WO2002081787A1 - Reservoir pour installation d'epitaxie et installation comprenant un tel reservoir - Google Patents

Reservoir pour installation d'epitaxie et installation comprenant un tel reservoir Download PDF

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WO2002081787A1
WO2002081787A1 PCT/FR2002/001180 FR0201180W WO02081787A1 WO 2002081787 A1 WO2002081787 A1 WO 2002081787A1 FR 0201180 W FR0201180 W FR 0201180W WO 02081787 A1 WO02081787 A1 WO 02081787A1
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epitaxy
enclosure
tank
crucible
reservoir
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English (en)
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Olivier Grange
Pierre BOUCHAÏB
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/066—Heating of the material to be evaporated

Definitions

  • the present invention relates to the field of epitaxy equipment.
  • French patent FR2679929 describes an installation comprising a sublimation chamber for primary molecules which are transferred with a transfer rate in a cracking head at a higher temperature to be transformed there into lighter secondary molecules and to form molecular jets.
  • the transfer rate is adjusted by adjusting an overall vector rate which is that of a vector gas introduced into the sublimation chamber by a supply tube and sucked by a suction tube.
  • European patent EP122088 describes a source of molecular or atomic beams, intended for use in epitaxy by molecular jets, comprising a hollow crucible open at one end, and one or more crucible heating elements, characterized in that each element comprises a set of elongated metal strips, thin and practically parallel, arranged outside the crucible and at a distance from the crucible, with main surfaces facing the crucible, these strips being electrically connected so that an electric current can pass through all groups.
  • the closest state of the art consists of equipment described in the American patent.
  • This equipment includes an assembly consisting of a reservoir, a valve and a cracking element
  • FIG. 1 represents an exemplary embodiment of an installation according to the prior art.
  • the tank (1) refillable by a set of internal and external loading flanges (3) is placed under the epitaxy chamber (2), with which it communicates by a valve (4).
  • the axis (5) of the cracker (6) is inclined about 40 ° with respect to the vertical, and the main axis (7) of the tank (1), perpendicular to the axis (5) of the cracker, is inclined by approximately 40 ° with respect to the horizontal.
  • Such equipment according to the state of the art is certainly compact and easy to design for those skilled in the art. However, it turns out to have various drawbacks.
  • the tank whose weight is important, is difficult to handle because it is located under the enclosure, and must be removed by moving downwards, with an angle offset from the vertical.
  • the positioning of the reservoir limits the acceptable volume, and therefore involves frequent recharging, and therefore restrictive manipulations when putting the system back into the air, implying prolonged immobilization.
  • This recharging is done by the set of flanges (3) located in a zone of lower temperature, opposite the steam outlet. This results in a risk of rapid closure of the flanges.
  • the set of flanges (3) is located at the opposite end of the valve (4), which is itself overheated to prevent it from being blocked.
  • the object of the invention is to remedy these various drawbacks by proposing a tank and improved equipment.
  • the invention relates, in its most general sense, to a tank for the production of arsenic vapor
  • the outlet pipe and the flange are placed in a substantially isothermal area.
  • the steam outlet duct is located in the half of the high temperature crucible in which the main loading flange is located.
  • the crucible comprises means for the removable connection of the conduit on the enclosure.
  • the enclosure has a condensation zone in the lower part of the tank, said condensation zone communicating with an access flange.
  • the crucible loading flange is located in a horizontal plane, at the end of the upper part of the tank.
  • the invention also relates to an epitaxy installation comprising an epitaxy enclosure communicating via a valve with a reservoir, characterized in that the epitaxy enclosure and the reservoir are decouplable.
  • the reservoir is connected to the enclosure via a conduit whose temperature is higher than that of the crucible.
  • the coupling axis between the enclosure and the reservoir is horizontal.
  • the duct is connected to the enclosure by a rotary connector.
  • the axis of the generator of the reservoir is substantially vertical.
  • the segment of the vapor outlet tube, in the epitaxy enclosure is substantially perpendicular to the axis of the connecting duct between the enclosure and the reservoir.
