WO2005004244A2 - Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement - Google Patents

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Norbert Linder
Bernd Mayer
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    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer

Definitions

  • the invention relates to a radiation-emitting semiconductor component with a layer structure which contains an n-doped confinement layer, a p-doped confinement layer, and an active, photon-emitting layer arranged between the n-doped confinement layer and the p-doped confinement layer.
  • the confinement layers are material layers or material layer sequences which are able to restrict charge carriers to an active zone of the layer structure which generates photons.
  • the term “confinement layer” includes both a single material layer and a sequence of material layers that comprise the function of a confinement layer.
  • the term “photon-emitting layer” includes both a single material layer and a material layer sequence that in the It is able to emit photons during operation.
  • the highest possible n-doping in the confinement layers is aimed at in order to minimize charge carrier losses due to leakage currents.
  • a sharp drop in the doping at the edge of the waveguide of a laser diode is desirable in order to avoid increased absorption of the laser mode.
  • the electrical, optical and / or electro-optical quality of the active layer is often insufficient.
  • other dopants are used that improve the electrical or optical quality of the active ones
  • the present invention is based on the object of specifying a radiation-emitting semiconductor component of the type mentioned at the outset, which has improved electrical and / or optical quality of the active layer and / or high efficiency.
  • the n-doped confinement layer is doped with a first n-dopant, in particular to produce a high active doping and a sharp doping profile, and the active layer with a second n-dopant different from the first dopant.
  • Dopant is doped in particular to improve the layer quality of the active layer.
  • the invention is therefore based on the idea of using two different n-dopants which are installed at different points in the layer structure, so that the different properties of the two dopants can be used locally in a targeted manner.
  • the first n-dopant is chosen so that it allows the highest possible active doping of the confinement layer and a sharp doping profile.
  • the active layer is doped with a second n-dopant, which is suitable for improving the electrical and / or optical quality of the active layer.
  • the suppression of order effects such as that from KL Chang et al. , J. Appl. Phys. 92, 6582 (2002) are known, or the suppression of non-radiating centers.
  • the n-doped confinement layer is doped both with the first n-dopant and with a further dopant, in particular with the second n-dopant.
  • the active doping can be increased up to the sum of the two active dopant concentrations.
  • the advantage of the high achievable doping and the sharp doping profile is retained.
  • the semiconductor component is a light-emitting diode.
  • the active layer of the light-emitting diode can be formed by a homogeneous layer or by a quantum well or a multiple quantum well.
  • the semiconductor component is an edge-emitting laser diode in which a first waveguide layer is arranged between the active layer and the n-doped confinement layer and a second waveguide layer is arranged between the active layer and the p-doped confinement layer.
  • the first waveguide layer of the laser diode can be undoped or, like the active layer, can be doped with the second n-dopant. However, it can also be doped with both n-dopants or only with the first n-dopant.
  • the second waveguide layer is preferably undoped.
  • Silicon is preferably used as the first n-dopant, since silicon can be used to set both very high n-dopants and a sharply falling dopant profile.
  • Tellurium is preferably used as the second n-dopant. It was surprisingly found that tellurium has the property of suppressing undesired ordering effects in the active layer or generally improving the optical-electrical quality of the active layer. On the other hand, tellurium diffuses very strongly during epitaxial growth, so that the use of tellurium as the only dopant leads to components with comparatively low efficiency both for the confinement layer and for the active layer.
  • the p-doped confinement layers of the laser diodes or light-emitting diodes are preferably doped with magnesium or zinc.
  • the invention can be used with particular advantage in the case of radiation-emitting semiconductor components, the layer structure of which is formed on the basis of AlInGaP.
  • the invention can also be used advantageously in layer structures based on other material systems, such as AlGaAs, In-GaAlAs or InGaAsP, in which order effects can occur or in which the electrical and / or optical quality of the active layer by a dopant can be influenced.
  • other material systems such as AlGaAs, In-GaAlAs or InGaAsP, in which order effects can occur or in which the electrical and / or optical quality of the active layer by a dopant can be influenced.
  • the group of such layer structures based on AlInGaP primarily includes any III / V- suitable for a radiation-emitting semiconductor component.
  • Ill / V compound semiconductor structure of the type mentioned at the outset, which has a layer sequence of different individual layers and which contains at least one single layer that an Ill / V compound semiconductor material from the material system Al x In y Gax- x . y P with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ 1.
  • Such an Ill / V compound semiconductor structure can have, for example, a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure).
