WO2008012973A1

WO2008012973A1 - Method of forming conductor pattern, process for producing resin substrate with use of the method, and resin substrate

Info

Publication number: WO2008012973A1
Application number: PCT/JP2007/059753
Authority: WO
Inventors: Masashi Arai
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-07-28
Filing date: 2007-05-11
Publication date: 2008-01-31
Anticipated expiration: 2009-01-28

Description

導体パターンの形成方法及びこの方法を用いる樹脂基板の製造方法並びに樹脂基板

技術分野

[0001] 本発明は、電子回路の導体パターンの形成方法に関し、更に詳しくは、支持板に形成された導体パターンを榭脂層に転写する導体パターンの形成方法、並びにこの方法を用いる榭脂基板の製造方法及び榭脂基板に関する。

背景技術

[0002] 従来のこの種の技術としては、例えば特許文献 1にお、て提案された基板及びその製造方法がある。この製造方法では、例えば図 7の（a)に示すようにステンレス板 1 を用意し、このステンレス板 1を同図の（b)に示すようにフォトレジスト膜 2Aで被覆した後、このフォトレジスト膜 2Aを露光、現像処理して、同図の（c)に示すように所定のパターンの開口部を有するレジスト層 2を形成する。次いで、同図の（d)に示すようにノターンメツキ法で所定のパターンの導体層 3を形成した後、同図の（e)に示すようにレジスト剥離液で処理してレジスト層 2を除去する。更に、導体層 3の表面を粗化処理した後、同図の (f)に示すようにステンレス 1との剥離性の良好なプリプレダ 4をステンレス板 1に圧着して導体層 3をプリプレダ 4内に埋設すると共にプリプレダ 4を加熱硬化させた後、ステンレス板 1を剥離することによって、プリプレダ 4内に導体層 3が転写された基板を得ている。

[0003] 特許文献 1 :特開 2004— 214633

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] し力しながら、特許文献 1に記載の従来の基板の製造方法では、プリプレダ 4は、表面粗ィ匕された導体層 3のアンカー効果によって導体層 3と密着しているが、表面粗化された導体層 3ではアンカー効果が十分でなぐステンレス 1をプリプレダ 4力剥離する際に、導体層 3がプリプレダ 4力剥離し、導体層 3をステンレス板 1からプリプレグ 4内に完全に転写することができない虞がある。更に、従来の手法では導体層 3の表面粗ィ匕工程が必要になるため、それだけ製造コストが増加する。

[0005] 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、支持板にお!ヽて形成された導体パターンを支持板力も榭脂層内に完全に転写することができ、しかも導体バターンの表面粗ィ匕工程を省略して製造コストを低減することができる導体パターンの形成方法及びこの方法を用いる榭脂基板の製造方法並びに榭脂基板を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0006] 本発明の導体パターンの形成方法は、支持板の主面上に、この主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを得る第 1の工程と、上記支持板の主面上に榭脂層を設け、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを埋設する第 2の工程と、上記断面オーバ一ハング状の導体パターンの上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板力剥がし、上記支持板から上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを転写する第 3の工程と、を有している。

[0007] また、本発明の導体パターンの形成方法において、上記第 1の工程は、上記支持板の主面上に、上記小径部と同一径の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上端外縁部にも上記メツキ膜を更に成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部を形成する工程と、上記支持板から上記レジスト層を除去する工程と、を有していることが好ましい。

[0008] また、本発明の導体パターンの形成方法において、上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層力も上記支持板を剥がすことが好ま、。

[0009] また、本発明の榭脂脂基板の製造方法は、少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層の主面上にマザ一基板への接続用の入出力電極を有する榭脂基板を製造する方法であって、支持板の主面上に、この主面力垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを得る第 1の工程と、上記支持板の主面上に榭脂層を設け、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを埋設する第 2の工程と、上記断面オーバーハング状の導体バターンの上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板力剥がし、上記支持板から上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを入出力電極として転写して、上記榭脂層の上記主面側に、上記導体パターンの上記小径部側の露出端面によって与えられる入出力電極を形成する第 3の工程と、を有して、る。

[0010] また、本発明の榭脂基板の製造方法において、上記第 1の工程は、上記支持板の主面上に、上記小径部と同一径の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上周縁部にもメツキ膜を更に成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部を形成する工程と、上記支持板力上記レジスト層を除去する工程と、を有していることが好ましい。

[0011] また、本発明の榭脂基板の製造方法において、上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層から上記支持板を剥がすことが好ましい。

[0012] また、本発明の榭脂基板の製造方法において、上記支持板上に上記榭脂層を形成した後、上記榭脂層に、上記導体パターンが設けられた側とは反対側から上記導体パターンに達する層間接続導体パターンを形成する工程を有してヽることが好ましい。

[0013] また、本発明の他の榭脂基板の製造方法は、少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層中に表面実装型電子部品を埋設してなる榭脂基板を製造する方法であって、支持板の主面上に、この主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを得る第 1の工程と、上記表面実装型電子部品を、その端子電極が上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部の上側に接合するように、搭載する第 2の工程と、上記支持板の主面上に榭脂層を設け、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターン及び上記表面実装型電子部品を埋設する第 3の工程と、上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板から剥がし、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターン及び上記表面実装型電子部品を一体に転写する第 4の工程と、を有している。。

