WO2005078773A1 - 結像光学系、露光装置、および露光方法 - Google Patents

結像光学系、露光装置、および露光方法 Download PDF

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optical system
optical
optical member
imaging optical
imaging
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PCT/JP2005/001317
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English (en)
French (fr)
Inventor
Yasuhiro Omura
Ryuichi Inoue
Masahiko Shinkai
Original Assignee
Nikon Corporation
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Definitions

  • Imaging optical system Imaging optical system, exposure apparatus, and exposure method
  • the present invention relates to an imaging optical system, an exposure apparatus, and an exposure method, and more particularly, to a high-resolution suitable for an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, and the like by a photolithographic process.
  • a projection optical system In the projection optical system.
  • a pattern image of a mask or a reticle is transferred to a wafer (or a glass plate) coated with a photoresist or the like via a projection optical system. Etc.).
  • the resolving power (resolution) required for a projection optical system of an exposure apparatus has been increasing.
  • the resolution of the projection optical system is represented by k′ ⁇ & is a process coefficient.
  • the image-side numerical aperture NA is defined as the refractive index of a medium (usually, gas such as air) between the projection optical system and the photosensitive substrate (such as a wafer), and the maximum incident angle on the photosensitive substrate.
  • is represented by n-sin ⁇ .
  • the change in the refractive index of a liquid due to a change in temperature is larger than the change in the refractive index of a gas such as air. For this reason, it is substantially affected by fluctuation of the refractive index of the liquid due to temperature change.
  • the light energy to be irradiated is relatively large at the boundary lens which is disposed closest to the image in the projection optical system and is in contact with the liquid.
  • the boundary lens placed at a position with a relatively large amount of light energy is formed of quartz, local refractive index change due to volume shrinkage, that is, compaction easily occurs, and the image of the projection optical system is formed by the influence of compaction. Performance may be degraded.
  • a fluoride material having a sufficiently large transmittance even for light in the extreme ultraviolet region, particularly a material having excellent homogeneity is required. It is conceivable to form a boundary lens using the developed fluorite. However, it has been found that fluoride has the property of dissolving in water.For example, if fluorite is used to form a boundary lens and pure water is used as the immersion liquid, the optical surface of the boundary lens becomes pure water (immersion). In other words, the projection optical system cannot easily maintain the imaging performance over a long period of time due to the influence of the liquid.
  • the present invention ensures a large effective image-side numerical aperture by interposing a liquid in the optical path between the image plane and the optical path, and is substantially free from the effects of compaction and substantially no damage due to immersion liquid. It is an object of the present invention to provide an imaging optical system capable of maintaining excellent imaging performance for a long period of time.
  • the present invention provides a high-resolution projection system using an imaging optical system capable of maintaining good imaging performance over a long period of time while securing a large effective image-side numerical aperture.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can perform exposure stably for a long period of time.
  • an imaging optical system for optically conjugate the first surface and the second surface
  • the optical path between the imaging optical system and the second surface is filled with a liquid having a refractive index larger than 1.1.
  • the first optical member formed of the first optical material and in contact with the liquid has a bonding strength of a second optical member formed of the second optical material.
  • Optical members are arranged,
  • An imaging optical system characterized by satisfying the following condition is provided.
  • the optical path between the imaging optical system and the second surface is filled with a liquid having a refractive index larger than 1.1.
  • the bonding force between the first optical member formed of the first optical material and in contact with the liquid and the second optical member formed of the second optical material is located at the second surface side of the imaging optical system.
  • the image of the first or second embodiment for forming an image of the pattern set on the first surface on a photosensitive substrate set on the second surface.
  • An exposure apparatus characterized by having an image optical system is provided.
  • An exposure method is provided.
  • the optical path between the imaging optical system and the second surface is larger than 1.1.
  • a liquid having a refractive index immersion liquid
  • the numerical aperture on the second surface side of the imaging optical system is increased.
  • a boundary lens disposed on the second surface and in contact with the liquid is connected to a first optical member formed of, for example, synthetic quartz and in contact with the liquid, and a second optical member formed of, for example, fluorite. It is configured as a member.
  • the effect of compaction and damage due to immersion liquid are substantially reduced while securing a large effective second surface side numerical aperture by interposing a liquid in the optical path between the second surface and the second surface. Therefore, it is possible to realize an imaging optical system that can maintain good imaging performance for a long period of time without being affected by the problem.
  • high-resolution projection exposure can be stably performed over a long period of time, and a good device can be manufactured.
  • FIG. 1 schematically shows the influence of compaction of a first optical member formed of synthetic quartz in contact with an immersion liquid on the imaging performance of a projection optical system in a typically designed force projection optical system.
  • FIG. 2 is a view schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration from a boundary lens to a wafer in the present embodiment.
  • FIG. 4 is a view showing a state where an overcoat is formed on side surfaces of a first optical member and a second optical member.
  • FIG. 5 is a view showing a state in which a boundary lens is held by a lens barrel via a second optical member.
  • FIG. 6 is a flowchart of a method for obtaining a semiconductor device as a micro device.
  • FIG. 7 is a flowchart of a method for obtaining a liquid crystal display element as a micro device.
  • the distance between the imaging optical system and the second surface on which the photosensitive substrate is By interposing a liquid having a refractive index higher than 1.1 in the optical path, the numerical aperture on the second surface of the imaging optical system is increased.
  • M. Switkes and M. Rothschild's power S “SPIE2002 Microlithography”"Massachusetts Institute of Technology J” Resolution Enhancement or 157-nm Lithography by Liquid ImmersionJ has a
  • Fluorinert Perfluoropolyethers: trade name of Sleem Co., USA
  • deionized water Deionized Water
  • a boundary lens that is arranged closest to the image side (second surface side) and is in contact with a liquid (immersion liquid) is made of, for example, synthetic quartz (first liquid).
  • the first optical member is formed of an optical material) and is in contact with a liquid
  • the second optical member is formed of, for example, fluorite (a second optical material).
  • the first optical member and the second optical member are joined by, for example, optical contact (optical welding).
  • Optical contact is a technology in which the surfaces of two optical members are processed into the same shape with high precision, and these surfaces are brought close to each other and the two optical members are bonded by attractive force between molecules without using an adhesive. It is.
  • the first optical member formed of, for example, synthetic quartz and in contact with the liquid satisfies the following conditional expression (1).
  • TA is the thickness of the first optical member (the dimension of the first optical member along the optical axis)
  • IH is the maximum image height on the image plane (second plane).
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the influence of compaction of a first optical member formed of synthetic quartz and in contact with an immersion liquid on the imaging performance of a projection optical system in a typical designed force projection optical system.
  • the abscissa represents ⁇ corresponding to the conditional expression (1)
  • the ordinate represents the amount of change in wavefront aberration (m RMS) as the expected amount of aberration deterioration after five years.
  • m RMS wavefront aberration
  • indicates the wavelength of light
  • RMS root mean square indicates the root mean square (or root mean square).
  • the immersion liquid is pure water
  • the image-side numerical aperture is 1.
  • the thickness TA of the first optical member formed of, for example, synthetic quartz and in contact with the immersion liquid becomes too small, so that a surface sufficient for optical contact is required. Precision processing cannot be performed. It is more preferable to set the upper limit value of the conditional expression (1) to 0.7, because even if the irradiation energy is increased, the effect of compaction can be suppressed and high throughput and high resolution can be realized. It is more preferable to set the lower limit of conditional expression (1) to 0.14, because it is possible to improve the processing surface accuracy of the first optical member and, as a result, to achieve high resolution.
