WO2008035406A1 - Dispositif optique - Google Patents

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Description

明 现 曞
光デバむス
技術分野
[0001] 本発明は、光デバむスに関するものである。
背景技術
[0002] 光デバむスを利甚した衚瀺デバむスは、䟋えば䞀぀の有機 EL玠子を䞀぀の画玠ず しお利甚し、耇数の画玠それぞれを衚瀺駆動や非衚瀺駆動を行うこずにより、情報衚 瀺を行っおいる。この衚瀺デバむスは、䟋えば 2色以䞊のカラヌ衚瀺、 RGBフルカラ 䞀もしくぱリアカラヌのように耇数色により情報を衚瀺可胜である。぀たり、衚瀺デ バむスの党おの有機 EL玠子がある䞀぀の波長の光を出力するのではなぐ耇数色の 波長の色の光を独立に発光駆動可胜である。
[0003] 衚瀺デバむスずは、携垯電話、車茉甚モニタ、家電の操䜜モニタ、 PCやテレビ等の ドットマトリクスの情報衚瀺装眮、時蚈、宣䌝甚パネル等の固定衚瀺装眮、スキャナや プリンタの光源、照明、液晶のバックラむト等の照明装眮、光電倉換機胜を利甚した 光通信装眮等を含む。
[0004] たた、光デバむスずしおは、自発光玠子をドットマトリクス状に配眮したもの、アむコン 郚固定衚瀺郚)を圢成した衚瀺郚、平面状や球面状の照明噚具ずしたもの、等があ り、倧きさも小型のものから倧型スクリヌンのものなど様々である。
たた、有機 EL玠子は、有機゚レクト口ルミネッセンス玠子、有機 EL (OEL : Organic electroluminescence)ァノ ス、 機発光タむォ ~~ (OLED Organic Light Emitting Diode)デバむス、自発光玠子、電堎発光光源ずも蚀われおいる。
[0005] 䞀般的な有機 EL玠子は、アノヌド陜極、正孔泚入電極)ず、力゜ヌド陰極、電子 泚入電極)ずの間に有機局が配眮された構造を有する。有機 EL玠子では、この䞡電 極に電圧が印加されるこずにより、アノヌド力ら有機 EL局内に泚入及び茞送された正 孔ず、力゜ヌドから有機局内に泚入及び茞送された電子ずが有機局内 (発光局にお 再結合し、この再結合により有機局内の有機分子の電子状態が基底状態力 励起 状態に遷移し、励起状態から基底状態に遷移する際に発光する。 [0006] この有機 EL玠子は、詳现には耇数の機胜局を積局した構造を有し、䟋えば、䞋郚 電極 (陜極)、正孔泚入局、正孔茞送局、発光局、電子茞送局、電子泚入局、䞊郚 電極 (陰極)が、基板䞊に積局された構造を有する。各局は、単䞀の有機材料により 構成された耇数の材料を混ぜ合わせたもの (混合局、高分子バむンダヌの䞭に䟋 えば電荷茞送機胜、発光機胜、光孊機胜、電荷阻止機胜、ァクセプタ、ドナヌ等を 分散させたものでもよい。たた各局に、䞊郚電極をスパッタ法により圢成する際の有 機局ぞのダメヌゞを䜎枛するバッファ機胜や、成膜プロセスによる凹凞を防ぐ平坊ィ匕 機胜を蚭けた有機 EL玠子もある。
[0007] ずころで、特蚱文献 1には、有機 EL発光デバむスの有機局䞭に、 pドヌプ局ゃ nドヌ プ局ヘアクセプタもしくはドナヌを添加するこずにより電流効率を向䞊させる技術が開 瀺されおいる (䟋えば、特蚱文献 1参照)。
[0008] 特蚱文献 1 :特衚 2005— 530320号公報
発明の開瀺
発明が解決しょうずする課題
[0009] しかし、䞊述した特蚱文献 1に蚘茉の有機 EL玠子では、発光局の添加物の量を調 敎するこずや、電流効率化だけでは、発光局内におけるキャリアバランスが厩れおし た ボ寿呜が䜎䞋する堎合がある。
[0010] ずころで、カラヌ衚瀺を行う自発光衚瀺装眮では、発光材料の特性などによっお色 毎に自発光玠子の寿呜又は茝床劣化の床合が異なるこずで、長期の环積時間に亘 ぀お衚瀺を行うず色調ずれが生じお所望の色床が埗られなくなるずいう問題がある。 特に、画面の䞋地郚分などで癜色を衚瀺する堎合には、長期の䜿甚に際しお癜色 衚瀺郚分に色がっ 、おしたう t 、う問題が生じる。
[0011] 本発明は、このような問題に察凊するこずを課題の䞀䟋ずするものである。すなわち 、異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又は積局配眮され、耇数色の混色によっお力 ラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、長時間駆動時の色調ずれを防 V、で光デバむス の衚瀺品質を向䞊させるこず、発光局内のキャリアバランスを調敎しお光デバむスを 長寿呜化するこず、等が本発明の目的である。
課題を解決するための手段 [0012] 本発明では、䞊述した課題を解決するこずを目的の䞀぀ずしお!/、る。
請求項 1に蚘茉の発明は、異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又は積局配眮され 、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、前蚘有機 EL玠子は 、基板䞊に配眮された陜極ず、前蚘陜極䞊に配眮され、正孔茞送材料ずァクセプタを 含む pドヌプ局ず、前蚘 pドヌプ局䞊に配眮され、電子ブロック材料を含む電子ブロッ ク局ず、前蚘電子ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、前蚘発光局䞊に 接するように配眮される正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局ず、前蚘正孔ブロック 局䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含む nドヌプ局ず、前蚘 nドヌプ局䞊に配 眮した陰極ずを含み、前蚘耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子は、 前蚘発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、前蚘 Pドヌプ局のァクセプタの濃床 ず前蚘 nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるこずを特城ずする
[0013] 請求項 2に蚘茉の発明は、異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又は積局配眮され 、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、前蚘有機 EL玠子は 、基板䞊に配眮された陰極ず、前蚘陰極䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含 む nドヌプ局ず、前蚘 nドヌプ局䞊に配眮され、正孔ブロック材料を含む正孔ブロック 局ず、前蚘正孔ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、前蚘発光局䞊に接 するように配眮される電子ブロック材料を含む電子ブロック局ず、前蚘電子ブロック局 䞊に配眮され、電子茞送材料ずァクセプタを含む pドヌプ局ず、前蚘 pドヌプ局䞊に 配眮した陜極ずを含み、前蚘耇数色のうちの少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子 は、前蚘発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、 pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるこずを特城ずする。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]本発明の第 1実斜圢態に係る光デバむスを採甚した衚瀺デバむス 1を説明する ための図である。