  • SQL structure single quantum well structure
  • MQW structure multiple quantum well structure
  • the concentration of the different dopants in the component structures can be set using a specified temperature profile.
  • Figure 1 is a schematic representation of a sectional view of a laser diode according to an embodiment of the invention.
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a light emitting diode according to another embodiment of the invention. At this point it should be expressly pointed out that the layer structures and layer thickness relationships in the figures are not shown to scale.
  • the first exemplary embodiment of the invention shown in a schematic sectional view in FIG. 1 is an edge-emitting laser diode layer structure 10 based on AlInGaP.
  • a layer sequence based on AlInGaP is grown on a silicon-doped GaAs substrate 12.
  • This layer sequence based on AlInGaP comprises: an n-doped In 0 .s (Al x Ga ⁇ _ x ) 0 .sP confinement layer 14, which is preferably n-doped with silicon, on the GaAs substrate 12, one from the perspective of the GaAs -Substrate 12 of the n-doped confinement layer 14 first In 0 . 5 (Al x Ga ⁇ _ x ) 0 .5P waveguide layer 16, which is undoped, one from the perspective of the GaAs substrate 12 of the undoped In 0 . 5 (Al x Ga ⁇ - x ) 0 .
  • index variables x, y and z O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and O ⁇ z ⁇ l.
  • the first n-type dopant for the n-doped In 0 .5 (Al ⁇ Ga! _ X) 0.5P- confinement layer 14 is in this first exemplary embodiment play silicon used. This means that in the n-doped In 0 . 5 (AI ⁇ Ga ! _ X ) o.sP confinement layer 14 achieves an advantageously high n-doping and also a doping profile with a sharp drop.
  • the tellurium doping suppresses undesired ordering effects in the crystal structure of the active layer.
  • the first In 0 . 5 (Al x Gax- x ) o.sP waveguide layer 16 also doped with tellurium.
  • the doping of the waveguide layer advantageously further reduces the charge carrier losses or increases the efficiency of the component.
  • the n-doped In is 0 . 5 (Al x Ga 1-x ) o.sP confinement layer 14, in contrast to the first exemplary embodiment, not only with one but with both n-dopants, that is to say doped with both the first and the second n-dopant used ideally to increase the total active dopant concentration up to the sum of the two dopant concentrations.
  • the first in 0 . 5 (Al x Ga ⁇ _ x ) o.sP waveguide layer 16 can be undoped, also doped with tellurium or with silicon and tellurium.
  • the fourth exemplary embodiment of the invention shown in a schematic sectional view in FIG. 2 is a light-emitting diode layer structure 30 based on AlInGaP, which has been grown on a silicon-doped GaAs substrate 32.
  • This layer sequence 30 based on AlInGaP comprises: an n-doped In 0.5 (Al x Ga ⁇ _ x ) 0 .sP confinement layer 34, which is preferably n-doped with silicon, on the GaAs substrate 12, one from the GaAs perspective Substrate 12 of the n-doped In 0 . 5 (Al x Ga x - x ) o.sP confinement layer 34 downstream n-doped active In 0 . 5 (Al y Ga ⁇ _ y ) 0 .sP layer 36, which is preferably n-doped with tellurium, and one from the perspective of the GaAs substrate 12 of the n-doped active In 0 .
  • the active layer can represent both a homogeneous layer and be formed by a quantum well or a multiple quantum well structure.
  • silicon is used with a correspondingly advantageous effect in the light-emitting diode as the first n-dopant for the n-confinement layer 34 and as the second dopant for the active layer 36 tellurium.
  • the invention is of course not limited to the exemplary embodiment by means of the exemplary embodiment. Rather, the invention encompasses every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of individual features of the different patent claims or the different exemplary embodiments, even if the relevant feature or the relevant combination itself is not explicitly specified in the patent claims or exemplary embodiments.

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Abstract

Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht, eine p-dotierte Confinementschicht, und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht und der p- dotierten Confinementschicht angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht enthält.
Die Confinementschichten sind vorliegend Materialschichten oder Materialschichtabfolgen, die in der Lage sind, Ladungsträger auf eine Photonen erzeugende aktive Zone der Schicht- Struktur zu beschränken.
Unter den Begriff „Confinementschicht" fällt im vorliegenden Zusammenhang sowohl eine einzelne Materialschicht als auch eine Materialschichtabfolge, die die Funktion einer Confine- mentschicht umfasst . Analog fällt unter den Begriff „Photonen emittierende Schicht" sowohl eine einzelne Materialschicht als auch eine Materialschichtabfolge, die in der Lage ist, im Betrieb Photonen zu emittieren.
