WO2008072437A1

WO2008072437A1 - 接着剤組成物、接着フィルムおよび剥離方法

Info

Publication number: WO2008072437A1
Application number: PCT/JP2007/071801
Authority: WO
Inventors: Takahiro Asai; Koichi Misumi; Atsushi Miyanari; Yoshihiro Inao; Akihiko Nakamura
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2006-12-12
Filing date: 2007-11-09
Publication date: 2008-06-19
Anticipated expiration: 2009-06-12
Also published as: JP2008144083A; TW200844198A

Abstract

　本発明に係る接着剤組成物は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物内にマイクロカプセルを含んでいることを特徴としている。上記マイクロカプセルは、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなる。これにより、加熱することによって接着力が低減し、その結果、接着剤層を基板から容易に剥離することができる接着剤組成物を提供する。

Description

明細書

接着剤組成物、接着フィルムおよび剥離方法

技術分野

[0001] 本発明は、加熱することによって接着力を低減させることができる接着剤組成物、接着フィルム、およびそれらの剥離方法に関する。

背景技術

[0002] 携帯電話、デジタル AV機器および ICカードなどの高機能化にともな!/、、搭載される半導体シリコンチップ (以下、チップ）の小型化、薄型化および高集積化への要求力尚まっ飞レヽる。ま 7こ、 C≥>_P、chip size package)および MCP multi— chip package;に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路についても、その薄型化が求められている。その中において、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム'イン'パッケージ（SiP)は、搭載されるチップを小型化、薄型化および高集積化し、電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術となっている。

[0003] 電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現するためには、チップの厚さを 15 C^ m以下にまで薄くする必要がある。さらに、 CSPおよび MCPにおいては lOO ^ m 以下、 ICカードにおいては 50 m以下にチップを研削し、薄板化するための研削ェ程を行う必要がある。しかし、チップのベースとなる半導体ウェハは、研削することにより肉薄となるため、その強度は弱くなり、半導体ウェハにクラックおよび反りが生じやすくなる。また、薄板化した半導体ウェハは、搬送を自動化することができないため、人手によって行わなければならず、その取り扱!/、が煩雑であった。

[0004] そのため、研削する半導体ウェハにサポートプレートと呼ばれるガラスまたは硬質プラスチックなどを貼り合せることによって、半導体ウェハの強度を保持し、クラックの発生および半導体ウェハに反りが生じることを防止するウェハサポートシステムが開発されている。また、ウェハサポートシステムにより、半導体ウェハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウェハの搬送を自動化することができる（例えば、特許文献 1参照)。 [0005] ウェハサポートシステムにおいて、最終的に、サポートプレートは半導体ウェハから取り外される。したがって、半導体ウェハとサポートプレートとを一時的に貼り合せるための接着物質は、その接着強度が強いことだけでなぐ薄い半導体ウェハから容易に、かつ半導体ウェハに残存することなく剥離できるものでなければならない。

[0006] 接着物質を剥離するためには、サポートプレートと半導体ウェハとの間に位置する接着物質の層 (接着剤層）に剥離液を浸透させなければならないため、半導体ゥェノ、からサポートプレートを剥離するまでに長時間を要する。そのため、短時間で半導体ウェハからサポートプレートを剥離するためには、剥離時に接着物質の接着力をある程度低減させる必要がある。

[0007] 例えば、特許文献 2および 3には、あらかじめ接着物質の構成成分として光および

/または熱によって発泡する成分を含有しておくことによって、剥離時に接着物質を発泡させ、該接着物質の接着力を低減させることが開示されている。

[0008] また、特許文献 4には、光を照射することによって酸を発生させる成分をさらに含有し、発泡による作用だけでなく酸の作用によっても接着物質の接着力を低減させ、剥離を容易とする方法が開示されている。

