200844198 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可藉由加熱減低黏著力之黏著劑組成物 、黏著薄膜及其等之剝離方法。 【先前技術】 伴隨著行動電話、數位AV機器及1C卡等之高機能 $ 化’對所搭載之半導體矽晶片（以下稱爲晶片）的小型化、 薄型化及局積體化的要求亦提高。再者，CSP(chip size package;晶片尺寸封裝）及 MCP(multi-chip package ;多 晶片封裝）所代表之單封裝化複數的晶片之積體電路中， 亦要求其薄型化。其中，於一個半導體封裝中搭載複數的 半導體晶片之系統級封裝（system-in-package;SiP)，所搭 載晶片之小型化、薄型化極高積體化，於實現電子機器的 高性能化、小型化及輕量化方面成爲非常重要的技術。 0 爲了實現電子機器的高性能化、小型化及輕量化，晶 片的厚度必須薄至1 50μιη以下。進一步地，CSP及MCP 中爲ΙΟΟμιη以下，1C卡片中硏削晶片爲50μιη以下，必須 進行薄板化用之硏削步驟。然而，由晶片與基板所成之半 導體晶圓，由於硏削而變薄，其強度變弱，半導體晶圓容 易產生破裂及翹曲。再者，經薄型化之半導體晶圓，由於 無法自動化搬送，不得不藉由人工進行搬送，其操作繁雜 〇 因此，已開發藉由於欲硏削之晶圓貼合稱爲支撐板 -5- 200844198 (support plate)之玻璃或硬質塑膠等，保持半導體晶圓的 強度，防止破裂的產生及於半導體晶圓的翹曲之晶圓支撐 系統。再者，由於藉由晶圓支撐系統，可維持半導體晶圓 的強度，可自動化晶薄板化之半導體晶圓的搬送（例如， 參照日本專利公開公報：特開2005-191550號公報（公開日 :2005 年 7 月 14 日））。 晶圓支撐系統中，最終地，支撐板係由半導體晶圓取 下。因此，半導體晶圓與支撐板的暫時性貼合用之黏著物 質，其黏著強度不僅爲不強，且不得不爲由薄的半導體晶 圓可容易地且不殘存於半導體晶圓之剝離者。 剝離用之黏著物質，由於位於支撐板與半導體晶圓間 的黏著物質之層（黏著劑層）不得不浸透於剝離液，因此由 半導體晶圓剝離支撐板需要長時間。因此，爲了以短時間 由半導體晶圓剝離支撐板，必須使減低某種程度之剝離時 黏著物質的黏著力。 例如，日本專利公開公報：特開2004-43732號公報（ 公開日：2004年2月12日），以及日本專利公開公報：特開 2004-2547號公報（公開日：2004年1月8日）中，已揭示預 先藉由使作爲黏著物質之構成成分含有藉由光及/或熱而 發泡之成分，於剝離時使黏著物質發泡’減低該黏著物質 之黏著力。 再者，日本專利公開公報：特開2005-290 1 46號公報（ 公開日：2005年10月20日）中，已揭示進一步含有藉由照 射光而產生酸之成分，不僅經發泡作用亦藉由酸的作用而 -6 - 200844198 減低黏著物質之黏著力’使剝離容易。 玻璃轉移點（Tg)爲i〇〇°C以下的黏著物質，由於藉由 加熱至1 〇 〇至2 0 0 °c，經硬化之黏著物質膠化使黏著力降低 ，可容易地剝離。然而’玻璃轉移點（Tg)變高時伴隨著黏 著物質越難膠化，於1 0 0至2 0 0 °c左右的加熱不降低黏著力 ，使剝離變困難。再者，玻璃轉移點（Tg)爲100°c以上的 黏著物質，經加熱至2 0 0 °c以上而於剝離液形成不溶物質 ，有剝離變困難的問題。 再者，例如，黏著物質使用於半導體晶圓與支撐板的 黏著之情況中，於上述之硏削步驟中，由於於螢光燈等的 光照射下進行作業，必須適用藉由光而黏著力不減低的黏 著物質。 