  • FIG. 1 shows a schematic view of an epitaxy equipment according to the prior art
  • - Figure 2 shows a partial schematic view of the epitaxy installation according to the invention
  • Figure 3 shows an alternative embodiment of the invention.
  • FIG. 2 represents a schematic partial view of an installation according to the invention.
  • the tank (1) is separated from the enclosure (2). It is placed vertically, and is connected to the enclosure by a thermostated conduit (10).
  • the reservoir (1) consists of a crucible (11) placed in a vacuum enclosure (12).
  • the tank body has a vertical main axis (13). It is formed by a tubular element with an internal section of approximately 350 mm and a height of approximately 1000 mm. It can be filled by a loading flange (14) placed in a horizontal plane. This flange sealingly closes the front end of the crucible (11).
  • This crucible is surrounded by resistors of heating (16) to allow ensuring a temperature of one order of 500 ° C.
  • the crucible (11) can contain a hundred kilograms of arsenic. It can be recharged without having to completely empty the tank as in the prior art.
  • the enclosure (12) is in contact with the epitaxy chamber and is under high vacuum, in order to avoid the penetration of air into the enclosure.
  • This enclosure (12) is cooled in order to cause condensation of the arsenic vapors on the walls. It has a cold spot in its lower part (17) in order to cause condensation near an orifice communicating with a retention tank (15).
  • the enclosure (12) has a temperature gradient, the temperature decreasing towards the lower part.
  • the enclosure (12) is also closed by a flange (18) closed in a sealed manner during use.
  • the major innovation concerns the connection between the tank (1) and the enclosure (2).
  • thermostatically controlled duct (10) which is connected on the one hand to the crucible (11) and on the other hand to the valve (20).
  • the conduit (10) is connected to a light (21) located near the flange (14).
  • the flange (14) and the light to which the conduit (10) is connected are located in the same part of the crucible, in the upper part of the tank, where the maximum temperature prevails.
  • the two openings - the arsenic supply opening, and the opening for the supply of arsenic vapor - are therefore both placed in a vaporization zone, avoiding obstruction by condensed arsenic.
  • the connection between the conduit (10) and the tank (1) is made by a removable junction making it possible to separate the tank from the enclosure, in particular for maintenance operations.
  • the tank can be supported by a movable frame (22) making it possible to move it away from the epitaxy enclosure (2) and to withdraw the crucible (11) vertically, through the front end of the enclosure (12) after dismantling and removal of the flange (18).
  • the conduit (10) consists of a set of coaxial tubes.
  • the inner tube (25) is intended to transmit the arsenic vapor produced by the tank
  • a heating element (27) maintains the temperature, with a positive temperature gradient passing the temperature between a temperature of the order of 500 ° at the outlet of the crucible, to a temperature of the order of 700 ° at the valve (20).
  • an outer tube (29) provides thermal insulation.
  • the length of the conduit corresponds substantially to the radius of the epitaxy enclosure, and more precisely is determined as a function of the dimensions of the epitaxy enclosure and that of the reservoir (1). For example, it has a length of the order of 1500 mm. It extends horizontally between the inlet opening of the valve (20) and the tank connection flange (1).
  • the connection flange (40) is removable to allow disassembly of the installation, and removal of the tank by simple manipulations.
  • This conduit (10) is connected at the opposite end, to the reservoir (1) to the valve (20.A This valve is enclosed in a sealed envelope (30) communicating with the tube (26).
  • the valve (20) is controlled manually or by a motor (31).
  • the valve outlet is formed by a conduit (32) connecting to the epitaxy chamber (2) by a coupling flange (33).
  • This conduit (32) opens opposite the epitaxy substrate. Its length can be determined to ensure diffusion very close to the substrate, while in the prior art, its length was limited by the fact that the withdrawal of the reservoir could only be done by removing this conduit from the enclosure. epitaxy.
  • This flange (33) communicates with the conduit (34) delivering the arsenic vapor. It is surrounded by a heating element (35) ensuring a rise in temperature to the cracking temperature when it is desired to diffuse AS 2 and not As 4 .