[0014] また、本発明の他の榭脂基板の製造方法において、上記第 1の工程は、上記支持板の主面上に、上記小径部と同一径の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上周縁部にもメツキ膜を更に連続して成長させて、上記断面オーバーハング状の導体ノターンの上記大径部を形成する工程と、上記支持板から上記レジスト層を除去する工程と、を有していることが好ましい。

[0015] また、本発明の他の榭脂基板の製造方法において、上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層から上記支持板を剥がすことが好ま、。

[0016] また、本発明の榭脂多層基板の製造方法は、少なくとも一層の榭脂層からなり、この榭脂層の主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の第 1の導体パターンが埋設され且つ上記断面オーバーハング状の第 1の導体パターンの上記小径部側が上記主面側力接続用の入出力電極として露出する第 1の榭脂層を得る第 1の工程と、少なくとも一層の榭脂層からなり、この榭脂層の主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の第 2の導体パターンと、上記断面オーバーハング状の第 2の導体パターンの上記大径部側に接合するように搭載された表面実装型電子部品と、が埋設された第 2の榭脂層を得る第 2の工程と、上記第 1の榭脂層の上記主面とは反対側の主面と上記第 2の榭脂層の上記主面とが接触するように、上記第 1の榭脂層と上記第 2の榭脂層とを貼り合わせる第 3の工程と、を有している。

[0017] また、本発明の榭脂多層基板の製造方法において、上記第 1の榭脂層と上記第 2 の榭脂層とは、中間層を介して貼り合わされて、ることが好ま、

[0018] また、本発明の榭脂基板は、少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層にマザ一基板への接続用の入出力電極が形成された榭脂基板であって、上記入出力電極は、上記榭脂層の主面から垂直方向に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンからなり、且つ、上記入出力電極は、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部側の露出端面によって与えられている。

[0019] また、本発明の榭脂基板において、上記榭脂層の上記主面とは反対側の主面から上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部に達する層間接続導体パターンを有して、ることが好まし、。

[0020] また、本発明の榭脂基板において、上記入出力電極面の周縁部分にはソルダーレジストが形成されて、ることが好まし!/、。

[0021] また、本発明の他の榭脂基板は、少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層中に表面実装型電子部品を埋設してなる榭脂基板であって、上記榭脂層には、その主面力垂直方向に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを有しており、且つ、上記表面実装型電子部品は、上記表面実装型電子部品の端子電極が上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部の上側に接合するように、搭載されている。

[0022] また、本発明の他の榭脂基板において、上記榭脂層の上記主面とは反対側の主面から上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部に達する層間接続導体を有して、ることが好ましヽ

[0023] また、本発明の榭脂多層基板は、第 1の導体パターンからなる接続用の入出力電極が埋設され且つ少なくとも一層の榭脂層を有する第 1の榭脂層と、第 2の導体バターン及びこの導体パターンと接合するように搭載された表面実装型電子部品がそれぞれ埋設され且つ少なくとも一層の榭脂層を有する第 2の榭脂層とが貼り合わされてなる榭脂多層基板であって、上記第 1の導体パターンは、上記第 1の榭脂層中にその主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバ一ハング状の導体パターン力なり、且つ、上記小径部側の上記主面力の露出端面が接続用の入出力電極として形成されており、また、上記第 2の導体パターンは、上記第 2の榭脂層中にその主面力垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンからなり、且つ、上記表面実装型電子部品は、上記第 2の導体パターンの上記大径部の上側に接合されており、上記第 1の榭脂層の上記主面とは反対側の主面と上記第 2の榭脂層の上記主面とが接合されている。 [0024] また、本発明の榭脂多層基板において、上記第 1の榭脂層と上記第 2の榭脂層とは、中間層を介して貼り合わされて、ることが好まヽ

発明の効果

[0025] 本発明によれば、支持板にお!ヽて形成された導体パターンを支持板から榭脂層内に完全に転写することができ、し力も導体パターンの表面粗ィ匕工程を省略して製造コストを低減することができる導体パターンの形成方法及びこの方法を用いる榭脂基板の製造方法並びに榭脂基板を提供することができる。

図面の簡単な説明

[0026] [図 1]本発明の榭脂多層基板の一実施形態を示す断面図である。

[図 2] (a)、 (b)はそれぞれ図 1に示す導体パターンの説明図である。

[図 3] (a)〜 (h)はそれぞれ本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態を工程順に示す断面図である。

[図 4] (a)〜 (f)はそれぞれ本発明の榭脂基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す断面図である。

[図 5] (a)〜 (d)はそれぞれ本発明の榭脂基板の製造方法の他の実施形態を工程順に示す断面図である。

[図 6]本発明の榭脂多層基板の製造方法の一実施形態の要部工程を示す断面図である。

[図 7]従来の導体パターンの形成方法の一例を工程順に示す断面図である。

符号の説明

[0027] 10、 20 榭脂層 (完全硬化状態）

12、 23 断面オーバーハング状の導体パターン

12A、 23A 小径部

12Bゝ 23B 大径部

22 表面実装型電子部品

30 中間樹脂層（中間層）

31 第 3のビアホール導体 (層間接続導体)

