WO2009148269A2

WO2009148269A2 - 벤조플루오란센 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Info

Publication number: WO2009148269A2
Application number: PCT/KR2009/002968
Authority: WO
Inventors: 신창주; 김태형; 김경수
Original assignee: 주식회사 두산
Priority date: 2008-06-04
Filing date: 2009-06-04
Publication date: 2009-12-10
Also published as: KR101011857B1; KR20090126539A; WO2009148269A9; WO2009148269A3

Abstract

본 발명은 벤조플루오란센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전자 전달 능력을 갖는 치환기로서 벤즈이미다졸(benzimidazole)기, 벤조티아졸(benzothiazole)기 및 벤즈옥사졸(benzoxazole)기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기를 포함하는 벤조플루오란센 유도체, 및 상기 벤조플루오란센 유도체를 함유한 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

벤조플루오란센 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자

본 발명은 신규한 벤조플루오란센(benzofluoranthene) 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전자 전달 능력을 갖는 치환기로서 벤즈이미다졸(benzimidazole)기, 벤조티아졸(benzothiazole)기 및 벤즈옥사졸(benzoxazole)기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기를 포함하는 벤조플루오란센 유도체 및 상기 벤조플루오란센 유도체를 함유한 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질에 전기에너지를 가했을 때 빛이 나타나는 현상을 말한다. 즉, 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기물층을 위치시키고 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면, 전자와 정공의 주입이 일어나며 유기 재료의 여기 상태를 발생시킨다. 이때 여기된 캐리어가 원래의 안정한 상태로 돌아오면서 그 재료 자체의 고유 빛을 방출하게 된다.

유기 EL 소자에 대한 연구는 1950 년대 Bernanose가 유기 색소를 함유한 고분자 박막에 높은 교류 전압을 인가하여 유기 박막으로부터 발광을 관측하였으며, 1965년 안트라센 단결정에 전류를 인가하여 일중항 여기자를 발생시켜 청색 형광을 얻었다.

이후 유기 발광 소자를 효과적으로 만들기 위한 한 방법으로 소자내의 유기물 층을 다층 구조로 제조하는 연구가 진행되어 왔다. 현재 사용되는 대부분의 유기 발광 소자는 기판, 양극, 양극으로부터 정공을 받아들이는 정공 주입층, 정공을 전달하는 정공 전달층, 정공과 전자가 재결합하여 빛을 내는 발광층, 전자를 전달하는 전자 전달층, 음극으로부터 전자를 받아들이는 전자 주입층 및 음극으로 이루어져 있다. 이렇게 EL 소자를 다층으로 제작하는 이유는 정공과 전자의 이동속도가 상이하므로 적절한 정공 주입층 및 전달층, 전자 전달층 및 전자 주입층을 만들어 주면 정공과 전자가 효과적으로 전달될 수 있으며, 소자 내 정공과 전자의 균형이 이루어져 발광 효율을 높일 수 있기 때문이다.

전자 수송의 재료에 관한 최초의 보고는 옥사디아졸 유도체(PBD)를 들 수 있다. 이후 트리아졸 유도체(TAZ) 및 페난스로린 유도체(BCP)가 전자 수송성을 나타낸다고 보고 되었다. 전자 수송용 유기 단분자 물질로는 전자에 대한 안정도와 전자 이동 속도가 상대적으로 우수한 유기 금속착제들이 좋은 후보들이며, 그 중에서 전자 이동도가 정공 이동도 보다 큰 Alq3가 가장 우수한 것으로 보고 되었으나, 청색 발광소자에 사용할 경우 엑시톤 디퓨젼(exciton diffusion)에 의한 발광 때문에 색 순도가 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 종래에 공지된 전자 수송용 물질로는 산요(Sanyo)사에서 발표한 플라본(flavon) 유도체 또는 치소(Chisso)사의 게르마늄 및 실리콘시클로펜타디엔 유도체 등이 알려져 있다. (일본공개특허공보 제1998-017860호, 일본공개특허공보 제1999-087067호).

