WO2017041871A1 - Infrarot-led - Google Patents

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WO2017041871A1
WO2017041871A1 PCT/EP2016/001348 EP2016001348W WO2017041871A1 WO 2017041871 A1 WO2017041871 A1 WO 2017041871A1 EP 2016001348 W EP2016001348 W EP 2016001348W WO 2017041871 A1 WO2017041871 A1 WO 2017041871A1
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infrared led
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led according
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Daniel Fuhrmann
Matthias Meusel
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Azur Space Solar Power Gmbh
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    • H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials

Definitions

  • the invention relates to an infrared LED
  • the epitaxial structure of the infrared LED can be optimized in different ways.
  • An infrared LED with an epitaxial structure is known from DE 10 2010 014 667 A1, which has a 500 nm thick current spreading layer made of one or more p-doped AIGaAs layers between a carrier layer and a p-doped cladding layer.
  • an infrared LED epitaxial structure which has in addition to a plurality of semiconductor layers of compounds of the III-V group to increase the efficiency of a highly reflective metal layer as a reflector.
  • the object of the invention is to provide a device which further develops the prior art.
  • an infrared LED comprises a monolithic, staple-shaped and epitaxially grown structure comprising an n-doped base substrate comprising GaAs, a lower cladding layer, an active layer for generating infrared radiation, an upper cladding layer, a current distribution layer and an upper contact layer, wherein the layers are arranged in said order, and wherein between the upper cladding layer and the current distribution layer, a first tunnel diode is arranged, and wherein the current distribution layer predominantly an n-doped Ga-containing layer having a Ga content> 1 % having.
  • the active layer is preferably formed as a MQW layer, it is preferable to the active layer as an In x Ga x As / GaASi y P y multiple quantum well structure with 0.1 ⁇ x ⁇ 0, 2 and 0.1 ⁇ y ⁇ 0.3. It is further noted that the MQW layer includes one or more layers, and the one or more MQW layers have a smaller bandgap energy than the lower and / or upper cladding layers.
  • an MQW layer is a multiple quantum well structure (Multi Quantum Wells or MQW), the designation quantum well structure containing no information about the dimensionality of the quantization.
  • the term quantum well structure includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots and also any combination of the aforementioned structures. It is understood that infrared light is generated within the MQW structure, provided that a suitable voltage is applied to the two contact layers. The light extraction preferably takes place through the upper contact layer.
  • the lower cladding layer preferably has an n-doping and / or the upper cladding layer preferably has a p-doping.
  • the light output of the LED can be increased with an n-AIGaAs current distribution layer instead of a p-AIGaAs current distribution layer.
  • This can increase the doping for the n-AIGaAs current distribution layer compared to a p-AIGaAs current distribution layer.
  • the lateral distribution of the current i. increase the homogeneity within the n-type current distribution layer.
  • the n-type current distribution layer is GaAs or AIGaAs or InGaP.
  • the current distribution layer comprises an n-doped Al x Gai -x As layer with an Al content x between 0% and 20%.
  • the n-doped current distribution layer has a thickness of 0.1 ⁇ to 4.0 ⁇ .
  • the power distribution layer has a Thickness between 0.5 ⁇ to 2.5, and most preferably a thickness of l, 5pm.
  • the current distribution layer has an n-dopant concentration greater than 1.0E18 N / cm 3 .
  • the n-dopant concentration of the current distribution layer is in the range of 4E17 N / cm 3 to 5 E18 N / cm 3 .
  • the current distribution layer has a layer resistance R D ⁇ 400 ⁇ or R D ⁇ 75 ⁇ .
  • the current distribution layer has a thickness in the range from 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m and / or an R D in the range from 4 ⁇ to 350 ⁇ , or the current distribution layer has a thickness in the range from 0.2 ⁇ m to 1.5 ⁇ m and or a sheet resistance R D in the range of 4 ⁇ to 75 ⁇ on.
  • the sheet resistance R D is understood in the present case, the specific sheet resistance.
  • An advantage of the device according to the invention is a reduced size as well as a higher light output and a reduction of the production costs.
  • a further advantage of the device according to the invention is that the use of an upper n-doped current distribution layer in conjunction with a tunnel diode between the current distribution layer and the upper cladding layer furthermore makes it possible to use an n-doped GaAs substrate for the production of infrared LEDs. Without the inventive use of the first tunnel diode, more expensive and lower-quality p-GaAs substrates would have to be used to produce an LED.
