WO2006011227A1 - NEUTRARIZATION APPARATUS EMPLOYING α RAY - Google Patents

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WO2006011227A1
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Tadahiro Ohmi
Hitoshi Naito
Makoto Moriguchi
Kenji Ueda
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Omron Corporation
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/06Carrying-off electrostatic charges by means of ionising radiation

Abstract

[PROBLEMS] Neutralization equipment employing α-rays in which atmospheric ions produced through ionization by irradiating α-rays can touch an object to be neutralized efficiently while surely avoiding such a situation as the object to be neutralized is irradiated directly with α-rays emitted from an α-ray source. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The neutralization equipment employing α-rays comprises an α-ray shield box (10) provided with an ion discharging opening (11), and one or more α-ray sources (12) being contained in the α-ray shield box, wherein atmospheric ions produced through ionization by irradiating α-rays emitted from respective α-ray sources (12) are discharged from the ion discharging opening (11) to touch an object to be neutralized. The α-ray sources (12) in the α-ray shield box (10) are positioned such that the α-ray particles being emitted therefrom do not reach the object to be neutralized and atmospheric ions are produced through ionization at a position facing the ion discharging opening (11).

Description

明 細 書  Specification
ひ線を用いた除電装置  Static eliminator using wire
技術分野  Technical field
[0001] この発明は、例えば、半導体ウェハや液晶用ガラス基板等の製造過程で製品表面 に発生する静電気を雰囲気イオンィ匕源を用いて除電するようにした除電装置に係り 、特に、 ひ線源を雰囲気イオンィ匕源として用いた除電装置に関する。  TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a static eliminator that neutralizes static electricity generated on the surface of a product, for example, in the process of manufacturing a semiconductor wafer, a liquid crystal glass substrate, etc., using an ambient ion source, and in particular, a line source. The present invention relates to a static eliminator using as an atmosphere ion source.
背景技術  Background art
[0002] 半導体ウェハ、液晶用ガラス基板、磁気ディスク '光ディスク用基板、プリント基板、 各種フィルム等の製品の製造過程にあっては、部品間摩擦等によりその表面に帯電 (静電気)が生じることが知られている。このようにして生じる帯電は、半導体ウェハで あれば素子の破壊、製品の性能劣化或いはゴミ (微粒子)の付着による表面汚染の 要因ともなり得る。  [0002] In the manufacturing process of products such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystals, magnetic disks' substrates for optical disks, printed boards, various films, etc., the surface may be charged (static electricity) due to friction between components. Are known. In the case of a semiconductor wafer, the charge generated in this way can be a factor of surface contamination due to element destruction, product performance deterioration, or dust (particle) adhesion.
[0003] そこで、昨今では、このような帯電の除去装置として、雰囲気イオン化源を用いた除 電装置が種々用いられるようになっている。例えば、イオン放出用開口を残して周囲 を閉ざされた遮蔽箱と、この遮蔽箱内に収容される 1又は 2以上の雰囲気イオン化源 と、を有し、各雰囲気イオン化源により電離生成される雰囲気イオンをイオン放出用 開口から放出して除電対象物に照射するようにした除電装置が知られている。イオン 化源としては、コロナ放電のためのタングステン電極、紫外線放射のための UVラン プ、或いは軟 X線照射のための軟 X線放電管等が用いられる(例えば、特許文献 1参 照)。  [0003] Therefore, various types of static eliminator using an atmospheric ionization source have been used as such a charge eliminator in recent years. For example, an atmosphere that is ionized and generated by each atmosphere ionization source has a shielding box that is closed around leaving an ion emission opening, and one or more atmosphere ionization sources that are accommodated in the shielding box. 2. Description of the Related Art There is known a static elimination device that emits ions from an ion emission opening and irradiates a static elimination object. As an ionization source, a tungsten electrode for corona discharge, a UV lamp for ultraviolet radiation, a soft X-ray discharge tube for soft X-ray irradiation, or the like is used (for example, see Patent Document 1).
[0004] コロナ放電を用いる除電装置では、タングステン電極に高電圧を印加することによ つて、所定強度以上の電界を電極先端部に発生させる。これにより、雰囲気中にィォ ンを発生させ、このイオンにより除電対象物表面の帯電 (電荷)を中和する。  [0004] In a static eliminator using corona discharge, an electric field having a predetermined strength or higher is generated at the tip of the electrode by applying a high voltage to the tungsten electrode. As a result, ions are generated in the atmosphere, and the charge (charge) on the surface of the object to be neutralized is neutralized by these ions.
[0005] また、紫外線を用いる除電装置は、 UVランプにより紫外線を雰囲気中に照射し、こ れにより雰囲気中の分子がイオン化される作用を利用したものであり、雰囲気として は、例えば窒素ガスが使用される。  [0005] Further, a static eliminator that uses ultraviolet rays utilizes the action of irradiating ultraviolet rays into the atmosphere with a UV lamp, whereby molecules in the atmosphere are ionized. As the atmosphere, for example, nitrogen gas is used. used.
[0006] また、軟 X線を用いたものは、軟 X線放電管を使用して軟 X線を雰囲気中に照射す るものであり、これにより雰囲気中の分子をイオン化するものである。 [0006] For those using soft X-rays, a soft X-ray discharge tube is used to irradiate soft X-rays into the atmosphere. This ionizes molecules in the atmosphere.
[0007] ところで、上述の除電装置のうち、コロナ放電、紫外線を用いる除電装置にあって は、除電対象物の損傷の要因となるオゾンが発生するといつた問題があり、また、コロ ナ放電、紫外線及び軟 X線を用いる除電装置にあっては、メンテナンスが煩雑でか つ寿命の比較的短いタングステン電極や UVランプ、放電管等を用いらなければなら ないといった問題があるため、利用に踏み切り難いという欠点が指摘されており、昨 今では、 ひ線を使用した除電装置が提案されるに至っている。  [0007] By the way, among the static eliminators described above, the static eliminator using corona discharge and ultraviolet rays has a problem when ozone is generated that causes damage to the static eliminator. In the static eliminator using ultraviolet rays and soft X-rays, there is a problem that the tungsten electrode, the UV lamp, the discharge tube, etc. that have a complicated maintenance and a relatively short life must be used. It has been pointed out that it is difficult, and recently, a static eliminator using a wire has been proposed.
