WO2004070696A1 - 有機ｅｌディスプレイ及びアクティブマトリクス基板 - Google Patents

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WO2004070696A1
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switch
control terminal
control
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Makoto Shibusawa
Yoshiro Aoki
Hirondo Nakatogawa
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Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd.
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Definitions

  • the present invention relates to a display and an array substrate, and more particularly to an active matrix type organic EL (Electro-Luminescence) display and an active matrix substrate used therefor.
  • active matrix type organic EL Electro-Luminescence
  • organic EL displays which are self-emissive displays that can respond faster and have a wider viewing angle than liquid crystal displays, have been actively developed in flat-tone displays. Has been done.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a pixel circuit of a conventional organic EL display. This pixel circuit is disclosed in U.S. Pat. No. 6,373,4544B1 and operates as described below.
  • the switch Sw2 is closed, and the organic EL element OLED is connected to the drain of the transistor Dr. Since the gate-source voltage of the transistor Dr is set as described above, a current force s of approximately the same magnitude as the current I in flows in the organic EL element OLED. Thereby, the light emission period is started. Note that the light emission period is charged until the next writing period starts.
  • the gate-source voltage is kept constant during the light emission period.
  • the non-conducting state of the switch Sw1 is incomplete, electric charge can move between the gate drains of the transistors Dr, and the gate-to-source voltage becomes low. fluctuate.
  • An object of the present invention is to improve the display quality of an active matrix type organic EL display.
  • the first power supply terminal is connected to the first power supply terminal.
  • a drive control element including a first terminal, a control terminal, and a second terminal that outputs a drive current with a magnitude corresponding to a voltage between them, and one electrode is connected to the control terminal;
  • a capacitor capable of maintaining a constant voltage between the first terminal and the control terminal;
  • An actuating device comprising: an organic light-emitting element connected between a second terminal and a second power supply terminal; and a plurality of first switches connected in series between the S3J2 terminal and the control terminal.
  • An L display is provided.
  • a drive control element including a first terminal, a control terminal, and a second terminal that outputs a driving turtle with a size corresponding to the m-pressure between them; and one electrode is connected to the control terminal.
  • a canon that can maintain a constant voltage between the first terminal and the control terminal and "! ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4"
  • An organic EL element connected between the second terminal and the second power supply terminal; and a plurality of first switches connected in series between the second terminal and the control terminal. ⁇ sc.
  • the plurality of first switches are field-effect transistors having the same conductivity type. ⁇ ⁇
  • the gates of the plurality of first switches are connected to the same scan signal input terminal.
  • the plurality of switches connected in series, One switch located at the end on the control terminal side provides an active matrix type organic EL display with a threshold that is deeper than the other first switches.
  • a drive control element including a first terminal, a control terminal, and a second terminal that outputs a drive current with a magnitude corresponding to a voltage between them; and one of the electrodes is connected to the control terminal.
  • the voltage between the terminal and the control terminal can be kept constant.
  • An organic EL element connected between the second terminal and the second power supply terminal; and a plurality of first switches connected in series between the second terminal and the control terminal.
  • Each of the plurality of first switches is a field-effect transistor having the same conductivity type.
  • the gates of the plurality of first switches are connected to the same scanning signal input terminal and connected in series.
  • the first switch located at the end on the control terminal side has an active channel having a longer channel length than the other first switches.
  • the first power supply terminal connected to the first power supply terminal
  • a drive control element including a first terminal, a control terminal, and a second terminal that outputs a drive current having a size corresponding to the m-pressure between them;
  • the electrode is connected to the control terminal, and the voltage between the first terminal and the control terminal can be maintained constant.
  • An organic EL element connected between the second terminal and the second power supply terminal; a plurality of first switches connected in series between the second terminal and the control terminal; and the plurality of one switches.
  • a record system A first scanning signal terminal connected to a control terminal of the first switch located at an end on the control terminal side, and control of other first switches of the plurality of first switches; And a second scanning signal terminal connected to the terminal.
  • the plurality of first switches are field-effect transistors each having the same conductivity type, and the plurality of first switches are connected in series.
  • the first switch located at the end on the control terminal side is provided with an active matrix organic EL display having a smaller channel area than the other first switches. Is done.
  • a first terminal connected to a first power supply terminal, a control terminal, and a second terminal outputting a drive current with a magnitude corresponding to a voltage between the first terminal and the control terminal.
  • 2 terminals are organic E
  • a drive control element to be connected to the second power supply terminal via the L element, and one pole connected to the control terminal, to maintain a constant voltage between the first terminal and the control terminal.
  • an active matrix type substrate comprising: a capacitor; and a plurality of switches connected in series between the second terminal and the U-shaped control terminal.
  • Figure 1 shows an example of a conventional organic EL display pixel circuit.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing an active matrix type organic EL display according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an actual arrangement that can be adopted for pixels in the organic EL display of FIG. 2;
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing a modification of the structure shown in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing the actual arrangement of pixels of the organic EL display according to the reference example;
  • FIG. 6 schematically shows an example of a structure that can be adopted for a switch other than the switch located at the terminal on the control terminal side of the drive controller among a plurality of switches included in the switch group. Sectional view shown;
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be adopted for a switch located at the terminal on the control terminal side of the drive control element among a plurality of switches included in the switch group.
  • FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel circuit that can be employed in the organic EL display of FIG. 8;
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of a signal input to the delay element in FIG. 12 and a waveform of a signal output from the delay element.
  • At least one terminal of the capacitor C 1 is connected to the control terminal (gate) of the drive control element Dr, and the gate of the drive control element Dr and the drive control element corresponding to the input signal are connected. Maintains the potential difference between the terminal (source) connected to the power supply line V dd of Dr.
  • the canister C1 is connected between the power supply line Vdd and the gate which is the control terminal of the drive control element Dr.
  • the switches Sw1a to Sw1c are connected in series between the control terminal of the drive control element Dr and the terminal (drain) connected to the switch Sw2 of the drive control element Dr. It is connected to the.
  • the control terminals (gates) of the switches Sw1a to Swlc are connected to the scanning signal line driver YDR via the same control line for each pixel row.
  • the control terminals of the switches Swla to Swlc are connected to the scanning signal line Scan1 to which the control terminal of the switch Sw3 is connected.
  • a scanning signal line for supplying a scanning signal to each of the control terminals Sw1a to Sw1c may be provided separately from the scanning signal line Scan1.
  • a plurality of switches Swla to S in which terminals and control terminals connected to the switch Sw 2 of the drive control element Dr, that is, drains and gates, are connected in series. Connected via wlc. Therefore, during the light emitting period, the voltage applied between the drain of the drive control element Dr and the gate is switched. It can be distributed to each of Sw1a to Swlc. As a result, during the light emission period, the electric charge does not easily move between the drain of the drive control element Dr and the gate, and the fluctuation of the gate-source voltage is suppressed.
  • the number of times of doping the switch S wlb and the channel region of W 1 C with an impurity is based on the number of times of doping the channel region of the switch Sw 1 a with an impurity. For example, first, the switches S wla to S w
  • FIG. 6 shows a plurality of switches S w included in the switch group S w G.
  • the switch shown in Figure 6 is a top-gate p-channel T F
  • FIGS. 6 and 7 illustrate a top-gate type TFT
  • the switch S w ⁇ a no; 5W1c is a bottom-gate type thin-film transistor. May be used.
  • the knock gate is a gate that is disposed opposite to the control terminal via the gate fc edge film and the semiconductor layer.
  • a switch formed by connecting a plurality of switches V w Sw 1a ⁇ ; 3 ⁇ SW 1 c in series is provided between the gate and the gate of the drive control element Dr.
  • the contact with the group S w G makes it possible to effectively suppress the gate potential fluctuation of the drive control element Dr generated during the light emitting period.
  • the drive controller D of the switches V Sw 1 a to Sw I c included in the switch group sw G is controlled. r on the gate side of r
  • the pitch S w 1 a, the other of the scan I Tutsi S w 1 1 3 ⁇ Pi 3 1 (:. Yo Ri was by cormorant control a fast O off the other hand, in the second aspect ⁇ sweep rate croaker group S w
  • the same effect is achieved by controlling the waveform of the scanning signal supplied to G.
  • FIG. 8 is a plan view schematically showing an organic EL display according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel circuit that can be employed in the organic EL display of FIG. 8.
  • reference numeral AA indicates a display area.
  • each pixel PX is provided with a delay element D1y for extending and outputting an input signal. In the second aspect, this controls the off-timing of the switches Sw1 a to Sw ⁇ c included in the switch group SwG.
  • the switching from the conductive state of the switch SW1a to the non-conductive state can be completed earlier than that of the switches V Sw1b and Sw1C.
  • the channel areas of the cuts SW 1 a to sw 1 c may be equal to each other, ⁇ or ⁇ or may be different. That is, Sikchi S w 1 a Nozen C3 W 1
  • the channel lengths L a to L c of c may be the same or different from each other or the channel widths of the switches Sw 1 a to Sw I c may be equal to each other. Yo ⁇ or even if different, ⁇
  • the channel length La of the switch Sw1a is set to the channel length Lb of the switch Sw1b and the switch 5W
  • L a is 3 ⁇ m
  • channel lengths L b and L c are 4 m to 9 ⁇ m
  • all channel widths of switches S 1 a ⁇ W 1 c are 3 ⁇ m 0
  • the switching of the switch sw 1 a from the conducting state to the non-conducting state is made earlier than that of the switch V SW 3. This is shown in FIGS. 8 and 9, for example.
  • the control terminal of the switch S 3 is connected to the control terminal of the This is possible by connecting can 1 to.
  • the resistance element for example, a semiconductor layer having an LDD (Lightly Doped Drain) structure in which impurities are implanted at a low concentration or a semiconductor layer in an intrinsic state can be used.
  • the low concentration is a concentration lower than the impurity concentration implanted into the source and drain of the thin Storia transistor, for example, 1 ⁇ 10 11 cm— 2 to
  • FIG. 10 is a timing chart showing an example of a driving method of the organic EL display of FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of a waveform of a signal (solid line) input to the delay element of FIG. 9 and a signal (dotted line) output from the delay element.
  • the signal waveforms indicated by 26 show the waveforms of the clock signal and the start signal supplied from the controller CNT to the driving signal line driver YDR, respectively.
  • “D ata” indicates that the video signal supplied from the video signal line driver YDR to the video signal line D ata changes every horizontal scanning period.
  • the signal waveforms denoted by “Scanl” and “Scan2” indicate the waveforms of the scan signals supplied to the scan signal lines Scan1 and Scan2 by the scan signal line driver YDR, respectively. .
  • the waveform of each signal is rectangular in FIG. 10 for simplicity, the rise and fall of each signal are actually slow due to wiring resistance and capacitance. It has become.
  • the organic EL display 1 according to this embodiment can be driven by the same method as that described in the first embodiment.
  • switch Swla can be turned off before switches Swlb, Sw1c, and Sw3.
  • the channel area of the switch Sw1a may be smaller than the channel area of the switch Sw1b and the channel area of the switch Sw1c.
  • the switches S wla to S wlc have the same channel width, and the channel length L a of the switch S wla is equal to the channel length L b of the switch S wl.
  • the channel length of the switch Swlc may be shorter than the channel length.
  • the switch Sw1a has a shorter channel length than the switches Sw1b, Sw1c and Sw3, then the switch Sw1a is switched to the switch Sw1a.
  • the threshold is shallower than wlb, Sw1c and Sw3. Therefore, if the difference between the waveform of the signal input to the delay element Dly and the waveform of the signal output from the delay element D1y is small, the switch from the conductive state to the non-conductive state of the switch Swla is switched. It is difficult to complete earlier than that of switches Swlb, Swlc and Sw3.
  • the time difference between the off operation of the switch S wla and the off operations of the switches S wlb and S wlc depends on the resistance value of the delay element D 1 y. Can be changed.
  • This time difference is set, for example, to 0.2 ⁇ s or more, and preferably to l ⁇ i s or more.
  • FIG. 12 is an equivalent circuit diagram showing another example of the pixel circuit that can be employed in the organic EL display of FIG.
  • a forward current flows from the control terminals of the switches Sw 1 b, Sw 1 c and Sw 3 to the scanning signal line Scan 1 as the delay element Dly.
  • this display 1 can be driven by the same method as described with reference to the first embodiment or FIG. 10. It can be.
  • the OFF signal supplied to the control terminals of the switches S wlb, Sw 1c, and Sw 3 is Delay with respect to the OFF signal supplied to the control terminal of the switch C5W1a. Accordingly, also in this example, the same effect as described in the first embodiment can be obtained.
  • L / w can be adjusted according to the ratio W / L of channel width W to channel length L
  • the signal waveform supplied to the switch Sw1a and the signal waveform supplied to the switches Sw1b to sw1c can be made different in a different manner.
  • a pair of diodes connected in parallel can be used as the delay element D 1 y.
  • FIG. 14 is an equivalent circuit diagram showing still another example of the pixel circuit that can be employed in the organic EL display of FIG.
  • the delay element D ly is connected in parallel between the control terminals of the switches Sw 1 b, Sw 1 c and Sw 3 and the scan signal line S can 1.
  • the connected diodes Da and Db are used.
  • the diode Da is connected so that a forward current flows from the control terminals of the switches Swlb, Sw1c and Sw3 to the scanning signal line Scan1.
  • the diode Db is connected so that a forward current flows to the control terminals of the scanning signal lines Scan1 and the switches Swlb, Sw1c and Sw3.
  • the display 1 is formed in the same manner as described with reference to the first embodiment and FIG. Can be driven.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a waveform of a signal (solid line) input to the delay element in FIG. 14 and a signal (dotted line) output from the delay element.
  • the scanning signal supplied from the scanning signal line driver YDR to the scanning signal line Scan 1 is When it falls, a forward current flows through the diode Da.
  • the ON signal is supplied to the control terminals of the switches Sw1b, Sw1c and Sw3 with a delay from the falling of the running signal.
  • a forward current flows through the diode Db.
  • An OFF signal is supplied to the control terminals of the switches Swlb, Swlc, and Sw3 with a delay from the rise of the scan signal. Therefore, in this example, the same effect as that described in the first embodiment is obtained. Obtainable.
  • the forward currents flowing through the diodes Da and Db are supplied to the control elements of the switches S ⁇ v1b, Swlc and Sw3, respectively, by the ON signal and the OFF signal. Since it is used as a signal, the delay of the OFF signal can be controlled independently from the delay of the ON signal.
  • diodes D a and D b for example, FIG.
  • a diode-connected TFT can be used. If a diode-connected P-channel TFT is used as the diodes D a and D b, the switches S wla to Sw 1c, S w2 and the like are used as the diodes D a and D b. ⁇ S w
  • Diodes were connected as diodes D a and D b
  • the magnitude of the delay of the ON signal and the magnitude of the delay of the OFF signal are determined by the ratio WZ between the channel width W and the channel length L of the TFT used as the diodes Da and Db. It can be adjusted according to L.
  • FIG. 16 shows an example of a pixel circuit that can be employed in the active matrix type organic EL display according to the third embodiment of the present invention.
  • This pixel PX has an organic EL element OLED, a drive control element Dr, a canister C 1, a canister C 2, a delay Child D 1 y ⁇ ⁇
  • the switch group S w G is composed of three switches S w1 a to n 5 to S wlc, and here, as an example, the drive control element D r
  • the P-channel TFT is used for the switch SW1a, the switch SW1C, the switch SW2, and the switch V3W3.
  • the LEDs are connected in series in this order between the power supply line Vdd and the power supply line Vss.
  • the capacitor C 1 has at least one of its electrodes connected to the control terminal of the drive control element Dr, and determines the potential difference between the gate and the source of the drive control element Dr corresponding to the input signal. keep.
  • the capacitor C1 is connected between the power supply line Vdd and the gate which is the control terminal of the drive control element Dr.
  • the switches V sw 1 a to Sw 1 c are connected in series between the control terminal of the drive control element Dr and the terminal connected to the switch Sw 2 of the drive control element Dr. .
  • the control terminal of the switch Swla is directly connected to the scanning signal line Scan1.
  • the control terminals of the switches V1 and W1 c are connected to the delay element D
  • the switch s W 3 and the capacitor C 2 are connected in series between the video signal line D ata and the control terminal of the drive controller Dr. I have.
