WO2010035705A1

WO2010035705A1 - 入力装置

Info

Publication number: WO2010035705A1
Application number: PCT/JP2009/066362
Authority: WO
Inventors: 直樹伊藤; 剛羽山
Original assignee: アルプス電気株式会社
Priority date: 2008-09-26
Filing date: 2009-09-18
Publication date: 2010-04-01

Abstract

【課題】　寄生容量の影響を受け難くすることにより、静電容量センサが安定して動作することを可能とした入力装置を提供すること。【解決手段】　内部に立体構造からなる静電容量センサ９を設け、静電容量Ｃを形成するセンサ電極９ａをベース基板８上の導電路から遠ざける配置とすることにより、ベース基板８側に形成されやすい寄生容量Δｃが、静電容量Ｃに与える影響を小さくする。これにより、ベース基板８上に形成される寄生容量Δｃが、静電容量センサ９と結合しノイズ源として作用することを防止でき、安定して動作することが可能な入力装置１とすることができる。

Description

入力装置

　本発明は、静電容量センサとドーム型接点スイッチを備えた入力装置に係わり、特に静電容量センサの動作の安定性を向上させた入力装置に関する。

　以下の特許文献１および２には、ドーム型接点スイッチの上に静電容量センサが設けられた入力装置が記載されている。

　特許文献１に記載の入力装置は、反転部材（メタルドームスイッチ）とこれに対向する操作体（指）との間に形成される静電容量を検出することにより、座標位置の入力が可能となり、また反転部材を押したときの反転動作を利用してキー入力を行うというものである。

　また特許文献２に記載のものは、基板に静電容量センサとドーム型接点スイッチをそれぞれ設けることにより、好ましいクリック感触と、ドーム型接点スイッチをジョグ化させて文字情報等を平易に入力できるようにするというものである。
特開２００４－３３４７３８号公報特開２００７－３３５１３５号公報

　しかし、昨今の電子機器の小型・薄型・軽量化の流れの中では、デバイスの高性能化、高密度実装化の要請から基板表面や内部の配線も多層化及び煩雑化しており、基板内に発生した寄生容量が、静電容量センサと結合しノイズ源として作用するという問題がある。

　このため、静電容量センサにおいて安定した入力検出を行うためには、ノイズ源との結合を絶つ必要があるが、上記特許文献１、２に記載された入力装置では基板を挟んでドーム接点やその配線が近接しているため、寄生容量の影響を受けないようにすることは難しい。

　本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、寄生容量の影響を受け難くすることにより、静電容量センサが安定して動作することを可能とした入力装置を提供することを目的としている。

　本発明は、キーパッドが複数配列されたキー入力部と、前記キー入力部の表面を移動する指の動きを静電容量の変化で検知する静電容量センサが前記キーパッドに対向して配列された静電容量センサ部と、各前記キーパッドに対する押圧操作を検知する接点スイッチが配列された接点スイッチ部とを有し、複数の導電路が配線された基板の両面に前記静電容量センサ部と前記接点スイッチ部とがそれぞれ対向配置された入力装置において、
　前記静電容量センサが、前記キーパッドと前記基板との間で、前記キーパッド側に設けられたセンサ電極と、前記センサ電極から前記基板側に延びて前記基板上の前記導電路に接続される接続端と、を有することを特徴とするものである。

　本発明では、静電容量センサを立体的な構造とし、基板側に接続端を、キーパッド側にセンサ電極をそれぞれ配置し、センサ電極を基板の表面から遠ざけるようにすることにより、特にセンサ電極と基板裏側の第１電極又は第２電極との間に形成される寄生容量が、指とセンサ電極との間に形成される静電容量に与える影響を低く抑えることができる。このため、寄生容量の影響を少なくして安定して動作する入力装置とすることができる。

　上記において、前記センサ電極と前記基板との間に空気層が形成されているものが好ましい。

　上記手段では、センサ電極と基板上に形成されたセンサ電極以外の導電路（例えばドーム用の第１電極、第２電極やＬＥＤ用配線など）との間に形成される寄生容量を小さくして、センサ電極がノイズを拾いにくくすることができる。

