WO2002097453A1 - Probe card, probe, probe manufacturing method, and probe card manufacturing method - Google Patents

Probe card, probe, probe manufacturing method, and probe card manufacturing method Download PDF

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WO2002097453A1
WO2002097453A1 PCT/JP2002/005103 JP0205103W WO02097453A1 WO 2002097453 A1 WO2002097453 A1 WO 2002097453A1 JP 0205103 W JP0205103 W JP 0205103W WO 02097453 A1 WO02097453 A1 WO 02097453A1
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holding
substrate
probe
forming
free end
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Application number
PCT/JP2002/005103
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Takehisa Takoshima
Wataru Narazaki
Seiichi Hata
Akira Shimokoube
Original Assignee
Advantest Corporation
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card

Definitions

  • Probe card Description Probe card, contact, method for manufacturing contact, and method for manufacturing probe card
  • the present invention relates to a contact, a probe card, a contact manufacturing method, and a probe card manufacturing method.
  • the present invention relates to a contact, a probe card, a method for manufacturing a contact, and a method for manufacturing a probe, in which the weight of the probe pin is increased without changing the size of the probe pin to increase the rigidity.
  • the rigidity of a contact such as a probe pin is determined by the Young's modulus of the material forming the probe pin and the shape of the probe pin.
  • the contact resistance between the probe and the terminal of the electronic component can be reduced.
  • the thickness of the probe pin is increased as the rigidity of the probe pin is increased. It is difficult to do. In addition, it is not preferable to change the dimensions of the probe pins in order to correspond to the shape and size of the electronic component whose characteristics are to be tested with the probe card.
  • an object of the present invention is to provide a contact, a probe card, a contact manufacturing method, and a probe card manufacturing method that can solve the above-described problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. You. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention. Disclosure of the invention
  • a probe card used to test the characteristics of an electronic component by contacting a terminal of the electronic component.
  • a probe pin having a holding end to be held, a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in a longitudinal direction from the holding end to the free end; And a transmission line which is connected to the probe card.
  • the protruding weight portion is formed so as to be depressed from one surface of the probe pin and protrude to the surface opposite to the one surface.
  • the protruding weight portion may have a V-shaped cross section in the width direction.
  • the protruding weight portion may have a U-shaped cross section in the width direction.
  • the protruding weight portion may be formed so as to protrude from one surface of the probe pin in a direction substantially perpendicular to the one surface, and may have a rectangular cross section in the width direction.
  • the protruding weight may be formed over the free end.
  • the protruding weight may be formed at a position separated from the free end by a predetermined distance.
  • the probe pin may have at its free end at least one protrusion that contacts the terminal of the electronic component.
  • the probe pin may have a contact protruding portion formed at a free end thereof so as to be depressed from one surface of the probe pin and protrude to a surface opposite to the one surface, and to contact a terminal of the electronic component.
  • the probe pin has a plurality of protruding weight portions. At least one of the plurality of protruding weights may be formed so as to partially overlap at least one of the other protruding weights in the width direction of the probe pin.
  • the plurality of protruding weights are provided in at least three rows in the width direction, and the protruding weights provided in the center row partially overlap the protruding weights provided in the rows at both ends in the width direction. It may be formed as follows. It is preferable that the plurality of protruding weight portions are evenly arranged on the probe pin.
  • the probe pin is made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range. preferable.
  • the probe pin includes a holding end including a holding end, an inclined portion having one end extended from the holding end so as to have a predetermined angle with respect to the holding end, and the other end of the inclined portion. And a free end portion including a free end portion, and the inclined portion may have a protruding weight portion.
  • the free end may extend parallel to or away from the holding end.
  • the probe pin has a holding end including a holding end, a curved portion provided with one end extending from the holding end, and curved in a direction away from the holding substrate, and extended to the other end of the curved portion.
  • the curved portion may include a protruding weight portion.
  • a contact which is used for contacting a terminal of an electronic component to electrically connect the electronic component to another electronic component, comprising: a holding end held by a holding substrate; A contact having a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in the longitudinal direction from the holding end to the free end.
  • the protruding weight portion may have a V-shaped cross section in the width direction. Further, the protruding weight portion may have a U-shaped cross section in the width direction. Further, the protruding weight portion may have a rectangular cross section in the width direction.
  • the contact is preferably made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range.
  • the electronic device has a holding end held by the holding substrate and a free end that contacts a terminal of the electronic component, and is used for electrically connecting the electronic component to another electronic component.
  • a contact manufacturing method characterized by comprising: a step of forming an amorphous alloy layer having a supercooled liquid temperature range; a step of heating the amorphous alloy layer; and a step of cooling the amorphous alloy layer. I do.
  • the step of heating may heat the amorphous alloy layer to a supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy layer.
  • the step of forming a groove in the substrate is to form a U-shaped groove by isotropic etching. May be formed.
  • a groove having a V-shaped cross section may be formed by anisotropic etching.
  • a groove having a square cross section may be formed.
  • the contact manufacturing method may further include forming a hole in a region of the substrate where the free end of the probe pin is formed.
  • the step of forming a hole may form the hole by anisotropic etching or isotropic etching.
  • the step of forming a hole may form a plurality of holes.
  • the method for manufacturing a contact may further include a step of forming a plurality of protrusions at a free end of the contact that are in contact with terminals of the electronic component.
  • the step of forming a plurality of protrusions may form the plurality of protrusions by ultrafine particle jet printing.
  • the plurality of protrusions may be formed by plating.
  • the step of forming a plurality of protrusions may form the plurality of protrusions by thermal spraying.
  • the method for manufacturing a contact comprises: a step for forming a first flat portion forming a holding end of the contact on the substrate; and an end having a predetermined angle with the substrate so as to have a predetermined angle with respect to the first flat portion.
  • a probe card manufacturing method for manufacturing a probe card used to test a characteristic of an electronic component by contacting a terminal of the electronic component, wherein the transmission line including a conductive material is provided.
  • a method of manufacturing a probe card comprising: forming a probe pin having the same; and joining a holding end of the probe pin to a holding substrate.
  • the steps for forming the probe pins are as follows: Forming a groove extending in the longitudinal direction from the holding end of the probe pin to the free end, forming an amorphous alloy layer on the substrate by sputtering, heating the amorphous alloy layer, and forming an amorphous alloy layer. Cooling the layer.
  • the step of joining the holding end to the holding substrate may include the step of attaching the holding end to the holding substrate and the step of thermocompression bonding the holding end to the holding substrate.
  • the probe card manufacturing method may further include a step of separating the amorphous alloy layer from the substrate.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a probe card according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a top view of a probe pin having a plurality of protruding weight portions.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the probe card shown in FIG. ,
  • FIG. 4 is a process chart showing an example of the method of manufacturing the probe card shown in FIG.
  • FIG. 6 is a BB ′ cross-sectional view of the substrate and the amorphous alloy layer shown in FIG.
  • FIG. 7 is a process chart showing another example of the method for manufacturing the probe card shown in FIG.
  • FIG. 8 is a perspective view showing another example of the probe card.
  • FIG. 9 is a process chart showing a method of manufacturing the probe card shown in FIG.
  • FIG. 10 is a process chart showing another example of manufacturing the probe card shown in FIG.
  • FIG. 11 is a perspective view showing another example of the probe card manufactured by the process shown in FIG. 9 or FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a perspective view showing a probe card 10 according to one embodiment of the present invention.
  • the probe card 10 includes a holding board (not shown), probe pins 14, and a transmission line (provided on the holding board and electrically connected to the probe pins 14). (Not shown).
  • the probe pins 14 are joined to the holding substrate via the gold bumps 62.
  • the probe pin 14 has a holding end 16 held by the holding substrate, a free end 18 opposite to the holding end 16, and a protrusion extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18.
  • Weighting part 20 is preferably formed over the free end 18.
  • the protruding weight portion 20 may have, for example, a V-shaped groove shape as shown in FIG.
  • the depth of the groove of the protruding weight portion 20 is preferably 2 to 20 / m, more preferably 5 to 15 ⁇ m. m.
  • the probe pin 14 is preferably formed using an amorphous alloy as a material.
  • Amorphous alloys include any metals such as metallic glass, for example, as long as they are amorphous alloys that undergo a reversible phase transition from an amorphous phase to a fluidized bed that is a supercooled liquid region in a predetermined temperature range. Good.
  • the amorphous alloy preferably contains, for example, a noble metal such as gold, palladium, or platinum as a main component. When the amorphous alloy contains a metal such as palladium or platinum as a main component, the amorphous alloy may further contain copper and / or silicon.
  • the probe pin 14 may be formed of a metal or alloy such as aluminum or tungsten.
  • the protruding weight portion 20 is formed so as to protrude from the surface of the probe pin 14 bonded to the gold bump 62 in the direction of the opposite surface. Therefore, the protruding weight portion 20 formed over the free end 18 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component.
  • the protruding weight portion 20 may be formed so as to be depressed in the direction from the surface of the probe pin 14 to be bonded to the gold bump 62 to the surface on the opposite side.
  • the protruding weight portion 20 is separated from the free end 18 by a predetermined distance. It may be formed at the position where it is located.
  • the probe pin 14 preferably has a projection 22 at the free end 18 that contacts the terminal of the electronic component.
  • the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22.
  • the probe pin 14 Since the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22, any one of the plurality of protrusions 22 contacts the terminal of the electronic component when the probe pin 14 is pressed in the direction of the terminal of the electronic component. Thus, the probe pins 14 can be more reliably connected to the electronic components. Furthermore, since the probe pins 14 have the protruding portions 22, even if the terminals of the electronic component have an oxide film, the oxide film of the terminal of the electronic component can be more reliably removed. As a result, the contact resistance between the terminal and the probe pin 14 can be reduced, so that signals can be more efficiently supplied to the electronic components. As shown in FIG. 1 (c), the probe pin 14 preferably has a plurality of projecting weight portions 20.
  • each protruding weight portion 20 has a length in the longitudinal direction of the probe pin 14 that is less than half the length of the probe pin 14 in the longitudinal direction.
  • the probe pin 14 since the probe pin 14 has a plurality of protruding weight portions 20, even if the load of the probe pin 14 increases, the probe pin 14 is applied to the root portion joined to the gold bump 62 of the probe pin 14. Stress can be distributed.
  • the plurality of protruding weight portions 20 may be formed over the free ends 18 of the probe pins 14.
  • the protruding weight portion 20 is formed so as to protrude from the surface of the probe pin 14 to be bonded to the gold bump 62 in the direction of the opposite surface.
  • the protruding weight portion 20 formed over the free end 18 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component.
  • FIG. 2 is a top view showing another example of the probe pin 14 having a plurality of protruding weight portions 20.
  • the protruding weight portions 20 may be provided symmetrically in the width direction of the probe pin 14.
  • the plurality of protruding weight portions 20 are preferably formed so as to partially overlap in the width direction.
  • a plurality of protruding weight parts 2 provided in three rows in the width direction When it has 0, it is preferable that the protruding weight portions 20 provided in the center row are formed so as to partially overlap the protruding weight portions 20 provided in both end rows in the width direction.
  • the rigidity of the probe pin 14 can be increased by forming the plurality of protruding weight portions 20 so as to partially overlap in the width direction of the probe pin 14.
  • the plurality of protruding weight portions 20 are formed so as to be shifted in the width direction in the row to be contacted.
  • the N protruding weight portions 20 are formed in the first row, N-l, N or N + 1 in the next row, and N in the next row. It is preferable that the same number is formed for each odd-numbered column and each even-numbered column, such as. Further, it is preferable that the protruding weight portions 20 are formed so as to be evenly arranged on the probe pins 14.
  • the protruding weight portion 20 may be provided asymmetrically in the width direction of the probe pin 14.
  • the plurality of protrusion weights 20 overlap each other in the width direction. It may be formed not to be.
  • the plurality of protruding weight portions 20 so as not to overlap each other in the width direction of the probe pin 14, it is possible to disperse stress generated at the root portion of the probe pin 14 held on the holding substrate. Can be.
  • the protruding weight portion 20 formed on the probe pin 14 has a depth and a longitudinal direction in accordance with the required rigidity or in consideration of the stress generated at the base portion held by the holding substrate 12. It is preferable to form them by designing the length, number, arrangement, and overlap in the width direction.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2 (a).
  • the protruding weight portion 20 preferably has a V-shaped cross section in the width direction. Further, as shown in FIG. 3B, the protruding weight portion 20 may have a U-shaped cross section in the width direction.
  • the protruding weight portion 20 may be a protruding portion extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18.
  • the protrusion is The cross section in the width direction of the probe pin has a square shape.
  • the cross section is a square shape, as shown in Fig. 3 (c), and the cross section may be a square surface, or as shown in Fig. 3 (d), a part of a square frame.
  • the protruding weight portion 20 is preferably formed of the same material as the material from which the probe pins 14 are formed.
  • the protruding weight portions 20 are preferably formed in the arrangement shown in FIGS. 1 and 2 by lift-off or etching using sputtering.
  • FIG. 4 is a process chart showing an example of a method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG. 1 (c).
  • the substrate 30 of silicon or the like goes from the holding end 16 to the free end 18 of the probe pin 14 in the area 14a where the probe pin 14 is formed.
  • a groove 32 extending in the longitudinal direction is formed.
  • the groove 32 is preferably formed by etching such as dry etching or wet etching.
  • a plurality of grooves 32 are formed.
  • the groove 32 is preferably formed so as to correspond to the arrangement of the protruding weight portion 20 in the probe pin 14 shown in FIGS.
  • an amorphous alloy is sputtered on the region 14a of the substrate 30 to form an amorphous alloy layer to be the probe pins 14.
  • the amorphous alloy layer may be formed in the shape of the probe pin 14 by a lift-off method in which a resist layer is formed in a region other than the region 14a and then sputtering is performed.
  • the amorphous alloy layer 14 is formed into the shape of the probe pin 14 by sputtering the amorphous alloy over the entire surface of the substrate 30 and then removing the amorphous alloy layer in a region other than the region 14a by etching. It may be formed.
  • the amorphous alloy layer is heated.
  • the amorphous alloy layer is preferably heated to a temperature higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy.
  • the amorphous alloy layer is heated to a supercooled liquid region that is equal to or higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy and equal to or lower than the crystallization start temperature.
  • the amorphous alloy layer is cooled.
  • the amorphous alloy layer is cooled to a temperature below the glass transition temperature.
  • the amorphous alloy layer may be cooled by natural cooling.