特許文献 1 :日本国公開特許公報「特開 2005— 191550号公報 (公開日： 2005年 7 月 14日）」

特許文献 2 :日本国公開特許公報「特開 2004— 43732号公報 (公開日： 2004年 2 月 12日）」

特許文献 3 :日本国公開特許公報「特開 2004— 2547号公報 (公開日： 2004年 1月 8日）」

特許文献 4 :日本国公開特許公報「特開 2005— 290146号公報 (公開日： 2005年 1 0月 20日）」

発明の開示

[0009] ガラス転移点 (Tg)が 100°C以下である接着物質は、 100〜200°Cに加熱することによって、硬化していた接着物質がゲル化するために接着力が低減し、容易に剥離すること力 sできる。しかし、ガラス転移点 (Tg)が高くなるにつれて接着物質はゲル化しにくくなり、 100〜200°C程度の加熱では接着力が低減されず、剥離が困難となる。また、ガラス転移点 (Tg)が 100°C以上の接着物質では、 200°C以上に加熱することにより剥離液に不溶な物質が形成されてしまい、剥離が困難になるという問題を有している。

[0010] また、例えば、接着物質を半導体ウェハとサポートプレートとの接着に用いる場合には、上述した研削工程において、蛍光灯などの光照射下にて作業を行うため、光によって接着力が低減しない接着物質を用いる必要がある。

[0011] 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、加熱によって接着力が低減し、接着剤組成物を被接着物から容易に剥離することができる接着剤組成物、接着フィルム、およびそれらの剥離方法を提供することにある。

[0012] 本発明の第 1の態様は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物であって、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によつて気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ、上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなるマイクロカプセルを含むことを特徴とする接着剤組成物である。

[0013] また、本発明の第 2の態様は、フィルム上に、第 1の態様の接着剤組成物を含む接着剤層を備えていることを特徴とする接着フィルムである。

[0014] また、本発明の第 3の態様は、第 1の態様の接着剤組成物を基板に塗布し、上記接着剤組成物を乾燥させるためにプリベータする力、、もしくは、第 2の態様の接着フィルムを基板に貼着することによって、基板上に接着剤層を形成した後、上記基板から上記接着剤層を剥離する剥離方法であって、上記基板および上記接着剤層を 150 〜200°Cの範囲で加熱する加熱工程の後、上記基板と上記接着剤層とを剥離液を用いて剥離する剥離工程を行うことを特徴とする剥離方法である。

[0015] 本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 〔実施の形態 1〕

本発明に係る接着剤組成物の一実施の形態について、以下に説明する。接着剤組成物は、接着剤としての用途に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウェハサポートシステムにおいて、半導体ウェハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。

[0017] なお、本明細書等における「サポートプレート」とは、薄板化する半導体ウェハに貼り合せることによって、薄化した半導体ウェハにクラックおよび反りが生じないように保護するために用いられる基板のことである。

[0018] (接着剤組成物の構成）

本発明に係る接着剤組成物は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物内にマイクロカプセルが含まれている構成である。本実施の形態では、まず、本発明の特徴点に関わるマイクロカプセルについて説明し、次に単量体組成物について説明する。

[0019] なお、本明細書等における「主成分」とは、組成物に含まれる全成分のうち、 50質量％を越える成分であることを意味しており、 70質量％以上であることがより好ましく

、 80質量％であることがさらに好ましい。

[0020] (マイクロカプセルの構成および粒径）

本発明における「マイクロカプセル」とは、芯物質をミクロン単位の小さな粒子とし、個々の粒子をそれぞれ薄!/、皮膜で包んだ複合体である。芯物質および皮膜につ!/ヽては、後で詳述する。

[0021] マイクロカプセルの粒径は、 l〜3〃mの範囲であることが好ましぐ；!〜 2· 5〃の範囲であることがより好ましい。マイクロカプセルの粒径を上記範囲内とすることによつて、接着剤組成物を半導体ウェハまたはサポートプレートに塗布したとき、塗布膜の膜厚が不均一となることを抑制することができる。また、上記範囲内であれば、マイクロカプセルを容易に製造すること力 Sできる。

