WO2005122702A2 - 有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005122702A2
WO2005122702A2 PCT/JP2005/008897 JP2005008897W WO2005122702A2 WO 2005122702 A2 WO2005122702 A2 WO 2005122702A2 JP 2005008897 W JP2005008897 W JP 2005008897W WO 2005122702 A2 WO2005122702 A2 WO 2005122702A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
organic electroluminescence
intensity
photoluminescence intensity
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/008897
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2005122702A3 (ja
WO2005122702A1 (ja
Inventor
Hideki Uchida
Original Assignee
Sharp Kk
Hideki Uchida
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk, Hideki Uchida filed Critical Sharp Kk
Priority to JP2006514671A priority Critical patent/JPWO2005122702A1/ja
Priority to US11/570,714 priority patent/US7595587B2/en
Publication of WO2005122702A2 publication Critical patent/WO2005122702A2/ja
Publication of WO2005122702A1 publication Critical patent/WO2005122702A1/ja
Publication of WO2005122702A3 publication Critical patent/WO2005122702A3/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151Copolymers
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043Preventing or counteracting the effects of ageing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element, an inspection device and an inspection method thereof, and an organic electroluminescence display device. More specifically, an organic electroluminescence element used as an electroluminescent element in an organic electroluminescent display, an inspection apparatus and an inspection method suitable for inspecting the life characteristics thereof, and an organic electroluminescence display apparatus It is about. Background art
  • Light-emitting materials used for organic EL devices include low-molecular-weight organic EL materials and high-molecular-weight organic EL materials.
  • a typical organic EL device using a polymer organic EL material is, for example, a transparent anode made of indium tin oxide (hereinafter, also referred to as “ITO”) on a glass substrate, a PEDOT / PSS A hole transport layer composed of ⁇ Poly (ethylene-dioxythiophene) / Poly (styrenesulfonate); a light-emitting layer composed of a polymer organic EL material; and CaZAl.
  • the cathode has a structure that is sequentially laminated.
  • an organic EL device having such a structure can achieve a luminance of 100000 cdZm 2 or more, a luminous efficiency of several lmZW to several tens of lmZW, and a lifetime of several thousand to tens of thousands of hours.
  • Such a conventional organic EL element has sufficiently high luminance and luminous efficiency, but its life is not sufficient in view of application to an actual product, and its application range is limited. there were. Therefore, various measures have conventionally been investigated to improve the life characteristics of the organic EL element. For example, techniques for improving the luminescent material itself (for example, see Patent Document 1) and improving the cathode (for example, see Non-Patent Document 1) have been proposed. However, even if these measures are taken, organic EL displays must be modified in order to obtain a practical and versatile organic EL device with an extremely short lifespan compared to other FPDs that use liquid crystals. There was room for good.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 11-508731 (pages 1 and 2) (corresponding to International Publication No. 97/40648 pamphlet and US Pat. No. 6,326,091)
  • Non-Patent Document l Yong Cao, et al., "Ultrathin layer alkaline earth metals as stable electron— injecting electrodes for polymer light emitting dio des) J, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, USA, September 15, 2000, Vol. 88, No. 6, p. 3618
  • Non-Patent Document 2 Kenichi Koshi, et al., "The Unique Emission Characteristics of Ir (ppy) 3 at Low Temperatures," Applied Physics Society Academic Lecture 2003 Spring, p. 1412, 28p -A-4
  • Non-Patent Document 3 Kenichi Koshi and three others, "Examination of exciton diffusion length of Ir (ppy) 3", Japan Society of Applied Physics, Academic Lecture 2003 Autumn, p. 1206, la-YL- 7
  • the present invention has been made in view of the above situation, and an organic electroluminescent device having excellent life characteristics, and a device for easily inspecting the life characteristics in a short time without deteriorating the device. It is an object of the present invention to provide a device and a method for testing an organic electroluminescence element, and a method for testing an organic electroluminescence display device.
  • the PL intensity at 300K should be higher than the PL intensity at any temperature lower than 300K to achieve a long-life organic EL device.
  • the present inventors have found that it is possible to perform element defect sorting without deteriorating the element only by measuring the initial characteristics, and conceived that the above problem can be solved brilliantly, and reached the present invention. is there.
  • the present invention relates to an organic electroluminescence device having a structure in which at least one or more organic layers including at least a light emitting layer are sandwiched between electrodes, wherein the organic electroluminescent device has a photoluminescence at 300K.
  • the organic electroluminescence (EL) element of the present invention has a structure in which at least one or more organic layers including at least a light emitting layer are sandwiched between electrodes.
  • the light emitting layer that constitutes such an organic EL element is a layer that contains an organic material that emits light when an electric field is applied.
  • the organic layer has a structure in which layers including an organic material such as a light emitting layer are laminated, and usually includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like in addition to the light emitting layer. It is a thing.
  • Preferred embodiments of the organic EL device of the present invention include, for example, an embodiment in which a substrate, an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, and a cathode are stacked in this order. At this time, it is preferable that at least one of the anode and the cathode has translucency.
  • the organic EL device of the present invention is not particularly limited as long as such components are formed as essential components, and may or may not include other components.
  • the organic EL device of the present invention having the above-described configuration can emit light by applying an electric field between the electrodes, and usually emits light by applying an AC electric field or the like.
  • the organic electroluminescent element has a photoluminescence intensity at 300K of less than 30 OK! /, Which is stronger than the photoluminescence intensity at a certain temperature.
  • An organic EL device exhibiting such temperature dependence in photoluminescence intensity (PL intensity) can be suitably used as an electroluminescent device of an organic EL display because of its excellent life characteristics.
  • a more preferred form includes a form in which the PL strength at 300K is stronger than the PL strength at any temperature of less than 200K, and a more preferred form is a PL form at any temperature where the PL strength at 300K is less than 300K. Forms that are stronger than strength are mentioned.
  • photoluminescence means a fluorescent phenomenon caused by stimulation with light such as ultraviolet light, visible light, and infrared light.
  • the PL intensity means energy or the number of photons emitted as fluorescence in a wavelength range of 380 to 780 nm (visible region) per unit time, and can be measured by using a strike scope, a spectroscope, or the like.
  • the organic electroluminescent element has a photoluminescence intensity at 300K higher than a photoluminescence intensity at 5K.
  • the organic EL element having such characteristics surely has excellent life characteristics. This is because the temperature dependence of the PL intensity of a light-emitting material depends largely on the temperature dependence of the heat deactivation process of the material.Some of the materials have such a heat deactivation process that becomes noticeable for the first time at a temperature near absolute zero. Therefore, by measuring the temperature dependence of the PL intensity of the organic EL device and comparing the PL intensity measured at 300K with the PL intensity measured at cryogenic conditions of about 5K, the life characteristics of the device can be more accurately determined. Because it can be sought.
  • the above-mentioned organic electroluminescence element defines the photoluminescence intensity at 5K when the photoluminescence intensity at 300K is 1, as the low-temperature photoluminescence intensity ratio.
  • the photoluminescence intensity ratio Y represented by the following formula (1) is 1 or less.
  • (low-temperature photoluminescence intensity ratio of organic electroluminescent element) / (low-temperature photoluminescence intensity ratio of light-emitting layer) (1)
  • the PL intensity ratio ⁇ represented by the above formula (1) being 1 or less means that the low-temperature photoluminescence intensity ratio of the organic EL element is smaller than the low-temperature photoluminescence intensity ratio of the light emitting layer. I do. Therefore, the organic EL device having such characteristics has a device configuration suitable for improving the life characteristics, and is particularly excellent in the life characteristics.
  • the PL intensity ratio Y is more preferably 0.5 or less.
  • the low-temperature PL intensity ratio of the light-emitting layer shown in the above formula (1) is the same as that of the light-emitting layer of the organic EL element. Can be obtained by measuring the low-temperature PL intensity ratio.
  • the photoluminescence of the organic electroluminescent element includes two or more fluorescent components having substantially the same emission stadium and having different lifetimes, and the two or more fluorescent components include: In any case, it is preferable that the photoluminescence intensity at 300K is stronger than the photoluminescence intensity at any temperature lower than 300K. As a result, an organic EL device having particularly excellent life characteristics can be provided.
  • a more preferred form is a form in which the PL intensity at 300K is less than 200K for all of the two or more fluorescent components, and the PL intensity at a certain temperature is stronger than the PL intensity at a certain temperature.
  • the PL intensity at 300K is stronger than the PL intensity at all temperatures lower than 300K.
  • including two or more fluorescent components means that there are two or more light emission mechanisms, that is, two or more relaxation processes due to fluorescence from a photo-excited state. Further, that the two or more fluorescent components have substantially the same emission spectrum means that the shapes of the emission spectra derived from the respective emission mechanisms are substantially the same. Further, that the lifespan of two or more fluorescent components is different means that the fluorescence intensity half-lives of the fluorescent components derived from each light emission mechanism are different. Therefore, the organic EL device containing the two or more fluorescent components When graphing the fluorescence intensity of logarithmic notation on the ordinate and the elapsed time of linear notation on the abscissa, the attenuation characteristic of PL intensity is curved.
  • the PL intensity at 300K of each of the two or more fluorescent components is stronger than the PL intensity at 5K.
  • An organic EL device having such characteristics has particularly excellent life characteristics more reliably.
  • the present invention also relates to an apparatus for inspecting the life characteristics of an organic electroluminescent element, wherein the apparatus for inspecting an organic electroluminescent element comprises a light emitting material constituting a light emitting layer of the organic electroluminescent element.
  • a light source to be excited detection means for detecting the photoluminescence intensity of the organic electroluminescence element, temperature control means for controlling the temperature of the organic electroluminescence element and Z or the vicinity thereof, and a photometer measured by the detection means.
  • the present invention also provides an inspection device for an organic electroluminescent device, which includes a data storage unit for storing luminescence intensity and a data processing unit for comparing photoluminescence intensity measured at different temperatures.
  • the light source is not particularly limited.
  • a laser device that emits laser light having a central wavelength of 325, 337, or 365 nm, or only a light having an excitation wavelength that is optimal for a light-emitting material by a white light power monochromator is used.
  • a light source device that takes out and emits light is used.
  • the detection means is not particularly limited as long as it can detect the PL intensity of the organic EL element photo-excited by the light emitted from the light source, and may be a device that monitors a photocurrent with a photodiode or a spectroscope. An apparatus that monitors the PL intensity using the area of the measured fluorescence spectrum may be used.
  • the temperature control means is not particularly limited, and examples thereof include a device that includes a cooling unit and a heater and controls the output of the cooling unit and the heater to an arbitrary temperature, a control device that uses a cryostat, and the like.
  • the data storage means is not particularly limited as long as it can store the data obtained by the detection means.
  • the data processing means is particularly limited as long as it can compare the PL intensities of the organic EL elements measured at different temperatures using the data stored in the data storage means. Not something.
  • the life characteristics of the organic EL element can be inspected without performing an aging test, and the life can be easily and simply reduced without deteriorating the element. It is possible to select elements having poor characteristics.
  • by developing an organic EL device using such an inspection device it is possible to optimize the configuration conditions of the device, manufacturing process conditions, etc. with respect to the selection of the light emitting material and the design of the film thickness of the film constituting the device. Can be easily performed.
  • a preferred form of the organic EL element inspection apparatus of the present invention a form in which the PL intensity of the organic EL element measured at 300K and the PL intensity of the organic EL element measured at 5K are compared by data processing means is used.
  • the life characteristics of the element can be measured with higher accuracy.
  • the inspection apparatus for an organic EL element of the present invention may be a form in which a light source and each means are combined with each other.
  • a data storage means and a data processing means are combined and integrated. It may be in a form or the like.
