WO2005105681A1 - ガラスの切断方法及びその装置 - Google Patents

ガラスの切断方法及びその装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2005105681A1
WO2005105681A1 PCT/JP2005/007701 JP2005007701W WO2005105681A1 WO 2005105681 A1 WO2005105681 A1 WO 2005105681A1 JP 2005007701 W JP2005007701 W JP 2005007701W WO 2005105681 A1 WO2005105681 A1 WO 2005105681A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
glass
laser
scribe line
pulse laser
pulses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/007701
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshifumi Yonai
Toshio Inami
Hideaki Kusama
Naoyuki Kobayashi
Mitsuhiro Toyoda
Kenichi Omori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Steel Works Ltd filed Critical Japan Steel Works Ltd
Priority to US10/559,816 priority Critical patent/US20070090100A1/en
Priority to DE112005000025T priority patent/DE112005000025B4/de
Priority to GB0524065A priority patent/GB2417726B/en
Publication of WO2005105681A1 publication Critical patent/WO2005105681A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/042Automatically aligning the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position

Definitions

  • the present invention relates to a glass cutting method and apparatus, and more particularly to a glass cutting method and apparatus using pulsed laser light in the ultraviolet region.
  • a scribe line (cut line) 62 is put on the surface of the glass 60 by using a blade 61 such as a diamond blade or an ultra-high blade, and then the back surface. It is known that a break force (impact breaking force) 63 is applied and the glass 60 is cut along the scribe line 62.
  • a method of cutting glass using a laser is also known.
  • a glass 60 is irradiated with an infrared laser 74 having a relatively high absorption shape after being shaped into an elliptical shape, and the vicinity of the rear side of the laser irradiation unit is a refrigerant.
  • Cool with 75 aqueous coolant
  • an initial crack is manually created in advance in a portion of the glass 60 to be cut, and the laser 74 is irradiated from that portion, and the vicinity of the rear side of the irradiated portion is cooled by a refrigerant 75 made of liquid (or gas). While scanning both on the glass 60.
  • the initial crack propagates in the direction along which the initial crack is cut due to the thermal strain inside the glass 60, and a blind crack is generated in the depth direction, thereby forming a scribe line 72 (fence line).
  • the glass 60 is cut by applying a breaking force 73 to the back surface force of the glass 60 and applying a bending moment to the blind crack.
  • Patent Document 2 an ultraviolet laser having the highest photon energy is used instead of the infrared laser 74 shown in FIG. 12, and one ultraviolet laser is condensed by a lens, and the inside of the glass is
  • This is a method of forming a scribe line without breaking an initial crack by directly breaking the molecular bond of the resin.
  • the break uses an infrared laser that is not mechanically impacted.
  • the glass body is sublimated by an ultraviolet laser and evaporated when the scribe line is formed. It is difficult to generate dust that becomes an obstacle in such subsequent processes.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 9-150286
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 5-32428
  • the present inventors have sought to improve the glass strength in the case of using this ultraviolet laser, and the cause of significantly reducing the glass strength is when the ultraviolet laser is irradiated while moving the glass in one direction in one stroke. , Remelted glass adheres to the scribe groove or It was found that the scribe groove was uneven due to the occurrence of a tooth-shaped crack.
  • the present invention has been made to solve such a conventional technical problem, and the configuration thereof is as follows.
  • the portion of the glass 4 to be cut is irradiated with the pulse laser 2 by a relative movement of one stroke to form the scribe line 7, and then the scribe line 7 is cut by applying a breaking force.
  • a method of cutting glass wherein an ultraviolet region is used as the laser laser 2 and irradiation is performed while the pulse laser 2 is relatively moved so that the total number of pulses at each irradiation point is in the range of 2667 to 8000 pulses. Then, the scribe line 7 is formed to a depth in the range of 1.8 to 6.3% of the thickness of the glass 4.
  • the scribe line 7 is formed at a depth of 1.8 to 6.3% of the thickness of the glass 4, the target glass strength: in order to secure 120MPa or more, the pulse laser 2 irradiation to the same part of the glass 4
  • the total number of irradiation pulses was 8000 pulses at the maximum, and the total number of irradiation pulses was 2667 at the minimum.
  • the invention according to claim 2 is the glass cutting method according to claim 1, wherein the pulse width of the pulse laser 2 is less than 100 picoseconds.
  • the invention of claim 3 is characterized in that the pulse laser 2 is a third harmonic, a fourth harmonic or a fifth harmonic of an Nd: YAG laser, an Nd: YV04 laser or an Nd: YLF laser.
  • the invention of claim 4 is that the repetition frequency force of the pulse laser 2 is 1 MHz or more.
  • the portion of the glass 4 to be cut is irradiated with the pulse laser 2 by a relative movement of one stroke to form the scribe line 7, and then the scribe line 7 is cut by applying a breaking force.
  • a laser oscillation device 1 that generates a pulse laser 2 in the ultraviolet region and a moving table 5 on which glass 4 is placed and moved are provided. While moving the moving table 5, the pulse laser 2 is pulsed at each irradiation point. Irradiating so that the total number is in the range of 2667 to 8000 pulses, the scribe line 7 is formed to a depth in the range of 1.8 to 6.3% of the thickness of the glass 4 A glass cutting device.
  • a pulse laser having a suitable thermal energy in the ultraviolet region is irradiated many times to form a scribe line having a predetermined depth, and remelted glass adheres to the scribe groove, or the bottom surface is sawed. Occurrence of tooth-shaped cracks is well suppressed. Also, since the scribe line is formed by irradiating the pulse laser with a relative movement of one stroke, the scribe line can be formed quickly and accurately.
  • the ultraviolet laser directly breaks the molecular bonds inside the glass where the photon energy is high, so that scribe lines can be efficiently formed without creating initial cracks.
  • the glass bending strength after cleaving can be remarkably increased, and the problem of inadvertent breakage during normal use as liquid crystal panel glass, solar battery panel glass, etc. can be virtually eliminated.
  • the glass bending strength can be improved from about 50 MPa to 150 MPa or more (about 3 times or more).
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a cutting device used in a glass cutting method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cut portion of the glass.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing the overlapping state of pulse lasers.
  • FIG. 4 Similarly, a diagram showing the moving table speed-the scribe depth and the ratio of the scribe depth to the glass thickness.
  • FIG. 5 Diagram showing the moving table speed, number of irradiations, irradiation energy and irradiation energy density vs. glass bending strength.
  • FIG. 6 A diagram schematically showing a micrograph near the scribe line of a cross section of the glass cut along the scribe line by forming a scribe line with a moving table speed of 80 mmZs and applying a break force.
  • FIG. 7 A diagram schematically showing a micrograph of a glass cross section near a scribe line cut along a scribe line by forming a scribe line with a moving platform speed of 160 mmZs and applying a break force.
  • FIG. 8 A diagram schematically showing a photomicrograph of the glass section near the scribe line cut along the scribe line by forming a scribe line with the moving table speed set to 240 mmZs.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the frequency f, repetition period T, and pulse width ⁇ of the picosecond laser and nanosecond laser.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a conventional cutting method.
  • FIG. 12 is a perspective view showing another conventional cutting method.
