WO2005024498A1 - 空間光変調素子及び空間光変調方法 - Google Patents

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WO2005024498A1
WO2005024498A1 PCT/JP2004/013182 JP2004013182W WO2005024498A1 WO 2005024498 A1 WO2005024498 A1 WO 2005024498A1 JP 2004013182 W JP2004013182 W JP 2004013182W WO 2005024498 A1 WO2005024498 A1 WO 2005024498A1
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refractive index
light
layer
dielectric
functional material
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PCT/JP2004/013182
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English (en)
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Inventor
Toshihiko Nagamura
Ikuo Matsukura
Original Assignee
Asahi Glass Company, Limited
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0126Opto-optical modulation, i.e. control of one light beam by another light beam, not otherwise provided for in this subclass
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/13Materials and properties photorefractive
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/12Function characteristic spatial light modulator

Definitions

  • the present invention relates to a spatial light modulation element and a spatial light modulation method used for a display device, an optical information processing device, and the like. More specifically, by using a low-refractive index layer instead of a conventional metal layer to reflect the modulated light, the modulated light is confined or reflected in a guided mode, so that the service life is long and the modulation
  • the present invention relates to a spatial light modulation element and a spatial light modulation method that have high response sensitivity and enable high-speed light modulation. Background art
  • the device has a structure capable of changing the confinement condition of the modulated light by ONZOFF of the modulation driving light and performing high-speed light modulation.
  • Patent Document JP 2002-258332 A DISCLOSURE OF THE INVENTION
  • the metal layer may be damaged, and the light modulation characteristics of the modulated light may be degraded. There is a problem that the life of the element is short.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a long-life spatial light modulator that does not degrade light modulation characteristics even when a very short pulse high-power laser light is used as modulation drive light.
  • the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: providing a refractive index lower than the refractive index of the dielectric between a dielectric and an optical functional material layer made of an optical functional material whose refractive index changes by light irradiation; Provided is a spatial light modulator characterized by having a low refractive index layer made of a transparent material having a refractive index interposed therebetween.
  • the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a transparent material having a refractive index lower than that of the dielectric, between the dielectric and an optical functional material layer made of an optical functional material whose refractive index changes by light irradiation.
  • the low refractive index layer is interposed, and the reflection of the modulated light incident through the dielectric at the interface between the dielectric and the low refractive index layer is controlled by the modulation driving light.
  • the low refractive index layer is preferably made of an organic material.
  • the low refractive index layer is preferably made of a fluorine-containing resin.
  • This fluorine-containing resin is preferably made of an amorphous fluorine-containing polymer having no C—H bond. Good.
  • the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a transparent material having a refractive index lower than that of the dielectric, between the dielectric and an optical functional material layer made of an optical functional material whose refractive index changes by light irradiation.
  • a spatial light modulation element having a low refractive index layer interposed therebetween is used to control the reflection of the modulated light incident through the dielectric at the interface between the dielectric and the low refractive index layer by the modulation driving light.
  • a spatial light modulation method is provided.
  • the control of the reflection of the modulated light by the modulation driving light is a combination of the reflection of the modulated light and the confinement of the modulated light by the waveguide mode.
  • the spatial light modulator of the present invention includes a transparent low refractive index layer instead of a conventional metal layer, reflects modulated light at the interface between the dielectric and the low refractive index layer, and modulates and drives the optical functional material. By irradiating the light as needed, the modulated light is modulated and controlled by the ONZ FF of the modulation drive light. As a result, damage to the device due to the modulated driving light and the modulated light irradiated on the optical functional material layer is reduced, and the device can operate stably for a long time even with a high-power laser beam such as a femtosecond laser beam. In addition, a device having excellent durability and a long life can be obtained.
  • the modulation driving light O NZ ⁇ FF changes the reflectance of the modulated light with higher sensitivity, resulting in extremely high modulation response sensitivity. Therefore, modulation at a higher speed becomes possible, and a spatial light modulator having a response speed on the order of picoseconds can be realized.
  • the structure with a transparent low refractive index layer instead of the metal layer increases the incident angle and the outgoing angle of the modulated light, causing the modulated drive light to leak to the emission side and be detected. The generation of noise is reduced.
  • FIG. 1 is a side view showing a first embodiment of the spatial light modulator of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view showing a second embodiment of the spatial light modulator of the present invention.
  • FIG. 3 is a configuration diagram of a measurement system used for measurement in the experiment of the example.
  • Figure 4 Graph of the waveguide mode operating characteristics calculated for the Ag-type device.
  • FIG. 5 is a graph of the waveguide mode operating characteristics calculated for the device of the present invention.
  • Figure 6 Enlarged view of the main part of Figure 5.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the extinction coefficient k and the reflectance of each of the Ag-type element and the element of the present invention.
  • FIG. 8 is a graph showing the relationship between the extinction coefficient k and the reflectance when the thickness of the low refractive index layer is changed between 100 nm and 800 nm in the device of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the incident angle S and the reflectance when the real part n of the low refractive index layer is changed in the device of the present invention.
  • FIG. 10 Graph showing the relationship between the incident angle 0 and the reflectance when the value of the extinction coefficient k is changed in the device of the present invention.
  • FIG. 11 A graph showing the relationship between the extinction coefficient k and the reflectance when the real part n of the low refractive index layer is changed in the inventive element.
  • Fig. 12 Graph showing the transient absorption spectrum when only the PFVI layer having a thickness of 220 nm is excited by a femtosecond laser beam having a wavelength of 400 nm.
  • Fig. 13 Only the PFVI layer with a thickness of 220 nm is irradiated with a femtosecond laser beam with a wavelength of 400 nm. It is a graph which shows the time-dependent change of the transient absorption at 630 nm at the time of excitation.
  • Figure 16 Transient reflection at different angles of incidence immediately after excitation of a laminate of a 220 nm thick PFVI layer and a low-refractive index layer with a 400 nm wavelength femtosecond laser beam and transients at only the PFVI layer. It is a graph which shows a passing absorption spectrum.
  • FIG. 17 Transient reflection at different angles of incidence and PFVI layer only after a 400 nm-thick PFVI layer and low-refractive index layer were excited by a single femtosecond laser beam at a wavelength of 400 nm.
  • 4 is a graph showing a transient absorption spectrum at the same time.
  • FIG. 1 is a view showing a first embodiment of the spatial light modulator according to the present invention.
  • the spatial light modulation element 1 forms a prism 2 between a prism 2 (dielectric) made of a dielectric and an optical functional material layer 3 made of an optical functional material whose refractive index changes by light irradiation.
  • a low-refractive-index layer 4 made of a transparent material having a refractive index n2 lower than the refractive index n1 of the dielectric is interposed, and is incident through the prism 2 at the interface between the prism 2 and the low-refractive-index layer 4.
  • the reflection of the modulated light 5 is controlled by the modulation driving light 6.
  • the dielectric on which the modulated light 5 is incident is not limited to the prism 2 but may be another shape such as a plate shape, a thick plate shape, and a block shape.
  • the use of the prism 2 having a triangular cross section means that a low-refractive-index layer 4 and an optically functional material layer 3 are laminated on the first surface, and the modulated light 5 is incident from the second surface of the prism 2,
  • the structure for emitting light reflected from the third surface 2 is particularly preferable because it can be easily constructed.
  • This prism 2 is formed of a dielectric material that is transparent to the wavelength of the modulated light 5.
  • a material made of a material having a refractive index with respect to the wavelength of the modulated light in the range of 1.4 to 3 is preferable.
  • Specific examples include BK7, quartz glass, high-refractive-index glass, and polycarbonate.
  • the difference (n 1 ⁇ n 2) between the refractive index of the prism 2 and the refractive index of the low refractive index layer 4 is preferably in the range of 0.05 to 0.9.
  • the material constituting the low-refractive-index layer 4 has a refractive index n 2 of the material smaller than the refractive index n 1 of the dielectric material constituting the prism 2 (ie, has a relationship of 112 ⁇ n 1).
  • Any material may be used, but an inorganic or organic material having good light resistance to the wavelength of the modulated light is preferable. Examples of such an inorganic material include a fluoride crystal, a fluorine-added quartz glass, and the like. Examples of the organic material include a fluorine-containing resin.
  • the low refractive index layer 4 made of an inorganic material can be formed by a sputtering method, a CVD method, an evaporation method, or the like.
  • the low refractive index layer 4 made of an organic material can be formed by spin coating a resin solution.
  • an organic material, particularly a fluorine-containing resin, for the low refractive index layer 4 used in the spatial light modulator 1 of the present invention is preferable to use an organic material, particularly a fluorine-containing resin, for the low refractive index layer 4 used in the spatial light modulator 1 of the present invention.
  • the thickness of the low refractive index layer 4 is in the range of 100 to: L000 nm, preferably 200 to 100 nm, more preferably 300 to 800 nm. If the thickness of the low refractive index layer 4 is 100 to 100 nm, the modulated light 5 can be modulated well, sufficient durability can be obtained, and long-life spatial light modulation can be obtained. Element 1 can be obtained.
  • the low refractive index layer 4 is preferably made of a fluorine-containing resin, and the fluorine-containing resin is made of a non-crystalline fluorine-containing polymer having no C-H bond.
  • the fluoropolymer has C-F bonds (ie, carbon-fluorine bonds) instead of C-H bonds.
