WO2005001851A1 - コンデンサ - Google Patents

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WO2005001851A1
WO2005001851A1 PCT/JP2004/009139 JP2004009139W WO2005001851A1 WO 2005001851 A1 WO2005001851 A1 WO 2005001851A1 JP 2004009139 W JP2004009139 W JP 2004009139W WO 2005001851 A1 WO2005001851 A1 WO 2005001851A1
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insulating organic
organic substance
capacitor
dielectric
fine particles
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PCT/JP2004/009139
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Inventor
Hisato Kato
Haruo Kawakami
Keisuke Yamashiro
Original Assignee
Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
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Publication date
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Priority to JP2005511076A priority patent/JP4505823B2/ja
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    • H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material

Definitions

  • the present invention relates to a dielectric and a capacitor. More particularly, the present invention relates to a capacitor which is incorporated in a printed circuit board as an electronic circuit or in an integrated circuit. Background art
  • An ideal capacitor should have only a capacitance component with no resistance component or inductance component, but an actual capacitor has a series resistance component and a direct IJ inductance component.
  • the impedance of the capacitance component decreases with increasing frequency, and the inductance component increases with increasing frequency. For this reason, in the future, as the operating frequency increases, the inductance component of the element and the inductance component due to wiring are expected to cause noise. Imagine. For this reason, it is necessary to use a capacitor whose inductance component is as small as possible and to increase the self-resonance frequency of the capacitor itself, so that it can function as a capacitor up to a high frequency range.
  • the mounting position of the decoupling capacitor should be closer to CPu to minimize the inductance component due to the wiring distance.
  • the rated voltage for use of the capacitor to be installed can be reduced with the use of a lower power supply voltage as described above.
  • a high-performance capacitor is embedded inside the printed wiring board to minimize the wiring distance between the CPU and the capacitor.
  • a capacitor be thinned and integrated into a power supply IC to form a single chip.
  • Patent Document 1 JP-A-10-56251
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-68321
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-21191
  • Patent Document 4 JP-A-10-335178
  • Patent Document 5 JP-A-11-111561
  • Patent Document 6 JP-A-8-222656
  • Patent Document 7 JP-A-8-181453
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a flexible capacitor which can be easily manufactured at a low temperature and is flexible.
  • a capacitor according to the present invention is a capacitor comprising a dielectric layer and two electrodes sandwiching the dielectric layer, wherein the dielectric layer contains metal fine particles and / or charge traps in an insulating organic material. And that the ionization potential and electron affinity of the metal particles are between the ionization potential and the electron affinity of the insulating organic material.
  • the feature is.
  • the capacitor of the present invention once a charge is applied to the metal fine particles or the like by applying a voltage, the charge is confined in the metal fine particles or the like due to the energy level with the insulating organic substance. Since the confined charges have the same effect as dielectric polarization in a dielectric, a very large dielectric constant can be effectively obtained even with an insulating organic material having a small dielectric constant.
  • Such a capacitor can be manufactured at a room temperature by a simple method such as a vacuum evaporation method and a spin coating method, and has flexibility which is a characteristic of an organic substance.
  • the insulating organic substance is selected from 2-amino-4,5-imidazole dicyanate, a quinomethane-based compound, a triphenylamine-based compound, a pyridone-based compound, and the metal fine particles from aluminum, gold, and copper. .
  • the dielectric organic material is 2-amino-4, 5-imidazole di Xia sulfonate, tri Fueniruamin compound, a _NPD, as the organic substance serving as a charge trap, pyridone of compounds, phthalocyanines, alpha _6Tau, force
  • the present invention includes an insulating organic substance and metal fine particles in the insulating organic substance and / or an organic substance serving as a charge trap, and the work function of the metal fine particles is such that the ionization potential of the insulating organic substance is The ionization potential and the electron affinity of the metal particles or the organic substance serving as the charge trap are the energy level between the ionization potential and the electron affinity of the insulating organic substance.
  • a capacitor comprising a dielectric, and a layer of the dielectric and two electrodes sandwiching the dielectric.
  • the present invention provides a step of forming an electrode thin film, a step of applying and drying a mixed liquid of an insulating organic substance, metal fine particles, and / or an organic substance serving as a charge trap on the formed electrode thin film;
  • a method for manufacturing a capacitor including a step of forming an electrode thin film on a film.
  • the present invention provides a step of forming an electrode thin film, a step of co-evaporating an insulating organic substance and metal fine particles and / or an organic substance serving as a charge trap on the formed electrode thin film, Provided is a method for manufacturing a capacitor including a step of forming an electrode thin film.
  • a large relative dielectric constant can be obtained even when an insulating organic substance having a low relative dielectric constant is used, and a capacitor having a large capacitance can be obtained. Furthermore, since the fabrication process is performed at substantially room temperature and low temperature and has flexibility, this capacitor can be suitably used in various places such as a printed circuit board and an integrated circuit.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of the capacitor of the present invention.
  • this capacitor has a configuration in which an electrode layer 21a, a layer 30 of an insulating organic material containing metal fine particles and the like as a dielectric layer, and an electrode layer 21b are sequentially laminated on a substrate 10. .
  • the substrate 10 is not particularly limited, but a glass substrate, a film substrate of polyimide or the like is preferably used.
  • the electrode layers 21a and 21b are made of a metal material such as anoremium, gold, silver, nickel, or iron; an inorganic material such as ITO or carbon; an organic material such as a conjugated organic material; an organic material such as liquid crystal; or a semiconductor such as silicon. Materials and the like can be appropriately selected, and are not particularly limited.
  • the dielectric layer 30 is formed of an extremely thin organic film.
  • the dielectric layer 30 is made of an insulating organic substance containing metal fine particles and the like, and the work function of the metal fine particles, or the ionization potential and electron affinity of the metal fine particles and the like, is controlled by the insulating organic substance. It is characterized by an energy level between the ionization potential and the electron affinity.
  • the work function is the minimum amount of work required to extract electrons from a solid into a vacuum.
  • the ionization potential is the energy required to remove one electron from a neutral atom, ion, or molecule.
  • the energy required to remove one outermost electron in a vacuum is the first ionization potential, Valent cation force
  • the energy required to remove another electron is called the second ionization potential
  • the energy required to remove the third and fourth electrons is called the third and fourth ionization potential. Therefore, a small ionization potential indicates that the ionization potential is high.
  • the first ionization potential is considered.
  • Electron affinity is the energy released when one electron is added to an atom, molecule, or anion.
  • the ionization potential of the dielectric layer can be easily measured by, for example, atmospheric photoemission spectroscopy (eg, AC-2 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.).
  • atmospheric photoemission spectroscopy eg, AC-2 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.
  • a method is generally used in which an optical band gap is measured from a light absorption spectrum and added to the above-mentioned ionization potential.
  • the insulating organic substance examples include, but are not particularly limited to, 2-amino-4,5-imidazole dicyanate, quinomethane-based compounds, triphenylamine-based compounds, pyridone-based compounds, polystyrene, polyvinylcarbazole, ⁇ _NPD (N, N '-Di (naphphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine), TPD (N, N-bis (3-methylphenyl) -N, N-diphenylbenzidine), Alq3 (tris- (8- Hydroxyquinolinate) -aluminum), CBP (4,4'-bis (Rybazol_9_yl) -biphenyl) and the like can be used.
  • the average particle size of the metal fine particles is not particularly limited, but is preferably 2 to 100 nm for the vapor deposition method and 115 nm for the coating method from the viewpoint of the production method and dispersion method of the metal fine particles used.
  • the organic substance serving as a charge trap is smaller than the ionization potential of the insulating organic substance. It is necessary to have an insulating organic substance having a higher ionization potential and a higher electron affinity than the insulating organic substance, and it is inevitably a substance having a smaller energy gap than the insulating organic substance.