  • the probe pins 14 are separated from the substrate 30.
  • the probe pins 14 may be separated from the substrate 30 by etching a portion of the substrate 30 connected to the probe pins 14 which is an amorphous alloy layer.
  • E T suchingu for example preferably carried out by dry etching using the ⁇ Etsu preparative etching or X e F 2 with hydroxide force Riumu solution.
  • At least one protruding portion 22 that contacts the terminal of the electronic component is formed on the free end 18 of the probe pin 14.
  • a plurality of protrusions 22 are formed on the free end 18 of the probe pin 14.
  • the plurality of protrusions 22 may be formed by ultrafine particle jet printing.
  • the plurality of protrusions 22 may be formed by plating.
  • the plurality of protrusions 22 may be formed by thermal spraying.
  • any one of the plurality of protrusions 22 becomes electronic. Since it is in contact with the terminal of the component, the probe pin 14 and the electronic component can be more reliably connected.
  • the probe pins 14 may be bonded to the holding substrate via the gold bumps 62 before the probe pins 14 are separated from the substrate 30.
  • the holding end 16 of the probe pin 14 is aligned with the holding substrate. After that, the holding end 16 is attached to the holding substrate.
  • the holding end 16 is preferably bonded to the holding substrate via the transmission line of the holding substrate. Thereafter, the holding end 16 is bonded to the holding substrate by thermocompression bonding via the gold bump 62. Thermocompression bonding may be performed directly without using the gold bumps 62.
  • the joining of the holding end 16 of the probe pin 14 to the holding substrate is preferably performed by a series of operations using a flip chip bonder, a substrate bonding (including substrate bonding) device, or the like.
  • the thermocompression bonding is preferably performed at a temperature at which the amorphous alloy layer is not heated to the supercooled liquid region.
  • the probe pins 14 may be bonded to the holding substrate via the gold bumps 62 after being separated from the substrate 30.
  • FIG. 5 is a process chart showing another example of the method of manufacturing the probe card 10.
  • the steps described with reference to FIG. 4 (a) are used to move the probe pins 14 from the holding end 16 to the free ends 18 in the region where the probe pins 14 are formed on a substrate such as silicon.
  • a groove 32 is formed extending in the longitudinal direction.
  • heating is performed at a temperature not lower than the supercooled liquid temperature and not higher than the crystallization start temperature, and then cooled. By this heating and cooling step, the internal stress of the probe pin 14 can be removed.
  • a through hole 8 is formed in the substrate 30 in a through hole forming step.
  • the through hole 8 is formed in a region including the region where the free end 18 is formed in the substrate 30.
  • the probe pin 14 is bent in a bending step.
  • the probe pin 14 is bent by various methods such as gravity, centrifugal force, static electricity, and magnetic force.
  • the probe pin 14 may be bent by applying an external force to the free end 18 of the probe pin 14 by the external member 6.
  • the probe pins 14 formed on the surface of the substrate 30 are bent toward the back surface of the substrate 30.
  • the amorphous alloy layer forming the probe pins 14 is heated to a temperature that is equal to or higher than the supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy layers and equal to or lower than the crystallization start temperature.
  • the free end 18 is curved in a direction away from the surface of the substrate 30.
  • the internal stress of the probe pin 14 can be removed, and the probe pin 14 can be easily bent.
  • the bending step may be performed after the probe pins 14 described in FIG. 4 are bonded to the holding substrate. In this case, the bending step bends the free end 18 of the probe pin 14 in a direction away from the holding substrate.
  • the probe pin 14 is separated from the substrate 30.
  • the probe pins 14 detached from the substrate 30 are shown in FIG. According to the probe pin 14 manufactured by the manufacturing method in this example, since the probe pin 14 is curved in the direction of the terminal of the electronic component to be contacted, it can be easily connected to the terminal and the connected state can be maintained.
  • At least one protrusion that contacts the terminal of the electronic component may be formed at the free end 18 of the probe pin 14 in the same manner as the manufacturing method described with reference to FIG. .
  • Fig. 6 is a cross-sectional view of the substrate 30 and the amorphous alloy layer taken along line B-B shown in Fig. 4 (b).
  • the groove 32 preferably has a V-shaped cross section in the ⁇ rich direction.
  • the groove 32 is preferably formed by anisotropic etching.
  • the groove 32 may have a U-shaped cross section in the width direction or a square shape.
  • the groove 32 is preferably formed by isotropic etching.
  • FIG. 7 is a process chart showing another example of a method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG. 1 (c).
  • a groove 32 is formed in a region 14a of the substrate 30 where the probe pins 14 are formed.
  • a hole 34 is formed in a region of the substrate 30 where the free end 18 of the probe pin 14 is formed.
  • a plurality of holes 34 may be formed.
  • the groove 32 and the hole 34 are preferably formed by etching such as dry etching or wet etching.
  • the groove 32 and the hole 34 may be formed by anisotropic etching or may be formed by isotropic etching.
  • an amorphous alloy is sputtered on the region 14 a of the substrate 30 to form an amorphous alloy layer to be the probe pins 14. continue, Heat the amorphous alloy layer. Then, the amorphous alloy layer is cooled. Thereafter, as shown in FIG. 7C, a gold bump 62 is formed on the holding end 16 of the probe pin 14.
  • FIG. 7 (d) the probe pins 14 are detached from the substrate 30.
  • the probe pins 14 of the probe card 10 manufactured by the steps in the present embodiment have contact protruding portions 22 protruding in the free end 18 in the direction of contact with the terminals of the electronic component.
  • the contact protrusion 22 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component.
  • FIG. 8 is a perspective view showing another example of the probe card 10.
  • the probe pins 14 of the probe card 10 in this embodiment have a holding end 24 including a holding end 16 and a predetermined angle with respect to the holding end 24.
  • One end is provided at the other end of the inclined portion 26 so as to extend parallel to the holding end 24, and the other end of the inclined portion 26 is provided so as to be parallel to the holding end 24. It has a free end 28 including a free end 18.
  • the inclined portion 26 functions as an elastic portion.
  • the probe pin 14 has a protruding weight portion 20 extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18 on the inclined portion 26.
  • the probe pin 14 preferably has at its free end 18 at least one protrusion 22 that contacts the terminal of the electronic component.
  • the probe pin 14 may have a contact protrusion 22 protruding in a direction in which it contacts the terminal of the electronic component at the free end 28.
  • the probe pin 14 since the probe pin 14 is bent in a direction in which the probe pin 14 contacts the terminal of the electronic component, the probe pin 14 and the electronic component can be easily connected.
  • FIG. 9 is a process chart showing a method for manufacturing the probe card 10 shown in FIG.
  • a first flat portion 42 forming the holding end 16 of the probe pin 14 and a predetermined angle 0 with respect to the first flat portion 42 are formed.
  • a first substrate 40 having an inclined surface portion 44 having one end extended from the first flat portion 42 is prepared.
  • the angle ⁇ may be, for example, 30 degrees to 60 degrees, preferably 54.7 degrees.
  • the first substrate 40 is connected to the free end of the probe pin 14.
  • the shell is occupied by the second substrate 50 having the second flat portion 52 on which 18 is formed.
  • the first substrate 40 and the second substrate 50 are preferably bonded so that the second plane portion 52 is provided to extend to the other end of the inclined surface portion 44. Further, the second plane portion 52 is preferably parallel to the first plane portion 42.
  • the probe pins 14 are formed using the first substrate 40 and the second substrate 50.
  • the first flat portions 42 and the inclined surface portions 4 are formed by, for example, etching.
  • a single substrate on which the fourth and second plane portions 52 are formed may be used.
  • a groove 32 is formed on the inclined surface portion 44 so as to extend from the first flat portion 42 to the direction of the second flat portion 52.
  • the groove 32 is preferably formed by patterning the inclined surface portion 44 with a resist and performing etching such as dry etching or wet etching.
  • the groove 32 is preferably formed in a V shape by anisotropic etching.
  • the groove 32 may be formed in a U shape by isotropic etching.
  • a plurality of grooves 32 are formed in the inclined surface portion 44.
  • an amorphous alloy layer is formed on the first flat portion 42 and the inclined surface portion 44 of the first substrate 40 and the ⁇ 2 flat portion 52 of the second substrate 50 by a sputtering method.
  • Form 60 the amorphous alloy layer 60 is heated.
  • the amorphous alloy layer 60 preferably heats up to a temperature higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy used as the material.
  • the amorphous alloy layer 60 is heated to a supercooled liquid region that is equal to or higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy and equal to or lower than the crystallization start temperature. Thereafter, the amorphous alloy layer 60 is cooled. It is preferable to cool the amorphous alloy layer 60 to a temperature lower than the glass transition temperature of the amorphous alloy.
  • the amorphous alloy layer 60 may be cooled by natural cooling.
  • the joining of the holding end 24 to the holding substrate 12 is performed by first aligning the holding end 24 with the holding substrate 12. Then, the holding end portion 24 is bonded to the holding substrate 12. Thereafter, the holding end 24 is thermocompression-bonded to the holding substrate 12.
  • the joining of the holding end portion 24 to the holding substrate 12 is preferably performed by a series of operations using a flip chip bonder or the like.
  • the thermocompression bonding is preferably performed at a temperature at which the amorphous alloy layer is not heated to the supercooled liquid region.
  • the amorphous alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50.
  • the amorphous alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50 by etching the connecting portion of the first substrate 40 and the second substrate 50 with the amorphous alloy layer 60. Is also good.
  • the etching is preferably performed by, for example, wet etching using an aqueous solution of potassium hydroxide or dry etching using XeF 2 .
  • a conductive layer 66 may be formed on the amorphous alloy layer 60.
  • the conductive layer 66 is preferably made of gold.
  • a projection 22 is formed on the free end 26 of the probe pin 14.
  • a plurality of protrusions 22 are formed.
  • a hole is formed by etching in a region of the first substrate 40 where the free end 26 of the probe pin 14 is formed on the first plane portion 42. Is also good.
  • the projections 22 may be formed when the amorphous alloy layer 60 is formed in FIG.
  • the probe pins 14 are bent in a direction in which the probe pins 14 are in contact with the terminals of the electronic components, so that the probe pins 14 can be easily connected to the electronic components. can do.
  • the protruding portion 22 formed on the free end 26 of the probe pin 14 comes into contact with the terminal of the electronic component in parallel, so that the contact area can be further increased.
  • FIG. 10 is a process chart showing another example of the method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG.
  • the step of forming the amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 9C may include the following steps.
  • the first substrate 40 has a first flat portion 42 and an inclined surface portion 44 and a second flat portion 52 of the second substrate 50 and an amorphous alloy layer and a second flat portion 52.
  • An adhesion layer 70 for making the first substrate 40 and the second substrate 50 adhere to each other is formed.
  • the adhesion layer 70 preferably contains a titanium-nickel alloy having a composition ratio of about 1: 1.
  • the adhesion layer 70 may have a first adhesion layer containing chromium or titanium and a second adhesion layer containing copper.
  • the first adhesion layer is formed on the first substrate 40 and the second substrate 50
  • the second adhesion layer is formed on the first adhesion layer.
  • the first substrate 40 and the second substrate 50 are easily removed from the probe pins 14 in a later step on the adhesion layer 70.
  • the peel sacrificial layer 72 is formed.
  • the peel sacrificial layer 72 is preferably formed of a material that can withstand chemical treatment such as heating and etching of the amorphous alloy layer in a later step.
  • the peeling sacrificial layer 72 is preferably, for example, a metal thin film.
  • the peeling sacrificial layer 72 contains chromium and is formed to a thickness of about 100 nm.
  • the step of separating the amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 9 (g) from the first substrate 40 and the second substrate 50 is performed by removing the peeling sacrificial layer 62 by etching.
  • the alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50.
  • an amorphous alloy layer 60 is formed on the exfoliated sacrificial layer 72.
  • a metal layer 74 is formed on the amorphous alloy layer 60.
  • an adhesion layer 76 for making the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74 adhere to each other may be formed on the monomonoretine alloy layer 60.
  • the adhesion layer 76 has a composition ratio of 1: 1 when the amorphous alloy is mainly composed of palladium. Preferably, it contains a titanium-nickel alloy.
  • the adhesion layer 76 may have a first adhesion layer containing chromium or titanium and a second adhesion layer containing copper.
  • a barrier layer 78 for preventing the metal contained in the metal layer 74 from diffusing into the amorphous alloy layer 60 may be formed between the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74.
  • the barrier layer 78 may be provided between the adhesion layer 76 and the metal layer 74.
  • the barrier layer 78 is preferably platinum.
  • the barrier layer 78 preferably has a thickness of about 100 nm.
  • an adhesion layer for adhering the barrier layer 78 and the metal layer 74 may be formed between the barrier layer 78 and the metal layer 74.
  • the probe pin 14 may have both the conductive layer 66 shown in FIG. 9 (h) and the metal layer 74 shown in FIG. 10 (d), or have only one of them. You may.
  • the step of forming and the step of forming the metal layer 74 are preferably performed in the same apparatus by a sputtering method.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a probe card 10 manufactured by the process shown in FIG. 9 or FIG.
  • the probe card 10 has a plurality of probe pins 14.
  • the probe pins 14 are bent in a direction opposite to the holding substrate 12. Further, the plurality of probe pins 14 are provided side by side on the holding substrate 12. In the present embodiment, the length of the probe pin 14 is preferably about several hundred ⁇ m. Further, the plurality of probe pins 14 are preferably formed at a pitch of about 100 ⁇ m or less. In the probe card 10 according to the present embodiment, since the probe pins 14 have the plurality of protruding weight portions 20, the weight can be increased and the rigidity can be increased. Therefore, the contact resistance when contacting the terminal of the electronic component can be reduced.
  • the probe pins 14 are bent in a direction in which the probe pins 14 are in contact with the terminals of the electronic component, so that the probe pins 14 and the electronic component can be easily connected.
  • the probe pins and the probe card have been described as examples.
  • the members described as the probe pins in the above embodiments may be used as contacts for connecting electronic components such as semiconductor elements.
  • the weight of the probe pin can be increased without changing the size of the probe pin, and the rigidity of the probe pin can be increased.

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Abstract

A probe card (10), comprising a probe pin (14) having a holding base plate (12), a holding end (16) held by the holding base plate (12), a free end (18) on the opposite side of the holding end (16), and a projected weighted part (20) extending longitudinally from the holding end (16) to the free end (18).