  • fluoropolymers include tetrafluoroethylene resin, perfluoro (ethylene-propylene) resin, perfluoroalkoxy resin, vinylidene fluoride resin, ethylene-tetrafluoroethylene resin, and Polyethylene resins are widely known.
  • fluorine-containing resins have crystallinity, scattering of light occurs, transparency is deteriorated, and when the modulation drive light 6 is irradiated, melting or the like occurs, and durability may be deteriorated.
  • non-crystalline fluoropolymers are excellent in transparency because they do not scatter light due to crystals.
  • the fluorinated polymer is not particularly limited as long as it is a non-crystalline fluorinated polymer having substantially no C—H bond, but a fluorinated polymer having a ring structure in the main chain is preferable.
  • the fluorine-containing polymer having a ring structure in the main chain is preferably a fluorine-containing polymer having a fluorine-containing aliphatic ring structure, a fluorine-containing imide ring structure, a fluorine-containing triazine ring structure or a fluorine-containing aromatic ring structure.
  • the fluorinated polymers having a fluorinated aliphatic ring structure those having a fluorinated aliphatic ether ring structure are more preferred.
  • Examples of the polymer having a fluorinated aliphatic ring structure include a polymer obtained by polymerizing a monomer having a fluorinated ring structure, and a cyclopolymerization of a fluorinated monomer having at least two polymerizable double bonds.
  • the polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain obtained by the above is suitable.
  • a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain obtained by polymerizing a monomer having a fluorinated aliphatic ring structure is known from JP-B-63-18964 and the like. That is, a monomer having a fluorinated aliphatic ring structure such as perfluoro (2,2-dimethyl-1,3-dioxole) is homopolymerized, and this monomer is converted into tetrafluoroethylene, chlorotrifluoro. By copolymerizing with a radical polymerizable monomer such as ethylene or perfluoro (methyl vinyl ether), a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain can be obtained.
  • a radical polymerizable monomer such as ethylene or perfluoro (methyl vinyl ether
  • a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain obtained by cyclopolymerization of a fluorinated monomer having at least two polymerizable double bonds is disclosed in JP-A-63-23811.
  • No. 1 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63-3-238115 are known. That is, by subjecting a monomer such as perfluoro (arylvinyl ether) to perfluoro (butenyl vinyl ether) to cyclopolymerization, or by subjecting such a monomer to tetrafluoroethylene, black trifluoroethylene, or perfluoroethylene.
  • a radical polymerizable monomer such as fluoro (methyl vinyl ether)
  • a monomer having a fluorinated aliphatic ring structure such as perfluoro (2,2-dimethyl-1,3, dioxole) and at least two monomers such as perfluoro (aryl bier ether) and perfluoro (butenyl vinyl ether).
  • a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain can also be obtained by copolymerizing a fluorinated monomer having two polymerizable double bonds.
  • Specific examples of the polymer having a fluorinated aliphatic ring structure include the following (I) to (I) V) Those having a repeating unit selected from the formula are exemplified.
  • the fluorine atom in these polymers having a fluorine-containing aliphatic ring structure may be partially substituted with a chlorine atom.
  • a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure a polymer having a ring structure in the main chain is suitable, but a polymer containing a polymer unit having a ring structure in an amount of 20 mol% or more, preferably 40 mol% or more is transparent. It is preferable in terms of properties and mechanical properties.
  • the material of the optical functional material layer 3 can be selected from the materials conventionally known as substances whose refractive index changes by light irradiation in the field of spatial light modulators and the like.
  • a substance include a material obtained by doping methyl orange / methyl red in a polymer (polyvinyl alcohol) described in JP-A-5-273503, a liquid crystal, a photorefractive crystal (barium titanate, Bismuth silicate, etc.), a purple film, a photochromic material, or a compound represented by the following formulas (1) and (6) described in JP-A-2000-292758.
  • DYE + represents a valent cyanine dye cation
  • n represents an integer of 1 or more
  • R 5 and R 6 each independently represent a substituent
  • R 7 and R 8 represent Each independently represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group, an aryl group or a heterocyclic group.
  • R 5 and R 6 R 5 and R 7 R 6 and R 8 or R 7 and R 8 may be linked to each other to form a ring
  • r and s each independently represent an integer of 0 to 4 When r and s are 2 or more, a plurality of r and s may be the same or different from each other.
  • a 1 , A 2 , B 1 and B 2 represent a substituent
  • L 1 , L 2 L 3 , L 4 and L 5 represent a methine group
  • X 2 represents — 0 — NR — C (CN) 2 (where R represents a substituent)
  • m and n are 0 Represents an integer of 2.
  • Mk + represents an onium ion. k represents the number of charges.
  • a 1 , A 2 , ⁇ 1 and ⁇ 2 represent a substituent
  • L 1 , L 2 , L 3 , L 4 and L 5 represent a methine group
  • X 2 represents — O, — NR, -C (CN) 2 (where R represents a substituent)
  • m and n represent an integer of 0 to 2.
  • Y 1 and E each represent an atom or a group of atoms necessary to form a carbocyclic or heterocyclic ring
  • Z 1 and G each represent an atom or a group of atoms necessary to form a carbocyclic or heterocyclic ring.
  • X and y each independently represent 0 or 1.
  • Mk + represents an onium ion. k represents the number of charges.
  • Z 1 and Z 2 each represent a group of atoms necessary to form a 5- or 6-membered nitrogen-containing heterocyclic ring;
  • R 3 Q and R 31 each independently represent an alkyl group;
  • L 3 , L 4 , L 5 , L 6 and L 7 represent a methine group,
  • nl and n 2 each represent an integer of 0 to 2
  • p and q each independently represent an integer of 0 to 2.
  • M represents a charge-balancing counterion.
  • n and n each independently represent an integer of 0 to 2
  • L 1 and L 2 each independently represent a divalent linking group.
  • M represents a metal atom
  • X represents an oxygen atom
  • a sulfur atom or NR 2 1
  • R 2 1 is hydrogen atom, an alkyl group, an Ariru group, Ashiru group, an alkylsulfonyl group, or is ⁇ reel sulfonyl group
  • Z 1 1 has completed a nitrogen-containing heterocyclic 5- or 6-membered
  • Z 12 represents an atomic group necessary for completing an aromatic ring or a heteroaromatic ring.
  • the compounds of the formulas (1) to (6) are desirably used in combination with a high molecular compound in order to easily maintain an amorphous state.
  • high molecular compounds include natural high molecular substances such as gelatin, dextran, rosin, and rubber; nitrocellulose, cellulose acetate; cellulose derivatives such as cellulose acetate butyrate; polyethylene, polystyrene, and polystyrene.
  • Hydrocarbon resins such as propylene and polyisobutylene, tetrafluoroethylene resins, perfluoro (ethylene-propylene) resins, fluorinated aliphatic ring structures, fluorinated imide ring structures, fluorinated triazine ring structures or fluorinated aromatic rings
  • Vinyl-based resins such as fluoropolymers having a structure, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride-polyvinyl acetate copolymer, and acrylyl resins such as polyester, polyacrylamide, polymethyl acrylate, and polymethyl methacrylate
  • synthetic polymer materials such as the initial polymer of a thermosetting resin such as e le formaldehyde resin - polyester, polyurethane, polyvinyl alcohol, chlorinated polyolefin, epoxy resins, butyral resins, rubber derivatives, phenol.
  • optical functional material layer 3 Another material of the optical functional material layer 3 that can be suitably used in the present invention is represented by the following formula (7) described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-32,849. And the compounds represented.
  • X represents a thiophenyl group, a furyl group, a pyriophenyl group, a terthiophenyl group, a pyrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, or a vinyl group bonded at the 4- or 2-position to the nitrogen atom of the bividinium group.
  • R 2 each independently represent an alkyl group, a poly (tetramethylene group), a hydroxyalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group, an aryl group or a heterocyclic group; Chloride, bromide, bromide, aromatic molecule having anionic substituent, trifluoromethyl group, or tetraphenylboronic acid having at least one other electron-withdrawing substituent.
  • the compound of the formula (7) is added to the polymer compound in a dispersed state, or used in a state where it is included in a part of a main chain or a side chain of the polymer compound.
  • the polymer compound in which the compound of the formula (7) is dispersed or contained in a part or a side chain of the main chain can be easily formed into a film by a solution such as spin coating.
  • the compound represented by the formula (7) has excellent light resistance to one femtosecond laser beam, which is suitable as the modulation driving light 6, and is used to form the optical functional material layer 3 of the spatial light modulator 1 using a femtosecond laser. It is particularly preferable as the optical functional material used in the present invention because the durability is enhanced and the spatial light modulator 1 having a long life can be constructed.
  • the optical functional material may be any substance whose refractive index changes when irradiated with light.
  • the wavelength of the light to be irradiated is not particularly limited, and can be widely selected from visible light to near-infrared light.
  • a material that changes the refractive index by absorbing light having the wavelength of the characteristic used for irradiation may be selected as the optical functional material.
  • the thickness of the optical functional material layer 3 is 100 to 100 nm.
  • the range is 150 to 100 nm, and more preferably, the range is 250 to 800 nm.
  • the modulated light 5 can be favorably modulated, sufficient durability can be obtained, and the long-life spatial light modulation element 1 can be obtained. it can.
  • a prism 2 having a triangular cross section as shown in FIG. 1 and a low refractive index layer 4 and an optical functional material layer 3 laminated on the first surface is used.
