomenon occurs during chip assembly, which is a semiconductor assembly process.
  • the (meth) acrylic polymer has a weight average molecular weight in the range of about 100,000 to about 700,000 g / mol.
  • the binder is about 30 to about 75 weight percent of the first adhesive layer. Film formation is easy in the said range, and it has the outstanding reliability. More preferably about 31 to about 70 weight percent.
  • the binder may be included in about 35 to about 65% by weight of the first adhesive layer.
  • the binder may be included in an amount of about 50 wt% to about 65 wt% in the first adhesive layer.
  • the binder may be included in an amount of about 32 wt% to about 55 wt% in the first adhesive layer.
  • the binder is about 10 to about 30% by weight in the second adhesive layer. Film formation is easy in the said range, and it has the outstanding reliability. More preferably about 15 to about 25 weight percent. In embodiments, the binder may be included in about 13 to about 20% by weight of the second adhesive layer.
  • the binder content of the first adhesive layer may be 51 to 90% by weight, and the binder content of the second adhesive layer may be 10 to 49% by weight. It is possible to maximize the operating efficiency of the chip in the above range.
  • the curing unit may be used an epoxy resin, a phenol-type curing resin or a mixture thereof.
  • the epoxy resin may be an epoxy resin having a high crosslink density to exhibit a strong curing and adhesive action.
  • a cracking phenomenon may occur in the film, and thus, a mixture of epoxy and near monofunctional or bifunctional epoxy having a minimum crosslinking density is used.
  • the epoxy resin may be used in an equivalent amount of about 100 to about 1500 g / eq. Preferably from about 150 to about 800 g / eq, most preferably from about 150 to about 400 g / eq. It is excellent in the adhesiveness of the cured product in the above range, maintains the glass transition temperature, and may have excellent heat resistance.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it exhibits curing and adhesive action. However, in consideration of the shape of the film, an epoxy resin having at least one functional group is preferable as the solid phase or the epoxy near the solid phase.
  • Specific examples include bisphenol-based, ortho-Cresol novolac-based, polyfunctional epoxy, amine-based epoxy, heterocyclic-containing epoxy, substituted epoxy, and naphthol-based epoxy.
  • bisphenol-based products currently available on the market Epiclone 830-S, Epiclone EXA-830CRP, Epiclone EXA 850-S, Epiclone EXA-850CRP, Epiclone EXA-835LV, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.
  • Detacol EX-611, Detacol EX-614, Detacol EX-614B, Detacol EX-622, Detacall EX-512, Detacall EX-521, Detacall EX-421, Detacall EX-411, Detacall EX-321 and the like can be used.
  • As the amine epoxy resin Yucatel Epoxy Epicoat 604, YH-434 of Dokdo Chemical Corporation, TETRAD-X of Mitsubishi Gas Chemical Corporation, TETRAD-C, ELM-120 of Sumitomo Chemical Corporation, etc. may be used.
  • heterocyclic-containing epoxy resins PT-810 from Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., and ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206 from UCC Co., Ltd.
  • the above-mentioned epoxy resins can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the epoxy resin may include about 50% by weight or more of a multifunctional epoxy.
  • the polyfunctional epoxy is included in an amount of about 50% by weight or more, the crosslinking density is high, so that the internal bonding strength of the structure can be improved, and excellent reliability can be obtained.
  • the epoxy resin may be used in an amount of about 4 wt% to about 50 wt% based on the total weight of the adhesive layer. More preferably about 4 to about 35 weight percent. Not only can have excellent reliability in the above range, it can also maintain the compatibility of the film. More preferably, the content of the epoxy resin is about 35% by weight or less in order to reduce the surface tack of the adhesive film at room temperature to reduce the adhesion with the pressure-sensitive adhesive during the pickup process to facilitate pickup.
  • the epoxy resin may be included in about 15 to about 60% by weight in the first adhesive layer, preferably from about 20 to 50% by weight. In some embodiments, the epoxy resin may be included in an amount of about 17 wt% to about 55 wt% in the first adhesive layer.
  • the epoxy resin may be included in about 20 to about 50% by weight in the second adhesive layer, preferably from about 25 to 45% by weight. In some embodiments, the epoxy resin may be included in an amount of about 27 wt% to about 40 wt% in the second adhesive layer. In another embodiment, the epoxy resin may be included in about 29 to about 35% by weight of the second adhesive layer.
  • the phenol type hardening resin of this invention can use a conventionally well-known thing, Preferably the compound which has two or more phenolic hydroxyl groups in 1 molecule can be used.
  • phenol resins such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S-based phenol-type cured resin, phenol novolak resin, bisphenol A-based novolak resin, cresol novolak, xylene-based, biphenyl-based and the like can be used.
  • the resins may be preferably applied because of excellent electrolytic corrosion resistance at the time of moisture absorption.
  • the phenolic curable resin is currently on the market, and the simple phenolic phenolic curable resin is H-1, H-4, HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF- of Meiwa Chemical Co., Ltd. There are 45, etc., MEPH-78004S, MEH-7800SS, MEH-7800S, MEH-7800M, MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, and KOLON Emulsion Co., Ltd.
  • MEH-7500, MEH-75003S, MEH-7500SS, MEH-7500S, MEH-7500H, etc. are mentioned. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the hydroxyl equivalent of the phenolic curable resin is preferably about 100 to about 600 g / eq, more preferably about 170 to about 300 g / eq. It is possible to maintain an appropriate absorption rate and flowability in the above range, and to have a good heat resistance by preventing a drop in glass transition temperature.
  • the phenolic curable resin preferably contains about 50% by weight or more of phenol novolac.
  • the crosslinking density is increased after curing, thereby increasing the cohesive force between molecules, thereby increasing the internal bonding force, thereby improving adhesion.
  • the phenolic cured resin may be included in about 1 to about 15% by weight of the first adhesive layer, preferably from about 5 to 10% by weight. In embodiments, the phenolic curing resin may be included in about 2 to about 7% by weight in the first adhesive layer. In another embodiment, the phenolic curing resin may be included in about 6 to about 13% by weight of the first adhesive layer.
  • the phenolic curing resin may be included in about 10 to about 40% by weight in the second adhesive layer, preferably may be included in about 15 to 30% by weight. In embodiments, the phenolic curing resin may be included in about 17 to about 25% by weight in the second adhesive layer. In another embodiment, the phenolic curable resin may be included in about 13 wt% to about 20 wt% of the second adhesive layer.
  • the curing catalyst may be added to control the curing rate.
  • phosphine-based, boron-based, imidazole-based, or a mixed catalyst thereof can be used.
  • the phosphine-based curing catalyst is triphenylphosphine (Triphenylphosphine), tri-o-tolylphosphine (Tri-o-tolylphosphine), tri-m-tolylphosphine (Tri-m-tolylphosphine), tri-p-toyl phosphine Tri-p-tolylphosphine, Tri-2,4-xylylphosphine, Tri-2, 5-xylphosphine, Tri-3 , 5-xylphosphine (Tri-3, 5-xylylphosphine), tribenzylphosphine, tris (p-methoxyphenyl) phosphine (tris (p-methoxyphenyl) phosphine), tris (p-tert- Butoxyphenyl) phosphine (Tris (p-tert-butoxyphenyl) phosphine), diphenylcyclohexylphosphine (
  • the boron-based curing catalyst is phenyl boronic acid (Phenyl boronic acid), 4-methylphenyl boronic acid (4-Methylphenyl boronic acid), 4-methoxyphenyl boronic acid (4-Methoxyphenyl boronic acid), 4-tree 4-Trifluoromethoxyphenyl boronic acid, 4-tert-Butoxyphenyl boronic acid, 3-fluoro-4-methoxyphenylboronic acid 3-Fluoro-4-methoxyphenyl boronic acid), Pyridine-triphenylborane, 2-Ethyl-4-methyl imidazolium tetraphenylborate, 1,8 -Diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate (1,8-Diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate) and the like can be used, but are not necessarily limited thereto. These can be used individually or in mixture
  • the curing catalyst may be included in about 0.01 to about 2% by weight of the first adhesive layer, preferably from about 0.1 to 1% by weight. In addition, the curing catalyst may be included in about 0.01 to about 10% by weight of the second adhesive layer, preferably from about 0.5 to 3% by weight. There is an advantage of excellent storage stability within the above range.
  • the silane coupling agent may be added to enhance the adhesion between the surface of the inorganic material such as silica and the resin of the adhesive film when the composition is blended.
  • the silane coupling agent may be an epoxy-containing silane or a mercapto-containing silane.
  • Examples of the mercury may include 3-mercetopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercetopropyltriethoxysilane, and isocyanate-containing 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, and the like. It is not. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the silane coupling agent may be used at about 0.01 to about 10% by weight in the first or second adhesive layer.
  • the silane coupling agent may be included in an amount of about 0.1 wt% to about 7 wt% in the first adhesive layer, and about 0.1 wt% to about 3 wt% in the second adhesive layer.
  • the filler may be optionally added to control the melt viscosity by expressing thixotropic properties.
  • the filler may be used an inorganic or organic filler as needed.
  • gold powder, silver powder, copper powder, and nickel which are metal components may be used, and alumina, magnesium hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, Aluminum oxide, aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, ceramics, and the like may be used, but are not necessarily limited thereto. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the organic filler may be carbon, rubber filler, polymer, etc., but is not necessarily limited thereto. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the particle size of the filler is about 10 nm to about 10 ⁇ m, preferably about 100 nm to about 7 ⁇ m. In the above range, collision with the semiconductor circuit does not occur, and the circuit is not damaged.
