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JP4812967B2 - Method of manufacturing a probe card and probe card - Google Patents

Method of manufacturing a probe card and probe card

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JP4812967B2
JP4812967B2 JP2001159616A JP2001159616A JP4812967B2 JP 4812967 B2 JP4812967 B2 JP 4812967B2 JP 2001159616 A JP2001159616 A JP 2001159616A JP 2001159616 A JP2001159616 A JP 2001159616A JP 4812967 B2 JP4812967 B2 JP 4812967B2
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明 下河辺
亘 奈良崎
誠一 秦
武尚 蛸島
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明 下河辺
株式会社アドバンテスト
誠一 秦
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、プローブカード及びプローブカードの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a flop Robuka de及 beauty probe card. 特に本発明は、プローブピンの大きさを変えることなく、プローブピンの加重を増加させ、剛性を高めたプローブカード及びプローブカードの製造方法に関する。 In particular, the present invention is, without changing the size of the probe pins, increasing the load of the probe pin, a method of manufacturing a flop Robuka de及 beauty probe card with enhanced rigidity.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
プローブピン等の接触子の剛性は、プローブピンを形成する材料のヤング率及びプローブピンの重さにより決定される。 Rigidity of contact of the probe pin or the like is determined by the weight of the Young's modulus and the probe pins of the material forming the probe pin. プローブピンの剛性を高めることにより、プローブピンと電子部品の端子との接触抵抗を低減することができる。 By increasing the rigidity of the probe pins, it is possible to reduce the contact resistance between the probe pin and the electronic component terminal. プローブピンの剛性を高める方法として、プローブピンの長さ、幅及び厚さ等の寸法を変更することが考えられる。 As a method for increasing the rigidity of the probe pins, the length of the probe pins, it is conceivable to change the dimensions of such width and thickness.
【0003】 [0003]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかし、基板表面に金属又はアモルファス合金層等をスパッタして薄層を形成してプローブピンを製造する方法では、プローブピンの剛性を高めるほどにプローブピンの厚さを厚くするのは困難である。 However, in the method of manufacturing a probe pin to form a sputtered to thin layer of a metal or amorphous alloy layer or the like on the substrate surface, it is difficult to increase the thickness of the probe pin as enhance the rigidity of the probe pin . また、プローブカードで特性を試験すべき電子部品の形状及び大きさに対応させるため、プローブピンの寸法を変更するのは好ましくない。 Further, in order to correspond to the shape and size of the electronic component to be tested characteristics probe card, it is not preferable to change the dimensions of the probe pin.
【0004】 [0004]
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる接触子、プローブカード、接触子の製造方法及びプローブカードの製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention aims at providing a contact, probe card, a manufacturing method of preparation and the probe card of the contact that can solve the above problems. この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。 This object is achieved by combinations described in the independent claims. また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。 The dependent claims define further advantageous specific examples of the present invention.
【0005】 [0005]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
即ち、本発明の第1の形態によると、電子部品の端子に接触し、電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードであって、保持基板と、保持基板に保持される保持端を含む保持端部と、保持端部に対して所定の角度を有するように、一端が保持端部に延長して設けられた傾斜部と、傾斜部の他端から延長して設けられ、保持端の反対側の自由端を含む自由端部とを有するプローブピンと、保持基板に設けられ、プローブピンと電気的に接続された伝送線路とを備え、傾斜部は、保持端から自由端に向かう長手方向に延在し、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出した突出加重部を有するプローブカードを提供する。 That includes According to a first aspect of the present invention, in contact with the terminal of the electronic component, a probe card used for testing the characteristics of electronic components, and the holding substrate, the holding end held by the holding substrate a holding end portion, so as to have a predetermined angle with respect to the holding end portion, an inclined portion having one end provided so as to extend to the holding end portion, provided to extend from the other end of the inclined portion, the holding end of the a probe pin having a free end portion including the free end of the opposite side, provided in the holding substrate, and a probe pin and electrically connected to the transmission line, the inclined portion, in the longitudinal direction toward the free end of the holding end extending to, indentations from one surface of the probe pin, provides a probe card having a projecting weight portion protruding on the side opposite the one side.
【0006】 [0006]
出加重部は、幅方向の断面がV形状であってよい。 Weighted portion out collision in the width direction of the cross section may be V-shaped. また、突出加重部は、幅方向の断面がU形状であってもよい。 Further, the protruding weighting portion in the width direction of the cross section may be U-shaped.
【0007】 [0007]
出加重部は、自由端から所定の距離を隔てた位置に形成されてもよい。 Weighted portion out collision may be formed at a position spaced a predetermined distance from the free end. プローブピンは、自由端に、電子部品の端子と接触する複数の突起部を有してよい。 Probe pin, the free end may have a plurality of projections in contact with the electronic components of the terminal. プローブピンは、自由端に、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出すように形成され、電子部品の端子と接触する接触突出部を有してもよい。 Probe pin, the free end, dents from one surface of the probe pin, is formed so as to project on the side opposite the one side, may have a contact protrusion that contacts the electronic component terminal.
【0008】 [0008]
プローブピンは、複数の突出加重部を有するのが好ましい。 Probe pin preferably has a plurality of projecting weights section. 複数の突出加重部は、幅方向に一部が重なるように形成されてよい。 A plurality of projecting weights portion may be formed so as to partially overlap in the width direction. 複数の突出加重部は、幅方向に少なくとも3列に設けられ、中心の列に設けられた突出加重部は、幅方向において、両端の列に設けられた突出加重部と一部が重なるように形成されてよい。 A plurality of projecting weights portion is provided in at least three rows in the width direction, projecting the weighted portion provided on the column of the center in the width direction, so as to overlap a portion and projecting weighted portion provided on the column at both ends it may be formed. 複数の突出加重部は、プローブピンにおいて均等に配置されるのが好ましい。 A plurality of projecting weights portion is preferably equally arranged in the probe pins.
プローブピンは、過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料とするのが好ましい。 Probe pin, preferably an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range and material.
【0009】 [0009]
由端部は保持端部と平行又は保持端部から離れる方向に延在してよい。 Self Yoshitan portion may extend in a direction away from the parallel or the holding end and holding end portion.
【0017】 [0017]
本発明の第4の形態によると、電子部品の端子に接触し、電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、導電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステップと、保持基板に保持される保持端と、保持端の反対側の自由端と、保持端から自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピンを形成するステップと、プローブピンの保持端を保持基板に接合するステップとを備え、プローブピンを形成するステップは、基板のプローブピンが形成される領域に、プローブピンの保持端から自由端に向かう長手方向に延在し、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出した溝を形成するステップと、基板にスパッタ法によりアモルファス合 Formed according to a fourth embodiment of the present invention, in contact with the terminal of the electronic component, a probe card manufacturing method of manufacturing a probe card used to test the characteristics of the electronic components, the transmission line comprising a conductive material probe pin having a step for preparing a the holding substrate, and a holding end which is held by the holding substrate, and opposite the free end of the retaining edge, and a protruding weighted portion extending in the longitudinal direction toward the free end of the holding end forming a, and a step of bonding the holding ends of the probe pins to hold the substrate, forming a probe pin, the area where the probe pins of the substrate is formed, the free end of the holding end of the probe pins directed longitudinally extend, indentations from one surface of the probe pin, amorphous if forming a groove projecting on the opposite side surface side of one side, by a sputtering method on the substrate 層を形成するステップと、アモルファス合金層を加熱するステップと、アモルファス合金層を冷却するステップとを有するプローブカード製造方法を提供する。 Providing a step of forming a layer, and heating the amorphous alloy layer, a probe card manufacturing method and a step of cooling the amorphous alloy layer.