  • FIG. 3 shows a same view of two alternative variants for installing an Arsenic evaporation device on an enclosure.
  • the device can be mounted on a vertical nozzle (left part of the figure) or on a nozzle inclined at 40 degrees (right part of the figure).
  • the device can be mounted on a vertical tap (left part of the figure) or on one of the taps inclined at around 40/45 ° that the epitaxy enclosure comprises.
  • Such inclined tappings are generally intended for the installation of ovens intended for the evaporation of elements such as gallium, indium or aluminum.

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Abstract

La présente invention concerne un réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic [notamment destiné à un équipment d'épitaxie] constitué par un creuset placé à l'intérieur d'une enceinte (12) extérieure destinée à contenir les fuites, l'espace compris entre le creuset et l'enceinte (12) extérieure étant soumis à une pression inférieure à la pression atmosphérique, le creuset étant muni d'un conduit de sortie, et d'une bride (14) de chargement caractérisé en ce que le conduit de sortie et ladite bride (14) de chargement sont situés dans la partie supérieure du creuset.

Description

RESERVOIR POUR INSTALLATION D'EPITAXIE ET INSTALLATION COMPRENANT UN TEL RESERVOIR.
La présente invention concerne le domaine des équipements d'épitaxie.
Il est connu dans l'art antérieur de procédé au dépôt par sublimation de molécules d'arsenic pour la formation de composants semi-conducteurs .
Le brevet français FR2679929 décrit une installation comprenant une chambre de sublimation des molécules primaires qui sont transférées avec un débit de transfert dans une tête de craquage à température supérieure pour y être transformées en molécules secondaires plus légères et former des jets moléculaires. Le débit de transfert est réglé par réglage d'un débit vecteur global qui est celui d'un gaz vecteur introduit dans la chambre de sublimation par un tube d'amenée et aspiré par un tube d ' aspiration .
Le brevet européen EP122088 décrit une source de faisceaux moléculaires ou atomiques, destinée à être utilisée en épitaxie par jets moléculaires, comprenant un creuset creux ouvert à une extrémité, et un ou plusieurs éléments de chauffage de creuset, caractérisée en ce que chaque élément comprend un ensemble de bandes de métal allongées, minces et pratiquement parallèles, disposées a l'extérieur du creuset et à distance de ce dernier, avec des surfaces principales faisant face au creuset, ces bandes étant connectées électriquement de manière qu'un courant électrique puisse traverser toutes les bandes. L'état de la technique le plus proche est constitué par un équipement décrit dans le brevet américain
US5156815. Cet équipement comprend un ensemble constitué d'un réservoir, d'une vanne et d'un élément de craquage
[cracker] solidaire, dans lequel la prise d'alimentation en vapeur de la vanne est située à l'opposée de la bride de charge. La figure 1 représente un exemple de réalisation d'une installation selon l'art antérieur. Le réservoir (1) rechargeable par un ensemble de brides de chargement (3) internes et externes est placé sous l'enceinte d'épitaxie (2), avec lequel il communique par une vanne (4). L'axe (5) du cracker (6) est incliné d'environ 40° par rapport à la verticale, et l'axe principal (7) du réservoir (1), perpendiculaire à l'axe (5) du cracker, est incliné d'environ 40° par rapport à l'horizontale. Un tel équipement selon l'état de la technique est certes compact et facile à concevoir pour l'homme du métier. Il s'avère toutefois présenter divers inconvénients.
Tout d'abord, la maintenance d'un tel équipement est difficile. Le réservoir, dont le poids est important, est délicat à manipuler car il est situé sous l'enceinte, et doit être retiré par un déplacement vers le bas, avec un angle décalé par rapport à la verticale.