[図 2]本発明の第 2実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aを説明するための図である。 (A )は基板 2の玠子圢成偎からの衚瀺デバむス 1の平面図であり、 (B)は (A)に瀺した 領域 A付近の断面図である。 圆 3]本発明の䞀実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aの補造方法を説明するためのフロ 䞀チャヌトである。
圆 4]有機 EL玠子の駆動時の茝床の時間倉化を瀺す図である。 (A)は赀色発光を 行う有機 EL玠子 (赀色玠子)、B)は緑色発光を行う有機 EL玠子 (緑色玠子)、 (C) は青色発光を行う有機 EL玠子 (青色玠子)の駆動時の茝床の時間倉化を瀺す図で ある。
圆 5]有機 EL玠子の駆動時の駆動電圧の時間倉化を瀺す図である。 (A)は赀色発 光を行う有機 EL玠子 (赀色玠子)、 (B)は緑色発光を行 有機 EL玠子 (緑色玠子)、 (C)は青色発光を行う有機 EL玠子 (青色玠子)の駆動時の駆動電圧の時間倉化を 瀺す図である。
圆 6]本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子ず、第 1比范 䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子の茝床倉化を瀺す図である。 圆 7]本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子ず、第 2比范 䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子の茝床倉化を瀺す図である。 圆 8] (A)は本発明に係る光デバむスの発光色毎に異なる茝床劣化を揃える第 1具 䜓䟋を説明するための図であり、 (B)は本発明に係る光デバむスの発光色毎に異な る茝床劣化を揃える第 2具䜓䟋を説明するための図である。
圆 9]本発明に係る第 3実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aを説明するための図であり、 (A)は基板 2の玠子圢成偎力もの衚瀺デバむス 1Aの平面図であり、 (B)は (A)に瀺 した領域 A付近の断面図である。
圆 10]本発明の第 4実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Rを説明するための図である。 発明を実斜するための最良の圢態
本発明の䞀実斜圢態に係る光デバむスは、異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又 は積局配眮され、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、有機 EL玠子は、基板䞊に配眮された陜極ず、陜極䞊に配眮され、正孔茞送材料ずァクセ プタを含む Pドヌプ局ず、 pドヌプ局䞊に配眮され、正孔茞送材料ず電子ブロック材料 を含む電子ブロック局ず、電子ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、発光 局䞊に接するように配眮される電子茞送材料ず正孔ブロック材料を含む正孔ブロック 局ず、正孔ブロック局䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含む nドヌプ局ず、 nド ヌプ局䞊に配眮した陰極ず、を含み、耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子は、発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、 pドヌプ局のァクセプタの濃 床ず nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるこずを特城ずする。
[0016] たた、有機 EL玠子は、基板䞊に配眮された陰極ず、陰極䞊に配眮され、電子茞送 材料ずドナヌを含む nドヌプ局ず、 nドヌプ局䞊に配眮され、正孔ブロック材料を含む 正孔ブロック局ず、正孔ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、発光局䞊に 接するように配眮される電子ブロック材料を含む電子ブロック局ず、電子ブロック局䞊 に配眮され、電子茞送材料ずァクセプタを含む pドヌプ局ず、 pドヌプ局䞊に配眮した 陜極ずを有しおもょ 、。正孔ブロック局は電子茞送材料ず正孔ブロック材料を含むこず が奜たしい。たた、電子ブロック局は正孔茞送材料ず電子ブロック材料を含むこずが奜 たしい。
[0017] 䞊蚘構成の光デバむスでは、耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子 力 発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、 p (positive :担䜓が正孔ドヌプ局の ァクセプタの濃床ず n (negative担䜓が電子ドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡 方が蚭定されおいるので、長時間駆動時の色調ずれを防止するこずができる。たた、 色調ずれを防止するこずで光デバむスの衚瀺品質を向䞊させるこずができる。
[0018] たた、本発明の䞀実斜圢態に係る光デバむスは、発光局内のキャリアバランスが略 均䞀ずなるように、有機 EL玠子の pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌ の濃床の䞀方又は䞡方が芏定されおいる。䞊蚘構成の光デバむスでは、発光局内の キャリアバランスが略均䞀ずなるように、詳现には䟋えば発光局内の正孔キャリア濃床 ず電子キャリア濃床が略同䞀ずなるように、 pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局 のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が芏定されお 、るので、発光局内のキャリアバランス が略均䞀ずなり、䞀般的な有機 EL玠子ず比べお発光局の寿呜を長くするこずができる 以䞋、本発明の䞀実斜圢態に係る光デバむスを採甚した衚瀺デバむスを図面を参 照しながら説明する。
[0019] [第 1実斜圢態] 図 1は、本発明の第 1実斜圢態に係る光デバむスを採甚した衚瀺デバむス 1を説明 するための図である。図 1に瀺すように、発光局 53ずしお、異なる発光色、䟋えば赀 色 (R)、緑色G)、青色B)の光 (RL, GL, BL)を発光する発光局 53 (53R, 53G, 53B)を備える有機 EL玠子 100が、ガラスなどの芏定材料力もなる基板 2䞊に䞊列 配眮し、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行うものである。衚瀺デバむス 1は、これ に限らず 2色、 4色以䞊の混色によっおカラヌ衚瀺を行うものであっおもよぐたた図 1 には、各有機 EL玠子 100を䞊列配眮したものを瀺しおいる力 これに限らず異なる 色の発光を行う耇数の有機 EL玠子 100を積局配眮したものであっおもよい。図 1に 瀺した有機 EL玠子 100それぞれは、䞀぀の画玠 11に盞圓する。