【0019】 [0019]
保持端を保持基板に接合するステップは、保持端を保持基板に貼り合わせるステップと、保持端を保持基板に熱圧着するステップとを有してよい。 Bonding a holding end on the holding substrate includes the steps of bonding the holding end in the holding substrate, the holding substrate holding end may have a step of thermocompression bonding.
プローブカードの製造方法は、アモルファス合金層を基板から離脱するステップをさらに備えてもよい。 Method of manufacturing a probe card, an amorphous alloy layer may further comprise the step of leaving from the substrate.
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。 The summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention may also be a sub-combination of these described features.
【0020】 [0020]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 The present invention will be described below through an embodiment of the invention, solving the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention, and all combinations of features described in the embodiments are INVENTION not necessarily essential to the means.
【0021】 [0021]
図1は、本発明の一実施形態に係るプローブカード10を示す斜視図である。 Figure 1 is a perspective view showing a probe card 10 according to an embodiment of the present invention.
図1(a)に示すように、プローブカード10は、保持基板(図示しない)と、プローブピン14と、保持基板に設けられ、プローブピン14と電気的に接続される伝送線路(図示しない)とを有する。 As shown in FIG. 1 (a), the probe card 10 has a holding substrate (not shown), the probe pins 14, provided on the holding substrate, the probe pins 14 electrically connected to the transmission line (not shown) with the door. プローブピン14は、金バンプ62を介して保持基板に接合される。 The probe pin 14 is joined to the holding substrate via a gold bump 62. プローブピン14は、保持基板に保持される保持端16と、保持端16の反対側の自由端18と、保持端16から自由端18に向かう長手方向に延在する突出加重部20とを有する。 The probe pin 14 has a retaining end 16 held by the holding substrate, the opposite side of the free end 18 of the retaining end 16, and a protrusion weighted portion 20 extending in the longitudinal direction toward the free end 18 from the holding end 16 . 突出加重部20は、自由端18にわたって形成されるのが好ましい。 Projecting the weighted portion 20 is preferably formed over the free end 18. 例えば、プローブピン14の厚さが約5μmのとき、突出加重部20の深さは2〜20μmであるのが好ましく、より好ましくは、5〜15μmである。 For example, when the thickness of the probe pin 14 is about 5 [mu] m, the depth of the projecting weighted portion 20 is preferably a 2 to 20 [mu] m, more preferably 5 to 15 [mu] m.
【0022】 [0022]
プローブピン14は、アモルファス合金を材料として形成されるのが好ましい。 The probe pin 14 is preferably formed of amorphous alloy as a material. アモルファス合金は、例えば金属ガラス等の、所定の温度領域で非晶質相から過冷却液体域である流動層へ可逆的に相転移する非晶質合金であればどのような金属を含んでもよい。 Amorphous alloys are, for example, a metal glass, may include any metal as long as amorphous alloy which reversibly phase transition to the fluidized layer is supercooled liquid phase region from the amorphous phase at a predetermined temperature region . アモルファス合金は、例えば、パラジウム、ジルコニウム、又はプラチナ等の金属を主成分として含むのが好ましい。 Amorphous alloys are, for example, palladium, comprise zirconium, or a metal such as platinum as a main component preferable. アモルファス合金がパラジウム又はプラチナ等の金属を主成分として含む場合、アモルファス合金はさらに、銅及び/又はシリコンを含んでもよい。 If the amorphous alloy containing a metal as a main component, such as palladium or platinum, amorphous alloy may further comprise copper and / or silicon. 他の例において、プローブピン14は、例えばアルミやタングステン等の金属又は合金を材料として形成されてもよい。 In another example, the probe pin 14, for example, a metal or alloy such as aluminum or tungsten may be formed as a material.
【0023】 [0023]
本実施例において、突出加重部20は、プローブピン14の金バンプ62に接合される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成される。 In this embodiment, projecting the weighted portion 20 is formed to project in a direction opposite to the surface from the surface side to be joined to the gold bumps 62 of the probe pin 14. そのため、自由端18にわたって形成された突出加重部20が、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。 Therefore, the protrusion weight portion 20 formed over the free end 18 may function as a contact in contact with the terminal of the electronic component.
他の例において、突出加重部20は、プローブピン14の金バンプ62に接合される面側から反対側の面の方向にへこむように形成されてもよい。 In another example, projecting the weighted portion 20 may be formed as recessed toward the opposite surface from the surface side to be joined to the gold bumps 62 of the probe pin 14.
【0024】 [0024]
図1(b)に示すように、突出加重部20は、自由端18から所定の距離を隔てた位置に形成されてもよい。 As shown in FIG. 1 (b), projecting weighting unit 20 may be formed at a position spaced a predetermined distance from the free end 18. この場合、プローブピン14は、電子部品の端子に接触する突起部22を自由端18に有するのが好ましい。 In this case, the probe pins 14 preferably has a projection 22 in contact with the terminal of the electronic component to the free end 18. 本実施例において、プローブピン14は、複数の突起部22を有する。 In this embodiment, the probe pin 14 has a plurality of protrusions 22.
【0025】 [0025]
プローブピン14は複数の突起部22を有するので、プローブピン14を電子部品の端子の方向に押圧するときに、複数の突起部22のいずれかが電子部品の端子と接触するので、プローブピン14と電子部品とをより確実に接続することができる。 Since the probe pin 14 has a plurality of projections 22, when pressing the probe pins 14 in the direction of the electronic components of the terminal, since any of a plurality of projections 22 is in contact with the terminal of the electronic component, the probe pins 14 it is possible to reliably connect the electronic component and. さらに、プローブピン14が突起部22を有するので、より確実に電子部品の端子の酸化膜を除去することができる。 Furthermore, since the probe pin 14 has a projection 22, it is possible to more reliably remove the oxide film of the electronic component terminal. ひいては、端子とプローブピン14との接触抵抗を低減させることができるため、より効率よく電子部品に信号を供給することができる。 Hence, it is possible to reduce the contact resistance between the terminal and the probe pin 14, it is possible to provide a signal to more efficiently electronic components.
【0026】 [0026]
図1(c)に示すように、プローブピン14は、複数の突出加重部20を有するのが好ましい。 As shown in FIG. 1 (c), the probe pin 14 preferably has a plurality of projecting the weighted portion 20. この場合、各突出加重部20は、プローブピン14の長手方向において、プローブピン14の長手方向の長さの半分以下の長さを有するのが好ましい。 In this case, each projection weighting unit 20, in the longitudinal direction of the probe pin 14 preferably has a longitudinal length less than half the length of the probe pins 14. 本実施例において、プローブピン14が複数の突出加重部20を有するので、プローブピン14の荷重が増加しても、プローブピン14の金バンプ62に接合された根元部分にかかるストレスを分散することができる。 In the present embodiment, since the probe pins 14 has a plurality of projections weighting portion 20, also the load of the probe pins 14 is increased, to disperse a stress applied to the root portion that is bonded to the gold bumps 62 of the probe pin 14 can.
【0027】 [0027]
また、他の例において、複数の突出加重部20はプローブピン14の自由端18にわたって形成されてもよい。 Further, in another example, a plurality of projecting weights 20 may be formed over the free end 18 of the probe pin 14. この場合、突出加重部20は、プローブピン14の金バンプ62に接合される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成されるのが好ましい。 In this case, projecting the weighted portion 20 is preferably formed to project in a direction opposite to the surface from the surface side to be joined to the gold bumps 62 of the probe pin 14. 突出加重部20をこのように形成すると、自由端18にわたって形成された突出加重部20が、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。 When the protrusion weighted portion 20 is formed in this manner, the protrusion weight portion 20 formed over the free end 18 may function as a contact in contact with the terminal of the electronic component.
