WO2008015771A1

WO2008015771A1 - Support plate, method of detaching wafer, and method of thinning wafer

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Publication number: WO2008015771A1
Application number: PCT/JP2007/000615
Authority: WO
Inventors: Atsushi Miyanari
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2006-08-02
Filing date: 2007-06-08
Publication date: 2008-02-07
Anticipated expiration: 2009-02-02
Also published as: JP2008041780A; TW200810007A

Description

明細書

サポートプレート、ウェハを剥離する方法、及びウェハを薄板化する方法

技術分野

[0001 ] 本発明は、ウェハを面サポートするサポートプレートの構造、そのサポートプレートを使用してそのサポートプレー卜からウェハを剥離する方法、及びウェハを薄板化する方法に関する。背景技術

[0002] 従来、携帯機器の薄型化、小型化、又は軽量化の開発が進むにつれ、機器に組み込まれる半導体チップの更なる薄板化が求められてきている。

この半導体チップに利用されるウェハは現状は厚みが 1 2 5 jU m〜1 5 0

U mであるが、 2 5 m〜5 0 mの薄板化の開発も進められている。

[0003] このように薄板化されるウェハは、ウェハの厚みを薄くする研削研磨ェ程やウェハの裏面処理を行う工程などを経て製造され、最終的に複数の半導体チップに分割される。

ウェハが薄板化されるにつれ、それ自体で形状を維持することができず、例えば折れ曲がるなどによりハンドリングが困難になる。

[0004] そのため、通常は、ウェハは硬い支持板（以下、サポートプレートと呼ぶこととする）に貼り付けられ、このサポートプレートごと各工程で上記ウェハがハンドリングされるようになつている。

[0005] ウェハが薄板化される場合に使用されるサポートプレートとして、例えば貫通孔を有するものゃ孔自体を有しないものがある。

この内、サポートプレートとウェハの間に接着剤などの接着部材が薄く延ばされてサポートプレートとウェハの貼り合わせが行われる場合、貫通孔を有するサポートプレー卜が使用される方法が最適である。

[0006] このような貫通孔を有するサポートプレー卜に関する従来技術としての特許文献 1には、貫通孔を持つサポートプレー卜の特性が詳細に説明されている。

すなわち、貫通孔は、ウェハが貼り合わされる面のウェハの貼り合わせ範囲内でその一端が開口し、もう一端はその貫通孔を通じてサポートプレートの反対側の面で開口している。

[0007] これにより、サポートプレートとウェハの貼り合わせ後に再びこれらを分離（剥離）する際、その貫通孔を通じて剥離液を接着部材に接触させることができる。

こうして、ウェハのエッジよりも内側の範囲にある接着部材の接着能力を直接低下させることができるようにしている。

[0008] ところで、一連の薄板化工程におけるウェハの位置固定方式、例えばゥェハを研削研磨する装置などにおけるウェハの位置固定方式に、サポートプレートの裏面（ウェハを貼り合わせた面の反対面）をチャックと呼ばれる真空引き用の装置上に引きつけて吸着固定する方式がある。

[0009] ところが、そのような方式で位置固定する装置に、上述の特許文献 1にあるような貫通孔を有するサポートプレー卜が使用された場合、研削時にゥェハにディンプルが生じることがあり、問題であった。

[0010] 図 1は、そのようなディンプルが生じている薄板化されたウェハの斜視図である。図 1に示されるように薄板化されたウェハ 9の表面 9 _ 1には無数のディンプル 9 0が発生している。

[001 1 ] このディンプル 9 0の発生原因としては次のことが考えられる。

先ず第一に、サポートプレート裏面をチャックに真空吸着させてウェハを位置固定することにより、ウェハとサポートプレー卜との間の接着部材がそのサポートプレー卜の貫通孔を通じて貫通孔の開口部に引き込まれる。

[0012] その結果、剥離の際にその反動でウェハの表面（図 1の 9 _ 1 ) 側にディンプル（図 1の 9 0 ) が生ずるということである。

第二に、研削研磨装置が、例えば不図示の貫通孔つきサポートプレートが表面（図 1の 9 _ 1 ) に貼り付けられている状態でその露出面（ウェハ裏面、図 1の 9 _ 2 ) 上に研削ホイールを押し付ける構成をとる場合である。 [0013] この場合、ウェハ裏面（図 1の 9 _ 2 ) にかかる研削ホイールの押圧力により、上面（図 1の 9 _ 1 ) に貼り合わされたサポートプレートの貫通孔の開口部に上記接着部材が入り込む（沈み込む）。

[0014] その結果、これもまた剥離の際にその反動でウェハの表面（図 1の 9 _ 1 ) 側にディンプル（図 1の 9 0 ) が生ずるということである。

特許文献 1 ：特開 2 0 0 5 _ 1 9 1 5 5 0 号公報（段落「0 0 2 1」、段落「0 0 2 6」、図 4 )

発明の開示

[0015] 本発明の目的は、ウェハにディンプルを生じさせないサポートプレート、そのサポートプレートを使用してウェハを剥離する方法、及びウェハを薄くする方法を提供することである。

[001 6] 本発明のサポートプレートの態様の一つは、ウェハを接着部材で接着して面サポー卜するものであり、そのサポートプレー卜に未貫通部を有する孔が形成されている。

この孔の上記未貫通部は、上記サポートプレートと一体に構成されているものや、又は上記サポートプレートとは別体である部材が上記孔に埋め込まれるなどして構成されているものなど、形態は様々である。

[001 7] その未貫通部により、サポートプレー卜の上記孔が未貫通状態に保たれている。なお、上記未貫通部を有する孔が形成されている範囲は、上記サポートプレー卜の上記ウェハを接着する範囲内とする。

[0018] 例えば、その孔の一端の開口部の形成範囲を上記サポートプレー卜の上記ウェハを接着する範囲内とする。或いは、上記未貫通部を貫通させて孔を貫通孔にした場合にその貫通により得られた開口部が上記サポートプレー卜の上記ウェハの接着範囲の内側にあるようにする。

[0019] また、上記未貫通部は、サポートプレートの厚み方向における厚みが 5 0 m以下（ただし、 0より大きい）であることが好ましい。また更に、その厚みは 2 0 m以下（ただし、 0より大きい）であるとより好ましい。

[0020] なお、未貫通部がある以上、その厚みは 0よりも大きい。この未貫通部の材質は、例えばガラス、シリコン、セラミック、またはインバース等であるまた、上記未貫通部がサポートプレートと一体であり、ガラス物質で形成されている構成のサポートプレートでもよい。

[0021 ] また、本発明のウェハを剥離する方法の態様の一つは、そのウェハが上述の何れかの態様のサポートプレー卜に接着部材を介して接着されていることを前提に、上記未貫通部を貫通させて上記孔を貫通孔とした後、所定の剥離液を上記貫通孔を通じて上記接着部材に接触させて上記ウェハを上記サポートプレー卜から剥離するようにする。

[0022] なお、サポートプレー卜の厚み方向における上記未貫通部の厚みが 5 0 u m以下（ただし、 0より大きい）である場合は、上記未貫通部をエッチング (好ましくは、フッ酸によるウエットエッチング）により貫通させて上記孔を貫通孔にするようにする。

[0023] また、本発明のウェハを薄くする方法の態様の一つは、上述の何れかの態様のサポートプレートにウェハを接着部材を介して接着させた後、上記ゥェハを研削研磨するようにする。

[0024] このように本発明のサポートプレートは、孔が未貫通状態に保たれている。このため、ウェハを貼り付けたサポートプレートを真空吸着固定しても、その吸引力は未貫通部を超えて接着部材までは及ばない。これにより、真空吸着の引き込みによるディンプルの発生を防止できる。

[0025] また、ウェハを貼り付ける側のサポートプレート面が平面又は略平面になるように上記未貫通部が上記孔に構成されている場合（例えば、貫通孔の端部に未貫通部が構成されている場合）は、更に、研削ホイールの押圧力による接着部材の孔への沈み込みを抑止できる。よって、孔への沈み込みによるディンプルの発生も大幅に低減できる。

[0026] 更に、上記未貫通部は後から貫通させれば、上記接着部材に剥離液を接触させるための貫通孔として使用できるようになる。

加えて、未貫通部を有する孔の位置に貼り付けられたウェハの表面はディンプルが生じないため、その位置のウェハからは扁平率の高い高精度の半導体チップが抽出できるようになる。

