WO2009122516A1

WO2009122516A1 - ミラー装置，光スイッチ，光ノード装置およびミラーデバイスの制御方法

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Publication number: WO2009122516A1
Application number: PCT/JP2008/056379
Authority: WO
Inventors: 俊哉岸田; 博之古川; 祐二石井
Original assignee: 富士通株式会社
Priority date: 2008-03-31
Filing date: 2008-03-31
Publication date: 2009-10-08

Abstract

　入力光を反射させるミラー体と静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、をそなえたミラーデバイス（５６ａ）が複数個配列されたミラーアレイ（５６）をそなえるとともに、各ミラーデバイス（５６ａ）の反射面角度を設定する静電力を生じさせる電気信号を該回動機構に供給する制御部（５２，５３）と、をそなえ、制御部（５２，５３）は、各ミラーデバイス（５６ａ）の反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給するミラー装置であり、安定した反射面角度の設定および高速応答性を実現する。

Description

ミラー装置，光スイッチ，光ノード装置およびミラーデバイスの制御方法

　本件は、光通信システムにおいて用いて好適の、ミラー装置，光スイッチ，光ノード装置およびミラーデバイスの制御方法に関するものである。

　小型ミラーアレイは、ＭＥＭＳ（Micro Electric Mechanical System）技術を適用して反射面角度を可変できるミラーをアレイ状に配置したデバイスである。この小型ミラーアレイを用いることにより、入力ポートからの光の出力先とする出力ポートを切り替える光スイッチを構成することができる。又、入力光としてＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）光を適用する場合においては、波長毎に出力方路を切り替えることが可能な波長選択型の光スイッチを構成することも可能である。

　小型ミラーアレイを用いて上述したような光スイッチを構成する場合には、小型ミラーアレイをなす各ミラーを傾斜させる角度を予め測定して内部メモリに格納し、外部からの切替コマンドに応じて内部メモリに格納された傾斜角データで切替を行なう。この場合において、小型ミラーアレイをなす各ミラーは、印加する電気信号（電圧信号）により生じる静電気力により傾斜される。そして、印加する電気信号の値に応じてミラーを傾斜させる静電気力が変動するようになっているので、各ミラーは、印加する電気信号により所望の角度に可変設定することができる。

　しかしながら、静電気力を発生させるための電圧信号は、ミラーの傾斜角度を大きくしようとするときに200V程度の高電圧を必要とする場合もある。このように傾斜角度を大きくしようとする場合、デバイス内におけるミラーの電位と接地点と間で放電現象が起こり一時的な電圧降下が発生しやすくなる。これによりミラーの反射面角度の制御が不安定になり、安定した光出力を得るにあたっての支障となる。ミラーアレイに絶縁コーティングを施して上述のごとき放電を抑制することも考えられるが、その際においてもより安定的なミラーの反射面角度の制御の実現が求められる。

　電極間の絶縁膜に蓄積する電荷を放電させるために、光反射領域を有する板状部材に作用する電界の向きを任意の周期で反転させる技術があるが、一定周期で光の偏光動作の運用を停止させなければならず、定常的な運用を前提とするシステムには適用することはできない。
特開２００５－１７７９９号公報

　そこで、本件の目的は、安定した反射面角度の設定および高速応答性を実現することにある。
　なお、上記目的に限らず、後述する発明を実施するための最良の形態に示す各構成により導かれる効果であって、従来の技術によっては得られない効果を奏することも他の目的として位置づけることができる。

　（１）このため、このミラー装置は、入力光を反射させるミラー体と静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、をそなえたミラーデバイスが複数個配列されたミラーアレイをそなえるとともに、該各ミラーデバイスの反射面角度を設定する静電力を生じさせる電気信号を該回動機構に供給する制御部と、をそなえ、該制御部は、該各ミラーデバイスの反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給することを要件とする。

　（２）また、この光スイッチは、光の入出力のための複数のポートをそなえ、前記光の入力および出力のためのポート間における光結合の組み合わせを切り替える光スイッチであって、入力光を反射させるミラー体と静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、をそなえたミラーデバイスが複数個配列されたミラーアレイをそなえるとともに、該複数のポートからの光を分光する分光部と、該分光部で分光された各波長光を対応する一のミラー体への前記入力光として導く集光部と、該各ミラー体の反射面角度を設定する静電力を生じさせる電気信号を該回動機構に供給することにより、前記入力光についての反射光が該集光レンズおよび該分光部を通じて導かれる出力先の前記ポートを設定する制御部と、をそなえ、該制御部は、前記ポートの切り替えのための該各ミラー体の反射面角度の切り替え動作の初動時に、前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量だけ超える初動変動量を有する電気信号を該回動機構に供給することを要件としている。

　（３）さらに、この光ノード装置は、上記（２）の光スイッチをそなえたことを要件としている。
　（４）また、このミラー体の制御方法は、入力光を反射させるミラー体の反射面角度を静電力により可変制御する方法であって、前記反射面角度を切り替える動作の初動時に、前記切り替えにより設定すべき目標反射面角度に対応する静電力を発生させる電気信号量への変動量を超える変動量の電気信号を該ミラー体に供給してから、該ミラー体に供給する電気信号量を、前記目標反射面角度に対応する電気信号量に収束させることを要件としている。

　（５）更に、このミラー装置は、入力光を反射させるミラー体と、静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、該ミラー体の反射面角度を設定する電気信号を該回動機構に供給する制御部と、をそなえ、該制御部は、該ミラー体の反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号量への変動量を超える変動量の電気信号を供給することを要件としている。

　制御部は、各ミラーデバイスの反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給することができるので、安定した反射面角度の設定および高速応答性を実現できる利点がある。

