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Die
Erfindung betrifft hochintegrierte elektrische Module, in denen
mit akustischen Volumenwellen arbeitende BAW-Resonatoren (BAW =
Bulk Acoustic Wave) als Teil einer Filterschaltung verschaltet sind.
Ferner umfassen die Module Schaltungselemente zur Konversion von
Gleichtakt- und Gegentaktsignalen. Die Erfindung betrifft also eine Verschaltung
aus einem BAW-Filter mit und einer sog. Symmetrierschaltung.
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Zur
Verminderung der Einkopplung von Störsignalen, z. B. in
HF-Schaltungen (Hochfrequenzschaltungen), werden Signale führende
Pfade als sog. „balanced” geführte Signalleitungen
ausgeführt. Balanced geführte Gegentaktleitungen
bedeuten einen erhöhten Schaltaufwand; sie sind jedoch
weniger anfällig für Gleichtaktstörungen
und werden deshalb zur Signalführung in HF-Schaltungen – z.
B. in mobilen Kommunikationsgeräten – bevorzugt.
Statt des Begriffs „balanced” geführte
Signalleitungen wird synonym auch der Begriff „symmetrisch” geführte
Signalleitung benutzt. „Unbalanced” geführte
Signalleitungen sind entsprechend „asymmetrisch” geführte Signalleitungen.
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Antennen
von mobilen Kommunikationsgeräten liefern im Allgemeinen
ein Gleichtaktsignal. Deshalb ist eine Symmetrierschaltung (auch:
Balun = balanced/unbalanced converter) erforderlich, um das Gleichtaktsignal
in ein Gegentaktsignal für Gegentaktleitungen zu konvertieren.
Ferner ist eine Filterschaltung erforderlich, um störende
Frequenzen in Fre quenzbereichen – z. B. außerhalb
eines betreffenden Passbands – zu unterdrücken.
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Mit
akustischen Oberflächenwellen arbeitende Bauelemente (SAW-Bauelemente,
SAW = Surface Acoustic Wave) können eine gute Filtercharakteristik
sowie eine intrinsische Balun-Funktionalität zur Verfügung
stellen. Die Technologie der SAW-Bauelemente ist jedoch bezüglich
der maximalen Arbeitsfrequenz und bezüglich der bereitzustellenden
Bandbreite eingeschränkt. Ferner benötigen SAW-Bauelemente
stets ein einkristallines piezoelektrisches Substrat, welches teuer
und aufwändig herzustellen ist.
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BAW-Resonatoren
sind besser zur Verwendung bei höheren Frequenzen geeignet
und lassen sich aufgrund ihrer Herstellungsweise besser in auf Silizium
basierende externe Schaltungsumgebungen integrieren. Während
sich Strukturen von gekoppelten BAW Resonatoren (z. B. in SCF =
Stacked Crystal Filter) prinzipiell eignen, Filter mit intrinsischer
Balun-Funktionalität auszubilden, besteht das Problem, dass
die Schichtdickenabhängigkeit der Resonanzfrequenz zu beachten
ist und die notwendige Resonatorgüte erreicht werden sollte.
Besonders SCF-Strukturen reagieren empfindlich auf Dickenschwankungen
wie sie bei der Abscheidung der piezoelektrischen Schichten auftreten.
Solche Schwankungen beeinträchtigen dann die Güte
der gesamten Filterschaltung.
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Die
Patentschrift
US 7,196,596
B2 beschreibt FBAR-Filter (thin Film Bulk Acoustic Resonator
Filter) mit einem unbalanced geführten Signaleingang und
mit einem balanced geführten Signalausgang. Entsprechende
Filterschaltungen umfassen FBAR-Resonatoren sowie damit verschaltete Schaltkreise
eines Baluns. Ein Balun umfasst passive Schaltungskomponenten wie
z. B. gekoppelte Transmissionsleitungen oder kapazitive oder induktive
Elemente, wobei die passiven Schaltungskomponenten in Metallisierungsschichten
zwischen dielektrischen Schichten angeordnet sind. Der Schichtstapel
aus Metallisierungsschichten und dielektrischen Schichten, in denen
die Balun-Funktionalität integriert ist, ist auf einem
Substrat neben dem Stapel, in dem die Elektroden und Piezoschichten
der FBAR-Resonatoren enthalten sind, angeordnet. Der Schichtstapel
des Baluns kann während der gleichen Prozessschritte hergestellt
werden wie die Schichten der hermetischen Abdeckung der FBAR-Resonatoren.