  • the modulated light 5 is incident from the second surface of the light source.
  • the modulated light 5 is reflected at the interface between the prism 2 and the low refractive index layer 4 when the incident angle 0 is within a predetermined range, and is emitted from the third surface of the prism.
  • the range of the incident angle 0 is in a range of 40 degrees to 85 degrees, and particularly when the modulation driving light 6 is irradiated on the optical functional material layer 3, a guided mode is generated and the modulated light 5 is confined. It is preferable to match the angle.
  • the wavelength of the modulated light 5 incident on the prism 2 is not particularly limited.
  • the extinction coefficient k of the optical functional material layer 3 increases, and the extinction coefficient k increases. Accordingly, the reflectance of the modulated light 5 changes sharply, and the modulated light 5 emitted from the third surface of the prism 2 is modulated by ON / OFF of the modulation drive light 6.
  • the modulated driving light 6 is applied to the optical functional material layer 3 to generate a waveguide mode and the modulated light 5 is incident at an angle at which the modulated light 5 is confined, the modulation driving light 6 is not irradiated.
  • the reflectance of the modulated light 5 does not change, and almost all incident light is reflected at the interface between the prism 2 and the low refractive index layer 4 and exits from the third surface of the prism 2.
  • the modulation driving light 6 is irradiated to the optical functional material layer 3 (when ON)
  • the extinction coefficient k of the optical functional material layer 3 increases, and as the extinction coefficient k increases, the modulated The reflectivity of the light 5 drops sharply, and the modulated light 5 emitted from the third surface of the prism 2 suddenly weakens or substantially disappears.
  • the sharp drop in the reflectance of the modulated light 5 is caused by the standing wave as a guided mode from the interface between the prism 2 and the low refractive index layer 4 to the low refractive index layer 4 and the optical functional material layer 3. This is because the reflection is not seen as a result. Therefore, the optical switching or intensity modulation of the modulated light 5 is possible by the ON / OFF of the modulation drive light 6.
  • the change in reflectance caused by the ON / OFF switching of the modulation drive light 6 is 1 picosecond or less when it is ON, and several to several hundred picoseconds or less when it is OFF. Becomes possible.
  • the spatial light modulator 1 includes a transparent low refractive index layer 4 in place of the conventional metal layer, reflects the modulated light 5 at the interface between the prism 2 and the low refractive index layer 4, and forms the optical functional material 3
  • the modulated drive light 6 is irradiated as necessary to modulate the modulated light 5 with the ONZO FF of the modulated drive light 6, so that the modulated drive light 6 applied to the optical functional material layer 3 is modulated.
  • the modulated light 5 reduces damage to the device, and ensures stable operation for a long period of time even with the use of high-power laser light such as femtosecond laser light, and provides a device with excellent durability and long life. Can be.
  • the transparent low refractive index layer 4 is provided in place of the metal layer, so that the ON / OFF of the modulation driving light 6 changes the reflectivity of the modulated light 5 with higher sensitivity, thereby increasing the modulation response sensitivity. It becomes extremely high, and modulation at a higher speed becomes possible, and a spatial light modulator having a response speed on the order of picoseconds can be realized.
  • the incident angle and the outgoing angle of the modulated light 5 are increased, and the modulated driving light 6 leaks to the emission side and is detected. The generation of noise due to the noise is reduced.
  • FIG. 2 is a view showing a second embodiment of the spatial light modulator of the present invention.
  • the spatial light modulator 7 includes substantially the same components as the spatial light modulator 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1, and the same components are denoted by the same reference numerals.
  • the difference between the spatial light modulator 7 and the spatial light modulator 1 according to the first embodiment is that the spatial light modulator 7 has the same refractive index (nl) as the prism 2.
  • a low-refractive-index layer 4 and an optically functional material layer 3 are laminated on one side of the slide glass 8, and a prism 2 is fixed to the other side of the slide glass 8.
  • the point is that the modulated light 5 incident thereon is reflected at the interface between the slide glass 8 and the low refractive index layer 4.
  • the prism 2 and the slide glass 8 be fixed with a matching liquid having the same refractive index as that of the material and a transparent resin adhesive.
  • the spatial light modulator 7 is capable of high-speed modulation of the modulated light 5 by ON / OFF of the modulation drive light 6.
  • the same effects as those of the spatial light modulator 1 according to the first embodiment can be obtained.
  • the spatial light modulator 1 has the low refractive index layer 4 and the optical functional material layer 3 laminated on one surface of the slide glass 8, the low refractive index layer 4 and the optical function layer are formed by spin coating or the like.
  • the spatial light modulator 1 can be easily formed, and the spatial light modulator 1 can be easily manufactured, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the spatial light modulator can be formed by using a diffraction grating instead of a prism.
  • a 100 nm optical functional material layer composed of PFVI represented by the following formula (8) is formed by spin coating, and a glass prism having a triangular cross section is placed on the other surface of the slide glass.
  • a conventional spatial light modulator having a silver thin film hereinafter referred to as an Ag-type device) was fabricated.
  • a thin film of a fluorine-containing resin having a thickness of 400 nm was formed by a spin coating method.
  • This polymer is a non-crystalline fluorine-containing polymer having no C—H bond.
  • a 600 nm-thick optically functional material layer made of PFVI represented by the formula (8) is formed by a spin coating method.
  • FIG. 3 is a configuration diagram showing a measurement system used for measuring the respective modulation operation characteristics of the Ag-type element manufactured as described above and the element of the present invention.
  • the Ag-type element and the element of the present invention are fixed to the rotating stage 11.
  • the rotation stage 11 can appropriately adjust the incident angle S of the element 7 by changing the angle of the element 7 with respect to the incident direction of the modulated light 5.
  • the modulated light 5 and the modulation driving light 6 are the laser light emitted from the femtosecond laser light source 12. Light is split and used. The laser light emitted from the femtosecond laser light source 12 is converted into a second harmonic having a half wavelength by the BBO crystal 14, and the second harmonic is split into two by a half mirror 15, and The transmitted light is focused on the D 20 / H 2 ⁇ cell 16 to generate femtosecond white light, and this light is guided to the variable delay line 17 so as to obtain a necessary time lag. The light emitted from the variable delay line 17 is split into two by the half mirror 118, and the transmitted light of the half mirror 118 is incident on the prism of the element 7 attached to the rotary stage.
  • the reflected light (second harmonic) of the first half mirror 15 irradiates the optically functional material layer of the element 7 to be modulated driving light 6.
  • the modulated light emitted from the element 7 enters the photodetector 21 through the optical fiber 19.
  • the reflected light from the second half mirror 18 is incident on the photodetector 21 through the optical fiber 20 as reference light.
  • Figures 4 to 11 show the results of the study using the transfer matrix method.
  • FIG. 4 is a graph of the waveguide mode operation characteristics calculated for the Ag type device.
  • the modulated light 5 is a green (543 nm) He—Ne laser beam, and the thickness of the optical functional material layer is 600 nm.
  • the curve (c) shows the optical functional material layer.
  • FIG. 5 is a graph of the waveguide mode operation characteristics calculated for the device of the present invention
  • FIG. 6 is an enlarged view of a main part of FIG.
  • the wavelength of the modulated light 5 is 600 nm.
  • the change in the refractive index of the optically functional material layer is adjusted by appropriately adjusting the irradiation intensity of the modulation drive light 6 irradiating the optically functional material layer, and the extinction coefficient k is defined as 0.0001 to 0.002. It is adjusted to be a value, and the reflectance for the incident angle e is calculated.
  • the curve (a) shows the change in reflectance when the extinction coefficient k is 0.0001
  • the curve (b) shows the change in reflectance when the extinction coefficient k is 0.0002.
  • (C) shows the change in reflectance when the extinction coefficient k is 0.0005
  • (d) shows the change in reflectance when the extinction coefficient k is 0.001
  • (e) shows the change in reflectance. It shows the change in reflectance when the extinction coefficient k is 0.002.
  • a characteristic is seen in which the reflectance sharply decreases due to a slight increase in the extinction coefficient k.
  • the reflectance increases with an increase in the extinction coefficient k, and the element of the present invention is different from the Ag-type element in the change in the region where the extinction coefficient k is small. It shows the opposite response.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the extinction coefficient k and the reflectance of each of the Ag-type element (one bit) and the element of the present invention (111).
  • the reflectivity of the device of the present invention changes more sensitively as the extinction coefficient k of the optically functional material layer increases as compared with the Ag-type device.
  • the extinction coefficient k increases, there is a region in which the reflectance suddenly decreases in the initial stage, and a region in which the reflectance gradually increases thereafter.
  • phthalocyanine dyes were actually dispersed in polymers at various concentrations to form thin films, and the reflectance was measured at wavelengths from the visible to the near infrared.
  • the extinction coefficient k was 0.00 when the optical functional material layer was measured at 300 nm, the Cytop layer was set at 700 nm, and the wavelength was 632.8 nm.
  • the wavelength was 632.8 nm.
  • a change in light intensity of up to 160 times was observed. This indicates that the use of the device of the present invention enables modulation with low-power modulation drive light.
  • FIG. 8 is a graph showing the relationship between the extinction coefficient k and the reflectance when the thickness of the low refractive index layer is changed between 100 and 800 nm in the device of the present invention.
