Beschreibung
Elektrische Schaltung und Bauelement mit der Schaltung
Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltung, die einen elektrischen Vierpol, z. B. eine Filterschaltung mit zwei elektrischen Toren aufweist.
Ein Vierpol kann 1) unsymmetrisch/unsymmetrisch oder 2) sym¬ metrisch/symmetrisch beschaltet werden. Es ist auch möglich, einen Vierpol als Balun, d. h. 3) unsymmetrisch/symmetrisch zu beschälten.
Aus der Druckschrift US 2001/0013815 Al ist ein Duplexer be¬ kannt, bei dem im Empfangspfad ein Balun in einem Filter durch eine DMS-Spur realisiert ist (DMS = Double Acoustic Mode SAW, SAW = Surface Acoustic Wave) , die mit Serienre¬ sonatoren verschaltet ist. Die Serienresonatoren sind als SAW-Resonatoren ausgebildet. Die im Duplexer verwendeten Fil¬ terstrukturen sind alle in einer Technologie (SAW) ausge¬ führt.
Aus der Druckschrift US 2002/0140520 Al ist ein Duplexer mit einem Empfangspfad bekannt. Darin ist ein Empfangsfilter an¬ geordnet, in dem eine Laddertype-Anordnung ausgangsseitig mit einem Balun bzw. einem weiteren Glied zur Symmetrisierung der Laddertype-Anordnung verschaltet ist. Der Balun kann durch LC-Komponenten oder durch eine Anordnung von SAW- oder BAW- Resonatoren realisiert werden (BAW = BuIk Acoustic Wave) . Einzelne in jeweils einer eigenen Spur angeordnete SAW-Re¬ sonatoren bzw. nebeneinander angeordnete BAW-Resonatoren sind nicht akustisch miteinander gekoppelt .
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine elekt¬ rische Schaltung anzugeben, die zwischen zumindest zwei ver¬ schiedenen Betriebsmodi 1) , 2) oder 3) umgeschaltet werden kann.
Die Aufgabe der Erfindung wird durch eine elektrische Schal¬ tung nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den weiteren Ansprüchen hervor.
Die Erfindung gibt eine elektrische Schaltung mit einem elek¬ trischen Vierpol an, das zwei elektrische Tore mit jeweils zwei Anschlüssen aufweist. In der Schaltung ist mindestens ein Querzweig vorgesehen, der von einem Anschluss des ersten Tores zur Masse verläuft . Im Querzweig ist ein Schaltelement (erstes Schaltelement) angeordnet, mit dem der entsprechende Anschluss ggf. auf Masse gelegt werden kann.
In einer bevorzugten Variante weist die Schaltung einen zwei¬ ten Querzweig auf, der von einem Anschluss des zweiten Tores zur Masse verläuft. Im zweiten Querzweig ist auch ein Schalt¬ element (zweites Schaltelement) angeordnet.
Bei einem kurzgeschlossenen Schaltelement ist das damit ver¬ bundene elektrische Tor unsymmetrisch. Bei einem offenen Schaltelement kann das Tor symmetrisch betrieben werden.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass das jeweilige elektrische Tor zwischen einem symmetrischen und einem unsymmetrischen Betrieb umgeschaltet werden kann. Das Schaltelement kann z. B. durch Anlegen oder Weglassen einer Steuerspannung dauer¬ haft kurzgeschlossen oder offen sein. Bei einem kurzgeschlos¬ senen ersten und einem offenen zweiten Schaltelement lässt sich durch die elektrische Schaltung ein Balun realisieren,
wobei auf eine spezielle Balun-Schaltung verzichtet werden kann.
Der elektrische Vierpol ist z. B. ein Filter, vorzugsweise ein Bandpassfilter. Der Vierpol weist vorzugsweise mit akus¬ tischen Volumen- oder Oberflächenwellen arbeitende Bauele¬ mentstrukturen(z. B. SAW-Wandler oder BAW-Resonatoren; SAW = Surface Acoustic Wave; BAW = BuIk Acoustic Wave) auf. Mehrere akustisch miteinander gekoppelte und vorzugsweise galvanisch voneinander getrennte BAW-Resonatoren können eine Resonato¬ reinheit bilden. Eine mit SAW arbeitende Resonatoreinheit kann mehrere SAW-Wandler aufweisen.