  • the control terminal of the switch Sw3 is connected to the scanning signal line SCan1 via the delay element D1y.
  • a video signal line drive circuit XDR that can supply a voltage signal as a video signal to the video signal line Data is used.
  • the substrate 2 In the organic EL display 1 in which the pixel circuit shown in FIG. 16 is used for the pixel PX, the substrate 2, the scanning signal lines Scan1 and Scan2, the video signal line D ata, and the power supply line V dd
  • the switches Sw1a and Sw ⁇ c, Sw2 and Sw3, the drive control element Dr, the capacitors C1 and C2, and the delay element Dly are active mats. It constitutes a risk board.
  • the active matrix board can further include a scanning signal line driver YDR and a video signal line driver XDR.
  • this active matrix substrate can further include one electrode of the organic EL element OLED, etc.o
  • the organic EL display 1 in which the pixel circuit of FIG. 16 is used for the pixel PX can be driven, for example, by the following method.
  • An R signal is supplied to the scanning signal line Scan 1 connected to the selected pixel PX, and an ON signal for setting the switches Sw 1 a to Sw 1 c and Sw 3 to the selected state.
  • an OFF signal for turning off the switch Sw 2 is supplied to the scanning signal line Scan 2 connected to the pixel PX.
  • the switch Sw2 is made non-conductive, and the switches Swla to Sw1c and sw3 are made conductive.
  • the potential of the video signal line D ata is set to the reset signal voltage V rst by the video signal line driver XDR.
  • an OFF signal for turning off the switches S wla to S w1c and S w3 is supplied to the scanning signal line S can1.
  • the switch Swla is turned off, and then the switches Swlb, Swlc, and Sw3 are turned off.
  • the period from the sweep rate pitch S w 1 a such that the non-conductive state connexion until sweep rate Tutsi S w 3 becomes non-conductive, the video signal V i n from the video signal line driver XDR to the video signal line D ata Supply.
  • an ON signal for selecting the switch Sw2 is supplied to the scanning signal line Scan2 to make the switch Sw2 conductive. Since gate toe-source voltage of the drive control element D r it is be configured so that good mentioned above, the organic EL element OLED, V rs t and magnitude of the current corresponding to the difference between V in flows. Thereby, the light emission period is started. Note that the light emitting period continues until the next writing period starts.
  • the drive control element D ′ r is connected to the switch Sw 2.
  • the connected terminal and the control terminal that is, the drain and the gate, are connected via a plurality of switches Vswl to Swlc connected in series. Therefore, similarly to the first embodiment, during the light emission period, the transfer of electric charge between the lane and the gate of the drive control element Dr becomes difficult to occur, and the fluctuation of the gate-source voltage is suppressed. You.
  • the switch V SWa is turned off before the switches SW 1 b and SW 1c. Therefore, also in this embodiment, it is possible to suppress a large shift in the gate potential as in the first embodiment.
  • the PP position can be realized.o
  • a configuration in which the operation of the switch SW3 can be independently controlled from the operation of the switches Sw1a to Swlc may be adopted.
  • a scanning signal line Scanl For example, using a scanning signal line Scanl
  • a scan signal line for controlling the operation of the switch sw3 may be provided separately from the scan signal line Scan1, which controls the operation of the switches Sw1a to Sw1c.
  • the resistance element shown in FIG. 16 can be used as the delay element D 1 y.
  • the diode described in the second embodiment can be used as the delay element D 1 y.
  • each switch included in the switch group SwG is connected to the same control wiring.
  • K and T and 5 (14 modes TJP2004 / 000367
  • control wiring connected to the control terminal of the switch located at the gate side end of the drive control element Dr among the switches included in the switch group SwG is changed to another. Provided independently of the control wiring connected to the control terminal of the switch. In the fourth aspect, this achieves the same effects as the first to third aspects.
  • FIG. 17 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel circuit that can be employed in the active matrix type organic EL display according to the fourth embodiment of the present invention.
  • each switch group SwG is composed of switches Swla and Swlb.
  • scanning signal lines Scan1a to Scanlc are provided instead of the scanning signal lines Scan1.
  • the control terminal of the switch Sw3 is connected to the running signal line drive circuit YDR via the running signal line Scan1a.
  • the control terminal of the switch Sw1a is connected to a scanning signal line driving circuit YDR via a scanning signal line Scan1b.
  • the control terminal of the switch Sw1b is connected to the scanning signal line driving circuit YDR via the scanning signal line Scan1c.
  • a p-channel TFT as a switch Sw1a, Sw1b, Sw2 and Sw3 and a drive control element Dr, You.
  • FIG. 18 is a timing chart showing an example of a driving method of an organic EL display employing the pixel circuit of FIG. 17 as a pixel.
  • S cania "S canlb”
  • S canlc The signal waveforms indicated by “S canlc” and “S can 2” are supplied to the scanning signal lines S can 1 a, S canlb, S canlc and S can 2 by the scanning signal line driver YDR, respectively. 5 shows the waveform of the scanning signal.
  • the scanning signal line driver YD sets the switch SW2 to the non-selection state for the scanning signal line Scan2 connected to the pixel PX to be selected.
  • the scanning signal of the High level is supplied, and the switches Swla and Sw1 are applied to the scanning signal lines Scan1a to Scan1c connected to the pixel PX.
  • An ON signal in this case, a low-level running signal
  • the switch Sw2 is made non-conductive, and the switches Swla, Swlb and Sw3 are made conductive.
  • the video signal line driver XDR causes the video signal line from the power supply line V dd via the drive control element Dr, the switch Sw 3, and the video signal line D ata. the conductive paths leading to the driver XDR, flow magnitude equal Sano constant current to the video signal current I i n.
  • the switches S wla and S wlb are in a conductive state, the potential difference (the voltage between the gate and the source) between the control terminal of the drive control element Dr and the power supply line V dd corresponds to the current I in . Is set to the new value.
  • an OFF signal (here, a high-level scanning signal) for turning off the switch S wla is supplied to the scanning signal line S can 1 b, and the switch S wla is turned off.
  • the switch SW 1 D is supplied to the scan signal an 1 c so that the switch SW 1 D is in the non-selection state.
  • the switch Sw 1 b is set to the non-conducting M state. It shall be.
  • the switch Sw 3 is set to the non-selection state to the scanning signal line Sean 1 a-An OFF signal (in this case, a high-level scan signal) is supplied, and the switch SW 3 Is turned off.
  • an ON signal (here, a low-level scan signal) for selecting the switch Sw 2 is supplied to the scanning signal line S can 2 to make the switch Sw 2 conductive.
  • Gate Tososu voltage of the drive control element D r than be configured so that good above, Ri by o to a current of approximately equal magnitude to the current I i n flows through the organic EL element OLED, the light emission period Is started. Note that the light emission period lasts until the OFF signal for turning off the switch Sw 2 is supplied prior to the start of the next writing period.
  • the channel area of the switch SW1a may be smaller than the channel area of the switch SW1b.
  • the channel widths of the switches Sw1a and sW1b are the same, and the channel length La of the switch Vsw1a is defined as the channel length Lb of the switch Swlb. Or ⁇ .
  • the gate potential fluctuation of the drive control element Dr is reduced by It can be more effectively prevented.
  • FIG. 19 is an equivalent circuit diagram illustrating another example of a pixel circuit that can be employed in the organic EL display according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the control terminal of the switch Swlb is connected to the scanning signal line Scan1a, and the scanning signal line Scan1c is omitted.
  • FIG. 20 is a timing chart showing an example of a driving method of an organic EL display employing 19 pixel circuits for pixels. As is clear from the comparison between FIG. 18 and FIG. 20, the organic EL display 1 in which the pixel circuit of FIG. 19 is used for the pixel PX is switched by using the scanning signal line Scan1a. H S wlb and S w
  • Switch SW 2 and switch SW 3 are connected to TFs of different conductivity types.
  • Reference numeral 22 denotes a timing chart showing an example of a driving method of an organic EL display employing the pixel circuit of FIG. 21 as a pixel, which is apparent from a comparison between FIGS. 20 and 22.
  • the organic EL display 1 in which the pixel circuit shown in FIG. 21 is used for the pixel PX uses the scanning signal line SC anla to switch the switches Swlb and Sw.
  • FIG. 23 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel circuit that can be employed in the organic EL display according to the fifth embodiment of the present invention.
  • This screen PX is connected in series with an organic L element OLED, drive control element Dr, capacitor / capacitor C 1, capacitor C 2, and multiple switches.
  • a switch group Sw G, a switch Sw 2, and a switch Sw 3 are connected to each other.
  • the switch group Sw G is divided into two switches S G. It is composed of w 1 a and S w ⁇ b. o.
  • the drive control element Dr and the switches Sw1a, sw1b, and Sw2 have p
  • the LEDs are connected in series in this order between the power supply line Vdd and the power supply line Vss.
  • the capacitor C 1 is connected between the power supply line V dd and the gate which is the control terminal of the drive controller Dr.
  • the switches V 1a and Sw 1b are connected in series between the control terminal of the drive control element Dr and the terminal connected to the switch Sw 2 of the drive control element Dr. It is connected.
  • the control terminal of the switch Sw1a is connected to the running signal line Scan1b, while the control terminal of the switch Sw1b is connected to the running signal line sCan1c.
  • the control terminal of the switch aw2 is connected to the scan signal line Scan2.
  • the shifter c2 is connected in series between the video signal line Data and the control terminal of the drive control element Dr.
  • the control terminal of the switch Sw3 is connected to the scan signal line Scan1a.
  • the video signal line As the drive circuit XDR a circuit capable of supplying a voltage signal as a video signal to the video signal line Data is used.
  • the substrate 2 In the organic EL display 1 in which the pixel PX employs the pixel circuit shown in FIG. 23, the substrate 2, the scan signal lines Scan1a to Scanlc and Scan2, and the video signal line Data , Power supply line V dd, switches S wla, Sw 1b, Sw 2 and Sw 3, drive control element Dr, capacitors C 1 and C 2 and force S active mat It constitutes a resource board.
  • This active matrix board can further include a scanning signal line driver YDR and a video signal line driver XDR.
  • the active matrix substrate can further include one electrode of the organic EL element OLED and the like.
  • FIG. 24 is a timing chart showing an example of a driving method of an organic EL display using the pixel circuit of FIG. 23 in a pixel.
  • the switches S wla, S w1 b and S S are sent from the scanning signal line driver YD to the scanning signal lines S canl + a to S canlc connected to the pixel PX to be selected.
  • An ON signal is supplied to set w 3 to the selected state, and an OFF signal is supplied to the scanning signal line S can 2 connected to the pixel PX to set the switch S w 2 to the non-selected state. I do.
  • the switch Sw2 is turned off and the switches Swla, Swlb and Sw3 are turned on. 7
  • the potential of the video signal line D ata is set to the reset signal voltage V rst by the video signal line driver XDR.
  • the potential difference (the voltage between the gate and the source) between the control terminal of the drive control element Dr and the power supply line V dd becomes equal to the drive control element D It is set to the threshold voltage Vth of r.
  • an OFF signal is supplied to the scan signal line Scan1b to deselect the switch Swla, and the switch Sw1a is turned off.
  • an OFF signal is supplied to the scanning signal line Scan1c to set the switch Sw1b to a non-selected state, and the switch Swlb is turned off.
  • an OFF signal for turning off the switch Sw3 is supplied to the scanning signal line Scan1a, and the switch Sw3 is turned off.
  • an ON signal for setting the switch Sw 2 to the selected state is supplied to the scanning signal line S can 2 to make the switch Sw 2 conductive.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the organic EL panels of the first to fifth embodiments.
  • FIG. 25 shows a cross section of the organic EL panel DP along the switch Sw1a, the drive control element Dr, and the organic EL element OLED.
  • the organic EL panel DP has a light-transmitting insulating substrate 2 such as a glass substrate.
  • the light emitted from the organic EL element OLED is extracted to the outside of the organic EL panel DP through the light-transmitting insulating substrate 2, for example.
  • a patterned semiconductor layer is arranged on the insulating substrate 2.
  • These semiconductor layers are, for example, polysilicon layers.
  • a source 50 a and a drain 50 b of TFT are formed separately from each other.
  • the region 50c between the source 50a and the drain 50b in the semiconductor layer is used as a channel.
  • a gate insulating film 52, a first conductor pattern, and an insulating film 54 are sequentially formed.
  • the first conductor pattern is used as the gate G of TFT, the first electrode of the capacitor C1, the scanning signal lines Scan1 and Scan2, and the wiring connecting these.
  • the insulating film 54 is used as an interlayer insulating film and a dielectric layer of the capacitor C 1.
  • a second conductor pattern is formed on the insulating film 54.
  • the second conductor pattern is used as a source electrode S, a drain electrode D, a second electrode of the capacitor C1, a video signal line D ata, a wiring connecting these, and the like.
  • the source electrode S and the drain electrode D are connected to the source 50a and the drain 50b of the TFT via through holes provided in the insulating films 52 and 54, respectively.
  • a passivation film 56 and an anode 62 of an organic EL element OLED are sequentially formed.
  • the anode 62 is connected to the drain D of the switch Sw2 via a through-hole provided in the nozzle ⁇ beta 56.
  • a light-transmissive conductor such as ITO (Indium Tin Oxide) is used as the material of the anode 62.
  • an insulating layer 58 is formed on the passivation film 56.
  • an insulating layer 58 is formed in the insulating layer 58.
  • a through hole is provided at a position corresponding to the center of the anode 62.
  • the insulating layer 58 is, for example, a lyophilic inorganic insulating layer.
  • an insulating layer 60 is formed on the insulating layer 58.
  • a through hole having a large diameter is provided at a position corresponding to the center of the anode 62, as well as the through hole of the insulating layer 58.
  • the insulating layer 60 is, for example, a liquid-repellent organic insulating layer. Note that a laminate of the insulating layer 58 and the insulating layer 60 forms a partition insulating layer having a through hole at a position corresponding to the anode 62.
  • a buffer layer 63 and a light emitting layer 64 are sequentially formed.
  • the buffer layer 63 mediates hole injection from the anode 62 to the light emitting layer 64 Play a role.
  • the light emission 64 is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound that emits red, green, or blue light.
  • a cathode 66 is provided on the partition insulating layer and the light emitting layer 64 as a common electrode for all the screens.
  • the cathode 66 is provided on the anode and barrier film 56 and the partition insulating layer. It is connected to the power supply line V SS via a contact hole (not shown).
  • a mussel layer body including a main conductor layer containing barium or the like and a protective conductor layer containing aluminum or the like is used.
  • Each of the organic EL elements OLED is composed of the anode 62, the buffer layer 63, the light emitting layer 64, and the cathode 66.
  • the light emitted from the light-emitting layer 64 is not emitted from the cathode 66 side.