本実施形態における光スイッチを示す図である。本実施形態における光スイッチを示す図である。本実施形態におけるミラー装置を示す図である。本実施形態におけるミラーデバイスを示す図である。本実施形態におけるミラーデバイスを示す図である。本実施形態にかかる光スイッチを示す図である。本実施形態における光ノード装置を示す図である。（ａ）～（ｃ）はいずれも放電現象およびチャージング現象の発生を説明する図である。チャージングの影響による印加電圧切り替え時の光出力変動を説明する図である。ディスチャージングの影響による印加電圧切り替え時の光出力変動を説明する図である。オーバーチャージによる安定領域に到達するまでの時間を早める補正制御例を示す図である。オーバーディスチャージによる安定領域に到達するまでの時間を早める補正制御例を示す図である。本実施形態におけるＲＡＭの構成を示す図である。印加電圧とチャージング量の関係を示す図である。オーバーチャージを行なう場合と行なわない場合とで、ポート切り替え時の光出力の変動を比較する図である。ＲＡＭにおけるメモリマップの構築手法を説明するためのフローチャートである。切り替えコマンドに応じたミラーデバイスの駆動制御態様の一例を説明するためのフローチャートである。（ａ），（ｂ）はともにオーバーチャージによる補正制御を組み込んだ例を示す図である。（ａ），（ｂ）はともにオーバーチャージによる補正制御を組み込んだ例を示す図である。（ａ），（ｂ）はともにオーバーディスチャージによる補正制御を組み込んだ例を示す図である。オーバーディスチャージによる補正制御を組み込んだ例を示す図である。

符号の説明

　１　　光スイッチ
　２　　コリメータ
　３　　分光素子
　４　　集光レンズ
　５　　ミラー装置
　５１　　光ファブリック
　５２　　ＦＰＧＡ
　５３　　ＲＡＭ
　５４　　ＤＰＲＡＭ
　５５　　光アイソレータ
　５６　　ミラーアレイ
　５６ａ　　ミラーデバイス
　６１　　基板
　６２　　フレーム
　６２Ｃ　　角部
　６３　　支持体
　６４　　ミラー体
　６５，６６　　絶縁層
　７０　　ＯＡＤＭノード
　７１，７７　　光増幅器
　７２　　分岐部
　７３～７６　　光スイッチ

　以下、図面を参照することにより、実施の形態について説明する。
　ただし、以下に説明する実施形態は、あくまでも例示であり、以下に明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図は無い。即ち、本実施形態は、その趣旨に逸脱しない範囲において種々変形して実施することができる。
　〔Ａ〕一実施形態の説明
　〔Ａ１〕概略構成
　図１，図２は本実施形態にかかる光スイッチ１を示す図であり、図１は光スイッチ１示す上視図で、図２は光スイッチ１を示す側視図である。この図１，図２に示す光スイッチ１は、外部光ファイバからの光を導入する入力ポートおよび外部光ファイバへ光を導く出力ポートとして機能しうる複数のコリメータ２をそなえるとともに、これら入力ポートおよび出力ポート間における光結合の組み合わせを波長単位に切り替える。このため、光スイッチ１は、上述の複数のコリメータ２とともに、分光素子３、集光レンズ４およびミラー装置５をそなえて構成されている。

　ここで、入力ポートとして機能するコリメータ２は、光ファイバから入力される光について平行光の空間ビームを形成して分光素子３に導く。又、出力ポートとして機能するコリメータ２は、分光素子３からの（ミラー装置５での）反射光について光ファイバに導く。尚、複数個（図中は３個）そなえられるコリメータ２は、図１，図２に示すようにＺ方向に配置され、入力ポートとして機能するコリメータ２をｍ個、出力ポートとして機能するコリメータ２をｎ個とすることで（ｍ，ｎは自然数）、ｍ入力ｎ出力の光スイッチ１を構成することができる。

　分光素子（分光部）３は、入力ポートとしてのコリメータ２から入力される光を分光するものである。即ち、コリメータ２からの光について、図中Ｙ方向に波長毎に異なる出射角度で出力するようになっている。集光レンズ（集光部）４は、分光素子３で分光された各波長光を、後述するミラーアレイ５６における対応する一のミラーデバイス５６ａへの入力光として導くものである。尚、図１中においては、波長λ１～λ５にそれぞれ対応した５つのミラーデバイス５６ａについて図示している。

　ミラー装置５は、集光レンズ４からの波長毎の光について反射させて、当該集光レンズ４および分光素子３を通じて結合先の出力ポートとなるコリメータ２を切り替えるものえあって、図３に示すように、光ファブリック（Optical Fabric）５１，ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）５２，ＲＡＭ（Random Access Memory）５３およびＤＰＲＡＭ（Dual Port RAM）５４をそなえている。

　光ファブリック５１は、図３に示すように、集光レンズ４を通じて入力される各光ビームを導入するアイソレータ５５とともに、アイソレータ５５からの光について反射させるミラーデバイス５６ａをそなえたミラーアレイ５６をそなえる。尚、図３中においては、図２に示す側視方向の光ファブリック５１の構成を示すものであり、入力ポートとして図中９個のコリメータ２が配列されていること示している。

　換言すれば、アイソレータ５５は、図３中ＺＹ軸に沿う二次元方向に配列されるようになっており、Ｚ軸上の配列数は入力ポートとしてのコリメータ２の個数に相当させ、Ｙ軸上の配列数については分光素子３で分光可能な波長数に相当させることができる。換言すれば、同じコリメータ２から入力される波長の異なる光は、実質的にＹ軸に沿って配列されるミラーデバイス５６ａでそれぞれ反射されるようになっている。

　ここで、ミラーアレイ５６は、図４に示すようなミラーデバイス５６ａを複数配置されて、分光素子３で分光された各光がそれぞれ一つのミラーデバイス５６ａで反射されるようになっている。ここで、各ミラーデバイス５６ａは、図４および図５に示すような構成をそなえている。図４はＹ軸方向から見たミラーデバイス５６ａの断面図であり、図５はＺ軸方向から見たミラーデバイス５６ａの断面図である。

　これらの図４，図５に示すように、ミラーデバイス５６ａは、基板６１上に絶縁層６５を介して形成されたフレーム６２をそなえるとともに、フレーム６２に支持体６３を介して回動可能に支持されて入力光を反射させるミラー体６４をそなえる。そして、ミラー体６４を電極として例えば正の電圧信号を印加するとともに、基板６１側を接地することにより、ミラー体６４と基板６１との間に静電気力が発生して、支持体６３を通じてミラーデバイス５６ａの反射面角度を可変することができるようになっている。従って、上述の支持体６３および電極としてのミラー体６４は、静電力によりミラーデバイス５６ａの反射面角度を可変しうる回動機構を構成する。

