WO2008010268A1 - Panneau d'affichage à plasma et sa plaque avant - Google Patents

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WO2008010268A1
WO2008010268A1 PCT/JP2006/314230 JP2006314230W WO2008010268A1 WO 2008010268 A1 WO2008010268 A1 WO 2008010268A1 JP 2006314230 W JP2006314230 W JP 2006314230W WO 2008010268 A1 WO2008010268 A1 WO 2008010268A1
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magnesium oxide
oxide film
plasma display
display panel
ppm
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English (en)
French (fr)
Inventor
Masayuki Wada
Fumiaki Yoshino
Tatsuhiko Kawasaki
Original Assignee
Hitachi Plasma Display Limited
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers

Definitions

  • the present invention relates to a plasma display panel having an acid magnesium film covering an electrode, and more particularly to an improvement of an acid magnesium film.
  • An AC type plasma display panel includes an insulator covering an electrode.
  • the insulator consists of a dielectric layer with a thickness of about 10 to 50 m and a protective film with a thickness of about 0.5 to 1 ⁇ m laminated on it.
  • the dielectric layer is a layer for charging a sufficient amount of wall charges.
  • the protective film is made of a material with excellent spatter resistance and prevents the dielectric layer from being deteriorated by ion collision during discharge.
  • the protective film also has a magnesium oxide (MgO: magnesia) force. Since magnesium oxide is a high-concentration substance, a protective film that also has an acid-magnesium strength has the property of easily emitting secondary electrons. The discharge start voltage decreases due to the emission of secondary electrons, and the drive voltage margin increases.
  • MgO magnesia
  • the magnesium oxide film containing silicon (Si) at a ratio of 500 to lOOOOppm is effective in reducing the incidence of display defects called black noise. Is reported in Japanese Patent No. 3247632.
  • silicon is contained in a magnesium oxide film at a ratio of 500 to 15000 ppm, and other impurities such as potassium (K) and calcium (Ca ), Iron (Fe) and chromium (Cr) have been proposed to be as low as possible.
  • impurities such as potassium (K) and calcium (Ca ), Iron (Fe) and chromium (Cr) have been proposed to be as low as possible.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-340206 proposes doping calcium, aluminum (A1), and silicon into a magnesium oxide film.
  • Si: 40 to: LO Oppm are disclosed.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3247632
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-109511
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-340206
  • a problem associated with driving a plasma display panel is speeding up addressing. If higher-speed addressing becomes possible, more display lines can be scanned in the current address period than in the current address period, so that higher resolution of the screen can be realized. In addition, if the sustain period is extended by the amount of time required for shortening the addressing speed instead of increasing the number of display lines, the number of display discharges can be increased and the luminance can be increased.
  • the cell structure desired for speeding up the addressing is a structure in which no address discharge error occurs even if the pulse width of the address pulse is shortened.
  • An address discharge error occurs when the discharge delay time until the pulse application force discharge starts is longer than the pulse width of the address pulse.
  • a cell is required because the discharge start voltage is lower than the current state and discharge is likely to occur.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a plasma display panel useful for improving display quality having cells that are liable to discharge.
  • impurity concentration the impurity content of the magnesium oxide film
  • discharge characteristics it contained silicon and calcium as impurities, and these contents were included. It was found that the discharge characteristics were better when the total amount was in the range of 800 to 2050 ppm compared to the other cases.
  • the present invention is based on this fact.
  • a plasma display panel that achieves the above object has an magnesium oxide film that covers an electrode and is exposed to a discharge gas space.
  • the magnesium oxide film contains silicon and calcium as impurities, and the impurity content of the magnesium oxide film is S800 to 2050 ppm. [Ppm], which is a unit of content in this specification, is specifically [ ppm by weight].
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of a cell structure of a plasma display panel according to the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between the total content of silicon and calcium and the discharge characteristics.
  • FIG. 3 is a graph showing the relationship between calcium content and discharge characteristics.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between silicon content and discharge characteristics.
  • the present invention can be applied to various plasma display panels having a magnesium oxide film related to discharge.
  • the plasma display panel 1 shown in FIG. 1 is an example.
  • the plasma display panel 1 includes a front plate 10 and a back plate 20.
