WO2004034146A3 - Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensität - Google Patents

Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensität Download PDF

Info

Publication number
WO2004034146A3
WO2004034146A3 PCT/EP2003/009370 EP0309370W WO2004034146A3 WO 2004034146 A3 WO2004034146 A3 WO 2004034146A3 EP 0309370 W EP0309370 W EP 0309370W WO 2004034146 A3 WO2004034146 A3 WO 2004034146A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lighting system
radiation source
light intensity
object plane
adjusting
Prior art date
Application number
PCT/EP2003/009370
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2004034146A2 (de
Inventor
Wolfgang Singer
Martin Antoni
Frank Melzer
Johannes Wangler
Joachim Hainz
Joachim Wietzorrek
Manfred Maul
Markus Weiss
Original Assignee
Zeiss Carl Smt Ag
Wolfgang Singer
Martin Antoni
Frank Melzer
Johannes Wangler
Joachim Hainz
Joachim Wietzorrek
Manfred Maul
Markus Weiss
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Carl Smt Ag, Wolfgang Singer, Martin Antoni, Frank Melzer, Johannes Wangler, Joachim Hainz, Joachim Wietzorrek, Manfred Maul, Markus Weiss filed Critical Zeiss Carl Smt Ag
Priority to EP03807802A priority Critical patent/EP1550004A2/de
Priority to AU2003258657A priority patent/AU2003258657A1/en
Publication of WO2004034146A2 publication Critical patent/WO2004034146A2/de
Publication of WO2004034146A3 publication Critical patent/WO2004034146A3/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie mit Wellenlängen ≤ 157 nm, insbesondere für die EUV-Lithographie zur Ausleuchtung einer Objektebene umfassend eine Strahlungsquelle, die ein Bündel von Lichtstrahlen zur Verfügung stellt, wobei das Bündel von Lichtstrahlen das Beleuchtungssystem in einem Strahlengang in einer Richtung von der Strahlungsquelle zur Objektebene durchläuft und eine Lichtintensität aufweist; einer ersten optischen Komponente, die mindestens ein erstes optisches Element mit einer Vielzahl von Rasterelementen umfasst, wobei das erste optische Element im Strahlengang zwischen der Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist; dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorrichtung zur Einstellung der Lichtintensität für Wellenlängen ≤ 157 nm vorgesehen ist, die im Strahlengang von der Strahlungsquelle zur Objektebene zwischen der Strahlungsquelle und dem ersten optischen Element angeordnet ist.
PCT/EP2003/009370 2002-09-30 2003-08-23 Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensität WO2004034146A2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03807802A EP1550004A2 (de) 2002-09-30 2003-08-23 Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensit t
AU2003258657A AU2003258657A1 (en) 2002-09-30 2003-08-23 Lighting system comprising a device for adjusting the light intensity

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10245625 2002-09-30
DE10245625.9 2002-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2004034146A2 WO2004034146A2 (de) 2004-04-22
WO2004034146A3 true WO2004034146A3 (de) 2004-08-05

Family

ID=32086837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2003/009370 WO2004034146A2 (de) 2002-09-30 2003-08-23 Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensität

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1550004A2 (de)
AU (1) AU2003258657A1 (de)
WO (1) WO2004034146A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007025846A1 (de) * 2007-06-01 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit wenigstens einem akustooptischen Spiegel
DE102007041004A1 (de) 2007-08-29 2009-03-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie
DE102012218221A1 (de) * 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574537A (en) * 1993-04-15 1996-11-12 Nikon Corporation Apparatus for controlling light quantity using acousto-optic modulator for selecting 0th-order diffracted beam
EP0987601A2 (de) * 1998-09-17 2000-03-22 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung derselben
US6106139A (en) * 1997-10-30 2000-08-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and semiconductor device manufacturing method
US20010010580A1 (en) * 1993-02-24 2001-08-02 Kazuaki Suzuki Exposure control apparatus and method
WO2001079935A1 (en) * 2000-04-17 2001-10-25 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation system using a spatial light modulator
US20030044701A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-06 Boettiger Ulrich C. Method and apparatus for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US20030179458A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Osamu Osawa Light exposure apparatus and light emitting device therefor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010010580A1 (en) * 1993-02-24 2001-08-02 Kazuaki Suzuki Exposure control apparatus and method
US5574537A (en) * 1993-04-15 1996-11-12 Nikon Corporation Apparatus for controlling light quantity using acousto-optic modulator for selecting 0th-order diffracted beam
US6106139A (en) * 1997-10-30 2000-08-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and semiconductor device manufacturing method
EP0987601A2 (de) * 1998-09-17 2000-03-22 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung derselben
WO2001079935A1 (en) * 2000-04-17 2001-10-25 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation system using a spatial light modulator
US20030044701A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-06 Boettiger Ulrich C. Method and apparatus for controlling radiation beam intensity directed to microlithographic substrates
US20030179458A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Osamu Osawa Light exposure apparatus and light emitting device therefor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004034146A2 (de) 2004-04-22
AU2003258657A8 (en) 2004-05-04
AU2003258657A1 (en) 2004-05-04
EP1550004A2 (de) 2005-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007025525A3 (de) Lichtemittierendes modul insbesondere zur verwendung in einem optischen projektionsgerät und optisches projektionsgerät
WO2005015314A3 (en) An illumination system for microlithography
WO2005083512A3 (de) Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
WO2002027402A3 (en) Illumination system particularly for microlithography
WO2005026843A3 (en) Illumination system for a microlithography projection exposure installation
TW200625027A (en) Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2003093902A3 (de) Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie
EP1796147A4 (de) Beleuchtungsvorrichtung, belichtungsvorrichtung und mikrobauelement-herstellungverfahren
WO2005078522A3 (en) Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
ATE435997T1 (de) Kompakte beleuchtungsvorrichtung, insbesondere anwendbar bei einer zahnärztlichen lampe
ATE333668T1 (de) Strahlungsquelle hoher luminosität für die euv- lithographie
TW200732702A (en) Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
ATE467081T1 (de) Scheinwerfer mit am umfang begrenztem lichtbündel
EP1586949A3 (de) Belichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung von EUV-Licht
WO2005040927A3 (en) Device and method for illumination dose adjustments in microlithography
TW200643642A (en) Extreme ultraviolet exposure device and extreme ultraviolet light-source device
EP1650786A4 (de) Fokussierung eines optischen systems, lichtquelleneinheit, optische beleuchtungsvorrichtung und belichtungsvorrichtung
JP4328320B2 (ja) 露光用光源
EP1319983A3 (de) Fortgeschrittenes Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
DE602006004890D1 (de) Beleuchtungsvorrichtung einer fotolithographievorrichtung
WO2004034146A3 (de) Beleuchtungssystem mit einer vorrichtung zur einstellung der lichtintensität
JP2006208682A (ja) 照明光学装置及び光学装置
EP1357431A3 (de) System und Verfahren zur verbesserten Kontrolle der Linienbreite in einem lithographischem Gerät unter Verwendung eines Beleuchtungssystems mit Vorkontrolle der numerischen Apertur
WO2004102273A3 (de) Beleuchtungssystem mit axikon-modul
WO2002086580A3 (de) Reflexionsfiltersystem in beleuchtungseinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003807802

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2003807802

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003807802

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP