WO2010026344A2 - Materiau a architecture multicouche, dedie a une mise en contact avec du silicium liquide - Google Patents

Materiau a architecture multicouche, dedie a une mise en contact avec du silicium liquide Download PDF

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Denis Camel
Béatrice Drevet
Nicolas Eustathopoulos
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Definitions

  • the present invention aims at proposing new materials that can be used in silicon melting and solidification processes and in particular dedicated to photovoltaic applications. It also relates to a process for preparing these materials.
  • Photovoltaic cells are essentially made from mono- or poly-crystalline silicon, obtained from the solidification of liquid silicon in crucibles. It is the platelets cut in the ingot formed in the crucible which serve as a basis for the manufacture of the cells.
  • the growth of the ingot is generally carried out in silica crucibles, coated with a layer of silicon nitride to prevent adhesion of the ingot to the crucible after solidification.
  • silica crucible is not reusable.
  • Such crucibles are used in particular for the melting of silicon in metallurgical silicon purification processes.
  • a layer of silicon carbide is formed by reaction at the interface.
  • the reaction continues until a sealed barrier layer is interposed between the carbonaceous material and the liquid silicon.
  • the silicon infiltrates into the carbon matrix, to a depth that depends mainly on the porosity of this matrix. For example, on extruded graphite type materials, centimeter depths are often reached, whereas they are of the order of one millimeter for fine-grained graphites.
  • the vitreous carbon no noticeable infiltration is observed, only the barrier layer is formed by reaction at the interface
  • Silicidation of graphite in the gas phase is also possible.
  • the company Toyotanso sells under the trademark PERJVIA KOTE ® a graphite coated with SiC by the CVD technique (3).
  • the thicknesses of SiC can be relatively large, of the order of 100 microns, but the layer is never perfectly dense and may cause sealing problems.
  • the infiltration of silicon into the porosities and the contact with unreacted graphite can destroy the carbide layer due to the change in volume associated with the siliciding reaction.
  • the protection provided by the SiC barrier layer is not sustainable. Two mechanisms contribute to the consumption of this layer.
  • the system tends to evolve towards an equilibrium state where the liquid saturates with carbon by dissolving the SiC layer.
  • the oxidation of SiC will also have the effect of reducing the thickness of the layer.
  • the purpose of the present invention is precisely to propose a novel silicon carbide / graphite composite structure which makes it possible to significantly increase the service life of materials intended to be heated to very high temperatures, particularly in the case of crucibles intended to receive silicon in the form of fusion.
  • the present invention also aims to propose a new type of crucibles suitable for reuse.
  • the present invention aims in particular to provide a new type of crucibles particularly advantageous in terms of non-adhesion with respect to silicon.
  • the present invention further aims to provide a preparation method useful for the preparation of such parts. More precisely, the present invention relates, according to one of its aspects, to a piece of material, in particular dedicated to contact with liquid silicon, having a multilayer architecture formed of at least one so-called “support” layer based on carbon, a so-called “surface” silicon carbide layer, and a so-called “intermediate” layer interposed between said support and surface layers characterized in that said intermediate layer is formed of a matrix of silicon carbide containing at least one carbon nodule.
  • the surface and intermediate layers have less than 5%, especially less than 1% by volume of solid silicon, and in particular are totally devoid of solid silicon.
  • the intermediate layer it is characterized by a homogeneity in terms of composition throughout its thickness.
  • the matrix of silicon carbide forming the intermediate layer comprises at least 30% by volume of nodule (s) of carbon, in particular at least 40% by volume advantageously uniformly distributed in the thickness of the intermediate layer.
  • this intermediate layer has a SiC volume fraction at least 1.8 times higher than the volume fraction of the graphite porosity of the so-called carbon-based support layer, representative of the composition of the surface of the surface. origin of the material before treatment according to the invention.
  • the piece of material according to the invention has a surface layer of silicon carbide having a thickness of at least 5 microns, in particular ranging from 15 microns to 20 microns.
  • the piece of material according to the invention has an intermediate layer having a thickness of at least 300 ⁇ m, in particular greater than 400 ⁇ m and in particular ranging from 500 to 2000 ⁇ m.
  • the piece of material is a crucible or a mold, intended in particular to be brought into contact with a material brought to a very high temperature such as for example liquid silicon.
  • crucibles according to the invention are more suitable than their counterparts in graphite for several reasons.
  • the holding of the release layer S1 3 N 4 is better on SiC substrate than on graphite substrate, because it is possible to anneal the nitride release deposit at higher temperature.