[0008] ひ線を用いた除電装置では、一般には、 ひ線源としてアメリシウム又はポロニウムの 薄片が使用される。この薄片からは、飛行距離約 4cmのひ線が照射され、これにより 、雰囲気中にイオンが電離生成される。  In a static eliminator using a strand, generally, a thin piece of americium or polonium is used as a strand source. From this flake, a flight line with a flight distance of about 4 cm is irradiated, and thereby ions are ionized and generated in the atmosphere.
[0009] このひ線を用いた除電装置では、メンテナンスが煩雑でかつ寿命の比較的短いと レ、う欠点を有する放電管等に換えて、半減期の長い (寿命の長い)ひ線源 (雰囲気ィ オン化源)が用いられており、またオゾンが発生される虞もないため、製品の汚染回 避やメンテナンスの容易さといつた点で有利であり、昨今、様々なものが提案されて レ、る (例えば、特許文献 2, 3参照)  [0009] In the static eliminator using this wire, if the maintenance is complicated and the life is relatively short, it is replaced with a discharge tube having a defect, etc., and the wire source with a long half-life (long life) ( Atmosphere ionization source) is used, and there is no risk of ozone generation, which is advantageous in terms of avoiding contamination of products and ease of maintenance. Various types have been proposed recently. (See, for example, Patent Documents 2 and 3)
特許文献 1 :特開 2001 - 176691号公報  Patent Document 1: JP 2001-176691 A
特許文献 2:特開平 7 - 45397号公報  Patent Document 2: JP-A-7-45397
特許文献 3:特開平 7 - 211483号公報  Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 7-211483
発明の開示  Disclosure of the invention
発明が解決しょうとする課題  Problems to be solved by the invention
[0010] しかしながら、 α線を用いた除電装置では、以下の(1)、(2)に掲げる問題点が指 摘されている。 [0010] However, in the static eliminator using α-rays, the following problems (1) and (2) are pointed out.
[0011] (1) α線粒子の飛行距離は約 4cmと短いため、電離生成される雰囲気イオンを除 電対象物に効率よく接触させるためには、 a線源と除電対象物との距離を比較的短 く保たねばならない。このような場合には、除電対象物に α線が直接照射されてしま うような場合が生じやすぐこのことは、非除電物体の製品劣化等の要因ともなる。  [0011] (1) Since the flight distance of α-ray particles is as short as about 4 cm, the distance between the a-ray source and the charge removal object must be set in order to efficiently bring the ionized and generated atmospheric ions into contact with the charge removal object. It must be kept relatively short. In such a case, α-rays may be directly irradiated on the object to be neutralized, which immediately causes deterioration of the product of the non-static object.
[0012] (2)上記のような除電対象物の α線による被爆(直接照射)を回避するために、 α 線により電離生成される雰囲気イオンを、 ひ線源から所定距離離されたイオン放出用 開口に送風により送り出す方法が提案されている(例えば、特許文献 1参照)。しかし ながら、このような場合には、 ひ線遮蔽箱内で電離生成された雰囲気イオンの滞留 時間が長くなり、その間に、雰囲気イオン同士の再結合が発生し、必要十分なイオン を放出できないという欠点が知見されている。 [0012] (2) exposure by α rays static elimination target as described above in order to avoid (direct irradiation), the atmosphere ions generated ionized by α rays, the predetermined distance from the shed-ray source isolated ion release for A method of sending air to the opening by air blowing has been proposed (see, for example, Patent Document 1). However, in such a case, the residence time of the atmospheric ions ionized and generated in the wire shielding box becomes longer, and during that time, the atmospheric ions recombine with each other, so that necessary and sufficient ions cannot be released. Disadvantages are known.
[0013] この発明は、上述の問題点に着目してなされたものであり、その目的とするところは 、 a線源から照射されるひ線が除電対象物に直接照射される事態を確実に回避しつ つも、 ひ線照射により電離生成される雰囲気イオンを効率よく除電対象物に接触させ ることを可能としたひ線を用いた除電装置を提供することにある。  [0013] The present invention has been made by paying attention to the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to ensure that the object to be neutralized is directly irradiated with the strands irradiated from the a-ray source. Another object is to provide a static eliminator using a strand that makes it possible to efficiently contact atmospheric ions ionized and generated by the strand irradiation with the object to be neutralized.
[0014] この発明のさらに他の目的乃至作用効果については、以下の明細書の記載を参照 することにより、当業者であれば容易に理解されるであろう。  [0014] Still other objects and effects of the present invention will be easily understood by those skilled in the art by referring to the description of the following specification.
課題を解決するための手段  Means for solving the problem
[0015] 上記の目的を達成するために、本発明の α線を用いた除電装置は、 ひ線を遮蔽す るための遮蔽面とイオン放出用開口とによりひ線源周囲を囲む α線遮蔽箱と、 a線 遮蔽箱内に収容される 1又は 2以上の α線源と、を有し、各ひ線源のそれぞれから放 出される α線の照射により電離生成される雰囲気イオンをイオン放出用開口から放 出して除電対象物に接触させるひ線を用いた除電装置であって、 ひ線遮蔽箱内に おけるひ線源は、除電対象物が設置される位置までそれぞれから放出されるひ線が 到達することがないように位置決めされている。  [0015] In order to achieve the above object, the static eliminator using α rays of the present invention includes an α ray shield surrounding a wire source by a shielding surface for shielding the wire and an ion emission opening. A box and one or more α-ray sources housed in an a-ray shielding box, and ionize atmospheric ions ionized by irradiation of α-rays emitted from each of the radiation sources A neutralization device using a strand that is emitted from the opening for contact with the object to be neutralized. Positioned so that the line never reaches.
[0016] 『除電対象物が設置される位置』とは、本装置を使用するにあたってあらかじめ定め た除電対象物体を置くべき位置である。設置される位置がある範囲を持つ場合には 、本除電装置に最も接近した位置を意味する。この位置は、 α線遮蔽箱のイオン放 出用開口がある側の外形の面と一致する場合もある。  [0016] The "position where the static elimination target object is installed" is a position where a predetermined static elimination target object should be placed when using this apparatus. When the installation position has a certain range, it means the position closest to the static eliminator. This position may coincide with the outer surface of the α-ray shielding box where the ion emission opening is located.
[0017] 『ひ線源』としては、例えばアルメシゥム、ポロニウムが挙げられる。  [0017] Examples of the "ray source" include almesium and polonium.