【0028】 [0028]
図2は、複数の突出加重部20を有するプローブピン14の他の例を示す上面図である。 Figure 2 is a top view showing another example of the probe pin 14 having a plurality of projecting the weighted portion 20.
図2(a)及び図2(b)に示すように、突出加重部20は、プローブピン14の幅方向において、左右対称に設けられてもよい。 As shown in FIG. 2 (a) and 2 (b), projecting weighting unit 20 in the width direction of the probe pin 14 may be provided symmetrically. 図2(a)において、破線で示したように、複数の突出加重部20は、幅方向に一部が重なるように形成されるのが好ましい。 In FIG. 2 (a), as indicated by a broken line, a plurality of projecting weights 20 are preferably formed so as to partially overlap in the width direction. プローブピン14が、幅方向に3列に設けられた複数の突出加重部20を有するとき、中心の列に設けられた突出加重部20は、幅方向において、両端の列に設けられた突出加重部20と一部が重なるように形成されるのが好ましい。 The probe pin 14, when having a plurality of projecting weights portion 20 provided in three rows in the width direction, protruding weighting unit 20 provided in the column of the center in the width direction, protruding weights provided in column ends preferably, part and parts 20 are formed so as to overlap. 複数の突出加重部20を、プローブピン14の幅方向において、一部が重なるように形成することにより、プローブピン14の剛性を増加することができる。 A plurality of projections weight portion 20 in the width direction of the probe pin 14, by forming so as to partially overlap, it is possible to increase the rigidity of the probe pin 14.
【0029】 [0029]
さらに、複数の突出加重部20は、隣接する列において、幅方向にずれて形成されるのが好ましい。 Further, a plurality of projecting weights 20, in the adjacent column, preferably formed offset in the width direction. 突出加重部20は、プローブピン14の幅方向において、1列目にN個形成されるとき、隣の列にはN−1、N又はN+1個、さらに隣の列にはN個…のように、奇数列毎及び偶数列毎に同じ個数形成されるのが好ましい。 Projecting weighting unit 20 in the width direction of the probe pin 14, when it is the N formed in the first column, N-1 is next to the column, N or (N + 1), the N ... as the further adjacent column to preferably be the same number formed for each odd column and each even-numbered columns. また、突出加重部20は、プローブピン14に均等に配置されるように形成されるのが好ましい。 Further, projecting the weighted portion 20 is preferably formed so as to be uniformly arranged in the probe pin 14.
【0030】 [0030]
また、図2(c)及び図2(d)に示すように、突出加重部20は、プローブピン14の幅方向において、左右非対称に設けられてもよい。 Further, as shown in FIG. 2 (c) and FIG. 2 (d), the protruding weighting unit 20 in the width direction of the probe pin 14 may be provided asymmetrically.
図2(e)に示すように、プローブピン14が、幅方向に3列に設けられた複数の突出加重部20を有するとき、複数の突出加重部20は、幅方向に互いに重ならないように形成されてもよい。 As shown in FIG. 2 (e), the probe pin 14, when having a plurality of projecting weights portion 20 provided in three rows in the width direction, the plurality of protruding weighting portion 20, so as not to overlap each other in the width direction it may be formed. 複数の突出加重部20を、プローブピン14の幅方向において、互いに重ならないように形成することにより、プローブピン14の保持基板12に保持された根元部分に生じるストレスを分散することができる。 A plurality of projections weight portion 20 in the width direction of the probe pin 14, by forming so as not to overlap with each other, it is possible to disperse the stress generated in the retained root portion to hold the substrate 12 of the probe pin 14.
【0031】 [0031]
プローブピン14に形成される突出加重部20は、必要とされる剛性に応じて、又は保持基板12に保持された根元部分に生じるストレスを考慮して、深さ、長手方向の長さ、本数、配置、幅方向における重なりを設計して形成されるのが好ましい。 The protruding weighting portion 20 formed on the probe pin 14, depending on the stiffness required, or taking into account the stress generated in retained root portion to the holding substrate 12, the depth, longitudinal length, number arrangement preferably formed by designing the overlap in the width direction.
【0032】 [0032]
図3は、図2(a)のA−A'断面図である。 Figure 3 is an A-A 'sectional view of FIG. 2 (a).
図3(a)に示すように、突出加重部20は、幅方向の断面がV形状であるのが好ましい。 As shown in FIG. 3 (a), projecting the weighted portion 20 is preferably a width direction of the cross-section V-shaped. また、図3(b)に示すように、突出加重部20は、幅方向の断面がU形状であってもよい。 Further, as shown in FIG. 3 (b), projecting weighting section 20, the width direction of the cross section may be U-shaped.
【0033】 [0033]
また、 図3(c)に示すように、他の例において、突出加重部20は、保持端16から自由端18に向かう長手方向に延在する突出部であってもよい。 Further, as shown in FIG. 3 (c), in another embodiment, the projecting weighting unit 20 may be a protrusion extending in the longitudinal direction toward the free end 18 from the holding end 16. この場合、突出加重部20は、プローブピン14が形成される材料と同じ材料で形成されるのが好ましい。 In this case, projecting the weighted portion 20 is preferably formed of the same material as the probe pins 14 are formed. 突出加重部20は、スパッタリングを用いてリフトオフ又はエッチングにより図1及び図2に示した配置に形成されるのが好ましい。 Projecting weighting unit 20, by a lift-off or etching using a sputtering being formed in the arrangement shown in FIGS. 1 and 2 preferred.
【0034】 [0034]
図4は、図1(c)に示したプローブカード10の製造方法の一例を示す工程図である。 Figure 4 is a process diagram showing an example of a method of manufacturing the probe card 10 shown in Figure 1 (c).
まず、図4(a)に示すように、シリコン等の基板30のプローブピン14が形成される領域14aに、プローブピン14の保持端16から自由端18に向かう長手方向に延在する溝32を形成する。 First, as shown in FIG. 4 (a), a groove 32 in the region 14a in which the probe pins 14 of the substrate 30 of silicon or the like is formed, extending in the longitudinal direction toward the free end 18 from the holding end 16 of the probe pin 14 to form. 溝32は、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより形成されるのが好ましい。 Groove 32 is preferably formed by etching such as dry etching or wet etching. 溝32は、複数形成されるのが好ましい。 Groove 32 is preferably formed with a plurality. 溝32は、図1及び図2に示したプローブピン14における突出加重部20の配置に対応するように形成されるのが好ましい。 Groove 32 is preferably formed so as to correspond to the arrangement of the projecting weighted portion 20 of the probe pin 14 shown in FIGS.
【0035】 [0035]
次に、図4(b)に示すように、基板30の領域14aにアモルファス合金をスパッタリングしてプローブピン14となるアモルファス合金層を形成する。 Next, as shown in FIG. 4 (b), to form an amorphous alloy layer serving as the probe pin 14 by sputtering an amorphous alloy in the region 14a of the substrate 30. アモルファス合金層は、領域14a以外の領域にレジスト層を形成した後にスパッタリングするリフトオフ法によりプローブピン14の形状に形成してもよい。 Amorphous alloy layer may be formed in the shape of the probe pin 14 by a lift-off method in which sputtering after forming a resist layer in a region other than the region 14a. また、アモルファス合金層14は、アモルファス合金を基板30の全面にスパッタリングした後に、領域14a以外の領域のアモルファス合金層をエッチングにより除去することによりプローブピン14の形状に形成してもよい。 Furthermore, amorphous alloy layer 14 is, after sputtering amorphous alloys on the entire surface of the substrate 30, an amorphous alloy layer in the region other than the region 14a may be formed in a shape of the probe pin 14 is removed by etching.