  • the pieces of material according to the invention are thus compatible with a use at a temperature of up to 1600 ° C.
  • the present invention aims at providing a method for preparing a piece of material having a multilayer architecture composed of at least one so-called “support” layer based on carbon, a so-called layer “ of silicon carbide and a so-called “intermediate” layer interposed between the two previous layers and formed of at least one silicon carbide matrix containing at least one carbon nodule, said method comprising at least the steps of at :
  • the temperature of step (3) can be advantageously adjusted between the melting point of silicon, namely from about 1410 ° C. to about 1500 ° C., advantageously about 1410 ° C. 0 C to about 1450 0 C.
  • Figures la and Ib are schematic cross-sectional representations of a crucible before and after treatment according to a method according to the invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional representation of a detail of the interior portion of a crucible according to the invention and on which the SiC surface layer and the structure of the composite zone forming the intermediate layer are shown.
  • FIG. 3 is a photograph (optical microscope, magnification * 10 3 ) of the intermediate composite structure obtained during step 3 of the process according to the invention, after 2 minutes of infiltration at 1460 ° C. of liquid silicon on a graphite Carbone Lorraine 2020.
  • the graphite matrix is in dark gray, the silicon carbide in light gray and the unreacted silicon appears in white in the pores.
  • FIG. 4 is a scanning electron microscope photograph of the material obtained from a POCO AX2-5Q graphite material at the end of step 4 of a method according to the invention.
  • the graphite nodules appear in dark gray, the SiC matrix in light gray. There is no more unreacted silicon visible in the pores.
  • the piece of material according to the invention has at least one carbonaceous support layer, a so-called surface layer formed essentially of silicon carbide and a layer said intermediate, interposed between the two previous layers and formed of a composite zone having an SiC structure containing at least one and preferably several graphite nodules.
  • the volume fraction of the SiC structure can vary from 45 to 70%.
  • the volume fraction of the SiC in the composite zone is equal to the volume fraction of the graphite porosity forming the original piece of material, that is to say before treatment according to the invention, multiplied by at least 1.2, preferably at least 1.5 and more preferably 1.8.
  • the thickness of the layer "surface” and the “intermediate” layer combined is advantageously greater than 300 microns, and preferably from 500 to 2000 microns.
  • the support layer it is preferably carbonaceous.
  • a layer based on a carbonaceous material is represented by a material formed, essentially, of carbon atoms. More specifically, a carbon material is, for the purposes of the invention, a material whose carbon atoms content is greater than 95%, in particular greater than 99% by weight relative to its total weight.
  • This carbonaceous material has an open porosity.
  • its open pore volume varies from 25% to 40%, preferably from 30% to 35%.
  • This porosity can be characterized by the mercury porosimetry method.
  • its structure is moreover constituted by graphite grains of micrometric dimensions varying from 1 to 10 ⁇ m, advantageously from 1 to 5 ⁇ m and preferably spaced a few microns apart, in particular from 1 to 10 ⁇ m, advantageously from 1 to 5 ⁇ m. .mu.m.
  • the piece of material to be treated according to the invention has on the surface a carbonaceous layer having a grain size compatible with siliciding over a millimeter depth and with a reaction rate sufficient for the structure final is composed of graphite nodules dispersed in a matrix of silicon carbide. Its carbonaceous structure has an open porosity as defined above.
  • step (2) of the process according to the invention is brought into contact with liquid silicon, for example by immersion in a molten silicon bath.
  • Its thickness is in particular greater than 1 mm.
  • a volume balance taking into account the change in volume associated with the Si + C -> SiC reaction shows that the SiC volume fraction in the composite is equal to the fraction volume of initial porosity of graphite multiplied by 1.8.
  • the method according to the invention therefore comprises at least the steps consisting in disposing a piece of material, comprising at least on the surface a carbonaceous layer, to put said piece in contact with liquid silicon, and to bring it to a first temperature level conducive to the infiltration of molten silicon into the graphite until the clogging of the pores.
  • This temperature is at least equal to the melting temperature of the silicon.
  • this step can be carried out at temperatures varying between the melting point of the silicon, namely from about 1410 ° C. to about 1500 ° C., advantageously from about 1410 ° C. to about 1450 ° C.
  • the duration of this first stage can vary between 10 minutes and one hour, advantageously between 20 minutes and 40 minutes.
  • this third step the piece of material whose external surface is formed to a certain depth, greater than 300 ⁇ m, of a graphite matrix containing SiC nodules and silicon is subjected to a second level of temperature.