[0022] (芯物質の性質および種類）

本実施の形態に係るマイクロカプセルの芯物質は、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する物質であり、 100〜200°Cの範囲の温度で気化する物質であることが好ましぐ 120〜200°Cの範囲の温度で気化する物質であることがより好ましい。これは、芯物質の沸点が 100〜200°Cの範囲であることが好ましぐ 120〜200°Cの範囲であることがより好ましいと言い換えることができる。上記芯物質としては、疎水性の有機溶剤を挙げることができる。具体的には、キシレン、ェチルベンゼン、トルエンであることが好ましい。

[0023] これによつて、従来、 200°Cを超える温度にまで加熱する必要があった接着剤組成物であっても、 100〜200°C程度の加熱によって接着力を低減させ、容易に剥離すること力 Sできる。また、ウェハサポートシステムによるチップの作製工程における 100 °C程度の加熱によって、接着剤組成物の接着力が低減してしまうことを防ぐことができる。

[0024] (皮膜の性質および種類）

本実施の形態に係るマイクロカプセルの皮膜は、接着剤組成物に対して不溶であり、何らかの刺激が加えられることによって破壊されるものであれば、特に限定されるものではない。皮膜を破壊する刺激としては、例えば、熱、光、または物理的衝撃などを挙げること力 Sできる。

[0025] 熱による皮膜の破壊は、熱により膨張した芯物質がマイクロカプセルの内圧を高め、皮膜がこの内圧に耐えられなくなることによって引き起こされる。したがって、皮膜は、芯物質の沸点付近の温度で破壊されることが好ましい。具体的には、皮膜が破壊される温度は、 100°C以上であることが好ましぐ 100〜200°Cの範囲であることがより好ましい。

[0026] このような皮膜として、例えば、メラミン樹脂、ゼラチン、尿素樹脂、ウレタン樹脂、およびポリウレァ樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、メラミン樹脂であることがより好ましい。

[0027] また、光による皮膜の破壊は、ポジ型の感光性樹脂からなる皮膜が光の照射により分解し、接着剤組成物の溶剤に溶解することによって引き起こされる。

[0028] また、皮膜の破壊に用いる光の波長は、特に限定されるものではないが、紫外線であること力 S好ましく、 g線、 h線および i線であることがより好ましい。

[0029] また、物理的衝撃による皮膜の破壊は、外部から衝撃により皮膜が物理的に破壊されることによって引き起こされる。物理的衝撃としては、例えば、半導体ウェハとサボートプレートとを貼り付けるときの衝撃などを挙げることができる。

[0030] なお、皮膜の厚さは、皮膜を構成する樹脂の種類や、皮膜を破壊する上記刺激に応じて適切な厚さとなるように、適宜設定すればよい。

[0031] (マイクロカプセルの添加量）

マイクロカプセルの添加量は、単量体組成物を重合してなる重合体に対して;!〜 30 質量％の範囲であることが好ましぐ 10〜25質量％であることがより好ましい。

[0032] マイクロカプセルの添加量を 30重量％以下とすることによって、接着剤組成物の透明性が低下することを防ぐことができる。これによつて、半導体ウェハとサポートプレートとの貼り合せにおいて、レーザによるサポートプレートの位置合せを行う際に、サポートプレートが検出できなくなることを防ぐことができる。また、マイクロカプセルの添加量を 1重量％以上とすることによって、本願発明の効果を十分に得ることができる。

[0033] (マイクロカプセルの製造方法）

マイクロカプセルの製造方法は、従来公知の方法を用いることができる。マイクロ力プセルの製造方法として、具体的には、特開平 5— 212268号公開公報に開示された方法で製造することができる。

[0034] (単量体組成物の種類）

単量体組成物の種類は、特に限定されるものではないが、スチレンと、環式構造を有する（メタ）アクリル酸エステルと、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとを含むことが好ましい。以下、本明細書における環式構造を有する（メタ）アタリル酸エステルを、（メタ）アクリル酸エステルと称し、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルを、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと称する。