[0018] 『ひ線が到達することがなレ、』場合とは、 ひ線が遮蔽面に衝突して消失する場合の 他に、遮蔽面には衝突せず、大気中を飛行中に周辺分子と相互作用をおよぼし合 レ、ながら直進し、運動エネルギーを失うことにより最後に消失する場合も含む。このと きの到達しうる最大の距離(α線飛行距離)は実験式により知られている。大気圧、空 気中においては、通常の 4一 7eMVの運動エネルギーを持つ α線粒子の場合は約 4cmとなる。 α線源から α線飛行距離以上離れた地点では、 α線粒子自体が存在 しないと考えることができる。 [0018] In the case of “the wire cannot reach,” the case where the wire does not collide with the shielding surface and disappears in the surroundings while flying in the atmosphere. Including the case where it interacts with molecules and goes straight, but disappears at the end due to loss of kinetic energy. The maximum reachable distance (α flight distance) at this time is known from the empirical formula. At atmospheric pressure and in the air, it is about 4 to 7 eMV for α-ray particles with kinetic energy. 4cm. It can be considered that the α-ray particle itself does not exist at a point that is more than the α-ray flight distance from the α-ray source.
[0019] 本発明の α線を用いた除電装置によれば、 α線源から照射される α線が除電対象 物に直接照射される事態を確実に回避することができる。一方で、イオン放出用開口 付近には、雰囲気イオンが良好に生成され、雰囲気イオンを効率よく除電対象物に 接触させることができ、除電効率が向上される。 According to the static eliminator using α-rays of the present invention, it is possible to reliably avoid the situation where the α-rays irradiated from the α-ray source are directly irradiated to the static elimination object. On the other hand, atmospheric ions are generated well in the vicinity of the ion emission opening, and the atmospheric ions can be efficiently brought into contact with the static elimination object, thereby improving the static elimination efficiency.
[0020] 本発明において好ましくは、イオン放出用開口が設けられた側からみた、 ひ線遮蔽 箱の外形輪郭形状内部に、 ひ線が到達する空間の外形輪郭形状が含まれる。 [0020] Preferably, in the present invention, the outer contour shape of the space where the wire reaches is inside the outer contour shape of the wire shielding box as viewed from the side where the ion emission opening is provided.
[0021] このような構成によれば、本除電装置を除電対象物に対して設置した状態では、除 電装置の周囲を人の手が通過するようなことがあっても、また、本除電装置に接近し て物が設置されたとしても、 a線が直接照射されることが無く安全である。 [0021] According to such a configuration, in the state where the static eliminator is installed with respect to the static eliminator, even if a human hand may pass around the static eliminator, Even if an object is installed close to the device, it is safe because the a-line is not directly irradiated.
[0022] 本発明において、好ましくは、 ひ線遮蔽箱は、除電対象物側の面に対物遮蔽面を 有し、前記遮蔽面は α線源から α線飛行距離内にある除電対象物に向かって放射 される α線を遮蔽する。 [0022] In the present invention, preferably, the wire shielding box has an objective shielding surface on a surface on the side of the static elimination object, and the shielding surface faces the static elimination object within an α ray flight distance from the α ray source. The alpha rays radiated are blocked.
[0023] このような構成によれば、 α線が除電対象物に直接照射される事態を確実に回避 しつつ、 ひ線を用いた除電装置に対して、除電対象物をひ線飛行距離よりも近づけ て配置することができる。このとき、雰囲気イオンも除電対象物の近くで生成されるの で、除電対象物に到達するまでに再結合により消滅するイオンの数が減少し除電効 率が高くなる。  [0023] According to such a configuration, the object to be neutralized is removed from the line flight distance with respect to the static eliminator using the line while reliably avoiding the situation where the α-ray is directly irradiated to the object to be neutralized. Can also be placed close together. At this time, since atmospheric ions are also generated near the object to be neutralized, the number of ions annihilated by recombination before reaching the object to be neutralized decreases, and the efficiency of static elimination increases.
[0024] 本発明において、さらに好ましくは、 α線遮蔽箱は、 α線源からイオン放出用開口 の開口面に沿って放出される α線の方向には、 α線の飛行距離よりも離れた位置に 側方遮蔽面を有する。  In the present invention, more preferably, the α-ray shielding box is separated from the flight distance of the α-ray in the direction of the α-ray emitted from the α-ray source along the opening surface of the ion emission opening. It has a side shielding surface at the position.
[0025] 『開口面に沿って放出されるひ線の方向』は、少なくとも 1つの方向であれば良ぐ 全ての方向である必要はなレ、。  [0025] “The direction of the line to be emitted along the opening surface” is sufficient if it is at least one direction.
[0026] 『側方遮蔽面』は、 ひ線遮蔽箱のイオン放出用開口のある面を正面としたときの側 方にある遮蔽面を意味する。 [0026] The "side shielding surface" means a shielding surface on the side when the surface with the ion emission opening of the wire shielding box is the front.
[0027] このような構成によれば、イオン放出用開口の開口面に沿った方向に放出されるひ 線は、 ひ線飛行距離よりも短い距離で遮蔽面によって遮蔽されることがないから、各 α線毎に最大量の電離イオンを生成させることができる。 [0027] According to such a configuration, the strands emitted in the direction along the opening surface of the ion emission opening are not shielded by the shielding surface at a distance shorter than the strand flight distance. each The maximum amount of ionized ions can be generated for each α-ray.
[0028] 本発明において、より好ましくは、 α線源の位置から想定される全ての α線直射方 向の先方には、 α線遮蔽箱の遮蔽面が位置するように、 α線源が配置される。  [0028] In the present invention, more preferably, the α-ray source is arranged so that the shielding surface of the α-ray shielding box is located ahead of all α-ray direct directions assumed from the position of the α-ray source. Is done.