  • the change behavior of the reflectivity with respect to the change of the extinction coefficient k remarkably depends on the film thickness of the low refractive index layer, and the larger the film thickness, the smaller the value of the extinction coefficient k. It shows a sharp decrease followed by an increase.
  • the thickness of the low-refractive index layer is small, a phenomenon in which the reflectance sharply decreases when the value of the extinction coefficient k is small cannot be seen. From these results, it can be seen that in the device of the present invention, by selecting an optimum film thickness in relation to the actual change of the extinction coefficient k, a highly sensitive light modulation device can be obtained.
  • FIG. 10 shows the relationship between the incident angle ⁇ and the reflectance when the value of the extinction coefficient k was changed in the device of the present invention in which the real part n of the refractive index was a low refractive index layer with 1.45. It is a graph shown.
  • the waveguide mode is formed when the real part n of the low refractive index layer is in the range of 1.29 to 1.45.
  • the real part n of the refractive index is small, the incident angle S shifts to the low angle side, and when n is large, the incident angle S shifts to the wide angle side.
  • the mode incident angle width in each case also depends on the real part n of the refractive index.
  • intensity modulation can be performed by changing n or k
  • phase modulation can be performed by changing n.
  • a thin film of a fluorinated polymer having an aliphatic ring structure in the main chain obtained by cyclopolymerization of) is formed into a thin film by a spin coating method.
  • the PFVI represented by (8) is laminated by a spin coating method to form an optical functional material layer having a thickness of 220 nm or 400 nm, and the light absorption and reflection of the low refractive index layer + PFVI layer laminate The characteristics were investigated.
  • FIGS. 12 to 17 show actual measurements of light absorption and reflection characteristics measured using the low refractive index layer + PFVI layer laminate.
  • Thickness 2201 111? 6 is a graph showing a transient absorption spectrum when only the I layer is excited by a single femtosecond laser beam having a wavelength of 400 nm.
  • FIG. 13 is a graph showing a temporal change in transient absorption at 630 nm when only a 220 nm-thick PFVI layer is excited by a single femtosecond laser beam having a wavelength of 400 nm.
  • 6 is a graph showing a change with time in strength.
  • Figure 16 shows the transient reflection and PFVI at different angles of incidence immediately after a 220-nm-thick PFVI layer and a low-refractive-index layer were excited by a single femtosecond laser beam at a wavelength of 400 nm.
  • 4 is a graph showing a transient absorption spectrum only in a layer.
  • Figure 17 shows the transient reflection at different incident angles immediately after the 400 nm-thick PFVI layer and the low-refractive-index layer stack were excited by a 400-nm femtosecond laser beam, and only the PFVI layer.
  • 4 is a graph showing a transient absorption spectrum.
  • the peak of the transient reflectance change spectrum depends on the angle of incidence ⁇ or the thickness of the optical functional material layer (PFVI layer), and shifts to shorter wavelengths under wide-angle incidence conditions or thick films. Therefore, it was confirmed that a waveguide mode by the femtosecond laser was present in this laminate.
  • the change in the reflectance of the laminate with the low-refractive-index layer was at least 10 times greater than the change in the transmittance without the low-refractive-index layer at the same excitation light intensity.
  • the reflectivity change currently observed is less than 1 picosecond when ON, and several to several hundred picoseconds when OFF.
  • a spatial light modulation element that operates stably for a long period of time, has excellent durability, and has a long life even when a very short pulse high power laser beam such as a femtosecond laser beam is used.

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Abstract

変調駆動光として極短パルスの高パワーレーザー光を用いても光変調特性が劣化しない長寿命の空間光変調素子の提供。プリズム2と、光照射によって屈折率が変化する光機能性材料からなる光機能性材料層3との間に、前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈折率層4を介在させてなる空間光変調素子1。この空間光変調素子1を用い、プリズムと低屈折率層との界面でプリズムを通して入射される被変調光5の反射を変調駆動光6により制御することを特徴とする空間光変調方法。

Description

明細書 空間光変調素子及び空間光変調方法 技術分野
本発明は、 ディスプレイ装置、 光情報処理装置などに用いられる空間光変調素子及び空 間光変調方法に関する。 さらに詳細には、 被変調光を反射させるために従来の金属層に代 えて低屈折率層を用いて、 被変調光を導波モードで閉じ込めるかまたは反射させることに より使用寿命が長く、 変調応答感度が高く、 高速度での光変調を可能にした空間光変調素 子及び空間光変調方法に関する。 背景技術