図面の簡単な説明

[図 1 ]従来のディンプルが生じている薄板化されたウェハの斜視図である。

[図 2A]本発明のサポートプレートの構成例を示す図（その 1 ) である。

[図 2B]本発明のサポートプレートの構成例を示す図（その 2 ) である。

[図 2C]本発明のサポートプレートの構成例を示す図（その 3 ) である。

[図 2D]本発明のサポートプレートの構成例を示す図（その 4 ) である。

[図 3A]孔 1 0のその他の構造例を示す図（その 1 ) である。

[図 3B]孔 1 0のその他の構造例を示す図（その 2 ) である。

[図 4A]孔 1 0のその他の構成例を示す図（その 3 ) である。

[図 4B]孔 1 0のその他の構成例を示す図（その 4 ) である。

[図 5A]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 1 ) である。

[図 5B]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 2 ) である。

[図 5C]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 3 ) である。

[図 5D]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 4 ) である。

[図 5E]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 5 ) である。

[図 5F]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 6 ) である。

[図 5G]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 7 ) である。

[図 5H]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 8 ) である。 [図 51 ]本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の説明図（その 9 ) である。

[図 6]研削研磨装置を模式的に示す断面図である。

[図 7A]孔 1 0の状態変化を示す図（その 1 ) である。

[図 7B]孔 1 0の状態変化を示す図（その 2 ) である。

[図 8]貫通孔 1 0を通じて剥離液 7が浸入する様子を示した図である。

[図 9]ウェハの表面状態を示した図である。

符号の説明

[0028] 1 ■ ■ ■サポートプレート

2 ■ ■ ■ウェハ

3 ■ ■ ■エッチング液

4 ■ ■ ■接着部材

1 0 - ■ ■孔

1 0 - 3 - ■ ■未貫通部

W■ ■ ■ウェハの接着範囲

発明を実施するための最良の形態

[0029] 以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

(実施例 1 )

本発明に係る実施例 1 としてのサポートプレートは、接着部材を介してゥェハを面サポー卜する従来のサポートプレートを前提に、未貫通部を有する孔を更に形成して構成されたものである。

[0030] 図 2 Aは本発明のサポートプレートの構成例を示す斜透視図であり、図 2 Bにその平面図を示し、図 2 C及び図 2 Dにサポートプレートの孔の構造を示している。

図 2 Aに示すように、本例のサポートプレート 1は、図 2 Aの上下方向に所定の厚みをもつ円盤形状をし、その厚み方向（下面 1 _ 2から上面 1 _ 1 ) に未貫通部を有する孔 1 0が形成されている。 [0031 ] 図 2 Bは、図 2 Aのサポートプレート 1をその上方（実線矢印 A側）から見た図であり、その平面内に、接着部材によるウェハの貼り合わせ範囲（接着範囲ともいう）と孔の位置とが示されている。

[0032] 図 2 Bの一点鎖線がウェハの貼り合わせ範囲の境界を表わし、孔 1 0がその範囲内 Wに形成されている。

なお本構成では、孔 1 0はサポートプレートの上面 1一 1で開口していないため、孔 1 0は破線で表示されている。

[0033] 本構成では、サポートプレー卜の上面 1一 1は、孔 1 0の位置で窪みを有しない平坦な構成となっている。

図 2 Cは、図 2 Aに示される複数の孔 1 0のうちの例えば範囲 Bに示される一つの孔 1 0の構造拡大図であり、図 2 Dは、孔 1 0の頂点位置で縦に割つたときの側断面図（図 2 Cの C— C '矢視断面図）である。

[0034] 本例のサポートプレート 1に形成されている孔 1 0は、例えばサポートプレート 1の下面 1 _ 2を基点とする厚み方向（この場合は図の上方向）の構成物質を下面 1 _ 2から除去していくなどの方法により形成される。

[0035] この孔 1 0は、下側の端面 1 0— 2が開口し、上側の端面 1 0— 1はサボートプレー卜に構成物質が少し残された状態となっている。

この残った構成物質が未貫通部 1 0— 3となるため、本例の未貫通部 1 0

_ 3はサポートプレート 1の本体に一体に構成されている。

[0036] 上述した孔の構造は、図 2 Aに示される全ての孔 1 0のうちの一つまたはいくつかの孔だけがとるようにしても良い。

しカヽし、ウェハが貼り合わされる範囲内 Wのできる限り広い範囲に形成されていることがより好ましく、本例に示したようにウェハが貼り合わされる全範囲 Wに形成されていることが望ましい。