[0020] この有機 EL玠子 100は、䟋えば図 1に瀺すように、基板 2䞊で、発光局 53 (53R, 5 3G, 53B)を含む発光機胜局 5を、䞀察の電極 (陜極 3ず陰極 6)間に挟持した構造を 有する。衚瀺デバむス 1は、図 1に瀺すように、基板 2䞊に圢成された陜極 3、この陜 極 3䞊に配眮されるずずもに正孔茞送材料ずァクセプタを含む正孔茞送局pドヌプ局 ) 51、正孔茞送局 51䞊に配眮されるずずもに電子ブロック材料を含む電子ブロック局 52ず、電子ブロック局 52䞊に接するように配眮される発光局 53ず、発光局 53䞊に接 するように配眮され、正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局 54ず、正孔ブロック局 54 䞊に配眮され電子茞送材料ずドナヌを含む電子茞送局nドヌプ局 55ず、電子茞送 å±€ 55䞊に配眮した陰極 6ずを有する。
[0021] 正孔茞送局 51は、正孔茞送材料を䞻䜓ずしお構成され、電子受容性物質 (ァクセ プタがドヌプされおいる。電子受容性物質は、 pドヌプ局においお電子を受け取るこ ずにより局内の正孔密床を高める機胜を有する。぀たり正孔茞送局 51は正孔密床を 有する。
[0022] 電子ブロック局 52は、電子ブロック材料を含むもので圢成されおおり、奜たしくは電 子ブロック材料ず正孔茞送機胜材料ずを混合したもので圢成されお 、る。正孔ブロッ ク局 54は、正孔ブロック材料を含むもので圢成されおおり、奜たしくは正孔ブロック材 料ず、電子茞送機胜材料を混合したもので圢成されおいる。電子茞送局 (nドヌプ局 55は、電子茞送材料を䞻䜓ずしお構成され、電子䟛䞎性物質 (ドナヌがドヌプされ おいる。電子䟛䞎性物質は、電子茞送局nドヌプ局 55においお電子を攟出するこ ずにより局内の電子密床を高める機胜を有する。぀たり電子茞送局 55は電子密床を 有する。正孔茞送局 51は本発明に係る pドヌプ局の䞀実斜圢態に盞圓する。電子 茞送局 55は本発明に係る nドヌプ局の䞀実斜圢態に盞圓する。
[0023] 䞊蚘構成の陜極 3ず陰極 6間に電圧を印加するず、玠子内に陜極 3から正孔が泚入 •茞送され、陰極 6から電子が泚入 '茞送されお、発光局 53にお正孔ず電子が再結合 しお、各色の発光を埗るものである。この際、発光局 53内での電子ず正孔ずの再結合 によっお陜極 3ず陰極 6間に電流が流れ、この電流に応じお各有機 EL玠子の茝床が 埗られるこず〖こなる。
[0024] 陜極 3ず陰極 6のうち光を取り出す偎の電極は、透明導電膜で圢成され、䞋郚電極 偎から光を取り出す堎合をボトムェミッション方匏、䞊郚電極偎から光を取り出す堎合 をトップェミッション方匏ずいう。この自発光玠子を䜎分子型有機 EL玠子ずした堎合 には、䞀般に䞀察の電極間に正孔茞送局、発光局、電子茞送局などの有機発光機 胜局からなる局構造が圢成されるこずになる。たた、高分子型の有機 EL玠子 100は、 ノ ィポヌラ性の材料を単局又は耇数局積局した構造で圢成される。
[0025] 䞀般的に異なる発光色の有機 EL玠子では、発光色毎に茝床劣化の床合いが異な る珟象が生じる。
䞀方、本発明に係る衚瀺デバむス 1では、耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の 有機 EL玠子 100は、発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、正孔茞送局 51 (p ドヌプ局のァクセプタの濃床ず電子茞送局nドヌプ局 55のドナヌの濃床の䞀方 又は䞡方が蚭定されおいる。このため、長時間駆動時の色調ずれを防止しお衚瀺デ バむス 1の衚瀺品質を向䞊させるこずができる。
[0026] たた、䟋えば発光局 53内の正孔密床ず電子密床の䞀方が他方より比范的倧きい堎 合、発光局 53の寿呜が䜎䞋するので、それを防止するために、本発明に係る衚瀺デ バむス 1では、正孔茞送局 51のァクセプタ濃床及び Z又は発光局 53内のキャリアバ ランスを調敎しお発光局 53内におけるキャリアバランスを最適化 (正孔密床ず電子濃 床を略等しくするこずで、衚瀺デバむス 1を長寿呜化するこずができる。
[0027] [第 2実斜圢態]
図 2は、本発明の第 2実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aを説明するための図である。 詳现には図 2 (A)は、基板 2の玠子圢成偎力もの衚瀺デバむス 1の平面図であり、図 2 (B)は図 2 (A)に瀺した領域 A付近の断面図である。本実斜圢態に係る衚瀺デバィ ス 1Aは、耇数の異なる発光色、詳现には図 2に瀺すように、第 1発光色 (èµ€: R)、第 2 発光色 (緑: G)、第 3発光色 (青: B)の 3皮類の有機 EL玠子力もの光 (RL, GL, BL )の混色によりカラヌ衚瀺を行う。
[0028] 衚瀺デバむス 1Aは、図 2 (A) , (B)に瀺すように、基板 2、陜極 3、発光局を備える 有機発光機胜局 5、陰極 6、および封止郚材 9を有する。陜極 3は、䞋郚電極および 第 1電極の䞀実斜圢態に盞圓する。陰極 6は、䞊郚電極、および第 2電極の䞀実斜 圢態に盞圓する。
[0029] 基板 2は、䟋えば平板状、フィルム状のものが奜たしぐ材質ずしおはガラス又はブラ スチック等を甚いるこずができる。䟋えばボトムェミッション型の衚瀺デバむス 1Aでは、 透明性を有する材料により基板 2を圢成する。
[0030] 陜極 3は、導電材料からなり、基板 2䞊に盎接又は他の局䟋えば保護局等)を介し お圢成されおいる。陜極 3の圢成材料ずしおは、䟋えば ITO (Indium Tin Oxide)など の透明導電材料を採甚する。
[0031] 発光局 53を備える有機発光機胜局 5は、陜極 3䞊に盎接又は他の局䟋えば電荷 茞送局等)介しお圢成される。有機発光機胜局 5は、䟋えば電荷茞送局、有機 EL発 光局 (発光局ずもいう)等の積局構造を有する。この有機発光機胜局 5は、䟋えば真 空蒞着法により圢成される。有機発光機胜局 5は、他にも塗垃、印刷法やレヌザ転 写法により圢成されおもよい。高分子バむンダヌに電荷茞送機胜、発光機胜、光孊 機胜、電荷阻止機胜、ァクセプタ、ドナヌ等を分散させたものを塗垃、印刷法等で成 膜しおちょい。
[0032] 陰極 6は、導電性材料力 なり、有機発光機胜局 5䞊に圢成されおいる。詳现には 、陰極 6は、図 2 (A) , 2 (B)に瀺すように、有機発光機胜局 5の端郚より内偎に端郚 が䜍眮するように、有機発光機胜局 5䞊に狭い範囲に圢成されおいる。具䜓的には、 陰極 6は、図 2 (A) , 2 (B)に瀺すように、有機発光機胜局 5の圢成された領域の䞀郚 が露出するように真空蒞着により圢成される。
[0033] 䞀぀の画玠 11は、䟋えば図 2 (A) , 2 (B)に瀺すように、有機発光機胜局 5が陜極 3、陰極 6間に挟持された領域のうち、有機発光機胜局 5の発光局が実質的に有効 に発光する領域に盞圓する。
[0034] 封止郚材 9は、基板 2䞊に圢成された有機 EL玠子 100を封止材料により封止する 。衚瀺デバむス 1の封止接合方法ずしおは、気密封止、膜封止、固䜓封止などの各皮 方法を採甚するこずができる。本実斜圢態では図 2 (A) , 2 (B)に瀺すように、玠子偎 の基板 2ず、䟋えばガラスや金属材料等の各皮材料力もなる封止基板 91ずの間をェ ポキシ抭脂等の接着剀などの封止材料 92を介しお封止を行う。この際、接着剀を有 機 EL玠子 100が圢成された面偎の党面に塗垃しお封止する。たた、有機 EL玠子 10 0に察応する䜍眮に凹郚ずする封止基板 91を接着剀を介しお基板 2ず貌合封止する 。この際、凹郚に也燥郚材を圢成しおも良ぐ封止材料 92のみで膜封止しおもよい。 この際、封止材料 92は保護局ずしお機胜する。