従来より、 表面プラズモン共鳴を用いた空間光変調素子としては、 プリズムの一面に金 属層と、 光照射により屈折率が変化する物質からなる光機能性膜 (色素含有膜などとも称 される) とを積層してなる素子が提案されている (例えば、 特許文献 1〜 6参照。 ) 。 こ の素子は、 変調するべき被変調光をプリズムを通して入射し、 金属膜で閉じ込めるかまた は反射させてプリズムから出射する際に、 光機能性膜に変調駆動光を必要に応じて照射す ることにより、 変調駆動光の ONZOFFによつて被変調光の閉じ込め条件を変化させ高 速光変調を実行可能な構造を有する素子である。
特許文献 特開平 5— 273503号公報
特許文献 特開 2000— 292758号公報
特許文献 特開 2000— 314857号公報
特許文献 特開 2000— 314859号公報
特許文献 特開 2000— 314860号公報
特許文献 特開 2002— 258332号公報 発明の開示
しかしながら、 従来の空間光変調素子は、 変調駆動光としてフェムト秒レーザ一等の極 短パルスの高パワーレーザー光を用いると金属層がダメージを受け、 被変調光の光変調特 性が劣化する可能性があり、 素子の寿命が短いという問題がある。
本発明は前記事情に鑑みてなされ、 変調駆動光として極短パルスの高パワーレーザー光 を用いても光変調特性が劣化しない長寿命の空間光変調素子の提供を目的とする。
前記目的を達成するため、 本発明は、 誘電体と、 光照射によって屈折率が変化する光機 能性材料からなる光機能性材料層との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ 透明材料からなる低屈折率層を介在させてなることを特徴とする空間光変調素子を提供す る。
また本発明は、 誘電体と、 光照射によって屈折率が変化する光機能性材料からなる光機 能性材料層との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈 折率層を介在させてなり、 前記誘電体と低屈折率層との界面で誘電体を通して入射される 被変調光の反射が変調駆動光により制御されるように構成したことを特徴とする空間光変 調素子を提供する。
本発明の空間光変調素子において、 前記低屈折率層は有機材料からなることが好ましい また前記低屈折率層は、 含フッ素樹脂からなることが好ましい。
この含フッ素樹脂は C一 H結合を有しない非結晶性の含フッ素重合体からなることが好 ましい。
また本発明は、 誘電体と、 光照射によって屈折率が変化する光機能性材料からなる光機 能性材料層との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈 折率層を介在させてなる空間光変調素子を用い、 前記誘電体と低屈折率層との界面で誘電 体を通して入射される被変調光の反射を変調駆動光により制御することを特徴とする空間 光変調方法を提供する。
本発明の空間光変調方法において、 前記変調駆動光による被変調光の反射の制御が、 被 変調光の反射と、 導波モードによる被変調光の閉じこめとの組み合わせであることが好ま しい。 発明の効果
本発明の空間光変調素子は、 従来の金属層に代えて透明な低屈折率層を備え、 被変調光 を誘電体と低屈折率層との界面で反射させ、 光機能性材料に変調駆動光を必要に応じて照 射することにより、 変調駆動光の O NZO F Fによって被変調光の変調、 制御を行うもの である。 このため、 光機能性材料層に照射される変調駆動光及び被変調光によって素子が 受けるダメージが低減され、 フエムト秒レ一ザ一光などの高パワーレーザー光を用いても 長期間安定に動作し、 耐久性に優れ、 長寿命の素子を得ることができる。
また金属層に代えて透明な低屈折率層を備えた構成としたことで、 変調駆動光の O NZ 〇 F Fによってより高感度に被変調光の反射率が変化し、 変調応答感度が極めて高くなり 、 より高速度での変調が可能となり、 ピコ秒オーダーの応答速度を有する空間光変調素子 が実現可能となる。
さらに金属層に代えて透明な低屈折率層を備えた構成としたことで、 被変調光の入射角 と出射角が大きくなり、 変調駆動光が出射側に漏れ出して検出されることに起因するノィ ズの発生が低減される。 図面の簡単な説明
図 1 :本発明の空間光変調素子の第 1の実施形態を示す側面図である。
図 2 :本発明の空間光変調素子の第 2の実施形態を示す側面図である。
図 3 :実施例の実験の測定に用いた測定系の構成図である。
図 4 : A g型素子について計算した導波モード動作特性のグラフである。
図 5 :本発明素子について計算した導波モード動作特性のグラフである。
図 6 :図 5の要部拡大図である。
図 7 : A g型素子と本発明素子とのそれぞれの消衰係数 kと反射率との関係を示すダラ フである。
図 8 :本発明素子において、 低屈折率層の膜厚を 1 0 0 ~ 8 0 0 n mの間で変化させた 場合の消衰係数 kと反射率との関係を示すグラフである。
図 9 :本発明素子において、 低屈折率層の屈折率実部 nを変化させた場合の入射角 Sと 反射率との関係を示すグラフである。
図 1 0 :本発明素子において、 消衰係数 kの値を変化させた場合の入射角 0と反射率と の関係を示すグラフである。
図 1 1 :発明素子において、 低屈折率層の屈折率実部 nを変化させた場合の消衰係数 k と反射率との関係を示すグラフである。
図 1 2 :厚さ 2 2 0 n mの P F V I層のみを波長 4 0 0 n mのフエムト秒レーザー光で 励起した際の過渡吸収スぺクトルを示すグラフである。
図 1 3 :厚さ 2 2 0 n mの P F V I層のみを波長 4 0 0 n mのフエムト秒レーザー光で 励起した際の 630 nmでの過渡吸収の経時変化を示すグラフである。
図 14 :厚さ 220 nmの PFV I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフエ ムト秒レーザー光 (入射角 0 = 65度) で励起した際の過渡反射スペクトルを示すグラフ である。
図 15 :厚さ 220 nmの P F V I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフエ ムト秒レーザ一光 (入射角 0 = 65度) で励起した際の 680 nmでの反射強度の経時変 化を示すグラフである。
図 16 :厚さ 220 nmの P F V I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフエ ムト秒レーザー光で励起した直後の異なる入射角での過渡反射及び P FV I層のみでの過 渡吸収スぺクトルを示すグラフである。
図 17 :厚さ 400 nmの P F V I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフエ ムト秒レ一ザ一光で励起した直後の異なる入射角での過渡反射及び P FV I層のみでの過 渡吸収スぺクトルを示すグラフである。 符号の説明
1, 7…空間光変調素子、 2…プリズム (誘電体) 、 3…光機能性材料層、 4…低屈折 率層、 5…被変調光、 6…変調駆動光、 8…スライドガラス (誘電体) 、 11…回転ステ —ジ、 12…フェムト秒レーザー光源、 14— BBO結晶、 15, 18…ハーフミラ一、 16 D2 0/H2 Oセル、 17…可変遅延ライン、 19, 20…光ファイバ、 21…光 検出 ¾§。 発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明に係る空間光変調素子の第 1の実施形態を示す図である。 この空間光変調 素子 1は、 誘電体からなるプリズム 2 (誘電体) と、 光照射によって屈折率が変化する光 機能性材料からなる光機能性材料層 3との間に、 プリズム 2を構成する誘電体の屈折率 n 1よりも低い屈折率 n 2をもつ透明材料からなる低屈折率層 4を介在させてなり、 プリズ ム 2と低屈折率層 4との界面で、 プリズム 2を通して入射される被変調光 5の反射が変調 駆動光 6により制御されるように構成されている。
本発明において被変調光 5を入射する誘電体としては、 このプリズム 2に限定されず、 板状、 厚板状、 ブロック状などの他の形状とし得る。 断面三角形をなすプリズム 2を用い ることは、 その第 1面に低屈折率層 4と光機能性材料層 3とを積層し、 プリズム 2の第 2 面から被変調光 5を入射し、 プリズム 2の第 3面から反射した光を出射させる構造が容 ¾ に構築できることから、 特に好ましい。
このプリズム 2は、 被変調光 5の波長に対して透明である誘電体で形成される。 特に被 変調光の波長に対する屈折率が 1. 4〜 3の範囲にある材質からなるものが好ましい。 具 体的には BK7、 石英ガラス、 高屈折率ガラス、 ポリ力一ポネート等が挙げられる。 プリ ズム 2と低屈折率層 4の屈折率の差 (n 1— n 2) は 0. 05〜0. 9の範囲が好適であ る。
前記低屈折率層 4を構成する材料は、 その材料の屈折率 n 2が、 プリズム 2を構成する 誘電体の屈折率 n 1よりも小さい (すなわち、 112<n 1の関係を有する。 ) 透明な材料 であればよいが、 被変調光の波長に対し耐光性の良好な無機材料又は有機材料が好ましい 。 このような無機材料としては、 フッ化物結晶、 フッ素添加石英ガラスなどが挙げられる 。 また有機材料としては、 例えば含フッ素樹脂が挙げられる。 無機材料からなる低屈折率 層 4は、 スパッ夕法、 CVD法、 蒸着法などによって成膜することができる。 また有機材 料からなる低屈折率層 4は、 樹脂溶液をスピンコート法などによつて成膜することができ る。 製造コスト、 製造の容易さなどの製造上の利点から、 本発明の空間光変調素子 1に用 いる低屈折率層 4としては、 有機材料、 特に含フッ素樹脂を用いることが好ましい。
この低屈折率層 4の厚さは 1 0 0〜: L 0 0 0 n m、 好ましくは 2 0 0〜 1 0 0 0 n m、 より好ましくは 3 0 0〜8 0 0 n mの範囲とする。 低屈折率層 4の厚さが 1 0 0〜1 0 0 O n mであれば、 被変調光 5の変調が良好に行われ、 十分な耐久性を得ることができ、 長 寿命の空間光変調素子 1を得ることができる。
本発明の好適な実施形態において、 低屈折率層 4は含フッ素樹脂からなることが好まし く、 さらにこの含フッ素樹脂は、 C一 H結合を有しない非結晶性の含フッ素重合体からな ることが好ましい。 この含フッ素重合体は C— H結合の代わりに C一 F結合 (すなわち、 炭素一フッ素結合) を有する。
含フッ素重合体として、 従来よりテトラフルォロエチレン樹脂、 パーフルォロ (ェチレ ン—プロピレン) 樹脂、 パーフルォロアルコキシ樹脂、 ビニリデンフルオライド樹脂、 ェ チレンーテトラフルォロエチレン樹脂、 クロ口トリフルォロエチレン樹脂等が広く知られ ている。 しかしながら、 これらの含フッ素樹脂は結晶性を有するため、 光の散乱が起こり 、 透明性が劣り、 変調駆動光 6が照射された際に融解などが生じ、 耐久性が劣る可能性が ある。