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Die
Miniaturisierung elektrischer Bauelemente ist nach wie vor die wichtigste
Forderung, vor allem aus der Mobilfunkbranche, um Endgeräte
noch weiter verkleinern, vor allem aber mit zusätzlichen Funktionen
ausstatten zu können. Neben der Anforderung an einen geringen
Platzbedarf ist es ein Anliegen der Hersteller elektrischer Bauelemente,
beim Herstellungsprozess einen möglichst hohen Prozentsatz
an funktionierenden Modulen, d. h. einen möglichst geringen
Prozentsatz an Ausschuss, zu erzielen.
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Es
ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein BAW-Bauelement
mit Balun-Funktionalität mit hoher Resonatorgüte
und geringem Platzbedarf anzugeben, das mit einer geringeren Ausschussrate produziert
werden kann.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein hoch integriertes
elektrisches Modul nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen sowie ein Verfahren zur Herstellung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
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Das
erfindungsgemäße elektrische Modul umfasst ein
Substrat mit einer Oberseite und einen Deckel, der oberhalb der
Oberseite des Substrats angeordnet ist, und der eine zum Substrat
weisende Unterseite aufweist. Das Modul umfasst ferner einen auf
der Oberseite des Substrats angeordneten Schichtaufbau, der einen
BAW-Resonator und eine Filterschaltung umfasst, wobei der BAW-Resonator in
der Filterschaltung verschaltet ist. Im dem den BAW-Resonator umfassenden
Schichtaufbau ist eine Piezoschicht zwischen zwei Elektrodenschichten
angeordnet. Außerdem umfasst das Modul eine Symmetrierschaltung,
die eine Verschaltung aus kapazitiven und induktiven Elementen umfasst
und die in Serie mit der Filterschaltung verschaltet ist. Das Substrat
und der Deckel sind Teile eines den Schichtaufbau des BAW-Resonators
umschließenden Gehäuses, dessen Innenseite zumindest
teilweise durch die Oberseite des Substrats und die Unterseite des
Deckels gebildet sind. Dabei ist mindestens ein Schaltungselement
der Symmetrierschaltung zumindest teilweise auf einer Innenseite
des Gehäuses angeordnet. Das Gehäuse umschließt
den Schichtaufbau vorzugsweise dicht. Zur Innenseite gehören
neben der Oberseite des Substrats und der Unterseite des Deckels
auch die inneren Seitenflächen des einen oder mehreren
Abstandshalter als Seitenwände, die seitlich des Schichtsaufbaus
zwischen Deckel und Substrat angeordnet sind und den Deckel relativ
zum Substrat in einem definierten Abstand fixieren.
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Ein
solches elektrisches Modul weist einen höheren Integrationsgrad
als bekannte Module auf, da ein Gehäuse, das den BAW-Resonator
beherbergt, auch mindestens eines der Schaltelemente der Symmetrierschaltung
aufnimmt. Insbesondere solche Teile der Symmetrierschaltung, welche
empfindlich auf äußere Umwelteinflüsse
reagieren und eines Schutzes vor schädlichen. Einflüssen
bedürfen, können auf diese Weise in einem herme tisch
abgedichteten Gehäuse untergebracht sein. Der Platzbedarf
für Schaltungselemente der Symmetrierschaltung außerhalb
des Gehäuses ist damit reduziert, insbesondere entfällt
dadurch die Notwendigkeit zur zusätzlichen hermetischen
Versiegelung der empfindlichen Elemente der Symmetrierschaltung,
da diese im Gehäuse des Resonators mit untergebracht sind.