[0037] なお、本例のサポートプレート 1の説明で参照した図 2 Bには、サポートプレート 1上の孔 1 0の数や配置を一列あたり 1 5個として 3列並べて示されている。

し力、し、これは子 L 1 0を図から読み取られやすくするためであり、実際にはウェハの貼り合わせ範囲 wの全体に亘つて規則的に又はランダムに、より高い配置密度で多数形成されている。

[0038] この孔 1 0は、後に詳しく説明するが、ウェハの研削研磨処理や裏面形成処理などの各種加工処理後にサポートプレート 1 と不図示のウェハ間の上述した接着部材を溶解するために使用する溶解液（剥離液）の通路として利用される。

[0039] 本例で示されるサポートプレート 1は、 6インチ、 8インチ及び 1 2インチのウェハの全てに適用できるように 1 2インチよりも 1 mm程度大きめの径で設計されている。

なお、サポートプレートは、実際に使用されるウェハサイズと同径もしくは若干大きめ（1 mm程度）のサイズのものであってもよい。また、その厚みは 500〜 1 000〃 m程度、孔 1 0の径は 400〜 500〃 m程度に設計されるのがよい。

[0040] その材料としては、未貫通部 1 0_ 3の後の貫通加工が容易であることからガラス板が用いられる。

更に、その未貫通部 1 0_3の厚さ（孔の頂点 P 1からサポートプレートの上面 1 _ 1までの厚さ）は、未貫通部 1 0_ 3の材質がガラス物質なので

、 50 m以下に形成されている。

[0041] この厚さは、材質が本例のようにガラス物質の場合には、上記設計のように 50 m以下とすることが好ましく、更に 2 O m以下とすると、より好ましい。言うまでもないが、未貫通部 1 0_ 3の厚さは 0よりも大きい。

[0042] なお、以上の設計情報は一例である。このため、例えば材質は、その他に

、鉄—ニッケル合金（鉄 64%、ニッケル 36%の合金：インバー）や、セラミック板、シリコンなどが利用されても良い。

[0043] この場合も、未貫通部 1 0_3の厚さは上記設計のように 5 OjUm以下とされることが好ましく、更に 2 Ojum以下とされると、より好ましい。言うまでもないが、未貫通部 1 0_ 3の厚さは 0よりも大きい。

[0044] また、その他の設計情報については、加工対象のウェハの大きさや、装置で使用する各種薬品や、未貫通部の貫通加工の方法などに応じて適宜設計されても良い。

続いて、上記孔 1 0のその他の構造及びその他の構成例が示される。

[0045] 図 3 A及び図 3 Bは、図 2 A〜図 2 Dに示した孔 1 0の構造の変形例である。本例においても、サポートプレートには図 2 A及び図 2 Bに示されたように複数の孔が形成されている。本例では、その孔の構造のみが図 2 C及び図 2 Dと同じ要領で図 3 A及び図 3 Bに示されている。

[0046] 本変形例に示す孔 1 1は、例えばサポートプレー卜の上面 1一 1及び下面

1 _ 2を基点とするそれぞれの厚み方向にある構成物質（この場合は、上面 1一 1から下方向にある構成物質及び下面 1 _ 2から上方向にある構成物質 ) を各基点の面から除去していくなどの方法により形成される。

[0047] 本変形例の孔 1 1は、上側の端面 1 1 _ 1及び下側の端面 1 1 _ 2が開口し、サポートプレート 1の厚み方向の中間位置の構成物質がサポートプレート 1の本体に残された状態となっている。

[0048] この残された構成物質がその孔 1 1の未貫通部 1 1 _ 3となるため、本例の未貫通部 1 1—3は、図 2 A〜図 2 Dの構成と同様にサポートプレートの本体に一体に構成されている。

[0049] この未貫通部 1 1 _ 3の厚さ（上面 1一 1側から形成された穴の頂点 P 2 と下面 1一 2側から形成された穴の頂点 P 3との間の厚さ）は、上記未貫通部 1 1—3の材質がガラス物質（この他、シリコン、セラミック、インバーなど）である場合は 5 O m以下とすることが好ましい。

[0050] また更に、その厚みは 2 O ju m以下であると、より好ましい。繰り返しになる力未貫通部 1 1 _ 3の厚さは 0よりも大きい。

このように、本変形例に示す孔 1 1は、図 2 A〜図 2 Dの例とは異なり、サポートプレートの上面 1一 1で開口している。念のため書き添えるが、その上面における孔 1 1の状態は、図 2 Bの破線で示される孔 1 0を実線で描き替えることで示される。