[0029] 大気圧空気中では、 ひ線粒子の飛行距離は約 4cmとされているが、圧力や雰囲気 気体の種類などによってはこの飛行距離を超える箇所で、全てのひ線粒子が消滅し ていない場合がある。そこで、 ひ線源の位置から想定される全てのひ線直射方向の 先方には、 ひ線遮蔽箱の壁体遮蔽面が位置するように、 ひ線源を配置すれば、いか なる使用条件下においても、 ひ線粒子の外部漏出の可能性を完全に排除することが できる。また、このような構成によれば、外部からは見えない位置、すなわち奥まった 位置にひ線源が設置されることとなるため、不注意等によるひ線源への接触による人 体被爆等を良好に防止することができる。  [0029] In atmospheric air, the flying distance of filament particles is about 4cm, but depending on the pressure and the type of atmospheric gas, all filament particles disappear at locations exceeding this flight distance. There may not be. Therefore, if the line source is placed so that the wall shielding surface of the line shield box is located at the front of all the direct radiation directions assumed from the position of the line source, under any operating conditions The possibility of external leakage of filament particles can also be completely eliminated. In addition, according to such a configuration, the radiation source is installed at a position that cannot be seen from the outside, that is, at a deep position, so that it is possible to prevent human exposure due to contact with the radiation source due to carelessness. It can prevent well.
[0030] 本発明において更に好ましくは、 ひ線源として、 ひ線の照射により雰囲気イオンが 電離生成される領域を挟むようにして α線遮蔽箱内に対向配置される 1対の α線源 が採用される。  [0030] In the present invention, it is more preferable that a pair of α-ray sources arranged opposite to each other in the α-ray shielding box so as to sandwich the region where the atmospheric ions are ionized and generated by the irradiation of the strands are employed as the radiation source. The
[0031] このような構成によれば、 1対の α線源により雰囲気イオンの生成を促進することが できる。  [0031] According to such a configuration, generation of atmospheric ions can be promoted by a pair of α-ray sources.
発明の効果  The invention's effect
[0032] 以上の説明で明らかなように、本発明の除電装置によれば、 ひ線源から照射される a線が除電対象物に直接照射される事態を確実に回避しつつも、 a線照射により電 離生成される雰囲気イオンを効率よく除電対象物に接触させることが可能となる。 発明を実施するための最良の形態  [0032] As is clear from the above description, according to the static eliminator of the present invention, it is possible to reliably avoid the situation in which the a-line irradiated from the wire source is directly irradiated to the static elimination object, while the a-line Atmospheric ions ionized by irradiation can be efficiently brought into contact with the object to be neutralized. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0033] 以下に、本発明に係る α線を用いた除電装置の好適な実施の一形態を添付図面 を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下の実施の形態は本発明の一例を示すもの に過ぎず、言うまでもなぐ本発明の要旨は特許請求の範囲によってのみ規定される ものである。 Hereinafter, a preferred embodiment of a static eliminator using α rays according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are merely examples of the present invention, and needless to say, the gist of the present invention is defined only by the claims.
[0034] 本実施形態における α線を用いた除電装置 (以下、 α線除電装置という)の構成が 図 1の内部透視図に示されている。  [0034] The configuration of the static eliminator using α rays in the present embodiment (hereinafter referred to as the α ray static eliminator) is shown in the internal perspective view of FIG.
[0035] 同図に示されるように、このひ線除電装置 1は、略直方体状の中空の α線遮蔽箱 1 0の内壁面に、 α線源としてのアメリシウムの薄片 12が貼付されてなる。この例では、 ひ線遮蔽箱の材質としてアルミニウムが用いられている。また、この例では、 2つのァ メリシゥム薄片 12a, 12bが使用されており、この α線遮蔽箱 10の長手方向に沿う両 側壁(10b_l , 10b_2)に互いに対向するように貼付されている。この例で示される アメリシウム薄片 12は、それぞれから放出される放射線は、法規制対象外の 3. 7MB q以下である。 [0035] As shown in the figure, this wire neutralizing device 1 is a substantially rectangular parallelepiped hollow α-ray shielding box 1 A thin piece of americium 12 as an α-ray source is attached to the inner wall surface of 0. In this example, aluminum is used as the material of the wire shield box. In this example, two American thin pieces 12a and 12b are used, and are attached to both side walls (10b_l and 10b_2) along the longitudinal direction of the α-ray shielding box 10 so as to face each other. The americium flakes 12 shown in this example emit less than 3.7MB q of radiation that is not subject to legal regulations.
[0036] ひ線遮蔽箱 10の上壁面 10aの中央部には、このひ線遮蔽箱 10の長手方向に沿つ てイオン放出用開口 1 1が設けられている。この除電装置 1内では、各アメリシウム薄 片 12から照射されるひ線の作用により、雰囲気イオンが常時電離生成されており、こ の雰囲気イオンをイオン放出用開口 1 1から放出させて、除電対象物に接触させる。 除電対象物としては、例えば、半導体ウェハ、液晶用ガラス基板、磁気ディスク'光デ イスク用基板、プリント基板、各種フィルム等が挙げられる。除電対象物は、イオン放 出用開口 1 1の真上直近を、図 1中、符号 Xで示される矢印の方向(α線遮蔽箱 10の 長手方向と直交する方向、以下、パスラインという)に移動(走査)される。この走査を 通じて、イオン放出用開口力 漏れ出す雰囲気イオンが、除電対象物表面に接触さ れ、除電対象物表面の電荷が中和される。  [0036] At the center of the upper wall surface 10a of the wire shield box 10, an ion emission opening 11 is provided along the longitudinal direction of the wire shield box 10. In the static eliminator 1, atmospheric ions are constantly ionized and generated by the action of the strands irradiated from each of the americium slices 12. The atmospheric ions are released from the ion discharge opening 11 and are subjected to static elimination. Contact objects. Examples of static elimination objects include semiconductor wafers, liquid crystal glass substrates, magnetic disk optical disk substrates, printed circuit boards, and various films. The object to be neutralized is located immediately above the ion emission opening 11 in the direction of the arrow indicated by X in FIG. 1 (the direction orthogonal to the longitudinal direction of the α-ray shielding box 10, hereinafter referred to as a pass line). Moved (scanned). Through this scanning, atmospheric ions leaking from the ion release aperture force are brought into contact with the surface of the object to be neutralized, and the charge on the surface of the object to be neutralized is neutralized.
[0037] α線除電装置 1におけるアメリシウム薄片 12の配置状態が図 2に示されている。同 図は、図 1に示される α線遮蔽箱 10の Α— Α断面図でもある。  The arrangement state of the americium flakes 12 in the α-ray static elimination apparatus 1 is shown in FIG. This figure is also a cross-sectional view of the α-ray shielding box 10 shown in FIG.
