WO2005062350A1 - 光束変換素子、露光装置、照明光学系及び露光方法 - Google Patents

光束変換素子、露光装置、照明光学系及び露光方法 Download PDF

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WO2005062350A1
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illumination
optical system
local
shape
area
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PCT/JP2004/018609
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Hisashi Nishinaga
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Nikon Corporation
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0905Dividing and/or superposing multiple light beams
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0972Prisms

Definitions

  • the present invention relates to a light flux conversion element used in an exposure apparatus for manufacturing a micro device such as a semiconductor element, a liquid crystal display element, or a thin film magnetic head by a lithography process, an exposure apparatus including the light flux conversion element, and an illumination optical system.
  • the present invention relates to a system and an exposure method using the light flux conversion element.
  • a light beam emitted from a light source is incident on a micro fly's eye lens (or fly's eye lens), and a secondary light source consisting of a large number of light sources is formed on the back focal plane.
  • the luminous flux from the secondary light source is optionally limited through an aperture stop disposed in the vicinity of the back focal plane of the micro fly's eye lens, and then enters the condenser lens.
  • the light flux collected by the condenser lens illuminates the mask on which a predetermined pattern is formed in a superimposed manner.
  • the light transmitted through the mask pattern is imaged on the wafer through the projection optical system.
  • the mask pattern is projected (transferred) onto the wafer.
  • the pattern formed on the mask is highly integrated, and it is essential to obtain uniform illuminance distribution on the wafer in order to accurately transfer this fine pattern onto the wafer.
  • the light emitted from the aperture stop of the illumination optical system contributes to resolution. Only the light emitted from the periphery of the aperture stop becomes light, and the light emitted from the center of the opening only serves to lower the image contrast. Therefore, in recent years, a ring-shaped or multipole (for example, four poles) modified illumination having a light intensity distribution is provided around the illumination pupil of the illumination optical system, and the back focal plane of the micro fly's eye lens is Attention is focused on techniques for improving the depth of focus and resolution of projection optical systems by forming secondary light sources.
  • illumination light of an exposure apparatus is used as a means for forming a ring-shaped or multipole secondary light source.
  • the luminous flux conversion element is composed of a plurality of basic optical elements in the optical system, and the luminous flux incident on the luminous flux conversion element through this luminous flux conversion element has a predetermined cross-sectional shape in the illumination pupil of the illumination optical system.
  • An exposure apparatus is disclosed that converts a light beam having a pole shape and forms a secondary light source on the back focal plane of the micro fly's eye lens on which the light beam having this predetermined cross-sectional shape is incident (e.g. -174615)).
  • a means for forming a ring-shaped or multipole-like illumination area from an incident light beam it has irregularly patterned diffraction fringes or the like such as a hologram, and the light intensity of the incident light beam is output at the output plane. It is disclosed to convert into a luminous flux having a planned light intensity distribution (see, for example, JP 2001-507139A).
  • the locality is determined according to the pattern of the mask used.
  • illumination is performed by changing the annular ratio that defines the shape of the illumination area, there is a limit to the annular ratio that can be supported by one light flux conversion element, and the range of the applicable annular ratio is limited. It is necessary to replace the light flux conversion element.
  • the shape of the local illumination area constituting the multipole illumination shape has been specified only by the numerical aperture NA and the annular ratio of the illumination optical system.
  • the annular ratio means the distance from the center of the illumination pupil of the illumination optical system to the inner boundary of the shape of the local illumination area of the multipolar illumination shape and the multipolar illumination shape from the center of the illumination pupil of the illumination optical system It is the ratio of the shape of the region to the distance to the outer boundary.
  • the light flux conversion element is created to convert the incident light flux into a light flux for forming a circular local illumination area, and the annular ratio defining the local illumination area is provided by the illumination optical system. It is changed using an axicon system.
  • FIG. 14A and FIG. 14B are diagrams for explaining a state in which the shape of the local illumination region of the quadrupole illumination shape is changed using two light flux conversion elements.
  • the incident light flux is converted into a light flux for forming a circular local illumination area by the first light flux conversion element to form a substantially circular local illumination area.
  • the shape of the circular local illumination area can be changed as shown in FIGS. 14B and 14C by using the axicon system provided in the illumination optical system. It changes in shape as shown.
  • the second luminous flux conversion element when the second luminous flux conversion element corresponding to the high annular ratio is exchanged while maintaining the annular ratio of the local illumination region, as shown in FIG. 14D, the second luminous flux conversion element is used.
  • the incident light flux is converted into a light flux for forming a local illumination area to form a substantially circular local illumination area.
  • the shape of the local illumination area which is circular by changing the annular ratio of the local illumination area, changes to the shape as shown in FIG. 14E by using the axicon system provided in the illumination optical system.
  • the light flux conversion element is created to convert the incident light flux into a light flux for forming a circular local illumination area, and the shape of the local illumination area is defined by the range of the annular ratio. Therefore, when the first light flux conversion element is replaced with the second light flux conversion element, the shape of the local illumination area changes from the shape shown in FIG. 14C to the shape shown in FIG. 14D. That is, although the annular ratio before and after replacement is the same, the azimuthal angle which is the opening angle of the tangent drawn from the center of the 4-pole illumination shape to the local illumination region is different before and after replacement. The shape of the local illumination area before and after replacement is different.
  • the shape of the local illumination area before and after replacement of the light flux conversion element is different as shown in FIGS. 14C and 14D.
  • the identity of the illumination characteristics of the illumination light can not be maintained.
  • the object of the present invention is to provide a luminous flux conversion element for converting an incident luminous flux into a luminous flux of a local illumination area having a multipolar illumination shape optimum on a predetermined plane, an exposure apparatus and illumination optical system comprising the luminous flux conversion element An exposure method using a light flux conversion element is provided.
  • a light flux conversion element is a light flux conversion element for converting an incident light flux into a light flux having a multipole illumination shape on a predetermined surface, wherein one of a plurality of local illumination regions constituting the multipole illumination shape is used.
  • the local illumination area is expressed in polar coordinates in the predetermined plane.
  • the radius is R
  • the argument when the local illumination area is represented by the polar coordinates is ⁇
  • the diameter from the origin of the polar coordinates to the center of the local illumination area The distance of the direction is the distance from the center of the local illumination area to the outer boundary of the local illumination area (radial radius) R, and the tangent drawn from the origin of the polar coordinates to the local illumination area
  • ⁇ ⁇ be an opening angle (azimuth), and ⁇ 'be a radial (local azimuth) at the center of the local illumination region.
  • the shape of one of the plurality of local illumination areas constituting the multipole illumination shape represents the shape of the local illumination area in polar coordinates in a predetermined plane
  • equation (1) is obtained Satisfyingly, it is possible to define the shape of the local illumination area constituting the multipole illumination shape by the opening angle (direction angle) ⁇ of the tangent drawn from the origin of polar coordinates to the local illumination area. Therefore, even when the light beam conversion element to be used is exchanged according to the pattern pitch of the mask of the exposure apparatus, the shape of the local illumination area before the exchange and the shape of the local illumination area after the exchange are kept substantially the same. As a result, it is possible to prevent the illumination characteristics of the illumination light from changing before and after replacement, and it is possible to perform continuous illumination of the mask with the optimal illumination light.
  • the light flux conversion element of the present invention is characterized in that the multipole illumination shape has the local illumination area at least at a peripheral portion on the predetermined surface.
  • the local illumination region is provided at least in the peripheral portion on the predetermined surface, it is possible to illuminate the mask with the optimum illumination light without lowering the contrast of the image as much as possible. .
  • the light flux conversion element of the present invention is characterized in that the multipole illumination shape is a two-pole illumination shape having two of the local illumination regions or a four-pole illumination shape having four of the local illumination regions. Do. According to the light flux conversion element of the present invention, when the light flux conversion element is mounted on the exposure apparatus, the optimum light flux conversion element according to the pitch of the pattern of the mask of the exposure apparatus, etc. You can use the child.
  • An exposure apparatus includes an illumination optical system for illuminating a pattern of a mask, a projection optical system for projecting an image of the pattern of the illuminated mask onto a photosensitive substrate, and And a luminous flux conversion element, wherein the luminous flux conversion element forms the multipolar illumination shape at or near an illumination pupil optically conjugate with the pupil of the projection optical system.
  • the multipole illumination shape is obtained by the opening angle (azimuth angle) ⁇ of the tangent drawn from the origin of the polar coordinate to the local illumination area. It is possible to define the shape of the local illumination area that constitutes. Therefore, even when the light beam conversion element to be used is replaced according to the pattern pitch of the exposure apparatus mask, the shape of the local illumination area before replacement and the shape of the local illumination area after replacement are substantially the same. As a result, it is possible to prevent changes in the illumination characteristics of the illumination light before and after replacement.
  • the multi-pol illumination local illumination region is provided at least on the periphery of the predetermined surface, it is possible to suppress the decrease in the image contrast. Therefore, continuous illumination of the mask can be performed by the optimal illumination light.
  • the exposure apparatus of the present invention is characterized in that the illumination optical system includes an axicon system.
  • the axicon system maintains a constant distance (radial radius) R from the center of the local illumination area to the outer boundary of the local illumination area.
  • the illumination optical system maintains the radial direction radius R constant.
  • the exposure apparatus of the present invention is characterized in that the illumination optical system includes a variable magnification optical system for similarly enlarging and reducing the multipole illumination shape.
  • Exposure apparatus of the present invention According to the arrangement, since the illumination optical system is provided with a variable magnification optical system for similarly enlarging and reducing the multipole illumination shape, the size of the multipole illumination shape can be freely set.
  • An exposure apparatus is characterized by comprising a plurality of the light flux conversion elements, wherein the plurality of light flux conversion elements are configured to be mutually interchangeable.
  • the optimum light flux conversion element corresponding to the difference in the pattern pitch of the mask of the exposure apparatus is used. It is possible to do S.
  • the area where 0th-order light from the illumination pupil can pass through the pupil of the projection optical system on the illumination pupil is the effective illumination area.
  • the polar illumination shape is characterized by having a light intensity distribution of a shape that is approximately localized at the inner boundary of the effective illumination area.
  • the exposure apparatus of the present invention is characterized in that 50% or more of the local illumination area is localized in the effective illumination area.
  • the multipolar illumination shape has a light intensity distribution having a shape substantially localized at the inner boundary of the effective illumination region described above, and the local illumination region constituting the multipolar illumination shape Since 50% or more of these areas are localized in the effective illumination area, it is possible to reduce unnecessary illumination light that does not contribute to imaging, and efficiently illuminate the effective illumination area.
  • an area of 75% or more of the local illumination area constituting the multipole illumination shape is located within the effective area. It is preferable to exist.
  • An illumination optical system according to the present invention is characterized in that the illumination optical system for illuminating a pattern of a mask includes the light flux conversion element according to the present invention.
  • the illumination optical system of the present invention is characterized in that the illumination optical system includes an axicon system.
  • the axicon system sets the distance (radial radius) R from the center of the local illumination area to the outer boundary of the local illumination area constant.
  • the illumination optical system includes a variable magnification optical system for similarly enlarging and reducing the multipole illumination shape. It is characterized by
  • the illumination optical system of the present invention in the illumination optical system for illuminating the pattern of the mask, is provided detachably with respect to the illumination light path of the illumination optical system.
  • a first light flux conversion means for converting light beams into multi-pole illumination shapes, and a second multipole illumination provided on the predetermined surface of the illumination optical path of the illumination optical system.
  • a second light flux conversion means for converting light flux into a shape, and a switching means for switching between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means, and the local illumination area from the origin on the predetermined surface
  • the opening angle of the tangent drawn in is taken as the azimuth angle
  • switching between the first beam conversion means and the second beam conversion means is performed by the switching means, before and after the switching.
  • the azimuth angle of the multipole illumination shape before and after switching between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means provided so as to be freely removable. Since it changes only in the range of 1 ° power up to 1 °, the shape of the local illumination area before switching and the shape of the local illumination area after switching can be kept substantially the same, and the illumination characteristics of the illumination light change. It can be prevented. Therefore, even when the illumination optical system is mounted on the exposure apparatus and switching between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means is performed, continuous illumination of the mask with the optimum illumination light can be performed. it can.
  • the plurality of local illumination regions One of them is characterized in that it is localized outside the tangent line between the one local illumination area and the inscribed circle.
  • the illumination optical system of the present invention when applied to a projection exposure apparatus, unnecessary illumination light not contributing to image formation can be reduced, and image contrast can be improved.
  • the first optical system when one local illumination area among a plurality of local illumination areas constituting the multipole illumination shape is expressed in polar coordinates on the predetermined plane, the first optical system is preferable.
  • the local illumination area of the luminous flux conversion means and the second luminous flux conversion means is [0036] [Number 2]
  • the radius is R
  • the argument when the local illumination area is represented by the polar coordinates is ⁇
  • the diameter from the origin of the polar coordinates to the center of the local illumination area The distance of the direction is the distance from the center of the local illumination area to the outer boundary of the local illumination area (radial radius) R, and the tangent drawn from the origin of the polar coordinates to the local illumination area
  • ⁇ ⁇ be the opening angle (azimuth), and the radial (local azimuth) at the center of the local illumination region.