Description

明 細 書 プローブカード、 接触子、 接触子製造方法及びプローブカード製造方法 技術分野  Description Probe card, contact, method for manufacturing contact, and method for manufacturing probe card
本発明は、接触子、 プローブカード、接触子製造方法及びプローブカード製造 方法に関する。 特に本発明は、 プローブピンの大きさを変えることなく、 プロ一 ブピンの加重を増加させ、 剛性を高めた接触子、 プローブカード、接触子製造方 法及びプローブカード製造方法に関する。 また本出願は、下記の日本特許出願に 関連する。文献の参照による組み込みが認められる指定国については、下記の出 願に記載された内容を参照により本出願に組み込み、本出願の記載の一部とする。  The present invention relates to a contact, a probe card, a contact manufacturing method, and a probe card manufacturing method. In particular, the present invention relates to a contact, a probe card, a method for manufacturing a contact, and a method for manufacturing a probe, in which the weight of the probe pin is increased without changing the size of the probe pin to increase the rigidity. This application is related to the following Japanese patent application. For those designated countries that are allowed to be incorporated by reference to the literature, the contents described in the following application are incorporated into this application by reference and are incorporated as a part of the description of this application.
特願 2 0 0 1— 1 5 9 6 1 6 出願日 2 0 0 1年 5月 2 8日 背景技術  Japanese Patent Application No. 2 0 0 1— 1 5 9 6 1 6 Filing date 2 0
プローブピン等の接触子の剛性は、プローブピンを形成する材料のヤング率及 びプローブピンの形状により決定される。プローブピンの剛性を高めることによ り、プローブ ンと電子部品の端子との接触抵抗を低減することができる。 プロ ーブピンの剛性を高める方法として、プローブピンの長さ、幅及ぴ厚さ等の寸法 を変更することが考えられる。  The rigidity of a contact such as a probe pin is determined by the Young's modulus of the material forming the probe pin and the shape of the probe pin. By increasing the rigidity of the probe pin, the contact resistance between the probe and the terminal of the electronic component can be reduced. As a method of increasing the rigidity of the probe pin, it is conceivable to change dimensions such as length, width and thickness of the probe pin.
し力 し、 基板表面に金属又はアモルファス合金層等をスパッタ、蒸着、 メツキ 等により薄層を形成してプローブピンを製造する方法では、プローブピンの剛性 を高めるほどにプローブピンの厚さを厚くするのは困難である。 また、プローブ カードで特性を試験すべき電子部品の形状及び大きさに対応させるため、プロ一 プピンの寸法を変更するのは好ましくない。  In a method of manufacturing a probe pin by forming a thin layer on the substrate surface by sputtering, vapor deposition, plating, etc., the thickness of the probe pin is increased as the rigidity of the probe pin is increased. It is difficult to do. In addition, it is not preferable to change the dimensions of the probe pins in order to correspond to the shape and size of the electronic component whose characteristics are to be tested with the probe card.
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる接触子、 プローブカード 、接触子製造方法及びプローブカード製造方法を提供することを目的とする。 こ の目的は請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成され る。 また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。 発明の開示 Therefore, an object of the present invention is to provide a contact, a probe card, a contact manufacturing method, and a probe card manufacturing method that can solve the above-described problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. You. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention. Disclosure of the invention
上記課題を解決するために、本発明の第 1の形態によれば、電子部品の端子に 接触し、電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードであって、保持 基板と、保持基板に保持される保持端と、保持端の反対側の自由端と、保持端か ら自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピンと、保 持基板に設けられ、プローブピンと電気的に接続された伝送線路とを備えること を特徴'とするプローブカードを提供する。  According to a first embodiment of the present invention, there is provided a probe card used to test the characteristics of an electronic component by contacting a terminal of the electronic component. A probe pin having a holding end to be held, a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in a longitudinal direction from the holding end to the free end; And a transmission line which is connected to the probe card.
突出加重部は、 プローブピンの一面からへこみ、 一面の反対側の面側に突き出す ように形成されてよレ、。突出加重部は、幅方向の断面が V形状であってよい。また、 突出加重部は、 幅方向の断面が U形状であってもよい。 また、 突出加重部は、 プロ ーブピンの一面から、 一面と略垂直方向に突出するように形成され、 幅方向の断面 が四角形状であってもよい。  The protruding weight portion is formed so as to be depressed from one surface of the probe pin and protrude to the surface opposite to the one surface. The protruding weight portion may have a V-shaped cross section in the width direction. The protruding weight portion may have a U-shaped cross section in the width direction. Further, the protruding weight portion may be formed so as to protrude from one surface of the probe pin in a direction substantially perpendicular to the one surface, and may have a rectangular cross section in the width direction.
突出加重部は、 自由端にわたって形成されてよい。 突出加重部は、 自由端から所 定の距離を隔てた位置に形成されてもよい。 プローブピンは、 自由端に、 電子部品 の端子と接触する少なくとも 1つの突起部を有してよい。 プローブピンは、 自由端 に、 プローブピンの一面からへこみ、 一面の反対側の面側に突き出すように形成さ れ、 電子部品の端子と接触する接触突出部を有してもよい。  The protruding weight may be formed over the free end. The protruding weight may be formed at a position separated from the free end by a predetermined distance. The probe pin may have at its free end at least one protrusion that contacts the terminal of the electronic component. The probe pin may have a contact protruding portion formed at a free end thereof so as to be depressed from one surface of the probe pin and protrude to a surface opposite to the one surface, and to contact a terminal of the electronic component.
プローブピンは、 複数の突出加重部を有するのが好ましい。 複数の突出加重部の うち少なくとも 1つの突出加重部は、 他の突出加重部のうち少なくとも 1つの突出 加重部と、 プローブピンの幅方向において一部が重なるように形成されてよい。 複 数の突出加重部は、 幅方向に少なくとも 3列に設けられ、 中心の列に設けられた突 出加重部は、 幅方向において、 両端の列に設けられた突出加重部と一部が重なるよ うに形成されてよい。 複数の突出加重部は、 プローブピンにおいて均等に配置され るのが好ましい。  Preferably, the probe pin has a plurality of protruding weight portions. At least one of the plurality of protruding weights may be formed so as to partially overlap at least one of the other protruding weights in the width direction of the probe pin. The plurality of protruding weights are provided in at least three rows in the width direction, and the protruding weights provided in the center row partially overlap the protruding weights provided in the rows at both ends in the width direction. It may be formed as follows. It is preferable that the plurality of protruding weight portions are evenly arranged on the probe pin.
プローブピンは、 過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料とするのが 好ましい。 The probe pin is made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range. preferable.
プローブピンは、 保持端を含む保持端部と、 保持端部に対して所定の角度を有す るように、 一端が保持端部に延長して設けられた傾斜部と、 傾斜部の他端から延長 して設けられ、 自由端を含む自由端部とを有してよく、 傾斜部は、 突出加重部を有 してもよい。 自由端部は保持端部と平行又は保持端部から離れる方向に延在してよ い。 また、 プローブピンは、 保持端を含む保持端部と、 一端が保持端部から延長し て設けられ、 保持基板から離れる方向に湾曲して設けられた湾曲部と、 湾曲部の他 端に延長して設けられ、 自由端を含む自由端部とを有し、 湾曲部は、 突出加重部を 有してよい。  The probe pin includes a holding end including a holding end, an inclined portion having one end extended from the holding end so as to have a predetermined angle with respect to the holding end, and the other end of the inclined portion. And a free end portion including a free end portion, and the inclined portion may have a protruding weight portion. The free end may extend parallel to or away from the holding end. In addition, the probe pin has a holding end including a holding end, a curved portion provided with one end extending from the holding end, and curved in a direction away from the holding substrate, and extended to the other end of the curved portion. The curved portion may include a protruding weight portion.
本発明の第 2の形態によると、 電子部品の端子に接触して電子部品を他の電子部 品と電気的に接続させるために用いる接触子であって、 保持基板に保持される保持 端と、 保持端の反対側の自由端と、 保持端から自由端に向かう長手方向に延在する 突出加重部とを有することを特徴とする接触子を提供する。  According to a second aspect of the present invention, there is provided a contact which is used for contacting a terminal of an electronic component to electrically connect the electronic component to another electronic component, comprising: a holding end held by a holding substrate; A contact having a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in the longitudinal direction from the holding end to the free end.
突出加重部は、 幅方向の断面が V形状であってよい。 また、 突出加重部は、 幅方 向の断面が U形状であってもよい。 また、 突出加重部は、 幅方向の断面が四角形状 であってもよい。 接触子は、 過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料と するのが好ましい。  The protruding weight portion may have a V-shaped cross section in the width direction. Further, the protruding weight portion may have a U-shaped cross section in the width direction. Further, the protruding weight portion may have a rectangular cross section in the width direction. The contact is preferably made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range.
本発明の第 3の形態によると、 保持基板に保持される保持端と、 電子部品の端子 に接触する自由端とを有し、 電子部品を他の電子部品と電気的に接続するために用 いる接触子を製造する接触子製造方法であって、基板の接触子が形成される領域に、 接触子の保持端から自由端に向かう長手方向に延在する溝を形成するステップと、 基板に過冷却液体温度域を有するァモルファス合金層を形成するステツプと、 ァモ ルファス合金層を加熱するステップと、 アモルファス合金層を冷却するステップと を備えることを特 ί敷とする接触子製造方法を提供する。  According to the third aspect of the present invention, the electronic device has a holding end held by the holding substrate and a free end that contacts a terminal of the electronic component, and is used for electrically connecting the electronic component to another electronic component. Forming a groove extending in a longitudinal direction from a holding end of the contact to a free end in a region of the substrate where the contact is formed; and Provided is a contact manufacturing method characterized by comprising: a step of forming an amorphous alloy layer having a supercooled liquid temperature range; a step of heating the amorphous alloy layer; and a step of cooling the amorphous alloy layer. I do.
加熱するステップは、 アモルファス合金層をアモルファス合金層の過冷却液体温 度域まで加熱してよい。  The step of heating may heat the amorphous alloy layer to a supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy layer.
基板に溝を形成するステップは、 等方性エッチングにより、 断面が U形状の溝を 形成してよい。 基板に溝を形成するステップは、 異方性エッチングにより、 断面が V形状の溝を形成してもよい。 また、 基板に溝を形成するステップは、 断面が四角 形状の溝を形成してもよい。 The step of forming a groove in the substrate is to form a U-shaped groove by isotropic etching. May be formed. In the step of forming a groove in the substrate, a groove having a V-shaped cross section may be formed by anisotropic etching. In the step of forming a groove in the substrate, a groove having a square cross section may be formed.
接触子製造方法は、 基板のプローブピンの自由端が形成される領域に、 穴を形成 するステップをさらに備えてもよい。 穴を形成するステップは、 異方性エッチング 又は等方性ェツチングにより穴を形成してよい。 穴を形成するステップは、 複数の 穴を形成してよい。  The contact manufacturing method may further include forming a hole in a region of the substrate where the free end of the probe pin is formed. The step of forming a hole may form the hole by anisotropic etching or isotropic etching. The step of forming a hole may form a plurality of holes.
接触子製造方法は、 接触子の自由端に、 電子部品の端子と接触する複数の突起部 を形成するステップをさらに備えてもよい。 複数の突起部を形成するステツプは、 超微粒子ジエツトプリンティングにより複数の突起部を形成してよい。 複数の突起 部を形成するステップは、 メツキにより複数の突起部を形成してもよい。 複数の突 起部を形成するステツプは、 溶射により複数の突起部を形成してもよい。  The method for manufacturing a contact may further include a step of forming a plurality of protrusions at a free end of the contact that are in contact with terminals of the electronic component. The step of forming a plurality of protrusions may form the plurality of protrusions by ultrafine particle jet printing. In the step of forming the plurality of protrusions, the plurality of protrusions may be formed by plating. The step of forming a plurality of protrusions may form the plurality of protrusions by thermal spraying.
接触子製造方法は、 基板に、.接触子の保持端を形成する第 1平面部を形成するス テツプと、 基板に、 第 1平面部に対して所定の角度を有するように、 一端が第 1平 面部に延長して設けられた傾斜面部を形成するステップと、 基板に、 傾斜面部の他 端から延長して設けられ、 プローブピンの自由端が形成される第 2平面部を形成す るステップとをさらに備えてもよく、 溝を形成するステップは、 傾斜面部に溝を形 成し、 アモルファス合金層を形成するステップは、 第 1平面部、 傾斜面部及び第 2 平面部にアモルファス合金層を形成してよい。  The method for manufacturing a contact comprises: a step for forming a first flat portion forming a holding end of the contact on the substrate; and an end having a predetermined angle with the substrate so as to have a predetermined angle with respect to the first flat portion. (1) forming an inclined surface portion extending from the flat surface portion; and forming a second planar portion provided on the substrate to extend from the other end of the inclined surface portion and to form a free end of the probe pin. Forming a groove on the inclined surface portion, and forming an amorphous alloy layer on the first plane portion, the inclined surface portion, and the second plane portion. May be formed.
本発明の第 4の形態によると、 電子部品の端子に接触し、 電子部品の特性を試験 するために用いるプローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、 導 電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステツプと、 保持基板に保 持される保持端と、 保持端の反対側の自由端と、 保持端から自由端に向かう長手方 向に延在する突出加重部とを有するプローブピンを形成するステップと、 プローブ ピンの保持端を保持基板に接合するステップとを備えることを特徴とするプローブ カード製造方法を提供する。  According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a probe card manufacturing method for manufacturing a probe card used to test a characteristic of an electronic component by contacting a terminal of the electronic component, wherein the transmission line including a conductive material is provided. A step of preparing the formed holding substrate, a holding end held by the holding substrate, a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in a longitudinal direction from the holding end to the free end. A method of manufacturing a probe card, comprising: forming a probe pin having the same; and joining a holding end of the probe pin to a holding substrate.
プローブピンを形成するステツプは、 基板のプローブピンが形成される領域に、 プローブピンの保持端から自由端に向かう長手方向に延在する溝を形成するステツ プと、 基板にスパッタ法によりアモルファス合金層を形成するステップと、 ァモル ファス合金層を加熱するステップと、 ァモルファス合金層を冷却するステップとを 有してよい。 The steps for forming the probe pins are as follows: Forming a groove extending in the longitudinal direction from the holding end of the probe pin to the free end, forming an amorphous alloy layer on the substrate by sputtering, heating the amorphous alloy layer, and forming an amorphous alloy layer. Cooling the layer.