　ここで、この図４，図５に示すように、図１～図３に示す各ミラーデバイス５６ａのミラー体６４についてもＹ軸について回動するように構成することで、入出力ポートとしてのコリメータ２間の結合を切り替えることができるようになる。
　図３に示すものにおいては、後述のＦＰＧＡ５２からの制御を受けて、該当波長を反射するミラーデバイス５６ａの反射面角度がＹ軸について回動制御され、これにより、ポート♯１～ポート♯９を通じて入力される光について、いずれか一のポート♯１～♯９からの光のみをｃｏｍポート（出力ポート）をなすコリメータ２に導くことが可能であることを示している。

　なお、ミラーデバイス５６ａの回動機構をなす支持体６３においては、図４中Ｙ軸を回動軸として回動させる構成に着目した構成を示しているが、ミラーデバイス５６ａとしては、Ｙ軸とともに、Ｙ軸に直交するＺ軸を回動軸として回動する構成をもそなえることとしてもよい。このようにすれば、図６に示すように、Ｚ軸の回動状態により、ミラー体６４の反射光を、いずれかのポート♯１～♯９，ｃｏｍポートに光学的に結合されうる反射面角度とするオン状態と、いずれのポート♯１～♯９，ｃｏｍポートにも光学的な結合が遮断されるシャッター領域Ｓに導くオフ状態と、を切り替えることができるようになる。

　すなわち、ミラーデバイス５６ａをなす支持体６３および電極としてのミラー体６４は、Ｙ軸を回動軸として、各ミラーデバイス５６ａの反射面角度について、前記反射光の光軸を、ポートの配列方向（Ｚ軸方向）に対応する方向に切り替えるための第１機構とともに、Ｚ軸を回動軸として、出力先のポートへの光結合のオンオフを切り替えるための方向（Ｙ軸方向）に可変しうる第２機構としての機能を有することができる。

　ＦＰＧＡ５２は、複数のミラーデバイス５６ａをなす電極としてのミラー体６４に対して、反射面角度設定のための電気信号、即ち駆動用の電圧信号を生成制御し供給する。又、ＲＡＭ５３は、ＦＰＧＡ５２が各ミラーデバイス５６ａにおける設定反射面角度に対応する駆動用の電圧信号値情報等について記憶しておくものである。即ち、例えばミラー体６４を電極として発生させる電圧信号により反射面角度を切り替え設定するための静電気力を生じさせることができるので、ＲＡＭ５３においては、ミラー体６４の反射面角度の設定に対応づけた供給すべき電圧信号の値について記憶しておくことができる。

　そして、ＦＰＧＡ５２においては、上述のＲＡＭ５３の内容を参照することにより、外部からの受けるコマント等に従って設定すべきポート間を入力ポートおよび出力ポートとして光学的に結合させるべく、該当ミラー体６４についての反射面角度を設定すべく、上述した電圧信号を生成制御し供給する。
　また、ＤＰＲＡＭ５４は、外部からのポート切り替え設定（即ち入出力ポートとして光学的に結合させるポートの組み合わせ設定）のコマンド情報を受けて、当該コマンド情報をＦＰＧＡ５２に受け渡すために保持するものである。

　このように構成された光スイッチ１では、入力ポートをなすコリメータ２から入力された光は、分光素子３で分光されて、集光レンズ４を通じて波長対応に配列されるミラーデバイス５６ａのミラー体６４で反射される。このとき、ＦＰＧＡ５２が各ミラーデバイス５６ａをなすミラー体６４に与える電気信号により、ミラー体６４の反射面角度が切り替わるので、入出力ポートをなすコリメータ間の反射光路についても切り替えることができる。このように切り替わった反射光路に対応して、集光レンズ４および分光素子３を通じて反射光が導かれるコリメータ２について切り替えられる。

　すなわち、ＦＰＧＡ５２およびＲＡＭ５３においては、支持体６３およびミラー体６４における上述の第１機構および該第２機構としての機能を協働させることにより、切り替え動作を行なうべく電気信号をミラー体６４に供給する一方、第１機構による反射面角度の切り替えのために、切り替え初動時における初動変動量の電気信号を供給する。
　なお、図７は上述のごとく構成された光スイッチを複数個適宜接続してなるＯＡＤＭ（Optical Add-Drop Multiplexer）ノード（光ノード装置）７０の構成例を示すものである。この図７において、７１，７７は光増幅器、７２はドロップ用の光とスルー用の光とを分岐する分岐部、７３，７４はドロップ用の光を波長単位で選択し出力しうる光スイッチ、７５はアド用の光を波長単位に選択する光スイッチ、７６は分岐部７２からのスルー用の光と光スイッチ７５からのアド用の光とを受けて伝送路へ送出すべき光を波長単位に選択して出力する光スイッチである。この図７に示すような構成のノード装置７０は、運用波長数に応じたチャンネル増設、ポート接続作業の低減、複数チャネルの柔軟な方路変更など、運用波長数に応じた柔軟な拡張性を有する点で有利であり、今後の波長多重光伝送システムにおけるノード構成の主流の一つとなると想定できる。

　〔Ａ２〕放電現象およびチャージング現象の発生の説明
　ところで、上述のミラー装置５をなすミラーデバイス５６ａにおいては、図４に示すように、電極としてのミラー体（正電極）６４および基板（接地電極）６１に、誘電体による絶縁層６６がコーティングされており、これにより、図８（ｂ）に示すように、ミラー体６４と基板６１間で高電位差が与えられたときに放電現象の発生を起こりにくくしている。

　なお、絶縁層６６がコーティングされない場合には、図８（ａ）に示すように、特に絶縁層６５を介して基板６１の領域に近接するフレーム６２の角部６２Ｃにおいて電荷が集中するために、放電現象が発生しやすい。このような放電現象が発生すると、ミラー体６４に与えられる静電気力にも変動をきたし、反射面角度についての制御の不安定を招く。これに対し、上述の絶縁層６６の形成により、反射面角度についての制御も安定化を進めることができる。