[0051 ] 図 4 A及び図 4 Bは、図 2 A〜図 2 Dの孔 1 0のその他の構成例を示す図である。本例の図 4 A及び図 4 Bも図 3 A及び図 3 Bと同様の要領で示されている。

本例に示される孔 1 2は、貫通孔 1 2でもあり、その貫通孔 1 2に部材 1 2— 3を埋め込んだ構成となっている。

[0052] これは、先ず、例えばサポートプレートの上面 1一 1又は下面 1 _ 2を基点とする厚み方向にある構成物質を一つの基点面から一方向に除去していく又は両方の基点面から除去していくなどの方法により、サポートプレートの上面 1一 1から下面 1 _ 2までを貫通させた貫通孔 1 2が形成される。

[0053] そして、その貫通孔 1 2の内部に部材 1 2— 3が埋め込まれるなどして、その貫通孔 1 2に未貫通部 1 2 _ 3が構成されている。この部材 1 2 _ 3は孔の上方と下方を隔てるようにして後から埋め込まれるため、サポートプレ一ト本体とは一体ではない。

[0054] 上記未貫通部 1 2 _ 3を構成する部材としては、例えば、貫通孔 1 2の内壁に接着され乾燥により固まる接着剤や、これにサポートプレー卜の構成物質（例えばガラス物質など）を混合したものや、例えば内壁からの反発力や摩擦力などによりその貫通孔 1 2の内部で止まる嵌入部材（ガラス物質を使用しても良い）などが、適宜使用され得る。

[0055] なお、この未貫通部 1 2 _ 3の厚さは、この未貫通部 1 2 _ 3の材質をガラス物質（この他には、シリコン、セラミック、インバーなど）とした場合は 5 O m以下とすることが好ましい。また更に、その厚みは 2 0 m以下であるとより好ましい。言うまでもないが、未貫通部の厚さは 0よりも大きい。

[0056] 以上の各例では孔の開口部がサポートプレー卜の上面または下面に形成されるものについて説明された。

以下でもこの例を元に説明されることとする。ただし、例えばサポートプレー卜に厚みがあり、その側面に開口部を形成できるサポートプレートを使用する場合には、その側面の開口部とウェハの貼り合わせ範囲の開口部を繋ぐ孔の通路内（ウェハの貼り合わせ範囲の開口部の位置も含む）に上述した各種の未貫通部を構成するようにすれば良い。

(実施例 2 )

この実施例 2では、上述された未貫通部を有する孔が形成されているサボートプレー卜の使用方法が示される。

[0057] 図 5 A〜図 5 Iは、本発明のサポートポートプレートを使用してウェハを薄板化する薄板化工程の全工程説明図である。図 5 A〜図 5 Iは、薄板化工程の実施の順に示されている。

[0058] 本例では、一例として図 2 A〜図 2 Dに示されたサポートプレート 1が使用される。そして、そのサポートプレート 1は、その未貫通部の厚みが 2 0 ju mのガラス物質で構成されているものとする。

[0059] この未貫通部の材質は、上記ガラス物質の他に、シリコン、セラミック、インバーなどでも同様に構成され得る。なお、その未貫通部の厚みは、ディンプル発生が抑止される程度と、後の貫通加工の容易さに関係している。

[0060] その未貫通部が例えばガラス物質（或いは、シリコン、セラミック、インバーなど）の場合、その厚みが 5 0 U m以下であればディンプル発生の抑止効果がより良く得られると共に、未貫通部の後の貫通加工も不都合を生じない。

[0061 ] また、その厚みが 2 0 m以下にされることにより更に後の貫通加工が容易になる。本例は、厚みが 2 O mとされていることにより上記両方の効果を良好に享受できる構成となっている。

[0062] 先ず、ウェハ 2の表面（回路が形成されている面）に接着液（接着部材）

4が落とされる。そして、ウェハ 2を不図示のスピンナ一で回転させるなどしてその接着液 4がウェハ 2の表面上に薄く広げられる（図 3 A ) 。

[0063] この接着液 4としては、例えばノポラックタイプのフヱノール樹脂系材料が使用される。

次に、ウェハ 2の表面上の接着液 4が予備乾燥させられて流動性が低減させられ、その接着液の層 4にサポートプレート 1が貼り付けられる（図 3 B

) o [0064] サポートプレート 1の貼り付け方法では、孔 1 0がウェハ 2の接着範囲に収まるように配置され、且つウェハ 2に未貫通部 1 0 (図 2Cの 1 0_3) が対面するように配置されて、貼り付けが行われる。