  • the filler may be in the form of a sphere, a plate, or the like, but is not necessarily limited thereto.
  • spherical silica can be preferably used.
  • fillers may be used in which the spherical surface has hydrophobic properties depending on the application.
  • the size of the spherical silica is preferably in the range of about 500 nm to about 5 ⁇ m.
  • the filler is preferably about 0.1 to about 50% by weight in the first or second adhesive layer. When used as a die adhesive film in an embodiment it may be included in about 7 to about 40% by weight.
  • the filler may be included in about 1 to about 20% by weight in the first adhesive layer, preferably from about 5 to about 15% by weight. In the above range, the film may be easily formed and may have excellent tensile strength.
  • the filler may be included in about 25 to about 50% by weight in the second adhesive layer, preferably from about 30 to about 45% by weight. In the above range, the film may be easily formed and may have excellent tensile strength.
  • the filler content of the first adhesive layer of the total filler content may be 1 to 35% by weight, and the filler content of the second adhesive layer may be 65 to 99% by weight.
  • the adhesive layer according to the present invention has been described above, and the functional group for capturing the transition metal has been described as being included only in the binder, but may be included in any component that may include a functional group such as an epoxy or a silane coupling agent.
  • the first or second adhesive layer of the present invention may further include an organic solvent.
  • the organic solvent lowers the viscosity of the adhesive composition to facilitate film manufacture.
  • the residual organic solvent is present in the prepared adhesive film may affect the physical properties of the adhesive film, it is desirable to remain less than about 2% in the adhesive film.
  • Organic solvents that can be used in the present invention are benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethylformaldehyde, cyclohexane, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone and the like can be used, but is not necessarily limited thereto. no. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • Such organic solvents induce a uniform mixture composition in the formation of the adhesive film to serve to mitigate voids that may occur in the process.
  • the boiling point may be used by mixing a low boiling point solvent having a boiling point of about 40 to about 125 °C and a high boiling point solvent of about 140 to about 200 °C. If only a solvent having a boiling point lower than a curing temperature of about 125 ° C. is used, volatile voids may be formed by the remaining solvent upon curing. In addition, when a solvent having a boiling point of more than about 200 ° C. is used, the amount of solvent remaining during film formation becomes 2% or more, which causes volume expansion due to the residual solvent content during EMC molding or reliability evaluation. This can affect degradation.
  • the volume expansion of the gaps or voids formed on the interface is alleviated to minimize the voids generated when the chip and the interface are bonded, and the volume expansion by the gaps or voids that may occur during wire filling is reduced.
  • the adhesive film for semiconductors which exhibits reliability can be provided.
  • the adhesive film for semiconductors of this invention can be manufactured by a conventional method.
  • the first adhesive layer is coated on a base film to form a first adhesive layer, and then a second adhesive layer is coated on the first adhesive layer to prepare a multilayer structure adhesive film.
  • the multilayer structure adhesive film may be dried to adjust the amount of residual solvent to less than about 2% by weight, and then cured to prepare a final multilayer structure adhesive film.
  • first adhesive layer and the second adhesive layer may be coated on separate films, respectively, and then laminated to prepare an adhesive film.
  • the drying process may be performed for about 10 to about 60 minutes at a temperature of about 80 to about 120 °C.
  • the amount of the low boiling point solvent remaining in the composition may be removed and the content of the high boiling point solvent may be adjusted to less than 2%.
  • the curing process may be performed for about 1 to about 10 hours at a temperature of about 120 to about 150 °C.
  • the first curing process is performed at a temperature of about 120 ° C. to about 130 ° C. for about 1 hour to about 3 hours
  • the secondary curing process is performed at about 130 ° C. to about 150 ° C. for about 10 minutes to about 60 minutes. It can be repeated about 1 to about 8 times as a process. Through this process it is possible to determine the degree of volatile foaming due to the residual solvent. By minimizing only the high boiling point solvent of the solvent remaining in the film during the curing, it is possible to minimize the voids due to the volatile components that may occur during die attach, and to reduce the volume expansion of the generated bubbles.
  • the amount of residual solvent in the multilayer structure adhesive film according to the present invention is less than about 2% by weight.
  • the film solids of the adhesive film made by the composition is about 98% by weight or more. If the film solids are less than about 98% by weight, reliability may be deteriorated due to foaming or hygroscopic properties by the remaining solvent.
  • the stretch ratio of the multilayer structure adhesive film may be about 150 to about 400%.
  • the multilayer structure adhesive film has a storage modulus at about 0.1 MPa to about 10 MPa at 25 ° C., and a storage modulus at about 80 ° C. about 0.01 to about 0.10 MPa.
  • the multilayer structure adhesive film has a melt viscosity of about 1,000,000 to about 5,000,000P at 25 ° C., and may have a surface tack of less than about 0.1 gf. This does not change the viscosity and surface viscosity of the existing composition by the solvent present in the film, it is not significantly affected by the physical properties required during the semiconductor assembly process. In other words, the storage modulus and fluidity or surface viscosity of the adhesive before curing has the advantage of being kept constant without being affected by the presence of a high boiling point solvent. Therefore, the shelf life is not affected by the high boiling point solvent.
  • the adhesive film according to the present invention may have plasticity because the volatilization rate and the volatilization amount at a temperature of about 125 ° C. or more and 175 ° C. or less are small compared to a film produced by using a solvent having a low boiling point, thereby preventing the film from being broken.
  • voids have a mitigating effect, surface voids can be minimized to less than about 5% during semiconductor assembly, thereby preventing a decrease in reliability.
  • Another aspect of the invention includes a dicing die bonding film (Dicing Die Bonding Film) comprising the multilayer structure adhesive film.
  • 2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding film including an adhesive film having a multilayer structure according to the present invention.
  • the dicing die-bonding film of the present invention has a structure in which an adhesive layer 20, a first adhesive layer 150, and a second adhesive layer 140 are sequentially stacked on a base film 10.
  • the base film 10 has radiation transmittance, and when a radiation curable pressure sensitive adhesive reacts with ultraviolet irradiation, a substrate having good light transmittance can be selected.
  • the polymer that can be selected as such a substrate include homopolymers or copolymers of polyolefins such as polyethylene, polypropylene, propylene ethylene copolymers, ethylene ethyl acrylate copolymers, ethylene methyl acrylate copolymers, ethylene vinyl acetate copolymers, and polycarbonates. . Polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyurethane copolymers and the like can be used.
  • the thickness of the base film is preferably about 50 to about 200 ⁇ m in consideration of tensile strength, elongation, radiolucent.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 may use a conventional pressure-sensitive adhesive composition, for example, may include about 20 to about 150 parts by weight of the UV curable acrylate based on 100 parts by weight of the binder having adhesive properties.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may further include a photoinitiator in an amount of about 0.1 to about 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the UV-curable acrylate.
  • the adhesive layer 20 is provided with a multilayer structure adhesive film of the first adhesive layer 150 having a transition metal ion trapping function and the second adhesive layer 140 having fluidity.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device including an adhesive film having a multilayer structure according to the present invention.
  • the first semiconductor chip 120 having the base adhesive layer 110 is adhered to the printed circuit board 100.
  • wire bonding 130 is performed, and a second semiconductor chip 160 having a first adhesive layer 150 and a second adhesive layer 140 is stacked on the first semiconductor chip 120.
  • the adhesive film having a multilayer structure in which the base film, the first adhesive layer 150 and the second adhesive layer 140 are laminated is subjected to lamination with the first adhesive layer 150 and the second semiconductor chip 160 and then picked up.
  • the semiconductor device may be manufactured by pasting the second adhesive layer 140 on the first semiconductor chip 120.
  • the first adhesive layer 150 changes the state of the transition metal through a chemical reduction or a coupling reaction with the transition metal of the second semiconductor chip 160 in which the transition metal is contaminated, thereby inhibiting mobility. This is provided to serve to maximize the operational efficiency of the chip.
  • the first adhesive layer 150 is preferably provided to include a large amount of functional groups capable of reducing the transition metal. However, in this case, the transition metal reducing power is strong, but the fluidity may be reduced by increasing the content of the polymer.
  • the second adhesive layer 140 is reduced in the content of the functional group capable of reducing the transition metal, it is to ensure the fluidity of the entire adhesive film. Therefore, when the multilayer structure to maximize the two characteristics can be implemented an adhesive film that can express both advantages.
  • the second adhesive layer 140 increases fluidity to minimize attach voids and maximizes wire filling required when stacking chips of the same size, thereby minimizing voids generated during stacking. It is provided to ensure high reliability.
  • the thickness of the first adhesive layer 150 is about 8 to about 25% of the total adhesive film thickness
  • the thickness of the second adhesive layer 140 is preferably formed to be about 75 to about 98% of the total adhesive film thickness.
  • the multilayer structure adhesive film for semiconductors according to the present invention can maximize the operating efficiency of the semiconductor device during or after the semiconductor process, and transition metal ions penetrating into the transition metal or adhesive interface remaining as impurities on the surface of the semiconductor chip. It is possible to solve the problem of lowering the reliability of the semiconductor chip caused by.
  • the multilayer structure adhesive film of the present invention is excellent in tensile strength, adhesive strength, surface energy and moisture absorption rate is improved and has a high reliability.
  • the multilayer structure adhesive film of the present invention is easy to wire filling and minimize the generation of voids during wire bonding, it is possible to ensure a high reliability regardless of the degree of peeling of the chip when assembling the semiconductor.
