WO2005106927A3 - Transistor a electrons chauds - Google Patents

Transistor a electrons chauds Download PDF

Info

Publication number
WO2005106927A3
WO2005106927A3 PCT/US2005/014249 US2005014249W WO2005106927A3 WO 2005106927 A3 WO2005106927 A3 WO 2005106927A3 US 2005014249 W US2005014249 W US 2005014249W WO 2005106927 A3 WO2005106927 A3 WO 2005106927A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transport
electrons
base
electrode
hot electron
Prior art date
Application number
PCT/US2005/014249
Other languages
English (en)
Other versions
WO2005106927A2 (fr
Inventor
Michael J Estes
Blake J Eliasson
Original Assignee
Michael J Estes
Blake J Eliasson
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Michael J Estes, Blake J Eliasson filed Critical Michael J Estes
Priority to EP05739776A priority Critical patent/EP1743379A2/fr
Priority to JP2007510882A priority patent/JP2007535178A/ja
Publication of WO2005106927A2 publication Critical patent/WO2005106927A2/fr
Publication of WO2005106927A3 publication Critical patent/WO2005106927A3/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/36—Unipolar devices
    • H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34—Bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

L'invention concerne un transistor à électrons chauds qui comprend une électrode d'émission, une électrode de base, une électrode de collecte, et une première structure de transmission tunnel disposée entre les électrodes d'émission et de base afin d'assurer le transport des électrons entre celles-ci. La première structure de transmission tunnel comprend au moins une première couche d'isolation amorphe et une deuxième couche d'isolation différente de sorte que le transport des électrons soit assuré, au moins en partie, par transmission tunnel. Ledit transistor comprend en outre une deuxième structure de transmission tunnel disposée entre les électrodes de base et de collecte. Cette deuxième structure de transmission tunnel sert à transporter au moins une partie des électrons précédemment mentionnés entre les électrodes de base et de collecte par transport balistique de façon que la partie des électrons soit collectée au niveau de l'électrode de collecte. L'invention concerne également un procédé associé de réduction de la réflexion des électrons au niveau d'interfaces dans un transistor à couches minces.
PCT/US2005/014249 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds WO2005106927A2 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05739776A EP1743379A2 (fr) 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds
JP2007510882A JP2007535178A (ja) 2004-04-26 2005-04-25 ホットエレクトロン・トランジスタ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56570004P 2004-04-26 2004-04-26
US60/565,700 2004-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2005106927A2 WO2005106927A2 (fr) 2005-11-10
WO2005106927A3 true WO2005106927A3 (fr) 2005-12-29

Family

ID=35242334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/US2005/014249 WO2005106927A2 (fr) 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1743379A2 (fr)
JP (1) JP2007535178A (fr)
KR (1) KR20070053160A (fr)
CN (1) CN101015066A (fr)
WO (1) WO2005106927A2 (fr)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5182775B2 (ja) * 2006-03-22 2013-04-17 国立大学法人大阪大学 トランジスタ素子及びその製造方法、電子デバイス、発光素子並びにディスプレイ
EP2608267B1 (fr) * 2011-12-23 2019-02-27 IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik Transistor de type p avec une base en graphène
JP6230593B2 (ja) * 2012-04-04 2017-11-15 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 再現可能なステップエッジ型ジョセフソン接合
JP6324945B2 (ja) 2012-04-19 2018-05-16 カーネギー−メロン ユニバーシティＣａｒｎｅｇｉｅ−Ｍｅｌｌｏｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 金属−半導体−金属（ｍｓｍ）ヘテロジャンクションダイオード
WO2014039550A1 (fr) * 2012-09-04 2014-03-13 Carnegie Mellon University Transistor à électrons chauds ayant des bornes en métal
EP3039723B1 (fr) * 2013-08-27 2024-07-03 Georgia State University Research Foundation, Inc. Photodétecteur à porteurs chauds accordable
US9112130B2 (en) * 2013-11-01 2015-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum interference based logic devices including electron monochromator
CN109564892B (zh) * 2016-07-07 2023-05-12 非结晶公司 非晶态金属热电子晶体管
KR102372207B1 (ko) 2017-07-27 2022-03-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2021175027A (ja) * 2020-04-21 2021-11-01 株式会社村田製作所 電力増幅器、電力増幅回路、電力増幅デバイス
CN116075936A (zh) 2020-06-12 2023-05-05 非结晶公司 包括用于电子器件的非线性部件的电路
CN114242892A (zh) * 2021-11-30 2022-03-25 国家纳米科学中心 有机热电子晶体管及其制备方法、lumo能级检测方法
CN115389891B (zh) * 2022-07-26 2023-07-25 安庆师范大学 一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980312A (en) * 1989-02-27 1990-12-25 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a mesa structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980312A (en) * 1989-02-27 1990-12-25 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a mesa structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN101015066A (zh) 2007-08-08
EP1743379A2 (fr) 2007-01-17
KR20070053160A (ko) 2007-05-23
JP2007535178A (ja) 2007-11-29
WO2005106927A2 (fr) 2005-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005106927A3 (fr) Transistor a electrons chauds
WO2007070529A3 (fr) Empilements d'electrodes pour dispositifs electroactifs, et procedes de fabrication correspondants
EP1444869A4 (fr) Dispositif electroluminescent organique a luminescence hautement efficace
EP1160891A3 (fr) Dispositif organique émetteur de lumière à basse tension
EP1009041A3 (fr) Dispositif électroluminescent comprenant une couche transportant des trous de charge améliorée
WO2008024453A3 (fr) Dispositifs de conversion d'énergie en carbone de type diamant et procédés associés
EP1729544A4 (fr) Dispositif électroluminescent organique
EP1179862A3 (fr) Diodes organiques electroluminescents avec cathode amelioree
EP0980104A3 (fr) Dispositif organique électroluminescent
WO2005096403A3 (fr) Élément de conversion photoélectrique organique et sa méthode de production, photodiode organique et capteur d’images l’utilisant, diode organique et sa méthode de production
WO2003009325A1 (fr) Emetteur d'electrons et procede de fabrication de ce dernier, element d'emission d'electrons de champ de cathode froide et procede de fabrication de cet element et affichage d'emission d'electrons de champ de cathode froide et procede de fabrication de cet affichage
WO2006116323A3 (fr) Dispositifs de conversion thermoelectriques a depot cda et leurs procedes d'utilisation et de fabrication
WO2000022682A3 (fr) Dispositif photoelectrique solide
WO2005038941A3 (fr) Dispositif electroluminescent organique comportant une couche tampon de non blocage de trous
EP0967669A3 (fr) Dispositif organique électroluminescent
WO2004075604A3 (fr) Dispositif electroluminescent organique et son procede de fabrication
EP1089310A3 (fr) Dispositif à émission de champ
JP2002207443A5 (fr)
WO2005088720A3 (fr) Élément détecteur de lumière et procédé de commande d’élément détecteur de lumière
EP1487004A3 (fr) Dispositif d'émission d'électrons, source d'électrons et afficheur d'image à couche dipolaire
EP1315191A3 (fr) Composite pour pate contenant de nanotubes de carbone, dispositif émetteur d'électrons utilisant ce composite et procédé de fabrication
WO1998034280B1 (fr) Dispositif a effet de champ a dissipation de charge
WO2002089167A3 (fr) Emetteur par effet tunnel
EP0994517A3 (fr) Dispositif organique électroluminescent
WO2006062622A3 (fr) Afficheur a emission de champ a mise en forme des champs de trajectoires d'electrons

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005739776

Country of ref document: EP

Ref document number: 2007510882

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580013289.X

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067023210

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005739776

Country of ref document: EP