[0035] (メタ）アクリル酸エステルは、フエノキシェチル（メタ）アタリレート、フエノキシメチル（メタ）アタリレート、シクロへキシル（メタ）アタリレート、シクロペンチル（メタ）アタリレート、 1ーァダマンチル（メタ）アタリレート、ノルボルニル（メタ）アタリレート、イソボル二ル（メタ）アタリレート、トリシクロデカニル (メタ）アタリレート、テトラシクロドデカニル (メタ）アタリレートなどであることが好ましぐフエノキシェチル (メタ）アタリレートであることがより好ましい。

[0036] また、（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が 1〜20の（メタ）アクリル系アルキルエステルであることが好ましい。

[0037] 具体的には、アルキル基がメチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、 2—ェチルへキシル基、イソォクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、トリデシル基、 n—ペンタテシノレ基、 n—へキサテシノレ基、 n—ヘプタテンノレ基、 n—ォクタァシル基、 n—ノナデシル基、および n—エイコサデシル基などからなるアクリル酸ないしはメタクリル酸のアルキルエステルを挙げることができる。

[0038] なお、これらのアルキル基は、直鎖状であってもよいし、また分岐鎖を有していてもよい。また、これらの鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、単独で用いてもよいし、 2種類以上を混合して用いてもよい。

[0039] (単量体組成物の配合量）

接着剤組成物の主成分である重合体を構成する単量体組成物にぉレ、て、その配合量は特に限定されるものではない。本実施の形態においては、スチレン、（メタ）ァクリル酸エステルおよび（メタ）アクリル酸アルキルエステルの総量を 100質量部としたとき、スチレンが 10〜70質量部、（メタ）アクリル酸エステルが 20〜50質量部、（メタ）アクリル酸アルキルエステルが 10〜 50質量部の範囲で配合されていることが好ましい。各単量体組成物を上記範囲で配合することによって、ウェハサポートシステムにおける半導体ウェハとサポートプレートとの接着に対して、好適に用いることができる接着剤組成物とすることができる。

[0040] (付記事項）

また、接着剤組成物には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、所望により混和性のある添加物、例えば接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されている添カロ剤をさらに添加含有することができる。

[0041] さらに、接着剤組成物は、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、粘度調整のために有機溶剤を用いて希釈してもよ!/、。

[0042] 上記有機溶剤として、具体的には、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン、メチルイソアミルケトン、 2—へプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、エチレングリコーノレモノアセテート、ジエチレングリコーノレ、ジエチレングリコーノレモノァセテ一ト、プロピレングリコーノレ、プロピレングリコーノレモノアセテート、ジプロピレングリコーノレまたはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノェチルェ一テル、モノプロピルエーテノレ、モノブチルエーテルまたはモノフエニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体；ジォキサンのような環式エーテル類；および乳酸メチル、乳酸ェチル、酢酸メチル、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチノレ、ピルビン酸ェチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸ェチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、 2種類以上を混合して用いてもよい。特にエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコーノレモノアセテート、プロピレングリコーノレモノアセテート、ジエチレングリコーノレモノアセテートあるいはこれらのモノメチノレエーテノレ、モノエチノレエーテノレ、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフエニルエーテルなどの多価アルコーノレ類およびその誘導体が好ましい。また、接着剤層の膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。有機溶剤の使用量は、接着剤組成物を塗布する膜厚に応じて適宜設定されるものであり、接着剤組成物が半導体ウェハなどに塗布可能な濃度であれば特に限定されるものではない。一般的には、接着剤組成物の固形分濃度が 20〜70質量％、好ましくは 25〜60質量％の範囲内となるように用いられる。

[0043] (接着剤組成物の用途）

本発明に係る接着剤組成物は、特に半導体ウェハをサポートプレートに接着するために用いられる接着剤組成物として使用することによって、優れた効果を発揮する。しかし、一方において、保護テープ等の接着フィルムの接着剤層として用いることも可能であり、その場合にも優れた特性を発揮することができる。