[0038] アメリシウムから照射される α線粒子の到達距離は約 4cmであり、金属体に当たる と吸収される性質を有していることが知られている。図 2中、符号 S l、 S 2で示される 斜線領域は、この α線粒子の性質から予測されるアメリシウム薄片 12からの α線粒 子到達領域を示している。  [0038] The arrival distance of α-ray particles irradiated from americium is about 4 cm, and it is known that it has the property of being absorbed when it hits a metal body. In FIG. 2, the hatched areas indicated by the symbols S 1 and S 2 indicate the arrival area of the α-ray particles from the americium flakes 12 predicted from the properties of the α-ray particles.
[0039] 同図から明らかであるように、アメリシウム薄片 12a、 12bのそれぞれから照射される a線のイオン放出用開口 1 1付近の最高到達点は、 ひ線遮蔽箱 10の上壁 10aがひ 線遮蔽体 (対物遮蔽面)となっていることもあり、同図中符号 Pl、 P2で示される位置( イオン放出用開口 1 1から外部に出ないぎりぎりの位置)に存在している。  [0039] As is clear from the figure, the highest point near the a-line ion emission opening 11 irradiated from each of the americium flakes 12a and 12b is the upper wall 10a of the wire shielding box 10. It may be a line shield (object shielding surface), and is present at the position indicated by the symbols Pl and P2 in the same figure (the bare position that does not go outside from the ion emission opening 11).
[0040] 本実施形態では、このようなひ線最高到達点 Pl、 P2を考慮して、アメリシウム薄片 12がひ線遮蔽箱 10内に配置されてレ、る。このようにアメリシウム薄片 12を配置するこ とにより、イオン放出用開口 11の真上に位置するパスラインを通過する除電対象物 に α線が直射されるといった事態を確実に回避している。一方で、イオン放出用開口 11には α線が到達してレ、るため、このイオン放出用開口 11付近では常時雰囲気ィ オンが電離生成され、この雰囲気イオンが、イオン放出用開口 11から放出されること により、良好に除電対象物表面の電荷を中和することができる。 [0040] In the present embodiment, the americium flakes 12 are placed in the strand shielding box 10 in consideration of such strand maximum points Pl and P2. In this way, the americium flakes 12 are placed. As a result, it is possible to reliably avoid a situation in which α rays are directly applied to the charge removal object passing through the pass line located immediately above the ion emission opening 11. On the other hand, since α rays reach and reach the ion emission opening 11, an atmosphere ion is always ionized and generated near the ion emission opening 11, and this atmosphere ion is emitted from the ion emission opening 11. As a result, the charge on the surface of the object to be neutralized can be satisfactorily neutralized.
[0041] 尚、イオン放出用開口 11から放出される雰囲気イオンには、イオン放出用開口 11 付近で電離生成されるものばかりでなぐ ひ線遮蔽箱 10内(ひ線粒子到達領域 S l、 S2)で電離生成される全ての雰囲気イオンが含まれると考えられる。しかしながら、 ひ 線遮蔽箱 10内で電離生成される雰囲気イオンは、存在密度が高い場合、或いは滞 留時間が長い場合には、正負イオン同士が再結合を起こす虞が指摘されている。そ こで、本実施形態では、図 2からも明らかであるように、アメリシウム薄片 12aと、ァメリ シゥム薄片 12bとの最短距離が、少なくともひ線粒子の到達距離 (約 4cm)の 2倍以 上に保たれている。このようにすることで、両アメリシウム薄片 12から照射される α線 粒子同士の衝突を回避し、これにより、電離生成される正負イオン同士の再結合の 抑制を図っている。 [0041] It should be noted that the atmospheric ions emitted from the ion emission opening 11 are not only those ionized and generated near the ion emission opening 11, but in the wire shielding box 10 (wire particle arrival regions S1, S2 ) Is considered to include all atmospheric ions ionized. However, it has been pointed out that the atmospheric ions ionized and generated in the wire shielding box 10 may cause recombination between positive and negative ions when the existence density is high or the retention time is long. Therefore, in this embodiment, as is clear from FIG. 2, the shortest distance between the americium flakes 12a and the americium flakes 12b is at least twice as long as the reach distance of the filament particles (about 4 cm). It is kept in. By doing so, collision of α-ray particles irradiated from both americium flakes 12 is avoided, thereby suppressing recombination between positive and negative ions generated by ionization.
[0042] もっとも、そのような正負イオン同士の再結合の虞を考慮しないのであれば、ァメリ シゥム薄片 12aと、アメリシウム薄片 12bとの最短距離をひ線粒子の到達距離 (約 4c m)の 2倍以下とすることができる。この場合には、両アメリシウム薄片からの α線粒子 の重複領域が形成されるから、雰囲気イオンの生成密度が高められ、結果、除電に 寄与する雰囲気イオンをより効率よく得ることができると考えられる。  [0042] However, if the possibility of such recombination between positive and negative ions is not taken into consideration, the shortest distance between the thin film 12a and the thin film 12b is the shortest distance of the filament particles (about 4cm). It can be less than double. In this case, overlapping regions of α-ray particles from both americium flakes are formed, so the generation density of atmospheric ions is increased, and as a result, atmospheric ions contributing to static elimination can be obtained more efficiently. .
[0043] 次に、本発明の変形例を図 3に示す。図 2に示した実施形態と異なる点は、ァメリシ ゥム薄片 12が、除電対象物 Μに対してより近い側に配置されている点と、それにより 、 ひ線最高到達点 Pl、 Ρ2力 イオン放出用開口 11の外に位置している点にある。こ のような構成とすることにより、雰囲気イオンが除電対象物 Μの近くで生成されるので 、除電対象物 Μに到達するまでに再結合により消滅するイオンの数が減少し除電効 率が高くなる。  Next, a modification of the present invention is shown in FIG. The difference from the embodiment shown in FIG. 2 is that the American thin piece 12 is arranged on the side closer to the object to be neutralized そ れ, and accordingly, the highest point Pl of wire Pl, Ρ2 force ions It is located outside the discharge opening 11. With this configuration, atmospheric ions are generated near the static elimination object 除, so the number of ions that disappear due to recombination before reaching the static elimination object 減少 is reduced, and the static elimination efficiency is high. Become.
[0044] 次に、本発明に係るひ線除電装置の第 1応用例を図 4に示す。  [0044] Next, FIG. 4 shows a first application example of the wire neutralizing device according to the present invention.