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der Deutschen Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 103 29 079.6 (Prioritätsdatum: 27.06.2003) in Anspruch, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug in diese Anmeldung aufgenommen wird.
Bei Laserdioden und Leuchtdioden auf der Basis von AlInGaP, aber auch bei anderen MaterialSystemen, wird eine möglichst hohe n-Dotierung in den Confinementschichten angestrebt, um Ladungsträgerverluste durch Leckströme zu minimieren. Gleich- zeitig ist ein scharfer Abfall der Dotierung am Rand des Wellenleiters einer Laserdiode wünschenswert, um eine erhöhte Absorption der Lasermode zu vermeiden. Werden diese Bedingun- gen erfüllt, so ist allerdings oft die elektrische, optische und/oder elektrooptische Qualität der (gegebenenfalls mit dem n-Dotierstoff dotierten) aktiven Schicht ungenügend. Werden dagegen andere Dotierstoffe verwendet, die zu einer Verbesse- rung der elektrischen bzw. optischen Qualität der aktiven
Schicht führen, ergeben sich andere Nachteile, wie etwa eine geringere Effizienz der hergestellten Bauelemente.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art anzugeben, das eine verbesserte elektrische und/oder optische Qualität der aktiven Schicht und/oder eine hohe Effizienz aufweist.
Diese Aufgabe wird durch ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst .
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis 13.
Bei einem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung ist vorgesehen, dass die n-dotierte Confinementschicht mit einem ersten n-Dotierstoff insbesondere zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht mit einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n- Dotierstoff insbesondere zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht dotiert ist.
Die Erfindung beruht somit auf dem Gedanken, zwei unterschiedliche n-Dotierstoffe einzusetzen, die an unterschiedlichen Stellen der Schichtstruktur eingebaut werden, so daß die unterschiedlichen Eigenschaften der beiden Dotierstoffe ge- zielt lokal ausgenutzt werden können. Der erste n-Dotierstoff ist dabei so gewählt, daß er eine höchstmögliche aktive Dotierung der Confinementschicht und ein scharfes Dotierprofil erlaubt. Die aktive Schicht wird hingegen mit einem zweiten n-Dotierstoff dotiert, die geeig- net ist, die elektrische und/oder optische Qualität der aktiven Schicht zu verbessern. Als Verbesserung kommt dabei insbesondere die Unterdrückung von Ordnungseffekten, wie sie beispielsweise aus K. L. Chang et al . , J. Appl . Phys . 92, 6582 (2002) bekannt sind, oder die Unterdrückung von nicht- strahlenden Zentren in Betracht.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht sowohl mit dem ersten n-Dotierstoff als auch mit einem weiteren Dotierstoff, insbesondere mit dem zweiten n-Dotierstoff dotiert ist. Dadurch kann eine Erhöhung der aktiven Dotierung bis zur Summe der beiden aktiven Dotierstoffkonzentrationen erzielt werden. Zugleich bleibt der Vorteil der hohen erreichbaren Dotierung und des scharfen Dotierprofils erhalten.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung stellt das Halbleiterbauelement eine Leuchtdiode dar. Die aktive Schicht der Leuchtdiode kann dabei durch eine homogene Schicht oder durch einen Quantentopf oder einen Mehrfachquantentopf gebil- det sein.
Bei einer anderen bevorzugten Weiterbildung der Erfindung stellt das Halbleiterbauelement eine kantenemittierende Laserdiode dar, bei der zwischen der aktiven Schicht und der n- dotierten Confinementschicht eine erste Wellenleiterschicht und zwischen der aktiven Schicht und der p-dotierten Confinementschicht eine zweite Wellenleiterschicht angeordnet ist.
Die erste Wellenleiterschicht der Laserdiode kann undotiert oder wie die aktive Schicht mit dem zweiten n-Dotierstoff dotiert sein. Sie kann aber auch mit beiden n-Dotierstoffen o- der nur mit dem ersten n-Dotierstoff dotiert sein. Die zweite Wellenleiterschicht ist vorzugsweise undotiert.
Als erster n-Dotierstoff wird bevorzugt Silizium eingesetzt, da sich mit Silizium sowohl sehr hohe n-Dotierungen als auch ein scharf abfallendes Dotierstoffprofil einstellen lassen.