　また前記センサ電極と前記基板とが接着層を備えた第１の保持シートで覆われているものとすることができる。

　上記手段では、静電容量センサを基板上に確実に固定することができるとともに、あらかじめ静電容量センサが固着された第１の保持シートを用意するようにすれば、第１の保持シートを基板に貼り付けると同時に静電容量センサを基板上に固定することが可能となるため、生産性を高めることができる。

　あるいは、前記静電容量センサの接続端と、前記基板上の前記導電路との間が半田又は導電性ペーストを介して導通接続されているものが好ましい。

　上記手段では、静電容量センサ及び基板の表面を保持シートで覆うことを要しないため、薄型の入力装置とすることができる。

　例えば、前記接点スイッチは、導電性のドームと、前記基板上に前記ドームの外縁部が接続される第１電極と、前記第１電極の内側に、前記第１電極から絶縁されるとともに前記ドームの内面の一部が接触する第２電極とを備えたドーム型スイッチであるものが好ましい。

　上記手段では、キーパッドに触れている指を押し込むだけでスイッチ機能が発揮されるため、操作性を向上させることができる。すなわち、静電容量センサを用いた座標入力操作から接点スイッチを用いたスイッチ操作への操作、またはその逆の操作を連続して行うことができる。
　上記においては、前記ドームの頂部に押し子が設けられているものが好ましい。

　上記手段では、押し子を入力装置と一体に形成することができるため、ドーム型の接点スイッチを操作したときのクリック感を確実に生じさせることができる。

　また前記ドームと前記基板の裏面とが第２の保持シートで覆われているものとすることができる。

　上記手段によっても、基板に対するドーム型スイッチの固定を容易化することが可能となる。

　また前記第１電極は、複数の導電路が網状または放射状に形成された電極であるものが好ましい。

　上記発明では、主に基板の一方の面に設けられたセンサ電極と他方の面に設けられた第１電極、第２電極又はその他の導電路との間に形成される寄生容量を小さくすることができる。よって、寄生容量の影響を小さくし安定して動作することが可能な入力装置とすることができる。

　本発明では、基板側の各種の電極を含む複数の導電路に形成されやすい寄生容量が、本来の静電容量センサが検出した静電容量に与える影響を低く抑えることができるため、静電容量センサの検出精度及び動作の安定性を向上させることができる。

　またドーム型の接点スイッチでは、安定したクリック感を操作者に与えることができる。

　図１は本発明の実施の形態を示す入力装置の分解斜視図、図２は入力装置の断面図である。

　本発明の入力装置１は、例えば携帯電話機やオーディオプレーヤなどの小型且つ薄型の電子機器に搭載されるものである。

　図１に示すように入力装置１は、複数のシート状部材などが板厚（Ｚ）方向に積層されて構成されている。Ｚ１方向の最上層にはキー入力部２が設けられている。キー入力部２は半透明なシリコーンラバーなどからなるキーパッド支持体３と、キーパッド支持体３の内側に印刷などの手段を用いて設けられた複数のキーパッド４とを有して形成されている。

　本実施の形態に示す入力装置１では、キー入力部２の下に導光部材として機能する導光シート５が設けられている。導光シート５は、ポリウレタン樹脂またはシリコーン樹脂、ポリエステル、アクリルなどからなるフィルム状の透明部材で形成されている。導光シート５の入射部から入射した光は、この導光シート５の内部を伝搬することが可能とされている。導光シート５の上面もしくは下面には、その一部に細かい凹凸などを形成した出射面（図示せず）が形成されており、光はこの出射面を介して外部に出力され、前記キー入力部２のキーパッド４を背面から照光する。