  • the present invention further relates to a method for inspecting the life characteristics of an organic electroluminescent element, wherein the method for inspecting an organic electroluminescent element includes a method for inspecting the photoluminescence of the organic electroluminescent element at at least two different temperatures. It is also a method of inspecting an organic electroluminescent device, which detects the intensity and also inspects the life characteristics of the organic electroluminescent device.
  • the life characteristics of the organic EL device can be tested without performing an aging test, and a device having a poor life characteristic can be easily obtained in a short time without deteriorating the device. Sorting can be performed.
  • by developing an organic EL device using such an inspection device it is possible to optimize the element configuration conditions, manufacturing process conditions, etc. with respect to the selection of the light emitting material and the design of the film thickness of the device. Can be easily performed.
  • the present invention is also an organic electroluminescence element obtained by using the above-described organic electroluminescence element inspection apparatus or the above-described organic electroluminescence element inspection method.
  • Such an organic EL element is obtained after performing a high-precision sorting on the life characteristics by using the organic EL element inspection apparatus or the organic EL element inspection method. It has excellent life characteristics and can be suitably used as an electroluminescent element of an organic EL display.
  • the present invention is also an organic electroluminescent display device provided with the organic electroluminescent element.
  • Such an organic EL display organic EL display
  • the organic electroluminescence device of the present invention since the photoluminescence intensity at 300 K is higher than the photoluminescence intensity at any temperature lower than 300 K, it is possible to provide a device having a long device life. Can be. Such an organic electroluminescent element having a long element life can be suitably used as an electroluminescent element of an organic electroluminescent display.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the organic electroluminescence (EL) element of the first embodiment.
  • EL organic electroluminescence
  • the organic EL device of the present embodiment has a structure in which an anode 2, a hole transporting layer 3, a light emitting layer 4, and a cathode 5 are formed on a substrate 1 in that order. ing.
  • the organic EL device shown in FIG. 1 is manufactured, for example, by the following method.
  • an anode 2 is formed on a substrate 1 having an insulating surface.
  • a substrate with an electrode in which an anode 2 made of ITO (indium oxide monooxide) was previously formed on the surface of a glass substrate 1 of 30 mm ⁇ 30 mm square was prepared and washed.
  • a method of cleaning the substrate with electrodes for example, a method of performing ultrasonic cleaning for 10 minutes using acetone, isopropyl alcohol (IPA) or the like, followed by ultraviolet (UV) -ozone cleaning for 30 minutes, or the like is used. No. Thereby, the anode 2 is formed.
  • a hole transport layer 3 (thickness :, for example, 60 nm) is formed on the surface of the anode 2 by, for example, the following method.
  • a coating liquid for forming a hole transport layer is prepared by dispersing PEDOTZPSS in pure water.
  • this coating liquid for forming a hole transport layer is applied to the surface of the anode 2 using a spin coater. Thereafter, the solvent in the coating liquid for forming a hole transport layer is removed by heating and drying the substrate with electrodes (200 ° C., 5 minutes) in a high-purity nitrogen atmosphere. Thereby, the hole transport layer 3 is formed.
  • a light-emitting layer 4 (thickness: 80 nm, for example) is formed, for example, by the following method.
  • a coating solution for forming a light emitting layer is prepared by dissolving a high molecular light emitting material in xylene.
  • this light emitting layer forming coating liquid is applied to the surface of the hole transport layer 3 using a spin coater. Thereafter, the solvent in the light emitting layer forming coating liquid is removed by heating and drying in a high purity nitrogen atmosphere. Thereby, the light emitting layer 4 is formed.
  • the cathode 5 is formed, for example, by the following method.
  • the substrate 1 on which the light emitting layer 4 is formed is fixed to the first metal deposition chamber.
  • calcium is deposited on the surface of the light emitting layer 4 by a vacuum evaporation method (thickness: for example, 30 nm), and subsequently, silver is deposited (thickness: for example, 300 nm) by the same method.
  • the opposite cathode 5 is formed.
  • a sealing glass (not shown) is bonded to the substrate 1 using a UV-curable resin to complete the organic EL element.
  • the effect of the present invention was confirmed by fabricating an organic EL device by changing the light emitting material and the process conditions.
  • the organic EL device of Example 1 (hereinafter, also referred to as device (1)) was obtained by forming a light-emitting layer 4 by heating and drying a polyfluorene-based green light-emitting material A at a firing temperature of 150 ° C.
  • the polyfluorene-based green light-emitting material A is a copolymer of a fluorene ring having an alkyl chain R and R 'and at least one unit of an aromatic aryl ligated unit Ar (Ar').
  • the chemical formula is represented by the following formula (A).
  • the molecular weight of the polyfluorene-based green light-emitting material A is hundreds of thousands, and the glass transition point differs depending on the unit to be copolymerized.
  • R and R ′ represent an alkyl chain
  • Ar and Ar ′ represent units of an aromatic aryl compound
  • 1, m is an integer of 1 or more
  • n is , 0 or an integer of 1 or more.
  • Aromatic aryl compounds include dimethylbenzene, pyridine, benzene, anthracene, spirobifluorene, fulvazole units, benzoamine, bipyridine, and benzothiadiazo. Or the like is used.
  • the organic EL device of Example 2 (hereinafter, also referred to as device (2)) was obtained by forming a light-emitting layer 4 by heating and drying a polyfluorene-based green light-emitting material A at a firing temperature of 90 ° C.
  • the measurement result of the luminance half-life by the aging test of the element (2) was 720 hours at an initial luminance of lOOOOcdZm 2 .
  • the organic EL device of Comparative Example 1 (hereinafter, also referred to as device (3)) was obtained by forming a light-emitting layer 4 by heating and drying a polyfluorene-based green light-emitting material B at a firing temperature of 150 ° C.
  • the measurement result of the luminance half-life by the aging test of the element (3) was 60 hours at an initial luminance of lOOOOcdZm 2 .
  • the temperature dependence of the PL intensity of the devices (1) to (3) was measured.
  • the temperature dependence of the PL intensity of the single-layer film of the light-emitting materials A and B was also measured. The results are shown below.
  • the firing temperatures for forming the single-layer films of the light-emitting materials A and B were 150 ° C (light-emitting material A) and 150 ° C (light-emitting material B), respectively.
  • FIG. 2 is a graph showing the temperature dependence of the PL intensity of the single-layer film made of the devices (1) and (2) and the light emitting material A. Since it is difficult to compare the PL intensity based on the absolute value, the PL intensity at room temperature (300K) should be standardized to 1 and illustrated! /
  • the PL intensity of the single-layer film made of the luminescent material A increases with decreasing temperature, and the PL intensity at 5 K is 1.24 times the PL intensity at 300 K.
  • the PL intensity at 5K decreases with decreasing temperature, and the PL intensity at 5K is weaker than the PL intensity at 300K.
  • k is a luminescence rate constant
  • is a fluorescence lifetime
  • k is a non-luminescence inactivation rate constant
  • k is a rate constant of internal intersystem crossing.
  • the PL intensity that is, the quantum yield ⁇ is proportional to the fluorescence lifetime ⁇ .
  • k and k have no temperature dependence.
  • nr is a heat-inactivating component and becomes smaller at low temperatures. Therefore, the value of the fluorescence lifetime ⁇ is increased by the low-temperature irradiation, and the quantum yield ⁇ is increased, and as a result, the PL intensity is increased.
  • the PL strength decreases as the temperature decreases. This is because, in the devices (1) and (2), as shown in FIG. 1, the light emitting layer 4 formed by the light emitting layer 4 being sandwiched between the hole transport material 3 and the cathode 5 and the hole transport material It is considered that the exciton generated by the excitation light is quenched (quenched) at the interface with 3 and the interface between the light emitting layer 4 and the cathode 5.
  • the quenched site may be simply a non-luminescent hole transporting material 3 or a cathode 5, or may be a non-luminescent state newly generated by the interaction between interfaces.
  • Quenching of the exciton is caused by the exciton diffusing to the quenched site generated at the lamination interface and quenching.
  • the diffusion mode of excitons here is considered to be resonance type diffusion (Forster type migration) or exciton diffusion (delocalization of excitons in the molecular chain or between molecules). If the decrease in PL intensity generated in this way has temperature dependence, the reason for the decrease in PL intensity associated with the low temperature of the organic EL element is that the exciton diffusion length is increased due to the low temperature. And the number of quenchinda sites are likely to increase.
  • the difference in the decrease in PL strength of the organic EL element is caused by the interaction at the interface between the light emitting layer 4 and the hole transport material 3 and the interface between the light emitting layer 4 and the cathode 5 caused by the lamination, Exciton diffusion It is thought to be caused by differences in characteristics.
  • the element (1) having a longer luminance half-life has a larger decrease in PL intensity from 300K to 5K. This indicates that the device (1) has larger interface interaction and exciton diffusion characteristics! /
  • FIG. 3 shows the temperature dependence of the PL intensity of the single-layer film made of the element (3) and the light-emitting material B, as in the elements (1) and (2).
  • the PL intensity at 5K is larger than that at 300K, as in the case of the single-layer film having the light-emitting material A force.
  • element (3) differs from elements (1) and (2) in that the PL intensity at 5K is greater than the PL intensity at 300K. This is because the interaction between the interface between the light emitting material 4 and the hole transporting material 3 and the interface between the light emitting layer 4 and the cathode 5 is weaker in the element (3) than in the elements (1) and (2). This suggests that the system is a system and that exciton diffusion is likely to occur.
  • Such an element (3) has a luminance half-life that is much shorter than the elements (1) and (2).
  • FIG. 4 shows the relationship between the reduction rate of the PL intensity of the organic EL element and the half-time of luminance of the organic EL element due to the low temperature from 300 K to 5 K.
  • the PL intensity reduction rate in FIG. 4 is expressed by the following equation (4).
  • a PL intensity reduction rate of greater than ⁇ means that the PL intensity of the organic EL element decreases with low temperature. This means that the PL intensity reduction rate is smaller than 0, which means that the PL intensity of the organic EL element increases with low temperature. From FIG. 4, it can be seen that the higher the rate of decrease in the PL strength of the organic EL device due to the decrease in temperature from 300K to 5K, the longer the device life.
  • P L intensity reduction rate (%) ⁇ (PL intensity at 300 K)-1 (PL intensity at 5 K) ⁇ / (PL intensity at 300 K) X I 0 0 (4)
  • FIG. 5 shows the relationship between the PL intensity ratio Y and the luminance half-life of the organic EL element.
  • a PL intensity ratio of less than 1 means that a decrease in PL intensity due to the low-temperature shading of the organic EL device is smaller than that of the light-emitting material single-layer film.
  • a value greater than 1 means that the decrease in PL strength due to the low temperature of the organic EL element is greater than that of the single-layer light emitting material film. From FIG. 5, it can be seen that the smaller the PL intensity ratio Y, the longer the device life.
  • Some light-emitting materials have a large degree of heat deactivation in the photoexcited state.
  • the PL intensity may increase as the temperature decreases from 300K to 5K. There is. In such a case, it is not possible to estimate the degree of the decrease in PL intensity due to the device, but it is possible to estimate the degree of the decrease in PL intensity due to the device by comparing with a single-layer film of the luminescent material. As a result, the element life can be estimated.
  • FIGS. 4 and 5 clearly show the relationship between the temperature dependence of the PL intensity of various devices and the device lifetime. From these results, it was a component that it was possible to obtain an element having excellent lifetime characteristics by using an element configuration in which the temperature dependence of PL intensity was large V.
  • FIG. 6 shows a fluorescence intensity decay curve as shown in FIG. 6
  • This attenuation curve was a component of the fact that there were two types of components that formed the PL intensity of element (1).
  • a fluorescence decay curve of a fluorescent compound used in an organic EL device or the like shows an exponential decay characteristic as shown in FIG. 7, and the fluorescent component is often a single component.
  • FIG. 7 shows the fluorescence decay characteristics of the luminescent material A used this time in a solution state.
  • the attenuation characteristic of a single fluorescent component is represented by the following equation (5).
  • I PL intensity
  • A the initial PL intensity (constant) of the fluorescent component, and thus the fluorescence lifetime.
  • the fluorescent component usually shows a linear attenuation characteristic.
  • the decay characteristic is curved as shown in Fig. 6, it cannot be explained by a single fluorescent component, but is composed of multiple fluorescent components having different fluorescent lifetimes.
  • the fluorescence decay characteristic is simply represented by the following equation (6), and the PL intensity I is a plurality of values. This is considered to be the sum of the PL intensity of the fluorescent component.
  • A, B, etc. represent the initial PL intensity (constant) of each fluorescent component, and ⁇ , ⁇ , etc.
  • the luminescent material A used in Example 2 had only one fluorescent component in the solution state as shown in FIG. 7, it was in the thin film state, that is, as shown in FIG. 6, in the device. Will have two types of fluorescent components. This is because, in the solution state, the luminescent material spreads in the solution and emits fluorescence by a single luminescent mechanism, but in the thin film state, the luminescent material is more aggregated in the film, so that it is contained in the constituent molecules or molecules. It is thought that the interaction between the two became large, resulting in two types of light emission mechanisms.