[0065] つまり、サポートプレートの上面 1 _ 1及び下面 1一 2のうちの、窪みのない平坦な方の面 1— 1 (図 2 Bの上面 1— 1 ) 力ウェハ 2と貼り合わせられる。

上記の予備乾燥にはオーブンが用いられ、例えば 80°Cで 5分間加熱される。また接着層 4の厚みはウェハ 2の表面に形成された回路の高さに応じて決定される。

[0066] 次に、サポートプレート 1が反転され（つまりウェハ 2の露出面が上向きになるように設定され）、その露出面（本明細書では裏面と呼ばれる）が研削研磨される（図 3 C) 。

[0067] この工程では、ウェハ 2の露出面の上方から研削ホール 1 00が下ろされ

、ウェハ 2の露出面が研削ホール 1 00で押し付けられながら薄く削られていく。

ここで、研削研磨装置について、より詳しく説明する。図 6は、上記の研削研磨装置が模式的に示される断面図である。

[0068] 図 6に示されているように、ウェハ 2の露出面 2— 2が上向きになる向きでサポートプレート 1が台 1 1 0上に置かれている。

そのウェハ 2の露出面 2— 2上に研削ホール 1 00が押し下げられている。本例ではこの台 1 1 0に、一般的にチャックと呼ばれる吸着台が使用されている。

[0069] この吸着台 1 1 0は、真空引き用の孔（1 1 0— 1〜 1 1 0— 4) が形成されておりサポートプレート 1の下面 1 _ 2をその孔（1 1 0_ 1〜 1 1 0 -4) を通じて図 6の破線矢印の方向へ真空引きして台 1 1 0の上面にそのサポートプレート 1を吸着固定する。

[0070] 上記研削ホール 1 00は、回転軸 1 00— 1を中心軸にして回転しながらウェハの露出面 2 _ 2に対し、図 6の実線矢印に示す方向へ所定の押圧力を加えて、その露出面 2— 2を一様に研削していく。

[0071] こうして、研削ホール 1 00は、ウェハ 2の厚みを例えば 1 25 m~ 1 5 O mの範囲で、要求に応じては 25 m~50 mの範囲で薄くする。なお、この研削時にはウェハ 2と研削ホール 1 00の間に摩擦熱が生じるため、ウェハの露出面 2 _ 2に水が供給されるなどしてその熱が抑えられる

[0072] 本サポートプレート 1に形成されている孔 1 0は、未貫通部 1 0_3を有してなる未貫通状態の孔である。

これにより、サポートプレート 1の下面 1 _ 2にかかる吸引力は、その孔 1 0の未貫通部 1 0_ 3の下部までで、その上部つまり接着部材 4やウェハ 2までは及ばない。

[0073] また本例で使用されるサポートプレート 1の場合、その未貫通部 1 0_3 がサポートプレート 1の上面 1 ― 1に構成され、サポートプレート 1の上面

1 - 1は窪みのない平坦な面である。

[0074] これにより、研削ホール 1 00より押圧力が加えられても、接着部材 4やウェハ 2が孔 1 0に沈み込むことはない。

図 5に戻り、引き続き研削研磨に続く工程の説明をする。次の工程では

、研削研磨処理により薄板化されたウェハ 2が裏面処理される（図 3 D)

[0075] この裏面処理としては、例えば、バックメタライズ加工（図 3 Dの上に示される図）や回路形成処理（図 3 Dの下に示される図）などがあり、これらの工程が不要であれば省かれることもある。

[0076] 次に、サポートプレート 1の孔 1 0力その未貫通部 1 0_ 3を貫通されて貫通孔にされる。

未貫通部 1 0— 3を貫通させる方法（貫通加工の方法）は、例えば、ゥェットエッチング（図 5 E) の他に、ドライエッチング、又はサンドブラストなどの微細加工技術が利用され得る。

[0077] 本例では、特にその未貫通部 1 0_ 3がガラス物質で構成されているため、フッ酸によるウエットエッチングの方法でその未貫通部 1 0 _ 3が貫通させられる。