　なお、本発明において導光シート５は必須の部材ではなく、導光シート５を有さない構成であってもよい。

　導光シート５の下面側の位置には、第１の保持シート６が設けられている。第１の保持シート６は、例えば粘着テープと貼り合わせられたＰＥＴフィルムなどで形成されている。

　第１の保持シート６の下部にはフレキシブル・プリント配線基板で形成されたベース基板８が設けられている。ベース基板８の両面には複数の導電路がパターン形成されるとともに、ベース基板８の両面には、例えば十字キー８Ａ、チップ抵抗素子、チップコンデンサ、あるいは発光素子などからなる複数の電子部品（図示せず）が搭載されている。このため、ベース基板８の表裏両面は平坦ではなく、複数の電子部品の凹凸による段差が形成されている。そして、ベース基板８の一方の上面側には、後述するような静電容量センサ部が設けられ、他方の下面側には接点スイッチ部が設けられている。

　本実施の形態に示すものでは、静電容量センサ部を構成する個々の静電容量センサ９は、全体として平面視略円形状又は略方形状であり、図２に示すようにドーム状からなる立体構造の部材として形成されている。すなわち、静電容量センサ９の上面は平坦面からなるセンサ電極９ａが形成され、外縁にはセンサ電極９ａからその一部が延びて形成される接続端９ｂを有している。静電容量センサ９は接続端９ｂ側を下方（Ｚ２方向）に、センサ電極９ａ側を上方（Ｚ１方向）に向けた状態でベース基板８に配置されている。そして、センサ電極９ａの下面とベース基板８とが対向する部分には第１の空気層（エアギャップ）Ｇ１が形成されている。

　ベース基板８の上面には、静電容量センサ９の接続端９ｂと導通接続される複数の枠状電極８ａが形成されている。なお、枠状電極８ａは、導電路の一部を静電容量センサ９の接続端９ｂの形状に合わせて枠状に形成したものである。

　個々の枠状電極８ａの左右の外縁部どうしの長さ寸法は静電容量センサ９の左右の接続端９ｂ，９ｂ（左側の接続端９ｂと右側の接続端９ｂ）の外縁部どうし間の長さ寸法よりも長く、また枠状電極８ａの左右の内縁部どうしの長さ寸法は静電容量センサ９の左右の接続端９ｂ，９ｂの内縁部どうしの長さ寸法よりも短い。このため、静電容量センサ９の左右の接続端９ｂ，９ｂは、それぞれ枠状電極８ａの外縁部と内縁部との間の幅寸法内に収まる状態で、ベース基板８上に載置されており、この状態で静電容量センサ９の接続端９ｂの先端と枠状電極８ａの上面との間が接触する状態で導通接続されている。

　第１の保持シート６は、接着層を介してベース基板８の上に固着されている。静電容量センサ９は第１の保持シート６に覆われた状態でベース基板８上の所定の位置に固定されている。

　また静電容量センサ９は一定の板厚寸法で形成されている。このため、導光シート５（導光シート５を有さない構成ではキーパッド支持体３）を、静電容量センサ９の表面上、より詳しくはセンサ電極９ａの表面を覆う第１の保持シート６の上面に載置することにより、導光シート５又はキーパッド支持体３とベース基板８との間に一定の対向間隔からなる所定のスペースＳを形成することができる。よって、ベース基板８上に複数の電子部品の段差（高低差）に基づく凹凸が形成されていたとしても、これらの段差をスペースＳによって吸収することが可能である。よって、入力装置１の板厚寸法を一定の寸法に納めることができる。

　接点スイッチ１０はベース基板８のＺ２側の下面に設けられている。接点スイッチ１０は、導電性のドーム１０ａを有するドーム型の接点スイッチ（メタルドームスイッチ）１０で形成されている。ベース基板８の下面には、ドーム１０ａの外周側の縁部（外縁部）が載置されるリング状の第１電極８ｂと、その中心部に設けられた円状の第２電極８ｃとを有している。第１電極８ｂにドーム１０ａの外縁部が接しており、この状態で接着層を備えた第２の保持シート１１によって保持固定されている。なお、ドーム１０ａの内面とこれに対向するベース基板上の第２電極８ｃとの間には第２の空気層（エアギャップ）Ｇ２が形成されている。