  • the temperature of this second bearing makes it possible to homogenize the microstructure of the outer layer and in particular to complete the consumption of the infiltrated silicon.
  • This step can be performed at temperatures ranging between 1500 0 C and 1700 0 C, preferably between 1500 0 C and 1600 0 C.
  • the duration of this second stage may vary between one hour and eight hours, preferably between three hours and six hours. In all cases, this time is sufficient to allow the further processing of graphite into a silicon carbide structure incorporating graphite nodules and the substantially total elimination of residual silicon.
  • the third and fourth stages of the process can be carried out at variable pressure, generally at atmospheric pressure or lower pressure.
  • a vacuum embodiment advantageously allows by gas phase pre-siliciding in the graphite grains, better penetration of liquid silicon during the second step.
  • the infiltration can then be carried out at a thickness of 15% to 20% greater than the thickness obtained at atmospheric pressure.
  • the shade tested is a plate of POCO AXZ-5Q graphite material (length 10 cm, width 10 cm, thickness 1 cm), 32% volume porosity and grain size of the order of 1 ⁇ m.
  • the material is heated under an atmosphere of neutral gas (Argon) in an induction furnace.

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Abstract

La présente invention concerne de nouveaux matériaux dédiés à une mise en contact avec du silicium liquide, possédant une architecture multicouche dont la couche intermédiaire est formée d'une matrice de carbure de silicium contenant au moins un nodule de carbone. Elle vise en outre le procédé de préparation de ces matériaux.

Description

Matériau à architecture multicouche. dédié à une mise en contact avec du silicium liquide
La présente invention vise à proposer de nouveaux matériaux utilisables dans les procédés de fusion et de solidification de silicium et notamment dédiés à des applications photovoltaïques. Elle vise en outre un procédé de préparation de ces matériaux.
Les cellules photovoltaïques sont pour l'essentiel fabriquées à partir de silicium mono- ou poly-cristallin, obtenu à partir de la solidification de silicium liquide dans des creusets. Ce sont les plaquettes découpées dans le lingot formé au sein du creuset qui servent de base à la fabrication des cellules.
La croissance du lingot est généralement réalisée dans des creusets en silice, revêtus d'une couche de nitrure de silicium pour éviter l'adhérence du lingot au creuset après solidification. Malheureusement, ce type de creuset en silice n'est pas réutilisable.
Ce problème est partiellement surmonté avec l'utilisation de creuset en graphite.
De tels creusets sont notamment utilisés pour la fusion du silicium dans les procédés de purification du silicium métallurgique. Quand le silicium liquide est mis en contact avec le graphite, une couche de carbure de silicium se forme par réaction à l'interface. La réaction se poursuit jusqu'à ce qu'une couche barrière étanche, s'intercale entre le matériau carboné et le silicium liquide. Entre temps, le silicium s'infiltre dans la matrice carbonée, jusqu'à une profondeur qui dépend principalement de la porosité de cette matrice. Par exemple, sur des matériaux de type graphite extradé, des profondeurs centimétriques sont souvent atteintes, alors qu'elles sont de l'ordre du millimètre pour des graphites à grains fins. En revanche, dans le carbone vitreux, aucune infiltration notable n'est observée, seule la couche barrière se forme par réaction à l'interface
Une siliciuration du graphite en phase gazeuse est également possible. Par exemple, la société Toyotanso commercialise sous la marque PERJVIA KOTE® un graphite revêtu de SiC par la technique CVD (3). Les épaisseurs de SiC peuvent être relativement importantes, de l'ordre de 100 μm, mais la couche n'est jamais parfaitement dense et peut poser des problèmes d'étanchéité. Ainsi, l'infiltration du silicium dans les porosités et le contact avec un graphite n'ayant pas réagi peuvent détraire la couche de carbure du fait du changement de volume associé à la réaction de siliciuration. En fait, quelque soit la technique retenue pour former la couche SiC en surface du creuset en graphite, la protection assurée par la couche barrière en SiC n'est pas durable. Deux mécanismes contribuent à la consommation de cette couche. Pour les parties en contact avec le silicium fondu, le système a tendance à évoluer vers un état d'équilibre où le liquide se sature en carbone par dissolution de la couche de SiC. Pour les parties en contact avec une atmosphère oxydante, l'oxydation du SiC va également avoir pour effet une réduction de l'épaisseur de la couche.