【0036】 [0036]
続いて、アモルファス合金層を加熱する。 Followed by heating the amorphous alloy layer. アモルファス合金層は、アモルファス合金のガラス転移温度より高い温度まで加熱するのが好ましい。 Amorphous alloy layer is preferably heated to a temperature above the glass transition temperature of the amorphous alloy. 本実施形態において、アモルファス合金層は、アモルファス合金のガラス転移温度以上、結晶化開始温度以下である過冷却液体域まで加熱する。 In this embodiment, the amorphous alloy layer is amorphous alloy above the glass transition temperature of heated to the supercooled liquid phase region which is below the crystallization start temperature. その後、アモルファス合金層を冷却する。 Thereafter, cooling the amorphous alloy layer. アモルファス合金層をガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。 It preferred amorphous alloy layer to cool to a temperature below the glass transition temperature. アモルファス合金層は、自然冷却により冷却されてよい。 Amorphous alloy layer may be cooled by natural cooling.
【0037】 [0037]
その後、図4(c)に示すように、プローブピン14の保持端16に金バンプ62を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 4 (c), to form the gold bump 62 on the holding end 16 of the probe pin 14. 次に、図4(d)に示すように、プローブピン14を基板30から離脱する。 Next, as shown in FIG. 4 (d), leaving the probe pin 14 from the substrate 30. プローブピン14は、基板30のアモルファス合金層であるプローブピン14との接続部分をエッチングすることにより基板30から離脱してもよい。 The probe pin 14 may be detached from the substrate 30 by etching a connecting portion between the probe pin 14 is an amorphous alloy layer of the substrate 30. エッチングは、例えば水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチング又はXeF を用いたドライエッチング等により行うのが好ましい。 Etching, for example, preferably carried out by dry etching using a wet etching or XeF 2 using potassium hydroxide solution.
【0038】 [0038]
そして、図4(e)に示すように、プローブピン14の自由端18に、電子部品の端子と接触する複数の突起部22を形成する。 Then, as shown in FIG. 4 (e), the free end 18 of the probe pins 14 to form a plurality of protrusions 22 in contact with the electronic components of the terminal. 複数の突起部22は、超微粒子ジェットプリンティングにより形成してよい。 A plurality of projections 22 may be formed by ultrafine particles jet printing. 複数の突起部22は、メッキにより形成してもよい。 A plurality of projections 22 may be formed by plating. さらに、複数の突起部22は、溶射により形成してもよい。 Further, a plurality of projections 22 may be formed by thermal spraying. 本実施形態において、プローブピン14は複数の突起部22を有するので、プローブピン14を電子部品の端子の方向に押圧するときに、複数の突起部22のいずれかが電子部品の端子と接触するので、プローブピン14と電子部品とをより確実に接続することができる。 In the present embodiment, since the probe pins 14 has a plurality of projections 22, when pressing the probe pins 14 in the direction of the electronic components of the terminal, any of the plurality of projections 22 is in contact with the terminal of the electronic component since, it is possible to connect the probe pin 14 and the electronic component more reliably.
【0039】 [0039]
図示していないが、プローブピン14を基板30から離脱する前に、金バンプ62を介して保持基板と接合させてもよい。 Although not shown, before leaving the probe pin 14 from the substrate 30 may be bonded with the holding substrate via a gold bump 62. この場合、まず、プローブピン14の保持端16を保持基板に位置合わせする。 In this case, first, to align the holding end 16 of the probe pin 14 to hold the substrate. その後、保持端16を保持基板に貼り合わせる。 Then, attaching the holding end 16 to hold the substrate. 保持端16は、保持基板の伝送線路を介して保持基板に貼り合わされるのが好ましい。 Holding ends 16 are preferably bonded to the holding substrate via the transmission line of the holding substrate. その後、金バンプ62を介して熱圧着により保持端16を保持基板に接合する。 Then bonded to the holding substrate holding end 16 by thermocompression bonding through the gold bump 62. 熱圧着は、金バンプ62を介さず、直接行ってもよい。 Thermocompression bonding, without using the gold bump 62 may be performed directly. プローブピン14の保持端16の保持基板への接合は、フリップチップボンダ等を用いて一連の動作で行うのが好ましい。 Bonding to hold the substrate holding end 16 of the probe pin 14 is preferably carried out in a series of operations using a flip chip bonder or the like. また、熱圧着は、アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度の温度で行うのが好ましい。 Furthermore, thermocompression bonding is preferably amorphous alloy layer is carried out at a temperature at which not heated to the supercooled liquid phase region. また、プローブピン14は、基板30から離脱した後に、金バンプ62を介して保持基板に接合させてもよい。 The probe pins 14, after separated from the substrate 30 may be bonded to the holding substrate via a gold bump 62.
【0040】 [0040]
他の例において、プローブピン14を保持基板12に接合する前に、プローブピン14において保持基板12に保持される領域のみ基板30から離脱してもよい。 In another example, prior to joining the probe pins 14 in the holding substrate 12 may be out of the region only the substrate 30 held by the holding substrate 12 in the probe pin 14. そして、保持基板を、基板30と同じ側からプローブピン14に接合させてもよい。 Then, the holding substrate, may be bonded from the same side as the substrate 30 to the probe pins 14.
【0041】 [0041]
図5は、図4(b)に示す基板30とアモルファス層のB−B'断面図である。 Figure 5 is a B-B 'sectional view of the substrate 30 and the amorphous layer shown in Figure 4 (b).
図5(a)に示すように、溝32は、幅方向の断面がV形状であるのが好ましい。 As shown in FIG. 5 (a), the groove 32 is preferably a width direction of the cross-section V-shaped. この場合、溝32は、異方性エッチングにより形成するのが好ましい。 In this case, grooves 32 are preferably formed by anisotropic etching. 図5(b)に示すように、溝32は、幅方向の断面がU形状であってもよい。 As shown in FIG. 5 (b), the groove 32 in the width direction of the cross section may be U-shaped. この場合、溝32は、等方性エッチングにより形成するのが好ましい。 In this case, the groove 32 is preferably formed by isotropic etching.
【0042】 [0042]
図6は、図1(c)に示したプローブカード10の製造方法の他の例を示す工程図である。 Figure 6 is a process diagram showing another example of a method of manufacturing a probe card 10 shown in Figure 1 (c).
本実施例においては、図4を用いて説明したプローブカード10の製造方法と同様の工程は説明を省略する。 In the present embodiment, the same steps as the method of manufacturing the probe card 10 described with reference to FIG. 4 will be omitted.
【0043】 [0043]
まず、図6(a)に示すように、基板30のプローブピン14が形成される領域14aに、溝32を形成する。 First, as shown in FIG. 6 (a), the region 14a where the probe pins 14 of the substrate 30 is formed, to form the groove 32. また、基板30のプローブピン14の自由端18が形成される領域に、穴34を形成する。 Further, in a region where the free end 18 of the probe pins 14 of the substrate 30 is formed, to form a hole 34. ここで、穴34は複数形成されてもよい。 Here, the hole 34 may be formed in plurality. 溝32及び穴34は、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより形成されるのが好ましい。 Grooves 32 and holes 34 are preferably formed by etching such as dry etching or wet etching. 溝32及び穴34は、異方性エッチングにより形成されてもよく、また等方性エッチングにより形成されてもよい。 Grooves 32 and holes 34 may be formed by anisotropic etching, or may be formed by isotropic etching.