  • the present invention uses an ultraviolet region as a pulse laser, and irradiates the pulse laser while relatively moving the pulse laser so that the total number of pulses at each irradiation point is in the range of 2667 to 8000 pulses. 1.
  • An object of the present invention is to provide a glass cutting method and apparatus for forming a scribe line 7 at a depth of 8 to 6.3%.
  • reference numeral 1 denotes a laser oscillation device, and this laser oscillation device 1 has a pulse width of 100 pico.
  • a pulse laser 2 having a laser power in the ultraviolet region of less than a second (for example, ⁇ 15 ps as shown in FIG. 9B) is emitted.
  • the pulse laser 2 in the ultraviolet region the third harmonic, fourth harmonic, or fifth harmonic of an Nd: YAG laser, an Nd: YV04 laser, or an Nd: YLF laser can be used.
  • These short-wavelength ultraviolet region lasers are capable of photochemical degradation with a large photon energy. Is small and can be processed precisely and finely.
  • the pulse laser 2 emitted from the laser oscillation device 1 changes the direction of 90 ° by the mirror 10, expands the beam diameter by the beam expander 11, and then stops by the condensing lens 3 to 1 of the flat glass 4 Irradiate the linear part of the side surface to be cut.
  • the glass 4 is placed on the moving table 5, and the moving table 5 continuously moves relative to the pulse laser 2 at a predetermined speed in a predetermined direction (a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1).
  • the moving table 5 on which the glass 4 is placed is driven by a driving device (not shown), and moves linearly with respect to the pulse laser 2 at a predetermined speed set in the X direction on FIG.
  • the energy profile of the pulse laser 2 may be a flat line beam.
  • This type of pulsed laser 2 can be formed by dividing and superimposing pulsed lasers, shaping a pulsed laser with a kaleidoscope, or shaping with a quinoform phase control plate.
  • the pulse laser 2 that performs the pulse operation irradiates the glass 4 on the moving table 5 while moving the glass 4 in the scribe direction X by one stroke and appropriately overlaying it. That is, the relative movement speed in the scribe direction X is set so that the pulse laser 2 having a circular beam force shown in FIG. 3 is overlapped at a predetermined interval to have a predetermined number of times of overlap (number of irradiations). Therefore, the scribe line 7 formed by the irradiation of the pulse laser 2 is given a required depth by one movement of the moving table 5 on which the glass 4 is placed in the X direction.
  • the pulse laser 2 can be shaped into a linear beam, an elliptical beam or the like instead of the circular beam.
  • the longitudinal direction of the linear beam or elliptical beam is made to coincide with the scribe direction X.
  • the relative movement speed in the scribe direction X is set so that the number of times of overlap is a predetermined number of overlaps.
  • the energy per pulse (jZPulse) is a so-called nanosecond laser in the same ultraviolet region (Fig. 9 ( A) is extremely small (about 1Z1000 times), so that the pulse laser 2 at the irradiated spot effectively contributes to the transpiration of the glass 4, and the subsequent thermal diffusion to the glass 4 is small. Melting due to the heat effect of the glass 4 is suppressed.
  • the range of the scribe depth to be applied to the glass 4 is examined.
  • the scribe line 7 is too shallow, normal thickness glass cannot be cut well due to the action of the breaking force.
  • the lower limit of the ratio of the thickness of the glass 4 to the thickness of the glass 4 is set to 1.8% as the breakable thickness.
  • the upper limit of the ratio of the depth of the scribe line 7 to the thickness of the glass 4 is 6.3%. This is to avoid the cause of breakage, which will be described later, and to avoid unnecessary scribe work.
  • an Nd: YAG laser is generated:
  • An 8W laser oscillator 1 actually emits a pulsed laser 2 (wavelength: 355nm), and a glass 4 scribe line 7 After forming, a breaking force was applied, and the glass 4 was cut along the scribe line 7.
  • mechanical impact force was used for the break, conventionally known means can be used as the break means in the break process, mechanical shock, cooling with a liquid or gas refrigerant, infrared laser irradiation The deviation can also be used.
  • the pulse laser 2 When forming the scribe line 7, the pulse laser 2 was narrowed down to a diameter of 24 m by the condenser lens 3, and the one-side surface portion of the glass 4 was irradiated in a circular shape. As shown in FIG. 9B, the pulse laser 2 has a pulse width ⁇ : 15 ps, a repetition frequency f: 80 MHz, and a repetition period T: 12.5 ns. On the other hand, the glass 4 has a thickness of 630 m and has a depth ranging from 1.8% (about 11 m) to 6.3% (about 40 ⁇ m) with respect to the thickness of the glass 4. The scribe line 7 was formed. Since the apparatus shown in FIG. 1 does not give a breaking force, it is strictly a scribing apparatus in a glass cutting apparatus.
  • the speed of the moving table 5 was 720mmZs as shown in FIG.
  • the speed of the moving platform 5 was 240 mmZs as shown in FIG.
  • the upper limit of the depth ratio of the scribe line 7 to the thickness of the glass 4 is 6.3% (moving table 5 speed: 240mmZs), as mentioned above, but also important to avoid unnecessary scribe work. As shown in Fig. 5, it is important to avoid a significant decrease in the bending strength of glass 4.
  • the speed of the moving platform 5: 240 to 720 mmZs is changed so as to give the depth of the scribe line 7: 1. 8% to 6.3% by irradiation of one pulse of the pulse laser 2 as described above.
  • the number of pulses of the pulse laser 2 irradiated to the same part of the glass 4 on the moving table 5 corresponding to these speeds: 240 to 720 mmZs was found to be 2667 to 8000 times as shown in FIG. It was in range.
  • the irradiation energy corresponding to the total number of pulses of Norse laser 2 is 0.333-0.
  • Irradiation energy The first is the energy irradiated per unit length of the scribe line 7, and when the scribe line 7 having a width corresponding to the beam diameter of the pulse laser 2 is formed, the beam diameter of the pulse laser 2 is large. Regardless of this, the value corresponds to the total number of pulses depending on the laser output value and the speed of the moving platform 5.
  • the bending strength of the glass 4 after being cut by applying a breaking force is desirably 120 MPa or more in general use as a glass substrate such as liquid crystal panel glass and solar battery panel glass.
  • a breaking force is desirably 120 MPa or more in general use as a glass substrate such as liquid crystal panel glass and solar battery panel glass.
  • the number of irradiation pulses of the pulse laser 2 is set within the range of 2667 to 8000 times, cutting can be performed to 120 MPa or more.
  • the total number of pulses irradiated to the same part of the pulse laser 2 is set to a maximum of 8000 pulses, and the number of irradiated pulses is set to enable a break.
  • the minimum of 2667 pulses This is shown in Fig. 5 as an acceptable range.
  • the same portion of the glass 4 is irradiated with the pulse laser 2 so that the number of pulses is 2667 to 8000 pulses, and the depth in the range of 1.8 to 6.3% of the thickness of the glass 4 (Fig.
  • the scribe line 7 within the allowable range shown in Fig. 4
  • remelted glass adheres in the groove of the scribe line 7, and sawtooth-shaped cracks Al, A2, Bl, B2, B3 are generated on the bottom surface.
  • the uneven state of the unevenness is prevented well.
  • the speed of the moving platform 5 is set to 280 mmZ s instead of 240 mmZs, a glass strength of about 220 MPa can be obtained, so that the glass bending strength can be improved by a factor of four or more compared to the conventional 50 MPa or less.
  • the glass bending strength (MPa) after splitting was scribed with a so-called picosecond laser, as shown in FIG. 10, with a force V that can be obtained in the range of 45 to 25 OMPa. It is 40-50MPa.
  • the total number of pulses when forming a scribe line at a depth of 1.8 to 6.3% of the same glass 4 thickness is About 3 to 12 pulses.
  • the present invention is not limited to two-layer laminated glass, but can also be applied to two or more laminated glass.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