  • the energy gap depends on the insulating organic material to be combined, but is preferably 2 eV or less.
  • the organic substance serving as a charge trap is preferably a pyridone-based compound, a phthalocyanine, a thiophene-based compound represented by (6T-sexithiophene), or an acene-based compound represented by pentacene.
  • metal fine particles as the insulating organic substance, 2-amino-4,5-imidazole disocyanate or quinomethane-based compound, triphenylamine-based compound, pyridone-based compound, metal
  • the fine particles are particularly preferably at least one selected from the group consisting of aluminum, gold and copper.
  • the organic matter becomes trapped, pyridone compounds, full Taroshianin acids, one or more selected from the group consisting of alpha _6Tau is particularly preferred.
  • the quinomethane-based compound includes a compound represented by the following formula.
  • triphenylamine-based compound includes a compound represented by the following formula.
  • the phthalocyanines include copper phthalocyanine, lead phthalocyanine, zinc phthalocyanine, aluminum phthalocyanine, iron phthalocyanine, cobalt phthalocyanine, tin phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, and metal-free phthalocyanine.
  • Table 1 shows work functions, ionization potentials, and electron affinities of examples of metal fine particles and the like and insulating organic substances.
  • the work function of each of aluminum, gold, and copper is at the energy level between the ionization potential and electron affinity of 2_amino-4,5_imidazoledisocyanate.
  • the dielectric constant can be effectively improved.
  • the IP and EP calculated from the work functions WF in Tables 1 and 2 and the work function WF in Table 1 are obtained by using metal fine particles having a particle diameter between the ionization potential and the electron affinity of the insulating organic substance. By accumulating charges in the metal fine particles, the dielectric constant can be effectively improved.
  • the ionization potential and electron affinity of the pyridone-based compound, phthalocyanines, and T-6T are also the energy levels between the ionization potential and the electron affinity of 2-amino-4,5-imidazole dicyanate.
  • the electric charge is accumulated in the organic material that becomes the charge trap, and the dielectric constant can be effectively improved.
  • Insulatory organic matter 2-amino-4,5-imidazolidicinate 5.60 * 1 1.82 * 1
  • the mixing volume ratio of metal fine particles to insulating organic matter is preferably 1: 1 to 8: 1. If the amount of the fine metal particles is less than 1: 1, the dielectric constant may be low and desired characteristics may not be obtained. If the amount of the fine metal particles is more than 8: 1, the fine metal particles contact each other to obtain a dispersion effect. And electrical short circuit may occur.
  • the compounding volume ratio of the organic substance serving as a charge trap and the insulating organic substance is preferably 1: 100 force 1: 1. If the amount of organic material that becomes a charge trap is smaller than 1: 100, the dielectric constant becomes smaller, and desired characteristics may not be obtained. If the amount of organic material that becomes a charge trap is larger than 1: 1, a charge trap is formed. There is a case where the organic substances come into contact with each other and the dispersion effect cannot be obtained, and an electrical short circuit occurs.
  • metal fine particles and the like are dispersed in the insulating organic material
  • the above-mentioned electrode layer 21a, dielectric layer 30, and electrode layer 21b are preferably formed as a thin film on the substrate 10 sequentially.
  • a conventionally known method such as a vacuum evaporation method is preferably used, and is not particularly limited.
  • the method for forming the dielectric layer 30 includes a method in which the insulating organic material 31 and the fine metal particles 32 are mixed in advance and applied at once, a method in which the insulating organic material 31 and the fine metal particles 32 are co-deposited, A method in which the layer of the fine particles 32 is sandwiched between the layers of the insulating organic substance 31, that is, a method of providing a layer of the fine metal particles 32 as an intermediate layer in the insulating organic substance 31, is not particularly limited.
  • the dielectric layer 30 is further sandwiched by layers of an insulating organic substance, that is, the dielectric layer 30 is provided as an intermediate layer in the insulating organic substance.
  • a solvent such as methylene chloride, tetrahydrofuran, acetonitrile, ethyl alcohol, or the like is used. It is preferable that the mixture be diluted with 0.3 to 3.0% by weight and then applied. If necessary, a surfactant, a resin binder, etc. may be added. As a coating method, a spin coating method is preferable. After application, it is preferable to dry at 70-110 ° C.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition is appropriately selected depending on the electrode material to be used, the insulating organic substance, the fine metal particles, and the like.
  • the temperature is preferably 0 to 100 ° C.
  • the deposition rate of the preferred film dielectric organic material is 0. 5-2. OA / s, fine metal The particles are 0.1-1. OA / s.
  • the film forming rate in this range is preferable because it is necessary to suppress the damage of the film due to the deposit and the crystal morphology of the deposited film.
  • a general method for forming an organic thin film such as a spin coating method or a vacuum evaporation method, can be used.
  • specific metal fines such as Au, Pt, Rh, Ag, etc.
  • the particles it is also possible to use a diffusion method in which a metal is diffused into the organic film by performing a heat treatment after laminating an insulating organic material film and these films.
  • each layer is preferably 50-200 nm for the electrode layers 21 a and 21 b, and 20 200 nm for the dielectric layer 30.
  • the mechanism by which the capacitor of the present invention obtained by the above manufacturing method exhibits a high dielectric constant is not known in detail, but is considered as follows. That is, once a charge enters the metal fine particles or the like by tunnel injection or the like, the charges are confined in the metal fine particles or the like due to the energy level with the insulating organic substance. Since the confined charges have the same effect as dielectric polarization in a dielectric, a very large dielectric constant can be obtained effectively even with an insulating organic material having a small dielectric constant.
  • the capacitor can be effectively operated with a high dielectric constant, and a capacitor having a large capacitance can be produced.
  • a capacitor with the configuration shown in Fig. 1 was created by the following procedure.
  • a glass substrate was used as the substrate 10, and an aluminum thin film was formed as the electrode layer 21a by a vacuum evaporation method.
  • a dielectric layer 30 is formed by co-evaporation using 2_amino-4,5-imidazole diisocyanate (A1292 manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as the insulating organic substance 31 and aluminum as the fine metal particles 32.
  • a thin film was formed by successively forming aluminum as the electrode layer 21b to form a capacitor of Example 1.
  • the electrode layer 21a, the dielectric layer 30, and the electrode layer 21b were each formed to have a thickness of 100 nm 100 10 Onm.
  • the average particle size of aluminum as the metal fine particles 32 was about 25 nm.
  • diffusion pump exhaust was rows summer at a vacuum degree of 3 X 10- 6 torr.
  • Aluminum deposition is performed at a rate of 3 A / sec by a resistance heating method, and 2_amino-4,5-imidazole disocyanate containing aluminum as fine metal particles is used.
  • the deposition is performed by resistance heating, and the deposition rate is 2 A / sec for 2-amino-4,5-imidazole disocyanate and 1 A / sec for aluminum.
  • the vapor deposition of each layer was performed continuously by the same vapor deposition apparatus, and was performed under conditions that the sample did not come into contact with air during vapor deposition.
  • the dielectric layer 30 2-amino-4,5-imidazoledisocyanate was used for the insulating organic substance 31 and aluminum was used for the metal fine particles 32. Further, between the dielectric layer 30 and the electrodes 21a and 21b, layers each containing only 2_amino-4,5-imidazole disocyanate are provided, and the dielectric layer 30 is provided as an intermediate layer in the insulating organic material. Is provided. This is vacuum-evacuated so that the 2-amino-4,5-imidazoledisocyanate layer has a thickness of 40 nm, the dielectric layer 30 has a thickness of 20 nm, and the 2-amino-4,5_imidazoledisocyanate layer has a thickness of 40 nm. A three-layer film laminated by a vapor deposition method was used. Other conditions are the same as in Example 1.