Als zweiter n-Dotierstoff wird bevorzugt Tellur eingesetzt. Es wurde überraschend herausgefunden, daß Tellur die Eigen- schaft hat, unerwünschte Ordnungseffekte in der aktiven Schicht zu unterdrücken bzw. allgemein die optischelektrische Qualität der aktiven Schicht zu verbessern. Auf der anderen Seite diffundiert Tellur während des epitaktischen Wachstums sehr stark, so daß der Einsatz von Tellur als einzigem Dotierstoff sowohl für die Confinementschicht als auch für die aktive Schicht zu Bauteilen mit vergleichsweise niedriger Effizienz führt.
Die p-dotierten Confinementschichten der Laserdioden oder Leuchtdioden sind bevorzugt mit Magnesium oder Zink dotiert.
Die Erfindung läßt sich mit besonderem Vorteil bei strah- lungsemittierenden Halbleiterbauelementen einsetzen, deren Schichtstruktur auf Basis von AlInGaP gebildet ist.
Darüber hinaus kann die Erfindung auch bei Schichtstrukturen auf Basis von anderen Materialsystemen, wie etwa AlGaAs, In- GaAlAs oder InGaAsP vorteilhaft verwendet werden, bei denen Ordnungseffekte auftreten können oder bei denen die elektri- sehe und/oder optische Qualität der aktiven Schicht durch einen Dotierstoff beeinflußbar ist.
Unter die Gruppe von derartigen Schichtstrukturen auf der Basis von AlInGaP fällt in erster Linie jede für ein strah- lungsemittierendes Halbleiterbauelement geeignete III/V-
Verbindungshalbleiterstruktur der eingangs genannten Art, die eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist und die mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Ill/V-Verbindungshalbleiter-material aus dem Materialsystem AlxInyGax-x.yP mit O ≤ x ≤ l, O ≤ y ≤ l und x+y < 1, aufweist. Eine solche Ill/V-Verbindungshalbleiterstruktur kann beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-QuantentopfStruktur (SQW- Struktur) oder eine Mehrfach-QuantentopfStruktur (MQW- Strukur) aufweisen. Solche Strukturen sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher er- läutert .
Analoges gilt für Schichtstrukturen auf Basis von AlGaAs, In- GaAlAs oder InGaAsP.
Beim Einbringen der Dotierstoffe kann gegebenenfalls ein unterschiedliches Einbauverhalten der Dotierstoffe in Abhängigkeit von der Wachstumstemperatur ausgenutzt werden. Beispielsweise erhöht sich der Einbau von Silizium mit steigender Wachsturnstemperatur, während sich der Tellureinbau ver- ringert . So kann die Konzentration der verschiedenen Dotierstoffe in den BauteilStrukturen über ein vorgegebenes Temperaturprofil eingestellt werden.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Zeichnungen.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Schnittansicht einer Laserdiode nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Figur 2 eine schematische Schnittansicht einer Leuchtdiode nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. Es sei an dieser Stelle ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die Schichtstrukturen und Schichtdickenrelationen in den Figuren nicht maßstabsgerecht dargestellt sind.
Erstes Ausführungsbeispiel :
Das in Figur 1 in schematischer Schnittansicht dargestellte erste Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine kantenemittierende Laserdioden-Schichtstruktur 10 auf Basis von AlInGaP.
In der schematischen Darstellung der Figur 1 sind nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Schichten dargestellt. Es versteht sich jedoch, daß weitere Schichten, wie etwa Pufferschichten, Zwischenschichten, Kontaktschichten, Rampen und dergleichen ebenfalls vorhanden sein können.
Bei der Laserdioden-Schichtstruktur 10 ist auf ein Siliziumdotiertes GaAs-Substrat 12 eine Schichtenfolge auf Basis von AlInGaP aufgewachsen.
Diese Schichtenfolge auf Basis von AlInGaP umfaßt: eine n-dotierte In0.s (AlxGaι_x) 0.sP-Confinementschicht 14, die vorzugsweise mit Silizium n-dotiert ist, auf dem GaAs- Substrat 12, eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der n-dotierten Confinementschicht 14 nachgeordnete erste In0.5 (AlxGaι_x) 0.5P- Wellenleiterschicht 16, die undotiert ist, eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der undotierten In0.5 (AlxGaι-x) 0.5P-Wellenleiterschicht 16 nachgeordnete Tel lur-dotierte aktive InzGaι-zP-Schicht 18 , eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der Tellur-dotierten aktiven InzGaι-zP-Schicht 18 nachgeordnete zweite In0.5 (AlyGa!_y) o .sP-Wellenleiterschicht 20 , die undotiert ist , und eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der zweiten In0.5 (AlyGax-y) o .sP-Wellenleiterschicht 20 nachgeordnete p- dotierte In0.5 (AlxGaι-.x) o.sP-Confinementschicht 22, die vorzugsweise mit Magnesium und/oder Zink p-dotiert ist.