En conséquence, ces creusets sont, par rapport aux creusets en silice, certes réutilisables mais leur durée de vie demeure encore limitée. La présente invention vise précisément à proposer une nouvelle structure composite carbure de silicium/graphite permettant d'augmenter signifïcativement la durée de vie des matériaux destinés à être portés à des températures très élevées, à l'image notamment des creusets destinés à recevoir du silicium en fusion.
Ainsi, la présente invention vise également à proposer un nouveau type de creusets apte à être réutilisé.
La présente invention vise en particulier à proposer un nouveau type de creusets particulièrement avantageux en terme de non-adhérence à l'égard du silicium.
La présente invention vise en outre à proposer un procédé de préparation utile pour la préparation de telles pièces. Plus précisément, la présente invention concerne, selon un de ses aspects, une pièce de matériau, notamment dédiée à une mise en contact avec du silicium liquide, possédant une architecture multicouche formée d'au moins une couche dite « de support » à base de carbone, d'une couche dite « de surface » en carbure de silicium, et d'une couche, dite « intermédiaire », intercalée entre lesdites couches de support et de surface caractérisée en ce que ladite couche intermédiaire est formée d'une matrice de carbure de silicium contenant au moins un nodule de carbone.
Avantageusement, les couches de surface et intermédiaire possèdent moins de 5 %, notamment moins de 1 % en volume de silicium solide, et en particulier sont totalement dénuées de silicium solide. En ce qui concerne la couche intermédiaire, elle se caractérise par une homogénéité en terme de composition dans toute son épaisseur. Plus particulièrement, la matrice de carbure de silicium formant la couche intermédiaire comprend au moins 30 % en volume de nodule(s) de carbone, en particulier au moins 40 % en volume avantageusement répartis uniformément dans l'épaisseur de la couche intermédiaire. Comme précisé ci-après, cette couche intermédiaire possède une fraction volumique en SiC au moins 1,8 fois plus élevée à la fraction volumique de la porosité graphite de la couche dite de support à base de carbone, représentative de la composition de la surface d'origine du matériau avant traitement selon l'invention.
Selon un mode de réalisation avantageux, la pièce de matériau conforme à l'invention possède une couche de surface en carbure de silicium possédant une épaisseur d'au moins 5 μm, notamment variant de 15 μm à 20 μm.
Avantageusement, la pièce de matériau conforme à l'invention possède une couche intermédiaire possédant une épaisseur d'au moins 300 μm, en particulier supérieure à 400 μm et notamment variant de 500 à 2000 μm. Selon un mode préféré de l'invention, la pièce de matériau est un creuset ou un moule, destiné notamment à être mis en contact avec un matériau porté à une température très élevée tel que par exemple du silicium liquide.
Il peut également s'agir d'une partie d'un moule ou creuset qui par assemblage avec une ou plusieurs autres pièces, permet précisément de former ledit creuset ou moule. Les creusets selon l'invention s'avèrent mieux adaptés que leurs homologues en graphite à plusieurs titres.
Tout d'abord, ils sont multi-usages.
De plus, pour les procédés de fusion, leur structure composite leur confère une résistance au silicium liquide et à l'oxydation, signifîcativement améliorée dans la mesure où l'épaisseur de la couche intermédiaire est très supérieure aux dimensions usuelles.
Par ailleurs, la protection chimique du silicium vis-à-vis des impuretés contenues dans le graphite s'en trouve également améliorée.
Enfin, pour les procédés de solidification, la tenue de la couche anti-adhérente S13N4 est meilleure sur substrat SiC que sur substrat graphite, car il est possible de réaliser le recuit du dépôt anti-adhérent en nitrure à plus haute température.
Avantageusement, les pièces de matériau selon l'invention sont ainsi compatibles avec une utilisation à température pouvant atteindre jusqu'à 1600 0C. Selon un autre de ses aspects, la présente invention vise à proposer un procédé de préparation d'une pièce de matériau possédant une architecture multicouche composée d'au moins une couche dite « de support » à base de carbone, d'une couche dite « de surface » en carbure de silicium et d'une couche dite « intermédiaire » intercalée entre les deux précédentes couches et formée d'au moins une matrice de carbure de silicium contenant au moins un nodule de carbone, ledit procédé comprenant au moins les étapes consistant à :
(1) disposer d'une pièce de matériau comprenant au moins une couche externe carbonée de porosité volumique variant de 25 % à 40 %, de préférence de
30 % à 35 %, et s'étendant de préférence sur une épaisseur d'au moins 1000 μm,
(2) mettre en contact ladite pièce avec du silicium liquide,
(3) maintenir l'ensemble à une température propice à l'infiltration dudit silicium liquide dans les pores de la couche carbonée et la formation d'une zone composite formée d'une matrice de graphite intégrant des nodules de SiC, et
(4) porter la pièce obtenue à l'issue de l'étape précédente à une température comprise entre 1500 0C et 1700° C, de préférence de 1500 0C à 1600 0C pour former lesdites couches de surface et intermédiaire attendues et notamment telles que définies ci-dessus et consommer pour l'essentiel le silicium résiduel de l'étape précédente.