또한, 종래의 전자 주입 및 수송용 물질로는 이미다졸기, 옥사졸기, 또는 티아졸기를 가진 유기 단분자 물질들이 많이 보고되었다. 그러나 이러한 물질들이 전자수송용 물질로 보고되기 이전에 모토롤라(Motorola)사의 EU 0700917 A2에 이러한 물질들의 금속착체 화합물들이 유기 발광 소자의 청색 발광층 또는 청록색 발광층에 적용된 것이 이미 보고되었다.

1996년도에 코닥사에서 발표하고 미국 특허 제5,645,948호에 기재된 TPBI는 이미다졸기를 가진 대표적인 전자 수송용 물질로 알려져 있으며, 그 구조는 벤젠의 1,3,5 치환 위치에 세 개의 N-페닐 벤즈이미다졸기를 함유하고 기능적으로는 전자를 전달하는 능력뿐 아니라 발광층에서 넘어오는 정공을 차단하는 기능도 있으나, 실제 소자에 적용하기에는 열 안정성이 낮은 문제점을 가지고 있다.

또한, 일본 공개특허공보 평11-345686호에 개시된 전자수송용 물질들은 옥사졸기, 티아졸기를 함유하고 있고 발광층에도 적용할 수 있다고 보고하고 있으나, 구동전압, 휘도 및 소자의 수명 측면에서 실용화에 도달하지 못하고 있다.

따라서, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 극복하고 유기 발광 소자의 특성을 더욱 향상시키기 위하여, 유기 발광 소자에서 전자 수송용 물질로 사용될 수 있는 보다 안정적이고 효율적인 재료에 대한 개발이 계속 요구되고 있다.

본 발명은 벤조플루오란센(benzofluoranthene)에 전자 전달 능력을 갖는 치환기가 치환된 화합물로서, 유기 발광 소자에 적용하여 발광효율, 안정성 및 소자 수명을 향상시킬 수 있는 신규 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 화합물을 이용한 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 벤조플루오란센 유도체이다.

[화학식 1]

화학식 1에서, X는 N-R⁶, S 및 O로 이루어진 군에서 선택되며;

R¹ 내지 R⁶은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, C₁~C₄₀의 알킬기, C₂~C₄₀의 알케닐기, C₂~C₄₀의 알키닐기, C₃~C₄₀의 시클로알킬기, C₃~C₄₀의 헤테로시클로알킬기, C₆~C₄₀의 아릴알킬기, C₁~C₄₀의 알킬옥시기, C₅~C₄₀의 아릴옥시기, C₅~C₄₀의 아릴기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;

A는 단일결합, C₅~C₄₀의 아릴렌기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택된다.

또한 본 발명은 (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,

상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 발광 소자를 제공한다.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자 수송층인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 수송 성능이 우수하므로, 이를 유기 발광 소자의 전자 수송 층 재료로 채택할 경우 종래 Alq3을 사용하는 경우보다 전압 및 효율 면에서 월등한 성능을 나타낸다. 따라서 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 EL소자의 EL 성능 개선 및 수명 향상에 크게 기여할 수 있으며, 특히 이러한 전자 수송 성능 향상은 풀 칼라 유기 EL 패널에서 성능 극대화에도 큰 효과가 있다.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자 구조의 일 예를 나타내는 단면도이며;

도 2는 실시예 2에서 제조된 Inv-14의 TGA 그래프이며;

도 3은 종래 알려진 물질인 Alq3의 TGA 그래프이다.

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 벤조플루오란센(benzofluoranthene)을 코어로 하고, 전자 전달 능력을 갖는 치환기로서 벤즈이미다졸(benzimidazole)기, 벤조티아졸(benzothiazole)기 및 벤즈옥사졸(benzoxazole)기 중에서 선택되는 1 종 이상의 치환기를 포함하는 것이 특징인 벤조플루오란센 유도체이다.