【0044】 [0044]
次に、図6(b)に示すように、基板30の領域14aにアモルファス合金をスパッタリングしてプローブピン14となるアモルファス合金層を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (b), to form an amorphous alloy layer serving as the probe pin 14 by sputtering an amorphous alloy in the region 14a of the substrate 30.
続いて、アモルファス合金層を加熱する。 Followed by heating the amorphous alloy layer. そして、アモルファス合金層を冷却する。 Then, cooling the amorphous alloy layer. その後、図6(c)に示すように、プローブピン14の保持端16に金バンプ62を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 6 (c), to form the gold bump 62 on the holding end 16 of the probe pin 14.
【0045】 [0045]
次に、図6(d)に示すように、プローブピン14を基板30から離脱する。 Next, as shown in FIG. 6 (d), leaving the probe pin 14 from the substrate 30. 本実施例における工程により製造されたプローブカード10のプローブピン14は、自由端18に、電子部品の端子と接触する方向に突き出た接触突出部22を有する。 Probe pins 14 of the probe card 10 manufactured by the process in this embodiment, the free end 18 has a contact projection 22 projecting in a direction in contact with the electronic components of the terminal. この場合、接触突出部22は、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。 In this case, the contact protrusion 22 can function as a contact in contact with the terminal of the electronic component.
【0046】 [0046]
図7は、プローブカード10の他の例を示す斜視図である。 Figure 7 is a perspective view showing another example of the probe card 10.
図7(a)に示すように、本実施例におけるプローブカード10のプローブピン14は、保持端16を含む保持端部24と、保持端部24に対して所定の角度を有するように、一端が保持端部24に延長して設けられた傾斜部26と、保持端部24に平行するように、傾斜部26の他端に延長して設けられ、自由端18を含む自由端部28とを有する。 As shown in FIG. 7 (a), the probe pins 14 of the probe card 10 in the present embodiment, the holding end portion 24 including the holding ends 16, so as to have a predetermined angle with respect to the holding end 24, one end There an inclined portion 26 provided to extend to the holding end portion 24, so as to be parallel to the holding end portion 24, is provided to extend to the other end of the inclined portion 26, a free end portion 28 including the free end 18 having. 傾斜部26は、弾性部として機能する。 Inclined portion 26 functions as an elastic part. プローブピン14は、傾斜部26に、保持端16から自由端18に向かう長手方向に延在する突出加重部20を有する。 The probe pin 14, the inclined portion 26 has an overhang weighted portion 20 extending in the longitudinal direction toward the free end 18 from the holding end 16. プローブピン14は、自由端18に、電子部品の端子と接触する複数の突起部22を有するのが好ましい。 The probe pin 14, the free end 18 preferably has a plurality of projecting portions 22 in contact with the electronic components of the terminal.
【0047】 [0047]
図7(b)に示すように、プローブピン14は、自由端部28に、電子部品の端子と接触する方向に突き出た接触突出部を有してもよい。 As shown in FIG. 7 (b), the probe pin 14, the free end 28 may have a contact ridge protruding in a direction in contact with the electronic components of the terminal.
本実施例において、プローブピン14が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン14と電子部品とを容易に接続することができる。 In the present embodiment, since the probe pin 14 has a shape bent in a direction in contact with terminals of the electronic component can be easily connected to the probe pin 14 and the electronic component.
【0048】 [0048]
図8は、図7(a)に示したプローブカード10の製造方法を示す工程図である。 Figure 8 is a process diagram showing a method for manufacturing a probe card 10 shown in Figure 7 (a).
まず、図8(a)に示すように、プローブピン14の保持端16を形成する第1平面部42と、第1平面部42に対して所定の角度θを有するように、一端が第1平面部42に延長して設けられた傾斜面部44とを有する第1基板40を準備する。 First, as shown in FIG. 8 (a), a first flat portion 42 forming a retaining end 16 of the probe pin 14, so as to have a predetermined angle θ relative to the first flat portion 42, one end of the first preparing a first substrate 40 having the inclined surface portion 44 provided to extend to the flat portion 42. 角度θは、例えば30度から60度、好ましくは54.7度であってよい。 The angle theta, for example 60 ° to 30 °, preferably, from 54.7 degrees.
【0049】 [0049]
そして、図8(b)に示すように、第1基板40を、プローブピン14の自由端18が形成される第2平面部52を有する第2基板50に貼り合わせる。 Then, as shown in FIG. 8 (b), bonding the first substrate 40, a second substrate 50 having a second planar portion 52 of the free end 18 of the probe pin 14 is formed. 第1基板40及び第2基板50は、第2平面部52が傾斜面部44の他端に延長して設けられるように貼り合わせるのが好ましい。 The first substrate 40 and second substrate 50 is preferably the second flat section 52 that attached to each other so provided to extend to the other end of the inclined surface portion 44. また、第2平面部52は、第1平面部42に平行であるのが好ましい。 The second planar portion 52 is preferably parallel to the first flat section 42. 本実施例においては、第1基板40及び第2基板50を用いてプローブピン14を形成したが、他の例において、例えばエッチングにより、第1平面部42、傾斜面部44及び第2平面部52が形成された単一の基板を用いてもよい。 In the present embodiment has formed the probe pin 14 with the first substrate 40 and second substrate 50, in other instances, for example, by etching, the first planar portion 42, inclined surface 44 and the second flat section 52 it may be used single substrate but formed.
【0050】 [0050]
次に、傾斜面部44に、第1平面部42から第2平面部52の方向に向かう方向に延在する溝32を形成する。 Then, the inclined surface portion 44 to form grooves 32 extending in the direction from the first planar portion 42 in the direction of the second flat portion 52. 溝32は、傾斜面部44にレジストでパターニングして、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングすることにより形成するのが好ましい。 Groove 32, is patterned with resist in the inclined surface portion 44, preferably formed by etching such as dry etching or wet etching. 溝32は、異方性エッチングによりV形状に形成されるのが好ましい。 Groove 32 is preferably formed in a V shape by anisotropic etching. 溝32は、等方性エッチングによりU形状に形成されてもよい。 Grooves 32 may be formed in a U shape by isotropic etching. また、傾斜面部44には、複数の溝32が形成されるのが好ましい。 Further, the inclined surface portion 44 is preferably a plurality of grooves 32 are formed.
【0051】 [0051]
続いて、図8(c)に示すように、第1基板40の第1平面部42及び傾斜面部44及び第2基板50の第2平面部52にスパッタ法によりアモルファス合金層60を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 8 (c), to form an amorphous alloy layer 60 by sputtering to a second planar portion 52 of the first planar portion 42 and the inclined surface portion 44 and the second substrate 50 of the first substrate 40. そして、アモルファス合金層60を加熱する。 Then, heating the amorphous alloy layer 60. アモルファス合金層60は、材料として用いるアモルファス合金のガラス転移温度より高い温度まで加熱するのが好ましい。 Amorphous alloy layer 60 is preferably heated to a temperature above the glass transition temperature of the amorphous alloy used as a material. 本実施形態において、アモルファス合金層60は、アモルファス合金のガラス転移温度以上、結晶化開始温度以下である過冷却液体域まで加熱する。 In this embodiment, the amorphous alloy layer 60 is an amorphous alloy above the glass transition temperature of heated to the supercooled liquid phase region which is below the crystallization start temperature. その後、アモルファス合金層60を冷却する。 Thereafter, cooling the amorphous alloy layer 60. アモルファス合金層60をアモルファス合金のガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。 Preferably cooled amorphous alloy layer 60 to a temperature lower than the glass transition temperature of the amorphous alloy. アモルファス合金層60は、自然冷却により冷却してもよい。 Amorphous alloy layer 60 may be cooled by natural cooling.