Description

明 細 書
有機 E Lディ スプレイ及ぴアクティ ブマ ト リ タス基板 技術分野
本発明は、 ディ スプレイ及ぴアレイ基板に係 り 、 特には、 アクティ ブマ 卜 リ クス型有機 E L (Electro-Luminescence) ディ スプレイ及びそれに使用するアクティ ブマ ト リ ク ス基板 に関する。
背景技術
液晶デイ スプ レイ に代表されるフラ ッ ト / ネノレディス プ レ ィ は、 陰極線管ディ スプレイ に比ベて薄型、 軽量 、 低消費電 力であるなどの有利な特徴によ り 、 その需要を急速に伸ばし ている。 なかでも、 各画素にメモ リ性を付与して映像信号を 保持可能と したアクティ ブマ 卜 ジ タス型ディ スプレイは、 良 好な表示品位が得られる こ とから 、 ¾5 Ί冃幸艮機器を始めとす る種々のディ スプレイで利用 されている。
近年、 フラ ッ トノ ネノレディ スプレイ のなかでも 、 液晶ディ ス プ レイ に比べて高速応答及ぴ広視野角化が可能な自己発光 型のディ ス プ レイ である有機 E Lディ ス プ レイ の開発が盛ん に行われている。
図 1 は 、 従来の有機 E Lディ スプレイ の画素回路の一例を 示す図である。 こ の画素回路は、 米国特許第 6 ， 3 7 3 , 4 5 4 B 1 号で開示されてお り 、 以下に説明する よ う に動作す る。
まず、 スィ ッ チ S w 2 を開いた状態で、 スィ ッ チ S w l 及 ぴ S w 3 を閉じ、 ト ランジスタ D r に所望の映像信号電流 I i nを供 する。 この と き、 ト ラ ンジスタ D r はスィ ツチ S w
1 によつてダイオー ド接続されているため、 ト ラ ンジスタ D r のゲ一 卜一ソース間電圧はそのソース一 ドレィ ン間に流れ Λ流の大き さが電流 I i nと等しく なる よ う に設定される。 その後ヽ スイ ッチ S w l 及びスィ ッチ S w 3 を開 く 。 ¾流 I i nに対応して設定された トランジスタ D r のゲ一 トーソース 間電圧はヽ キャパシタ C 1 によって保持される 。 以上のよ う にしてヽ 曰き込み期間を完了する。
次いで 、 スィ ツチ S w 2 を閉 じて有機 E L素子 O L E Dを ト ラ ンジスタ D r の ド レイ ン と接続する。 ト ラ ンジスタ D r のゲー 卜 ― ソース間電圧は上記のよ う に設定されているので、 有機 E L 子 O L E Dには電流 I i nと ほぼ等しい大き さの電 流力 s流れる 。 これによ り 、 発光期間が開始される。 なお、 発 光期間は 、 次の書き込み期間が開始されるまで feeヽ
上記の表示方法では、 発光期間において、 ゲ一 トーソース 間電圧は一定に維持される こ と が理想である。 しカゝしなが ら、 スイ ツチ S w 1 の非導通状態が不完全である と 、 トランジス タ D r のゲ一 トー ドレイ ン間で電荷が移動し得るため、 ゲー トーソ一ス間電圧が変動する。 その結果、 書き込んだ映像信 号に応じた画像表示が困難と なる こ とがある。 例えば、 暗表 示画素の輝度が上昇し、 極端な場合には輝点欠点と して視認 される可能性がある。
なお 、 このよ う な問題は、 画素に図 1 の回路を使用 した有 機 E L 丁ィ スプレイでのみ生じる訳ではない。 すなわち、 上 記の問題は 、 映像信号の書き込みを電流信号によ り行う 回路 の代わり に、 映像信号の書き込みを電圧信号によ り行う 回路 を画素に使用 した有機 E Lデイ スプレイ でも生じ得
発明の開示
本発明の 目的は、 ァクテイブマ 卜 リ クス型有機 E Lデイ ス プレイの表示品位を向上させるこ と にある
本発明の第 1 側面による と、 第 1 電源端子に接 feeされた第
1 端子と制御端子とそれらの間の m ¾圧に対応した大き さで駆 動電流を出力する第 2端子と を備 た駆動制御素子と、 一方 の電極が前記制御端子に接 ½Π c れ 、 Ιυ記第 1 端子と前記制御 端子と の間の電圧を一定に維持可能なキヤノ シタ と 、 目 U記第
2端子と第 2電源端子との間に接 feeされた有機 Ε し素子と、 刖 S3 J 2端子と前記制御端子と の間で直列に接続された複数 の第 1 スィ ツチと を具備したァクテイ ブマ ト リ クス型有機 E
Lディ スプレイが提供される。
本発明の第 2側面による と、 第 1 電源端子に接 feeされた第
1 端子と制御端子とそれらの間の m圧に対応した大き さで駆 動亀流を出力する第 2端子と を備えた駆動制御素子と、 一方 の電極が前記制御端子に接 れヽ lu記第 1 端子と前記制御 端子との間の電圧を一定に維持可能なキヤノ シタ と "！ ^¾¾"
、 HU B己 ¾
2端子と第 2電源端子との間に接 feeされた有機 E L素子と、 刖目己第 2端子と前記制御端子と の間で直列に接続された複数 の第 1 スイ ッチと を具備し 、 刖 sc.複数の第 1 スィ ッチはそれ ぞれ導 型が同一な電界効果 ト ランジスタであ り ヽ 前記複数 の第 1 スィ ツチのゲー トは同一の走查信号入力端子に接 さ れ、 直列に接続された前記複数の 1 スィ ッ チの う ら、 m 己 制御端子側の末端に位置した 1 スィ ツチは他の第 1 スイ ツ チに比ベて閾値がよ り深いァクティ ブマ ト リ ク ス型有機 E L デイ スプレィが提供される。
本発明の第 3側面による と 、 1 電源端子に接続された第
1 端子と制御端子とそれらの間の電圧に対応した大き さで駆 動電流を出力する第 2端子と を備えた駆動制御素子と、 一方 の電極が 記制御端子に接続され 目 U記第 1 端子と前記制御 端子との間の電圧を一定に維持可台匕
目匕なキャパシタ と 、 目 IJ HD J
2端子と第 2電源端子との間に接 された有機 E L素子と、 fu記第 2端子と前記制御端子と の間で直列に接続された複数 の第 1 スィ ツチと を具備し、 刖記複数の第 1 スイ ツチはそれ ぞれ導 型が同一な電界効果 卜 ラ ンジス タであ り 、 刖記複数 の第 1 スィ ツ チのゲー トは同一の走査信号入力端子 し接 fee れ、 直列に接続された前記複数の第 1 スィ ッ チの う ち、 刖記 制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ツチは他の第 1 スイ ツ チに比ベてチャネル長がよ り長いァクティ ブマ ト リ タ ス型有 機 E Lティ スプレイが提供される
本発明の第 4側面による とヽ 第 1 電源端子に接続された第
1端子と制御端子とそれらの間の m圧に対応した大き さで駆 動 流を出力する第 2端子と を備んた駆動制御素子と、 一方
、
の電極が刖記制御端子に接続されヽ 刖記第 1 端子と前記制御 端子との間の電圧を一定に維持可能目匕なキヤ /くシタ と 、 刖記第
2端子と第 2電源端子との間に接続された有機 E L素子と、 lu記第 2端子と前記制御端子との間で直列に接続された複数 の第 1 スィ ツチと、 前記複数の 1 スイ ッ チの う ち 、 刖記制 御端子側の末端に位置した第 1 スィ ッ チの制御端子と接続さ れた第 1 走査信号端子と、 前記複数の第 1 スィ ッ チの う ち、 他の第 1 ス ィ ツ チの制御端子と接続された第 2走査信号端子 と を具備し、 前記複数の第 1 スィ ツチはそれぞれ導電型が同 一な電界効果 ト ラ ンジス タであ り 、 直列に接続された前記複 数の第 1 スィ ッ チの う ち、 前記制御端子側の末端に位置した 第 1 スィ ツチは他の第 1 スィ ツチに比べてチャネル面積がよ り小さいアクティ ブマ ト リ タス型有機 E Lディスプレイが提 供される。
本発明の第 5側面による と、 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそれらの間の電圧に対応した大き さで駆 動電流を出力する第 2端子と を備え、 前記第 2端子が有機 E
L素子を介して第 2電源端子に接続されるべき駆動制御素子 と、 一方の 極が前記制御端子に接続され、 前記第 1端子と 刖記制御端子と の間の電圧を一定に維持可能なキャパシタ と、 前記第 2端子と 目 U記制御端子と の間で直列に接続された複数 のスィ ッチと を具備したアクティ ブマ ト リ クス型基板が提供 される
図面の簡単な 明
図 1 は、 従来の有機 E Lディ ス プ レイ の画素回路の一例を 示す図
図 2 は、 本発明の第 1 態様に係るアクティ ブマ ト リ クス型 有機 E Lディ スプレイ を概略的に示す平面図 ；
図 3 は、 図 2 の有機 E L ディ ス プ レイ で画素に採用可能な 実態配置を概略的に示す平面図 ； 図 4 は、 図 3 に示す構造の一変形例を概略的に示す平面図 図 5 は 参考例に係る有機 E Lデイ スプレイ の画素の実 配置を概略的に示す平面図 ；
図 6 は 、 スィ ッチ群に含まれる複数のスィ ツチの う ち 、 駆 動制御 子の制御端子側の末端に位置したも の以外のスィ ッ チに採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図 ；
図 7 は 、 スィ ッ チ群に含まれる複数のスィ ツ チの う ち 、 駆 動制御素子の制御端子側の末端に位置したスイ ッチに採用可 能な構造の一例を概略的に示す断面図 ，
図 8 は 、 本発明の第 2態様に係る有機 E Lディ スプレィ を 概略的に示す平面図 ；
図 9 は 、 図 8 の有機 E Lディス プ レィで採用可能な画素回 路の 例を示す等価回路図 ；
図 1 0 は、 図 8 の有機 E Lディ ス プ レイ の駆動方法の一例 を示すタイ ミ ングチャー ト ；
図 1 1 は、 図 9 の遅延素子に入力される信号及びこ の遅延 素子が出力する信号の波形の一例を示す図 ；
図 1 2 は、 図 8 の有機 E Lディ ス プ レイ で採用可能な画素 回路の他の例を示す等価回路図 ；
図 1 3 は、 図 1 2 の遅延素子に入力される信号及びこ の遅 延素子が出力する信号の波形の一例を示す図
図 1 4 は、 図 8 の有機 E Lディ ス プ レイ で採用可能な画素 回路のさ らに他の例を示す等価回路図 ，
図 1 5 は、 図 1 4 の遅延素子に入力される信号及び の遅 延素子が出力する信号の波形の一例を示す図 ； 図 1 6 は 本発明の 3態様に係るアクティ ブマ ト リ ク ス 型有機 E L Tィ スプレィで採用可能な画素回路の一例を示す 等価回路図
図 1 7 は 本発明の第 4態 に係るアクティ ブマ ト リ クス 型有機 E L 丁ィ スプレィで採用可能な画素回路の一例を示す 等価回路図
図 1 8 は に図 1 7 の画素回路を採用 した有機 E イ スプレィの駆動方法の ―例を示すタィ ミ ングチヤ 卜 図 1 9 は 本発明の第 4態様に係る有機 E Lデイ スプレィ で採用可能な画素回路の他の例を示す等価回路図 ；
図 2 0 は 画素に図 1 9 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イスプレィの駆動方法の 例を示すタィ ミ ングチヤ 卜 図 2 1 は 本発明の 4 台 様に係る有機 E Lデイ スプレイ で採用可能な画 回路のさ らに他の例を示す等価回路図
図 2 2 は 画素に図 2 1 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ スプレィ の駆動方法の ―例を示すタィ ミ ングチヤ 卜 図 2 3 は 本発明の第 5 台 様に係る有機 E Lデイ スプレイ で採用可能な画 回路の 例を示す等価回路図
図 2 4 は 画素に図 2 3 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ スプレィの駆動方法の 例を示すタィ ミ ングチヤ 卜 ； 及 ぴ，
図 2 5 は、 第 1 乃至第 5態様の有機 E Lパネルに採用可能 な構造の一例を概略的に示す断面図。
発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の つかの について、 図面を参照しなが ら詳細に説明する o な 、 各図において、 同 ま 7こは類似し た機能を発揮する構成要素には 一の参照符号を付し、 重複 する説明は省略する o
図 2 は 、 本発明の第 1 様に係るァクテイ ブマ ト リ クス型 有機 E Lディ スプレィ を概略的に示す平面図である ο
図 2 に示すァクティ ブマ 卜 V クス型有機 E Lディ スプレィ
1 は 、 有機 E Lパネル D P とヽ コン 卜 口一ラ C N T と を含ん でレヽ る。
有機 E Lパネル D Pは ガラス基板などの絶縁基板 2 を含 んでお り 、 基板 2 の一主面上では画素 P Xがマ ト リ クス状に 配列してレ、る o これら画素 P Xは 、 基板 2 の上記主面に表示
· - 領域を規定してレ、る o の表示領域の外側の領域， すなわち 周辺領域 ， にはヽ 駆動回路と してヽ 走查信号線 ドラィバ Y D
R と映像信号線 ド、ラィノ X D R とが配置されている o
それぞれの画 P Xは 、 有機 E L 子 o L E D , 駆動制御 素子 D r 、 キャパシタ C 1 ヽ 複数のスィ ッチを直列に接 feeし てなるスィ ッチ群 S w G 、 スィ チ S w 2 、 及ぴスィ ッチ S w 3 を 1Bえてレ、る な ヽ こ では 、 一例と して、 スィ クチ 群 s w Gを 3つのスィ Vチ S W 1 a 乃至 S w 1 c で構成して レ、る o cJ*»た、 こ こではヽ 一例と して 、 駆動制御素子 D r ヽ ス ィ ッチ S w 1 a 乃 S w 1 c (スィ クチ群 S w G ) 、 スィ チ s w 2 、 及ぴスィ クチ S W 3 に 電界効果 ト ラ ンジスタの
1 つである pチャネル T F T (薄膜 卜 ランジスタ） を使用 し ている。 駆動制御素子 D r 、 スィ ッチ S w 2 、 及び有機 E L素子 O L E Dは、 有機 E L素子 O L E Dが発光するのに必要な電力 を画素 P Xに対して供給する電源端子と しての役割を果たす 電源線 V d d と電源線 V s s と の間でこの順に直列に接続さ れている。 電源線 V d d及び電源線 V s s の電位は、 例えば、 + 1 0 V及び 0 Vにそれぞれ設定する。
キャパシタ C 1 は、 その少なく と も一方の端子が駆動制御 素子 D r の制御端子 （ゲー ト） に接続されてお り 、 入力信号 に対応した、 駆動制御素子 D r のゲー ト と駆動制御素子 D r の電源線 V d d と接続された端子 （ソース） と の電位差を保 つ。 キヤ ノ シタ C 1 は、 こ こでは、 電源線 V d d と駆動制御 素子 D r の制御端子であるゲー ト と の間に接続されている。
スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w 1 c は、 駆動制御素子 D r の制 御端子と駆動制御素子 D r のスィ ツチ S w 2 に接続された端 子 （ ドレイ ン） との間で直列に接続されている。 スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w l c の各制御端子 （ゲー ト） は、 画素行毎に 同一の制御線を介して走查信号線 ドライバ Y D Rに接続され ている。 なお、 こ こでは、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w l c の 各制御端子を、 スィ ッチ S w 3 の制御端子が接続された走查 信号線 S c a n 1 に接続しているが、 スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w 1 c の各制御端子に走查信号を供給する走査信号線は走 查信号線 S c a n 1 とは別に設けても よい。
スィ ツチ S 2 の制御端子であるゲー トは走査信号線 S c a n 2 に接続されている。
スィ ツチ S w 3 は、 映像信号線 ドライバ X D Rに接続され た映像信号線 D a t a と駆動制御素子 D r のスィ ッ チ S w 2 に接続された端子との間に接続されている。 また、 スィ ッ チ S w 3 の制御端子であるゲー トは、 走査信号線 S c a n 1 を 介して走査信号線 ドライバ Y D Rに接続されている。
コ ン ト ローラ C N Tは、 有機 E Lパネル D P の外部に配置 されるプリ ン ト酉己,線基板 (printed circuit board) 上に开 成され、 走查信号線 ドライバ Y D R及び映像信号線 ドライバ X D Rの動作を制御する。 コン ト ローラ C N Tは、 外部から 供給されるデジタル映像信号及び同期信号を受け取り 、 垂直 走査タイ ミ ングを制御する垂直走査制御信号及び水平走查タ ィ ミ ングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて 発生させる。 コ ン ト ローラ C N Tは、 これら垂直走查制御信 号及び水平走査制御信号をそれぞれ走查信号線 ドライバ Y D R及ぴ映像信号線駆 ドライバ X D Rに供給する と と もに、 水 平及ぴ垂直走査タイ ミ ングに同期してデジタル映像信号を映 像信号線 ドライバ X D Rに供給する。
映像信号線 ドライバ X D Rは、 各水平走查期間において、 水平走查制御信号の制御のも と、 デジタル映像信号をアナ口 グ形式に変換し、 これら変換した映像信号を複数の映像信号 線 D a t a に対して並列的に供給する。 こ の例では、 映像信 号線 ドライバ X D Rは、 映像信号を電流信号と して映像信号 線 D a t a に供給する。
走査信号線 ドライバ Y D Rは、 垂直走查制御信号の制御の も と、 複数本の走查信号線 S c a n 1 に対し、 スィ ツチ S w 1 a 乃至 S w l c及ぴ S w 3 のスイ ッ チングを制御する走査 信号を順次供給する。 また、 走査信号線 ドライバ Y D Rは、 垂直走査制御信号の制御のも と、 複数本の走査信号線 S c a n 2 に対し 、 スィ ッチ S W 2 のスィ ツチングを制御する走査 信号を順次供給する。
