WO2005029165A1

WO2005029165A1 - 光変調器

Info

Publication number: WO2005029165A1
Application number: PCT/JP2004/012592
Authority: WO
Inventors: Kenji Aoki; Osamu Mitomi; Jungo Kondo; Atsuo Kondo
Original assignee: Ngk Insulators, Ltd.
Priority date: 2003-09-17
Filing date: 2004-08-25
Publication date: 2005-03-31
Also published as: EP1666954A4; JP2005091698A; US20060120654A1; EP1666954A1; CN1853132A

Abstract

　光変調器１Ｃは、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板２、基板２に形成され、一方の分岐部５および他方の分岐部３を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極４Ａ、４Ｃおよび信号電極４Ｂを備えている。一方の分岐部５と他方の分岐部３とが接地電極４Ａ、４Ｃのエッジと信号電極４Ｂのエッジとの間に設けられている。マイクロ波電界を一方の分岐部５および他方の分岐部３の各電極相互作用部に印加し、一方および他方の分岐部３、５を伝搬する光を変調するのに際して、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、所定のチャープ量を得る。

Description

明細書

光変調器

発明の属する技術分野

本発明は光変調器に関するものである。

背景技術

本出願人は、特開平 1 0— 1 3 3 1 5 9号公報、特開 2 0 0 2 — ； L 6 9 1 3 3号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の下に肉薄部分を設け、この肉薄部分の厚さを例えば 1 0 in以下に薄くすることを開示した。これによつて、酸化珪素からなるバッファ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、駆動電圧 V TTと電極の長さ L との積（V TT - L ) を小さくできるので、有利である。発明の開示

特開平 1 0— 1 3 3 1 5 9号公報、特開 2 0 0 2— 1 6 9 1 3 3号公報に記載のような進行波形光変調器においては、例えばニオブ酸リチウム単結晶の X板上に C P W (コプレーナ型）電極およびマヅハツエンダ

—型の光導波路を形成し、光導波路の各分岐部に対して同様の電界を印加すると共に電極相互作用長を等しくし、これによつて 0チヤープ特性の光変調器を得る。

しかし、実際の光伝送システムにおいては、 X板や Y板を基板として用いた光変調器についても、所定のチヤ一プ量をもたせることが有利な場合がある。しかし、電気光学結晶の X板や Y板を基板として用いた光変調器について、このような所定のチヤ一プ量をもたせることは、これまで検討されてこなかった。

本発明の課題は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えている光変調器において、チヤ一プ量を適切な値に制御可能とする構成を提供することである。

本発明は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、一方の分岐部と他方の分岐部とが接地電極と信号電極との電極ギヤップに設けられており、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調するのに際して、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、これによつて所定のチヤ一プ量を得ることを特徴とする o ¹

また、本発明は、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、一方の分岐部が接地電極と信号電極との間の電極ギャップに設けられており、他方の分岐部が接地電極下に設けられており、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調することを特徴とする、光変調器に係るものである。

以下、本発明について更に詳細に説明する。

最初にチヤ一プ量について述べる。チヤ一プ量は、「チヤープパラメ一夕ひ」とも呼ばれるものである。

光変調器の 2つの分岐部（光導波路） aと bとで、それぞれ、電界強度 E _x ( z ) の電極相互作用長 zによる各積分値 A i、 A。を算出する。分岐部の電界強度の電極相互作用長とは、分岐部の各点 zにおける電界強度 E_x (z) を、分岐部の全長 Lにわたつて積分して得られた値である。この積分値は以下のように与えられる。

たとえば特開平 07-064031号公報によれば、チヤープを表すパラメ一タひは以下の通りである。

1+ m

a = - cot(ASL)

1-m

ここで、 Δ Lは、通常は ττ/4もしくは- 7Γ/4であるから、 cot(A^L)=l もしくは— 1である。と Δη₂は、それそれ、導波路 a， bでの屈折率変化を表す。この平均的な屈折率変化は