　しかし、上述の図４に示すように、誘電体による絶縁層６６をコーティングする場合、その絶縁層６６の内部に電荷が蓄積される現象(チャージング)が発生する。ミラー体６４に比較的高電圧の電気信号が印加されると、絶縁層６６が実質的にコンデンサとして機能することとなり、絶縁層６６内に電荷が蓄積されることになる（チャージング）。
　このようなチャージングにより蓄積される電荷による静電気力は、設定した印加電圧で期待される静電気力の変動の要因となる。即ち、絶縁層６６に蓄積される電荷の蓄積量により、ミラー体６４を駆動させる静電気力に影響をおよぼし、ミラー体６４の角度の正確な制御における支障となりうる。チャージングによるミラー体６４の変位量は、絶縁層６６の誘電率や体積(面積、膜厚)、ミラー体６４としての電極に印加される電圧に関係している。

　上述のごときチャージングにより影響を受けるミラー体６４を回動するための静電気力の大きさＦを図８（ｃ）に示す簡略平行平板モデルによって導出すると、式（１）のようになる。尚、図８（ｃ）のモデルは、ミラー体６４と接地された基板６１とにより互いに対向する平行平板が形成され、ミラー体６４に面積Ａで膜厚dinsの絶縁層６６が形成されているものである。又、式（１）において、Ｖはミラー体６４に印加する電圧信号の値、Ｖoffsetは、絶縁層６６へのチャージによって生じる実効電圧の変動量、Ａはコンデンサとしての実質的機能を有する絶縁層６６の面積、dinsは絶縁層６６をなす誘電体膜厚、εinsは誘電率、Qtrappedは絶縁層６６をなす誘電体に溜まったチャージを示す。

　図９は、上述のごときチャージングの影響による印加電圧切り替え時の光出力変動を説明する図である。この図９に示すように、ミラー体６４の反射面角度の切り替えを行なう際には電極としてのミラー体６４に供給する電気信号値の切り替えを行なうが、このとき、ミラー体６４への供給電圧を、切り替え前の反射面角度に対応する電圧信号値から、切り替え後の反射面角度に対応する電圧信号値ににより増大させると、ミラー体６４の反射面角度を切り替える場合において、印加電圧の切り替わり時点ｔ１から、切り替わった反射面角度（光出力レベルに相当する）が安定化するには相当の切り替え時間Ｔ１を要する。印加電圧を増大させると、絶縁層６６に電荷が蓄積されている間は緩やかに静電力が変化するため、反射面角度の変化も緩やかになるからである。

　また、印加している電圧信号を減少させる場合において、絶縁層６６に蓄積されている電荷は放電(ディスチャージング)されることになるが、このディスチャージングにおいても、図１０に示すように、前述のチャージングの場合と同様に、静電気力の変化がミラー体６４の角度（光出力レベルに相当する）に影響を与え、正確なミラー体６４の反射面角度の制御における支障となりうる。印加電圧を減少させると、絶縁層６６の電荷が放電されている間（図１０の印加電圧切り替え時点ｔ２からの時間Ｔ２参照）は、緩やかに静電力が変化するため、反射面角度の変化も緩やかになるからである。

　上述の図９および図１０に示すように、絶縁層６６への電荷の蓄積・放電は通常時定数が長く、安定するまでに相当の時間（図９のＴ１、図１０のＴ２参照）を要し、高速かつ正確なスイッチングに対する支障ともなりうる。
　〔Ａ３〕ミラー装置をなすミラーの駆動態様の説明
　そこで、本実施形態においては、制御部としてのＦＰＧＡ５２およびＲＡＭ５３が協働することにより、ミラーデバイス５６ａの反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給するようになっている。

　このため、記憶部としてのＲＡＭ５３では、複数のポートのうちで分光素子３へ光を導く入力ポートおよび反射光が導かれる出力ポートの組み合わせに応じた、各ミラー体６４の反射面角度を迅速に形成できるようにするための電気信号値に関する情報を記憶する。具体的には、ＲＡＭ５３において予め上述のごとき絶縁層６６によるチャージング又はディスチャージングにより受けうる静電気力特性の影響を少なくするための制御情報を蓄積しておく。そして、ＦＰＧＡ５２においては、このような制御情報が蓄積されたＲＡＭ５３の内容に基づきミラーデバイス５６ａへ駆動電気信号を供給することで、絶縁層６６が及ぼす静電気力の影響を抑制できるようにしている。

　すなわち、ＦＰＧＡ５２から供給される駆動電気信号としては、上述のＲＡＭ５３を参照することにより値が定められる。切り替え動作の初動時においては、切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量Ｅｖだけ超える初動変動量を有する値とする。一方、その後は設定すべき反射面角度に対応する値としている。

　換言すれば、ミラー体６４の反射面角度を静電気力により切り替える動作の初動時に、切り替えにより設定すべき目標反射面角度に対応する静電力を発生させる電気信号量への変動量を超える変動量の電気信号をミラー体６４に供給する。そして、ミラー体６４に供給する電気信号量を、目標反射面角度に対応する電気信号量に収束させる。
　ここで、初動変動量を有する値をミラー体６４に供給することを通じて、絶縁層６６における電荷の蓄積量・放電量に応じて、印加電圧を通じた過蓄積(オーバーチャージ)、又は過放電（オーバーディスチャージ）の制御を行なう。これにより、高速かつ安定した制御を実現する。図１１はオーバーチャージによる安定領域に到達するまでの時間を早める補正制御例であり、図１２はオーバーディスチャージによる安定領域に到達するまでの時間を早める補正制御例である。

　この図１１に示すように、ＦＰＧＡ５２においては、ポート切り替え指示をＤＰＲＡＭ５４を介して受け取るとＲＡＭ５３を参照する。そして、切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量に応じた時間Ｅｔ１について、切り替え初動時における初動変動量を有して変動された値の電気信号を供給する。
　過放電の制御を行なう場合においては、図１２に示すように、ＦＰＧＡ５２においては、ポート切り替え指示を、ＤＰＲＡＭ５４を介して受け取るとＲＡＭ５３を参照する。そして、切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量に応じた時間Ｅｔ２について、切り替え初動時における初動変動量を有する値の電圧信号を供給する。これにより、供給される電圧信号は目標の反射面角度に対応する電圧信号値よりも減少されて、絶縁層６６に蓄積されていた電荷の放電を促進させることができる。