紫外線領域のレーザを1行程で照射してスクライブ線を形成する場合、ガラス割断後のガラス曲げ強度が50MPa以下程度であり、液晶パネルガラス等としての使用中に不用意に割損し易い。ガラス4の切断すべき部分に、パルスレーザ2を1行程の相対移動で照射してスクライブ線7を形成した後、スクライブ線7にブレイク力を作用させて切断するガラスの切断方法であつて、パルスレーザ2として紫外線領域を用い、各照射箇所でのパルス数の合計が2667~8000パルス数の範囲となるようにパルスレーザ2を相対移動させながら照射して、ガラス4の厚さの1.8~6.3%の深さにスクライブ線7を形成する。

Description

明 細 書
ガラスの切断方法及びその装置
技術分野
[0001] 本発明は、ガラスの切断方法及びその装置に関し、詳しくは、紫外線領域のパルス レーザ光を用いるガラスの切断方法及びその装置に関するものである。
背景技術
[0002] 従来の一般的なガラスの切断方法として、図 11に示すようにダイヤモンド刃、超高 刃等の刃 61により、ガラス 60の表面にスクライブ線 (切り込み線) 62を入れ、その後、 裏面よりブレイク力(衝撃分断力) 63を付与し、スクライブ線 62に沿ってガラス 60を 切断するものが知られて 、る。
[0003] また、レーザを使用するガラスの切断方法も知られている。
特許文献 1に示されるものは、図 12に示すようにガラス 60に対して比較的高い吸 収性を有する赤外線レーザ 74を楕円形状に整形させて照射し、レーザ照射部の後 側近傍を冷媒 75 (水性冷却剤)によって冷却する。すなわち、予め、ガラス 60の切断 したい部分に初期クラックを手作業にて作製し、その部分からレーザ 74を照射すると 共に、照射部の後側近傍を液体 (又は気体)からなる冷媒 75によって冷却しながら、 両者をガラス 60上で走査する。これにより、ガラス 60の内部の熱歪みによって初期ク ラックが切断した ヽ方向に進展し、ブラインドクラックを深さ方向に発生させスクライブ 線 72 (鄞書き線)が形成される。スクライブ線 72の形成後、ガラス 60の裏面力もブレ イク力 73を作用させ、ブラインドクラックに曲げモーメントを付与することにより、ガラス 60が切断される。
[0004] 特許文献 2に示されるものは、図 12に示す赤外線レーザ 74に代えて、光子エネル ギ一の高い紫外線レーザを用いるもので、 1つの紫外線レーザをレンズで集光し、ガ ラス内部の分子結合を直接分断することにより、初期クラックを作ることなぐスクライ ブ線を形成する方法であり、冷媒 75の介在はない。なお、ブレイクには、機械的衝撃 ではなぐ赤外線レーザを用いている。この方法にあっては、スクライブ線の形成に 際して紫外線レーザによってガラス体を昇華させ、蒸発'飛散させるので、肖 ijり屑のよ うな後工程で障害となる塵等を発生させ難 、、として 、る。
特許文献 1:特開平 9 - 150286号公報
特許文献 2:特開平 5— 32428号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] ダイヤモンド刃、超高刃等の刃 61を用いる切断方法にあっては、スクライブ時に、 ラテラルクラック (横方向クラック)やマイクロクラックを生じ、ガラス強度を大きく低下さ せてしまう欠点があり、また、パーティクルや活性ィ匕したカレットが発生し、ガラス表面 に強固に付着する欠点があり、洗浄工程が必要になる。更に、刃 61は消耗品であり 、交換のたびに切断装置が停止するという欠点もある。
[0006] これに対し、赤外線レーザを用いる切断方法にあっては、切断部のマイクロクラック の発生やパーティクルの発生は比較的抑えられるものの、スクライブ線の開始部に初 期クラックを作らなければならない。このため、切断作業が煩雑であるのみならず、例 えば交差するスクライブ線を形成しようとする場合、 1つのスクライブ線を形成した後、 次に交差するスクライブ線を形成しょうとすると、交差する点においてスクライブ線の 進展が難しくなるため、再度、交差する点に初期クラックを作らなければならず、作業 が著しく煩雑になる。また、初期クラックをスクライブ線に進展させるためのレーザ強 度と冷却条件の選定が大変難 U、。
[0007] 他方、特許文献 2に示されるもののように紫外線領域のレーザを用いる場合、ガラス とレーザとに相対移動を与え、レーザを 1行程で照射してガラスの切断すべき部分に 所要のスクライブ線を形成することが作業能率及び切断面の良好'均一さを確保する 上で望まれるが、このようにレーザを 1行程で照射してスクライブ線を形成する場合、 ガラス割断後のガラス曲げ強度が 50MPa以下程度であり、例えば液晶パネルガラス 、太陽電池パネルガラスとしての取り扱い中に不用意に割損し易 、と 、う技術的課題 が存在していた。
[0008] 本発明者等は、この紫外線レーザを用いる場合のガラス強度の向上について追求 し、ガラス強度を著しく低下させる原因が、ガラスを 1方向に 1行程で移動させながら 紫外線レーザを照射するとき、スクライブ溝内に再溶融ガラスが付着したり、底面にノ コギリ歯状のクラックが発生することによってスクライブ溝に凹凸を生ずる不整状態に あることを見出した。