に比例する。従って下式が成り立つ。

一 m 一 A₁

2 従来の X-cut LN光変調器では、一般的に中心電極中央で対称構造であり、両アームで光導波路の相互作用長は同じとなっている。このため、 Ai - Asであった。従って、 m二一 1となり、チヤ一プ量ひ = 0となつていた。このため、種々の光伝送系において光変調器に所定チヤ一プ量が必要となる場合に対応できなかった。

本発明によれば、このようなタイプの光変調器において、一方の分岐部および他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせ、これによつて光変調器において所定のチヤーズ量が得られるように調整している。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の一実施形態に係る光変調器 1 Aを概略的に示す断面図であり、電極ギヤップ 2 0 Aの幅が電極ギヤップ 2 0 Bの幅よりも小さい。

図 2は、本発明の他の実施形態に係る光変調器 1 Bを概略的に示す断面図であり、電極ギヤップ 2 0 Aの幅が電極ギヤップ 2 0 Bの幅よりも小さい。

図 3は、本発明の更に他の実施形態に係る光変調器 1 Cを概略的に示す平面図であり、分岐部 5の一部 5 cが接地電極 4 C下に設けられている。

図 4は、本発明の更に他の実施形態に係る光変調器 1 Dを概略的に示す断面図であり、分岐部 3が肉薄部分 1 2 d側に設けられており、分岐部 5が肉厚部分 1 2 c側に設けられている。

図 5は、本発明の更に他の実施形態に係る光変調器 1 Eを概略的に示す断面図であり、基板 2下に低誘電率部 1 0 A、 1 0 Bが設けられてい図 6は、本発明の更に他の実施形態に係る光変調器 1 1を概略的に示す断面図であり、分岐部 1 4が電極ギャップ 2 5内に設けられており、分岐部 1 5が接地電極 1 7 B下に設けられている。

図 7は、本発明の更に他の実施形態に係る光変調器 1 Fを概略的に示す断面図であり、基板 3 2が、基部 3 2 d、厚さの異なる薄肉部分 3 2 b、 3 2 cを備えている。発明を実施するための最良の形態

好適な実施形態においては、一方の分岐部および他方の分岐部に対して、相異なる強度のマイクロ波電界を印加することによって、電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせる。この具体的形態は限定されないが、好ましくは、複数の接地電極を設け、信号電極と各接地電極との間の各電極ギヤップの幅を異ならせる。一方の電極ギヤップの幅と他方の電極ギヤップの幅とを異ならせると、各電極ギヤップ下に配置されている各分岐部における電界強度も異なる。

図 1は、この実施形態に係る光変調器 1 Aを概略的に示す断面図である。光変調器 1 Aは、例えば平板形状の基板 2を備えている。基板 2の一方の主面 2 a側に、光導波路の分岐部 3、 5が設けられており、また主面 2 a上に、例えばコプレーナ型の信号電極 4 Bおよび接地電極 4 A、 4 Cが設けられている。分岐部 3は電極ギャップ 2 O A内に配置されており、分岐部 5は電極ギャップ 2 0 B内に配置されている。本例では、いわゆるコプレーナ型（Coplanar waveguide： C P W電極）の電極配置を採用しているが、電極の配置形態は特に限定されない。本発明は、いわゆる非対称コプレーナストリヅプライン (Asymmetric coplanar strip line： A - C P S電極）型の電極配置にも適用できる。

本例では、接地電極 4 Aと中心電極 4 Bとの間、および中心電極 4 B と接地電極 4 Cとの間に、それぞれ光導波路の分岐部 3、 5が形成されており、各分岐部分 3、 5に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになつている。光導波路は、平面的に見るといわゆるマヅハツエンダ一型の光導波路を構成している。

このような設計とすると、相対的に幅が狭い電極ギャップ 2 0 Aにおいては、分岐部 3に加わる電界強度 E_xが相対的に大きくなるので、電界強度の電極相互作用長による積分値も大きくなる。相対的に幅が広い電極ギヤップ 2 0 Bにおいては、分岐部 5に加わる電界強度は相対的に小さくなる。この結果、光変調器 1 Aのチヤ一プ量を所望値に調整することが可能である。