なお、 こ のディ スプレィ 1 では、 基板 2 と 、 走査信号線 S c a n 1 と 、 映像信号線 D a t a と、 スィ ッチ S w l a 乃至
C5 1 c , S w 2及ぴ S 3 と、 駆動制御素子 D r と、 キヤ パシタ C 1 とがァクティ ブマ ト リ ク ス基板を構成している。 図 2 に示すよ う に、 このァクティ ブマ ト リ クス基板は、 走查 信号線 ドラィパ Y D Rや映像信号線 ドライバ X D Rをさ らに 含むこ とができ る。 また 、 このアクティ ブマ ト リ タス基板は、 有機 E L素子 O L E Dの一方の電極などをさ らに含むこ と力 S でき る。
次に、 この有機 E L 丁 ィ スプレイ 1 の駆動方法について説 明する。
鲁さ み期間においては 、 まず、 走査信号線 ドライバ Y D
R力 ら、 選択すべき画素 P Xに接続された走査信号線 S c a η 2 に対してスィ ツチ S 2 を非選択状態とする走査信号 （ こ こでは Η i g h レべルの走査信号） を供給する と と もに、 その画素 Ρ れた走査信号線 S c a n 1 に対してス イ ツテ S w 1 a 乃至 S w 1 c及び S w 3 を選択状態とする走 查信号 （こ こでは L o w レベルの走査信号） を供給する。 こ れによ り 、 スィ ツチ s w 2 を非導通状態とする と と もに、 ス イ ツテ S w 1 a 乃至 S w 1 c及び S w 3 を導通状態とする。
次に、 この状態で、 映像信号線 ドライバ X D Rによ り 、 電 源線 V d d から、 駆動制御素子 D r 、 スィ ッ チ S w 3 、 及び 映像信号線 D a t a を経由 して映像信号線 ドライバ X D Rへ と至る導電パスに、 映像信号電流 I inに等しい大き さの定電 流を流す。 こ の と き 、 スィ ッ チ S w l a 乃至 S w l c は導通 状態にあるため、 駆動制御素子 D r の制御端子と電源線 V d d と の電位差 （ゲー ト一 ソース間電圧） は電流 I inに対応し た値に設定される。 その後、 走查信号線 S c a n 1 にスイ ツ チ S w l a 乃至 S w l c 及ぴ S w 3 を非選択状態とする走查 信号 （こ こでは H i g h レベルの走査信号） を供給して、 ス イ ッチ S w l a 乃至 S w l c 及ぴ S w 3 を非導通状態とする。 電流 I inに対応して設定された駆動制御素子 D r のゲー トー ソース間電圧は、 キ ャパシタ C 1 によって保持される。 以上 のよ う にして、 書き込み期間を完了する。
次いで、 走查信号線 S c a n 2 にスィ ッ チ S w 2 を選択状 態とする走査信号 （ こ こ では L o w レベルの走査信号） を供 給して、 スィ ッチ S w 2 を導通状態とする。 駆動制御素子 D r のゲー トーソース間電圧は上記のよ う に設定されているの で、 有機 E L素子 O L E Dには電流 I inと ほぼ等しい大き さ の電流が流れる。 これによ り 、 発光期間が開始される。 なお、 発光期間は、 次の書き込み期間が開始されるまで続く 。
本態様では、 駆動制御素子 D r のスィ ツチ S w 2 に接続さ れた端子及び制御端子， すなわち ド レイ ン及びゲー ト ， を直 列に接続された複数のス ィ ッ チ S w l a 乃至 S w l c を介し て接続している。 そのため、 発光期間において、 駆動制御素 子 D r の ド レイ ンとゲ一 ト との間に加わる電圧を、 スィ ツチ S w 1 a 乃至 S w l c のそれぞれに分配する こ とができ る。 その結果、 発光期間において、 駆動制御素子 D r の ド レイ ン と ゲー ト との間での電荷の移動が生じ難く な り 、 ゲー ト一 ソ ース間電圧の変動が抑制される。
また 、 スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w l c の何れか 1 つがソー スー ドレイ ン間でシ 3 ■ ~ トを起こ した場合でも 、 残り の T F
Tが正常であればヽ スィ ツチ S w 1 全体と しての非導通状態 は確保できる。 そのため 、 画素欠点発生に対す o几長性を付 与させる こ とができ る したがって、 良好な表示動作を行う こ とが可能とな り 、 特に暗表示画素の輝度上昇及び画素欠点 の発生を抑制可能と なる
と ころで、 上記の Tィ スプレイ 1 では、 例えば、 スィ ッチ 群 S w Gを構成している複数のスィ ツチ S w 1 a 乃 afe S w 1 c の導通状態から非導通状態への切 り 替わ り が同時に進行し 士县 Aに、 明表示画素の輝度が不十分と なる等の表示上の不 具合を生じる こ とがある 。 こ の問題は、 スイ ツチ群 S w Gを 構成している複数のスィ ツチ S w l a 乃至 S w 1 c の う ち、 駆動制御素子 D r の制御端子側の末端に位置したスィ ツチ S w 1 a を他のスィ ッチ S w l b及ぴ S w l c よ り も、 走査信 号の大き さの変化に対する導通状態から非導通状態への切 り 替わ り をよ り 早く 生じさせる （完了させる） こ と によ り 回避 可能である。 これについて、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w l c のスィ ツチングのタイ ミ ング制御にそれらの閾値を利用する 場合を例に説明する。
図 3 は、 図 2 の有機 E Lディ スプレイ 1 で画素 P Xに採用 可能な実態配置を概略的に示す平面図である。 図 4 は、 図 3 に示す構造の一変形例を概略的に示す平面図である。 図 5 は、 一参考例に係る有機 E Lディ スプレイ の画素の実態配置を概 略的に示す平面図である。
図 3 に示す構造では、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w l c と し て用いる ト ラ ンジスタ のチャネル長 L a 乃至 L c が不等式 ： L a > L b , L a > L c に示す関係を満足している （例えば、 L a = 4 . 5 μ m L b = L c = 3 ;u m ) 。 また、 図 4 に示 す構造はチャネル長 L a 乃至 L c が互いに等しいこ と以外は 図 3 に示す構造と同様であ り （例えば、 L a = L b = L c = 3 μ . ) 、 図 5 に示す構造は 3 つのスィ ッチ S w l a 乃至 S w l c の代わ り に 1 つのスィ ッチ S w l のみを設けたこ と以 外は図 3 に示す構造と 同様である （例えば、 チャネル長 L = 3 μ ) 。
図 5 に示す構造では、 駆動制御素子 D r の ド レイ ン及ぴゲ 一 トは 1 つのスィ ツチ S w 1 のみを介して接続されている。 そのため、 発光期間において、 駆動制御素子 D r の ド レイ ン —ゲー ト 間電圧の全てがスィ ツチ S 1 の ソース一 ドレイ ン 間に加わる こ と と なる。 したがって、 図 5 に示す構造を採用 する と、 発光期間において、 駆動制御素子 D r の ドレイ ン と ゲー ト との間での電荷の移動が生じ易く 、 例えば暗表示画素 の輝度が上昇する とい う 問題を生じる。 また、 スィ ッチ S w 1 でソース一 ド レイ ン間のショ ー トが発生した場合には、 画 素欠点と なる という 問題を生じる。
他方、 図 4 に示す構造では、 駆動制御素子 D r の ドレイ ン 及ぴゲー トは、 直列に接続された 3 つのスィ ッ チ S w l a 乃 至 S w l c を介して接続されている。 そのため、 発光期間に おいて、 駆動制御素子 D r の ドレイ ン一ゲ一ト間電圧は 3つ のスィ ッ チ S w l a 乃至 S w l c に分配される。 したがって、 図 4 に示す構造を採用する と、 発光期間において、 駆動制御 素子 D r の ドレイ ンとゲ一ト と の間での電荷の移動が生じ難 く 、 暗表示画素の輝度が上昇するのを抑制する こ とができ る。 以上は 先に説明 した通り である ο
と ころで、 図 4及び図 5 に示す構造では き込み期間を 終了す く 走查信号の大き さ を L O W ルから Η i g h レ ベルへと変化させるのに伴い、 以下の現象を生ずる 0
図 5 に示す構造では 、 スィ ッチ S w 1 は あたかも 、 走査 信号線 S c a n 1 と駆動制御素子 D r のゲ一卜 との間 接 fee されたキャ シタの如 < 振舞ラ α 走査信号の大さ さを •L O W レべノレから H i g h レベルへと変化させる過 では 駆動制 御素子 D r の ド レイ ンとゲー ト と の間での mi荷の移動は生じ 難く なるので 、 走査信号の大き さ力 s L o w レベルから H i g h レべルへと変化するのに伴い、 駆動制御素子 D r のゲー ト 電位が上昇する。 伹し 、 図 5 に示す構造では このキャパシ タの静電容量はキ ャパシタ C 1 の静電容量に比ベれば遥かに 小さいため、 ゲー ト電位のシフ ト量は僅かである。 したがつ て、 ゲ ト電位がシフ トする こ と に伴う画像不良への影響は 小さい o
他方 図 4 造では、 スイ ッチ s W 1 a 乃至 ¾ w 1 c は閾値が互いに等しく 、 導通状態から非導通状態 の切 り 替わり が同時に進行する。 そのため、 それらスィ ッ チ S w l a 乃至 S w 1 c が完全に非導通状態と なるまでの間、 スイ ツ チ S w l a 乃至 S w l c は、 あたかも、 走查信号線 S c a n 1 と駆動制御素子 D r の制御端子と の間に並列に接続された 3つのキャパシタの如く 振舞う。 そのため、 図 4 に示す構造 では、 図 5 に示す構造に比べ、 ゲー ト電位のシフ ト量が約 3 倍になる。 したがって、 図 4 に示す構造による と、 ゲー ト電 位がシフ トする こ と に伴って表示上の不具合を生じる可能性 がある。
これに対し、 本態様では、 スィ ッチ群 S w Gを構成してい る複数のスィ ッ チ S w l a 乃至 S w l c の う ち、 駆動制御素 子 D r の制御端子側の末端に位置したスィ ツチ S w 1 a を他 のスィ ツチ S w 1 b及ぴ S w 1 c よ り ち 、 走査信号の大き さ の変化に対する導通状態から非導通状態への切 り 替わ り をよ り 早く 生じさせる (完了させる） なお 、 このタイ ミ ングの 制御は、 例えば 、 スィ ッチ S w 丄 a の閾値がスイ ッチ ¾ w 1 b及び S w 1 c の閾値よ り ち深く なる よ う にスイ ッチ ¾ w 1 a ノ 5至 S w 1 c を構成する と によ り行う。 また、 そのよ う な閾値の制御は 、 例えば、 図 3 に示すよ う にスイ ッチ 丄 a 乃至 S w 1 c と して用いる 卜ランジスタのチャネノレ長 L a 乃至 L c をそれらが不等式 L a > L b ， L a > L c に示す 関係を満足する よ う に設定する こ と によ り行う
このよ う なタィ ミ ングの制御を行つた +&八
m スイ ツチ S w
1 a が駆動制御素子 D r のゲ一 トに接続されたキヤノくシタ と して振舞う のは図 4 を参照して説明 したのと 同様である。 し かしながら、 スィ ッチ C5 1 a が非導通状態と なつた時点で スイ ツチ S w 1 b及び S W 1 c は駆動制御素子 D r のゲ 卜 から絶縁されるため 、 それ以降にスィ ッ チ S w l b及ぴ S W
1 c が駆動制御素子 D r のゲ一 ト電位をシフ ト させる こ と は なレヽ。 したがつて、 理想的には、 スィ ッチ S w l a 乃至 S W
1 c の う ちグー ト電位の シフ トを生じさせる も のをスィ クチ
¾ w 1 a のみとする こ とができる ο
なお 、 スイ ツチ S 1 a を走査信号線 S c a n 1 と駆動制 御素子 D r のゲ一 ト と の間に接続されたキャパシタ とみなし
/し士县 A
·¾¾7 Π 、 その静電容量はチャネル長 a に比例する o そのた め、 図 3 の構造 ( L a = 4 • 5 μ m ) を採用 した場 Π ヽ スィ ツチ S w 1 a 力 ゲー 卜電位の シフ トに与える影響は 図 4 の 構造 （ L· a = 3 μ m ) を採用 した場合に比べ、 約 1 • 5倍に なる。 しかしながらヽ 上記の通り 、 図 4 の構造を採用 した場 合には 、 スイ ツチ S w 1 a だけでなく スィ ッチ S w 1 b及ぴ s w 1 c も駆動制御 τ^ 子 D r のゲ一 ト電位をシフ ト させるの で、 図 3 の構造 ( L a = 4 • ο μ m ) を揉用 した場 のゲ ト電位シフ ト量は、 図 4 の構造 （ L a = L b = L c 二 3 β
) を採 し ,こ 合のゲ一 ト電位シフ ト量の約半分になる 0 こ のよ う に、 本態様による と、 ゲー ト電位が大き < シフ 卜 するのを抑制する こ とがで 、 ゲ一 ト電位がシフ トする こ と に伴つて表示上の不具合が発生するのを抑制する こ とが可能 と なる 。 すなわち、 本態様による と、 駆動制御素子 D r のゲ 一 ト ー ド レイ ン間に接 したスィ ツチがオフ状態にめる期間 に リ ーク電流によつて ¾制御素子 D r のゲー ト電位が変 するのを抑制可能となる。 加えて、 本態様による と、 スィ y チ群 S w Gの各スィ クチのォフタイ ミ ングを制御する こ と に よ り これらスィ クチをオフする際に電圧の突き抜けによつ て駆動制御素子 D r のゲー ト電位が変動するのを抑制する こ とが可能となる。 したがって 、 極めて優れた表示品位を実現 する - とができる
本台 様において 直列に接続された複数のスィ ツチ S W 1 a 乃至 S w 1 c の 5 ち 、 駆動制御素子 D r の制御端子側の末 W ϊ
に位置したスィ ク チ ¾ w 1 a の閾値と他のスィ ツ チ S W 1 b及び S w 1 c の閾値との差は 0 . I V乃至 0 . 8 V程度で ある とが望ま しレ、 また、 チャネル長で閾値を制御する場 口 、 スィ ッ テ S w 1 a のチヤネル長は他のスィ ツチ S w 1 b 及び S w 1 c のチャネル長の 1 . 3倍乃至 3 . 0倍程度であ る こ とが望ま しい 閾値ゃチャネル長を上記の範囲内と した 場合 スィ ッチ S 1 a の導通状態における ソースー ドレィ ン間の抵抗値を十分に低く 維持しつつ、 導通状態から非 2#通 状 へと切 り 替わるタイ ミ ングをスィ ッテ S w 1 a とスイ ツ チ s w 1 b及ぴ S w l c と の間で十分に異な ら しめる こ とが でき る。
先の例では、 チャネル長を利用 してスィ ツチ S w 1 a とス ィ ッチ S w l b及ぴ S w l c とで閾値を異なら しめたが、 そ れらの閾値は他の方法で異な ら しめる こ と もでき る。 例えば スィ ツチ S w l a とスィ ッ チ S w l b及び S w 1 c とで不純 物の ドーズ量を異なら しめてもよい。 例えば、 スイ ツチ S w
1 a 乃至 S w l c と して p チャネル T F Tを使用 した ·¾； 口 、 スイ ツチ S 1 b 及ぴ S w 1 c のチャネルへの p タイ プ ドー パン ト の ド ズ を 、 スィ ツチ S w l a のチヤネノレへの p タ ィプ ド ―パン 卜の ド、 ス 里よ り も多く する こ と によ り 、 スィ ツチ S w 丄 b及ぴスイ ッチ S w l c の閾値をスィ ッチ S w 2 の閾値よ り も浅 < するこ とができ る。 つま り 、 スィ ッチ S w
1 a の閾値は スィ ツチ s w 1 b及び S w l c の閾値よ り も 深く なる
不純物の ド、一ズ量が異なるスィ ッチ S w l a 乃至 S w l c は、 例えば 、 以下の方法で作製する こ とができ る。 すなわち
T F Tを形成する通常のプロ セ スにおいて、 スィ ッチ S w l b及ぴ ¾ W 1 C のチャ ネノレ領域に不純物を ドープする回数を スイ ツチ S w 1 a のチヤネル領域に不純物を ドープする回数 よ り あ多く する 例えば、 まず、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w
1 c のチャネル領域に不純物を ドープする。 次いで、 フォ ト レジス 卜 を用いてヽ スイ ツチ S w l a のチヤネノレ領域をマス クする レ、て 、 スイ ッチ S w l b及び S w l c のチヤネノレ 領域に不純物をさ らに ドープする。 こ うする と、 ス ィ ッ チ S w 1 b及ぴ S W 1 C のチヤネノレへの ドーノ ン トの ドーズ量は スイ ツチ S W 1 a のチヤネルへの p タイプ ドーパン トの ドー ス 里 ょ り も多 < なる
不純物の ド、一ズ旦
里を利用 してス ィ ッ チ S w l a とス ィ ッ チ
S w 1 b及ぴ S w 1 と で閾値を異な ら しめる場合、 それら スイ ツチ間で ド、一ズ量は 1 X I o U c m -2乃至 5 X I 0 11 c m-2程度異なつている こ とが望ま しい。 この場合、 よ り確実 に、 スィ ッチ S W 1 b及ぴ S w l c が非導通状態となるのに 先立って、 スィ ッチ S w l a を非導通状態とするこ とができ る。
スイ ツチ S 1 a の閾値とスィ ッチ S w l b及び S w l c の閾値と は さ らに他の方法で異な ら しめる こ とができ る。
図 6 は 、 スィ ッチ群 S w Gに含まれる複数のスィ ツチ S w