[0045] 第 1応用例では、 1個のアメリシウム薄片 120と、上面が開放された断面コの字状の α線遮蔽箱としての容器 100とが使用される。同図は、容器 100の縦断面図を示す ものである。アメリシウム薄片 120は、容器 100の底壁中央部に配置される。同図中、 符号 Sで示される斜線領域は、アメリシウム薄片 120の配置位置から想定される α線 到達領域である。 [0045] In the first application example, one piece of americium flake 120 and a U-shaped cross-section with the upper surface opened. A container 100 as an α-ray shielding box is used. This figure shows a longitudinal sectional view of the container 100. The americium flake 120 is disposed at the center of the bottom wall of the container 100. In the figure, the hatched area indicated by the symbol S is an α-ray reaching area that is assumed from the arrangement position of the americium slice 120.
[0046] この第 1応用例においても、アメリシウム薄片 120からイオン放出用開口 110に向け て照射されるひ線の最高到達点は、イオン放出用開口 110から外部に出ないぎりぎ りの位置に存在する。このため、同様に、イオン放出用開口 110の真上に位置するパ スラインを通過する除電対象物にひ線が直射されるといった事態が確実に回避され 、一方で、このイオン放出用開口 110付近では常時雰囲気イオンが電離生成され、 この雰囲気イオンが、イオン放出用開口 110から放出されることにより、良好に除電 対象物表面の電荷を中和することができる。  [0046] Also in this first application example, the highest point of the shin line irradiated from the americium flake 120 toward the ion emission aperture 110 is at a position that does not go outside from the ion emission aperture 110. Exists. For this reason, similarly, it is possible to reliably avoid a situation in which a line is directly applied to the static elimination object passing through the pass line located immediately above the ion emission opening 110, while the vicinity of the ion emission opening 110 is avoided. In this case, atmospheric ions are always ionized and generated, and the atmospheric ions are discharged from the ion discharge opening 110, so that the charge on the surface of the object to be neutralized can be neutralized well.
[0047] もっとも、第 1応用例では、上壁がない容器 100が用いられているため、誤って人体 の一部(例えば指等)がイオン放出用開口 110から入り込み、アメリシウム薄片 120に 触れて放射線の被爆を受けやすいといった欠点も有している。この点からすると、図 1、図 2或いは図 3に示した形態のように、 ひ線遮蔽箱は、アメリシウム薄片に直接触 れにくいもの、すなわち、必要最低限のイオン放出用開口を残して周囲が閉ざされた ものを使用するのが好ましいであろう。  [0047] However, in the first application example, since the container 100 without the upper wall is used, a part of the human body (for example, a finger or the like) accidentally enters the ion emission opening 110 and touches the americium flake 120. It also has the disadvantage of being susceptible to radiation exposure. From this point, as shown in Fig. 1, Fig. 2, or Fig. 3, the wire shield box is not easily touched directly with the americium flakes, i.e., the surrounding area leaving the minimum necessary ion emission opening. It would be preferable to use one that is closed.
[0048] 本発明に係る α線除電装置の第 2応用例を図 5に示す。この第 2応用例は、上述し た第 1応用例の変形例でもある。第 1応用例と異なる点は、 α線の照射領域 Sが、ィ オン放出用開口 110の外にはみ出してレ、る点にある。但し、イオン放出用開口 110 が設けられた側からみた a線遮蔽箱の外形輪郭形状内部 (仮想線 L1と仮想線 L2の 内側)に、 ひ線が到達する空間の外形輪郭形状が含まれている点については同様で ある。このような構成によれば、雰囲気イオンが除電対象物 Mに対してより近くで生成 されるので、除電対象物 Mに到達するまでに再結合により消滅するイオンの数が減 少し除電効率が高くすることができる。一方で、除電装置を除電対象物に対して設置 した状態では、除電装置の周囲を人の手が通過するようなことがあっても、また、本除 電装置に接近して物が設置されたとしても、 ひ線が直接照射されることが無く安全で ある。 [0049] 次に、本発明に係る α線除電装置の第 3応用例を図 6に示す。 FIG. 5 shows a second application example of the α-ray static elimination device according to the present invention. This second application example is also a modification of the first application example described above. The difference from the first application example is that the α-ray irradiation region S protrudes outside the ion emission opening 110. However, the outer contour shape of the space where the wire reaches is included in the outer contour shape of the a-line shielding box (inside the imaginary line L1 and imaginary line L2) as viewed from the side where the ion emission opening 110 is provided. The same is true for the points. According to such a configuration, atmospheric ions are generated closer to the static elimination object M, so that the number of ions that disappear due to recombination before reaching the static elimination object M is reduced, resulting in high static elimination efficiency. can do. On the other hand, when a static eliminator is installed on an object to be neutralized, even if a human hand may pass around the static eliminator, an object will be installed close to the static eliminator. Even if this is the case, it is safe because it is not irradiated directly. Next, FIG. 6 shows a third application example of the α-ray static elimination apparatus according to the present invention.
[0050] 第 3応用例では、 1個のアメリシウム薄片 120と、上壁 100aを有し片側にイオン放出 用開口 110が設けられた略直方体状の α線遮蔽箱 100とが使用される。同図は、 α 線遮蔽箱 100の縦断面図である。  [0050] In the third application example, one americium thin piece 120 and an approximately rectangular parallelepiped α-ray shielding box 100 having an upper wall 100a and provided with an ion emission opening 110 on one side are used. This figure is a longitudinal sectional view of the α-ray shielding box 100.
[0051] 第 3応用例では、アメリシウム薄片 120は、同図左側の側壁上部に配置されている 。同図中、符号 Sで示される斜線領域は、アメリシウム薄片 120の配置位置力も想定 されるひ線到達領域である。また、同図中、符号 Lで示される一点鎖線は、イオン放 出用開口 110付近におけるひ線最高到達点 Ρと、アメリシウム薄片 120の上端 (ィォ ン放出用開口 110に最も近レ、箇所)とを結ぶ仮想線である。  [0051] In the third application example, the americium flake 120 is arranged on the upper side wall on the left side of the figure. In the figure, the hatched area indicated by the symbol S is a stranded line reaching area where the arrangement position force of the americium slice 120 is also assumed. Also, in the figure, the alternate long and short dash line indicated by the symbol L indicates the highest point ひ in the vicinity of the ion emission opening 110 and the upper end of the americium flake 120 (the point closest to the ion emission opening 110). ).