Selon un mode préféré de l'invention, la température de l'étape (3) peut être avantageusement ajustée entre la température de fusion du silicium à savoir d'environ 1410 0C jusqu'à environ 1500 0C, avantageusement d'environ 1410 0C à environ 1450 0C. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées dans lesquelles :
- les figures la et Ib sont des représentations schématiques en coupe transversale d'un creuset avant et après traitement selon un procédé conforme à l'invention.
- la figure 2 est une représentation schématique en coupe transversale d'un détail de la partie intérieure d'un creuset conforme à l'invention et sur laquelle sont représentées la couche de surface SiC et la structure de la zone composite formant la couche intermédiaire.
- la figure 3 est une photographie (microscope optique, grossissement * 103) de la structure composite intermédiaire obtenue au cours de l'étape 3 du procédé selon l'invention, après 2 minutes d'infiltration à 1460 0C de silicium liquide sur un graphite Carbone Lorraine 2020. La matrice graphite est en gris foncé, le carbure de silicium en gris clair et le silicium non réagi apparaît en blanc dans les pores.
- la figure 4 est une photographie au Microscope Electronique à Balayage du matériau obtenu à partir d'un matériau graphite POCO AX2-5Q à l'issue de l'étape 4 d'un procédé selon l'invention. Les nodules de graphite apparaissent en gris foncé, la matrice SiC en gris clair. Il n'y a plus de silicium non réagi visible dans les pores.
Il convient de noter que, pour des raisons de clarté, les différentes couches de matériau des structures visibles sur les figures sont représentées en échelle libre ; les dimensions de certaines parties étant fortement exagérées.
Description détaillée d'une pièce de matériau conforme à l'invention Comme précisé précédemment, la pièce de matériau selon l'invention possède au moins une couche support carbonée, une couche dite de surface formée pour l'essentiel de carbure de silicium et une couche dite intermédiaire, intercalée entre les deux couches précédentes et formée d'une zone composite possédant une structure SiC contenant au moins un et de préférence plusieurs nodules de graphite.
La fraction volumique de la structure SiC peut varier de 45 à 70 %. D'une manière générale, la fraction volumique du SiC dans la zone composite est égale à la fraction volumique de la porosité graphite formant la pièce de matériau d'origine, c'est-à- dire avant traitement selon l'invention, multipliée par au moins 1,2 de préférence par au moins 1,5 et plus préférentiellement par 1,8.
L'épaisseur de la couche « de surface » et de la couche « intermédiaire » réunies est avantageusement supérieure à 300 μm, et préférentiellement de 500 à 2000 μm. En ce qui concerne la couche support, elle est préférentiellement carbonée. Au sens de la présente invention, une couche à base d'un matériau carboné est figurée par un matériau formé, pour l'essentiel, d'atomes de carbone. Plus précisément, un matériau carboné est, au sens de l'invention, un matériau dont la teneur en atomes de carbone est supérieure à 95 %, en particulier supérieure à 99 % en poids par rapport à son poids total.
Il s'agit plus particulièrement de graphite. Ce matériau carboné possède une porosité ouverte.
Plus particulièrement, sa porosité volumique ouverte varie de 25 % à 40 %, préférentiellement de 30 % à 35 %. Cette porosité peut-être caractérisée par la méthode de porosimétrie mercure.
De préférence, sa structure est par ailleurs constituée de grains de graphite de dimensions micrométriques variant de 1 à 10 μm, avantageusement de 1 à 5 μm et de préférence distants de quelques micromètres, en particulier de 1 à 10 μm, avantageusement de 1 à 5 μm.
Description détaillée du procédé selon l'invention Avantageusement, la pièce de matériau à traiter selon l'invention possède en surface une couche carbonée possédant une taille de grains compatible avec une siliciuration sur une profondeur millimétrique et avec un taux de réaction suffisant pour que la structure finale soit composée de nodules de graphite dispersés dans une matrice de carbure de silicium. Sa structure carbonée possède une porosité ouverte conforme à celle définie précédemment.