  • the front plate 10 and the back plate 20 are drawn apart from each other for easy understanding of the internal structure.
  • the front plate 10 prevents sputtering of the glass substrate 11, the display electrode X as the first electrode, the display electrode Y as the second electrode, the dielectric layer 17 for AC drive, and the dielectric layer 17.
  • a magnesium oxide film 18 is provided as a protective film.
  • the back plate 20 includes a glass substrate 21, a third electrode address electrode A, a dielectric layer 22, a plurality of barrier ribs 23, a red (R) phosphor 27, a green (G) phosphor 28, and blue ( The phosphor 29 of B) is provided.
  • the display electrodes X and the display electrodes Y are alternately arranged on the inner surface of the glass substrate 11 at equal intervals. All the electrode gaps in this arrangement are surface discharge gaps, and the adjacent display electrode X and display electrode Y constitute an electrode pair for surface discharge.
  • Each of these display electrodes is composed of a transparent conductive film 13 patterned in a thick strip shape and a metal film (bus conductor) 15 patterned in a thin strip shape.
  • bus conductor bus conductor
  • each controllable electrode pair is associated with each row of the matrix display.
  • the dielectric layer 17 covering the display electrode X and the display electrode Y is a low-melting glass layer having a thickness of about 30 m that extends over the entire screen. Details of the magnesium oxide film 18 will be described later.
  • the address electrodes A are arranged on the back plate 20 at the same pitch as the cell arrangement pitch, and intersect the display electrode X and the display electrode Y. These address electrodes A and the display electrodes Y on the front plate 10 constitute an electrode matrix for cell selection by address discharge.
  • the partition walls 29 are arranged in the electrode gaps of the address electrode array. Discharge gas space by partition wall 29 Are partitioned for each column of the matrix display, and a column space 31 corresponding to each column is formed.
  • the phosphor layers 27, 28, and 29 are disposed so as to cover the surface of the dielectric layer 22 and the side surfaces of the partition walls 23, and emit light when excited by ultraviolet rays emitted by the discharge gas.
  • the plasma display panel 1 having the above-described configuration includes a process of manufacturing each of the front plate 10 and the back plate 20, a step of bonding the peripheral portions of the front plate 10 and the back plate 20 with a sealing material, and bonding. It is manufactured by exhausting the gas remaining in the internal space formed by the above process and filling the discharge space in the internal space cleaned by exhaust.
  • the magnesium oxide film 18 is formed by a vacuum deposition method.
  • Vacuum deposition has an industrial track record and is suitable for mass production.
  • the vacuum deposition referred to here includes deposition using ion plating in combination.
  • characteristic samples and V As a sample for evaluating discharge characteristics, a plurality of plasma display panels (hereinafter referred to as characteristic samples and V) having the same structure are used except that the impurity concentration of the magnesium oxide film 18 is different. Manufactured. Prior to the formation of each magnesium oxide film 18 of each of these characteristic samples, 99.95% or more high purity magnesium oxide powder was mixed with silicon oxide and silicon oxide. The added powder was sintered into a pellet. In this way, multiple deposition materials with different amounts of oxide added were prepared. Using these deposition materials, a magnesium oxide film with a thickness of about 800 nm was formed by reactive electron beam deposition.
  • Substrate temperature 100 ⁇ 300 ° C
  • a drive circuit was connected to the fabricated characteristic sample, and a test was performed to display a test pattern.
  • the test pattern is a single-color stripe pattern with a sufficiently wide line interval that causes the 1Z3 cell of the selected display line to emit light.
  • the drive sequence includes addressing followed by sustain. In addressing, the display power of the cells that should emit light. An address pulse is applied between the electrode Y and the address electrode Y, thereby causing an address discharge to form wall charges. In sustain, a sustain pulse is applied between the display electrode X and display electrode ⁇ of all cells. The sustain pulse generates a display discharge only in the cells where the wall charges are correctly formed by addressing. If an address discharge error does not occur, the test pattern is displayed correctly in the sustain mode.
  • each characteristic sample was disassembled, and a small piece 10 mm x 10 mm was cut out from the center of the front plate as a sample for impurity concentration evaluation (hereinafter referred to as a concentration sample).