In einer Variante der Erfindung weist der Vierpol mit akusti¬ schen Oberflächenwellen arbeitende Wandler auf. Mehrere, z. B. zwei einer Resonatoreinheit zugeordnete Wandler sind akus¬ tisch miteinander gekoppelt und vorzugsweise galvanisch von¬ einander getrennt. Die Wandler sind vorzugsweise nebeneinan¬ der in einer akustischen Spur angeordnet.
Die in einer Resonatoreinheit angeordneten BAW-Resonatoren können in einem Resonatorstapel übereinander angeordnet und über eine dazwischen angeordnete, akustisch teilweise durch¬ lässige Koppelschicht akustisch miteinander gekoppelt sein. Die BAW-Resonatoren können auch nebeneinander angeordnet und über eine laterale akustische Kopplung akustisch miteinander gekoppelt sein. Die Resonatoreinheit umfasst vorzugsweise zwei Resonatoren oder Wandler.
Jeder Resonator bzw. Wandler der Resonatoreinheit ist in ei¬ ner Variante in einem eigenen Signalpfad angeordnet. In einer anderen Variante ist jeder Resonator bzw. Wandler an nur ei¬ nes der Tore angeschlossen und zwischen zwei Anschlüssen des
ersten bzw. des zweiten Tores angeordnet.
Das erste und/oder das zweite Schaltelement ist z. B. eine PIN-Diode, ein Feldeffekttransistor oder ein mikroelektrome- chanischer Schalter (MEMS) .
Die Schaltung gemäß Erfindung ist vorzugsweise in einem kom¬ pakten Bauelement realisiert. Das Bauelement weist ein vor¬ zugsweise mehrlagiges Substrat mit mehreren dielektrischen und/oder halbleitenden Schichten auf. Zwischen den dielektri¬ schen Schichten sind strukturierte Metalllagen angeordnet, die elektrisch mit den Außenanschlüssen des Bauelements z. B. mittels vertikaler Durchkontaktierungen verbunden sind. Ein Teil der Schaltung kann im Substrat verborgen bzw. in den Metalllagen ausgebildet sein. Das Substrat weist u. a. Außen¬ anschlüsse auf, die zur Ansteuerung des ersten oder des zwei¬ ten Schaltelements dienen.
Der elektrische Vierpol und das erste oder das zweite Schalt- element sind vorzugsweise in einem gemeinsamen Substrat rea¬ lisiert oder auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet.
Elektroakustische Strukturen der elektrischen Schaltung sind vorzugsweise auf der Oberfläche des Substrats angeordnet. Möglich ist es auch, auf dem Substrat einen Chip mit BAW- oder SAW-Strukturen zu befestigen. Dieser Chip kann mit dem Substrat durch Drahtbonden oder durch Flip-Chip-Technik e- lektrisch und mechanisch verbunden sein.
In einer Variante sind die Schaltelemente im Substratinneren realisiert. In einer anderen Variante sind die Schaltelemente auf der Oberfläche des Substrats montiert.
Das Substrat weist vorzugsweise Keramikschichten als die¬ lektrische Schichten auf. Die dielektrische Schichten können auch aus einem Kunststoff bzw. einem organischen Material bestehen. Das Substrat kann verschiedenartige übereinander angeordnete dielektrische oder halbleitende Schichten (z. B. Si und SiO2) aufweisen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei¬ spielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figuren zeigen anhand schematischer und nicht maßstabsgetreu¬ er Darstellungen verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfin¬ dung. Gleiche oder gleich wirkende Teile sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Es zeigen schematisch
Figur 1 ein Ersatzschaltbild der elektrischen Schaltung gemäß Erfindung.