  • compaction does not substantially occur in the second optical member formed of, for example, fluorite.
  • compaction is likely to occur in the first optical member formed of synthetic quartz and in contact with the immersion liquid. Since the thickness TA of the first optical member is set to be sufficiently small according to the conditional expression (1), (1) The influence of compaction on the optical member can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in the imaging performance of the imaging optical system (projection optical system) due to the influence of compaction in the boundary lens.
  • the temperature of synthetic quartz tends to rise due to light irradiation.
  • the temperature of the liquid rises, causing the refractive index to fluctuate. System
  • the thermal power is easily transmitted to a lens barrel or the like via the second optical member made of fluorite having a relatively high thermal conductivity.
  • the heat transmitted from the first optical member to the liquid can be reduced, and the deterioration of the imaging performance of the imaging optical system (projection optical system) due to the change in the refractive index of the liquid can be reduced.
  • synthetic quartz substantially insoluble in pure water is provided between a second optical member formed of fluorite easily soluble in pure water and a liquid such as pure water.
  • the first optical member thus formed is interposed in a close contact state. Therefore, the image forming optical system (projection optical system) does not damage the optical surface of the second optical member under the influence of pure water and, consequently, does not damage the optical surface of the boundary lens under the influence of pure water. Good image performance can be maintained over a long period of time.
  • a large effective image-side numerical aperture is ensured by interposing a liquid in the optical path between the image plane and the optical path, and a good effect is obtained without substantially being affected by compaction or being damaged by immersion liquid.
  • An imaging optical system projection optical system
  • the object side (first surface side) of the second optical member is required. It is preferable that the optical surface has a convex surface facing the object side. In addition, in order to realize good optical contact, it is preferable that the joining surface between the first optical member and the second optical member is planar. Further, in order to improve the resolution (resolution) of the imaging optical system (projection optical system), the wavelength of the light used is preferably 300 nm or less. Further, it is preferable that the second optical material forming the second optical member is a fluoride (for example, fluorite) in order to avoid the occurrence of compaction.
  • a fluoride for example, fluorite
  • the method of the present invention has an advantage that the mechanism for holding the first optical member so as to be exchangeable can be simplified, and this advantage is provided by the first optical material forming the first optical member and the second optical material forming the second optical member. There exists even if the learning material is the same kind of material.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration from the boundary lens to the wafer in the present embodiment.
  • the Z axis is parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL
  • the Y axis is parallel to the plane of FIG. 2 in a plane perpendicular to the optical axis AX
  • the X axis is perpendicular to the plane of FIG.
  • the exposure apparatus of the present embodiment includes, for example, an ArF excimer laser light source as light source 100 for supplying illumination light in the ultraviolet region.
  • the light emitted from the light source 100 illuminates the reticle R on which the predetermined pattern is formed in a superimposed manner via the illumination optical system IL.
  • the optical path between the light source 100 and the illumination optical system IL is a casing (not shown).
  • the space between the light source 100 and the optical member closest to the reticle in the illumination optical system IL is replaced with an inert gas such as helium gas or nitrogen, which has a low absorption rate of exposure light. It is kept at or almost vacuum.
  • Reticle R is held on reticle stage RS via reticle holder RH in parallel with the XY plane.
  • a pattern to be transferred is formed on the reticle R, and a rectangular pattern area is illuminated.
  • the reticle stage RS can be moved two-dimensionally along the reticle plane (that is, the XY plane) by the action of a drive system (not shown), and its position coordinates are measured by an interferometer RIF using a reticle moving mirror RM. And the position is controlled.
  • Light from the pattern formed on the reticle R forms a reticle pattern image on the wafer W as a photosensitive substrate via the projection optical system PL.
  • the wafer W is held on a wafer stage WS in parallel with the XY plane via a wafer holder table WT. Then, a pattern image is formed on the rectangular stationary exposure area (effective exposure area) on the wafer W so as to optically correspond to the rectangular illumination area on the reticle R.
  • the wafer stage WS can be moved two-dimensionally along the wafer surface (that is, the XY plane) by the action of a drive system (not shown), and its position coordinates are determined by an interferometer WIF using a wafer moving mirror WM. It is configured to be measured and position controlled.
  • the optical member disposed closest to the reticle and the boundary lens Lb disposed closest to the wafer (see FIG. 3)
  • the interior of the projection optical system PL is configured so as to maintain an airtight state, and the gas inside the projection optical system PL is replaced by an inert gas such as helium gas or nitrogen, or almost completely. It is kept in a vacuum state.
  • a casing (not shown) hermetically surrounding the reticle R, the reticle stage RS, and the like in which the reticle R and the reticle stage RS are arranged. Is filled with an inert gas such as nitrogen or helium gas, or is maintained in a substantially vacuum state.
  • the projection optical system PL is arranged closest to the wafer.
  • the optical path between the defined boundary lens Lb and the wafer W is filled with a liquid Lm having a refractive index greater than 1.1.
  • the liquid Lm as the immersion liquid, for example, pure water can be used.
  • the boundary lens Lb is formed by joining a first optical member Lbl formed of synthetic quartz and in contact with the liquid Lm with a second optical member Lb2 formed of fluorite by optical contact.
  • the first optical member Lbl is a plane-parallel plate
  • the second optical member Lb2 is a plano-convex lens with the convex surface facing the reticle side.
  • the liquid supply device collects the liquid from above the wafer W through the collection pipe and the inflow nozzle.
  • the wafer holder table WT is formed in a container shape so as to be able to store the liquid Lm, and is placed at the center of the inner bottom thereof.
  • the wafer w is positioned and held (in liquid) by vacuum suction.
  • the projection optical system PL is configured such that the tip of the lens barrel reaches the liquid, and the optical surface on the wafer side of the boundary lens Lb reaches the liquid.
  • an atmosphere in which exposure light is hardly absorbed is formed over the entire optical path from the light source 100 to the wafer W. Therefore, using a drive system and an interferometer (RIF, WIF), etc., collective exposure is performed while two-dimensionally driving and controlling the wafer W in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • the pattern of the reticle R is sequentially exposed on the shot area of the wafer W according to the so-called step-and-repeat method.
  • the liquid Lm such as pure water is interposed in the optical path between the projection optical system PL and the wafer W as the photosensitive substrate.
  • the boundary lens Lb is formed by joining a first optical member Lbl formed of synthetic quartz, which is in contact with the liquid Lm, and a second optical member Lb2 formed of fluorite. As Has formed. Further, the thickness TA of the first optical member Lbl is set so as to satisfy the above conditional expression (1).
  • compaction does not substantially occur in the second optical member Lb2 formed of fluorite.
  • the thickness TA of the first optical member Lbl made of synthetic quartz is set to be sufficiently small, the influence of compaction on the first optical member Lbl can be suppressed. As a result, it is possible to suppress a reduction in the imaging performance of the projection optical system PL due to the influence of the compaction in the boundary lens Lb.
  • the second optical member Lb2 is formed of synthetic quartz that does not dissolve in pure water. Further, the first optical member Lbl is interposed in a close contact state. Therefore, the imaging performance of the projection optical system PL is such that the optical surface of the second optical member Lb2 is not damaged by the influence of pure water, and thus the optical surface of the boundary lens Lb is not damaged by the influence of pure water. Can be maintained well over a long period of time.