[0044] また、上記接着剤組成物は、用途に応じて、例えば、液状のままサポートプレートまたは半導体ウェハの上に塗布して接着剤層を形成する方法、素材のたわみや変形に対応することができる可撓性を有するフィルム上に前もって接着剤層を形成、乾燥しておき、このフィルム（ドライフィルム）をサポートプレートに貼り付けて使用する方法 (接着フィルム法）のレ、ずれの方法にも用いることができる。

[0045] 〔実施の形態 2〕実施の形態 1に係る接着剤組成物を用いた接着フィルムにつ!/、て、実施の形態 2として以下に説明する。接着フィルムとは、フィルム（支持フィルム）上に少なくとも接着剤組成物からなる接着剤層を備えているものである。

[0046] 本実施の形態に係る接着フィルムは、接着フィルムとしての接着用途に用いるのであれば、特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウェハサポートシステムにおいて、半導体ウェハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。

[0047] 接着フィルムを用いることにより、サポートプレートまたは半導体ウェハ上に接着剤層を容易に設けることができる。具体的には、露出した接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウェハに重ねた後、接着剤層から支持フィルムを剥離することによって、接着剤層を設けることができる。また、接着剤層上にさらにフィルム (保護フィルム）が被膜されている場合には、重ねる前に、接着剤層から保護フィルムを剥離することによって、接着剤層を露出させればよい。

[0048] 接着フィルムを使用することにより、サポートプレートまたは半導体ウェハの上に直接接着剤組成物を塗布して接着剤層を形成する場合と比較して、膜厚均一性および表面平滑性の良好な接着剤層を形成することができる。

[0049] 接着フィルムの製造に使用する支持フィルムとしては、支持フィルム上に成膜された接着剤層を支持フィルムから容易に剥離することができ、サポートプレートまたは半導体ウェハなどの被処理面上に上記接着剤層を転写することができる離型フィルムであれば、特に限定されるものではない。

[0050] このような支持フィルムとしては、素材のたわみや変形に対応することができる可撓性を有するフィルムを挙げることができる。具体的には、膜厚 15〜； 125 mのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムからなるフィルムが好ましい。

[0051] また、上記支持フィルムは、必要に応じて接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウェハなどの被処理面上に転写することが容易となるように離型処理されていることが好ましい。

[0052] 支持フィルム上に接着剤層を形成するに際しては、接着剤組成物を調製し、アプリケーター、ノ^;一コーダ一、ワイヤーノ^;一コーダ一、ローノレコーター、カーテンフローコ一ターなどを用いて、支持フィルム上に乾燥後の膜厚が 5〜； 100 mとなるように本発明の接着剤組成物を塗布する。これらの中でも、特にロールコーター力膜厚の均一性に優れ、かつ厚さの厚い膜を効率良く形成することができるため、好ましい。

[0053] 保護フィルムとしては、フッ素樹脂をコーティングまたは焼き付けした厚さ 15〜； 125 μ m程度のポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルムおよびポリェチレンフイノレムなどが好まし!/、。

[0054] (接着フィルムの使用方法）

接着フィルムから保護フィルムを剥離し、露出した接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウェハに重ねて、支持フィルム上から例えば加熱ローラを移動させることによって、接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウェハの表面に熱圧着させる。

[0055] なお、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、例えば、順次巻き取りローラによつてロール状に巻き取って保存することによって再利用することが可能である。

[0056] 〔実施の形態 3〕

実施の形態 1に係る接着剤組成物からなる接着剤層を剥離する方法につ!/、て、実施の形態 3として以下に説明する。

[0057] 上記接着剤組成物は、接着剤としての用途に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウェハサポートシステムにおいて、半導体ウェハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。また、本実施の形態では、熱によって皮膜を破壊することができるマイクロカプセルを用いた場合を例に挙げて説明する。