保持端を保持基板に接合するステップは、 保持端を保持基板に貼り合わせるステ ップと、 保持端を保持基板に熱圧着するステップとを有してよい。  The step of joining the holding end to the holding substrate may include the step of attaching the holding end to the holding substrate and the step of thermocompression bonding the holding end to the holding substrate.
プローブカード製造方法は、アモルファス合金層を基板から離脱するステップ をさらに備えてもよい。  The probe card manufacturing method may further include a step of separating the amorphous alloy layer from the substrate.
尚、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、 これらの特徴群のサブコンビネーションも又、 発明となりうる。 図面の簡単な説明  The above summary of the present invention does not list all of the necessary features of the present invention, and a sub-combination of these features may also be an invention. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1は、 本発明の一実施形態に係るプローブカードを示す斜視図である。  FIG. 1 is a perspective view showing a probe card according to one embodiment of the present invention.
図 2は、 複数の突出加重部を有するプローブピンの上面図である。  FIG. 2 is a top view of a probe pin having a plurality of protruding weight portions.
図 3は、 図 1に示すプローブカードの A— A' 断面図である。 ,  FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the probe card shown in FIG. ,
図 4は、 図 1に示したプローブカード製造方法の一例を示す工程図である。 図 6は、 図 4に示す基板とアモルファス合金層の B— B ' 断面図である。  FIG. 4 is a process chart showing an example of the method of manufacturing the probe card shown in FIG. FIG. 6 is a BB ′ cross-sectional view of the substrate and the amorphous alloy layer shown in FIG.
図 7は、 図 1に示したプローブカード製造方法の他の例を示す工程図である。 図 8は、 プローブカードの他の例を示す斜視図である。  FIG. 7 is a process chart showing another example of the method for manufacturing the probe card shown in FIG. FIG. 8 is a perspective view showing another example of the probe card.
図 9は、 図 8に示したプローブカード製造方法を示す工程図である。  FIG. 9 is a process chart showing a method of manufacturing the probe card shown in FIG.
図 1 0は、 図 9に示したプローブカードの製造の他の例を示す工程図である。 図 1 1は、 図 9又は図 1 0に示した工程により製造したプローブカードの他の 例を示す斜視図である。 発明を実施するための最良の形態  FIG. 10 is a process chart showing another example of manufacturing the probe card shown in FIG. FIG. 11 is a perspective view showing another example of the probe card manufactured by the process shown in FIG. 9 or FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下、 発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、 以下の実施形態は請求の 範囲にかかる発明を限定するものではなく、 又実施形態の中で説明されている特徴 の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the present invention. Not all combinations are essential to the solution of the invention.
図 1は、 本発明の一実施形態に係るプローブカード 1 0を示す斜視図である。 図 1 ( a ) に示すように、 プローブカード 1 0は、 保持基板 (図示しない) と、 プローブピン 1 4と、 保持基板に設けられ、 プローブピン 1 4と電気的に接続され る伝送線路 (図示しない) とを有する。 プローブピン 1 4は、 金バンプ 6 2を介し て保持基板に接合される。 プローブピン 1 4は、 保持基板に保持される保持端 1 6 と、 保持端 1 6の反対側の自由端 1 8と、 保持端 1 6から自由端 1 8に向かう長手 方向に延在する突出加重部 2 0とを有する。 突出加重部 2 0は、 自由端 1 8にわた つて形成されるのが好ましい。 突出加重部 2 0は、 例えば図 1に示すように V字の 溝形状であってよい。 例えば、 プローブピン 1 4の厚さが約 5 μ πιのとき、 突出加 重部 2 0の溝の深さは 2〜2 0 / mであるのが好ましく、 より好ましくは、 5〜1 5 μ mでめる。  FIG. 1 is a perspective view showing a probe card 10 according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, the probe card 10 includes a holding board (not shown), probe pins 14, and a transmission line (provided on the holding board and electrically connected to the probe pins 14). (Not shown). The probe pins 14 are joined to the holding substrate via the gold bumps 62. The probe pin 14 has a holding end 16 held by the holding substrate, a free end 18 opposite to the holding end 16, and a protrusion extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18. Weighting part 20. The protruding weight portion 20 is preferably formed over the free end 18. The protruding weight portion 20 may have, for example, a V-shaped groove shape as shown in FIG. For example, when the thickness of the probe pin 14 is about 5 μπι, the depth of the groove of the protruding weight portion 20 is preferably 2 to 20 / m, more preferably 5 to 15 μm. m.
プローブピン 1 4は、 アモルファス合金を材料として形成されるのが好ましい。 アモルファス合金は、 例えば金属ガラス等の、 所定の温度領域で非晶質相から過冷 却液体域である流動層へ可逆的に相転移する非晶質合金であればどのような金属を 含んでもよい。 ァモ ファス合金は、 例えば、 金、 パラジウム、 又はプラチナ等の 貴金属を主成分として含むのが好ましい。 アモルファス合金がパラジウム又はプラ チナ等の金属を主成分として含む場合、 アモルファス合金はさらに、 銅及び/又は シリコンを含んでもよレ、。 他の例において、 プローブピン 1 4は、 例えばアルミや タングステン等の金属又は合金を材料として形成されてもよい。  The probe pin 14 is preferably formed using an amorphous alloy as a material. Amorphous alloys include any metals such as metallic glass, for example, as long as they are amorphous alloys that undergo a reversible phase transition from an amorphous phase to a fluidized bed that is a supercooled liquid region in a predetermined temperature range. Good. The amorphous alloy preferably contains, for example, a noble metal such as gold, palladium, or platinum as a main component. When the amorphous alloy contains a metal such as palladium or platinum as a main component, the amorphous alloy may further contain copper and / or silicon. In another example, the probe pin 14 may be formed of a metal or alloy such as aluminum or tungsten.
本実施例において、 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4の金バンプ 6 2に接合 される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成される。 そのため、 自由端 1 8にわたつて形成された突出加重部 2 0が、 電子部品の端子に接触する接点とし て機能し得る。  In this embodiment, the protruding weight portion 20 is formed so as to protrude from the surface of the probe pin 14 bonded to the gold bump 62 in the direction of the opposite surface. Therefore, the protruding weight portion 20 formed over the free end 18 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component.
他の例において、 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4の金バンプ 6 2に接合さ れる面側から反対側の面の方向にへこむように形成されてもよい。  In another example, the protruding weight portion 20 may be formed so as to be depressed in the direction from the surface of the probe pin 14 to be bonded to the gold bump 62 to the surface on the opposite side.
図 1 ( b ) に示すように、 突出加重部 2 0は、 自由端 1 8から所定の距離を隔 てた位置に形成されてもよい。 この場合、 プローブピン 1 4は、 電子部品の端子 に接触する突起部 2 2を自由端 1 8に有するのが好ましい。 本実施例において、 プローブピン 1 4は、 複数の突起部 2 2を有する。 As shown in FIG. 1 (b), the protruding weight portion 20 is separated from the free end 18 by a predetermined distance. It may be formed at the position where it is located. In this case, the probe pin 14 preferably has a projection 22 at the free end 18 that contacts the terminal of the electronic component. In this embodiment, the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22.
プローブピン 1 4は複数の突起部 2 2を有するので、プローブピン 1 4を電子 部品の端子の方向に押圧するときに、複数の突起部 2 2のいずれかが電子部品の 端子と接触するので、プローブピン 1 4と電子部品とをより確実に接続すること ができる。 さらに、 プローブピン 1 4が突起部 2 2を有するので、 電子部品の端 子が酸化膜を有する場合であっても、より確実に電子部品の端子の酸化膜を除去 することができる。ひいては、端子とプローブピン 1 4との接触抵抗を低減させ ることができるため、 より効率よく電子部品に信号を供給することができる。 図 1 ( c ) に示すように、 プローブピン 1 4は、 複数の突出加重部 2 0を有する のが好ましい。 この場合、 各突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4の長手方向にお いて、プローブピン 1 4の長手方向の長さの半分以下の長さを有するのが好ましい。 本実施例において、 プローブピン 1 4が複数の突出加重部 2 0を有するので、 プロ ーブピン 1 4の荷重が増加しても、 プローブピン 1 4の金バンプ 6 2に接合された 根元部分にかかるストレスを分散することができる。  Since the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22, any one of the plurality of protrusions 22 contacts the terminal of the electronic component when the probe pin 14 is pressed in the direction of the terminal of the electronic component. Thus, the probe pins 14 can be more reliably connected to the electronic components. Furthermore, since the probe pins 14 have the protruding portions 22, even if the terminals of the electronic component have an oxide film, the oxide film of the terminal of the electronic component can be more reliably removed. As a result, the contact resistance between the terminal and the probe pin 14 can be reduced, so that signals can be more efficiently supplied to the electronic components. As shown in FIG. 1 (c), the probe pin 14 preferably has a plurality of projecting weight portions 20. In this case, it is preferable that each protruding weight portion 20 has a length in the longitudinal direction of the probe pin 14 that is less than half the length of the probe pin 14 in the longitudinal direction. In the present embodiment, since the probe pin 14 has a plurality of protruding weight portions 20, even if the load of the probe pin 14 increases, the probe pin 14 is applied to the root portion joined to the gold bump 62 of the probe pin 14. Stress can be distributed.
また、 他の例において、 複数の突出加重部 2 0はプローブピン 1 4の自由端 1 8 にわたつて形成されてもよい。 この場合、 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4の 金バンプ 6 2に接合される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成される のが好ましい。 突出加重部 2 0をこのように形成すると、 自由端 1 8にわたつて形 成された突出加重部 2 0が、 電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。 図 2は、 複数の突出加重部 2 0を有するプローブピン 1 4の他の例を示す上面図 である。  Further, in another example, the plurality of protruding weight portions 20 may be formed over the free ends 18 of the probe pins 14. In this case, it is preferable that the protruding weight portion 20 is formed so as to protrude from the surface of the probe pin 14 to be bonded to the gold bump 62 in the direction of the opposite surface. When the protruding weight portion 20 is formed in this manner, the protruding weight portion 20 formed over the free end 18 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component. FIG. 2 is a top view showing another example of the probe pin 14 having a plurality of protruding weight portions 20. FIG.
図 2 ( a ) 及び図 2 ( b ) に示すように、 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4 の幅方向において、 左右対称に設けられてもよい。 図 2 ( a ) において、 破線で示 したように、 複数の突出加重部 2 0は、 幅方向に一部が重なるように形成されるの が好ましい。 プローブピン 1 4が、 幅方向に 3列に設けられた複数の突出加重部 2 0を有するとき、 中心の列に設けられた突出加重部 2 0は、 幅方向において、 両端 の列に設けられた突出加重部 2 0と一部が重なるように形成されるのが好ましい。 複数の突出加重部 2 0を、 プローブピン 1 4の幅方向において、 一部が重なるよう に形成することにより、 プローブピン 1 4の剛性を増加することができる。 As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the protruding weight portions 20 may be provided symmetrically in the width direction of the probe pin 14. In FIG. 2 (a), as shown by the broken lines, the plurality of protruding weight portions 20 are preferably formed so as to partially overlap in the width direction. A plurality of protruding weight parts 2 provided in three rows in the width direction When it has 0, it is preferable that the protruding weight portions 20 provided in the center row are formed so as to partially overlap the protruding weight portions 20 provided in both end rows in the width direction. The rigidity of the probe pin 14 can be increased by forming the plurality of protruding weight portions 20 so as to partially overlap in the width direction of the probe pin 14.
さらに、 複数の突出加重部 2 0は、 降接する列において、 幅方向にずれて形成さ れるのが好ましい。 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4の幅方向において、 1列 目に N個形成されるとき、 隣の列には N—l、 N又は N + 1個、 さらに隣の列には N個…のように、奇数列毎及び偶数列毎に同じ個数形成されるのが好ましい。また、 突出加重部 2 0は、 プローブピン 1 4に均等に配置されるように形成されるのが好 ましい。  Further, it is preferable that the plurality of protruding weight portions 20 are formed so as to be shifted in the width direction in the row to be contacted. In the width direction of the probe pin 14, when the N protruding weight portions 20 are formed in the first row, N-l, N or N + 1 in the next row, and N in the next row. It is preferable that the same number is formed for each odd-numbered column and each even-numbered column, such as. Further, it is preferable that the protruding weight portions 20 are formed so as to be evenly arranged on the probe pins 14.
また、 図 2 ( c ) 及ぴ図 2 ( d ) に示すように、 突出加重部 2 0は、 プローブピ ン 1 4の幅方向において、 左右非対称に設けられてもよい。  Further, as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the protruding weight portion 20 may be provided asymmetrically in the width direction of the probe pin 14.
図 2 ( e ) に示すように、 プローブピン 1 4が、 幅方向に 3列に設けられた複数 の突出加重部 2 0を有するとき、 複数の突出加重部 2 0は、 幅方向に互いに重なら ないように形成されてもよい。 複数の突出加重部 2 0を、 プローブピン 1 4の幅方 向において、 互いに重ならないように形成することにより、 プローブピン 1 4の保 持基板に保持された根元部分に生じるストレスを分散することができる。  As shown in FIG. 2 (e), when the probe pin 14 has a plurality of protrusion weights 20 provided in three rows in the width direction, the plurality of protrusion weights 20 overlap each other in the width direction. It may be formed not to be. By forming the plurality of protruding weight portions 20 so as not to overlap each other in the width direction of the probe pin 14, it is possible to disperse stress generated at the root portion of the probe pin 14 held on the holding substrate. Can be.
プローブピン 1 4に形成される突出加重部 2 0は、 必要とされる剛性に応じて、 又は保持基板 1 2に保持された根元部分に生じるス トレスを考慮して、 深さ、 長手 方向の長さ、 本数、 配置、 幅方向における重なりを設計して形成されるのが好まし い。  The protruding weight portion 20 formed on the probe pin 14 has a depth and a longitudinal direction in accordance with the required rigidity or in consideration of the stress generated at the base portion held by the holding substrate 12. It is preferable to form them by designing the length, number, arrangement, and overlap in the width direction.
図 3は、 図 2 ( a ) の A— A ' 断面図である。  FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2 (a).
図 3 ( a ) に示すように、 突出加重部 2 0は、 幅方向の断面が V形状であるのが 好ましい。 また、 図 3 ( b ) に示すように、 突出加重部 2 0は、 幅方向の断面が U 形状であってもよい。  As shown in FIG. 3A, the protruding weight portion 20 preferably has a V-shaped cross section in the width direction. Further, as shown in FIG. 3B, the protruding weight portion 20 may have a U-shaped cross section in the width direction.