　ここで、初動変動量とは、反射光の光軸が切り替え先のポート位置に対応するようなミラー体６４への電気信号値と、切り替え前のポート位置に対応するミラー体６４への電気信号値と、の差に、超過量Ｅｖを加えた量として表すことができる。尚、ここでは、上述の電気信号値の差およびＥｖの値がともに正の場合は、オーバーチャージ（図１１参照）の制御を行なう場合に該当し、電気信号値の差およびＥｖの値がともに負の場合は、オーバーディスチャージの制御を行なう場合に該当する。尚、このときの超過量Ｅｖについては、切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量に応じた超過量とすることができる。

　チャージングの変動量は、誘電体の誘電率や体積、印加電圧によりあらかじめ予測可能である。このため、方路切り替え動作の開始時から安定領域に入るまでの一定時間をオーバーチャージ又はオーバーディスチャージのための時間として設定する。これにより、図１１，図１２に示すように、方路切り替えの初動時から反射面角度が安定するまでの時間を短縮化することができる。又、方路切り替えのための印加電圧の変動量に応じて、オーバーチャージ又はオーバーディスチャージさせる電圧値自体も設定しておくことで、方路切り替えによる反射面角度の安定化を効率的に図ることができるようになる。

　ここで、ＲＡＭ５３は例えば図１３に示すようなメモリマップをそなえている。この図１３に示すものにおいては、入力ポートおよびチャンネル（分光素子３で分光される各波長に対応）によって特定されるミラーデバイス５６ａごとに、反射光が出力ポートとしてのｃｏｍポート（図３参照）へ導かれる反射面角度を与える最適点電圧に関する情報を記憶する。

　ＲＡＭ５３においては、ｃｏｍポート以外の他のポートを出力ポートとする場合の、該当ミラーデバイス５６ａにおける反射面角度を与える最適点電圧に関する情報についても、同様に記憶しておくこともできる。換言すれば、ＲＡＭ５３においては、分光素子３で分光された各光を反射させるミラーデバイス５６ａごとに、反射光が導かれる出力ポート位置に応じて、出力先のポートへ結合される反射光のパワーが所定レベルに調整される反射面角度に対応する電気信号値に関する情報を記憶する。尚、ミラーデバイス５６ａを、図１，図２中のＹ，Ｚ方向に回動自在に構成している場合には、この図１３に示すように、それぞれの回動方向への最適点電圧に関する情報を記憶しておくことができる。

　また、ＲＡＭ５３においては、切り替え動作により設定すべき反射面角度に対応する電気信号値への変動量の大きさに応じた値の超過量Ｅｖを記憶しておくとともに、切り替え初動時において前記超過量を有する電気信号を供給する時間情報Ｅｔについても記憶しておく。このとき、超過量Ｅｖとしては、切り替えにより電圧信号を増大させる場合には当該増大量に超過して更に増大させるための量（オーバーチャージ）を示し、切り替えにより電圧信号おを減少させる場合には当該減少量に超過して更に減少させるための量（オーバーディスチャージ）を示す。

　すなわち、ｃｏｍポートへの切り替え前において出力ポートとして設定していたポート位置に応じて、上述の最適点電圧への変動量も異なるので、上述の絶縁層６６におけるチャージ又はディスチャージにより反射面角度の安定化に要する時間も異なる。そこで、アレイ状に配列されるミラーデバイス５６ａごとに、切り替え前におけるポート位置に応じて、オーバーチャージ又はオーバーディスチャージする電圧量および時間の情報を記憶しておくのである（図１３の「切り替え前Port別チャージ電圧」，「切り替え前Port別チャージ時間」参照）。

　換言すれば、切り替え前の該当ミラーデバイス５６ａへの制御電圧信号の値をＥ０、切り替え後の最適制御電圧信号の値をＥ１とすると、超過量を与えるときの初動変動量は、（Ｅ１－Ｅ０）＋Ｅｖとなる。オーバーチャージを行なう場合には、（Ｅ１－Ｅ０）およびＥｖの値は正の値となる一方、オーバーディスチャージを行なう場合には、（Ｅ１－Ｅ０）およびＥｖの値は負の値となる。

　これにより、制御信号供給部としてのＦＰＧＡ５２においては、ＲＡＭ５３に記憶される、設定すべき反射面角度に対応する電気信号値および超過量Ｅｖおよび超過量を与える時間情報Ｅｔに基づいて、前記切り替え動作のための駆動電気信号を電極としてのミラー体６４に供給する。尚、ＦＰＧＡ５２から供給される駆動電気信号は、上述の切り替え動作の初動時においては切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値（最適点電圧）までの変動量を超える超過量を有する値とする一方、その後は設定すべき反射面角度に対応する値とする。

　また、ＲＡＭ５３においては、分光素子３で分光された各光を反射させるミラーデバイス５６ａごとに、反射光が導かれる出力ポートの設定に応じて、出力先のポートへ結合される反射光のパワーが所定レベルに調整される反射面角度に対応する電気信号値に関する情報を記憶しておくこともできる。即ち、ＲＡＭ５３においては、出力先の光ファイバへ導かれる際の光パワーとして求められる複数のレベルに対応して、ミラー体６４へ供給すべき駆動電気信号の値についても情報として保持しておくことができるのである。

　図１４は上述のミラーデバイス５６ａにおけるミラー体６４への印加電圧とチャージングとの関係を示す図である。この図１４に示すように、印加電圧の増大に実質的に比例して、チャージングも早く発生し、又、反射面角度も安定領域に早く到達する。従って、図９又は図１０に示すように、最適点電圧への切り替えのみによっては安定領域に到達するまで相当時間Ｔ１，Ｔ２を要するのに対して、図１１又は図１２に示すように、切り替え初動時に超過量Ｅｖを与えることにより、早期に反射面角度の安定化を実現することが可能となる。