  • the impurity concentration of the magnesium oxide film 18 of the concentration sample was measured by a secondary ion mass spectrometer.
  • the results shown in FIG. 2 were obtained by the above test and measurement.
  • the horizontal axis of the graph in Fig. 2 corresponds to the sum of the concentrations of impurities silicon and calcium (total amount of impurities), and the vertical axis corresponds to the difference in discharge start voltage from the comparative example.
  • the comparative example here is a plasma display panel having a magnesium oxide film that has been added with an impurity formed using a vapor deposition material made of the high-purity acid magnesium powder.
  • the discharge start voltage is about 23 volts lower than the discharge start voltage of the comparative example. From Fig. 2, it can be seen that by controlling the total amount of impurities between 800 and 2050 ppm, a significant improvement in the discharge characteristics can be obtained in which the discharge start voltage is lowered by 20 volts or more.
  • Fig. 3 shows the relationship between the concentration and the discharge start voltage when the silicon concentration is 490 ppm and the calcium concentration is changed in the range of 10 to 1000 ppm.
  • the discharge start voltage is about 10 volts lower than when the calcium concentration is 10 ppm. From Fig. 3, it can be seen that a certain amount or more of calcium is required to improve the discharge characteristics.
  • Figure 4 shows that the calcium concentration is 500ppm and the silicon concentration is 250 ⁇ : L lOOppm range.
  • concentration at the time of changing by a surrounding and discharge start voltage is shown. From Fig. 2, it can be seen that by controlling the silicon concentration to 400 to 1050 ppm, a remarkable improvement effect of the discharge characteristics can be obtained when the discharge start voltage is lowered by 20 volts or more. If the silicon concentration is 400ppm or less and 1050ppm or more, sufficient improvement effect cannot be obtained.
  • the configuration of the plasma display panel 1 can be changed as appropriate within the scope of the gist of the present invention.
  • the thickness of the magnesium oxide film 18 may be 500 nm or more, for example, 500 to 1000 nm.
  • the dielectric layer 17 is not limited to baked glass but may be a vapor phase growth film. Instead of the partition wall 23, a mesh pattern partition wall can be employed. Industrial applicability