  • a second tunnel diode is arranged between the current distribution layer and the upper contact layer, and the upper contact layer is p-doped, so that-with respect to the connections to the outside-an interface of the structure results a classic infrared LED structure is identical, which have no tunnel diode layers.
  • the lower cladding layer and / or the upper cladding layer are formed of GaAs or AIGaAs or InGaAsP or of GaAsP or of InGaP or of AlInGaP or comprises predominantly a compound of GaAs or of AIGaAs or of InGaAsP or of GaAsP or InGaP or AlInGaP.
  • the thickness of the active layer or the thickness of the MQW layer is formed between 15 nm and 350 nm or between 30 nm and 300 nm or most preferably between 200 nm and 400 nm. In a further development, the thickness of the active layer or the thickness of the MQW layer 300nm. It is preferred that the tunnel diodes have a thickness between 30nm and 150nm, preferably a thickness between 45nm and 55nm and most preferably a thickness of 50nm.
  • An advantage is that compared to conventional thicknesses of p-doped power distribution layers can be saved over 4pm in layer thickness, which corresponds to a saving of about 35% and also with the additional tunnel diode to a significant reduction in the height of the infrared LED and a contributes higher light output.
  • a lower n-doped contact layer is formed below the n-doped base substrate.
  • the first tunnel diode and / or the second tunnel diode comprises an As-containing layer, wherein the As-containing layer is doped with carbon.
  • the first tunnel diode and / or the second tunnel diode comprises a P-containing layer, wherein the P-containing layer is doped with tellurium.
  • the first tunnel diode and / or the second tunnel diode comprises at least one n-doped layer with a dopant concentration> 3xl0 18 N / cm 3 and at least one p-doped layer with a dopant concentration> lxl0 19 N / cm 3 .
  • the n-current distribution layer follows in the first tunnel diode arranged on the P-cladding layer first a p-doped tunnel diode layer and then a follow n-doped tunnel diode layer and hereafter the n-current distribution layer follows.
  • the sequence of the polarity of the doping layers is reversed.
  • the n-current distribution layer is followed by an n-tunnel diode layer followed by a p-tunnel diode layer, followed by the p-contact layer.
  • FIG. 1 shows a schematic view of a first embodiment of an infrared LED according to the invention
  • FIG. 2 shows a schematic view of a second embodiment of an infrared LED according to the invention
  • Figure 3 is a schematic view of an embodiment of a
  • FIG. 1 shows a view of a first embodiment, comprising an infrared LED with monolithic stacked epitaxial growth structure 10, comprising in the following order an n-doped base substrate 14 made of GaAs, an n-doped cladding layer 16, an MQW Layer 18, a p-doped cladding layer 20, a first tunnel diode 22, an n-doped current distribution layer 24 and a second, n-doped contact layer 26.
  • a first contact 12 and a second n-contact 30 applied.
  • FIG. 2 shows a further embodiment of an infrared LED with an epitaxially grown structure 10.
  • the power distribution layer 24 is followed by a second tunnel diode 28 and the subsequent upper contact layer 26 is p-doped.
  • the subsequent contact 30 is therefore also designed as metal contact to a p-type semiconductor layer.
  • the contacts of the infrared LED structure 10 according to the invention correspond to the contacts of an infrared LED structure 10 known from the prior art without tunnel diode 22 and n-doped current distributor layer 24, as shown in FIG. It is understood that the power distribution layer 24 according to the prior art in Figure 3 is p-doped.

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Abstract

Infrarot-LED mit monolithischer und stapelförmiger Struktur (10), aufweisend, ein n-dotiertes Basissubstrat (14) das GaAs umfasst, eine untere Mantelschicht (16), eine aktive (18) Schicht für die Erzeugung von infraroter Strahlung, eine obere Mantelschicht (20), eine Stromverteilerschicht (24) sowie eine obere Kontaktschicht (26), wobei die Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, wobei zwischen der oberen Mantelschicht (20) und der Stromverteilerschicht (24) eine erste Tunneldiode (22) angeordnet ist, und wobei die Stromverteilerschicht (24) überwiegend eine n-dotierte Ga-haltige Schicht mit einem Ga-Gehalt > 1% aufweist.