  • the luminescent material B used in Comparative Example 1 had a single fluorescent component not only in a solution state but also in a thin film state (element (3)), and the element life was extremely short. Therefore, it has been found that an element having a plurality of fluorescent components in an element state can provide an element having an excellent element life.
  • the element (2) also has two kinds of fluorescent components.
  • Element (1) two fluorescent components which in the item (2), each fluorescence lifetime is a component and 7n Sec about components of about 2nse C.
  • a fluorescent component having a fluorescence lifetime of 2 nsec is referred to as a fluorescent component 1
  • a fluorescent component having a fluorescence lifetime of 7 nsec is referred to as a fluorescent component 2.
  • the fluorescence decay curve of the device (1) obtained in FIG. 6 was separated into fluorescent components 1 and 2, and the temperature dependence of the PL intensity of each fluorescent component is shown in FIG.
  • element (2) the fluorescence components 1 and 2 were separated from the fluorescence decay curve, and the temperature dependence of the PL intensity of each fluorescence component is shown in FIG.
  • the element (1) it can be seen from FIG. 8 that the PL intensity at 5K is relatively reduced to about 0.46 for the fluorescent component 1 and to about 0.25 for the fluorescent component 2.
  • element (2) it can be seen from FIG.
  • the fluorescence intensity of the neutral fluorescent component 2 was relatively reduced to about 0.35, but the degree of the decrease was smaller than that of the device (1).
  • the PL intensity of each fluorescent component at a cryogenic temperature (5K) is lower than the PL intensity at a normal temperature (300K). It can be seen that the device has a long device life. In addition, it can be seen that the greater the degree of the decrease in PL intensity due to the low temperature of each fluorescent component at room temperature and cryogenic temperature, the longer the lifetime and the device can be provided.
  • a substrate having an insulating surface is preferable.
  • a substrate formed of an inorganic material such as glass or quartz, a substrate formed of a plastic force such as polyethylene terephthalate, alumina, or the like is used.
  • Ceramics A substrate formed, a substrate in which an insulator such as SiO or an organic insulating material is coated on a metal substrate such as aluminum-iron or iron, or gold.
  • Substrates obtained by subjecting a surface of a metal substrate to an insulation siding treatment by a method such as anodizing or the like can be widely used.
  • a switching element such as a thin film transistor (TFT) may be formed on the substrate 1.
  • TFT thin film transistor
  • a polysilicon TFT is formed by a low-temperature process, it is preferable to use a substrate that does not melt at a temperature of 500 ° C. or lower and does not cause distortion.
  • a polysilicon TFT is formed by a high-temperature process, it is preferable to use a substrate that does not melt at a temperature of 1000 ° C. or less and does not cause distortion.
  • the anode 2 and the cathode 5 can be formed using a conventionally known electrode material.
  • Materials for the anode 2 for injecting holes into the organic layer 4 include metals having a high work function such as Au, Pt, and Ni; ITO, IDIXO ⁇ indium indium zinc oxide; In O (ZnO) ⁇ ,
  • Examples include a transparent conductive material such as SnO.
  • the cathode 5 for injecting electrons into the organic layer 4 includes a metal electrode in which a metal having a low work function such as CaZAl, Ce / AU Cs / AU BaZAl and a stable metal are laminated, a Ca: Al alloy, a Mg: Ag alloy, Metal electrode containing metal with low work function such as Li: A1 alloy, electrode combining insulating layer (thin film) such as LiF / AU LiF / Ca / AU BaF ZBaZAl and metal electrode
  • the anode 2 and the cathode 5 can be formed by vapor deposition, electron beam (Electro A dry process such as an n Beam (EB) method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a sputtering method, or a wet process such as a spin coating method, a printing method, and an ink jet method can be used.
  • electron beam Electro A dry process such as an n Beam (EB) method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a sputtering method, or a wet process such as a spin coating method, a printing method, and an ink jet method can be used.
  • the light emitting layer 4 may have a single-layer structure or a multilayer structure.
  • the light emitting layer 4 can be formed using a conventionally known organic light emitting material.
  • the light emitting layer 4 can be formed by dissolving a light emitting material in a solvent to prepare an organic light emitting layer forming coating liquid as in the present embodiment, and using it to perform a wet process.
  • the coating liquid for forming an organic light emitting layer is a solution containing at least one light emitting material, and may contain two or more light emitting materials.
  • the solvent used in the coating liquid for forming the organic light emitting layer is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the light emitting material.
  • the coating liquid for forming an organic light emitting layer may contain a resin for binding in addition to a light emitting material.
  • a leveling agent, a light emission assisting agent, a charge injection transport material, an additive (Donor, acceptor, etc.) and a luminescent dopant examples include polycarbonate and polyester.
  • the light emitting layer 4 may be formed by a dry process. The light emitting layer 4 formed by the dry process may also contain a light emitting assisting agent, a charge transporting material, an additive (donor, acceptor, etc.), a light emitting dopant, and the like.
  • a conventionally known light emitting material for an organic EL element can be used, but it is not particularly limited to this. Specifically, a precursor of a low molecular light emitting material, a high molecular light emitting material, a high molecular light emitting material, or the like can be used.
  • low molecular light emitting material examples include aromatic dimethylidene compounds such as 4,4,1-bis (2,2, diphenyl-biphenyl) -biphenyl (DPVBi), 5-methyl-2- [2- [4-1-1 Oxadiazole compounds such as (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole, 3- (4-biphenyl-)-4-phenyl-5-t-butylphenyl — Triazole derivatives such as 1,2,4 triazole (TAZ), styrylbenzene compounds such as 1,4 bis (2-methylstyryl) benzene, thiopyrazinedioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, Diphenoquinone derivatives, Examples include fluorescent organic materials such as a fluorenone derivative, fluorescent organic metal compounds such as an azomethine zinc complex, and (8-hydroxyquinolinato) aluminum
  • polymer light emitting material for example, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy]- 1,4-phenyl-alto-1,4-phenylene] dibromide (PPP—NEt 3+ ), poly [2- (2, -ethylhexyloxy)) 5-methoxy-1,4-phenylene- Len] (MEH-PPV), poly [5-methoxy-1- (2propanoxysulfoxide) -1,4 phen-lenvylene] (MPS-PPV), poly [2,5 bis (hexyloxy) Fluorescent organometallic compounds such as 1,4-phenylene- (1-cyano-virene)] (CN-PPV) and poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF).
  • the precursor of the polymer light emitting material include a
  • the hole transport layer 3 can be formed by a wet process using a coating liquid for forming a hole transport layer in which at least one type of hole transport material is dissolved in a solvent.
  • the coating liquid for forming a hole transport layer may contain two or more kinds of charge injection / transport materials. Further, the coating liquid for forming a hole transport layer may contain a resin for binding or may contain a leveling agent, an additive (donor, axceptor, etc.) in addition to the resin.
  • the binder resin for example, polycarbonate, polyester, or the like can be used.
  • the solvent used in the hole transport layer forming coating liquid is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the hole transport material.
  • the hole transport layer 3 may be formed by a dry process.
  • the hole transport layer 3 formed by the dry process may also contain additives (donor, receptor, etc.).
  • an inorganic P-type semiconductor material a vorphyrin compound, N, N, 1-bis (3-methylphenyl) N, N, 1-bis (phenyl) -1-benzidine (TPD), N, N, 1-di (naphthalene-1-yl) N, N, 1-diphenyl Aromatic tertiary amine compounds such as benzidine (NPD), low molecular weight materials such as hydrazonyi conjugates, quinacridone compounds, styrylamine conjugates, polyaline (PANI), 3,4 polyethylene dioxytio Fen Z Polymer materials such as polystyrene sulfonate (PEDOTZPSS), poly [triphenylamine derivative] (Poly-TPD), polybutyl rubazole (PVCz), and poly (p-phenylene-lene) precursor (Pre-PPV) And a polymer
  • Embodiment 2 according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • the inspection device for an organic EL device of the present embodiment is capable of estimating the life of the device without performing an aging test and discriminating a non-defective product. It can also be used to determine optimum conditions such as process conditions and materials.
  • the inspection apparatus includes an excitation light source 6 that irradiates a test element 7 with excitation light, a detector 9 that detects fluorescence emitted from the test element 7, a test element 7, and its surroundings.
  • a temperature control device 8 that can control the temperature of the laser beam and a data storage processing device 10 that can record and compare the detected PL intensity are provided. Note that the arrows in FIG. 10 schematically show the optical paths of the excitation light and the fluorescence.
  • the excitation light source 6 is not particularly limited as long as it can excite the light emitting material used in the element.
  • a light source that emits a laser beam having a center wavelength at 325, 337, or 365 nm For example, a light source device that extracts and emits light having an excitation wavelength that is optimal for a light-emitting material by using a monochromator with white light is used.
  • a nitrogen laser-excited dye laser center wavelength: 337 nm was used.
  • the detector 9 is not particularly limited as long as it can monitor the PL intensity of the test element 7, and for example, a device that monitors a photocurrent with a photodiode, or a device that measures a fluorescence spectrum with a spectroscope and uses the area thereof.
  • a device for monitoring the PL intensity may be used.
  • a system that includes a streak scope and a spectroscope and measures the fluorescence energy within a certain time is used.
  • the temperature control device 8 a cooling unit, a heater, a control device that controls the output of the cooling unit and the heater to control the temperature to an arbitrary temperature, and the like are used.
  • a control device using a cryostat is suitably used.
  • the force measured for the PL intensity at room temperature and at a very low temperature using a cryostat changes in the PL intensity closer to room temperature, If it clearly appears, for example, a liquid nitrogen cooling unit can be used to compare the PL intensity between room temperature and liquid nitrogen temperature (about 70K).
  • an inspection for the life characteristics of the organic EL element was performed as follows using an inspection apparatus for an organic EL element having the above-described configuration.
  • the characteristics shown in Fig. 4 were stored in the inspection device in advance.
  • the test sample 7 was injected there, the PL intensity at room temperature (300K) and the PL intensity at 5K were measured, and the intensity ratio was calculated by the data storage processor 10.
  • the element life of the test sample 7 was estimated by comparing the value of the intensity ratio obtained in this manner with the characteristics in FIG. An aging test was actually performed on this test sample 7 to confirm the results. As a result, almost the same results as the life estimations calculated by this test device were obtained.
  • the organic EL device inspection apparatus of the present embodiment it is not necessary to perform an aging test, so that the device life can be easily estimated in a short time without deteriorating the device. Further, the organic EL element after the inspection can be used as a practical product as it is because the element characteristics are not impaired by the inspection.
  • the following test was performed to find the optimum conditions of the element configuration of the organic EL element using the inspection device for the organic EL element having the above-described configuration.
  • an organic EL device using a new light-emitting material C an element having a structure in which ITO, PED III, light-emitting material C and a cathode are sequentially laminated, the film thickness of PEDOT, the light-emitting material C
  • the device was manufactured by changing the film thickness and the cathode material under various conditions. Among them, in order to find the condition with the best device life, the life of the device fabricated under each condition was estimated using an inspection device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional configuration of an organic electroluminescence element according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the temperature dependence of the photoluminescence intensity of the organic electroluminescent device according to Examples 1 and 2 of the present invention and the light emitting layer (single-layer film of the light emitting material) constituting the organic electroluminescent device. .
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the temperature dependence of the photoluminescence intensity of the organic electroluminescent element according to Comparative Example 1 and the light emitting layer (light emitting material single layer film) constituting the same.
  • FIG. 4 is a view for explaining the relationship between the reduction rate of the photoluminescence intensity of the organic electroluminescence element and the half-life of luminance.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a relationship between a photoluminescence intensity ratio Y and a half-life of luminance of an organic electroluminescence element.
  • FIG. 6 is a diagram showing a fluorescence decay characteristic of a device (1) according to Example 1 of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fluorescence decay characteristic of a light-emitting material A according to Examples 1 and 2 of the present invention in a solution state.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the temperature dependence of the photoluminescence intensity of the device (1) according to Example 1 of the present invention and the fluorescent components 1 and 2 thereof.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the temperature dependence of the photoluminescence intensity of the device (2) according to Example 2 of the present invention and the fluorescent components 1 and 2 thereof.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing a configuration of an inspection device for an organic electroluminescence element according to a second embodiment of the present invention.
  • Temperature control device Detector