また、 図 3 ( c ) に示すように、 他の例において、 突出加重部 2 0は、 保持端 1 6から自由端 1 8に向かう長手方向に延在する突出部であってもよい。突出部は、 プローブピンの幅方向における断面が四角形状である。 ここで、 断面が四角形状と は、 図 3 ( c ) に示すように、 断面が四角形の面であってよく、 また図 3 ( d ) に 示すように、 断面が四角形の枠の一部であってもよい。 この場合、 突出加重部 2 0 は、 プローブピン 1 4が形成される材料と同じ材料で形成されるのが好ましい。 突 出加重部 2 0は、 スパッタリングを用いてリフトオフ又はエッチングにより図 1及 ぴ図 2に示した配置に形成されるのが好ましい。 Further, as shown in FIG. 3C, in another example, the protruding weight portion 20 may be a protruding portion extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18. The protrusion is The cross section in the width direction of the probe pin has a square shape. Here, the cross section is a square shape, as shown in Fig. 3 (c), and the cross section may be a square surface, or as shown in Fig. 3 (d), a part of a square frame. There may be. In this case, the protruding weight portion 20 is preferably formed of the same material as the material from which the probe pins 14 are formed. The protruding weight portions 20 are preferably formed in the arrangement shown in FIGS. 1 and 2 by lift-off or etching using sputtering.
図 4は、 図 1 ( c ) に示したプローブカード 1 0の製造方法の一例を示す工程図 である。  FIG. 4 is a process chart showing an example of a method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG. 1 (c).
まず、 図 4 ( a ) に示すように、 シリコン等の基板 3 0のプローブピン 1 4が形 成される領域 1 4 aに、 プローブピン 1 4の保持端 1 6から自由端 1 8に向かう長 手方向に延在する溝 3 2を形成する。 溝 3 2は、 ドライエッチング又はウエットェ ツチング等のエッチングにより形成されるのが好ましレ、。 溝 3 2は、 複数形成され るのが好ましい。 溝 3 2は、 図 1及ぴ図 2に示したプローブピン 1 4における突出 加重部 2 0の配置に対応するように形成されるのが好ましい。  First, as shown in FIG. 4 (a), the substrate 30 of silicon or the like goes from the holding end 16 to the free end 18 of the probe pin 14 in the area 14a where the probe pin 14 is formed. A groove 32 extending in the longitudinal direction is formed. The groove 32 is preferably formed by etching such as dry etching or wet etching. Preferably, a plurality of grooves 32 are formed. The groove 32 is preferably formed so as to correspond to the arrangement of the protruding weight portion 20 in the probe pin 14 shown in FIGS.
次に、 図 4 ( b ) に示すように、 ¾板 3 0の領域 1 4 aにアモルファス合金をス パッタリングしてプローブピン 1 4となるアモルファス合金層を形成する。 ァモル ファス合金層は、 領域 1 4 a以外の領域にレジスト層を形成した後にスパッタリン グするリフトオフ法によりプローブピン 1 4の形状に形成してもよレ、。 また、 ァモ ルファス合金層 1 4は、 アモルファス合金を基板 3 0の全面にスパッタリングした 後に、 領域 1 4 a以外の領域のアモルファス合金層をエッチングにより除去するこ とによりプローブピン 1 4の形状に形成してもよい。  Next, as shown in FIG. 4 (b), an amorphous alloy is sputtered on the region 14a of the substrate 30 to form an amorphous alloy layer to be the probe pins 14. The amorphous alloy layer may be formed in the shape of the probe pin 14 by a lift-off method in which a resist layer is formed in a region other than the region 14a and then sputtering is performed. The amorphous alloy layer 14 is formed into the shape of the probe pin 14 by sputtering the amorphous alloy over the entire surface of the substrate 30 and then removing the amorphous alloy layer in a region other than the region 14a by etching. It may be formed.
続いて、 アモルファス合金層を加熱する。 アモルファス合金層は、 アモルファス 合金のガラス転移温度より高い温度まで加熱するのが好ましい。 本実施形態におい て、 アモルファス合金層は、 アモルファス合金のガラス転移温度以上、 結晶化開始 温度以下である過冷却液体域まで加熱する。 その後、 アモルファス合金層を冷却す る。 アモルファス合金層をガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。 アモルファス合金層は、 自然冷却により冷却されてよい。 その後、 図 4 ( c ) に示すように、 プローブピン 1 4の保持端 1 6に金バンプ 6 2を形成する。 次に、 図 4 ( d ) に示すように、 プローブピン 1 4を基板 3 0から 離脱する。 プローブピン 1 4は、 基板 3 0のアモルファス合金層であるプローブピ ン 1 4との接続部分をエッチングすることにより基板 3 0から離脱してもよい。 ェ ツチングは、例えば水酸化力リゥム水溶液を用いたゥエツトエッチング又は X e F 2 を用いたドライエッチング等により行うのが好ましい。 Subsequently, the amorphous alloy layer is heated. The amorphous alloy layer is preferably heated to a temperature higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy. In the present embodiment, the amorphous alloy layer is heated to a supercooled liquid region that is equal to or higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy and equal to or lower than the crystallization start temperature. After that, the amorphous alloy layer is cooled. Preferably, the amorphous alloy layer is cooled to a temperature below the glass transition temperature. The amorphous alloy layer may be cooled by natural cooling. Thereafter, as shown in FIG. 4C, a gold bump 62 is formed on the holding end 16 of the probe pin 14. Next, as shown in FIG. 4 (d), the probe pins 14 are separated from the substrate 30. The probe pins 14 may be separated from the substrate 30 by etching a portion of the substrate 30 connected to the probe pins 14 which is an amorphous alloy layer. E Tsuchingu, for example preferably carried out by dry etching using the © Etsu preparative etching or X e F 2 with hydroxide force Riumu solution.
そして、 図 4 ( e ) に示すように、 プローブピン 1 4の自由端 1 8に、 電子部 品の端子と接触する少なくとも 1つの突起部 2 2を形成する。 本例においては、 プローブピン 1 4の自由端 1 8に複数の突起部 2 2を形成する。複数の突起部 2 2は、超微粒子ジエツトプリンティングにより形成してよい。複数の突起部 2 2 は、 メツキにより形成してもよい。 さらに、 複数の突起部 2 2は、 溶射により形 成してもよい。本実施形態において、プローブピン 1 4は複数の突起部 2 2を有 'するので、プローブピン 1 4を電子部品の端子の方向に押圧するときに、複数の 突起部 2 2のいずれかが電子部品の端子と接蝕するので、プローブピン 1 4と電 子部品とをより確実に接続することができる。  Then, as shown in FIG. 4 (e), at least one protruding portion 22 that contacts the terminal of the electronic component is formed on the free end 18 of the probe pin 14. In this example, a plurality of protrusions 22 are formed on the free end 18 of the probe pin 14. The plurality of protrusions 22 may be formed by ultrafine particle jet printing. The plurality of protrusions 22 may be formed by plating. Further, the plurality of protrusions 22 may be formed by thermal spraying. In the present embodiment, since the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22, when the probe pin 14 is pressed in the direction of the terminal of the electronic component, any one of the plurality of protrusions 22 becomes electronic. Since it is in contact with the terminal of the component, the probe pin 14 and the electronic component can be more reliably connected.
図示していないが、 プローブピン 1 4を基板 3 0から離脱する前に、金バンプ 6 2を介して保持基板と接合させてもよい。 この場合、 まず、 プローブピン 1 4 の保持端 1 6を保持基板に位置合わせする。その後、保持端 1 6を保持基板に貼 り合わせる。保持端 1 6は、保持基板の伝送線路を介して保持基板に貼り合わさ れるのが好ましい。 その後、金バンプ 6 2を介して熱圧着により保持端 1 6を保 持基板に接合する。 熱圧着は、 金バンプ 6 2を介さず、 直接行ってもよい。 プロ ーブピン 1 4の保持端 1 6の保持基板への接合は、 フリップチップボンダ、基板 接合 (基板貼り合わせを含む) 装置等を用いて一連の動作で行うのが好ましい。 また、熱圧着は、 アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度の温 度で行うのが好ましい。また、プローブピン 1 4は、基板 3 0から離脱した後に、 金バンプ 6 2を介して保持基板に接合させてもよい。  Although not shown, the probe pins 14 may be bonded to the holding substrate via the gold bumps 62 before the probe pins 14 are separated from the substrate 30. In this case, first, the holding end 16 of the probe pin 14 is aligned with the holding substrate. After that, the holding end 16 is attached to the holding substrate. The holding end 16 is preferably bonded to the holding substrate via the transmission line of the holding substrate. Thereafter, the holding end 16 is bonded to the holding substrate by thermocompression bonding via the gold bump 62. Thermocompression bonding may be performed directly without using the gold bumps 62. The joining of the holding end 16 of the probe pin 14 to the holding substrate is preferably performed by a series of operations using a flip chip bonder, a substrate bonding (including substrate bonding) device, or the like. The thermocompression bonding is preferably performed at a temperature at which the amorphous alloy layer is not heated to the supercooled liquid region. Further, the probe pins 14 may be bonded to the holding substrate via the gold bumps 62 after being separated from the substrate 30.
他の例において、 プローブピン 1 4を保持基板 1 2に接合する前に、 プローブピ ン 1 4において保持基板 1 2に保持される領域のみ基板 3 0から離脱してもよい。 そして、保持基板を、基板 3 0と同じ側からプローブピン 1 4に接合させてもよい。 図 5は、 プローブカード 1 0の製造方法の他の例を示す工程図である。 本例にお いては、 図 4 ( a ) において説明したステップにより、 シリコン等の基板のプロ一 ブピン 1 4が形成される領域に、 プローブピン 1 4の保持端 1 6から自由端 1 8に 向かう長手方向に延在する溝 3 2を形成する。 また、 次に説明する貫通孔形成ステ ップの前に、 溝 3 2を形成した後、 過冷却液体温度以上であり結晶化開始温度以下 に加熱し、 冷却することが好ましい。 この加熱冷却工程により、 プローブピン 1 4 の内部応力を除去することができる。 In another example, before bonding probe pins 14 to holding substrate 12, Only the region of the substrate 14 held by the holding substrate 12 may be separated from the substrate 30. Then, the holding substrate may be joined to the probe pins 14 from the same side as the substrate 30. FIG. 5 is a process chart showing another example of the method of manufacturing the probe card 10. In this example, the steps described with reference to FIG. 4 (a) are used to move the probe pins 14 from the holding end 16 to the free ends 18 in the region where the probe pins 14 are formed on a substrate such as silicon. A groove 32 is formed extending in the longitudinal direction. Further, it is preferable that after the groove 32 is formed before the through-hole forming step described below, heating is performed at a temperature not lower than the supercooled liquid temperature and not higher than the crystallization start temperature, and then cooled. By this heating and cooling step, the internal stress of the probe pin 14 can be removed.
次に、 図 5 ( a ) に示すように、 貫通孔形成ステップで、 基板 3 0に貫通孔 8を 形成する。 貫通孔形成ステップは、 基板 3 0において自由端 1 8が形成された領域 を含む領域に貫通孔 8を形成する。  Next, as shown in FIG. 5A, a through hole 8 is formed in the substrate 30 in a through hole forming step. In the through hole forming step, the through hole 8 is formed in a region including the region where the free end 18 is formed in the substrate 30.
次に、 図 5 ( b ) に示すように、 湾曲ステップで、 プローブピン 1 4を湾曲させ る。 湾曲ステップにおいては、 重力、 遠心力、 静電気、 磁力等の様々な方法でプロ ーブピン 1 4を湾曲させる。 また、 湾曲ステップは、 例えば外部部材 6により、 プ ロープピン 1 4の自由端 1 8に外力を加えることによりプローブピン 1 4を湾曲さ せてもよい。 湾曲ステップは、 図 5 ( b ) に示すように、 基板 3 0の表面に形成ざ れたプローブピン 1 4を、 基板 3 0の裏面に向かって湾曲させる。  Next, as shown in FIG. 5B, the probe pin 14 is bent in a bending step. In the bending step, the probe pin 14 is bent by various methods such as gravity, centrifugal force, static electricity, and magnetic force. In the bending step, for example, the probe pin 14 may be bent by applying an external force to the free end 18 of the probe pin 14 by the external member 6. In the bending step, as shown in FIG. 5B, the probe pins 14 formed on the surface of the substrate 30 are bent toward the back surface of the substrate 30.
湾曲ステップにおいては、 プローブピン 1 4を形成するアモルファス合金層を、 アモルファス合金層の過冷却液体温度域以上であり、 結晶化開始温度以下である温 度まで加熱した状態で、 プローブピン 1 4の自由端 1 8を、 基板 3 0の表面から離 れる方向に湾曲させることが好ましい。 本例によれば、 プローブピン 1 4の内部応 力を除去し、 且つ容易にプローブピン 1 4を湾曲させることができる。 また、 当該 湾曲ステップは、 図 4において説明したプローブピン 1 4を保持基板に接合させた 後に行ってもよい。 この場合、 湾曲ステップは、 プローブピン 1 4の自由端 1 8を 保持基板から離れる方向に湾曲させる。  In the bending step, the amorphous alloy layer forming the probe pins 14 is heated to a temperature that is equal to or higher than the supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy layers and equal to or lower than the crystallization start temperature. Preferably, the free end 18 is curved in a direction away from the surface of the substrate 30. According to this example, the internal stress of the probe pin 14 can be removed, and the probe pin 14 can be easily bent. Further, the bending step may be performed after the probe pins 14 described in FIG. 4 are bonded to the holding substrate. In this case, the bending step bends the free end 18 of the probe pin 14 in a direction away from the holding substrate.
次に、 図 4 ( c ) において説明したように、 プローブピン 1 4の保持端 1 6に金 バンプ 6 2を形成する。 次に、 図 4 ( d ) において説明したように、 プローブピン 1 4を基板 3 0から離脱する。基板 3 0から離脱したプローブピン 1 4を図 5 ( d ) に示す。 本例における製造方法によって製造したプローブピン 1 4によれば、 接触 するべき電子部品の端子の方向に湾曲しているため、 容易に端子と接続し、 且つそ の接続状態を保つことができる。 Next, as described in FIG. 4 (c), gold is attached to the holding end 16 of the probe pin 14. The bump 62 is formed. Next, as described in FIG. 4D, the probe pins 14 are separated from the substrate 30. The probe pins 14 detached from the substrate 30 are shown in FIG. According to the probe pin 14 manufactured by the manufacturing method in this example, since the probe pin 14 is curved in the direction of the terminal of the electronic component to be contacted, it can be easily connected to the terminal and the connected state can be maintained.
