WO2006021850A3 - Solution de precurseur de cvd destinee a produire un film mince contenant un metal de la serie des lanthanides, et procede de production d'un film mince faisant appel a ladite solution - Google Patents

Solution de precurseur de cvd destinee a produire un film mince contenant un metal de la serie des lanthanides, et procede de production d'un film mince faisant appel a ladite solution Download PDF

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Abstract

L'invention a pour objectif de produire un film mince à base de multiples oxydes de métaux de la série des lanthanides, qui contient de multiples composants, la composition désirée du film étant obtenue de manière constante. La présente invention se rapporte à un précurseur de CVD utilisé pour produire un film mince contenant un ou plusieurs métaux de la série des lanthanides et un ou plusieurs métaux ne faisant pas partie de la série des lanthanides. Ledit précurseur est obtenu par la dissolution d'un composé représenté par la formule Ln (β-dik)3 L, dans laquelle Ln représente l'atome métallique de la série des lanthanides, β-dik est de préférence sélectionné parmi un ligand dipivaloylméthane (DPM), un ligand diisobutyrylméthane (DIBM), un ligand isobutyriylpivaloylméthane (IBPM), un ligand 2,2,6,6-tétraméthyle-3,5-octanedione (TMOD), un ligand acétylacétone, un ligand 6-éthyl-2,2-diméthyl-3,5-octanedione, un ligand 5-méthyl-2,4-hexanedione et un ligand 5,5-diméthyl-2,4-hexanedione, L représente un ligand neutre sélectionné de préférence parmi 1,10-phénanthroline, 2,2'-bipyridyle et leurs dérivés. Le précurseur selon l'invention renferme également, dans un solvant, un complexe organométallique contenant un métal ne faisant pas partie de la série des lanthanides. Une courbe TG obtenue par l'analyse thermogravimétrique (TG) du composé représenté par la formule (I) présente une seule crête d'un point de pulvérisation.
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