Abstract

本発明は、寿命特性に優れた有機エレクトロルミネセンス素子、並びに、素子を劣化させることなく、短時間で簡便に寿命特性の良否を判別することができる有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置及び検査方法、並びに、有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。本発明は、少なくとも発光層を含む1層以上の有機層を電極で挟持する構造を有する有機エレクトロルミネセンス素子であって、上記有機エレクトロルミネセンス素子は、フォトルミネセンス強度が温度依存性を有し、300Kにおけるフォトルミネセンス強度が300K未満のいずれかの温度におけるフォトルミネセンス強度、好ましくは5Kにおけるフォトルミネセンス強度よりも強い有機エレクトロルミネセンス素子である。

Description

明 細 書
有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法、並びに、 有機エレクトロルミネセンス表示装置に関する。より詳しくは、有機エレクト口ルミネセ ンスディスプレイにおける電界発光素子として用いられる有機エレクトロルミネセンス 素子、並びに、その寿命特性を検査するのに好適な検査装置及び検査方法、並び に、有機エレクトロルミネセンス表示装置に関するものである。 背景技術
[0002] 近年、高度情報化に伴い、薄型、低消費電力、軽量のフラットパネルディスプレイ (F1 at Panel Display ;FPD)への要望が高まっている。中でも、有機発光材料を用い た有機エレクトロルミネセンス (Electroluminescence;以下、「EL」とも 、う)ディスプ レイは、低電圧で駆動でき、かつ高輝度表示を実現できることから、注目嫌めてい る。特に、近年の研究開発によって、有機 EL素子の発光効率は著しく向上しており、 有機 EL素子を備えた有機 ELディスプレイの実用化が始まっている。
[0003] 有機 EL素子に用いられる発光材料としては、低分子の有機 EL材料、高分子の有機 EL材料等が挙げられる。高分子の有機 EL材料を用いた一般的な有機 EL素子は、 例えば、ガラス基板上に、酸化インジウム錫(Indium Tin Oxide ;以下、「ITO」と もいう)からなる透明な陽極、 PEDOT/PSS { Poly (ethylene - dioxythiophene) /Poly (styrenesulfonate);ポリエチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスノレフ オン酸 }からなる正孔輸送層、高分子の有機 EL材料からなる発光層、及び、 CaZAl 等力もなる陰極が、順次積層された構造を有している。このような構造の有機 EL素子 は、輝度: lOOOOcdZm2以上、発光効率:数 lmZW〜十数 lmZW、寿命:数千〜 数万時間を達成することができると報告されている。
[0004] このような従来の有機 EL素子は、輝度や発光効率が充分に高いものの、寿命は実 際の商品への応用化を考えると充分とは言えず、応用範囲が限られたものであった。 そこで、有機 EL素子の寿命特性を向上させるために、従来からさまざまな対策が検 討されており、例えば、発光材料自体の改良 (例えば、特許文献 1参照。)や、陰極の 改良 (例えば、非特許文献 1参照。)に関する技術が提案されている。しかしながら、 これらの対策を講じても、有機 ELディスプレイは、液晶等を利用した他の FPDと比べ て、寿命が極端に短ぐ実用的で応用範囲の広い有機 EL素子を得るためには、改 善の余地があった。
また、有機 EL素子の物性値と寿命との関連性についての手がかりとなる知見が得ら れておらず、寿命を改善するために素子の特性をどのような特性にする必要がある のかという点に関する開発の指針が未だに判明していない点で改善の余地があった
[0005] 更に、従来の有機 EL素子の寿命検査では、検査対象の素子に対して実際に電界 印カロして発光させるエージング試験を行 、、素子の輝度半減時間を測定する方法が 一般的であり、このような検査方法では、検査に用いた素子が劣化してしまうため、検 查後に実用品として使用することができな力つた。また、エージング試験は長時間を 要するため、作業効率が非常に悪力つた。一方で、有機 EL素子は、極めて薄い膜 厚の層が積層された構造を有するため、各層の膜厚のムラに起因して素子の寿命に ばらつきが生じやすいが、素子の寿命を初期の発光特性力 判別することが困難で あり、初期の点灯試験において寿命特性に関する不良素子を選別することはできな かった。勿論、一つ一つの素子について寿命特性を測定することもできないため、従 来の有機 EL素子の検査工程では、寿命特性に関して素子間のばらつき抑制ゃ不 良素子の選別を充分に行うことができな力つた。
[0006] そして、有機 EL素子を構成する膜の材料や、その製造プロセス等を開発 ·改良して いく上では、最適な条件を見つけることが必要であり、通常では、ある条件で作製し た素子の寿命試験を行い、フィードバックをかけて、別の条件で作製した素子の寿命 試験を行うことにより、条件を最適化していく。このとき、従来の有機 EL素子の寿命検 查方法により寿命試験をそれぞれの条件で作製した素子に対して行うと、最適な条 件を見いだすために非常に長い時間が力かってしまう。従って、この点においても、 エージング試験を行うことなぐ素子の寿命特性に関する情報が得られることが期待 されている。 [0007] なお、有機 EL素子に用いられる発光材料の発光寿命特性については、近年におい ても、フォトルミネセンス(Photoluminescence ;以下、「PL」ともいう)強度の温度依 存性 (例えば、非特許文献 2参照。)や、積層膜における PL特性の変化 (例えば、非 特許文献 3参照。)に関連する研究に見られるように、有機 EL素子の発光特性を解 祈するための手段として広く用いられている。これは、発光材料の発光特性が、素子 の発光特性に大きな影響を与えるとともに、作製条件の異なる素子間の発光特性の 違いを明らかにするための指標として用いられることを示している。し力しながら、有 機 EL素子自体の PL特性にっ 、て検討した例は少なく、特に素子の PL特性と寿命 特性との関連性にっ 、て明らかにした例は、未だ報告されて 、な 、。
特許文献 1 :特表平 11— 508731号公報 (第 1、 2頁)(国際公開第 97/40648号パ ンフレット及び米国特許第 6326091号明細書に対応)
非特許文献 l :Yong Cao、外 3名, 「安定的な電子注入電極である高分子発光ダイ オード用超薄層ァノレカリ土類金属(Ultrathin layer alkaline earth metals as stable electron— injecting electrodes for polymer light emitting dio des) J , JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,米国, 2000年 9月 15日,第 88 卷,第 6号, p. 3618
非特許文献 2 :合志憲一、外 3名, 「低温における Ir (ppy) 3の特異な発光特性」,応 用物理学会学術講演会 2003春, p. 1412, 28p -A-4
非特許文献 3 :合志憲一、外 3名, 「Ir (ppy) 3の励起子拡散長の検討」応用物理学会 学術講演会 2003秋, p. 1206, la-YL- 7
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、寿命特性に優れた有機エレクト口 ルミネセンス素子、並びに、素子を劣化させることなぐ短時間で簡便にその寿命特 性を検査することができる有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置及び検査方法 、並びに、有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供することを目的とするものであ る。
課題を解決するための手段 [0009] 本発明者らは、有機エレクトロルミネセンス (EL)素子の寿命を大幅に向上させるた めには、より長寿命を目指して研究開発を行う際に、素子の劣化の真因に踏み込ん で検討することが必要であると考え、特に有機 EL素子におけるフォトルミネセンス (P L)特性に着目し、寿命特性との関連性について鋭意検討を重ねた。その結果、有 機 EL素子の寿命 (劣化による輝度の低下)と素子の PL強度の温度依存性との間に 関連性があること、すなわち寿命特性に優れた素子は、素子の PL強度が常温に比 ベて低温において低下することを見いだすとともに、その低下の程度により素子の寿 命を見積もることができることを見いだした。そこで、有機 EL素子の PL強度の温度依 存性に関し、 300Kにおける PL強度が 300K未満のいずれかの温度における PL強 度よりも強いものとすることで、長寿命の有機 EL素子とすることができ、初期特性の 測定のみで素子を劣化させることなぐ素子の不良選別を行うことが可能となることを 見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達した ものである。
[0010] すなわち、本発明は、少なくとも発光層を含む 1層以上の有機層を電極で挟持する 構造を有する有機エレクトロルミネセンス素子であって、上記有機エレクト口ルミネセ ンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 300K未満の!/、ずれかの温度 におけるフォトルミネセンス強度よりも強い有機エレクトロルミネセンス素子である。 なお、本願明細書における「以上」、「以下」は、当該数値を含むものである。
以下に本発明を詳述する。
[0011] 本発明の有機エレクトロルミネセンス (EL)素子は、少なくとも発光層を含む 1層以上 の有機層を電極で挟持する構造を有するものである。このような有機 EL素子を構成 する発光層は、電界を印加することによって発光する有機材料を含んで構成される 層である。有機層は、発光層等の有機材料を含んで構成される層が積層された構造 を有するものであり、通常では、発光層以外に、ホール注入層、ホール輸送層、電子 輸送層等を含むものである。本発明の有機 EL素子の好ましい形態としては、例えば 、基板、陽極、ホール輸送層、発光層及び陰極がこの順に積層されてなる形態等が 挙げられる。このとき、陽極及び陰極のうち少なくとも一方は透光性を有することが好 ましい。 本発明の有機 EL素子は、このような構成要素を必須として形成されるものである限り 、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよぐ特に限定されるものでは ない。本発明の有機 EL素子は、上述の構成を有することで、電極間に電界を印加す ることによって発光させることができ、通常では、交流電場等を作用させることにより発 光させる。
[0012] 上記有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 30 OK未満の!/、ずれかの温度におけるフォトルミネセンス強度よりも強 、ものである。フ オトルミネセンス強度 (PL強度)がこのような温度依存性を示す有機 EL素子は、寿命 特性に優れていることから、有機 ELディスプレイの電界発光素子として好適に用いる ことができる。より好ましい形態としては、 300Kにおける PL強度が 200K未満のいず れかの温度における PL強度よりも強い形態が挙げられ、更に好ましい形態としては、 300Kにおける PL強度が 300K未満の全ての温度における PL強度よりも強い形態 が挙げられる。
なお、本発明において、フォトルミネセンスとは、紫外線、可視光線、赤外線等の光に よる刺激で生じる蛍光現象を意味する。また、 PL強度は、単位時間に波長範囲 380 〜780nm (可視領域)蛍光として放出されるエネルギー又は光子数を意味し、ストリ ークスコープ、分光器等を用いることで測定することができる。
[0013] 本発明の有機 EL素子の好ましい形態について以下に詳しく説明する。
上記有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 5K におけるフォトルミネセンス強度よりも強 、ことが好ま 、。このような特性を有する有 機 EL素子は、優れた寿命特性をより確実に有するものである。なぜなら、発光材料 の PL強度の温度依存性は、材料の熱失活過程の温度依存性によるところが大きぐ その熱失活過程の存在が材料によっては絶対零度付近の温度において初めて顕著 になるものもあるため、有機 EL素子の PL強度の温度依存性を測定し、 300Kで測定 した PL強度と 5K程度の極低温条件で測定した PL強度とを比較することにより、素子 の寿命特性をより高精度に求めることができるからである。
[0014] 上記有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度を 1と したときの 5Kにおけるフォトルミネセンス強度を低温フォトルミネセンス強度比率と定 義すると、下記式(1)で表されるフォトルミネセンス強度比率 Yが 1以下であることが 好ましい。
[0015] [数 1]
Υ = (有機エレク トロルミネセンス素子の低温フォ トルミネセンス強度比率) / (発光層 の低温フォ トルミネセンス強度比率) (1 )
[0016] 上記式(1)で表される PL強度比率 Υが 1以下であるとは、有機 EL素子の低温フォト ルミネセンス強度比率が発光層の低温フォトルミネセンス強度比率よりも小さいことを 意味する。従って、このような特性を有する有機 EL素子は、寿命特性の向上に好適 な素子構成を有するものであり、寿命特性が特に優れたものである。 PL強度比率 Y は、 0. 5以下であることがより好ましい。
なお、上記式(1)中に示す発光層の低温 PL強度比率は、有機 EL素子の発光層と 同じ材質、同じ厚さ、同じ構成カゝらなる発光材料膜を作製し、この発光材料膜につい て低温 PL強度比率を測定することにより求めることができる。
[0017] 上記有機エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンスは、略同一の発光スぺタト ルを有し、かつ寿命が異なる 2以上の蛍光成分を含むものであり、上記 2以上の蛍光 成分は、いずれも 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 300K未満のいずれかの 温度におけるフォトルミネセンス強度よりも強いことが好ましい。これにより、寿命特性 が特に優れた有機 EL素子を提供することができる。より好ましい形態としては、 2以 上の蛍光成分の全てにっ 、て、 300Kにおける PL強度が 200K未満の!/、ずれかの 温度における PL強度よりも強い形態が挙げられ、更に好ましい形態としては、 2以上 の蛍光成分の全てについて、 300Kにおける PL強度が 300K未満の全ての温度に おける PL強度よりも強い形態が挙げられる。
なお、本発明において、上記 2以上の蛍光成分を含むとは、発光機構、すなわち光 励起状態からの蛍光による緩和過程が 2以上存在することを意味する。また、上記 2 以上の蛍光成分が略同一の発光スペクトルを有するとは、各々の発光機構に由来す る発光スペクトルの形状が実質的に同一であることを意味する。更に、 2以上の蛍光 成分の寿命が異なるとは、各々の発光機構に由来する蛍光成分の蛍光強度半減時 間が異なることを意味する。従って、上記 2以上の蛍光成分を含む有機 EL素子のフ オトルミネセンスについて、縦軸に対数表記の蛍光強度、横軸にリニア表記の経過時 間をとつたグラフで示すと、 PL強度の減衰特性が曲線状になる。
また、上記 2以上の蛍光成分は、いずれも 300Kにおける PL強度が 5Kにおける PL 強度よりも強いことが好ましい。このような特性を有する有機 EL素子は、特に優れた 寿命特性をより確実に有するものである。
[0018] 本発明はまた、有機エレクトロルミネセンス素子の寿命特性を検査する装置であって 、上記有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置は、有機エレクトロルミネセンス素 子の発光層を構成する発光材料を励起させる光源と、有機エレクトロルミネセンス素 子のフォトルミネセンス強度を検出する検出手段と、有機エレクトロルミネセンス素子 及び Z又はその近傍の温度を制御する温度制御手段と、検出手段により測定された フォトルミネセンス強度を記憶するデータ記憶手段と、異なる温度で測定されたフォト ルミネセンス強度を比較するデータ処理手段とを備えたものである有機エレクト口ルミ ネセンス素子の検査装置でもある。
[0019] 上記光源としては特に限定されず、 325、 337又は 365nmに中心波長を有するレー ザ一光を出射するレーザー装置や、白色光力 モノクロメーターによって発光材料に 最適な励起波長の光のみを取り出して出射する光源装置等が用いられる。上記検出 手段としては、光源力 の射出光により光励起した有機 EL素子の PL強度を検出す ることができ るものであれば特に限定されず、フォトダイオードで光電流をモニター する装置、分光器によって測定された蛍光スペクトルの面積を使って PL強度をモ- ターする装置等が挙げられる。上記温度制御手段としては特に限定されず、冷却ュ ニット及びヒーターを備え、それらの出力を制御することで任意の温度に制御する装 置や、クライオスタツトを用いた制御装置等が挙げられる。上記データ記憶手段として は、検出手段にて得られたデータを記憶することができるものであればよぐ特に限 定されるものではない。上記データ処理手段は、データ記憶手段にて記憶されたデ ータを用いて、異なる温度で測定された有機 EL素子の PL強度を比較することができ るものであればよぐ特に限定されるものではない。