[0009] 更に、このスクライブ溝の不整状態は、不適性な熱エネルギーの付与に原因がある ことを知得した。特に、特許文献 2に示されるもののように従来使用されている紫外線 領域のレーザは、パルス幅は短いものでも数十ナノ秒 (n: 10-9)程度であり、励起子 の格子振動による緩和時間、約 100ピコ秒 (p : 10-12 )以下に比べ、約 10倍以上長 いため、熱エネルギーに変換される割合が大きくなる。その結果、スクライブ溝に凹 凸の不整状態を生じ、分断後のガラスの曲げ強度が、 50MPa以下程度にし力得ら れない。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明は、このような従来の技術的課題を解決するためになされたもので、その構成 は次の通りである。
請求項 1の発明は、ガラス 4の切断すべき部分に、パルスレーザ 2を 1行程の相対移 動で照射してスクライブ線 7を形成した後、該スクライブ線 7にブレイク力を作用させて 切断するガラスの切断方法であって、前記ノ ルスレーザ 2として紫外線領域を用い、 各照射箇所でのパルス数の合計が 2667〜8000パルス数の範囲となるように該パ ルスレーザ 2を相対移動させながら照射して、ガラス 4の厚さの 1. 8〜6. 3%の範囲 の深さに前記スクライブ線 7を形成することを特徴とするガラスの切断方法である。 ガラス 4の厚さの 1. 8〜6. 3%の深さにスクライブ線 7を形成しながら、 目標ガラス 強度: 120MPa以上を確保するために、ガラス 4の同一個所へのパルスレーザ 2の照 射パルス数の合計を最大で 8000パルスとし、また、同照射ノ ルス数の合計を最小で 2667ノ ノレスとした。
請求項 2の発明は、前記パルスレーザ 2のパルス幅が 100ピコ秒未満であることを 特徴とする請求項 1のガラスの切断方法である。
請求項 3の発明は、前記パルスレーザ 2が、 Nd:YAGレーザ、 Nd:YV04レーザ 又は Nd:YLFレーザの第 3高調波、第 4高調波又は第 5高調波であることを特徴とす る請求項 1又は 2のガラスの切断方法である。
請求項 4の発明は、前記パルスレーザ 2の繰り返し周波数力 1MHz以上であるこ とを特徴とする請求項 1, 2又は 3のガラスの切断方法である。
請求項 5の発明は、ガラス 4の切断すべき部分に、パルスレーザ 2を 1行程の相対 移動で照射してスクライブ線 7を形成した後、該スクライブ線 7にブレイク力を作用さ せて切断するガラスの切断装置であって、
紫外線領域のパルスレーザ 2を発生するレーザ発振装置 1と、ガラス 4を載置して移 動する移動台 5とを備え、移動台 5を移動させながら、パルスレーザ 2を各照射箇所 でのパルス数の合計が 2667〜8000パルス数の範囲となるように照射して、ガラス 4 の厚さの 1. 8〜6. 3%の範囲の深さにスクライブ線 7を形成することを特徴とするガラ スの切断装置である。
発明の効果
[0011] 独立請求項 1及び 5に係る発明によれば、ガラスの切断すべき部分にパルスレーザ を照射してスクライブ線を形成するとき、パルスレーザとして紫外線領域を用い、ガラ スの各照射箇所でのパルス数の合計を 2667〜8000パルス数の範囲にすると共に 、ガラスの厚さの 1. 8〜6. 3%の深さにスクライブ線を形成する。
[0012] これにより、紫外線領域の適性な熱エネルギーのパルスレーザを多数回照射して 所定深さのスクライブ線を形成することになり、スクライブ溝内に再溶融ガラスが付着 したり、底面にノコギリ歯状のクラックが発生することが良好に抑制される。また、パル スレーザを 1行程の相対移動で照射してスクライブ線を形成するので、スクライブ線が 速やかかつ正確に形成される。紫外線レーザは、光子エネルギーが高ぐガラス内 部の分子結合を直接分断するので、初期クラックを作ることなく、スクライブ線を能率 的に形成することができる。その結果、割断後のガラス曲げ強度を著しく高め、液晶 パネルガラス、太陽電池パネルガラス等としての正常な使用中に不用意に割損する という不具合を事実上解消させることができる。具体的には、ガラス曲げ強度を 50M Pa以下程度から 150MPa以上 (約 3倍以上)に向上させることができる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明の 1実施の形態に係るガラスの切断方法に使用する切断装置を示す概 略図。
[図 2]同じくガラスの切断部を示す断面図。 [図 3]同じくパルスレーザの重ね合わせ状態を示す説明図。
[図 4]同じく移動台速度ースクライブ深さ及びガラスの厚さに対するスクライブ深さの 割合を示す線図。
[図 5]同じく移動台速度、照射回数、照射エネルギー及び照射エネルギー密度ーガ ラスの曲げ強度特性を示す線図。
[図 6]同じく移動台の速度を 80mmZsとしてスクライブ線を形成し、ブレイク力を作用 させてスクライブ線に沿って切断したガラス断面のスクライブ線付近の顕微鏡写真を 模式的に示す図。
[図 7]同じく移動台の速度を 160mmZsとしてスクライブ線を形成し、ブレイク力を作 用させてスクライブ線に沿って切断したガラス断面のスクライブ線付近の顕微鏡写真 を模式的に示す図。
[図 8]同じく移動台の速度を 240mmZsとしてスクライブ線を形成し、ブレイク力を作 用させてスクライブ線に沿って切断したガラス断面のスクライブ線付近の顕微鏡写真 を模式的に示す図。
[図 9]同じくピコ秒レーザ及びナノ秒レーザの周波数 f、繰り返し周期 T及びパルス幅 τを示す説明図。
[図 10]同じくピコ秒レーザ及びナノ秒レーザでの切断によるガラス曲げ強度を示す図
[図 11]従来の切断方法を示す斜視図。