  • the shape of one of the plurality of local illumination areas constituting the multipole illumination shape of the first light flux conversion means and the second light flux conversion means is the shape of the local illumination area Since the expression (2) is satisfied when expressing in polar coordinates on a predetermined plane, the origin of polar coordinates Force, the opening angle of the tangent drawn to the local illumination area (azimuth angle)
  • the shape of can be defined.
  • the shape of the local illumination area before switching and the local illumination after switching Since the shape of the region can be kept substantially the same, it is possible to prevent the illumination characteristic of the illumination light from changing before and after switching, and continuous illumination of the mask can be performed with the optimal illumination light.
  • An exposure apparatus is an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask onto a photosensitive substrate, the illumination optical system according to the present invention for illuminating the mask, and an image of the pattern of the mask And a projection optical system for forming on a photosensitive substrate, wherein the predetermined surface is positioned in a surface optically conjugate with the pupil of the projection optical system or in the vicinity of the conjugate surface.
  • the illumination optical system of the present invention since the illumination optical system of the present invention is provided, it is possible to switch between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means, which are provided in a self-contained manner.
  • the opening angle (azimuth angle) of the tangent drawn from the origin of the polar coordinates to the local illumination area can define the shape of the local illumination area constituting the multipole illumination shape.
  • the shape of the local illumination area before switching and the local illumination area after switching Since the shape of the light source can be kept substantially the same, it is possible to prevent the illumination characteristics of the illumination light from changing before and after switching, and it is possible to perform the continuous illumination of the mask with the optimal illumination light.
  • the predetermined pattern is formed using an illumination optical system including the light flux conversion element of the present invention. And illumination step of illuminating the mask, and transfer step of transferring the predetermined pattern onto the photosensitive substrate.
  • the illumination of the mask is performed using the illumination optical system provided with the light flux conversion element of the present invention, the optimum illumination corresponding to the pitch of the pattern of the mask can be performed. , Good exposure can be performed.
  • a mask on which the predetermined pattern is formed using the illumination optical system in the exposure apparatus of the present invention And a transfer step of transferring the predetermined pattern onto the photosensitive substrate.
  • the exposure method of the present invention since the exposure is performed using the exposure apparatus of the present invention, it is possible to perform optimum illumination corresponding to the pitch of the mask pattern etc. It is possible.
  • the mask on which the predetermined pattern is formed is illuminated using the illumination optical system of the present invention.
  • An illumination process and a transfer process for transferring the predetermined pattern onto the photosensitive substrate are included.
  • the equation (1) when the shape of one of the plurality of local illumination regions constituting the multipole illumination shape represents the shape of the local illumination region in polar coordinates in a predetermined plane, the equation (1) is obtained As satisfied, the opening angle of the tangent drawn from the origin of the polar coordinates to the local illumination area It is possible to define the shape of the local illumination area that constitutes the multipole illumination shape by ⁇ ). Therefore, even when the light beam conversion element to be used is exchanged according to the pattern pitch of the mask of the exposure apparatus, the shape of the local illumination area before the exchange and the shape of the local illumination area after the exchange are kept substantially the same. As a result, it is possible to prevent the illumination characteristics of the illumination light from changing before and after replacement, and it is possible to perform continuous illumination of the mask with the optimal illumination light.
  • the local illumination region is provided at least in the peripheral portion on the predetermined surface, it is possible to illuminate the mask with the optimal illumination light without decreasing the contrast of the image as much as possible.
  • the exposure apparatus of the present invention since the light flux conversion element of the present invention is provided, even in the case of replacing the light flux conversion element to be used according to the pitch of the pattern of the mask of the exposure apparatus, etc. Since the shape of the local illumination area before replacement and the shape of the local illumination area after replacement can be kept substantially the same, changes in the illumination characteristics of the illumination light can be prevented before and after replacement, and the optimal illumination light can be prevented. Can provide continuous illumination of the mask.
  • a light intensity distribution having a shape in which the multipole illumination shape is approximately localized at the inner boundary of the effective illumination region, and at least 50% of the local illumination region constituting the multipole illumination shape is Being localized within the effective illumination area it is possible to reduce unnecessary illumination light that does not contribute to imaging, and the effective illumination area can be efficiently illuminated.
  • the azimuth angle of the multipolar illumination shape before and after switching between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means provided detachably is removable.
  • — 1 ° Force changes only in the range up to 1 °, so the shape of the local illumination area before switching and the shape of the local illumination area after switching can be kept substantially the same, and the illumination characteristics of the illumination light change Can be prevented. Therefore, even when the illumination optical system is mounted on the exposure apparatus and switching between the first light flux conversion means and the second light flux conversion means is performed, continuous illumination of the mask can be performed with the optimum illumination light.
  • the shape of one of the plurality of local illumination areas constituting the multipole illumination shape of the first light flux conversion means and the second light flux conversion means may be formed on a predetermined surface. Since expression (2) is satisfied when expressed in polar coordinates, the opening angle (azimuth angle) of the tangent drawn from the origin of polar coordinates to the local illumination area defines the shape of the local illumination area that constitutes the multipole illumination shape by ⁇ . It is possible to determine the power.
  • the shape of the local illumination area before switching and the local illumination after switching Since the shape of the region can be kept substantially the same, it is possible to prevent the illumination characteristics of the illumination light from changing before and after switching, and it is possible to perform continuous illumination of the mask with the optimal illumination light.
  • the mask since the mask is illuminated using the illumination optical system provided with the light flux conversion element of the present invention or the illumination optical system in the exposure apparatus of the present invention, the mask pattern It is possible to perform optimum illumination corresponding to the pitch etc., and to perform good exposure S.
  • FIG. 1 A diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus to which the embodiment is applied.
  • FIG. 2 is a diagram of a light intensity distribution having a local illumination area formed on the illumination pupil plane of the illumination optical system according to the embodiment.
  • FIG. 3 A diagram for illustrating polar coordinate representation of one of four local illumination regions of a four-pole illumination shape formed on the illumination pupil plane of the illumination optical system according to the embodiment. is there.
  • FIG. 4 is a view showing a schematic configuration of an axicon system according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of a first cylindrical lens pair and a second cylindrical lens pair according to the embodiment.
  • FIG. 6 A micro fly's eye lens force according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic configuration view for explaining an optical path to an aperture stop provided in a projection optical system.
  • FIG. 7A is a diagram for explaining a local illumination area and an effective illumination area of a dipole illumination shape.
  • FIG. 7B is a diagram for describing a local illumination area and an effective illumination area of a dipole illumination shape.
  • FIG. 8 is a flow chart showing a method of manufacturing a semiconductor device as a microdevice according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flow chart showing a method of manufacturing a liquid crystal display device as a microdevice to which the embodiment of the present invention is applied.
  • FIG. 10A The first luminous flux conversion element which can cover the range of ring ratio of 0 ⁇ 50-0. 63. It is a figure which shows the shape of the local illumination area of the 4-pole illumination shape formed on the illumination pupil of the illumination optical system in the case of using a child.
  • FIG. 14C The shape of a local illumination area of a quadrupolar illumination shape using two conventional light flux conversion elements It is a figure for demonstrating the state which changed.
  • FIG. 14D is a view for explaining a state in which the shape of the local illumination region of the quadrupolar illumination shape is changed using two conventional light beam conversion elements.
  • FIG. 14E is a view for explaining a state in which the shape of a local illumination area of a quadrupolar illumination shape is changed as a conventional two light flux conversion element.
  • FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • an XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1 is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system.
  • the XYZ orthogonal coordinate system is set such that the X axis and the Y axis are parallel to the wafer W, and the Z axis is set to the direction orthogonal to the wafer W.
  • the illumination optical system that contributes to this embodiment is configured to perform quadrupolar illumination that forms four local illumination regions.
  • the exposure apparatus that is effective in this embodiment is, for example, a KrF excimer laser that supplies light with a wavelength of 248 nm as a light source 1 for supplying exposure light (illumination light).
  • a KrF excimer laser that supplies light with a wavelength of 248 nm as a light source 1 for supplying exposure light (illumination light).
  • ArF excimer laser light source that supplies light with a wavelength of 193 nm.
  • a substantially parallel light beam emitted from the light source 1 along the Z direction has a rectangular cross section elongated along the X direction, and is incident on the beam expander 2 composed of a pair of lenses 2a and 2b.
  • Each lens 2a and 2b has negative refractive power and positive refractive power respectively in the YZ plane of FIG. Therefore, the light flux incident on the beam expander 2 is expanded in the YZ plane of FIG. 1 and shaped into a light flux having a predetermined rectangular cross section.
  • a substantially parallel light flux passing through a beam expander 2 as a shaping optical system is reflected by a bending mirror 3 to be deflected in the Y direction, and then configured by a diffractive optical element (D ⁇ E). It enters the light flux conversion element 4a for 4-pole illumination.
  • the light flux conversion element 4a converts the light flux incident on the light flux conversion element 4a into a light flux for forming a local illumination area having a quadrupolar illumination shape.
  • a diffractive optical element is configured by forming a step having a pitch of about the wavelength of exposure light (illumination light) on a glass substrate, and diffracts an incident beam to a desired angle. Have an action to
  • the beam conversion element 4a When a parallel beam having a rectangular cross section is incident, the beam conversion element 4a has a function of forming a light intensity distribution having four local illumination regions in the far field (Fraunhofer diffraction region). Accordingly, the substantially parallel light beam incident on the light beam conversion element 4a is on the illumination pupil plane (predetermined surface) of the illumination optical system optically conjugate with the pupil of the projection optical system PL described later or in the vicinity of the predetermined surface. As shown in FIG. 2, a light intensity distribution having four local illumination areas 40a, 40b, 40c and 40d is formed.
  • FIG. 3 illustrates polar coordinate representation of one of four local illumination areas 40a, 40b, 40c and 40d of a four-pole illumination shape formed on the illumination pupil plane of the illumination optical system. It is a figure for. As shown in FIG. 3, the local illumination area 40a has a shape that satisfies the condition of Formula 1.
  • the radius when expressing the local illumination area 40a in polar coordinates is R
  • the argument when expressing the local illumination area 40a in polar coordinates is ⁇
  • the origin of the polar coordinates at the center of the illumination pupil plane 0 The radial distance R to the center A of the local illumination area 40a is R '
  • the distance (radial radius) from the center A of the local illumination area 40a to the outer boundary B of the local illumination area 40a is R
  • the opening angle (azimuth angle) of the tangents C1 and C2 drawn in the force local illumination area 40a is ⁇
  • the radius (local azimuth angle) at the center A of the local illumination area 40a is ⁇ ′.
  • the local illumination areas 4 Ob, 40 c, and 40 d are expressed in polar coordinates (each shape of the local illumination areas 40 b, 40 c, and 40 d satisfies the condition of Formula 1).
  • the exposure apparatus includes a plurality of light flux conversion elements 4a and 4b, and a light flux conversion element for 4-pole illumination (first light flux conversion means) 4a and a light flux conversion element for 4-pole illumination (first Light flux conversion means 2) 4b is provided so as to be detachable from the illumination light path of the illumination optical system, and It is configured to be interchangeable.
  • the exchange (switching) of the light flux conversion element 4 a and the light flux conversion element 4 b is performed by a drive system 22 which operates based on a command from the control system (switching means) 21.
  • Information on various masks to be sequentially exposed according to the step 'and' repeat method or the step 'and' scan method is input to the control system 21 through the input means 20 such as a keyboard.
  • the change amount ⁇ ′ of the opening angle (azimuth angle) of the tangent drawn to the local illumination region 40b ⁇ 40d satisfies the condition of ⁇ 1 ° ⁇ ′ ⁇ 1 °. Therefore, even when the light flux conversion element 4a and the light flux conversion element 4b are switched, the shapes of the local illumination regions before and after the switching are kept substantially the same.
  • the luminous flux passing through the luminous flux conversion element 4 a is incident on an afocal lens (relay optical system) 5.
  • the focal lens 5 is an afocal system (afocal optical system) set so that its front focal position and the position of the light flux conversion element 4a substantially coincide with each other. Therefore, the substantially parallel light beam incident on the light beam conversion element 4a forms a quadruple illumination shape having four local illumination regions on the illumination pupil plane of the illumination optical system, and then becomes a substantially parallel light beam.
  • Lens 5 Force Ejected.
  • FIG. 4 is a view showing a schematic configuration of the conical axicon system 7.
  • the conical axicon system 7 includes, in order from the light source side, a first prism member 7a having a flat surface on the light source side and a concave conical refracting surface on the mask side, and a convex conical shape on the light source side with the flat surface.
  • the concave conical refracting surface of the first prism member 7a and the convex conical refracting surface of the second prism member 7b are formed complementarily so as to be able to abut each other. Further, at least one of the first prism member 7a and the second prism member 7b is configured to be movable along the optical axis AX, and the concave conical refracting surface of the first prism member 7a and the second prism Convex part 7b The distance from the conical refracting surface is variable. The change of the interval of the conical axicon system 7 is performed by the drive system 25 which operates based on the command from the control system 21.
  • the conical axicon system 7 is a plane parallel plate. There is no effect on the secondary light source that functions and is formed with the 4-pole illumination shape.
  • the conical axicon system 7 functions as a so-called beam expander.
  • the angle of the light beam incident on the back focal plane 6 of the afocal lens 5 shown by the broken line in FIG. 1 changes. That is, the distance between the center A of the local illumination area 40a shown in FIG. 3 and the distance to the outer boundary B of the local illumination area (radial radius) R is maintained constant from the origin 0 of polar coordinates to the center A of the local illumination area 40a.