보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 벤조플루오란센을 코어로 하고, 상기 벤조플루오란센의 3번 탄소 위치에 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 또는 벤즈옥사졸기가 치환된 구조를 갖는 것이 특징이다.

또한, 본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 있어서, 벤조플루오란센 모이어티(moiety)에는 수소원자 이외에도 C₁~C₄₀의 알킬기, C₂~C₄₀의 알케닐기, C₂~C₄₀의 알키닐기, C₃~C₄₀의 시클로알킬기, C₃~C₄₀의 헤테로시클로알킬기, C₆~C₄₀의 아릴알킬기, C₁~C₄₀의 알킬옥시기, C₅~C₄₀의 아릴옥시기, C₅~C₄₀의 아릴기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기가 도입될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기 및 벤즈옥사졸기는 각각 독립적으로 C₁~C₄₀의 알킬기, C₂~C₄₀의 알케닐기, C₂~C₄₀의 알키닐기, C₃~C₄₀의 시클로알킬기, C₃~C₄₀의 헤테로시클로알킬기, C₆~C₄₀의 아릴알킬기, C₁~C₄₀의 알킬옥시기, C₅~C₄₀의 아릴옥시기, C₅~C₄₀의 아릴기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1이상의 치환기가 치환된 것일 수 있다.

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 상기 A는 단일결합, C₅~C₄₀의 아릴렌기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택된다. 상기 A의 C₅~C₄₀의 아릴렌기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴렌기의 예를 들면 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 보다 자세하게 표현하면 하기 표 1의 화합물들과 같으나, 본 발명에 따른 화합물들은 하기 예시된 것들에 한정되는 것은 아니다.

표 1

위의 예시된 화합물들 중 아래의 물질들이 좋은 특성을 보여 주고 있으나, 이에 한정 되지는 않는다.

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법은 특별히 한정되지 않고, 당업계에 알려진 반응들을 적절히 적용할 수 있다.

본 발명은 (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 1층 이상의 유기물 층 중 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 발광 소자를 제공한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.

또한 본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 수송층용 물질로서 포함될 수 있고, 이 경우 유기 발광 소자의 발광효율, 안정성 및 소자 수명이 향상될 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자 수송층인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 유기 발광 소자에서, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 및/또는 전자수송층일 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자 구조의 일 예를 나타내는 단면도로서, 기판(101), 양극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 발광층(105), 전자 수송층(106) 및 음극(107)이 순차적으로 적층되어 있다. 이때 상기 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것이다. 상기 전자 수송층(106) 위에는 전자 주입층이 위치할 수도 있다.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 바와 같이 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입될 수 있다.

본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 상기 유기물층은 진공증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층 중 1층 이상의 유기물층이 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 유기물 층 및 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.

예컨대, 기판(101)으로는 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.

양극(102) 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 또는 카본블랙 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

또한, 상기 정공 주입층(103), 정공 수송층(104) 및 발광층(105)은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당업계에 알려진 통상의 물질이 사용될 수 있다.

이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1] Inv-1로 표시되는 화합물의 합성

[실시예 1-1]

아세나프틸렌 14.07g (92.48 mmol) 과 디페닐이소벤조퓨란 25g (92.48 mmol) 을 자일렌 200 ml 에 용해 시킨 후 7시간 동안 환류 교반하였다. Ice bath 설치 후 0℃ 하에서 에테르 1200 ml를 첨가 시킨 후 1시간 동안 교반 하였다. 생성된 고체를 여과하여 화합물 a 25g (수율= 62.8%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 7.46 (d, 6H), 7.37 (t, 2H) 7.31 (t, 6H), 7.11 (d, 2H), 7.01 (d, 2H), 6.93 (t, 2H), 4.41 (s, 2H)

[실시예 1-2]