　図１５は、上述のオーバーチャージを行なう場合（ａ）と行なわない場合（ｂ）とで、ポート切り替え時の光出力の変動（反射面角度に相当）を比較する図である。ポート切り替えのための制御電圧信号が供給されるとき（時点ｔ２）、上述のオーバーチャージを行なうと（ａ）、オーバーチャージを行なわない場合に比べて（ｂ）、光出力を早期に安定化させることが可能になり、又、事実上チャージングによる変動をほとんど無くすことも可能である。

　図１６は、上述の図１３に示すようなＲＡＭ５３におけるメモリマップの構築手法を説明するためのフローチャートである。ＲＡＭ５３におけるメモリマップとしては、ミラーアレイ５６が適用される光スイッチ１の構成に応じて、各ミラーデバイス５６ａへの駆動電気信号の値は、方路切り替えに最適に適合するよう、運用開始に先立って構築しておく必要がある。

　まず、ＦＰＧＡ５２においては、初期値としての入出力ポートの対応関係に応じた各ミラーデバイス５６ａの駆動電圧信号の情報を最適点電圧としてＲＡＭ５３に記憶させる（ステップＡ１）。ついで、ＦＰＧＡ５２においては、各ミラーデバイス５６ａにおいて光学的結合を予定する入出力ポートの組の切り替え前後での組み合わせに応じた、絶縁層６６での帯電量の変化を測定することにより、チャージング又はディスチャージング量の変化特性を測定する（ステップＡ２）。

　そして、ＦＰＧＡ５２において、上述のごとく測定されたチャージング又はディスチャージング量の変化特性に応じて、初動変動量の電気信号を供給するための超過量Ｅｖおよび時間Ｅｔを演算処理により導出する（ステップＡ３）。そして、導出結果としてのＥｖおよびＥｔに関する情報を、各ミラーデバイス５６ａにおいて切り替えが想定されるポートの組み合わせに対応して記憶していく（ステップＡ４）。

　このようにして、ＲＡＭ５３ではオーバーチャージおよびオーバーディスチャージのための制御量を記憶しておくことができるようになる。
　〔Ａ４〕ポート切り替えの具体的態様の説明
　図１７は上述のごとく構成されたミラー装置５が適用された光スイッチ１において、切り替えコマンドに応じたミラーデバイス５６ａの駆動制御態様の一例を説明するためのフローチャートである。この図１７に示すように、ＤＰＲＡＭ５４を通じて切り替えコマンドを受けると（ステップＢ１）、ＦＰＧＡ５２ではＲＡＭ５３の内容を読み込むことにより、切り替え対象の入力ポートを通じて入力される光を反射させるミラーデバイス５６ａを、反射光がシャッター領域Ｓ（図６参照）に導かれる反射面角度とするための制御電圧信号に関する情報を取得し（ステップＢ２）、取得した制御電圧信号に従って、反射光をシャッター領域に導く（ステップＢ３）。

　これにより、入力ポートを通じて入力される光の反射光が他のポートに漏れ出さないようにするために、反射光のコリメータ２近傍で結合する光軸が、いずれのコリメータ２への光学的結合が遮断されるように、該当ミラーデバイス５６ａの反射面角度が切り替えられる（図１５の時間Ｔｓ参照）。
　上述のシャッター領域Ｓへ反射光が導かれるような反射面角度の制御に続いて、ＦＰＧＡ５２では、ＲＡＭ５３から、切り替え先の出力ポートへ導くにあたっての初動変動量に関する情報を読み出す（ステップＢ４）。これにより、前述のオーバーチャージ又はオーバーディスチャージのための超過量Ｅｖおよび時間Ｅｔに関する情報を取得する。ＦＰＧＡ５２では、読み出した超過量Ｅｖおよび時間Ｅｔに関する情報とともに、切り替え先の出力ポートに反射光を光学的に結合させるための反射面角度を設定するための最適点電圧に関する情報を取得して、これらの情報をもとに、オーバーチャージまたはオーバーディスチャージのための電圧信号を電極としてのミラー体６４に供給する。これにより、ミラーデバイス５６ａの反射面角度をオーバーチャージ又はオーバーディスチャージ位置に対応する角度に向けて移動させることができる（ステップＢ５）。

　その後、ＦＰＧＡ５２では、オーバーチャージ又はオーバーディスチャージのための時間Ｅｔが経過すると、切り替え先の出力ポートに反射光を光学的に結合させるための反射面角度を設定するための最適点電圧に関する情報をＲＡＭ５３から読み出し（ステップＢ６）、読み出した情報をもとにした制御電圧信号をミラー体６４に供給する。これにより、ミラーデバイス５６ａの反射面角度が切り替えられて、反射光を切り替え先の出力ポートへ導くことができるようになる（ステップＢ７）。

　ところで、上述のごとき反射光のシャッター領域への移動に対応するミラーデバイス５６ａの反射面角度の設定、および、上述のオーバーチャージ又はオーバーディスチャージによる反射面角度の設定については、組み合わせにより適用態様として種々のものを想定することができる。図１８（ａ），図１８（ｂ），図１９（ａ）および図１９（ｂ）はオーバーチャージによる補正制御を組み込んだ例を示し、図２０（ａ），図２０（ｂ）および図２１はオーバーディスチャージによる補正制御を組み込んだ例を示す。

　図１８（ａ）は、オーバーチャージを行なう場合においてスイッチング制御時の光の動きと光ファイバアレイへの結合状態の一例を示す図である。例えばこの図１８（ａ）に示すように、ポートスイッチングを行なう場合、一度ファイバから離れる位置（シャッター領域Ｓ）に反射光の光軸を動かし退避させて（Ｓ１）、他ポートへの光の漏れ込みを防ぐようにする。即ち、ＦＰＧＡ５２からミラーデバイス５６ａへの駆動電圧信号により、ポート配列方向（Ｚ軸方向）とは異なるＹ軸方向に反射光の光軸がシフトするように反射面角度を切り替える。