  • FIG. 5 shows a schematic configuration of the first cylindrical lens pair 8 and the second cylindrical lens pair 9 disposed in the light path between the front lens group 5 a and the rear lens group 5 b of the afocal lens 5.
  • the first cylindrical lens pair 8 has, in order from the light source side, for example, a first cylindrical negative lens 8a having negative refracting power in the YZ plane and no refracting power in the XY plane;
  • the first cylindrical positive lens 8b has positive refracting power in the YZ plane and has no refracting power in the XY plane.
  • the second cylindrical lens pair 9 has, in order from the light source side, for example, a second cylindrical negative lens 9a having negative refractive power in the XY plane and no refractive power in the YZ plane, and positive in the same XY plane. It is constituted by a second cylindrical positive lens 9 b having a refractive power and having no refractive power in the YZ plane.
  • the first cylindrical negative lens 8 a and the first cylindrical positive lens 8 b are integrally rotated about the optical axis AX by a drive system 26 that operates based on a command from the control system 21. Is configured as.
  • the second cylindrical negative lens 9 a and the second cylindrical positive lens 9 b are configured to integrally rotate around the optical axis AX by a drive system 27 that operates based on a command from the control system 21. It is done.
  • the first cylindrical lens pair 8 functions as a beam expander having power in the Z direction
  • the second cylindrical lens pair 9 functions as a beam expander having power in the X direction.
  • the powers of the first cylindrical lens pair 8 and the second cylindrical lens pair 9 are set to be the same. Therefore, the luminous fluxes passing through the first cylindrical lens pair 8 and the second cylindrical lens pair 9 are subjected to the magnifying action by the same power in the direction and the X direction.
  • a light flux passing through the focal lens 5 is incident on a micro fly's eye lens 11 as an optical integrator via a zoom lens (variable magnification optical system) 10 for variable ⁇ value.
  • the front focal position of the zoom lens 10 is set at or near the rear focal plane 6 of the afocal lens 5, and the entrance surface of the micro fly's eye lens 11 is near the rear focal position of the zoom lens 10. It is set to.
  • the zoom lens 10 sets the rear focal plane 6 and the incident surface of the micro fly's eye lens 11 substantially in a Fourier transform relationship, and hence the illumination pupil plane of the afocal lens 5 and the micro fly's eye lens 11 It is optically set almost conjugate with the incident surface of. Therefore, like the illumination pupil plane of the illumination optical system, a quadrupolar illumination shape as shown in FIG. 2 is formed on the entrance plane of the micro fly's eye lens 11.
  • the four-pole illumination shape having the four local illumination areas 40a to 40d enlarges or reduces in a similar manner depending on the focal length of the zoom lens 10.
  • the change of the focal length of the zoom lens 10 is performed by the drive system 23 which operates based on the command from the control system 21.
  • Each micro lens constituting the micro fly's eye lens 11 has a phase and a phase of an illumination field to be formed on the mask M (and a shape of an exposure area to be formed on the wafer W). It has a similar rectangular cross section.
  • a light beam incident on the micro fly's eye lens 11 is divided two-dimensionally by a large number of micro lenses, and an illumination field formed by the light beam incident on the microphone fly's eye lens 11 on the back focal plane (and hence the illumination pupil)
  • a secondary light source is formed, which consists of a secondary light source having substantially the same light intensity distribution as that of, ie, a substantially planar light source based on a four-pole illumination configuration having four local illumination areas.
  • the light flux from the secondary light source of the quadrupolar illumination shape formed on the back focal plane of the micro fly's eye lens 11 is limited as necessary through the aperture stop, and the light from the condenser optical system 12 is collected.
  • the mask blind 13 as an illumination field stop is illuminated in a superimposed manner.
  • the light beam passing through the rectangular opening (light transmitting portion) of the mask blind 13 is condensed by the imaging optical system 14.
  • the light beam emitted from the illumination light system constituted by the beam expander 2 and the imaging optical system 14 illuminates the mask M in a superimposed manner.
  • variable aperture stop 15 for defining the numerical aperture of the projection optical system PL is provided on the entrance pupil plane of the projection optical system PL, and the drive of the variable aperture stop 15 operates based on a command from the control system 21. Drive system 24 is performed.
  • each exposure area of the wafer W is performed by performing batch exposure or scan exposure while drivingly controlling the wafer W in a two-dimensional manner in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • the pattern of the mask M is sequentially exposed to.
  • the mask pattern is collectively exposed on each exposure area of the wafer according to the re, step-and-repeat method.
  • the opening angle (azimuth angle) of the tangent drawn to 40b and 40d can define the shape of each local illumination area. Therefore, even when the light beam conversion element to be used is replaced according to the pattern pitch of the mask M of the exposure apparatus, the shape of the local illumination area before replacement and the shape of the local illumination area after replacement are approximately the same. It is possible to maintain and prevent the change of the illumination characteristics of the illumination light. Therefore, even when exposure is continuously performed while switching the optical conversion element, the mask is made of the illumination light having the optimum illumination characteristics. It can be illuminated.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram for explaining an optical path from the micro fly's eye lens 11 of the illumination optical system in FIG. 1 to the aperture stop 15 provided in the projection optical system PL.
  • the illustration of the mask blind 13 and the imaging optical system 14 shown in FIG. 1 is omitted, and it is assumed that the mask M is disposed at the position where the mask blind 13 is disposed.
  • the light flux that also emitted the entire circular area force of the illumination pupil 17 of the illumination optical system is condensed by the condenser optical system 12 as shown in FIG. 6, and a mask M having a pitch in the left-right direction on the paper of FIG. Illuminate the pattern P of The luminous flux is diffracted by the pattern P of the mask M.
  • a diffracted light component (0th-order light component) that passes through the pattern P of the mask M is condensed by the front lens group 18 of the projection optical system PL, and is within the aperture 15 a of the aperture stop 15. The area (inner area) is reached.
  • the first-order diffracted light component diffracted in the counterclockwise direction by the pattern P of the mask M is condensed by the front lens group 18 of the projection optical system PL, and only a part of the luminous flux is aperture stop 15 Reaches the inner area of the opening 15a.
  • the first-order diffracted light component that does not reach the opening 15a of the aperture stop 15 is offset by the front lens group 18 of the projection optical system PL or the opening 15a of the aperture stop 15.
  • the first-order diffracted light component that is diffracted in the clockwise direction by the pattern P of the mask M is collected by the front lens group 18 of the projection optical system PL, and only a part of the light beam is the aperture of the aperture stop 15 Reach the inner area of part 15a.
  • the first order diffracted light component that does not reach the opening 15a of the opening stop 15 is offset by the front lens group 18 of the projection optical system PL or the opening 15a of the opening stop 15.
  • Diffracted light components that are deflected by the front lens group 18 of the projection optical system PL and the opening 15a of the aperture stop 15 do not contribute to image formation, and pass through the opening 15a of the aperture stop 15 of the projection optical system PL. Only the light flux contributes to imaging. Therefore, when the luminous flux contributing to this imaging is regarded as the effective luminous flux, the area S corresponding to the effective luminous flux in the area of the illumination pupil of the illumination optical system (hereinafter referred to as the effective illumination) Area The light flux from the) contributes to the imaging not to be cut off by the aperture 15a of the aperture stop 15 of the projection optical system PL.
  • the light intensity distribution of the shape of four local illumination areas 40a and 40d of the four-pole illumination shape is substantially localized to the inner boundary of the effective illumination area S in the illumination pupil plane of the illumination optical system. As more than 75% (ie 50% or more) of the local illumination area 40a 40d is localized within the effective illumination area S, much of the illumination light contributes to imaging, and I can do lighting well.
  • the four local illumination regions 40a when considering the inscribed circle on the illumination pupil plane inscribed in the four local illumination regions 40a and 40d forming the four-pole illumination shape, the four local illumination regions 40a Since 40 d is localized outside the tangents of the four local illumination regions 40 a-40 d and the above inscribed circle, it can contribute much of the illumination light to imaging, providing more efficient illumination. be able to.
  • the light flux conversion element for 4-pole illumination is used as the light flux conversion element for multipole illumination, according to the pitch of the pattern formed on the mask to be used, etc.
  • a light flux conversion element for two-pole illumination may be provided. In this case, it is possible to use a more optimal light flux conversion element according to the pitch of the mask pattern of the exposure apparatus.
  • FIG. 7A is a diagram for describing a local illumination area and an effective illumination area of a two-pole illumination shape formed using the exposure apparatus according to this embodiment.
  • the locally illuminated area (open area) 60 is localized approximately at the inner boundary of the effective illumination area (shaded area) 62.
  • FIG. 7B is a view for explaining a local illumination area and an effective illumination area of the dipole illumination shape of the annular illumination cutout.
  • the local illumination area 64 of the dipole illumination shape of the annular illumination cutout also illuminates the area outside the effective illumination area 66.
  • the illumination light that illuminates the area outside the effective illumination area 66 is useless and does not contribute to imaging.
  • the local illumination region 60 shown in FIG. 7A is shielded by the lens group constituting the projection optical system, the aperture stop, etc. among the diffracted light diffracted by the pattern P of the mask M. Efficiently illuminate the area (effective illumination area 62) corresponding to the luminous flux of the diffracted light component that contributes to the image formation without It is bright.
  • the local illumination area forming the multipolar illumination shape is provided in the peripheral portion on the illumination pupil plane of the illumination optical system
  • the illumination illumination system on the illumination pupil plane of the illumination optical system is provided. It may have a local illumination area at least at the periphery. That is, when using a light flux conversion element for three-pole illumination or a light flux conversion element for five-pole illumination as the light flux conversion element for multipole illumination, local illumination is provided at the central and peripheral portions on the illumination pupil plane of the illumination optical system. It may have an area.
  • the light flux conversion element configured by the diffractive optical element is used, but the light flux conversion element configured by the homogenizer configured by the hologram formed by the diffraction fringe You may use it.
  • the diffractive optical element has, for example, the following configuration. That is, it comprises a plurality of basic optical elements, and each basic optical element further comprises a plurality of partial optical elements.
  • Each basic optical element has the same partial optical element, and the basic optical elements arranged densely and repeatedly in a matrix correspond to the total effective diameter of the diffractive optical element.
  • a diffractive optical element for forming a local illumination area a plurality of partial optical elements necessary for forming one local illumination area are arranged in one row, for example.
  • a plurality of partial optical elements necessary to form another local illumination area are arranged in one row.
  • a plurality of partial optical elements arranged in one row to form one local illumination area is a partial optical element group.
  • a basic optical element is configured by arranging a partial optical element group for forming each local illumination area based on the position where each local illumination area is formed in the multipolar illumination shape.
  • a plurality of basic optical elements configured by arranging partial optical element groups for forming each local illumination area are repeatedly arranged in a dense matrix.
  • the homogenizer has, for example, the following configuration. That is, it is configured by two-dimensionally arranging a plurality of sub-holograms. The luminous flux incident on each of the holograms constituting the homogenizer is diffracted to reach the area scheduled to form each local illumination area on the surface on which the multipole illumination shape is formed. Configured to ing. That is, each of the holograms constituting the homogenizer functions to irradiate a part of the light beam incident on the homogenizer over the entire area to be irradiated in the plane where the multipolar illumination shape is formed.
  • the details of the homogenizer are disclosed in, for example, JP-A-2001-507139, JP-A-8-94839, JP-A-2003-529784 and the like.
  • a force-reflecting mask using a transmissive mask in which a predetermined pattern is patterned on a light transmitting substrate may be used.
  • a mask provided with a variable pattern generation unit capable of erasing and writing patterns, for example, a transmissive or reflective liquid crystal display (LCD), a digital mirror device (DMD), a reflective liquid crystal display It may be a mask provided with an element (LCD), an electrochromic display (ECD) or the like.
  • so-called liquid that fills the optical path between the projection optical system PL and the substrate P with a liquid that is, a force that makes the gas in the optical path between the projection optical system PL and the substrate P
  • the present invention may be applied to an immersion exposure apparatus.
  • polarized illumination is performed in line with the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) and the space pattern, and the pattern of the mask (reticle) is S polarization component (TE polarization component) It is preferable that a large amount of diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction of the pattern be emitted.
  • a polarized light illumination device is disclosed, for example, in International Patent Publication No. WO 2004/051717, and the light flux conversion element of the present embodiment can be applied to the polarized light illumination device of that publication.
  • the reticle (mask) is illuminated by the illumination device (illumination step), and a transfer pattern formed on the mask using the projection optical system is formed on the photosensitive substrate.
  • exposure exposure step
  • microdevices semiconductor elements, imaging elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, etc.
  • FIG. 1 An example of a method for obtaining a semiconductor device as a micro device by forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using an exposure apparatus that Explain.
  • step S301 in FIG. 8 a metal film is vapor-deposited on one lot of wafers.
  • step S302 a photoresist is applied on the metal film on the wafer of one lot.
  • step S303 using the exposure apparatus according to the above-described embodiment, the image of the pattern on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of one lot through the projection optical system.
  • step S304 the photoresist on the wafer of one lot is developed, and then in step S305, etching is performed using the resist pattern as a mask on the wafer of one port.
  • a circuit pattern corresponding to the pattern of is formed in each shot area on each wafer
  • a device such as a semiconductor element is manufactured.