[図 12]従来の他の切断方法を示す斜視図。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 本発明は、パルスレーザとして紫外線領域を用い、各照射箇所でのパルス数の合 計が 2667〜8000パルスの範囲となるようにパルスレーザを相対移動させつつ照射 し、ガラスの厚さの 1. 8〜6. 3%の深さにスクライブ線 7を形成するガラスの切断方法 と装置を提供することを目的とする。
実施例
[0015] 図 1〜図 9は、本発明に係るガラスの切断装置の 1実施の形態を示す。図 1中にお いて符号 1はレーザ発振装置を示し、このレーザ発振装置 1は、パルス幅が 100ピコ 秒未満 (例えば図 9 (B)に示すように τ = 15ps)の紫外線領域のレーザ力もなるパル スレーザ 2を射出させる。パルスレーザ 2の繰り返し周波数は、 10MHz (10 X 106 H z)以上(例えば図 9 (B)に示すように f = 80MHz)である。紫外線領域のパルスレー ザ 2としては、 Nd :YAGレーザ、 Nd:YV04レーザ又は Nd :YLFレーザの第 3高調 波、第 4高調波又は第 5高調波を使用することができる。これらの短波長の紫外線領 域のレーザは、 1光子のエネルギーが大きぐ光化学的分解力卩ェが可能であり、適正 なエネルギー密度で適正な照射時間及び回数を与えれば、周囲への熱影響が小さ い、精密微細な加工が可能である。
[0016] レーザ発振装置 1から射出されるパルスレーザ 2は、ミラー 10によって 90° 方向を 変え、ビームエキスパンダー 11によってビーム径を拡げた後、集光レンズ 3によって 絞り、平板状のガラス 4の 1側表面部の切断すべき線状部分に照射する。ガラス 4は 移動台 5の上に載置され、移動台 5は、パルスレーザ 2に関して所定速度で所定方向 (図 1上で紙面に垂直方向)に連続的に相対移動する。実際には、ガラス 4を載せた 移動台 5が駆動装置(図示せず)によって駆動され、パルスレーザ 2に対して図 2上 で X方向に設定した所定速度で直線移動する。なお、パルスレーザ 2のエネルギー プロファイルは、平坦なライン状ビームであっても良い。この種のパルスレーザ 2は、 パルスレーザの分割重ね合わせ、パルスレーザのカライドスコープによる整形、又は キノフオルム位相制御板による整形により、形成することができる。
[0017] パルス動作を行うパルスレーザ 2は、移動台 5上のガラス 4をスクライブ方向 Xに 1行 程移動させながら、かつ、適当に重ね合わせながら照射させる。すなわち、図 3に示 す円形ビーム力 なるパルスレーザ 2は、所定間隔で重ね合わせて所定の重ね合わ せ回数 (照射回数)となるように、スクライブ方向 Xの相対移動速度を設定する。従つ て、パルスレーザ 2の照射によって形成されるスクライブ線 7は、ガラス 4を載置する移 動台 5の X方向への 1回の移動によって所要深さが与えられる。なお、パルスレーザ 2は、円形ビームに代えて線状ビーム、楕円形状ビーム等に整形して用いることも可 能である。このとき、線状ビーム又は楕円形状ビームの長手方向を、スクライブ方向 X に合致させる。いずれの形状にしても、所定間隔で重ね合わせて所定の重ね合わせ 回数となるように、スクライブ方向 Xの相対移動速度を設定する。 [0018] パルス幅が 100ピコ秒未満のいわゆるピコ秒レーザからなるパルスレーザ 2の照射 によれば、 1つのパルス当たりのエネルギー (jZPulse)が、同じ紫外線領域のいわ ゆるナノ秒レーザ(図 9 (A)に示す)に比して極めて (約 1Z1000倍ほど)小さいので 、照射された箇所のパルスレーザ 2がガラス 4の蒸散に効果的に寄与し、その後のガ ラス 4への熱拡散が少なぐガラス 4の熱影響による溶融が抑制される。
[0019] ここで、ガラス 4に施すべきスクライブ深さの範囲にっ 、て検討する。スクライブ線 7 が浅過ぎるときは、ブレイク力の作用によって通常の厚さのガラスを良好に切断する ことができない。このため、図 4にも示すように、ブレイク可能な厚さとして、ガラス 4の 厚さに対する割合の下限を 1. 8%とする。一方、ガラス 4の厚さに対するスクライブ線 7の深さの割合の上限は、 6. 3%とする。これは、後述する割損の原因を避けるため であり、無用なスクライブ作業を避けることにもなる。
[0020] 図 1に示すガラスの切断装置を用い、 Nd:YAGレーザを生ずる出力: 8Wのレーザ 発振装置 1からパルスレーザ 2 (波長: 355nm)を実際に射出させ、ガラス 4にスクライ ブ線 7を形成した後にブレイク力を作用させ、スクライブ線 7に沿ってガラス 4を切断し た。ブレイクには、機械的衝撃力を用いたが、ブレイク工程でのブレイク手段には、従 来公知の手段の採用が可能であり、機械的衝撃、液体又は気体からなる冷媒による 冷却、赤外線レーザ照射の 、ずれを用いることもできる。
[0021] スクライブ線 7の形成に際しては、パルスレーザ 2を集光レンズ 3によって直径 24 mに絞り、ガラス 4の 1側表面部に円形状に照射した。パルスレーザ 2は、図 9 (B)に 示すようにパルス幅 τ : 15ps、繰り返し周波数 f : 80MHz、繰り返し周期 T: 12. 5ns である。一方、ガラス 4は、厚さ: 630 mのものを用い、ガラス 4の厚さに対して 1. 8 % (約 11 m)〜6. 3% (約 40 μ m)の範囲となる深さのスクライブ線 7を形成した。 なお、図 1に示す装置は、ブレイク力を与えないので、厳密にはガラスの切断装置の 内のスクライブ装置である。