【發明內容】 本發明，有鑒於上述問題點，其主要目的係提供藉由 加熱使黏著力降低，使黏著劑組成物可容易地由被黏著物 剝離之黏著劑組成物、黏著薄膜及其等之剝離方法。 爲了達成上述目地之第1態樣爲一種黏著劑組成物， 其係以單體組成物聚合所成之聚合物作爲主成分者，且含 有微膠囊’該微膠囊係由自被黏著物剝離黏著劑組成物時 藉由加入熱而氣化之芯物質，以及內包芯物質且對於上述 黏著劑組成物爲不溶，藉由加入刺激受到破壞之皮膜所成 者。 爲了達成上述目地之第2態樣爲一種黏著薄膜，係於 200844198 薄膜上具備含有第1態樣之黏著劑組成物之黏著劑層者。 爲了達成上述目地之第3態樣爲一種剝離方法，係藉 由於基板塗佈第1態樣之黏著劑組成物，爲使上述黏著劑 組成物乾燥而施行預烤，或藉由於基板貼著第2項態樣之 黏著薄膜，於基板上形成黏著劑層後，自上述基板剝離上 述黏著劑層的方法，其中，上述基板及上述黏著劑層係於 1 5 0至2 0 0 °C的範圍加熱之加熱步驟後，進行使用剝離液剝 離上述基板與上述黏著劑層之剝離步驟。 本發明之其他目的、特徵及優點，可由以下揭示的記 載充分瞭解。再者，本發明之有優點，參照所附圖式以下 文的說明而明白。 【實施方式】 [實施形態1] 以下說明關於本發明之黏著劑組成物之一實施形態。 黏著劑組成物係只要使用於作爲黏著劑的用途即可，其具 體的用途並無特別限定。本實施形態，係於晶圓支撐系統 中’列舉用於支撐板暫時性地黏著於半導體晶圓之用途的 情況爲例加以說明。 又，本說明書等，「支撐板」係藉由貼合於薄板化之 半導體晶圓，用於保護經薄板化之半導體晶圓不產生破裂 及翹曲之基板。 (黏著劑組成物之構成） -8 - 200844198 本發明之黏著劑組成物，係於以單體組成物聚合所成 之聚合物作爲主成分之黏著劑組成物內含有微膠囊之構成 。本實施形態中，首先說明關於本發明特徵點之微膠嚢， 其次說明單體組成物。 又，本說明書中之「主成分」，意指於組成物所含有 之全成分中，超過50質量％之成分，較佳爲70質量％以上 ，再較佳爲8 0質量％。 (微膠囊之構成及粒徑） 本發明中之「微膠囊」，係以微米（micron)單位的小 粒子之芯物質，各以薄的皮膜包覆各個粒子之複合體。關 於芯物質及皮膜，於後文詳述。 微膠囊的粒徑較佳爲1至3 μηι的範圍，再較佳爲1至 2.5 μιη的範圍。藉由微膠囊的粒徑於上述範圍內，黏著劑 組成物塗佈於半導體晶圓或支撐板時，可抑制塗佈膜的膜 φ 厚不均等。再者，只要於上述範圍內，即可容易地製造微 膠囊。 (芯物質的性質及種類） 本實施形態之微膠囊的芯物質，爲由被黏著物剝離黏 著劑組成物時藉由加入熱而氣化之物質，較佳爲於100至 200°C範圍的溫度而氣化之物質，再較佳爲於120至200°C 範圍的溫度而氣化之物質。此可換而言之，芯物質的沸點 較佳爲1〇〇至200°C的範圍，再較佳爲120至200°C的範圍。 200844198 作爲上述芯物質，可列舉疏水性的有機溶劑。具體而言， 較佳爲二甲苯、乙基苯、甲苯。 耢此’以往加熱至超過2 〇 〇 °c的溫度爲止爲必要之黏 著劑組成物，藉由100至200。(：左右的加熱亦降低黏著力， 可容易地剝離。再者，藉由源自晶圓支撐系統之晶片製作 步驟中之1 00 °C左右的加熱，可防止黏著劑組成物的黏著 力降低。 (皮膜的性質及種類） 本實施形態之微膠囊皮膜，只要對於黏著劑組成物爲 不溶者’藉由加入任何的刺激而受到破壞者即可，並無特 別限定。