  • a semiconductor device manufacturing method a semiconductor device having a very fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
  • a metal is vapor-deposited on the wafer, a resist is applied on the metal film, and the force of performing the steps of exposure, development, and etching is performed on the wafer prior to these steps.
  • a resist may be coated on the silicon oxide film, and then each process such as exposure, development, and etching may be performed.
  • a liquid crystal display device as a microdevice is obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate). It can also be done.
  • a predetermined pattern circuit pattern, electrode pattern, etc.
  • a photosensitive substrate a glass substrate or the like coated with a resist
  • the exposed substrate is subjected to a development step, an etching step, A predetermined pattern is formed on the substrate by passing through each step such as the disbonding step.
  • a set of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a large number in a matrix, or R, G, B
  • a color filter is formed by arranging a set of three stripe filters in the direction of a plurality of horizontal scan lines.
  • a cell assembling step S403 is performed.
  • a liquid crystal panel liquid crystal cell
  • a liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern forming step S401 and the color filter obtained in the color filter forming step S402, and the liquid crystal panel (Liquid crystal cell) is manufactured.
  • a module assembling step S404 components such as an electric circuit for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal panel), a backlight, and the like are attached to complete a liquid crystal display element.
  • components such as an electric circuit for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal panel), a backlight, and the like are attached to complete a liquid crystal display element.
  • the first luminous flux conversion element for 4-pole illumination which can cover the range of ring ratio of 0.50-0.63, covering the range of ring ratio of 0.63-0.74
  • the second light flux conversion element for 4-pole illumination can be deformed using a third light flux conversion element for 4-pole illumination, which can cover the range of an annular ratio of 0.74 to 0.80. I did the lighting.
  • FIGS. 10A and 10B are diagrams showing the shape of the local illumination region of the quadrupolar illumination shape formed on the illumination pupil of the illumination optical system when the first light flux conversion element is used.
  • FIG. 10A shows the shape of the local illumination area before passing through the conical axicon system 7. Also, the shape of each local illumination area shown in FIG. 10A is formed to satisfy the condition of Formula 1.
  • each parameter when the shape of each local illumination area shown in FIG. 1 OA is expressed in polar coordinates shown in FIG. 3 is shown below.
  • FIG. 10B shows the shape of the local illumination area when passing through the conical axicon system 7.
  • the shape of each local illumination area maintains a constant distance (radial radius) from the center of each local illumination area to the outer boundary of the local illumination area while substantially satisfying the condition of Formula 1 However, it is deformed by changing the radial distance from the center of the multipole illumination shape to the center of the local illumination area.
  • FIGS. 11A and 11B are diagrams showing the shape of the local illumination region of the quadrupolar illumination shape formed on the illumination pupil of the illumination optical system when the second light flux conversion element is used.
  • FIG. 11A shows the shape of the local illumination area before passing through the conical axicon system 7. Further, the shape of each local illumination area shown in FIG. 11A is formed to satisfy the condition of Formula 1.
  • each parameter in the polar coordinate representation shown in FIG. 3 of each local illumination area shown in FIG. 11A is shown below.
  • FIG. 11B shows the shape of the local illumination area when passing through the conical axicon system 7.
  • the shape of each local illumination area maintains a constant distance (radial radius) from the center of each local illumination area to the outer boundary of the local illumination area while substantially satisfying the condition of Formula 1 However, it is deformed by changing the radial distance from the center of the multipole illumination shape to the center of the local illumination area.
  • FIGS. 12A and 12B are diagrams showing the shape of the local illumination region of the quadrupolar illumination shape formed on the illumination pupil of the illumination optical system when the third light flux conversion element is used.
  • FIG. 12A shows the shape of the local illumination area before passing through the conical axicon system 7. Also, each local shown in FIG. 12A The shape of the illumination area is formed to satisfy the condition of Equation 1.
  • each parameter when polar coordinates shown in FIG. 3 are represented as shown in FIG. 3 is shown as follows.
  • FIG. 12B shows the shape of the local illumination area when passing through the conical axicon system 7.
  • the shape of each local illumination area maintains a constant distance (radial radius) from the center of each local illumination area to the outer boundary of the local illumination area while substantially satisfying the condition of Formula 1 However, it is deformed by changing the radial distance from the center of the multipole illumination shape to the center of the local illumination area.
  • the center of the illumination pupil plane of the illumination optical system is drawn from the center of the illumination pupil plane to the local illumination area, and the opening angle of the tangent (azimuth angle) ⁇ defines the shape of the local illumination area.
  • the shape of the local illumination area before switching shown in 10B and the shape of the local illumination area after switching shown in FIG. 11A are kept substantially the same.
  • the shape of the local illumination area before switching shown in FIG. 11B and the shape of the local illumination area after switching shown in FIG. 12A are kept substantially the same.
  • the modified illumination was performed using a light flux conversion element for two-pole illumination which can cover the range of an annular ratio of 0.74 to 0.80.
  • FIGS. 13A and 13B are diagrams showing the shape of a local illumination region of a dipole illumination shape formed on the illumination pupil of the illumination optical system when using a light flux conversion element.
  • FIG. 13A shows the shape of the local illumination area before passing through the conical axicon system 7. Also, the shape of each local illumination area shown in FIG. 13A is formed to satisfy the condition of Formula 1.
  • each parameter when the shape of each local illumination area shown in FIG. 13A is expressed in polar coordinates shown in FIG. 3 is shown below.
  • FIG. 13B shows the shape of the local illumination area when passing through the conical axicon system 7.
  • the shape of each local illumination area maintains a constant distance (radial radius) from the center of each local illumination area to the outer boundary of the local illumination area while substantially satisfying the condition of Formula 1 However, it can be deformed by changing the radial distance from the center of the multipole illumination shape to the center of the local illumination area.
  • the light beam conversion element, the exposure apparatus, the illumination optical system, and the exposure method of the present invention are suitable for use in the manufacture of microdevices such as high-performance semiconductor elements, liquid crystal display elements, and thin film magnetic heads. .

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Abstract