  • the following quinomethane-based compound A was used for the insulating organic substance 31
  • aluminum was used for the metal fine particles 32
  • the quinomethane-based compound 40 nm was formed by vacuum evaporation in this order.
  • a laminated three-layer film was used. Other conditions are the same as in Example 1.
  • the following quinomethane-based compound B was used for the insulating organic substance 31
  • aluminum was used for the metal fine particles 32
  • the quinomethane-based compound 40 nm was formed by vacuum evaporation in this order.
  • a laminated three-layer film was used. Other conditions are the same as in Example 1.
  • the following triphenylamine-based compound C is used for the insulating organic substance 31
  • aluminum is used for the metal fine particles 32
  • the triphenylamine-based compound 40 nm is used for the dielectric layer 20 nm
  • the triphenylamine-based compound A three-layer film laminated by a vacuum deposition method in the order of 40 nm was used.
  • Other conditions are the same as in Example 1.
  • the following triphenylamine-based compound D is used for the insulating organic substance 31 and aluminum is used for the metal fine particles 32.
  • the triphenylamine-based compound 40 nm, the dielectric layer 20 nm, and the triphenylamine A three-layer film laminated by a vacuum deposition method in the order of the system compound 40 nm was used. Other conditions are the same as in Example 1.
  • Example 10 instead of the fine metal particles 32, copper phthalocyanine is used as the organic substance 32 serving as a charge trap.
  • the film formation rate is 2-Amino-4,5_imidazoledisocyanate lA / sec, and the copper phthalocyanine is 0.5A / sec.
  • Other conditions are the same as in Example 1.
  • the dielectric layer 30 2_amino-4,5_imidazoledisocyanate was used as the insulating organic substance 31, and copper phthalocyanine was used as the organic substance 32 serving as a charge trap. Further, between the dielectric layer 30 and the electrodes 21a and 21b, a layer of only 2-amino-4,5_imidazoledisocyanate is provided, and the dielectric layer 30 is provided as an intermediate layer in the insulating organic material. The configuration was provided. This was applied to the vacuum evaporation method so that the 2-amino-4,5 imidazole disicanate layer was 30 nm, the dielectric layer 30 was 40 nm, and the 2_amino-4,5_imidazole disicanate layer was 30 nm. A three-layered film was used. Other conditions are the same as those in Example 10.
  • 2-amino-4,5-imidazole disocyanate is used for the insulating organic substance 31 and the above-mentioned pyridone compound E is used for the organic substance 32 serving as a charge trap.
  • a three-layer film was formed by sequentially laminating layers of 30 nm, a layer of dielectric layer 30 of 40 nm, and a layer of 2 amino-4,5 imidazole disocyanate by 30 nm by a vacuum deposition method. Other conditions are the same as those of the eleventh embodiment.
  • 2-amino-4,5-imidazole disocyanate is used for the insulating organic substance 31 and ⁇ _6 ⁇ is used for the organic substance 32 serving as a charge trap, and this is made of 2-amino-4,5 imidazole disocyanate.
  • a three-layer film was used in which a layer of 30 nm, a layer of the dielectric layer 30 of 40 nm, and a layer of 2 amino-4,5 imidazole dicyanate were sequentially formed to have a thickness of 30 nm by a vacuum evaporation method. Other conditions are the same as those of the eleventh embodiment.
  • the following triphenylamine-based compound F is used for the insulating organic substance 31
  • the copper phthalocyanine is used for the organic substance 32 serving as the charge trap
  • the triphenylamine-based compound 40 nm is used for the dielectric layer 20 nm
  • Other conditions are the same as those of the eleventh embodiment.
  • the following triphenylamine-based compound G is used for the insulating organic substance 31
  • the copper phthalocyanine is used for the organic substance 32 serving as a charge trap
  • the triphenylamine-based compound 40nm is used for the dielectric layer 20nm
  • Other conditions are the same as those of the eleventh embodiment.
  • a three-layer film formed by vacuum vapor deposition in the order of _NPD on the insulating organic substance 31, copper phthalocyanine on the organic substance 32 serving as a charge trap, _NPD40nm, the dielectric layer 20nm, and _NPD40nm is used. Using. Other conditions are the same as in Example 11.
  • a glass substrate is used as the substrate 10, and aluminum is successively successively formed as the electrode layer 21a, 2-amino-4,5-imidazole disocyanate as the dielectric layer, and aluminum as the electrode layer 21b by a vacuum evaporation method.
  • the preparation conditions were the same as those in Example 1 except that aluminum was not co-deposited when 2-amino-4,5-imidazoledisocyanate was deposited.
  • a capacitor of Comparative Example 3 was formed in the same manner as in Comparative Example 1, except that the quinomethane compound B of Example 6 was used as the dielectric layer.
  • a capacitor of Comparative Example 4 was formed in the same manner as in Comparative Example 1, except that the triphenylamine compound C of Example 7 was used as the dielectric layer.
  • a capacitor of Comparative Example 5 was formed in the same manner as in Comparative Example 1, except that the triphenylamine compound D of Example 8 was used as the dielectric layer.
  • a capacitor of Comparative Example 6 was formed in the same manner as in Comparative Example 1, except that the pyridone-based compound E of Example 9 was used as the dielectric layer.
  • a glass substrate is used as the substrate 10, and aluminum is successively successively formed as the electrode layer 21a, 2-amino-4,5-imidazole disocyanate as the dielectric layer, and aluminum as the electrode layer 21b by a vacuum evaporation method.
  • the preparation conditions were the same as those in Example 10 except that copper phthalocyanine was not co-deposited when 2-amino-4,5-imidazole disocyanate was deposited.
  • a capacitor of Comparative Example 8 was formed in the same manner as in Comparative Example 7, except that the triphenylamine-based compound F of Example 14 was used as the dielectric layer.
  • a capacitor of Comparative Example 9 was formed in the same manner as in Comparative Example 7, except that the triphenylamine-based compound G of Example 15 was used as the dielectric layer.
  • a capacitor of Comparative Example 10 was formed in the same manner as in Comparative Example 7, except that the Hi-NPD of Example 16 was used as the dielectric layer. [Evaluation method]
  • the relative permittivity of the capacitors of Example 1-16 and Comparative Example 1-10 was measured in a room temperature environment.
  • the relative permittivity was measured with an impedance analyzer (YHP4192A).
  • Table 2 summarizes the relative permittivity at 1 kHz.
  • FIG. 2 shows a scanning electron microscope (SEM) photograph of the surface of the dielectric layer of Example 1.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a capacitor of the present invention.
  • FIG. 2 shows a scanning electron microscope (SEM) photograph of the surface of the dielectric layer of Example 1.
  • a large relative dielectric constant can be obtained even when an insulating organic material having a low relative dielectric constant is used, and a capacitor having a large capacitance can be obtained. Furthermore, since the fabrication process is performed at a temperature as low as about room temperature and has flexibility, this capacitor can be suitably used in various places such as a printed circuit board and an integrated circuit.