　第１電極８ｂの形状はドームの形状にもよるが、リング状が一般的である。ただし、内縁と外縁との間をドーム１０ａの外縁部が摺動することができる程度の一定の幅を有する枠型の形状であればリング状に限られるものではない。さらに第２電極８ｃも円状に限られるものではなく、第１電極８ｂの内側に第１電極８ｂと接しない状態で所定の面積を有するものであればどのような形状であってもよい。

　図２に示すように、第２の保持シート１１の表面で、ドーム１０ａの頂点には、凸形状からなる押し子１１ａが形成されている。押し子１１ａは、例えば第２の保持シート１１をドーム１０ａの表面及びベース基板８の下面側に貼り付けた後に、ドーム１０ａの頂点となる部分にＵＶ樹脂や熱硬化性の樹脂を一定量盛り付け凸部とした後に、樹脂に紫外線や熱を与えて硬化させることにより形成することができる。あるいは、あらかじめドーム１０ａの頂点となる部分に凸状の押し子１１ａが一体成形されたドーム型の接点スイッチ１０を用意し、このような接点スイッチ１０のドーム１０ａの表面を第２の保持シート１１で覆うようにした構成であってもよい。あるいは、第２の保持シート１１の代わりに、フィルム上に熱硬化あるいは光硬化樹脂を用いて押し子形状をインプリント成形したシートを用いることでもよい。

　押し子１１ａの先端は、入力装置１が搭載される電子機器のシャーシの内壁など容易に変形することのないリジットな支持基板２０に対向配置される。

　図２に示す構成では、スペースＳ内に遮光壁１２，１２で仕切られた発光領域１３が設けられている。発光領域１３内には、ＬＥＤなどから構成される発光素子１４が固定されている。発光素子１４の上方には、導光シート５が対向している。発光素子１４から放たれた光は、遮光壁１２，１２で囲われた発光領域１３内部で反射し、そのほとんどが導光シート５に入射できるようになっている。なお、発光領域１３内部に透明もしくは半透明の樹脂などを単層もしくは多層に充填して光導波路を形成させてもよい。

　導光シート５は、内部に入射した発光素子１４からの光を伝搬させる。導光シート５内を伝搬する光は、導光シート５の上面に形成された図示しない出射面を介して外部に出力され、このときキー入力部２のキーパッド４が照光される。このため、図示Ｚ１側の上方の位置から入力装置１の表面を見降すと、キーパッド４自体またはキーパッド４の周囲が明るく浮かび上がり、キーの位置またはキーパッド４の表面に表示された文字等を容易に視認することができるようになっている。

　次に、上記入力装置の動作について説明する。
（ドーム型接点スイッチを利用した押圧操作）
　指Ｆから押圧力を与えてキーパッド４を図示下方に押圧すると、キーパッド４に対向する部分の入力装置１全体が図示Ｚ２方向に押し込まれる。この際、押し子１１ａが支持基板２０に当接するとともにその時の反作用によりドーム１０ａが変形させられ、このときドーム１０ａの内面が第２電極８ｃに接触することにより、スイッチ状態がオンに切り換えられる。また指Ｆをキーパッド４から離して押圧力を解除すると、ドーム１０ａが元の形状に復元するため、ドーム１０ａの内面と第２電極８ｃとの接触が絶たれてスイッチ状態がオフに切り換えられる。

　図示しない制御部が、スイッチ状態がオンであるかオフであるかを検知することにより、キーパッド４に対する操作が押圧操作であるか否かの識別が行われる。

　なお、ドーム１０ａが変形する際、および変形したドーム１０ａが元の形状に戻る際には、適度なクリックを発生させる。このクリックは、ベース基板８から静電容量センサ９、導光シート５およびキーパッド支持体３を介してキーパッド４に伝達されるため、指Ｆに適度なクリック感を与える。このため、ドーム型接点スイッチの安定したクリック感を操作者に与えることができる。

　図３は静電容量センサ部を構成する静電容量センサの他の実施の形態を示す斜視図、図４は図３に示す静電容量センサを使用した場合の入力装置の断面図である。なお、図４では発光領域を省略して示している。