2つの電極ギヤップの幅を変更するという本実施形態（例えば図 1、図 2 ) では、光変調器のチヤ一プ量を大きくするという観点からは、と G ₂との差は、 3 ミクロン以上であることが好ましく、 20 ミクロン以上であることが更に好ましい。は、全体の VTT Lを小さく抑えるためには、 100ミクロン以下であることが好ましく、 40ミクロン以下であることが更に好ましい。 Gい G₂は、信号電極と接地電極との導通を防止するためには 1 ミクロン以上であることが好ましく、 3 ミクロン以上であることが更に好ましい。

以下、検証のために、 F EMを用いて準 TEM波解析を行った。は 2 0 zmに設定した。信号電極 4 Bの幅を 3 0 mに設定し、基板 2 はニオブ酸リチウム単結晶とし、厚さ T s u bは 8 mとした。電極膜厚 Tmは 2 6 ^mとした。広い方の電極ギヤヅプ 2 0 Βの幅 G₂を、表 1に示すように 3 0〜 1 0 0〃mで種々変更した。そして、ィンビーダンス Z c、全体の VTT L、分岐部 3側の VTT L 1、分岐部 5側の VTT L 2、およびチヤ一プ量（a— p a r a) を算出した。この結果を表 1に示す。表 1から分かるように、電極ギヤヅプ 2 0 Bの幅 G ₂を変更することによって、光変調器のチヤープ量 αを幅広い範囲で適切に制御できることが分かる。表 1

また、好適な実施形態においては、相対的に幅の狭い電極ギャップにおいて、一方の分岐部を信号電極または接地電極のエッジ近傍に配置する。例えば、図 2に示す光変調器 1 Bの場合には、相対的に幅の狭い電極ギヤップ 2 0 Aにおいて、分岐部 3を信号電極 4 Bのエッジ Eまたは接地電極 4 Aのエッジ E近傍に配置する。幅の狭い電極ギヤヅプ 2 0 A 側の分岐部 3に対しては、相対的に大きな電界が印加される。ここで、分岐部 3 aを信号電極 4 Bのエッジ Eまたは接地電極 4 Aのエッジ E近傍に配置することによって、分岐部 3 aに加わる電界強度を一層大きくすることができ、これによつてチヤ一プ量を一層大きい範囲で調整することができ、駆動電圧-電極長積 V TT Lも下げることが可能となる。

この観点からは、分岐部 3の中心線 Sと信号電極または接地電極との間隔 d 1は、 20 ミクロン以下とすることが好ましく、 10ミクロン以下とすることが一層好ましい。

また、光変調器のチヤ一プ量を一層大きくするためには、相対的に幅広い電極ギャップ 2 0 Bにおいて、分岐部 5と接地電極および信号電極との間隔をできるだけ大きくすることが好ましい。これによつて、分岐部 5に加わる電界強度を最小限とし、光変調器のチヤ一プ量を大きくできるからである。この観点からは、分岐部 5と接地電極または信号電極との間隔 d 2 (小さい方の値）は、 10ミクロン以上であることが好ましく、 20ミクロン以上であることが更に好ましい。

また、好適な実施形態においては、一方の分岐部と他方の分岐部の各電極相互作用長が異なっている。これによつて、電界強度の電極相互作用長による各積分値を異ならせることができる。これは、電界強度が同程度とすると、電極相互作用長 Lが大きければ、前記積分値も大きくなるからである。

この実施形態において更に好ましくは、一方の分岐部の一部を信号電極または接地電極の直下に配置することによって、一方の分岐部の電極相互作用長を他方の分岐部の電極相互作用長よりも小さくすることができる。図 3は、この実施形態に係る光変調器 1 Cを概略的に示す平面図である。光変調器 1 Cにおいては、基板 2の上に、マッハツェンダー型の光導波路 6、 7、 3、 5が設けられている。他方の分岐部 3は、信号電極 4 Bと接地電極 4 Aとの電極ギヤップ 2 0 A内に形成されており、その全長 L (ほぼ L 1 + L 2 ) にわたつて一定の電界 E _xが印加されている。これに対して、一方の分岐部 5の方は、電極ギャップ 2 0 B内の部分 5 aには、その全長にわたって略一定強度の電界が印加される。また傾斜部分 5 bにおいても電界が印加される。しかし、接地電極 4 C下の被覆部分においては紙面 X方向電界が印加されない。この結果、長さ L 1にわたっては所定の電界が分岐部に印加されるが、長さ L 2にわたつてほとんど電界が印加されず、前記積分値が小さくなる。例えば、チヤ一プ量ひ = 0 . 6を実現するためには、前記積分値の比率は 1 ： 4程度とする必要がある。このためには、分岐部 3と 5との間で電極相互作用長の比率（L ： L 1 ) を 1 ： 4とする必要がある。