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Abstract

【課題】　低温で容易に作製可能であり、かつ可撓性のあるコンデンサを提供する。 【解決手段】　誘電体層とこれを挟む２つの電極からなるコンデンサにおいて、誘電体層が絶縁性有機物の中に金属微粒子及び／又は電荷トラップとなる有機物を含んでなるものであり、かつその金属微粒子等のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力が絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位であることを特徴とするコンデンサを提供する。電圧印加することで金属微粒子等に一度電荷が入ると、絶縁性有機物とのエネルギー準位の関係からこの電荷は金属微粒子等中に閉じ込められることになる。この閉じ込められた電荷が誘電体における誘電分極と同様の作用をするために、誘電率の小さな絶縁性有機物を用いても実効的に非常に大きな誘電率を得る事ができる。

Description

明 細 書
コンデンサ
技術分野
[0001] 本発明は、誘電体とコンデンサに関する。コンデンサは、詳しくは電子回路としてプ リント基板に内蔵したり集積回路内に内蔵したりするようなコンデンサに関する。 背景技術
[0002] 近年、機器の小型化'薄型化'軽量化、および電気機器回路の高密度化'デジタル 化に伴い、電子部品に対する小型化、高性能化高信頼性化の要望がますます高ま つてきている。そのような情勢の中で、コンデンサも同様の小型で大容量を有するも のが要求されている。
[0003] し力しながら、プリント配線基板上でコンデンサなどの実装部品が占める面積は依 然として大きい。このこと力 今後電子機器の更なる小型化をしょうとする際の大きな 障害になる。そのような問題を解決するために、コンデンサなどの電子部品を回路基 板に内蔵する試みがなされている（例えば、特許文献 1— 2)。
[0004] 一方、 IC回路の高周波化や低電圧化に伴って、ノイズによって電源電圧が変動し 、誤動作を生じることが大きな問題となってきている。このような問題が生じる理由は、 電源電圧の低電圧化に伴い、電源電圧の許容変動幅が小さくなつてきたからである 。高周波ノイズによる誤動作を防止するために、通常はコンデンサを電源周りに設置 する。このような用途に使用されるコンデンサは、バイパスコンデンサゃデカップリン グコンデンサと呼ばれ、高周波ノイズを除去し、電源電圧の瞬間的な低下をコンデン サからの瞬時のエネルギー供給により防ぐ働きをしている。このエネルギー供給には 、コンデンサの静電容量の大きさが重要な役割を果たす。
[0005] 理想的なコンデンサは抵抗成分やインダクタンス成分が 0で静電容量成分のみで あるはずであるが、実際のコンデンサは直列抵抗成分と直歹 IJインダクタンス成分を持 つ。容量成分のインピーダンスは、周波数増加とともに減少し、インダクタンス成分は 周波数増加とともに増加する。このため、今後、動作周波数が高くなるにつれ、素子 の持つインダクタンス成分や配線によるインダクタンス成分がノイズの原因になると予 想される。そのようなことから、コンデンサとしてはできるだけインダクタンス成分が小さ レ、ものを使用し、コンデンサ自体の自己共振周波数を高くすることにより、確実に高 周波域までコンデンサとして機能させる必要がある。また、デカップリングコンデンサ の実装位置は、配線距離によるインダクタンス成分をできるだけ小さくするために CP uに近接な程良い。
[0006] 一方、設置するコンデンサの使用定格電圧は、前述のような電源電圧の低電圧化 に伴レ、、今後ますます小さいもので対応できるようになる。
[0007] 上記のような IC回路の高周波化、低電圧化の課題に対応するために、高性能のコ ンデンサをプリント配線基板内部に埋設し、 CPUとコンデンサ間の配線距離をできる だけ短くすることや (例えば、特許文献 3 5)、コンデンサを薄膜化し電源 ICに組み 込んで 1チップ化することが提案されている。
[0008] さらには、携帯電話に代表される小型携帯機器内のプリント配線基板材料の主流 は樹脂基板であるため、樹脂基板と同様に若干の可撓性があり、高周波特性が優れ るようなコンデンサが熱望されてレ、た。
[0009] 一方、これまでに開示された提案の中では、誘電体として高温焼成を必要とするセ ラミックス系の材料をセラミック基板に埋め込むものが多かった (例えば、特許文献 6 一 7)。
特許文献 1 :特開平 10 - 56251号公報
特許文献 2：特開平 11 - 68321号公報
特許文献 3：特開平 4 - 211191号公報
特許文献 4 :特開平 10— 335178号公報
特許文献 5 :特開平 11一 111561号公報
特許文献 6：特開平 8 - 222656号公報
特許文献 7：特開平 8 - 181453号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 高温焼成を必要とするセラミックス系の材料をセラミック基板に埋め込む誘電体は、 問題もある。セラミックス材料は工業的な生産プロセスにおいて、破損，剥離または汚 染しゃすいため容易に欠陥を生じやすぐ特に、ペースド塗布，実装を含む電極形 成過程にぉレ、てひび割れを生じて、これが素子特性に問題を生じることが多かった。
[0011] また、樹脂基板にコンデンサを内蔵する場合、焼成より誘電体となるセラミックス系 ペーストを基板内に形成した後に、樹脂基板ごと高温で焼成することは不可能であり 、そのため、樹脂基板には後付で単品のセラミックコンデンサを埋め込まなければな らないという手間が必要であった。
[0012] 本発明の目的は、上記従来の問題点を解決するもので、低温で容易に作製可能 であり、かつ可撓性のあるコンデンサを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0013] 上記目的を達成するために本発明のコンデンサは、誘電体層とこれを挟む 2つの 電極からなるコンデンサにおいて、誘電体層が絶縁性有機物の中に金属微粒子及 び/又は電荷トラップとなる有機物（以下、金属微粒子等とも記す）を含んでなるもの であり、かつその金属微粒子等のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力が絶縁性 有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位であることを特 徴とする。
本発明のコンデンサによれば、電圧印加することで金属微粒子等に一度電荷が入 ると、絶縁性有機物とのエネルギー準位の関係からこの電荷は金属微粒子等の中に 閉じ込められることになる。この閉じ込められた電荷が誘電体における誘電分極と同 様の作用をするために、誘電率の小さな絶縁性有機物を用いても実効的に非常に 大きな誘電率を得る事ができる。
このようなコンデンサは、真空蒸着法、スピンコート法などの簡易な方法で室温にて 作製でき、かつ有機物の特徴である可撓性も備えてレ、る。
本発明において、絶縁性有機物が 2—アミノー 4， 5—イミダゾールジシァネート、キノ メタン系化合物、トリフエニルァミン系化合物、ピリドン系化合物、金属微粒子がアルミ 、金、銅から選ばれることが好ましい。
本発明において、絶縁性有機物が、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネート、トリ フエニルァミン系化合物、 a _NPD、電荷トラップとなる有機物としては、ピリドン系化 合物、フタロシアニン類、 α _6Τ、力 なる一群から選ばれる一以上が好ましい。 [0014] 即ち、本発明は、絶縁性有機物と該絶縁性有機物の中の金属微粒子及び/又は 電荷トラップとなる有機物を含んでなり、該金属微粒子の仕事関数が該絶縁性有機 物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位であるカ 又は該 金属微粒子若しくは該電荷トラップとなる有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和 力が該絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位 である誘電体、及び該誘電体の層とこれを挟む 2つの電極を含んでなるコンデンサを 提供する。
また、本発明は、電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性 有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物の混合液を塗布し乾燥す るステップと、乾燥した塗布膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製 造方法を提供する。
さらに、本発明は、電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁 性有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物を共蒸着するステップと 、共蒸着により形成された膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造 方法を提供する。
発明の効果
[0015] 以下に詳細に説明するように、本発明によれば、比誘電率の低い絶縁性有機物を 用いても大きな比誘電率を得る事ができ、容量の大きなコンデンサを得る事ができる 。さらには作製プロセスがほぼ室温と低温であり、可撓性もあるために、このコンデン サはプリント基板、集積回路内等、様々な場所に好適に利用できる。
発明を実施するための最良の形態
[0016] 以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。
図 1は、本発明のコンデンサの一実施形態を示す概略断面図である。
図 1に示すように、このコンデンサは、基板 10上に、電極層 21a、誘電体層として金 属微粒子等を含む絶縁性有機物の層 30、電極層 21bが順次積層された構成となつ ている。