[0058] 本実施の形態では、まず、後で剥離する接着剤層を半導体ウェハ上に形成する方法を説明し、その後、該半導体ウェハから該接着剤層を剥離する方法について説明する。

[0059] 半導体ウェハ上に接着剤層を形成する方法は、以下の 2つの工程を含んで!/、る； (

1)接着剤組成物を塗布する工程；（2)塗布した接着剤組成物を乾燥させるためにプリベークする工程。

[0060] なお、半導体ウェハ上に接着剤層を形成する工程は、半導体ウェハに実施の形態 2に記載の接着フィルムを貼着する工程であってもよい。

[0061] また、半導体ウェハから接着剤層を剥離する方法は、以下の 2つの工程を含んでいる；（a)半導体ウェハおよび接着剤層を 150〜200°C以上に加熱する工程；（b)半導体ウェハと接着剤層との間に剥離液を浸透させる工程。

[0062] (接着剤組成物を塗布する工程）

接着剤組成物を半導体ウェハの被処理面に塗布する方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法およびアプリケーター法などの方法を用いることができる。接着剤組成物を塗布するときに、上記の方法を用いると半導体ウェハの周縁部に一段高くなつたビート部が形成される場合がある。ビート部が形成された場合には、接着剤組成物を乾燥させる工程に先立ってビート部を溶剤によって除去することが好ましレ、。

[0063] (半導体ウェハ上に接着剤層を形成する工程）

次に、接着剤組成物を乾燥させるためにプリベータし、塗布した接着剤組成物の流動性を低減させ、接着剤層を形成する。プリベータの温度は接着剤組成物中の各成分の種類、配合割合および接着剤層の膜厚によって異なるが、通常は、 70〜200°C の範囲であることが好ましぐ 90〜200°Cの範囲であることがより好ましい。また、プリベータの時間は 3〜30分程度であることが好ましい。

[0064] 接着剤層の厚さは半導体ウェハの表面に形成した回路の凹凸に応じて決定する。

なお、接着剤層を厚くするために、接着剤組成物の塗布と乾燥とを複数回繰り返してもよい。また、プリベータすることによって接着剤層の膜厚の制御を容易にすることができる。

[0065] なお、接着フィルムの貼着方法については、実施の形態 2にて詳述したため、ここでは省略する。

[0066] 形成された接着剤層にサポートプレートを押し付けることによって、半導体ウェハをサポートプレートに接着することができる。

[0067] (半導体ウェハおよび接着剤層を 150〜200°Cに加熱する工程）

半導体ウェハを薄板化する研削工程を行った後、半導体ウェハをサポートプレート力も剥離するために、半導体ウェハおよび接着剤層を 150〜200°Cに加熱する。加熱するための方法としては、ホットプレートを用いることが好ましい。

[0068] 150〜200°Cに加熱することによって、皮膜が破壊されるとともに接着剤層内においてマイクロカプセルから放出された芯物質が気化される。これによつて、接着剤層の接着力を低減させるとともに半導体ウェハとサポートプレートとの間に隙間を生じさせること力 Sでさる。

[0069] (剥離液を浸透させる工程）

接着剤層内において芯物質を気化させることにより生じた半導体ウェハとサポートプレートとの隙間に剥離液を浸透させることによって、容易に、かつ短時間に半導体ウェハからサポートプレートを剥離することができる。

[0070] 半導体ウェハからサポートプレートを剥離するために用いる剥離液としては、上記接着剤組成物を希釈するのに用いられる有機溶剤、あるいは、メタノール、エタノーノレ、プロパノール、イソプロパノールおよびブタノールなどの一価アルコール類、 γ— ブチロラタトンなどの環状ラタトン類、ジェチルエーテルおよびァニソールなどのエー

ド類を使用することができる。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびェチルラタテートを主成分とする剥離液力 S、環境負荷および剥離性の点にぉレ、て特に好ましい。

[0071] 本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなぐ請求項に示した範囲にて種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれ

[0072] 以下に、本発明に係る接着剤組成物の実施例を示す。なお、以下に示す実施例は、本発明を好適に説明する例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではない。実施例

[0073] (実施例;!〜 3)

還流冷却器、撹拌機、温度計、窒素導入管を備えた容量 300mlの 4つ口フラスコに、溶剤として PGMEA90g、及び、下記表 1に示すように、モノマー単量体としてフヱノキシェチノレクリレー卜 20g、メタクリノレ酸メチノレ 15g、クリノレ酸 n—フ"チノレ 13g 、スチレン 12gを仕込み、 N2の吹き込みを開始した。攪拌をはじめることで重合を開始させ、攪拌しながら 90°Cまで昇温した後、 PGMEA13. 33gおよびスチレン 40g力らなる混合溶と、 PGMEA 13. 33及び重合開始剤として t一ブチルパーォキシ 2— ェチルへキサノエート 0· 6gからなる混合液とを滴下ノズルより、 2時間かけて連続的に滴下した。滴下を通じて滴下速度は一定とした。

[0074] 滴下終了後に得られた重合反応液を、そのまま 1時間、 90°Cで熟成した後、 PGM EA 83. 34及び t—ブチルパーォキシ 2—ェチルへキサノエート 0. 3gからなる混合液を 1時間かけて滴下した。その後、重合反応液を、さらにそのまま 1時間、 90°Cで熟成した後、 1， 1 , 3, 3—テトラメチルブチルパーォキシ 2—ェチルへキサノエート 1 . 0gを一括投入した。

[0075] 次に、重合反応液を、そのまま 3時間、 90°Cで熟成した後、溶剤の還流が認められるまで重合反応液を昇温した後、 1時間熟成し、重合を終了させた。

[0076] 次に、表 2に示すマイクロカプセル (株式会社日本カプセルプロダクツ社製）を、それぞれ得られたアクリル系ポリマーに対して 20重量％添加した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、接着剤組成物の固形分濃度が ₄

0質量％となるように調整した。

[0077] (比較例 1)

比較例 1に係る接着剤組成物は、マイクロカプセルを添加しないこと以外は、実施例 1と同様の方法で得た。

[0078] [表 1]

組成（質量部）実施例 1 ~ 3、比較例 1

メタクリル酸メチル 1 5

アクリル酸 n-ブチル 13

スチレン 12

フエノキシェチルァクリレート 20

スチレン（後添加） 40

質量平均分子量 86000 [0079] [表 2]

[0080] (質量平均分子量の測定）

各接着剤組成物の質量平均分子量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー（G PC)によるポリスチレン換算基準で求めた。

[0081] (接着強度の測定方法）

実施例：!〜 3および比較例 1の各接着剤組成物を用いて、各接着剤組成物の剥離性を評価した。剥離性評価は、接着強度を測定することによって行った。接着強度の測定方法にっレ、て以下に説明する。

[0082] シリコンウェハ上に、実施例 1〜3及び比較例 1に係る接着剤組成物を塗布した後、 150°Cで 3分間乾燥させた。次に、サポートプレートを 150°Cで 2分間、 1kgの加重で接着させた後、各温度環境下において当該サポートプレートを引っ張り、シリコンゥェハから剥がれた時の接着強度を縦型電動計測スタンド「MX— 500NJ (株式会社イマダ社製）を用いて算出した（単位「kg/cm²」 )。

[0083] (接着強度の測定および剥離性評価結果）

実施例 1〜3および比較例 1に係る接着剤組成物を 23°C、および 140°Cにおいての接着強度、および 140°Cにおいての剥離性評価の結果を表 3に示した。また、本実施例における剥離性評価は、上述の方法を用いて算出した接着強度が、 lkg/c m²以下である場合を「〇」、 lkg/cm²よりも大きい場合を「X」とした。

[0084] [表 3] 実施例 1 実施例 2 実施例 3 比較例 1

23°Cにおける

3. 45 3. 44

接着強度（kg/cm²)