図 5 E、図 7 A及び図 7 Bは、その未貫通部の貫通方法の説明図である。図 7 A及び図 7 Bは、図 5 Eの範囲 Dに形成されている一つの孔 1 0の状態変化を示す拡大図である。

[0078] 本構成では、孔 1 0の特に未貫通部 1 0— 3の物質のみが除去されればよし、。この除去方法としての上述した未貫通部 1 0 _ 3がエッチング液（フッ酸） 3に曝されるウエットエッチング除去方法では、例えばサポートプレート下面 1—2の孔 1 0が上方に向けられ、この孔 1 0に、エッチング液であるフッ酸 3が注入される（図 7 A ) 。

[0079] その未貫通部 1 0 _ 3の物質は、フッ酸 3に曝されることにより、溶解され、最終的に接着部材 4との境界までの物質が除去されて、貫通孔が形成される（図 7 B ) 。

なお、接着部材 4は、フッ酸に耐性のあるものであることが好ましい。これにより、エッチング液が基板 2まで達することが防止され、基板 2が劣化することが防止され得る。

[0080] 未貫通孔 1 0 _ 3が除去され、サポートプレート 1に貫通孔が形成された後、エッチング液 3が除去される。エッチング液 3の除去は、例えば、水等の洗浄液による洗浄により行われればよい。

[0081 ] このようにして、ウェハ 2が接着されているサポートプレート 1の孔 1 0 が貫通孔にされる。

なお、上記の説明では、孔 1 0に上方からエッチング液が注入されて、未貫通部 1 0— 3がエッチング液に接触されるようにしているが、孔 1 0の開口部を下方に向け、例えばエッチング液を下方から噴射されて未貫通部 1 0

- 3がェッチング液に接触されるようにしてもよい。

[0082] また、上記構成の孔 1 0の貫通では、孔 1 0の特に未貫通部 1 0 _ 3の物質のみが分解されればよいため、他の貫通方法も考えられる。

例えば、下面 1 _ 2の孔 1 0の開口位置が開口しているマスク（不図示）がサポートプレート 1の裏面 1 _ 2に形成される。このとき表面側や側面などの他の面は全てマスキングされる。

[0083] この後、エッチング液であるフッ酸 3にサポートプレート 1が漬け込まれる（図 7 A ) 。これにより、未貫通部 1 0 _ 3の物質が、予め決められた時間及び温度で、エッチング液（フッ酸） 3に曝される。

[0084] その曝されている面からその厚み方向の物質が分解され、最終的に接着部材 4との境界までの物質がゥエツトエッチングされて除去される（図 7 B ) 未貫通孔 1 0 _ 3が除去されてサポートプレート 1に貫通孔が形成された後、そのウェハ 2付きのサポートプレート 1がエッチング液 3から取り出され、ウエットエッチングのために表面に付けられたマスクが除去される。こうして、ウェハ 2付きのサポートプレート 1の孔 1 0が貫通孔にされる。

[0085] このように未貫通部 1 0 _ 3が貫通されたことにより、未貫通状態に保たれていた孔 1 0力サポートプレート 1の下面 1 _ 2からサポートプレート 1の上面 1― 1のウェハ 2の貼り合わせ範囲内にかけて貫通され、後の工程で剥離液の通路として利用され得るようになる。

[0086] 上記の工程に続いて、ウェハ 2の露出面側が、粘着性を有するダイシングテープ 6に貼りつけられる（図 3 F ) 。

次に、サポートプレート 1の面に剥離液 7が滴下され、上記貫通加工を施された孔（貫通孔） 1 0を通じて、サポートプレート 1の上面 1 _ 1 とゥェハ 2の表面の間の接着層 4に、剥離液 7が浸透される（図 3 G ) 。

[0087] 図 8は上記接着層 4にサポートプレート 1の貫通孔 1 0を通じて剥離液 7 が浸入する様子を示した図である。

同図のサポートプレート 1の上面 1― 1が未貫通部が構成されていた面で、下面 1 _ 2がウェハ 2を密着させている接着層 4に当接する面である。

[0088] 前工程で未貫通部が貫通加工されたため、その貫通孔 1 0を通じて上記接着層 4へ剥離液 7が浸入できるようになる。

剥離液 7は、接着部材 4に接触することにより接着部材 4の接着力を低下させる。したがって、剥離液 7が接着層 4の一部に接触、または接着層 4の全体に接触するようになれば、より確実に、ウェハ 2とサポートプレート 1 が分離されるようになる。