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Dadurch,
dass zumindest ein Schaltungselement der Symmetrierschaltung auf
einer Innenseite des Gehäuse angeordnet ist, ist der Platzbedarf
der Gesamtschaltung vermindert. Trotzdem können der Resonatorstapel,
d. h. der Schichtaufbau, in dem der Resonator angeordnet ist, und
das betreffende Schaltungselement jeweils unabhängig voneinander hergestellt
oder auf Funktionsfähigkeit getestet werden. Z. B. bevor
der Deckel mit dem Schaltungselement und der Stapel des BAW-Resonators
zu einem Bauelement zusammengefügt werden, wenn das Schaltungselement
auf der Innenseite des Deckels angeordnet ist. Tritt beispielsweise
der Fall ein, dass der Resonatorstapel die gewünschten
Spezifikationen erfüllt, das Schaltungselement jedoch nicht
eine gewünschte Güte aufweist, so stellt der Resonator keinen
Ausschuss dar; das defekte Schaltelement muss lediglich durch ein
funktionierendes Schaltelement ausgetauscht werden. Umgekehrt kann
das Schaltungselement – z. B. am Deckel oder einer anderen
Innenfläche des Gehäuses – behalten werden, wenn
der Resonatorstapel fehlerhaft ist. Ein entsprechendes Modul weist
also einen geringen Platzbedarf auf und ermöglicht einen
verringerten Ausschuss bei der Herstellung.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung ist ein kapazitives Element der
Symmetrierschaltung innerhalb des Gehäuses auf der Oberseite
des Substrats angeordnet. Das kapazitive Element kann dabei beispielsweise
neben dem Schichtaufbau, in dem der BAW-Resonator integriert ist,
angeordnet sein. Das Kapazitive Element kann auch in einem Schichtaufbau
enthalten sein, der auf dem Schichtaufbau, in dem der BAW-Resonator
enthalten ist, angeordnet sein. Ferner kann das kapazitive Element
auch im gleichen Schichtaufbau wie der BAW-Resonator integriert
sein.
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Ein
kapazitives Element kann allerdings auch analer Unterseite des Deckels
angeordnet sein. Jedoch ist es besonders bevorzugt, wenn ein BAW-Resonator
der Filterschaltung als kapazitives Element der Symmetrierschaltung
verschaltet ist. Dann nämlich ist das kapazitive Element
Teil des Schichtstapels der BAW-Resonatoren. Dabei kann, es akustisch
an die anderen Resonatoren des Schichtstapels gekoppelt sein, muss
aber nicht.
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Bevorzugt
ist es auch, wenn ein induktives Element der Symmetrierschaltung
innerhalb des Gehäuses – z. B. an der Unterseite
des Deckels – angeordnet ist.
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In
einem Ausführungsbeispiel, sind alle Elemente der Symmetrierschaltung
innerhalb des Gehäuses angeordnet.
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Als
Materialien für das Substrat kommen anorganische Materialien
wie LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics), HTCC (High Temperature
Cofired Ceramics), Silizium oder Glas in Frage. Alternativ kommen
auch organische Materialien wie Laminat oder BT (Bismalein-Triazin-Harz)
in Frage. Das Substrat kann aus einem dieser Materialien bestehen.
Es kann aber auch aus einer Kombination verschiedener Materialien
bestehen und eines der oben genannten Materialien umfassen.
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Als
Material für den Deckel kommen die anorganischen Materialien
LTCC, HTCC, Silizium, Lithiumtantalat LiTaO3 oder
Lithiumniobat LiNiO3 in Frage. Auch organische
Materialien wie Laminat und BT stellen mögliche Deckelmaterialien
dar. Der Deckel kann aus einem dieser Materialien bestehen. Er kann aber
auch aus einer Kombination verschiedener Materialien bestehen und
eines der oben genannten Materialien neben anderen nicht genannten.
Materialien umfassen.
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Der
Deckel des Bauelements kann aus einem piezoelektrisch aktiven Material – z.
B. Lithiumtantalat oder Lithiumniobat – bestehen. Das ist
vorteilhaft, wenn der Deckel Interdigitalstrukturen einer mit akustischen
Oberflächenwellen oder mit geführten akustischen
Oberflächenwellen arbeiten Symmetrierschaltung umfasst.