また、 本例における製造方法においても、 図 4において説明した製造方法と同様 に、 プローブピン 1 4の自由端 1 8に、 電子部品の端子と接触する少なくとも 1つ の突起部を形成してよい。  Also, in the manufacturing method according to the present embodiment, at least one protrusion that contacts the terminal of the electronic component may be formed at the free end 18 of the probe pin 14 in the same manner as the manufacturing method described with reference to FIG. .
図 6は、 図 4 ( b ) に示す基板 3 0とアモルファス合金層の B— B, 断面図であ る。  Fig. 6 is a cross-sectional view of the substrate 30 and the amorphous alloy layer taken along line B-B shown in Fig. 4 (b).
図 6 ( a )に示すように、溝 3 2は、 Φ富方向の断面が V形状であるのが好ましい。 この場合、 溝 3 2は、 異方性エッチングにより形成するのが好ましい。 図 6 ( b ) に示すように、 溝 3 2は、 幅方向の断面が U形状であってよく、 四角形状であって もよい。 溝 3 2が U形状である場合、 溝 3 2は、 等方性エッチングにより形成する のが好ましい。  As shown in FIG. 6A, the groove 32 preferably has a V-shaped cross section in the Φ rich direction. In this case, the groove 32 is preferably formed by anisotropic etching. As shown in FIG. 6 (b), the groove 32 may have a U-shaped cross section in the width direction or a square shape. When the groove 32 is U-shaped, the groove 32 is preferably formed by isotropic etching.
図 7は、 図 1 ( c ) に示したプローブカード 1 0の製造方法の他の例を示す工程 図である。  FIG. 7 is a process chart showing another example of a method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG. 1 (c).
本実施例においては、 図 4を用いて説明したプローブカード 1 0の製造方法と同 様の工程は説明を省略する。  In the present embodiment, description of the same steps as those of the method for manufacturing the probe card 10 described with reference to FIG.
まず、 図 7 ( a ) に示すように、 基板 3 0のプローブピン 1 4が形成される領域 1 4 aに、 溝 3 2を形成する。 また、 基板 3 0のプローブピン 1 4の自由端 1 8が 形成される領域に、 穴 3 4を形成する。 ここで、 穴 3 4は複数形成されてもよい。 溝 3 2及ぴ穴 3 4は、 ドライエッチング又はゥエツトエッチング等のエッチングに より形成されるのが好ましい。 溝 3 2及び穴 3 4は、 異方性エッチングにより形成 されてもよく、 また等方性エッチングにより形成されてもよい。  First, as shown in FIG. 7A, a groove 32 is formed in a region 14a of the substrate 30 where the probe pins 14 are formed. Also, a hole 34 is formed in a region of the substrate 30 where the free end 18 of the probe pin 14 is formed. Here, a plurality of holes 34 may be formed. The groove 32 and the hole 34 are preferably formed by etching such as dry etching or wet etching. The groove 32 and the hole 34 may be formed by anisotropic etching or may be formed by isotropic etching.
次に、 図 7 ( b ) に示すように、 基板 3 0の領域 1 4 aにアモルファス合金をス パッタリングしてプローブピン 1 4となるアモルファス合金層を形成する。続いて、 アモルファス合金層を加熱する。そして、アモルファス合金層を冷却する。その後、 図 7 ( c ) に示すように、 プローブピン 1 4の保持端 1 6に金バンプ 6 2を形成す る。 Next, as shown in FIG. 7 (b), an amorphous alloy is sputtered on the region 14 a of the substrate 30 to form an amorphous alloy layer to be the probe pins 14. continue, Heat the amorphous alloy layer. Then, the amorphous alloy layer is cooled. Thereafter, as shown in FIG. 7C, a gold bump 62 is formed on the holding end 16 of the probe pin 14.
次に、 図 7 ( d ) に示すように、 プローブピン 1 4を基板 3 0から離脱する。 本 実施例における工程により製造されたプローブカード 1 0のプローブピン 1 4は、 自由端 1 8に、電子部品の端子と接触する方向に突き出た接触突出部 2 2を有する。 この場合、 接触突出部 2 2は、 電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。 図 8は、 プローブカード 1 0の他の例を示す斜視図である。  Next, as shown in FIG. 7 (d), the probe pins 14 are detached from the substrate 30. The probe pins 14 of the probe card 10 manufactured by the steps in the present embodiment have contact protruding portions 22 protruding in the free end 18 in the direction of contact with the terminals of the electronic component. In this case, the contact protrusion 22 can function as a contact that contacts the terminal of the electronic component. FIG. 8 is a perspective view showing another example of the probe card 10.
図 8 ( a ) に示すように、 本実施例におけるプローブカード 1 0のプローブピン 1 4は、 保持端 1 6を含む保持端部 2 4と、 保持端部 2 4に対して所定の角度を有 するように、 一端が保持端部 2 4に延長して設けられた傾斜部 2 6と、 保持端部 2 4に平行するように、 傾斜部 2 6の他端に延長して設けられ、 自由端 1 8を含む自 由端部 2 8とを有する。 傾斜部 2 6は、 弾性部として機能する。 プローブピン 1 4 は、 傾斜部 2 6に、 保持端 1 6から自由端 1 8に向かう長手方向に延在する突出加 重部 2 0を有する。 プローブピン 1 4は、 自由端 1 8に、 電子部品の端子と接触す る少なくとも 1つの突起部 2 2を有するのが好ましい。  As shown in FIG. 8 (a), the probe pins 14 of the probe card 10 in this embodiment have a holding end 24 including a holding end 16 and a predetermined angle with respect to the holding end 24. One end is provided at the other end of the inclined portion 26 so as to extend parallel to the holding end 24, and the other end of the inclined portion 26 is provided so as to be parallel to the holding end 24. It has a free end 28 including a free end 18. The inclined portion 26 functions as an elastic portion. The probe pin 14 has a protruding weight portion 20 extending in the longitudinal direction from the holding end 16 to the free end 18 on the inclined portion 26. The probe pin 14 preferably has at its free end 18 at least one protrusion 22 that contacts the terminal of the electronic component.
図 8 ( b ) に示すように、 プローブピン 1 4は、 自由端部 2 8に、 電子部品の端 子と接触する方向に突き出た接触突出部 2 2を有してもよい。  As shown in FIG. 8 (b), the probe pin 14 may have a contact protrusion 22 protruding in a direction in which it contacts the terminal of the electronic component at the free end 28.
本実施例において、 プローブピン 1 4が電子 ^品の端子と接触する方向に屈曲し た形状になっているので、 プローブピン 1 4と電子部品とを容易に接続することが できる。  In this embodiment, since the probe pin 14 is bent in a direction in which the probe pin 14 contacts the terminal of the electronic component, the probe pin 14 and the electronic component can be easily connected.
図 9は、図 8 ( a )に示したプローブカード 1 0の製造方法を示す工程図である。 まず、 図 9 ( a ) に示すように、 プローブピン 1 4の保持端 1 6を形成する第 1 平面部 4 2と、 第 1平面部 4 2に対して所定の角度 0を有するように、 一端が第 1 平面部 4 2に延長して設けられた傾斜面部 4 4とを有する第 1基板 4 0を準備する。 角度 Θは、 例えば 3 0度から 6 0度、 好ましくは 5 4 . 7度であってよい。  FIG. 9 is a process chart showing a method for manufacturing the probe card 10 shown in FIG. First, as shown in FIG. 9 (a), a first flat portion 42 forming the holding end 16 of the probe pin 14 and a predetermined angle 0 with respect to the first flat portion 42 are formed. A first substrate 40 having an inclined surface portion 44 having one end extended from the first flat portion 42 is prepared. The angle Θ may be, for example, 30 degrees to 60 degrees, preferably 54.7 degrees.
そして、 図 9 ( b ) に示すように、 第 1基板 4 0を、 プローブピン 1 4の自由端 1 8が形成される第 2平面部 5 2を有する第 2基板 5 0に貝占り合わせる。 第 1基板 4 0及ぴ第 2基板 5 0は、 第 2平面部 5 2が傾斜面部 4 4の他端に延長して設けら れるように貼り合わせるのが好ましい。 また、 第 2平面部 5 2は、 第 1平面部 4 2 に平行であるのが好ましい。 本実施例においては、 第 1基板 4 0及び第 2基板 5 0 を用いてプローブピン 1 4を形成したが、 他の例において、 例えばエッチングによ り、 第 1平面部 4 2、 傾斜面部 4 4及ぴ第 2平面部 5 2が形成された単一の基板を 用いてもよい。 Then, as shown in FIG. 9 (b), the first substrate 40 is connected to the free end of the probe pin 14. The shell is occupied by the second substrate 50 having the second flat portion 52 on which 18 is formed. The first substrate 40 and the second substrate 50 are preferably bonded so that the second plane portion 52 is provided to extend to the other end of the inclined surface portion 44. Further, the second plane portion 52 is preferably parallel to the first plane portion 42. In the present embodiment, the probe pins 14 are formed using the first substrate 40 and the second substrate 50. However, in other examples, the first flat portions 42 and the inclined surface portions 4 are formed by, for example, etching. A single substrate on which the fourth and second plane portions 52 are formed may be used.
次に、 傾斜面部 4 4に、 第 1平面部 4 2から第 2平面部 5 2の方向に向かう方向 に延在する溝 3 2を形成する。 溝 3 2は、 傾斜面部 4 4にレジストでパターニング して、 ドライエッチング又はウエットエッチング等のエッチングすることにより形 成するのが好ましい。 溝 3 2は、 異方性エッチングにより V形状に形成されるのが 好ましい。 溝 3 2は、 等方性エッチングにより U形状に形成されてもよレ、。 また、 傾斜面部 4 4には、 複数の溝 3 2が形成されるのが好ましい。  Next, a groove 32 is formed on the inclined surface portion 44 so as to extend from the first flat portion 42 to the direction of the second flat portion 52. The groove 32 is preferably formed by patterning the inclined surface portion 44 with a resist and performing etching such as dry etching or wet etching. The groove 32 is preferably formed in a V shape by anisotropic etching. The groove 32 may be formed in a U shape by isotropic etching. Preferably, a plurality of grooves 32 are formed in the inclined surface portion 44.
続いて、 図 9 ( c ) に示すように、 第 1基板 4 0の第 1平面部 4 2及び傾斜面部 4 4及び第 2基板 5 0の笫 2平面部 5 2にスパッタ法によりアモルファス合金層 6 0を形成する。 そして、 アモルファス合金層 6 0を加熱する。 アモルファス合金層 6 0は、 材料として用いるアモルファス合金のガラス転移温度より高い温度までカロ 熱するのが好ましい。 本実施形態において、 アモルファス合金層 6 0は、 ァモルフ ァス合金のガラス転移温度以上、 結晶化開始温度以下である過冷却液体域まで加熱 する。 その後、 アモルファス合金層 6 0を冷却する。 アモルファス合金層 6 0をァ モルファス合金のガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。 ァモルフ ァス合金層 6 0は、 自然冷却により冷却してもよい。  Subsequently, as shown in FIG. 9 (c), an amorphous alloy layer is formed on the first flat portion 42 and the inclined surface portion 44 of the first substrate 40 and the 笫 2 flat portion 52 of the second substrate 50 by a sputtering method. Form 60. Then, the amorphous alloy layer 60 is heated. The amorphous alloy layer 60 preferably heats up to a temperature higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy used as the material. In the present embodiment, the amorphous alloy layer 60 is heated to a supercooled liquid region that is equal to or higher than the glass transition temperature of the amorphous alloy and equal to or lower than the crystallization start temperature. Thereafter, the amorphous alloy layer 60 is cooled. It is preferable to cool the amorphous alloy layer 60 to a temperature lower than the glass transition temperature of the amorphous alloy. The amorphous alloy layer 60 may be cooled by natural cooling.
その後、 図 9 ( d ) に示すように、 アモルファス合金層 6 0の不必要な部分をェ ツチング等により除去して、 保持端部 2 4、 傾斜部 2 6及ぴ自由端部 2 8を有する プローブピン 1 4を形成する。 そして、 図 9 ( e ) に示すように、 プローブピンの 保持端部 2 4に、 金バンプ 6 2を形成する。 他の例において、 金バンプ 6 2は、 プ ロープピンと貼り合わせる保持基板 1 2側に形成してもよい。 図 9 ( f ) に示すように、 導電性材料を含む伝送線路 6 4を形成した保持基板 1 2を準備する。 そして、 プローブピン 1 4の保持端部 2 4を保持基板 1 2に接合す る。 保持端部 2 4の保持基板 1 2への接合は、 まず、 保持端部 2 4を保持基板 1 2 に位置合わせすることにより行う。 そして、 保持端部 2 4を保持基板 1 2に貼り合 わせる。 その後、 保持端部 2 4を保持基板 1 2に熱圧着する。 保持端部 2 4の保持 基板 1 2への接合は、 フリップチップボンダ等を用いて一連の動作で行うのが好ま しい。 また、 熱圧着は、 アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度 の温度で行うのが好ましい。 Then, as shown in FIG. 9 (d), unnecessary portions of the amorphous alloy layer 60 are removed by etching or the like, so that the amorphous alloy layer 60 has a holding end 24, an inclined portion 26, and a free end 28. Form probe pins 14. Then, as shown in FIG. 9E, gold bumps 62 are formed on the holding ends 24 of the probe pins. In another example, the gold bump 62 may be formed on the side of the holding substrate 12 to be bonded to the probe pin. As shown in FIG. 9 (f), a holding substrate 12 on which a transmission line 64 including a conductive material is formed is prepared. Then, the holding end 24 of the probe pin 14 is joined to the holding substrate 12. The joining of the holding end 24 to the holding substrate 12 is performed by first aligning the holding end 24 with the holding substrate 12. Then, the holding end portion 24 is bonded to the holding substrate 12. Thereafter, the holding end 24 is thermocompression-bonded to the holding substrate 12. The joining of the holding end portion 24 to the holding substrate 12 is preferably performed by a series of operations using a flip chip bonder or the like. The thermocompression bonding is preferably performed at a temperature at which the amorphous alloy layer is not heated to the supercooled liquid region.