　図３および図４に示すように、この入力装置１’では、静電容量センサ１９が、箱体の内部に直交配置された一組の梁１９ｂ，１９ｂによって仕切られることにより、底部に４つのセンサ電極１９ａ，１９ａ，１９ａ，１９ａが形成された構造である。なお、箱体の外側には外枠１９ｃ，１９ｃ，１９ｃ，１９ｃが設けられている。

　１つのキーパッド４には、１つの静電容量センサ１９が対応して配置される。そして、入力装置１’の静電容量センサ１９を２つ並べると、ほぼ図２に示す入力装置１と同様の構成とすることができる。また複数の静電容量センサ１９を並べて配置することにより、静電容量センサ部が構成される。

　この入力装置１’では、梁１９ｂ，１９ｂにより複数の静電容量センサ１９が一体的に構成されている点で、梁１９ｂ，１９ｂを有せず静電容量センサ９が独立して構成される構造よりも寄生容量の影響を低減し難くなるが、対向側のドームスイッチ操作に伴うベース基板８の変形をこの梁１９ｂ，１９ｂで受け止めることによってドーム１０ａと第２電極８ｃの接触を安定にし、且つベース基板８が変形しにくくなることからベース基板８の耐久性を向上させることができるというメリットを有する。

（静電容量センサを利用した座標入力操作）
　以下の説明は静電容量センサ９を用いた座標入力操作を主に図２を用いて説明する。また、特に説明しないが、図３、４に示す静電容量センサ１９を用いた場合も同様な座標入力操作となる。

　指Ｆをいずれかのキーパッド４の表面に接触させると、指Ｆがいずれかのキーパッド４の下層側に設けられた静電容量センサ９のセンサ電極９ａに対向する。人体は接地とみなすことができるため、キーパッド４に所定の電圧を印加すると、指Ｆとこの指Ｆと対向するセンサ電極９ａとの間に静電容量Ｃが形成され、指Ｆと対向していないセンサ電極９ａとの間には、信号として検知しえない微量レベルの静電容量しか形成されない。

　このため、制御部が図示しない検知回路を用いて、複数の静電容量センサ９に対して一定の周期で所定の電圧を順番に与えるとともに、その出力を取得することにより、指Ｆと対向するセンサ電極９ａとの間の静電容量Ｃを検出することが可能である。これにより、指Ｆの座標位置を検出することができる。

　また指Ｆをキーパッド４上で水平方向に移動させると、指Ｆに対向する静電容量センサ９が変わるので、指Ｆとの間で静電容量Ｃが形成される静電容量センサ９も遷移する。このため、制御部が指Ｆと静電容量センサ９との間で形成される静電容量Ｃの遷移の状況を取得することにより、指Ｆの移動方向を検出することができ、これによりキーパッド４上で移動する指Ｆの座標位置を検出することが可能となる。

　ここで、静電容量センサ９のセンサ電極９ａは、ベース基板８の表面から上方（Ｚ１方向）に離れた位置に設けられている。このため、指Ｆと静電容量センサ９のセンサ電極９ａとの間に形成される静電容量Ｃを、ベース基板８に配線された複数の導電路間に形成される寄生容量Δｃから遠ざけることができる。よって、ノイズ源として作用しやすい寄生容量Δｃが静電容量Ｃに対して結合しにくくできる。その結果、静電容量センサの検出精度を向上させること、および静電容量センサ部の動作を安定させることが可能となる。

　ここで、図２に示すように、寄生容量Δｃが形成されるポイントとしては、センサ電極９ａと第１電極８ｂおよび第２電極８ｃとの間、ドーム１０ａと第２電極８ｃとの間、さらに基板８を挟んで対峙するセンサ電極９ａとドーム１０ａとの間にそれぞれ形成される寄生容量Δｃ、あるいはベース基板８を挟んで対向する枠状電極８ａと第１電極８ｂとの間に形成される寄生容量Δｃなどである。

　図２に示すように、ベース基板８の表面側ではセンサ電極９ａとベース基板８との間に、ベース基板８の裏面側ではドーム１０ａの内面とベース基板８との間には誘電率ε≒１からなる第１の空気層Ｇ１および第２の空気層Ｇ２がそれぞれ形成されている。