[0020] 上記有機 EL素子の検査装置によれば、エージング試験を行うことなく有機 EL素子 の寿命特性を検査することができ、素子を劣化させることなぐ短時間で簡便に寿命 特性に劣る素子の選別を行うことができる。また、このような検査装置を利用して有機 EL素子の開発を行うことで、発光材料の選択、素子を構成する膜の膜厚等の設計 に関し、素子の構成条件、製造プロセス条件等の最適化を容易に行うことができる。 本発明の有機 EL素子の検査装置の好ま 、形態としては、 300Kで測定された有 機 EL素子の PL強度と 5Kで測定された有機 EL素子の PL強度とをデータ処理手段 により比較する形態が挙げられる。このような形態では、素子の寿命特性をより高精 度に測定することができる。また、本発明の有機 EL素子の検査装置としては、光源 や各手段が互いに組み合わされた形態であってもよぐ例えば、データ記憶手段とデ ータ処理手段とが組み合わされて一体にされた形態等であってもよい。
[0021] 本発明は更に、有機エレクトロルミネセンス素子の寿命特性を検査する方法であって 、上記有機エレクトロルミネセンス素子の検査方法は、少なくとも 2つの異なる温度で 有機エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンス強度を検出し、その比力も有機 エレクトロルミネセンス素子の寿命特性を検査する有機エレクトロルミネセンス素子の 検査方法でもある。上記有機エレクトロルミネセンス素子の検査方法によれば、エー ジング試験を行うことなく有機 EL素子の寿命特性を検査することができ、素子を劣化 させることなぐ短時間で簡便に寿命特性に劣る素子の選別を行うことができる。また 、このような検査装置を利用して有機 EL素子の開発を行うことで、発光材料の選択、 素子を構成する膜の膜厚等の設計に関し、素子の構成条件、製造プロセス条件等 の最適化を容易に行うことができる。
[0022] 本発明はそして、上記有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置、又は、上記有機 エレクトロルミネセンス素子の検査方法を用いて得られた有機エレクトロルミネセンス 素子でもある。このような有機 EL素子は、上記有機 EL素子の検査装置、又は、上記 有機 EL素子の検査方法を利用して寿命特性に関する高精度の選別を行った後に 得られるものであること力ゝら、優れた寿命特性を有し、有機 ELディスプレイの電界発 光素子として好適に用いることができるものである。
[0023] 本発明はまた、上記有機エレクトロルミネセンス素子を備える有機エレクト口ルミネセ ンス表示装置でもある。このような有機 EL表示装置 (有機 ELディスプレイ)は、長寿 命化を実現することができるものである。 発明の効果
[0024] 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子によれば、 300Kにおけるフォトルミネセン ス強度が 300K未満のいずれかの温度におけるフォトルミネセンス強度よりも強いこと から、素子寿命の長い素子を提供することができる。このような素子寿命の長い有機 エレクトロルミネセンス素子は、有機エレクトロルミネセンスディスプレイの電界発光素 子として好適に用いることができるものである。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下に実施例を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明する力 本 発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
[0026] <実施形態 1 >
図 1は、実施形態 1の有機エレクトロルミネセンス (EL)素子の構成を模式的に示した 断面図である。
図 1に示すように、本実施形態の有機 EL素子は、基板 1の上に、 ITO等力もなる陽 極 2、ホール輸送層 3、発光層 4及び陰極 5が順次形成された構成を有している。 図 1に示す有機 EL素子は、例えば以下のような方法で作製される。
まず、絶縁性の表面を有する基板 1上に陽極 2を形成する。本実施形態では、 30m m X 30mm角のガラス基板 1の表面に予め ITO (酸化インジウム一酸ィ匕錫)からなる 陽極 2が形成された電極付基板を用意しておき、洗浄を行った。電極付基板の洗浄 方法としては、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol ;IPA )等を用いて、超音波洗浄を 10分間行った後、紫外線 (UV)—オゾン洗浄を 30分間 行う方法等が挙げられる。これにより、陽極 2が形成される。
[0027] 次に、陽極 2の表面にホール輸送層 3 (厚さ:例えば 60nm)を、例えば以下に示す方 法で形成する。まず、 PEDOTZPSSを純水に分散させることにより、ホール輸送層 形成用塗液を作製する。次に、このホール輸送層形成用塗液を陽極 2の表面にスピ ンコーターを用いて塗布する。その後、高純度窒素雰囲気中で、電極付基板を加熱 乾燥(200°C、 5分間)することにより、ホール輸送層形成用塗液中の溶媒を除去する 。これにより、ホール輸送層 3が形成される。
更に、発光層 4 (厚さ:例えば 80nm)を、例えば以下に示す方法で形成する。まず、 高分子の発光材料をキシレンに溶かすことにより、発光層形成用塗液を作製する。 次に、この発光層形成用塗液をホール輸送層 3の表面にスピンコーターを用 Vヽて塗 布する。その後、高純度窒素雰囲気中で、加熱乾燥することにより、発光層形成用塗 液中の溶媒を除去する。これにより、発光層 4が形成される。
[0028] この後、陰極 5を、例えば以下に示す方法で形成する。まず、発光層 4が形成された 基板 1を金属蒸着用チャンバ一に固定する。次に、発光層 4の表面に真空蒸着法に よりカルシウムを堆積 (厚さ:例えば 30nm)させ、続 ヽて同じ方法で銀を堆積 (厚さ: 例えば 300nm)させる。これにより、対向陰極 5が形成される。
最後に、 UV硬化榭脂を用いて、基板 1に封止用ガラス(図示せず)を貼り合わせるこ とにより、有機 EL素子が完成する。
[0029] 本実施形態では、発光材料及びプロセス条件を変更して有機 EL素子を作製するこ とにより、本発明の作用効果を確認した。
(実施例 1)
実施例 1の有機 EL素子 (以下、素子(1)ともいう)は、ポリフルオレン系緑色発光材料 Aを焼成温度 150°Cで加熱乾燥することにより発光層 4を形成したものである。なお、 ポリフルオレン系緑色発光材料 Aは、アルキル鎖 R、 R'を有するフルオレン環と、少 なくとも 1以上の芳香族ァリールイ匕合物のユニット Ar (Ar' )との共重合ィ匕合物であり、 その化学式は、下記式 (A)で表される。また、ポリフルオレン系緑色発光材料 Aの分 子量は、数十万であり、ガラス転移点は、共重合させるユニットによって異なる。
[0030] [化 1]
Figure imgf000011_0001
[0031] 上記式 (A)中、 R、 R'は、アルキル鎖を表し、 Ar、 Ar'は、芳香族ァリール化合物の ユニットを表し、 1、 mは、 1以上の整数であり、 nは、 0又は 1以上の整数である。芳香 族ァリール化合物としては、ジメチルベンゼン、ピリジン、ベンゼン、アントラセン、スピ ロビフルオレン、力ルバゾールユニット、ベンゾァミン、ビピリジン、ベンゾチアジアゾ ール等が用いられる。
素子(1)のエージング試験による輝度半減時間の測定結果は、初期輝度 lOOOcdZ m2において、 3600時間であった。
[0032] (実施例 2)
実施例 2の有機 EL素子 (以下、素子(2)ともいう)は、ポリフルオレン系緑色発光材料 Aを焼成温度 90°Cで加熱乾燥することにより発光層 4を形成したものである。素子(2 )のエージング試験による輝度半減時間の測定結果は、初期輝度 lOOOcdZm2にお いて、 720時間であった。
[0033] (比較例 1)
比較例 1の有機 EL素子 (以下、素子(3)ともいう)は、ポリフルオレン系緑色発光材料 Bを焼成温度 150°Cで加熱乾燥することにより発光層 4を形成したものである。素子( 3)のエージング試験による輝度半減時間の測定結果は、初期輝度 lOOOcdZm2に おいて、 60時間であった。
[0034] 素子(1)〜(3)の PL強度の温度依存性を測定した。また、比較のために、発光材料 A、 B力 なる単層膜の PL強度の温度依存性も測定した。その結果を以下に示す。 なお、発光材料 A、 Bからなる単層膜を形成する際の焼成温度はそれぞれ 150°C (発 光材料 A)、 150°C (発光材料 B)であった。
[0035] 図 2は、素子(1)、 (2)及び発光材料 Aカゝらなる単層膜の PL強度の温度依存性を示 すグラフである。なお、 PL強度の絶対値による比較は難しいので、常温(300K)に おける PL強度を 1に規格ィ匕して図示して!/、る。
図 2によれば、発光材料 Aからなる単層膜の PL強度は温度の低下とともに上昇し、 5 Kにおける PL強度は、 300Kにおける PL強度の 1. 24倍になっている。一方、素子( 1)、(2)に関しては、 PL強度は温度の低下とともに低下し、 5Kにおける PL強度は、 300Kにおける PL強度よりも弱くなつていることが分かる。
[0036] これらの現象について以下に説明する。
発光材料 A力 なる単層膜の PL強度の温度依存性にっ 、ては、一般的な蛍光材料 における温度依存性と同じ傾向である。すなわち、蛍光材料の PL強度は量子収率 Φによって決まり、量子収率 Φは、下記式(2)、(3)に示すように規定される。 [0037] [数 2] φ = k X て ( 2 )
[0038] [数 3]
Figure imgf000013_0001
/ ( k r + k n r + k ; s c ) ( 3 )
[0039] 上記式(2) (3)中、 kは発光の速度定数、 τは蛍光寿命、 k は非発光失活の速度 定数、 k は内部項間交差の速度定数を表す。
上記式(2)によると、 PL強度、すなわち量子収率 Φは蛍光寿命 τに比例する。また 、上記式(3)に示す蛍光寿命 τの構成成分のうち、 k及び k は温度依存性をもたな いが、 k
nrは熱失活成分であり、低温では小さくなる。従って、低温ィ匕により、蛍光寿命 τの値が大きくなるので、量子収率 Φは大きくなり、結果的に PL強度が強くなること になる。
[0040] しかしながら、発光材料 Aを用いて作製した素子(1)、(2)では、 PL強度は低温ィ匕に 伴い低下する。これは、素子(1)、(2)では、図 1に示すように、発光層 4がホール輸 送材料 3及び陰極 5に挟まれていることによって形成される発光層 4とホール輸送材 料 3との界面、及び、発光層 4と陰極 5との界面において、励起光によって生成された 励起子がクェンチング (消光)されることによるものと考えられる。クェンチンダサイトと しては、単に非発光性のホール輸送材料 3や陰極 5であるとも、界面の相互作用によ つて新たに生じた非発光状態であるとも考えられる。励起子のクェンチングは、励起 子が積層界面に生じたクェンチンダサイトまで拡散し、消光することによって生じる。 また、ここでの励起子の拡散モードは共鳴型の拡散 (フェルスター型移動)もしくは励 起子の拡散 (励起子の分子鎖内もしくは分子間での非局在化)であると考えられる。 このようにして生じる PL強度の低下に温度依存性があると 、うことは、有機 EL素子の 低温ィ匕に伴う PL強度の低下の要因としては、低温化に伴う励起子の拡散長の伸長 化やクェンチンダサイトの増加等が考えられる。すなわち、有機 EL素子の PL強度の 低下の違いは、積層することによって生じた発光層 4とホール輸送材料 3との界面、 及び、発光層 4と陰極 5との界面における相互作用や、バルタ自身の励起子の拡散 特性の違いによって起こると考えられる。
ここで、素子(1)、(2)を比較すると、輝度半減時間の長い素子(1)の方が、 300Kか ら 5Kにかけて起こる PL強度の低下が大きいことが分かる。これは、素子(1)の方が、 界面の相互作用や励起子の拡散特性が大き 、ことを示して!/、る。
[0041] 次に、素子(3)に関し、素子(1)、(2)と同様に、素子(3)及び発光材料 Bからなる単 層膜の PL強度の温度依存性を図 3に示す。
図 3によれば、発光材料 Bからなる単層膜は、発光材料 A力もなる単層膜のときと同 様に、 5Kにおける PL強度の方が 300Kにおける PL強度に比べて大きくなつている 。一方、素子(3)は、素子(1)、 (2)と異なり、 5Kにおける PL強度の方が 300Kにお ける PL強度に比べて大きくなつている。これは、素子(3)が、素子(1)、 (2)に比べて 、発光材料 4とホール輸送材料 3との界面、及び、発光層 4と陰極 5との界面の相互 作用が弱 、系であることや、励起子の拡散が起こりく 、系であることを示唆して 、る。 このような素子(3)は、輝度半減時間が素子(1)、 (2)に比べて非常に短い。
これらの結果から、有機 EL素子の輝度半減時間と PL強度の温度依存性との間には 、明確な関連性があることが分力つた。
[0042] 図 4は、 300Kから 5Kへの低温ィ匕に伴う有機 EL素子の PL強度低下率と輝度半減 時間との関連性について示したものである。図 4における PL強度低下率とは、下記 式 (4)で表されるものであり、 PL強度低下率力^より大きいということは、その有機 EL 素子の PL強度が低温ィ匕に伴い低下することを意味し、 PL強度低下率が 0より小さい ということは、その有機 EL素子の PL強度が低温ィ匕に伴い上昇することを意味する。 図 4より、 300Kから 5Kへの低温化に伴う有機 EL素子の PL強度の低下率が大きい ほど、素子寿命が長くなることが分かる。
[0043] [数 4]
P L強度低下率 (%) = { ( 3 0 0 Kにおける P L強度) 一 ( 5 Kにおける P L強度) } / ( 3 0 0 Kにおける P L強度) X I 0 0 ( 4 )
[0044] 図 5は、 PL強度比率 Yと有機 EL素子の輝度半減時間との関連性について示したも のである。 PL強度比率が 1より小さいということは、有機 EL素子の低温ィ匕に伴う PL強 度の低下が、発光材料単層膜のそれに比べて小さいことを意味し、 PL強度比率 Yが 1より大きいということは、有機 EL素子の低温ィ匕に伴う PL強度の低下が、発光材料 単層膜のそれに比べて大きいことを意味する。図 5より、 PL強度比率 Yが小さいほど 、素子寿命が長くなることが分かる。発光材料によっては、光励起状態の熱失活が大 きいものがあり、このような発光材料を用いた有機 EL素子では、 300Kから 5Kへの 低温ィ匕に伴い PL強度が上昇してしまう可能性がある。このような場合、素子化による PL強度の低下の程度を見積もることができないが、発光材料単層膜との比較によつ て、素子化することによる PL強度の低下度合いを見積もることができ、その結果、素 子寿命を見積もることが可能となる。
[0045] また本実施形態では、素子(1)〜(3)以外で、発光層の材料やプロセス条件を変え て作製した素子の特性についても、ほぼ図 4、 5に示す特性曲線上に再現されること が分力つた。従って、図 4、 5は、様々な素子の PL強度の温度依存性と素子寿命との 関係を明確に表していると言える。これらの結果から、 PL強度の温度依存性が大き V、素子構成とすることで、寿命特性に優れた素子を得ることができることが分力ゝつた。
[0046] 更に、素子(1)に対して、 PL強度の時間分解特性をストリークカメラ (浜松ホトニタス 社製)で測定したところ、図 6に示すような蛍光強度減衰曲線が得られた。この減衰曲 線により、素子(1)の PL強度を形成する成分が 2種類あることが分力つた。通常、有 機 EL素子等に用いられる蛍光化合物の蛍光減衰曲線は、図 7に示すように、指数 関数的な減衰特性を示し、その蛍光成分は単一であることが多い。なお、図 7は、今 回用いた発光材料 Aの溶液状態における蛍光減衰特性を示すものである。単一の 蛍光成分は、その減衰特性が下記式(5)で表される。
[0047] [数 5]
I = A e p r ( 5 )
[0048] 上記式(5)中、 Iは PL強度、 Aは蛍光成分の初期の PL強度(定数)、 ては蛍光寿命 を表す。図 7に示すように、横軸に減衰時間をリニア表記し、縦軸に PL強度を対数表 記した片対数グラフにおいて、蛍光成分は通常、直線状の減衰特性を示すことにな る。し力しながら、図 6に示すように、減衰特性が曲線状になる場合には、単一の蛍光 成分では説明できず、異なる蛍光寿命を有する複数の蛍光成分によって構成されて いることが示唆される。この場合、例えば、蛍光成分が Α、 Β、 · · '等のように数種類あ る場合には、蛍光減衰特性は、簡易的に下記式 (6)で表され、 PL強度 Iは、複数の 蛍光成分の PL強度の和になると考えられる。