Figur 2 die Schaltung mit einer Resonatoreinheit, deren akus¬ tisch miteinander gekoppelte Resonatoren jeweils im eigenen Signalpfad angeordnet sind.
Figur 3A die Schaltung mit einem Filter in Ladder-Type- Anordnung und einer Resonatoreinheit, deren akustisch mitein¬ ander gekoppelte Resonatoren jeweils an das eigene elektri¬ sche Tor angeschlossen sind.
Figur 3B eine Resonatoreinheit mit nebeneinander angeordneten und akustisch in lateraler Richtung miteinander gekoppelten Resonatoren.
Figur 3C eine Resonatoreinheit, die als Resonatorstapel rea¬ lisiert ist.
Figur 4A das Ersatzschaltbild der Schaltung mit der Resonato¬ reinheit gemäß Figur 3C.
Figur 4B eine mit SAW arbeitende Schaltung mit zwei akustisch miteinander gekoppelten, jeweils im eigenen Signalpfad ange¬ ordneten Wandlern in einer gemeinsamen akustischen Spur.
Figur 4C eine mit SAW arbeitende Schaltung mit zwei akustisch miteinander gekoppelten, jeweils an den eigenen Signalpfad angeschlossenen Wandlern, die in einer gemeinsamen akusti¬ schen Spur angeordnet sind.
Figur 4D eine mit SAW arbeitende Schaltung mit zwei akusti¬ schen Spuren, die über Koppelwandler akustisch miteinander gekoppelt sind.
Figur 4E eine weitere Schaltung mit der Resonatoreinheit ge¬ mäß Figur 3C
Figur 5A die Schaltung gemäß Figur 4A mit einem Feldeffekt¬ transistor als Schaltelement.
Figur 5B die Schaltung gemäß Figur 4A mit einem Diodenschal¬ ter.
Figur 6 die unsymmetrisch/unsymmetrisch zu betreibende Schal¬ tung gemäß Figur 4A mit kurzgeschlossenen Schaltelementen.
Figur 7 die unsymmetrisch/symmetrisch zu betreibende Schal¬ tung gemäß Figur 4A mit einem kurzgeschlossenen und einem offenen Schaltelement.
Figur 8 die symmetrisch/symmetrisch zu betreibende Schaltung gemäß Figur 4A mit offenen Schaltelementen.
Figur 1 zeigt ein Ersatzschaltbild der elektrischen Schaltung gemäß Erfindung. Die Schaltung weist einen elektrischen Vier¬ pol F mit einem ersten elektrischen Tor Tl und einem zweiten elektrischen Tor T2 auf. Zwischen einem ersten Anschluss TIl des ersten Tores und einem ersten Anschluss T21 des zweiten Tores ist ein erster Signalpfad SPl angeordnet. Zwischen ei¬ nem zweiten Anschluss T12 des ersten Tores und einem ersten Anschluss T22 des zweiten Tores ist ein zweiter Signalpfad SP2 angeordnet . Zwischen dem zweiten Signalpfad SP2 und Masse ist auf der Seite des ersten Tores Tl ein Querzweig angeord¬ net, in dem ein erstes Schaltelement Sl angeordnet ist. Zwi¬ schen dem zweiten Signalpfad SP2 und Masse ist auf der Seite des zweiten- Tores T2 ein Querzweig angeordnet, in dem ein zweites Schaltelement S2 angeordnet ist .
Der Vierpol F ist vorzugsweise ein mit akustischen Wellen arbeitendes Filter. In Figuren 2, 3A ist jeweils ein Filter mit BAW-Resonatoren in Ladder-Type-Bauweise gezeigt. Das Fil¬ ter in Figur 2 weist einen im ersten Signalpfad SPl angeord¬ neten ersten Resonator Rl und einen im zweiten Signalpfad SP2 angeordneten zweiten Resonator R2 auf, die akustisch mitein¬ ander gekoppelt sind und zusammen eine Resonatoreinheit RE bilden. Die Resonatoren Rl, R2 sind hier Serienresonatoren. Zwischen den Signalpfaden SPl, SP2 sind Querzweige mit je¬ weils einem Parallelresonator angeordnet.