Par ailleurs, le positionnement du réservoir limite le volume acceptable, et implique donc des rechargements fréquents, et donc des manipulations contraignantes lors de remise à l'air du système, impliquant une immobilisation prolongée. Ce rechargement se fait par l'ensemble de brides (3) situé en une zone de moindre température, à l'opposé de la sortie de vapeur. Il en résulte un risque d'obturation rapide des brides. L'ensemble de brides (3) est situé en effet à l'extrémité opposée de la vanne (4) , qui est, elle, surchauffée pour éviter son obturation.
L'objet de l'invention est de remédier à ces différents inconvénients, en proposant un réservoir et un équipement amélioré.
L'invention concerne selon son acception la plus générale un réservoir pour la production de vapeur d'arsenic
[notamment destiné à un équipement d'épitaxie par jet moléculaire] constitué par un creuset placé à l'intérieur d'une enceinte extérieure destinée à l'isoler de l'atmosphère ambiante. L'espace compris entre le creuset et l'enceinte extérieure est soumis à une pression inférieure à la pression atmosphérique. Le creuset est muni d'un conduit de sortie, et d'une bride de chargement. Le conduit de sortie et ladite bride de chargement sont situés dans la partie supérieure du creuset.
De préférence, le conduit de sortie et la bride sont placés dans une zone sensiblement isotherme. Selon un mode de réalisation préféré, le conduit de sortie de vapeur est situé dans la moitié du creuset de température élevée dans laquelle se situe la bride de chargement principale.
Avantageusement, le creuset comporte des moyens pour la connexion démontable du conduit sur l'enceinte.
Selon un mode de réalisation particulier, l'enceinte présente une zone de condensation dans la partie inférieure du réservoir, ladite zone de condensation communiquant avec une bride d'accès. Avantageusement, la bride de chargement du creuset est située dans un plan horizontal, à l'extrémité de la partie supérieure du réservoir.
L'invention concerne également une installation d'épitaxie comportant une enceinte d'épitaxie communiquant par l'intermédiaire d'une vanne avec un réservoir, caractérisé en ce que l'enceinte d'épitaxie et le réservoir sont découplables .
Avantageusement, le réservoir est relié à l'enceinte par l'intermédiaire d'un conduit dont la température est supérieure à celle du creuset.
IL présente . selon une variante préférée un gradient de température positif.
Selon une variante préférée, l'axe de couplage entre l'enceinte et le réservoir est horizontal. Selon une autre variante, le conduit est relié à 1 ' enceinte par un raccord tournant .
De préférence, l'axe de la génératrice du réservoir est sensiblement vertical. Selon une variante avantageuse, le segment du tube de sortie de vapeur, dans l'enceinte d'épitaxie, est sensiblement perpendiculaire à l'axe du conduit de liaison entre l'enceinte et le réservoir.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, se référant aux dessins annexés relatifs à un exemple non limitatif de réalisation, où :
- la figure 1 représente une vue schématique d'un équipement d'épitaxie selon l'art antérieur ; - la figure 2 représente une vue schématique partielle de l'installation d'épitaxie selon l'invention ; la figure 3 représente une variante de réalisation de l'invention.
La figure 2 représente une vue schématique, partielle, d'une installation selon l'invention.
Elle est composée, comme dans l'art antérieur, d'un réservoir (1) et d'une enceinte d' évaporation (2).
A la différence des installations de l'art antérieur, le réservoir (1) est séparé de l'enceinte (2). Il est placé verticalement, et est relié à l'enceinte par un conduit (10) thermostaté.
Le réservoir (1) est constitué par un creuset (11) placé dans une enceinte sous vide (12) . Le corps du réservoir présente un axe principal (13) vertical. II est formé par un élément tubulaire d'une section intérieure _d' environ 350. mm et d'une hauteur d'environ 1000 mm. Il peut être rempli par une bride de chargement (14) placée dans un plan horizontal. Cette bride obture de façon étanche l'extrémité frontale du creuset (11) . Ce creuset est entouré par des résistances de chauffage (16) pour permettre assurer une température de 1 'ordre de 500 °C.
Le creuset (11) peut contenir une centaine de kilogrammes d'arsenic. Il peut être rechargé sans avoir à vider entièrement le réservoir comme dans l'art antérieur.