실시예 1-1에서 합성한 화합물 a 24.5g (58.03mmol)을 초산 171.5 ml 에 용해하였다. 48% HBr 17.15 ml를 위의 반응액에 천천히 적하하였다. 최종 반응액을 3시간 동안 환류 교반하였다. 생성된 고체를 여과하여 화합물 b 22.19g (수율= 96.7%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.55 (d, 2H), 7.90 (d, 2H) 7.79 (d, 2H), 7.65 (d, 4H), 7.58 (t, 2H), 7.48 (m, 6H), 7.32 (t, 2H)

[실시예 1-3]

실시예 1-2에서 얻은 화합물 b 22.19 g (54.86 mmol)과 N-bromosuccinimide 12.4g (54.86 mmol)을 클로로포름 250 ml에 용해시킨 후 환류 교반하였다. 컬럼 크로마토 그래피를 통해 화합물 c 23 g (수율= 86 %)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.55 (d, 2H), 8.53 (d, 1H) 8.14 (d, 1H), 7.76 (d, 1H), 7.65 (d, 4H), 7.57 (t, 1H), 7.46 (m, 6H), 7.45 (d, 1H), 7.32 (t, 2H)

[실시예 1-4]

3-브로모벤즈알데하이드 40g (216.2 mmol) 과 N-페닐(Phenyl)-1,2-페닐렌 디아민 (phenylene diamine) 39.82 g(216.2 mmol)을 톨루엔 500 ml 및 150 ml 초산 에 용해 시킨 후 30 시간동안 환류 교반하였다. 최종 반응 물을 상온으로 냉각 시킨 후 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 컬럼 크로마토 그래피 (Hex: EA: TEA = 9: 1: 1 (v:v:v))로 정제하여 화합물 d 40.16 g (수율= 26.5 %)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.56 (d, 1H), 7.81 (d, 1H) 7.65 (s, 1H), 7.55 (t, 2H), 7.53 (t, 1H), 7.42 (d, 1H), 7.39 (d, 1H), 7.30 (d, 2H), 7.28 (t, 1H), 7.21 (t, 2H)

[실시예 1-5]

실시예 1-4에서 획득한 화합물 d 40.16g (115.0057 mmol), Pd(dppf)Cl₂ 4.2 g, Bis(pinacolato)diboron 35.1 g (138.0068 mmol) 및 포타슘 아세테이트 33.86g (345.0171 mmol)을 1,4 -다이옥산(dioxane) 250 ml에 용해시켰다. 반응물을 6시간 동안 환류 교반 한 후, 디클로로 메탄과 증류수로 3회 추출하였다. 컬럼 크로마토 그래피 (Hex: EA = 9: 1 (v: v))로 정제하여 화합물 e 39 g (수율= 86%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.56 (d, 1H), 7.81 (d, 1H) 7.55 (m, 5H), 7.30 (m, 3H), 7.28 (t, 1H), 7.21 (m, 2H), 1.26 (s, 12H)

[실시예 1-6]

실시예 1-3에서 획득한 화합물 c 10.5 g(21.7373 mmol) 과 실시예 1-5에서 합성한 화합물 e 9.5 g (23.9110 mmol)을 넣은 후 18 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로 메탄으로 추출 후 Hexane: MC= 9: 1 (v:v)으로 컬럼 크로마토 그래피를 진행하여, 목적 화합물인 Inv-1를 11g (수율= 75%) 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 7.21 (t, 1H), 7.28 (t, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.32 (t, 2H), 7.38 (t, 2H), 7.44 (d, 2H), 7.5 (t, 4H), 7.52 (t, 2H), 7.54 (t, 1H), 7.57 (t, 2H), 7.60 (d, 2H), 7.65 (d, 4H), 7.70 (s, 1H), 7.81 (d, 1H), 8.42 (d, 1H), 8.51 (d, 1H), 8.55 (d, 2H), 8.70 (d, 1H).