[0049] [数 6]
I = A e x p r A + B e x p ir B + · · · ( 6 )
[0050] 上記式 (6)中、 A、B等は各蛍光成分の初期の PL強度(定数)を表し、 τ 、 τ 等は
A B
各蛍光成分の蛍光寿命を表す。このように蛍光成分が複数あるということは、略同一 の発光スペクトルとなる複数の発光機構があることを示している。
[0051] 実施例 2にて用いた発光材料 Aは、溶液状態では図 7に示すように蛍光成分を一 つしか有さないにもかかわらず、薄膜状態、すなわち素子中では図 6に示すように 2 種類の蛍光成分を有するようになる。これは、溶液状態では、発光材料が溶液中で 広がりをもち、単一の発光機構によって蛍光を発するが、薄膜状態では、発光材料 が膜内でより凝集されることで、構成分子内又は分子間の相互作用が大きくなり、 2 種類の発光機構を有することになつたと考えられる。なお、比較例 1にて用いた発光 材料 Bは、溶液状態のみならず、薄膜状態 (素子(3) )においても蛍光成分が単一で あり、素子寿命が非常に短力つた。従って、素子状態で複数の蛍光成分を有する素 子であれば、素子寿命に優れた素子を提供することができることが分かった。
[0052] さて、素子(2)に関しても同様に 2種類の蛍光成分が存在している。素子(1)、(2)に おける 2種類の蛍光成分は、それぞれ蛍光寿命が 2nseC程度の成分と 7nSec程度の 成分であった。以下、蛍光寿命が 2nsecのものを蛍光成分 1とし、 7nsecのものを蛍 光成分 2とする。
ここで、図 6で得られた素子(1)の蛍光減衰曲線を蛍光成分 1、 2に分離し、それぞれ の蛍光成分の PL強度の温度依存性を図 8に示した。素子(2)に関しても、蛍光減衰 曲線から蛍光成分 1、 2を分離し、それぞれの蛍光成分の PL強度の温度依存性を図 9に示した。素子(1)に関しては、図 8より、 5Kにおける PL強度は、蛍光成分 1が 0. 46程度、蛍光成分 2が 0. 25程度にまで相対的に低下していることが分かる。一方、 素子(2)に関しては、図 9より、蛍光成分 1は低温ィ匕による PL強度の変化がほとんど なぐ蛍光成分 2は PL強度が 0. 35程度にまで相対的に低下しているものの、素子( 1)と比べれば、その低下の程度は小さ力つた。
従って、有機 EL素子が複数の蛍光成分を有する場合には、それぞれの蛍光成分に ついて、極低温(5K)における PL強度力 常温(300K)における PL強度よりも低下 するような素子であれば、素子寿命が長い素子であることが分かる。また、それぞれ の蛍光成分の常温力 極低温への低温ィ匕に伴う PL強度の低下の程度が大きいほど 、寿命がより長 、素子を提供することができることが分かる。
[0053] 以下、有機 EL素子の構成材料について説明する。
本実施形態における基板 1としては、絶縁性の表面を有するものが好ましぐ例えば 、ガラス、石英等の無機材料から形成される基板、ポリエチレンテレフタレート等のプ ラスチック力 形成される基板、アルミナ等のセラミックス力 形成される基板、アルミ -ゥムや鉄等の金属基板に SiOや有機絶縁材料等の絶縁物をコートした基板、金
2
属基板の表面に陽極酸ィ匕法等の方法により絶縁ィ匕処理を施した基板等を広く用い ることがでさる。
[0054] 基板 1上には、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor; TFT)等のスイッチング 素子が形成されて ヽてもよ ヽ。低温プロセスでポリシリコン TFTを形成する場合には 、 500°C以下の温度で融解したり、歪みが生じたりしない基板を用いることが好ましい 。また、高温プロセスでポリシリコン TFTを形成する場合には、 1000°C以下の温度で 融解したり、歪みが生じたりしな 、基板を用 、ることが好ま 、。
[0055] 陽極 2及び陰極 5は、従来公知の電極材料を用いて形成することができる。
有機層 4にホールを注入する陽極 2の材料としては、 Au、 Pt、 Ni等の仕事関数が高 い金属や、 ITO、 IDIXO{酸化インジウム インジウム亜鉛酸化物; In O (ZnO) }、
2 3 n
SnO等の透明導電材料等が挙げられる。
2
有機層 4に電子を注入する陰極 5としては、 CaZAl、 Ce/AU Cs/AU BaZAl等 の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層した金属電極、 Ca:Al合金、 Mg :Ag 合金、 Li :A1合金等の仕事関数の低い金属を含有する金属電極、 LiF/AU LiF/ Ca/AU BaF ZBaZAl等の絶縁層(薄膜)及び金属電極を組み合わせた電極等
2
が挙げられる。陽極 2及び陰極 5の形成方法としては、蒸着法、電子ビーム (Electro n Beam; EB)法、分子線ェピタクシー(Molecular Beam Epitaxy; MBE)法、 スパッタ法等のドライプロセス、又は、スピンコート法、印刷法、インクジェット法等のゥ エツトプロセスを用いることができる。
[0056] 発光層 4は、一層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
発光層 4は、従来公知の有機発光材料を用いて形成することができる。発光層 4は、 本実施形態のように、発光材料を溶媒に溶かすことにより有機発光層形成用塗液を 作製し、それを用いてウエットプロセスにより形成することができる。有機発光層形成 用塗液は、少なくとも 1種の発光材料を含有した溶液であり、 2種以上の発光材料を 含有していてもよい。有機発光層形成用塗液に用いられる溶媒としては、発光材料 を溶解又は分散できるものであれば特に限定されず、例えば、純水、メタノール、ェ タノール、テトラヒドロフラン(Tetrahydrofuran;THF)、クロ口ホルム、トルエン、キシ レン、トリメチルベンゼン等を用いることができる。また、有機発光層形成用塗液は、 発光材料の他に、結着用の榭脂を含有していてもよぐその他に、レべリング剤、発 光アシスト剤、電荷注入輸送材料、添加剤(ドナー、ァクセプター等)、発光性のドー パント等を含有していてもよい。結着用榭脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリ エステル等が挙げられる。また、発光層 4はドライプロセスによって形成されてもよい。 ドライプロセスにより形成される発光層 4もまた、発光アシスト剤、電荷輸送材料、添加 剤(ドナー、ァクセプター等)、発光性のドーパント等を含有していてもよい。
[0057] 発光層 4の発光材料としては、有機 EL素子用の従来公知の発光材料を用いることが できるが、特にこれに限定されるものではない。具体的には、低分子発光材料、高分 子発光材料、高分子発光材料の前駆体等を用いることができる。
低分子発光材料としては、例えば、 4, 4,一ビス(2, 2,ージフエ-ルビ-ル)ービフエ ニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリデ ン化合物、 5—メチルー 2— [2— [4一(5—メ チル 2—ベンゾォキサゾリル)フエニル]ビニル]ベンゾォキサゾール等のォキサジ ァゾール化合物、 3— (4—ビフエ-ルイル)—4—フエ-ルー 5— t—ブチルフエ-ル —1, 2, 4 トリァゾール (TAZ)等のトリァゾ—ル誘導体、 1, 4 ビス(2—メチルスチ リル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チォピラジンジォキシド誘導体、ベンゾ キノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフヱノキノン誘導体、フ ルォレノン誘導体等の蛍光性有機材料、ァゾメチン亜鉛錯体、(8—ヒドロキシキノリ ナト)アルミニウム錯体 (Alq3)等の蛍光性有機金属化合物等が挙げられる。高分子 発光材料としては、例えば、ポリ(2 デシルォキシ 1, 4 フエ-レン)(DO— PPP )、ポリ [2, 5 ビス一 [2— (N, N, N トリェチルアンモ-ゥム)エトキシ]—1, 4 フ ェ-ル—アルト— 1, 4 フエ-ルレン]ジブロマイド(PPP— NEt3+)、ポリ [2— (2, - ェチルへキシルォキシ) 5—メトキシ一 1, 4 フエ-レンビ-レン] (MEH-PPV) 、ポリ [5—メトキシ一(2 プロパノキシサルフォ-ド)一 1, 4 フエ-レンビ-レン] ( MPS— PPV)、ポリ [2, 5 ビス一(へキシルォキシ) 1, 4 フエ-レン一(1—シァ ノビ-レン)] (CN— PPV)、ポリ(9, 9ージォクチルフルオレン)(PDAF)等の蛍光性 有機金属化合物が挙げられる。高分子発光材料の前駆体としては、例えば、 PPV前 駆体、 PNV前駆体、 PPP前駆体等が挙げられる。
[0058] ホール輸送層 3は、本実施形態のように、少なくとも 1種のホール輸送材料を溶媒に 溶かしたホール輸送層形成用塗液を用いて、ウエットプロセスにより形成することがで きる。ホール輸送層形成用塗液は、 2種以上の電荷注入輸送材料を含有していても よい。また、ホール輸送層形成用塗液は、結着用の榭脂を含有していてもよぐその 他に、レべリング剤、添加剤(ドナー、ァクセプター等)等を含有していてもよい。結着 用榭脂は、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル等を用いることができる。また、ホ ール輸送層形成用塗液に用いられる溶媒としては、ホール輸送材料を溶解又は分 散できるものであれば特に限定されず、例えば、純水、メタノール、エタノール、 THF 、クロ口ホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等を用いることができる。また、ホール輸 送層 3は、ドライプロセスによって形成されてもよい。ドライプロセスにより形成されるホ ール輸送層 3もまた、添加剤(ドナー、ァクセプター等)等を含有していてもよい。
[0059] ホール輸送材料としては、有機 EL素子用、有機光導電体用の従来公知のホール輸 送材料を用いることができ、例えば、無機 P型半導体材料、ボルフイリンィ匕合物、 N, N,一ビス一(3-メチルフエ-ル) N, N,一ビス一(フエ-ル)一ベンジジン(TPD)、 N, N,一ジ(ナフタレン- 1 -ィル) N, N,一ジフエ-ルーベンジジン(NPD)等の芳 香族第三級ァミン化合物、ヒドラゾンィ匕合物、キナクリドン化合物、スチリルアミンィ匕合 物等の低分子材料、ポリア-リン (PANI)、 3, 4 ポリエチレンジォキシチォフェン Z ポリスチレンサルフォネイト(PEDOTZPSS)、ポリ [トリフエ-ルァミン誘導体] (Poly —TPD)、ポリビュル力ルバゾール(PVCz)等の高分子材料、ポリ(p—フエ-レンビ -レン)前駆体(Pre— PPV)、ポリ(p—ナフタレンビ-レン)前駆体(Pre— PNV)等 の高分子材料前駆体等を用いることができる。
[0060] <実施形態 2>
本発明に係る実施形態 2について、図 10を参照して説明する。本実施形態の有機 E L素子の検査装置は、エージング試験を行うことなぐ素子寿命の見積もりを行い、良 品を判別することができるものである。また、プロセス条件や材料等の最適条件を判 別するのに利用することができるものでもある。
本実施形態に係る検査装置は、図 10に示すように、試験素子 7に励起光を照射する 励起光源 6、試験素子 7から放射される蛍光を検知する検知器 9、試験素子 7やその 周辺の温度を制御することができる温度制御装置 8、及び、検知された PL強度を記 録し、比較することができるデータ記憶処理装置 10を備えている。なお、図 10中の 矢印は、励起光及び蛍光の光路を模式的に示したものである。
[0061] 励起光源 6は、素子に用いられている発光材料を励起させることができる光源であれ ば特に限定されず、例えば、 325、 337又は 365nmに中心波長を有するレーザー 光を出射する光源や、白色光をモノクロメーターによって発光材料に最適な励起波 長の光を取り出して出射する光源装置等が用いられる。本実施形態では、窒素レー ザ一励起色素レーザー(中心波長: 337nm)を用いた。検知器 9は、試験素子 7の P L強度をモニターできる装置であれば特に限定されず、例えば、フォトダイオードで光 電流をモニターする装置や、分光器によって蛍光スペクトルを測定し、その面積を用 いて PL強度をモニターする装置等が挙げられる。本実施形態では、ストリークスコ一 プと分光器とを備え、一定時間内での蛍光エネルギーを測定する系を用いた。
[0062] 温度制御装置 8としては、冷却ユニット、ヒーター、及び、それらの出力を制御して任 意の温度に制御する制御装置等が用いられる。本発明では、常温(300K)及び極 低温(5K)における PL強度を測定することが好ましいので、クライオスタツトを用いた 制御装置が好適に用いられる。本実施形態では、クライオスタツトを用いて常温時及 び極低温時における PL強度を測定した力 PL強度の変化が常温により近 、領域で 明確に現れるような場合には、例えば、液体窒素による冷却ユニットを用いて、常温と 液体窒素温度 (約 70K)との PL強度を比較することもできる。
[0063] (実施例 3)
本実施例では上述したような構成を有する有機 EL素子の検査装置を用い、以下の ようにして有機 EL素子の寿命特性に関する検査を行った。
まず、常温及び極低温時における素子の PL強度の強度比から良品選別を行うため に、図 4に示すような特性を検査装置に予め記憶させた。そこに試験サンプル 7を投 入し、常温(300K)での PL強度と、 5Kでの PL強度とを測定し、その強度比をデータ 記憶処理装置 10によって計算させた。このようにして得られた強度比の値と図 4にお ける特性とを比較することで、試験サンプル 7の素子寿命を見積もった。結果確認の ために、この試験サンプル 7について、実際にエージング試験を行ったところ、本検 查装置で算出した寿命の見積もりとほぼ同じ結果が得られた。
本実施形態の有機 EL素子の検査装置によれば、エージング試験を行う必要がない ので、素子を劣化させることなぐ短時間で簡便に素子寿命を見積もることができる。 また、検査後の有機 EL素子は、検査によって素子特性が損なわれることがないので 、実用品としてそのまま用いることができる。
[0064] (実施例 4)
本実施例では、上述したような構成を有する有機 EL素子の検査装置を用いて、有機 EL素子の素子構成の最適条件を見つけるために、以下のような試験を行った。 ある新規な発光材料 Cを用いた有機 EL素子の最適条件を探すために、 ITO、 PED ΟΤ、発光材料 C及び陰極を順次積層した構造を有する素子であって、 PEDOTの 膜厚、発光材料 Cの膜厚及び陰極材料を様々な条件に変更して素子を作製した。こ の中で、最も素子寿命の良い条件を見つけるため、検査装置を用いて各条件で作製 した素子の寿命をそれぞれ見積もった。その結果、測定により得られた PL強度の比 を予め記憶させた図 4の特性データと比較することにより、最も良い条件を見つけるこ とができた。本実施例においても、有機 EL素子を実際にエージングすることなぐ素 子の寿命特性を見積もることができたので、短時間で簡便に素子作製の最適条件を 見つけることができた。 [0065] なお、本願は、 2004年 6月 16曰に出願された曰本国特許出願第 2004— 178600 号を基礎として、合衆国法典 35卷第 119条に基づく優先権を主張するものである。 該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれて 、る。
図面の簡単な説明
[0066] [図 1]実施形態 1に係る有機エレクトロルミネセンス素子の断面構成を模式的に示す 断面図である。
[図 2]本発明の実施例 1、 2に係る有機エレクトロルミネセンス素子、及び、それを構成 する発光層(発光材料単層膜)のフォトルミネセンス強度の温度依存性を説明する図 である。
[図 3]比較例 1に係る有機エレクトロルミネセンス素子、及び、それを構成する発光層( 発光材料単層膜)のフォトルミネセンス強度の温度依存性を説明する図である。
[図 4]有機エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンス強度の低下率と輝度半減 時間との関係を説明する図である。
[図 5]フォトルミネセンス強度比率 Yと有機エレクトロルミネセンス素子の輝度半減時 間との関係を説明する図である。
[図 6]本発明の実施例 1に係る素子(1)の蛍光減衰特性を示す図である。
[図 7]本発明の実施例 1、 2に係る発光材料 Aの溶液状態における蛍光減衰特性を 示す図である。
[図 8]本発明の実施例 1に係る素子(1)、並びに、その蛍光成分 1及び 2のフォトルミ ネセンス強度の温度依存性を説明する図である。
[図 9]本発明の実施例 2に係る素子(2)、並びに、その蛍光成分 1及び 2のフォトルミ ネセンス強度の温度依存性を説明する図である。
[図 10]本発明の実施形態 2に係る有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置の構成 を模式的に示す図である。
符号の説明
[0067] 1 :基板
2 :陽極
3 :ホール輸送層 :発光層
:陰極
:励起光源
:試験素子
:温度制御装置:検知器
:データ記憶処理装置