作爲破壞皮膜的刺激，例如，可列舉熱、光或物 理性衝擊等。 藉由熱之皮膜的破壞，係藉由熱而膨脹之芯物質提高 微膠囊的內壓，藉由皮膜無法耐受此內壓所引起。因此， % 皮膜較佳以芯物質的沸點附近的溫度受到破壞。具體而言 ’皮膜受到破壞的溫度較佳爲10CTC以上，再較佳爲100至 2 0 0 °c的範圍。 作爲該方式之皮膜，例如，可列舉蜜胺樹脂、明膠、 脲樹脂、甲基胺酯樹脂及聚甲基胺酯樹脂等。其等之中， 較佳爲蜜胺樹脂。 再者，藉由光之皮膜的破壞，係使由正型感光性樹脂 所成之皮膜藉由光的照射分解，藉由黏著劑組成物之溶解 於溶劑而引起。 -10- 200844198 再者，用於皮膜的破壞之光的波長’雖無特別限定， 較佳爲紫外線，再較佳爲g線、h線及i線。 再者，藉由物理性衝擊之皮膜的破壌，係藉由自外部 之衝撃使皮膜受到物理性的破壞而引起。作爲物理性衝擊 ，例如，可列舉半導體晶圓與支撐板貼合時的衝撃等。 又，皮膜的厚度可根據構成皮膜的樹脂種類，或對應 破壞皮膜的上述刺激之適合厚度，而適宜設定。 (微膠囊的添加量） 微膠囊的添加量，相對於單體組成物聚合所成之聚合 物較佳爲1至30質量％的範圍，再較佳爲10至2 5質量％。 藉由微膠囊的添加量爲30質量％以下，可防止黏著劑 組成物的透明性降低。由此，於半導體晶圚與支撐板貼合 中，藉由雷射進行支撐板的位置之接合時，可防止無法檢 出支撐板。再者，藉由微膠囊的添加量爲1質量％以上， 可充分獲得本發明之效果。 (微膠囊的製造方法） 微膠囊的製造方法，可使用以往習知的方法。作爲微 膠囊之製造方法，具體而言，可以曰本專利特開平5 -2 1 226 8號公開公報所揭示之方法製造。 (單體組成物的種類） 單體組成物的種類，雖無特別限定，較佳爲含有苯乙 -11 - 200844198 烯、具有環式構造之（甲基）丙烯酸酯、由鏈式構造所成之 (甲基）丙烯酸烷基酯。以下，本說明書中將有環式構造之 (甲基）丙烯酸酯稱爲（甲基）丙烯酸酯，將由鏈式構造所成 之（甲基）丙烯酸烷基酯稱爲（甲基）丙烯酸烷基酯。 (甲基）丙烯酸酯較佳爲（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲 基）丙烯酸苯氧基甲酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯 酸環戊酯、（甲基）丙烯酸1-金剛烷酯、（甲基）丙烯酸降冰 片酯、(甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸三環癸酯、( 甲基）丙烯酸四環十二烷酯等，再較佳爲（甲基）丙烯酸苯 氧基乙酯。 再者，（甲基）丙烯酸烷基酯較佳爲烷基的碳數爲1至 20之（甲基）丙烯酸烷基酯。 具體而言，烷基可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、十三烷 基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基 、正十九烷基以及正二十二烷基等所成之丙烯酸乃至甲基 丙烯酸之烷基酯。 又，該等烷基可爲直鏈狀，或亦可具有分支鏈。再者 ，該等由鏈式構造所成之（甲基）丙烯酸烷基酯可單獨使用 ，亦可2種類以上混合使用。 (單體組成物的調配量） 黏著劑組成物主成分之構成聚合物之單體組成物，其 調配量並無特別限定。