[0017] 基板 10としては、特に限定されないが、ガラス基板、ポリイミドなどのフィルム基板等 が好ましく用いられる。 [0018] 電極層 21a、 21bとしては、ァノレミニゥム、金、銀、ニッケル、鉄などの金属材料や、 I TO、カーボン等の無機材料、共役系有機材料、液晶等の有機材料、シリコンなどの 半導体材料などが適宜選択可能であり、特に限定されなレ、。
[0019] 本発明によるコンデンサにおいては、誘電体層 30が極薄の有機膜で構成される。
これらの生産プロセスは、 100°C以下の低温でなされ、かつ材料が可撓性を有する ために、従来のセラミック材料で見られた破損、剥離、汚染などの問題はほとんど生 じない。
[0020] 誘電体層 30は、絶縁性有機物の中に金属微粒子等を含んでなるものであり、かつ その金属微粒子の仕事関数、もしくはその金属微粒子等のイオン化ポテンシャルお よび電子親和力が絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネ ルギー準位であることを特徴としてレ、る。
仕事関数は、固体から真空中に電子を取出すのに要する最小限の仕事の大きさで ある。
イオン化ポテンシャルは、中性原子やイオン、分子から電子を 1個取去るのに必要 なエネルギーであり、真空中で最外殻の電子 1個を取去るためのエネルギーを第一 イオン化ポテンシャル、ついで 1価の陽イオン力 もう 1個の電子を取去るのに必要な エネルギーを第二イオン化ポテンシャル、さらに第三、第四番目の電子を取去るため のエネルギーを第三、第四イオン化ポテンシャルという。従って、イオン化ポテンシャ ノレが小さいということは陽イオンになりやすいことを示す。本発明では、第一イオン化 ポテンシャルを考慮の対象とする。
電子親和力は、原子、分子、陰イオンに電子を 1個付加するときに放出されるエネ ノレギーである。
[0021] 誘電体層のイオンィ匕ポテンシャルについては、例えば大気中光電子放出分光法（ 理研計器社製 AC— 2等）により容易に測定できる。また、電子親和力については、光 吸収スペクトルから光学的バンドギャップを測定し、上記のイオン化ポテンシャルに加 算して得る方法が一般に用レ、られる。
金属材料の単一原子に対するイオンィ匕ポテンシャルと電子親和力に関しては、表 1 に示したように、測定値又は計算値が得られている。また、金属材料の寸法が充分大 きくなつた場合 (バルタ状態）は、これらの値は仕事関数として観測され、前記の大気 中光電子放出分光法等により容易に測定が可能であると同時に、多くの材料につい て値が既に得られている。これに対し、本件特許の如くそのサイズが nm程度の微粒 子である場合は、これらの値は粒子サイズに依存することが知られている。即ち、微 粒子状態でのイオン化ポテンシャル、電子親和力は単一原子のイオン化ポテンシャ ノレ、電子親和力と、バルタ状態の仕事関数の中間の値をとる。これらの値は、誘電層 材料内では周囲の分極などにより若干の影響を受けるものの、基本的には微粒子寸 法と良い相関があることが知られており、多くの金属材料についてデータが得られて レヽる。例えば、 Hellmut
Haberland編、「クラスターズ 'ォブ 'ァトムズ'アンド'モレキュルズ」 Spring- Verlag、ベ ノレリン、 1994年を参照されたい。
即ち、最も簡便なモデルでは、イオン化ポテンシャル IP、電子親和力 EAと仕事関 数 WF、微粒子直径 R (nm)との関係は以下の通り表される。
IP=WF + A/R · · · (I)
EA=WF-B/R · · · (II)
(上式中、 A = 3e2/8、 B = 5e2/8であり、 eは電子の電荷である。 )
即ち、微粒子の寸法を観察することで、おおよそのイオン化ポテンシャルと電子親 和力を推定することが可能である。
絶縁性有機物としては、特に限定されないが、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァ ネート、キノメタン系化合物、トリフエニルァミン系化合物、ピリドン系化合物、ポリスチ レン、ポリビニルカルバゾール、 α _NPD (N，N'-ジ（ナフフタレン-l-ィル）-N,N'-ジフ ェニルベンジジン）、 TPD (N，Nしビス（3-メチルフエニル） -N，Nしジフエニル ベンジジン）、 Alq3 (トリス- (8-ヒドロキシキノリナート） -アルミニウム）、 CBP (4，4'-ビス (力ルバゾール _9_ィル） -ビフヱニル）などが使用可能である。
金属微粒子の平均粒径は、特に限定されないが、使用される金属微粒子の製造方 法及び分散方法の点から好ましくは、蒸着法では 2— lOOnmであり、塗布法では 1 一 50nmである。
また、電荷トラップとなる有機物は、絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルよりも小さ なイオン化ポテンシャル、および絶縁性有機物の電子親和力よりも大きな絶縁性有 機物である事が必要であり、必然的に絶縁性有機物よりもエネルギーギャップの小さ な物質となる。エネルギーギャップとしては、組み合わされる絶縁性有機物によるが、 2eV以下であることが好ましレ、。
より具体的には、電荷トラップとなる有機物は、ピリドン系化合物、フタロシアニン類 、 ひ— 6T —セキシチォフェン）に代表されるチォフェン系化合物、ペンタセンに代 表されるァセン系化合物などが好ましレ、。
上記に示す材料のうち、特に金属微粒子を用いる態様にあっては、絶縁性有機物 としては、 2—アミノー 4， 5—イミダゾールジシァネート又はキノメタン系化合物、トリフエ ニルァミン系化合物、ピリドン系化合物、金属微粒子としては、アルミニウムと金と銅 からなる一群から選ばれる一以上が特に好ましい。
また、上記に示す材料のうち、特に電荷トラップとなる有機物を用いる態様にあって は、絶縁性有機物としては、 2—アミノー 4, 5_イミダゾールジシァネート、トリフエニル アミン系化合物、 a _NPD、電荷トラップとなる有機物としては、ピリドン系化合物、フ タロシアニン類、 α _6Τからなる一群から選ばれる一以上が特に好ましい。
なお、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートの構造式を下記に示す。
[化 1]
Figure imgf000009_0001
なお、特に限定されるものではなレ、が、キノメタン系化合物には、以下の式で表され る化合物が含まれる。
[化 2]
Figure imgf000010_0001
CT600/l700Zdf/X3d 8 TS8100/S00Z OAV
Figure imgf000011_0001
また、トリフヱニルァミン系化合物には、以下の式で表される化合物が含まれる。
[化 3]
Figure imgf000012_0001
CT600/l700Zdf/X3d 01· TS8100/S00Z OAV
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0002
一 (一
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000014_0002
IS8100/S00I OAV
6€l600/^00Zdf/I3d ZY ¾006π2
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
[0027] また、フタロシアニン類には、銅フタロシアニン、鉛フタロシアニン、亜鉛フタロシア ニン、アルミニウムフタロシアニン、鉄フタロシアニン、コバルトフタロシアニン、すずフ タロシアニン、チタニルフタロシアニン、メタルフリーフタロシアニンが含まれる。
[0028] 金属微粒子等と絶縁性有機物の例について、仕事関数、イオン化ポテンシャル、 電子親和力を表 1に示す。
表 1に示すように、アルミニウム、金、銅いずれの仕事関数も 2_アミノー 4, 5_イミダ ゾールジシァネートのイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位に あるので、金属微粒子に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることが できる。また、式 (1)、（Π)と表 1の仕事関数 WFから算出される IP、 EPが絶縁性有機 物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間となる粒子径の金属微粒子を用いるこ とにより、金属微粒子に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることがで きる。また、表 1に示すように、ピリドン系化合物、フタロシアニン類、 ひ—6Tいずれの イオン化ポテンシャルおよび電子親和力も 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネート のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位にあるので、電荷トラ ップとなる有機物に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることができる
[0029] [表 1]
イオン化ポ 子親和 仕辜関数
亍ンシャ レ 力 CeV)
(eV) (eV)
絶緣性有機物 2-ァミノ- 4，5-イミダゾ一ルジシァネート 5.60 *1 1.82 *1
キノメタン系化合物 A (実施例 5参照） 6.03 *1 4.08 *1 キノメタン系化合物 B (実施例 6参照） 6.01 *1 4.06 *1 トリフエニルァミン系化合物 C (実施例 7参照） 5.41 *1 2.97 *1 トリフエニルァミン系化合物 D (実施例 8参照） 5.22 *1 2.81 *1 ピリドン系化合物 E (実施例 9参照） 4.93 *1 3.06 *1 トリフエニルァミン系化合物 G (実施例 1 5参照） 5.5 *1 2.6 *1 a-NPD 5.5 2.4
TPD 5.5 2.4
Alq3 5.6 3.1
CBP 6.0 2.9
金躍微粒子 アルミニウム 5.986 *2 0.441 *3 4.24 *4
金 9.225 *2 0.441 *3 5.1 *4
7.726 *2 1.228 *3 4.65 *4 カリウム 4.341 *2 0.501 *3 2.8 *4 ナトリウム 5.139 *2 0.548 *3 2.36 *4 カルシウム 6.1 13 *2 <0 *3 2.9 *4 マグネシウム 7.646 *2 <0 *3 3.66 *4 インジウム 5.786 *2 0.3 *3 4.09 *4 白金 8.61 *2 2.1 28 *3 5.64 *4 銀 7.576 *2 1.302 *3 4.26 *4