これに対して、 非結晶性の含フッ素重合体は、 結晶による光の散乱がないため、 透明性 に優れる。 含フッ素重合体としては、 C一 H結合を実質上有しない非結晶性の含フッ素重 合体であれば何ら限定されないが、 主鎖に環構造を有する含フッ素重合体が好ましい。 主 鎖に環構造を有する含フッ素重合体としては、 含フッ素脂肪族環構造、 含フッ素イミド環 構造、 含フッ素トリアジン環構造または含フッ素芳香族環構造を有する含フッ素重合体が 好ましい。 含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素重合体では含フッ素脂肪族エーテル環 構造を有するものがさらに好ましい。
含フッ素脂肪族環構造を有する重合体としては、 含フッ素環構造を有するモノマ一を重 合して得られるものや、 少なくとも 2つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマ一を環 化重合して得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体が好適である。
含フッ素脂肪族環構造を有するモノマーを重合して得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構 造を有する重合体は、 特公昭 6 3 - 1 8 9 6 4号公報等により知られている。 即ち、 パー フルォロ (2, 2—ジメチルー 1, 3—ジォキソール) 等の含フッ素脂肪族環構造を有す るモノマーを単独重合することにより、 またこのモノマーをテトラフルォロエチレン、 ク ロロトリフルォロエチレン、 パ一フルォロ (メチルビニールエーテル) などのラジカル重 合性モノマーと共重合することにより主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体が得ら れる。
また、 少なくとも 2つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを環化重合して得ら れる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体は、 特開昭 6 3 - 2 3 8 1 1 1号公報や 特開昭 6 3— 2 3 8 1 1 5号公報等により知られている。 即ち、 パーフルォロ (ァリルビ ニルエーテル) ゃパ一フルォロ (ブテ二ルビニルエーテル) 等のモノマ一を環化重合する ことにより、 またはこのようなモノマ一をテトラフルォロエチレン、 クロ口トリフルォロ エチレン、 パ一フルォロ (メチルビ二ルェ一テル) などのラジカル重合性モノマ一と共重 合することにより主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体が得られる。
また、 パーフルォロ (2 , 2—ジメチルー 1 , 3ージォキソール) 等の含フッ素脂肪族 環構造を有するモノマーとパ一フルォロ (ァリルビエルエーテル) ゃパ一フルォロ (ブテ 二ルビニルエーテル) 等の少なくとも 2つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーと を共重合することによつても主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体が得られる。 前記の含フッ素脂肪族環構造を有する重合体としては、 具体的には以下の (I ) 〜 (I V) 式から選ばれる繰り返し単位を有するものが例示される。 なお、 これらの含フッ素 ffi 肪族環構造を有する重合体中のフッ素原子は、 一部塩素原子で置換されていてもよい。
CF2
CFz -CF CF)-
(CF2 )k (CFR )n (I)
O (CF2) m
-CCF2 -CF- CF— CF2
CCF2 )k (CFR ) n (II)
〇 (CF2) rn
CF2
Figure imgf000006_0001
(IV)
Figure imgf000006_0002
[前記 (I) (I V) 式において、 kは 0~5 mは 0 4 nは 0~1 k+m+n は:!〜 6 o, p Qはそれぞれ 0~5 o + p + qは 1 6 Rは Fまたは CF3 R ! は Fまたは CF3 R2 は Fまたは CF3 X1 は Fまたは Cし X2 は F, C I , O R f または R f (R fは炭素数 1 3のパーフルォロアルキル基) である。 ]
含フッ素脂肪族環構造を有する重合体は、 主鎖に環構造を有する重合体が好適であるが 、 環構造を有する重合単位を 20モル%以上、 好ましくは 40モル%以上含有するものが 透明性、 機械的特性等の面から好ましい。
本発明において光機能性材料層 3の材料としては、 従来より空間光変調素子などの分野 において、 光照射により屈折率が変化する物質として知られている材料の中から選択して 用いることができる。 このような物質としては、 例えば特開平 5— 273503号公報中 に記載されているメチルオレンジゃメチルレッドを高分子 (ポリビニルアルコール) にド ープした材料、 液晶、 フォトリフラクティブ結晶 (チタン酸バリウム、 ケィ酸ビスマスな ど) 、 紫膜、 フォトクロミック材料、 または特開 2000— 292758号公報に記載さ れている次の式 (1) (6) で表される化合物などが挙げられる。
[DYE+]- (S〇3— )n+1 n 2
Figure imgf000007_0001
[式 (1) 中、 DYE+ は、 価のシァニン色素陽イオンを表し、 nは 1以上の整数を 表し、 R5及び R6 は、 各々独立に置換基を表し、 R7 及び R8 は、 各々独立にアルキ ル基、 アルケニル基、 アルキニル基、 ァラルキル基、 ァリール基または複素環基を表す。 R5 と R6 R5 と R7 R6 と R8 又は R7 と R8 は各々互いに連結して環を形成して もよく、 r及び sは、 各々独立に 0~4の整数を表し、 そして rと sが 2以上の場合には 、 複数の r及び sは各々互いに同じであっても異なっていてもよい。 ]
Figure imgf000007_0002
[式 (2) 中、 A1 , A2 , B1 及び B2 は置換基を表し、 L1 , L2 L3 , L 4及び L5 はメチン基を表し、 X1 は =0 =NR =C (CN) 2 を表し (ここで Rは置換基 を表す) 、 X2 は— 0 — NR — C (CN) 2 を表し (ここで Rは置換基を表す) 、 m , nは 0 2の整数を表す。 Mk+はォニゥムイオンを表す。 kは電荷数を表す。 ]
Figure imgf000007_0003
[式 (3) 中、 A1 , A2 , Β1 及び Β2 は置換基を表し、 L1 , L2 , L3, L 4及び L5 はメチン基を表し、 X1 は =0, =NR, =C (CN) 2 を表し (ここで Rは置換基 を表す) 、 X2 は— O, — NR, -C (CN) 2 を表し (ここで Rは置換基を表す) 、 m , nは 0〜2の整数を表す。 Y1 と Eは炭素環または複素環を形成するのに必要な原子ま たは原子群を表し、 Z1 と Gは炭素環または複素環を形成するのに必要な原子または原子 群を表す。 X及ぴ yはそれぞれ独立に 0または 1を表す。 Mk+はォニゥムイオンを表す 。 kは電荷数を表す。 ]
1
R30-[\ CH=CH + L3 - L4 L5--L6=L7)-C CH- CH N+ - R31 p n1 n2 q
(M1)m1
. . . (4)
[式 (4) 中、 Z1 および Z2 は 5員または 6員の含窒素複素環を形成するに必要な原子 群を表し、 R3 Q, R3 1 は各々独立にアルキル基を表し、 L3 , L4 , L5, L6 およ び L7 はメチン基を表し、 n l, n 2は各々 0〜2の整数を表し、 p, qは各々独立に 0 〜 2の整数を表し、 Mは電荷均衡対イオンを表す。 ]
Figure imgf000008_0001
[式 (5) 中、 m, nは各々独立に 0~2の整数を表し、 X1 , X2 は=NR1 または = CR2 R3 を表し (R1 , R2 , R3 は置換基を表す) 、 L1 および L2 は各々独立に 2 価の連結基を表す。 ]
Figure imgf000008_0002
[式 (6) 中、 Mは金属原子を表し、 Xは酸素原子、 硫黄原子、 または =NR2 1 を表し 、 R 2 1 は、 水素原子、 アルキル基、 ァリール基、 ァシル基、 アルキルスルホニル基、 ま たはァリールスルホニル基を表し、 Z 1 1 は 5員または 6員の含窒素複素環を完成するた めに必要な原子団を表し、 Z 1 2 は、 芳香環または複素芳香環を完成するために必要な原 子団を表す。 ]
前記式 (1 ) 〜 (6 ) の化合物は、 非晶質状態を保ち易くするために高分子化合物を併 用することが望ましい。 このような高分子化合物の例としては、 ゼラチン、 デキストラン 、 ロジン、 ゴムなどの天然高分子物質、 ニトロセルロース、 セルロースアセテート、 セル 口一スアセテートブチレ一トなどのセルロース誘導体、 ポリエチレン、 ポリスチレン、 ポ リプロピレン、 ポリイソプチレンなどの炭化水素系樹脂、 テトラフルォロエチレン樹脂、 パーフルォロ (エチレン一プロピレン) 樹脂、 含フッ素脂肪族環構造、 含フッ素イミド環 構造、 含フッ素トリアジン環構造または含フッ素芳香族環構造を有する含フッ素重合体、 ポリ塩化ビニル、 ポリ塩化ピニリデン、 ポリ塩化ビニルーポリ酢酸ビニル共重合体などの ビニル系樹脂、 ポリエ一テル、 ポリアクリルアミド、 ポリアクリル酸メチル、 ポリメタク リル酸メチルなどのァクリル樹脂、 ポリエステル、 ポリウレタン、 ポリビニルアルコール 、 塩素化ポリオレフイン、 エポキシ樹脂、 プチラール樹脂、 ゴム誘導体、 フエノール—ホ ルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期重合物などの合成高分子物質を挙げることが できる。
本発明において好適に用いることができる光機能性材料層 3の別の材料としては、 特開 2 0 0 2— 3 2 8 3 4 9号公報中に記載されている次の式 (7 ) で表される化合物が挙げ られる。
R R2 (了)
Figure imgf000009_0001
[式 (7 ) 中、 Xはビビリジニゥム基の窒素原子に対して 4位又は 2位で結合したチオフ ェニル基、 フリル基、 ピチオフェニル基、 ターチオフェニル基、 ピレニル基、 ペリレニル 基又はビニル基を表し、 1^ と R 2 はそれぞれ独立にアルキル基、 ポリ (テトラメチレン 才キシ) 基、 ヒドロキシアルキル基、 アルケニル基、 アルキニル基、 ァラルキル基、 ァリ ール基又は複素環基を表し、 Y—はクロリド、 プロミド、 ョージド、 ァニオン性置換基を もつ芳香族分子、 トリフルォロメチル基又は他の電子吸引性置換基を 1個以上有するテト ラフェニルホウ酸を表す。 ]