[0022] また、ガラス 4を載置する移動台 5 (ステージ)の速度は、 80〜720mmZsの範囲で 80mmZs毎に変化させた。その結果を図 5に示し、ブレイク力を作用させてスクライ ブ線 7に沿って切断した断面の顕微鏡写真の結果を図 6,図 7,図 8に模式的に示す [0023] 移動台 5の速度: 80mmZsでは、図 6に示すようにガラス 4の表面 4aに形成したス クライブ線 7からガラス 4の厚さ方向の内部に延びる大きなクラック Al, A2が生じ、移 動台 5の速度: 160mmZsでは、図 7に示すように同様の方向に延びる小さなクラッ ク Bl, B2, B3が生じた力 移動台 5の速度: 240mmZs以上では、ほぼ図 8に示す ようであり、ガラス 4の表面 4aに形成したスクライブ線 7の周囲にクラックは事実上認め られなかった。なお、図 6〖こより、移動台 5の速度: 80mmZsでは、 110 mほどの 深さのスクライブ線 7から 200 μ mほどの深さ方向のクラック Al, A2が生じていること が分かる。このクラック Al, A2, Bl, B2, B3力 切断後のガラス 4の破損原因となる
[0024] 一方、パルスレーザ 2のガラス 4への 1行程の照射により、スクライブ線 7の深さ:1. 8 %を与えたところ、図 4に示すように移動台 5の速度: 720mmZsであり、スクライブ線 7の深さ: 6. 3%を与えたところ、図 4に示すように移動台 5の速度: 240mmZsであ つた。このガラス 4の厚さに対するスクライブ線 7の深さの割合の上限: 6. 3% (移動 台 5の速度: 240mmZs)は、上述したように無用なスクライブ作業を避けるためにも 重要であるが、図 5に示すようにガラス 4の曲げ強度が著しく減少することを避ける上 で重要である。
[0025] ガラス 4の曲げ強度が著しく減少する原因として、スクライブ線 7の底面力 ガラス 4 の内部に延びるクラック Al, A2, Bl, B2, B3の発生に加え、スクライブ溝内への再 溶融ガラスの付着があることが、実験の結果によって確認されている。ガラス 4の同一 個所へのパルスレーザ 2の照射パルス数が所定回数(8000パルス)を超えると目標 ガラス強度: 120MPaが確保できなぐ不用意な割損の原因となる。
[0026] そこで、このようなパルスレーザ 2の相対的 1行程の照射によってスクライブ線 7の深 さ: 1. 8%〜6. 3%を与えるように移動台 5の速度: 240〜720mmZsを変化させ、 これらの速度: 240〜720mmZsに対応して移動台 5上のガラス 4の同一個所に照 射されるパルスレーザ 2のパルス数を求めたところ、図 5に示すように 2667〜8000 回の範囲になった。同様に、ノ ルスレーザ 2のパルス数の合計に対応する照射エネ ルギ一は 0. 333-0. l l l CiZcm)になり、照射エネルギー密度(D=N (照射回数) X e (lパルスのエネルギー密度))は 176〜58. 7 (jZcm2 )〖こなった。照射エネル ギ一は、スクライブ線 7の単位長さ当たりに照射されたエネルギーであり、パルスレー ザ 2のビーム径に応じた幅のスクライブ線 7が形成されるとき、パルスレーザ 2のビー ム径の大きさに関わらず、レーザ出力値と移動台 5の速度とに依存するパルス数の合 計に対応する値である。
[0027] ブレイク力を作用させて切断した後のガラス 4の曲げ強度は、液晶パネルガラス、太 陽電池パネルガラス等のガラス基板としての一般的使用にお 、て、 120MPa以上で あることが望まれるが、図 5から分力るようにパルスレーザ 2の照射パルス数を 2667 〜8000回の範囲内に設定すれば、 120MPa以上とする切断が可能である。このよう に、 目標ガラス強度: 120MPaを確保するために、パルスレーザ 2の同一個所への照 射パルス数の合計を最大で 8000パルスとし、また、ブレイクを可能とするために同照 射パルス数の最小を 2667パルスとした。これを図 5中に許容の範囲として示す。
[0028] しかして、ガラス 4の同一個所にパルスレーザ 2が 2667〜8000パルス数になるよう に照射して、ガラス 4の厚さの 1. 8〜6. 3%の範囲の深さ(図 4に示す許容の範囲) にスクライブ線 7を形成させることにより、スクライブ線 7の溝内に再溶融ガラスが付着 したり、底面にノコギリ歯状のクラック Al, A2, Bl, B2, B3が発生する凹凸の不整 状態が良好に防止される。なお、移動台 5の速度を 240mmZsに代えて 280mmZ sに設定すれば、ガラス強度:約 220MPaが得られるので、ガラス曲げ強度が、従来 の 50MPa以下程度力も 4倍以上に向上する。ところで、分断後のガラス曲げ強度( MPa)は、図 10に示すようにいわゆるピコ秒レーザでスクライブしたものでは 45〜25 OMPaの範囲で得ることができる力 V、わゆるナノ秒レーザでスクライブしたものでは 40〜50MPaである。また、従来の数十ナノ秒程度のパルス幅のレーザを用い、同様 のガラス 4の厚さの 1. 8〜6. 3%の深さにスクライブ線を形成するときのパルス数の 合計は、 3〜 12パルス数程度である。
産業上の利用の可能性
[0029] 本発明は、二層の張り合わせガラスに限らず、二層以上の張り合わせガラスにも適 用可能である。