S荷トラップとな ピリドン系化合物 E (実施例 1 2参照） 4.93 *1 3.06 *1
る有機物 a-6T 5.1 3.5
亜 ^フタロシアニン 5.1 3.5
銅フタロシアニン 5.1 3.5
*t 当社測定値
*2 化学便 ϋ 基礎編 II. 1 993年， 第 61 8~ 31 9頁
*3 化学便 S 基礎 II. 1 993年. 第 629頁
*4 化学便覧 基礎編 II. 1 993年. 第 489頁 金属微粒子と絶縁性有機物の配合体積比は、好ましくは 1： 1から 8： 1である。 1： 1 より金属微粒子の量が少ないと誘電率が小さくなり、所望の特性が得られない場合が あり、 8 : 1より金属微粒子の量が多いと金属微粒子同士が接触して分散効果が得ら れず、また電気的短絡する場合がある。
また、電荷トラップとなる有機物と絶縁性有機物の配合体積比は、好ましくは 1： 10 0力 1： 1である。 1： 100より電荷トラップとなる有機物の量が少ないと誘電率が小さ くなり、所望の特性が得られない場合があり、 1 : 1より電荷トラップとなる有機物の量 が多いと電荷トラップとなる有機物同士が接触して分散効果が得られず、また電気的 短絡する場合がある。
金属微粒子等が絶縁性有機物中に分散される態様では、絶縁性有機物中に均一 に分散されているのが好ましい。これは、分散が不均一な場合は、局所的に金属微 粒子の濃度が高くなり、金属微粒子等同士の接触によって所望の分散効果が得られ ない可能性が高くなるからである。
[0031] 上記の電極層 21a、誘電体層 30、電極層 21bは、基板 10上に順次薄膜として形 成されることが好ましい。
電極層 21a、 21bの薄膜を形成する方法は、真空蒸着法等の従来公知の方法が 好ましく用いられ、特に限定されない。
[0032] 誘電体層 30を形成する方法は、絶縁性有機物 31と金属微粒子等 32とを予め混合 し一度に塗布する方法、絶縁性有機物 31と金属微粒子等 32とを共蒸着する方法、 金属微粒子等 32の層が絶縁性有機物 31の層で挟まれる、即ち絶縁性有機物 31の 中に中間層として金属微粒子等 32の層を設ける方法などが用レ、られるが、特に限定 されない。
また、誘電体層 30がさらに絶縁性有機物の層で挟まれる、即ち絶縁性有機物の中 に中間層として誘電体層 30を設ける構成も用いられる。
[0033] 絶縁性有機物と金属微粒子等の混合液を塗布する方法では、溶媒として、塩化メ チレン、テトラヒドロフラン、ァセトニトリル、エチルアルコール等を用レ、、金属微粒子 等と絶縁性有機物を上記配合体積比で混合し、 0. 3— 3. 0重量％の濃度に希釈し て塗布することが好ましい。必要であれば、界面活性剤、樹脂バインダ等を加えても よレ、。塗布方法としては、スピンコート法が好ましい。塗布後は、 70— 110°Cで乾燥 することが好ましい。
[0034] 蒸着時の基板温度は、使用する電極材料及び絶縁性有機物、金属微粒子等によ つて適宜選択されるが、電極層 21a、 21bの形成においては 0— 150°Cが好ましぐ 誘電体層 30の形成においては、 0 100°Cが好ましい。
絶縁性有機物と金属微粒子等の混合層を蒸着する方法では、好ましい真空度は 3 X 10— 6Torr、好ましい膜の成膜速度は絶縁性有機物が 0. 5-2. OA/s,金属微 粒子が 0. 1- 1. OA/sである。この範囲の成膜速度が好ましいのは、蒸着物による 膜の損傷を抑制するとともに、蒸着膜の結晶形態を抑制する必要があるからである。
[0035] 誘電体層 30を形成する方法は、有機薄膜の一般的な形成方法であるスピンコート 法、真空蒸着法等を用いることができる。また、 Au、 Pt、 Rh、 Ag等、特定の金属微 粒子に関しては、絶縁性有機物の膜とこれらの膜を積層した後、熱処理を行なうこと により、金属を有機膜中に拡散させる拡散法を用いることも可能である。
[0036] 各層の膜厚は、電極層 21a 21bとしては 50— 200nm力 S好ましく、誘電体層 30と しては 20 200nmが好ましい。
[0037] 上記の製造方法によって得られる本発明のコンデンサが高誘電率を示すメカニズ ムは詳細には分かっていないが、下記のように考えられる。すなわち、トンネル注入な どにより金属微粒子等に一度電荷が入ると、絶縁性有機物とのエネルギー準位の関 係からこの電荷は金属微粒子等の中に閉じ込められる事になる。この閉じ込められた 電荷が誘電体における誘電分極と同様の作用をするために、誘電率の小さな絶縁 性有機物を用いても実効的に非常に大きな誘電率を得る事ができる。
[0038] これにより、本来は誘電率の小さな絶縁性有機物を用いた場合でも、実効的に高 い誘電率として動作させる事ができ、容量の大きなコンデンサを作成できるものと考 えられる。
実施例
[0039] 以下、実施例を用いて、本発明のコンデンサについて更に詳細に説明する力 本 発明はこれに限定されるものではない。
[実施例 1]
以下の手順で、図 1に示すような構成のコンデンサを作成した。
基板 10としてガラス基板を用レ、、真空蒸着法により、電極層 21aとしてアルミニウム 薄膜を形成した。次に、絶縁性有機物 31として 2_アミノー 4， 5—イミダゾールジシァネ ート (東京化成社製 A1292)、金属微粒子 32としてアルミニウムを用いてこれらを共 蒸着法にて誘電体層 30を形成し、その後、電極層 21bとしてアルミニウムを順次連 続して薄膜を形成し、実施例 1のコンデンサを形成した。
なお、電極層 21a、誘電体層 30、電極層 21bは、それぞれ、 100nm 100 10 Onmの厚さとなるように成膜した。金属微粒子 32としてのアルミニウムの平均粒径は 約 25nmであった。蒸着装置は拡散ポンプ排気で、 3 X 10— 6torrの真空度で行なつ た。また、アルミニウムの蒸着は抵抗加熱方式により成膜速度は 3 A/secで行い、 金属微粒子としてアルミニウムを含有する 2_アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネート は、共蒸着法により作製した。蒸着は抵抗加熱方式であり、成膜速度は 2 -アミノ- 4， 5-イミダゾールジシァネートが 2A/sec、アルミニウムが 1 A/secである。各層の蒸 着は同一蒸着装置で連続して行い、蒸着中に試料が空気と接触しない条件で行つ た。
[0040] [実施例 2]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2_アミノー 4， 5_イミダゾールジシァネート、 金属微粒子 32に金を用レ、、これらを共蒸着法した膜を用いた。これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[0041] [実施例 3]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2_アミノー 4， 5_イミダゾールジシァネート、 金属微粒子 32に銅を用レ、、これらを共蒸着法した膜を用いた。これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[0042] [実施例 4]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2-アミノー 4, 5-イミダゾールジシァネート、 金属微粒子 32にアルミニウムを用いた。さらに、誘電体層 30と電極 21a、 21bとの間 には、それぞれ 2_アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートのみの層を設け、絶縁性有 機物の中に中間層として誘電体層 30を設ける構成とした。これを 2—アミノー 4, 5—イミ ダゾールジシァネートの層を 40nm、誘電体層 30の層を 20nm、 2—アミノー 4, 5_イミ ダゾールジシァネートの層を 40nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜 を用いた。これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[0043] [実施例 5]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記キノメタン系化合物 A、金属微粒子 32 にアルミニウムを用レ、、キノメタン系化合物 40nm、誘電体層 20nm、キノメタン系化 合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例 1 と同様な条件である。
[化 5]
Figure imgf000022_0001
[実施例 6]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記キノメタン系化合物 B、金属微粒子 32 にアルミニウムを用レ、、キノメタン系化合物 40nm、誘電体層 20nm、キノメタン系化 合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例 1 と同様な条件である。
[化 6]
Figure imgf000022_0002
[実施例 7]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記トリフエニルァミン系化合物 C、金属微 粒子 32にアルミニウムを用レ、、トリフエニルァミン系化合物 40nm、誘電体層 20nm、 トリフエニルァミン系化合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。 これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[化 7]
Figure imgf000023_0001
[実施例 8]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記トリフエニルァミン系化合物 D、金属微 粒子 32にアルミニウムを用レ、、トリフヱニルァミン系化合物 40nm、誘電体層 20nm、 トリフヱニルァミン系化合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。 これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[化 8]