【0052】 [0052]
その後、図8(d)に示すように、アモルファス合金層60の不必要な部分をエッチング等により除去して、保持端部24、傾斜部26及び自由端部28を有するプローブピン14を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 8 (d), an unnecessary portion of the amorphous alloy layer 60 is removed by etching or the like, to form the probe pin 14 having a holding end 24, the inclined portion 26 and a free end portion 28 . そして、図8(e)に示すように、プローブピンの保持端部24に、金バンプ62を形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (e), the holding end 24 of the probe pin, to form the gold bump 62. 他の例において、金バンプ62は、プローブピンと貼り合わせる保持基板12側に形成してもよい。 In another example, the gold bumps 62 may be formed on the holding substrate 12 side to bond the probe pins.
【0053】 [0053]
図8(f)に示すように、導電性材料を含む伝送線路64を形成した保持基板12を準備する。 As shown in FIG. 8 (f), to prepare a holding substrate 12 formed with the transmission line 64 comprising a conductive material. そして、プローブピン14の保持端部24を保持基板12に接合する。 Then, bonded to the holding substrate 12 holding end 24 of the probe pin 14. 保持端部24の保持基板12への接合は、まず、保持端部24を保持基板12に位置合わせすることにより行う。 Bonding to hold the substrate 12 of the holding end portion 24 first performs by aligning the retaining end 24 to the holding substrate 12. そして、保持端部24を保持基板12に貼り合わせる。 Then joined holding end portion 24 to the holding substrate 12. その後、保持端部24を保持基板12に熱圧着する。 Then, thermocompression bonding to the holding substrate 12 holding end 24. 保持端部24の保持基板12への接合は、フリップチップボンダ等を用いて一連の動作で行うのが好ましい。 Bonding to hold the substrate 12 of the holding end portion 24 is preferably carried out in a series of operations using a flip chip bonder or the like. また、熱圧着は、アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度の温度で行うのが好ましい。 Furthermore, thermocompression bonding is preferably amorphous alloy layer is carried out at a temperature at which not heated to the supercooled liquid phase region.
【0054】 [0054]
次に、図8(g)に示すように、アモルファス合金層60を第1基板40及び第2基板50から離脱する。 Next, as shown in FIG. 8 (g), to leave the amorphous alloy layer 60 from the first substrate 40 and second substrate 50. アモルファス合金層60は、第1基板40及び第2基板50のアモルファス合金層60との接続部分をエッチングすることにより第1基板40及び第2基板50から離脱してもよい。 Amorphous alloy layer 60 may be disconnected from the first substrate 40 and second substrate 50 by etching a connecting portion between the amorphous alloy layer 60 of the first substrate 40 and second substrate 50. エッチングは、例えば水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチング又はXeF を用いたドライエッチング等により行うのが好ましい。 Etching, for example, preferably carried out by dry etching using a wet etching or XeF 2 using potassium hydroxide solution.
【0055】 [0055]
図8(h)に示すように、アモルファス合金層60の上に、導電層66を形成してもよい。 As shown in FIG. 8 (h), on the amorphous alloy layer 60 may be formed a conductive layer 66. 導電層66は、金であるのが好ましい。 The conductive layer 66 is preferably gold. そして、図8(i)に示すように、プローブピン14の自由端部26に、突起部22を形成する。 Then, as shown in FIG. 8 (i), the free end 26 of the probe pins 14 to form a protrusion 22. 突起部22は、複数形成されるのが好ましい。 Protrusions 22 are preferably formed with a plurality.
また、他の例として、図8(b)において、第1基板40の第1平面部42のプローブピン14の自由端部26が形成される領域にエッチングにより穴を形成してもよい。 As another example, in FIG. 8 (b), the may be formed a hole by etching a region free end 26 of the probe pins 14 of the first planar portion 42 of the first substrate 40 is formed. この場合、図8(e)においてアモルファス合金層60を形成する際に、突起部22を形成してよい。 In this case, when forming the amorphous alloy layer 60 in FIG. 8 (e), the may form a protrusion 22.
【0056】 [0056]
本実施例において製造されるプローブカード10は、プローブピン14が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン14と電子部品とを容易に接続することができる。 Probe card 10 to be manufactured in the present embodiment, since a shape of the probe pin 14 is bent in a direction in contact with the terminal of the electronic component can be easily connected to the probe pin 14 and the electronic component. また、プローブピン14の自由端部26に形成された突起部22は、電子部品の端子に対して平行に接触するため、接触面積をより大きくすることができる。 Further, protruding portions 22 formed on the free end 26 of the probe pin 14, to parallel contact with the electronic components of the terminal, it is possible to further increase the contact area.
【0057】 [0057]
図9は、図8に示したプローブカード10の製造方法の他の例を示す工程図である。 Figure 9 is a process diagram showing another example of a method of manufacturing a probe card 10 shown in FIG.
本実施例では、図8(c)に示したアモルファス合金層60を形成するステップにおいて、以下のような工程を含んでもよい。 In this embodiment, in the step of forming an amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 8 (c), it may include the following steps.
図9(a)に示すように、第1基板40の第1平面部42及び傾斜面部44及び第2基板50の第2平面部52に、アモルファス合金層と第1基板40及び第2基板50とを密着させる密着層70を形成する。 As shown in FIG. 9 (a), the second plane portion 52 of the first planar portion 42 and the inclined surface portion 44 and the second substrate 50 of the first substrate 40, an amorphous alloy layer and the first substrate 40 and second substrate 50 forming an adhesion layer 70 for adhering and. アモルファス合金がパラジウムを主成分とする場合、密着層70は、組成比が約1:1であるチタンニッケル合金を含むのが好ましい。 If the amorphous alloy composed mainly of palladium, adhesion layer 70, the composition ratio of about 1: preferably includes a titanium-nickel alloy is 1. アモルファス合金がパラジウムを主成分として銅を含有する場合、密着層70は、クロム又はチタンを含む第1密着層と銅を含む第2密着層とを有してよい。 If the amorphous alloy containing copper as a main component of palladium, adhesion layer 70 may have a second adhesive layer comprising a first adhesive layer and the copper containing chromium or titanium. 第1密着層は第1基板40及び第2基板50上に形成し、第1密着層の上に第2密着層を形成するのが好ましい。 The first adhesion layer formed on the first substrate 40 and second substrate 50, it is preferable to form the second adhesive layer on the first adhesion layer.
【0058】 [0058]
続いて、図9(b)に示すように、密着層70上に、後の工程において第1基板40及び第2基板50をプローブピン14から除去しやすいようにするための剥離犠牲層72を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 9 (b), on the adhesion layer 70, the first substrate 40 and second substrate 50 in a later step of peeling the sacrificial layer 72 for such easily removed from the probe pins 14 Form. 剥離犠牲層72は、後の工程におけるアモルファス合金層の加熱、エッチング等の薬品処理等に耐え得る材料により形成されるのが好ましい。 Peeling the sacrificial layer 72, after the amorphous alloy layer in step heating, preferably formed of a material that can withstand chemical treatment such as etching or the like. 剥離犠牲層72は、例えば金属薄膜であるのが好ましい。 Peeling the sacrificial layer 72 is preferably, for example, a metal thin film. 本実施例において、剥離犠牲層72は、クロムを含み、約100nmの厚さに形成される。 In this embodiment, the peeling sacrificial layer 72 comprises chromium is formed to a thickness of about 100 nm.