[실시예 2] Inv-14로 표시되는 화합물의 합성

[실시예 2-1]

6-bromo-2-naphthol 20 g(89.66mmol), Bis(pinacolato)diboron 27.3 g(107.59 mmol), 포타슘 아세테이트 26.4g(268.97 mmol)을 1,4-다이옥산(dioxane) 400 ml에 현탁 시킨 후 반응액에 Pd(dppf)Cl₂[1,1’-Bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(Ⅱ) 2g (2.69 mmol)을 넣었다. 최종 반응액을 5시간 동안 환류 교반시킨 후 디클로로 메탄과 증류수로 3회 추출 한 후, 컬럼 크로마토그래피 (Hex: EA = 8: 1 (v:v))를 하여 화합물 f 19.6 g (수율= 80.9%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 7.88 (d, 1H), 7.60 (s, 1H) 7.50 (d, 1H), 7.30 (d, 1H), 7.00 (m, 2H), 1.26 (s, 12H)

[실시예 2-2]

실시예 1-2에서 합성한 화합물 c 15g (31.05 mmol)과 실시예 2-1에서 합성한 화합물 f 9.23g(34.16 mmol), Pd(PPh₃)₄ 1.1 g (0.93 mmol) 및 탄산 나트륨 (sodium carbonate) 9.87g (93.16 mmol)을 톨루엔 300 ml 및 증류수 100 ml에 현탁 시킨 후 6시간 동안 환류 교반하였다. 반응 완료 후 디클로로메탄 및 증류수로 추출하고 컬럼 크로마토그래피 (Hex: EA = 9: 1 (v: v))로 정제하여 화합물 g 10.5 g (수율= 62%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.55 (d, 2H), 7.90 (d, 2H) 7.79 (m, 4H), 7.65 (m, 6H), 7.58 (t, 2H), 7.48 (t, 2H), 7.46 (t, 4H), 7.32 (t, 2H), 6.98 (m, 1H).

[실시예 2-3]

실시예 2-2에서 합성한 화합물 g 10g (18.29 mmol)을 디클로로 메탄 400ml에 녹였다. 상기 반응액에 피리딘 2.17 g(27.44 mmol)을 첨가하고 1시간 교반한 후, 0℃ 하에서 Trifluoromethanesulfonic anhydride 6.19 g (21.95mmol)을 질소 하에서 서서히 첨가하고 상온에서 반응혼합물을 4시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되었는지는 TLC로 확인하며, 반응이 종결되면 증류수로 추출 후 유기층을 감압증류하여 용매를 제거한 후, Hex: Methylene Chloride = 4: 1(v: v) 용액을 이용하여 크로마토 그래피를 하여 연 노란색 고체의 화합물 h 11 g (수율= 88 %)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 8.55 (d, 2H), 8.51 (d, 1H) 7.88 (d, 1H), 7.78 (d, 2H), 7.65 (d, 4H), 7.60 (d, 2H), 7.54 (s, 1H), 7.48 (t, 6H), 7.40 (d, 2H), 7.32 (d, 2H), 6.98 (m, 2H).

[실시예 2-4]

실시예 2-3에서 합성한 화합물 h 11 g (16.21 mmol) 과 실시예 1-5에서 합성한 화합물 e 6.49 g (16.21 mmol), Pd(PPh3)4 0.56 g (0.49 mmol), 및 탄산 나트륨 (sodium carbonate) 5.2 g (49 mmol) 을 톨루엔 200 ml 와 증류수 40 ml에 현탁 시킨 후 5시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 디클로로메탄과 증류수로 추출하고, 유기층을 건조, 감압 증류하여 용매를 제거한 후, Hex: Methlyene Chloride = 4: 1(v: v) 용액을 이용하여 크로마토 그래피를 하여 노란색 고체의 생성물 Inv-14 10 g (수율= 77%)을 얻었다.