  • the present invention contributes to the improvement of the performance of the plasma display panel.

Description

明 細 書
プラズマディスプレイパネルおよびその前面板
技術分野
[0001] 本発明は、電極を被覆する酸ィ匕マグネシウム膜を有したプラズマディスプレイパネ ルに関し、詳しくは酸ィ匕マグネシウム膜の改良に関する。
背景技術
[0002] AC型のプラズマディスプレイパネルは電極を被覆する絶縁体を備える。絶縁体は 厚さ 10〜50 m程度の誘電体層とその上に積層された厚さ 0. 5〜1 μ m程度の保 護膜とで構成される。誘電体層は十分な量の壁電荷を帯電させるための層である。 保護膜は耐スパッタ性に優れる材料カゝらなり、放電時のイオン衝突による誘電体層の 劣化を防ぐ。
[0003] 一般に、保護膜は酸ィ匕マグネシウム (MgO：マグネシア）力もなる。酸化マグネシゥ ムは高 Ί物質であるので、酸ィ匕マグネシウム力もなる保護膜は二次電子を放出し易 い性質をもつ。二次電子の放出によって放電開始電圧が下がり駆動電圧マージンが 拡がる。
[0004] このように放電特性に影響を及ぼす保護膜の組成に関して、シリコン (Si)を 500〜 lOOOOppmの割合で含有する酸ィ匕マグネシウム膜力 黒ノイズと呼ばれる表示不良 の発生率の低減に有効であるとの報告が特許第 3247632号公報にある。
[0005] 特開 2003— 109511号公報では、放電特性を向上させる手段として、酸化マグネ シゥム膜にシリコンを 500〜15000ppmの割合で含有させ、かつ他の不純物である カリウム (K)、カルシウム（Ca)、鉄 (Fe)およびクロム（Cr)の含有量を可及的に少なく することが提案されている。
[0006] 一方、特開 2005— 340206号公報では、酸ィ匕マグネシウム膜にカルシウム、アルミ -ゥム (A1)、およびシリコンをドーピングすることが提案されている。好ましいドーピン グ量として、 Ca : 100〜300ppm、 Al: 60〜90ppm、 Fe : 60〜90ppm、 Si:40〜： LO Oppmが開示されている。
特許文献 1：特許第 3247632号公報 特許文献 2：特開 2003 - 109511号公報
特許文献 3：特開 2005 - 340206号公報
発明の開示
[0007] プラズマディスプレイパネルの駆動に関する課題としてアドレッシングの高速化があ る。より高速のアドレッシングが可能になれば、現状のアドレス期間内に現状よりも多 くの表示ラインを走査することができるので、画面の高解像度化を実現することができ る。また、表示ラインを増やす代わりに、アドレッシングの高速ィ匕によって所要時間が 短くなる分だけサスティン期間を延長すれば、表示放電の回数を増やして輝度を高 めることができる。
[0008] アドレッシングの高速化を図る上で望まれるセル構造は、アドレスパルスのパルス幅 を短くしてもアドレス放電ミスが発生しな 、構造である。アドレス放電ミスはパルス印加 力 放電が始まるまでの放電遅れ時間がアドレスパルスのノ ルス幅よりも長い場合に 発生する。アドレス放電ミスの発生確率を低減するには、現状よりも放電開始電圧が 低く放電の起き易 、セルが必要である。
[0009] 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、放電の起き易いセルをもつ 表示品質の向上に有用なプラズマディスプレイパネルの提供を目的としている。
[0010] 酸化マグネシウム膜の不純物含有量 (以下にお!、て不純物濃度と!/、うことがある）と 放電特性との関係を調べたところ、不純物としてシリコンおよびカルシウムを含みこれ らの含有量の総和が 800〜2050ppmの範囲内である場合では他の場合と比べて 放電特性が良好であることが判明した。本発明はこの事実に基づいている。
[0011] 上記目的を達成するプラズマディスプレイパネルは、電極を被覆しかつ放電ガス空 間に露出する酸ィ匕マグネシウム膜を有する。前記酸ィ匕マグネシウム膜はシリコンおよ びカルシウムを不純物として含み、当該酸ィ匕マグネシウム膜における前記不純物の 含有量力 S800〜2050ppmである。本明細書における含有量の単位である [ppm]は 詳しくは [重量 ppm]である。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明に係るプラズマディスプレイパネルのセル構造の一例を示す分解斜視 図である。 [図 2]シリコンおよびカルシウムの含有量の総和と放電特性との関係を示すグラフであ る。
[図 3]カルシウムの含有量と放電特性との関係を示すグラフである。
[図 4]シリコンの含有量と放電特性との関係を示すグラフである。
発明を実施するための最良の形態
[0013] 本発明は、放電に関わる酸ィ匕マグネシウム膜を有した各種のプラズマディスプレイ パネルに適用することができる。図 1に示すプラズマディスプレイパネル 1は一例であ る。
[0014] プラズマディスプレイパネル 1は前面板 10と背面板 20とを備える。図では内部構造 を解り易くするために前面板 10と背面板 20とが離れているよう描かれているが、実際 はこれらは当接する。前面板 10は、ガラス基板 11、第 1の電極である表示電極 X、第 2の電極である表示電極 Y、 AC駆動のための誘電体層 17、および誘電体層 17に対 するスパッタリングを防ぐ保護膜としての酸ィ匕マグネシウム膜 18を備える。背面板 20 は、ガラス基板 21、第 3の電極であるアドレス電極 A、誘電体層 22、複数の隔壁 23、 赤 (R)の蛍光体 27、緑 (G)の蛍光体 28、および青（B)の蛍光体 29を備える。