  • SG-P3 series (functional metal capture function: CN group content 25%) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. was used by dissolving 15% by weight of solids in a solvent in which Ethylacetate: Toluene was mixed at 5: 5.
  • Phosphine-based curing catalyst (TPP-K manufactured by Meihwa Plastic Industry Co., Ltd.) was used by dissolving 50 wt% in cyclohexanone.
  • a silane coupling agent (KBM-303, manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.) was used.
  • the composition was prepared by dispersing the composition for 5 minutes at 3000 rpm for 20 minutes at low speed and 5 minutes at 4000 rpm for 5 minutes using a 50 ⁇ m capsule filter. After filtration and coating to 60 ⁇ m thickness with an applicator to prepare an adhesive film, the first 20 minutes at 80 °C and then dried for 20 minutes at 90 °C and then stored for 1 day at room temperature.
  • Example 2 The same process as in Example 2 was performed except that the content of the binder portion and the hardened portion of the second adhesive layer was changed.
  • Example 2 The same process as in Example 2 was carried out except that an amine-based curing resin was used instead of the phenolic noblock phenol-type curing resin as the curing part of the first adhesive layer.
  • Example 2 The same process as in Example 2 was carried out except that the content ratios of the binder, the hardened part, and the catalyst of the first adhesive layer were changed.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the single-layer adhesive film was prepared using only the first adhesive layer without the second adhesive layer.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was performed except that the single-layer adhesive film was prepared using only the second adhesive layer without the first adhesive layer.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was performed except that the thickness ratio of the first adhesive layer was changed to 35% and the thickness ratio of the second adhesive layer was changed to 65%.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was performed except that the thickness ratio of the first adhesive layer was changed to 50% and the thickness ratio of the second adhesive layer was changed to 50%.
  • Example 2 The same process as in Example 2 was carried out except that the binder content of the first adhesive layer was reduced.
  • Thickness After preparing the sample which cut the film into 20x80mm size, zero the thickness measuring device and measuring the thickness of the film 3 times and recording the average value.
  • Melt Viscosity Melt Viscosity was measured using a parallel type disk Rheometer on each film in four layers at 60 ° C. and then circularly cut to a diameter of 25 mm. The thickness of the specimen was produced to about 400 ⁇ 440 ⁇ m. Viscosity measurement range was measured from 30 °C to 130 °C, the temperature rising condition is 5 °C / min. The viscosity values at 100 ° C. for flowability at 25 ° C. and die attach temperature before curing and 130 ° C. for fillability when filling unevenness of the wire were recorded.
  • Attach Void A material in which a 25 ⁇ m diameter gold wire was bonded onto the bonded die was prepared.
  • the adhesive film was attached to the backgrinding wafer having a thickness of 80 um, and then sawing to the same size as the die of the prepared material (about 10 ⁇ 10 mm).
  • Pick-up the die using a die bonding machine bond it to overlap with the prepared die, and use SAT (Scanning Acoustic Tomograph) to observe the size of the void between the lower die and the film and measure the size of the void relative to the total die area in% It was.
  • SAT Sccanning Acoustic Tomograph
  • Wire scraping Electron microscopy was performed on the specimens used to measure the attachment voids to determine the degree of deformation or scraping of the bonding wires on the lower die. If the wire was not wrapped or crushed by the adhesive film, it was judged as defective.
  • test program was input after the semiconductor chip assembly process using the prepared adhesive film. After mounting the device on the PCB through Solder Ball Attach, the test program of the device was checked to see if it worked properly.
  • Example 4 even if the content of the polymer for reducing the transition metal ions is reduced for the purpose of increasing the fluidity of the second adhesive layer, there is a problem in performing the role of maximizing the operational efficiency of the chip by the transition metal reducing ability of the first adhesive layer. It can be seen that there is no.
  • Example 5 it can be seen that there is no difference in the performance of the role of maximizing the operating efficiency of the chip by the ability to reduce the transition metal by the curing system of the adhesive 1 layer.

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Abstract

본 발명은 반도체용 접착층 및 이를 이용하여 제조된 복층구조 접착 필름에 관한 것으로, 전이금속 및 전이금속 이온의 이동으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하를 해결하기 위하여, 전이금속 이온과 결합을 통하여 또는 전이금속 이온을 산화 또는 환원시키고, 전이금속의 이동도를 현저히 감소시킬 수 있는 기능기를 포함하는 접착층을 사용하되, 후속의 와이어 본딩 공정을 고려하여 유동성을 확보할 수 있는 접착필름을 더 형성함으로써, 반도체 작동의 안정성을 높일 수 있고, 접착 필름의 치수 안정성을 확보함과 동시에 인장강도를 증가시켜 반도체 칩 접합 공정의 신뢰도를 높일 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

Description

반도체용 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름
본 발명은 반도체용 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 복층구조 접착 필름에 사용되는 접착층에 전이금속 포착용 기능기를 도입하여 반도체 공정중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화 시키고, 반도체 칩의 표면에 불순물로 잔류하는 전이금속 또는 접착 계면에 침투되는 전이금속 이온으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하 문제를 해결할 수 있는 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자와 반도체 소자 또는 반도체 소자와 지지 부재간의 접합에는 은 페이스트(paste)가 주로 사용되어 왔다.
최근에는 반도체 소자의 소형화, 대용량화 경향에 따라 이에 사용되는 지지 부재 또한 소형화와 세밀화가 요구되고 있다. 이에 은 페이스트는 적합하지 못하게 되어 미세 반도체 소자에서 돌출되거나 또는 반도체 소자가 경사지게 되는 원인이 되고, 이에 따라 와이어 본딩(wire bonding)시 이상발생, 기포발생 및 두께의 제어가 어렵게 되었다. 따라서, 최근에는 은 페이스트를 대신하여 접착 필름이 주로 사용되고 있는 추세이다.
반도체 조립에 사용되는 접착 필름은 주로 다이싱 필름(dicing film)과 함께 사용된다. 상기 다이싱 필름은 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용되는 필름을 말한다. 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼로부터 개개의 칩으로 절단하는 공정으로서, 상기 다이싱 공정에 연속해서 익스팬드 공정, 픽업공정 및 마운팅 공정이 수행된다. 이러한 다이싱 필름은 통상 염화비닐이나 폴리올레핀 구조의 기재 필름 위에 자외선 경화형 또는 일반 경화형의 점착제를 코팅하고 그 위에 PET재질의 커버필름을 접착하는 것으로 구성된다.
한편, 종래의 반도체용 접착 필름의 사용법은 반도체 웨이퍼(wafer)에 접착 필름을 부착하고 여기에 다이싱 필름을 바른 뒤 다이싱 공정에 따라 조각화하는 것이었으나 최근에는 다이싱 다이본딩용 반도체용 접착제로서 PET 커버필름을 제거한 다이싱 필름과 접착 필름을 서로 합지시켜 하나의 필름으로 만든 뒤 그 위에 반도체 웨이퍼를 부착하고 다이싱 공정에 따라 조각화하는 단순화가 추세이다. 접착 필름으로 경화 후 내구성이 우수한 에폭시(epoxy)계 수지를 주요 성분으로 하는 조성물이 주로 사용되고 있다.
Wafer의 백그라인딩, Sawing, 다이본딩 등의 공정으로 구성된 패키지 과정을 통해 다양한 이온 불순물이 반도체 칩 내부로 유입되는데 이온성 불순물 중 특히 전이금속 이온은 반도체 칩의 전기적 기능에 손상을 가하거나, 회로의 이상 작동을 유발시킬 수 있는 것으로 알려져 있다. 따라서, 전이금속을 제거하거나 유해 활동을 막을 수 있는 조치를 취하는 것이 필요한데 접착 필름 측면에서는 접착필름 고유의 특성을 저해시키기 않으면서도 이온불순물의 위해성을 제거시키기 위한 획기적인 방법은 아직까지 개발되지 못하고 있는 실정이다.
본 발명의 하나의 목적은 반도체 칩의 표면에 불순물로 잔류하는 전이금속 또는 접착 계면에 침투되는 전이금속 이온으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하를 해결할 수 있는 반도체용 복층구조 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전이금속 환원력 및 유동성 조절기능을 동시에 확보할 수 있는 반도체용 복층구조 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 필름의 인장강도 특성을 만족시켜 필름이 끊어지지 않고 단단하게 형성될 수 있는 반도체용 복층구조 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 공정중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화 시킬 수 있는 반도체용 복층구조 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 반도체용 복층구조 접착 필름을 이용한 다이본딩필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 하나의 관점은 반도체용 복층구조 접착 필름에 관한 것이다. 상기 복층구조 접착 필름은 기재 필름에 인접하는 제 1 접착층과 상기 제 1 접착층에 면하는 제 2 접착층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 접착층은 전이 금속을 산화 또는 환원시키거나, 전이 금속의 이동성을 저해하는 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 갖는 바인더를 각각 포함하고, 상기 바인더 중 상기 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머는 각 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40 중량%이며, 상기 제 1 접착층은 전체 접착층 두께의 약 2 내지 약 30%이고 또한 전체 바인더 함량중 상기 제 1 접착층의 바인더 함량이 상기 제 2 접착층 바인더 함량보다 큰 것을 특징으로 한다.
구체예에서, 상기 전이금속 포착용 기능기는 -CN, -COOH, -NCO, -SH 및 NH2 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제 1 접착층의 바인더 함량은 제 1 접착층 전체 중량 대비 약 30~75중량%인 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착필름.