1 a 乃至 S W 1 c の う ち 、 駆動制御素子 D r の制御端子側の 末端に位置したもの以外のスィ ッ チ S w l b及ぴ S w l c に 採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。 図 7 は スィ ッチ群 S w Gに含まれる複数のスィ ッチ S w l a 乃至 S w 1 c の ラ ち 、 駆動制御素子 D r の制御端子側の末端に位置 したスィ クチ W 1 a に採用可能な構造の一例を概略的に示 す断面図であ
図 6 に示すスィ ッチは 、 ト ップゲー ト型の p チャネル T F
Γ C ¾) ο この T F Tは 、 所定量の不純物が注入されたソー ス 5 0 a 及び ド、レイ ン 5 O b と、 それらの間に介在し、 ソー ス 5 0 a 及ぴ ドレイ ン 5 0 b に注入された不純物よ り も低濃 度の不純物が注入されるか或いは真性な状態であるチヤネル
5 0 c とが形成された半導体層を含んでいる。 チャネル 5 0 c の上方には 、 ゲー ト絶縁膜 5 2 を介してゲー ト Gが配置さ れている ゲ一 ト Gは層間絶縁膜 5 4 で被覆されており 、 層 間絶縁膜 5 4上にはソース電極 S及び ド レイ ン電極 Dが形成 されている これら ソース電極 S及ぴ ド レイ ン電極 Dは、 ゲ 一 ト絶縁膜 5 2及ぴ層間絶縁膜 5 4 に形成されたスルーホー ルを介してソ一ス 5 0 a及ぴ ドレイ ン 5 0 b にそれぞれ接続 されている 図 7 に示すスィ チは、 チャネル 5 0 c の下方に絶縁 S莫 5 9 を介してバ V クゲ一 卜 B Gが配置されている こ と以外はヽ 図 6 に示すスィ ッチと 同様の構造を有している o の / クク ゲー ト B Gには、 スィ ッチ S w 1 a の閾値を深く するパィァ スを印加する 。 例えば 、 スイ ッチ：5 w 1 a のノ 、v クゲー 卜 B G と ソース 5 0 a と の間の電圧を、 + 0 . 2 V乃 + 1 • 0 至
V程度に設定する 0
スィ ツチ S w 1 b及ぴ S w 1 c に図 6 の構造を採用する と と もに、 スィ ッ チ S W 1 a に図 7 の構造をそれぞれ採用する と、 スィ ッチ ¾ w 1 a の閾値はスィ ツチ S w 1 b及ぴ S W 1 c の閾値よ り も深 < なる o したがって、 この m八も 、 スィ V テ S w 1 a をスィ V チ 1 b及ぴ S w 1 C よ り も先に非導 通状態とする こ とがでさ る。
なお、 図 6及ぴ図 7 には ト ップゲ ト型の T F Tを例示し たが、 スィ ツチ S w 丄 a 乃全； 5 W 1 c と しては 、 ボ トムゲ ― ト型の薄膜 ト ラ ンジスタ を用いても よい。 この場合も、 スィ ツチ S w 1 a にノ ックゲー ト構造を採用すれば 、 スィ ッ チ S w 1 a の閾値はスィ ッチ S w 1 b及ぴ ¾ w 1 c の閾値よ り も 深く なる 0 なお、 ここでレヽ ぅ ノ ックゲー ト と はヽ 制御端子に 対してゲ一 卜 fc縁膜及ぴ半導体層を介して対向配置されるゲ ー トである o
上記態様では、 スィ ツチ群 S w Gを 3 つのスィ ツチ S w 1 a 乃至 S w 1 c で構成したが、 スィ ッチ群 S w Gを構成する スィ ッチの数は 2以上であればよレ、 ο また、 上記態様では 、 画素 P X内の全てのスィ ツチに p チャネグレ ト ランジスタを使 用 したが nチャネル 卜 ランジスタを使用 しても P チ ャネノレ 卜 ランジスタ と nチャネノレ ト ランジスタ と を混在させ てもよい
以上 明 したよ う に 駆動制御素子 D r のゲ ト及ぴ ド、レ ィ ン間を 、 複数のスィ Vチ S w 1 a ノ ΐ; 3έ S w 1 c を直列接 fee してなるスィ チ群 S w Gで接^:する と によ り 、 発光期間 中に生じる駆動制御素子 D r のゲー ト電位変動を効果的に抑 制する とが可能と なる それゅえ、 不所望な表示動作不良 を抑制するこ とがでさ る
さ らに 、 スィ ッチ群 S W Gの制御端子を 制御配線 S c a n 1 に接続し IPJ一の走查信号によ り 制御する場合に ス イ ッチ群 ¾ W G のスィ Vチ S w 丄 a ノ 5 S W 1 C の う ち 駆 動制御 子 D r のゲ 卜側の末端に 1 L置したスィ ッチ S w 1 a の閾値を他のスィ ッチ S 1 b及ぴ S w 1 c の閾値に比ベ 深く する こ と によ り 駆動制御素子 D r のゲ ト側に位置し たスィ チ S w 1 a の走查信号の大き さの変化に対する導 状態から非導通状態 の切 り 替わり を他のスィ ッチ 1 b 及ぴ S W 1 c よ り も早 生じさせる こ とが可能と な ·>- る。 れ によ り 書き込み期間終了時に生じる駆動制御素子 D r の不 所望なゲ ト電位変動を最小限に抑える こ とが可能と な り 良好な表示動作を行 こ とができ る。
次に 本 ί¾明の第 2態様について説明する
第 1 様では 、 スィ クチ群 S w Gの閾値を制御するこ と に よ り 、 スィ ッチ群 s w Gに含まれるスィ Vチ S w 1 a 乃至 S w I c の う ち 駆動制御 子 D r のゲー 卜側に位置したスィ ッチ S w 1 a を、 他のス ィ ツチ S w 1 13及ぴ 3 1 (： ょ り 早く ォフ となる よ う制御した。 これに対し、 第 2態様ではヽ スィ グチ群 S w Gに供給する走査信号の波形を制御する と によ り 、 同様の効果を達成する。
図 8 は 、 本発明の第 2態様に係る有機 E Lディ ス プ レィ を 概略的に示す平面図である。 図 9 は 、 図 8 の有機 E Lディス プレィで採用可能な画素回路の一例を示す等価回路図でめる なお 、 図 8 において、 参照符号 A Aは表示領域を示してい 'る 第 2 様に係る有機 E Lデイ スプレイ 1 では、 各画素 P X に、 入力信号を 延して出力する遅延素子 D 1 y を設けてレヽ る。 第 2態様では 、 これによ り 、 スイ ッチ群 S w Gに含まれ るスィ クチ S w 1 a 乃至 S w 丄 c のオフタイ ミ ングを制御す る 0
スイ ッチ群 S w Gに含まれるスィ Vチ S w 1 a 乃 3§ ¾ W 1 c の う ち、 駆動制御素子 D r の制御端子側の末 耑に位置した スィ ツチ S w 1 a の制御端子はヽ 画素 P Xに走査信号入力端 子を提供している走查信号線 S C a n 1 に直接接 されてレ、 る o スィ ッチ群 ¾ w Gに含まれる残り のスィ ッチ S w 1 b及 ぴ S w 1 c の制御端子は 、 延 子 D 1 y を介して走査信号
S c a n 1 に接続されてレ、る 0
本態様ではヽ スィ ッチ S W 1 a の導 状 から非導通状 の切 り 替わ を、 スィ Vチ S w 1 b及ぴ S w 1 C のそれよ り 早く 完了させる こ とがでされば スィ クチ S W 1 a 乃至 s w 1 c のチャネル面積は 、 互いに等し < ても < 或いは異 なつていても よい。 すなわち 、 スィ クチ S w 1 a 乃全 C3 W 1 c のチャネル長 L a 乃至 L c は 互いに し < ても よ < 或い は異なつていても よい o また スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w I c のチャネル幅は 互いに等し < ても よ < 或いは異なつてい ても よレ、 ο
こ こでは 例と して スィ クチ S w 1 a のチャネル長 L a は スィ チ S w 1 b のチャネル長 L b及ぴスィ クチ 5 W
1 c のチャネル長 L c よ り も < する o 例 X.ば チャネル長
L a は 3 β mと し チャネル長 L b及ぴ L c は 4 m乃至 9 μ mと し スィ Vチ S 1 a 乃 ¾ W 1 c のチャネル幅は何 れも 3 β mとする 0
こ のよ 5 に スィ ッチ群 S W Gに aまれるスィ Vチ S w 1 a 乃 S w 1 c の 5 ちォフタィ ングを らせる さスィ ッ チ S W 1 b及ぴ S W 1 C の制御端子を 延素子 D 1 y を介し て走查配線に接続する o これによ り 、 スィ クチ群 S W Gに含 まれるスィ ッチ S W 1 a 乃至 S W 1 c の制御端子を |pj 制御 配線 s c a n 1 に接続した場合でも 、 駆動制御素子 D r のゲ ト側に接 iされたスィ Vチ S W 1 a の走查信号の大さ さに 対する導通状 から非導通状態 の切 り 替わ り を 他のスィ チ S W 1 b及ぴ s W 1 c のそれよ り も早 < 生じさせる こ と が可能と なる o したがつて 本 rati様でも 第 1 態様と 様の 効果が得られる o
また 本 様では スィ ッチ s w 1 a の導通状 から非導 通状 への切 り替わ り を スィ Vチ S w 3 のそれよ も早く させる O これは 例えば 図 8及ぴ図 9 に示すよ に、 遅延 子 D 1 y を介してスィ クチ S 3 の制御端子と走查 1§ c a n 1 と を接続する こ と によ り 可能である。
図 9 の画素 P Xでは、 遅延素子 D 1 y と して抵抗素子を使 用 している この抵抗素子の抵抗値は、 数 G Ω , 例えば 1 G
Ω乃至 2 G Ω程度， と し、 その面積は、 例えば 4 0 0 μ m一 2 乃至 1 0 0 0 β m_2程度とする。
この抵抗素子と しては、 例えば、 不純物を低濃度注入して なる L D D ( Lightly Doped Drain) 構造の半導体層あるい は、 真性な状態の半導体層を使用する こ とができ る。 こ こで 低濃度と は 薄 S奠 ト ラ ンジスタ の ソース、 ドレイ ンに注入さ れる不純物濃度よ り も低濃度， 例えば 1 X 1 0 11 c m— 2乃至
5 X 1 0 11 c m一 2程度， の不純物濃度をい う。 また、 薄膜 ト ランジスタのチヤネノレの濃度と 同一であつても よい。 なお、 真性な状 の半導体層を用いれば、 遅延素子 D 1 y の占める 面積を 小さ く する こ とができ る。 例えば、 各スィ ッチや 駆動制御素子 D r と してポリ シ リ コ ンを用いた ト ップゲー ト 構造の Τ F Tを使用 した場合、 遅延素子 D 1 y を構成する半 導体層と してポリ シリ コン層を使用する と T F Tの製造プ ロセスの一部を抵抗素子の製造に利用する こ とができ る。 次に の有機 E Lディ スプレイ 1 の駆動方法について、 図 1 0及ぴ図 1 1 を参照しなが ら説明する
図 1 0 は 図 8 の有機 E Lディ スプレイ の駆動方法の一例 を示すタィ ングチャー トである。 図 1 1 は、 図 9 の遅延素 子に入力 される信号 （実線） 及びこの遅延素子が出力する信 号 （点線 ) の波形の一例を示す図である。
図 1 0 レヽて、 「 C l k a 」 及び 「 S t a r t a 」 00367
26 で示す信号波形は、 それぞれ、 コ ン ト ローラ C N Tが走查信 号線 ドライバ Y D Rに供給する ク 口 ック信号及ぴスター ト信 号の波形を示している。 「 D a t a 」 は、 映像信号線 ドライ パ Y D Rが映像信号線 D a t a に供給する映像信号がー水平 走査期間毎に変化する様子を示している。 「 S c a n l 」 及 び 「 S c a n 2」 で示す信号波形は、 それぞれ、 走查信号線 ドライバ Y D Rが走査信号線 S c a n 1 及ぴ S c a n 2 に供 給する走查信号の波形を示している。 なお、 図 1 0 では、 簡 略化のため、 各信号の波形を矩形状と しているが、 実際には、 各信号の立上り 及び立下り は、 配線抵抗や容量に起因して緩 やかになっている。
走査信号線 ドライバ Y D Rは、 ク ロ ック信号とス ター ト信 号とから、 各水平走查期間に対応した幅 T w— S t a r t a のパルスを生成する。 走查信号線 ドライバ Y D Rは、 こ のパ ルスを、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w l c 及び S w 3 を導通状 態とする O N信号と して、 走査信号線 S c a n 1 に順次供給 する。 走查信号線 ドライバ Y D Rは、 先のパルスを反転させ てなる信号を、 スィ ッ チ S w 2 を非導通状態とする O F F信 号と して、 走查信号線 S c a n 2 に順次供給する。
図 1 0 の タ イ ミ ングチャー トに示すよ う に、 本態様に係る 有機 E Lディ スプレイ 1 は、 第 1 態様で説明 したのと同様の 方法によ り 駆動する こ とができる。
本態様では、 走査信号線 S c a n 1 とスィ ッチ S w 1 b , S w 1 c 及ぴ S w 3 の制御端子と を遅延素子 D 1 y を介して 接続し、 こ の遅延素子 D l y と して抵抗素子を使用 している。 図 1 1 に示すよ う に、 遅延素子 D l y は、 これに入力された 走査信号の立上が り 及ぴ立下り を緩やかにしてスィ ツチ S w l b , S w l c 及び S w 3 の制御端子へと 出力する。 他方、 スィ ッチ S w 1 a の制御端子には、 遅延素子 D 1 y に入力さ れたのと同一の走查信号が供給される。
そのため、 例えば、 スィ ッチ S w 1 a の閾値とスィ ッチ S w 1 b , S w 1 c 及ぴ S w 3 の閾値とがほぼ等しい場合でも、 走查信号線 ドライバ Y D Rから走査信号線 S c a n 1 に O F F信号を供給する と 、 スィ ッチ S w l a はスィ ッチ S w l b ， S w 1 c 及ぴ S w 3 よ り も先に非導通状態とする こ とができ る。
また、 本態様では、 スィ ッチ S w 1 a のチャネル面積は、 スィ ッ チ S w l b のチ ャネル面積及ぴスィ ッ チ S w l c のチ ャネル面積よ り も狭く てもよい。 例えば、 上記のよ う に、 ス イ ッチ S w l a 乃至 S w l c のチャネル幅を同一と し、 且つ、 スィ ッチ S w l a のチャネル長 L a を、 スィ ッチ S w l の チャネル長 L b及びスィ ッ チ S w l c のチャネル長し じ よ り も短く しても よい。
第 1 態様で説明 したよ う に、 走査信号線 S c a n 1 からス イ ッチ S w l a 乃至 S w l c のゲー トに供給する走査信号の 大き さ力 S L o w レベル力 ら H i g h レベルへと変化する際、 スィ ッチ S w l a のゲー ト一 ド レイ ン間の寄生容量に起因 し て、 駆動制御素子 D r のゲー ト電位がシフ トする。 スィ ッチ S w l a のチャネル面積を小さ く する と、 ゲー ト電位のシフ ト量を低減する こ とができる。 したがって、 ゲー ト電位がシ フ トするこ と に伴って生じる表示不良を、 よ り効果的に防止 する こ とができ る。
なお、 スィ ッチ S w 1 a がスィ ッチ S w 1 b ， S w 1 c及 び S w 3 と比較してチャネル長がよ り 短い場合、 スィ ツチ S w 1 a はスィ ッ チ S w l b , S w 1 c 及ぴ S w 3 よ り も閾値 が浅く なる。 そのため、 遅延素子 D l y に入力される信号の 波形と遅延素子 D 1 yが出力する信号の波形と の差が小さい 場合、 スィ ッ チ S w l a の導通状態から非導通状態への切 り 替わり を、 スィ ッチ S w l b , S w l c 及ぴ S w 3 のそれよ り も早く 完了させる こ とが難しく なる。
遅延素子 D 1 y と して抵抗値がよ り 大きな抵抗素子を使用 する と、 遅延素子 D 1 y に入力される信号の波形と遅延素子 D 1 yが出力する信号の波形との差を大き く する こ とができ る。 したがって、 スィ ッ チ S w l a の導通状態から非導通状 態への切 り替わ り がスィ ッ チ S w l b ， S w l c 及ぴ S w 3 のそれよ り も早く 完了する よ う 、 遅延素子 D l y と して、 十 分に抵抗値が大きな抵抗素子を使用する。
遅延素子 D 1 y と して抵抗素子を使用する場合、 スィ ツチ S w l a のオフ動作とスィ ッ チ S w l b及ぴ S w l c のオフ 動作との時間差は、 遅延素子 D 1 y の抵抗値に応じて変化さ せる こ とができ る。 こ の時間差は、 例えば、 0 . 2 μ s 以上 に設定し、 望ま しく は l ^i s 以上に設定する。
先の例では遅延素子 D 1 y と して抵抗素子を使用 したが、 スィ ッチ S w l a に供給する信号の波形とスィ ッチ S w l b 及ぴ S w 1 c に供給する信号の波形と は他の方法で異なら し める こ と もできる。 例えば、 遅延素子 D l y と してダイォー ドを使用 してもよい。
図 1 2 は、 図 8 の有機 E Lディ スプレイで採用可能な画素 回路の他の例を示す等価回路図である。
図 1 2 の画素 P Xでは、 遅延素子 D l y と して、 スィ ッチ S w 1 b , S w 1 c及び S w 3 の制御端子から走査信号線 S c a n 1 へと順方向電流を流すよ う に接続されたダイオー ド を使用 している。 図 8 の有機 E Lディ スプレイ 1 で図 1 2 の 画素回路を使用 した場合、 このディ スプレイ 1 は、 第 1 態様 または図 1 0 を参照しながら説明 したのと 同様の方法によ り 駆動する こ とができ る。
図 1 3 は、 図 1 2 の遅延素子に入力される信号及ぴこ の遅 延素子が出力する信号の波形の一例を示す図である。