 入射光束を所定面において多極照明形状の光束へ変換するための光束変換素子において、多極照明形状を構成する複数の局所照明領域のうちの1つの局所照明領域40aを所定面において極座標で表現するとき、局所照明領域は、 数1 の条件を満足する形状を有することを特徴とする。ただし、局所照明領域を極座標で表現するときの動径をR、局所照明領域を極座標で表現するときの偏角をθ、極座標の原点0から局所照明領域の中心Aまでの径方向の距離をR´、局所照明領域の中心から局所照明領域の外側境界Bまでの距離(径方向半径)をR0、極座標の原点から局所照明領域に引いた接線C1,C2の開き角(方位角)をφ、局所照明領域の中心における動径(局所方位角)をθ´とする。

Description

明 細 書
光束変換素子、露光装置、照明光学系及び露光方法
技術分野
[0001] この発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスを リソグラフィー工程で製造するための露光装置に用いられる光束変換素子、該光束 変換素子を備えた露光装置及び照明光学系並びに該光束変換素子を用いた露光 方法に関するものである。
背景技術
[0002] 従来の露光装置においては、光源から射出された光束がマイクロフライアイレンズ( またはフライアイレンズ)に入射し、その後側焦点面に多数の光源からなる二次光源 を形成する。二次光源からの光束は、必要に応じてマイクロフライアイレンズの後側 焦点面の近傍に配置された開口絞りを介して制限された後、コンデンサーレンズに 入射する。
[0003] コンデンサーレンズにより集光された光束は、所定のパターンが形成されたマスクを 重畳的に照明する。マスクのパターンを透過した光は、投影光学系を介してウェハ上 に結像する。こうして、ウェハ上には、マスクパターンが投影露光(転写)される。なお 、マスクに形成されたパターンは高集積化されており、この微細パターンをウェハ上 に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分布を得ることが不可欠である
[0004] また、マスクのパターンが微細になり、露光装置の解像限界付近にて露光が行われ るようになると、照明光学系の開口絞りから射出した光のうち、解像に寄与するのは、 開口絞りの周辺部から射出した光のみになり、開口部の中心部から射出した光は像 のコントラストを下げるだけの働きしか持たなくなる。従って、近年、照明光学系の照 明瞳の周辺部に光強度分布を有する輪帯状や多極状 (例えば、 4極状)の変形照明 を行い、マイクロフライアイレンズの後側焦点面に二次光源を形成することにより、投 影光学系の焦点深度や解像力を向上させる技術が注目されてレ、る。
[0005] ここで、輪帯状や多極状の二次光源を形成ための手段として、露光装置の照明光 学系に複数の基本光学素子からなる光束変換素子を備え、この光束変換素子を介 することにより光束変換素子に入射する光束を照明光学系の照明瞳において所定の 断面形状 (例えば輪帯状や多極状)を有する光束に変換し、この所定の断面形状を 有する光束が入射したマイクロフライアイレンズの後側焦点面に二次光源を形成する 露光装置が開示されている(例えば、特開 2001-174615号公報参照)。また、入射 光束から輪帯状や多極状の照明領域を形成するための手段として、ホログラムのよう な不規則的にパターン形成された回折フリンジ等を有し、入射光束の光強度を出力 平面において予定された光強度分布を有する光束に変換することが開示されている (例えば、特表 2001—507139号公報参照)。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] ところで、光束変換素子等を用いて照明光束を多極照明形状の局所照明領域を形 成するための光束に変換し多極照明を行う場合、使用されるマスクのパターンに応じ て局所照明領域の形状を規定する輪帯比を変化させて照明を行っているが、 1つの 光束変換素子で対応することができる輪帯比には限界があり、対応可能な輪帯比の 範囲毎に光束変換素子を交換する必要がある。また、従来、多極照明形状を構成す る局所照明領域の形状は、照明光学系の開口数 NAと輪帯比のみで規定されてい た。ここで、輪帯比とは、照明光学系の照明瞳の中心から多極照明形状の局所照明 領域の形状の内側境界までの距離と照明光学系の照明瞳の中心から多極照明形状 局所照明領域の形状の外側境界までの距離との比である。
[0007] 従来、光束変換素子は円形状の局所照明領域を形成するための光束に入射光束 を変換するように作成されており、局所照明領域を規定する輪帯比は、照明光学系 が備えるアキシコン系を用いて変化させている。図 14A,図 14Bは、 2つの光束変換 素子を用いて 4極照明形状の局所照明領域の形状を変化させた状態を説明するた めの図である。図 14Aに示すように、第 1の光束変換素子により、入射光束が円形状 の局所照明領域を形成するための光束に変換され、略円形の局所照明領域を形成 する。局所照明領域の輪帯比が変更されることにより、円形状であった局所照明領 域の形状は、照明光学系が備えるアキシコン系を用いることにより図 14Bや図 14Cに 示すような形状に変化する。
[0008] ここで、局所照明領域の輪帯比を維持した状態で、高い輪帯比に対応した第 2の 光束変換素子に交換した場合、図 14Dに示すように第 2の光束変換素子により入射 光束が局所照明領域を形成するための光束に変換され略円形の局所照明領域を形 成する。局所照明領域の輪帯比が変更されることにより円形状であった局所照明領 域の形状は、照明光学系が備えるアキシコン系を用いることにより図 14Eに示すよう な形状に変化する。
[0009] 上述したように光束変換素子は円形状の局所照明領域を形成するための光束に 入射光束を変換するように作成されており、かつ輪帯比の範囲により局所照明領域 の形状が規定されているため、第 1の光束変換素子を第 2の光束変換素子に交換し た場合には、局所照明領域の形状が、図 14Cに示す形状から図 14Dに示す形状に 変化する。即ち、交換前後における輪帯比は同一であるにもかかわらず、 4極照明形 状の中心から局所照明領域に引いた接線の開き角である方位角が交換前後におい て異なり、光束変換素子の交換前後における局所照明領域の形状が異なる。
[0010] 従って、露光装置において光束変換素子を適宜交換しつつマスクの連続照明を行 う場合、図 14Cと図 14Dに示すように光束変換素子の交換前後における局所照明領 域の形状が異なるため、照明光の照明特性の同一性を維持することができないという 問題がある。
[0011] この発明の課題は、入射光束を所定面において最適な多極照明形状の局所照明 領域の光束へ変換する光束変換素子、該光束変換素子を備えた露光装置及び照 明光学系並びに該光束変換素子を用いた露光方法を提供することである。
[0012] この発明の光束変換素子は、入射光束を所定面において多極照明形状の光束へ 変換するための光束変換素子において、前記多極照明形状を構成する複数の局所 照明領域のうちの 1つの局所照明領域を前記所定面において極座標で表現するとき 、前記局所照明領域は、
[0013] [数 1]
Figure imgf000006_0001
[0014] の条件を満足する形状を有することを特徴とする。ただし、前記局所照明領域を前記 極座標で表現するときの動径を R、前記局所照明領域を前記極座標で表現するとき の偏角を Θ、前記極座標の原点から前記局所照明領域の中心までの径方向の距離 を 、前記局所照明領域の前記中心から前記局所照明領域の外側境界までの距 離 (径方向半径)を R、前記極座標の原点から前記局所照明領域に引いた接線の
0
開き角(方位角)を Φ、前記局所照明領域の前記中心における動径 (局所方位角)を Θ 'とする。
[0015] この発明の光束変換素子によれば、多極照明形状を構成する複数の局所照明領 域のうちの 1つの局所照明領域の形状が所定面において極座標で表現するとき(1) 式を満足しているため、極座標の原点から局所照明領域に引いた接線の開き角(方 位角) φにより多極照明形状を構成する局所照明領域の形状を規定することができ る。従って、露光装置のマスクのパターンのピッチ等に応じて使用する光束変換素子 を交換する場合においても、交換前の局所照明領域の形状と交換後の局所照明領 域の形状とを略同一に保つことができるため、交換前後において照明光の照明特性 が変化するのを防止することができ、最適な照明光によりマスクの連続照明を行うこと ができる。
[0016] また、この発明の光束変換素子は、前記多極照明形状が前記所定面上の少なくと も周辺部に前記局所照明領域を有することを特徴とする。
[0017] この発明の光束変換素子によれば、所定面上の少なくとも周辺部に局所照明領域 を有するため、像のコントラストを極力下げることなぐ最適な照明光によりマスクの照 明を行うことができる。
[0018] また、この発明の光束変換素子は、前記多極照明形状が 2つの前記局所照明領域 を有する 2極照明形状または 4つの前記局所照明領域を有する 4極照明形状である ことを特徴とする。この発明の光束変換素子によれば、光束変換素子を露光装置に 搭載する場合、露光装置のマスクのパターンのピッチ等に応じて最適な光束変換素 子を使用することができる。
[0019] また、この発明の露光装置は、マスクのパターンを照明する照明光学系と、照明さ れた前記マスクの前記パターンの像を感光性基板上に投影する投影光学系と、この 発明の光束変換素子とを備え、前記光束変換素子は、前記投影光学系の瞳と光学 的に共役な照明瞳またはその近傍に前記多極照明形状を形成することを特徴とする
[0020] この発明の露光装置によれば、この発明の光束変換素子を備えているため、極座 標の原点から局所照明領域に引いた接線の開き角(方位角) φにより多極照明形状 を構成する局所照明領域の形状を規定することができる。従って、露光装置のマスク のパターンのピッチ等に応じて使用する光束変換素子を交換する場合においても、 交換前の局所照明領域の形状と交換後の局所照明領域の形状とを略同一に保つこ とができるため、交換前後において照明光の照明特性の変化を防止することができ る。また、所定面上の少なくとも周辺部に多極照明形状の局所照明領域を有するた め、像のコントラストの低下を抑えることができる。従って、最適な照明光によりマスク の連続照明を行うことができる。
[0021] また、この発明の露光装置は、前記照明光学系がアキシコン系を備えていることを 特徴とする。
[0022] また、この発明の露光装置は、前記アキシコン系が前記局所照明領域の前記中心 から前記局所照明領域の前記外側境界までの距離 (径方向半径) Rを一定に維持
0
しつつ前記極座標の原点から前記局所照明領域の前記中心までの径方向の距離 R を変更することを特徴とする。
[0023] この発明の露光装置によれば、照明光学系が径方向半径 Rを一定に維持しつつ
0
極座標の原点から局所照明領域の中心までの径方向の距離 R'を変更することがで きるアキシコン系を備えているため、多極照明形状の中心から局所照明領域に引い た接線の開き角(方位角) Φを変化させることなぐ局所照明領域の形状を変化させ ること力 Sできる。
[0024] また、この発明の露光装置は、前記照明光学系が前記多極照明形状を相似的に 拡大 ·縮小するための変倍光学系を備えていることを特徴とする。この発明の露光装 置によれば、照明光学系が多極照明形状を相似的に拡大 '縮小するための変倍光 学系を備えているため、多極照明形状の大きさを自由に設定することができる。
[0025] また、この発明の露光装置は、複数の前記光束変換素子を備え、該複数の光束変 換素子は互いに交換可能に構成されることを特徴とする。この発明の露光装置によ れば、互いに交換可能に構成された複数の光束変換素子を備えているため、露光 装置のマスクのパターンのピッチ等の違いに対応した最適な光束変換素子を使用す ること力 Sできる。
[0026] また、この発明の露光装置は、前記照明瞳上において前記照明瞳からの 0次光が 前記投影光学系の前記瞳を通過することができる領域を有効照明領域とするとき、 前記多極照明形状は、該有効照明領域の内側境界に略局在化する形状の光強度 分布を持つことを特徴とする。
[0027] また、この発明の露光装置は、前記局所照明領域のうちの 50%以上の領域は前記 有効照明領域内に局在していることを特徴とする。
[0028] この発明の露光装置によれば、多極照明形状が上述の有効照明領域の内側境界 に略局在化する形状の光強度分布を持ち、多極照明形状を構成する局所照明領域 のうちの 50%以上の領域が有効照明領域内に局在していることから、結像に寄与し ない無駄な照明光を減少させることができ、効率良く有効照明領域を照明することが できる。なお、結像に寄与しない無駄な照明光を減少させて、像コントラストを向上さ せるためには、多極照明形状を構成する局所照明領域のうちの 75%以上の領域が 有効領域内に局在していることが好ましい。
[0029] また、この発明の照明光学系は、マスクのパターンを照明する照明光学系において 、この発明の光束変換素子を備えることを特徴とする。また、この発明の照明光学系 は、前記照明光学系が、アキシコン系を備えていることを特徴とする。
[0030] また、この発明の照明光学系は、前記アキシコン系が、前記局所照明領域の前記 中心から前記局所照明領域の前記外側境界までの距離 (径方向半径) Rを一定に
0
維持しつつ前記極座標の原点から前記局所照明領域の前記中心までの径方向の 距離 R'を変更することを特徴とする。また、この発明の照明光学系は、前記照明光 学系がは、前記多極照明形状を相似的に拡大 '縮小するための変倍光学系を備え ていることを特徴とする。
[0031] また、この発明の照明光学系は、マスクのパターンを照明する照明光学系において 、前記照明光学系の照明光路に対して挿脱自在に設けられて、入射光束を所定面 において第 1の多極照明形状の光束に変換する第 1の光束変換手段と、前記照明 光学系の照明光路に対して揷脱自在に設けられて、入射光束を前記所定面におい て第 2の多極照明形状の光束に変換する第 2の光束変換手段と、前記第 1光束変換 手段と前記第 2の光束変換手段との切替を行う切替手段とを備え、前記所定面上の 原点から前記局所照明領域に引いた接線の開き角を方位角とするとき、前記切替手 段により前記第 1の光束変換手段と前記第 2の光束変換手段との切替が行われた場 合に、前記切替の前後における前記多極照明形状の方位角の変化量 φ 'がー 1° < φ 'ぐ 1。 の条件を満足することを特徴とする。
[0032] この発明の照明光学系によれば、揷脱自在に設けられている第 1の光束変換手段 と第 2の光束変換手段との切替の前後における多極照明形状の方位角 < がー 1° 力 1° までの範囲でのみ変化するため、切替前の局所照明領域の形状と切替後の 局所照明領域の形状を略同一に保つことができ、照明光の照明特性が変化するの を防止することができる。従って、照明光学系が露光装置に搭載され第 1の光束変換 手段と第 2の光束変換手段との切替が行われた場合においても、最適な照明光によ りマスクの連続照明を行うことができる。
[0033] また、この発明の照明光学系は、前記多極照明形状を構成する複数の局所照明領 域に内接する前記所定面上の円を内接円とするとき、前記複数の局所照明領域のう ちの 1つは、該 1つの局所照明領域と前記内接円との接線よりも外側に局在している ことを特徴とする。
[0034] この発明の照明光学系によれば、投影露光装置に適用された場合に、結像に寄与 しない無駄な照明光を減少させることができ、像コントラストを向上させることができる
[0035] また、この発明の照明光学系は、前記多極照明形状を構成する複数の局所照明領 域のうちの 1つの局所照明領域を前記所定面において極座標で表現するとき、前記 第 1の光束変換手段及び前記第 2の光束変換手段の前記局所照明領域は、 [0036] [数 2]
Figure imgf000010_0001
[0037] の条件を満足する形状を有することを特徴とする。ただし、前記局所照明領域を前記 極座標で表現するときの動径を R、前記局所照明領域を前記極座標で表現するとき の偏角を Θ、前記極座標の原点から前記局所照明領域の中心までの径方向の距離 を 、前記局所照明領域の前記中心から前記局所照明領域の外側境界までの距 離 (径方向半径)を R、前記極座標の原点から前記局所照明領域に引いた接線の
0
開き角(方位角)を Φ、前記局所照明領域の前記中心における動径 (局所方位角)を とする。
[0038] この発明の照明光学系によれば、第 1の光束変換手段及び第 2の光束変換手段の 多極照明形状を構成する複数の局所照明領域のうちの 1つの局所照明領域の形状 が所定面において極座標で表現するとき(2)式を満足しているため、極座標の原点 力 局所照明領域に引いた接線の開き角(方位角) Φにより多極照明形状を構成す る局所照明領域の形状を規定することができる。従って、露光装置のマスクのパター ンのピッチ等に応じて第 1の光束変換手段と第 2の光束変換手段とを切替した場合 においても、切替前の局所照明領域の形状と切替後の局所照明領域の形状とを略 同一に保つことができるため、切替前後において照明光の照明特性が変化するのを 防止することができ、最適な照明光によりマスクの連続照明を行うことができる。
[0039] また、この発明の露光装置は、感光性基板上にマスクのパターンを転写する露光 装置において、前記マスクを照明するためのこの発明の照明光学系と、前記マスクの パターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記所 定面は、前記投影光学系の瞳と光学的に共役な面または該共役な面の近傍に位置 決めされることを特徴とする。
[0040] この発明の露光装置によれば、この発明の照明光学系を備えているため、揷脱自 在に設けられている第 1の光束変換手段と第 2の光束変換手段との切替の前後にお ける多極照明形状の方位角 < が- 1° 力 1° までの範囲でのみ変化する。また、 極座標の原点から局所照明領域に引いた接線の開き角(方位角) Φにより多極照明 形状を構成する局所照明領域の形状を規定することができる。従って、露光装置の マスクのパターンのピッチ等に応じて第 1の光束変換手段と第 2の光束変換手段とを 切替した場合においても、切替前の局所照明領域の形状と切替後の局所照明領域 の形状とを略同一に保つことができるため、切替前後において照明光の照明特性が 変化するのを防止することができ、最適な照明光によりマスクの連続照明を行うことが できる。