100 ステンレス板 (支持板） 110、 120 榭脂層（半硬化状態）

200 レジスト層

200A 開口部

発明を実施するための最良の形態

[0028] 以下、図 1〜図 6に示す各実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図 1は本発明の榭脂多層基板の一実施形態を示す断面図、図 2の (a)、（b)はそれぞれ図 1に示す導体パターンの説明図、図 3の（a)〜 (h)はそれぞれ本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態を工程順に示す断面図、図 4の（a)〜 (f)はそれぞれ本発明の榭脂基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す断面図、図 5の (a )〜 (d)はそれぞれ本発明の榭脂基板の製造方法の他の実施形態を工程順に示す断面図、図 6は本発明の榭脂多層基板の製造方法の一実施形態の要部工程を示す断面図である。

[0029] まず、図 1、図 2に基づいて本実施形態の榭脂多層基板について説明する。

[0030] 本実施形態の榭脂多層基板 50は、例えば図 1の断面図で示すように、最下段の第 1の榭脂層 10と、最上段の第 2の榭脂層 20と、第 1の榭脂層 10と第 2の榭脂層 2との間に介在する中間榭脂層 30と、を備え、これら榭脂層が互いに貼り合わせて構成されている。第 1の榭脂層 10は、第 1の配線パターン 11を有し、第 2の榭脂層 20は第 2 の配線パターン 21及び表面実装型電子部品 22を有している。また、中間榭脂層 30 は第 1の榭脂層 10の第 1の配線パターン 11と第 2の榭脂層 20の第 2の配線パターン 21とを接続する第 3の配線パターン 31を有している。

[0031] 第 1の榭脂層 10には、上述したように第 1の配線パターン 11が形成されている。第 1の配線パターン 11は、図 1に示すように、第 1の榭脂層 10の第 1の主面（下面)から反対側の第 2の主面（上面）に向けて所定のパターンで垂直上方に延びるように形成された第 1の導体パターン 12と、第 1の導体パターン 12の上端に適宜接続するように所定のパターンで配置して形成された第 1のビアホール導体 13と、第 1の榭脂層 10 の上面に所定のパターンで形成された第 1の面内導体 14と、を有し、第 1の導体バターン 12と第 1の面内導体 14とが第 1のビアホール導体 13を介して互いに電気的に接続されている。本実施形態では、第 1の導体パターン 12は、榭脂多層基板 50をマザ一基板に接続するための入出力電極として構成され、下端面が第 1の榭脂層 10 の下面と同一面をなしている。また、第 1の榭脂層 10の下面にはソルダーレジスト膜 15が被覆され、このソルダーレジスト膜 15には第 1の導体パターン 12の下端面が露出するように所定のパターンで開口して、る。

[0032] 第 1の導体パターン 12は、図 1及び図 2の（a)に示すように第 1の榭脂層 10の下面から垂直上方に向けて小径部 12A及び大径部 12Bが順次形成されており、断面形状がオーバーハング状を呈している。第 1の導体パターン 12は、後述するように本発明の導体パターンの形成方法を用いて、第 1の榭脂層 10中に転写することによって形成される。第 1の導体パターン 12の大径部 12Bは、第 1の榭脂層 10内に転写される際に、アンカーとして機能して第 1の榭脂層 10から剥離しないようになっている。

[0033] 本実施形態の第 1の導体パターン 12は、図 2の（a)に示すように小径部 12A及び大径部 12Bによって断面オーバーハング状で円柱状のランドパターンとして形成されている。第 1の導体パターン 12は、円柱状に限らず、同図の (b)に示すように第 1 の榭脂層 10の下面から垂直上方に向けて小幅部 12C及び大幅部 12Dが順次形成されてなる断面オーバーハング状の配線ライン (レール状の配線ライン：引き回しパターン）として形成されたものであっても良い。

[0034] 図 2の（a)に示す第 1の導体パターン 12の場合には、小径部 12Aと大径部 12Bとの間には次の関係にあることが好ましい。即ち、大径部 12Bの外径と小径部 12Aの外径との差 tlは、例えば 5〜50 μ mの範囲が好ましい。この差 tlが 5 μ m未満ではアンカー効果が小さぐ 50 mを超えると配線の高密度化の妨げになる。小径部 12 Aの高さ t2は、例えばメツキ法による場合には 10〜50 mの範囲が好ましい。大径部 12Bの高さと小径部 12Aの高さとの差 t3は、例えば 5〜： L0 mの範囲が好ましい。この差 t3が 5 m未満ではアンカー効果が小さぐ 50 mを超えると低背化に相応しくない。また、小径部の外径 t4は、ランドパターンの場合では例えば 250± 50 m 程度、引き回しパターンの場合では例えば 50〜： L00 μ m程度が好ましい。

[0035] 第 1のビアホール導体 13は、図 1に示すように、第 1の榭脂層 10中に所定のパターンで配置され、その下端が第 1の導体パターン 12の大径部 12Bの上面に達して電気的に接続され、その上端が第 1の面内導体 14に接続されている。この第 1のビアホール導体 13は、例えば所定のパターンで形成されたビアホール内に導電性榭脂を充填することによって形成されている。第 1のビアホール導体 13は、導電性榭脂に限らず、メツキ処理を施し、ビアホール内を導電性金属によりメタライズすることによつても形成することができる。また、第 1の面内導体 14は、導電性金属によって所定の配線パターンに形成されている。第 1の面内導体 14の上下両面には表面粗化処理が施され、そのアンカー効果を利用して第 1の榭脂層 10と中間榭脂層 30の双方に接合されていることが好ましい。