図 1 3 に示すよ う に、 遅延素子 D 1 y と してダイオー ドを 使用 した場合、 走査信号線 ドライバ Y D Rから走査信号線 S c a n 1 に供給される走査信号が立下がる と、 遅延素子 D 1 y に順方向電流が流れる。 そのため、 この走查信号の立下が り から遅延するこ と なく 或いは僅かに遅延して、 スィ ツチ S w 1 b , S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子に O N信号が供給さ れる。 また、 この走查信号が立上がる と、 逆バイアスが遅延 素子 D 1 y に加わ り 、 遅延素子 D 1 y に リ ーク電流が流れる。 そのため、 走查信号の立上が り から遅延して、 スィ ッチ S w 1 b ， S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子に O F F信号が供給さ れる。 すなわち、 図 1 2 の画素回路でも、 スィ ッチ S w l b , S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子に供給される O F F信号は、 スイ ツチ C5 W 1 a の制御端子に供給される O F F信号に対し て遅延す Ό o したがって、 本例でも 、 1 態様で説明 したの と 同様の効果を得るこ とができる。
また 、 遅延素子 D 1 y と してダイォー ドを使用 した場合ヽ
O N信号を殆んど遅延させずに、 O F F信号を遅延させる こ と力 Sでき る。 そのため、 O N信号及ぴ O F F信号の双方を遅 延させる ^口 と比較して、 高速での書き込みが可能と なる o 本態様では 、 遅延素子 D 1 y と して、 例えば、 図 1 2 に示 すよ う に 、 ゲ一 トカ S ソースに接続された ， すなわちダィォ一 ド接続された T F Tを使用する こ とができ る。
遅延素子 D 1 y と してダイォー ド接続した p チヤネル T F
Tを使用する と 、 遅延素子 D 1 y とスィ ツチ S w 1 a 乃至 S w 1 c S w 2及ぴ S w 3 と を同一のプ口セスで同時に作製 する こ とができる o
またヽ 遅延 子 D l y と してダイォー ド接続した T F Tを 使用する と、 o N信号の遅延の大き さ と O F F信号の遅延の 大き さ と は、 si延素子 D l y と して使用する T F Tのチャネ ル幅 Wとチャネル長 L と の比 W / Lに応じ l/w す■£>こ とが でき る
スィ クチ S w 1 a に供給する信号波形と スィ ツチ S w 1 b 乃至 s w 1 c に供給する信号波形とは、 さ らに別の方法で異 な ら しめる こ と もでき る。 例えば、 遅延素子 D 1 y と してヽ 並列に接続された一対のダイオー ドを使用する こ とができ る。
図 1 4 は、 図 8 の有機 E Lディ スプレイ で採用可能な画素 回路のさ らに他の例を示す等価回路図である。 図 1 4 の画素 P Xでは、 遅延素子 D l y と して、 スィ ッチ S w 1 b , S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子と走查信号線 S c a n 1 と の間で並列に接続されたダイォー ド D a 及ぴ D b を 使用 している。 ダイオー ド D a は、 スィ ッチ S w l b , S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子から走査信号線 S c a n 1 へと順 方向電流を流すよ う に接続されている。 ダイォー ド D b は、 走查信号線 S c a n 1 カゝらスィ ッチ S w l b， S w 1 c 及び S w 3 の制御端子へと順方向電流を流すよ う に接続されてい る。 図 8 の有機 E Lディ スプレイ 1 で図 1 4 の画素回路を使 用 した場合、 このディ スプレイ 1 は、 第 1 態様や図 1 0 を参 照しなが ら説明 したのと 同様の方法によ り 駆動する こ とがで き る。
図 1 5 は、 図 1 4 の遅延素子に入力される信号 （実線） 及 びこの遅延素子が出力する信号 （点線） の波形の一例を示す 図である。
図 1 5 に示すよ う に、 遅延素子 D 1 y と してダイオー ド D a 及ぴ D b を使用 した場合、 走査信号線 ドライバ Y D Rから 走查信号線 S c a n 1 に供給される走査信号が立下がる と、 ダイォー ド D a に順方向電流が流れる。 スィ ツチ S w 1 b， S w 1 c及ぴ S w 3 の制御端子には、 この走查信号の立下が り から遅延して O N信号が供給される。 また、 この走査信号 が立上がる と、 ダイオー ド D b に順方向電流が流れる。 スィ ツチ S w l b， S w l c及び S w 3 の制御端子には、 この走 查信号の立上が り から遅延して O F F信号が供給される。 し たがって、 本例でも、 第 1 態様で説明 したのと 同様の効果を 得るこ とができ る。
また 、 本例では、 ダイォー ド D a及び D b に流れる順方向 電流を 、 それぞれ、 スィ ッチ S \v 1 b , S w l c及ぴ S w 3 の制御顺子に供給すべき O N信号及び O F F信号と して利用 する そのため、 O F F信号の遅延を 、 O N信号の遅延から 独 して制御する こ とができ る。
本例では、 ダイオー ド D a 及び D b と して、 例えば、 図 1
4 に示すよ う に、 ダイオー ド接続された T F Tを使用する こ と がでさ る。 ダイオー ド D a 及ぴ D b と してダイォー ド接続 した P チャネル T F Tを使用する と、 ダイォー ド D a及ぴ D b と してとスィ ッチ S w l a 乃至 S w 1 c , S w 2及ぴ S w
3 と を 一のプロセスで同時に作製する こ とができ る。
またヽ ダイオー ド D a 及ぴ D b と してダイオー ド接続した
T F Tを使用する と、 O N信号の遅延の大き さ と O F F信号 の遅延の大き さ と は、 ダイオー ド D a 及び D b と して使用す る T F Tのチヤネノレ幅 Wとチヤネノレ長 L との比 WZ L に応じ て 整する こ とができ る。
次に 、 本発明の第 3態様について説明する。 第 2態様では 画素 P Xに、 電流駆動方式の画素回路を採用 した。 これに対 し 、 第 3態様では、 画素 P Xに、 電圧駆動方式の画素回路を 採用する 。 第 3 態様は、 これ以外は、 第 2態様と 同様である 図 1 6 は、 本発明の第 3態様に係るアクティ ブマ ト リ ク ス 型有機 E Lディ スプレイで採用可能な画素回路の一例を示す 等価回路図である。 この画素 P Xは、 有機 E L素子 O L E D、 駆動制御素子 D r 、 キヤ ノくシタ C 1 、 キヤ ノくシタ C 2 、 遅延 子 D 1 y ヽ 複数のスィ ツチを直列に してなるスィ チ 群 S w G 、 スイ ッチ S w 2 、 及ぴスィ ッチ S w 3 を備えてい る ο なおヽ こ こでは、 一例と して 、 スィ チ群 S w Gを 3つ のスィ ツチ S w 1 a ノ 5至 S w l c で構成してレ、 Ό o よ /し 、 こ こではヽ 例と して、 駆動制御素子 D r 、 スィ ツチ S w 1 a 乃 S w 1 C 、 スィ ッチ S w 2 ヽ 及ぴスィ Vチ W 3 に 、 P チャネル T F Tを使用 している o
駆動制御素子 D r 、 スィ ッ チ S w 2 、 及ぴ有機 E L素子 O
L E Dは、 源線 V d d と電源線 V s s と の間でこ の順に直 列に接 れている。
キャパシタ C 1 は、 その少な < と も一方の電極が駆動制御 素子 D r の制御端子に接続されてお り 、 入力信号に対応した、 駆動制御素子 D r のゲー ト及ぴソース間の電位差を保つ。 キ ャパシタ C 1 は、 こ こ では、 電源線 V d d と駆動制御素子 D r の制御端子であるゲー 卜 との間に接続されている。
スィ Vチ s w 1 a 乃至 S w 1 c は、 駆動制御素子 D r の制 御端子と駆動制御素子 D r のスィ ツチ S w 2 に接続された端 子との間で直列に接続されている 。 スィ ッチ S w l a の制御 端子はヽ 走査信号線 S c a n 1 に直接接続されている。 他方、 スィ Vチ ^ W 1 及ぴ S w 1 c の各制御端子は、 遅延素子 D
1 y を介して 、 走査信号線 S c a n 1 に接続されている o
スィ クチ S W 2 の制御端子は走查信号線 S c a n 2 に接続 されてレ、る。
スィ ッチ s W 3及ぴキャパシタ C 2 は、 映像信号線 D a t a と駆動制御 子 D r の制御端子との間で直列に接続されて いる。 ス ィ ッテ S w 3 の制御端子は、 遅延素子 D 1 y を介し て、 走査信号線 S C a n 1 に接 ¾されている。
画素 P Xに図 1 6 の画素回路を採用 した場合、 映像信号線 駆動回路 X D R と しては、 映像信号線 D a t a に、 映像信号 と して電圧信号を供給可能なものを使用する。
なお、 画素 P Xに図 1 6 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ スプレイ 1 ではヽ 基板 2 と、 走査信号線 S c a n 1及ぴ S c a n 2 と 、 映像信号線 D a t a と 、 電源線 V d d と、 スィ ツチ S w 1 a 乃 S w 丄 c ， S w 2及ぴ S w 3 と、 駆動制御 素子 D r と 、 キャパシタ C 1 及ぴ C 2 と、 遅延素子 D l y と がァクティ ブマ 卜 リ ク ス基板を構成している。 このァクティ ブマ ト リ ク ス 基板は 、 走査信号線 ドラィバ Y D Rや映像信号 線 ドライバ X D Rをさ らに含むこ とができ る。 また、 このァ クティ ブマ 卜 リ クス基板は、 有機 E L素子 O L E Dの一方の 電極などをさ らに含むこ とができ る o
画素 P Xに図 1 6 の画素回路を採用 した有機 E Lディ スプ レイ 1 は、 例えばヽ 以下の方法によ り 駆動する こ とができ る 鲁さ込み期間に いては、 まず、 走查信号線 ドライバ Y D
R力ゝら、 選択すベさ画素 P Xに接続された走査信号線 S c a n 1 に対してスィ クチ S w 1 a 乃至 S w 1 c及ぴ S w 3 を選 択状態とする O N信号を供給する と と もに、 その画素 P Xに 接続された走査信号線 S c a n 2 に対してスィ ッチ S w 2 を 非選択状態とする O F F信号を供給する。 これによ り 、 ス ィ ツチ S w 2 を非導 状態とする と と もに、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w 1 c 及ぴ s w 3 を導通状態とする。 次に、 この状態で、 映像信号線 ドライバ X D Rによ り 、 映 像信号線 D a t a の電位を、 リ セッ ト信号電圧 V rstに設定 する。 このと き、 スィ ッチ S w l a 乃至 S w l c は導通状態 にあるため、 駆動制御素子 D r の制御端子と電源線 V d d と の電位差 （ゲー ト一 ソース間電圧） は、 駆動制御素子 D r の 閾値電圧 V ttlに設定される。
その後、 走査信号線 S c a n 1 にスィ ッチ S w l a 乃至 S w 1 c及び S w 3 を非選択状態とする O F F信号を供給する。 こ うする と、 まず、 スィ ッチ S w l a が非道通状態と な り 、 次いで、 スィ ッチ S w l b ， S w l c 及ぴ S w 3 が非導通状 態となる。 スィ ッチ S w 1 a が非道通状態と なつてからスィ ツチ S w 3 が非導通状態となるまでの期間に、 映像信号線 ド ライバ X D Rから映像信号線 D a t a に映像信号 V i nを供給 する。 こ うする と、 例えば、 キャパシタ C 1 及ぴ C 2 の静電 容量が互いに等しい場合には、 駆動制御素子 D r のゲー ト電 位は、 Vrstから V inへの変量と等しい量だけ閾値 V thから 変動する。
次いで、 走査信号線 S c a n 2 にスィ ツチ S w 2 を選択状 態とする O N信号を供給して、 スィ ッチ S w 2 を導通状態と する。 駆動制御素子 D r のゲー トー ソース間電圧は上記のよ う に設定されているので、 有機 E L素子 O L E Dには、 Vrs tと V inと の差に対応した大き さの電流が流れる。 これによ り 、 発光期間が開始される。 なお、 発光期間は、 次の書き込 み期間が開始されるまで続く 。
本態様では、 駆動制御素子 D' r のスィ ッチ S w 2 に接続さ れた端子及び制御端子， すなわち ドレイ ン及ぴゲー ト， を直 列に接続された複数のスィ Vチ S w l a 乃至 S w l c を介し て接続している。 そのためヽ 第 1 態様と 同様、 発光期間にお いて、 駆動制御素子 D r の レイ ンとゲー ト と の間での電荷 の移動が生じ難く な り 、 ゲ一 トー ソース間電圧の変動が抑制 される。
また、 本態様では、 スィ Vチ S w l a をスィ ッチ S w 1 b 及び S w l c よ り も先に非導通状態とする。 したがつて、 本 態様でも、 第 1 態様と 同様ヽ ゲー ト電位が大き く シフ トする のを抑制する こ と ができ る o
すなわち、 本態様でも、 第 1 態様と 同様の効果を得る こ と ができ、 極めて優れた表示 P
PP位を実現する こ とができ る o 本態様では、 スィ ッチ S W 3 の動作を、 スィ ッチ S w 1 a 乃至 S w l c の動作から独 して制御可能な構成を採用 して も よい。 例えば、 走査信号線 S c a n l を利用 してスイ ッチ
S w 1 a 乃至 S w l c の動作を制御し、 この走査信号線 S c a n 1 とは別に、 スィ ッチ s w 3 の動作を制御するための走 查信号線を設けても よい。
本態様では、 遅延素子 D 1 y と して、 例えば、 図 1 6 に示 す抵抗素子を使用する こ とができ る。 或いは、 遅延素子 D 1 y と しては、 第 2態様で説明 したダイォー ドを使用する こ と もでき る。
次に、 本発明の第 4態様について説明する。
第 1 乃至第 3態様では、 スイ ッチ群 S w Gに含まれる各ス ィ ツチを同一の制御配線に接 しァこ 。 れ Kし T し、 5(1 4態様 TJP2004/000367
37 では、 スィ ッチ群 S w Gに含まれるスィ ッチの う ち、 駆動制 御素子 D r のゲー ト側の末端に位置したスィ ツチの制御端子 に接続される制御配線を、 他のスィ ッチの制御端子に接続さ れる制御配線から独立して設ける。 第 4態様では、 これによ り 、 第 1 乃至第 3態様と同様の効果を達成する。
図 1 7 は、 本発明の第 4態様に係るアクティ ブマ ト リ ク ス 型有機 E Lディ スプレイ で採用可能な画素回路の一例を示す 等価回路図である。 この例では、 各スィ ッチ群 S w Gは、 ス イ ッチ S w l a及び S w l b で構成されている。 また、 この 例では、 走査信号線 S c a n 1 の代わ り に、 走査信号線 S c a n 1 a 乃至 S c a n l c が設け られてレヽる。
スィ ッチ S w 3 の制御端子は、 走查信号線 S c a n 1 a を 介して、 走查信号線駆動回路 Y D Rに接続されている。 スィ ツチ S w 1 a の制御端子は、 走查信号線 S c a n 1 b を介し て、 走査信号線駆動回路 Y D Rに接続されている。 スィ ッチ S w 1 b の制御端子は、 走查信号線 S c a n 1 c を介して、 走査信号線駆動回路 Y D Rに接続されている。 こ こでは、 一 例と して、 スィ ッチ S w 1 a , S w 1 b , S w 2及ぴ S w 3 並びに駆動制御素子 D r と して、 p チャネル T F Tを使用 し てレ、る。
次に、 この有機 E Lディ スプレイ 1 の駆動方法について、 図 1 8 を参照しながら説明する。
図 1 8 は、 画素に図 1 7 の画素回路を採用 した有機 E Lデ ィ スプレイ の駆動方法の一例を示すタイ ミ ングチヤ一トであ る。 図 1 8 において、 「 S c a n i a 」 、 「 S c a n l b 」 、 「 S c a n l c 」 及ぴ 「 S c a n 2」 で示す信号波形は、 そ れぞれ、 走查信号線 ドライバ Y D Rが走查信号線 S c a n 1 a , S c a n l b , S c a n l c 及ぴ S c a n 2 に供給する 走査信号の波形を示している。
書き込み期間においては、 まず、 走査信号線 ドライバ Y D' から、 選択すべき画素 P Xに接続された走査信号線 S c a n 2 に対してスィ ッチ S w 2 を非選択状態とする O F F信号
(こ こでは H i g h レベルの走查信号） が供給された状態で、 その画素 P Xに接続された走査信号線 S c a n 1 a 乃至 S c a n 1 c に対してスィ ッチ S w l a , S w 1 b及ぴ S w 3 を 選択状態とする O N信号 （こ こでは L o w レベルの走查信号 ) を供給する。 これによ り 、 スィ ッチ S w 2 を非導通状態と する と と もに、 スィ ッチ S w l a ， S w l b及ぴ S w 3 を導 通状態とする。
次に、 この状態で、 映像信号線 ドライバ X D Rによ り 、 電 源線 V d d から、 駆動制御素子 D r 、 スィ ッチ S w 3 、 及ぴ 映像信号線 D a t a を経由 して映像信号線 ドライバ X D Rへ と至る導電パス に、 映像信号電流 I inに等しい大き さの定電 流を流す。 この と き、 スィ ッチ S w l a及ぴ S w l b は導通 状態にあるため、 駆動制御素子 D r の制御端子と電源線 V d d との電位差 （ゲー ト 一 ソース間電圧） は電流 I inに対応し た値に設定される。