次に、 図 9 ( g ) に示すように、 アモルファス合金層 6 0を第 1基板 4 0及び第 2基板 5 0から離脱する。 アモルファス合金層 6 0は、 第 1基板 4 0及ぴ第 2基板 5 0のァモルファス合金層 6 0との接続部分をェツチングすることにより第 1基板 4 0及ぴ第 2基板 5 0から離脱してもよい。 エッチングは、 例えば水酸ィ匕カリウム 水溶液を用いたゥエツトエッチング又は X e F 2を用いたドライエッチング等によ . り行うのが好ましい。 Next, as shown in FIG. 9 (g), the amorphous alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50. The amorphous alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50 by etching the connecting portion of the first substrate 40 and the second substrate 50 with the amorphous alloy layer 60. Is also good. The etching is preferably performed by, for example, wet etching using an aqueous solution of potassium hydroxide or dry etching using XeF 2 .
図 9 ( h ) に示すように、 アモルファス合金層 6 0の上に、 導電層 6 6を形成し てもよい。 導電層 6 6は、 金であるのが好ましい。 そして、 図 9 ( i ) に示すよう に、 プローブピン 1 4の自由端部 2 6に、 突起部 2 2を形成する。 突起部 2 2は、 複数形成されるのが好ましい。  As shown in FIG. 9 (h), a conductive layer 66 may be formed on the amorphous alloy layer 60. The conductive layer 66 is preferably made of gold. Then, as shown in FIG. 9 (i), a projection 22 is formed on the free end 26 of the probe pin 14. Preferably, a plurality of protrusions 22 are formed.
また、 他の例として、 図 9 ( b ) において、 第 1基板 4 0の第 1平面部 4 2のプ ローブピン 1 4の自由端部 2 6が形成される領域にエッチングにより穴を形成して もよい。 この場合、 図 9 ( e ) においてアモルファス合金層 6 0を形成する際に、 突起部 2 2を形成してよい。  Further, as another example, in FIG. 9B, a hole is formed by etching in a region of the first substrate 40 where the free end 26 of the probe pin 14 is formed on the first plane portion 42. Is also good. In this case, the projections 22 may be formed when the amorphous alloy layer 60 is formed in FIG.
本実施例において製造されるプローブカード 1 0は、 プローブピン 1 4が電子部 品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、 プローブピン 1 4と電 子部品とを容易に接続することができる。 また、 プローブピン 1 4の自由端部 2 6 に形成された突起部 2 2は、 電子部品の端子に対して平行に接触するため、 接触面 積をより大きくすることができる。 図 1 0は、 図 9に示したプローブカード 1 0の製造方法の他の例を示す工程図で める。 In the probe card 10 manufactured in this embodiment, the probe pins 14 are bent in a direction in which the probe pins 14 are in contact with the terminals of the electronic components, so that the probe pins 14 can be easily connected to the electronic components. can do. In addition, the protruding portion 22 formed on the free end 26 of the probe pin 14 comes into contact with the terminal of the electronic component in parallel, so that the contact area can be further increased. FIG. 10 is a process chart showing another example of the method of manufacturing the probe card 10 shown in FIG.
本実施例では、 図 9 ( c ) に示したアモルファス合金層 6 0を形成するステップ において、 以下のような工程を含んでもよい。  In the present embodiment, the step of forming the amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 9C may include the following steps.
図 1 0 ( a ) に示すように、 第 1基板 4 0の第 1平面部 4 2及ぴ傾斜面部 4 4及 ぴ第 2基板 5 0の第 2平面部 5 2に、 ァモルファス合金層と第 1基板 4 0及ぴ第 2 基板 5 0とを密着させる密着層 7 0を形成する。 アモルファス合金がパラジウムを 主成分とする場合、 密着層 7 0は、 組成比が約 1 : 1であるチタンニッケル合金を 含むのが好ましい。 アモルファス合金がパラジウムを主成分として錮を含有する場 合、 密着層 7 0は、 クロム又はチタンを含む第 1密着層と銅を含む第 2密着層とを 有してよい。 第 1密着層は第 1基板 4 0及び第 2基板 5 0上に形成し、 第 1密着層 の上に第 2密着層を形成するのが好ましレ、。  As shown in FIG. 10 (a), the first substrate 40 has a first flat portion 42 and an inclined surface portion 44 and a second flat portion 52 of the second substrate 50 and an amorphous alloy layer and a second flat portion 52. An adhesion layer 70 for making the first substrate 40 and the second substrate 50 adhere to each other is formed. When the amorphous alloy contains palladium as a main component, the adhesion layer 70 preferably contains a titanium-nickel alloy having a composition ratio of about 1: 1. In the case where the amorphous alloy contains palladium as a main component and contains a bond, the adhesion layer 70 may have a first adhesion layer containing chromium or titanium and a second adhesion layer containing copper. Preferably, the first adhesion layer is formed on the first substrate 40 and the second substrate 50, and the second adhesion layer is formed on the first adhesion layer.
続いて、 図 1 0 ( b ) に示すように、 密着層 7 0上に、 後の工程において第 1基 板 4 0及ぴ第 2基板 5 0をプローブピン 1 4から除去しやすいようにするための剥 離犠牲層 7 2を形成する。 剥離犠牲層 7 2は、 後の工程におけるアモルファス合金 層の加熱、 エッチング等の薬品処理等に耐え得る材料により形成されるのが好まし い。 剥離犠牲層 7 2は、 例えば金属薄膜であるのが好ましい。 本実施例において、 剥離犠牲層 7 2は、 クロムを含み、 約 1 0 0 n mの厚さに形成される。  Subsequently, as shown in FIG. 10 (b), the first substrate 40 and the second substrate 50 are easily removed from the probe pins 14 in a later step on the adhesion layer 70. For the separation sacrificial layer 72 is formed. The peel sacrificial layer 72 is preferably formed of a material that can withstand chemical treatment such as heating and etching of the amorphous alloy layer in a later step. The peeling sacrificial layer 72 is preferably, for example, a metal thin film. In this embodiment, the peeling sacrificial layer 72 contains chromium and is formed to a thickness of about 100 nm.
本実施例において、 図 9 ( g ) に示したアモルファス合金層 6 0を第 1基板 4 0 及び第 2基板 5 0から離脱するステップは、 剥離犠牲層 6 2をエッチングにより除 去することによりアモルファス合金層 6 0を第 1基板 4 0及び第 2基板 5 0から離 脱する。  In the present embodiment, the step of separating the amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 9 (g) from the first substrate 40 and the second substrate 50 is performed by removing the peeling sacrificial layer 62 by etching. The alloy layer 60 is separated from the first substrate 40 and the second substrate 50.
図 1 0 ( c ) に示すように、 剥離犠牲層 7 2の上にアモルファス合金層 6 0を形 成する。 次に、 図 1 0 ( d ) に示すように、 アモルファス合金層 6 0上に金属層 7 4を形成する。 さらに、 アモルファス合金層 6 0と金属層 7 4とを密着させる密着 層 7 6をァモノレファス合金層 6 0上に形成してもよい。 密着層 7 6は密着層 7 0と 同様に、 アモルファス合金がパラジウムを主成分とする場合、 組成比が 1 : 1であ るチタンニッケル合金を含むのが好ましレ、。 ァモルファス合金がパラジゥムを主成 分として銅を含有する場合、 密着層 7 6は、 クロム又はチタンを含む第 1密着層と 銅を含む第 2密着層とを有してよい。 As shown in FIG. 10 (c), an amorphous alloy layer 60 is formed on the exfoliated sacrificial layer 72. Next, as shown in FIG. 10 (d), a metal layer 74 is formed on the amorphous alloy layer 60. Further, an adhesion layer 76 for making the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74 adhere to each other may be formed on the monomonorefass alloy layer 60. Similar to the adhesion layer 70, the adhesion layer 76 has a composition ratio of 1: 1 when the amorphous alloy is mainly composed of palladium. Preferably, it contains a titanium-nickel alloy. When the amorphous alloy contains copper with palladium as the main component, the adhesion layer 76 may have a first adhesion layer containing chromium or titanium and a second adhesion layer containing copper.
また、 金属層 7 4に含まれる金属がアモルファス合金層 6 0に拡散するのを防ぐ バリヤ層 7 8をアモルファス合金層 6 0と金属層 7 4との間に形成してもよい。 本 実施例において、バリヤ層 7 8は、密着層 7 6と金属層 7 4との間に設けてもよい。 バリヤ層 7 8は白金であるのが好ましい。 バリヤ層 7 8は 1 0 0 n m程度であるの が好ましい。 アモルファス合金層 6 0と金属層 7 4との間にバリヤ層 7 8を形成す ることにより、 アモルファス合金層 6 0を加熱する場合においても、 金属層 7 4に 含まれる金属がァモルファス合金層 6 0に拡散することがない。 密着層 7 6上に白 金であるバリヤ層 7 8を形成する場合、 密着層 7 6は、 銅を含む第 2密着層のみを 用いてもよい。  Further, a barrier layer 78 for preventing the metal contained in the metal layer 74 from diffusing into the amorphous alloy layer 60 may be formed between the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74. In this embodiment, the barrier layer 78 may be provided between the adhesion layer 76 and the metal layer 74. The barrier layer 78 is preferably platinum. The barrier layer 78 preferably has a thickness of about 100 nm. By forming the barrier layer 78 between the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74, even when the amorphous alloy layer 60 is heated, the metal contained in the metal layer 74 can be converted to the amorphous alloy layer 6 Does not spread to zero. When the barrier layer 78 made of white gold is formed on the adhesion layer 76, the adhesion layer 76 may use only the second adhesion layer containing copper.
さらに、'バリヤ層 7 8と金属層 7 4との間にもバリヤ層 7 8と金属層 7 4とを密 着させる密着層を形成してもよい。 また、 プローブピン 1 4は、 図 9 ( h ) に示し た導電層 6 6と図 1 0 ( d ) に示した金属層 7 4の両方を有してもよく、 いずれか 一方のみを有してもよい。  Further, an adhesion layer for adhering the barrier layer 78 and the metal layer 74 may be formed between the barrier layer 78 and the metal layer 74. Further, the probe pin 14 may have both the conductive layer 66 shown in FIG. 9 (h) and the metal layer 74 shown in FIG. 10 (d), or have only one of them. You may.
密着層 7 0を形成するステップと、 剥離犠牲層 7 2を形成するステップと、 ァモ ルファス合金層 6 0を形成するステップと、 密着層 7 6を形成するステップと、 バ リャ層 7 8を形成するステップと、 金属層 7 4を形成するステップとは、 スパッタ 法により同一装置内で行うのが好ましい。  Forming an adhesion layer 70, forming a peeling sacrificial layer 72, forming an amorphous alloy layer 60, forming an adhesion layer 76, and forming a barrier layer 78. The step of forming and the step of forming the metal layer 74 are preferably performed in the same apparatus by a sputtering method.
図 1 1は、図 9又は図 1 0に示した工程により製造したプローブカード 1 0を 示す斜視図である。  FIG. 11 is a perspective view showing a probe card 10 manufactured by the process shown in FIG. 9 or FIG.
プローブカード 1 0は、複数のプローブピン 1 4を有する。 プロープピン 1 4 は、保持基板 1 2と反対の方向に屈曲されている。 また、複数のプローブピン 1 4は、保持基板 1 2に並べて設けられる。 本実施形態において、 プローブピン 1 4の長さは、約数百 μ m程度であるのが好ましい。 また、複数のプローブピン 1 4は、 約百; u m以下のピッチで形成されるのが好ましい。 本実施例におけるプローブカード 1 0は、プローブピン 1 4が複数の突出加重 部 2 0を有しているので、加重が増加し、剛性を高めることができる。そのため、 電子部品の端子と接触するときの接触抵抗を低下することができる。 The probe card 10 has a plurality of probe pins 14. The probe pins 14 are bent in a direction opposite to the holding substrate 12. Further, the plurality of probe pins 14 are provided side by side on the holding substrate 12. In the present embodiment, the length of the probe pin 14 is preferably about several hundred μm. Further, the plurality of probe pins 14 are preferably formed at a pitch of about 100 μm or less. In the probe card 10 according to the present embodiment, since the probe pins 14 have the plurality of protruding weight portions 20, the weight can be increased and the rigidity can be increased. Therefore, the contact resistance when contacting the terminal of the electronic component can be reduced.
本実施例におけるプローブカード 1 0は、 プローブピン 1 4が電子部品の端子と 接触する方向に屈曲した形状になっているので、 プローブピン 1 4と電子部品とを 容易に接続することができる。  In the probe card 10 according to the present embodiment, the probe pins 14 are bent in a direction in which the probe pins 14 are in contact with the terminals of the electronic component, so that the probe pins 14 and the electronic component can be easily connected.
以上の実施形態では、 プローブピン及びプローブカードを例として説明したが、 上記実施形態中プローブピンとして説明した部材は、 半導体素子等の電子部品どう しを接続する接触子として用いてもよい。  In the above embodiments, the probe pins and the probe card have been described as examples. However, the members described as the probe pins in the above embodiments may be used as contacts for connecting electronic components such as semiconductor elements.
以上、 本発明を実施の形態を用いて説明したが、 本発明の技術的範囲は上記実施 の形態に記載の範囲には限定されない。 上記実施の形態に、 多様な変更又は改良を 加えることが可能であることが当業者に明らかである。 その様な変更又は改良を加 えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、 請求の範囲の記載から明らか である。 産業上の利用可能性  As described above, the present invention has been described using the embodiment, but the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. It is apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the appended claims that embodiments with such modifications or improvements can be included in the technical scope of the present invention. Industrial applicability
上記説明から明らかなように、本発明によればプローブピンの大きさを変える ことなくプローブピンの加重を増加させ、プローブピンの剛性を高めることがで きる。  As is clear from the above description, according to the present invention, the weight of the probe pin can be increased without changing the size of the probe pin, and the rigidity of the probe pin can be increased.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1 . 電子部品の端子に接触し、前記電子部品の特性を試験するために用いるプ ローブカードであって、 1. A probe card that contacts a terminal of an electronic component and is used for testing characteristics of the electronic component,
保持基板と、  A holding substrate,
前記保持基板に保持される保持端と、前記保持端の反対側の自由端と、前記保 持端から前記自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプロ一 ブピンと、  A probe pin having a holding end held by the holding substrate, a free end opposite to the holding end, and a protruding weight portion extending in a longitudinal direction from the holding end toward the free end;
前記保持基板に設けられ、前記プローブピンと電気的に接続された伝送線路と を備えることを特徴とするプローブカード。  A probe card, comprising: a transmission line provided on the holding substrate and electrically connected to the probe pins.
