WO2010051982A8 - Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats - Google Patents

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Abstract

Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat (110) zwischen einer Elektrode (112) und einer Gegenelektrode (108) mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode (112) und der Gegenelektrode (108) eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC- SeIf - Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk (114) eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht (119) vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht (118) vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk(114) zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp< max( se+sg) oder dp < 0.5s aufweist.
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