Claims

請求の範囲
[1] ガラス (4)の切断すべき部分に、パルスレーザ(2)を 1行程の相対移動で照射してス クライブ線 (7)を形成した後、該スクライブ線 (7)にブレイク力を作用させて切断する ガラスの切断方法であって、
前記パルスレーザ (2)として紫外線領域を用い、各照射箇所でのパルス数の合計が 2667〜8000パルス数の範囲となるように該パルスレーザ(2)を相対移動させながら 照射して、ガラス (4)の厚さの 1. 8〜6. 3%の範囲の深さに前記スクライブ線(7)を 形成することを特徴とするガラスの切断方法。
[2] 前記パルスレーザ(2)のパルス幅が 100ピコ秒未満であることを特徴とする請求項 1 のガラスの切断方法。
[3] 前記パノレスレーザ(2) 1S Nd: YAGレーザ、 Nd: YV04レーザ又は Nd: YLFレー ザの第 3高調波、第 4高調波又は第 5高調波であることを特徴とする請求項 1又は 2 のガラスの切断方法。
[4] 前記パルスレーザ(2)の繰り返し周波数力 1MHz以上であることを特徴とする請求 項 1, 2又は 3のガラスの切断方法。
[5] ガラス (4)の切断すべき部分に、パルスレーザ(2)を 1行程の相対移動で照射してス クライブ線 (7)を形成した後、該スクライブ線 (7)にブレイク力を作用させて切断する ガラスの切断装置であって、
紫外線領域のパルスレーザ (2)を発生するレーザ発振装置(1)と、ガラス (4)を載置 して移動する移動台(5)とを備え、
移動台(5)を移動させながら、パルスレーザ(2)を各照射箇所でのパルス数の合計 力 2667〜8000パルス数の範囲となるように照射して、ガラス(4)の厚さの 1. 8〜6. 3%の範囲の深さにスクライブ線 (7)を形成することを特徴とするガラスの切断装置。
PCT/JP2005/007701 2004-04-27 2005-04-22 ガラスの切断方法及びその装置 Ceased WO2005105681A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/559,816 US20070090100A1 (en) 2004-04-27 2005-04-22 Glass cutting method and apparatus therefor
DE112005000025T DE112005000025B4 (de) 2004-04-27 2005-04-22 Glasschneideverfahren
GB0524065A GB2417726B (en) 2004-04-27 2005-04-22 Glass cutting method and apparatus therefor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004131087A JP3908236B2 (ja) 2004-04-27 2004-04-27 ガラスの切断方法及びその装置
JP2004-131087 2004-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005105681A1 true WO2005105681A1 (ja) 2005-11-10