このように、分岐部 3と 5との間で電極相互作用長を異ならせた場合に、更に、電極ギャップの大きさを互いに異ならせたり、分岐部と電極エッジとの間隔を異ならせることによって、光変調器のチヤ一プ量を一層広範囲にわたって制御可能となる。

また、他の好適な実施形態においては、複数の接地電極を設け、信号電極と一方の接地電極との間の電極ギヤップ下における基板の厚さと、信号電極と他方の接地電極との間の電極ギヤップにおける基板の厚さとを異ならせる。基板が厚い側の電極ギヤップにおいて分岐部に印加される電界強度と、基板が薄い側の電極ギヤップにおいて分岐部に印加される電界強度とは異なる。従って、両方の分岐部における前記積分値を異ならせることができる。

図 4は、この実施形態に係る光変調器 1 Dを概略的に示す断面図である。図 1に示したのと同じ構造部分および寸法については、同じ符号を付け、その説明を参照する。本例においては、基板 1 2が、相対的に厚さの大きい肉厚部分 1 2 cと、厚さの小さい肉薄部分 1 2 dとを傭えている。 1 2 a、 1 2 bは主面である。電極ギャップ 2 0 Aは肉薄部分 1 2 d側に設けられており、電極ギヤップ 2 0 Bは肉厚部分 1 2 c側に設けられている。上述したように、分岐部 3と 5との間で前記積分値を異ならせるためには、肉薄部分 1 2 dの厚さ T s u b lと肉厚部分 1 2 c の厚さ T s u b 2との差を、 2 ミクロン以上とすることが好ましく、 20 ミクロン以上とすることが更に好ましい。また、高速光変調という観点からは、 T s u b 1は、 20ミクロン以下であることが好ましい。

また、好適な実施形態においては、複数の接地電極を設け、信号電極と一方の接地電極との間の電極ギヤップ下において基板下に一方の低誘電率部を設け、信号電極と他方の接地電極との間の電極ギヤップ下において基板下に他方の低誘電率部を設ける。そして、一方の低誘電率部の比誘電率と他方の低誘電率部の比誘電率とを異ならせる。基板下の低誘電率部の比誘電率が互いに異なっていると、各分岐部に印加される電界強度も互いに異なる。従って、両方の分岐部における前記積分値を異ならせることができる。

図 5は、この実施形態に係る光変調器 1 Eを概略的に示す断面図である。図 1に示した構造部分および寸法と同じ構造部分および寸法については、同じ符号を付け、その説明を流用する。本例においては、基板 2 の下に一方の低誘電率部 1 0 Aと他方の低誘電率部 1 0 Bとが設けられている。電極ギヤップ 2 0 Aは低誘電率部 1 0 A側に設けられており、電極ギヤップ 2 0 Bは低誘電率部 1 0 B側に設けられている。上述したように、分岐部 3と 5との間で前記積分値を異ならせるためには、低誘電率部 1 0 Aと低誘電率部 1 0 Bとの比誘電率の比率を 2倍以上とすることが好ましく、 5倍以上とすることが更に好ましい。

また、他の発明に係る光変調器においては、'一方の分岐部が接地電極と信号電極との間の電極ギャップに設けられており、他方の分岐部が接地電極下に設けられている。そして、マイクロ波電界を一方の分岐部および他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、一方の分岐部および他方の分岐部を伝搬する光を変調する。この際、一方の分岐部を電極ギヤップ内に配置させることによって、チヤ一プ量を適切に調整することができる。 '