[0035] 有機 EL玠子 100ず倖郚回路 85 (851, 852)ずを接続するために基板 2䞊に圢成し おある䞊郚電極甚匕出配線 3aおよび第 2電極甚匕出配線 3bの䜍眮にフレキシブル 基板 80 (801, 802)などの配線基板が圧着されおいる。本実斜圢態では、倖郚回路 85ず䞊郚電極及び䞋郚電極ずの接続をフレキシブル基板 80により行った力 駆動回 路を基板䞊に圢成する COG (Chip on glass)、フレキシブル基板 80䞊に駆動回路を 圢成した FOG (Flip chip on glass)等の各皮実装技術を採甚しおもよい。
[0036] 図 3は、本発明の䞀実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aの補造方法を説明するため のフロヌチャヌトである。
[0037] 先ず、ガラスなどの基板 2を準備する (ステップ Sl)。
次に、基板 2䞊に ITO (むンゞりム錫酞ィ匕物等の透明電極を䞋郚電極陜極 3)ずし お圢成するようにパタヌナングを行うステップ S2)。本実斜䟋では、パッシブ駆動に よる衚瀺デバむスの䟋を瀺しお 、るので、䞋郚電極を耇数のストラむプ状にパタヌン 圢成する。
その陜極 3の䞊郚に、画玠を圢成するように、䟋えばポリむミド等の絶瞁膜の開口郚 を圢成するようにパタヌナングを行う。この開口郚が䞀぀の画玠を圢成し、この開口 郚内に有機発光機胜局 5による有機 EL玠子 100が圢成される。
[0038] 開口郚内の陜極第 1電極 3の䞊郚に α—NPD (N, N䞀 α—ゞナフチルベンゞ ゞン)のようなホヌル茞送局機胜材料ず、 F4-TCNQ (テトラフルォ口—テトラシァノ キノゞメタン)のような電子受容性物質 (ァクセプタずにより、正孔茞送局pドヌプ局 51を圢成するステップ S4, S5, S6)。この正孔茞送局pドヌプ局 51は、陜極 3か ら泚入された正孔を、ホッピング移動により発光局たで茞送する機胜を有する。ホヌ ル茞送機胜材料にドヌプされたァクセプタにより、正孔茞送局Pドヌプ局 51内で 正孔が生じやすくしおいる。
[0039] たた、正孔茞送局pドヌプ局 51を圢成する際、各発光色毎に異なる茝床劣化を 揃えるように、各正孔茞送局51R, 51G, 51B)のドナヌの濃床を調敎する (ステツ プ S3A, S4A, S5A)。
[0040] 次に、発光局 53内の電子が正孔茞送局pドヌプ局 51に移動するこずを抑止しお 発光局 5内に溜めるように機胜する電子ブロック局 52を正孔茞送局pドヌプ局 51 䞊に成膜するステップ S6)。この電子ブロック局 52は、 TPD (トリプ-ルゞァミン などの電子ブロック材料で圢成される。奜たしくは、電子ブロック材料ず正孔茞送機胜 材料を混合したもので圢成する。
䟋えば単䞀材料にお電子ブロック局が圢成されお 、る堎合ず比范しお、䞊蚘電子ブ ロック材料ず正孔茞送機胜材料を混合した混合材料にお圢成した堎合、発光局 53内 に発光に寄䞎する電子を閉じ蟌めるずずもにそれに䌎う再結合確率が向䞊するので 茝床 電流効率を向䞊させるこずができる。
[0041] たた、埓来の単䞀材料による電子ブロック局が圢成されおいる堎合、発光局 53内に 電子ブロッキング効果により発光局 53䞭に電子茞送局 55から泚入された電子が過 剰に溜たるこずで発光局 53を劣化させ、そのために玠子寿呜が極端に悪ィ匕するのず 比べお、本発明に係る電子ブロック局 52を蚭けたこずにより発光局 53内のキャリアバ ランスを最適化 (正孔濃床ず電子濃床を略等しくするこずで、有機 EL玠子の寿呜の 悪ィ匕を防止するこずができる。
[0042] 次に、電子ブロック局 52䞊に、異なる耇数の発光色の発光局 53を成膜する。詳现 には、発光材料ずしおは、衚瀺デバむスの蚭蚈事項、䟋えばドットマトリックスやアむコ ン衚瀺、セグメント衚瀺により適宜遞択しおよい。
[0043] 本実斜圢態では、䟋えば第 1発光色 (赀ずしお DCM1等のスチリル色玠等の赀色 を発光する材料やゞスチル誘導䜓、第 2発光色 (緑)ずしおクマリン等の緑色を発光す る材料、第 3発光色 (青ずしおトリァゟヌル誘電䜓等の青色を発光する材料を、塗り 分け甚の蒞着マスクを利甚しお第 1発光色第 2発光色第 3発光色の圢成領域それ ぞれに塗り分けお、各発光局53R, 53G, 53B)を圢成するS7, S8, S9)。
[0044] 次に、発光局 53内の正孔が電子茞送局 55に移動するこずを抑止しお発光局 5内に 溜めるように機胜する正孔ブロック局 54を、各発光局 53䞊に成膜する (ステップ S10 )。この正孔ブロック局 54は、 BCP (4, 4— N, N—ゞカルバゟヌル—ビプ-ル のような正孔ブロック材料ず、 BPhen(4, 7 ゞプ-ルヌ 1, 10プナント口リンのよ うな電子茞送機胜材料を混合した混合材料で圢成する。
[0045] 䟋えば単䞀材料にお正孔ブロック局が圢成されお 、る堎合ず比范しお、本発明に係 る正孔ブロック局 54は、䞊蚘電子ブロック材料ず正孔茞送機胜材料を混合した混合 材料にお圢成されおいるので、発光局 53内に発光に寄䞎する電子を閉じ蟌めるずず もにそれに䌎う再結合確率が向䞊するので茝床 電流効率を向䞊させるこずができ る。
[0046] たた、埓来の単䞀材料による正孔ブロック局 54が圢成されお 、る堎合、正孔ブロッ キング効果により発光局 53䞭に正孔茞送局 51から泚入された正孔が過剰に溜たる こずで発光局 53を劣化させ、そのために玠子寿呜が極端に悪ィ匕するのず比べお、本 発明に係る正孔ブロック局 54では、それを玠子寿呜の悪ィ匕を防止するこずができる。
[0047] 次に、正孔ブロック局 54䞊に、 BPhenのような電子茞送機胜材料ず、リチりム (Li) などの電子䟛䞎性物質 (ドナヌずにより電子茞送局nドヌプ局 (55R, 55G, 55B )を圢成するステップ Sl l, S12, S13)。
この電子茞送局nドヌプ局 55は、陰極 6ずしお機胜する䞊郚電極 (第 2電極)から 、泚入された電子をホッピング移動により発光局 53たで茞送する機胜を有する電子 茞送材料機胜材料にドヌプされたドナヌにより、発光に寄䞎する電子が電子茞送局 (nドヌプ局 55内で生じやすくしおいる。
[0048] たた、電子茞送局nドヌプ局 55を圢成する際、各発光色毎に異なる茝床劣化を 揃えるように、各電子茞送局55R, 55G, 55B)のドナヌの濃床を調敎する (ステツ プ S11A, S12A, S13A)。 [0049] 次に、䞊述した有機発光機胜局 5の䞊郚に、第 2電極ずしお陰極 6を圢成する。本 実斜圢態では、アルミニりム (A1)などの金属材料を成膜しお圢成する。たた、本実斜 圢態では、陰極 6は、図 2 (A) , 2 (B)に瀺すように、䞋郚電極ずしおの陜極 3ず盎亀す るようにストラむプ状に圢成するようにパタヌナングされる (ステップ S 14)。このパタヌ ナングは、先に予め陰極隔壁を圢成しおおき、ノタヌナングするようにしおもよい䞍 図瀺)。
[0050] 次に、䞊郚電極の成膜パタヌナング終了埌に、ガラス等による封止基板ず封止材 料により、䞊蚘補造工皋により生成された有機 EL玠子 100を封止する (ステップ S15 )。詳现には、封止材料は、基板 2ず封止基板 91ずの間の封止空間に゚ポキシ抭脂 などの気密に充填しお固化又は硬化させる。たた、封止材料は、シリコヌンオむルな どの液䜓でもよく、封止空間に窒玠 (N2)などの䞍掻性ガスを充填させた気密封止で もよい。気密封止の際には、封止空間に䟵入する氎分などの有機 EL玠子の劣化因 子を吞着する捕氎剀などの吞着剀を蚭眮しおもよい。たた、衚瀺デバむスの薄型化を 図るために、封止郚材 9を窒化酞ィ匕シリコンなどの封止膜で圢成しおもよい。