Das Filter in Figur 3A weist einen zwischen den Anschlüssen TIl, T12 des ersten Tores Tl angeordneten ersten Resonator Rl und einen zwischen den Anschlüssen T21, T22 des zweiten Tores T2 angeordneten zweiten Resonator R2 auf. Die Resonatoren Rl,
R2 sind akustisch miteinander gekoppelt und bilden eine Reso¬ natoreinheit RE. Die Resonatoren Rl, R2 sind hier Parallelre¬ sonatoren, die in den Querzweigen zwischen den Signalpfaden SPl, SP2 angeordnet sind. Die Resonatoreinheit ist mit in den Signalpfaden SPl, SP2 angeordneten Serienresonatoren ver¬ schaltet .
Die Resonatoren Rl, R2 in Figuren 2 und 3A sind galvanisch nicht miteinander verbunden.
Figur 3B zeigt eine Resonatoreinheit RE mit zwei nebeneinan¬ der angeordneten, lateral akustisch miteinander gekoppelten Resonatoren Rl, R2. Die laterale Kopplung der Resonatoren ist durch die Anregung von lateralen akustischen Moden möglich. Die beiden Resonatoren Rl, R2 weisen eine gemeinsame piezo¬ elektrische Schicht PSl auf.
Ein Filter oder ein Teil des Filters kann in einer Variante durch einen Resonatorstapel, z. B. den Resonatorstapel RS gemäß Figur 3C realisiert sein. Der Resonatorstapel RS ist auf einem Substrat TS aufgebaut. Der Resonatorstapel RS weist einen ersten Resonator Rl, einen zweiten Resonator R2 und eine dazwischen angeordnete, akustisch teilweise durchlässige Koppelschicht KS auf. Zwischen dem Substrat TS und dem Reso¬ natorstapel ist ein akustischer Spiegel AS angeordnet. Der akustische Spiegel AS weist mehrere übereinander in abwech¬ selnder Reihenfolge angeordnete Schichten mit einer niedrigen und einer hohen akustischen Impedanz auf. Die Schichtdicke dieser Schichten beträgt vorzugsweise eine Viertelwellenlänge bei der Resonanzfrequenz des ersten Resonators Rl .
Der erste Resonator Rl ist durch zwei Elektrodenschichten El, E2 und eine dazwischen angeordnete piezoelektrische Schicht
PSl gebildet. Der zweite Resonator R2 ist durch zwei Elektro¬ denschichten E3, E4 und eine dazwischen angeordnete piezo¬ elektrische Schicht PS2 gebildet.
Der Resonatorstapel kann in einer hier nicht dargestellten Variante über einem im Substrat TS ausgebildeten Hohlraum angeordnet sein.
Figur 4A zeigt eine Schaltung gemäß Figur 1 mit einem Vier¬ pol, das als der Resonatorstapel RS gemäß Figur 3C ausgebil¬ det ist.
Die untere Elektrode El des ersten Resonators Rl ist an den ersten Anschluss TIl des ersten elektrischen Tores Tl ange¬ schlossen. Die zur Koppelschicht KS gewandte Elektrode E2 des ersten Resonators Rl ist an den zweiten Anschluss T12 des ersten elektrischen Tores Tl angeschlossen. Die zur Koppel- Schicht KS Elektrode E3 des zweiten Resonators R2 ist an den zweiten Anschluss T22 des zweiten elektrischen Tores T2 ange¬ schlossen. Die obere Elektrode E4 des zweiten Resonators R2 ist an den ersten Anschluss T21 des zweiten elektrischen To¬ res T2 angeschlossen. Der erste Resonator Rl ist also an das erste Tor Tl und das zweite Resonator R2 an das zweite Tor angeschlossen. Die Resonatoren Rl, R2 sind durch die Koppel- Schicht KS galvanisch voneinander getrennt und mittels dieser Schicht akustisch miteinander verkoppelt.