구체예에서 상기 제 1 접착층은 바인더 약 30 내지 약 75 중량%, 에폭시 수지 약 15 내지 약 60 중량%, 페놀 경화형 수지 약 1 내지 약 15 중량%, 경화 촉매 약 0.01 내지 약 2 중량% 및 충진제 약 1 내지 약 20 중량%를 포함할 수 있다.
구체예에서 상기 제 2 접착층은 바인더 약 10 내지 약 30 중량%, 에폭시 수지 약 20 내지 약 50 중량%, 페놀 경화형 수지 약 10 내지 약 40 중량%, 경화 촉매 약 0.01 내지 약 10 중량% 및 충진제 약 25 내지 약 50 중량% 를 포함할 수 있다.
상기 제 1 접착층 및 상기 제 2 접착층 중 최소한 하나 이상의 접착층에 전이금속 포착용 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 에폭시 당량이 약 100 내지 약 1500 g/eq 일 수 있다. 상기 에폭시 수지는 다관능성 에폭시를 약 50 중량% 이상 포함할 수 있다.
상기 페놀 경화형 수지는 수산기 당량이 약 100 내지 약 600 g/eq일 수 있다. 또한 상기 페놀 경화형 수지는 페놀 노볼락을 약 50 중량% 이상 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 복층구조 접착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
본 발명은 접착층에 전이금속 포착용 기능기를 도입하여 반도체 공정중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화 시키고, 반도체 칩의 표면에 불순물로 잔류하는 전이금속 또는 접착 계면에 침투되는 전이금속 이온으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하 문제를 해결할 수 있는 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름을 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 복층구조의 접착 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 복층구조의 접착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 복층구조의 접착 필름을 포함하는 반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
이하에서 "(메타)아크릴"은 메타크릴과 아크릴을 모두 포함한 것이다. 또한 이하에서 언급되는 함량은 특별한 언급이 없는 한 모두 고형분 기준이다.
본 발명의 반도체용 복층구조 접착 필름에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 따른 복층구조 접착 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 본 발명의 반도체용 복층구조 접착 필름은 제 1 접착층(150) 및 상기 제 1 접착층에 접하는 제 2 접착층(140)을 포함한다. 상기 제 1 접착층(150)은 기재 필름 상부에 접하게 된다.
상기 제 1 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40중량% 로 포함하는 제 1 접착층을 포함한다. 구체예에서는 상기 제 1 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 25 내지 약 35중량% 로 포함할 수 있다.
하나의 구체에에서는 상기 제 1 접착층은 바인더부 및 경화부를 포함할 수 있다. 다른 구체예에서는 상기 제 1 접착층은 바인더부, 경화부 및 유기용매를 포함할 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 제 1 접착층은 경화촉매, 실란커플링제 및 충진제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40중량% 로 포함하는 제 1 접착층을 포함한다. 구체예에서는 상기 제 2 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 25 내지 약 35중량% 로 포함할 수 있다.
하나의 구체에에서는 상기 제 2 접착층은 바인더부 및 경화부를 포함할 수 있다. 다른 구체예에서는 상기 제 2 접착층은 바인더부, 경화부 및 유기용매를 포함할 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 제 2 접착층은 경화촉매, 실란커플링제 및 충진제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 바인더부로는 (메타)아크릴계 고분자, NCO기 함유 고분자, 에폭시기 함유 고분자 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서는 상기 바인더부에 전이 금속을 산화 또는 환원시키거나 이동성을 저해할 수 있는 기능기를 첨가함으로써, 전체적인 접착 필름 기능을 유지시키면서 전이 금속의 이동을 제어하는 기능을 부여한다. 구체예에서는 상기 바인더부로 (메타)아크릴계 고분자가 사용될 수 있다.
상기 경화부로는 에폭시 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 폴리에스테르 수지, 폐놀형 경화수지, 아민계 경화수지, 멜라닌 경화수지, 요소 경화 수지, 산무수물계 경화수지 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 구체예에서는 상기 경화부로 에폭시 수지, 폐놀형 경화수지 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 접착층은 바인더부, 경화부 및 유기용매 중 하나 이상 선택된 성분에 전이금속 포착용 기능기(-CN, -COOH, -NCO, -SH 및 NH2 등)를 포함시킴으로써, 전이금속의 이동도를 현저히 감소시키고, 유동성을 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 접착제를 구성하는 상기 바람직한 각 성분에 관하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
바인더
하나의 구체예에서 상기 바인더로 (메타)아크릴계 고분자가 사용될 수 있다. 이는 필름 형성에 필요한 고무 성분으로서, 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유할 수 있다.
본 발명의 바인더는 전이 금속을 제어할 수 있는 -CN, -COOH, -NCO, -SH 또는 -NH 와 같은 전이금속 포착용 기능기를 포함하여 접착 공정시 반도체 소자의 신뢰성을 더 향상될 수 있다.
상기 (메타)아크릴계 고분자는 중합되는 모노머에 의해 유리전이온도나 분자량 조절이 용이하고 특히 측쇄에 관능기를 도입하기 쉬운 장점이 있다. 하나의 구체예에서는 (메타)아크릴계 모노머와 공단량체를 공중합한 고분자 수지가 사용될 수 있다. 상기 (메타)아크릴계 모노머로는 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 2-히드록시에틸(메타)크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 공단량체로는 아크릴로니트릴, 스티렌계 모노머 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메타)아크릴계 고분자는 에폭시 당량이 약 10,000 g/eq 이하인 것이 바람직하다. 에폭시 당량이 약 10,000 이하인 것은 SG-P3계, SG-800H계등이 사용될 수 있다.
본 발명의 제 1 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40중량% 로 포함한다. 전이금속 포착용 기능기가 20 중량% 미만일 경우 전이 금속과의 반응성이 저하되며, 40중량%를 초과하는 경우 유기용매에서의 용해성이 저하되어 필름의 균일도포성이 저하되거나, Tg(유리전이온도)를 증가시켜 실온에서의 필름의 깨지는 등(brittleness) 작업성이 저하될 수 있고, 다이 접착력을 저하시켜 신뢰성이 떨어질 수 있다. 바람직하게는 약 25 내지 35 %로 포함될 수 있다.
본 발명의 제 2 접착층은 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40중량% 로 포함한다. 전이금속 포착용 기능기가 20 중량% 미만일 경우 전이 금속과의 반응성이 저하되며, 40중량%를 초과하는 경우 유기용매에서의 용해성이 저하되어 필름의 균일도포성이 저하되거나, Tg(유리전이온도)를 증가시켜 실온에서의 필름의 깨지는 등(brittleness) 작업성이 저하될 수 있고, 다이 접착력을 저하시켜 신뢰성이 떨어질 수 있다. 바람직하게는 약 25 내지 35 %로 포함될 수 있다.
상기 (메타)아크릴계 고분자는 유리전이 온도가 약 0℃ 내지 약 30℃범위일 수 있다. 상기 범위에서 실온에서의 필름의 깨짐(brittleness)을 방지하고, 반도체 조립공정인 칩조각화(sawing) 과정에서 버(Burr) 또는 칩핑(Chipping) 현상이 발생하지 않는다.
구체예에서 상기 (메타)아크릴계 고분자는 중량평균분자량이 약 10만 내지 약 70만 g/mol의 범위이다.
상기 바인더는 제1 접착층 중에서 약 30 내지 약 75 중량%이다. 상기 범위에서 필름 형성이 용이하고, 우수한 신뢰성을 갖는다. 더 바람직하게는 약 31 내지 약 70 중량% 이다. 구체예에서는 상기 바인더는 제1 접착층 중에서 약 35 내지 약 65 중량% 포함될 수 있다. 다른 구체예에서는 상기 바인더는 제1 접착층 중에서 약 50 내지 약 65 중량% 포함될 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 바인더는 제1 접착층 중에서 약 32 내지 약 55 중량% 포함될 수 있다.
또한 상기 바인더는 제2 접착층 중에서 약 10 내지 약 30 중량%이다. 상기 범위에서 필름 형성이 용이하고, 우수한 신뢰성을 갖는다. 더 바람직하게는 약 15 내지 약 25 중량% 이다. 구체예에서는 상기 바인더는 제2 접착층 중에서 약 13 내지 약 20 중량% 포함될 수 있다.
또한 구체예에서는 전체 바인더 함량중 제1 접착층의 바인더 함량이 51~90 중량%이고, 제2 접착층의 바인더 함량이 10~49 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 칩의 작동 효율성을 극대화할 수 있다.
경화부
본 발명의 하나의 구체예에서 상기 경화부로 에폭시 수지, 폐놀형 경화수지 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다.
(ⅰ)에폭시 수지
상기 에폭시 수지는 강한 경화 및 접착 작용을 나타낼 수 있도록 높은 가교밀도를 가지고 있는 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 하지만 가교밀도가 높은 에폭시 단독 경화 시스템의 경우, 필름의 깨짐 현상이 나타날 수 있으므로, 기본적으로 액상에 가까운 에폭시나 가교밀도가 최소인 단관능 또는 이관능 에폭시를 혼합하여 사용한다.
상기 에폭시 수지는 당량이 약 100 내지 약 1500g/eq 이 사용될 수 있다. 바람직하게는 약 150 내지 약 800g/eq이고, 약 150 내지 약 400g/eq인 것이 가장 바람직하다. 상기 범위에서 경화물의 접착성이 우수하고, 유리전이온도를 유지하며, 우수한 내열성을 가질 수 있다.
상기 에폭시 수지는 경화 및 접착 작용을 나타내는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 필름의 형상을 고려하면 고상 혹은 고상에 근접한 에폭시로서, 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지가 바람직하다.