　しかし、ベース基板８の表面側では第１の空気層Ｇ１の存在によりセンサ電極９ａとベース基板８の表面との間の対向間隔ｄを大きくすることができ、ベース基板８の裏面側では第２の空気層Ｇ２の存在によりドーム１０ａとベース基板８の裏面との間の対向間隔を大きくすることができる。

　寄生容量Δｃは電極間の対向距離に反比例（Δｃ＝ε・Ａ／ｄ，εは誘電率，ｄは電極間の距離，Ａは対向面積）する。よって、上記のように各対向距離を大きくすることにより、各寄生容量Δｃを小さく抑えることができ、この点でも寄生容量Δｃが指Ｆと静電容量センサ９との間の静電容量Ｃに与える影響を小さくすることが可能とされている。

　さらに、ベース基板８の裏面側では、第１電極８ｂとの間で形成される寄生容量Δｃを低減するために、例えば以下に示すような構成が採用される。

　図５はドーム型スイッチの第１の構成を示す斜視図、図６はドーム型スイッチの第２の構成を示す斜視図である。

　図５および図６に示す第１、２の構成では、第１電極８ｂがいわゆるベタ膜状の電極ではなく、それぞれメッシュ状（網状）の電極として形成され、あるいは放射状の電極として形成されている。

　第１の構成及び第２の構成として示す第１電極８ｂは、中央に形成された円形の第２電極８ｃの周囲に、前記第２電極８ｃとは絶縁された状態で形成されている。第１電極８ｂは、導電性の材料により同心で形成された内輪部（内縁）８ｂ１と外輪部（外縁）８ｂ２とを有し、この内輪部８ｂ１と外輪部８ｂ２との間に細い導電路を、例えば網状に配線することにより成る網状電極８ｂ３として形成され、または放射状に配線することにより成る放射状電極８ｂ４として形成されている。

　なお、網状の電極には、千鳥模様や周期性のない抜きドット模様やモザイク模様など、複数の細い導電路が規則的に又は不規則的に交差して形成される各種の電極が含まれる。このような網状電極８ｂ３又は放射状電極８ｂ４は、スクリーン印刷などの技術を用いて形成することが可能である。

　そして、ドーム１０ａの外縁部の下端は、内輪部８ｂ１と外輪部８ｂ２との間の、網状電極８ｂ３または放射状電極８ｂ４上に接触している。このため、ドーム１０ａと第１電極８ｂとの間は導通接続されている。

　第１の構成および第２の構成では、第１電極８ｂを形成する網状電極８ｂ３または放射状電極８ｂ４が細い導電路で形成されているため、第１電極８ｂの実質的な面積を小さくすることができる。したがって、センサ電極９ａと第１電極８ｂとの間の実質的な対向面積を小さくすることが可能となり、この間に発生する寄生容量Δｃを小さくできる。

　よって、ベース基板８を挟んで対向するセンサ電極９ａと第１電極８ｂとの間に形成される寄生容量Δｃ、あるいは枠状電極８ａと第１電極８ｂとの間に形成される寄生容量Δｃが、指Ｆと静電容量センサ９との間の静電容量Ｃに与える影響を小さくすることができる。

　なお、ドーム１０ａと第２電極８ｃとが接触したときには、互いに同電位となるので、ベース基板８を挟んで対向するドーム１０ａとセンサ電極９ａとの間、およびドーム１０ａと第２電極８ｃとの間に発生する寄生容量Δｃを低減させ、または消滅させることができる。

　その結果、個々の静電容量センサの検出精度を向上させることができ、さらには静電容量センサ部全体としての動作を安定させることが可能となる。

　なお、網状又は放射状とする電極は、第１電極８ｂに限られるものではなく、中央の第２電極８ｃであってもよいし、第１電極８ｂと第２電極８ｃの双方を網状又は放射状の電極とする構成であってもよい。