本實施形態中，苯乙烯、（甲基）丙 -12- 200844198 烯酸酯及（甲基）丙烯酸烷基酯的總量爲100質量％時，以苯 乙烯爲10至70質量％、（甲基）丙烯酸酯爲20至50質量％、（ 甲基）丙烯酸烷基酯爲10至50質量％的範圍調配爲較佳。藉 由各單體組成物以上述範圍調配，可作爲對於晶圓支撐系 統中半導體晶圓與支撐板的黏著，可合適使用之黏著劑組 成物。 (附註事項） 再者，黏著劑組成物中，只要於不損及本發明之本質 的特性的範圍，進一步可添加含有根據期望之混合性添加 劑，例如用於改良黏著劑性能之附加的樹脂、可塑劑、黏 著塑劑、安定劑、著色劑、界面活性劑等常用之添加劑。 進一步地，黏著劑組成物，只要於不損及本發明之本 質的特性的範圍，亦可使用黏度調整用之有機溶劑稀釋。 作爲上述有機溶劑，具體而言，可列舉丙酮、甲基乙 基酮、環己酮、甲基異戊基酮、2 -庚酮等酮類；乙二醇、 乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇 、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇或二丙二醇單乙酸酯之單甲 基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多元 醇類及其衍生物；以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、 醋酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、 乙氧基丙酸乙酯等酯類。該等可單獨使用，亦可2種類以 上混合使用。特別地較佳爲乙二醇、丙二醇、二乙二醇單 乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯或其等之單 -13- 200844198 甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多 元醇類及其衍生物。再者，爲了提升黏著劑層之膜厚的均 一性，亦可於其中添加活性劑。有機溶劑的使用量，係可 根據塗佈黏著劑組成物的膜厚而適宜設定者，只要黏著劑 組成物爲於半導體晶圓等可塗佈之濃度即可，並無特別限 定。一般而言，使黏著劑組成物的固形分濃度成爲20至70 質量％，較佳爲25至60質量％的範圍內之方式使用。 (黏著劑組成物的用途） 本發明之黏著劑組成物，特別是作爲爲了半導體黏著 於支撐板之黏著劑組成物使用，發揮優異的效果。然而， 於另一方面，亦可能作爲保護帶等黏著薄膜的黏著劑層使 用，於此情況中亦可發揮優異特性。 再者，上述黏著劑組成物，根據用途，例如亦可使用 直接液狀塗佈於支撐板或半導體上而形成黏著劑層的方法 ，於具有可對應素材的彎曲或變形之可撓性之薄膜上預先 形成黏著劑層、乾燥後使用該薄膜（乾薄膜）貼著於支撐板 的方法（黏著薄膜法）之任一方法。 [實施形態2] 關於使用實施形態1之黏著劑組成物之黏著薄片，作 爲實施形態2說明於下文。黏著薄膜係於薄膜上（支持薄膜 )具備至少由黏著劑組成物所成之黏著劑層者。 本實施形態之黏著薄膜，只要用於作爲黏著薄膜的黏 -14- 200844198 者用途即可’並無特別限定。本實施形態係於晶圓支撐系 統中，列舉用於支撐板暫時性地黏著於半導體晶圓之用途 的情況爲例加以說明。 藉由使用黏著薄膜，可於支撐板或半導體晶圓上容易 地設置黏著劑層。具體而言，露出之黏著劑層重疊於支撐 板或半導體晶圓後’錯由自黏著劑層剝離支持薄膜，可設 置黏著劑層。