구체예에서는 상기 에폭시 수지로 비스페놀계, 오르쏘 크레졸 노볼락(ortho-Cresol novolac)계, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시를 예시할 수 있다. 현재 시판되고 있는 제품으로서는 비스페놀계로서는 대일본 잉크화학의 에피클론 830-S, 에피클론 EXA-830CRP, 에피클론 EXA 850-S, 에피클론 EXA-850CRP, 에피클론 EXA-835LV, 유카 쉘에폭시 주식회사의 에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트 827, 에피코트 828, 에피코트 834, 체피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 다우케미컬사의 DER-330, DER-301, DER-361, 국도화학의 YD-128, YDF-170등이 있고, 오르쏘 크레졸 노볼락(ortho-Cresol novolac)계로서는 국도화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-80P, YDCN-500-90P, 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 등이 사용될 수 있다. 다관능 에폭시 수지로는 유카쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바스페샬리티케미칼주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321 등이 사용될 수 있다. 아민계 에폭시 수지로는 유카쉘에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도화학주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학주식회사의 ELM-120 등이 사용될 수 있다. 복소환 함유 에폭시수지로는 시바스페샬리티케미칼주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701등을 들 수 있다. 상기 언급된 에폭시 수지들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
구체예에서 상기 에폭시 수지는 다관능성 에폭시를 약 50 중량% 이상 포함할 수 있다. 다관능성 에폭시를 약 50 중량% 이상 포함할 경우, 가교밀도가 높아 낮아 구조체의 내부 결합력을 향상시킬 수 있고, 우수한 신뢰성을 얻을 수 있다.
상기 에폭시 수지의 함량은 접착층 전체 중량에 대하여 약 4 내지 약 50중량%으로 사용될 수 있다. 약 4 내지 약 35중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위에서 우수한 신뢰성을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 필름의 상용성을 유지할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상온에서 접착 필름의 표면 끈적임(tack)성을 줄여 픽업공정 시 점착제와의 부착력을 감소시켜 픽업을 용이하게 하기 위하여 에폭시 수지의 함량이 약 35중량%이하인 것이 좋다.
상기 에폭시 수지는 제 1 접착층 중에서 약 15 내지 약 60 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 20 내지 50 중량%로 포함될 수 있다. 구체예에서는 상기 에폭시 수지는 제 1 접착층 중에서 약 17 내지 약 55 중량% 로 포함될 수 있다.
또한 상기 에폭시 수지는 제 2 접착층 중에서 약 20 내지 약 50 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 25 내지 45 중량%로 포함될 수 있다. 구체예에서는 상기 에폭시 수지는 제 2 접착층 중에서 약 27 내지 약 40 중량% 로 포함될 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 에폭시 수지는 제 2 접착층 중에서 약 29 내지 약 35 중량% 로 포함될 수 있다.
(ⅱ)페놀형 경화수지
본 발명의 페놀형 경화수지는 통상적으로 알려진 것을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 페놀성 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 가지는 화합물이 사용될 수 있다. 구체예에서는 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S계 페놀형 경화수지 수지, 페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A계 노볼락 수지, 크레졸 노볼락, 자일렌계, 비페닐계 등의 페놀계 수지가 사용될 수 있다. 상기 수지들은 흡습시의 내전해부식성이 우수하여 바람직하게 적용될 수 있다.
상기 페놀형 경화수지로 현재 시판되고 있는 제품으로, 단순 페놀계의 페놀형 경화수지로는 메이와화성주식회사의 H-1, H-4, HF-1M, HF-3M, HF-4M, HF-45 등이 있고, 파라 자일렌계열의 메이와화성주식회사의 MEH-78004S, MEH-7800SS, MEH-7800S, MEH-7800M, MEH-7800H, MEH-7800HH, MEH-78003H, 코오롱 유화주식회사의 KPH-F3065, 비페닐 계열의 메이와화성주식회사의 MEH-7851SS, MEH-7851S, MEH7851M, MEH-7851H, MEH-78513H, MEH-78514H, 코오롱유화주식회사의 KPH-F4500, 트리페닐메틸계의 메이와화성주식회사의 MEH-7500, MEH-75003S, MEH-7500SS, MEH-7500S, MEH-7500H 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
구체예에서 상기 페놀형 경화수지의 수산기 당량은 바람직한 것은 약 100 내지 약 600g/eq, 보다 바람직한 것은 약 170 내지 약 300g/eq 이다. 상기 범위에서 적당한 흡수율과 플로우성을 유지할 수 있고, 유리전이온도의 저하를 방지하여 우수한 내열성을 가질 수 있다.
상기 페놀형 경화수지는 페놀 노볼락을 약 50 중량% 이상 포함하는 것이 바람직하다. 페놀 노볼락을 약 50 중량% 이상 포함하면 경화 후 가교 밀도가 높아져 분자간 응집력이 증가하고, 이로 인해 내부 결합력이 증가하여 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한 외부 응력에 대한 변형력이 작아 일정 두께를 유지할 수 있다는 면에서 유리하다.
상기 페놀형 경화수지는 제 1 접착층 중에서 약 1 내지 약 15 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 5 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 구체예에서는 상기 페놀형 경화수지는 제 1 접착층 중에서 약 2 내지 약 7 중량% 로 포함될 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 페놀형 경화수지는 제 1 접착층 중에서 약 6 내지 약 13 중량% 로 포함될 수 있다.
또한 상기 페놀형 경화수지는 제 2 접착층 중에서 약 10 내지 약 40 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 15 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 구체예에서는 상기 페놀형 경화수지는 제 2 접착층 중에서 약 17 내지 약 25 중량% 로 포함될 수 있다. 또 다른 구체예에서는 상기 페놀형 경화수지는 제 2 접착층 중에서 약 13 내지 약 20 중량% 로 포함될 수 있다.
경화촉매
상기 경화촉매는 경화속도를 조절하기 위해 첨가될 수 있다. 구체예에서는 포스핀계, 보론계, 이미다졸계 또는 이들의 혼합촉매를 사용할 수 있다.
상기 포스핀계 경화촉매는 트리페닐포스핀(Triphenylphosphine), 트리-o-토일포스핀(Tri-o-tolylphosphine), 트리-m-토일포스핀(Tri-m-tolylphosphine), 트리-p-토일포스핀(Tri-p-tolylphosphine), 트리-2,4-자일포스핀(Tri-2,4-xylylphosphine), 트리-2, 5-자일포스핀(Tri-2, 5-xylylphosphine), 트리-3, 5-자일포스핀(Tri-3, 5-xylylphosphine), 트리벤질포스핀(Tribenzylphosphine), 트리스(p-메톡시페닐)포스핀(Tris(p-methoxyphenyl)phosphine), 트리스(p-tert-부톡시페닐)포스핀(Tris(p-tert-butoxyphenyl)phosphine), 디페닐시클로헥실포스핀(Diphenylcyclohexylphosphine), 트리시클로포스핀(Tricyclohexylphosphine), 트리부틸포스핀(Tributylphosphine), 트리-tett-부틸포스핀(Tri-tert-butylphosphine), 트리-n-옥틸포스핀(Tri-n-octylphosphine), 디페닐포스피노스타이렌(Diphenylphosphinostyrene), 디페닐포스피노어스클로라이드(Diphenylphosphinouschloride), 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(Tri-n-octylphosphine oxide), 디페닐포스피닐히드로퀴논(Diphenylphosphinyl hydroquinone), 테트라부틸포스포늄히드록시드(Tetrabutylphosphonium hydroxide), 테트라부틸포스피니움아세테이트(Tetrabutylphosphonium acetate), 벤질트리페닐포스피늄헥사플루오로안티모네이트(Benzyltriphenylphosphonium hexafluoroantimonate), 테트라페닐포스피늄테트라페닐보레이트(Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate), 테트라페닐포스포늄테트라-p-토일보레이트(Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(Benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate), 테트라페닐포스포늄테트라플루오로보레이트(Tetraphenylphosphonium tetrafluoroborate), p-토일트리페닐포스포늄테트라-p-토일보레이트(p-Tolyltriphenylphosphonium tetra-p-tolylborate), 트리페닐포스핀트리페닐보레인(Triphenylphosphine triphenylborane), 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄(1,2-Bis(diphenylphosphino)ethane), 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판(1,3-Bis(diphenylphosphino)propane), 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄(1,4-Bis(diphenylphosphino)butane), 1,5-비스(디페닐포스피노)펜탄(1,5-Bis(diphenylphosphino)pentane)등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 보론계 경화촉매로는 페닐보로닉산(Phenyl boronic acid), 4-메틸페닐보로닉산(4-Methylphenyl boronic acid), 4-메톡시페닐보로닉산(4-Methoxyphenyl boronic acid), 4-트리프루오로메톡시페닐보로닉산(4-Trifluoromethoxyphenyl boronic acid), 4-tert-부톡시페닐보로닉산(4-tert-Butoxyphenyl boronic acid), 3-플루오로-4-메톡시페닐보로닉산(3-Fluoro-4-methoxyphenyl boronic acid), 피리딘-트리페닐보렌(Pyridine-triphenylborane), 2-에틸-4-메틸이미다졸륨테트라페닐보레이트(2-Ethyl-4-methyl imidazolium tetraphenylborate), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]언데센-7-테트라페닐보레이트(1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7-tetraphenylborate) 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 경화촉매는 제 1 접착층 중에서 약 0.01 내지 약 2 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 0.1 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 또한 상기 경화촉매는 제 2 접착층 중에서 약 0.01 내지 약 10 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 0.5 내지 3 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 저장안정성이 우수한 장점이 있다.