¹H NMR(500MHz, THF-d8) : 7.21(t,1H), 7.3(d, 2H), 7.32(t,2H), 7.38(t,1H), 7.28(t,1H), 7.44(d, 2H), 7.46(t,4H), 7.48 (t,2H), 7.53(t,1H), 7.55(t,2H), 7.58(m, 3H), 7.65 (d, 4H), 7.70 (s, 1H), 7.73 (d, 2H), 7.80 (d, 1H), 7.81 (d,1H), 7.92 (d, 2H), 7.99 (m, 3H), 8.56(d, 3H).

[실시예 3~4 및 비교예 1] 유기 발광 소자 제조

ITO (Indium tin oxide)가 1500Å의 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 DS-205(두산社)를 600Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 이송하는 물질인 NPB를 150Å 증착하여 정공 수송층을 형성한 후, 이어서 발광층 역할을 하는 DS-H45(두산社) 및 DS-405(두산社)를 300Å 증착하였다.

발광층 위에 전자의 주입 및 이송 역할을 하는 물질로서 실시예 1에서 제조된 화합물 Inv-1 (실시예 3), 실시예 2에서 제조된 화합물 Inv-14 (실시예 4), 또는 비교물질인 Alq3 (비교예 1)을 250Å의 두께로 증착하였다.

그 후, 전자 주입 물질인 LiF를 10 Å의 두께로 증착하였고, 알루미늄 (음극)을 2000 Å의 두께로 증착하여 유기 발광 소자를 제작하였다.

실시예 3 및 4의 유기 발광 소자 구조는 표 2에 기재 하였고, 비교예 1의 유기 발광 소자 구조는 표 3에 기재 하였다. 또한 실시예 3의 유기 발광 소자의 특성은 하기 표 4에 기재하였고, 실시예 4의 유기 발광 소자의 특성은 하기 표 5에 기재 하였고, 비교예 1의 유기 발광 소자의 특성은 하기 표 6에 기재하였다.

표 2

표 3

표 4

표 5

표 6

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 사용한 유기 발광 소자(실시예 3 및 실시예 4)는 종래 Alq3을 사용한 유기 발광 소자(비교예 1) 보다 전압 및 효율 면에서 월등한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.

도 2는 실시예 2에서 제조된 전자 전달 성 화합물인 Inv-14의 TGA 그래프이고, 도 3은 종래 알려진 전자 전달 성 물질인 Alq3의 TGA 그래프이다. 도 2 및 도 3에 따르면 본 발명의 Inv-14의 Td 값이 Alq3 보다 80℃ 정도 높은 특성을 가지고 있으며, 이에 따라 본 발명의 화합물을 사용하면 소자 내에서의 열 적 특성을 높일 수 있다.

따라서 본 발명에 의한 화합물들은 유기 EL소자의 EL 성능을 개선할 뿐만 아니라 수명 향상에 크게 기여할 수 있으며 특히 이러한 전자 수송 성능 향상은 풀 칼라 유기 EL 패널에서 성능 극대화에도 큰 효과가 있을 것으로 기대된다.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:

[화학식 1]

화학식 1에서, X는 N-R⁶, S 및 O로 이루어진 군에서 선택되며;

R¹ 내지 R⁶은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, C₁~C₄₀의 알킬기, C₂~C₄₀의 알케닐기, C₂~C₄₀의 알키닐기, C₃~C₄₀의 시클로알킬기, C₃~C₄₀의 헤테로시클로알킬기, C₆~C₄₀의 아릴알킬기, C₁~C₄₀의 알킬옥시기, C₅~C₄₀의 아릴옥시기, C₅~C₄₀의 아릴기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;

A는 단일결합, C₅~C₄₀의 아릴렌기 및 C₅~C₄₀의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택된다.
(i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서,

상기 1층 이상의 유기물 층 중 적어도 하나의 유기물 층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 발광 소자.
제2항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물 층은 전자 수송 층인 것이 특징인 유기 발광 소자.