[0015] 前面板 10において、表示電極 Xおよび表示電極 Yは、ガラス基板 11の内面に交互 に且つ等間隔に配列されて 、る。この配列における全ての電極間隙が面放電ギヤッ プであり、隣り合う表示電極 Xと表示電極 Yとが面放電のための電極対を構成する。 これら表示電極のそれぞれは、太い帯状にパターユングされた透明導電膜 13と、細 い帯状にパターユングされた金属膜 (バス導体） 15とで構成される。なお、表示電極 配列の他の例としてマトリクス表示の各行に独立に制御可能な電極対を対応させる 形式がある。表示電極 Xおよび表示電極 Yを被覆する誘電体層 17は、画面全体に 拡がる厚さ 30 m程度の低融点ガラス層である。酸ィ匕マグネシウム膜 18の詳細は後 述する。
[0016] 背面板 20にお!/、て、アドレス電極 Aはセル配列ピッチと同じピッチで配列されてお り、表示電極 Xおよび表示電極 Yと交差する。これらアドレス電極 Aと前面板 10の表 示電極 Yとがアドレス放電によるセル選択のための電極マトリクスを構成する。隔壁 2 9はアドレス電極配列の電極間隙に配置されて 、る。隔壁 29によって放電ガス空間 がマトリクス表示の列ごとに区画され、各列に対応した列空間 31が形成される。蛍光 体層 27, 28, 29は、誘電体層 22の表面と隔壁 23の側面とを覆うように配置され、放 電ガスが放つ紫外線によって励起されて発光する。
[0017] 以上の構成をもつプラズマディスプレイパネル 1は、前面板 10および背面板 20の それぞれを作製する工程、封着材によって前面板 10と背面板 20の周辺部どうしを接 合する工程、接合により形成された内部空間に残留するガスを排気する工程、およ び排気によって清浄化された内部空間に放電ガスを充填する工程によって製造され る。
[0018] 前面板 10の作製に際して、酸ィ匕マグネシウム膜 18は真空蒸着法によって形成され る。真空蒸着は工業的に実績があり量産に適している。ここでいう真空蒸着はイオン プレーティングを併用する蒸着を含む。
[0019] 以下、本発明の特徴に係る酸ィ匕マグネシウム膜 18の不純物濃度について説明す る。
[0020] 放電特性の評価のための試料として、酸ィ匕マグネシウム膜 18の不純物濃度が異な ることを除 、て同じ構成をもつ複数のプラズマディスプレイパネル (以下、特性試料と Vヽぅ）を製造した。これら特性試料のそれぞれの酸ィ匕マグネシウム膜 18の成膜に先立 つて、 99. 95%以上の高純度の酸ィ匕マグネシウム粉末にシリコンの酸ィ匕物および力 ルシゥムの酸ィ匕物を添加した粉末をペレット状に焼結させた。この要領で、酸化物の 添加量が異なる複数の蒸着材料を作製した。これら蒸着材料を用いて反応性電子ビ ーム蒸着法によって厚さ約 800nmの酸ィ匕マグネシウム膜を成膜した。
[0021] 成膜条件の範囲は次のとおりである。
蒸着圧力： 0. 005〜0. 15Pa
基板温度： 100〜300°C
反応ガス:酸素
作製された特性試料に駆動回路を接続し、試験用パターンを表示させる試験を行 つた。試験用パターンは、選択された表示ラインの 1Z3のセルを発光させる十分に 広いライン間隔をもつ単色のストライプパターンである。駆動シーケンスは、アドレツシ ングとそれに続くサスティンとを含む。アドレッシングでは、発光すべきセルの表示電 極 Yとアドレス電極 Yとの電極間にアドレスパルスを印加し、それによつて壁電荷を形 成するためのアドレス放電を起こす。サスティンでは全てのセルの表示電極 Xと表示 電極 Υとの電極間にサスティンパルスを印加する。サスティンパルスはアドレッシング で正しく壁電荷が形成されたセルのみで表示放電を生じさせる。アドレス放電ミスが 発生しなければ、サスティンにぉ 、て試験用パターンが正しく表示される。
[0022] 試験では、アドレスパルスの波高値を徐々に上げて!/、き、発光すべきセルが全て発 光した波高値をアドレス放電の放電開始電圧として記録した。各特性試料につ!、て 同じ試験を複数回行 、、それらの結果の平均値を測定値とした。
[0023] 試験の後、各特性試料を分解して前面板の中央部分から 10mm X 10mmの大きさ の小片を、不純物濃度の評価のための試料 (以下、濃度試料という）として切り出した
[0024] 濃度試料の酸ィ匕マグネシウム膜 18の不純物濃度を二次イオン質量分析計 (Second ary Ionization Mass Spectrometer)によって孭 U疋した。
[0025] 上記試験および測定によって図 2に示す結果を得た。図 2のグラフの横軸は不純物 であるシリコンおよびカルシウムの濃度の和（不純物総量）に対応し、縦軸は比較例と の放電開始電圧の差に対応する。ここでの比較例は、上記高純度の酸ィ匕マグネシゥ ム粉末からなる蒸着材料を用いて成膜された不純物が添加されて!ヽな ヽ酸化マグネ シゥム膜をもつプラズマディスプレイパネルである。
[0026] 図 2において、例えば不純物総量が 800ppmの場合の放電開始電圧は比較例の 放電開始電圧と比べて約 23ボルト低い。図 2からは、不純物総量を 800〜2050pp mに制御することによって、放電開始電圧が 20ボルト以上低くなるという放電特性の 顕著な改善効果の得られることが分かる。
[0027] 図 3はシリコン濃度を 490ppmとしてカルシウム濃度を 10〜1000ppmの範囲で変 化させた場合の濃度と放電開始電圧との関係を示す。カルシウム濃度を lOppmとし た場合に比べて、 500ppm以上とした場合には放電開始電圧が約 10ボルト低い。図 3からは放電特性を改善するには、ある量以上のカルシウムの添カ卩が必要であること が分かる。