1 40^oCにおける

0. 50 0. 50 3. 28 接着強度（kgん m²)

剥離性評価〇〇〇 X

[0085] 表 3に示すように、マイクロカプセル内の芯物質が気化することによって、高温時における接着剤組成物の接着強度を十分に低減することができることが示された。

[0086] 本発明に係る接着剤組成物は、以上のように、接着剤組成物内に、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱にD Iよって気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなるマイクロカプセルを含んでいることを特徴としている。

〇

[0087] 上記構成によれば、刺激によって皮膜が破壊されることによって、芯物質がマイクロ

〇

カプセルから放出される。放出された芯物質は、接着剤組成物を加熱する熱によつて気化し、その体積を増加する。すなわち、芯物質は、接着剤組成物内で加熱されることによって気泡となり、接着剤組成物の接着力を低減させる。これによ ωつて、接着 ω 剤組成物を被接着物から容易に剥離することができるという効果を奏する。

[0088] また、例えば、本発明に係る接着剤組成物を半導体ウェハとサポートプレートとの貝占り合せに用いた場合には、接着力を低減させるとともに半導体ウェハとサポートプレートとの間に隙間を生じさせることができる。これによつて、半導体ウェハとサポートプレートとの間に剥離液を容易に浸透させることができ、半導体ウェハをサポートプレートから容易に剥離することができるという効果を奏する。

[0089] 発明の詳細な説明の項にお!/ヽてなされた具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなぐ本発明の精神と次に記載する請求の範囲内で、レ、ろ!/、ろと変更して実施することができるものである。

産業上の利用可能性本発明に係る接着剤組成物、接着フィルムおよび剥離方法を用いることによって、例えば、ウェハサポートシステムを用いたシリコン貫通電極付チップの製作を容易にすること力 Sでき、高性能 SiPの実現を可能にすることができる。また今後、 MEMS (Mi cro Electro Mechanical Systems)チップなどの幅広い分野にウェハサポートシステムが応用されるにおいて、併せて本発明の応用も期待することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物であって、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する芯物質と、

芯物質を内包し、かつ、上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなるマイクロカプセルを含むことを特徴とする接着剤組成物。

[2] 上記芯物質は、 100〜200°Cの範囲で気化する物質であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の接着剤組成物質。

[3] 上記皮膜は、 100°C以上に加熱されることによって破壊されることを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の接着剤組成物。

[4] 上記皮膜は、メラミン樹脂からなることを特徴とする請求の範囲第 1項力第 3項の

V、ずれか 1項に記載の接着剤組成物。

[5] 上記単量体組成物は、スチレンと、環式構造を有する（メタ）アクリル酸エステルと、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとを含むことを特徴とする請求の範囲第 1項から第 4項のいずれか 1項に記載の接着剤組成物。

[6] 上記マイクロカプセルの粒径は、 1〜3 mの範囲であることを特徴とする請求の範囲第 1項から第 5項のいずれか 1項に記載の接着剤組成物。

[7] 上記重合体に対して、上記マイクロカプセルを 1〜30質量％の範囲で含むことを特徴とする請求の範囲第 1項から第 6項のいずれか 1項に記載の接着剤組成物。

[8] フィルム上に、請求の範囲第 1項から第 7項のいずれか 1項に記載の接着剤組成物を含む接着剤層を備えていることを特徴とする接着フィルム。

[9] 請求の範囲第 1項から第 7項のいずれか 1項に記載の接着剤組成物を基板に塗布し、上記接着剤組成物を乾燥させるためにプリベータする力、、もしくは、請求の範囲第 8項に記載の接着フィルムを基板に貼着することによって、基板上に接着剤層を形成した後、上記基板から上記接着剤層を剥離する剥離方法であって、

上記基板および上記接着剤層を 150〜200°Cの範囲で加熱する加熱工程の後、上記基板と上記接着剤層とを剥離液を用いて剥離する剥離工程を行うことを特徴とする剥離方法。