再者，於黏著劑層上進一步地經薄膜（保護 薄膜）被膜的情況中，於重疊前，藉由自黏著劑層剝離保 護薄膜，只要露出黏著劑層即可。 藉由使用黏著薄膜，與於支撐板或半導體晶圓上直接 塗佈黏著劑組成物而形成黏著劑層的情況相比較，可形成 膜厚均一性及表面平滑性良好之黏著劑層。 作爲使用於黏著薄膜的製造之支持薄膜，只要自支持 薄膜可容易地剝離於支持薄膜上所形成之黏著劑層，可於 支撐板或半導體等被處理面上轉寫上述黏著劑層即可，並 無特別限定。 作爲該方式之支持薄膜，可列舉具有可對應素材的彎 曲或變形之可撓性的薄膜。具體而言，較佳爲由膜厚15至 1 25 μιη之聚對酞酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、 聚氯乙烯等合成樹脂薄膜所成薄膜。 在者，上述支持薄膜，必要時以於支撐板或半導體晶 圓等被處理面上轉寫黏著劑層爲容易的方式經脫模處理爲 較佳。 於支持薄膜上形成黏著劑層時，調製黏著劑組成物， -15- 200844198 使用塗敷器、棒塗佈器、線棒塗佈器、輥塗器、淋幕式塗 佈器等，以於支持薄膜上乾燥後的膜厚成爲5至100 μπι的 方式塗佈本發明之黏著劑組成物。此等之中，特別以輥塗 佈器，由於膜厚的均一性優異，且可效率良好地形成厚度 厚的膜而較佳。 作爲保護薄膜，經被覆或燒結氟樹脂之厚度1 5至 1 25 μιη左右的聚對酞酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜及聚乙烯 | 薄膜爲較佳。 (黏著薄膜的使用方法） 自黏著薄膜剝離保護薄膜，將露出之黏著劑層重疊於 支撐板或半導體晶圓，由支持薄膜上藉由例如移動加熱輥 ，使黏著劑層熱壓合於支撐板或半導體晶圓的表面。 又，自黏著薄膜剝離之保護薄膜，例如藉由經依序捲 取輥捲取爲輥狀加以保存而可再利用。 [實施形態3] 關於剝離由實施形態1之黏著劑組成物所成黏著劑層 的方法，作爲實施形態3說明於下文。 上述黏著劑組成物只要用於作爲黏著劑的用途即可， 其具體用途並無特別限定。本實施形態係於晶圓支撐系統 中，列舉用於支撐板暫時性地黏著於半導體晶圓之用途的 情況爲例加以說明。再者，本實施形態係列舉使用藉由熱 可破壞皮膜之微膠囊爲例的情況加以說明。 -16- 200844198 本實施形態中，首先，說明於半導體晶圓上形成之後 剝離之黏著劑層的方法，之後，說明由該半導體晶圓剝離 該黏著劑層的方法。 於半導體晶圓上形成黏著劑層的方法，包含以下2個 步驟；（1)塗佈黏著劑組成物的步驟；（2)用於乾燥所塗佈 之黏著劑組成物的預烤步驟。 又，於半導體上形成黏著劑層的步驟，亦可爲於半導 體晶圓貼著實施形態2揭示之黏著薄膜的步驟。 再者，由半導體晶圓剝離黏著層的方法，包含以下2 個步驟；（a)將半導體晶圓即黏著劑層加熱至150至20CTC以 上的步驟；（b)於半導體晶圓與黏著劑層之間浸透剝離液 的步驟。 (塗佈黏著劑組成物之步驟） 於半導體晶圓之被處理面塗佈黏著劑組成物的方法， 可使用噴塗法、狹縫塗法、輥塗法、網版印刷法及塗敷法 等方法。塗佈黏著劑組成物時，使用上述方法於半導體晶 圓的周緣部有形成一段變高之波紋部的情況。形成有波紋 部的情況，於乾燥黏著劑組成物的步驟中，較佳先藉由溶 劑去除先前之波紋部。 (於半導體晶圓上形成黏著劑層之步驟） 其次，用於乾燥黏著劑組成物之預烤，降低所塗佈之 黏著劑組成物的流動性，形成黏著劑層。預烤的溫度雖根 -17- 200844198 據黏著劑組成物中各成分的種類、調配比例及黏著劑層的 膜厚而有所差異，但通常較佳爲70至200 °C的範圍，再較 佳爲90至200 °C的範圍。