  • the liquid Lm is interposed in the optical path between the wafer W serving as an image plane and a large effective image-side numerical aperture is secured.
  • good imaging performance can be maintained over a long period of time without being substantially affected by compaction or damage by the immersion liquid Lm. Therefore, in the exposure apparatus of the present embodiment, a high resolution is achieved by using the projection optical system PL that can maintain a good imaging performance over a long period of time while securing a large effective image-side numerical aperture. And stable projection exposure over a long period of time.
  • the second optical member Lb2 is configured as a plano-convex lens with the convex surface facing the reticle side, and the optical surface of the second optical member Lb2 on the reticle side is on the reticle side. Since the convex surface is oriented, the numerical aperture on the image side can be increased. Further, since the first optical member Lbl is configured as a parallel plane plate and the second optical member Lb2 is configured as a plano-convex lens with the plane facing the wafer side, the first optical member Lbl and the second optical member Lb2 are Is flat, and a good optical contact can be realized.
  • the liquid flows to the joint surface between the first optical member Lbl and the second optical member Lb2.
  • the first optical member Lbl and the second optical member Lb2 joined by the optical contact may be separated (separated). Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, as a liquid infiltration preventing means for preventing infiltration of the liquid Lm into the joint surface between the first optical member Lbl and the second optical member Lb2, for example, overcoating is performed.
  • 41 is preferably formed on the side surfaces of the first optical member Lbl and the second optical member Lb2.
  • each optical member (such as a lens) constituting the projection optical system PL needs to be held with sufficient strength, and therefore, each held optical member needs to have a sufficiently large thickness. Furthermore, during exposure, light energy is absorbed in the optical members in a small amount and converted into heat, but if an optical member made of an optical material with high thermal conductivity is in contact with the lens barrel, heat transfer to the lens barrel will occur. Thereby, the temperature rise of the optical member is reduced, and the heat conduction to the liquid can be reduced.
  • the second optical member Lb2 formed of fluorite having a sufficiently large thickness and a relatively high thermal conductivity is used. It is desirable that the boundary lens (joint optical member) Lb is held in the lens barrel 51 via the lens. Further, with this configuration, it is possible to easily replace the first optical member Lbl which is arranged on the wafer W side and is easily affected by the resist while the boundary lens Lb is held by the lens barrel 51.
  • the side surface of the first optical member Lbl and the inner surface of the lens barrel 51 are arranged so as to be sufficiently close to each other, and the side surface of the first optical member Lb1 and the inner surface of the lens barrel 51 facing each other are repelled.
  • the aqueous treatment for example, forming the water-repellent coating 52
  • the side surface of the second optical member Lb2 is also subjected to water repellency treatment (for example, water repellent coating).
  • water repellency treatment for example, water repellent coating
  • a method of applying overcoating as a liquid intrusion prevention means on the side surface of the second optical member Lb2 may be applied.
  • a method of applying overcoating as liquid intrusion prevention means may be applied.
  • the first optical member Lbl and the second optical member Lb2 are joined by an optical contact.
  • the first optical member Lbl and the second optical member Lb2 can also be joined.
  • the force of using pure water as the immersion liquid is not limited to this.
  • Other suitable liquids can be used according to the wavelength of light.
  • the first optical member Lbl is formed of synthetic quartz, and the second optical member Lb2 is formed of fluorite.
  • the first optical member Lbl can be formed by using an appropriate optical material having a property of being substantially insoluble in the immersion liquid, for example, without limitation.
  • a suitable optical material having a property that substantially no compaction occurs for example, a suitable fluoride material other than fluorite (for example, calcium fluoride, barium fluoride, lithium fluoride, sodium fluoride, strontium fluoride)
  • the second optical member Lb2 can also be formed using a suitable fluoride material other than fluorite (for example, calcium fluoride, barium fluoride, lithium fluoride, sodium fluoride, strontium fluoride)
  • the first optical member Lbl is configured as a plane parallel plate
  • the second optical member Lb2 is configured as a plano-convex lens with the convex surface facing the reticle side.
  • various modifications are possible for the shapes of the first optical member Lbl and the second optical member Lb2 without being limited thereto.
  • the configuration is such that one first optical member Lbl is provided, but the number of first optical members Lbl is not limited to one.
  • the reticle (mask) is illuminated by the illumination device (illumination step), and the transfer pattern formed on the mask is exposed on the photosensitive substrate using the projection optical system.
  • a micro device semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.
  • the exposure apparatus of the present embodiment By forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using
  • a metal film is deposited on one lot of wafers.
  • a photoresist is applied on the metal film on the one lot wafer.
  • an image of the pattern on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of the lot through the projection optical system.
  • the photo resist on the one lot of wafers is developed, and in step 305, the pattern on the mask is etched by etching the one lot of wafers using the resist pattern as a mask. A corresponding circuit pattern is formed in each shot area on each wafer.
  • a device such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer and the like.
  • a semiconductor device manufacturing method a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with good throughput.
  • a metal is vapor-deposited on the wafer, a resist is applied on the metal film, and the force of performing each of the steps of exposure, development, and etching is performed on the wafer prior to these steps.
  • a resist may be applied on the silicon oxide film, and the respective steps such as exposure, development, and etching may be performed.
  • a liquid crystal display element as a micro device can be obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate).
  • a predetermined pattern circuit pattern, electrode pattern, etc.
  • a plate glass substrate
  • FIG. 7 in a pattern forming step 401, a so-called optical lithography process of transferring and exposing a mask pattern onto a photosensitive substrate (eg, a glass substrate coated with a resist) using the exposure apparatus of the present embodiment is performed. .
  • a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate.
  • the exposed substrate is subjected to various processes such as a developing process, an etching process, a resist stripping process, etc., so that a predetermined pattern is formed on the substrate, and a next color filter is formed.
  • a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix, or R, G,
  • a color filter is formed by arranging a plurality of sets of filters of three stripes B in the horizontal scanning line direction.
  • a cell assembling step 403 is performed.
  • a liquid crystal panel liquid crystal cell
  • a liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern forming step 401 and the color filter obtained in the color filter forming step 402.
  • Manufacture panels liquid crystal cells.
  • components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element.
  • the force S using the ArF excimer laser light source is not limited to this.
  • another appropriate light source such as a KrF excimer laser light source or an F laser light source may be used. it can.
  • the present invention is applied to the projection optical system mounted on the exposure apparatus.
  • the present invention is not limited to this, and other general projection optical systems and other general The present invention can also be applied to an imaging optical system.
  • the magnification of the projection optical system is a reduction magnification.
  • the magnification may be an enlargement magnification or an equal magnification.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.5.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is increased as described above, the polarization effect may deteriorate the imaging performance of the randomly polarized light conventionally used as the exposure light. Is desirable.
  • linearly polarized illumination is performed in accordance with the longitudinal direction of the line pattern of the line pattern of the mask (retinator) 'and' space pattern, and the S-polarized component (line pattern) It is preferable that a large amount of diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction of the laser beam is emitted.
  • a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern or a phase pattern (darkening pattern) is formed on a light-transmitting substrate, or a predetermined light-shielding pattern is formed on a light-reflective substrate.