실란 커플링제
상기 실란 커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 접착필름의 수지간의 접착력을 증진시키기 위해 첨가될 수 있다.
구체예에서 상기 실란 커플링제로서는 에폭시 함유 실란 또는 머캡토 함유 실란인 것을 사용할 수 있다. 상기 에폭시가 함유된 실란 커플링제로 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란이 있고, 아민기가 함유된 것으로 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 머켑토가 함유된 것으로 3-머켑토프로필메틸디메톡시실란, 3-머켑토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 예시할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 실란커플링제는 제1 또는 제 2 접착층 중에서 약 0.01 내지 약 10중량%로 사용될 수 있다.
바람직하게는 상기 실란커플링제는 제 1 접착층 중에서 약 0.1 내지 약 7 중량% 로 포함될 수 있으며, 제 2 접착층 중에서 약 0.1 내지 약 3 중량% 로 포함될 수 있다.
충진제
상기 충진제는 틱소트로픽성을 발현하여 용융점도를 조절하기 위하여 선택적으로 첨가될 수 있다.
상기 충진제는 필요에 따라 무기 또는 유기 충진제를 사용할 수 있다.
상기 무기 충진제로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화 일미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 실리카, 질화 붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 충진제로는 카본, 고무계 필러, 폴리머계 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 충진제의 입자크기는 약 10nm 내지 약 10㎛, 바람직하게는 약 100 nm 내지 약 7 ㎛이다. 상기 범위에서 반도체 회로와의 충돌이 일어나지 않으며, 회로가 손상되지 않는다.
상기 충진제의 형태는 구형, 판상형 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서는 구형 실리카가 바람직하게 사용될 수 있다. 또한 용도에 따라 구형 표면이 소수성 특성을 가지는 충진제가 사용될 수 있다. 상기 구형 실리카의 크기는 약 500nm 내지 약 5㎛의 범위가 바람직하다.
상기 충진제는 제1 또는 제 2 접착층 중에서 약 0.1 내지 약 50중량%인 것이 바람직하다. 구체예에서 다이 접착제 필름으로 사용할 경우 약 7 내지 약 40중량%로 포함될 수 있다.
구체예에서 상기 충진제는 제 1 접착층 중에서 약 1 내지 약 20 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 5 내지 약 15 중량%이다. 상기 범위에서 필름형성이 용이하고 우수한 인장강도를 가질 수 있다.
구체예에서 상기 충진제는 제 2 접착층 중에서 약 25 내지 약 50 중량% 로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 30 내지 약 45 중량%이다. 상기 범위에서 필름형성이 용이하고 우수한 인장강도를 가질 수 있다.
바람직하게는 전체 충진제 함량중 제1 접착층의 충진제 함량이 1~35 중량%이고, 제2 접착층의 충진제 함량이 65~99 중량%일 수 있다.
본 발명에 따른 접착층은 상술한 바와 같으며, 전이금속 포착용 기능기가 바인더에만 포함되는 것으로 설명하였으나 에폭시 또는 실란커플링제와 같이 기능기를 포함할 수 있는 성분이면 어디에든 포함될 수 있다.
유기 용매
본 발명의 제1 또는 제 2 접착층은 유기 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 용매는 접착제 조성물의 점도를 낮추어 필름 제조를 용이하게 한다. 그러나, 제조된 접착 필름에 잔류 유기 용매가 존재할 경우 접착 필름의 물성에 영향을 미칠 수 있으므로 접착 필름 내에 약 2% 미만으로 잔류되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용될 수 있는 유기용매는 벤젠, 아세톤, 메틸에틸키톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 사이클로헥산으로, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 시클로헥사논 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이러한 유기 용매는 접착 필름 형성시 균일한 혼합물 조성을 유도하여 공정상 발생할 수 있는 보이드를 완화시키는 역할을 한다. 아울러, 접착 필름 형성 후 필름 내에 소량 잔류하여 필름을 부드럽게 하는 기능을 수행한다.
바람직하게는 비점이 약 40 내지 약 125 ℃의 저비점 용매와 비점이 약 140 내지 약 200 ℃의 고비점 용매를 혼합하여 사용될 수 있다. 만일 약 125℃의 경화 온도보다 비점이 낮은 용매만을 사용하는 경우, 경화 시 잔존하는 용매에 의한 휘발성 보이드가 형성될 수 있다. 또한, 비점이 약 200℃ 를 초과하는 용매를 사용하는 경우, 필름 형성 시 잔존하는 용매의 양이 2% 이상이 되므로, 이는 EMC 몰딩 공정이나 신뢰도 평가과정에서 잔존 용매 함량에 의한 부피팽창을 야기하여 신뢰도 저하에 영향을 미치게 될 수 있다.
상기 저비점 용매와 고비점 용매간의 비율은 저비점 용매 : 고비점 용매 = 1: 0.7 ~ 4 비율로 포함할 수 있다. 상기 비율일 경우, 계면상에 형성된 갭이나 보이드의 부피팽창을 완화시켜 칩과 계면의 접착 시 발생되는 보이드를 최소화함과 동시에, 와이어 충전 시 발생할 수 있는 갭이나 보이드에 의한 부피팽창을 완화시켜 고 신뢰성을 발휘하는 반도체용 접착 필름을 제공할 수 있다. 또한, 경화 전 필름의 깨짐의 특성을 완화시켜 소잉(Sawing) 과정이나 마운팅 과정 중에 발생할 수 있는 접착 필름의 부스러기로 인한 오염을 방지할 수 있으며 필름의 조작이 용이한 장점을 지닌다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 통상의 방법으로 제조될 수 있다. 하나의 구체예에서는 상기 제 1 접착층을 기재필름상에 코팅하여 제 1 접착층을 형성한 다음, 상기 제 1 접착층 상부에 제 2 접착층을 코팅하여 복층구조 접착 필름을 제조한다. 상기 복층구조 접착 필름은 건조하여 잔류 용매의 양을 약 2 중량% 미만으로 조절한 후, 경화시켜 최종 복층구조 접착 필름을 제조할 수 있다.
다른 구체예에서는 제1 접착층과 제2 접착층을 각각 별개의 필름에 코팅한 후, 이를 합지하여 접착필름을 제조할 수 있다.
구체예에서는 상기 건조 과정을 약 80 내지 약 120℃의 온도에서 약 10 내지 약 60분 동안 수행할 수 있다. 상기 건조온도나 시간의 제어를 통해 상기 조성물에 잔류하는 저비점 용매의 양은 제거하고 고비점 용매의 함유량은 2% 미만으로 조절할 수 있다.
상기 경화 과정은 약 120 내지 약 150℃의 온도에서 약 1 내지 약 10 시간 동안 수행할 수 있다. 다른 구체예에서는 약 120℃ 내지 약 130℃ 온도조건에서 약 1 내지 약 3시간 1차 경화 과정을 거치고 연속으로 약 130℃ 내지 약 150℃에서 약 10 내지 약 60분의 2차 경화과정을 거치는 것을 하나의 과정으로 하여 1 내지 약 8번 정도 반복할 수 있다. 상기 과정을 통해 잔류 용매에 의한 휘발성 발포 정도를 결정할 수 있다. 상기 경화 시 필름에 잔류하고 있는 용매를 고비점 용매만 최소화 함으로서 다이 어태치시 발생할 수 있는 휘발 성분에 의한 보이드를 최소화 시킬 수 있으며, 생성된 버블의 부피팽창을 완화시킬 수 있다.
본 발명에 따른 복층구조 접착필름에서 잔류 용매의 양이 약 2 중량% 미만이다. 따라서, 상기 조성물에 의하여 만들어진 접착 필름의 막고형분은 약 98 중량 % 이상이다. 막 고형분이 약 98 중량 %보다 작으면 잔류하는 용매에 의한 발포나 흡습성 특성 때문에 신뢰성 저하를 야기할 수 있다.
구체예에서는 상기 복층구조 접착필름의 신장률이 약 150 내지 약 400%일 수 있다.
구체예에서는 상기 복층구조 접착필름은 25℃에서의 저장탄성율이 약 0.1 내지 약 10 MPa이고, 80℃에서의 저장탄성율이 약 0.01 내지 약 0.10 MPa이다.
구체예에서는 상기 복층구조 접착필름은 25℃에서 약 1,000,000 내지 약 5,000,000P의 용융점도를 가지며, 약 0.1 gf 미만의 표면 점성(tack)을 가질 수 있다. 이는 필름 내부에 존재하는 용매에 의하여 기존 조성물이 가지는 점도나 표면 점성이 변화하지 않으므로, 반도체 조립 공정 시 요구되는 물성에는 큰 영향을 받지 않는다. 즉, 경화 전 접착제의 저장 탄성율 및 유동성이나 표면 점성은 고비점 용매의 존재에 따른 영향 없이 일정하게 유지되는 장점을 지닌다. 따라서, 고비점 용매에 의한 상온 저장성에 영향을 받지 않는다.
본 발명에 의한 접착필름은 약 125℃ 이상 175℃ 이하의 온도에서 휘발 속도와 휘발하려는 양이 저비점의 용매 사용에 의하여 제작된 필름에 비하여 작기 때문에 가소성을 가지게 되어 필름이 깨지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 보이드(void) 생성 완화 효과를 가지기 때문에 반도체 조립 시 면상 보이드 생성을 약 5% 미만으로 최소화 하여 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 복층구조 접착필름을 포함하는 다이싱 다이 본딩 필름(Dicing Die Bonding Film)을 포함한다. 도 2는 본 발명에 따른 복층구조의 접착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 기재 필름(10)상에 점착제층(20), 제1 접착층(150) 및 제2 접착층(140)이 순차로 적층된 구조를 갖는다.