再者，預烤的時間較佳爲3至30分 鐘左右。 黏著劑層的厚度係根據半導體晶圓的表面所形成之迴 路的凹凸而決定。又，由於黏著劑層厚，亦可重複複數次 的黏著劑組成物的塗佈與乾燥。再者，藉由預烤可容易地 調控黏著劑層的膜厚。 又，關於黏著薄膜的貼著方法，由於已詳述於實施形 態2，故於此省略。 於所形成之黏著劑層壓附支撐板，可使半導體晶圓黏 著於支撐板。 (半導體晶圓及黏著劑層加熱至15〇至200 °C的步驟） 進行半導體晶圓薄板化之硏削步驟後，爲了由支撐板 剝離半導體晶圓，將半導體晶圓及黏著劑層加熱至1 50至 2 0 0 °C。作爲加熱用之方法，較佳使用熱板。 藉由加熱至150至200 °C，皮膜受到破壞之同時，黏著 劑層內由微膠囊所釋放之芯物質經氣化。藉此，黏著劑層 的黏著力降低之同時，可於半導體晶圓與支撐板之間產生 間隙。 (浸透剝離液之步驟） 藉由於黏著劑層內之芯物質經氣化所產生之半導體晶 -18- 200844198 圓與支撐板之間隙浸透剝離液，可容易地且短時間地由半 導體晶圓剝離支撐板。 作爲用於由半導體晶圓剝離支撐板之剝離液，可使用 稀釋上述黏著劑組成物時所使用之有機溶劑，或甲醇、乙 醇、丙醇、異丙醇及丁醇等一價醇類，γ-丁內酯等環狀內 酯，二乙基醚及苯甲醚等醚類，以及二甲基甲醛、二甲基 乙醛等醛類。由環境負荷及剝離性的觀點，特佳爲以丙二 醇單甲基醚乙酸酯及乳酸乙酯爲主成分之剝離液。 本發明並不限定爲上述各實施形態者，於申請專利範 圍所顯示之範圍可有各種變化，適宜組合於不同的實施形 態所各別揭示的技術手段所獲得之實施形態，亦包含於本 發明之技術範圍。 以下，揭示本發明之黏著劑組成物的實施例。又，以 下所顯示的實施例，僅用於更適宜地說明本發明之例示， 本發明不爲該等有所限定。 [實施例] (實施例1至3)
於備有回流冷凝器、攪拌機、溫度計、氮導入管之溶 量3 00ml的4 口燒瓶中，置入作爲溶劑之PGMEA 90g，以 及如下述表1所示之作爲單體之丙烯酸苯氧基乙酯 20g、 甲基丙烯酸甲酯 15g、丙烯酸正丁酯 13g、苯乙烯 12g ’開始吹入N2。一邊攪拌一邊開始聚合，於攪拌下升溫 至90 °C止，由滴下口歷經2小時連續地滴下由 PGME A -19- .200844198 13.33g及苯乙烯40g所成之混合液，與PGMEA 13.33g及 作爲聚合起使劑之2-乙基己酸第三丁基酯過氧化物〇.6g所 成之混合液。於滴下期間的滴下速度爲一定。 滴下結束後所得之聚合反應液，直接經1小時、於 9〇°C熟成後，歷經1小時滴下由PGMEA 8 3.3 4g及2-乙基己 酸第三丁基酯過氧化物0.3 g所成之混合液。之後，將聚合 反應液，再直接經1小時、於9 0 °C熟成後，一次投入2 -乙 g 基己酸酯1，1，3,3 -四甲基丁基酯過氧化物l.Og。 其次，將聚合反應液，直接經3小時、於90 °C熟成後 ，將聚合反應液升溫直至確認溶劑的回流爲止後，熟成1 小時，結束聚合。 其次，如表2所示，對於各別所得之丙烯酸系聚合物 添加20重量％的微膠囊（股份有限公司日本 CapSule Products公司製）。之後，溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯 ，調整黏著劑組成物的固形分濃度爲4 0質量％。 (比較例1) 比較例1之黏著劑組成物，除了不添加微膠囊以外’ 以與實施例1同樣的方法獲得。 