[0036] また、第 1の榭脂層 10は、例えば基材に熱硬化性榭脂等を含浸させたプリプレダやシリカ等の無機フィラーを含む熱硬化性榭脂によって形成されていることが好ましい。熱硬化性榭脂としては、例えば耐熱性及び耐湿性に優れたエポキシ榭脂、フエノール榭脂、シァネート榭脂等が好ましい。第 1の導体パターン 12は、例えば電解銅等の導電性金属のメツキ処理によって形成されていることが好ましい。また、第 1のビァホール導体 13の導電性榭脂は、例えば金属粒子と熱硬化性榭脂を含む導電性榭脂組成物によって形成されていることが好ましい。金属粒子としては、例えば金、銀、ニッケル等の金属が好ましぐ熱硬化性榭脂としては、榭脂層 10に準じた榭脂が好ましい。また、第 1の面内導体 14は、例えば金属箔、メツキ膜等をフォトリソグラフィ一技術によってパターユングして形成することができる。金属箔の場合には、例えば予めパター-ングされた金属箔を第 1の榭脂層 10の上面に転写することによって面内導体 14が得られる。また、予め第 1の榭脂層 10の上面に設けられた金属箔をバタ一-ングすることによって、面内導体 14を形成しても良い。メツキ膜の場合には、例えば第 1の榭脂層 10に設けられたメツキ膜をパターユングすることによって面内導体 14 が得られる。

[0037] 第 2の榭脂層 20は、第 1の榭脂層 10の熱膨張率と熱膨張率の差が小さい榭脂によつて形成されていることが好ましぐ第 1の榭脂層 10と同一の榭脂によって形成されていることがより好ましい。この第 2の榭脂層 20には、上述したように第 2の配線パターン 21が形成され、この配線パターン 21には表面実装型電子部品 22が接続されている。第 2の配線パターン 21は、図 1に示すように、第 2の榭脂層 10の下面から上面に向けて所定のパターンで垂直上方に延びるように形成された第 2の導体パターン 2 3と、第 2の導体パターン 23の上端に適宜接続するように所定のパターンで配置して形成された第 2のビアホール導体 24と、第 2の榭脂層 20の上面に所定のパターンで形成された第 2の面内導体 25と、を有し、第 2の導体パターン 23と第 2の面内導体 2 5とが第 2のビアホール導体 24を介して互いに電気的に接続されている。

[0038] 第 2の導体パターン 23は、図 1、図 2の（a)からも明らかなように第 2の榭脂層 20の下面力も垂直上方に向けて小径部 23A及び大径部 23Bが順次形成されており、断面形状がオーバーハング状を呈しており、第 1の導体パターン 12に準じて形成されている。第 2の導体パターン 23は、例えば表面実装型電子部品 22を搭載するための端子電極 (ランドパターン） 231と、引き回し用電極（引き回しパターン） 232を含んでいる。また、第 2のビアホール導体 24及び第 2の面内導体 25も第 1のビアホール導体 13及び第 1の面内導体 14に準じて形成されている。但し、第 2の面内導体 25は、第 2の榭脂層 20の上面を被覆し、表面実装型電子部品 22を電磁波障害から保護するシールド電極膜として構成されて、る。

[0039] 表面実装型電子部品 22は、シリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動電子部品からなる第 1の表面実装型電子部品 22Aと、コンデンサ、インダクタ等の受動電子部品からなる第 2の表面実装型電子部品 22Bとからなっている。第 1の表面実装型電子部品 22Aは、第 2の導体パターン 23の端子電極 231の上面に搭載されて、ハンダボール 26によって端子電極 231の上面に電気的に接続されている。第 2の表面実装型電子部品 22Bは、端子電極 231と引き回し電極 232間を跨いで搭載され、第 2の表面実装型電子部品 22Bの外部電極がハンダを介して各電極 231、 23 2に電気的に接続されている。

[0040] 中間榭脂層 30は、第 1、第 2の榭脂層 10、 20と同様の榭脂によって形成されていることが好ましい。中間榭脂層 30内の第 3の配線パターン 31は、ビアホール導体 (以下、「第 3のビアホール導体」とも称す。） 31として形成されている。このビアホール導体 31は、第 1の榭脂層 10の第 1の面内導体 14と第 2の榭脂層 20の第 2の導体バターン 23とを互いに電気的に接続している。中間榭脂層 30には、ビアホール導体 31 以外にも種々のパターンの面内導体を第 3の配線パターンとして内蔵させても良い。

[0041] 従って、本実施形態の榭脂多層基板 50は、第 1の導体パターン 12を入出力電極としてマザ一基板（図示せず）に実装され、表面実装型電子部品 22によってマザ一基板側へ種々の機能を付与する電子部品としての役割を果たすことができる。また、この榭脂多層基板 50は、オーバーハング状の第 1、第 2の導体パターン 12、 23を有するため、後述のように転写法によって第 1、第 2の導体パターン 12、 23を完全な形で第 1、第 2の榭脂層 10、 20内に転写することができ、し力も第 1、第 2の導体パターン 12、 23の表面粗ィ匕処理を必要としないため、低コストで製造することと相俟って、歩留まりを向上させることができる。