　第２電極８ｃを網状又は放射状の電極とした場合には、ドーム１０ａと第２電極８ｃとが接触しない状態において、ドーム１０ａと第２電極８ｃとの間、およびベース基板８を挟んで対向するセンサ電極９ａと第２電極８ｃとの間に発生する寄生容量Δｃをそれぞれ低減させることができる。

　このように本発明では、寄生容量Δｃの発生源となる電極の実質的な面積を小さくすることにより寄生容量Δｃの生成を抑えることができ、寄生容量Δｃがノイズ源として作用することを効果的に防止することができる。しかも、実質的な対向面積を小さくしても、ドーム１０ａの下端と第１電極８ｂとの間の接触には何らの影響も与えないことから、従来の通りに安定したスイッチの切り換え動作を行わせることが可能である。

　上記実施の形態では、静電容量センサ９およびベース基板８を第１の保持シート６で覆う構成を示して説明したが、本発明はこれに限られるものはなく、静電容量センサ９とベース基板８とを第１の保持シート６で覆わない構成とすることもできる。

　この構成の場合には、静電容量センサ９の左右の接続端９ｂ，９ｂとベース基板８上の枠状電極８ａ，８ａとの固定および接続は、半田又は導電性ペーストを介して行われる。この構成では、静電容量センサ９およびベース基板８の表面を覆う第１の保持シート６が不要となるため、入力装置１全体を薄型化することが可能となる。

本発明の実施の形態を示す入力装置の分解斜視図、入力装置の断面図、静電容量センサ部を構成する静電容量センサの他の実施の形態を示す斜視図、図３の静電容量センサを使用した場合の入力装置の断面図、ドーム型スイッチの第１の構成を示す斜視図、ドーム型スイッチの第２の構成を示す斜視図、

１，１’　入力装置
２　キー入力部
３　キーパッド支持体
４　キーパッド
５　導光シート
６　第１の保持シート
８　ベース基板
８ａ　枠状電極
８ｂ　第１電極
８ｃ　第２電極
９，１９　静電容量センサ
９ａ　センサ電極
９ｂ　接続端
１０　ドーム型の接点スイッチ（メタルドームスイッチ）
１０ａ　ドーム
１１ａ　押し子
１２　遮光壁
１３　発光領域
１４　発光素子
Ｆ　指
Ｇ１　第１の空気層
Ｇ２　第２の空気層
Ｃ　静電容量
Δｃ　寄生容量

Claims

　キーパッドが複数配列されたキー入力部と、前記キー入力部の表面を移動する指の動きを静電容量の変化で検知する静電容量センサが前記キーパッドに対向して配列された静電容量センサ部と、各前記キーパッドに対する押圧操作を検知する接点スイッチが配列された接点スイッチ部とを有し、複数の導電路が配線された基板の両面に前記静電容量センサ部と前記接点スイッチ部とがそれぞれ対向配置された入力装置において、
　前記静電容量センサが、前記キーパッドと前記基板との間で、前記キーパッド側に設けられたセンサ電極と、前記センサ電極から前記基板側に延びて前記基板上の前記導電路に接続される接続端と、を有することを特徴とする入力装置。
　前記センサ電極と前記基板との間に空気層が形成されている請求項１記載の入力装置。
　前記センサ電極と前記基板とが接着層を備えた第１の保持シートで覆われている請求項１または２に記載の入力装置。
　前記静電容量センサの接続端と、前記基板上の前記導電路との間が半田又は導電性ペーストを介して導通接続されている請求項１または２に記載の入力装置。
　前記接点スイッチは、導電性のドームと、前記基板上に前記ドームの外縁部が接続される第１電極と、前記第１電極の内側に、前記第１電極から絶縁されるとともに前記ドームの内面の一部が接触する第２電極とを備えたドーム型スイッチである請求項１ないし４のいずれかに記載の入力装置。
　前記ドームの頂部に押し子が設けられている請求項５記載の入力装置。
　前記ドームと前記基板の裏面とが第２の保持シートで覆われている請求項５または６記載の入力装置。
　前記第１電極は、複数の導電路が網状または放射状に形成された電極である請求項５ないし７のいずれかに記載の入力装置。