  • a light reflection type mask having a reflection pattern is used, an electronic mask for forming a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used instead of these masks. .
  • Such an electronic mask is disclosed, for example, in US Pat. No. 6,778,257. Here, this US Patent No. 6,778,257 is incorporated by reference. Note that the above-described electronic mask is a concept that includes both a non-light-emitting image display element and a self-light-emitting image display element.

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

 像面との間の光路中に液体を介在させて大きな実効的な像側開口数を確保しつつ、コンパクションの影響や浸液による損傷を実質的に受けることなく良好な結像性能を長期間に亘って維持することのできる結像光学系。結像光学系の光路中の雰囲気の屈折率を1とするとき、結像光学系と第2面(W)との間の光路は1.1よりも大きい屈折率を有する液体(Lm)で満たされている。結像光学系中の最も第2面側には、第1光学材料により形成されて液体と接する第1光学部材(Lb1)と第2光学材料により形成された第2光学部材(Lb2)との接合からなる接合光学部材(Lb)が配置されている。第1光学部材の厚さをTAとし、第2面における最大像高をIHとするとき、0.1<TA/IH<1.1の条件を満足する。

Description

明 細 書
結像光学系、露光装置、および露光方法
技術分野
[0001] 本発明は、結像光学系、露光装置、および露光方法に関し、特に半導体素子や液 晶表示素子などをフォトリソグラフイエ程で製造する際に使用される露光装置に適し た高解像の投影光学系に関するものである。
背景技術
[0002] 半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフイエ程において、マスクほたはレチ クル)のパターン像を、投影光学系を介して、フォトレジスト等が塗布されたウェハ(ま たはガラスプレート等)上に露光する露光装置が使用されている。そして、半導体素 子等の集積度が向上するにつれて、露光装置の投影光学系に要求される解像力( 解像度)が益々高まっている。
[0003] そこで、投影光学系の解像力に対する要求を満足するために、照明光(露光光)の 波長 λを短くするとともに、投影光学系の像側開口数 ΝΑを大きくする必要がある。 具体的には、投影光学系の解像度は、 k' λ ΖΝΑ &はプロセス係数)で表される。ま た、像側開口数 NAは、投影光学系と感光性基板 (ウェハなど)との間の媒質 (通常は 空気などの気体)の屈折率を nとし、感光性基板への最大入射角を Θとすると、 n-sin Θで表される。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] この場合、最大入射角 Θを大きくすることにより像側開口数の増大を図ろうとすると 、感光性基板への入射角および投影光学系からの射出角が大きくなり、光学面での 反射損失が増大して、大きな実効的な像側開口数を確保することはできない。そこで 、結像光学系としての投影光学系と感光性基板との間の光路中に屈折率の高い液 体のような媒質を満たすことにより像側開口数の増大を図る技術が知られている。
[0005] 一般に、温度変化による液体の屈折率変動は、空気のような気体の屈折率変動よ りも大きい。このため、温度変化による液体の屈折率変動の影響を実質的に受けるこ となぐ露光時における投影光学系の収差変動を小さく抑えるには、液体層の厚さを 大きく設定すること、ひいては投影光学系の像側の作動距離 (最も像側の光学面と 像面との距離)を大きく設定することができなレ、。
[0006] 一方、照射される光エネルギーは、投影光学系中において最も像側に配置されて 液体に接する境界レンズで比較的大きくなる。その結果、光エネルギーの比較的大 きレ、位置に配置された境界レンズを石英により形成すると、体積収縮による局所的屈 折率変化すなわちコンパクションが起こり易ぐコンパクションの影響により投影光学 系の結像性能が低下する可能性がある。
[0007] そこで、コンパクションによる投影光学系の結像性能の低下を回避するために、極 紫外域の光に対しても十分に大きな透過率を有するフッ化物材料、とりわけ均質性 に優れた材料が開発されている蛍石を用いて境界レンズを形成することが考えられ る。し力 ながら、フッ化物は水に溶ける性質があることがわかっており、たとえば蛍石 を用いて境界レンズを形成し且つ浸液として純水を用いると、境界レンズの光学面が 純水 (浸液)の影響を受けて損傷し易ぐひいては投影光学系の結像性能を長期間 に亘つて良好に維持することができない。
[0008] 本発明は、像面との間の光路中に液体を介在させて大きな実効的な像側開口数を 確保しつつ、コンパクションの影響や浸液による損傷を実質的に受けることなく良好 な結像性能を長期間に亘つて維持することのできる結像光学系を提供することを目 的とする。
[0009] また、本発明は、大きな実効的な像側開口数を確保しつつ良好な結像性能を長期 間に亘つて維持することのできる結像光学系を用いて、高解像な投影露光を長期間 に亘つて安定的に行うことのできる露光装置および露光方法を提供することを目的と する。
課題を解決するための手段
[0010] 前記目的を達成するために、本発明の第 1形態では、第 1面と第 2面とを光学的に 共役にする結像光学系において、
前記結像光学系の光路中の雰囲気の屈折率を 1とするとき、前記結像光学系と前 記第 2面との間の光路は 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされ、 前記結像光学系中の最も第 2面側には、第 1光学材料により形成されて前記液体と 接する第 1光学部材と第 2光学材料により形成された第 2光学部材との接合力 なる 接合光学部材が配置され、
前記第 1光学部材の厚さを TAとし、前記第 2面における最大像高を IHとするとき、
0. 1 <TA/IH< 1. 1
の条件を満足することを特徴とする結像光学系を提供する。
[0011] 本発明の第 2形態では、第 1面と第 2面とを光学的に共役にする結像光学系におい て、
前記結像光学系の光路中の雰囲気の屈折率を 1とするとき、前記結像光学系と前 記第 2面との間の光路は 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされ、
前記結像光学系中の最も第 2面側には、第 1光学材料により形成されて前記液体と 接する第 1光学部材と、第 2光学材料により形成された第 2光学部材との接合力 な る接合光学部材が配置されていることを特徴とする結像光学系を提供する。
[0012] 本発明の第 3形態では、前記第 1面に設定されたパターンの像を前記第 2面に設 定された感光性基板上に形成するための第 1形態または第 2形態の結像光学系を備 えていることを特徴とする露光装置を提供する。
[0013] 本発明の第 4形態では、前記第 1面に設定されたマスクを照明する照明工程と、第
1形態または第 2形態の結像光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を 前記第 2面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴 とする露光方法を提供する。
[0014] 本発明の第 5形態では、所定のパターンを供給する工程と、第 1形態または第 2形 態の結像光学系を介して前記パターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板 上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する 発明の効果
[0015] 本発明では、第 1面と第 2面とを光学的に共役にする結像光学系において、この結 像光学系と第 2面との間の光路中に 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体 (浸液)を 介在させることにより、結像光学系の第 2面側開口数の増大を図っている。また、最も 第 2面側に配置されて液体と接する境界レンズを、たとえば合成石英により形成され て液体と接する第 1光学部材と、たとえば蛍石により形成された第 2光学部材との接 合からなる接合光学部材として構成している。この構成により、境界レンズにおけるコ ンパクシヨンの影響により結像性能が低下するのを抑えるとともに、境界レンズの光学 面が浸液 (液体)の影響により損傷して結像性能が低下するのを抑えている。