[0051] 次に、封止工皋埌に、䞊蚘有機 EL玠子 100が圢成された基板 2を倧気状態に戻し 、衚瀺デバむス 1ず倖郚回路 85 (851, 8522)ずを電気的に接続するために基板 2侊 の匕出配線郚 2A, 6Aに、フレキシブル基板 (配線郚材) 80 (801, 802)を圧着する (アツセィ工皋)。本実斜圢態ではフレキシブル基板 80ず倖郚回路 85ずを電気的に 接続した圢態を瀺したが、この圢態に限られるものではなぐ䟋えば駆動回路等の倖 郚回路 85を基板 2䞊に圢成する COG (Chip On Glass)、フレキシブル基板䞊に駆動 回路などの倖郚回路䞊に圢成する FOG (Film On Glass)であっおもよい。さらに、有 機 EL玠子 100の駆動を、パッシブマトリクス駆動型ではなぐ TFT基板を利甚したァ クティブマトリクス駆動型であっおも、本発明に係る衚瀺デバむス 1を実珟できれば、こ れに限られるものではな 、。
[0052] たた、ステップ S3A, S4A, S5Aにおける各正孔茞送局pドヌプ局 (51R, 51G, 51B)のァクセプタ濃床の調敎、およびステップ S11A, S12A, S13Aにおける電子 茞送局nドヌプ局 (55R, 55G, 55B)のドナヌ濃床の調敎の䞀具䜓䟋を説明する [0053] 䟋えば耇数の異なる発光色の有機 EL玠子 100それぞれに぀いお、予め耇数の異 なる正孔茞送局Pドヌプ局 (51R, 51G, 51B)のァクセプタ濃床、電子茞送局nド ヌプ局55R, 55G, 55B)のドナヌ濃床の有機 EL玠子 100を䜜補した埌、䟋えば 定電流駆動時の茝床の劣化の床合い時間倉化)を枬定し、発光色毎に異なる茝床 劣化を揃えるように、所定の pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃 床の䞀方又は䞡方を特定し、その特定された所定の pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方に蚭定しお、各正孔茞送局pドヌプ局 ( 51R, 51G, 51B) ,電子茞送局nドヌプ局 (55R, 55G, 55B)を䜜補しおもよい。
[0054] [具䜓䟋]
次に本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむス 1の補造方法をより詳现に説明する。 䞊蚘実斜圢態ず同様な構成、機胜、補造工皋に぀いおは説明を省略する。
[0055] 先ず、ガラス等の基板 2䞊に、䞋郚電極ずしお ITO力もなる陜極 3を圢成し、その陜 極 3䞊に、正孔茞送局pドヌプ局 51、電子ブロック局 52、発光局 53、正孔ブロック å±€ 54、電子茞送局 55等を有する発光機胜局 5を圢成し、その発光機胜局 5䞊に、䞊 郚電極ずしおアルミニりム (A1)など力らなる陰極 6を圢成しお、䞊蚘圢成工皋により有 機 EL玠子 100を圢成する。以䞋に瀺すドヌパントの濃床は、重量で瀺しおいる。 ドヌパントの濃床の指暙は重量に限られるものではなぐ䜓積で瀺しおもよい。
[0056] 䟋えば、膜厚 110nmの ITO力もなる陜極が圢成されたガラス基板 2䞊に、真空床 5 . 0 X 10— 4Paの各成膜宀内で真空蒞着法により発光機胜局 5を成膜する。この際、 詳现には、 ITO䞊に正孔茞送局ずしお、 CuPc (銅フタロシアニンを 20nmの膜厚で 成膜し、次いで、正孔茞送局 51䞊に pドヌプ局ずしお、 F4— TCNQをドヌプした NP Dを lOnmの膜厚で成膜する。ドヌプ濃床は、䟋えば 0, 1, 5, 10, 15%の 5段階の 濃床範囲に蚭定する。
次に、電子ブロック局 52ずしお NPB (N,N- di(naphthalene- 1- yl)- N,N- dipheny ben zidene)を 40nmの膜厚で成膜する。
[0057] 次に、電子ブロック局 52䞊に、塗り分け甚蒞着マスクを甚いお、発光局 53Rの成膜 領域を開口させ、 Alq (ホスト材料)ず、 DCJTB (ドヌパントずを異なる蒞着源から共
3
蒞着するこずで、膜厚 30nmの発光局 53Rを成膜した。このずき DCJTBのドヌパント 濃床は 0. 8%である。
[0058] 次に、電子ブロック局 52䞊に、塗り分け甚蒞着マスクを甚いお、発光局 53Gの成膜 領域を開口させ、 Alq (ホスト材料)ず、クマリン 6 (ドヌパント)ずを異なる蒞着源から共
3
蒞着するこずで、膜厚 30nmの発光局 53Gを成膜した。このずきクマリン 6のドヌパント 濃床は 2. 0%である。
[0059] 次に、電子ブロック局 52䞊に、塗り分け甚蒞着マスクを甚いお、発光局 53Bの成膜 領域を開口させ、 Alq (ホスト材料)ず、 BD— 052 (ドヌパントずを異なる蒞着源から
3
共蒞着するこずで、膜厚 25nmの発光局 53Bを成膜した。このずき DB— 052のドヌパ ント濃床は 5. 0%である。
この BH—140ず BD— 052は、出光興産 (æ ª)補の有機 EL発光局材料の補品名で ある。
[0060] 次に、発光局 53 (発光局 53R, 53G, 53B)䞊に、正孔ブロック局 54ずしお、 Bphe n (4, 7ゞプ-ル— 1, 10—プナント口リンを lOnmで成膜する。次に、正孔ブロッ ク局䞊に nドヌプ局ずしお CsF (フッ化セシりムをドヌプした Bphenを 10nmの膜厚 で成膜した。ドヌプ濃床は、䟋えば、 0, 1, 5, 10, 15%に蚭定する。
[0061] 次に、 nドヌプ局䞊に電子泚入局ずしお、 Li O (酞化リチりムを lnmの厚さに成膜
2
した。そしお、電子泚入局䞊に陰極 6ずしお A1 (アルミニりムを 200nmの膜厚にお圢 成した。
[0062] 次に、本願発明者は、 ITO (110) /CuPc (20) /NPB (10) +F4TVNQ/NPB
(40) ZEML (発光局 R53R, 53G, 53B) /Bphen(10) /Bphen(10) +CsF/L i O (l) ZAl(200)の構成の各発光色 (赀色、緑色、青色の有機 EL玠子 100を、
2
䞊蚘補造方法により䜜補し、各皮パラメヌタ、詳现には、 p濃床、 n濃床、電圧、茝床 、茝床比 (察 Ref)等を枬定した (è¡š 1〜衚 3)。衚 1〜衚 3に瀺した各皮パラメヌタは初 期特性を瀺す。
[0063] [è¡š 1] 赀発光局: Alq (300) +DC JTB(0,8%)
R (10mA/cm2)
Figure imgf000017_0001
[0064] [è¡š 2] 緑発光局: Alq(300)+クマリン 6(2%)
G ( 10mA/cm2)
p;蟰床 N濃床 電圧 茝床 茝床比 (察 Ref)
No.1 (Ref) 侀 - 6.0 1630 1.0
No.2 1% 侀 5.4 1350 0.8
No.3 5% - 4.9 1280 0.8
No.4 10% - 4.6 1220 0.8
No.5 - 1 % 5.9 1560 1.0
No.6 - 5% 5.7 1580 1.0
No.7 侀 10% 5.5 1570 1.0
No.8 - 15% 5.5 1590 1.0
No.9 1% 10% 5.0 1560 1.0
No.10 1% 15% 4.9 1600 1.0
No.1 1 10% 10% 4.2 1410 0.9
No.12 10% 15% 4.1 1430 0.9
[0065] [è¡š 3]
青発光局: iDE140 (250) +B52(5%)
Figure imgf000018_0001
[0066] 図 4は、有機 EL玠子の駆動時の茝床の時間倉化を瀺す図である。瞊軞は茝床を 瀺し、暪軞は時間を瀺す。詳现には、図 4 (A)は、赀色発光を行う有機 EL玠子 (赀色 玠子、図 4 (B)は、緑色発光を行う有機 EL玠子 (緑色玠子、図 4 (C)は青色発光を 行う有機 EL玠子 (青色玠子)の駆動時の茝床の時間倉化を瀺す図である。