Für die Index-Variablen x, y und z gilt hier: O≤x≤l, O≤y≤l und O≤z≤l.
Als erster n-Dotierstoff für die n-dotierte In0.5 (AlχGa!_x) 0.5P- Confinementschicht 14 wird bei diesem ersten Ausführungsbei- spiel Silizium verwendet. Damit wird in der n-dotierten In0.5 (AIχGa!_x) o.sP-Confinementschicht 14 eine vorteilhaft hohe n-Dotierung und zudem ein Dotierprofil mit einem scharfen Abfall erreicht .
Als zweiter Dotierstoff für die aktive InzGa!-z -Schicht 18 Schicht dient Tellur, das zur Ausbildung einer aktiven
Schicht mit einer vorteilhaft hohen elektrischen und optischen Qualität dient. Insbesondere werden durch die Tellur- Dotierung unerwünschte Ordnungseffekte im Kristallgefüge der aktiven Schicht unterdrückt.
Zweites Ausführungsbeispiel :
Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung (vgl. e- benfalls Figur 1) , wiederum eine kantenemittierende Laserdioden-Schichtstruktur auf Basis von AlInGaP, ist im Unterschied zum oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel die erste In0.5 (AlxGax-x) o.sP-Wellenleiterschicht 16 ebenfalls mit Tellur dotiert. Damit ergibt sich eine Schichtenabfolge, bei der auf dem Silizium-dotierten GaAs-Substrat 12 eine mit Silizium n- dotierte In0.5 (AlxGaι_x) o.sP-Confinementschicht 14, eine mit Tellur n-dotierte erste In0.5 (AlxGaχ_x) o.sP-Wellenleiterschicht 16, eine mit Tellur n-dotierte aktive InzGa^P-Schicht 18, eine undotierte zweite In0.5 (AlyGaι_y) o.sP-Wellenleiterschicht 20 und eine mit Magnesium oder Zink p-dotierte In0.5 (AlxGa_ x) o.sP-Confinementschicht 22 aufgewachsen sind. Optional kann die erste In0.5 (AlxGaι_x) o.sP-Wellenleiterschicht 16 zusätzlich mit Silizium dotiert sein.
Durch die Dotierung der Wellenleiterschicht werden vorteil- hafterweise die Ladungsträgerverluste weiter verringert bzw. die Effizienz des Bauelements erhöht.
Drittes Ausführungsbeispiel
Bei einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung (vgl. e- benfalls Figur 1) , wiederum eine kantenemittierende Laserdioden-Schichtstruktur auf Basis von AlInGaP, ist die n-dotierte In0.5 (AlxGa1-x) o.sP-Confinementschicht 14 im Unterschied zum ersten Ausfuhrungsbeispiel nicht nur mit einem, sondern mit beiden n-Dotierstoffen, das heißt sowohl mit dem ersten als auch mit dem zweiten eingesetzten n-Dotierstoff dotiert, um vorteilhafterweise die gesamte aktive Dotierstoffkonzentrati- on im Idealfall bis auf die Summe der beiden Dotierstoffkon- zentrationen zu erhöhen.
Die erste In0.5 (AlxGaι_x) o.sP-Wellenleiterschicht 16 kann dabei undotiert, ebenfalls mit Tellur oder auch mit Silizium und Tellur dotiert sein.
Insgesamt ist damit bei diesem Beispiel auf dem Siliziumdotierten GaAs-Substrat 12 eine Schichtenfolge aufgewachsen, die folgende Schichten aufweist:
- eine mit Silizium und Tellur n-dotierte In0.5 (AlxGa!-x) 0.5P- Confinementschicht 14, eine undotierte oder mit Tellur n-dotierte erste In0.5 (AlxGaι_χ) o.sP-Wellenleiterschicht 16, eine mit Tellur n-dotierte aktive InzGaι-zP-Schicht 18, eine undotierten zweite In0.5 (AlyGaι-y) 0.5P- Wellenleiterschicht 20 und
- eine mit Magnesium oder Zink p-dotierte In0.5 (AlxGax-x) 0.5P- Confinementschicht 22. Wie bei dem ersten Ausfuhrungsbeispiel wird also als erster n-Dotierstoff Silizium und als zweiter n-Dotierstoff Tellur verwendet. Daraus resultieren wiederum die oben bereits ge- schilderten Vorteile.