その後、 まず、 走査信号線 S c a n 1 b にスィ ッチ S w l a を非選択状態とする O F F信号 （こ こでは H i g h レベル の走査信号） を供給して、 スィ ッチ S w l a を非導通状態と する。 次いで、 走查信 a n 1 c にスィ ッチ S W 1 D を非選択状態とする o F F信号 ( こでは H i g h レベルの 走査信号） を供給して 、 スイ ツチ S w 1 b を非導 M状態とす る。 最後に、 走査信号線 S e a n 1 a にス ィ ツチ S w 3 を非 選択状態とする - O F F信号 （こ では H i g h レベルの走查 信号） を供給して、 ス'イ ッチ S w 3 を非導通状態とする。
電流 I i nに対応して SX疋 れに 制御素子 D r のゲー ト 一 ソース間電圧は、 キャパシタ. C 1 によって保持される。 以 上のよ う にして、 書き込み期間を元了する。
次いで、 走査信号線 S c a n 2 にスイ ツテ S w 2 を選択状 態とする O N信号 （ここでは L o レベルの走查信号） を供 給して、 スィ ッチ S w 2 を導通状 とする。 駆動制御素子 D r のゲー トーソース間電圧は上記のよ う に設定されているの で、 有機 E L素子 O L E Dには電流 I i nと ほぼ等しい大き さ の電流が流れる o これによ り 、 発光期間が開始される。 なお、 発光期間は 次の書き込み期間開始に先立ちスィ ツチ S w 2 を非 択状態とする O F F信号が供給されるまで続く 。
このよ う にして 、 本 様でも第 1 態様と 同様が得られ 、 極 めて優れた表示 P
PP 実現する こ とができ る。
f¾様では スィ ッチ S w 1 a のチヤネノレ面積は、 スィ ッ チ S W 1 b のチャネル面積よ り も狭く ても よい。 例えば 、 ス ィ ッチ S w 1 a 及ぴ s W 1 b のチヤネノレ幅を同一と し、 且つ、 スィ Vチ s w 1 a のチャネル長 L a を、 スィ ッチ S w l b の チャネル長 L b よ り も < しても よい。 こ うする と、 第 2態 様で 明した通 り 、 駆動制御素子 D r のゲー ト電位変動を、 よ り効果的に防止する こ とができ る。
なお、 第 4態様では、 走査配線数を低減すべく 、 スィ ッチ 群 S w Gのスイ ッチング動作を制御する走查配線の一部とス ィ ツチ S w 3 のスィ ツチング動作を制御する走查配線と を共 通化する こ とができ る。
図 1 9 は、 本発明の第 4態様に係る有機 E L ディ ス プ レイ で採用可能な画素回路の他の例を示す等価回路図である。 図 1 9 の画素回路では、 スィ ッ チ S w l b の制御端子を走查信 号線 S c a n 1 a に接続し、 走查信号線 S c a n 1 c を省略 してレ、る。
図 2 0 は 、 画素に 1 9 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ スプレイ の駆動方法の一例を示すタィ ミ ングチヤ一トであ る。 図 1 8 と図 2 0 との比較から明らかなよ う に、 画素 P X に図 1 9 の画素回路を採用 した有機 E Lディ スプレイ 1 は、 走查信号線 S c a n 1 a を利用 してスイ ッチ S w l b と S w
3 と を同時にス ィ ッチング動作させる こ と以外は、 図 1 8 を 参照しなが ら説明 したのと同様の方法によ り 駆動するこ とが できる。 したがってヽ 本態様でも、 図 1 7 乃至図 1 8 を用い て説明したのと 同棵の効果を得る こ とができ る。
スィ ッチ S w 2 とスイ ッチ S w 3 と を異なる導電型の T F
Tで構成する こ と によ り 、 さ らに走査配線数を低減する こ と が可能と なる o
図 2 1 は 、 本発明の第 4態様に係る有機 E Lディ スプレイ で採用可能な画素回路のさ らに他の例を示す等価回路図であ る。 こ の例では、 スィ ツチ S w 1 b及ぴ S w 2 の制御端子を 走查信号線 S c a n 1 a に接続し、 査 b 線 S c a n 1 c 及び S c a n 2 を省略している。 また、 こ の例では、 スイ ツ チ S 1 b及ぴ S w 3 に導電型が同一の ト ラ ンジスタ を使用 してい こ では 、 一例と して、 駆動制御素子 D r 並びに スィ クチ s w 1 a ， ：3 W 丄 b及び S w 3 に p チャネル T F T を使用 し、 スィ ッチ S w 2 に nチヤネノレ T F Tを使用 してい ス
2 2 はヽ 画素に図 2 1 の画素回路を採用 した有機 E Lデ ィ スプレイ の駆動方法の一例を示すタイ ミ ングチヤ一トであ る 図 2 0 と図 2 2 と の比較から明らかなよ う に、 画素 P X に図 2 1 の画素回路を採用 した有機 E Lディ スプレイ 1 は、 走査信号線 S C a n l a を利用 してスィ ッチ S w l b , S w
2及ぴ ¾ w 3 へ同一の走查信号を供給してス ィ ツチング動作 の制御を行 と以外は、 図 2 0 を参照しなが ら説明 したの と |pj様の方法によ り 駆動する こ とができ る。 したがって、 こ の例で ¾ 、 図 1 7 乃至図 2 0 を用いて説明 したの と 同様の効 果を る こ とができ る。
次に 、 本発明の第 5 態様について説明する。 第 4態様では 画 P Xにヽ 流駆動方式の画素回路を採用 した。 これに対 しヽ 第 5態様では、 画素 P Xに、 電圧駆動方式の画素回路を 採用する。 第 5 様は、 これ以外は、 第 4態様と 同様である 図 2 3 はヽ 本発明の第 5態様に係る有機 E Lディ スプレイ で採用可能な画素回路のー例を示す等価回路図である。 この 画 P Xはヽ 有機 Ε L素子 O L E D、 駆動制御素子 D r 、 キ ャ /ヽシタ C 1 ヽ キャパシタ C 2、 複数のスィ ッチを直列に接 続してなるスィ ツチ群 S w G、 スィ クチ S w 2 、 及びスイ ツ チ S w 3 を備えている なお 、 では、 一例と して 、 スィ ツチ群 S w Gを 2 つのスィ ッチ S w 1 a及ぴ S w 丄 b で構成 してい o。 また、 こ こでは、 一例と して、 駆動制御素子 D r 並びにスィ ッチ S w 1 a , s w 1 b及び S w 2 に p チャネノレ
T F Tを使用 し、 スィ クチ S w 3 に nチャネル T F Tを使用 している
駆動制御素子 D r スィ ッチ S w 2 、 及ぴ有機 E L素子 o
L E Dは、 電源線 V d d と電源線 V s s と の間で こ の順に直 列に接続されている。
キャパシタ C 1 は 、 電源線 V d d と駆動制御 子 D r の制 御端子であるゲ一ト と の間に接続されている。
スィ Vチ 1 a及ぴ S w 1 b は 、 駆動制御素子 D r の制 御端子と駆動制御素子 D r のスィ ッチ S w 2 に接 fee < ·れた端 子と の間で直列に接続されている。 スィ ツチ S w 1 a の制御 端子は 、 走查信号線 S c a n 1 b に れ いる 他方、 スイ ツチ S w 丄 b の制御端子は、 走查信号線 s C a n 1 c に
¾: π¾ れている
スィ クチ a w 2 の制御端子は走查信号線 S c a n 2 に核 ¾t されている
スィ クチ a w 3及ぴキヤハ。シタ c 2 は、 映像信号線 D a t a と駆動制御素子 D r の制御端子との間で直列に接続されて いる。 スィ ッ チ S w 3 の制御端子は、 走查信号線 S c a n 1 a に接続されている。
画素 P Xに図 2 3 の画素回路を採用 した場合、 映像信号線 駆動回路 X D R と しては、 映像信号線 D a t a に、 映像信号 と して電圧信号を供給可能なものを使用する。
なお、 画素 P Xに図 2 3 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ スプレイ 1 では、 基板 2 と、 走查信号線 S c a n 1 a 乃至 S c a n l c及ぴ S c a n 2 と、 映像信号線 D a t a と、 電 源線 V d d と、 スィ ッ チ S w l a , S w 1 b , S w 2及ぴ S w 3 と、 駆動制御素子 D r と、 キャパシタ C 1 及ぴ C 2 と力 S アクティ ブマ ト リ タ ス基板を構成している。 こ のアクティ ブ マ ト リ ク ス基板は、 走査信号線 ドライバ Y D Rや映像信号線 ドライバ X D Rをさ らに含むこ とができ る。 また、 このァク ティ ブマ ト リ ク ス基板は、 有機 E L素子 O L E Dの一方の電 極などをさ らに含むこ とができ る。
次に、 こ の有機 E Lディ ス プ レイ 1 の駆動方法について説 明する。
図 2 4 は、 画素に図 2 3 の画素回路を採用 した有機 E Lデ イ ス プ レイ の駆動方法の一例を示すタイ ミ ングチヤ一トであ る。
書き込み期間においては、 まず、 走査信号線 ドライバ Y D から、 選択すべき画素 P Xに接続された走查信号線 S c a n l +a 乃至 S c a n l c に対してスィ ッチ S w l a , S w 1 b及ぴ S w 3 を選択状態とする O N信号を供給する と と もに、 その画素 P Xに接続された走査信号線 S c a n 2 に対してス イ ッチ S w 2 を非選択状態とする O F F信号を供給する。 こ れによ り 、 スィ ッ チ S w 2 を非導通状態とする と と もに、 ス イ ッチ S w l a , S w l b及び S w 3 を導通状態とする。 7
44 次に、 この状態で、 映像信号線 ドライバ X D Rによ り 、 映 像信号線 D a t a の電位を、 リ セッ ト信号電圧 V rstに設定 する。 このと き、 スィ ッチ S w l a及ぴ S w l b は導通状態 にあるため、 駆動制御素子 D r の制御端子と電源線 V d d と の電位差 （ゲー ト一ソース間電圧） は、 駆動制御素子 D r の 閾値電圧 V thに設定される。
その後、 まず、 走查信号線 S c a n 1 b にスィ ッチ S w l a を非選択状態とする O F F信号を供給して、 スィ ッチ S w 1 a を非導通状態とする。 次いで、 走査信号線 S c a n 1 c にスィ ツチ S w 1 b を非選択状態とする O F F信号を供給し て、 スィ ッチ S w l b を非導通状態とする。
続いて、 映像信号線 ドライバ X D Rから映像信号線 D a t a に映像信号 V inを供給する。 例えば、 キャパシタ C 1 及び
C 2 の静電容量が互いに等しい場合、 これによ り 、 駆動制御 素子 D r のゲー ト電位は、 V rstから V inへの変量と等しい 量だけ閾値 V thから変動する。
次いで、 走査信号線 S c a n 1 a にスィ ツチ S w 3 を非選 択状態とする O F F信号を供給して、 スィ ツチ S w 3 を非導 通状態とする。 これと と もに、 走査信号線 S c a n 2 にスィ ツチ S w 2 を選択状態とする O N信号を供給して、 スィ ツチ S w 2 を導通状態とする。 駆動制御素子 D r のゲー トー ソー ス間電圧は上記のよ う に設定されているので、 有機 E L素子 O L E Dには、 Vrstと V inとの差に対応した大き さの電流 が流れる。 これによ り 、 発光期間が開始される。 なお、 発光 期間は、 次の書き込み期間が開始されるまで続く 。 以上から明 らかなよ う に、 本態様においても、 第 1態様と 同様の効果を得るこ とがができ、 極めて優れた表示品位を実 現するこ とができ る。
図 2 5 は、 第 1 乃至第 5態様の有機 E Lパネルに採用可能 な構造の一例を概略的に示す断面図である。 図 2 5 には、 有 機 E Lパネル D Pのスィ ッチ S w 1 a と駆動制御素子 D r と 有機 E L素子 O L E D と を横切る断面を示している。
有機 E Lパネル D P は、 ガラス基板などの光透過性絶縁基 板 2 を備えている。 有機 E L素子 O L E Dが放出する光は、 例えば、 光透過性絶縁基板 2 を介して有機 E Lパネル D P の 外部に取り 出される。
絶縁基板 2上には、 パターニングされた半導体層が配置さ れている。 これら半導体層は、 例えば、 ポリ シ リ コ ン層であ る。
各半導体層中には、 T F Tの ソース 5 0 a及ぴ ドレイ ン 5 0 b が互いから離間 して形成されている。 なお、 半導体層中 のソース 5 0 a と ドレイ ン 5 0 b と の間の領域 5 0 c は、 チ ャネルと して使用する。
半導体層上には、 ゲー ト絶縁膜 5 2 、 第 1 導体パターン及 び絶縁膜 5 4 が順次形成されている。 この第 1 導体パターン は、 T F Tのゲー ト G、 キャパシタ C 1 の第 1 電極、 走查信 号線 S c a n 1 及ぴ S c a n 2、 これらを接続する配線など と して利用する。 また、 絶縁膜 5 4 は、 層間絶縁膜及びキヤ パシタ C 1 の誘電体層 と して利用する。
絶縁膜 5 4 上には、 第 2導体パターンが形成されている。 第 2導体パターンは、 ソース電極 S 、 ドレイ ン電極 D、 キヤ パシタ C 1 の第 2電極、 映像信号線 D a t a 、 これらを接続 する配線などと して利用する。 ソース電極 S及び ド レイ ン電 極 Dは、 絶縁膜 5 2及ぴ 5 4 に設けられた貫通孔を介して T F Tの ソース 5 0 a及ぴ ド レイ ン 5 0 b にそれぞれ接続され ている。
第 2導体パター ン及ぴ絶縁膜 5 4上には、 パ ッ シベーシ ョ ン膜 5 6及び有機 E L素子 O L E Dの陽極 6 2 が順次形成さ れている。 陽極 6 2 は、 ノ ッシベーシ ヨ ン β奠 5 6 に設けられ た貫通孔を介してスィ ツチ S w 2 の ド レイ ン Dに接続されて いる。 この例では、 陽極 6 2 の材料と しては、 I T O ( Indi um Tin Oxide) な どの光透過性導電体を使用する。
パッシベーショ ン膜 5 6 上には、 絶縁層 5 8 が形成されて いる。 絶縁層 5 8 には、 陽極 6 2 の中央部に対応した位置に 貫通孔が設けられている。 絶縁層 5 8 は、 例えば、 親液性の 無機絶縁層である。
絶縁層 5 8上には、 絶縁層 6 0 が形成されている。 絶縁層 6 0 には、 陽極 6 2 の中央部に対応した位置に、 絶縁層 5 8 の貫通孔ょ り も大径の貫通孔が設けられている。 絶縁層 6 0 は、 例えば、 撥液性の有機絶縁層である。 なお、 絶縁層 5 8 と絶縁層 6 0 と の積層体は、 陽極 6 2 に対応した位置に貫通 孔を有する隔壁絶縁層を構成している。
隔壁絶縁層の貫通孔内で露出した陽極 6 2上には、 パ ッ フ ァ層 6 3及び発光層 6 4 が順次形成されている。 バッフ ァ層 6 3 は、 陽極 6 2 から発光層 6 4への正孔の注入を媒介する 役割を果たす。 また、 発光 曰 6 4 は、 例えば、 発光色が赤色、 緑色、 または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜 である
隔壁絶縁層及ぴ発光層 6 4上には陰極 6 6 が全画 共通の 電極と して設けられている 陰極 6 6 は、 ノ 、ソ シベ シ ヨ ン 膜 5 6及ぴ隔壁絶縁層に設けられた ンタ ク 卜ホ一ル (図示 せず） を介して電源線 V s S に接 fenされている 。 陰極 6 6 と しては 、 例えば、 バリ ウムなどを含有した主導体層 とアル ミ ニゥムなどを含有した保護導体層との禾貝層体を使用する。 そ れぞれの有機 E L素子 O L E Dは、 これら陽極 6 2 、 ノ ッフ ァ層 6 3 、 発光層 6 4 、 及ぴ陰極 6 6 で構成されている。
なおヽ 発光層 6 4が放出する光はヽ 陰極 6 6側から有機 E
Lパネル D P の外部へと取り 出しても よい の場 、 陰極
6 6 に光透過性を持たせればよい。
さ らなる利益及ぴ変形は 、 当業者には容易である それゆ 、 本発明は、 そのよ り 広 - え レ、側面に レ、て 、 こ に記載され た特定の記載や代表的な態様に限定されるベきではない。 し たがつてヽ 添付の請求の範囲及びその等価物にぶつて規定さ れる本発明の包括的概念の真息ま 7こは範囲力 ら逸脱しない範 囲内で 様々 な変形が可能でめ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそれ らの間の電圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2端 子と を備えた駆動制御素子と、
一方の電極が前記制御端子に接続され、 前記第 1 端子と前 記制御端子と の間の電圧を一定に維持可能なキ ャパシタ と、 前記第 2端子と第 2電源端子との間に接続された有機 E L 素子と、
前記第 2端子と前記制御端子と の間で直列に接続された複 数の第 1 スィ ッチと を具備したアクティ ブマ ト リ タ ス型有機 E L ディ ス プ レイ 。
2 . 直列に接続された前記複数の第 1 スィ ッ チの う ち、 前 記制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ツチが他の第 1 スィ ツチに比べ、 前記走查信号の大き さの変化に対する導通状態 から非導通状態への切 り 替わ り がよ り 早く 生じる よ う に構成 された請求項 1 に記載のディ スプレイ。 '
3 . 前記複数の第 1 スィ ッ チの制御端子は同一の走査信号 入力端子に接続された請求項 2 に記載のディ スプレイ。