Il est possible d'utiliser des graphites à porosité volumique ouverte plus faible que 25 %, que l'on soumet à un traitement d'oxydation pour augmenter cette porosité sur une profondeur millimétrique. Dans ce cas, il est nécessaire de partir d'une structure graphite à grains suffisamment fins pour assurer une bonne tenue mécanique à l'issue du traitement. On peut également revêtir un graphite trop dense avec une couche de graphite de porosité souhaitée pour mettre en œuvre le processus d'infiltration et obtenir la structure désirée de nodules de graphite dans une matrice de carbure de silicium.
En revanche, des graphites à grains grossiers ne s'avèrent pas satisfaisants dans le cadre de la présente invention, du fait de la présence, en fin de traitement de siliciuration, de silicium non réagi dans les pores. La pièce de matériau mise en œuvre en étape (2) du procédé selon l'invention est mise en contact avec du silicium liquide, par exemple par immersion dans un bain de silicium fondu.
Son épaisseur est notamment supérieure à 1 mm. Comme déjà précisé précédemment, à l'issue du procédé selon l'invention, un bilan volumique tenant compte du changement de volume associé à la réaction Si + C — > SiC montre que la fraction volumique du SiC dans le composite est égale à la fraction volumique de la porosité initiale du graphite multipliée par 1,8.
Le procédé selon l'invention comprend donc au moins les étapes consistant à disposer une pièce de matériau, comprenant au moins en surface une couche carbonée, à mettre ladite pièce en contact avec du silicium liquide, et à la porter à un premier palier de température propice à l'infiltration du silicium fondu dans le graphite jusqu'au bouchage des pores. Cette température est au moins égale à la température de fusion du silicium.
Plus précisément, ce palier peut être réalisé à des températures variant entre la température de fusion du silicium à savoir d'environ 1410 0C jusqu'à environ 1500 0C, avantageusement d'environ 1410 0C à environ 1450 0C.
En fonction de la température choisie, la durée de ce premier palier peut varier entre 10 minutes et une heure, avantageusement entre 20 minutes et 40 minutes.
A l'issue de cette troisième étape, la pièce de matériau dont la surface externe est formée sur une certaine profondeur, supérieure à 300 μm, d'une matrice de graphite contenant des nodules de SiC et du silicium est soumise à un second palier de température. La température de ce second palier permet d'homogénéiser la microstructure de la couche externe et en particulier d'achever la consommation du silicium infiltré. Ce palier peut être réalisé à des températures variant entre 1500 0C et 1700 0C, avantageusement entre 1500 0C et 1600 0C.
En fonction de la température choisie, la durée de ce second palier peut varier entre une heure et huit heures, avantageusement entre trois heures et six heures. Dans tous les cas, cette durée est suffisante pour permettre la poursuite de la transformation du graphite en une structure carbure de silicium incorporant des nodules de graphite et l'élimination sensiblement totale du silicium résiduel. Les troisième et quatrième étapes du procédé peuvent être réalisées à pression variable, généralement à pression atmosphérique ou pression inférieure. Il est toutefois constaté qu'une réalisation sous vide permet avantageusement par pré-siliciurisation en phase gazeuse des grains de graphite, une meilleure pénétration du silicium liquide lors de la deuxième étape. L'infiltration peut alors se réaliser sur une épaisseur de 15 % à 20 % plus importante que l'épaisseur obtenue à pression atmosphérique.
Ces étapes sont généralement réalisées sous atmosphère inerte ou sous vide.
L'invention va maintenant être décrite au moyen de l'exemple suivant donné bien entendu à titre illustratif et non limitatif de l'invention. Exemple 1
La nuance testée est une plaque du matériau graphique POCO AXZ-5Q (longueur 10 cm, largeur 10 cm, épaisseur lcm), de porosité volumique 32 % et de taille de grains de l'ordre de 1 μm.
Le matériau est chauffé sous atmosphère de gaz neutre (Argon) dans un four à induction. La température d'infiltration choisie est T = 1430 0C, légèrement supérieure à la température de fusion du silicium.
Après un palier de 30 minutes à T = 1430 0C, le matériau est soumis à une température de 1500 0C pendant 6 heures pour homogénéiser la microstructure de la couche externe de 15-20 microns et achever la consommation du silicium infiltré. L'ensemble est refroidi à température ambiante à la vitesse de 5 °C/mn jusqu'à
900 0C puis par refroidissement naturel après arrêt du chauffage.