[0052] この第 3応用例においても、アメリシウム薄片 120からイオン放出用開口 110に向け て照射されるひ線の最高到達点 Ρは、イオン放出用開口 110から外部に出ないぎり ぎりの位置に存在する。特徴的な点は、第 3応用例においては、アメリシウム薄片 12 0の位置力 想定される全ての α線直射方向(例えば仮想線 L)の先方には、 α線遮 蔽箱の遮蔽面が位置している点にある。このような構成とすることで、いかなる使用条 件下においても、 ひ線粒子の外部漏出の可能性を完全に排除することができる。ま た、このような構成によれば、外部からは見えない位置、すなわち奥まった位置に α 線源が設置されることとなるため、不注意等による α線源への接触による人体被爆等 を良好に防止することができる。  [0052] Also in this third application example, the highest point ひ of the wire radiated from the americium flake 120 toward the ion emission opening 110 is at a position where it does not go outside from the ion emission opening 110. Exists. The characteristic point is that in the third application example, the position force of the americium flake 120 is located in front of all the assumed direct α-ray directions (for example, the imaginary line L). It is in the point. By adopting such a configuration, it is possible to completely eliminate the possibility of external leakage of filament particles under any use conditions. In addition, according to such a configuration, since the α-ray source is installed at a position that cannot be seen from the outside, that is, at a deep position, it is possible to prevent human exposure due to inadvertent contact with the α-ray source. It can prevent well.
[0053] カロえて、この第 3応用例においては、アメリシウム薄片 120からイオン放出用開口 1 10の開口面に沿って放出される α線の方向(例えば仮想線 L)におレ、て、 α線の飛 行距離 (約 4cm)よりも離れた位置に側方遮蔽面 100bが位置するように考慮されて いる。このように構成することで、イオン放出用開口 110の開口面に沿った方向に放 出されるひ線は、 ひ線飛行距離よりも短い距離で遮蔽面によって遮蔽されることがな いから、各ひ線毎に最大量の電離イオンを生成させることができる。  [0053] In this third application example, in the third application example, in the direction of α rays (for example, imaginary line L) emitted from the americium flake 120 along the opening surface of the ion emission aperture 110, α It is considered that the side shielding surface 100b is located at a position separated from the flight distance of the line (about 4cm). With this configuration, the wire emitted in the direction along the opening surface of the ion emission opening 110 is not shielded by the shielding surface at a distance shorter than the wire flight distance. The maximum amount of ionized ions can be generated for each strand.
[0054] 次に、本発明に係るひ線除電装置の第 4応用例を図 7に示す。この例は、第 3応用 例の変形例でもある。第 3応用例と異なる点は、 ひ線の最高到達点 P1が、イオン放 出用開口 110の外に位置している点にある。このような構成とすれば、図 3に示した 変形例の如ぐ雰囲気イオンが除電対象物 Mのより近くで生成されるので、除電対象 物 Mに到達するまでに再結合により消滅するイオンの数が減少し除電効率が高くす ること力 Sできる。 Next, FIG. 7 shows a fourth application example of the wire neutralizing device according to the present invention. This example is also a modification of the third application example. The difference from the third application example is that the highest point P1 of the wire is located outside the ion emission opening 110. With such a configuration, atmospheric ions as in the modification shown in FIG. 3 are generated closer to the static elimination object M. The power S can be increased by reducing the number of ions that disappear due to recombination before reaching the object M, and increasing the static elimination efficiency.
[0055] そして、この第 4応用例においては、第 3応用例においてもほぼ同じく説明されるの であるが、 ひ線遮蔽箱 100は、除電対象物 M側の面に対物遮蔽面として機能する上 壁 100aを有する構成とされている。この上壁 100aは、アメリシウム薄片 120から除電 対象物 Mに向かって放射されるひ線を一部遮蔽している。すなわち、同図中符号 P2 で示される本来のひ線最高到達点まで伸びる仮想線 L2と、実際のひ線最高到達点 P1まで伸びる仮想線 L1とで囲まれるひ線飛行距離範囲 S2が、この上壁 100aにより 排除されている。このため、 ひ線が除電対象物 Mに直接照射される事態を確実に回 避しつつ、除電装置に対して、除電対象物 Mをひ線飛行距離よりも近づけて配置す ること力 Sできる。このとき、雰囲気イオンも除電対象物の近くで生成されるので、除電 対象物に到達するまでに再結合により消滅するイオンの数が減少し除電効率が高く なる。  [0055] In the fourth application example, the same applies to the third application example, but the wire shielding box 100 functions as an objective shielding surface on the surface of the static elimination object M side. It is configured to have an upper wall 100a. This upper wall 100a partially shields the wire radiated from the americium flake 120 toward the static elimination object M. That is, the line flight distance range S2 surrounded by the imaginary line L2 extending to the original maximum line reach point indicated by the symbol P2 and the virtual line L1 extending to the actual line maximum point P1 is shown in FIG. Excluded by upper wall 100a. For this reason, the force S can be placed closer to the neutralization device than the line flight distance S, while avoiding the situation where the filament is directly applied to the neutralization object M. . At this time, since atmospheric ions are also generated near the object to be neutralized, the number of ions that disappear due to recombination before reaching the object to be neutralized is reduced, and the efficiency of static elimination is increased.
[0056] 以上の説明で明らかなように、本実施の形態によれば、アメリシウム薄片から照射さ れる α線粒子が除電対象物に直接照射 (被爆)される事態が確実に回避される。一 方で、 α線照射により電離生成される雰囲気イオンを効率よく除電対象物に接触さ せること力 Sできる力ら、除電効率の高い除電装置が実現される。また、 α線遮蔽箱の 底壁面を導体により接地することにより、より一層、除電対象物の除電効率を向上さ せること力 Sできる。  As is clear from the above description, according to the present embodiment, it is possible to reliably avoid the situation where the α-ray particles irradiated from the americium flakes are directly irradiated (exposed) to the static elimination object. On the other hand, the ability to efficiently contact atmospheric ions ionized by α-ray irradiation with the object to be neutralized, S, provides a static elimination device with high static elimination efficiency. In addition, by grounding the bottom wall surface of the α-ray shielding box with a conductor, it is possible to further improve the static elimination efficiency of the static elimination object.