また、従来の Z板光変調器において片側駆動を用いた場合、 2つの分岐部に印加される電界強度が異なるために、典型的にはチヤープ量（ひ - a r a ) が 0.6〜0.7程度となっていた。しかし、適用される光通信システムによっては、より小さな αが好ましい場合もある。このため、適用されるシステムに適切なチヤープ量へ調整できることが望ましい。図 6は、この実施形態に係る光変調器 1 1を概略的に示す断面図である。基板 1 3の主面 1 3. a側には、マッハヅエンダー型光導波路の一方の分岐部 1 4および他方の分岐部 1 5が形成されている。 1 3 bは基板 1 3の底面である。分岐部 1 5は信号電極 1 Ί Bの下にバッファ層 1 6 を介して設けられている。信号電極 1 7 Aと接地電極 1 7 Bとの間には電極ギャップ 2 5が設けられている。分岐部 1 4は電極ギヤヅプ 2 5に出ており、分岐部 1 4の中心線 Sは信号電極 1 7 Aのエッジ Eから tだけ離れて外側に設けられている。分岐部 1 4と信号電極 1 7 Aとの間はノヅファ層 1 6によって分離されている。

ここで、分岐部 1 4の中心線 Sと信号電極 1 7 Aのエッジ Eとの間隔 tを変更することによって、分岐部 1 4へと加わる電界強度を変更することができ、これによつて光変調器 1 1のチヤ一プ量を変更できる。 t を小さくすると、分岐部 1 4に加わる電界強度を大きくでき、 tを大きくすると、分岐部 1 4に加わる電界強度を小さくできる。分岐部 1 4において効率的な光変調を行うためには、 tは 20 ミクロン以下であることが好ましく、 10ミクロン以下であることが更に好ましい。また、チヤ一プ量を小さくするという観点からは、 tは 0.5 ミクロン以上であることが好ましく、 1 ミクロン以上であることが更に好ましい。

この実施形態においては、各分岐部に対して、基板主面と略垂直な方向へと向かって電界が印加されることが好ましい。

好適な実施形態においては、前記基板の厚さが、少なくとも電極相互作用長部分において 3 0〃m以下である。そして、基板が、厚さ 3 0 m以上、好ましくは厚さ 200 m以上の基部を備えており、基部の内側に凹部が形成されている。このような基板によれば、基板に取り扱いに適した機械的強度を付与しつつ、高速光変調を実現できる。

この実施形態において特に好ましくは、基板が、凹部に面する相対的に厚さの大きい第一の肉薄部分と、凹部に面する相対的に厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、.光導波路が第一の肉薄部分内に設けられている。このような形態の基板は、特開平 1 0— 1 3 3 1 5 9号公報、特開 2 0 0 2— 1 6 9 1 3 3号公報に記載の基板本体を利用できる。例えば図 7に示す基板 3 2は、基部 3 2 d、凹部 3 3に面する相対的に厚さの大きい第一の肉薄部分 3 2 b、および、凹部 3 3に面する相対的に厚さの小さい第二の肉薄部分 3 2 cを備えている。光導波路が第一の肉薄部分 3 2 b内に設けられている。 3 2 aは基板主面である。

基板 2、 1 2、 1 3の底面は、接合層を介して別体の保持基体に対して接合することもできる。

光導波路基板 2、 1 2、 1 3を構成する材質は、強誘電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム一タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸力リゥムリチゥム、 K T P、 G a A s及び水晶などを例示することができる。

接地電極、信号電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、銀、銅などの材料から構成することができる。

バッファ層は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びァルミナなどの公知の材料を使用することができる。

光導波路は、基板本体に形成されており、好ましくは基板本体の一方の主面側に形成されている。光導波路は、基板本体の一方の主面に直接形成されたリッジ型の光導波路であってよく、基板本体の一方の主面の上に他の層を介して形成されたリッジ型の光導波路であってよく、また基板本体の内部に内拡散法やイオン交換法によって形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロトン交換光導波路であってよい。電極は、基板本体の一方の主面側に設けられているが、基板本体の一方の主面に直接形成されていてよく、バッファ層の上に形成されていてよい。前記した低誘電率部とは、基板本体を構成する電気光学材料の比誘電率よりも低い比誘電率を有する部分を意味する。（低誘電率部分の比誘電率） / (基板を構成する電気光学材料の比誘電率）は、 1 / 3以下であることが好ましく、 1 / 1 0以下であることが更に好ましい。