[0016] こうして、本発明では、第 2面との間の光路中に液体を介在させて大きな実効的な 第 2面側開口数を確保しつつ、コンパクションの影響や浸液による損傷を実質的に受 けることなく良好な結像性能を長期間に亘つて維持することのできる結像光学系を実 現すること力 Sできる。その結果、本発明の結像光学系を用いる露光装置および露光 方法では、高解像な投影露光を長期間に亘つて安定的に行うことができ、ひいては 良好なデバイスを製造することができる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]典型的な設計にした力 Sう投影光学系において合成石英により形成されて浸液と 接する第 1光学部材のコンパクションが投影光学系の結像性能に与える影響を概略 的に示す図である。
[図 2]本発明の実施形態に力、かる露光装置の構成を概略的に示す図である。
[図 3]本実施形態における境界レンズからウェハまでの構成を概略的に示す図である
[図 4]第 1光学部材および第 2光学部材の側面にオーバーコーティングを形成した様 子を示す図である。
[図 5]境界レンズが第 2光学部材を介して鏡筒に保持されている様子を示す図である
[図 6]マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートであ る。
[図 7]マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである 発明を実施するための最良の形態
[0018] 本発明では、結像光学系と、典型的には感光性基板が配置される第 2面との間の 光路中に 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体を介在させることにより、結像光学系 の第 2面側開口数の増大を図っている。ちなみに、 M.Switkes氏および M.Rothschild 氏力 S「SPIE2002 Microlithography」において「Massachusetts Institute of TechnologyJ ίこ発表した「Resolution Enhancement or 157-nm Lithography by Liquid ImmersionJ には、波長 λ力 ¾00nm以下の光に対して所要の透過率を有する液体として、フロリ ナート(Perfluoropolyethers:米国スリーェム社の商品名)や脱イオン水(Deionized Water)などが候補として挙げられてレ、る。
[0019] また、本発明の結像光学系(投影光学系)において、最も像側 (第 2面側)に配置さ れて液体 (浸液)と接する境界レンズを、たとえば合成石英 (第 1光学材料)により形 成されて液体と接する第 1光学部材と、たとえば蛍石(第 2光学材料)により形成され た第 2光学部材との接合力 なる接合光学部材として構成している。ここで、第 1光学 部材と第 2光学部材とは、たとえばオプティカルコンタクト(光学溶着)により接合され る。なお、オプティカルコンタクトとは、 2つの光学部材の表面を同一形状に高精度に 加工し、これらの表面を近接させて接着剤を使用することなく分子間の引力により 2 つの光学部材を接着させる技術である。
[0020] また、本発明では、上述の構成に加えて、たとえば合成石英により形成されて液体 と接する第 1光学部材が次の条件式(1)を満足する。条件式(1)において、 TAは第 1光学部材の厚さ(光軸に沿った第 1光学部材の寸法)であり、 IHは像面(第 2面)に おける最大像高である。
0. 1 <ΤΑ/ΙΗ< 1 · 1 (1)
[0021] 図 1は、典型的な設計にした力 Sう投影光学系において合成石英により形成されて浸 液と接する第 1光学部材のコンパクションが投影光学系の結像性能に与える影響を 概略的に示す図である。図 1において、横軸は条件式(1)に対応して ΤΑΖΙΗであり 、縦軸は 5年後に予想される収差悪化量としての波面収差変化量 (m RMS)であ る。なお、縦軸の単位 m RMSにおいて、 λは光の波長を、 RMS (root mean square)は自乗平均平方根(あるいは平方自乗平均)をそれぞれ示してレ、る。
[0022] また、図 1を得るのに用いた典型的な設計例において、使用光は ArFエキシマレー ザ光(λ = 193nm)であり、浸液は純水であり、像側開口数は 1. 0であり、最大像高 は 13. 5mmである。図 1を参照すると、条件式(1)の上限値を上回った場合、 5年後 に予想される収差悪化量が大きくなりすぎて、長期に亘つて要求される光学性能を満 足すること、すなわち良好な結像性能を長期間に亘つて維持することができないこと 力わ力、る。
[0023] 一方、条件式(1)の下限値を下回ると、たとえば合成石英により形成されて浸液と 接する第 1光学部材の厚さ TAが小さくなりすぎて、オプティカルコンタクトに必要十 分な面精度の加工を施すことができなくなってしまう。なお、条件式(1)の上限値を 0 . 7に設定すると、照射エネルギーを大きくしてもコンパクションの影響を抑えて高ス ループットィ匕および高解像力化を実現することができるのでさらに好ましい。また、条 件式(1)の下限値を 0. 14に設定すると、第 1光学部材の加工面精度を向上させるこ とができ、ひいては高解像力化を実現することができるのでさらに好ましい。
[0024] 以上のように、本発明の結像光学系(投影光学系)では、たとえば蛍石により形成さ れた第 2光学部材においてコンパクションは実質的に発生しない。一方、たとえば合 成石英により形成されて浸液と接する第 1光学部材ではコンパクションが起こり易い 、条件式(1)にしたがって第 1光学部材の厚さ TAが充分に小さく設定されている ので、第 1光学部材におけるコンパクションの影響を小さく抑えることができる。その結 果、境界レンズにおけるコンパクションの影響により結像光学系(投影光学系)の結像 性能が低下するのを抑えることができる。
[0025] ただし、合成石英は光照射により温度が上昇し易ぐ第 1光学部材の熱が液体に伝 わると液体の温度が上昇して屈折率が変動し、ひいては結像光学系(投影光学系) の結像性能が低下することになる。し力しながら、本発明では、条件式(1)にしたがつ て第 1光学部材の厚さ TAが充分に小さく設定されているので、光照射により第 1光 学部材の温度が上昇してもその熱力 たとえば熱伝導率の比較的大きい蛍石からな る第 2光学部材を介して鏡筒などへ伝わり易い。その結果、第 1光学部材から液体へ 伝わる熱を小さく抑えることができ、ひいては液体の屈折率変動による結像光学系( 投影光学系)の結像性能の低下を小さく抑えることができる。
[0026] また、本発明では、たとえば純水に溶け易い蛍石により形成された第 2光学部材と 純水のような液体との間に、たとえば純水に実質的に溶けることのない合成石英によ り形成された第 1光学部材を密着状態で介在させている。したがって、第 2光学部材 の光学面が純水の影響を受けて損傷することなぐひいては境界レンズの光学面が 純水の影響を受けて損傷することなぐ結像光学系 (投影光学系)の結像性能を長期 間に亘つて良好に維持することができる。すなわち、本発明では、像面との間の光路 中に液体を介在させて大きな実効的な像側開口数を確保しつつ、コンパクションの 影響や浸液による損傷を実質的に受けることなく良好な結像性能を長期間に亘つて 維持することのできる結像光学系(投影光学系)を実現することができる。
[0027] なお、本発明では、結像光学系(投影光学系)の第 2面側 (像側)開口数の増大を 図るために、第 2光学部材の物体側(第 1面側)の光学面が物体側に凸面を向けてい ることが好ましい。また、良好なオプティカルコンタクトを実現するために、第 1光学部 材と第 2光学部材との接合面は平面状であることが好ましい。また、結像光学系(投 影光学系)の解像度 (解像力)の向上を図るために、使用光の波長は 300nm以下で あることが好ましい。また、第 2光学部材を形成する第 2光学材料は、コンパクションの 発生を回避するために、フッ化物(たとえば蛍石)であることが好ましい。
[0028] また、浸液中に溶け出した感光性材料による影響で第 1光学部材が汚損した際や 第 1光学部材が溶出した際にはこの第 1光学部材を交換する必要があるが、本発明 の手法では第 1光学部材を交換可能に保持する機構の簡易化を図れる利点があり、 この利点は第 1光学部材を形成する第 1光学材料と第 2光学部材を形成する第 2光 学材料とが同じ種類の材料であっても存在する。
[0029] 本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図 2は、本発明の実施形態 にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図 3は、本実施形態にお ける境界レンズからウェハまでの構成を概略的に示す図である。なお、図 2において 、投影光学系 PLの光軸 AXに平行に Z軸を、光軸 AXに垂直な面内において図 2の 紙面に平行に Y軸を、図 2の紙面に垂直に X軸をそれぞれ設定している。