Bei kurzgeschlossenen Schaltelementen Sl, S2 ergibt sich die Beschaltung gemäß Figur 6, wobei das Filter unsymmetrisch/un¬ symmetrisch betrieben wird. Beim kurzgeschlossenen ersten Schaltelement Sl und offenen zweiten Schaltelement S2 ergibt sich die Beschaltung gemäß Figur 7, wobei das Filter als Ba- lun betrieben wird. Bei beiden offenen Schaltelementen Sl, S2
ergibt sich die Beschaltung gemäß Figur 8, wobei das Filter symmetrisch/symmetrisch betrieben wird.
Figur 4B zeigt ein mit Oberflächenwellen arbeitendes Filter mit einer akustischen Spur, die durch zwei Reflektoren be¬ grenzt ist. In der akustischen Spur ist ein erster Wandler Wl und ein zweiter Wandler W2 angeordnet .
Die Wandler Wl, W2 sind akustisch miteinander gekoppelt und galvanisch nicht miteinander verbunden. Der erste Wandler Wl ist zwischen dem ersten Anschluss TIl des ersten Tores Tl und dem ersten Anschluss T21 des zweiten Tores T2 angeordnet. Der zweite Wandler W2 ist zwischen dem zweiten Anschluss T12 des ersten Tores Tl und dem zweiten Anschluss T22 des zweiten Tores T2 angeordnet .
Figur 4C zeigt ein weiteres mit Oberflächenwellen arbeitendes Filter mit einer akustischen Spur, in der die Wandler Wl, W2 angeordnet sind. In dieser Variante ist der erste Wandler Wl zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluss TIl, T12 des ersten Tores Tl angeordnet. Der zweite Wandler W2 ist zwi¬ schen dem ersten und dem zweiten Anschluss T21, T22 des zwei¬ ten Tores T2 angeordnet.
Eine akustische Spur entspricht einer Resonatoreinheit. Die Wandler Wl, W2 sind bei den Ausführungen gemäß Figuren 4B und 4C in einer Resonatoreinheit angeordnet.
Figur 4D zeigt ein weiteres mit akustischen Oberfläche arbei¬ tendes Filter. Das Filter weist eine erste akustische Spur mit drei Wandlern WIl bis W13 und eine zweite akustische Spur mit drei Wandlern W21 bis W23 auf. Jede akustische Spur ist durch zwei Reflektoren begrenzt. Der Wandler WIl ist der Ein-
gangswandler des Filters. Der Wandler W21 ist der Ausgangs¬ wandler des Filters. Die Wandler W12, W13, W22 und W23 sind Koppelwandler zur Aus- bzw. Einkopplung des elektrischen Sig¬ nals von der ersten akustischen Spur in die zweite.
Der Eingangswandler WIl ist zwischen den Wandlern W12 und W13 angeordnet. Der Ausgangswandler W21 ist zwischen den Koppel¬ wandlern W22 und W23 angeordnet. Der Eingangswandler WIl ist zwischen den Anschlüssen TIl, T12 des ersten Tores Tl ange¬ ordnet. Der Ausgangswandler W21 ist zwischen den Anschlüssen T21, T22 des zweiten Tores T2 angeordnet. Der Eingangswandler WIl ist mit dem Ausgangswandler W21 galvanisch nicht verbun¬ den.
Figur 4E zeigt ein Filter mit einer Resonatoreinheit, die als Resonatorstapel RS gemäß Figur 3C ausgebildet ist. In dieser Variante ist die untere Elektrode El des ersten Resonators Rl an den zweiten Anschluss T12 des ersten elektrischen Tores angeschlossen. Die zur Koppelschicht KS gewandte Elektrode E2 des ersten Resonators Rl ist an den ersten Anschluss TIl des ersten elektrischen Tores Tl angeschlossen. Die zur Koppel- Schicht gewandte Elektrode E3 des zweiten Resonators R2 ist an den ersten Anschluss T21 des zweiten elektrischen Tores T2 angeschlossen. Die obere Elektrode E4 des zweiten Resonators R2 ist an den zweiten Anschluss T22 des zweiten elektrischen Tores T2 angeschlossen.