低誘電率部は空隙であってよい。また、低誘電率部は、基板を構成する電気光学材料の比誘電率よりも低い比誘電率を有する固形材料からなつていてよい。このような材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ガリウムヒ素、酸化シリコン . を例示できる。

また、低誘電率部は接着剤であってよい。接着剤の種類は特に限定されないが、厚さ 3 0 0 m以下が適当である。また、低誘電率層として用いる好適な低誘電体材料としては、高周波変調信号の伝搬損失を低減する観点から低誘電体損 (低 tan d )を有する材料を用いることが望ましい。このような低誘電率、低誘電体損の材質としてはテフロン、ァクリル系接着剤が例示できる。また、他の低誘電率材料としては、ガラス系接着剤、エポキシ系接着剤、半導体製造用層間絶縁体、ポリイミド樹脂を例示できる。

Claims

請求の範囲

1 . 電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および前記基板の前記一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、前記一方の分岐部と前記他方の分岐部とが前記接地電極と前記信号電極との電極ギヤップに設けられており、マイクロ波電界を前記一方の分岐部および前記他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部を伝搬する光を変調するのに際して、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部において電界強度の電極相互作用長による各積分値が異なっており、これによって所定のチヤ一プ量を得ることを特徴とする、光変調器。

2 . 前記一方の分岐部および前記他方の分岐部に対して相異なる強度のマイクロ波電界を印加することを特徴とする、請求項 1記載の光変調器。

3 . 複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と前記各接地電極との間の前記各電極ギヤ.ップの幅が互いに異なっていることを特徴とする、請求項 2記載の光変調器。

4 . 前記電極ギヤップのうち相対的に幅の狭い電極ギヤップにおいて、前記一方の分岐部が前記信号電極または前記接地電極のエッジ近傍に配置されていることを特徴とする、請求項 3記載の光変調器。

5 . 前記一方の分岐部と前記他方の分岐部の前記各電極相互作用長が互いに異なっていることを特徴とする、請求項 1記載の光変調器。

6 . 前記一方の分岐部の一部を前記信号電極または前記接地電極の直下に配置することによって、前記一方の分岐部の前記電極相互作用長を前記他方の分岐部の前記電極相互作用長よりも小さくすることを特徴とする、請求項 5記載の光変調器。

7 . 前記電極相互作用長部分における前記基板の厚さが 3 0〃m以下であることを特徴とする、請求項 1〜 6のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。

8 . 複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と一方の前記接地電極との間の電極ギャップ下における前記基板の厚さと、前記信号電極と他方の前記接地電極との間の前記電極ギャップにおける前記基板の厚さとが異なっていることを特徴とする、請求項 1記載の光変調器。

9 . 複数の前記接地電極を有しており、前記信号電極と一方の前記接地電極との間の電極ギヤップ下において前記基板下に一方の低誘電率部が設けられており、前記信号電極と他方の前記接地電極との間の電極ギャヅプ下において前記基板下に他方の低誘電部が設けられており、前記一方の低誘電率部の比誘電率と前記他方の低誘電率部の比誘電率とが異なっていることを特徴とする、請求項 1記載の光変調器。

1 0 . 電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板、この基板に形成され、一方の分岐部および他方の分岐部を有する光導波路、および前記基板の前記一方の主面側に設けられた接地電極および信号電極を備えており、前記一方の分岐部が前記接地電極と前記信号電極との間の電極ギヤップに設けられており、前記他方の分岐部が前記接地電極下に設けられており、マイクロ波電界を前記一方の分岐部および前記他方の分岐部の各電極相互作用部に印加し、前記一方の分岐部および前記他方の分岐部を伝搬する光を変調することを特徴とする、光変調器。