Description

Infrarot-LED
Die Erfindung betrifft eine Infrarot -LED Zur Steigerung der Effizienz einer Infrarot-LED kann die Epitaxialstruktur der Infrarot-LED auf unterschiedliche Weisen optimiert werden.
Aus der DE 10 2010 014 667 AI ist eine Infrarot-LED mit einer Epitaxialstruktur bekannt, die zwischen einer Trägerschicht und einer p-dotierten Mantel- schicht eine 500 nm dicke Stromaufweitungsschicht aus einer oder aus mehreren p-dotierten AIGaAs-Schichten aufweist.
Aus der DE 102 11 531 AI ist eine Infrarot-LED-Epitaxialstruktur bekannt, die zusätzlich zu einer Mehrzahl von Halbleiterschichten aus Verbindungen der III-V-Gruppe zur Effizienzsteigerung eine hochreflektierende Metallschicht als Reflektor aufweist.
Der Artikel„MOCVD growth of strain-compensated multi-quantum wells light emitting diode" von Yongqin Yu et al., Vacuum, Volume 69, Seiten 489 - 493, erschienen 2003, untersucht die Quanteneffizienz sowie die optische Ausgangsleistung von infraroten Leuchtdioden mit jeweils unterschiedlich MQW- Aktivschichten aus InGaAs/GaAsP, die mittels Niederdruck-CVD gezogen wurden. Gemäß der US 2007/0075327 AI wird eine p-dotierte und durch Wasserstoffatome verunreinigte III-V-Halbleiterschicht als Pufferschicht zwischen einer p-dotierten Mantelschicht und einer p-dotierten Kontaktschicht angeordnet, um die Diffusion der Dotierstoffe zwischen der Kontaktschicht und der Mantelschicht zu verhindern.
Aus der EP 2 009 753 AI ist eine Mehrfachstrahl-Laserdiode bekannt, die aus übereinander angeordneten und durch Tunnelübergänge elektrisch in Reihe geschalteten Laserstapeln besteht.
BESTÄTIGUNGSKOPIE Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.
Die Aufgabe wird durch eine Infrarot-LED mit den Merkmalen des Patentan- Spruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegen¬ stand von Unteransprüchen.
Gemäß dem Gegenstand der Erfindung weist eine Infrarot-LED eine monolithische, stapeiförmige und epitaxial-gewachsene Struktur, aufweisend ein n- dotiertes Basissubstrat das GaAs umfasst, eine untere Mantelschicht, eine aktive Schicht für die Erzeugung von infraroter Strahlung, eine obere Mantelschicht, eine Stromverteilerschicht sowie eine obere Kontaktschicht, wobei die Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, und wobei zwischen der oberen Mantelschicht und der Stromverteilerschicht eine erste Tunneldiode angeordnet ist, und wobei die Stromverteilerschicht überwiegend eine n-dotierte Ga-haltige Schicht mit einem Ga-Gehalt > 1% aufweist.
Es sei angemerkt, dass die aktive Schicht vorzugsweise als MQW-Schicht ausgebildet ist, wobei es bevorzugt ist, die aktive Schicht als eine InxGai- xAs/GaASi-yPy Mehrfach-Quantentopfstruktur mit 0,1 < x < 0,2 und 0,1 < y < 0,3 auszuführen. Weiterhin sei angemerkt, dass die MQW-Schicht eine oder mehrere Schichten enthält, und die eine oder mehreren MQW-Schichten eine kleinere Bandlückenenergie als die untere und/oder die obere Mantelschicht aufweisen.
Als MQW-Schicht wird vorliegend eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (Multi Quantum Wells bzw. MQW) bezeichnet, wobei die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung beinhaltet. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und auch jede Kombination der vorgenannten Strukturen. Es versteht sich, dass innerhalb der MQW Struktur infrarotes Licht erzeugt wird, sofern an die beiden Kontaktschichten eine geeignete Spannung angelegt wird. Die Lichtauskopplung erfolgt bevorzugt durch die obere Kontaktschicht. Des Weiteren sei angemerkt, dass die untere Mantelschicht vorzugsweise eine n-Dotierung aufweist und / oder die obere Mantelschicht vorzugsweise eine p-Dotierung aufweist.