In Figur 5A ist die Schaltung gemäß Figur 4A mit einem Tran¬ sistor (hier einem Feldeffekttransistor) als Schaltelement Sl, S2 gezeigt. Der Transistor kann in einer anderen Variante auch ein bipolarer Transistor sein. An das Gate des ersten Transistors wird bei Bedarf eine erste Steuerspannung Ul an¬ gelegt. An das Gate des zweiten Feldeffekttransistors wird
die zweite Steuerspannung U2 angelegt. Beim Anlegen der ers¬ ten und/oder der zweiten Steuerspannung Ul, U2 wird das ent¬ sprechende Schaltelement Sl bzw. S2 durchgeschaltet, wobei der entsprechende Anschluss T12, T22 des ersten bzw. des zweiten Tores Tl, T2 auf Masse gelegt wird.
In Figur 5B ist die Schaltung gemäß Figur 4A mit einer Diode Dl als Schaltelement Sl gezeigt. Die Diode Dl ist z. B. eine PIN-Diode.
In diesem Beispiel wird das zweite Tor T2 stets symmetrisch betrieben.
Zwischen dem elektrischen Anschluss, an den die Steuerspan¬ nung Ul angelegt wird, und Masse ist ein Gleichstrompfad an¬ geordnet . Im Gleichstrompfad sind folgende Elemente in Serie geschaltet: Der Widerstand R, die Induktivität L, die Diode Dl und die Induktivität Ll. Der Gleichstrompfad ist vom zwei¬ ten Signalpfad SP2 (HF-Pfad) mittels der Trennkapazität Cl getrennt.
Beim Anlegen der Steuerspannung Ul wird die Diode Dl durchge¬ schaltet . Das im zweiten Signalpfad SP2 zu übertragende HF- Signal wird über die Kapazität Cl, die durchgeschaltete Diode Dl und die Induktivität Ll zur Masse geleitet . Dabei wird der zweite Anschluss T12 des ersten Tores Tl auf Masse gelegt und dadurch der zweite Signalpfad SP2 kurzgeschlossen. In diesem Fall wird das erste Tor Tl unsymmetrisch betrieben. Bei der durchgeschalteten Diode Dl wird der Resonatorstapel RS also als Balun verschaltet.
Möglich ist es auch, an den zweiten Signalanschluss T22 des zweiten elektrischen Tores T2 einen Querzweig mit einer wei¬ teren PIN-Diode anzuschließen.
Die Erfindung ist nicht auf die vorgestellten Ausführungsfor¬ men, bestimmte Materialien oder die Anzahl der dargestellten Elemente beschränkt. In allen Ausführungsformen der Erfindung ist es möglich, das erste oder das zweite Schaltelement Sl, S2 wegzulassen.
Bezugszeichenliste
F elektrischer Vierpol
51 erstes Schaltelement
52 zweites Schaltelement SPl erster Signalpfad SP2 zweiter Signalpfad Tl erstes Tor
TIl erster Anschluss des ersten Tores Tl
T12 zweiter Anschluss des ersten Tores Tl
T2 zweites Tor
T21 erster Anschluss des zweiten Tores T2
T22 zweiter Anschluss des zweiten Tores T2
RE Resonatoreinheit
Rl erster Resonator
R2 zweiter Resonator
KS KoppeIschicht
PSl erste piezoelektrische Schicht
PS2 zweite piezoelektrische Schicht
AS akustischer Spiegel
RS Resonatorstapel
El, E2 Elektroden des ersten Resonators Rl
E3, E4 Elektroden des zweiten Resonators R2
Wl erster Wandler
W2 zweiter Wandler
WIl Eingangswandler
W21 Ausgangswandler
W12, W13, W22, W23 Koppelwandler
TS Trägersubstrat
R Widerstand
L, Ll Induktivitäten
Dl Diode
Cl Kapazität
Ul, U2 SteuerSpannung zur Steuerung der Schaltelemente Sl, S2