Viertes Ausführungsbeispiel :
Das in Figur 2 in schematischer Schnittansicht dargestellte vierte Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Leuchtdioden-Schichtstruktur 30 auf Basis von AlInGaP, die auf einem Silizium-dotierten GaAs-Substrat 32 aufgewachsen ist.
Diese Schichtenfolge 30 auf Basis von AlInGaP umfaßt: eine n-dotierte In0.5 (AlxGaι_x) 0.sP-Confinementschicht 34, die vorzugsweise mit Silizium n-dotiert ist, auf dem GaAs- Substrat 12, eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der n-dotierten In0.5 (AlxGax-x) o.sP-Confinementschicht 34 nachgeordnete n- dotierte aktive In0.5 (AlyGaι_y) 0.sP-Schicht 36, die vorzugsweise mit Tellur n-dotiert ist, und eine aus Sicht des GaAs-Substrats 12 der n-dotierten aktiven In0.5 (AlyGai.y) 0.5P-Schicht 36, nachgeordnete p-dotierte In0.5 (AlxGaι_x) o.sP-Confinementschicht 38, die vorzugsweise mit Magnesium und/oder Zink p-dotiert ist.
Die aktive Schicht kann dabei sowohl eine homogene Schicht darstellen, als auch durch einen Quantentopf- oder eine Mehr- fachquantentopf-Struktur gebildet sein.
Wie bei den vorangehenden Ausführungsbeispielen wird also mit entsprechend vorteilhafter Wirkung bei der Leuchtdiode als erster n-Dotierstoff für die n-Confinementschicht 34 Silizium und als zweiter Dotierstoff für die aktive Schicht 36 Tellur verwendet . Es versteht sich, daß die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein können.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht durch die beispielhafte Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von einzelnen Merkmalen der verschiedenen Patentansprüche oder der verschiedenen Ausführungsbeispiele untereinander beinhaltet, auch wenn das betreffende Merkmal oder die betreffende Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die
- eine n-dotierte Confinementschicht (14; 34),
- eine p-dotierte Confinementschicht (22; 38), und
- eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14; 34) und der p-dotierten Confinementschicht (22; 38) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18; 36) enthält, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
- die n-dotierte Confinementschicht (14; 34) mit einem ersten n-Dotierstoff zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und/oder eines scharfen Dotierprofils dotiert ist und - die aktive Schicht (18; 36) mit einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht dotiert ist.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der erste n-Dotierstoff zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und/oder eines scharfen Dotierprofils dient.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch
1 oder 2 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zweite n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18; 36) dient. . Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die n-dotierte Confinementschicht (14; 34) sowohl mit dem ersten n-Dotierstoff als auch mit einem weiteren Dotierstoff, insbesondere mit dem zweiten n-Dotierstoff dotiert ist.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Halbleiterbauelement eine Leuchtdiode (30) darstellt.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die aktive Schicht (36) der Leuchtdiode durch eine homogene Schicht gebildet ist.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die aktive Schicht (36) der Leuchtdiode durch einen Quantentopf oder einen Mehrfachquantentopf gebildet ist.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Halbleiterbauelement eine Laserdiode (10) darstellt, bei der zwischen der aktiven Schicht (18) und der n-dotierten Confinementschicht (14) eine erste Wellenleiterschicht (16) und zwischen der aktiven Schicht (18) und der p-dotierten Confinementschicht (22) eine zweite Wellenleiterschicht (20) angeordnet ist.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die erste Wellenleiterschicht (16) undotiert ist.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 8 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die erste Wellenleiterschicht (16) mit dem zweiten n- Dotierstoff dotiert ist.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die zweite Wellenleiterschicht (20) undotiert ist.
12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als erster n-Dotierstoff Silizium eingesetzt wird.
13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als zweiter n-Dotierstoff Tellur eingesetzt wird.
14. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die p-dotierte Confinementschicht (22; 38) mit Magnesium, Kohlenstoff oder Zink dotiert ist.
15. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Schichtstruktur (14-22; 34-38) auf Basis von AlInGaP, AI- GaAs, InGaAlAs oder InGaAsP gebildet ist.
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