Durch die Ausbildung von den Tunneldiodenschichten für die erste Tunneldio¬ de zwischen der p-dotierten Mantelschicht und der Stromverteilungsschicht lässt sich eine n-dotierte Stromverteilungsschicht aus n-AIGaAs besonders einfach realisieren. Aufgrund der höheren Beweglichkeit der Ladungsträger innerhalb der n-dotierten Schicht im Vergleich zu einer p-dotierten Stromverteilungsschicht lässt sich dieselbe Stromverteilung bzw. dieselbe Wirkung schon bei einer geringeren Schichtdicke erreichen. Untersuchungen haben gezeigt, dass p-AI26GaAs eine Beweglichkeit von ca. μρ = 100 cm2/Vs aufweist, während die Beweglichkeit innerhalb n-AI26GaAs ca. μη = 750 cm2/Vs beträgt.
Aufgrund des geringeren Absorptionskoeffizienten der n-AIGaAs Stromverteilungsschicht im Vergleich zu der p-AIGaAs Schicht unterhalb der Bandlücke lässt sich die Lichtleistung der LED mit einer n-AIGaAs Stromverteilungs- schicht anstelle von einer p-AIGaAs Stromverteilungsschicht erhöhen. Hierdurch lässt sich die Dotierung für die n-AIGaAs Stromverteilungsschicht im Vergleich zu einer p-AIGaAs -Stromverteilungsschicht erhöhen. Durch die erhöhte Dotierung und den im Vergleich zu einer p-AIGaAs Stromverteilungsschicht erniedrigten lateralen Widerstand in der n-AIGaAs Stromverteilungsschicht, lässt sich die laterale Verteilung des Stroms, d.h. die Homogenität innerhalb der n-Stromverteilungsschicht erhöhen .
In einer Ausführungsform besteht die n-dotierte Stromverteilerschicht aus GaAs oder AIGaAs oder InGaP. Vorzugsweise umfasst die Stromverteiler- schicht eine n-dotierte AlxGai-xAs-Schicht mit einem AI-Gehalt x zwischen 0% und 20%.
In einer Weiterbildung weist die n-dotierte Stromverteilerschicht eine Dicke von 0, 1 μιη bis 4,0 μιτι auf. Vorzugsweise weist die Stromverteilerschicht eine Dicke zwischen 0,5μιη bis 2,5 und höchst vorzugsweise eine Dicke von l,5pm auf.
In einer Ausführungsform weist die Stromverteilerschicht eine n- Dotierstoff- konzentration größer als 1,0E18 N/cm3 auf. Vorzugsweise liegt die n- Dotierstoffkonzentration der Stromverteilerschicht im Bereich von 4E17 N/cm3 bis 5 E18 N/cm3.
Ferner ist es bevorzugt, dass die Stromverteilerschicht einen Schichtwider- stand RD < 400 Ω oder RD < 75 Ω aufweist.
In einer Ausführungsform weist die Stromverteilerschicht eine Dicke im Bereich von 0,1 μηη bis 5 μηι und/oder einen RD im Bereich von 4 Ω bis 350 Ω auf oder die Stromverteilerschicht weist eine Dicke im Bereich von 0,2 μιτι bis 1.5 μιτι und/oder einen Schichtwiderstand RD im Bereich von 4 Ω bis 75 Ω auf. Mit dem Schichtwiderstand RD wird vorliegend der spezifische Flächenwiderstand verstanden.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist eine reduzierte Größe so- wie eine höhere Lichtleistung und eine Reduktion der Herstellungskosten. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist, dass sich durch die Verwendung einer oberen n-dotierten Strömverteilungsschicht in Verbindung mit einer Tunneldiode zwischen der Strömverteilungsschicht und der oberen Mantelschicht weiterhin ein n-dotiertes GaAs-Substrat zur Herstellung von Infrarot-LEDs verwenden lässt. Ohne die erfindungsgemäße Verwendung der ersten Tunneldiode, müssten teurere und qualitativ schlechtere p-GaAs- Substrate zur Herstellung einer LED eingesetzt werden.
In einer alternativen Ausführungsform ist zwischen der Stro m verteile r- Schicht und der oberen Kontaktschicht eine zweite Tunneldiode angeordnet und die obere Kontaktschicht ist p-dotiert ausgebildet, so dass sich-hinsicht- lich der Anschlüsse nach außen ein Interface der Struktur ergibt, welches mit einer klassischen Infrarot-LED-Struktur identisch ist, die keine Tunneldiodenschichten aufweisen. Gemäß einer anderen Weiterbildung sind die untere Mantelschicht und/oder die obere Mantelschicht aus GaAs oder aus AIGaAs oder aus InGaAsP oder aus GaAsP oder aus InGaP oder aus AlInGaP ausgebildet oder umfasst über- wiegend eine Verbindung aus GaAs oder aus AIGaAs oder aus InGaAsP oder aus GaAsP oder aus InGaP oder aus AlInGaP.