2 . 前記突出加重部は、 前記プローブピンの一面からへこみ、 前記一面の反対 側の面側に突き出すように形成されることを特徴とする請求項 1に記載のプロ ーブカード。  2. The probe card according to claim 1, wherein the protruding weight portion is formed so as to be depressed from one surface of the probe pin and protrude to a surface opposite to the one surface.
3 . 前記突出加重部は、 Φ畐方向の断面が V形状であることを特徴とする請求項 2 に記載のプローブカード。  3. The probe card according to claim 2, wherein the protruding weight portion has a V-shaped cross section in the Φ 畐 direction.
4 . 前記突出加重部は、 幅方向の断面が U形状であることを特徴とする請求項 2 に記載のプローブカード。  4. The probe card according to claim 2, wherein the protruding weight portion has a U-shaped cross section in the width direction.
5 . 前記突出加重部は、 前記プローブピンの一面から、 前記一面と略垂直方向に 突出するように形成され、 幅方向の断面が四角形状であることを特徴とする請求項 1に記載のプローブカード。  5. The probe according to claim 1, wherein the protruding weight portion is formed so as to protrude from one surface of the probe pin in a direction substantially perpendicular to the one surface, and has a rectangular cross section in the width direction. card.
6 . 前記突出加重部は、 前記自由端にわたって形成されることを特徴とする請求 項 1から 5のいずれかに記載のプローブカード。  6. The probe card according to claim 1, wherein the protruding weight portion is formed over the free end.
7 . 前記突出加重部は、 前記自由端から所定の距離を隔てた位置に形成されるこ とを特徴とする請求項 1から 5のいずれかに記載のプローブカード。  7. The probe card according to claim 1, wherein the protruding weight is formed at a position separated from the free end by a predetermined distance.
8 . 前記プローブピンは、 前記自由端に、 前記電子部品の端子と接触する少なく とも 1つの突起部を有することを特徴とする請求項 7に記載のプローブカード。 8. The probe card according to claim 7, wherein the probe pin has at least one protrusion at the free end that contacts a terminal of the electronic component.
9 . 前記プローブピンは、 前記自由端に、 前記プローブピンの一面からへこみ、 前記一面の反対側の面側に突き出すように形成され、 前記電子部品の端子と接触す る接触突出部を有することを特徴とする請求項 7に記載のプローブカード。 9. The probe pin is recessed from one surface of the probe pin at the free end, 8. The probe card according to claim 7, wherein the probe card is formed so as to protrude on a surface opposite to the one surface, and has a contact protruding portion that contacts a terminal of the electronic component.
1 0 . 前記プローブピンは、 複数の前記突出加重部を有することを特徴とする請 求項 1から 5のいずれかに記載のプローブカード。  10. The probe card according to any one of claims 1 to 5, wherein the probe pin has a plurality of the protruding weight portions.
1 1 . 前記複数の突出加重部のうち少なくとも 1つの前記突出加重部は、 他の突 出加重部のうち少なくとも 1つの前記突出加重部と、 前記プローブピンの幅方向に おいて一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項 1 0に記載のプロ一 ブカード。  1 1. At least one of the plurality of protruding weights partially overlaps with at least one of the other protruding weights in the width direction of the probe pin. The probe card according to claim 10, wherein the probe card is formed as follows.
1 2 . 前記複数の突出加重部は、 幅方向に少なくとも 3列に設けられ、 中心の列 に設けられた前記突出加重部は、 幅方向において、 両端の列に設けられた前記突出 加重部と一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項 1 0に記載のプロ ーブカード。  12. The plurality of protruding weights are provided in at least three rows in the width direction, and the protruding weights provided in the center row are the same as the protruding weights provided in both rows in the width direction. The probe card according to claim 10, wherein the probe card is formed so as to partially overlap.
1 3 . 前記プローブピンは、 過冷却液体温度域を有するァモルファス合金を材料 とすることを特 :ί敷とする請求項 1から 1 2のいずれかに記載のプローブカード。. 1 3 wherein the probe pin, supercooling JP to the Amorufasu alloy a material having a liquid temperature zone: I laying a probe card according to claim 1 1 2.
1 4 . 前記プローブピンは、 前記保持端を含む保持端部と、 前記保持端部に対し て所定の角度を有するように、一端が前記保持端部に延長して設けられた傾斜部と、 前記傾斜部の他端から延長して設けられ、 前記自由端を含む自由端部とを有し、 前記傾斜部は、 前記突出加重部を有することを特敷とする請求項 1又は 2に記載 のプローブカード。 14. The probe pin includes a holding end including the holding end, and an inclined portion having one end extended from the holding end so as to have a predetermined angle with respect to the holding end, 3. A specially-equipped structure according to claim 1, further comprising a free end portion extending from the other end of the inclined portion, the free end portion including the free end, and the inclined portion having the protruding weight portion. Probe card.
1 5 . 前記プローブピンは、  1 5. The probe pin is
前記保持端を含む保持端部と、  A holding end including the holding end,
—端が前記保持端部から延長して設けられ、 前記保持基板から離れる方向に湾曲 して設けられた湾曲部と、  A curved portion provided with an end extending from the holding end, and curved in a direction away from the holding substrate;
前記湾曲部の他端から延長して設けられ、 前記自由端を含む自由端部と を有し、  A free end portion extending from the other end of the curved portion and including the free end,
前記湾曲部は、 前記突出加重部を有することを特¾¾とする請求項 1又は 2に記載 のプローブカード。 The probe card according to claim 1, wherein the bending portion has the protruding weight portion.
1 6 . 電子部品の端子に接触して前記電子部品を他の電子部品と電気的に接続さ せるために用いる接触子であって、 保持基板に保持される保持端と、 前記保持端の 反対側の自由端と、 前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在する突出加 重部とを有することを特徴とする接触子。 16. A contact that is used to electrically connect the electronic component to another electronic component by contacting a terminal of the electronic component, the contact being held by a holding substrate, and being opposite to the holding end. A contact having a free end on the side and a protruding weight portion extending in a longitudinal direction from the holding end toward the free end.
1 7 . 保持基板に保持される保持端と、 電子部品の端子に接触する自由端とを有 し、 前記電子部品を他の電子部品と電気的に接続するために用いる接触子を製造す' る接触子製造方法であって、  17. Manufacturing a contact that has a holding end held by the holding substrate and a free end that contacts a terminal of the electronic component, and is used for electrically connecting the electronic component to another electronic component. Contact manufacturing method,
基板の前記接触子が形成される領域に、 前記接触子の前記保持端から前記自由端 に向かう長手方向に延在する溝を形成するステップと、  Forming a groove extending in a longitudinal direction from the holding end of the contact to the free end in a region of the substrate where the contact is formed;
前記基板に過冷却液体温度域を有するァモルファス合金層を形成するステツプと、 前記ァモルファス合金層を加熱するステップと、  Forming an amorphous alloy layer having a supercooled liquid temperature range on the substrate; heating the amorphous alloy layer;
前記ァモルファス合金層を冷却するステツプと、  Cooling the amorphous alloy layer;
を備えることを特徴とする接触子製造方法。 , A method for manufacturing a contact, comprising: ,
1 8 . 前記加熱するステップは、 前記アモルファス合金層を前記アモルファス合 金層の前記過冷却液体温度域まで加熱することを特徴とする請求項 1 7に記載の接 触子製造方法。  18. The contact manufacturing method according to claim 17, wherein the heating step heats the amorphous alloy layer to the supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy layer.
1 9 . 前記基板に溝を形成するステップは、 等方性エッチングにより、 断面が U 形状の溝を形成することを特徴とする請求項 1 7に記載の接触子製造方法。  19. The method of manufacturing a contact according to claim 17, wherein the step of forming a groove in the substrate includes forming a groove having a U-shaped cross section by isotropic etching.
2 0 . 前記基板に溝を形成するステップは、 異方性エッチングにより、 断面が V 形状の溝を形成することを特徴とする請求項 1 7に記載の接触子製造方法。  20. The method according to claim 17, wherein the step of forming a groove in the substrate includes forming a groove having a V-shaped cross section by anisotropic etching.
2 1 . 前記基板に溝を形成するステップは、 断面が四角形状の溝を形成すること を特徴とする請求項 1 7に記載の接触子製造方法。  21. The contact manufacturing method according to claim 17, wherein the step of forming a groove in the substrate includes forming a groove having a rectangular cross section.
2 2 . 前記基板の前記プローブピンの前記自由端が形成される領域に、 穴を形成 するステップをさらに備えることを特徴とする請求項 1 7に記載の接触子製造方法。  22. The contact manufacturing method according to claim 17, further comprising: forming a hole in a region of the substrate where the free end of the probe pin is formed.
2 3 . 前記接触子の前記自由端に、 前記電子部品の端子と接触する複数の突起部 を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項 1 7に記載の接触子製 造方法。 23. The method for manufacturing a contact according to claim 17, further comprising the step of forming a plurality of protrusions at the free end of the contact that are in contact with the terminals of the electronic component.
2 4 . 前記複数の突起部を形成するステツプは、 超微粒子ジヱットプリンティン グにより前記複数の突起部を形成することを特徴とする請求項 2 3に記載の接触子 製造方法。 24. The method according to claim 23, wherein the step of forming the plurality of protrusions comprises forming the plurality of protrusions by ultrafine particle jet printing.
2 5 . 前記複数の突起部を形成するステップは、 メツキにより前記複数の突起部 を形成することを特徴とする請求項 2 3に記載の接触子製造方法。  25. The method according to claim 23, wherein the step of forming the plurality of protrusions includes forming the plurality of protrusions by a method.
2 6 . 前記複数の突起部を形成するステップは、 溶射により前記複数の突起部を 形成することを特徴とする請求項 2 3に記載の接触子製造方法。  26. The method of claim 23, wherein the step of forming the plurality of protrusions comprises forming the plurality of protrusions by thermal spraying.
2 7 . 前記基板に、 前記接触子の前記保持端を形成する第 1平面部を形成するス テツプと、  27. A step of forming a first flat portion forming the holding end of the contact on the substrate;
前記基板に、 前記第 1平面部に対して所定の角度を有するように、 一端が前記第 1平面部に延長して設けられた ί頃斜面部を形成するステップと、  Forming, on the substrate, a peripheral slope portion having one end extending from the first plane portion so as to have a predetermined angle with respect to the first plane portion;
前記基板に、 前記傾斜面部の他端から延長して設けられ、 前記プローブピンの前 記自由端が形成される第 2平面部を形成するステップと、  Forming a second plane portion provided on the substrate so as to extend from the other end of the inclined surface portion, wherein the free end of the probe pin is formed;
をさらに備え、 Further comprising
前記溝を形成するステップは、 前記傾斜面部に前記溝を形成し、  Forming the groove, forming the groove on the inclined surface portion;
前記アモルファス合金層を形成するステップは、 前記第 1平面部、 前記傾斜面部 及び前記第 2平面部に前記ァモルファス合金層を形成することを特徴とする請求項 The step of forming the amorphous alloy layer includes forming the amorphous alloy layer on the first plane portion, the inclined surface portion, and the second plane portion.
1 7に記載の接触子製造方法。 17. The method for manufacturing a contact according to item 17.
2 8 . 電子部品の端子に接触し、 前記電子部品の特性を試験するために用いるプ ローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、  28. A probe card manufacturing method for manufacturing a probe card used to test a characteristic of the electronic component by contacting a terminal of the electronic component,
導電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステツプと、 前記保持基板に保持される保持端と、 前記保持端の反対側の自由端と、 前記保持 端から前記自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピン を形成するステップと、  A step of preparing a holding substrate on which a transmission line containing a conductive material is formed; a holding end held by the holding substrate; a free end opposite to the holding end; and a longitudinal direction from the holding end to the free end. Forming a probe pin having a protruding weight extending in the direction;
前記プローブピンの前記保持端を前記保持基板に接合するステツプと  Joining the holding end of the probe pin to the holding substrate;
を備えることを特徴とするプローブカード製造方法。 A method for manufacturing a probe card, comprising:
2 9 · 前記プロープピンを形成するステップは、 基板の前記プローブピンが形成される領域に、 前記プローブピンの前記保持端か ら前記自由端に向かう長手方向に延在する溝を形成するステップと、 2 9 · The step of forming the probe pin includes: Forming a groove extending in a longitudinal direction from the holding end of the probe pin toward the free end in a region of the substrate where the probe pin is formed;
前記基板にスパッタ法によりァモルファス合金層を形成するステツプと、 前記ァモルファス合金層を加熱するステツプと、  A step of forming an amorphous alloy layer on the substrate by sputtering, and a step of heating the amorphous alloy layer.
前記ァモルフ了ス合金層を冷却するステップと  Cooling the alloy layer.
を有することを特徴とする請求項 2 8に記載のプローブカード製造方法。 29. The method for producing a probe card according to claim 28, comprising:
3 0 . 前記保持端を前記保持基板に接合するステップは、 30. The step of joining the holding end to the holding substrate,
前記保持端を前記保持基板に貼り合わせるステップと、  Bonding the holding end to the holding substrate;
前記保持端を前記保持基板に熱圧着するステップと  Thermocompression bonding the holding end to the holding substrate;
を有することを特徴とする請求項 2 8又は 2 9に記載のプローブカード製造方法。 3 1 . 前記ァモルファス合金層を、 前記ァモノレファス合金層の前記過冷却液体温 度域以上であり、 結晶化開始温度以下である温度まで加熱した状態で、 前記自由端 が前記保持基板から離れる方向に湾曲させるステップを更に有することを特徴とす る請求項 2 9に記載のプローブカード製造方法。 30. The method for producing a probe card according to claim 28, wherein the method comprises: 31. In a state where the amorphous alloy layer is heated to a temperature that is equal to or higher than the supercooled liquid temperature range of the ammonorefass alloy layer and equal to or lower than the crystallization start temperature, the free end moves away from the holding substrate. 30. The method for manufacturing a probe card according to claim 29, further comprising a step of bending.
3 2 . 前記アモルファス合金層を前記基板から離脱するステップをさらに備え ることを特徴とする請求項 2 8から 3 1のいずれかに記載のプローブカード製 造方法。  32. The probe card manufacturing method according to any one of claims 28 to 31, further comprising a step of separating the amorphous alloy layer from the substrate.
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