　つぎに、ポート切り替え方向（Ｚ軸方向）に反射光の光軸が移動するように反射面を回動させる。このとき、ファイバに結合する位置よりも、ポート方向（Ｚ軸方向）において切り替え先のポート位置に対応する制御電圧値よりも制御電圧値が高くなる位置（超過量Ｅｖに相当する位置）まで移動し（Ｓ２）、時間Ｅｔの間はオーバーチャージング状態で保持させる（Ｓ３）。その後、Ｚ軸上においてポート位置に対応する位置に戻し（Ｓ４）、Ｙ軸上において出力ポートへ結合させる回動制御を行なう（Ｓ５）。これにより、光出力が安定するまでの時間を短縮することが可能である。

　また、図１８（ｂ）は、オーバーチャージを行なう場合の他の例を示す図である。シャッター領域Ｓに反射光の光軸を移動させ（Ｓ１）、ポート方向（Ｚ軸方向）において切り替え先のポート位置に対応する制御電圧値よりも制御電圧値が電圧が高くなる位置まで移動させる（Ｓ２）点は図１８（ａ）と同様である。その後の時間Ｅｔの間のオーバーチャージング時においては、当該オーバーチャージングに並行してポート配列軸に反射光の光軸が合致させる方向（Ｙ軸方向）に回動させ（Ｓ３ａ）、その後にＺ軸上においてポート位置に対応する位置に戻している（Ｓ４）。これにより、図１８（ａ）の場合におけるオーバーチャージングの時間保持（Ｓ３）によるタイムロスを無くすことが可能となる。

　したがって、制御部としてのＦＰＧＡ５２およびＲＡＭ５３においては、支持体６３および電極としてのミラー体６４による第１，第２機構としての機能を協働させることにより、ポート切り替え動作を行なうべく駆動電気信号をミラー体６４に供給する一方、Ｚ軸方向を光軸移動させる反射面角度の切り替えの際に、切り替え初動時における初動変動量の電気信号を供給する。

　このとき、ＦＰＧＡ５２においては、図１８（ｂ）に示すように、第１機構に対する初動変動量の電気信号の供給とともに、第２機構に対する、切り替え先のポートへの結合をオフ状態からオン状態とするための電気信号の供給を同時に行なうことができる。
　また、図１９（ａ）は、図１８（ｂ）におけるポート配列軸（Ｚ軸）に沿った方向に反射光の光軸を戻す際に（Ｓ４参照）、切り替え先の出力ポートとしてのコリメータ２への光結合効率を調整することにより、出力ポートとしてのコリメータ２から外部の光ファイバに出力される光の強度を可変減衰させるものである（Ｓ４ａ）。

　スイッチングと同時に所望の減衰量を得る場合、減衰位置に移動するルートによって、光出力が所望の減衰量を上回ってしまう状態が発生しうる。例えば、図１９（ａ）に示すように、コリメータ２により光結合可能な範囲（図中の小円内）における中央下部位置が、目標減衰量を得る光軸位置となる場合には、Ｓ４ａでの光軸を移動させる際に、コリメータ２により光結合効率が実質的に最も高い位置（図中の小円中央）を通過することになる。これは、高速での方路スイッチングを行なう場合、目標レベルよりも過大な光が切り替えの過程で伝搬されることになり、良好な通信システム性能を維持する際の支障となりうる。

　この場合においては、例えば図１９（ｂ）に示すように、オーバーチャージングに並行してポート配列軸側（Ｙ軸方向）に反射光の光軸を移動させる（Ｓ３ｂ－１）。その途中、Ｙ軸上においてコリメータ２による光結合可能な範囲に入る前に、目標減衰量を得るためのＺ軸方向への光軸移動を完了させておく（Ｓ３ｂ－２）。その後、Ｙ軸方向について光軸の移動を完了させる（Ｓ３ｂ－３）。これにより、方路切り替えのための光軸移動の過程において、光出力が目標減衰量を上回ることを防止させることができるようになる。

　図２０（ａ），図２０（ｂ）はそれぞれ、図１８（ａ），図１８（ｂ）に示すオーバーチャージの場合に倣ったオーバーディスチャージによる補正制御を組み込んだ場合の制御例を示す図である。
　図２０（ａ）に示す場合においては、シャッター領域Ｓに反射光の光軸を移動させ（Ｓ１１）、ポート方向（Ｚ軸方向）において切り替え先のポート位置に対応する制御電圧値よりも制御電圧値が低くなる位置まで移動させる（Ｓ１２）。その後の時間Ｅｔの間はオーバーチャージング状態で保持させてから（Ｓ１３）、Ｚ軸上においてポート位置に対応する位置に戻し（Ｓ１４）、Ｙ軸上において出力ポートへ結合させる回動制御を行なう（Ｓ１５）。これにより、光出力が安定するまでの時間を短縮することが可能である。

　また、図２０（ｂ）に示す場合においては、図２０（ａ）の場合と異なる。時間Ｅｔの間のオーバーディスチャージング時において、当該オーバーディスチャージングに並行してポート配列軸に反射光の光軸が合致させる方向（Ｙ軸方向）に回動させ（Ｓ１３ａ）、その後にＺ軸上においてポート位置に対応する位置に戻している（Ｓ１４）。これにより、図１８（ａ）の場合におけるオーバーディスチャージングの時間保持（Ｓ１３）によるタイムロスを無くすことが可能となる。

　さらに、図２１に示す場合においては、図２０（ｂ）におけるポート配列軸（Ｚ軸）に沿った方向に反射光の光軸を戻す際に（Ｓ１４参照）、切り替え先の出力ポートとしてのコリメータ２への光結合効率を調整する。これにより、出力ポートとしてのコリメータ２から外部の光ファイバに出力される光の強度を可変減衰させるものである（Ｓ１４ａ）。
　〔Ａ５〕
　このように、本実施形態によれば、制御部としてのＦＰＧＡ５２，ＲＡＭ５３は、各ミラーデバイス５６ａの反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給することができる。従って、安定した反射面角度の設定および高速応答性を実現できるという利点がある。