In einer anderen Ausführungsform ist die Dicke der aktiven Schicht oder die Dicke der MQW-Schicht zwischen 15 nm und 350nm oder zwischen 30 nm und 300nm oder höchst vorzugsweise zwischen 200nm und 400nm ausgebildet. In einer Weiterbildung weist die Dicke der aktiven Schicht oder die Dicke der MQW-Schicht 300nm auf. Es ist bevorzugt, dass die Tunneldioden eine Dicke zwischen 30nm und 150nm, vorzugsweise eine Dicke zwischen 45nm und 55nm und höchst vorzugsweise eine Dicke von 50nm aufweisen.
Ein Vorteil ist, dass im Vergleich zu üblichen Dicken von p-dotierten Stromverteilerschichten sich über 4pm an Schichtdicke eingesparen lassen, was einer Einsparung von etwa 35% entspricht und auch mit der zusätzlichen Tunneldiode zu einer deutlichen Reduktion der Bauhöhe der Infrarot-LED und zu einer höheren Lichtleistung beiträgt.
In einer Ausführungsform ist unterhalb des n-dotierten Basissubstrats eine untere n-dotierte Kontaktschicht ausgebildet. In einer Weiterbildung umfasst die erste Tunneldiode und/oder die zweite Tunneldiode eine As-haltige Schicht, wobei die As-haltige Schicht mit Kohlenstoff dotiert ist. In einer weiteren Ausführungsform umfasst die erste Tunneldiode und/oder die zweite Tunneldiode eine P-haltige Schicht, wobei die P-haltige Schicht mit Tellur dotiert ist. Vorzugsweise umfasst die erste Tunneldiode und/oder die zweite Tunneldiode mindestens eine n-dotierte Schicht mit einer Dotierstoffkonzent- ration > 3xl018 N/cm3 und mindestens eine p-dotierte Schicht mit einer Dotierstoffkonzentration > lxl019 N/cm3.
Es versteht sich, dass bei der ersten Tunneldiode angeordnet auf der P- Mantelschicht erst eine p-dotierte Tunneldiodenschicht und anschließend eine n-dotierte Tunneldiodenschicht folgen und hiernach die n- Stromverteilungsschicht folgt. Bei der zweiten Tunneldiode ist die Folge der Polarität der Dotierschichten umgekehrt. Nach der n-Stromverteilungsschicht folgt eine n-Tunneldiodenschicht und anschließend folgt eine p- Tunneldiodenschicht und hiernach folgt die p-Kontaktschicht.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellten Ausführungsformen sind stark schemati- siert, d.h. die Abstände und die lateralen und die vertikalen Erstreckungen sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben, auch keine ableitbaren geometrischen Relationen zueinander auf. Darin zeigt:
Figur 1 eine schematische Ansicht auf eine erste erfindungsgemäße Ausführungsform einer Infrarot-LED,
Figur 2 eine schematische Ansicht auf eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform einer Infrarot-LED,
Figur 3 eine schematische Ansicht auf eine Ausführungsform einer
Infrarot-LED gemäß dem Stand der Technik.
Die Abbildung der Figur 1 zeigt eine Ansicht einer ersten Ausführungsform, aufweisend eine Infrarot-LED mit monolithischer stapeiförmiger epitaxial- gewachsener Struktur 10, in der folgenden Reihenfolge aufweisend ein n- dotiertes Basissubstrat 14 aus GaAs, eine n-dotierte Mantelschicht 16, eine MQW-Schicht 18, eine p-dotierte Mantelschicht 20, eine erste Tunneldiode 22, eine n-dotierte Stromverteilerschicht 24 sowie eine zweite, n-dotierte Kontaktschicht 26. Bei der Prozessierung der epitaxial gewachsenen Struk- tur zur LED-Chips wird im weiteren Verlauf des Prozesses ein erster Kontakt 12 sowie ein zweiter n-Kontakt 30 aufgebracht.