[0041] また、この発明の露光方法は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方 法において、この発明の光束変換素子を備える照明光学系を用いて前記所定のパ ターンが形成されるマスクを照明する照明工程と、前記感光性基板上に前記所定の パターンを転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
[0042] この発明の露光方法によれば、この発明の光束変換素子を備える照明光学系を用 いてマスクの照明を行うため、マスクのパターンのピッチ等に対応した最適な照明を 行うことができ、良好な露光を行うことができる。
[0043] また、この発明の露光方法は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方 法において、この発明の露光装置中の照明光学系を用いて前記所定のパターンが 形成されるマスクを照明する照明工程と、前記感光性基板上に前記所定のパターン を転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
[0044] この発明の露光方法によれば、この発明の露光装置を用いて露光を行うため、マス クのパターンのピッチ等に対応した最適な照明を行うことができ、良好な露光を行うこ とができる。
[0045] また、この発明の露光方法は、感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方 法において、この発明の照明光学系を用いて前記所定のパターンが形成されるマス クを照明する照明工程と、前記感光性基板上に前記所定のパターンを転写する転写 工程とを含むことを特徴とする。
[0046] この発明の光束変換素子によれば、多極照明形状を構成する複数の局所照明領 域のうちの 1つの局所照明領域の形状が所定面において極座標で表現するとき(1) 式を満足しているため、極座標の原点から局所照明領域に引いた接線の開き角(方 位角) φにより多極照明形状を構成する局所照明領域の形状を規定することができ る。従って、露光装置のマスクのパターンのピッチ等に応じて使用する光束変換素子 を交換する場合においても、交換前の局所照明領域の形状と交換後の局所照明領 域の形状とを略同一に保つことができるため、交換前後において照明光の照明特性 が変化するのを防止することができ、最適な照明光によりマスクの連続照明を行うこと ができる。
[0047] また、所定面上の少なくとも周辺部に局所照明領域を有するため、像のコントラスト を極力下げることなぐ最適な照明光によりマスクの照明を行うことができる。
[0048] また、この発明の露光装置によれば、この発明の光束変換素子を備えているため、 露光装置のマスクのパターンのピッチ等に応じて使用する光束変換素子を交換する 場合においても、交換前の局所照明領域の形状と交換後の局所照明領域の形状と を略同一に保つことができるため、交換前後において照明光の照明特性の変化を防 止することができ、最適な照明光によりマスクの連続照明を行うことができる。
[0049] また、多極照明形状が有効照明領域の内側境界に略局在化する形状の光強度分 布を持ち、多極照明形状を構成する局所照明領域のうちの 50%以上の領域が有効 照明領域内に局在していることから、結像に寄与しない無駄な照明光を減少させるこ とができ、効率良く有効照明領域を照明することができる。
[0050] また、この発明の照明光学系によれば、挿脱自在に設けられている第 1の光束変換 手段と第 2の光束変換手段との切替の前後における多極照明形状の方位角 が— 1° 力 1° までの範囲でのみ変化するため、切替前の局所照明領域の形状と切替 後の局所照明領域の形状を略同一に保つことができ、照明光の照明特性が変化す るのを防止することができる。従って、照明光学系が露光装置に搭載され第 1の光束 変換手段と第 2の光束変換手段との切替が行われた場合においても、最適な照明光 によりマスクの連続照明を行うことができる。
[0051] また、第 1の光束変換手段及び第 2の光束変換手段の多極照明形状を構成する複 数の局所照明領域のうちの 1つの局所照明領域の形状が所定面にぉレ、て極座標で 表現するとき(2)式を満足しているため、極座標の原点から局所照明領域に引いた 接線の開き角(方位角) Φにより多極照明形状を構成する局所照明領域の形状を規 定すること力 sできる。従って、露光装置のマスクのパターンのピッチ等に応じて第 1の 光束変換手段と第 2の光束変換手段とを切替した場合においても、切替前の局所照 明領域の形状と切替後の局所照明領域の形状とを略同一に保つことができるため、 切替前後において照明光の照明特性が変化するのを防止することができ、最適な照 明光によりマスクの連続照明を行うことができる。
[0052] また、この発明の露光方法によれば、この発明の光束変換素子を備える照明光学 系またはこの発明の露光装置中の照明光学系を用いてマスクの照明を行うため、マ スクのパターンのピッチ等に対応した最適な照明を行うことができ、良好な露光を行う こと力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0053] [図 1]実施の形態に力かる露光装置の概略構成を示す図である。
[図 2]実施の形態にかかる照明光学系の照明瞳面上に形成される局所照明領域を 有する光強度分布の図である。
[図 3]実施の形態に力かる照明光学系の照明瞳面に形成される 4極照明形状の 4つ の局所照明領域のうちの 1つの局所照明領域の極座標表現を説明するための図で ある。
[図 4]実施の形態に力、かるアキシコン系の概略構成を示す図である。
[図 5]実施の形態に力、かる第 1シリンドリカルレンズ対及び第 2シリンドリカルレンズ対 の概略構成を示す図である。
[図 6]実施の形態に力、かるマイクロフライアイレンズ力 投影光学系に備えられている 開口絞りまでの光路を説明するための概略構成図である。
[図 7A]2極照明形状の局所照明領域と有効照明領域を説明するための図である。
[図 7B]2極照明形状の局所照明領域と有効照明領域を説明するための図である。
[図 8]この発明の実施の形態に力かるマイクロデバイスとしての半導体デバイスを製 造する方法を示すフローチャートである。
[図 9]この発明の実施の形態に力かるマイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造 する方法を示すフローチャートである。
[図 10A]輪帯比が 0· 50-0. 63の範囲をカバーすることができる第 1の光束変換素 子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 10B]輪帯比が 0. 50-0. 63の範囲をカバーすることができる第 1の光束変換素 子を用レ、た場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 11A]輪帯比が 0. 63-0. 74の範囲をカバーすることができる第 2の光束変換素 子を用レ、た場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 11B]輪帯比が 0. 63-0. 74の範囲をカバーすることができる第 2の光束変換素 子を用レ、た場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 12A]輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる第 3の光束変換素 子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 12B]輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる第 3の光束変換素 子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 4極照明形状の局所 照明領域の形状を示す図である。
園 13A]輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる光束変換素子を用 レ、た場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 2極照明形状の局所照明領 域の形状を示す図である。
園 13B]輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる光束変換素子を用 レ、た場合における照明光学系の照明瞳上に形成される 2極照明形状の局所照明領 域の形状を示す図である。
園 14A]従来の 2つの光束変換素子を用いて 4極照明形状の局所照明領域の形状を 変化させた状態を説明するための図である。
園 14B]従来の 2つの光束変換素子を用いて 4極照明形状の局所照明領域の形状を 変化させた状態を説明するための図である。
[図 14C]従来の 2つの光束変換素子を用いて 4極照明形状の局所照明領域の形状 を変化させた状態を説明するための図である。
[図 14D]従来の 2つの光束変換素子を用いて 4極照明形状の局所照明領域の形状を 変化させた状態を説明するための図である。
[図 14E]従来の 2つの光束変換素子を用レ、て 4極照明形状の局所照明領域の形状を 変化させた状態を説明するための図である。
発明を実施するための最良の形態
[0054] 図面を参照して、この発明の実施の形態に力かる露光装置について説明する。図
1は、この発明の実施の形態に力かる露光装置の概略構成を示す図である。なお、 以下の説明においては、図 1中に示す XYZ直交座標系を設定し、この XYZ直交座 標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。 XYZ直交座標系は、 X軸 及び Y軸がウェハ Wに対して平行となるように設定され、 Z軸がウェハ Wに対して直 交する方向に設定されている。また、この実施の形態に力かる照明光学系は、 4つの 局所照明領域を形成する 4極照明を行うように構成されている。
[0055] この実施の形態に力かる露光装置は、図 1に示すように、露光光(照明光)を供給 するための光源 1として、例えば波長が 248nmの光を供給する KrFエキシマレーザ 一光源または波長が 193nmの光を供給する ArFエキシマレーザー光源を備えてい る。光源 1から Z方向に沿って射出された略平行な光束は、 X方向に沿って細長く延 びた矩形状の断面を有し、一対のレンズ 2aおよび 2bからなるビームエキスパンダー 2に入射する。各レンズ 2aおよび 2bは、図 1の YZ平面内において負の屈折力および 正の屈折力をそれぞれ有する。したがって、ビームエキスパンダー 2に入射した光束 は、図 1の YZ平面内において拡大され、所定の矩形状の断面を有する光束に整形 される。
[0056] 整形光学系としてのビームエキスパンダー 2を介した略平行な光束は、折り曲げミラ 一 3により反射されることにより Y方向に偏向された後、回折光学素子(D〇E)により 構成される 4極照明用の光束変換素子 4aに入射する。光束変換素子 4aは、光束変 換素子 4aに入射する光束を 4極照明形状の局所照明領域を形成するための光束へ 変換する。一般に、回折光学素子は、ガラス基板に露光光(照明光)の波長程度のピ ツチを有する段差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折 する作用を有する。
[0057] 光束変換素子 4aは、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合、そのファー フィールド (フラウンホーファー回折領域)において、 4つの局所照明領域を有する光 強度分布を形成する機能を有する。従って、光束変換素子 4aに入射した略平行な 光束は、後述する投影光学系 PLの瞳と光学的に共役な照明光学系の照明瞳面 (所 定面)上または所定面の近傍の周辺部に図 2に示すような 4つの局所照明領域 40a, 40b, 40c, 40dを有する光強度分布を形成する。
[0058] 図 3は、照明光学系の照明瞳面に形成される 4極照明形状の 4つの局所照明領域 40a, 40b, 40c, 40dのうちの 1つの局所照明領域 40aの極座標表現を説明するた めの図である。図 3に示すように、局所照明領域 40aは数式 1の条件を満足する形状 を有する。
[0059] [数 3]
(数式 1 )
0.8く く 1.2
Figure imgf000016_0001
[0060] ここで、局所照明領域 40aを極座標で表現するときの動径を R、局所照明領域 40a を極座標で表現するときの偏角を Θ、照明瞳面の中心である極座標の原点 0から局 所照明領域 40aの中心 Aまでの径方向の距離を R'、局所照明領域 40aの中心 Aか ら局所照明領域 40aの外側境界 Bまでの距離 (径方向半径)を R、極座標の原点 0
0
力 局所照明領域 40aに引いた接線 C1及び C2の開き角(方位角)を φ、局所照明 領域 40aの中心 Aにおける動径(局所方位角)を Θ 'とする。同様に、局所照明領域 4 Ob, 40c, 40dを極座標で表現した場合 (こおレヽても、局所照明領域 40b, 40c, 40d のそれぞれの形状は、数式 1の条件を満足している。
[0061] この露光装置は、複数の光束変換素子 4a, 4bを備えており、 4極照明用の光束変 換素子 (第 1の光束変換手段) 4a及び 4極照明用の光束変換素子(第 2の光束変換 手段) 4bは照明光学系の照明光路に対して揷脱自在に設けられており、かつ互いに 交換可能に構成されている。光束変換素子 4aと光束変換素子 4bとの交換 (切替)は 、制御系(切替手段) 21からの指令に基づいて動作する駆動系 22により行われる。 制御系 21には、ステップ 'アンド'リピート方式またはステップ'アンド'スキャン方式に したがって順次露光すべき各種のマスクに関する情報などがキーボードなどの入力 手段 20を介して入力される。
[0062] また、光束変換素子 4aと光束変換素子 4bとの間の切替の前後における極座標の 原点 0から局所照明領域 40aに引いた接線 C1及び C2の開き角(方位角) φの変化 量 φ 'は、—1° < φ 'ぐ 1° の条件を満足している。同様に、局所照明領域 40b— 4 0dに引いた接線の開き角(方位角)の変化量 φ 'は、— 1° < ' < 1° の条件を満 足している。従って、光束変換素子 4aと光束変換素子 4bとの間の切替が行われた場 合においても、その切替前後における局所照明領域の形状は略同一に保たれる。
[0063] 光束変換素子 4aを介した光束は、ァフォーカルレンズ (リレー光学系) 5に入射する 。ァフォーカルレンズ 5は、その前側焦点位置と光束変換素子 4aの位置とがほぼ一 致するように設定されたァフォーカル系(無焦点光学系)である。したがって、光束変 換素子 4aに入射した略平行な光束は、照明光学系の照明瞳面に 4つの局所照明領 域を有する 4極照明形状を形成した後、略平行な光束となってァフォーカルレンズ 5 力 射出される。
[0064] なお、ァフォーカルレンズ 5の前側レンズ群 5aと後側レンズ群 5bとの間の光路中に おいて照明瞳またはその近傍には、円錐アキシコン系(アキシコン系) 7、第 1シリンド リカルレンズ対 8及び第 2シリンドリカルレンズ対 9が配置されている。図 4は、円錐ァ キシコン系 7の概略構成を示す図である。円錐アキシコン系 7は、光源側から順に、 光源側に平面を向け且つマスク側に凹円錐状の屈折面を向けた第 1プリズム部材 7a と、マスク側に平面を向け且つ光源側に凸円錐状の屈折面を向けた第 2プリズム部 材 7bとから構成されている。
[0065] 第 1プリズム部材 7aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 7bの凸円錐状の屈折 面とは、互いに当接可能なように相補的に形成されている。また、第 1プリズム部材 7 aおよび第 2プリズム部材 7bのうち少なくとも一方の部材が光軸 AXに沿って移動可 能に構成され、第 1プリズム部材 7aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 7bの凸 円錐状の屈折面との間隔が可変に構成されている。円錐アキシコン系 7の間隔の変 ィ匕は、制御系 21からの指令に基づいて動作する駆動系 25により行われる。
[0066] ここで、第 1プリズム部材 7aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 7bの凸円錐状 の屈折面とが互いに当接している状態では、円錐アキシコン系 7は平行平面板として 機能し、形成される 4極照明形状の二次光源に及ぼす影響はない。し力 ながら、第 1プリズム部材 7aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 7bの凸円錐状の屈折面と を離間させると、円錐アキシコン系 7は、いわゆるビームエキスパンダーとして機能す る。したがって、円錐アキシコン系 7の間隔の変化に伴って、図 1中破線で示すァフォ 一カルレンズ 5の後側焦点面 6への入射光束の角度は変化する。即ち、図 3に示す 局所照明領域 40aの中心 A力も局所照明領域の外側境界 Bまでの距離 (径方向半 径) Rを一定に維持しつつ極座標の原点 0から局所照明領域 40aの中心 Aまでの径
0
方向の距離 R'を変更する。同様に、局所照明領域 40b 40dの中心からそれぞれ の局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向半径)を一定に維持しつつ極座標 の原点 0からそれぞれの局所照明領域 40b— 40dの中心までの径方向の距離を変 更する。従って、極座標の原点 0から局所照明領域 40a— 40dに引いた接線の開き 角(方位角)を変化させることなぐ 4つの局所照明領域 40a— 40dのそれぞれの形 状を変化させることができる。