20- 200844198 (表1) 組成(質量份） 實施例1至3，比較例1 甲基丙烯酸甲酯 15 丙烯酸正丁酯 13 苯乙燦 12 丙烯酸苯氧基乙酯 20 苯乙烯(後添加） 40 質量平均分子量 86000 〔表2) 實施例1 實施例2 實施例3 皮膜(Tg) 蜜胺樹脂(2〇(TC) 蜜胺樹脂(200°C) 蜜胺樹脂(200°C) 芯物質(沸點） 二甲苯(138°C) 乙基苯(136°C) 甲苯(110°C) (質量平均分子量的測定） 各黏著劑組成物的質量平均分子量，藉由凝膠滲透層 析法（GPC)乙聚苯乙烯換算基準求出。 (黏著強度的測定方法） 使用實施例1至3及比較例1之各黏著劑組成物，評估 各黏著劑組成物的剝離性。剝離評估係藉由測定黏著強度 進行。關於黏著強度的測定方法說明於以下。 於矽晶圓上，塗佈實施例1至3及比較例1之黏著劑組 成物後，於1 5 0 °C乾燥3分鐘。其次，將支撐板於1 5 (TC， 以1 kg的加重2分鐘黏著後，於各溫度環境下拉伸該支撐 板，使用縱型電動計測台「MN-5 0 0N」（股份有限公司
Imada公司製）算出由矽晶圓剝離時的黏著強度（單位「 21 - 200844198 kg/cm 」）。 (黏著強度的測定及剝離性評估結果） 實施例1至3及比較例1之黏著劑組成物於2 3 °c及1 4 0 °c 中的黏著強度，以及於1 4 0 °C中的剝離性評估的結果示於 表3。再者，本實施例之剝離性評估，使用上述方法算出 的黏著強度爲lkg/cm2以下時爲「〇」，比lkg/cm2更大時 爲「X」。 (表3)
實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 於23°C的黏著強度(kg/cm2) 3.45 3.55 3.44 3.43 於140°C的黏著強度(kg/cm2) 0.50 0.50 0.60 3.28 剝離性評估 〇 〇 〇 X 如表3所示，藉由氣化微膠囊內的芯物質’顯示於高 溫時可充分降低黏著計組成物的黏著強度。 本發明之黏著劑組成物，如以上的方式，於黏著劑組 成物內含有微膠囊，該微膠囊係由自被黏著物剝離黏著劑 組成物時藉由加入熱而氣化之芯物質，以及內包芯物質且 對於上述黏著劑組成物爲不溶，藉由加入刺激受到破壞之 皮膜所成者。 只要爲上述構成，藉由刺激破壞之皮膜，由微膠囊放 出芯物質。所放出之芯物質，藉由加熱黏著劑組成物而氣 化，增加其體積。亦即，芯物質係藉由於黏著劑組成物內 -22- 200844198 受到加熱而成爲氣泡，降低黏著劑組成物的黏著力。藉此 ，顯使可容易地由被黏著物剝離黏著劑組成物的效果。 再者’例如’本發明之黏著劑組成物使用於半導體晶 圓與支撐板的貼合時，降低黏著力之同時，可於半導體晶 圓與支撐板之間產生間隙。藉此，可於半導體晶圓與支撐 板之間容易地浸透剝離液，可顯示容易地由支撐板剝離半 導體晶圓的效果。 藉由使用本發明之黏著劑組成物、黏著薄膜及剝離方 法’例如，可容易地製作使用晶圓支撐系統之矽貫通電極 晶片，可實現高性能SiP。再者今後，於MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)晶片等寬廣領域中應用晶圓支撐系統的 情況，亦可期待合倂本發明的應用。 發明的詳細說明項目中所構成之具體的實施形態或實 施例，爲徹底的瞭解本發明之技術內容者，不應無僅限定 於該等具體例的狹義解釋，只要於本發明之精神與後文所 揭示之申請專利範圍的範疇內，可有各種變化而實施者。 -23-