[0030] 図 2を参照すると、本実施形態の露光装置は、紫外領域の照明光を供給するため の光源 100として、たとえば ArFエキシマレーザ光源を備えている。光源 100から射 出された光は、照明光学系 ILを介して、所定のパターンが形成されたレチクル Rを重 畳的に照明する。なお、光源 100と照明光学系 ILとの間の光路はケーシング (不図 示)で密封されており、光源 100から照明光学系 IL中の最もレチクル側の光学部材 までの空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性 ガスで置換されているカ あるいはほぼ真空状態に保持されている。
[0031] レチクル Rは、レチクルホルダ RHを介して、レチクルステージ RS上において XY平 面に平行に保持されている。レチクル Rには転写すべきパターンが形成されており、 矩形状のパターン領域が照明される。レチクルステージ RSは、図示を省略した駆動 系の作用により、レチクル面(すなわち XY平面)に沿って二次元的に移動可能であり 、その位置座標はレチクル移動鏡 RMを用いた干渉計 RIFによって計測され且つ位 置制御されるように構成されている。レチクル Rに形成されたパターンからの光は、投 影光学系 PLを介して、感光性基板であるウェハ W上にレチクルパターン像を形成す る。
[0032] ウェハ Wは、ウェハホルダテーブル WTを介して、ウェハステージ WS上において X Y平面に平行に保持されている。そして、レチクル R上での矩形状の照明領域に光 学的に対応するように、ウェハ W上では矩形状の静止露光領域 (実効露光領域)に パターン像が形成される。ウェハステージ WSは、図示を省略した駆動系の作用によ りウェハ面(すなわち XY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標 はウェハ移動鏡 WMを用いた干渉計 WIFによって計測され且つ位置制御されるよう に構成されている。
[0033] また、本実施形態の露光装置では、投影光学系 PLを構成する光学部材のうち最も レチクル側に配置された光学部材と最もウェハ側に配置された境界レンズ Lb (図 3を 参照)との間で投影光学系 PLの内部が気密状態を保つように構成され、投影光学系 PLの内部の気体はヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されている力、、ある いはほぼ真空状態に保持されている。さらに、照明光学系 ILと投影光学系 PLとの間 の狭い光路には、レチクル Rおよびレチクルステージ RSなどが配置されている力 レ チクル Rおよびレチクルステージ RSなどを密封包囲するケーシング(不図示)の内部 に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されている力 あるいはほぼ真空状態 に保持されている。
[0034] 図 3を参照すると、本実施形態において、投影光学系 PLの最もウェハ側に配置さ れた境界レンズ Lbとウェハ Wとの間の光路は、 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体 Lmで満たされている。浸液である液体 Lmとして、たとえば純水を用いることができる 。また、境界レンズ Lbは、合成石英により形成されて液体 Lmと接する第 1光学部材 L blと、蛍石により形成された第 2光学部材 Lb2とをオプティカルコンタクトにより接合 することにより構成されてレ、る。ここで、第 1光学部材 Lblは平行平面板であり、第 2 光学部材 Lb2は、レチクル側に凸面を向けた平凸レンズである。
[0035] なお、投影光学系 PLの境界レンズ Lbとウェハ Wとの間の光路中に液体 Lmを満た し続けるには、たとえば国際公開番号 WO99/49504号公報に開示された技術や 、特開平 10-303114号公報に開示された技術などを用レ、ることができる。国際公開 番号 WO99Z49504号公報に開示された技術では、液体供給装置から供給管およ び排出ノズノレを介して所定の温度に調整された液体 Lmを境界レンズ Lbとゥヱハ Wと の間の光路を満たすように供給し、液体供給装置により回収管および流入ノズルを 介してウェハ W上から液体を回収する。
[0036] 一方、特開平 10-303114号公報に開示された技術では、液体 Lmを収容すること ができるようにウェハホルダテーブル WTを容器状に構成し、その内底部の中央にお レ、て (液体中において)ウェハ wを真空吸着により位置決め保持する。また、投影光 学系 PLの鏡筒先端部が液体中に達し、ひいては境界レンズ Lbのウェハ側の光学面 が液体中に達するように構成する。
[0037] 上述のように、光源 100からウェハ Wまでの光路の全体に亘つて、露光光がほとん ど吸収されることのない雰囲気が形成されている。したがって、駆動系および干渉計 (RIF、 WIF)などを用いて、投影光学系 PLの光軸 AXと直交する平面 (XY平面)内 においてウェハ Wを二次元的に駆動制御しながら一括露光を行うことにより、いわゆ るステップ.アンド'リピート方式にしたがって、ウェハ Wのショット領域にはレチクル R のパターンが逐次露光される。
[0038] 上述したように、本実施形態では、投影光学系 PLと感光性基板であるウェハ Wとの 間の光路中に、純水のような液体 Lmを介在させている。また、投影光学系 PLにおい て、境界レンズ Lbを、合成石英により形成されて液体 Lmと接する第 1光学部材 Lbl と、蛍石により形成された第 2光学部材 Lb2との接合力もなる接合光学部材として構 成している。さらに、第 1光学部材 Lblの厚さ TAは、上述の条件式(1)を満たすよう に設定されている。
[0039] したがって、本実施形態の投影光学系 PLでは、蛍石により形成された第 2光学部 材 Lb2においてコンパクションは実質的に発生しなレ、。また、合成石英により形成さ れた第 1光学部材 Lblの厚さ TAが充分に小さく設定されているので、第 1光学部材 Lblにおけるコンパクションの影響を小さく抑えることができる。その結果、境界レンズ Lbにおけるコンパクションの影響により投影光学系 PLの結像性能が低下するのを抑 えることができる。
[0040] また、本実施形態では、純水に溶け易い蛍石により形成された第 2光学部材 Lb2と 純水からなる液体 Lmとの間に、純水に溶けることのない合成石英により形成された 第 1光学部材 Lblを密着状態で介在させている。したがって、第 2光学部材 Lb2の光 学面が純水の影響を受けて損傷することなぐひいては境界レンズ Lbの光学面が純 水の影響を受けて損傷することなぐ投影光学系 PLの結像性能を長期間に亘つて良 好に維持することができる。
[0041] 以上のように、本実施形態の投影光学系 PLでは、像面であるウェハ Wとの間の光 路中に液体 Lmを介在させて大きな実効的な像側開口数を確保しつつ、コンパクショ ンの影響や浸液 Lmによる損傷を実質的に受けることなく良好な結像性能を長期間 に亘つて維持することができる。したがって、本実施形態の露光装置では、大きな実 効的な像側開口数を確保しつつ良好な結像性能を長期間に亘つて維持することの できる投影光学系 PLを用いて、高解像な投影露光を長期間に亘つて安定的に行う こと力 Sできる。
[0042] また、本実施形態の投影光学系 PLでは、第 2光学部材 Lb2がレチクル側に凸面を 向けた平凸レンズとして構成され、第 2光学部材 Lb2のレチクル側の光学面がレチク ル側に凸面を向けているので、像側開口数の増大を図ることができる。また、第 1光 学部材 Lblが平行平面板として構成され且つ第 2光学部材 Lb2がウェハ側に平面を 向けた平凸レンズとして構成されているので、第 1光学部材 Lblと第 2光学部材 Lb2 との接合面が平面状になり、良好なオプティカルコンタクトを実現することができる。
[0043] ところで、毛細管現象により第 1光学部材 Lblと第 2光学部材 Lb2との接合面へ液 体 Lmが浸入すると、オプティカルコンタクトにより接合された第 1光学部材 Lblと第 2 光学部材 Lb2とが剥離 (離間)してしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、図 4に示すように、第 1光学部材 Lblと第 2光学部材 Lb2との接合面への液体 Lmの浸 入を防止するための液体浸入防止手段として、たとえばオーバーコーティング 41を 第 1光学部材 Lblおよび第 2光学部材 Lb2の側面に形成することが好ましい。
[0044] また、投影光学系 PLを構成する各光学部材 (レンズなど)は十分な強度で保持され る必要があり、したがって保持される各光学部材は十分に大きな厚さを有する必要が ある。さらに、露光時に光エネルギーが各光学部材内で微量ながら吸収されて熱に 変わるが、熱伝導率の高い光学材料により形成された光学部材が鏡筒に接していれ ば、鏡筒への熱伝導により光学部材の温度上昇が緩和され、ひいては液体への熱 伝導を小さく抑えることができる。
[0045] 以上の 2つの観点から、本実施形態では、図 5に示すように、十分に大きな厚さを 有し且つ熱伝導率の比較的高い蛍石により形成された第 2光学部材 Lb2を介して境 界レンズ (接合光学部材) Lbが鏡筒 51に保持されていることが望ましい。また、この 構成により、境界レンズ Lbが鏡筒 51に保持された状態で、ウェハ W側に配置されて レジストからの汚染を受け易い第 1光学部材 Lblを容易に交換することも可能になる