[0067] 図 5は、ァフォーカルレンズ 5の前側レンズ群 5aと後側レンズ群 5bとの間の光路中 に配置された第 1シリンドリカルレンズ対 8および第 2シリンドリカルレンズ対 9の概略 構成を示す図である。図 5に示すように、第 1シリンドリカルレンズ対 8は、光源側から 順に、たとえば YZ平面内に負屈折力を有し且つ XY平面内に無屈折力の第 1シリン ドリカル負レンズ 8aと、同じく YZ平面内に正屈折力を有し且つ XY平面内に無屈折 力の第 1シリンドリカル正レンズ 8bとにより構成されている。一方、第 2シリンドリカルレ ンズ対 9は、光源側から順に、たとえば XY平面内に負屈折力を有し且つ YZ平面内 に無屈折力の第 2シリンドリカル負レンズ 9aと、同じく XY平面内に正屈折力を有し且 つ YZ平面内に無屈折力の第 2シリンドリカル正レンズ 9bとにより構成されている。
[0068] 第 1シリンドリカル負レンズ 8aと第 1シリンドリカル正レンズ 8bとは、制御系 21からの 指令に基づいて動作する駆動系 26により、光軸 AXを中心として一体的に回転する ように構成されている。同様に、第 2シリンドリカル負レンズ 9aと第 2シリンドリカル正レ ンズ 9bとは、制御系 21からの指令に基づいて動作する駆動系 27により、光軸 AXを 中心として一体的に回転するように構成されている。
[0069] 第 1シリンドリカルレンズ対 8は Z方向にパワーを有するビームエキスパンダーとして 機能し、第 2シリンドリカルレンズ対 9は X方向にパワーを有するビームエキスパンダ 一として機能する。また、この実施の形態においては、第 1シリンドリカルレンズ対 8及 び第 2シリンドリカルレンズ対 9のパワーが同一となるように設定されている。従って、 第 1シリンドリカルレンズ対 8及び第 2シリンドリカルレンズ対 9を通過した光束は、 方 向及び X方向に同一のパワーにより拡大作用を受ける。
[0070] ァフォーカルレンズ 5を介した光束は、 σ値可変用のズームレンズ (変倍光学系) 1 0を介して、オプティカルインテグレータとしてのマイクロフライアイレンズ 11に入射す る。なお、 σ値は、照明光学系の照明瞳に形成される二次光源の大きさ(直径)を R1 とし、照明光学系の照明瞳と光学的に共役な投影光学系 PLの瞳に形成される照明 光束または光源像の大きさ(直径)を R2とし、投影光学系 PLのマスク M側の開口数 を NAoとし、マスク Mを照明する照明光学系の開口数を NAiとするとき、 σ =NAi/ NAo = R2/Rlとして定義される。
[0071] なお、ズームレンズ 10の前側焦点位置はァフォーカルレンズ 5の後側焦点面 6また はその近傍に設定され、マイクロフライアイレンズ 11の入射面はズームレンズ 10の後 側焦点位置の近傍に設定されている。換言すると、ズームレンズ 10は、後側焦点面 6とマイクロフライアイレンズ 11の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に設定し、 ひいてはァフォーカルレンズ 5の照明瞳面とマイクロフライアイレンズ 11の入射面とを 光学的にほぼ共役に設定している。したがって、マイクロフライアイレンズ 11の入射 面上には、照明光学系の照明瞳面と同様に、図 2に示すような 4極照明形状が形成 される。この 4つの局所照明領域 40a— 40dを有する 4極照明形状は、ズームレンズ 1 0の焦点距離に依存して相似的に拡大または縮小する。ズームレンズ 10の焦点距離 の変化は、制御系 21からの指令に基づいて動作する駆動系 23により行われる。
[0072] マイクロフライアイレンズ 11を構成する各微小レンズは、マスク M上において形成 すべき照野の形状(ひいてはウェハ W上において形成すべき露光領域の形状)と相 似な矩形状の断面を有する。マイクロフライアイレンズ 11に入射した光束は多数の微 小レンズにより二次元的に分割され、その後側焦点面(ひいては照明瞳)にはマイク 口フライアイレンズ 11への入射光束によって形成される照野とほぼ同じ光強度分布を 有する二次光源、すなわち 4つの局所照明領域を有する 4極照明形状に基づく実質 的な面光源からなる二次光源が形成される。
[0073] マイクロフライアイレンズ 11の後側焦点面に形成された 4極照明形状の二次光源か らの光束は、必要に応じて開口絞りを介して制限され、コンデンサー光学系 12の集 光作用を受けた後、照明視野絞りとしてのマスクブラインド 13を重畳的に照明する。 マスクブラインド 13の矩形状の開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学系 14 により集光される。ビームエキスパンダー 2 結像光学系 14により構成される照明光 学系を射出した光束は、マスク Mを重畳的に照明する。
[0074] マスク Mのパターンを透過した光束は、投影光学系 PLを介して、ゥヱハ W上にマス クパターンの像を形成する。投影光学系 PLの入射瞳面には投影光学系 PLの開口 数を規定するための可変開口絞り 15が設けられ、この可変開口絞り 15の駆動は制 御系 21からの指令に基づいて動作する駆動系 24により行われる。
[0075] こうして、投影光学系 PLの光軸 AXと直交する平面 (XY平面)内においてウェハ W を二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハ Wの各露光領域にはマスク Mのパターンが逐次露光される。なお、一括露光では、 レ、わゆるステップ ·アンド 'リピート方式にしたがって、ウェハの各露光領域に対してマ スクパターンを一括的に露光する。
[0076] この実施の形態に力かる露光装置によれば、図 3に示す極座標の原点 0から局所 照明領域 40aに引いた接線の開き角(方位角) φ及び極座標の原点 0から局所照明 領域 40b 40dに引いた接線の開き角(方位角)によりそれぞれの局所照明領域の 形状を規定することができる。そのため、露光装置のマスク Mのパターンのピッチ等 に応じて使用する光束変換素子を交換した場合においても、交換前の局所照明領 域の形状と交換後の局所照明領域の形状とを略同一に保つことができ、照明光の照 明特性が変化するのを防止することができる。従って、光学変換素子を切替しつつ 連続的に露光を行う場合においても、最適な照明特性を有する照明光によりマスクを 照明することができる。
[0077] また、この実施の形態に力かる露光装置によれば、照明光学系の照明瞳面上に形 成される局所照明領域 40a— 40dからの光束は結像に寄与する光束となるため、結 像に寄与しない無駄な照明光を減少させることができ、効率良く照明を行うことができ る。即ち、図 6は、図 1における照明光学系のマイクロフライアイレンズ 11から投影光 学系 PLに備えられてレ、る開口絞り 15までの光路を説明するための概略構成図であ る。なお、図 6においては、図 1に示すマスクブラインド 13及び結像光学系 14の図示 を省略し、マスクブラインド 13が配置される位置にマスク Mが配置されているものとし て説明を行う。
[0078] 照明光学系の照明瞳 17の円形領域全体力も射出した光束は、図 6に示すように、 コンデンサー光学系 12により集光され、図 6の紙面上における左右方向にピッチを 持つマスク Mのパターン Pを照明する。光束は、マスク Mのパターン Pにより回折され る。ここで、回折光のうちマスク Mのパターン Pを素抜けした回折光成分(0次光成分) は、投影光学系 PLの前側レンズ群 18により集光され、開口絞り 15の開口部 15a内 の領域(内側領域)に到達する。
[0079] 一方、マスク Mのパターン Pにより反時計回りの方向へ回折される 1次回折光成分 は、投影光学系 PLの前側レンズ群 18により集光され、その一部の光束のみが開口 絞り 15の開口部 15aの内側領域に到達する。なお、開口絞り 15の開口部 15aに到 達しない 1次回折光成分は、投影光学系 PLの前側レンズ群 18または開口絞り 15 の開口部 15aによりけられる。同様に、マスク Mのパターン Pにより時計回りの方向へ 回折される + 1次回折光成分は、投影光学系 PLの前側レンズ群 18により集光され、 その一部の光束のみが開口絞り 15の開口部 15aの内側領域に到達する。なお、開 口絞り 15の開口部 15aに到達しなレ、 + 1次回折光成分は、投影光学系 PLの前側レ ンズ群 18または開口絞り 15の開口部 15aによりけられる。
[0080] 投影光学系 PLの前側レンズ群 18や開口絞り 15の開口部 15aによりけられた回折 光成分は結像に寄与せず、投影光学系 PLの開口絞り 15の開口部 15aを通過する 光束のみが結像に寄与する。従って、この結像に寄与する光束を有効光束としたとき 、照明光学系の照明瞳の領域において有効光束に対応する領域 S (以下、有効照明 領域とする。)からの光束は、投影光学系 PLの開口絞り 15の開口部 15aによりけられ ることなぐ結像に寄与する。
[0081] 従って、照明光学系の照明瞳面上の有効照明領域 Sに光強度分布を有する多極 状の変形照明を行うことにより、結像に寄与しない無駄な照明光を低減し効率良く照 明を行う。ここで、この実施の形態においては、 4極照明形状の 4つの局所照明領域 40a 40dの形状の光強度分布が照明光学系の照明瞳面における有効照明領域 S の内側境界に略局在化しており、局所照明領域 40a 40dのうちの 75%以上(すな わち 50%以上)が有効照明領域 S内に局在しているため、照明光の多くが結像に寄 与し、より効率良く照明を行うことができる。
[0082] 言い換えると、この実施の形態においては、 4極照明形状を構成する 4つの局所照 明領域 40a 40dに内接する照明瞳面上の内接円を考えるとき、 4つの局所照明領 域 40a 40dは、 4つの局所照明領域 40a— 40dと上記内接円との接線よりも外側に 局在しているため、照明光の多くを結像に寄与させることができ、より効率よく照明を 行うことができる。
[0083] なお、この実施の形態においては、多極照明用の光束変換素子として 4極照明用 の光束変換素子を用いているが、使用するマスク上に形成されるパターンのピッチ等 に応じて 2極照明用の光束変換素子を備えてもよい。この場合には、露光装置のマ スクのパターンのピッチ等に応じてより最適な光束変換素子を使用することができる。
[0084] 図 7Aは、この実施の形態に力かる露光装置を用いて形成された 2極照明形状の局 所照明領域と有効照明領域を説明するための図である。図 7Aに示すように局所照 明領域(白抜き部分) 60は、有効照明領域 (網掛け部分) 62の内側境界に略局在化 してレ、る。図 7Bは、輪帯照明切り出しの 2極照明形状の局所照明領域と有効照明領 域を説明するための図である。図 7Bに示すように輪帯照明切り出しの 2極照明形状 の局所照明領域 64は、有効照明領域 66外の領域も照明する。有効照明領域 66外 の領域を照明する照明光は、無駄な光となり結像に寄与しない。図 7Aと図 7Bとを比 較した場合、図 7Aに示す局所照明領域 60は、マスク Mのパターン Pにより回折され る回折光のうち投影光学系を構成するレンズ群や開口絞り等により遮光されずに結 像に寄与する回折光成分の光束に対応する領域 (有効照明領域 62)を効率良く照 明している。
[0085] また、この実施の形態においては、照明光学系の照明瞳面上の周辺部に多極照 明形状を構成する局所照明領域を有しているが、照明光学系の照明瞳面上の少な くとも周辺部に局所照明領域を有するようにしてもよい。即ち、多極照明用の光束変 換素子として 3極照明用の光束変換素子または 5極照明用の光束変換素子を用いる 場合、照明光学系の照明瞳面上の中央部及び周辺部に局所照明領域を有するよう にしてもよい。
[0086] また、上述の実施の形態においては、回折光学素子により構成される光束変換素 子を用いているが、回折フリンジからなるホログラムにより構成されるホモジ工ナイザに より構成される光束変換素子を用レ、てもよい。
[0087] ここで、回折光学素子は、例えば次のような構成を有する。即ち、複数の基本光学 素子から構成されており、さらに、各基本光学素子は複数の部分光学素子から構成 されている。各基本光学素子は同じ部分光学素子を有しており、各基本光学素子を 稠密に行列状に繰り返して配置したものが回折光学素子の全有効径に対応する。こ こで、局所照明領域を形成するための回折光学素子を製造する場合には、 1つの局 所照明領域を形成するために必要な複数の部分光学素子を例えば 1列に配列し、 同様に他の局所照明領域を形成するために必要な複数の部分光学素子を 1列に配 列する。 1つの局所照明領域を形成するために 1列に配列された複数の部分光学素 子を部分光学素子群とする。次に、多極照明形状において各局所照明領域が形成 される位置に基づいて各局所照明領域を形成するための部分光学素子群を配置す ることにより基本光学素子を構成する。このようにして各局所照明領域を形成するた めの部分光学素子群を配置することにより構成された複数の基本光学素子を稠密に 行列上に繰り返し配列する。なお、上述の回折光学素子の詳細については特開 200 1—174615号公報、特開 2003—50455号公報等に開示されている。
[0088] また、ホモジェナイザは、例えば次のような構成を有する。即ち、複数のサブホログ ラムを 2次元的に配列することにより構成されている。ホモジェナイザを構成する各ホ ログラムに入射した光束は、回折することにより、多極照明形状が形成される面にお レ、て各局所照明領域が形成されるように予定された領域に到達するように構成され ている。即ち、ホモジヱナイザを構成する各ホログラムは、多極照明形状が形成され る面において照射されることが予定された領域全体に、ホモジェナイザに入射した光 束の一部を照射させるために機能する。なお、ホモジ工ナイザの詳細については特 表 2001— 507139号公報、特開平 8— 94839号公報、特表 2003— 529784号公報 等に開示されている。
[0089] なお、上記実施形態では、光透過性基板上に所定のパターンをパターンユングし た透過型マスクを用いた力 反射型マスクであっても良レ、。さらに、パターンの消去や 書込みが可能な可変パターン生成部(空間光変調器)を備えたマスク、例えば透過 型又は反射型液晶表示素子 (LCD)やデジタルミラーデバイス(DMD)、反射型液 晶表示素子(LCD)、エレクト口クロミックディスプレイ(ECD)等を備えたマスクであつ ても良い。
[0090] また、上述の実施形態では、投影光学系 PLと基板 Pとの間の光路中を気体とした 力 この投影光学系 PLと基板 Pとの間の光路中に液体を満たす、いわゆる液浸露光 装置に本発明を適用しても良い。
[0091] また、投影光学系の開口数が 0. 9を超える、特に液浸露光法との組み合わせによ り投影光学系の開口数が 1を超えるような場合には、従来から露光光として用いられ ているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏 光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク(レチクル)のライン 'アンド'スペース パターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク(レチ クル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手 方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにすると良い。このような 偏光照明装置としては、例えば国際特許公開第 WO2004/051717号公報に開示 されており、本実施形態の光束変換素子は、当該公報の偏光照明装置にも適用でき る。
[0092] 上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明装置によってレチクル (マスク)を 照明し (照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感 光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素 子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施 の形態に力かる露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パター ンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法 の一例につき図 8のフローチャートを参照して説明する。
[0093] 先ず、図 8のステップ S301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。
次のステップ S302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗 布される。その後、ステップ S303において、上述の実施の形態にかかる露光装置を 用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上 の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ S304において、その 1ロッ トのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ S305において、その 1口 ットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク 上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される