[0067] 図 5は、有機 EL玠子の駆動時の駆動電圧の時間倉化を瀺す図である。瞊軞は茝 床を瀺し、暪軞は時間を瀺す。詳现には、図 5 (A)は、赀色発光を行う有機 EL玠子 赀色玠子)、図 5 (Β)は、緑色発光を行う有機 EL玠子 (緑色玠子)、図 5 (C)は青色 発光を行う有機 EL玠子 (青色玠子)の駆動時の駆動電圧の時間倉化を瀺す図であ る。
詳现には図 4,図 5は、有機 EL玠子 100の定電流駆動時の茝床の時間倉化を瀺 す。
[0068] 䞊述したように、衚 I〜衚 3,図 4〜図 5に瀺すように、正孔茞送局ρドヌプ局 (51 R, 51G, 51B)のァクセプタ濃床、および電子茞送局ηドヌプ局 (55R, 55G, 55 Β)のドナヌ濃床を耇数の異なる倀に蚭定しお、茝床の時間倉化を枬定するず、各発 光色の有機 EL玠子 100それぞれ特有の茝床劣化特性が埗られる。この際、有機 EL 玠子 100それぞれ特有の茝床劣化特性が埗られた。
[0069] 図 6は、本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子ず、第 1 比范䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子の茝床倉化を瀺す図である。
[0070] [本発明] 次に、䞊蚘結果に基づいお、各皮 RGBそれぞれの発光色の有機 EL玠子 100の発 光局内のキャリアバランスや、発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、正孔茞送 局Pドヌプ局 51のァクセプタの濃床ず電子茞送局nドヌプ局 55のドナヌの濃床 ずの䞀方又は䞡方を決定する。
[0071] 本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむス 1は、䟋えば衚 3に瀺す No.6の電子茞送局
(nドヌプ局 55が 5%のドナヌ濃床 (寿呜アップ)の青色の有機 EL玠子S B)、衚 2 に瀺す No.2の正孔茞送局pドヌプ局 51が 1 %のァクセプタ濃床 (寿呜ダりン)の緑 色の有機 EL玠子S : G)、衚 1に瀺す No.6の正孔茞送局pドヌプ局 51が 10%の ァクセプタ濃床 (寿呜ダりン)の赀色の有機 EL玠子S :R)を有する。
[0072] たた、第 1比范䟋に係る衚瀺デバむスは、電子茞送局および正孔茞送局それぞれ に nドヌプゃ pドヌプを行わない堎合、詳现には衚 3に瀺すように No.1の青色の有機 EL玠子Q1 : B)、衚 2に瀺すように No.lの緑色の有機 EL玠子Q1 : G)、衚 1に瀺す ように No.1の赀色の有機 EL玠子Q 1 R)を有する。
[0073] 図 6に瀺すように、䞊蚘構成の第 1比范䟋に係る衚瀺デバむスでは各発光色の茝 床劣化が䞍揃いであり、長時間駆動時の色調ずれが生じおしたう。䞀方、本発明に 係る衚瀺デバむス 1では、図 6に瀺すように、䟋えば青色玠子の茝床劣化を䞊方修正 し、赀色玠子および緑色玠子の茝床劣化を䞋方修正するこずにより、発光色毎の茝 床劣化 (時間倉化)が揃 、、長時間駆動時の色調ずれを防 V、で光デバむスの衚瀺品 質が向䞊した。
[0074] 図 7は、本発明の䞀具䜓䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子ず、第 2 比范䟋に係る衚瀺デバむスの各発光色の有機 EL玠子の茝床倉化を瀺す図である。
[0075] 次に、第 2比范䟋に係る衚瀺デバむスは、単玔に駆動電圧の䜎電圧化のために、 è¡š 1〜衚 3や図 6,図 7に瀺した枬定の結果に基づいお、比范的䜎い駆動電圧の玠 子を有する。詳现には、第 2比范䟋に係る衚瀺デバむスは、衚 3に瀺すように No.7の 青色の有機 EL玠子Q2 B)、衚 2に瀺すように No.4の緑色の有機 EL玠子Q2 G) 、衚 1に瀺すように No.4の赀色の有機 EL玠子Q2 R)を有する。
[0076] 䟋えば図 7に瀺すように、単玔に pドヌプ局ゃ nドヌプ局の䜎電圧化を図った第 2比 范䟋に係る衚瀺デバむスでは、電荷 (ホヌルや電子が発光局 53内で再結合されず に、発光局 53を通過しおしたう堎合があり、発光局 53内での再結合バランスが䜎䞋 しお、䜎茝床化が生じる。
[0077] 䞀方、本発明に係る衚瀺デバむス 1では、䟋えば図 7に瀺すように、耇数色の有機 EL玠子は、発光色毎に異なる茝床劣化が揃っおいるので、長駆動時における色調 ずれを防止するこずができる。衚瀺デバむスの衚瀺品質を向䞊させるこずができる。発 光局内のキャリアバランスを調敎しお衚瀺デバむスを長寿呜化するこずができる。
[0078] 図 8 (A)は、本発明に係る光デバむスの発光色毎に異なる茝床劣化を揃える第 1具 䜓䟋を説明するための図であり、図 8 (B)は、本発明に係る衚瀺デバむスの発光色毎 に異なる茝床劣化を揃える第 2具䜓䟋を説明するための図である。
[0079] たた、本発明に係る衚瀺デバむス 1では、発光色毎に異なる有機 EL玠子 100の茝 床劣化を揃えるように、発光色毎に異なる茝床劣化を揃えるように、 pドヌプ局のァク セプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方を芏定しお、有機 EL玠子 100の茝床劣化を䞋方修正又は䞊方修正すればよい。詳现には、䟋えば図 8 (A)に 瀺すように、異なる発光色の第 1色玠子 (G) ,第 2色玠子 (B) ,第 3色玠子 (R)それぞ れにおいお、第 1色玠子 (G)より第 2色玠子 (B)の茝床が小さぐ第 2色玠子 (B)より 第 3色玠子 (R)の茝床が小さい堎合に、䟋えばその䞭で茝床の䞀番倧きい第 1色玠 子 (G)の茝床劣化に揃えるように、第 2色玠子 (B)および第 3色玠子 (R)の茝床劣化 を䞊方修正しおもよい。たた、䟋えば図 8 (B)に瀺すように、第 2色玠子 (B)の茝床劣 化に揃えるように、第 1色玠子 (G)の茝床劣化を䞋方修正し、第 3色玠子 (R)の茝床 劣化を䞊方修正しおもよい。
たた、第 1色玠子 (G) ,第 2色玠子 (B) ,第 3色玠子 (R)の茝床劣化を予め芏定さ れた茝床劣化ずなるように、それぞれの茝床劣化を䞊方修正又は䞋方修正しおもよ い。
[0080] たた、衚瀺デバむスが、 2色、又は 4色以䞊の有機 EL玠子を備える堎合であっおも 、耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子 100が、発光色毎に異なる 茝床劣化を揃えるように、 pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃床 の䞀方又は䞡方を芏定しおもよ 、。
[0081] [第 3実斜圢態] 図 9は、本発明に係る第 3実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aを説明するための図で ある。詳现には図 9 (A)は、基板 2の玠子圢成偎力もの衚瀺デバむス 1Aの平面図で あり、図 9 (B)は図 9 (A)に瀺した領域 A付近の断面図である。䞊蚘実斜圢態ず同様 な構成、䜜甚、動䜜、効果などに぀いおは説明を省略する。
[0082] 図 9 (A) , 9 (B)に瀺すように、本実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Aは、アクティブマ トリタス駆動型の衚瀺デバむスである。詳现には、衚瀺デバむス 1Aは、図 9 (A) , 9 (B )に瀺すように、基板 2䞊に、有機 EL玠子を駆動するための TFT (薄膜トランゞスタ を画玠 11毎に有する。䟋えば、 TFTのドレむン電極に第 1電極䞋郚電極陜極 3)が 電気的に接続されおいる。この TFTの配眮、個数、補造方法は、特に限定されるもの ではなぐ䟋えば TFTずしお、䞀般的なプレヌナ型 TFT、逆スタガ型 TFT、有機 TF Tなどを採甚しおもよい。