[0046] なお、前述したように、フッ化物は水に溶解するため、蛍石により形成された第 2光 学部材 Lb2まで水が浸入するのを防ぐ必要がある。本実施形態では、第 1光学部材 Lblの側面と鏡筒 51の内側面とが十分に近接するように配置し、互いに対向する第 1光学部材 Lb 1の側面および鏡筒 51の内側面に撥水性処理を施す(たとえば撥水 コーティング 52を形成する)ことにより、第 2光学部材 Lb2まで純水が浸入するのを防 ぐことができる。あるいは、図 5に示すように、第 1光学部材 Lblの側面と対向する鏡 筒 51の内側面との間に純水(液体)の浸入を防止するための防水素子として、たとえ ば Oリング 53を設けることにより、第 2光学部材 Lb2まで純水が浸入するのを防ぐこと ができる。
[0047] また、第 1光学部材 Lblの側面と鏡筒 51の内側面とへの撥水性処理に加えて、第 2光学部材 Lb2の側面にも撥水性処理(たとえば撥水コーティング)を施してもょレ、。 また、第 1光学部材 Lblの側面と対向する鏡筒 51の内側面との間に防水素子(たと えば Oリング 53)を設ける手法と併せて、図 4に示したような第 1光学部材 Lblおよび 第 2光学部材 Lb2の側面に液体浸入防止手段としてのオーバーコーティングを施す 手法を適用してもよい。また、第 1光学部材 Lblの側面と鏡筒 51の内側面とへ撥水 性処理を施す手法と併せて、図 4に示したような第 1光学部材 Lblおよび第 2光学部 材 Lb2の側面に液体浸入防止手段としてのオーバーコーティングを施す手法を適用 してもよい。
[0048] なお、上述の実施形態では、第 1光学部材 Lblと第 2光学部材 Lb2とをォプティカ ルコンタクトにより接合しているが、これに限定されることなぐ他の適当な手法を用い て第 1光学部材 Lblと第 2光学部材 Lb2とを接合することもできる。また、上述の実施 形態では、浸液として純水を用いている力 これに限定されることなぐ光の波長に応 じて他の適当な液体を用いることができる。
[0049] また、上述の実施形態では、第 1光学部材 Lblが合成石英により形成され、第 2光 学部材 Lb2が蛍石により形成されている。し力 ながら、これに限定されることなぐた とえば浸液に実質的に溶けない性質を有する適当な光学材料を用いて第 1光学部 材 Lblを形成することもできる。また、たとえばコンパクションが実質的に発生しない 性質を有する適当な光学材料、たとえば蛍石以外の適当なフッ化物材料 (たとえば フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化ストロンチ ゥムなど)を用いて第 2光学部材 Lb2を形成することもできる。
[0050] また、上述の実施形態では、第 1光学部材 Lblを平行平面板として構成し、第 2光 学部材 Lb2をレチクル側に凸面を向けた平凸レンズとして構成している。しかしなが ら、これに限定されることなぐ第 1光学部材 Lblおよび第 2光学部材 Lb2の形状に ついて様々な変形例が可能である。また、上述の実施形態では、 1つの第 1光学部 材 Lblを設けた構成としているが、第 1光学部材 Lblの数は 1つには限定されない。
[0051] 上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル (マスク)を照明し (照 明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板 に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表 示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置 を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって
、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図 6のフロー チャートを参照して説明する。
[0052] 先ず、図 6のステップ 301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次の ステップ 302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布され る。その後、ステップ 303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパ ターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順 次露光転写される。その後、ステップ 304において、その 1ロットのウェハ上のフォトレ ジストの現像が行われた後、ステップ 305において、その 1ロットのウェハ上でレジスト パターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する 回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。
[0053] その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子 等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細 な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、 ステップ 301—ステップ 305では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジスト を塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っている力 これらの工程に先 立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを 塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない
[0054] また、本実施形態の露光装置では、プレート (ガラス基板)上に所定のパターン(回 路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶 表示素子を得ることもできる。以下、図 7のフローチャートを参照して、このときの手法 の一例につき説明する。図 7において、パターン形成工程 401では、本実施形態の 露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板 等)に転写露光する、所謂光リソグラフイエ程が実行される。この光リソグラフィー工程 によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その 後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を 経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成 工程 402へ移行する。
[0055] 次に、カラーフィルター形成工程 402では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応し た 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のストラ イブのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを 形成する。そして、カラーフィルター形成工程 402の後に、セル組み立て工程 403が 実行される。セル組み立て工程 403では、パターン形成工程 401にて得られた所定 パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフ ィルター等を用いて液晶パネル (液晶セル)を組み立てる。
[0056] セル組み立て工程 403では、例えば、パターン形成工程 401にて得られた所定パ ターンを有する基板とカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフィルターと の間に液晶を注入して、液晶パネル (液晶セル)を製造する。その後、モジュール組 み立て工程 404にて、組み立てられた液晶パネル (液晶セル)の表示動作を行わせ る電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上 述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶 表示素子をスループット良く得ることができる。
[0057] なお、上述の実施形態では、 ArFエキシマレーザ光源を用いている力 S、これに限定 されることなく、たとえば KrFエキシマレーザ光源や Fレーザ光源などの他の適当な 光源を用いることもできる。また、上述の実施形態では、露光装置に搭載される投影 光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ他の一般的な 投影光学系や他の一般的な結像光学系に対して本発明を適用することもできる。ま た、上述の実施形態では投影光学系の倍率を縮小倍率としているが、他の一般的な 結像光学系に適用する場合には、拡大倍率や等倍であっても良い。