本実施例において、図8(g)に示したアモルファス合金層60を第1基板40及び第2基板50から離脱するステップは、剥離犠牲層62をエッチングにより除去することによりアモルファス合金層60を第1基板40及び第2基板50から離脱する。 In this embodiment, the step of leaving the amorphous alloy layer 60 shown in FIG. 8 (g) from the first substrate 40 and second substrate 50, an amorphous alloy layer 60 by removing the release sacrificial layer 62 by etching the 1 detached from the substrate 40 and the second substrate 50.
【0059】 [0059]
図9(c)に示すように、剥離犠牲層72の上にアモルファス合金層60を形成する。 As shown in FIG. 9 (c), to form an amorphous alloy layer 60 on the release sacrificial layer 72. 次に、図9(d)に示すように、アモルファス合金層60上に金属層74を形成する。 Next, as shown in FIG. 9 (d), to form the metal layer 74 on the amorphous alloy layer 60. さらに、アモルファス合金層60と金属層74とを密着させる密着層76をアモルファス合金層60上に形成してもよい。 Further, the adhesion layer 76 to adhere the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74 may be formed on the amorphous alloy layer 60. 密着層76は密着層70と同様に、アモルファス合金がパラジウムを主成分とする場合、組成比が1:1であるチタンニッケル合金を含むのが好ましい。 Adhesion layer 76, like the adhesive layer 70, if the amorphous alloy composed mainly of palladium, the composition ratio is 1: preferably includes titanium-nickel alloy is 1. アモルファス合金がパラジウムを主成分として銅を含有する場合、密着層76は、クロム又はチタンを含む第1密着層と銅を含む第2密着層とを有してよい。 If the amorphous alloy containing copper as a main component of palladium, adhesion layer 76 may have a second adhesive layer comprising a first adhesive layer and the copper containing chromium or titanium.
【0060】 [0060]
また、金属層74に含まれる金属がアモルファス合金層60に拡散するのを防ぐバリヤ層78をアモルファス合金層60と金属層74との間に形成してもよい。 It is also possible to form the barrier layer 78 to prevent the metal in the metal layer 74 from diffusing into the amorphous alloy layer 60 between the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74. 本実施例において、バリヤ層78は、密着層76と金属層74との間に設けてもよい。 In this embodiment, the barrier layer 78 may be provided between the adhesion layer 76 and the metal layer 74. バリヤ層78は白金であるのが好ましい。 Preferably, the barrier layer 78 is platinum. バリヤ層78は100nm程度であるのが好ましい。 Preferably, the barrier layer 78 is about 100 nm. アモルファス合金層60と金属層74との間にバリヤ層78を形成することにより、アモルファス合金層60を加熱する場合においても、金属層74に含まれる金属がアモルファス合金層60に拡散することがない。 By forming the barrier layer 78 between the amorphous alloy layer 60 and the metal layer 74, in the case of heating the amorphous alloy layer 60 also is not the metal contained in the metal layer 74 from diffusing into the amorphous alloy layer 60 . 密着層76上に白金であるバリヤ層78を形成する場合、密着層76は、銅を含む第2密着層のみを用いてもよい。 When forming a barrier layer 78 is platinum on the adhesion layer 76, the adhesion layer 76 may be used only the second contact layer comprising copper.
さらに、バリヤ層78と金属層74との間にもバリヤ層78と金属層74とを密着させる密着層を形成してもよい。 Furthermore, it may be an adhesion layer for adhering the barrier layer 78 and the metal layer 74 also between the barrier layer 78 and the metal layer 74. また、プローブピン14は、図8(h)に示した導電層66と図9(d)に示した金属層74の両方を有してもよく、いずれか一方のみを有してもよい。 The probe pin 14 may have both a metal layer 74 shown in the conductive layer 66 and FIG. 9 (d) shown in FIG. 8 (h), may have only one.
【0061】 [0061]
密着層70を形成するステップと、剥離犠牲層72を形成するステップと、アモルファス合金層60を形成するステップと、密着層76を形成するステップと、バリヤ層78を形成するステップと、金属層74を形成するステップとは、スパッタ法により同一装置内で行うのが好ましい。 Forming a contact layer 70, forming a peeling sacrificial layer 72, forming an amorphous alloy layer 60, forming the adhesion layer 76, forming a barrier layer 78, metal layer 74 the step of forming a preferably carried out in the same apparatus by sputtering.
【0062】 [0062]
図10は、図8又は図9に示した工程により製造したプローブカード10を示す斜視図である。 Figure 10 is a perspective view showing a probe card 10 manufactured by the process illustrated in FIG. 8 or 9.
プローブカード10は、複数のプローブピン14を有する。 The probe card 10 has a plurality of probe pins 14. プローブピン14は、保持基板12と反対の方向に屈曲されている。 The probe pin 14 is bent in a direction opposite to the holding substrate 12. また、複数のプローブピン14は、保持基板12に並べて設けられる。 Further, a plurality of probe pins 14 are provided side by side on the holding substrate 12. 本実施形態において、プローブピン14の長さは、約数百μm程度であるのが好ましい。 In the present embodiment, the length of the probe pin 14 is preferably a few hundred μm or so. また、複数のプローブピン14は、約百μm以下のピッチで形成されるのが好ましい。 Further, a plurality of probe pins 14 are preferably formed at about 100 μm or less of the pitch.
【0063】 [0063]
本実施例におけるプローブカード10は、プローブピン14が複数の突出加重部20を有しているので、加重が増加し、剛性を高めることができる。 Probe card 10 in the present embodiment, since the probe pins 14 has a plurality of projecting weighted portion 20, it is possible to load is increased, increasing the rigidity. そのため、電子部品の端子と接触するときの接触抵抗を低下することができる。 Therefore, it is possible to reduce the contact resistance when in contact with the electronic components of the terminal.
本実施例におけるプローブカード10は、プローブピン14が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン14と電子部品とを容易に接続することができる。 Probe card 10 in this embodiment, since a shape of the probe pin 14 is bent in a direction in contact with the terminal of the electronic component can be easily connected to the probe pin 14 and the electronic component.
【0064】 [0064]
以上の実施形態では、プローブピン及びプローブカードを例として説明したが、上記実施形態中プローブピンとして説明した部材は、半導体素子等の電子部品どうしを接続する接触子として用いてもよい。 In the above embodiment has described the probe pin and the probe card as an example, the members described as the probe pins in the above embodiment may be used as a contact for connecting an electronic component to each other such as semiconductor devices.
【0065】 [0065]
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。 Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. 上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。 The above embodiment, it is possible to add various modifications or improvements. そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 It is apparent from the appended claims that embodiments with such modifications also belong to the technical scope of the present invention.
【0066】 [0066]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
上記説明から明らかなように、本発明によればプローブピンの大きさを変えることなくプローブピンの加重を増加させ、プローブピンの剛性を高めることができる。 As apparent from the above description, by increasing the weight of the probe pins without changing the size of the probe pin according to the present invention, it is possible to increase the rigidity of the probe pin.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の一実施形態に係るプローブカードを示す斜視図である。 1 is a perspective view showing a probe card according to an embodiment of the present invention.
【図2】複数の突出加重部を有するプローブピンの上面図である。 2 is a top view of a probe pin having a plurality of projecting weights section.