Claims

REVENDICATIONS
1. Pièce de matériau, notamment dédiée à une mise en contact avec du silicium liquide, possédant une architecture multicouche formée d'au moins une couche dite « de support » à base de carbone, d'une couche dite « de surface » en carbure de silicium et d'une couche dite « intermédiaire » intercalée entre lesdites couches de support et de surface, caractérisée en ce que ladite couche intermédiaire est formée d'une matrice de carbure de silicium contenant au moins un nodule de carbone avec la fraction volumique du carbure de silicium formant ladite couche intermédiaire étant égale à la fraction volumique de la porosité initiale du graphite formant la couche de support à base de carbone, multipliée par au moins 1,2.
2. Pièce de matériau selon la revendication 1, dans laquelle les couches de surface et intermédiaire possèdent moins de 5 %, notamment moins de 1 % en volume de silicium solide et en particulier sont totalement dénuées de silicium solide.
3. Pièce de matériau selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la matrice de carbure de silicium formant la couche intermédiaire comprend au moins 30 % en volume, en particulier au moins 40 % en volume de nodule(s) de carbone.
4. Pièce de matériau selon l'une quelconque des revendications précédentes possédant une couche intermédiaire d'épaisseur d'au moins 300 μm, en particulier supérieure à 400 μm et notamment variant de 500 μm à 2000 μm.
5. Procédé utile pour la préparation d'une pièce de matériau possédant une architecture multicouche composée d'au moins une couche dite « de support » à base de carbone, d'une couche dite « de surface » en carbure de silicium et d'une couche dite « intermédiaire » intercalée entre les deux précédentes couches, formée d'au moins une matrice de carbure de silicium contenant au moins un nodule de carbone avec la fraction volumique du carbure de silicium formant ladite couche intermédiaire étant égale à la fraction volumique de la porosité graphite de la couche de support à base de carbone, multipliée par 1,8, ledit procédé comprenant au moins les étapes consistant à :
(1) disposer d'une pièce de matériau comprenant au moins une couche externe carbonée de porosité volumique variant de 25 à 40 %, de préférence de 30 à
35 % et s'étendant de préférence sur une épaisseur d'au moins 1000 μm, (2) mettre en contact ladite pièce avec du silicium liquide,
(3) maintenir l'ensemble à une température propice à l'infiltration dudit silicium liquide dans les pores de la couche carbonée, et la formation d'une zone composite formée d'une matrice de graphite intégrant des nodules de SiC, et
(4) porter la pièce obtenue à l'issue de l'étape précédente à une température comprise entre 1500 0C et 1700 0C et de préférence de 1500 à 1600 0C pour former lesdites couches de surface et intermédiaire attendues et consommer pour l'essentiel le silicium résiduel de l'étape précédente.
6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la fraction volumique de la structure SiC de la couche intermédiaire varie de 45 à 70 %.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel l'épaisseur de la couche de surface et la couche intermédiaire réunies est supérieure à
300 μm, préférentiellement de 500 à 2000 μm.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel la couche carbonée est constituée de grains de graphite de dimension micrométrique, variant de 1 à 10 μm, notamment de 1 à 5 μm.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel l'étape (3) est réalisée à une température variant de 1410 à 1500 0C et notamment de 1410 à 1450 0C.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel ladite pièce est maintenue au palier de température de l'étape (3) pendant 10 minutes à 1 heure, préférentiellement de 20 minutes à 40 minutes.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 10 dans lequel l'étape (4) est réalisée à une température variant de 1500 0C à 1700 0C, avantageusement de 1500 0C à 1600 0C.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 11 dans lequel ladite pièce est maintenue au palier de l'étape (4) pendant 1 h à 8 heures, préférentiellement de 3 à 6 heures.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102219518A (zh) * 2011-03-31 2011-10-19 浙江立泰复合材料有限公司 碳化硼碳化硅复相陶瓷及其制备方法
WO2016087549A1 (fr) 2014-12-02 2016-06-09 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Creuset réutilisable pour la fabrication de matériau cristallin
EP3330240A1 (fr) * 2016-12-01 2018-06-06 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede pour la siliciuration surfacique de graphite
FR3074908A1 (fr) * 2017-12-13 2019-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Sonde acoustique destinee a etre utilisee dans un four de solidification du silicium et son procede de fabrication