Family

ID=35241587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/007701 Ceased WO2005105681A1 (ja) 2004-04-27 2005-04-22 ガラスの切断方法及びその装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070090100A1 (ja)
JP (1) JP3908236B2 (ja)
KR (1) KR100675535B1 (ja)
DE (1) DE112005000025B4 (ja)
GB (1) GB2417726B (ja)
WO (1) WO2005105681A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012527399A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 コーニング インコーポレイテッド 機械的耐久性エッジを有する薄型基材
CN107635935A (zh) * 2015-05-15 2018-01-26 康宁股份有限公司 具有激光切割边缘的玻璃制品及其制造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006259566A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置とその製造方法
JP2006319198A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007313774A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Tdk Corp サーマルヘッド用基板の分割溝形成方法、サーマルヘッドの製造方法、サーマルヘッド及び印画装置
JP2007331983A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Sony Corp ガラスのスクライブ方法
US7564047B2 (en) * 2006-11-07 2009-07-21 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel, and manufacturing method and cassette thereof
US20090013527A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 International Business Machines Corporation Collapsable connection mold repair method utilizing femtosecond laser pulse lengths
JP2009262188A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 透明板状物のレーザー加工方法
JP2010110818A (ja) * 2008-10-09 2010-05-20 Seiko Epson Corp 加工対象物分断方法および対象物製造方法
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
KR20100107253A (ko) 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR101041137B1 (ko) 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
TW201039958A (en) * 2009-03-31 2010-11-16 Ceramtec Ag Component having an overlapping laser track
JP2010274328A (ja) 2009-04-30 2010-12-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US20100279067A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Robert Sabia Glass sheet having enhanced edge strength
US9701581B2 (en) * 2009-06-04 2017-07-11 Corelase Oy Method and apparatus for processing substrates using a laser
EP2480507A1 (en) * 2009-08-28 2012-08-01 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from chemically strengthened glass substrates
JP2011046581A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Seiko Instruments Inc 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
KR101094284B1 (ko) 2009-09-02 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
ES2450520T5 (es) * 2010-03-05 2017-08-07 Sage Electrochromics, Inc. Laminado de un dispositivo electrocrómico a sustratos de vidrio
FR2962682B1 (fr) 2010-07-16 2015-02-27 Saint Gobain Vitrage electrochimique a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
JP5879106B2 (ja) * 2011-11-25 2016-03-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のスクライブ方法
CN104661787A (zh) 2012-04-05 2015-05-27 Sage电致变色显示有限公司 用于电变色装置制造的热激光划线切割方法和设备及相应的切割玻璃面板
JP5888158B2 (ja) * 2012-04-05 2016-03-16 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法
JP6008565B2 (ja) * 2012-05-02 2016-10-19 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
WO2014144322A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Kinestral Technologies, Inc. Laser cutting strengthened glass
DE102013212577A1 (de) 2013-06-28 2014-12-31 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Abtragschneiden eines Werkstücks mittels eines gepulsten Laserstrahls
CN104377280B (zh) * 2014-11-14 2017-11-10 邬志芸 一种在衬底晶圆上制作沟槽结构的方法
KR102074737B1 (ko) * 2018-01-04 2020-02-07 주식회사 넵시스 레이저 스팟 빔을 이용한 절단 장치
KR20200145881A (ko) 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
CN110143755A (zh) * 2019-06-27 2019-08-20 Oppo广东移动通信有限公司 激光切割覆膜玻璃的方法、电子设备的壳体以及电子设备
CN110860803A (zh) * 2019-11-27 2020-03-06 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 一种太阳能电池片低损切割方法及切割装置
CN111302613A (zh) * 2020-04-13 2020-06-19 武汉吉事达科技股份有限公司 一种皮秒激光切割超厚玻璃的方法
CN115521056A (zh) * 2022-10-25 2022-12-27 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的劈裂方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532428A (ja) * 1991-07-30 1993-02-09 Hoya Corp ガラス加工方法及びその装置
JP2004174579A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザパターニング方法
JP2005179154A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法およびその装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016324A (en) * 1994-08-24 2000-01-18 Jmar Research, Inc. Short pulse laser system
JPH09150286A (ja) * 1995-06-26 1997-06-10 Corning Inc 脆弱性材料切断方法および装置
JP4041298B2 (ja) * 2001-10-05 2008-01-30 日本板硝子株式会社 レーザ光照射によるガラスの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532428A (ja) * 1991-07-30 1993-02-09 Hoya Corp ガラス加工方法及びその装置
JP2004174579A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザパターニング方法
JP2005179154A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法およびその装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012527399A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 コーニング インコーポレイテッド 機械的耐久性エッジを有する薄型基材
US9422188B2 (en) 2009-05-21 2016-08-23 Corning Incorporated Thin substrates having mechanically durable edges
CN107635935A (zh) * 2015-05-15 2018-01-26 康宁股份有限公司 具有激光切割边缘的玻璃制品及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB0524065D0 (en) 2006-01-04
KR100675535B1 (ko) 2007-01-30
JP3908236B2 (ja) 2007-04-25
KR20060030057A (ko) 2006-04-07
US20070090100A1 (en) 2007-04-26
GB2417726A (en) 2006-03-08
DE112005000025B4 (de) 2008-01-03
DE112005000025T5 (de) 2007-02-08
JP2005314127A (ja) 2005-11-10
GB2417726B (en) 2009-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005105681A1 (ja) ガラスの切断方法及びその装置
JP5525601B2 (ja) レーザを用いた基板加工方法
JP6552717B2 (ja) 薄型のガラス層を切断する方法
JP4175636B2 (ja) ガラスの切断方法
JP5432285B2 (ja) 面取りした端部を有する形状にガラスをレーザ加工する方法
CN106457476B (zh) 使用超快激光束光学器件、中断层和其他层的堆叠透明材料切割
JP6552503B2 (ja) サファイア基体をレーザによってレーザ切断する方法、および一続きの欠陥を有するエッジを有するサファイアを含む物品
EP2910532B1 (en) Method of machining and releasing closed forms from a transparent substrate using burst of ultrafast laser pulses
CN105828965B (zh) 钢板切边装置及方法
TWI647187B (zh) 自載體分離玻璃片的方法
CN104690430A (zh) 通过突发超快激光脉冲的成丝的激光处理硅的方法和装置
JP2005179154A (ja) 脆性材料の割断方法およびその装置
JP2012109341A (ja) 半導体材料の切断方法と切断装置
CN103443908A (zh) 用于光电装置的改进的激光划片方法和设备
JP2018170475A (ja) 金属膜付き脆性材料基板の分断方法並びに分断装置
JP2009084089A (ja) ガラス切断装置及び方法
JP2019532815A (ja) レーザ加工装置及びワークピースをレーザ加工する方法
JP2002241141A (ja) レーザによるガラスの加工方法及び装置
JP2006159747A (ja) レーザ加工方法及びその装置
JP2007331983A (ja) ガラスのスクライブ方法
JP2009107304A (ja) 脆性材料の熱応力割断方法
CN1882408A (zh) 对局部加热的目标材料的激光加工
JP2004035315A (ja) 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置
KR101282053B1 (ko) 레이저 다중 선로 공정에 의한 웨이퍼 미세 가공 방법 및 장치
Raciukaitis et al. Micro-machining of silicon and glass with picosecond lasers

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 0524065.0

Country of ref document: GB

Ref document number: 0524065

Country of ref document: GB

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007090100

Country of ref document: US

Ref document number: 10559816

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057025098

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057025098

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020057025098

Country of ref document: KR

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112005000025

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20070208

Kind code of ref document: P

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112005000025

Country of ref document: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10559816

Country of ref document: US

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607

122 Ep: pct application non-entry in european phase