[0028] 図 4はカルシウム濃度を 500ppmとしてシリコン濃度を 250〜： L lOOppm程度の範 囲で変化させた場合の濃度と放電開始電圧との関係を示す。図 2からは、シリコン濃 度を 400〜1050ppmに制御することによって、放電開始電圧が 20ボルト以上低くな ると 、う放電特性の顕著な改善効果の得られることが分かる。シリコン濃度が 400pp m以下の場合および 1050ppm以上の場合には十分な改善効果は得られない。
[0029] 以上の実施形態において、プラズマディスプレイパネル 1の構成は本発明の主旨 に沿う範囲内で適宜変更することができる。酸ィ匕マグネシウム膜 18の厚さは 500nm 以上、例えば 500〜1000nmでよい。誘電体層 17は焼成ガラスに限らず、気相成長 膜であってもよい。隔壁 23に代えてメッシュパターンの隔壁を採用することができる。 産業上の利用可能性
[0030] 本発明は、プラズマディスプレイパネルの性能の向上に貢献する。

Claims

請求の範囲
[1] 電極を被覆しかつ放電ガス空間に露出する酸ィ匕マグネシウム膜を有したプラズマ ディスプレイパネルであって、
前記酸ィ匕マグネシウム膜はシリコンおよびカルシウムを不純物として含み、不純物 含有量力 00〜2050ppmである
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
[2] 前記酸化マグネシウム膜におけるカルシウムの含有量力 00〜1000ppmである 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。
[3] 前記酸ィ匕マグネシウム膜におけるシリコンの含有量力 S400〜1050ppmである 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。
[4] 前記酸ィ匕マグネシウム膜は真空蒸着膜である
請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。
[5] プラズマディスプレイパネルの前面板であって、
ガラス基板と、前記ガラス基板上に配列された電極と、前記電極を被覆する誘電体 層と、前記誘電体層に積層された酸ィ匕マグネシウム膜を有し、
前記酸ィ匕マグネシウム膜はシリコンおよびカルシウムを含み、シリコンの含有量は 4 00〜 1050ppmであり、カルシウムの含有量は 400〜 lOOOppmである
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの前面板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008262892A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2009217940A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2010140835A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5126451B2 (ja) * 2010-03-17 2013-01-23 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000103614A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd プラズマディスプレイ用ＭｇＯ材料及びその製造方法ならびにプラズマディスプレイ
JP2006169636A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Samsung Sdi Co Ltd 保護膜、該保護膜形成用の複合体、該保護膜の製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイ装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247632B2 (ja) * 1997-05-30 2002-01-21 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000103614A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd プラズマディスプレイ用ＭｇＯ材料及びその製造方法ならびにプラズマディスプレイ
JP2006169636A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Samsung Sdi Co Ltd 保護膜、該保護膜形成用の複合体、該保護膜の製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008262892A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2009217940A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2010140835A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
WO2010070847A1 (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
US8183777B2 (en) 2008-12-15 2012-05-22 Panasonic Corporation Low power consumption plasma display panel

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