L'enceinte (12) est en contact avec la chambre d'épitaxie et est sous vide pousse, afin d'éviter la pénétration d'air dans l'enceinte. Cette enceinte (12) est refroidie afin de provoquer la condensation des vapeurs d'arsenic sur les parois. Elle présente un point froid dans sa partie inférieure (17) afin de provoquer la condensation à proximité d'un orifice communiquant avec un bac de rétention (15). L'enceinte (12) présente un gradient de température, la température décroissant vers la partie inférieure. L'enceinte (12) est également fermée par une bride (18) fermée de manière étanche en cours d'utilisation.
L'innovation majeure concerne la liaison entre le réservoir (1) et l'enceinte (2).
Elle est assurée par un conduit thermostaté (10) se raccordant d'une part sur le creuset (11) et d'autre part sur la vanne (20) .
Du côté du réservoir, le conduit (10) est raccordé à une lumière (21) située à proximité de la bride (14) . La bride (14) et la lumière sur laquelle se raccorde le conduit (10) sont situées dans la même partie du creuset, dans la partie supérieure du réservoir, où règne la température maximale. Les deux ouvertures - l'ouverture d'alimentation en arsenic, et l'ouverture pour la fourniture de vapeur d'arsenic - sont donc toutes deux placées dans une zone de vaporisation, évitant l'obturation par de l'arsenic condensé . _
Le raccordement entre le conduit (10) et le réservoir (1) se fait par une jonction démontable permettant de séparer le réservoir de l'enceinte, notamment pour des opérations de maintenance. Le réservoir peut être supporté par un châssis mobile (22) permettant de l'écarter de l'enceinte d'épitaxie (2) et de retirer le creuset (11) verticalement, à travers l'extrémité frontale de l'enceinte (12) après démontage et retrait de la bride (18) . Le conduit (10) est constitué par un ensemble de tubes coaxiaux. Le tube intérieur (25) est destiné à transmettre la vapeur d'arsenic produite par le réservoir
(1) •
Il est entouré par un second tube (26) communiquant avec l'enceinte (12) destinée à l'isolation de l'atmosphère, ainsi que du creuset (11) et de l'enceinte d'épitaxie (2). Un élément de chauffage (27) assure le maintien de la température, avec un gradient positif de température faisant passer la température entre une température de l'ordre de 500° en sortie du creuset, jusqu'à une température de l'ordre de 700° au niveau de la vanne (20) .
Optionnellement , un tube extérieur (29) assure 1 ' isolation thermique . La longueur du conduit correspond sensiblement au rayon de l'enceinte d'épitaxie, et plus précisément est déterminé en fonction des dimensions de l'enceinte d'épitaxie et celle du réservoir (1). A titre d'exemple, il présente une longueur de l'ordre de 1500 mm. Il s'étend horizontalement entre l'orifice d'entrée de la vanne (20) et la bride de raccordement du réservoir (1) . La bride de raccordement (40) est démontable pour permettre le désassemblage de l'installation, et le retrait du réservoir par des manipulations simples. Ce conduit (10) est raccordé à l'extrémité opposée, au réservoir (1) à la vanne (20.A Cette vanne est enfermée dans une enveloppe étanche (30) communiquant avec le tube (26) . La vanne (20) est commandée manuellement ou par un moteur (31) . La sortie de la vanne est formée par un conduit (32) se raccordant à l'enceinte d'épitaxie (2) par une bride d'accouplement (33) . Ce conduit (32) débouche en regard du substrat d'épitaxie. Sa longueur peut être déterminée pour assurer une diffusion très proche du substrat, alors que dans l'art antérieur, sa longueur était limitée par le fait que le retrait du réservoir ne pouvait se faire qu'en retirant ce conduit de l'enceinte d'épitaxie.
Cette bride (33) assure la communication avec le conduit (34) délivrant la vapeur d'arsenic. Il est entouré par un élément chauffant (35) assurant une élévation de la température jusqu'à la température de craquage lorsque l'on souhaite diffuser de l'AS2et non pas de l'As4.