この式 (7 ) の化合物は前記高分子化合物に分散状態で添加し、 又は高分子化合物の主 鎖の一部又は側鎖に含めた状態で用いることが好ましい。 この式 (7 ) の化合物を分散さ せた、 又は主鎖の一部又は側鎖に含む高分子化合物は、 その溶液をスピンコート法などに よって容易に成膜することができる。 この式 (7 ) の化合物は、 変調駆動光 6として好適 なフエムト秒レーザ一光に対する耐光性に優れており、 フエムト秒レ一ザ一を用いる空間 光変調素子 1の光機能性材料層 3の耐久性が高くなり、 長寿命の空間光変調素子 1を構築 し得ることから、 本発明に用いる光機能性材料として特に好ましい。
本発明において光機能性材料は、 光照射により屈折率が変化する物質であればよい。 ま た照射する光の波長については特に制限はなく、 可視光から近赤外光まで広く選択可能で ある。 すなわち、 照射に用いる特性の波長の光を吸収して屈折率が変化する材料を光機能 性材料として選択すればよレ ^。
本発明の空間光変調素子 1において、 光機能性材料層 3の厚さは 1 0 0〜 1 0 0 0 n m 、 好ましくは 1 5 0〜1 0 0 0 n m、 より好ましくは 2 5 0 ~ 8 0 0 n mの範囲とする。 光機能性材料層 3の厚さが前記範囲であれば、 被変調光 5の変調が良好に行われ、 十分な 耐久性を得ることができ、 長寿命の空間光変調素子 1を得ることができる。
次に、 この空間光変調素子 1における光変調動作特性を説明する。
この空間光変調素子 1を用いて光変調を行うには、 図 1に示すように断面三角形をなし 第 1面に低屈折率層 4と光機能性材料層 3とを積層してあるプリズム 2の第 2面から被変 調光 5を入射する。 被変調光 5は、 入射角 0が所定の範囲内である時にプリズム 2と低屈 折率層 4との界面で反射され、 プリズムの第 3面から出射する。 この時の入射角 0の範囲 は 4 0度〜 8 5度の範囲とされ、 特に変調駆動光 6を光機能性材料層 3に照射した時に導 波モードが生成され被変調光 5が閉じ込められる角度に合わせることが好ましい。 プリズ ム 2に入射する被変調光 5の波長は特に限定されない。
この空間光変調素子 1の光機能性材料層 3に、 必要に応じて変調駆動光 6を照射すると 、 光機能性材料層 3の消衰係数 kが増加し、 この消衰係数 kの増加に伴って、 前記被変調 光 5の反射率が鋭敏に変化し、 変調駆動光 6の O N O F Fによってプリズム 2の第 3面 から出射する被変調光 5の変調が行われる。 変調駆動光 6を光機能性材料層 3に照射した 時に導波モ一ドが生成され被変調光 5が閉じ込められる角度に合わせて被変調光 5を入射 した場合、 変調駆動光 6を照射しない O F F時には、 被変調光 5の反射率が変化せず、 ほ ぼ全ての入射光がプリズム 2と低屈折率層 4との界面で反射され、 プリズム 2の第 3面か ら出射する。 一方、 光機能性材料層 3に変調駆動光 6を照射する (O N時) と、 光機能性 材料層 3の消衰係数 kが増加し、 この消衰係数 kの増加に伴って、 被変調光 5の反射率が 急落し、 プリズム 2の第 3面から出射する被変調光 5が急激に弱くなるか、 又は実質的に 無くなる。 ここで被変調光 5の反射率の急落は、 プリズム 2と低屈折率層 4との界面から 、 低屈折率層 4、 光機能性材料層 3までの間で定在波が導波モードとして生成し、 結果と して反射が見られなくなるためである。 従って、 変調駆動光 6の O N/O F Fによって、 被変調光 5の光スィツチング又は強度変調が可能である。
変調駆動光 6の O NZO F F切り換えにより生じる反射率変化は、 O N時では 1ピコ秒 以下、 O F F時では数〜数百ピコ秒以下であり、 この空間光変調素子 1により極めて高速 度の光変調が可能となる。
この空間光変調素子 1は、 従来の金属層に代えて透明な低屈折率層 4を備え、 被変調光 5をプリズム 2と低屈折率層 4との界面で反射させ、 光機能性材料 3に変調駆動光 6を必 要に応じて照射することにより、 変調駆動光 6の O NZO F Fによって被変調光 5の変調 を行うものなので、 光機能性材料層 3に照射される変調駆動光 6及び被変調光 5によって 素子が受けるダメ一ジが低減され、 フエム卜秒レーザー光などの高パワーレーザー光を用 いても長期間安定に動作し、 耐久性に優れ、 長寿命の素子を得ることができる。
また金属層に代えて透明な低屈折率層 4を備えた構成としたことで、 変調駆動光 6の O N/O F Fによってより高感度に被変調光 5の反射率が変化し、 変調応答感度が極めて高 くなり、 より高速度での変調が可能となり、 ピコ秒オーダーの応答速度を有する空間光変 調素子が実現可能となる。
さらに金属層に代えて透明な低屈折率層 4を備えた構成としたことで、 被変調光 5の入 射角と出射角が大きくなり、 変調駆動光 6が出射側に漏れ出して検出されることに起因す るノイズの発生が低減される。
図 2は本発明の空間光変調素子の第 2の実施形態を示す図である。 この空間光変調素子 7は、 図 1に示す第 1の実施形態による空間光変調素子 1とほぼ同様の構成要素を備えて 構成されており、 同じ構成要素には同一符号を付してある。 この空間光変調素子 7が第 1 の実施形態による空間光変調素子 1と異なる点は、 プリズム 2と同じ屈折率 (n l ) を持 っスライドガラス 8を用い、 このスライドガラス 8の一面側に低屈折率層 4と光機能性材 料層 3とを積層し、 そのスライドガラス 8の他面側にプリズム 2を固定し、 プリズム 2か ら入射した被変調光 5を、 スライドガラス 8と低屈折率層 4との界面で反射させるように 構成した点である。 プリズム 2とスライドガラス 8とは、 それらの材料と同じ屈折率のマ ッチング液ゃ透明樹脂接着剤を介して固定することが望ましい。
この空間光変調素子 7は、 図 1に示す第 1の実施形態による空間光変調素子 1と同様に 、 変調駆動光 6の O N/O F Fによって被変調光 5を高速度変調することが可能であり、 第 1の実施形態による空間光変調素子 1と同様の効果を得ることができる。 さらにこの空 間光変調素子 1は、 スライドガラス 8の一面側に低屈折率層 4と光機能性材料層 3とを積 層したものなので、 スピンコート法などによって低屈折率層 4と光機能性材料層 3とを形 成することが容易となり、 空間光変調素子 1が製造し易くなり、 製造コストを低下できる 他の形態としては、 プリズムではなく回折格子を用いても空間光変調素子を構成できる 以下、 実施例により本発明の作用効果をより具体的に説明する。
実施例
(従来の空間光変調素子の作製)
スライドガラス (屈折率 n 1 = 1 . 5 2 ) の一方の面に、 厚さ 5 0 n mの銀 (A g ) 薄 膜を真空蒸着法により成膜し、 この銀薄膜上に、 厚さ 6 0 0 n mの次式 (8 ) で表される P F V Iからなる光機能性材料層をスピンコート法によって成膜し、 さらにスライドガラ スの他方の面に断面三角形のガラス製プリズムを載置し、 銀薄膜を有する従来の空間光変 調素子 (以下、 A g型素子と記す。 ) を作製した。
Figure imgf000011_0001
(本発明の空間光変調素子の作製)
スライドガラス (屈折率 n 1 = 1 . 5 2 ) の一方の面に、 厚さ 4 0 0 n mの含フッ素樹 脂の薄膜をスピンコート法により成膜した。 ただしこの含フッ素樹脂としては、 パーフル ォロ (ブテ二ルビニルエーテル) を環化重合して得られた、 主鎖に脂肪族環構造を有する 含フッ素重合体 (旭硝子社製、 サイトップ (登録商標) 、 屈折率 n 2 = 1 . 3 4 ) を用い た。 この重合体は C一 H結合を有しない非結晶性の含フッ素重合体である。 この含フッ素 樹脂からなる低屈折率層上に、 厚さ 6 0 0 n mの式 (8 ) で表される P F V Iからなる光 機能性材料層をスピンコート法によって成膜し、 さらにスライドガラスの他方の面に断面 三角形のガラス製プリズム (屈折率 n 1 = 1 . 5 2 ) を載置し、 低屈折率層を有する本発 明の空間光変調素子 (以下、 本発明素子と記す。 ) を作製した。
(変調動作特性の測定)
図 3は、 前記の通り作製した A g型素子と本発明素子とのそれぞれの変調動作特性を測 定するために用いた測定系を示す構成図である。
A g型素子と本発明素子とは、 回転ステージ 1 1に固定する。 この回転ステージ 1 1は 、 被変調光 5の入射方向に対して素子 7の角度を変えることで、 素子 7の入射角 Sを適宜 調整可能になっている。
被変調光 5及び変調駆動光 6は、 フェムト秒レーザー光源 1 2から照射されたレーザ一 光を分割して用いる。 フェムト秒レーザー光源 12から照射されたレ一ザ一光は、 BBO 結晶 14により半分の波長の第 2高調波とし、 この第 2高調波をハーフミラ一 15で 2つ に分割し、 ハーフミラー 15の透過光を D2 0/H2 〇セル 16に集光し、 フェムト秒の 白色光を生成させ、 この光を可変遅延ライン 17に導いて必要なタイムラグを得るように する。 この可変遅延ライン 17から出射した光をハーフミラ一 18で 2つに分割し、 この ハーフミラ一 18の透過光を回転ステージに取り付けた素子 7のプリズムに入射する。 第 1のハーフミラー 15の反射光 (第 2高調波) は、 素子 7の光機能性材料層に照射して変 調駆動光 6とする。 素子 7から出射した被変調光は、 光ファイバ 19を通して光検出器 2 1に入射される。 第 2のハーフミラ一 18の反射光は参照光として光ファイバ 20を通し て光検出器 21に入射される。
(計算結果)
図 4~11はトランスファ一マトリックス (Transfer matrix) 法計算による検討結果 を示す。
図 4は A g型素子について計算した導波モード動作特性のグラフである。 この計算にお いて、 被変調光 5は緑色 (543 nm) の H e— N eレーザ一光を用い、 光機能性材料層 の厚さは 600 nmとしている。
この図中、 曲線 (a) は光機能性材料層として屈折率 n3 a =1. 5の材料とした場合 の被変調光 5の反射率と入射角度 Θとの関係を示し、 曲線 (b) は光機能性材料層として 屈折率 n3 b = 1. 52の材料とした場合の被変調光 5の反射率と入射角度 0との関係を 示し、 曲線 (c) は光機能性材料層として屈折率 1. 5の材料とし、 変調駆動光 6を照射 して屈折率虚部の変化を生じさせた (屈折率 n3 c =l. 5 + 0. 02 i) 場合の被変調 光 5の反射率と入射角度 Sとの関係を示す。