In der Abbildung der Figur 2 ist eine weitere Ausführungsform einer Infrarot-LED mit einer epitaxial-gewachsenen Struktur 10 dargestellt. Im Folgen- den werden nur die Unterschiede zu der Abbildung der Figur 1 erläutert. Auf die Stromverteilerschicht 24 folgt eine zweite Tunneldiode 28 und die sich anschließende obere Kontaktschicht 26 ist p-dotiert ausgebildet. Der darauffolgende Kontakt 30 ist daher auch als Metallkontakt zu einer p- Halbleiterschicht ausgebildet. Hierdurch entsprechenden die Kontakte der erfindungsgemäßen Infrarot-LED-Struktur 10 den Kontakten einer aus dem Stand der Technik bekannten Infrarot-LED-Struktur 10 ohne Tunneldiode 22 und n-dotierter Stromverteilerschicht 24, wie sie in Figur 3 dargestellt ist. Es versteht sich, dass die Stromverteilerschicht 24 gemäß dem Stand der Technik in Figur 3 p-dotiert ist.

Claims

Patentansprüche
Infrarot-LED mit monolithischer und stapeiförmiger Struktur (10), aufweisend,
ein n-dotiertes Basissubstrat (14) das GaAs umfasst, eine untere Mantelschicht (16), eine aktive (18) Schicht für die Erzeugung von infraroter Strahlung, eine obere Mantelschicht (20), eine Stromverteilerschicht (24) sowie eine obere Kontaktschicht (26), wobei die Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind,
dadurch gekennzeichnet, dass
zwischen der oberen Mantelschicht (20) und der Stromverteilerschicht (24) eine erste Tunneldiode (22) angeordnet ist, wobei die Stromverteilerschicht (24) überwiegend eine n-dotierte Ga-haltige Schicht mit einem Ga-Gehalt > 1% aufweist.
Infrarot-LED nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Stromverteilerschicht (24) und der oberen Kontaktschicht (26) eine zweite Tunneldiode (28) angeordnet ist und die obere Kontaktschicht (26) p-dotiert ist.
Infrarot-LED nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Mantelschicht (16) überwiegend eine Verbindung aus GaAs oder aus AIGaAs oder aus InGaAsP oder aus GaAsP oder aus InGaP o- der aus AlInGaP umfasst.
Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Mantelschicht (20) überwiegend eine Verbindung aus GaAs oder aus AIGaAs oder aus InGaAsP oder aus GaAsP oder aus InGaP oder aus AlInGaP umfasst.
Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (18) aus einer Mehrfach-Quantentopfstruktur besteht und eine Dicke zwischen 15nm und 350nm oder eine Dicke zwischen 30 nm und 300nm aufweist.
6. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschicht (24) eine Dicke zwischen von 0,1 μητι bis 3,0 μιη aufweist.
7. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschicht (24) n- dotiert ist und aus GaAs oder AIGaAs oder InGaP besteht.
8. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschicht (24) eine n-dotierte AlxGai-xAs-Schicht mit einem AI-Gehalt x zwischen 0% und 20% umfasst.
9. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschicht (24) eine n- Dotierstoffkonzentration > 1,0E18 N/cm3 aufweist.
10. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverteilerschicht (24) einen Schichtwiderstand RD < 400 Ω oder RD < 75 Ω aufweist.
11. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (18) aus einer InxGai-xAs/GaAsi-yPy Mehrfach-Quantentopfstruktur mit 0,1 < x < 0,2 und 0,1 < y < 0,3 besteht.
12. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Tunneldiode (22) und/oder die zweite Tunneldiode (28) eine As-haltige Schicht umfasst, wobei die As-haltige Schicht mit Kohlenstoff dotiert ist und/oder eine P-haltige Schicht umfasst, wobei die P-haltige Schicht mit Tellur dotiert ist.
13. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Tunneldiode (22) und/oder die zweite Tunneldiode (28) eine n-dotierte Schicht mit einer Dotierstoffkonzentration > 3xl018 N/cm3 und eine p-dotierte Schicht mit einer Dotierstoffkonzentration > lxl019 N/cm3 umfasst.
14. Infrarot-LED nach einem oder mehreren der vorangegangen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Mantelschicht (16) eine n-Dotierung aufweist und / oder die obere Mantelschicht (20) eine p- Dotierung aufweist.
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