【図3】図1に示すプローブカードのA−A'断面図である。 3 is a A-A 'sectional view of the probe card shown in FIG.
【図4】図1に示したプローブカードの製造方法の一例を示す工程図である。 Is a process diagram showing an example of a probe card manufacturing method shown in FIG. 1; FIG.
【図5】図4に示す基板とアモルファス層のB−B'断面図である。 5 is a B-B 'sectional view of the substrate and the amorphous layer shown in FIG.
【図6】図1に示したプローブカードの製造方法の他の例を示す工程図である。 6 is a process diagram showing another example of a method of manufacturing a probe card shown in FIG.
【図7】プローブカードの他の例を示す斜視図である。 7 is a perspective view showing another example of the probe card.
【図8】図7に示したプローブカードの製造方法を示す工程図である。 8 is a process diagram showing a method for manufacturing a probe card shown in FIG.
【図9】図8に示したプローブカードの製造の他の例を示す工程図である。 9 is a process diagram showing another example of fabrication of a probe card shown in FIG.
【図10】図8又は図9に示した工程により製造したプローブカードの他の例を示す斜視図である。 10 is a perspective view showing another example of a probe card produced by the process illustrated in FIG. 8 or 9.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
10・・プローブカード、12・・保持基板、14・・プローブピン、16・・保持端、18・・自由端、20・・突出加重部、22・・突起部、30・・基板、32・・溝、34・・穴、40・・第1基板、42・・第1平面部、44・・傾斜面部、50・・第2基板、52・・第2平面部、64・・伝送線路 10 ... probe card 12 ... holding substrate, 14 ... probe pin, 16 ... holding end, 18 ... free end, 20 ... protruding weighted portion, 22 ... protruding portion, 30 ... substrate, 32 - · groove, 34 ... hole, 40 ... first substrate, 42 the first flat section .., 44 .. inclined surface, 50 ... second substrate, 52 ... second flat portion, 64 ... transmission line

Claims (13)

  1. 電子部品の端子に接触し、前記電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードであって、 Contacting the electronic components of the terminal, a probe card used to test the characteristics of the electronic component,
    保持基板と、 And the holding substrate,
    前記保持基板に保持される保持端を含む保持端部と、前記保持端部に対して所定の角度を有するように、一端が前記保持端部に延長して設けられた傾斜部と、前記傾斜部の他端から延長して設けられ、前記保持端の反対側の自由端を含む自由端部とを有するプローブピンと、 A holding end portion including a holding end which is held on the holding substrate, so as to have a predetermined angle with respect to the holding end portion, an inclined portion having one end provided so as to extend to the holding end portion, the inclined parts other end is provided to extend from a probe pin having a free end portion including a side opposite the free end of the holding ends,
    前記保持基板に設けられ、前記プローブピンと電気的に接続された伝送線路とを備え、 Provided on the holding substrate, and a the probe pins and electrically connected to the transmission line,
    前記傾斜部は、前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在し、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出した突出加重部を有するプローブカード。 The inclined section, and extends in the longitudinal direction toward the free end from the holding ends, indentations from one surface of the probe pins, the probe card having a projecting weight portion protruding on the opposite side surface side of the one surface.
  2. 前記突出加重部は、幅方向の断面がV形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。 The projecting weighting unit, the probe card of claim 1, wherein the width direction of the cross section is V-shaped.
  3. 前記突出加重部は、幅方向の断面がU形状であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。 The projecting weighting unit, the probe card of claim 1 in which the width direction of the cross section, characterized in that a U-shaped.
  4. 前記突出加重部は、前記自由端から所定の距離を隔てた位置に形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のプローブカード。 The projecting weighting unit, the probe card according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is formed at a position spaced a predetermined distance from said free end.
  5. 前記プローブピンは、前記自由端に、前記電子部品の端子と接触する複数の突起部を有することを特徴とする請求項4に記載のプローブカード。 The probe pins, the probe card according to claim 4, wherein the free end, and having a plurality of projections in contact with the terminals of the electronic component.
  6. 前記プローブピンは、前記自由端に、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出すように形成され、前記電子部品の端子と接触する接触突出部を有することを特徴とする請求項4に記載のプローブカード。 The probe pin, the free end, dents from one surface of the probe pin, is formed so as to project to the opposite side surface side of the one surface, and wherein a contact protrusion that contacts the electronic component terminal the probe card of claim 4,.
  7. 前記プローブピンは、複数の前記突出加重部を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のプローブカード。 The probe pins, the probe card according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it comprises a plurality of the protruding weighted portion.
  8. 前記複数の突出加重部は、幅方向に一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項7に記載のプローブカード。 Wherein the plurality of protruding weighting unit, the probe card according to claim 7, characterized in that it is formed so as to partially overlap in the width direction.
  9. 前記複数の突出加重部は、幅方向に少なくとも3列に設けられ、中心の列に設けられた前記突出加重部は、幅方向において、両端の列に設けられた前記突出加重部と一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項7に記載のプローブカード。 Wherein the plurality of protruding weighting portion is provided in at least three rows in the width direction, the protrusion weight portion provided on the column of the center in the width direction, a portion with the protrusion weight portion provided on the column at both ends the probe card of claim 7, characterized in that it is formed so as to overlap.
  10. 前記プローブピンは、過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料とすることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のプローブカード。 The probe pins, the probe card according to any one of claims 1 9, characterized in that the amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range and material.
  11. 電子部品の端子に接触し、前記電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、 Contacting the electronic components of the terminal, a probe card manufacturing method of manufacturing a probe card used to test the characteristics of the electronic component,
    導電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステップと、 Comprising: providing a holding substrate with the transmission line comprising a conductive material,
    前記保持基板に保持される保持端と、前記保持端の反対側の自由端と、前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピンを形成するステップと、 Forming a holding end which is held on the holding substrate, and a free end opposite the holding end, a probe pin having a protrusion weighted portion extending in the longitudinal direction toward the free end from the holding ends ,
    前記プローブピンの前記保持端を前記保持基板に接合するステップとを備え And a step of bonding the holding ends of the probe pins on the holding substrate,
    前記プローブピンを形成するステップは、 Wherein forming the probe pin,
    基板の前記プローブピンが形成される領域に、前記プローブピンの前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在し、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出した溝を形成するステップと、 In a region where the probe pin of the substrate is formed, and extends in the longitudinal direction toward the free end from the holding ends of the probe pins, indentations from one surface of the probe pin, protrudes on the opposite side surface side of the one surface forming a groove,
    前記基板にスパッタ法によりアモルファス合金層を形成するステップと、 Forming an amorphous alloy layer by sputtering on the substrate,
    前記アモルファス合金層を加熱するステップと、 Heating said amorphous alloy layer,
    前記アモルファス合金層を冷却するステップとを有するプローブカード製造方法。 Probe card manufacturing method and a step of cooling said amorphous alloy layer.
  12. 前記保持端を前記保持基板に接合するステップは、 The step of bonding the holding end in the retaining substrate,
    前記保持端を前記保持基板に貼り合わせるステップと、 A step of bonding the holding ends on the holding substrate,
    前記保持端を前記保持基板に熱圧着するステップとを有することを特徴とする請求項11に記載のプローブカード製造方法。 Probe card manufacturing method according to claim 11, characterized in that a step of thermocompression bonding the holding end in the retaining substrate.
  13. 前記アモルファス合金層を前記基板から離脱するステップをさらに備えることを特徴とする請求項11または12に記載のプローブカード製造方法。 Probe card manufacturing method according to claim 11 or 12, further comprising the step of leaving the amorphous alloy layer from the substrate.
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