[0094] その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子 等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細 な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、 ステップ S301—ステップ S305では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジ ストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っている力 これらの工程に 先立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジスト を塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもな レ、。
[0095] また、上述の実施の形態に力かる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定の パターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイス としての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図 9のフローチャートを参照して、こ のときの手法の一例につき説明する。図 9において、パターン形成工程 S401では、 上述の実施の形態に力、かる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジ ストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフイエ程が実行され る。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定 パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レ ジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され
、次のカラーフィルター形成工程 S402へ移行する。
[0096] 次に、カラーフィルター形成工程 S402では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応 した 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のスト ライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルター を形成する。そして、カラーフィルター形成工程 S402の後に、セル組み立て工程 S4 03が実行される。セル組み立て工程 S403では、パターン形成工程 S401にて得ら れた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程 S402にて得られ たカラーフィルタ一等を用いて液晶パネル (液晶セル)を組み立てる。セル組み立て 工程 S403では、例えば、パターン形成工程 S401にて得られた所定パターンを有す る基板とカラーフィルター形成工程 S402にて得られたカラーフィルターとの間に液 晶を注入して、液晶パネル (液晶セル)を製造する。
[0097] その後、モジュール組み立て工程 S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セ ノレ)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示 素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回 路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
実施例 1
[0098] 輪帯比が 0. 50-0. 63の範囲をカバーすることができる 4極照明用の第 1の光束 変換素子、輪帯比が 0. 63-0. 74の範囲をカバーすることができる 4極照明用の第 2の光束変換素子、輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる 4極照 明用の第 3の光束変換素子を用いて変形照明を行った。
[0099] 図 10A,図 10Bは、第 1の光束変換素子を用いた場合における照明光学系の照明 瞳上に形成される 4極照明形状の局所照明領域の形状を示す図である。図 10Aは、 円錐アキシコン系 7を通過する前の局所照明領域の形状を示している。また、図 10A に示す各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を満足するように形成される。ここで 、図 1 OAに示す各局所照明領域の形状を図 3に示す極座標表現したときの各パラメ ータを以下に示す。
R' = 3. 595 R = 1. 345
o
φ = 35deg
Θ ' =45deg
また、図 10Bは、円錐アキシコン系 7を通過した場合の局所照明領域の形状を示し ている。図 10Bに示すように各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を略満足した 状態で、各局所照明領域の中心から局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向 半径)を一定に維持しつつ多極照明形状の中心から局所照明領域の中心までの径 方向の距離が変更されることにより変形する。
[0100] 次に、第 1の光束変換素子から第 2の光束変換素子に交換する。図 11A,図 11B は、第 2の光束変換素子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上に形成され る 4極照明形状の局所照明領域の形状を示す図である。図 11Aは、円錐アキシコン 系 7を通過する前の局所照明領域の形状を示している。また、図 11Aに示す各局所 照明領域の形状は、数式 1の条件を満足するように形成される。ここで、図 11Aに示 す各局所照明領域の形状を図 3に示す極座標表現したときの各パラメータを以下に 示す。
R' =4. 000
R =0. 950
0
φ = ^5deg
Θ ' =45deg
また、図 11Bは、円錐アキシコン系 7を通過した場合の局所照明領域の形状を示し ている。図 11Bに示すように各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を略満足した 状態で、各局所照明領域の中心から局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向 半径)を一定に維持しつつ多極照明形状の中心から局所照明領域の中心までの径 方向の距離が変更されることにより変形する。
[0101] 次に、第 2の光束変換素子から第 3の光束変換素子に交換する。図 12A,図 12B は、第 3の光束変換素子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上に形成され る 4極照明形状の局所照明領域の形状を示す図である。図 12Aは、円錐アキシコン 系 7を通過する前の局所照明領域の形状を示している。また、図 12Aに示す各局所 照明領域の形状は、数式 1の条件を満足するように形成される。ここで、図 12Aに示 す各局所照明領域の形状を図 3に示す極座標表現したときの各パラメータを以下に 示す。
R' =4. 270
R =0. 680
0
φ = 35deg
Θ ' =45deg
また、図 12Bは、円錐アキシコン系 7を通過した場合の局所照明領域の形状を示し ている。図 12Bに示すように各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を略満足した 状態で、各局所照明領域の中心から局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向 半径)を一定に維持しつつ多極照明形状の中心から局所照明領域の中心までの径 方向の距離が変更されることにより変形する。
[0102] 実施例 1によれば、照明光学系の照明瞳面の中心から局所照明領域に引レ、た接 線の開き角(方位角) Φにより局所照明領域の形状を規定するため、図 10Bに示す 切替前の局所照明領域の形状と図 11Aに示す切替後の局所照明領域の形状とは 略同一に保たれる。同様に、図 11Bに示す切替前の局所照明領域の形状と図 12A に示す切替後の局所照明領域の形状とは略同一に保たれる。
実施例 2
[0103] 輪帯比が 0. 74-0. 80の範囲をカバーすることができる 2極照明用の光束変換素 子を用いて変形照明を行つた。
[0104] 図 13A,図 13Bは、光束変換素子を用いた場合における照明光学系の照明瞳上 に形成される 2極照明形状の局所照明領域の形状を示す図である。図 13Aは、円錐 アキシコン系 7を通過する前の局所照明領域の形状を示している。また、図 13Aに示 す各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を満足するように形成される。ここで、図 13Aに示す各局所照明領域の形状を図 3に示す極座標表現したときの各パラメータ を以下に示す。
R' = 3. 595
R = 1. 345 φ = 35deg
Θ ' =45deg
また、図 13Bは、円錐アキシコン系 7を通過した場合の局所照明領域の形状を示し ている。図 13Bに示すように各局所照明領域の形状は、数式 1の条件を略満足した 状態で、各局所照明領域の中心から局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向 半径)を一定に維持しつつ多極照明形状の中心から局所照明領域の中心までの径 方向の距離が変更されることにより変形することができる。
産業上の利用可能性
以上のように、この発明の光束変換素子、露光装置、照明光学系及び露光方法は 、高性能な半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスの製 造に用いるのに適している。

Claims

請求の範囲
入射光束を所定面において多極照明形状の光束へ変換するための光束変換素子 において、
前記多極照明形状を構成する複数の局所照明領域のうちの 1つの局所照明領域 を前記所定面において極座標で表現するとき、前記局所照明領域は以下の条件を 満足する形状を有することを特徴とする光束変換素子。
数 4
Figure imgf000030_0001
ただし、前記局所照明領域を前記極座標で表現するときの動径を R、前記局所照 明領域を前記極座標で表現するときの偏角を Θ、前記極座標の原点から前記局所 照明領域の中心までの径方向の距離を R 前記局所照明領域の前記中心から前 記局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向半径)を R、前記極座標の原点から
0
前記局所照明領域に引いた接線の開き角(方位角)を φ、前記局所照明領域の前 記中心における動径(局所方位角)を Θ 'とする。
[2] 前記多極照明形状は、前記所定面上の少なくとも周辺部に前記局所照明領域を 2 有することを特徴とする請求項 1記載の光束変換素子。
[3] 前記多極照明形状は、 2つの前記局所照明領域を有する 2極照明形状または 4つ の前記局所照明領域を有する 4極照明形状であることを特徴とする請求項 2記載の 光束変換素子。
[4] マスクのパターンを照明する照明光学系と、
照明された前記マスクの前記パターンの像を感光性基板上に投影する投影光学系 と、
請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の光束変換素子と
を備え、
前記光束変換素子は、前記投影光学系の瞳と光学的に共役な照明瞳またはその 近傍に前記多極照明形状を形成することを特徴とする露光装置。
[5] 前記照明光学系は、アキシコン系を備えていることを特徴とする請求項 4記載の露 光装置。
[6] 前記アキシコン系は、前記局所照明領域の前記中心から前記局所照明領域の前 記外側境界までの距離 (径方向半径) Rを一定に維持しつつ前記極座標の原点か
0
ら前記局所照明領域の前記中心までの径方向の距離 R'を変更することを特徴とす る請求項 5記載の露光装置。
[7] 前記照明光学系は、前記多極照明形状を相似的に拡大 '縮小するための変倍光 学系を備えていることを特徴とする請求項 4乃至請求項 6の何れか一項に記載の露 光装置。
[8] 複数の前記光束変換素子を備え、
該複数の光束変換素子は互いに交換可能に構成されることを特徴とする請求項 4 乃至請求項 7の何れか一項に記載の露光装置。
[9] 前記照明瞳上において前記照明瞳からの 0次光が前記投影光学系の前記瞳を通 過することができる領域を有効照明領域とするとき、前記多極照明形状は、該有効照 明領域の内側境界に略局在化する形状の光強度分布を持つことを特徴とする請求 項 4乃至請求項 8の何れか一項に記載の露光装置。
[10] 前記局所照明領域のうちの 50%以上の領域は前記有効照明領域内に局在してい ることを特徴とする請求項 9記載の露光装置。
[11] マスクのパターンを照明する照明光学系において、
請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の光束変換素子を備えることを特徴と する照明光学系。
[12] 前記照明光学系は、アキシコン系を備えていることを特徴とする請求項 11記載の 照明光学系。
[13] 前記アキシコン系は、前記局所照明領域の前記中心から前記局所照明領域の前 記外側境界までの距離 (径方向半径) Rを一定に維持しつつ前記極座標の原点か
0
ら前記局所照明領域の前記中心までの径方向の距離 R'を変更することを特徴とす る請求項 12記載の照明光学系。
[14] 前記照明光学系は、前記多極照明形状を相似的に拡大'縮小するための変倍光 学系を備えていることを特徴とする請求項 11乃至請求項 13の何れか一項に記載の 照明光学系。
[15] マスクのパターンを照明する照明光学系において、
前記照明光学系の照明光路に対して揷脱自在に設けられて、入射光束を所定面 において第 1の多極照明形状の光束に変換する第 1の光束変換手段と、 前記照明光学系の照明光路に対して揷脱自在に設けられて、入射光束を前記所 定面において第 2の多極照明形状の光束に変換する第 2の光束変換手段と、 前記第 1の光束変換手段と前記第 2の光束変換手段との切替を行う切替手段とを 備え、 前記所定面上の原点から前記局所照明領域に引いた接線の開き角を方位 角とするとき、前記切替手段により前記第 1の光束変換手段と前記第 2の光束変換手 段との切替が行われた場合に、前記切替の前後における前記多極照明形状の方位 角の変化量 が以下の条件を満足することを特徴とする照明光学系。
-1° < φ 1。
[16] 前記多極照明形状を構成する複数の局所照明領域に内接する前記所定面上の円 を内接円とするとき、前記複数の局所照明領域のうちの 1つは、該 1つの局所照明領 域と前記内接円との接線よりも外側に局在していることを特徴とする請求項 15記載の 照明光学系。
[17] 前記多極照明形状を構成する複数の局所照明領域のうちの 1つの局所照明領域 を前記所定面において極座標で表現するとき、前記第 1の光束変換手段及び前記 第 2の光束変換手段の前記局所照明領域は以下の条件を満足する形状を有するこ とを特徴とする請求項 15又は請求項 16記載の照明光学系。
数 5
0.8く 〈 1.2
Figure imgf000032_0001
ただし、前記局所照明領域を前記極座標で表現するときの動径を R、前記局所照 明領域を前記極座標で表現するときの偏角を θ、前記極座標の原点から前記局所 照明領域の中心までの径方向の距離を R 前記局所照明領域の前記中心から前 記局所照明領域の外側境界までの距離 (径方向半径)を R、前記極座標の原点から
0
前記局所照明領域に引いた接線の開き角(方位角)を φ、前記局所照明領域の前 記中心における動径(局所方位角)を Θ 'とする。
[18] 感光性基板上にマスクのパターンを転写する露光装置にぉレ、て、
前記マスクを照明するための請求項 11乃至請求項 17の何れか一項に記載の照明 光学系と、
前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系とを 備え、 前記所定面は、前記投影光学系の瞳と光学的に共役な面または該共役な 面の近傍に位置決めされることを特徴とする露光装置。
[19] 感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法において、
請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の光束変換素子を備える照明光学系 を用いて前記所定のパターンが形成されるマスクを照明する照明工程と、
前記感光性基板上に前記所定のパターンを転写する転写工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
[20] 感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法において、
請求項 4乃至請求項 10及び請求項 18の何れか一項に記載の露光装置中の照明 光学系を用いて前記所定のパターンが形成されるマスクを照明する照明工程と、 前記感光性基板上に前記所定のパターンを転写する転写工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
[21] 感光性基板上に所定のパターンを転写する露光方法において、
請求項 11乃至請求項 17の何れか一項に記載の照明光学系を用いて前記所定の パターンが形成されるマスクを照明する照明工程と、
前記感光性基板上に前記所定のパターンを転写する転写工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
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