[0057] 尚、上述の説明では、 α線源としてアメリシウム薄片を用いた力 α線源としては、 ポロニウムを用いてもよい。 産業上の利用可能性  [0057] In the above description, polonium may be used as the force α-ray source using americium flakes as the α-ray source. Industrial applicability
[0058] 本発明のひ線を用いた除電装置は、半導体ウェハ、液晶ガラス基板、磁気ディスク •光ディスク用基板、プリント基板、各種フィルム等の製品の製造過程において、部品 間摩擦等によりその表面に生じた静電気を除去するために有用である。 [0058] The static eliminator using the wire of the present invention is applied to the surface of a semiconductor wafer, a liquid crystal glass substrate, a magnetic disk, a product such as an optical disk substrate, a printed circuit board, and various films due to friction between components. It is useful for removing the generated static electricity.
図面の簡単な説明  Brief Description of Drawings
[0059] [図 1]本発明に係る α線除電装置の構成を示す内部透視図である。  [0059] FIG. 1 is an internal perspective view showing a configuration of an α-ray neutralizing apparatus according to the present invention.
[図 2]本発明に係るひ線除電装置におけるアメリシウム薄片の配置状態を詳細に示 す図である。 FIG. 2 shows in detail the arrangement of americium flakes in the wire neutralizing device according to the present invention. It is a figure.
[図 3]本発明の変形例を示す図である。  FIG. 3 is a diagram showing a modification of the present invention.
[図 4]本発明を応用した α線除電装置を示す図(その 1 )である。 FIG. 4 is a diagram (No. 1) showing an α- ray static eliminator to which the present invention is applied.
[図 5]本発明を応用したひ線除電装置を示す図(その 2)である。 FIG. 5 is a diagram (part 2) showing a wire neutralizing device to which the present invention is applied.
[図 6]本発明を応用したひ線除電装置を示す図(その 3)である。 FIG. 6 is a diagram (No. 3) showing a strand neutralizing device to which the present invention is applied.
[図 7]本発明を応用したひ線除電装置を示す図(その 4)である。 符号の説明 FIG. 7 is a diagram (No. 4) showing a strand neutralizing device to which the present invention is applied. Explanation of symbols
1 α線除電装置 1 α-ray static eliminator
10 α線遮蔽箱  10 α-ray shielding box
11 イオン放出用開口 11 Ion emission opening
12 アメリシウム薄片 12 Americium flakes
Μ 除電対象物 対 象 Target for static elimination
S α線到達領域  S α ray arrival area
P 線最高到達点  P line maximum reachable point
X パスライン(除電対象物移動方向) X pass line (moving direction of static elimination object)

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
[1] ひ線を遮蔽するための遮蔽面とイオン放出用開口とによりひ線源周囲を囲むひ線遮 蔽箱と、 ひ線遮蔽箱内に収容される 1又は 2以上のひ線源と、を有し、各ひ線源のそ れぞれから放出されるひ線の照射により電離生成される雰囲気イオンをイオン放出 用開口力 放出して除電対象物に接触させるひ線を用いた除電装置であって、 ひ線遮蔽箱内におけるひ線源は、除電対象物が設置される位置までそれぞれから 放出される α線が到達することがなぐかつイオン放出用開口に臨む位置に雰囲気 イオンが電離生成されるように、位置決めされている、ことを特徴とする α線を用いた 除電装置。  [1] A wire shielding box surrounding the wire source by a shielding surface for shielding the wire and an ion emission opening, and one or more wire sources accommodated in the wire shielding box; Static electricity removal using a wire that discharges atmospheric ions ionized by irradiation of the wire emitted from each wire source and releases the opening force for ion emission to contact the object to be removed The wire source in the wire shielding box is a device in which atmospheric ions are not allowed to reach the position where the object to be neutralized is installed and the alpha rays emitted from each of them reach the opening for ion emission. A static eliminator using alpha rays, characterized by being positioned so as to generate ionization.
[2] イオン放出用開口が設けられた側からみた α線遮蔽箱の外形輪郭形状内部に、 α 線が到達する空間の外形輪郭形状が含まれることを特徴とする請求項 1に記載の α 線を用いた除電装置。  [2] The α according to claim 1, wherein the outer contour of the α-ray shielding box viewed from the side where the ion emission opening is provided includes the outer contour of the space where the α-ray reaches. Static eliminator using wires.
[3] α線遮蔽箱は、除電対象物側の面に対物遮蔽面を有し、前記遮蔽面は、 α線源か ら α線飛行距離内にある除電対象物に向かって放射される α線を遮蔽することを特 徴とする請求項 1に記載の α線を用いた除電装置。  [3] The α-ray shielding box has an objective shielding surface on the surface to be neutralized, and the shielding surface is radiated from the α-ray source toward the static elimination object within the α-ray flight distance. The static eliminator using alpha rays according to claim 1, characterized in that the lines are shielded.
[4] a線遮蔽箱は、 ひ線源からイオン放出用開口の開口面に沿って放出されるひ線の 方向には、 ひ線の飛行距離よりも離れた位置に側方遮蔽面を有することを特徴とす る請求項 3に記載の α線除電装置。 [4] The a-line shielding box has a side shielding surface in a direction away from the flight distance of the wire in the direction of the wire that is emitted from the wire source along the opening surface of the ion emission opening. The α- ray static eliminator according to claim 3, wherein
[5] a線源の位置から想定される全てのひ線直射方向の先方には、 ひ線遮蔽箱の遮蔽 面が位置している、ことを特徴とする請求項 3又は 4の何れかに記載のひ線を用いた 除電装置。 [5] In any one of claims 3 and 4, wherein the shielding surface of the wire shielding box is located ahead of all the direct radiation directions assumed from the position of the a-ray source Static eliminator using the described wire.
[6] ひ線源として、 ひ線の照射により雰囲気イオンが電離生成される領域を挟むようにし てひ線遮蔽箱内に対向配置される 1対のひ線源が採用されている、ことを特徴とする 請求項 3又は 4の何れかに記載のひ線を用いた除電装置。  [6] A pair of wire sources that are placed oppositely in the wire shielding box so as to sandwich the region where atmospheric ions are ionized and generated by the wire irradiation are adopted as the wire source. 5. A static eliminator using the wire according to claim 3 or 5.
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