[0083] 䞊蚘衚瀺デバむス 1Aの補造方法を簡単に説明する。䞊蚘実斜圢態ず同様な補造 工皋などに぀いおは説明を省略する。 TFT圢成埌に、衚瀺デバむスの画玠を圢成す る領域をポリむミド等の各皮材料により絶瞁膜 4を圢成するようにパタヌナングを行う。 このパタヌ-ングされた絶瞁膜 4の開口郚画玠 11)内に、䞊蚘実斜圢態に係る、正 孔茞送局Pドヌプ局 51、電子ブロック局 52、発光局 53、正孔ブロック局 54、電子 茞送局 55を、䟋えば真空蒞着などの各皮圢成法により圢成する。このずきの有機材 料や玠子の膜厚などは、衚瀺デバむスの皮類により適宜芏定する。
[0084] 次に、電子茞送局 55䞊に第 2電極陰極 6)ずしお、アルミニりム (A1)を画玠領域の 䞀面に成膜する。次に、第 2電極 (陰極 6)を圢成した埌に、封止工皋、及びアツセィ 工皋を行 \ 09 (A) , 9 (B)に瀺す衚瀺デバむス 1 Aが完成する。
[0085] 䞊蚘構成の衚瀺デバむス 1Aでは、䟋えば、画玠 11毎に圢成された TFTからの駆 動信号に応じお、有機 EL玠子 100の䞋郚電極陜極 3)に䌝わり、䞀定電䜍 (䟋えば 基準電䜍:グランド電䜍に保持された䞊郚電極 (陰極 6)ずの電䜍差が生じ、その電 䜍差に応じた電流が発光局 53に流れるこずにより、発光局 53の発光 Z非発光の駆 動を行う。
[0086] 以䞊説明したように、本発明に係る衚瀺デバむスをアクティブマトリックス駆動型の 衚瀺デバむス 1 Aに適甚するこずで、アクティブマトリックス駆動型であっおも、長時間 駆動時の色調ずれを防 、で衚瀺デバむスの衚瀺品質を向䞊させるこずができる。たた
、発光局内のキャリアバランスを調敎しお衚瀺デバむス 1Aを長寿呜化するこずができ る。
[0087] [第 4実斜圢態]
図 10は、本発明の第 4実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Rを説明するための図である 。䞊蚘実斜圢態ず同様な構成、機胜、動䜜、効果などに぀いおは説明を省略する。 本実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1Rは、図 10に瀺すように、第 1実斜圢態に係る衚 瀺デバむス 1ず逆の積局構造を有し、基板 2䞊に、陰極 6、電子茞送局 55、正孔ブロ ック局 54、発光局 53、電子ブロック局 52、正孔茞送局pドヌプ局 51、陜極 3が順 次積局されおいる。
[0088] 衚瀺デバむス 1Rは、詳现には、図 10に瀺すように、異なる発光色の有機 EL玠子 1 00が䞊列又は積局配眮され、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行う衚瀺デバむス であっお、有機 EL玠子 100は、基板 2䞊に配眮された陰極 6ず、陰極 6䞊に配眮され 、電子茞送材料ずドナヌを含む電子茞送局nドヌプ局 55ず、電子茞送局nドヌプ 局 55䞊に配眮され、電子茞送材料ず正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局 54ず、 正孔ブロック局 54䞊に接するように配眮される発光局 53ず、発光局 53䞊に接するよ うに配眮される正孔茞送材料ず電子ブロック材料を含む電子ブロック局 52ず、電子ブ ロック局 52䞊に配眮され、電子茞送材料ずァクセプタを含む正孔茞送局pドヌプ局 51ず、正孔茞送局pドヌプ局 51䞊に配眮した陜極 3ずを有する。たた、耇数色のう ちの少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子 100は、発光色毎に異なる茝床劣化を 揃えるように、正孔茞送局pドヌプ局 51のァクセプタの濃床ず電子茞送局nドヌプ 局 55のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されお V、る。
[0089] 䞊蚘構成の衚瀺デバむス 1Rでは、第 1実斜圢態に係る衚瀺デバむス 1ず逆の積局 構造を有しお 、おも、長時間駆動時の色調ずれを防 、で衚瀺デバむスの衚瀺品質を 向䞊させるこずができる。たた、衚瀺デバむス 1Rでは、発光局 53内のキャリアバランス を調敎しお衚瀺デバむス 1Rを長寿呜化するこずができる。
[0090] 以䞊説明したように、本発明に係る衚瀺デバむス 1は、異なる発光色の有機 EL玠 子 100が䞊列又は積局配眮され、耇数色の混色によっおカラヌ衚瀺を行う衚瀺デバ むス 1であっお、有機 EL玠子 100は、基板 2䞊に配眮された陜極 3ず、陜極 3䞊に配 眮され、正孔茞送材料ずァクセプタを含む正孔茞送局Pドヌプ局 51ず、正孔茞送 局Pドヌプ局 51䞊に配眮され、正孔茞送材料ず電子ブロック材料を含む電子プロ ック局 52ず、電子ブロック局 52䞊に接するように配眮される発光局 53ず、発光局 53 に接するように配眮される電子茞送材料ず正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局 54 ず、正孔ブロック局 54䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含む電子茞送局nド ヌプ局 55ず、電子茞送局nドヌプ局 55䞊に配眮した陰極 6ずを含み、耇数色の 内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子 100は、発光色毎に異なる茝床劣化を 揃えるように、正孔茞送局pドヌプ局 51のァクセプタの濃床ず電子茞送局nドヌプ 局 55のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるので、長時間駆動時の色 調ずれを防いで衚瀺デバむスの衚瀺品質を向䞊させるこずができる。たた、発光局 53 内のキャリアバランスを調敎しお衚瀺デバむス 1を長寿呜化するこずができる。
なお、本発明は䞊述した実斜圢態に限られるものではない。䟋えば䞊蚘実斜圢態 を組み合わせお実斜しおもよ 、。

Claims

請求の範囲
[1] 異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又は積局配眮され、耇数色の混色によっお力 ラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、
前蚘有機 EL玠子は、
基板䞊に配眮された陜極ず、
前蚘陜極䞊に配眮され、正孔茞送材料ずァクセプタを含む pドヌプ局ず、 前蚘 Pドヌプ局䞊に配眮され、電子ブロック材料を含む電子ブロック局ず、 前蚘電子ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、
前蚘発光局䞊に接するように配眮される正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局ず 前蚘正孔ブロック局䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含む nドヌプ局ず、 前蚘 nドヌプ局䞊に配眮した陰極ず、を含み、
前蚘耇数色の内の少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子は、前蚘発光色毎に異 なる茝床劣化を揃えるように、前蚘 pドヌプ局のァクセプタの濃床ず前蚘 nドヌプ局の ドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるこずを特城ずする光デバむス。
[2] 異なる発光色の有機 EL玠子が䞊列又は積局配眮され、耇数色の混色によっお力 ラヌ衚瀺を行う光デバむスであっお、
前蚘有機 EL玠子は、
基板䞊に配眮された陰極ず、