Figure imgf000023_0002
[0047] [実施例 9]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記ピリドン系化合物 E、金属微粒子 32に アルミニウムを用レ、、ピリドン系化合物 40nm、誘電体層 20nm、ピリドン系化合物 40 nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例 1と同様な 条件である。
[化 9]
Figure imgf000023_0003
[0048] [実施例 10] 金属微粒子 32の代わりに、電荷トラップとなる有機物 32として銅フタロシアニンを用 レヽ、成膜速度は 2—ァミノ— 4, 5_イミダゾールジシァネートが l A/sec、銅フタロシア ニンが 0. 5A/secである。これ以外は、実施例 1と同様な条件である。
[0049] [実施例 11]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2_アミノー 4， 5_イミダゾールジシァネート、 電荷トラップとなる有機物 32に銅フタロシアニンを用いた。さらに、誘電体層 30と電 極 21a、 21bとの間には、それぞれ 2—ァミノ _4， 5_イミダゾールジシァネートのみの 層を設け、絶縁性有機物の中に中間層として誘電体層 30を設ける構成とした。これ を 2—ァミノ _4， 5 イミダゾールジシァネートの層を 30nm、誘電体層 30の層を 40nm 、 2_アミノー 4, 5_イミダゾールジシァネートの層を 30nmとなるように順に真空蒸着法 にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例 10と同様な条件である。
[0050] [実施例 12]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2-アミノー 4, 5-イミダゾールジシァネート、 電荷トラップとなる有機物 32に上記ピリドン系化合物 Eを用い、これを 2 アミノー 4， 5 —イミダゾールジシァネートの層を 30nm、誘電体層 30の層を 40nm、 2 アミノー 4, 5 イミダゾールジシァネートの層を 30nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三 層膜を用いた。これ以外は、実施例 11と同様な条件である。
[0051] [実施例 13]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に 2-アミノー 4, 5-イミダゾールジシァネート、 電荷トラップとなる有機物 32に α _6Τを用レ、、これを 2—ァミノ— 4, 5 イミダゾールジ シァネートの層を 30nm、誘電体層 30の層を 40nm、 2 アミノー 4, 5 イミダゾールジ シァネートの層を 30nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。 これ以外は、実施例 11と同様な条件である。
[0052] [実施例 14]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記トリフエニルァミン系化合物 F、電荷トラ ップとなる有機物 32に銅フタロシアニンを用レ、、トリフエニルァミン系化合物 40nm、 誘電体層 20nm、トリフエニルァミン系化合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層した 三層膜を用いた。これ以外は、実施例 11と同様な条件である。 [化 10]
Figure imgf000025_0001
[実施例 15]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31に下記トリフエニルァミン系化合物 G、電荷ト ラップとなる有機物 32に銅フタロシアニンを用レ、、トリフエニルァミン系化合物 40nm 、誘電体層 20nm、トリフエニルァミン系化合物 40nmの順に真空蒸着法にて積層し た三層膜を用いた。これ以外は、実施例 11と同様な条件である。
[化 11]
Figure imgf000025_0002
[0054] [実施例 16]
誘電体層 30として、絶縁性有機物 31にひ _NPD、電荷トラップとなる有機物 32に 銅フタロシアニンを用レヽ、 ひ _NPD40nm、誘電体層 20nm、 ひ _NPD40nmの順に 真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例 11と同様な条件であ る。
[0055] [比較例 1]
基板 10としてガラス基板を用い、真空蒸着法により、電極層 21aとしてアルミニウム を、誘電体層として 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートを、電極層 21bとしてァ ルミ二ゥムを順次連続して薄膜を形成し、比較例 1のコンデンサを形成した。作製条 件は、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートを蒸着する時にアルミニウムを共蒸 着しない事を除いては実施例 1と同様な条件を用いている。
[0056] [比較例 2]
誘電体層として実施例 5のキノメタン系化合物 Aを用いた以外は、比較例 1と同様に して、比較例 2のコンデンサを形成した。
[0057] [比較例 3]
誘電体層として実施例 6のキノメタン系化合物 Bを用いた以外は、比較例 1と同様に して、比較例 3のコンデンサを形成した。
[0058] [比較例 4]
誘電体層として実施例 7のトリフエニルァミン系化合物 Cを用いた以外は、比較例 1 と同様にして、比較例 4のコンデンサを形成した。
[0059] [比較例 5]
誘電体層として実施例 8のトリフエニルァミン系化合物 Dを用いた以外は、比較例 1 と同様にして、比較例 5のコンデンサを形成した。
[0060] [比較例 6]
誘電体層として実施例 9のピリドン系化合物 Eを用いた以外は、比較例 1と同様にし て、比較例 6のコンデンサを形成した。
[0061] [比較例 7]
基板 10としてガラス基板を用い、真空蒸着法により、電極層 21aとしてアルミニウム を、誘電体層として 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートを、電極層 21bとしてァ ルミ二ゥムを順次連続して薄膜を形成し、比較例 7のコンデンサを形成した。作製条 件は、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートを蒸着する時に銅フタロシアニンを 共蒸着しない事を除いては実施例 10と同様な条件を用いている。
[0062] [比較例 8]
誘電体層として実施例 14のトリフエニルァミン系化合物 Fを用いた以外は、比較例 7と同様にして、比較例 8のコンデンサを形成した。
[0063] [比較例 9]
誘電体層として実施例 15のトリフエニルァミン系化合物 Gを用いた以外は、比較例 7と同様にして、比較例 9のコンデンサを形成した。
[0064] [比較例 10]
誘電体層として実施例 16のひ一 NPDを用いた以外は、比較例 7と同様にして、比 較例 10のコンデンサを形成した。 [0065] [評価方法]
上記の実施例 1一 16、および比較 1一 10のコンデンサについて、その比誘電率を 室温環境で測定した。比誘電率は、インピーダンスアナライザー（YHP4192A)によ り測定した。 1kHzにおける比誘電率をまとめて表 2に示す。また、実施例 1の誘電体 層の表面の走查型電子顕微鏡（SEM)写真を図 2に示す。
[0066] [表 2]
Figure imgf000027_0001
表 2より、比較例 1では絶縁性有機物 31である 2—ァミノ _4， 5—イミダゾールジシァ ネートの比誘電率が測定されているのに対して、実施例 1一 4では同じ絶縁性有機 物を使用しているのにも関わらず、 20 70倍もの比誘電率が得られている。また、絶 縁性有機物 31にキノメタン系有機物、トリフエニルァミン系化合物、ピリドン系化合物 を用いた実施例 5— 9においても、比較例 2— 6と比較して 5— 20倍と大きな誘電率 が得られている。
[0068] 同様に、表 2より、比較例 7では絶縁性有機物 31である 2_アミノー 4, 5—イミダゾー ルジシァネートの比誘電率が測定されているのに対して、実施例 10 13では同じ絶 縁性有機物を使用しているのにも関わらず、 10 20倍もの比誘電率が得られている 。また、絶縁性有機物 31にトリフエニルァミン系化合物、 ひ一 NPDを用いた実施例 14 一 16においても、比較例 8 9と比較して 5 20倍と大きな誘電率が得られている。 図面の簡単な説明
[0069] [図 1]本発明のコンデンサの一実施形態を示す概略断面図である。
[図 2]実施例 1の誘電体層の表面の走査型電子顕微鏡（SEM)写真を示す。
符号の説明
[0070] 10 :基板
21a、 21b、：電極層
30 :誘電体層
31 :絶縁性有機物
32：金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物
産業上の利用可能性
[0071] 本発明によれば、比誘電率の低い絶縁性有機物を用いても大きな比誘電率を得る 事ができ、容量の大きなコンデンサを得る事ができる。さらには作製プロセスがほぼ 室温と低温であり、可撓性もあるために、このコンデンサはプリント基板、集積回路内 等、様々な場所に好適に利用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 絶縁性有機物と、該絶縁性有機物の中の金属微粒子及び Z又は電荷トラップとな る有機物とを含んでなり、該金属微粒子の仕事関数が該絶縁性有機物のイオン化ポ テンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位である力、、又は該金属微粒子若し くは該電荷トラップとなる有機物のイオンィ匕ポテンシャルと電子親和力が該絶縁性有 機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位である誘電体。