[0042] 次に、本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態について図 3の（a)〜 (h) を参照しながら説明する。本実施形態では、上述した第 1、第 2の導体パターン 12、 23とは異なる形態であるが、便宜上、第 1の榭脂層 10の場合と同一の符号を付して本発明の導体パターンの形成方法について説明する。

[0043] まず、支持体として例えば厚さが 0. 08mmで表面粗さ Rzが 4 μ m程度のステンレス板 100を、図 3の（a)に示すように 4インチ角に切断したものを準備する。次いで、図 3の（b)に示すようにステンレス板 100の上面にドライフィルムレジスト膜 (例えば、膜厚カ 25〜40 111) 200を、ラミネータを用ヽてラミネート圧 0. 3MPa、温度 100。C でラミネートした後、露光量 60mjZcm²以上でドライフィルムレジスト膜 200を露光し、現像ブレークポイントの倍の時間で現像を行い、同図の（c)に示すように所定の導体パターン 12に対応する開口部 200Aを有するマスクパターン 200Bとして形成する

[0044] 然る後、硫酸銅メツキ浴を用い、例えば電流密度 lAZdmの条件下でマスクパターン 200Bを介してステンレス板 100に電解銅メツキを施し、図 3の（d)に示すようにマスクパターン 200Bの開口部 200A内でメツキ膜 12， Aをステンレス板 100の上面で垂直上方に向けて成長させる。メツキ厚がレジスト膜 200Bの厚みに達し、小径部 12A が形成された後も厚みで 10 m以上メツキ膜を成長させて大径部 12Bを形成し、同図の（e)に示すように小径部 12A及び大径部 12Bが順次形成されてなる、断面形状がオーバーハング状の導体パターン 12を得ることができる。この大径部 12Bは、メッキの処理時間によって大きさを適宜制御することができる。ステンレス板 100上で導体パターン 12が形成された後、 60°C以上に加温されたアルカリ剥離液中にステンレス板 100を浸漬し、同図の（f)に示すようにステンレス板 100からマスクパターン 200 Bを除去する。

[0045] 引き続き、半硬化状態のプリプレダ (以下、「榭脂層」と称す。） 110を積層し、真空プレスを用いて温度が 70°C以上で、圧力が IMPa以上の条件で榭脂層 110をステンレス板 100に圧着して、図 3の（g)に示すように榭脂層 110中に導体パターン 12を埋設する。この際、真空プレスとスぺーサ金型を用い、温度 100°C以上、荷重 1トン以上の条件で榭脂層 110を加圧して厚み出しを行うと共に、榭脂層 110を熱処理することにより、熱硬化性榭脂が完全に硬化した榭脂層 10が得られる。その後、同図の (h)に示すようにステンレス板 100を剥離すると、導体パターン 12が榭脂層 10中に残り、結果として導体パターン 12が転写された榭脂層 10を得ることができる。榭脂層 10の下面では、導体パターン 12の小径部 12Aの下端面が榭脂層 10の下面と面一になった状態で露出している。また、榭脂層 110は半硬化状態のままステンレス板 10 0から剥離しても良い。

[0046] 榭脂層 110を半硬化状態のままステンレス板 100から剥離しても、大径部 12Bのァンカー効果で導体パターン 12が榭脂層 110から剥離することはない。況して、完全に硬化した榭脂層 10であれば、導体パターン 12は榭脂層 10中に強固に固定され、剥離することはない。

[0047] ところ力図 7に示す従来の手法では、プリプレダ 2内に埋め込んだ導体層 3の剥離強度は、導体層 3の厚み 35 μ mに対して 3NZcm程度であった。これに対して、本実施形態ではオーバーハング部分、即ち大径部 12Bを榭脂層 10内に引っ掛ける構造になっているため、プリプレダ 10が破断しない限り導体パターン 12は剥離しない。例えば、 1mm幅の断面オーバーハング状のライン（図 2の（b)参照）では 5NZcm以上まで剥離強度が増加することを確認している。つまり、本実施形態では、導体バターン 12を完全な形でプリプレダ 10内に転写することができる。

[0048] 次に、図 1に示す榭脂多層基板 50を製造する方法について具体的に説明する。本実施形態では、第 1の榭脂層 10、第 2の榭脂層 20及び中間榭脂層 30をそれぞれ個別に作製した後、これらを貼り合わせることによって榭脂多層基板 50を作製する。そこで、以下では、第 1、第 2の榭脂層 10、 20及び中間榭脂層 30それぞれの製造方法を順次説明する。

[0049] まず、第 1の榭脂層 10を作製する。それにはまず、上述した導体パターンの形成方法によって、図 4の（a)に示す第 1の導体パターン 12をステンレス板 100上に形成する。その後、同図の（b)に示すように半硬化状態の榭脂層 110をステンレス板 100上に圧着して第 1の導体パターン 12を榭脂層 110内に埋設する。次いで、同図の (c) に示すように例えば炭酸ガスレーザを用いて導体パターン 12の上面に達する複数のビアホール 110Aを所定のパターンで榭脂層 110に設けた後、同図の（d)に示すように各ビアホール 110A内に導電性榭脂 113を充填する。尚、導電性榭脂 113は、熱硬化性榭脂が硬化して!/ヽなヽ状態を示す。