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9352389B2 (en) 2011-09-16 2016-05-31 Silicor Materials, Inc. Directional solidification system and method
TWI643983B (zh) * 2013-03-14 2018-12-11 美商希利柯爾材料股份有限公司 定向凝固系統及方法
CN107207373A (zh) * 2015-01-29 2017-09-26 揖斐电株式会社 SiC被覆碳复合材料
KR101712387B1 (ko) * 2015-04-08 2017-03-07 (주)제너코트 흑연 기판의 표면 특성 개질 방법
CN105523778A (zh) * 2016-01-22 2016-04-27 青岛华杰硅碳科技有限公司 一种硅化石墨及其制备方法
EP3514128A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
EP3514129A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
EP3514130A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
EP3514257A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
EP3514127A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
EP3514259A1 (fr) 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Procédé de fabrication d'un corps revêtu de carbure de silicium
GB2582379B (en) * 2019-03-22 2021-12-08 Tenmat Ltd Method of coating carbon components
US20210363069A1 (en) * 2020-05-21 2021-11-25 Raytheon Technologies Corporation Method to produce dense ceramic matrix composites

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2068160A5 (fr) * 1969-11-28 1971-08-20 Commissariat Energie Atomique
FR2207883A1 (fr) * 1972-11-24 1974-06-21 Westinghouse Electric Corp
FR2387923A1 (fr) * 1977-04-23 1978-11-17 Kernforschungsanlage Juelich Corps moule en graphite avec couche de protection contre la corrosion et procede pour sa preparation
EP0228166A1 (fr) * 1985-12-24 1987-07-08 Ford Motor Company Limited Procédé de production d'étampes à façonnage en graphite
EP0409983A1 (fr) * 1986-10-09 1991-01-30 Osaka Cement Co., Ltd. Procede de production d'une piece moulee composee de carbure de silicium et de carbone
US20080241475A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Hirofumi Fukuoka Graphite-silicon carbide composite and making method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1599810A (en) 1977-04-23 1981-10-07 Kernforschungsanlage Juelich Graphite or similar mouldings with corrosion-resistant protective layer
JP2620294B2 (ja) * 1988-03-23 1997-06-11 東洋炭素 株式会社 炭化珪素−黒鉛複合材料及びその製造法
DE4127693A1 (de) 1991-08-21 1993-02-25 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zum herstellen eines formkoerpers aus graphit
JP3482480B2 (ja) * 1993-01-25 2003-12-22 東洋炭素株式会社 耐酸化性に優れた黒鉛−炭化珪素複合体及びその製造方法
US5968653A (en) * 1996-01-11 1999-10-19 The Morgan Crucible Company, Plc Carbon-graphite/silicon carbide composite article
JPH09309716A (ja) * 1996-03-19 1997-12-02 Kawasaki Steel Corp シリコンの精製方法
JPH10167716A (ja) * 1996-12-09 1998-06-23 Kawasaki Steel Corp シリコンの精製方法
JPH11180712A (ja) * 1997-12-19 1999-07-06 Kawasaki Steel Corp シリコン溶解用容器
RU2194683C2 (ru) 2001-01-09 2002-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт Термохимии" Способ изготовления изделий из силицированного углеродного композиционного материала с переменным содержанием карбида кремния
JP2005281085A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nippon Steel Corp 黒鉛製るつぼ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2068160A5 (fr) * 1969-11-28 1971-08-20 Commissariat Energie Atomique
FR2207883A1 (fr) * 1972-11-24 1974-06-21 Westinghouse Electric Corp
FR2387923A1 (fr) * 1977-04-23 1978-11-17 Kernforschungsanlage Juelich Corps moule en graphite avec couche de protection contre la corrosion et procede pour sa preparation
EP0228166A1 (fr) * 1985-12-24 1987-07-08 Ford Motor Company Limited Procédé de production d'étampes à façonnage en graphite
EP0409983A1 (fr) * 1986-10-09 1991-01-30 Osaka Cement Co., Ltd. Procede de production d'une piece moulee composee de carbure de silicium et de carbone
US20080241475A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Hirofumi Fukuoka Graphite-silicon carbide composite and making method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102219518A (zh) * 2011-03-31 2011-10-19 浙江立泰复合材料有限公司 碳化硼碳化硅复相陶瓷及其制备方法
WO2016087549A1 (fr) 2014-12-02 2016-06-09 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Creuset réutilisable pour la fabrication de matériau cristallin
EP3330240A1 (fr) * 2016-12-01 2018-06-06 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede pour la siliciuration surfacique de graphite
FR3059663A1 (fr) * 2016-12-01 2018-06-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede pour la siliciuration surfacique de graphite
FR3074908A1 (fr) * 2017-12-13 2019-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Sonde acoustique destinee a etre utilisee dans un four de solidification du silicium et son procede de fabrication

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