[2] 上記金属微粒子及び/又は上記電荷トラップとなる有機物が、上記絶縁性有機物 中に分散されている力 \又は、上記金属微粒子及び/又は上記電荷トラップとなる 有機物の層が、上記絶縁性有機物の層で挟まれる請求項 1に記載の誘電体。
[3] 上記絶縁性有機物が、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートとキノメタン系化合 物とトリフエニルァミン系化合物とピリドン系化合物とポリスチレンとポリビニルカルバゾ ールと α -NPDと TPDと Alq3と CBPと力 なる一群力 選ばれる請求項 1又は請求 項 2に記載の誘電体。
[4] 上記絶縁性有機物が、 2—アミノー 4, 5—イミダゾールジシァネートと、トリフエニルアミ ン系化合物と、 α— NPDとからなる一群から選ばれ、かつ上記電荷トラップとなる有 機物が、ピリドン系化合物と、フタロシアニン類と、 ひ—6Τとからなる一群から選ばれる 請求項 1一 3のいずれかに記載の誘電体。
[5] 請求項 1一 4のいずれかに記載の誘電体の層とこれを挟む 2つの電極を含んでなる コンデンサ。
[6] 請求項 1一 4のいずれかに記載の誘電体を絶縁性有機物の層で挟み、さらに電極 で挟んでなるコンデンサ。
[7] 電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微 粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物の混合液を塗布し乾燥するステップと、乾 燥した塗布膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法。
[8] 電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微 粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物を共蒸着するステップと、共蒸着により形 成された膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7388248B2 (en) * 2004-09-01 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Dielectric relaxation memory
DE102004052266A1 (de) * 2004-10-27 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Integrierte Analogschaltung in Schaltkondesatortechnik sowie Verfahren zu deren Herstellung
CN100517016C (zh) * 2005-10-27 2009-07-22 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光源与背光模组
US8561271B2 (en) 2009-12-16 2013-10-22 Liang Chai Methods for manufacture a capacitor with three-dimensional high surface area electrodes
US8929054B2 (en) 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
EP2596508B1 (en) * 2010-07-21 2024-05-22 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
US8885322B2 (en) * 2010-10-12 2014-11-11 Apricot Materials Technologies, LLC Ceramic capacitor and methods of manufacture
US10102978B2 (en) * 2013-03-15 2018-10-16 Cleanvolt Energy, Inc. Electrodes and currents through the use of organic and organometallic high dielectric constant materials in energy storage devices and associated methods
TWI641009B (zh) * 2017-10-13 2018-11-11 鈺邦科技股份有限公司 多層式堆疊結構的製作設備以及薄膜電容器的製作方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50161543A (ja) * 1974-06-19 1975-12-27
JPS5412500A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Film material providing high electrostatic capacitance
JPS54163400A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS54163399A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS556755A (en) * 1978-06-30 1980-01-18 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS5869252A (ja) * 1981-10-21 1983-04-25 Kureha Chem Ind Co Ltd 誘電体フイルムおよびその製造方法
JPS61206229U (ja) * 1985-06-15 1986-12-26
JPH05267091A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層薄膜コンデンサの製造方法
JPH07106181A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Towa Electron Kk 導体、誘電体混合型コンデンサ
JPH07226334A (ja) * 1994-02-09 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜コンデンサ及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427264A (en) * 1966-02-07 1969-02-11 Exxon Research Engineering Co Metal-filled plastics comprising a styrene polymer and an elastomer
JPS57160115A (en) * 1981-03-27 1982-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrostatic capacitance element
JPH03284813A (ja) * 1990-03-14 1991-12-16 Fujikin Sofuto Kk コンデンサ
DE4011580A1 (de) * 1990-04-10 1991-10-17 Feldmuehle Ag Herstellung von materialien mit verbesserten dielektrischen eigenschaften
KR100533097B1 (ko) * 2000-04-27 2005-12-02 티디케이가부시기가이샤 복합자성재료와 이것을 이용한 자성성형재료, 압분 자성분말성형재료, 자성도료, 복합 유전체재료와 이것을이용한 성형재료, 압분성형 분말재료, 도료, 프리프레그및 기판, 전자부품

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50161543A (ja) * 1974-06-19 1975-12-27
JPS5412500A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Film material providing high electrostatic capacitance
JPS54163400A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS54163399A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS556755A (en) * 1978-06-30 1980-01-18 Matsushita Electric Works Ltd High dielectric composition
JPS5869252A (ja) * 1981-10-21 1983-04-25 Kureha Chem Ind Co Ltd 誘電体フイルムおよびその製造方法
JPS61206229U (ja) * 1985-06-15 1986-12-26
JPH05267091A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層薄膜コンデンサの製造方法
JPH07106181A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Towa Electron Kk 導体、誘電体混合型コンデンサ
JPH07226334A (ja) * 1994-02-09 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜コンデンサ及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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