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも発光層を含む 1層以上の有機層を電極で挟持する構造を有する有機エレ タトロルミネセンス素子であって、
該有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 300K 未満のいずれかの温度におけるフォトルミネセンス強度よりも強い
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
[2] 前記有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度が 5K におけるフォトルミネセンス強度よりも強いことを特徴とする請求項 1記載の有機エレ タトロルミネセンス素子。
[3] 前記有機エレクトロルミネセンス素子は、 300Kにおけるフォトルミネセンス強度を 1と したときの 5Kにおけるフォトルミネセンス強度を低温フォトルミネセンス強度比率と定 義すると、下記式(1)で表されるフォトルミネセンス強度比率 Yが 1以下であることを特 徴とする請求項 1記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
[数 1]
γ = (有機エレク トロルミネセンス素子の低温フォ トルミネセンス強度比率) / (発光層 の低温フォ トルミネセンス強度比率) (1 )
[4] 前記有機エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンスは、略同一の発光スぺタト ルを有し、かつ寿命が異なる 2以上の蛍光成分を含むものであり、
該 2以上の蛍光成分は、いずれも 300Κにおけるフォトルミネセンス強度が 300Κ未 満のいずれかの温度におけるフォトルミネセンス強度よりも強いことを特徴とする請求 項 1記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
[5] 前記 2以上の蛍光成分は、いずれも 300Κにおけるフォトルミネセンス強度が 5Κにお けるフォトルミネセンス強度よりも強いことを特徴とする請求項 4記載の有機エレクト口 ルミネセンス素子。
[6] 有機エレクトロルミネセンス素子の寿命特性を検査する装置であって、
該有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置は、有機エレクトロルミネセンス素子の 発光層を構成する発光材料を励起させる光源と、
有機エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンス強度を検出する検出手段と、 有機エレクトロルミネセンス素子及び z又はその近傍の温度を制御する温度制御手 段と、
検出手段により測定されたフォトルミネセンス強度を記憶するデータ記憶手段と、 異なる温度で測定されたフォトルミネセンス強度を比較するデータ処理手段とを備え たものである
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置。
[7] 有機エレクトロルミネセンス素子の寿命特性を検査する方法であって、
該有機エレクトロルミネセンス素子の検査方法は、少なくとも 2つの異なる温度で有機 エレクトロルミネセンス素子のフォトルミネセンス強度を検出し、その比力も有機エレク トロルミネセンス素子の寿命特性を検査する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の検査方法。
[8] 請求項 6記載の有機エレクトロルミネセンス素子の検査装置を用いて得られたことを 特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
[9] 請求項 7記載の有機エレクトロルミネセンス素子の検査方法を用いて得られたことを 特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
[10] 請求項 1記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えることを特徴とする有機エレク トロルミネセンス表示装置。
[11] 請求項 8記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えることを特徴とする有機エレク トロルミネセンス表示装置。
[12] 請求項 9記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えることを特徴とする有機エレク トロルミネセンス表示装置。
PCT/JP2005/008897 2004-06-16 2005-05-16 有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法 WO2005122702A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006514671A JPWO2005122702A1 (ja) 2004-06-16 2005-05-16 有機エレクトロルミネセンス素子、その検査装置及び検査方法
US11/570,714 US7595587B2 (en) 2004-06-16 2005-05-16 Organic electroluminescent element exhibiting temperature-dependent photoluminescence intensity