[0050] 更に、図 4の（e)に示すように榭脂層 110の上面に面内導体 14を形成する。面内導体 14は、例えば所定のパターンに形成された銅箔等の金属箔を榭脂層 110の上面に転写することによって形成することができる。この場合には、例えば金属箔を PE Tフィルム上に貼り付け、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて金属箔をパター-ングした後、その金属箔を PETフィルム力榭脂層 110の上面に転写することによって面内導体 14が得られる。また、榭脂層 110の上面を覆う金属箔を予め形成しておき、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術によって金属箔をパターユングする方法によっても面内導体 14を得ることができる。更に他の方法として、榭脂層 11 0の上面に無電解メツキにより銅等の金属膜を形成し、フォトリソグラフィー技術とエツチング技術を用いて所定のパターンの面内導体 14を得ることができる。

[0051] その後、榭脂層 110及び導電性榭脂 113を完全に硬化させて第 1の榭脂層 10及び第 1のビアホール導体 13を形成し、ステンレス板 100を剥離することにより、第 1の配線パターン 11を備えた第 1の榭脂層 10からなる榭脂基板として得ることができる。ステンレス板 100を剥離する時には、第 2の導体パターン 12は大径部 12Bのアンカ一効果により第 1の榭脂層 10から剥離することがない。また、上述したように榭脂層 1 10が半硬化状態ままステンレス板 100を剥離することもできる。

[0052] 更に、第 1の榭脂層 10の下面に、第 1の導体パターン 12の下端面が露出するようにソルダーレジスト 15を塗布し、硬化させることにより、下面がソルダーレジスト 15で保護された第 1の榭脂層 10を得ることができる。 [0053] 次に、第 2の榭脂層 20を図 5の (a)〜(d)に示すように作製する。この場合にも第 1 の榭脂層 10を作製する時と同じ大きさのステンレス板を用いる。

[0054] まず、第 1の榭脂層 10を製造する場合と同一の手法で、図 5の (a)に示す第 2の導体パターン 23をステンレス板 100上に所定のパターンで形成した後、同図に示すように第 1の表面実装型電子部品 22A及び第 2の表面実装型電子部品 22Bをそれぞれ第 2の導体パターン 23に位置合わせを行った後、第 2の導体パターン 23の大径部 23Bの上面に接合するように、搭載する。これにより第 1の表面実装型電子部品 2 2Aは、ハンダボール 26を介して第 1の導体パターン 23の端子電極 231に電気的に接続される。第 2の表面実装型電子部品 22Bは、ハンダ（図示せず)を介して端子電極 231と引き回し電極 232を跨いでそれぞれに電気的に接続される。

[0055] 次いで、図 5の（b)に示すようにステンレス板 100に半硬化状態の榭脂層 120を圧着して表面実装型電子部品 22及び第 2の導体パターン 23を榭脂層 120内に埋設する。次いで、同図の（c)に示すように例えば炭酸ガスレーザを用いて第 2の導体パターン 23の上面に達する複数のビアホール 120Aを所定のパターンで榭脂層 120 に設けた後、各ビアホール 120A内に導電性榭脂を充填する。更に、榭脂層 120の上面にシールド電極膜として面内導体 25を設け、第 2の導体パターン 23と面内導体 25とを接続した後、榭脂層 120及び導電性榭脂それぞれを完全に硬化させて、同図の（d)に示すように第 2の榭脂層 20及び第 2のビアホール導体 24を得ることができる。その後、第 2の榭脂層 20をステンレス板 100から剥離することにより、第 2の配線ノターン 21及び表面実装型電子部品 22を有する第 2の榭脂層 20からなる榭脂基板として得ることができる。ステンレス板 100を剥離する時には、第 2の導体パターン 2 3は、大径部 23Bのアンカー効果で第 2の榭脂層 20から剥離することがない。

[0056] また、中間榭脂層 30を作製する場合にも、第 1の榭脂層 10を作製する場合と同様にステンレス板上に榭脂層を圧着した後、所定のパターンでビアホールを設け、ビアホール内に導電性榭脂を充填し、硬化処理を行って中間榭脂層 30及び第 3のビアホール導体 31を得ることができる。

[0057] 図 1に示す榭脂多層基板 50を作製する時には、上述のように榭脂基板として硬化したものを用いても良ぐあるいは、半硬化状態のままの第 1、第 2の榭脂層 10、 20 及び中間榭脂層 30を用いても良い。半硬化状態のものを用いる場合には、図 6に示すように第 1の榭脂層 10、中間榭脂層 30及び第 2の榭脂層 20をこの順序で一括して積層し、熱圧着することにより、第 1の榭脂層 10、中間榭脂層 30及び第 2の榭脂層 20を互いに貼り合わせると共に各榭脂層を完全に硬化させることにより、図 1に示す榭脂多層基板 50を得ることができる。特に榭脂層の層数が増える場合、各層を一括して積層できるため有利である。