Wie bereits eingangs genannt, eignen sich SAW-Filterschaltungen
auch zur Bereitstellung einer Balun-Funktionalität. Mit
einer – wie hier vorgeschlagen – Kombination eines BAW-Filters
mit einem in SAW-Technik ausgeführten Balun werden die
Vorteile beider Technologien genutzt, um ein Bauelement mit geringem
Platzbedarf und einer guten Filter- und Balun-Funktionalität
zu vereinen. Der Schichtstapel der BAW-Filter kann dabei problemlos
in eine Siliziumtechnologie-Umgebung integriert werden, während
die Anordnung der Interdigitalstrukturen des SAW-Baluns im Hinblick auf
die Balun-Funktionalität optimiert werden kann, ohne dass
die SAW-Strukturen bezüglich einer Filterwirkung optimiert
werden müssten. Insbesondere sind die empfindlichen SAW-Strukturen
durch das Gehäuse gegen schädliche Umwelteinflüsse
geschützt. Neben rein mit akustischen Oberflächenwellen
(SAW) arbeitenden Symmetrierschaltungen kommen auch solche mit GBAW-Strukturen
in Betracht, die mit geführten Volumenwellen (GBAW Guided Bulk
Acoustic Wave) arbeiten.
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Die
Filterschaltung kann sowohl eine Laddertype-Filterschaltung aus
BAW-Resonatoren als auch eine Latticetype-Filterschaltung aus BAW-Resonatoren
umfassen. Die Filterschaltung kann außerdem teilweise in
Laddertype-Struktur ausgeführt sein und teilweise in Latticetype-Struktur
ausgeführt sein.
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Die
BAW-Filterschaltung und die Balun-Schaltung (= Symmetrierschaltung)
sind im vorliegenden Modul in Serie geschaltet. Es ist deshalb vorteilhaft,
wenn die Filterschaltung balanced ausgeführt ist und die
Balun-Schaltung einen unbalanced geführten Signalport – z.
B. einen Signaleingang – und einen balanced geführten
Signalport – z. B. einen Signalausgang –, der
mit der Filterschaltung verschaltet ist, hat. Die Filterschaltung
ist also über symmetrisch geführte Signalleitungen
mit der Symmetrierschaltung verschaltet.
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Ist
hingegen die Filterschaltung zwischen der Antenne und der Symmetrierschaltung
verschaltet, so ist es vorteilhaft, wenn die Filterschaltung über eine
unbalanced geführt Signalleitung mit der Symmetrierschaltung
verschaltet ist.
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Die
Symmetrierschaltung umfasst in einer vorteilhaften Ausgestaltung
einen ersten, einen zweiten und einen dritten Zweig, welche über
einen Knotenpunkt miteinander verschaltet sind. Im zweiten Zweig
ist ein serielles kapazitives Element verschaltet, und ein induktives
Element verschaltet den zweiten Zweig mit Masse. Im dritten Zweig
ist ein serielles induktives Element verschaltet, und ein kapazitives Element
verschaltet den dritten Zweig mit Masse. Der erste Zweig kann dadurch
einen unsymmetrisch geführten Signalport als Signaleingang
darstellen, während der zweite und dritte Zweig einen symmetrisch geführten
Signalport als Signalausgang darstellen. Umgekehrt können
auch der zweite und dritte Zweig einen symmetrisch geführten
Signaleingang darstellen, während der erste Zweig einen
unsymmetrisch geführten Signalausgang darstellt.
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Ferner
ist es bevorzugt, wenn die Filterschaltung in einem mit Masse verschalteten
Querzweig mindestens einen Parallelresonator umfasst und die Filterschaltung
mindestens einen Serienresonator umfasst, der einen Serienzweig
mit der Symmetrierschaltung verschaltet.
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In
einer Ausführungsform umfasst die Symmetrierschaltung einen
ersten, einen zweiten und einen dritten Zweig, wobei im zweiten
Zweig ein serieller, mit akustischen Wellen arbeitender Resonator verschaltet
ist und ein induktives Element den zweiten Zweig mit Masse verschaltet.