Ag型素子においては、 光機能性材料層の屈折率が 1. 5〜1. 52の範囲において、 入射角 Θが 45〜 50度の間に導波モードが存在し、 反射率が低下している。 変調駆動光 6の ON時 (b) , (c) と OFF時 (a) との比較から、 変調駆動光 6の〇N/0 F F の切り換えによって屈折率の実部および/または虚部を変えると、 OFF時の最小反射率 の入射角における反射率が変化していることがわかる。
図 5は本発明素子について計算した導波モ一ド動作特性のグラフであり、 図 6は図 5の 要部拡大図である。 この計算において、 被変調光 5の波長は 600 nmとしている。 光機 能性材料層に照射する変調駆動光 6の照射強度を適宜調節して光機能性材料層の屈折率変 化を調整し、 その消衰係数 kが 0. 0001〜0. 002の所定値となるように調整し、 入射角 eに対する反射率を算出している。
これらの図中、 曲線 (a) は消衰係数 kが 0. 0001の場合の反射率の変化を示し、 (b) は消衰係数 kが 0. 0002の場合の反射率の変化を示し、 (c) は消衰係数 kが 0. 0005の場合の反射率の変化を示し、 (d) は消衰係数 kが 0. 001の場合の反 射率の変化を示し、 (e) は消衰係数 kが 0. 002の場合の反射率の変化を示す。 銀薄膜に代えて低屈折率層を用いると、 かなり広い入射角の範囲で導波モードが現れる 。 この導波モードのうち、 最も反射率変化が著しい入射角 0 = 72. 5〜73. 0度の範 囲にある導波モードを対象として、 消衰係数 kを適宜変化させた場合の反射率の変化を計 算した結果、 図 6に示すように、 消衰係数 kの僅かな増加によって反射率が急減する特徴 が見られる。 前述した Ag型素子にあっては、 消衰係数 kの増加に伴って、 反射率は上昇 しており、 本発明素子は消衰係数 kの小さい領域での変化に対して A g型素子と逆の応答 を示す。
図 7は、 Ag型素子 (一口一) と本発明素子 (一〇一) とのそれぞれの消衰係数 kと反 射率との関係を示すグラフである。 図 7からわかるように、 A g型素子に比べて本発明素子では、 光機能性材料層の消衰係 数 kの増加に対して、 より高感度に反射率が変化している。 本発明素子では、 消衰係数 k の上昇に伴い、 初期の急激な反射率低下領域と、 それに続くやや緩やかな反射率増加領域 とがある。
また実際にフタロシアニン色素を種々の濃度で高分子に分散して薄膜を形成し、 可視か ら近赤外域の波長において反射率を測定した。 吸光度と膜厚から評価した消衰係数 kに対 して反射率の実測値をプロットすることにより、 図 7の計算結果が正しいことが確認され た。 この結果から、 単なる吸収変化を用いる系に比べて、 特に吸収変化の小さな領域で本 発明素子では相対的に大きな光強度変化を実現できることが示された。 具体例としては、 光機能性材料層を 3 0 0 n m、 サイトップ層を 7 0 0 n mとし、 波長を 6 3 2 . 8 n mと した条件で測定したところ、 消衰係数 kが 0 . 0 0 1の時、 最大で 1 6 0 0倍の光強度変 化が観測された。 このことから、 本発明の素子を用いると低パワーの変調駆動光での変調 が可能であることが示された。
図 8は本発明素子において、 低屈折率層の膜厚を 1 0 0〜8 0 0 n mの間で変化させた 場合の消衰係数 kと反射率との関係を示すグラフである。
本発明素子において、 消衰係数 kの変化に対する反射率の変化挙動は、 低屈折率層の膜 厚に著しく依存し、 その膜厚が大きいと消衰係数 kの値が小さい方で反射率の急減とそれ に続く増加の傾向を示す。 一方、 低屈折率層の膜厚が小さいと、 消衰係数 kの値が小さい 方で反射率が急減する現象が見られなくなる。 この結果から、 本発明素子において、 実際 の消衰係数 kの変化との関係で最適な膜厚を選択することで、 高感度な光変調素子が得ら れることがわかる。
図 9は本発明素子において、 低屈折率層の屈折率実部 nを変化させた (n = l . 2 9〜 1 . 4 5 ) 場合の入射角 0と反射率との関係を示すグラフである。
また図 1 0は屈折率実部 nが 1 . 4 5の低屈折率層とした本発明素子において、 消衰係 数 kの値を変化させた場合の入射角 Θと反射率との関係を示すグラフである。
これらの図から、 低屈折率層の屈折率実部 nは、 1 . 2 9〜1 . 4 5の範囲のもので導 波モードが形成されることがわかる。 また屈折率実部 nが小さいと、 入射角 Sが低角度側 に、 nが大きいと広角度側にシフトする。 それぞれにおけるモード入射角幅も屈折率実部 nに依存している。
図 1 1は本発明素子において、 厚さ 4 0 0 n mの低屈折率層の屈折率実部 nを変化させ た (n = l . 2 9〜1 . 4 5 ) 場合の消衰係数 kと反射率との関係を示すグラフである。 本発明素子において、 消衰係数 kの変化に対する反射率の変化挙動は、 低屈折率層の屈 折率実部 nに著しく依存しており、 nが小さいと kの値が小さい方で反射率の急減とそれ に続く増加を示す。 この結果から、 本発明素子において、 実際の消衰係数 kの変化との関 係で最適な低屈折率層の屈折率を選択することで、 高感度な光変調素子が得られることが わかる。
以上の計算結果から、 本発明素子においても A g型素子と同様に、 nあるいは kの変化 で強度変調、 nの変化で位相変調が可能であることがわかる。
(測定結果)
スライドガラス (屈折率 n 1 = 1 . 5 2 ) の一方の面に、 厚さ 3 0 0 n mの含フッ素樹 脂 (旭硝子社製、 サイトップ (登録商標) 、 屈折率 n 2 = 1 . 3 4 ) を環化重合して得ら れた主鎖に脂肪族環構造を有する含フッ素重合体の薄膜をスピンコート法により成膜し、 この含フッ素樹脂からなる低屈折率層上に、 式 (8 ) で表される P F V Iをスピンコート 法によって積層し、 厚さ 2 2 0 n m又は 4 0 0 n mの光機能性材料層とし、 この低屈折率 層 + P F V I層積層体の光吸収、 反射特性を調べた。 図 12〜 17は、 前記低屈折率層 + P F V I層積層体を用いて測定した光吸収、 反射特 性の実測デ一夕である。
図 12は、 厚さ 2201 111の ?¥ I層のみを波長 400 nmのフェムト秒レーザ一光 で励起した際の過渡吸収スぺクトルを示すグラフである。
図 13は、 厚さ 220 nmの P F V I層のみを波長 400 nmのフエムト秒レーザ一光 で励起した際の 630 nmでの過渡吸収の経時変化を示すグラフである。
図 14は、 厚さ 220 nmの P FV I層と低屈折率層との積層体を波長 40 Onmのフ ェムト秒レーザ一光 (入射角 0 = 65度) で励起した際の過渡反射スペクトルを示すダラ フである。
図 15は、 厚さ 220 nmの PFV I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフ ェムト秒レーザ一光 (入射角 0 = 65度) で励起した際の 680 nmでの反射強度の経時 変化を示すグラフである。
図 16は、 厚さ 220 nmの PFV I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフ ェムト秒レ一ザ一光で励起した直後の異なる入射角での過渡反射及び P FV I層のみでの 過渡吸収スぺクトルを示すグラフである。
図 17は、 厚さ 400 nmの P F V I層と低屈折率層との積層体を波長 400 nmのフ ェムト秒レーザー光で励起した直後の異なる入射角での過渡反射及び P FV I層のみでの 過渡吸収スぺクトルを示すグラフである。
図 12〜17に示したグラフから、 光電子移動により可視〜近赤外域で超高速変化を示 す PFV I層積層体において、 フェムト秒レーザー励起 (40 O nm) 時にフェムト秒白 色光スペクトル反射率の一時的な変化が繰り返しが確認された。 よって、 この積層体の超 高速動作と耐久性が確認された。
また過渡反射率変化スペクトルのピークは、 入射角 Θあるいは光機能性材料層 (PFV I層) の膜厚に依存し、 広角度入射条件あるいは厚い膜では短波長側にシフトした。 よつ て、 この積層体においてフェムト秒レ一ザ一による導波モードが存在することが確認され た。
低屈折率層との積層体の反射率の変化は、 同じ励起光強度で低屈折率層が存在しない透 過率の変化に比べて、 10倍以上大きかった。
また現在観測されている反射率変化は、 ON時は 1ピコ秒以下、 OFF時は数〜数百ピ コ秒である。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 フエムト秒レーザー光などの極短パルスの高パワーレーザー光を用い ても長期間安定に動作し、 耐久性に優れ、 長寿命の空間光変調素子が提供できる。

Claims

請求の範囲
1 . 誘電体と、 光照射によって屈折率が変化する光機能性材料からなる光機能性材料層 との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈折率層を介 在させてなることを特徴とする空間光変調素子。
2 . 誘電体と、 光照射によって屈折率が変化する光機能性材料からなる光機能性材料層 との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈折率層を介 在させてなり、 前記誘電体と低屈折率層との界面で誘電体を通して入射される被変調光の 反射が変調駆動光により制御されるように構成したことを特徴とする空間光変調素子。
3 . 前記低屈折率層が有機材料からなることを特徴とする請求項 1または 2に記載の空 間光変調素子。
4 . 前記低屈折率層が含フッ素樹脂からなることを特徴とする請求項 1、 2または 3に 記載の空間光変調素子。
5 · 前記含フッ素樹脂が C一 H結合を有しない非結晶性の含フッ素重合体からなること を特徴とする請求項 4に記載の空間光変調素子。
6 . 誘電体と、 光照射によつて屈折率が変化する光機能性材料からなる光機能性材料層 との間に、 前記誘電体の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明材料からなる低屈折率層を介 在させてなる空間光変調素子を用い、
前記誘電体と低屈折率層との界面で誘電体を通して入射される被変調光の反射を変調駆 動光により制御することを特徴とする空間光変調方法。
7 . 前記変調駆動光による被変調光の反射の制御が、 被変調光の反射と、 導波モードに よる被変調光の閉じこめとの組み合わせであることを特徴とする請求項 6に記載の空間光 変調方法。
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