[0058] 以上説明したように本実施形態によれば、ステンレス板 100の上面に、上面から垂直上方に向けて小径部 12A及び大径部 12Bが順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターン 12を得た後、ステンレス板 100上に半硬化状態の榭脂層 110 を設け、榭脂層 110に断面オーバーハング状の導体パターン 12を埋設した後、半硬化状態の榭脂 110を完全に硬化させ、次いで、断面オーバーハング状の導体パターン 12の大径部 12Bをアンカーとして榭脂層 110をステンレス板 100から剥がし、ステンレス板 100から榭脂層 110に断面オーバーハング状の導体パターン 12を転写するようにしたため、ステンレス板 100において形成された導体パターン 12をステンレス板 100から榭脂層 10内に完全な形態で転写することができ、し力も導体パターン 12 の表面粗ィ匕工程を省略して製造コストを低減することができる。

[0059] また、本実施形態によれば、導体パターン 12を得る際に、ステンレス板 100の上面に、小径部 12Aと同一径の開口部 200Aを有するマスクパターン 200Bを形成し、この開口部 200にメツキ膜 12' Aを成長させて小径部 12Aを形成すると共に、開口部 2 00Aの上端外縁部にもメツキ膜 12 ' Aを更に成長させて大径部 12Bを形成した後、ステンレス板 100からマスクパターン 200Bを除去するようにしたため、ステンレス板 1 00上面に垂直上方に向けて小径部 12A及び大径部 12Bが順次形成されてなる、断面オーバーハング状の導体パターン 12を確実に形成することができ、ステンレス板 1 00から榭脂層 10内に確実に転写することができる導体パターン 12を得ることができる。

[0060] また、本実施形態によれば、導体パターン 12が転写された榭脂層 110が半硬化状態のままステンレス板 100を榭脂層 110から剥がすようにしたため、半硬化状態の榭脂層 110であっても導体パターン 12を確実に榭脂層 110内に転写することができ、榭脂多層基板 50の作製に供することができる。

[0061] また、本実施形態によれば、第 1の榭脂層 10の上面にマザ一基板への接続用の入出力電極を有する榭脂基板を製造する際に、上述の導体パターンの形成方法を用いることにより、第 1の榭脂層 10内に第 1の配線パターン 11の一部としての第 1の導体パターン 12を入出力電極として確実に転写した榭脂基板を得ることができ、第 1の導体パターン 12の小径部 12Aの第 1の榭脂層 10の主面力も露出した下端面を入出力電極として利用することができる。また、ここで得られる榭脂基板は榭脂多層基板 5 0の入出力用の榭脂基板として供することができる。

[0062] また、本実施形態によれば、第 2の榭脂層 20中に表面実装型電子部品 22を埋設してなる榭脂基板を製造する際に、上述の導体パターンの形成方法を用いて第 2の榭脂層 20中に第 2の導体パターン 23を設けた後、表面実装型電子部品 22を、その端子電極が断面オーバーハング状の導体パターン 23の大径部 23Bの上面に接合するように、搭載した後、ステンレス板 100上に第 2の榭脂層 20を設け、この榭脂層 2 0に断面オーバーハング状の導体パターン 23及び表面実装型電子部品 22を埋設し、更に、大径部 23Bをアンカーとして第 2の榭脂層 20をステンレス板 100から剥がし、第 2の榭脂層 20に断面オーバーハング状の導体パターン 23及び表面実装型電子部品 22を一体に転写して埋設するようにしたため、第 2の導体パターン 23を端子電極とする表面実装型電子部品 22を内蔵し、種々の機能を付与した榭脂基板を得ることができる。また、ここで得られる榭脂基板は榭脂多層基板 50の機能用の榭脂基板として供することができる。

[0063] また、本実施形態によれば、ステンレス板 100上に榭脂層 110、 120を形成した後、榭脂層 110、 120の上面から第 1、第 2の導体パターン 12、 23に達する第 1、第 2のビアホール導体 13、 24を形成するようにしたため入出力電極または端子電極となる第 1、第 2の導体パターン 12、 23を第 1、第 2のビアホール導体 13、 24を介して第 1、 2の配線パターン 11、 21として接続することができる。

[0064] 尚、本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではなぐ必要に応じて各構成要素を適宜設計変更することができる。

産業上の利用可能性本発明は、種々の電子機器等に使用される榭脂基板及びその製造方法に対して好適に利用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 支持板の主面上に、この主面から垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを得る第 1の工程と、

上記支持板の主面上に榭脂層を設け、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを埋設する第 2の工程と、

上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板力剥がし、上記支持板から上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを転写する第 3の工程と、を有する

ことを特徴とする導体パターンの形成方法。

[2] 上記第 1の工程は、

上記支持板の主面上に、上記小径部と同一径の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、

上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上端外縁部にも上記メツキ膜を更に成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部を形成する工程と、

上記支持板から上記レジスト層を除去する工程と、を有する

ことを特徴とする請求項 1に記載の導体パターンの形成方法。

[3] 上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層から上記支持板を剥がすことを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の導体パターンの形成方法。

[4] 少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層の主面上にマザ一基板への接続用の入出力電極を有する榭脂基板を製造する方法であって、

支持板の主面上に、この主面力垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを得る第 1の工程と、

上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板力剥がし、上記支持板から上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターンを入出力電極として転写して、上記榭脂層の上記主面側に、上記導体パターンの上記小径部側の露出端面によって与えられる入出力電極を形成する第 3の工程と、を有する