La figure 3 représente une même vue deux variantes alternatives d'installation d'un dispositif d' évaporation d'Arsenic sur une enceinte. Le dispositif peut être monté sur un piquage vertical, (partie gauche de la figure) ou sur un piquage incliné à 40 degrés (partie droite de la figure) . Le dispositif peut être monté sur un piquage vertical (partie gauche de la figure) ou sur un des piquages inclinés à environ 40/45° que comporte l'enceinte d'épitaxie. De tels piquages inclinés sont généralement destinés à l'installation de fours destinés à l'evaporation d'éléments tels que le gallium, l'indium ou l'aluminium.

Claims

REVENDICATIONS
1 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic [notamment destiné à un équipement d'épitaxie] constitué par un creuset placé à l'intérieur d'une enceinte (12) extérieure destinée à l'isolation de l'atmosphère ambiant, l'espace compris entre le creuset et l'enceinte (12) extérieure étant soumis à une pression inférieure à la pression atmosphérique, le creuset étant muni d'un conduit de sortie, et d'une bride (14) de chargement caractérisé en ce que le conduit de sortie et ladite bride (14) de chargement sont situés dans la partie surchauffée [notamment l'extrémité supérieure] du creuset.
2 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic selon la revendication 1 caractérisé en ce que le conduit de sortie et la bride (14) sont placés dans une zone sensiblement isotherme.
3 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic selon la revendication 1 caractérisé en ce que le conduit de sortie de vapeur est situé dans la moitié du creuset de température élevée dans laquelle se situe la bride (14) de chargement principale.
4 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic selon la revendication 1 caractérisé en ce que le creuset comporte des moyens pour la connexion démontable pour la maintenance du conduit sur l'enceinte (12).
5 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic selon l'une au moins des revendications caractérisé en ce que l'enceinte (12) présente une zone de condensation dans la partie inférieure du réservoir (1) , ladite zone de condensation communiquant avec une bride (14) d' accès .
6 - Réservoir (1) pour la production de vapeur d'arsenic selon l'une au moins des revendications caractérisé en ce que la bride (14) de chargement du creuset est située dans un plan horizontal, à l'extrémité de la partie supérieure du réservoir (1) .
7 - Installation d'épitaxie comportant une enceinte (2) d'épitaxie communiquant par l'intermédiaire d'une vanne avec un réservoir (1) conforme à l'une au moins des revendications précédentes caractérisé en ce que l'enceinte (2) d'épitaxie et le réservoir (1) sont reliés par un conduit thermostaté (10) de façon dëcouplable.
8 - Installation d'épitaxie selon la revendication 7 caractérisée en ce que le réservoir (1) est relié à l'enceinte d'épitaxie (2) par l'intermédiaire d'un conduit présentant un gradient de température positif.
9 - Installation d'épitaxie selon la revendication 7 caractérisée en ce que l'axe de couplage entre l'enceinte (2) et le réservoir (1) est horizontal.
10 - Installation d'épitaxie selon l'une au moins des revendications précédentes 7 à 9 caractérisée en ce que le conduit est relié à l'enceinte (2) par un raccord tournant .
11 - Installation d'épitaxie selon l'une au moins des revendications précédentes 7 à 10 caractérisée en ce que l'axe de la génératrice du réservoir (1) est sensiblement vertical. 12 - Installation d'épitaxie selon l'une au moins des revendications précédentes 7 à 11 caractérisée en ce que le segment du tube de sortie de vapeur, dans l'enceinte (2) d'épitaxie, est sensiblement perpendiculaire à l'axe du conduit de liaison entre l'enceinte (2) et le réservoir (1) .
13 - Installation d'épitaxie selon l'une au moins des revendications précédentes 7 à 11 caractérisée en ce que le segment du tube de sortie de vapeur, dans l'enceinte (2) d'épitaxie, est incliné d'environ 40 à 45° afin de permettre le raccordement avec le piquage incliné de l'enceinte (2) d'épitaxie.
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