Im dritten Zweit ist ein serielles induktives Element verschaltet,
und ein mit akustischen Wellen arbeitender Resonator verschaltet
den dritten Zweig mit Masse. Auch hier kann der erste Zweig einen
unsymmetrisch geführten Signalein- oder -ausgang darstellen,
während der zweite und dritte Zweig symmetrisch geführt
Aus- bzw. Eingänge darstellen. Ein Resonator heißt „serieller” Resonator,
wenn er so in Teilen des Signalpfads verschaltet ist, dass balanced
oder unbalanced geführte Signale durch in hindurchgeleitet
werden.
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Ein
erster Zweig der Symmetrierschaltung weist vorzugsweise eine Leistungsimpedanz
von 50 Ω auf, während ein zweiter und ein dritter
Zweig eine Leitungsimpedanz von 100 Ω aufweisen.
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Ein
Aspekt eines Verfahrens zur Herstellung eines entsprechenden hoch
integrierten elektrischen Moduls besteht darin, einen Lagenaufbau,
der ein kapazitives Element der Symme trierschaltung umfasst, zusammen
mit einem Schichtstapel, der BAW-Resonatoren umfasst, auf das Substrat
aufzubringen.
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In
einer vorteilhaften Weiterbildung des Verfahrens werden BAW-Resonatoren
und ein kapazitives Element der Symmetrierschaltung zusammen in ein
und demselben Schichtstapel auf das Substrat aufgebracht.
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Im
Folgenden wird das hochintegrierte elektrische Modul anhand von
Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen
Figuren näher erläutert. Es zeigen:
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1 einen
Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Modul
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2a eine
Filterschaltung, die über symmetrisch geführte
Signalleitungen mit einer Symmetrierschaltung verschaltet ist,
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2b eine
Filterschaltung, die über eine unsymmetrisch geführte
Signalleitung mit einer Symmetrierschaltung verschaltet ist,
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3 die
Anordnung von Interdigitalstrukturen auf der Unterseite des Deckels,
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4a eine
Filterschaltung in Laddertype-Struktur,
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4b eine
Filterschaltung in Latticetype-Struktur,
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5a eine
Symmetrierschaltung mit drei Signalpfaden, in denen kapazitive und
induktive Elemente verschaltet sind,
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5b eine
Symmetrierschaltung mit drei Signalpfaden, in denen Resonatoren
und induktive Elemente verschaltet sind.
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1 illustriert
einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes
hochintegriertes elektrisches Modul HIM. Auf der Oberfläche
eines Substrats SU ist ein BAW-Resonatorstapel BS angeordnet, welcher
die für den Betrieb notwendigen Elektroden und piezoelektrischen
Schichten umfasst. Ein kapazitives Element KE ist neben dem BAW-Resonatorstapel
BS auf der Oberfläche des Substrats SU angeordnet; in mehreren
Schichten können Elektroden als Metallisierungsflächen
angeordnet sein. Über Abstandshalter AH ist der Deckel
DE vom Substrat beabstandet so angeordnet, dass das Substrat SU,
der Deckel DE und die Abstandshalter AH eine hermetische Abkapselung
des Inneren des hoch integrierten Moduls bewirken. Ein induktives
Element IE, welches aus strukturierten Metallisierungsleitungen
bestehen kann, ist auf der Unterseite des Deckels DE angeordnet.
Auf der Oberfläche des Substrats SU sind Kontaktflächen
KF angeordnet, welche mit dem kapazitiven Element KE und dem BAW-Resonatorstapel
BS einerseits und über Bump-Verbindungen BV mit strukturierten
Metallisierungen – z. B. des induktiven Elements IE – auf
der Unterseite des Deckels DE andererseits verschaltet sind.
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2a illustriert
eine mögliche Reihenfolge der Verschaltung aus Filterschaltung
FI und Symmetrierschaltung BU: Sowohl der Eingang P1 als auch der
Ausgang P2 der Filterschaltung sind symmetrisch ausgeführt.
Die Übertragung von HF-Signalen von der Filterschaltung
FI zur Symmetrierschaltung BU ist entsprechend symmetrisch ausgeführt.
Eine solche Anordnung kann in einem Sendepfad Verwendung finden,
wenn die Symmetrierschaltung BU zwischen der Filterschaltung FI
und einer Antenne (nicht dargestellt) verschaltet ist.