前蚘陰極䞊に配眮され、電子茞送材料ずドナヌを含む nドヌプ局ず、 前蚘 nドヌプ局䞊に配眮され、正孔ブロック材料を含む正孔ブロック局ず、 前蚘正孔ブロック局䞊に接するように配眮される発光局ず、
前蚘発光局䞊に接するように配眮される電子ブロック材料を含む電子ブロック局ず 前蚘電子ブロック局䞊に配眮され、電子茞送材料ずァクセプタを含む pドヌプ局ず 前蚘 Pドヌプ局䞊に配眮した陜極ず、を含み、
前蚘耇数色のうちの少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子は、前蚘発光色毎に異 なる茝床劣化を揃えるように、 pドヌプ局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの 濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおいるこずを特城ずする光デバむス。
[3] 前蚘正孔ブロック局は、電子茞送材料ず正孔ブロック材料を含むこずを特城ずする 請求項 1又は請求項 2に蚘茉の光デバむス。
[4] 前蚘電子ブロック局は、正孔茞送材料ず電子ブロック材料を含むこずを特城ずする 請求項 1又は請求項 2に蚘茉の光デバむス。
[5] 前蚘耇数色のうちの少なくずも䞀぀の発光色の有機 EL玠子は、前蚘発光色毎に異 なる茝床劣化を揃えるように、前蚘茝床劣化を䞋方修正たたは䞊方修正した pドヌプ 局のァクセプタの濃床ず nドヌプ局のドナヌの濃床の䞀方又は䞡方が蚭定されおい るこずを特城ずする請求項 1又は請求項 2に蚘茉の光デバむス。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2929451A1 (fr) * 2008-03-31 2009-10-02 Commissariat Energie Atomique Composant organique a haute tenue en temperature
WO2011024346A1 (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 シャヌプ株匏䌚瀟 有機゚レクトロルミネッセンス玠子、有機゚レクトロルミネッセンス衚瀺装眮、および有機゚レクトロルミネッセンス照明装眮
WO2013018850A1 (ja) * 2011-08-03 2013-02-07 䜏友化孊株匏䌚瀟 有機゚レクトロルミネッセンス玠子
KR20150015647A (ko) * 2013-07-31 2015-02-11 엘지디슀플레읎 죌식회사 백색 유Ʞ전계발ꎑ소자
CN106450017A (zh) * 2016-10-21 2017-02-22 京䞜方科技集团股仜有限公叞 侀种oled噚件及oled星瀺装眮
CN111180601A (zh) * 2020-01-03 2020-05-19 京䞜方科技集团股仜有限公叞 Oled星瀺噚件、星瀺基板及其制倇方法
CN111384299A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 固安錎材科技有限公叞 䞀种有机发光二极管及其制倇方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機゚レクトロルミネッセンス玠子ずその補造法
JP2002359080A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Toray Ind Inc 発光玠子
JP2004119201A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 有機衚瀺装眮
JP2006140444A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Tohoku Pioneer Corp 自発光衚瀺装眮及びその補造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機゚レクトロルミネッセンス玠子ずその補造法
JP2002359080A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Toray Ind Inc 発光玠子
JP2004119201A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 有機衚瀺装眮
JP2006140444A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Tohoku Pioneer Corp 自発光衚瀺装眮及びその補造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2929451A1 (fr) * 2008-03-31 2009-10-02 Commissariat Energie Atomique Composant organique a haute tenue en temperature
WO2011024346A1 (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 シャヌプ株匏䌚瀟 有機゚レクトロルミネッセンス玠子、有機゚レクトロルミネッセンス衚瀺装眮、および有機゚レクトロルミネッセンス照明装眮
WO2013018850A1 (ja) * 2011-08-03 2013-02-07 䜏友化孊株匏䌚瀟 有機゚レクトロルミネッセンス玠子
JP2013033872A (ja) * 2011-08-03 2013-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機゚レクトロルミネッセンス玠子
CN103733369A (zh) * 2011-08-03 2014-04-16 䜏友化孊株匏䌚瀟 有机电臎发光元件
JP2015032582A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 ゚ルゞヌ ディスプレむ カンパニヌ リミテッド 癜色有機電界発光玠子
KR20150015647A (ko) * 2013-07-31 2015-02-11 엘지디슀플레읎 죌식회사 백색 유Ʞ전계발ꎑ소자
US9281487B2 (en) 2013-07-31 2016-03-08 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting diode device
TWI552409B (zh) * 2013-07-31 2016-10-01 暂金顯瀺科技股仜有限公叞 癜色有機癌光二極體裝眮
KR102081605B1 (ko) * 2013-07-31 2020-02-27 엘지디슀플레읎 죌식회사 백색 유Ʞ전계발ꎑ소자
CN106450017A (zh) * 2016-10-21 2017-02-22 京䞜方科技集团股仜有限公叞 侀种oled噚件及oled星瀺装眮
CN111384299A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 固安錎材科技有限公叞 䞀种有机发光二极管及其制倇方法
CN111384299B (zh) * 2018-12-29 2024-02-09 固安錎材科技有限公叞 䞀种有机发光二极管及其制倇方法
CN111180601A (zh) * 2020-01-03 2020-05-19 京䞜方科技集团股仜有限公叞 Oled星瀺噚件、星瀺基板及其制倇方法
CN111180601B (zh) * 2020-01-03 2022-06-28 京䞜方科技集团股仜有限公叞 Oled星瀺噚件、星瀺基板及其制倇方法

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