WO2008155987A1 - Composition de polissage, procédé pour le polissage de la surface d'un circuit intégré à semi-conducteur et procédé pour la production d'une interconnexion en cuivre pour circuit intégré à semi-conducteur - Google Patents
Composition de polissage, procédé pour le polissage de la surface d'un circuit intégré à semi-conducteur et procédé pour la production d'une interconnexion en cuivre pour circuit intégré à semi-conducteur Download PDFInfo
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Abstract
L'invention a pour objet une technique servant à produire une surface extrêmement plane dans un circuit intégré à semi-conducteur qui utilise du cuivre en tant que métal d'interconnexion. Ainsi, l'invention concerne : une composition de polissage comprenant un grain abrasif, un acide carboxylique aliphatique, un acide pyridinecarboxylique, un agent oxydant et de l'eau et ayant une valeur de pH allant de 8,2 à 12, ledit acide carboxylique aliphatique étant au moins un élément sélectionné dans le groupe comprenant un acide monocarboxylique aliphatique saturé ayant un groupe hydrocarboné à longue chaîne en C12-16, un acide monocarboxylique aliphatique insaturé ayant un groupe hydrocarboné à longue chaîne en C12-22 et un acide polycarboxylique aliphatique insaturé ayant un groupe hydrocarboné à longue chaîne en C12-22 ; un procédé pour le polissage de la surface d'un circuit intégré à semi-conducteur, lequel est caractérisé en ce qu'on polit en utilisant la composition de polissage un film de cuivre formé sur la surface mise sous forme de tranchées ; et un procédé servant à produire une interconnexion en cuivre pour un circuit intégré à semi-conducteur, lequel est caractérisé en ce qu'on forme l'interconnexion en cuivre par le procédé de polissage.
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