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-178600 2004-06-16
JP2004178600 2004-06-16

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2005122702A2 true WO2005122702A2 (ja) 2005-12-29
WO2005122702A1 WO2005122702A1 (ja) 2005-12-29
WO2005122702A3 WO2005122702A3 (ja) 2006-09-21

Family

ID=

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2015140864A1 (ja) * 2014-03-17 2015-09-24 株式会社Joled 表示パネルの寿命特性の検査方法及び表示パネルの製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151868A (ja) * 1999-11-24 2001-06-05 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子
JP2001284061A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
WO2002026859A1 (en) * 2000-09-26 2002-04-04 Cambridge Display Technology Limited Polymer and uses thereof
WO2002026856A1 (en) * 2000-09-26 2002-04-04 Cambridge Display Technology Limited Twisted polymers, uses thereof and processes for the preparation of statistical copolymers
JP2002138132A (ja) * 2000-11-01 2002-05-14 Toppan Printing Co Ltd フッ素を含有する共役ポリマー及びそれを用いたエレクトロルミネセンス素子
JP2002317033A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、それを利用した発光素子材料および発光素子
WO2003007395A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 Dow Global Technologies Inc. Electroactive polymers and devices made therefrom
JP2003073479A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 高分子化合物及び有機発光素子
JP2003073480A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 高分子化合物及び有機発光素子
WO2003099901A1 (fr) * 2002-05-28 2003-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymere et element luminescent polymere contenant ce polymere

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151868A (ja) * 1999-11-24 2001-06-05 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子
JP2001284061A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
WO2002026859A1 (en) * 2000-09-26 2002-04-04 Cambridge Display Technology Limited Polymer and uses thereof
WO2002026856A1 (en) * 2000-09-26 2002-04-04 Cambridge Display Technology Limited Twisted polymers, uses thereof and processes for the preparation of statistical copolymers
JP2002138132A (ja) * 2000-11-01 2002-05-14 Toppan Printing Co Ltd フッ素を含有する共役ポリマー及びそれを用いたエレクトロルミネセンス素子
JP2002317033A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、それを利用した発光素子材料および発光素子
WO2003007395A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 Dow Global Technologies Inc. Electroactive polymers and devices made therefrom
JP2003073479A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 高分子化合物及び有機発光素子
JP2003073480A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 高分子化合物及び有機発光素子
WO2003099901A1 (fr) * 2002-05-28 2003-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymere et element luminescent polymere contenant ce polymere

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JPWO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2015-02-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US9040975B2 (en) 2011-06-15 2015-05-26 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element, illumination device, and display device
WO2015140864A1 (ja) * 2014-03-17 2015-09-24 株式会社Joled 表示パネルの寿命特性の検査方法及び表示パネルの製造方法
JPWO2015140864A1 (ja) * 2014-03-17 2017-04-06 株式会社Joled 表示パネルの寿命特性の検査方法及び表示パネルの製造方法
US9985209B2 (en) 2014-03-17 2018-05-29 Joled Inc. Method for testing lifetime characteristics of display panel, and method for manufacturing display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070026812A (ko) 2007-03-08
WO2005122702A3 (ja) 2006-09-21
JPWO2005122702A1 (ja) 2008-04-10
US20070298279A1 (en) 2007-12-27
KR100839732B1 (ko) 2008-06-19
US7595587B2 (en) 2009-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hasan et al. Exciton–exciton annihilation in thermally activated delayed fluorescence emitter
EP2200104B1 (en) Organic light-emitting device
JP2004221083A (ja) Oledデバイスのエージングを補償する方法
JPH10106748A (ja) エキシプレックスを有する有機エレクトロルミネセント素子
Trattnig et al. Deep blue polymer light emitting diodes based on easy to synthesize, non-aggregating polypyrene
JP3978976B2 (ja) 有機電界発光素子
US7595587B2 (en) Organic electroluminescent element exhibiting temperature-dependent photoluminescence intensity
Cheon et al. Förster energy transfer in combinatorial arrays of selective doped organic light-emitting devices
CN101241973B (zh) 有机电致发光元件制造方法以及显示器制造方法
Masuda et al. Highly efficient fluorescent blue materials and their applications for top‐emission OLEDs
JP5330429B2 (ja) 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP6064914B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法、評価装置、評価プログラム、記録媒体および製造方法
Stegmaier et al. Influence of electrical fatigue on hole transport in poly (p-phenylenevinylene)-based organic light-emitting diodes
Minamide et al. Near-ultraviolet organic light emitting diodes using Melem
JP2005108692A (ja) 有機el素子及びその製造方法
CN101661998B (zh) 复合材料、发光元件、发光装置和使用该复合材料的电子器件
Chen et al. Organic light-emitting devices with a mixture emitting layer of tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum and 4, 4′-bis (carbazol-9-yl)-biphenyl
Shinar et al. Combinatorial fabrication and screening of organic light-emitting device arrays
JPH11176580A (ja) 有機el素子
Ye et al. Detailed studies on energy loss mechanism in phosphor-sensitized fluorescent polymer light-emitting devices
US8835916B2 (en) Organic thin film and organic electroluminescent element containing same in light-emitting layer
KR102227787B1 (ko) 전하 트랩핑 효과에 의존하지 않는 고 휘도 고 효율 폴리머 블랜드 기반 발광층
JPH08236273A (ja) 有機el素子及びその製造方法
Tasch et al. Electroluminescence with laddertype poly (paraphenylenes)
Shinar et al. Combinatorial fabrication and screening of organic light-emitting device arrays

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006514671

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077000977

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020077000977

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11570714

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11570714

Country of ref document: US