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Dagegen
ist in 2b eine Verschaltung aus Filterschaltung
FI und Symmetrierschaltung BU illustriert, wobei sowohl der Eingang
P1 als auch der Ausgang P2 der Filterschaltung FI unsymmetrisch
ausgestaltet ist und entsprechend die Signalleitung zwischen Filterschaltung
FI und Symmetrierschaltung BU unsymmetrisch ausgestaltet ist. Eine
solche Verschaltung kann in einem Empfangspfad Verwendung finden,
wenn z. B. die Filterschaltung FI zwischen einer Antenne (nicht
gezeigt) und der Symmetrierschaltung BU verschaltet ist.
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3 illustriert,
wie Interdigitalstrukturen IDS auf der Unterseite des Deckels DE
angeordnet sein können, um z. B. eine Symmetrierfunktionalität zu
realisieren.
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4a illustriert
eine Verschaltung aus Resonatoren in Laddertype-Anordnung LD. Dabei
sind drei Serienresonatoren SR in Serie geschaltet und je ein Parallelresonator
PR in einem Parallelpfad verbindet den Signalpfad SP mit Masse.
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4b illustriert
eine Filterschaltung aus Resonatoren R, die in Latticetype-Struktur
LT angeordnet sind. Im Gegensatz zur Filterschaltung LD der 4a,
welche unbalanced ausgeführt ist, ist die Filterschaltung
in 4b balanced ausgeführt. Die Latticetype-Struktur
LT kann gekoppelte Resonatoren GR umfassen, welche z. B. in SCF-(Stack
Crystal Filter)Anordnung auf dem Substrat abgeschieden worden sind.
Die Balun-Funktionalität jedoch wird über die
dafür vorgesehene Symmetrierschaltung realisiert. Die gekoppelten
Resonatoren GR müssen also nicht auf eine Balun-Funktionalität
hin optimiert sein. Ihre Güte wird also nicht dadurch verringert, dass
die Resonatoren Spezifikationen bezüglich einer Symmetrierschaltung
erfüllen müssen.
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5a illustriert
eine Verschaltung aus kapazitiven KE und induktiven Elementen IE,
die in einer Symmetrierschaltung BU mit drei Pfaden verschaltet
sind. In einem zweiten Pfad ist ein kapazitives Element KE in Serie
geschaltet und ein induktives Element IE verschaltet den zweiten
Pfad mit Masse M. In einem dritten Pfad ist ein induktives Element
IE in Serie geschaltet und ein kapazitives Element KE verschaltet
den dritten Pfad mit Masse. Der zweite und der dritte Pfad stellen
dabei den balanced Signalport dar, während der erste Signalpfad,
in dem kein passives Element verschaltet ist, den unbalanced Port
darstellt.
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5B illustriert
eine Symmetrierschaltung BU, bei der in einem ersten Pfad ein Resonator
R seriell verschaltet ist, während ein induktives Element IE
den zweiten Pfad mit Masse M verschaltet. In einem dritten Pfad
ist ein induktives Element IE seriell verschaltet, während
ein Resonator R den dritten Pfad mit Masse M verschaltet.
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Ein
erfindungsgemäßes hochintegriertes Modul ist nicht
auf eines der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt.
Kombinationen der Ausführungsbeispiele und Variationen,
welche z. B. weitere Signalpfade, weitere Filterelemente, weitere
Resonatoren oder weitere induktive oder kapazitive Elemente umfassen,
stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele
dar.
- AH:
- Abstandshalter
- BS:
- BAW-Resonatorstapel
- BU:
- Balun
- BV:
- Bumpverbindung
- DE:
- Deckel
- FI:
- Filter
- GR:
- Gestapelte Resonatoren
- HIM:
- Hochintegriertes elektrisches
Modul
- IDS:
- Interdigitalstrukturen
- IE:
- Induktives Element
- KE:
- Kapazitives Element
- KF:
- Kontaktfläche
- LD:
- Laddertype Filterschaltung
- LT:
- Latticetype Filterschaltung
- M:
- Masse
- P1:
- Eingang der Filterschaltung
- P2:
- Ausgang der Filterschaltung
- PR:
- Parallelresonator
- R:
- Resonator
- SR:
- Serienresonator
- SU:
- Substrat
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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