4 . 前記複数の第 1 スィ ツチはそれぞれ導電型が同一な電 界効果 ト ラ ンジス タであ り 、 直列に接続された前記複数の第 1 スィ ッ チの う ち、 前記制御端子側の末端に位置した第 1 ス ィ ツチは他の第 1 スィ ツチに比べて閾値がよ り 深い請求項 3 に記載のディ スプレイ。
5 . 前記複数の第 1 スィ ツチはそれぞれ導電型が同一な電 界効果 ト ラ ンジス タであ り 、 直列に接続された前記複数の第 1 ス ィ ツチの う ち、 前記制御端子側の末端に位置した第 1 ス ィ ツチは他の第 1 スィ ツチに比べてチャネル長がよ り長い請 求項 3 に記載のディ スプレイ。
6 . 入力信号を遅延して出力する遅延素子をさ らに具備し、 前記複数の第 1 スィ ツ チの う ち、 前記駆動制御素子の前記 制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ツ チの制御端子は走査 信号入力端子に直接接続され、 他の第 1 スィ ッ チの制御端子 は前記遅延素子を介して前記走査信号入力端子に接続された 請求項 1 に記載のディ スプレイ。
7 . 前記遅延素子は抵抗素子である請求項 6 に記載のディ ス プ レイ 。
8 . 前記抵抗素子は、 ポリ シ リ コ ン層である請求項 7 に記 载のディ ス プ レイ 。
9 . 前記遅延素子はダイオー ドである請求項 6 に記載のデ イ スプレイ 。
1 0 . 前記遅延素子は、 並列に接続された第 1 及び第 2 ダ ィオー ドを備え、 前記第 1 ダイオー ドの順方向と前記第 2 ダ ィォー ドの順方向と は逆向きである請求項 6 に記載のデイ ス プ レイ 。
1 1 . 第 1 走査信号入力端子と第 2走査信号入力端子と を さ らに具備し、
前記複数の第 1 スィ ッ チの う ち、 前記制御端子側の末端に 位置した第 1 スィ ツチは前記第 1 走査信号入力端子に接続さ れ、 他の第 1 スィ ッ チは前記第 2走査信号入力端子に接続さ れ、 前記制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ツチは他の第 1 スィ チと比べてチヤネル面積がよ り 小さい請求項 2 に記 载のディ スプレイ 。
1 2 . 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそ れらの間の m圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2 端子と を備 た駆動制御素子と、
一方の電極が前記制御端子に接続され、 前記第 1 端子と前 記制御端子と の間の電圧を一定に維持可能なキャパシタ と、 目リ S己第 2端子と第 2電源端子との間に接続された有機 E L 素子と
目 U記第 2端子と前記制御端子との間で直列に接続された複 数の第 1 スィ ツチと を具備し、
刖記複数の第 1 スイ ツチはそれぞれ導電型が同一な電界効 果 ト ランジスタであ り 、 前記複数の第 1 ス ィ ツチのゲー トは 同一の走査信号入力端子に接続され、 直列に接続された前記 複数の第 1 スィ ツチの う ち、 前記制御端子側の末端に位置し た第 1 スィ ッチは他の第 1 ス ィ ツチに比べて閾値がよ り深い ァクティ ブマ ト リ クス型有機 E Lディ スプレイ。
1 3 . 直列に接続された前記複数の第 1 スィ ツチの う ち、 前記制御端子側の末端に位置した第 1 ス ィ ツチと他の第 1 ス イ ッチとの閾値の差は 0 . I V乃至 0 . 8 Vの範囲内にある 請求項 1 2 に記載のディ スプレイ。
1 4 . 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそ れらの間の電圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2 端子と を備えた駆動制御素子と、
一方の電極が前記制御端子に接続され、 前記第 1 端子と前 記制御端子との間の電圧を一定に維持可能なキャパシタ と、 前記第 2端子と第 2電源端子と の間に接続された有機 E L 素子と、
前記第 2端子と前記制御端子と の間で直列に接続された複 数の第 1 スィ ッチと を具備し、
前記複数の第 1 スィ ッチはそれぞれ導電型が同一な電界効 果 ト ラ ンジスタであ り 、 前記複数の第 1 スィ ツチのゲー トは 同一の走査信号入力端子に接続され、 直列に接続された前記 複数の第 1 スィ ッチの う ち、 前記制御端子側の末端に位置し た第 1 ス ィ ツチは他の第 1 ス ィ ツチに比べてチャネル長がよ り 長いアクティ ブマ ト リ クス型有機 E Lディ スプレイ。
1 5 . 直列に接続された前記複数の第 1 スィ ッチの う ち、 前記制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ッチのチャネル長 は、 他の第 1 スィ ッチのチャネル長の 1 . 3倍乃至 3 . 0倍 の範囲内にある請求項 1 4 に記載のディ スプレイ。
1 6 . 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそ れらの間の電圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2 端子と を備えた駆動制御素子と、
一方の電極が前記制御端子に接続され、 前記第 1 端子と前 記制御端子との間の電圧を一定に維持可能なキャパシタ と、 前記第 2端子と第 2 電源端子との間に接続された有機 E L 素子と、
前記第 2端子と前記制御端子との間で直列に接続された複 数の第 1 スィ ッチと、
前記複数の第 1 スィ ッチの う ち、 前記制御端子側の末端に 位置した 1 スィ クチの制御端子と接続された第 1 走査信号 端子と、
刖記複数の第 1 スイ ッ チの う ち、 他の第 1 スィ ツチの制御 マ
子と接 feeされた第 2走査信号端子と を具備し、
記複数の第 1 スィ ツチはそれぞれ導電型が同一な電界効 果 ト ランジスタであ り 、 直列に接続された前記複数の第 1 ス ィ ッチの う ち 刖記制御端子側の末端に位置した第 1 スィ ッ チは他の 1 スィ クチに比べてチャネル面積がよ り 小さいァ クティ プマ 卜 リ クス型有機 E Lディ ス プ レイ 。
1 7 • 第 1 電源端子に接続された第 1 端子と制御端子とそ れらの間の雷圧に対応した大き さで駆動電流を出力する第 2 端子と を備 X. 、 記第 2端子が有機 E L素子を介して第 2 源端子に接 されるべき駆動制御素子と、
一方の電極が 記制御端子に接続され、 前記第 1 端子と J 記制御端子と の間の電圧を一定に維持可能なキ ヤパシタ と 、 前記第 2 子と 目 U記制御端子との間で直列に接 ι レた複 数のスィ クチと を具備したアクティ ブマ ト リ クス型基板
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI556200B (zh) * 2005-09-30 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732106B1 (ko) 2003-01-22 2007-06-27 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이 및 액티브 매트릭스 기판
US20060164345A1 (en) 2005-01-26 2006-07-27 Honeywell International Inc. Active matrix organic light emitting diode display
EP1854088A4 (en) * 2005-02-28 2009-12-09 Toshiba Matsushita Display Tec DISPLAY AND METHOD FOR THEIR MANUFACTURE
US7355220B2 (en) * 2005-03-31 2008-04-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Array substrate
KR100782455B1 (ko) * 2005-04-29 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 발광제어 구동장치 및 이를 구비하는 유기전계발광표시장치
TWI262743B (en) * 2005-10-12 2006-09-21 Au Optronics Corp A controlling element of an organic electro-luminescent display and manufacturing process thereof
JP4240068B2 (ja) * 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4168290B2 (ja) 2006-08-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
JP2010085695A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Toshiba Mobile Display Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
TWI426526B (zh) * 2009-08-12 2014-02-11 Au Optronics Corp 移位暫存器電路
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011089853A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101682690B1 (ko) * 2010-07-20 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
TWI497377B (zh) * 2012-07-18 2015-08-21 Au Optronics Corp 用於光感應觸控面板的移位暫存器
CN103400548B (zh) * 2013-07-31 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
KR20180098442A (ko) 2017-02-24 2018-09-04 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 가지는 유기전계발광 표시장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623908A (en) * 1982-04-01 1986-11-18 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Thin film transistors
JPH0982969A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置
US6104067A (en) * 1996-08-02 2000-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1130565A1 (en) * 1999-07-14 2001-09-05 Sony Corporation Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method
WO2001075852A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device having current-addressed pixels
WO2001091095A1 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
WO2001091094A1 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display device
JP2002221936A (ja) * 2000-10-24 2002-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US20020180671A1 (en) * 2001-05-30 2002-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04293015A (ja) 1991-03-22 1992-10-16 Fujitsu Ltd アクティブマトリックス液晶駆動回路
US6229506B1 (en) 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
GB9812742D0 (en) 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
JP2002278504A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Mitsubishi Electric Corp 自発光型表示装置
JP4155389B2 (ja) 2001-03-22 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、その駆動方法及び電子機器
US7209101B2 (en) * 2001-08-29 2007-04-24 Nec Corporation Current load device and method for driving the same
JP2003140611A (ja) 2001-11-02 2003-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示素子およびその駆動方法およびこれを用いた携帯端末用のディスプレイ
GB2384100B (en) 2002-01-09 2005-10-26 Seiko Epson Corp An electronic circuit for controlling the current supply to an element
SG119186A1 (en) * 2002-05-17 2006-02-28 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
KR100732106B1 (ko) 2003-01-22 2007-06-27 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이 및 액티브 매트릭스 기판

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623908A (en) * 1982-04-01 1986-11-18 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Thin film transistors
JPH0982969A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置
US6104067A (en) * 1996-08-02 2000-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1130565A1 (en) * 1999-07-14 2001-09-05 Sony Corporation Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method
WO2001075852A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device having current-addressed pixels
WO2001091095A1 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
WO2001091094A1 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display device
JP2002221936A (ja) * 2000-10-24 2002-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US20020180671A1 (en) * 2001-05-30 2002-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1605430A4 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI556200B (zh) * 2005-09-30 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9887236B2 (en) 2005-09-30 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10043849B2 (en) 2005-09-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device that expands color reproduction area by satisfying the surplus in the color gamut
US10790329B2 (en) 2005-09-30 2020-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a plurality of pixels and electronic device with display device
US11211424B2 (en) 2005-09-30 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11676990B2 (en) 2005-09-30 2023-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device

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