　〔Ｂ〕その他
　上述した実施形態にかかわらず、種々変形して実施することが可能である。
　上述の本実施形態においては、波長および入力ポートごとに対応して複数のミラーデバイス５６ａが配列されたミラーアレイ５６として構成した場合について詳述している。しかし、本発明によれば、単一のミラーデバイス５６ａをそなえる装置において、上述のごとき初動変動量の電気信号を供給することとしてもよい。このようにしても上述の場合と同様、安定した反射面角度の設定および高速応答性を実現することができる。

Claims

　入力光を反射させるミラー体と静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、をそなえたミラーデバイスが複数個配列されたミラーアレイをそなえるとともに、
　該各ミラーデバイスの反射面角度を設定する静電力を生じさせる電気信号を該回動機構に供給する制御部と、をそなえ、
　該制御部は、該各ミラーデバイスの反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号への変動量を超える初動変動量の電気信号を供給することを特徴とする、ミラー装置。
　光の入出力のための複数のポートをそなえ、前記光の入力および出力のためのポート間における光結合の組み合わせを切り替える光スイッチであって、
　入力光を反射させるミラー体と静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、をそなえたミラーデバイスが複数個配列されたミラーアレイをそなえるとともに、
　該複数のポートからの光を分光する分光部と、
　該分光部で分光された各波長光を対応する一のミラー体への前記入力光として導く集光部と、
　該各ミラー体の反射面角度を設定する静電力を生じさせる電気信号を該回動機構に供給することにより、前記入力光についての反射光が該集光レンズおよび該分光部を通じて導かれる出力先の前記ポートを設定する制御部と、をそなえ、
　該制御部は、前記ポートの切り替えのための該各ミラー体の反射面角度の切り替え動作の初動時に、前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量だけ超える初動変動量を有する電気信号を該回動機構に供給することを特徴とする、光スイッチ。
　前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量に応じた時間について、前記切り替え初動時における前記超過量を有する値の電気信号を供給することを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量に応じて、前記切り替え初動時において供給される電気信号にかかる前記超過量が設定されたことを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　該制御部は、
　該複数のポートのうちで該分光部への光を導く入力ポートおよび前記反射光が導かれる出力ポートの組み合わせに応じた、該各ミラー体の反射面角度を形成するための電気信号値に関する情報を記憶する記憶部と、
　該記憶部の内容を参照することにより、前記切り替え動作のための駆動電気信号を該回動機構へ供給する制御信号供給部と、をそなえたことを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　該記憶部は、前記切り替え動作により設定すべき反射面角度に対応する電気信号値への変動量の大きさに応じた値の前記超過量を記憶しておき、
　該制御信号供給部は、該記憶部に記憶される、設定すべき反射面角度に対応する電気信号値および前記超過量に基づいて、前記切り替え動作のための駆動電気信号を該回動機構に供給することを特徴とする、請求項５記載の光スイッチ。
　該制御信号供給部から供給される駆動電気信号は、前記切り替え動作の初動時においては前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量だけ超える初動変動量とする一方、その後は設定すべき反射面角度に対応する値とすることを特徴とする、請求項５記載の光スイッチ。
　該記憶部は、該切り替え初動時において前記超過量を有する電気信号を供給する時間情報についても記憶しておき、
　該制御信号供給部は、前記切り替え動作の初動時においては、該記憶部に記憶される前記時間情報に応じて前記超過量を有する駆動電気信号を該回動機構に供給することを特徴とする、請求項５記載の光スイッチ。
　該記憶部は、該分光部で分光された各光を反射させる該ミラーデバイスごとに、前記反射光が導かれる出力ポートに応じて、前記出力先の前記ポートへ結合される反射光のパワーが所定レベルに調整される反射面角度に対応する電気信号値に関する情報を記憶することを特徴とする、請求項５記載の光スイッチ。
　該制御部は、前記ポートの切り替えのための該各ミラー体の反射面角度の切り替え動作の際に、該回動機構に供給する電気信号を増大させる場合には、前記切り替え動作の初動時に、前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量だけ超える値まで前記電気信号を増大させることを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　該制御部は、前記ポートの切り替えのための該各ミラー体の反射面角度の切り替え動作の際に、該回動機構に供給する電気信号を減少させる場合には、前記切り替え動作の初動時に、前記切り替え動作開始時の電気信号値から設定すべき反射面角度に対応する電気信号値までの変動量を超過量だけ超える値まで前記電気信号を減少させることを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　該回動機構は、該各ミラー体の反射面角度について、前記反射光の光軸を、前記ポートの配列方向に対応する方向に切り替えるための第１機構とともに、出力先の前記ポートへの結合のオンオフを切り替えるための第２方向に可変しうる第２機構をそなえ、
　該制御部は、該第１機構および該第２機構を協働させることにより前記切り替え動作を行なうべく前記電気信号を該第１機構および該第２機構に供給する一方、該第１機構による反射面角度の切り替えのために、前記切り替え初動時における前記初動変動量の電気信号を供給することを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　該制御部は、前記第１機構に対する前記初動変動量の電気信号の供給とともに、該第２機構に対する、切り替え先の前記ポートへの結合をオフ状態からオン状態とするための電気信号の供給を同時に行なうことを特徴とする、請求項１２記載の光スイッチ。
　該各ミラー体は、誘電体による絶縁膜を有することを特徴とする、請求項２記載の光スイッチ。
　請求項２記載の光スイッチをそなえたことを特徴とする、光ノード装置。
　入力光を反射させるミラーデバイスの反射面角度を静電力により可変制御する方法であって、
　前記反射面角度を切り替える動作の初動時に、前記切り替えにより設定すべき目標反射面角度に対応する静電力を発生させる電気信号量への変動量を超える変動量の電気信号を該ミラーデバイスに供給してから、
　該ミラーデバイスに供給する電気信号量を、前記目標反射面角度に対応する電気信号量に収束させることを特徴とする、ミラーデバイスの制御方法。
　入力光を反射させるミラー体と、
　静電力により該ミラー体の反射面角度を可変しうる回動機構と、
　該ミラー体の反射面角度を設定する電気信号を該回動機構に供給する制御部と、をそなえ、
　該制御部は、該ミラー体の反射面角度の切り替え初動時に、設定すべき反射面角度に対応する電気信号量への変動量を超える変動量の電気信号を供給することを特徴とする、ミラー装置。