ことを特徴とする榭脂基板の製造方法。

[5] 上記第 1の工程は、

上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上周縁部にもメツキ膜を更に成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部を形成する工程と、

ことを特徴とする請求項 4に記載の榭脂基板の製造方法。

[6] 上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層から上記支持板を剥がすことを特徴とする請求項 4または請求項 5に記載の榭脂基板の製造方法。

[7] 上記支持板上に上記榭脂層を形成した後、上記榭脂層に、上記導体パターンが設けられた側とは反対側から上記導体パターンに達する層間接続導体パターンを形成する工程を有することを特徴とする請求項 4〜請求項 6のいずれか 1項に記載の榭脂基板の製造方法。

[8] 少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層中に表面実装型電子部品を埋設してなる榭脂基板を製造する方法であって、

上記表面実装型電子部品を、その端子電極が上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部の上側に接合するように、搭載する第 2の工程と、

上記支持板の主面上に榭脂層を設け、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターン及び上記表面実装型電子部品を埋設する第 3の工程と、

上記大径部をアンカーとして上記榭脂層を上記支持板から剥がし、上記榭脂層に上記断面オーバーハング状の導体パターン及び上記表面実装型電子部品を一体に転写する第 4の工程と、を有する

ことを特徴とする榭脂基板の製造方法。

[9] 上記第 1の工程は、

上記レジスト層の上記開口部にメツキ膜を成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部を形成すると共に、上記レジスト層の上記開口部の上周縁部にもメツキ膜を更に連続して成長させて、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部を形成する工程と、

ことを特徴とする請求項 8に記載の榭脂基板の製造方法。

[10] 上記榭脂層が半硬化状態のまま、上記榭脂層から上記支持板を剥がすことを特徴とする請求項 8または請求項 9に記載の榭脂基板の製造方法。

[11] 少なくとも一層の榭脂層からなり、この榭脂層の主面力垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の第 1の導体パターンが埋設され且つ上記断面オーバーハング状の第 1の導体パターンの上記小径部側が上記主面側から接続用の入出力電極として露出する第 1の榭脂層を得る第 1の工程と、

少なくとも一層の榭脂層からなり、この榭脂層の主面力垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の第 2の導体パターンと、上記断面オーバーハング状の第 2の導体パターンの上記大径部側に接合するように搭載された表面実装型電子部品と、が埋設された第 2の榭脂層を得る第 2の工程と、上記第 1の榭脂層の上記主面とは反対側の主面と上記第 2の榭脂層の上記主面とが接触するように、上記第 1の榭脂層と上記第 2の榭脂層とを貼り合わせる第 3のェ程と、を有する

ことを特徴とする樹脂多層基板の製造方法。

[12] 上記第 1の榭脂層と上記第 2の榭脂層とは、中間層を介して貼り合わされていることを特徴とする請求項 11に記載の榭脂多層基板の製造方法。

[13] 少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層にマザ一基板への接続用の入出力電極が形成された榭脂基板であって、

上記入出力電極は、上記榭脂層の主面力垂直方向に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターン力もなり、且つ、上記入出力電極は、上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記小径部側の露出端面によって与えられる

ことを特徴とする榭脂基板。

[14] 上記榭脂層の上記主面とは反対側の主面から上記断面オーバーハング状の導体ノターンの上記大径部に達する層間接続導体パターンを有することを特徴とする請求項 13に記載の榭脂基板。

[15] 上記入出力電極面の周縁部分にはソルダーレジストが形成されていることを特徴とする請求項 13または請求項 14に記載の榭脂基板。

[16] 少なくとも一層の榭脂層を有し、この榭脂層中に表面実装型電子部品を埋設してなる榭脂基板であって、

上記榭脂層には、その主面力垂直方向に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンを有しており、且つ、

上記表面実装型電子部品は、上記表面実装型電子部品の端子電極が上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部の上側に接合するように、搭載されている

ことを特徴とする榭脂基板。

[17] 上記榭脂層の上記主面とは反対側の主面から上記断面オーバーハング状の導体パターンの上記大径部に達する層間接続導体を有することを特徴とする請求項 16に記載の榭脂基板。

[18] 第 1の導体パターン力もなる接続用の入出力電極が埋設され且つ少なくとも一層の榭脂層を有する第 1の榭脂層と、第 2の導体パターン及びこの導体パターンと接合するように搭載された表面実装型電子部品がそれぞれ埋設され且つ少なくとも一層の榭脂層を有する第 2の榭脂層とが貼り合わされてなる榭脂多層基板であって、上記第 1の導体パターンは、上記第 1の榭脂層中にその主面力も垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンからなり、且つ、上記小径部側の上記主面からの露出端面が接続用の入出力電極として形成されており、また、

上記第 2の導体パターンは、上記第 2の榭脂層中にその主面力も垂直上方に向けて小径部及び大径部が順次形成されてなる断面オーバーハング状の導体パターンからなり、且つ、上記表面実装型電子部品は、上記第 2の導体パターンの上記大径部の上側に接合されており、

上記第 1の榭脂層の上記主面とは反対側の主面と上記第 2の榭脂層の上記主面とが接合されている

ことを特徴とする榭脂多層基板。

上記第 1の榭脂層と上記第 2の榭脂層とは、中間層を介して貼り合わされていることを特徴とする請求項 18に記載の榭脂多層基板。