[0058] なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 NAが 0. 9 一 1. 5になることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、 従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性 能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク(レ チタノレ)のライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた 直線偏光照明を行い、マスク(レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (ラインパター ンの長手方向に沿った偏光方向成分)の回折光が多く射出されるようにするとよい。
[0059] 上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターンほたは位 相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上 に所定の反射パターンを形成した光反射型マスクを用いたが、これらのマスクに代え て、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターンまたは反射パターン 、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。このような電子マスク は、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されている。ここでは、この米国 特許第 6, 778, 257号公報を参照として援用する。なお、上述の電子マスクとは、非 発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
符号の説明
[0060] Lb 境界レンズ
Lbl 第 1光学部材
Lb2 第 2光学部材
Lm 液体(純水:浸液)
41 オーバーコーティング
51 鏡筒
52 撥水コーティング
53 Oリング
100 レーザ光源
IL 照明光学系
R レチクノレ
RS レチクルステージ
PL 投影光学系
W ウェハ
WS ウェハステージ

Claims

請求の範囲
[1] 第 1面と第 2面とを光学的に共役にする結像光学系において、
前記結像光学系の光路中の雰囲気の屈折率を 1とするとき、前記結像光学系と前 記第 2面との間の光路は 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされ、
前記結像光学系中の最も第 2面側には、第 1光学材料により形成されて前記液体と 接する第 1光学部材と第 2光学材料により形成された第 2光学部材との接合力 なる 接合光学部材が配置され、
前記第 1光学部材の厚さを TAとし、前記第 2面における最大像高を IHとするとき、
0. 1く TA/IHく 1 · 1
の条件を満足することを特徴とする結像光学系。
[2] 前記第 1光学部材と前記第 2光学部材とは、オプティカルコンタクトにより接合されて いることを特徴とする請求項 1に記載の結像光学系。
[3] 前記第 2光学部材の前記第 1面側の光学面は、前記第 1面側に凸面を向けているこ とを特徴とする請求項 1または 2に記載の結像光学系。
[4] 前記第 1光学部材と前記第 2光学部材との接合面は平面状であることを特徴とする 請求項 1乃至 3のいずれか 1項に記載の結像光学系。
[5] 使用光の波長は 300nm以下であり、
前記第 2光学材料はフッ化物であることを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれ力 4項 に記載の結像光学系。
[6] 前記第 1光学材料は合成石英であり、
前記第 2光学材料は蛍石であり、
前記液体は純水であることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれ力、 1項に記載の結 像光学系。
[7] 前記第 1光学部材および前記第 2光学部材の側面に設けられて、前記第 1光学部材 と前記第 2光学部材との接合面への前記液体の浸入を防止するための液体浸入防 止手段を備えていることを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれ力 1項に記載の結像光 学系。
[8] 前記接合光学部材は、前記第 2光学部材を介して鏡筒に保持されていることを特徴 とする請求項 1乃至 7のいずれ力 1項に記載の結像光学系。
[9] 前記第 1光学部材の側面と前記鏡筒の内側面とが近接して配置され、互いに対向す る前記側面および前記内側面には撥水性処理が施されていることを特徴とする請求 項 8に記載の結像光学系。
[10] 前記第 1光学部材の側面と対向する前記鏡筒の内側面との間には、前記液体の浸 入を防止するための防水素子が設けられていることを特徴とする請求項 8に記載の 結像光学系。
[11] 第 1面と第 2面とを光学的に共役にする結像光学系において、
前記結像光学系の光路中の雰囲気の屈折率を 1とするとき、前記結像光学系と前 記第 2面との間の光路は 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされ、
前記結像光学系中の最も第 2面側には、第 1光学材料により形成されて前記液体と 接する第 1光学部材と、第 2光学材料により形成された第 2光学部材との接合力 な る接合光学部材が配置されていることを特徴とする結像光学系。
[12] 前記第 2光学部材は、前記液体に接しないことを特徴とする請求項 11に記載の結像 光学系。
[13] 前記第 1光学部材および前記第 2光学部材の側面に設けられて、前記第 1光学部材 と前記第 2光学部材との接合面への前記液体の浸入を防止するための液体浸入防 止手段を備えていることを特徴とする請求項 12に記載の結像光学系。
[14] 前記接合光学部材は、前記第 2光学部材を介して鏡筒に保持されていることを特徴 とする請求項 11乃至 13のいずれ力 1項に記載の結像光学系。
[15] 前記第 1光学部材の側面と前記鏡筒の内側面とが近接して配置され、互いに対向す る前記側面および前記内側面には撥水性処理が施されていることを特徴とする請求 項 14に記載の結像光学系。
[16] 前記第 1光学部材の側面と対向する前記鏡筒の内側面との間には、前記液体の浸 入を防止するための防水素子が設けられていることを特徴とする請求項 14に記載の 結像光学系。
[17] 前記第 2光学材料は、前記第 1光学材料とは異なる種類の材料であることを特徴とす る請求項 1乃至 16のいずれ力、 1項に記載の結像光学系。
[18] 前記第 1光学部材と前記第 2光学部材とは、オプティカルコンタクトにより接合されて レ、ることを特徴とする請求項 11乃至 17のいずれ力 1項に記載の結像光学系。
[19] 前記第 2光学部材の前記第 1面側の光学面は、前記第 1面側に凸面を向けているこ とを特徴とする請求項 11乃至 18のいずれか 1項に記載の結像光学系。
[20] 前記第 1光学部材と前記第 2光学部材との接合面は平面状であることを特徴とする 請求項 11乃至 19のレ、ずれか 1項に記載の投影光学系。
[21] 前記第 1光学部材の厚さを TAとし、前記第 2面における最大像高を IHとするとき、
0. 1 <TA/IH< 1. 1
の条件を満足することを特徴とする請求項 11乃至 20のいずれ力 4項に記載の結像 光学系。
[22] 前記光学系は、前記第 1面の像を第 2面上に形成する投影光学系であることを特徴 とする請求項 1乃至 21のいずれ力、 1項に記載の結像光学系。
[23] 前記第 1面に設定されたパターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に形 成するための請求項 1乃至 22のいずれ力 1項に記載の結像光学系を備えていること を特徴とする露光装置。
[24] 前記第 1面に設定されたマスクを照明するための照明系をさらに備えていることを特 徴とする請求項 23に記載の露光装置。
[25] 前記第 1面に設定されたマスクを照明する照明工程と、請求項 1乃至 22のいずれか
1項に記載の結像光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を前記第 2 面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴とする露 光方法。
[26] 所定のパターンを供給する工程と、請求項 1乃至 22のいずれ力 4項に記載の結像光 学系を介して前記パターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に投影露 光する露光工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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