[0089] なお、上記剥離液 7としては、例えばアルコール（特にエタノールやメタノールなどの分子量が小さいもの）、ケトン、またはアルコールとケトンとの混合溶液などが使用され得る。

[0090] このようにして、ウェハ 2とサポートプレート 1間の接着力が十分に低下したなら、ダイシングテープ 6に貼り付けられているウェハ 2からサポートプレート 1が剥がされる（図 3 H ) 。

[0091 ] そして、ダイシング装置によってウェハ 2がチップサイズに分割される（図 3 I ) 。分割された各半導体チップは、ダイシングテープ 6に紫外線が照射されてその粘着力が低下させられることにより、個々に取り出されることができる。

[0092] 尚、本例では、未貫通孔の貫通加工を裏面処理とダイシングテープへの貼り付け処理の間に行った。しカヽし、貫通加工の処理順序はこれに限ることなく、研削研磨処理の後からサポートプレー卜の剥離処理の前の間であれば、何れのタイミングで行っても良い。

[0093] 図 9は、薄板化したウェハ 2のサポートプレート剥離後の表面状態を示した図である。図 9に示されるように、ウェハ 2の表面はディンプルのない滑らかな面になり、後の工程で扁平率の高い高精度の半導体チップがウェハの全面から抽出されることができるようになる。

[0094] 以上に述べたように、本発明のサポートプレートは、孔が未貫通状態に保たれている。このため、ウェハを貼り付けたサポートプレートが真空吸着で固定されても、その吸引力は未貫通部を超えて接着部材までは及ばない。よつて、真空吸着の引き込みによるディンプルの発生が防止される。

[0095] また、ウェハを貼り付ける側のサポートプレート面が平面又は略平面になるように上記未貫通部が上記孔に構成されている場合（例えば、貫通孔の端部に未貫通部が構成されている場合）は、更に、研削ホールの押圧力による接着部材の孔への沈み込みが抑止され得る。よって、接着剤の孔への沈み込みによるディンプルの発生も大幅に低減され得る。

更に、上記未貫通部は、後から貫通させれば、上記接着部材に剥離液を接触させるための貫通孔として使用され得るようになる。

加えて、未貫通部を有する孔の位置に貼り付けられたウェハの表面にはディンプルが生じないため、その位置のウェハからは扁平率の高い高精度の半導体チップが抽出されることできるようになる。

Claims

請求の範囲

[1 ] ウェハを接着部材で接着して面サポー卜するサポートプレー卜であって、未貫通部を有する孔が形成されている、

ことを特徴とするサポートプレート。

[2] 前記孔は、前記サポートプレートの前記ウェハを接着する範囲内に形成されている、

ことを特徴とする請求項 1に記載のサポートプレート。

[3] 前記未貫通部は、

サポートプレー卜の厚み方向における厚みが 5 0 m以下である、ことを特徴とする請求項 2に記載のサポートプレート。

[4] 前記未貫通部は、ガラス物質であることを特徴とする請求項 1 ~ 3の内のいずれか 1つに記載のサポートプレート。

[5] 前記未貫通部がサポートプレートと一体であり、ガラス物質で形成されていることを特徴とする請求項 1 ~ 4のうちのいずれか 1つに記載のサポートプレート。

[6] 請求項 1〜 5の内の何れか一つに記載のサポートプレー卜に接着部材を介して接着されたウェハを剥離する方法であって、

前記未貫通部を貫通させて前記孔を貫通孔とした後に、所定の剥離液を前記貫通孔を通じて前記接着部材に接触させて前記ウェハを前記サポートプレ一卜から剥離する、

ことを特徴とするウェハを剥離する方法。

[7] 前記サポートプレートは請求項 3に記載のサポートプレー卜であって、前記未貫通部をエッチングにより貫通させて前記孔を貫通孔とする、ことを特徴とする請求項 6に記載のウェハを剥離する方法。

[8] 前記エッチングは、フッ酸によるウエットエッチングである、

ことを特徴とする請求項 6に記載のウェハを剥離する方法。

[9] 請求項 1 ~ 5の内の何れか一つに記載のサポートプレー卜にウェハを接着部材を介して接着させた後に、前記ウェハを研削研磨する、ことを特徴とするウェハを薄くする方法。