상기 기재 필름(10)은 방사선 투과성이 있는 것이 바람직하고 자외선 조사에 따라 반응하는 방사선 경화성 점착제를 적용할 경우에 광투과성이 좋은 기재를 선택할 수 있다. 이와 같은 기재로서 선택할 수 있는 폴리머의 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 프로필렌 에틸렌 공중합체, 에틸렌 아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌 아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌 초산비닐 공중합체 등의 폴리올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체, 폴리카보네이트. 폴리메틸 메타아크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리우레탄 공중합체 등을 사용할 수 있다. 상기 기재 필름의 두께는 인장강도, 신율, 방사선투과성 등을 고려하여 약 50 내지 약 200 ㎛이 적당하다.
상기 점착제층(20)은 통상적인 점착제 조성물을 사용할 수 있고, 하나의 예로서, 점착 특성을 갖는 바인더 100중량부에 대하여 UV 경화형 아크릴레이트를 약 20 내지 약 150중량부를 포함할 수 있다. 다른 구체예에서는 상기 점착제 조성물은 광개시제를 상기 UV경화형 아크릴레이트 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 약 5 중량부로 더 포함할 수 있다.
상기 점착제층(20) 상부에는 전이금속 이온 포착 기능을 갖는 제 1 접착층(150)과 유동성을 갖는 제 2 접착층(140)의 복층 구조 접착 필름이 구비된다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에서 점착층만 빠진 형태가 되면, 반도체 칩과 반도체 칩의 적층을 위한 접착필름이 되며 도 3과 같이 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 복층구조의 접착 필름을 포함하는 반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 인쇄회로 기판(100) 상부에 기저 접착층(110)이 구비된 제 1 반도체 칩(120)이 접착된다. 다음에는, 와이어 본딩(130)이 수행되고, 상기 제 1 반도체 칩(120) 상부에 제 1 접착층 (150)및 제 2 접착층(140)을 가진 제 2 반도체 칩(160)이 적층된다.
기재필름, 제 1 접착층(150) 및 제 2 접착층(140) 의 적층 순서로 되어 있는 복층구조의 접착 필름은 제 1 접착층(150) 및 제 2 반도체 칩(160)과 라미네이션 과정을 거친 후, 픽업과정을 통하여 기재필름으로부터 제거한 다음, 제 1 반도체 칩(120) 상부에 제 2 접착층(140)을 붙여서 반도체 장치를 제조할 수 있다.
상기 구조에서, 본 발명에 따른 제 1 접착층(150)은 전이금속이 오염된 제 2 반도체 칩(160)의 전이금속과 화학적 환원 또는 결합 반응을 통해 전이금속의 상태를 변화시켜 이동성을 억제시키고, 이를 통하여 칩의 작동 효율성을 극대화시키는 역할을 하도록 구비된다. 이와 같은 제 1 접착층(150)은 전이금속을 환원시킬 수 있는 작용기를 다량 포함하도록 구비되는 것이 바람직하다. 그러나, 이 경우 전이금속 환원력은 강하나 고분자의 함량 증가로 유동성은 감소될 수 있다.
따라서, 전이금속을 환원시킬 수 있는 작용기의 함량이 감소된 제 2 접착층(140)을 형성함으로써, 전체적인 접착필름의 유동성이 확보될 수 있도록 하는 것이다. 그러므로 이 두 가지의 특성을 극대화 할 수 있는 복층구조를 가질 경우 두 가지의 장점을 모두 발현할 수 있는 접착 필름을 구현할 수 있다.
제 2 접착층(140)은 유동성을 증가시켜 어테치 보이드(Attach void)를 최소화 하며, 같은 크기의 칩을 적층할 경우 요구되는 와이어 충진성을 최대화시켜 적층 시 발생하는 보이드를 최소화 시킬 수 있으며 이를 통하여 높은 신뢰성을 확보할 수 있도록 구비된다.
여기서, 제 1 접착층(150)의 두께는 전체 접착 필름 두께의 약 8 내지 약 25%이고, 제 2 접착층(140)의 두께는 전체 접착 필름 두께의 약 75 내지 약 98%가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체용 복층구조 접착 필름은 반도체 공정중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화 시킬 수 있고, 반도체 칩의 표면에 불순물로 잔류하는 전이금속 또는 접착 계면에 침투되는 전이금속 이온으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하 문제를 해결할 수 있다. 또한 본 발명의 복층구조 접착 필름은 인장강도가 우수하고, 접착력, 표면 에너지 및 흡습률 등이 향상되어 고 신뢰도를 갖는다.
아울러, 본 발명의 복층구조 접착 필름은 와이어 본딩 시 와이어 충진이 용이하며 보이드 발생을 최소화 할 수 있기 때문에 반도체 조립시 칩의 박리화 정도에 상관없이 높은 신뢰성을 확보할 수 있다.
이하에서는 상기 제 1 및 제 2 접착층 제조를 위한 구체적인 실시예들에 대해 상세히 설명하는 것으로 한다.
여기서, 본 발명의 이점 및 특징 및 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
실시예
하기 실시예 및 비교실시에에서 사용된 각 성분은 다음과 같다.
(a) 바인더
나가세 켐텍스 사에서 제조된 SG-P3계열(전이금속 포착용 기능기: CN기 함량 25%)을 Ethylacetate:Toluene이 5:5로 혼합된 용매에 고형분 15 중량%로 용해하여 사용하였다.
(b)경화부
(b11) 다관능 에폭시 수지(EP-5100R, 제조원: 국도화학) 를 MEK 용매에 고형분 80 중량%로 용해시켜 사용하였다.
(b2) 페놀 노블락 페놀형 경화수지(DL-92, 제조원:메이와 플라스틱산업주식회사)를 MEK에 60 중량%로 용해시켜 사용하였다.
(b3) 아민계 경화수지(C-200S, 제조원:니폰 가야쿠) 를 MEK에 60 중량%로 용해시켜 사용하였다.
(c) 경화촉매
포스핀계 경화촉매(TPP-K 제조원: 메이화플라스틱산업주식회사) 를 cyclohexanone에 50 중량%로 용해시켜 사용하였다.
(d) 커플링제
실란 커플링제(KBM-303, 제조원: 신에쯔주식회사) 를 사용하였다.
(e) 충진재
(e1) 무정형 실리카(A200, 제조원: 대구사) 를 사용하였다.
(e2) 구형 실리카(SC-4500SQ, SC-2500SQ, 제조원: 아드마텍스(Admatechs)) 를 사용하였다.
(f) 첨가제
아미노 실란 커플링제 (KBM-803, 제조원 : 신에쯔 주식회사) 를 사용하였다.
실시예 1 ~ 3
고속 교반봉을 포함하는 1L 원통형 플라스크에 하기의 표 1에 기재된 성분을 첨가하고 20분간 3000 rpm에서 저속으로 그리고 5분간 4000rpm에서 고속으로 5분간 분산하여 조성물을 제조한 뒤 50㎛ 캡슐 필터를 이용하여 여과한 뒤 어플리케이터로 60㎛ 두께로 코팅하여 접착 필름을 제조하였으며, 80℃에서 20분가 1차 건조한 뒤 90℃에서 20분간 2차 건조한 후 실온에서 1일간 보관하였다.
실시예 4
제2 접착층의 바인더부 및 경화부의 함량을 달리한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 수행하였다.
실시예 5
제1접착층의 경화부로 페놀 노블락 페놀형 경화수지 대신 아민계 경화수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 수행하였다.
실시예 6
제1 접착층의 바인더, 경화부 및 촉매의 함량 비율을 달리한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 수행하였다.
표 1
단위(g) 실시예
1 2 3 4 5 6
제1접착층 바인더 용액 SG-P3 384(57.6) 384(57.6) 384(57.6) 384(57.6) 384(57.6) 275(41.25)
경화부용액 (b11) 32(25.6) 32(25.6) 32(25.6) 32(25.6) 32(25.6) 70(56)
(b12) - - - - - -
(b2) 11(6.6) 11(6.6) 11(6.6) 11(6.6) - 19(11.4)
(b3) - - - - 11(6.6) -
경화촉매 용액 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.5(0.25)
커플링제 3 3 3 3 3 3
충진재 (e1) 10 10 10 10 10 10
(e2) - - - - - -
첨가제 - - - - - -
합계 103.1 103.1 103.1 103.1 103.1 121.9
두께% 8 15 25 15 15 15
제2접착층 바인더 용액 SG-P3 220(33) 220(33) 220(33) 210(31.5) 220(33) 220(33)
경화부 용액 (b11) 80(64) 80(64) 80(64) 75(60) 80(64) 80(64)
(b12) - - - - - -
(b2) 60(36) 60(36) 60(36) 65(39) 60(36) 60(36)
경화촉매 용액 3.8(1.9) 3.8(1.9) 3.8(1.9) 4.0(2.0) 3.8(1.9) 3.8(1.9)
커플링제 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
충진재 (e1) - - - - - -
(e2) 70 70 70 70 70 70
첨가제 KBM-573 1 1 1 1 1 1
합계 208.1 208.1 208.1 205.7 208.1 208.1
두께% 92 85 75 85 85 85
()는 고형분 함량임
비교실시예 1
제2접착층 없이 제1접착층만 사용하여 단층 접착필름을 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교실시예 2
제1접착층 없이 제2접착층 만 사용하여 단층 접착필름을 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교실시예 3
제1접착층의 두께비율을 35%, 제2접착층의 두께비율을 65%로 변경한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교실시예 4
제1접착층의 두께비율을 50%, 제2접착층의 두께비율을 50%로 변경한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교실시예 5
제1접착층의 바인더 함량을 감소시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 수행하였다.
비교실시예 6
제1접착층의 경화부로 페놀 노블락 페놀형 경화수지 대신 아민계 경화수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 비교실시예 5와 동일하게 수행하였다.
표 2
단위(g) 비교실시예
1 2 3 4 5 6
제1접착 층 바인더 용액 SG-P3 384(57.6) - 384(57.6) 384(57.6) 210(31.5) 210(31.5)
경화부 용액 (b11) 32(25.6) - 32(25.6) 32(25.6) 90(72) 90(72)
(b12) - - - - - -
(b2) 11(6.6) - 11(6.6) 11(6.6) 20(12) -
(b3) - - - - - 20(12)
경화촉매 용액 0.6(0.3) - 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.6(0.3) 0.6(0.3)
커플링제 3 - 3 3 3 3
충진재 (e1) 10 - 10 10 10 10
(e2) - - - - - -
첨가제 - - - - - -
합계 103.1 - 103.1 103.1 128.8 128.8
두께% 100 - 35 50 15 15
제2접착층 바인더 용액 SG-P3 - 220 220 220 220 220
경화부 용액 (b11) - 80 80 80 80 80
(b12) - - - - - -
(b2) - 60 60 60 60 60
경화촉매 용액 - 3.8 3.8 3.8 3.8 3.8
커플링제 - 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
충진재 (e1) - - - - - -
(e2) - 70 70 70 70 70
첨가제 KBM-573 - 1 1 1 1 1
합계 - 208.1 208.1 208.1 208.1 208.1
두께% - 100 65 50 85 85
()는 고형분 함량임
상기에서 제조된 필름에 대하여 하기의 방법으로 물성을 측정하였다.
1. 두께: 필름을 20×80mm 크기로 자른 시료를 준비한 후, 두께 측정기의 영점을 맞춘 다음 필름의 두께를 3회 측정하여 평균치를 기록하였다.
2. 용융점도: 각각의 필름을 4겹으로 60℃에서 합지한 다음 지름 25mm로 원형 컷팅한 시료에 대해 Parallel type 디스크 Rheometer를 사용해 용융점도를 측정하였다. 시편의 두께는 400 ~ 440㎛정도로 제작하였다. 점도측정범위는 30℃에서 130℃까지 측정하였고, 승온조건은 5℃/분이다. 경화전 25℃와 다이 어태치 온도에서 흐름성을 가늠하는 100℃와 와이어의 요철을 충전할 때 충전성을 가늠하는 130℃에서의 점도 값을 기록하였다
3. Attach Void: 본딩된 다이 위에 직경 25um의 금 와이어가 본딩된 자재를 준비하였다. 접착 필름을 두께 80 um으로 backgrinding 된 Wafer에 붙인 후, 상기 준비된 자재의 다이와 같은 크기(약 10x10 mm)로 Sawing을 하였다. 다이 본딩 머신을 이용해 다이를 Pick-Up 한 후 상기 준비된 다이와 겹쳐지도록 본딩을 하고 SAT(Scanning Acoustic Tomograph)를 이용해 아랫 다이와 필름 사이의 Void의 크기를 관찰하여 다이 전체 면적 대비 Void의 크기를 %로 측정하였다.
4. Wire 쓸림: Attach Void 측정에 사용된 시편에 대해 전자 현미경 관찰을 실시해 아랫 다이의 본딩 와이어가 변형되었거나 쓸려있는 정도를 확인하였다. Wire가 접착 필름에 의해 감싸지지 못하거나 짓눌린 경우 불량으로 판정하였다.
5. 소자 작동성: 상기 제조된 접착 필름을 이용하여 반도체 칩 조립과정을 거친 후 테스트 프로그램을 입력하였다. 소자를 Solder Ball Attach를 통해 PCB에 실장을 한 후 소자의 테스트 프로그램이 제대로 작동하는지 여부를 확인하여 합/불로 판정하였다.
상기 각 물성의 측정결과를 표 3 및 4에 각각 나타내었다.
표 3
실시예
1 2 3 4 5 6
제1접착층 바인더함량% 55.9 55.9 55.9 55.9 55.9 33.8
용융점도 3.5*E3 3.5*E3 3.5*E3 3.5*E3 3.5*E3 5.2*E3
제2접착층 바인더함량% 15.9 15.9 15.9 15.4 15.9 15.9
용융점도 9.3 9.3 9.3 5.0 9.3 9.3
복층구조 Attachvoid 5%미만 5%미만 5%미만 5%미만 5%미만 5%미만
Wire 쓸림 합격 합격 합격 합격 합격 합격
소자작동성 합격 합격 합격 합격 합격 합격
표 4
비교예
1 2 3 4 5 6
제1접착층 바인더함량% 55.9 - 55.9 55.9 24.4 24.4
용융점도 3.5*E3 - 3.5*E3 3.5*E3 2.8*E3 2.8*E3
제2접착층 바인더함량% - 15.9 15.9 15.9 15.9 15.9
용융점도 - 9.3 9.3 9.3 9.3 9.3
복층구조 Attachvoid 30% 5%미만 7% 10% 5%미만 5%미만
Wire 쓸림 불합격 합격 불합격 불합격 합격 합격
소자작동성 합격 불합격 합격 합격 불합격 불합격
상기 표 3 및 4을 통해서 나타난 바와 같이, 실시예 1 ~ 3의 경우 제 1 접착층의 두께 조절을 통하여 전이금속의 환원능력은 최대화 하면서 복층구조 접착 필름의 유동성을 유지할 수 있음을 확인할 수 있다. 제 1 접착층의 두께가 증가할수록 전이금속의 환원능력은 증가하나, 그 두께가 전체 접착층의 두께의 30% 이상이 되면 와이어의 충진성 불량에 의한 보이드 발생 또는 접착제에 의한 와이어의 눌림 현상에 의한 신뢰도 불량이 발생할 수 있다. 이는 비교예 1, 비교예 3 및 비교예 4의 결과를 통하여 확인할 수 있다.
또한 비교예 4와 같이 제 1 접착층의 두께가 제 2 접착층과 같을 경우 두 필름간의 팽창계수의 차이에 의한 계면 분리성(단차 filling성)의 문제가 발생할 수 있다. 반대로 비교예 2의 경우와 같이 제 2 접착층으로만 이루어질 경우 제 1 접착층의 전이금속 환원력을 가지지 못하기 때문에 칩의 작동 효율성을 극대화 시키는 능력이 저하됨을 알 수 있다.
실시예 4의 경우 제 2 접착층의 유동성 증가를 목적으로 전이금속이온을 환원시키는 고분자의 함량이 감소한다 할지라도 제 1 접착층의 전이금속 환원능력에 의하여 칩의 작동 효율성을 극대화 시키는 역할 수행에 문제가 없음을 알 수 있다.
실시예 5의 경우 접착제 1층의 경화 시스템에 의한 전이금속 환원능력에 의하여 칩의 작동 효율성을 극대화시키는 역할 수행에 차이가 없음을 알 수 있다.
이에 반하여 제 1 접착층에 포함되는 고분자의 전이금속 포착용 기능기가 감소하면 전이금속 환원능력의 저하로 칩의 작동 효율성을 극대화 시키는 역할 수행에 문제가 발생할 수 있으며 그 함량 또한 중요한 인자임을 실시예 6, 비교예 5 및 비교예 6에서 알 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 기재 필름에 인접하는 제 1 접착층과 상기 제 1 접착층에 면하는 제 2 접착층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 접착층은 전이 금속을 산화 또는 환원시키거나, 전이 금속의 이동성을 저해하는 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머를 갖는 바인더를 각각 포함하고, 상기 바인더 중 상기 전이금속 포착용 기능기를 갖는 모노머는 각 바인더의 함량 기준으로 약 20 내지 약 40 중량%이고, 상기 제 1 접착층은 전체 접착층 두께의 약 2 내지 약 30%이고 또한 전체 바인더 함량중 상기 제 1 접착층의 바인더 함량이 상기 제 2 접착층 바인더 함량보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 포착용 기능기는 -CN, -COOH, -NCO, -SH 및 NH2 중 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 접착층의 바인더 함량은 제 1 접착층 전체 중량 대비 약 30~75중량%인 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착필름.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 접착층은 바인더 약 30 내지 약 75 중량%, 에폭시 수지 약 15 내지 약 60 중량%, 페놀 경화형 수지 약 1 내지 약 15 중량%, 경화 촉매 약 0.01 내지 약 2 중량% 및 충진제 약 1 내지 약 20 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 접착층은 바인더 약 10 내지 약 30 중량%, 에폭시 수지 약 20 내지 약 50 중량%, 페놀 경화형 수지 약 10 내지 약 40 중량%, 경화 촉매 약 0.01 내지 약 10 중량% 및 충진제 약 25 내지 약 50 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 접착층 및 상기 제 2 접착층 중 최소한 하나 이상의 접착층에 전이금속 포착용 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  7. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 에폭시 당량이 약 100 내지 약 1500 g/eq인 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  8. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 다관능성 에폭시를 약 50 중량% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  9. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 페놀 경화형 수지는 수산기 당량이 약 100 내지 약 600 g/eq인 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  10. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 페놀 경화형 수지는 페놀 노볼락을 약 50 중량% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 복층구조 접착 필름.
  11. 제 1 항의 복층구조 접착 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.
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